KR20130025146A

KR20130025146A - Apparatus and method for treating substrate

Info

Publication number: KR20130025146A
Application number: KR1020110088500A
Authority: KR
Inventors: 노재민
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2011-09-01
Filing date: 2011-09-01
Publication date: 2013-03-11
Also published as: KR101885105B1

Abstract

PURPOSE: A substrate processing apparatus and a substrate processing method are provided to uniformly process a substrate by uniformizing a plasma density distribution. CONSTITUTION: A body includes an inner space for processing a substrate. A substrate support unit(200) is located in the body and supports the substrate. A gas supply unit(300) supplies process gas to the body. An antenna excites the process gas in the body by applying high frequency power to the body. A liner(130) is formed along the inner side of the body and surrounds an excitation space to excite the process gas. A liner rotating unit(140) rotates the liner.

Description

Substrate processing apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to an apparatus and method for processing a substrate using plasma.

플라스마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 반도체 소자 제조 공정은 플라스마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. 식각 공정은 플라스마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.Plasma is an ionized gas that is produced by very high temperatures, strong electric fields, or RF electromagnetic fields, and consists of ions, electrons, and radicals. The semiconductor device fabrication process employs a plasma to perform the etching process. The etching process is performed by colliding the ion particles contained in the plasma with the substrate.

공정 처리가 수행되는 공정 챔버의 내부에는 공정 챔버의 내측면을 보호하기 위한 라이너가 제공된다. 공정 챔버와 라이너 각각에는 기판이 출입하는 개구가 형성된다. 공정 가스는 공정 챔버의 개구와 라이너의 개구로 확산되므로, 공정 챔버 내부에서 공정 가스의 밀도 분포가 불균일해진다. 이러한 공정 가스의 확산을 방지하기 위하여, 공정 챔버의 내부에는 라이너의 개구를 개폐하는 셔터가 제공되나, 셔터는 공정 챔버 내부에서 별도의 공간을 차지하고, 접지에 취약하여 공정 가스가 여기되는 과정에서 아크 방전을 일으키는 요인이 될 수 있다.The liner for protecting the inner side of the process chamber is provided inside the process chamber in which the process treatment is performed. An opening through which the substrate enters and exits is formed in each of the process chamber and the liner. Since the process gas diffuses into the opening of the process chamber and the opening of the liner, the density distribution of the process gas becomes uneven inside the process chamber. In order to prevent the diffusion of the process gas, a shutter for opening and closing the opening of the liner is provided inside the process chamber, but the shutter occupies a separate space inside the process chamber, and is vulnerable to grounding so that the arc in the process of exciting the process gas is excited. This may cause a discharge.

선행기술 1: 한국공개특허공보 제10-2010-37060호Prior Art 1: Korean Patent Publication No. 10-2010-37060

본 발명의 실시예들은 기판을 균일하게 처리할 수 있는 장치 및 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide an apparatus and method capable of uniformly treating a substrate.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 처리하기 위한 공간이 내부에 형성된 몸체; 상기 몸체 내에 위치하며, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 몸체 내부에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 몸체 내부에 고주파 전력을 인가하여 상기 몸체 내부에 머무르는 공정 가스를 여기시키는 안테나; 상기 몸체의 내측면을 따라 제공되며, 상기 공정 가스가 여기되는 여기 공간을 에워싸는 라이너; 및 상기 라이너를 회전시키는 라이너 회전부를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a body formed therein for processing a substrate; A substrate support positioned in the body and supporting the substrate; A gas supply unit supplying a process gas into the body; An antenna configured to apply high frequency power to the inside of the body to excite the process gas staying inside the body; A liner provided along an inner side of the body and surrounding an excitation space in which the process gas is excited; And a liner rotator for rotating the liner.

또한, 상기 몸체의 측벽에는 상기 기판이 출입하는 개구가 형성되고, 상기 라이너의 측벽에는 상기 기판이 출입하는 통로가 형성되고, 상기 라이너 회전부는 상기 통로가 상기 개구와 일직선상에 위치하는 제1위치와 상기 통로가 상기 개구와 서로 상이한 직선상에 위치하는 제2위치간에 상기 라이너를 회전시킬 수 있다.In addition, an opening through which the substrate enters and exits is formed in the side wall of the body, and a passage through which the substrate enters and exits is formed in the side wall of the liner, and the liner rotating part has a first position where the passage is located in line with the opening. And the second liner between the opening and the second position where the passage is located on a straight line different from each other.

또한, 상기 제2위치에서 상기 통로와 일직선상에 위치하고, 상기 몸체의 내측면에 탈착가능하게 설치되며, 상기 라이너와 동일한 재질로 제공되는 보조 라이너를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include an auxiliary liner disposed in a line with the passage at the second position and detachably installed on an inner surface of the body and provided with the same material as the liner.

또한, 상기 라이너 회전부는 상기 몸체의 내부에 위치하며, 상기 라이너의 하단에 고정 결합하는 회전 링; 상기 회전 링의 외주면을 따라 상이한 극성의 자석들이 교대로 반복적으로 배치되는 제1자석부; 상기 몸체의 외부에서 상기 회전 링과 동일 높이에 위치하는 회전 몸체; 상기 회전 몸체의 외주면을 따라 상이한 극성의 자석들이 교대로 반복적으로 배치되는 제2자석부; 및 상기 회전 몸체를 회전시키는 구동부를 포함할 수 있다.In addition, the liner rotating part is located inside the body, the rotation ring fixed to the bottom of the liner; A first magnet part in which magnets of different polarities are alternately and repeatedly arranged along an outer circumferential surface of the rotating ring; A rotating body positioned at the same height as the rotating ring outside of the body; A second magnet part in which magnets of different polarities are alternately repeatedly arranged along an outer circumferential surface of the rotating body; And it may include a driving unit for rotating the rotating body.

또한, 상기 라이너 회전부는 상기 몸체와 상기 라이너 사이에 설치되며, 상기 라이너의 회전을 보조하는 베어링을 더 포함할 수 있다.The liner rotating part may further include a bearing installed between the body and the liner to assist rotation of the liner.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 몸체의 개구와 라이너의 통로를 일직선상에 위치시키고, 상기 개구와 상기 통로를 통하여 상기 몸체의 내부로 기판을 제공하고, 상기 개구와 상기 통로가 서로 상이한 직선상에 위치하도록 상기 라이너를 회전시켜 상기 개구를 차단하며, 상기 몸체 내부에 공급된 공정 가스를 여기시켜 상기 기판을 처리한다.A substrate processing method according to an embodiment of the present invention is to position the opening of the body and the passage of the liner in a straight line, to provide a substrate into the body through the opening and the passage, the opening and the passage is mutually The liner is rotated so as to be located on a different straight line to block the opening, and the substrate is processed by exciting the process gas supplied inside the body.

또한, 상기 라이너는 비접촉방식에 의해 회전될 수 있다.In addition, the liner may be rotated by a non-contact method.

또한, 상기 라이너에 연결된 회전 링의 외주면을 따라 서로 상이한 극성의 제1자석들이 교대로 반복적으로 배치되고, 상기 몸체의 외부에 위치된 회전 몸체의 외주면을 따라 서로 상이한 극성의 제2자석들이 교대로 반복적으로 배치되며, 상기 라이너는 상기 회전 몸체의 회전으로 발생된 상기 제1자석들과 상기 제2자석들의 자력 변화에 의해 회전될 수 있다.In addition, the first magnets of different polarity are alternately arranged repeatedly along the outer circumferential surface of the rotary ring connected to the liner, and the second magnets of different polarity are alternately along the outer circumferential surface of the rotating body located outside of the body. The liner may be repeatedly disposed and rotated by a change in magnetic force of the first magnets and the second magnets generated by the rotation of the rotating body.

본 발명의 실시예들에 의하면, 플라스마 밀도 분포가 균일하게 발생되므로 기판 처리가 균일하게 이루어질 수 있다.According to embodiments of the present invention, since the plasma density distribution is uniformly generated, the substrate treatment may be uniformly performed.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 몸체와 리니어가 배치되는 모습을 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 1의 라이너 회전부를 나타내는 사시도이다.
도 5는 도 4의 회전 링과 회전 몸체의 단면을 나타내는 도면이다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 and 3 are cross-sectional views showing a state in which the body and the linear of FIG.
4 is a perspective view illustrating the liner rotating part of FIG. 1.
5 is a cross-sectional view of the rotary ring and the rotary body of FIG.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 방법을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
Hereinafter, a substrate processing apparatus and a method according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라스마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 기판 지지부(200), 가스 공급부(300), 그리고, 플라스마 생성부(400)를 포함한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 processes the substrate W using plasma. The substrate processing apparatus 10 includes a process chamber 100, a substrate support 200, a gas supply 300, and a plasma generator 400.

공정 챔버(100)는 기판(W) 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 공정 챔버(100)는 몸체(110), 밀폐 커버(120), 라이너(130), 라이너 회전부(140), 보조 라이너(170)를 포함한다. The process chamber 100 provides a space in which a substrate W processing process is performed. The process chamber 100 includes a body 110, an airtight cover 120, a liner 130, a liner rotator 140, and an auxiliary liner 170.

몸체(110)에는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 몸체(110)의 내부 공간은 기판(W) 처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 몸체(110)는 금속 재질로 제공된다. 몸체(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 몸체(110)의 측벽에는 개구(111)가 형성된다. 개구(111)는 기판이 몸체(110) 내부로 이송되는 통로를 제공한다. 몸체(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(181)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 몸체의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(181)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 몸체(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다.The body 110 has a space having an open upper surface therein. The inner space of the body 110 is provided as a space in which the substrate (W) treatment process is performed. Body 110 is provided with a metal material. The body 100 may be provided of aluminum material. An opening 111 is formed in the side wall of the body 110. The opening 111 provides a passage through which the substrate is transferred into the body 110. An exhaust hole 102 is formed in the bottom surface of the body 110. The exhaust hole 102 is connected to the exhaust line 181. Reaction by-products generated during the process and the gas remaining in the internal space of the body may be discharged to the outside through the exhaust line (181). The inside of the body 110 is reduced to a predetermined pressure by the exhaust process.

밀폐 커버(120)는 몸체(110)의 개방된 상면을 덮는다. 밀폐 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 몸체(110)의 내부공간을 밀폐시킨다. 밀폐 커버(120)는 몸체(110)와 상이한 재질로 제공될 수 있다. 밀폐 커버(120)는 유전체(dielectric substance)로 제공될 수 있다.The sealing cover 120 covers the open upper surface of the body 110. The sealing cover 120 is provided in a plate shape and seals the internal space of the body 110. The sealing cover 120 may be provided with a material different from that of the body 110. The hermetic cover 120 may be provided as a dielectric substance.

라이너(130)는 몸체(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 몸체(110)의 내측면에 상응하거나 그보다 작은 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 몸체(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 몸체(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)의 측벽에는 통로(132)가 형성된다. 통로(132)를 통하여 기판(W)이 라이너(130) 내부로 제공된다. 라이너(130)는 몸체(110)와 동일한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 몸체(110) 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 공정 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 몸체(110)의 내측면을 보호하여 몸체(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 라이너(130)는 몸체(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)이 손상될 경우, 새로운 라이너로 교체할 수 있다.The liner 130 is provided inside the body 110. The liner 130 has a space in which the upper surface and the lower surface are opened. The liner 130 may be provided in a cylindrical shape. The liner 130 may have a radius corresponding to or smaller than the inner side of the body 110. The liner 130 is provided along the inner side of the body 110. At the upper end of the liner 130, a support ring 131 is formed. The support ring 131 is provided in the form of a ring and projects outwardly of the liner 130 along the periphery of the liner 130. The support ring 131 is placed on top of the body 110 and supports the liner 130. A passage 132 is formed on the sidewall of the liner 130. The substrate W is provided into the liner 130 through the passage 132. The liner 130 may be provided of the same material as the body 110. The liner 130 may be made of aluminum. The liner 130 protects the inner surface of the body 110. An arc discharge may occur in the process chamber 100 while the process gas is excited. Arc discharge damages peripheral devices. The liner 130 protects the inner surface of the body 110 to prevent the inner surface of the body 110 from being damaged by arc discharge. The liner 130 is less expensive than the body 110 and is easy to replace. Therefore, when the liner 130 is damaged by the arc discharge, it can be replaced with a new liner.

라이너 회전부(140)는 라이너(130)를 회전시킨다. 라이너 회전부(140)는 비접촉방식에 의해 라이너(130)를 회전시킬 수 있다. 라이너 회전부(140)는 몸체(110)의 개구(111)와 라이너(130)의 통로(132)가 제1위치 또는 제2위치에 위치하도록 라이너(130)를 회전시킨다. 제1위치에서는 도 2와 같이, 몸체(110)의 개구(111)와 라이너(130)의 통로(132)가 일직선상에 위치하고, 제2위치에서는 도 3과 같이, 몸체(110)의 개구(111)와 라이너(130)의 통로(132)가 서로 상이한 직선상에 위치한다. 몸체(110)의 개구(111)와 라이너(130)의 통로(132)가 제1위치에 위치하는 상태에서 기판(W)이 몸체(110) 내부로 이송된다. 그리고, 몸체(110)의 개구(111)와 라이너(130)의 통로(132)가 제2위치에 위치하는 상태에서 기판(W)에 대한 공정 처리가 수행된다. The liner rotating part 140 rotates the liner 130. The liner rotating part 140 may rotate the liner 130 by a non-contact method. The liner rotating part 140 rotates the liner 130 such that the opening 111 of the body 110 and the passage 132 of the liner 130 are positioned at the first position or the second position. In the first position, as shown in FIG. 2, the opening 111 of the body 110 and the passage 132 of the liner 130 are located in a straight line, and in the second position, as shown in FIG. 3, the opening of the body 110 ( 111 and the passage 132 of the liner 130 are located on different straight lines. The substrate W is transferred into the body 110 in a state where the opening 111 of the body 110 and the passage 132 of the liner 130 are positioned at the first position. In addition, the process of the substrate W is performed in a state where the opening 111 of the body 110 and the passage 132 of the liner 130 are positioned at the second position.

도 4는 라이너 회전부를 나타내는 사시도이다.4 is a perspective view illustrating the liner rotating part.

도 1 및 도 4를 참조하면, 라이너 회전부(140)는 회전 링(141), 제1자석부(142), 회전 몸체(143), 제2자석부(144), 회전 로드(145), 구동기(146), 그리고 베어링(147)을 포함한다.1 and 4, the liner rotating part 140 includes a rotating ring 141, a first magnetic part 142, a rotating body 143, a second magnetic part 144, a rotating rod 145, and a driver. 146, and a bearing 147.

회전 링(141)은 몸체(110)의 내부에 위치하며, 라이너(130)와 동일한 반경을 가지는 링 형상으로 제공된다. 회전 링(141)은 라이너(130)의 하부에 위치하며, 라이너(130)의 하단에 고정 결합된다. The rotary ring 141 is located inside the body 110 and is provided in a ring shape having the same radius as the liner 130. The rotary ring 141 is positioned below the liner 130 and is fixedly coupled to the bottom of the liner 130.

제1자석부(142)는 제2자석부(144)와 자력에 의해 라이너(130)를 회전시킨다. 제1자석부(142)는 회전 링(141)의 외주면을 따라 배치되는 복수개의 제1자석(142a, 142b)들을 포함한다. 제1자석(142a, 142b)들은 서로 상이한 극성이 교대로, 그리고 반복적으로 배치된다. 인접한 제1자석(142a, 142b)들은 서로 상이한 극성을 갖는다. The first magnet part 142 rotates the liner 130 by the second magnet part 144 and the magnetic force. The first magnet part 142 includes a plurality of first magnets 142a and 142b disposed along the outer circumferential surface of the rotation ring 141. The first magnets 142a and 142b are alternately and repeatedly arranged with different polarities from each other. Adjacent first magnets 142a and 142b have different polarities from each other.

회전 몸체(143)는 몸체(110)의 외부에 위치한다. 회전 몸체(143)는 회전 링(141)과 동일한 높이에 위치한다. 회전 몸체(143)는 원통 형상으로 제공된다. 회전 몸체(143)에는 제2자석부(144)가 제공된다. 제2자석부(144)는 회전 몸체(143)의 회전력을 제1자석부(142)에 전달한다. 제2자석부(144)는 회전 몸체(143)의 외주면을 따라 배치되는 복수개의 제2자석(144a, 144b)들을 포함한다. 제2자석(144a, 144b)들은 서로 상이한 극성이 교대로, 그리고 반복적으로 배치된다. 인접한 제2자석(144a, 144b)들은 서로 상이한 극성을 갖는다. 제2자석(144a, 144b)들은 제1자석(142a, 144b)들과 마주하여 배치된다. The rotating body 143 is located outside of the body 110. The rotary body 143 is located at the same height as the rotary ring 141. The rotating body 143 is provided in a cylindrical shape. The rotating body 143 is provided with a second magnet portion 144. The second magnet part 144 transmits the rotational force of the rotating body 143 to the first magnet part 142. The second magnet part 144 includes a plurality of second magnets 144a and 144b disposed along the outer circumferential surface of the rotating body 143. The second magnets 144a and 144b are alternately and repeatedly arranged in different polarities. Adjacent second magnets 144a and 144b have different polarities from each other. The second magnets 144a and 144b are disposed to face the first magnets 142a and 144b.

회전 로드(145)는 회전 몸체(143)의 하부에 수직방향으로 제공되며, 회전 몸체(143)의 중심에 삽입 고정된다. 구동기(146)는 회전 로드(145)의 하단에 결합되며, 회전 로드(145)의 길이방향과 나란한 축을 중심으로 회전 로드(145)를 회전시킨다. The rotary rod 145 is provided in the vertical direction at the bottom of the rotary body 143, and is inserted and fixed to the center of the rotary body 143. The driver 146 is coupled to the lower end of the rotary rod 145, and rotates the rotary rod 145 about an axis parallel to the longitudinal direction of the rotary rod 145.

베어링(147)은 라이너(130)의 회전을 보조한다. 베어링(147)은 라이너(130)와 몸체(110) 사이에 제공된다. 베어링(147)의 내륜은 라이너(130)의 외주면을 따라 제공되며, 라이너(130)에 고정 설치된다. 베어링(147)의 외륜은 몸체(110)의 내측면을 따라 제공되며, 몸체(110)에 고정 설치된다.The bearing 147 assists in the rotation of the liner 130. Bearing 147 is provided between liner 130 and body 110. The inner ring of the bearing 147 is provided along the outer circumferential surface of the liner 130 and fixedly installed to the liner 130. The outer ring of the bearing 147 is provided along the inner surface of the body 110, and is fixedly installed on the body 110.

보조 라이너(170)는 도 3과 같이, 라이너(130)의 통로(132)가 제2위치에 위치되는 경우, 라이너(130)의 통로(132)와 일적선상에 위치되도록 몸체(110)의 내측면에 설치된다. 보조 라이너(170)는 탈착가능하도록 몸체(110)의 내측면에 설치될 수 있다. 보조 라이너(170)는 라이너(130)와 동일한 재질로 제공될 수 있다. 보조 라이너(170)는 라이너(130)의 통로(132)에 대응하거나, 그보다 큰 사이즈로 제공될 수 있다. 보조 라이너(170)는 공정 가스가 여기되는 과정에서 라이너(130)의 통로(132)를 통하여 몸체(110)의 내측면이 손상되는 것을 방지한다. 보조 라이너(170)에 손상이 발생할 경우, 보조 라이너(170)를 탈착하여 새로운 보조 라이너로 교체할 수 있다.As shown in FIG. 3, when the passage 132 of the liner 130 is positioned at the second position, the auxiliary liner 170 may be positioned in line with the passage 132 of the liner 130. It is installed on the side. The auxiliary liner 170 may be installed on the inner side of the body 110 to be detachable. The auxiliary liner 170 may be provided with the same material as the liner 130. The auxiliary liner 170 may correspond to or be provided in a size larger than the passage 132 of the liner 130. The auxiliary liner 170 prevents the inner surface of the body 110 from being damaged through the passage 132 of the liner 130 while the process gas is excited. If damage occurs in the auxiliary liner 170, the auxiliary liner 170 may be removed and replaced with a new auxiliary liner.

몸체(110)의 내부에는 기판 지지부(200)가 위치한다. 기판 지지부(200)는 기판(W)을 지지한다. 기판 지지부(200)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척을 포함한다.The substrate support part 200 is positioned inside the body 110. The substrate support part 200 supports the substrate (W). The substrate support part 200 includes an electrostatic chuck that adsorbs the substrate W by using electrostatic force.

정전 척(200)은 유전판(210), 하부 전극(220), 히터(230), 지지판(240), 그리고 절연판(270)을 포함한다.The electrostatic chuck 200 includes a dielectric plate 210, a lower electrode 220, a heater 230, a support plate 240, and an insulating plate 270.

유전판(210)은 정전 척(200)의 상단부에 위치한다. 유전판(210)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 유전판(210)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 때문에, 기판(W) 가장자리영역은 유전판(210)의 외측에 위치한다. 유전판(210)에는 제1공급 유로(211)가 형성된다. 제1공급 유로(211)는 유전판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공된다. 제1공급 유로(211)는 서로 이격하여 복수개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공된다.The dielectric plate 210 is located at the upper end of the electrostatic chuck 200. The dielectric plate 210 is provided as a dielectric substance. A substrate W is placed on the upper surface of the dielectric plate 210. The upper surface of the dielectric plate 210 has a smaller radius than the substrate W. [ Therefore, the edge region of the substrate W is located outside the dielectric plate 210. The first supply channel 211 is formed in the dielectric plate 210. The first supply passage 211 is provided from the top surface of the dielectric plate 210 to the bottom surface. A plurality of first supply passages 211 are formed to be spaced apart from each other, and are provided as a passage through which a heat transfer medium is supplied to the bottom surface of the substrate W.

유전판(210)의 내부에는 하부 전극(220)과 히터(230)가 매설된다. 하부 전극(220)은 히터(230)의 상부에 위치한다. 하부 전극(220)은 제1하부 전원(221)과 전기적으로 연결된다. 제1하부 전원(221)은 직류 전원을 포함한다. 하부 전극(220)과 제1하부 전원(221) 사이에는 스위치(222)가 설치된다. 하부 전극(220)은 스위치(222)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제1하부 전원(221)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(222)가 온(ON) 되면, 하부 전극(220)에는 직류 전류가 인가된다. 하부 전극(220)에 인가된 전류에 의해 하부 전극(220)과 기판(W) 사이에는 전기력이 작용하며, 전기력에 의해 기판(W)은 유전판(210)에 흡착된다.A lower electrode 220 and a heater 230 are buried in the dielectric plate 210. The lower electrode 220 is located on the upper portion of the heater 230. The lower electrode 220 is electrically connected to the first lower power source 221. The first lower power supply 221 includes a DC power source. A switch 222 is provided between the lower electrode 220 and the first lower power source 221. The lower electrode 220 may be electrically connected to the first lower power source 221 by turning on / off the switch 222. [ When the switch 222 is turned ON, a DC current is applied to the lower electrode 220. An electric force is applied between the lower electrode 220 and the substrate W by the current applied to the lower electrode 220 and the substrate W is attracted to the dielectric plate 210 by the electric force.

히터(230)는 제2하부 전원(231)과 전기적으로 연결된다. 히터(230)는 제2하부 전원(231)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 유전판(210)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(230)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(230)는 나선 형상의 코일을 포함한다. 히터(230)는 균일한 간격으로 유전판(210)에 매설될 수 있다.The heater 230 is electrically connected to the second lower power source 231. The heater 230 generates heat by resisting a current applied from the second lower power source 231. The generated heat is transferred to the substrate W through the dielectric plate 210. The substrate W is maintained at a predetermined temperature by the heat generated in the heater 230. The heater 230 includes a helical coil. The heaters 230 may be embedded in the dielectric plate 210 at regular intervals.

유전판(210)의 하부에는 지지판(240)이 위치한다. 유전판(210)의 저면과 지지판(240)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 지지판(240)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 지지판(240)의 상면은 중심 영역이 가장자리영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 지지판(240)의 상면 중심 영역은 유전판(210)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(210)의 저면과 접착된다. 지지판(240)에는 제1순환 유로(241), 제2순환 유로(242), 그리고 제2공급 유로(243)가 형성된다.The support plate 240 is positioned below the dielectric plate 210. The bottom surface of the dielectric plate 210 and the top surface of the support plate 240 may be bonded by the adhesive 236. The support plate 240 may be provided of aluminum material. The upper surface of the support plate 240 may be stepped so that the center region is positioned higher than the edge region. The top center region of the support plate 240 has an area corresponding to the bottom of the dielectric plate 210 and is bonded to the bottom of the dielectric plate 210. The support plate 240 is provided with a first circulation passage 241, a second circulation passage 242, and a second supply passage 243.

제1순환 유로(241)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 제1순환 유로(241)는 지지판(240) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1순환 유로(241)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1순환 유로(241)들은 서로 연통될 수 있다. 제1순환 유로(241)들은 동일한 높이에 형성된다.The first circulation passage 241 is provided as a passage through which the heat transfer medium circulates. The first circulation channel 241 may be formed in a spiral shape in the support plate 240. Alternatively, the first circulation channel 241 may be arranged such that ring-shaped channels having different radii have the same center. Each of the first circulation passages 241 may communicate with each other. The first circulation passages 241 are formed at the same height.

제2순환 유로(242)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2순환 유로(242)는 지지판(240) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제2순환 유로(242)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2순환 유로(242)들은 서로 연통될 수 있다. 제2순환 유로(242)는 제1순환 유로(241)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2순환 유로(242)들은 동일한 높이에 형성된다. 제2순환 유로(242)는 제1순환 유로(241)의 하부에 위치될 수 있다.The second circulation passage 242 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The second circulation channel 242 may be formed in a spiral shape in the support plate 240. Alternatively, the second circulation channel 242 may be arranged such that ring-shaped channels having different radii have the same center. Each of the second circulation passages 242 may communicate with each other. The second circulation channel 242 may have a larger cross-sectional area than the first circulation channel 241. The second circulation passages 242 are formed at the same height. The second circulation channel 242 may be located below the first circulation channel 241.

제2공급 유로(243)는 제1순환 유로(241)부터 상부로 연장되며, 지지판(240)의 상면으로 제공된다. 제2공급 유로(243)는 제1공급 유로(211)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1순환 유로(241)와 제1공급 유로(211)를 연결한다.The second supply flow passage 243 extends upward from the first circulation flow passage 241 and is provided on the upper surface of the support plate 240. The second supply flow path 243 is provided in a number corresponding to the first supply flow path 211, and connects the first circulation flow path 241 and the first supply flow path 211.

제1순환 유로(241)는 열전달 매체 공급라인(251)을 통해 열전달 매체 저장부(252)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(252)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(251)을 통해 제1순환 유로(241)에 공급되며, 제2공급 유로(243)와 제1공급 유로(211)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라스마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(200)으로 전달되는 매개체 역할을 한다. 플라스마에 함유된 이온 입자들은 정전 척(200)에 형성된 전기력에 끌려 정전 척(200)으로 이동하며, 이동하는 과정에서 기판(W)과 충돌하여 식각 공정을 수행한다. 이온 입자들이 기판(W)에 충돌하는 과정에서 기판(W)에는 열이 발생한다. 기판(W)에서 발생된 열은 기판(W) 저면과 유전판(210)의 상면 사이 공간에 공급된 헬륨 가스를 통해 정전 척(200)으로 전달된다. 이에 의해, 기판(W)은 설정온도로 유지될 수 있다.The first circulation passage 241 is connected to the heat transfer medium storage unit 252 through the heat transfer medium supply line 251. The heat transfer medium storage unit 252 stores the heat transfer medium. The heat transfer medium includes an inert gas. According to an embodiment, the heat transfer medium comprises helium (He) gas. The helium gas is supplied to the first circulation channel 241 through the supply line 251, and is sequentially supplied to the bottom surface of the substrate W through the second supply channel 243 and the first supply channel 211. Helium gas serves as a medium through which heat transferred from the plasma to the substrate W is transferred to the electrostatic chuck 200. The ion particles contained in the plasma are attracted by the electric force formed in the electrostatic chuck 200 to move to the electrostatic chuck 200, and in the process of moving, the ion particles collide with the substrate W to perform an etching process. Heat is generated in the substrate W while the ion particles collide with the substrate W. Heat generated in the substrate W is transferred to the electrostatic chuck 200 through helium gas supplied to the space between the bottom surface of the substrate W and the top surface of the dielectric plate 210. As a result, the substrate W can be maintained at a set temperature.

제2순환 유로(242)는 냉각 유체 공급라인(261)을 통해 냉각 유체 저장부(262)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(262)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(262) 내에는 냉각기(263)가 제공될 수 있다. 냉각기(263)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(263)는 냉각 유체 공급 라인(261) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(261)을 통해 제2순환 유로(242)에 공급된 냉각 유체는 제2순환 유로(242)를 따라 순환하며 지지판(240)을 냉각한다. 지지판(240)의 냉각은 유전판(210)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다. The second circulation channel 242 is connected to the cooling fluid storage unit 262 through the cooling fluid supply line 261. The cooling fluid is stored in the cooling fluid storage unit 262. The cooler 263 may be provided in the cooling fluid reservoir 262. The cooler 263 cools the cooling fluid to a predetermined temperature. Alternatively, cooler 263 may be installed on cooling fluid supply line 261. The cooling fluid supplied to the second circulation passage 242 through the cooling fluid supply line 261 circulates along the second circulation passage 242 and cools the support plate 240. Cooling of the support plate 240 cools the dielectric plate 210 and the substrate W together to maintain the substrate W at a predetermined temperature.

지지판(240)의 하부에는 절연판(270)이 제공된다. 절연판(270)은 지지판(240)에 상응하는 크기로 제공된다. 절연판(270)은 지지판(240)과 챔버(100)의 바닥면 사이에 위치한다. 절연판(270)은 절연 재질로 제공되며, 지지판(240)과 챔버(100)를 전기적으로 절연시킨다.An insulating plate 270 is provided below the support plate 240. The insulating plate 270 is provided in a size corresponding to the support plate 240. The insulating plate 270 is positioned between the support plate 240 and the bottom surface of the chamber 100. The insulating plate 270 is provided with an insulating material and electrically insulates the support plate 240 and the chamber 100.

포커스 링(280)은 정전 척(200)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(200)은 링 형상을 가지며, 유전판(210)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(280)의 상면은 외측부(280a)가 내측부(280b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(280)의 상면 내측부(280b)는 유전판(210)의 상면과 동일 높이에 위치된다. 포커스 링(280)의 상면 내측부(280b)는 유전판(210)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리영역을 지지한다. 포커스 링(280)의 외측부(280a)는 기판(W) 가장자리영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(280)은 플라스마가 형성되는 영역의 중심에 기판(W)이 위치하도록 전기장 형성 영역을 확장시킨다. 이에 의해, 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 플라스마가 균일하게 형성되어 기판(W)의 각 영역이 균일하게 식각될 수 있다.The focus ring 280 is disposed in an edge region of the electrostatic chuck 200. The focus ring 200 has a ring shape and is disposed along a circumference of the dielectric plate 210. The upper surface of the focus ring 280 may be stepped so that the outer portion 280a is higher than the inner portion 280b. The upper inner side portion 280b of the focus ring 280 is positioned at the same height as the upper surface of the dielectric plate 210. An upper inner portion 280b of the focus ring 280 supports an edge region of the substrate W positioned outside the dielectric plate 210. The outer portion 280a of the focus ring 280 is provided to surround the substrate W edge region. The focus ring 280 extends the electric field forming region so that the substrate W is located at the center of the plasma forming region. As a result, the plasma may be uniformly formed over the entire area of the substrate W so that each area of the substrate W may be uniformly etched.

가스 공급부(300)는 공정 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급부(300)는 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함한다. 가스 공급 노즐(310)은 밀폐 커버(120)의 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 밀폐 커버(120)의 하부에 위치하며, 공정 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.The gas supply unit 300 supplies a process gas into the process chamber 100. The gas supply unit 300 includes a gas supply nozzle 310, a gas supply line 320, and a gas storage unit 330. The gas supply nozzle 310 is installed at the center of the sealing cover 120. A jetting port is formed on the bottom surface of the gas supply nozzle 310. The injection hole is located below the airtight cover 120 and supplies a process gas into the process chamber 100. The gas supply line 320 connects the gas supply nozzle 310 and the gas storage unit 330. The gas supply line 320 supplies the process gas stored in the gas storage unit 330 to the gas supply nozzle 310. A valve 321 is installed in the gas supply line 320. The valve 321 opens and closes the gas supply line 320 and regulates the flow rate of the process gas supplied through the gas supply line 320.

플라스마 생성부(400)는 공정 챔버(100) 내부에 고주파 전력을 인가하여 공정 챔버(100) 내부에 공급된 공정 가스를 여기시킨다. 플라스마 생성부(400)는 하우징(410), 상부 전원(420), 그리고 안테나(430)를 포함한다.The plasma generation unit 400 applies high frequency power to the process chamber 100 to excite the process gas supplied to the process chamber 100. The plasma generator 400 includes a housing 410, an upper power source 420, and an antenna 430.

하우징(410)은 저면이 개방되며, 내부에 공간이 형성된다. 하우징(410)은 밀폐 커버(120)의 상부에 위치하며, 밀폐 커버(120)의 상면에 놓인다. 하우징(410)의 내부는 안테나(430)가 위치하는 공간으로 제공된다. 상부 전원(420)은 고주파 전류를 발생시킨다. 발생된 고저파 전류는 안테나(430)에 인가된다. 안테나(430)는 공정 챔버(100) 내부에 고주파 전력을 인가한다. 안테나(430)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 코일들이 동일한 중심에 위치되도록 배치될 수 있다.
The housing 410 has an open bottom, and a space is formed therein. The housing 410 is positioned above the sealing cover 120 and lies on the top surface of the sealing cover 120. The interior of the housing 410 is provided as a space where the antenna 430 is located. The upper power source 420 generates a high frequency current. The generated high frequency current is applied to the antenna 430. The antenna 430 applies high frequency power inside the process chamber 100. The antenna 430 may be arranged such that ring-shaped coils having different radii are located at the same center.

이하, 상술한 기판 처리 장치(10)를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명한다.Hereinafter, the process of processing a board | substrate using the above-mentioned substrate processing apparatus 10 is demonstrated.

도 2와 같이, 라이너 회전부(140)의 구동으로 라이너(130)가 회전되어 라이너(130)의 통로(132)와 몸체(110)의 개구(111)가 일직선상에 위치한다. 기판(W)은 몸체(110)의 개구(111)와 라이너(130)의 통로(132)를 거쳐 몸체(110)의 내부로 이송된다. 몸체(110)의 내부에 위치된 기판(W)은 정전 척(200)에 제공된 리프트 핀(미도시)의 승강에 의해 유전판(210)의 상면에 놓인다. 기판(W)이 몸체(110) 내부로 이송되면, 도 3과 같이, 라이너 회전부(140)의 구동으로 라이너(130)가 회전되어 라이너(130)의 통로(132)와 몸체(110)의 개구(111)가 서로 상이한 직선상에 위치한다. 라이너(130)의 개구(132)는 보조 라이너(170)와 동일한 직선상에 위치된다. As shown in FIG. 2, the liner 130 is rotated by the driving of the liner rotating part 140 so that the passage 132 of the liner 130 and the opening 111 of the body 110 are positioned in a straight line. The substrate W is transferred into the body 110 through the opening 111 of the body 110 and the passage 132 of the liner 130. The substrate W located inside the body 110 is placed on the top surface of the dielectric plate 210 by lifting and lowering a lift pin (not shown) provided in the electrostatic chuck 200. When the substrate W is transferred into the body 110, as shown in FIG. 3, the liner 130 is rotated by the driving of the liner rotating part 140 to open the passage 132 of the liner 130 and the opening of the body 110. 111 is located on a straight line different from each other. The opening 132 of the liner 130 is located on the same straight line as the auxiliary liner 170.

제1하부 전원(221)으로부터 하부 전극(220)에 직류 전류가 인가되며, 인가된 전류에 의해 하부 전극(220)과 기판(W) 사이에는 전기력이 작용한다. 전기력에 의해 기판(W)은 유전판(210)에 흡착된다.A direct current is applied to the lower electrode 220 from the first lower power source 221, and an electric force acts between the lower electrode 220 and the substrate W by the applied current. The substrate W is attracted to the dielectric plate 210 by the electric force.

기판(W)이 정전 척(200)에 흡착되면, 가스 공급 노즐(310)을 통하여 공정 챔버(100) 내부에 공정 가스가 공급된다. 그리고, 상부 전원(420)에서 생성된 고주파 전력이 안테나(430)를 통해 공정 챔버(100) 내부에 인가된다. 인가된 고주파 전력은 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 공정 가스를 여기시킨다. 여기된 공정 가스는 기판(W)으로 제공되어 기판(W)을 처리한다. 여기된 공정 가스는 식각 공정을 수행할 수 있다.When the substrate W is adsorbed onto the electrostatic chuck 200, the process gas is supplied into the process chamber 100 through the gas supply nozzle 310. The high frequency power generated by the upper power source 420 is applied to the process chamber 100 through the antenna 430. The applied high frequency power excites the process gas staying inside the process chamber 100. The excited process gas is provided to the substrate W to treat the substrate W. The excited process gas may perform an etching process.

기판(W) 처리가 완료되면, 라이너 회전부(140)의 구동으로 라이너(130)가 회전되어 라이너(130)의 통로(132)와 몸체(110)의 개구(111)가 도 2와 같이, 일직선상에 위치한다. 공정 처리가 완료된 기판(W)은 라이너(130)의 통로(132)와 몸체(110)의 개구(111)를 거쳐 공정 챔버(100) 외부로 이송된다.When processing of the substrate W is completed, the liner 130 is rotated by the driving of the liner rotating part 140 so that the passage 132 of the liner 130 and the opening 111 of the body 110 are straight as shown in FIG. 2. Located in the phase. The substrate W on which the process is completed is transferred to the outside of the process chamber 100 through the passage 132 of the liner 130 and the opening 111 of the body 110.

도 2와 같이 라이너(130)의 통로(132)와 몸체(110)의 개구(111)가 일직선상에 위치된 상태에서 공정 처리가 진행될 경우, 여기된 공정 가스는 라이너(130)의 통로(132) 및 몸체(110)의 개구(111)로 확산되므로, 몸체(110) 내부에는 공정 가스가 균일하게 분포되지 못한다. 불균일한 공정 가스 분포는 기판(W) 처리를 불균일하게 하므로, 라이너(130)의 통로(132)를 개폐할 수 있는 별도의 장치, 예컨대 라이너 셔터(Liner Shutter) 및 셔터 구동부가 필요하다. 그러나, 이와 같은 장치는 결합 구조가 복잡하고, 몸체(110)의 내부에서 별도의 공간을 차지한다. 또한, 상기 장치들은 접지에 취약하므로, 공정 챔버(100) 내부에 인가된 고주파 전력의 전계에 영향을 미칠 수 있으며, 공정 가스가 여기되는 과정에서 아크 방전을 일으키는 요인이 될 수 있다. As shown in FIG. 2, when the process is performed while the passage 132 of the liner 130 and the opening 111 of the body 110 are in a straight line, the excited process gas may pass through the passage 132 of the liner 130. And the diffusion into the opening 111 of the body 110, the process gas is not uniformly distributed inside the body 110. Since the non-uniform process gas distribution makes the substrate W processing uneven, a separate device capable of opening and closing the passage 132 of the liner 130 is required, such as a liner shutter and a shutter driver. However, such a device has a complicated coupling structure and occupies a separate space inside the body 110. In addition, since the devices are vulnerable to grounding, they may affect the electric field of high frequency power applied to the process chamber 100, and may cause arc discharge in the process gas is excited.

그러나, 본 발명은 도 3과 같이, 라이너(130)의 통로(132)와 몸체(110)의 개구(111)가 서로 상이한 직선상에 배치된 상태에서 공정 처리가 수행되므로, 몸체 (110) 내부에는 개구(111)가 차단된 원통 형상의 공간이 형성된다. 개구(111)로 공정가스의 확산이 예방되므로, 몸체(110) 내부에는 공정가스가 균일하게 분포되어 기판(W)이 균일하게 처리된다. 또한, 라이너(130)에 회전력을 제공하는 라이너 회전부(140)는 몸체(110) 외부에 위치되므로, 몸체(110) 내부에서 별도의 공간을 차지하지 않는다. 그리고, 회전 링(141) 및 제1자석부(142)는 공정 가스가 여기되는 여기 공간으로부터 이격된 지점에 위치되므로, 공정 챔버(100) 내부에 인가된 고주파 전력의 전계에 영향을 미치지 않는다. 또한, 라이너 회전부(140)는 제1자석(142a, 142b)들과 제2자석(144a, 144b)들의 자력에 의한 비접촉 방식으로 라이너(130)를 회전시키므로, 그 구조가 간단하게 제공될 수 있다.
However, in the present invention, since the process is performed in a state in which the passage 132 of the liner 130 and the opening 111 of the body 110 are arranged on different straight lines as shown in FIG. The cylindrical space in which the opening 111 was cut off is formed in this. Since the diffusion of the process gas into the opening 111 is prevented, the process gas is uniformly distributed in the body 110, so that the substrate W is uniformly processed. In addition, the liner rotating part 140 that provides rotational force to the liner 130 is located outside the body 110, and thus does not occupy a separate space inside the body 110. In addition, since the rotary ring 141 and the first magnet part 142 are located at a point spaced apart from the excitation space where the process gas is excited, the rotating ring 141 and the first magnet part 142 do not affect the electric field of the high frequency power applied inside the process chamber 100. In addition, since the liner rotating part 140 rotates the liner 130 in a non-contact manner by the magnetic force of the first magnets 142a and 142b and the second magnets 144a and 144b, the structure thereof may be simply provided. .

상기 실시예에서는 플라스마를 이용하여 식각 공정을 수행하는 것으로 설명하였으나, 기판 처리 공정은 이에 한정되지 않으며, 플라스마를 이용하는 다양한 기판 처리 공정, 예컨대 증착 공정, 애싱 공정, 그리고 세정 공정등에도 적용될수 있다.
In the above embodiment, the etching process is performed by using plasma, but the substrate processing process is not limited thereto, and may be applied to various substrate processing processes using plasma, for example, a deposition process, an ashing process, and a cleaning process.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100: 공정 챔버 110: 몸체
120: 밀폐 커버 130: 라이너
140: 라이너 회전부 170: 보조 라이너
200: 기판 지지부 300: 가스 공급부
400: 플라스마 생성부100: process chamber 110: body
120: airtight cover 130: liner
140: liner rotating part 170: auxiliary liner
200: substrate support 300: gas supply
400: plasma generation unit

Claims

A body having a space formed therein for processing the substrate;
A substrate support positioned in the body and supporting the substrate;
A gas supply unit supplying a process gas into the body;
An antenna configured to apply high frequency power to the inside of the body to excite the process gas staying inside the body;
A liner provided along an inner side of the body and surrounding an excitation space in which the process gas is excited; And
And a liner rotator for rotating the liner.

The method of claim 1,
The side wall of the body is formed with an opening through which the substrate enters and exits,
The sidewall of the liner is formed with a passage through which the substrate enters,
And the liner rotating portion rotates the liner between a first position where the passage is in line with the opening and a second position where the passage is located on a straight line different from the opening.