KR20130047244A - Manufacturing method of nanotube, pattern forming method, and nanotube using the same - Google Patents

Manufacturing method of nanotube, pattern forming method, and nanotube using the same Download PDF

Info

Publication number
KR20130047244A
KR20130047244A KR1020110112151A KR20110112151A KR20130047244A KR 20130047244 A KR20130047244 A KR 20130047244A KR 1020110112151 A KR1020110112151 A KR 1020110112151A KR 20110112151 A KR20110112151 A KR 20110112151A KR 20130047244 A KR20130047244 A KR 20130047244A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nanotube
nanowires
copper
nanotubes
nanowire
Prior art date
Application number
KR1020110112151A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101357187B1 (en
Inventor
양민양
고승환
강봉철
한승용
Original Assignee
한국과학기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국과학기술원 filed Critical 한국과학기술원
Priority to KR1020110112151A priority Critical patent/KR101357187B1/en
Publication of KR20130047244A publication Critical patent/KR20130047244A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101357187B1 publication Critical patent/KR101357187B1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B3/0009—Forming specific nanostructures
    • B82B3/0038—Manufacturing processes for forming specific nanostructures not provided for in groups B82B3/0014 - B82B3/0033
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
    • C01P2004/13—Nanotubes

Abstract

PURPOSE: A manufacturing method of a nanotube is provided to manufacture a copper oxide nanotube without capping for anti-oxidation, by reducing the copper oxide nanotube through laser irradiation. CONSTITUTION: A manufacturing method of a nanotube comprises: a step of generating a hollow oxidation nanotube(20) by the movement of atoms using an oxidizing nanowire(10); and a step of generating a reduced nanotube by spreading a reducing agent on the oxidation nanotube, and irradiating the nanotube with laser. In the first step, the hollow is formed by heating the nanowire. The nanowire is formed of copper or aluminum. A patterning method of the nanotube comprises: a step of generating the oxidation nanotube; a step of spreading the reducing agent on the oxidation nanotube, and selectively laser-irradiating the oxidation nanotube; and a step of generating the reduced nanotube on the laser-irradiation region for forming patterns.

Description

나노튜브 제조방법, 나노튜브 패턴 형성방법 및 그 방법에 의해 제조된 나노튜브{Manufacturing method of nanotube, pattern forming method, and nanotube using the same}Manufacturing method, nanotube pattern forming method and nanotube manufactured by the same method {Manufacturing method of nanotube, pattern forming method, and nanotube using the same}

본 발명은 나노튜브 제조방법, 나노튜브 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 구리 나노와이어를 중공형상으로 산화시킨 후 산화구리 나노튜브를 다시 환원시킴으로써 중공형상의 나노튜브를 생성하는 나노튜브 제조방법 및 나노튜브 패턴 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a nanotube, a method for forming a nanotube pattern, and more particularly, to produce a hollow nanotube by oxidizing copper nanowires in a hollow shape and then reducing copper oxide nanotubes again. It relates to a method and a method for forming a nanotube pattern.

최근 광산업, 디스플레이 산업, 반도체 산업, 바이오 산업에서 제품의 박막화 고성능화의 요구가 증가하고 있다. 여기에 최근 금, 은의 재료비 증가로 인한 구리의 수요가 증대되고 있다. 구리의 경우 가격이 매우 저렴하기 때문에 구리를 산업에 접목시키기 위한 여러 연구가 진행되고 있다. 현재까지 구리 나노입자 또는구리 나노와이어를 제조하는 방법에 대해서는 많이 개발되었지만 구리 나노튜브에 대한 제조방법은 거의 개발된 것이 없다.
Recently, the demand for thinning and high performance of products is increasing in the mining, display, semiconductor, and bio industries. In addition, demand for copper is increasing due to an increase in material costs of gold and silver. Since copper is very inexpensive, a lot of research is being carried out to bring copper to industry. To date, many methods have been developed for producing copper nanoparticles or copper nanowires, but few have been developed for copper nanotubes.

한편, 구리는 금, 은과 같이 높은 전도성을 나타내면서 값이 싼 재료이다. 그러나 금,은과 달리 구리는 대기상태에서 쉽게 산화가 일어난다. 나노 상태에서는 표면적이 증가하여서 더욱 쉽게 산화되므로 산화가 쉬운 구리를 대기 상태에서 산업에 접목시키는 것이 불가능하거나 매우 고가의 복잡한 공정이 필요하다. 종래의 구리 나노튜브를 만드는 방법은 알루미늄 양극산화 템플릿(anodic aluminium oxide template)을 이용한 방법이 있다.
On the other hand, copper is a cheap material with high conductivity such as gold and silver. But unlike gold and silver, copper oxidizes easily in the atmosphere. In the nano state, the surface area increases, which oxidizes more easily, making it difficult or impossible to incorporate copper that is easy to oxidize into the industry in the atmosphere, or require very expensive and complicated processes. Conventional methods for making copper nanotubes include a method using an aluminum anodization template.

이러한 방법은 나노 크기의 균일한 실린더 형상의 구멍(pore)을 갖는 멤브레인에 구리를 증착하고 템플릿을 화학적으로 제거하여 중공형의 구리나노 튜브를 만드는 것이다. 이러한 방법은 균일한 나노튜브를 제조할 수 있지만 공정중 1회 이상의 진공공정이 필요하고 매번 고가의 템플릿을 제조해야 하는 단점을 갖고 있으며, 튜브의 형상을 바꾸기 위해서는 매번 다른 템플릿을 제조해야 하는 단점을 갖고 있어서 대량생산에는 적합하지 않은 문제점이 있었다.The method involves depositing copper on a membrane with nanosized, uniform cylindrical pores and chemically removing the template to create a hollow copper nanotube. Although this method can produce uniform nanotubes, it has the disadvantage of requiring at least one vacuum process during the process and producing expensive templates every time, and in order to change the shape of the tubes, it is necessary to manufacture different templates every time. There was a problem that is not suitable for mass production.

선행기술문헌인 대한민국 공개특허공보 제10-2005-0086693(발명의 명칭 : 반도체 물질로부터 나노와이어를 제조하는 방법과 나노와이어 분산 및 전자장치)에 따르면 주어진 에러 마진 내에서 실질적으로 균일한 길이를 갖는 나노와이어를 얻을 수 있는 발명에 관한 것이다.According to the prior art document Korean Patent Publication No. 10-2005-0086693 (name of the invention: a method for manufacturing nanowires from a semiconductor material and nanowire dispersion and electronic device) has a substantially uniform length within a given error margin The present invention relates to an invention capable of obtaining nanowires. 이러한 목적을 달성하기 위해 양극 에칭이 제1시간주기 및 제2시간주기에서 실행되는데, 이 주기는 나노와이어에 따른 제1 및 제2영역에 대응하며, 제1주기에서보다 높은 전류밀도로 제2시간 주기에서 에칭이 발생하여 형성된 나노와이어는 제1영역에서 제2영역에서보다 큰 직경을 가지며, 그 결과에 의한 제거에 따라 나노와이어는 제2영역에서 백오프하며, 이 제거는 나노와이어 분산이 발생되는 배스에서 일어난다는 점에서 달성된다.To achieve this goal, anode etching is carried out in a first time period and a second time period, which corresponds to the first and second regions along the nanowire, and the second at a higher current density than in the first period. The nanowires formed by etching in the time period have a larger diameter in the first region than in the second region, and as a result of the removal, the nanowires are backed off in the second region, which removes the nanowire dispersion. This is achieved in that it occurs in the bath being generated.

따라서, 본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 대기 상태에서 구리 나노튜브를 제조할 수 있는 발명을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems described above, and an object thereof is to provide an invention capable of manufacturing copper nanotubes in an atmospheric state.

그러나, 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

전술한 본 발명의 목적은, 나노와이어를 산화시킴으로써 중공의 산화 나노튜브를 생성하는 단계(S610); 및 산화 나노튜브를 환원제와 함께 레이저 조사함으써 환원된 나노튜브를 생성하는 단계(S620);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노튜브 제조방법을 제공함으로써 달성될 수 있다.An object of the present invention described above, the step of producing a hollow oxide nanotube by oxidizing the nanowires (S610); And producing the reduced nanotubes by laser irradiation of the nanotubes with a reducing agent (S620).

또한, 산화 나노튜브는, 나노와이어에 열을 가함으로써 중공이 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the nanotube is characterized in that the hollow is formed by applying heat to the nanowires.

또한, 나노와이어는, 구리 또는 알루미늄을 소재로 하여 합성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the nanowires are characterized in that they are synthesized using copper or aluminum as a material.

또한, 나노와이어에 400℃ 이상의 열을 가함으로써 산화구리 나노튜브를 생성하는 것을 특징으로 한다.
In addition, the copper oxide nanotubes are produced by applying heat of 400 ° C. or higher to the nanowires.

한편, 본 발명의 목적은, 나노와이어를 산화시킴으로써 산화 나노튜브를 생성하는 단계(S710); 산화 나노튜브를 환원제와 함께 선택적으로 레이저에 의해 조사하는 단계(S720); 및 레이저에 의해 조사된 영역에 환원된 나노튜브가 생성됨으로써 패터닝이 형성되는 단계(S730);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노튜브 패턴 형성방법을 제공함으로써 달성될 수 있다.On the other hand, an object of the present invention, by producing an oxide nanotube by oxidizing the nanowires (S710); Selectively irradiating the nanotubes with a reducing agent by a laser (S720); And forming a reduced nanotube in a region irradiated by a laser to form a patterning step (S730).

또한, 나노와이어는, 구리 또는 알루미늄을 소재로 하여 합성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the nanowires are characterized in that they are synthesized using copper or aluminum as a material.

또한, 나노와이어에 400℃ 이상의 열을 가함으로써 산화구리 나노튜브를 생성하는 것을 특징으로 한다.In addition, the copper oxide nanotubes are produced by applying heat of 400 ° C. or higher to the nanowires.

또한, S720 단계는, 환원제를 산화 나노튜브 일면에 박막 코팅하거나 분사하는 것을 특징으로 한다.In addition, step S720, characterized in that the thin film coating or spraying the reducing agent on one surface of the oxide nanotubes.

또한, S710 단계 전에, 나노와이어를 기판상에 박막 코팅하는 단계(S700);를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, before the step S710, the step of coating a thin film on the substrate (S700); characterized in that it further comprises.

또한, S700 단계는, 액체와 혼합된 나노와이어를 폴리머 필터에 증착시키는 단계; 및 나노와이어를 가열 및 가압하여 전사하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Further, step S700 may include depositing nanowires mixed with a liquid on a polymer filter; And transferring the heated and pressurized nanowires.

또한, S700 단계는, 액체와 혼합된 나노와이어를 폴리머 필터에 증착시키는 단계; 열반응 폴리머를 나노와이어에 접착시켜 폴리머 필터로부터 분리시키는 단계; 및 열반응 폴리머와 함께 나노와이어를 가열 및 가압하여 전사하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Further, step S700 may include depositing nanowires mixed with a liquid on a polymer filter; Bonding the thermally reacted polymer to the nanowires to separate from the polymer filter; And transferring the heated and pressurized nanowires together with the thermally reacted polymer.

또한, 환원제는 알콜인 것을 특징으로 한다.In addition, the reducing agent is characterized in that the alcohol.

또한, 패터닝은, 레이저에 의해 조사되지 아니한 나노튜브를 제거함으로써 생성되는 것을 특징으로 한다.The patterning is also characterized in that it is produced by removing nanotubes that have not been irradiated with a laser.

전술한 바와 같은 본 발명에 의하면 나노물질 제조시에 산화방지를 위한 캡핑처리가 불필요하여 원가절감의 효과가 있다.According to the present invention as described above, there is no need for a capping treatment to prevent oxidation when manufacturing nanomaterials, thereby reducing the cost.

또한, 본 발명에 의하면 구리 나노튜브 합성과 패터닝을 동시에 할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention there is an effect that the copper nanotube synthesis and patterning can be performed at the same time.

또한, 본 발명에 의하면 물과 레이저 기반의 공정으로 친환경적인 효과가 있다.In addition, according to the present invention there is an environmentally friendly effect with water and laser-based process.

또한, 본 발명에 의하면 틀을 사용하지 않고 튜브 형상을 제조하기 때문에 다양한 형상/크기를 간단한 공정 조건에 의해 구현 가능한 효과가 있다.In addition, according to the present invention, since the tube shape is manufactured without using the mold, various shapes / sizes can be realized by simple process conditions.

또한, 본 발명에 의하면 부가적인 틀 제작이 필요 없기 때문에 비용절감의 효과가 있다.In addition, according to the present invention, there is no need for additional frame fabrication, thereby reducing the cost.

그리고, 본 발명에 의하면 공정전체를 진공 또는 불활성 기체 상태가 아닌 대기상태에서 할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, there is an effect that the whole process can be carried out in the atmospheric state rather than in the vacuum or inert gas state.

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석 되어서는 아니 된다.
도 1은 본 발명에 따른 구리 나노와이어가 중공의 산화구리 나노튜브로 변화되는 과정을 나타낸 단면도이고,
도 2는 본 발명에 따른 산화구리 나노튜브가 구리 나노튜브로 환원되는 화학적 과정을 나타낸 도면이고,
도 3은 본 발명에 따른 구리 나노와이어가 환원된 중공의 구리 나노튜브로 변화되는 과정을 나타낸 단면도이고,
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 산화구리 나노튜브를 기판에 전사하기 위한 도면이고,
도 7 내지 도 9는 본 발명의 다른 실시에에 따른 산화구리 나노튜브를 기판에 전사하기 위한 도면이고,
도 10은 본 발명에 따른 중공의 산화구리 나노튜브를 생성하기 위한 도면이고,
도 11 및 도 12는 본 발명에 따른 산화구리 나노튜브에 레이저를 조사하는 도면이고,
도 13은 본 발명에 따른 세척과정에 의해 패터닝된 도면이고,
도 14는 본 발명에 따른 나노튜브 제조방법을 나타낸 순서도이고,
도 15는 본 발명에 따른 나노튜브 패턴 형성방법을 나타낸 순서도이다.
도 16은 본 발명에 따른 나노튜브를 연속적으로 제조할 수 있는 도면이다.The following drawings, which are attached to this specification, illustrate one preferred embodiment of the present invention, and together with the detailed description thereof, serve to further understand the technical spirit of the present invention. It should not be construed as limited.
1 is a cross-sectional view showing a process of changing the copper nanowires into hollow copper oxide nanotubes according to the present invention,
2 is a diagram showing a chemical process of reducing copper oxide nanotubes to copper nanotubes according to the present invention;
3 is a cross-sectional view showing a process of changing the copper nanowires to reduced hollow copper nanotubes according to the present invention,
4 to 6 are views for transferring the copper oxide nanotubes to the substrate according to an embodiment of the present invention,
7 to 9 are views for transferring the copper oxide nanotubes to the substrate according to another embodiment of the present invention,
10 is a view for producing a hollow copper oxide nanotubes according to the present invention,
11 and 12 are views for irradiating a laser to the copper oxide nanotubes according to the present invention,
13 is a view patterned by the washing process according to the invention,
14 is a flowchart showing a method for manufacturing a nanotube according to the present invention,
15 is a flowchart illustrating a method of forming a nanotube pattern according to the present invention.
16 is a view capable of continuously manufacturing a nanotube according to the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예에 대해서 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 일실시예는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 내용을 부당하게 한정하지 않으며, 본 실시 형태에서 설명되는 구성 전체가 본 발명의 해결 수단으로서 필수적이라고는 할 수 없다.
Hereinafter, with reference to the drawings will be described a preferred embodiment of the present invention. In addition, the embodiment described below does not unduly limit the content of the present invention described in the claims, and the entire structure described in this embodiment is not necessarily essential as the solution means of the present invention.

<구리 나노튜브 패턴 형성방법><Copper nanotube pattern formation method>

본 발명은 대기 상태에서 산화되기 쉬운 구리 또는 알루미늄 소재를 사용하여 합성된 나노와이어를 레이저에 의해 조사하여 다시 환원시킴으로써 환원된 중공의 나노튜브 제조 및 이를 이용한 패턴 형성방법에 관한 것이다. 다만, 산화되기 쉬운 소재를 사용할 수 있으므로 상술한 구리 또는 알루미늄 소재에 한정되는 것은 아니며, 나노와이어 뿐만 아니라 나노 파티클 형태로 제작할 수도 있다. 이하에서는 도 1 내지 도 15를 참조하여 본 발명에 따른 나노튜브 제조방법 및 패턴 형성방법을 설명하기로 한다.
The present invention relates to the production of reduced hollow nanotubes and a pattern forming method using the same by irradiating a nanowire synthesized using a copper or aluminum material which is susceptible to oxidation in the air state by a laser and reducing it again. However, since a material that is easy to oxidize may be used, the material is not limited to the above-described copper or aluminum material, and may be manufactured in the form of nanoparticles as well as nanowires. Hereinafter, a method of manufacturing a nanotube and a pattern forming method according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 15.

먼저, 본 발명의 일 실시예에서는 구리 나노와이어를 이용하여 설명하기로 한다. 따라서 알루미늄 나노와이어는 구리 나노와이어에 대한 설명으로 갈음하기로 한다.
First, in an embodiment of the present invention will be described using copper nanowires. Therefore, aluminum nanowires will be replaced with descriptions of copper nanowires.

(기본원리 및 화학변환 과정)(Basic Principle and Chemical Conversion Process)

도 1에는 구리 나노와이어에서 중공의 산화구리 나노튜브로 형성되는 원리가 도시되어 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 제조가 용이한 구리 나노와이어를 고온상태(대략 400℃ 이상)에 노출하여 산화구리 나노튜브로 만든다. 이때 산화구리 나노튜브(20)는 중공 형상으로서, 구리 나노와이어(10)가 산화될 때 구리와 산소원자의 확산에 의해 산화가 일어난다.
FIG. 1 illustrates the principle of forming hollow copper oxide nanotubes in copper nanowires. In an embodiment of the present invention, copper nanowires, which are easy to manufacture, are exposed to high temperature (approximately 400 ° C. or more) to make copper oxide nanotubes. At this time, the copper oxide nanotubes 20 are hollow, and when the copper nanowires 10 are oxidized, oxidation occurs by diffusion of copper and oxygen atoms.

구리원자는 도 1에 도시된 바와 같이 나노와이어의 내부에서 바깥쪽으로 이동하고 산소원자는 바깥쪽에서 안쪽으로 확산되어 이동하기 때문에 산화층은 산화구리의 바깥쪽과 안쪽으로 동시에 진행된다. 구리 나노와이어의 중심부위의 구리원자는 바깥쪽으로 이동하기 때문에 중심이 비어있는 중공형의 산화구리 나노튜브가 생성된다.
As shown in FIG. 1, since the copper atoms move outward from the inside of the nanowire and oxygen atoms move outward from the outside, the oxide layer proceeds simultaneously to the outside and the inside of the copper oxide. The copper atoms above the center of the copper nanowires move outwards, creating hollow copper oxide nanotubes with empty centers.

도 2에 도시된 바와 같이, 도 1에서 생성된 산화구리 나노튜브에 환원제를 도포하고 레이저(53)를 조사함으로써 환원된 중공의 구리 나노튜브가 생성된다.
As shown in FIG. 2, a reduced hollow copper nanotube is produced by applying a reducing agent to the copper oxide nanotubes produced in FIG. 1 and irradiating a laser 53.

한편, 상온에서 산화시킨 산화구리(CuO)는 금, 은과 달리 리덕션 포텐셜 에너지(Reduction Potential Energy)가 낮기 때문에 쉽게 환원이 잘되는 특징을 가지고 있다. 이것을 이용하기 위해서 환원제로 알콜 계열의 수산기를 갖고 있는 액체 물질과 혼합한 후 레이저를 조사하면 순간적으로 도 3의 반응처럼 산화된 구리가 환원되어 최종적으로 산화구리 나노튜브가 순수한 구리 나노튜브로 바뀌게 된다.
Meanwhile, copper oxide (CuO) oxidized at room temperature has a characteristic of being easily reduced because of low reduction potential energy (Reduction Potential Energy) unlike gold and silver. In order to use this, when mixed with a liquid substance having an alcohol-based hydroxyl group as a reducing agent and irradiated with a laser, the oxidized copper is instantaneously reduced as in the reaction of FIG. 3 and finally, the copper oxide nanotubes are converted into pure copper nanotubes. .

산화구리가 레이저를 흡수하여 역기와 동시에 열에너지의 발생으로 온도가 증가하고, 동시에 산화구리 나노튜브 주위의 환원제 온도를 증가시켜서 탈수반응을 유도하여 아세트알데히드가 생성된다. 생성된 아세트알데히드와 산화구리 나노튜브가 반응하여 환원된 구리 나노튜브, 디아세틸, 물이 형성된다. 상술한 환원반응은 폴리올 과정(Polyol process)이라고 한다.
Copper oxide absorbs the laser and increases the temperature due to the generation of heat energy at the same time as the weight, and at the same time increases the reducing agent temperature around the copper oxide nanotubes to induce dehydration reaction to form acetaldehyde. The resulting acetaldehyde and copper oxide nanotubes react to form reduced copper nanotubes, diacetyl, and water. The reduction reaction described above is called a polyol process.

(환원된 구리 나노튜브 제조방법)(Method for producing reduced copper nanotubes)

먼저, 구리 나노와이어 합성에 대해서 설명하기로 한다. 나노와이어 합성은 기본적으로 가열 용기 안에서 한번에 합성할 수 있는 원-스팟(One-Spot) 방식을 사용하는 것이 바람직하다. 우선 합성을 시작하기 전에 500ml 삼각플라스크와 20ml 유리병을 준비한다.
First, copper nanowire synthesis will be described. Nanowire synthesis is basically a one-spot method that can be synthesized at once in a heating vessel is preferred. First, prepare a 500 ml Erlenmeyer flask and a 20 ml glass bottle before starting the synthesis.

20ml 유리병에 10ml 증류수(DI water)를 담는다. 그리고 Cu(NO3)2 0.1M 용액을 만든다. 만든 용액을 믹서를 이용해 섞어주고 용액이 안정화될 때까지 상온에서 대략 15분 정도 놓아둔다. 10 ml distilled water (DI water) in a 20 ml glass bottle. And Cu (NO 3 ) 2 0.1M solution is made. Mix the solution using a mixer and let it stand for about 15 minutes at room temperature until the solution stabilizes.

준비된 500ml 삼각플라스크에 80ml 증류수를 담고 수산화나트륨(NaOH)을 약3.5 ~ 15M 농도로 맞추어 넣는다. 수산화나트륨이 들어있는 삼각플라스크를 스터-바를 이용하여 골고루 섞어준다. 여기서 발열반응이 생기므로 용액이 변질되지 않게 주변온도를 조절한다. 골고루 섞인 수산화나트륨 용액에 에틸렌디아민(ethylenediamine)(EDA)을 약 0.05 ~ 2.0ml(대략 99 중량%) 넣고 스터-바를 이용하여 잘 섞어준다.
80 ml distilled water was put into the prepared 500 ml Erlenmeyer flask and sodium hydroxide (NaOH) was added at a concentration of about 3.5 to 15 M. Mix the Erlenmeyer flask containing sodium hydroxide evenly with a stuffer-bar. Exothermic reactions occur here so that the ambient temperature is adjusted so that the solution does not deteriorate. Add about 0.05 ~ 2.0ml of ethylenediamine (EDA) to the evenly mixed sodium hydroxide solution (approximately 99% by weight) and mix well using a stud-bar.

에틸렌디아민이 골고루 섞인 플라스크에 유리병에 만들어 놓은 Cu(NO3)2 0.1M 용액 4ml를 삼각플라스크에 넣어준다. 이때, 용액의 색깔이 푸른색으로 변화되는 것을 관찰하는 것이 바람직하다. 용액이 골고루 섞이게 10분 정도 기다린 후 히드라진(hydrazine) 약 0.02 ~ 1.0ml(대략 35 중량%)를 넣어준다. 이 용액을 넣는 순간 플라스크 안 용액의 색깔이 뿌옇게 변화하기 시작한다. 이 순간 스터-바를 빼내고 60 ~ 80℃ 오일배스(Oil Bath)에 삼각플라스크를 넣고, 40 ~ 60분 후에 꺼낸다. 합성된 구리 나노와이어를 센트리퓨즈(Centrifuse)를 이용하여 반응하지 않고 남은 물질들을 제거한다. 물과 에탄올을 이용하여 4 ~ 5번 4000rpm에서 클리닝한다.
Into the flask evenly mixed with ethylenediamine, add 4 ml of Cu (NO 3 ) 2 0.1M solution in a glass bottle to an Erlenmeyer flask. At this time, it is preferable to observe that the color of the solution changes to blue. Wait 10 minutes for the solution to mix and add about 0.02 to 1.0ml (about 35% by weight) of hydrazine. As soon as you add this solution, the color in the flask begins to bluish. At this moment, remove the stirrer bar and place the Erlenmeyer flask in a 60 ~ 80 ℃ oil bath and take it out after 40 ~ 60 minutes. The synthesized copper nanowires are removed using centrifuse to remove the remaining materials without reacting. Clean at 4000 rpm 4 ~ 5 times using water and ethanol.

이렇게 합성된 구리 나노와이어를 기판상에 증착시킨다. 이때 일반적인 나노 파티클은 스핀코팅이 획일적으로 이루어지지 않아 본 발명의 일 실시예에 따른 증착단계를 수행하는 것이 바람직하다. 구리 나노와이어의 증착은 도 4에 도시된 바와 같이 물과 혼합된 구리 나노와이어를 진공 흡입함으로써 폴리머 필터(31) 및 다공성 멤브레인(33)에 의해 폴리머 필터(31)에 박막형식으로 증착된다. 이때 폴리머 필터(31)는 수㎚ ~ 수㎛ 구멍사이즈(Pore Size)를 가지며, 다공성 멤브레인(33)은 일반적으로 다공성 글래스를 사용한다.
The copper nanowires thus synthesized are deposited on a substrate. In this case, since the general nanoparticles are not coated uniformly, it is preferable to perform the deposition step according to an embodiment of the present invention. The deposition of the copper nanowires is deposited in a thin film form on the polymer filter 31 by the polymer filter 31 and the porous membrane 33 by vacuum suction of the copper nanowires mixed with water as shown in FIG. 4. In this case, the polymer filter 31 has a pore size of several nm to several μm, and the porous membrane 33 generally uses porous glass.

도 4에 도시된 바와 같이 물과 혼합된 구리 나노와이어 하부에 폴리머 필터(31)가 위치하고, 폴리머 필터(31) 하부면에 다공성 멤브레인(33)이 위치한다. 다공성 멤브레인 하부에서 진공흡입함으로써 폴리머 필터(31) 위에 구리 나노와이어(10)가 필터링 되어 증착된다.
As shown in FIG. 4, the polymer filter 31 is positioned under the copper nanowires mixed with water, and the porous membrane 33 is positioned on the lower surface of the polymer filter 31. By vacuum suction under the porous membrane, the copper nanowires 10 are filtered and deposited on the polymer filter 31.

도 4의 과정을 거치고 나면 도 5에 도시된 바와 같이 폴리머 필터(31) 상면에 구리 나노와이어(10)가 증착된다. 증착된 구리 나노와이어(10) 상면에 기판(43)을 올리고, 폴리머 필터(31) 하면에 열판(Hot Plate)을 접촉시킨다. 이때 열판의 온도는 대략 30 ~ 200℃ 열을 가하게 된다. 기판(43) 상부에서 힘을 가하고 열판에서 열을 가하여 수분 내지 수시간 동안 기다린 후 서로 이격시키면 도 6에 도시된 바와 같이 구리 나노와이어가 기판에 전사된다.
After the process of FIG. 4, copper nanowires 10 are deposited on the upper surface of the polymer filter 31 as shown in FIG. 5. The substrate 43 is placed on the deposited copper nanowires 10, and a hot plate is brought into contact with the bottom surface of the polymer filter 31. At this time, the temperature of the hot plate is approximately 30 ~ 200 ℃ heat is applied. If a force is applied on the substrate 43 and heat is applied from the hot plate to wait for several minutes to several hours, and then separated from each other, the copper nanowires are transferred to the substrate as shown in FIG. 6.

기판에 구리 나노와이어를 전사시키는 또 다른 실시예는 접착 테잎 방식을 사용한다. 폴리머 필터(31)에 구리 나노와이어를 증착시키는 것은 상술한 바와 같다. 도 7에 도시된 바와 같이 증착된 구리 나노와이어(10) 상면에 열반응 폴리머(Heat Reactive Polymer)를 부착하고 떼어냄으로써 폴리머 필터를 제거할 수 있다. 이때 열반응 폴리머는 상온에서는 접착성이 있지만 열을 가하면 접착테잎 내부의 고분자 폴리머들이 팽창하여 대상물질과의 접촉 면적을 감소시켜서 쉽게 이격되는 특징을 갖는 테잎이다.
Another embodiment of transferring copper nanowires to a substrate uses an adhesive tape method. Depositing copper nanowires on the polymer filter 31 is as described above. As shown in FIG. 7, the polymer filter may be removed by attaching and detaching a heat reactive polymer to the upper surface of the deposited copper nanowires 10. At this time, the thermally reactive polymer is adhesive at room temperature, but when the heat is applied, the polymer polymer inside the adhesive tape expands to reduce the contact area with the target material, thereby easily separating the tape.

도 8에 도시된 바와 같이 열반응 폴리머(37) 하면에 구리 나노와이어가 위치하며, 구리 나노와이어(10) 하면에 기판(43)을 접촉시키고, 기판(43) 하면에 열판(47)을 접촉시킨다. 이때 열판의 온도는 대략 70 ~ 250℃ 열을 가하게 된다. 열반응 폴리머 상부에서 힘을 가하고 열판에서 열을 가하여 수초 내지 수분 동안 기다린 후 서로 이격시키면 도 9에 도시된 바와 같이 구리 나노와이어가 기판에 전사된다.
As shown in FIG. 8, copper nanowires are positioned on the bottom surface of the thermally reacted polymer 37, and the substrate 43 is brought into contact with the bottom surface of the copper nanowire 10, and the hot plate 47 is brought into contact with the bottom surface of the substrate 43. Let's do it. At this time, the temperature of the hot plate is approximately 70 ~ 250 ℃ heat is applied. Applying a force on top of the thermally reacted polymer, applying heat in the hot plate, waiting for a few seconds to several minutes, and then spaced apart from each other to transfer the copper nanowires to the substrate as shown in FIG.

다음으로, 기판상에 전사된 구리 나노와이어(10)를 산화시킨다. 이때 구리 나노와이어를 산화시키기 위해 도 10에 도시된 바와 같이 가열 오븐(45)에 넣는다. 가열 오븐에는 산소를 주입하고 온도를 대략 400℃ 이상으로 가열한다. 온도를 400℃ 이하로 가열하는 경우에는 제1산화구리(Cu2O)가 생성될 수 있어서 바람직하게는 온도를 400℃ 이상으로 가열한다. 대략 400℃ 이상의 특정온도에서 약 1시간에서 100시간까지 가열하여 제2산화구리를 생성한다. 이하에서는 제2산화구리를 산화구리로 통칭하기로 한다.
Next, the copper nanowires 10 transferred onto the substrate are oxidized. At this time, the copper nanowires are placed in a heating oven 45 as shown in FIG. 10. Oxygen is injected into the heating oven and the temperature is heated to approximately 400 ° C. or higher. When the temperature is heated to 400 ° C. or lower, cuprous oxide (Cu 2 O) may be generated, and the temperature is preferably heated to 400 ° C. or higher. The cuprous oxide is produced by heating from about 1 hour to 100 hours at a specific temperature of about 400 ° C. or higher. Hereinafter, the second copper oxide will be referred to collectively as copper oxide.

일정시간 가열한 후 상온까지 냉각하면 산화구리 나노튜브가 형성된다. 산화구리가 되는 화학반응은 다음과 같다.After heating for some time and cooling to room temperature, copper oxide nanotubes are formed. The chemical reaction of copper oxide is as follows.

2Cu + 1/2O2 -> Cu2O2Cu + 1 / 2O 2- > Cu 2 O

3Cu2O + 1/2O2 -> 2Cu3O2 3Cu 2 O + 1 / 2O 2- > 2Cu 3 O 2

Cu3O2 + 1/2O2 -> 3CuO
Cu 3 O 2 + 1 / 2O 2- > 3CuO

다음으로, 생성된 산화구리 나노튜브와 환원제인 에틸렌 글리콜을 혼합하고, 레이저를 주사함으로써 산화구리 나노튜브를 환원시킨다. 다만 상술한 기판상에 산화구리 나노튜브가 형성된 경우에는 도 11에 도시된 바와 같이 산화구리 나노와이어(41) 상층에 환원제를 코팅한다. 이때 사용되는 환원제는 알콜로서 바람직하게는 에틸렌글리콜이고, 코팅은 박막형성이 용이한 스핀코팅, 슬릿 다이, 스프레이, 또는 롤코팅을 이용하여 박막 코팅한다.
Next, the produced copper oxide nanotubes and ethylene glycol as a reducing agent are mixed, and the copper oxide nanotubes are reduced by scanning with a laser. However, when the copper oxide nanotubes are formed on the substrate described above, a reducing agent is coated on the copper oxide nanowires 41 as shown in FIG. 11. The reducing agent used here is preferably ethylene glycol as alcohol, and the coating is thin film coated using spin coating, slit die, spray, or roll coating which is easy to form a thin film.

여기서, 슬릿 다이 코팅은 일정한 폭과 갭을 유지하고 있는 슬릿 다이가 기판 위를 일정한 간격으로 움직이면서 코팅액을 균일하게 도포하는 장치로서 스롯 다이(Slot Die)보다 대면적 코팅에 유리하고 다양한 코팅 두께의 조절이 가능하다.
Here, the slit die coating is a device for uniformly applying the coating liquid while the slit die, which maintains a constant width and gap, moves on the substrate at regular intervals, and is advantageous to large area coatings than slot dies and controls various coating thicknesses. This is possible.

한편, 도포된 환원제 및 산화구리 나노튜브에 도 12에 도시된 바와 같이 레이저(53)를 조사하면 화학적 변화에 의해 산화구리 나노튜브(20)가 구리 나노튜브로환원된다. 이때 화학적 변환과정(폴리올 과정)은 도 3에 도시된 바와 같이 산화구리가 레이저를 흡수하여 역기와 동시에 열에너지의 발생으로 온도가 증가하고, 동시에 산화구리 나노튜브 주위의 환원제 온도를 증가시켜서 탈수반응을 유도하여 아세트알데히드가 생성된다. 생성된 아세트 알데히드와 산화구리 나노튜부가 반응하여 구리 나노튜브, 디아세틸, 물이 형성된다.
Meanwhile, when the coated reducing agent and the copper oxide nanotubes are irradiated with a laser 53 as shown in FIG. 12, the copper oxide nanotubes 20 are reduced to copper nanotubes by chemical change. At this time, the chemical conversion process (polyol process) is copper oxide absorbs the laser as shown in FIG. Induction produces acetaldehyde. The resulting acetaldehyde and copper oxide nanotubes react to form copper nanotubes, diacetyl, and water.

도 13에 도시된 바와 같이, 레이저를 산화구리 나노튜브의 기 결정된 영역에 선택적으로 조사함으로써 원하는 패턴을 형성할 수 있다. 이때 레이저가 조사되지 아니한 영역은 물에 담그거나 또는 스프레이(71)에 의해 고압 분사하여 제거한다. 세척제로 물을 사용하기 때문에 친환경적이고 세척중에 물질의 화학적/물리적 변형이 발생하지 않기 때문에 세척된 산화구리 나노입자를 회수하여 재사용할 수 있어 재료비를 절감할 수 있다.
As shown in FIG. 13, a desired pattern may be formed by selectively irradiating a laser to a predetermined region of the copper oxide nanotubes. At this time, the area not irradiated with laser is removed by immersing in water or spraying with high pressure by the spray 71. Since water is used as a cleaning agent, it is environmentally friendly and chemical / physical modification of the material does not occur during washing. Thus, copper oxide nanoparticles can be recovered and reused, thereby reducing material costs.

상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 공정은 PI, PET 등의 여러 플렉서블한 폴리머 계열의 기판 위에서도 공정이 가능하고, 와이어끼리의 연결성이 좋기 때문에 인장 가능한 기판에도 적용 가능하다. 그리고 본 발명의 일 실시예를 설명함에 있어서 구리를 예로들어 설명하였으나 앞서 설명한 바와 같이 대기중 산화가 잘되는 알루미늄 등을 이용할 수도 있다. 이때 알루미늄을 와이어 형태 또는 파티클 형태로 제작한 후 강제적으로 산화가 잘되는 조건에 노출하여 Al2O3로 변환시킨 후 환원제를 도포하고 레이저를 조사하여 알루미늄 와이어 패턴을 제작할 수 있다.
The process according to an embodiment of the present invention described above can be applied to various flexible polymer-based substrates such as PI and PET, and can be applied to a stretchable substrate because wires have good connectivity. In the description of one embodiment of the present invention, copper has been described as an example, but aluminum, which is well oxidized in the air, may be used as described above. In this case, aluminum may be manufactured in the form of a wire or particle, and then exposed to a condition in which oxidation is forcibly well, and then converted into Al 2 O 3 .

한편, 구리 나노튜브를 연속적으로 제조하기 위해 도 16에 도시된 바와 같이 구성할 수 있다. 산화구리 나노튜브를 스프레이 노즐(100)에 통과시켜 혼합된 산화구리 나노튜브 용액(200)을 생성한다. 렌즈(300)를 통과한 레이져(500)에 의해 혼합된 산화구리 나노튜브 용액이 조사되면 환원된 구리 나노튜브가 생성되어 콜렉터(collector)(600)에 의해 포집된다.
On the other hand, it can be configured as shown in Figure 16 to continuously manufacture copper nanotubes. Copper oxide nanotubes are passed through a spray nozzle 100 to produce a mixed copper oxide nanotube solution 200. When the copper oxide nanotube solution mixed by the laser 500 passed through the lens 300 is irradiated, reduced copper nanotubes are generated and collected by the collector 600.

이상, 본 발명의 일실시예를 참조하여 설명했지만, 본 발명이 이것에 한정되지는 않으며, 다양한 변형 및 응용이 가능하다. 즉, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 많은 변형이 가능한 것을 당업자는 용이하게 이해할 수 있을 것이다.As mentioned above, although demonstrated with reference to one Embodiment of this invention, this invention is not limited to this, A various deformation | transformation and an application are possible. In other words, those skilled in the art can easily understand that many variations are possible without departing from the gist of the present invention.

10 : 구리 나노와이어
20 : 산화구리 나노튜브
31 : 폴리머 필터
33 : 다공성 멤브레인
37 : 열반응 폴리머
43 : 기판
45 : 오븐
47 : 열판
51 : 환원제
53 : 레이저
61 : 환원된 구리 나노튜브
63 : 산화구리 나노튜브
71 : 스프레이
100 : 스프레이 노즐
200 : 혼합된 산화구리 나노튜브 용액
300 : 렌즈
400 : 환원되 구리 나노튜브
500 : 레이저
600 : 콜렉터10: copper nanowire
20: copper oxide nanotubes
31: polymer filter
33: porous membrane
37: thermal reaction polymer
43: substrate
45: oven
47: hotplate
51: reducing agent
53: laser
61: reduced copper nanotubes
63: copper oxide nanotubes
71: spray
100: spray nozzle
200: mixed copper oxide nanotube solution
300 lens
400: reduced copper nanotubes
500: laser
600: collector

Claims (14)

나노와이어를 산화시킴으로써 원자의 이동에 의해 중공의 산화 나노튜브를 생성하는 단계(S610); 및
상기 산화 나노튜브를 환원제와 함께 레이저 조사함으로써 환원된 나노튜브를 생성하는 단계(S620);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노튜브 제조방법.
Generating hollow nanotubes by the movement of atoms by oxidizing the nanowires (S610); And
Generating the reduced nanotubes by laser irradiation with the oxide nanotubes with a reducing agent (S620); Nanotube manufacturing method comprising a.
제 1 항에 있어서,
상기 중공의 산화 나노튜브는,
상기 나노와이어에 열을 가함으로써 상기 중공이 형성되는 것을 특징으로 하는 나노튜브 제조방법.
The method of claim 1,
The hollow oxide nanotubes,
The hollow nanotube manufacturing method characterized in that the hollow is formed by applying heat to the nanowire.
제 2 항에 있어서,
상기 나노와이어는,
구리 또는 알루미늄을 소재로 하여 합성되는 것을 특징으로 하는 나노튜브 제조방법.
The method of claim 2,
The nanowire may be a nanowire,
Nanotube manufacturing method characterized in that the synthesis of copper or aluminum as a material.
제 3 항에 있어서,
상기 나노와이어에 400℃ 이상의 열을 가함으로써 산화구리 나노튜브를 생성하는 것을 특징으로 하는 나노튜브 제조방법.
The method of claim 3, wherein
The method of producing a nanotube, characterized in that to produce a copper oxide nanotube by applying a heat of 400 ℃ or more to the nanowire.
나노와이어를 산화시킴으로써 산화 나노튜브를 생성하는 단계(S710);
상기 산화 나노튜브를 환원제와 함께 선택적으로 레이저에 의해 조사하는 단계(S720); 및
상기 레이저에 의해 조사된 영역에 환원된 나노튜브가 생성됨으로써 패터닝이 형성되는 단계(S730);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노튜브 패턴 형성방법.
Generating nanotubes by oxidizing the nanowires (S710);
Selectively irradiating the oxide nanotubes with a reducing agent by a laser (S720); And
And forming a reduced nanotube in the region irradiated by the laser (S730) to form a patterning method.
제 5 항에 있어서,
상기 나노와이어는,
구리 또는 알루미늄을 소재로 하여 합성되는 것을 특징으로 하는 나노튜브 패턴 형성방법.
The method of claim 5, wherein
The nanowire may be a nanowire,
Nanotube pattern forming method characterized in that the synthesis of copper or aluminum as a material.
제 6 항에 있어서,
상기 나노와이어에 400℃ 이상의 열을 가함으로써 산화구리 나노튜브를 생성하는 것을 특징으로 하는 나노튜브 패턴 형성방법.
The method according to claim 6,
The method of forming a nanotube pattern, characterized in that to produce copper oxide nanotubes by applying heat of 400 ℃ or more to the nanowires.
제 5 항에 있어서,
S720 단계는,
상기 환원제를 상기 산화 나노튜브 일면에 박막 코팅하거나 분사하는 것을 특징으로 하는 나노튜브 패턴 형성방법.
The method of claim 5, wherein
S720 step,
Method of forming a nanotube pattern, characterized in that the thin film coating or spraying the reducing agent on one surface of the oxide nanotube.
제 5 항에 있어서,
상기 S710 단계 전에,
상기 나노와이어를 기판상에 박막 코팅하는 단계(S700);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노튜브 패턴 형성방법.
The method of claim 5, wherein
Before step S710,
The thin film coating step of the nanowires on a substrate (S700); Nanotube pattern forming method further comprising.
제 9 항에 있어서,
상기 S700 단계는,
액체와 혼합된 상기 나노와이어를 폴리머 필터에 증착시키는 단계; 및
상기 나노와이어를 가열 및 가압하여 전사하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노튜브 패턴 형성방법.
The method of claim 9,
The S700 step,
Depositing the nanowires mixed with a liquid onto a polymer filter; And
Step of transferring the nanowires by heating and pressing; Nanotube pattern forming method comprising a.
제 9 항에 있어서,
상기 S700 단계는,
액체와 혼합된 상기 나노와이어를 폴리머 필터에 증착시키는 단계;
열반응 폴리머를 상기 나노와이어에 접착시켜 상기 폴리머 필터로부터 분리시키는 단계; 및
상기 열반응 폴리머와 함께 상기 나노와이어를 가열 및 가압하여 전사하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노튜브 패턴 형성방법.
The method of claim 9,
The S700 step,
Depositing the nanowires mixed with a liquid onto a polymer filter;
Adhering a thermally reactive polymer to the nanowires to separate from the polymer filter; And
And heating and pressing the nanowires together with the thermally reacted polymer to transfer the nanowire pattern.
제 5 항에 있어서,
상기 환원제는 알콜인 것을 특징으로 하는 나노튜브 패턴 형성방법.
The method of claim 5, wherein
The reducing agent is a nanotube pattern forming method, characterized in that the alcohol.
제 5 항에 있어서,
상기 패터닝은,
레이저에 의해 조사되지 아니한 나노튜브를 제거함으로써 생성되는 것을 특징으로 하는 나노튜브 패턴 형성방법.
The method of claim 5, wherein
The patterning,
A method of forming a nanotube pattern, characterized in that it is produced by removing nanotubes that have not been irradiated by a laser.
제 1 항에 기재된 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 나노튜브.A nanotube produced by the method according to claim 1.
KR1020110112151A 2011-10-31 2011-10-31 Manufacturing method of nanotube, pattern forming method, and nanotube using the same KR101357187B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110112151A KR101357187B1 (en) 2011-10-31 2011-10-31 Manufacturing method of nanotube, pattern forming method, and nanotube using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110112151A KR101357187B1 (en) 2011-10-31 2011-10-31 Manufacturing method of nanotube, pattern forming method, and nanotube using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130047244A true KR20130047244A (en) 2013-05-08
KR101357187B1 KR101357187B1 (en) 2014-02-03

Family

ID=48658776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110112151A KR101357187B1 (en) 2011-10-31 2011-10-31 Manufacturing method of nanotube, pattern forming method, and nanotube using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101357187B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104493195A (en) * 2014-12-05 2015-04-08 北京化工大学 Amorphous-state copper-platinum alloy nanotube and preparation method thereof
KR20160088548A (en) 2015-01-16 2016-07-26 고려대학교 산학협력단 Metallic nanotube and preparation method thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104493195A (en) * 2014-12-05 2015-04-08 北京化工大学 Amorphous-state copper-platinum alloy nanotube and preparation method thereof
KR20160088548A (en) 2015-01-16 2016-07-26 고려대학교 산학협력단 Metallic nanotube and preparation method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR101357187B1 (en) 2014-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20120241069A1 (en) Direct Synthesis of Patterned Graphene by Deposition
KR20140093930A (en) Reduced graphene oxide and method of producing same
CN107032328B (en) Preparation method of self-supporting reduced graphene oxide film
KR101982154B1 (en) Method of manufacturing Graphene film
WO2013023547A1 (en) Method for preparing a patterned graphene film
CN103641064B (en) Metal-silicon dioxide multilayer film hollow nano structure array and preparation method thereof
CN110980704A (en) Electron beam induced patterned graphene and preparation method thereof
JP2011530803A (en) Templates and methods for producing high aspect ratio templates for lithography, and use of templates to drill substrates at the nanoscale
US9518309B2 (en) Method of manufacturing porous metal foam
US11926524B1 (en) Methods, apparatus, and systems for fabricating solution-based conductive 2D and 3D electronic circuits
CN105741980A (en) Flexible self-support graphene conductive thin film with microstructure pattern on surface and preparation method of flexible self-support graphene conductive thin film
KR101704693B1 (en) Pattern on the flexible substrate using for intense pulsed photo-sintering and method for forming the same
Chen et al. Self-assembly, alignment, and patterning of metal nanowires
US20100055795A1 (en) Porous membranes and methods of making the same
KR101357179B1 (en) Manufacturing method of nanowire, pattern forming method, and nanowire using the same
KR101357187B1 (en) Manufacturing method of nanotube, pattern forming method, and nanotube using the same
Kitsomboonloha et al. Selective growth of zinc oxide nanorods on inkjet printed seed patterns
CN105316743B (en) A kind of preparation method of large-area ultrathin anodised aluminium perforated membrane
CN102867740A (en) Non-destructive and pollution-free graphical method for nano-carbon film
US20110111202A1 (en) Multilayer film structure, and method and apparatus for transferring nano-carbon material
KR20100098572A (en) Filmy self-supporting thin metal film for hydrogen separation and process for producing the same
KR101928809B1 (en) Manufacturing method for catalyst structure using porous metal power
KR101920144B1 (en) Flexible substrate for flexible electronic device, method of fabricating flexible electronic device using the same, and flexible electronic device fabriacated by the method
Avishan et al. Large-scale graphene production and transfer for industrial applications
CN109264664A (en) A kind of Al2O3The preparation method of hollow ball shell array

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161227

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee