KR20130028177A - Half tone mask having multi half permeation part - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A half tone mask with a multiple semi-penetrating unit is provided to prevent the increase of transmittance by forming semi-penetrating units with a crystallized structure which develops from a semi-transparent material film through high temperature heat treatment. CONSTITUTION: A half tone mask comprises two or more semi-penetrating units(121,151,153). For the semi-penetrating units, semi-penetrating substances are laminated on a transparent substrate. The semi-penetrating units transmit incident lights at different transparencies from one another. At least one of the semi-penetrating units includes a structure with a passivation layer which is crystallized on a non-crystallized layer.

Description

다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크{half tone mask having multi half permeation part}Halftone mask having multi half permeation part

본 발명은 서로 다른 광 투과율을 가지는 반투과부가 적어도 두 개 이상 구비됨으로써, 하나의 마스크로 복수 층을 패터닝할 수 있는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크에 관한 것이다.The present invention relates to a halftone mask having multiple transflective portions capable of patterning a plurality of layers with one mask by providing at least two transflective portions having different light transmittances.

포토리소그라피(Photolithography)공정으로 패터닝을 할 때 사용되는 일반적인 포토마스크는, 도 1에 도시된 바와 같이, 투명기판(11)과 투명기판(11) 상에 형성되며 광을 완전히 투과시키는 광투과부(13)와 광을 완전히 차단하는 광차단부(15)를 가진다.A general photomask used for patterning by a photolithography process, as shown in FIG. 1, is formed on the transparent substrate 11 and the transparent substrate 11 and transmits light completely to transmit light. ) And a light blocking portion 15 that completely blocks light.

상기와 같은 종래의 마스크는 한 층의 패턴을 구현할 수밖에 없으므로 노광→현상→에칭으로 이루어지는 한 사이클의 포토리소그라피공정에만 사용할 수 있다. 상세히 설명하면, 액정디스플레이의 TFT(Thin Film Transistor) 및 CF(Color Filter)는 많은 층이 증착/도포 되어 있고, 증착/도포 된 각 층은 각각 포토리소그라피공정으로 패터닝된다. 그런데 한 사이클의 포토리소그라피공정을 줄일 수만 있다면 큰 경제적인 효과를 얻을 수 있는데, 종래의 마스크는 단지 한 층의 패턴을 구현할 수밖에 없는 구조로 되어 있으므로, 비경제적이다.Since the conventional mask as described above can not only implement a pattern of one layer, it can be used only for one cycle photolithography process consisting of exposure → development → etching. In detail, a thin film transistor (TFT) and a color filter (CF) of a liquid crystal display have many layers deposited / coated, and each layer deposited / coated is patterned by a photolithography process. However, if one cycle of photolithography process can be reduced, a large economic effect can be obtained. Since the conventional mask has a structure in which only one layer of pattern can be realized, it is uneconomical.

특히, 위의 포토마스크의 구조에 광을 일부만 투과시키는 반투과부를 구비하는 경우, 상기 반투과부를 구성하는 반투과물질이 시간이 지남에 따라 표면이 산화되어, 투과율이 점차 증가하게 되는 경시변화가 발생하여 포토마스크의 수명이 단축 되게 되는 문제가 있다. 아울러, 세정공정이 다수 진행되는 컬러필터 등의 제조공정에 이용되는 경우, 박막의 산화가 더욱 가속되는 문제가 발생하게 된다.In particular, when the semi-transmissive part that transmits only part of the light to the structure of the photomask is provided, the translucent material constituting the transflective part is oxidized over time, and thus the transmissive change gradually increases. There occurs a problem that the life of the photomask is shortened. In addition, when used in a manufacturing process, such as a color filter in which a large number of cleaning processes are performed, there is a problem that the oxidation of the thin film is further accelerated.

본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 반투과물질막에 고온열처리를 통해 결정질로 성장시킨 구조의 반투과부를 형성함으로써, 반투과물질의 경시변화를 통해 일어나는 투과율 상승을 배제하며, 특히 제조공정에서 세정, 에칭 공정에 반투과물질막을 보호할 수 있는 하프톤 마스크를 제공하는 데 있다.The present invention has been made to solve the above-described problem, an object of the present invention is to form a semi-transmissive portion of the structure crystalline growth through a high temperature heat treatment in the semi-transparent material film, the transmittance that occurs through the time-dependent change of the semi-permeable material The present invention is to provide a halftone mask that can protect the semi-transparent material film from the cleaning process and the etching process, particularly in the manufacturing process.

상술한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 본 발명은 투명기판상에 반투과 물질이 적층되어 형성되며, 조사되는 광을 서로 다른 광투과율로 통과시키는 적어도 두 개 이상의 반투과부; 를 포함하되, 상기 반투과부 중 적어도 어느 하나는 고온열처리로 결정화된 구조인 다중 반투과부를 구비한 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크를 제공할 수 있도록 한다.As a means for solving the above problems, the present invention is formed by laminating a transflective material on a transparent substrate, at least two or more transflective portions for passing the irradiated light at different light transmittances; To include, at least one of the transflective portion is to provide a halftone mask having a multi-semi-transmissive portion having a multi-semi-transmissive portion that is a structure crystallized by high temperature heat treatment.

또한, 본 발명에 따른 상기 하프톤 마스크는, 고온열처리로 결정화된 제1반투과물질층이 패터닝되어 형성되는 제1반투과부; 및 제2반투과물질층이 패터닝되어 형성되는 제2반투과부 또는 상기 제1반투과물질층상에 제2반투과물질이 적층된 구조의 제3반투과부; 중 적어도 하나 이상을 포함하여 배치되는 구조로 구현될 수도 있다.In addition, the halftone mask according to the present invention, the first semi-transmissive portion is formed by patterning the first semi-transparent material layer crystallized by high temperature heat treatment; And a second semi-transmissive portion formed by patterning a second semi-transparent material layer or a third semi-transmissive portion having a structure in which a second semi-transmissive material is laminated on the first semi-transparent material layer. It may be implemented in a structure arranged to include at least one or more of.

상술한 구조의 상기 하프톤 마스크는, 상기 투명기판 면이 노출되어 광을 투과시키는 광투과부;와 상기 투명기판상에 형성되어 조사되는 소정 파장대의 광을 차단시키는 광차단부; 를 더 포함하여 형성될 수 있다.The halftone mask having the above-described structure may include: a light transmitting portion through which the surface of the transparent substrate is exposed to transmit light; and a light blocking portion blocking light of a predetermined wavelength band formed on the transparent substrate and irradiated; It may be formed to include more.

특히, 결정화된 구조의 상기 제1반투과부는, Cr2O3, Ta2O3, TiO2 중 어느 하나로 형성될 수 있다.In particular, the first transflective portion of the crystallized structure may be formed of any one of Cr 2 O 3 , Ta 2 O 3 , TiO 2 .

또한, 상기 제2반투과물질층은, Cr, Si, Mo, Ta, Ti, Al을 주 원소로 하여, 상기 주 원소 물질 또는 상기 주 원소들 중 적어도 두 개 이상이 혼합된 복합 물질이거나, 상기 주 원소 또는 복합물질에 C0x, Ox, Nx 중 적어도 하나가 첨가된 물질로 형성되는 될 수 있다.In addition, the second semi-transparent material layer is a composite material in which at least two or more of the main element material or the main elements are mixed using Cr, Si, Mo, Ta, Ti, and Al as main elements, or At least one of C0x, Ox, and Nx may be added to the main element or the composite material.

또한, 상술한 구조에서 상기 광차단부는, 상기 제1반투과물질층의 상부에 적층되는 차광물질패턴과; 상기 차광물질패턴 상부에 적층되는 제2반투과물질층 패턴;로 형성될 수 있다.In addition, in the above-described structure, the light blocking unit may include: a light blocking material pattern stacked on the first semitransparent material layer; And a second semitransparent material layer pattern stacked on the light blocking material pattern.

아울러, 상기 차광물질패턴은 Cr 또는 Cr 산화물로 이루어질 수 있다.In addition, the light blocking material pattern may be formed of Cr or Cr oxide.

또한, 상기 제2반투과물질층의 표면에는 산화처리를 통한 산화처리막이 형성될 수 있다.In addition, an oxidation treatment film may be formed on the surface of the second semi-transparent material layer through oxidation treatment.

본 발명에 따르면, 반투과물질막에 고온열처리를 통해 결정질로 성장시킨 구조의 반투과부를 형성함으로써, 반투과물질의 경시변화를 통해 일어나는 투과율 상승을 배제하며, 특히 제조공정에서 세정, 에칭 공정에 반투과물질막을 보호할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, by forming a semi-transmissive portion of the structure crystalline growth through the high temperature heat treatment on the semi-permeable material film, eliminating the increase in transmittance caused by the time-dependent change of the semi-permeable material, in particular in the cleaning process, etching process It is effective to protect the semi-permeable membrane.

또한, 본 발명에 따른 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크를 이용하면, 하나의 마스크로 다수 사이클의 포토리소그라피 공정에 적용할 수 있으므로 제조공정이 단축되어 원가가 절감되는 장점이 있다.In addition, when using a halftone mask having multiple transflective parts according to the present invention, since it can be applied to a multi-cycle photolithography process with one mask, the manufacturing process is shortened and the cost is reduced.

도 1은 종래의 포토마스크의 구조를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크의 구조를 도시한 단면 개념도이다.
도 3은 본 발명에 따른 하프톤 마스크의 제조공정도를 도시한 것이다.1 illustrates a structure of a conventional photomask.
2 is a cross-sectional conceptual view showing the structure of a halftone mask having multiple transflective portions according to the present invention.
3 shows a manufacturing process diagram of a halftone mask according to the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성요소는 동일한 참조부여를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략하기로 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration and operation according to the present invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following description with reference to the accompanying drawings, the same reference numerals denote the same elements regardless of the reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

본 발명은 서로 다른 광 투과율을 가지는 반투과부가 적어도 두 개 이상 구비됨으로써, 하나의 마스크로 복수 층을 패터닝할 수 있는 다중 반투과부를 구비하되, 특히 반투과부 형성공정에서 고온열처리를 통해 미결정화물질층을 결정질물질로 변화하여 반투과부 중 일부를 구현함으로써, 경시변화에 따른 투과율변동과 손상을 방지할 수 있는 구조의 하프톤 마스크를 제공하는 것을 그 요지로 한다.The present invention is provided with at least two semi-transmissive portions having different light transmittance, and having a multi-semi-transmissive portion capable of patterning a plurality of layers with a single mask, in particular a semi-crystallized material through high temperature heat treatment in the semi-transmissive portion forming process It is an object of the present invention to provide a halftone mask having a structure capable of preventing a change in transmittance and damage caused by changes over time by changing a layer into a crystalline material and implementing some of the transflective parts.

도 2는 본 발명에 따른 하프톤 마스크의 구조를 도시한 단면 개념도이다.2 is a cross-sectional conceptual view showing the structure of a halftone mask according to the present invention.

도시된 도면을 참조하면, 본 발명에 따른 하프톤 마스크는, 투명기판(110) 상에 반투과 물질이 적층되어 형성되며, 조사되는 광을 서로 다른 광투과율로 통과시키는 적어도 두 개 이상의 반투과부(121, 151)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 특히, 상술한 상기 반투과부 중 어느 하나는 고온열처리를 통해 결정화된 구조를 가지는 것이 바람직하다.Referring to the drawings, the halftone mask according to the present invention is formed by stacking a semi-transmissive material on the transparent substrate 110, at least two or more semi-transmissive portion for passing the irradiated light at different light transmittance ( 121, 151, characterized in that comprises a. In particular, it is preferable that any one of the above-mentioned transflective portions has a structure crystallized through high temperature heat treatment.

상기 투명기판(110)은 조사되는 광을 완전 투과하는 재질의 기판을 이용할 수 있으며, 일례로 석영(qz) 기판을 이용할 수 있다. 이 경우 완전 투과라 함은 조사되는 광을 100% 투과시키는 것 외에도, 광의 일부 투과를 조율하는 반투과부에 비해 상대적으로 많은 광량을 투과시키는 것을 포함하는 개념이다.The transparent substrate 110 may use a substrate made of a material that completely transmits the irradiated light. For example, the transparent substrate 110 may use a quartz (qz) substrate. In this case, the term “transmission completely” includes not only transmitting 100% of the irradiated light, but also transmitting a relatively large amount of light as compared to a semi-transmissive part that tunes some transmission of light.

상기 투명기판(110)의 상부에는 제1반투과물질층(120)이 패터닝된 구조로 적층되며, 상기 제1반투과물질층(120)의 상부에는 광을 차단하는 광차단부(160)가 형성되는 구조로 형성될 수 있으며, 광차단부(160)은 제1반투과물질층의 상부에 차광물질패턴(140)과 제2반투과물질층(150)이 적층되는 구조로 구현될 수 있다. The first semi-transparent material layer 120 is stacked in a patterned structure on the upper portion of the transparent substrate 110, and the light blocking portion 160 for blocking light is disposed on the first semi-transparent material layer 120. The light blocking unit 160 may have a structure in which the light blocking material pattern 140 and the second semi-transparent material layer 150 are stacked on the first semi-transparent material layer. .

물론, 상기 제1반투과물질층(120)이 형성되지 않아 상기 투명기판(110)의 표면이 노출되는 부분에는 광을 완전투과하는 광투과부(130)이 더 구현될 수 있다.Of course, since the first semi-transmissive material layer 120 is not formed, the light transmitting part 130 that completely transmits light may be further implemented in a portion where the surface of the transparent substrate 110 is exposed.

본 발명에서 특징적인 구조인 상기 제1반투과물질층(120)이 고온열처리되어 결정화한 구조의 제1반투과부(121)은 투과율이 y%를 구비하게 되며, 이러한 고온열처리는 일반적으로 반투과부를 형성하는 막은 산화물질막으로 구현되어 시간의 흐름에 따라 투과율이 상승하게 되어 수명(life time)이 줄어들게 되는데, 본 발명에 따른 제1반투과부는 이러한 물질을 고온열처리하여 결정화한 상태로 상변태하여 안정한 구조의 성막품을 구현하여 경시변화를 차단하게 한다. 본 발명에서의 고온 열처리는 물질에 따라 상이하게 되나, 특히 700℃~900℃의 범위에서 구현됨이 바람직하다. 이를테면, Cr계 산화막의 경우 900℃에서, Ta계 산화막의 경우에는 800℃, Ti계 산화막의 경우 750℃에서 Cr2O3, Ta2O5, TiO2 로 결정화하여 상변태함으로써, 안정화한 구조를 이루게 된다.In the present invention, the first semi-transmissive portion 121 having a characteristic structure in which the first semi-transmissive material layer 120 is crystallized by high temperature heat treatment has a transmittance of y%, and the high temperature heat treatment is generally a semi-transmissive portion. The film forming the film is implemented as an oxide film to increase the transmittance with time to reduce the life time (life time), the first semi-transmissive part according to the present invention is the phase transformation of the crystallized state by the high temperature heat treatment of such a material Implement film-forming products with stable structure to block changes over time. The high temperature heat treatment in the present invention is different depending on the material, but is preferably implemented in the range of 700 ℃ ~ 900 ℃. For example, the crystal structure is crystallized by Cr 2 O 3 , Ta 2 O 5 , TiO 2 at 900 ° C. for Cr-based oxide, 800 ° C. for Ta-based oxide, and 750 ° C. for Ti-based oxide to stabilize the structure. Is achieved.

이외에도, 상기 제1반투과물질층(120)은 Cr, Si, Mo, Ta, Ti, Al을 주 원소로 하여, 상기 주 원소 물질 또는 상기 주 원소들 중 적어도 두 개 이상이 혼합된 복합 물질이거나, 상기 주 원소 또는 복합물질에 C0x, Ox, Nx 중 적어도 하나가 첨가된 물질로 형성될 수 있다(첨자 x는 자연수이다). 또한, 상기 제1반투과물질층(120)의 상부 면에는 차광물질패턴(140)이 적층 되어 조사되는 광을 차단할 수 있는 광차단부를 구성할 수 있으며, 이와는 달리 상기 차광물질패턴(140)의 상부에는 제1반투과물질패턴(150)이 적층되는 구조로 광차단부(160)를 구성할 수도 있다.In addition, the first semi-transmissive material layer 120 is made of Cr, Si, Mo, Ta, Ti, Al as a main element, or a composite material in which at least two or more of the main element materials or the main elements are mixed. In addition, at least one of C 0 x , O x , and N x may be added to the main element or the composite material (subscript x is a natural number). In addition, the light blocking material pattern 140 may be stacked on the upper surface of the first semi-transparent material layer 120 to configure an light blocking unit that may block the irradiated light. Alternatively, the light blocking material pattern 140 may The light blocking unit 160 may be configured to have a structure in which the first semi-transmissive material pattern 150 is stacked thereon.

상기 제1반투과부(121)은 상기 광차단부(160)가 형성되지 않는 부분에 상기 제1반투과물질층이 노출되는 구조(투과율 y%)로 형성되며, 상기 제2반투과부(151)은 도시된 것과 같이, 상기 제1반투과물질층(120)을 패터닝하여 투명기판(110)을 노출시키고, 패터닝되어 노출된 상기 투명기판 부위에 제2반투과물질층(150)을 도포하여 형성될 수 있다. 이러한 제조공정에 의해 차광물질패턴(140)의 상부에 상기 제2반투과물질층(150)이 더 형성되는 구조로 광차단부(160)가 형성된다. The first semi-transmissive part 121 is formed in a structure (transmittance y%) in which the first semi-transparent material layer is exposed to a portion where the light blocking part 160 is not formed, and the second semi-transmissive part 151 As illustrated, the first semi-transparent material layer 120 is patterned to expose the transparent substrate 110, and the second semi-transmissive material layer 150 is formed on the exposed portion of the patterned substrate. Can be. By the manufacturing process, the light blocking unit 160 is formed in a structure in which the second semi-transparent material layer 150 is further formed on the light blocking material pattern 140.

아울러, 상기 제2반투과물질층(150)은 Cr, Si, Mo, Ta, Ti, Al을 주 원소로 하여, 상기 주 원소 물질 또는 상기 주 원소들 중 적어도 두 개 이상이 혼합된 복합 물질이거나, 상기 주 원소 또는 복합물질에 C0x, Ox, Nx 중 적어도 하나가 첨가된 물질로 형성될 수 있으며, 특히 상기 제1반투과부(121)의 광투과율(y)과 서로 다른 광투과율(z)을 구비하도록 형성함이 바람직하다.In addition, the second semi-transmissive material layer 150 is made of Cr, Si, Mo, Ta, Ti, Al as a main element, or a composite material in which at least two or more of the main element materials or the main elements are mixed. , At least one of C0 x , O x , and N x may be added to the main element or the composite material, and in particular, a light transmittance (y) different from a light transmittance (y) of the first semi-transmissive portion 121 ( It is preferable to form so as to have z).

물론, 도 2의 구조에서 (a)는 상술한 구조의 일예를 설명한 것이며, (b) 및 (c)는 반투과부의 다른 구현예를 도시한 것이다. 즉, 도 2의 (a)에서 광투과부(130)이 형성된 영역(A) 이나 또는 제2반투과부(151)의 구조를 도 2의 (b), (c)의 구조로 구현할 수도 있다.Of course, in the structure of Figure 2 (a) has described an example of the above-described structure, (b) and (c) shows another embodiment of the transflective portion. That is, the structure of the region A or the second semi-transmissive portion 151 in which the light transmitting portion 130 is formed in FIG. 2A may be implemented in the structures of FIGS. 2B and 2C.

즉, 도 2의 (b)에 도시된 구조와 같이, 하부층은 결정화된 제1반투과물질층(120), 상부층은 미결정화된 제2반투과물질(150)의 적층구조로 하여 투과율이 상술한 제1 및 제2반투과부와는 다른 제3반투과부(153;투과율a%)로 구현하는 것도 가능하며, 이와는 달리 적층되는 제2반투과물질(150)을 일부만 적층되는 구조로 구현하는 것도 가능하다. 광투과부의 투과율을 (w%)라고 할 때, 이보다는 적은 투과율을 가진 반투과부를 다양하게 구현하는 것이 가능하다.That is, as shown in (b) of FIG. 2, the lower layer has a crystallized first semi-transparent material layer 120 and the upper layer has a laminated structure of uncrystallized second semi-permeable material 150, so that transmittance is detailed. It is also possible to implement a third semi-transmissive portion 153 (transmittance a%) different from the first and second semi-transmissive portion, alternatively to implement a structure in which only part of the second semi-transparent material 150 is laminated. It is possible. When the transmittance of the light transmissive part is referred to as (w%), it is possible to variously implement the transflective part having a lower transmittance than this.

물론, 이 경우 도 2의 (c)에 도시된 구조와 같이, 패터닝의 방식에 따라 결정화된 제1반투과물질층(120)을 패터닝하되, 미세 슬릿구조(s)를 구현하여 투과율(c%)을 조절하는 것도 가능하다.Of course, in this case, as shown in Fig. 2 (c), by patterning the first semi-transparent material layer 120 crystallized in accordance with the patterning method, by implementing a fine slit structure (s) transmittance (c% It is also possible to adjust).

도 3은 도 3은 도 2의 본 발명에 따른 하프톤 마스크의 제조공정을 도시한 공정순서도이다. 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명에 따른 하프톤 마스크의 제조공정을 설명하면 다음과 같다.FIG. 3 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a halftone mask according to the present invention of FIG. 2. Referring to Figures 2 and 3 will be described the manufacturing process of the halftone mask according to the present invention.

우선, S 1단계에서 투명기판을 준비하여 세정 등의 공정을 수행하며, 이후 S 2단계에서 상기 투명기판(110) 상에 제1반투과물질층(120)을 전체적으로 성막한다. 이후, S 3 단계에서 상기 제1반투과물질층(120)의 표면에 고온열처리 공정이 수하고, 이후 Cr 등의 차광물질을 제1반투과물질층(120)의 상면에 적층할 수 있다.First, in step S1, a transparent substrate is prepared, and a process such as cleaning is performed. Then, in step S2, the first semi-transparent material layer 120 is entirely formed on the transparent substrate 110. Thereafter, a high temperature heat treatment process may be performed on the surface of the first semi-transparent material layer 120 in step S 3, and then a light blocking material such as Cr may be stacked on the upper surface of the first semi-transparent material layer 120.

이후, S 4단계에서, 상기 차광물질층의 상부에 포토레지스트를 도포하고, 노광, 현상을 거쳐서 상기 제1반투과물질층(120)의 일부가 노출되도록 차광물질패턴층(140)을 구현하고, 이후 포토레지스트를 박리한 후, 상기 노출되는 상기 제1반투과물질층(120)을 에칭하여 광투과부를 형성한다(S 5단계). (물론, S5단계에서는 광투과부를 형성하는 부분을 도 2의 (b), (c)와 같이 제1반투과물질층을 다양하게 패터닝하여 제3반투과부를 구현하는 것도 가능함은 상술한 바와 같다.)Subsequently, in step S4, a photoresist is coated on the light blocking material layer, and the light blocking material pattern layer 140 is implemented to expose a part of the first semitransparent material layer 120 through exposure and development. Then, after the photoresist is peeled off, the exposed first semi-transparent material layer 120 is formed to form a light transmitting part (step S5). (Of course, in the step S5, it is also possible to implement the third semi-transmissive part by patterning the first semi-transmissive material layer in various parts as shown in FIGS. 2B and 2C. .)

이후, 투명기판이 노출되는 부분과 상기 차광패턴이 구현된 구조의 상부 면에 제2반투과물질층(150)을 전체적으로 도포한다(S 6단계). 그리고 상기 제2반투과물질층(150)의 상부에 제2포토레지스트를 도포하고 노광, 현상을 거쳐서 도 2에 도시된 구조와 같이, 차광물질패턴(140)을 재차 패터닝하여 차광물질패턴층 하부에 적층된 제1반투과물질을 노출시켜 제1반투과부(121)을 구현한다. Thereafter, the second semi-transmissive material layer 150 is applied to the entire surface of the transparent substrate and the upper surface of the structure in which the light shielding pattern is implemented (S6). Then, the second photoresist is coated on the second semi-transparent material layer 150, and the light shielding material pattern 140 is patterned again to expose the lower light blocking material pattern layer as shown in FIG. 2 through exposure and development. The first semi-transmissive part 121 is implemented by exposing the first semi-transmissive material stacked on the substrate.

또한, 이와 동시에 제2반투과물질을 완전히 제거하여 투명기판을 노출시킴으로써, 광투과부(130)를 구현하는 한편, 상기 제1반투과물질층(120)을 에칭하는 S 4~S 5단계에서 노출된 투명기판에 제2반투과물질을 노출시켜 제2반투과부(151)를 구현한다(S 7단계). At the same time, the second semi-transparent material is completely removed to expose the transparent substrate, thereby realizing the light transmissive portion 130 and exposing the first semi-transparent material layer 120 in steps S 4 to S 5. The second semi-transmissive part 151 is realized by exposing the second semi-transmissive material on the transparent substrate (step S7).

물론, 이 공정단계에서 S 6단계에서 제2반투과물질막(150)을 성막한 후, 산화처리를 통해 제2반투과물질막에도 산화막을 형성하여 전체적으로 노출되는 반투과부의 경시변화를 방지할 수 있도록 함이 바람직하다.Of course, after forming the second semi-permeable material layer 150 in step S6 in this process step, an oxide film is also formed on the second semi-permeable material layer through oxidation treatment to prevent the change of the semi-transparent part exposed over time. It is desirable to be able to.

전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 전술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.In the foregoing detailed description of the present invention, specific examples have been described. However, various modifications are possible within the scope of the present invention. The technical spirit of the present invention should not be limited to the above-described embodiments of the present invention, but should be determined by the claims and equivalents thereof.

110: 투명기판
120: 제1반투과물질층
121: 제1반투과부
130: 광투과부
140: 차광물질패턴
150: 제2반투과물질층
151: 제2반투과부110: transparent substrate
120: first transflective material layer
121: first semi-permeable
130: light transmission unit
140: light shielding material pattern
150: second semi-transparent material layer
151: second semi-permeable part

Claims (8)

투명기판상에 반투과 물질이 적층되어 형성되며, 조사되는 광을 서로 다른 광투과율로 통과시키는 적어도 두 개 이상의 반투과부; 를 포함하되,
상기 반투과부 중 적어도 어느 하나는 고온열처리로 결정화된 구조인 다중 반투과부를 구비한 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크.
At least two transflective portions formed by stacking semi-transmissive materials on the transparent substrate and passing irradiated light at different light transmittances; Including but not limited to:
At least one of the transflective portion is a halftone mask having multiple transflective portions having multiple transflective portions that are crystallized by high temperature heat treatment.
청구항 1에 있어서,
상기 하프톤 마스크는,
고온열처리로 결정화된 제1반투과물질층이 패터닝되어 형성되는 제1반투과부; 및
제2반투과물질층이 패터닝되어 형성되는 제2반투과부 또는 상기 제1반투과물질층상에 제2반투과물질이 적층된 구조의 제3반투과부; 중 적어도 하나 이상을 포함하여 배치되는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크.
The method according to claim 1,
The halftone mask is,
A first semi-transmissive portion formed by patterning the first semi-transparent material layer crystallized by high temperature heat treatment; And
A second semi-transmissive portion formed by patterning a second semi-transparent material layer or a third semi-transmissive portion having a structure in which a second semi-transmissive material is laminated on the first semi-transparent material layer; A halftone mask having multiple transflective portions disposed to include at least one of the following.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 하프톤 마스크는,
상기 투명기판 면이 노출되어 광을 투과시키는 광투과부;와
상기 투명기판상에 형성되어 조사되는 소정 파장대의 광을 차단시키는 광차단부; 를 더 포함하는 다중 반투과부를 구비한 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크.
The method according to claim 1 or 2,
The halftone mask is,
A light transmission portion through which the surface of the transparent substrate is exposed to transmit light; and
A light blocking unit formed on the transparent substrate to block light of a predetermined wavelength band irradiated; A halftone mask having multiple transflective portions having multiple transflective portions further comprising.
청구항 3에 있어서,
상기 제1반투과부는,
Cr2O3, Ta2O3, TiO2 중 어느 하나로 형성되는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크.
The method according to claim 3,
The first transflective unit,
A halftone mask having multiple transflective portions formed of any one of Cr 2 O 3 , Ta 2 O 3 , and TiO 2 .
청구항 4에 있어서,
상기 제2반투과물질층은,
Cr, Si, Mo, Ta, Ti, Al을 주 원소로 하여, 상기 주 원소 물질 또는 상기 주 원소들 중 적어도 두 개 이상이 혼합된 복합 물질이거나, 상기 주 원소 또는 복합물질에 C0x, Ox, Nx 중 적어도 하나가 첨가된 물질로 형성되는 다중 반투과부를 구비한 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크.
The method of claim 4,
The second semi-transparent material layer,
Cr, Si, Mo, Ta, Ti, Al as a main element, or at least two or more of the main element material or the main elements is a mixed material, or C0x, Ox, Nx to the main element or composite material A halftone mask having multiple transflective portions having multiple transflective portions formed of at least one of the added materials.
청구항 3에 있어서,
상기 광차단부는,
상기 제1반투과물질층의 상부에 적층되는 차광물질패턴과;
상기 차광물질패턴 상부에 적층되는 제2반투과물질층 패턴;로 형성되는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크.
The method according to claim 3,
The light blocking unit,
A light blocking material pattern stacked on the first semi-transparent material layer;
And a second transflective material layer pattern stacked on the light blocking material pattern.
청구항 6에 있어서,
상기 차광물질패턴은 Cr 또는 Cr 산화물로 이루어지는 다중 반투과부를 구비한 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크.
The method of claim 6,
The light blocking material pattern is a halftone mask having multiple transflective portions having multiple transflective portions made of Cr or Cr oxide.
청구항 3에 있어서,
상기 제2반투과물질층의 표면에는 산화처리를 통한 산화처리막이 형성되는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크.The method according to claim 3,
A halftone mask having multiple transflective portions formed on the surface of the second semitransparent material layer by an oxidation treatment.
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