KR20130015080A - 다중 개구면 거리 화상 센서용 광 검출기와 이를 위한 후면 조사형 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

다중 개구면 거리 화상 센서용 광 검출기와 이를 위한 후면 조사형 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 다중 개구면 거리 화상 센서용 광 검출기와 이를 위한 후면 조사형 CMOS 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 광 검출기는 CMOS 이미지 센서를 사용함으로써 CCD를 사용하는 경우보다 생산단가와 소비 전력이 낮고 주변회로 칩과 통합하기 쉽고, 증폭 및 신호처리와 같은 주변 시스템과 통합이 용이하여 생산비용을 낮출 수 있으며, 이에 사용되는 후면 조사형 CMOS 이미지 센서는 이온주입 영역을 형성하여 서브 어레이 내의 수광 소자 간을 분리함으로써, 식각 공정을 수행하지 않기 때문에 필드절연 영역 좌우에 곧바로 수광 소자을 형성할 수 있으며, 이로써 픽셀 내 유효면적이 증대됨과 아울러 픽셀 크기가 감소되는 이점이 있다.

Description

다중 개구면 거리 화상 센서용 광 검출기와 이를 위한 후면 조사형 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법{PHOTODETECTOR FOR MULTI-APERTURE DISTANCE IMAGE SENSOR, BACKSIDE ILLUMINATED CMOS IMAGE SENSOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 다중 개구면(multi-aperture) 거리 화상 센서용 광 검출기에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 후면 조사형 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서를 사용하는 다중 개구면 거리 화상 센서용 광 검출기와 이를 위한 후면 조사형 CMOS 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
3차원 거리 화상 센서를 구현하는 기술로는 TOF(Time Of Fight) 방식, 2안 방식, 다중 개구면(multi-aperture) 방식 등이 있다.
TOF 방식을 이용한 거리 화상 센서는 출력센서에서 나오는 신호(LED, 레이저, 초음파, 전파 등)가 물체에 의해 반사되어 오는 입력 신호를 이미지 센서가 수신하여 3차원 영상을 구현하게 된다. 거리 정보를 추출하기 위해 송신 신호와 수신 신호의 위상차를 이용하는데, 노이즈가 많아 변조 및 복조 기술을 사용하며, 이를 제어하기 위한 회로가 별도로 구성되어야 한다. 이러한 TOF 방식을 이용한 3차원 거리 화상 센서는 출력 신호와 입력 신호에 노이즈가 추가될 위험성이 커서 정확한 거리 정보를 추출하기 어려울 뿐만 아니라 출력 센서와 시스템을 제어하기 위한 회로가 별도로 필요하기 때문에 가격이 비싸고, 단일 칩으로 구현하기 어려운 단점을 가지고 있다.
2안 방식을 이용한 3차원 거리 화상 센서는 하나의 카메라에 2개의 렌즈와 2개의 이미지 센서를 채용하여 양안(兩眼)시차를 만들어서 입체 영상을 만드는 기술이며, 2개의 이미지 센서를 이용함에 따라서 비용이 2배 이상 증가하는 문제점을 가지고 있다.
다중 개구면 거리 화상 센서는 1개의 마이크로 렌즈에 다수의 픽셀이 어레이(array)되어 있으며, 어레이 픽셀 각각에 이미지 신호가 입력됨으로써 물체의 이미지 정보가 중복되는 부분이 발생되며, 이를 이용하여 물체와의 거리 정보를 추출하게 된다.
종래 기술에 따라 다중 개구면 거리 화상 센서를 구현할 때에는 CCD(Charge Coupled Device) 픽셀 어레이를 사용하고 있다.
CMOS 이미지 센서는 도 1의 (a)와 같이 신호 출력을 위해서는 픽셀 영역에 최소 2개 이상의 배선층이 필요하며, 이때 사용된 배선에 의해 입력 신호가 차단되거나 반사 또는 굴절되어 감도가 감소되는 문제점이 발생하기 때문에 다중 개구면 이미지 센서의 어레이 픽셀로 사용되지 않고 있다.
도 1의 (b)에 나타낸 바와 같이 CCD 이미지 센서를 사용할 경우에는 입력 신호의 차단, 반사 또는 굴절이 발생하지 않는 것을 알 수 있다.
하지만, 이러한 종래 기술에 따른 다중 개구면 거리 화상 센서는 CCD 픽셀이 가지는 특성을 그대로 가질 수 밖에 없다. 즉 구동방식이 복잡하고 전력소모가 많으며, 처리속도가 느릴 뿐만 아니라 마스크 공정 스텝 수가 많기 때문에 신호 처리 회로를 CCD 칩 내에 구현할 수 없고, 제조 비용이 증가하며, 모바일 용으로 사용하기 어려운 단점이 있다.
Keith Fife, Abbas El Gamal, and H.-S. Philip Wong, A Multi-Aperture Image Sensor with 0.7um Pixels in 0.11um CMOS Technology, JSSC 2008.
본 발명은 전술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 제안한 것으로서, 후면 조사형 CMOS 이미지 센서를 사용한 다중 개구면 거리 화상 센서용 광 검출기를 제공한다.
아울러, 본 발명은 액티브 필 팩터(Active Fill Factor)가 향상되어 다중 개구면 거리 화상 센서용 광 검출기 등에 사용하기에 적합한 후면 조사형 CMOS 이미지 센서를 제공한다.
또, 본 발명은 다중 개구면 거리 화상 센서용 광 검출기 등에 사용하기에 적합한 후면 조사형 CMOS 이미지 센서의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 제 1 관점으로서 다중 개구면 거리 화상 센서용 광 검출기는, 공간을 통하여 렌즈 입사면에 도달하는 빛을 집속하는 대물렌즈와, 상기 대물렌즈에 의해 상기 빛이 초점면에 집속되도록 상기 대물렌즈를 지지하는 하우징과, 상기 하우징의 내부에 배치되며, 하나의 렌즈와 다수의 수광 소자를 포함하는 서브 어레이들이 배열되어 픽셀 어레이를 구성하고, 상기 초점면을 지나서 분광된 상기 빛이 상기 렌즈를 통과하면 상기 수광 소자에서 검출하는 후면 조사형 씨모스 이미지 센서를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 후면 조사형 씨모스 이미지 센서는, 상기 서브 어레이 간의 영역을 분리하는 필드절연 영역과, 상기 서브 어레이 내의 픽셀 및 소자간 영역을 분리하는 이온주입 영역을 포함할 수 있다.
본 발명의 제 2 관점으로서 후면 조사형 씨모스 이미지 센서는, 기판의 내부에 형성되어, 복수의 상기 수광 소자가 배열된 서브 어레이를 형성하고, 복수의 상기 서브 어레이가 배열된 픽셀 어레이를 형성하는 수광 소자와, 상기 픽셀 어레이 내의 상기 서브 어레이 간의 영역을 분리하는 필드절연 영역과, 상기 서브 어레이 내의 상기 수광 소자 간의 영역을 분리하는 이온주입 영역과, 상기 수광 소자와 상기 이온주입 영역 및 상기 필드절연 영역을 포함하는 상기 기판의 전면에 형성된 배선부와, 상기 수광 소자와 상기 이온주입 영역 및 상기 필드절연 영역을 포함하는 상기 반도체 기판의 후면에 상기 픽셀 어레이에 대응하게 형성된 렌즈부를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 후면 조사형 씨모스 이미지 센서는, 상기 수광 소자가 N- 도전형일 경우에 상기 이온주입 영역은 P+ 이온이 주입되어 형성될 수 있다.
본 발명의 제 3 관점으로서 후면 조사형 씨모스 이미지 센서의 제조 방법은, 기판의 내부에 형성할 복수의 수광 소자가 형성하는 서브 어레이가 배열되어 형성될 픽셀 어레이 내에서 상기 서브 어레이 간의 영역을 분리하는 필드절연 영역을 형성하는 단계와, 상기 서브 어레이 내에서 상기 수광 소자 간을 분리하는 이온주입 영역을 형성하는 단계와, 상기 기판의 내부에 상기 수광 소자를 형성하여, 상기 서브 어레이 및 상기 픽셀 어레이가 형성되도록 하는 단계와, 상기 수광 소자와 상기 이온주입 영역 및 상기 필드절연 영역을 포함하는 상기 기판의 전면에 배선부를 형성하는 단계와, 상기 배선부가 형성된 상기 기판의 후면에 상기 픽셀 어레이에 대응하게 렌즈부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 이온주입 영역을 형성하는 단계는, 상기 수광 소자가 N- 도전형일 경우에 P+ 이온이 주입하여 상기 이온주입 영역을 형성할 수 있다.
상기 이온주입 영역을 형성하는 단계는, 2불화보론(BF2) 또는 보론(B) 중에서 적어도 하나 이상의 이온을 주입하여 상기 이온주입 영역을 형성할 수 있다.
상기 이온주입 영역을 형성하는 단계는, 상기 2불화보론을 80~90 KeV의 에너지를 사용하여 0.9 ~ 1.1 X 1013 ion/cm2의 도즈량으로 주입한 후에 상기 보론을 90~110 KeV의 에너지를 사용하여 1.1 ~ 1.3 X 1013 ion/cm2의 도즈량으로 주입하여 상기 이온주입 영역을 형성할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 의하면, 후면 조사형 CMOS 이미지 센서를 사용한 다중 개구면 거리 화상 센서용 광 검출기를 제공함으로써, CMOS 이미지 센서가 가지는 특성을 그대로 가질 수 있도록 한다. 즉 CCD에 비하여 생산단가와 소비 전력이 낮고 주변회로 칩과 통합하기 쉽고, 증폭 및 신호처리와 같은 주변 시스템과 통합이 용이하여 생산비용을 낮출 수 있는 장점을 가지도록 한다.
또한, 이온주입 영역을 형성하여 서브 어레이 내의 수광 소자 간을 분리함으로써, 식각 공정을 수행하지 않기 때문에 필드절연 영역 좌우에 곧바로 수광 소자을 형성할 수 있으며, 이로써 픽셀 내 유효면적이 증대됨과 아울러 픽셀 크기가 감소되는 효과가 있다.
도 1은 다중 개구면 거리 화상 센서용 광 검출기의 예로서, (a)는 CMOS 이미지 센서를 사용한 경우이고, (b)는 CCD 이미지 센서를 사용한 경우이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따라 후면 조사형 CMOS 이미지 센서를 사용한 다중 개구면 거리 화상 센서의 사시도와 다중 개구면 거리 화상 센서에 사용된 광 검출기의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따라 다중 개구면 거리 화상 센서용 광 검출기에 사용할 수 있는 후면 조사형 CMOS 이미지 센서의 단면도이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시 예에 따른 후면 조사형 CMOS 이미지 센서의 제조 과정을 설명하기 위한 단면도들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시 예들을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명의 실시 예에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따라 후면 조사형 CMOS 이미지 센서를 사용한 다중 개구면 거리 화상 센서의 사시도와 다중 개구면 거리 화상 센서에 사용된 광 검출기의 단면도이다.
이에 나타낸 바와 같이 다중 개구면 거리 화상 센서(100)는 복수의 광 검출기(200)가 매트릭스 형태로 배열되어 형성된다.
광 검출기(200)는 공간을 통하여 렌즈 입사면에 도달하는 빛(1)을 집속하는 대물렌즈(210)와, 대물렌즈(210)에 의해 빛이 초점면(3)에 집속되도록 대물렌즈(210)를 지지하는 하우징(220)과, 하우징(220)의 내부에 배치된 후면 조사형 CMOS 이미지 센서(300)를 포함한다.
후면 조사형 CMOS 이미지 센서(15)는 하나의 마이크로 렌즈와 다수의 수광 소자를 포함하는 서브 어레이들이 배열되어 픽셀 어레이를 구성하고, 초점면을 지나서 분광된 빛이 마이크로 렌즈를 통과하면 수광 소자에서 검출한다. 이러한 후면 조사형 CMOS 이미지 센서(15)는 서브 어레이 간의 영역을 분리하는 필드절연 영역과, 서브 어레이 내의 픽셀 및 소자간 영역을 분리하는 이온주입 영역을 포함한다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따라 다중 개구면 거리 화상 센서용 광 검출기에 사용할 수 있는 후면 조사형 CMOS 이미지 센서의 단면도이다.
이에 나타낸 바와 같이 후면 조사형 CMOS 이미지 센서(300)는, 기판(310), 기판(310)의 일면 상에 배치되는 배선부(320), 그리고 기판(310)의 타면 상에 배치되는 렌즈부(330)를 포함한다. 기판(310)의 일면을 전면이라 할 수 있고, 기판의 타면을 후면이라 할 수 있다.
기판(310)은 반도체 기판을 포함할 수 있다. 예컨대, 기판(310)은 실리콘 웨이퍼(311)를 포함할 수 있다. 실리콘 웨이퍼(311)에는 수광 소자(312) 및 수광 소자(312)에 전기적으로 연결된 적어도 하나 이상의 트랜지스터(도시 생략됨)가 배치된다. 수광 소자(312)는 입사광에 대응하는 전하를 생성 및 축적할 수 있다. 수광 소자(312)는 포토 다이오드(photo diode), 포토 트랜지스터(photo transistor), 포토 게이트(photo gate) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
복수의 수광 소자(312)가 배열되어 서브 어레이(313, 314, 315)를 형성하며, 복수의 서브 어레이(313, 314, 315)가 배열되어 픽셀 어레이(316)를 형성한다.
서브 어레이(313, 314, 315) 내의 수광 소자(312) 사이는 이온주입 영역(317)에 의해 전기적으로 분리될 수 있으며, 픽셀 어레이(316) 내의 서브 어레이(313, 314, 315) 사이는 필드절연 영역(318)에 의해 전기적으로 분리될 수 있다.
배선부(320)는 절연층(321) 및 배선패턴(322)을 포함할 수 있다. 절연층(321)은 기판(310)과 상이한 물질로 이루어진 막을 포함할 수 있다. 예컨대, 절연층(321)은 실리콘산화막, 실리콘질화막 및 실리콘산화질화막 중 어느 하나일 수 있다. 배선패턴(322)은 절연층(321)의 내부에 배치될 수 있다. 배선패턴(322)은 수광 소자(312) 및 트랜지스터에 전기적으로 연결된 전기 배선들을 포함할 수 있다.
렌즈부(330)는 마이크로 렌즈(331)로 구성되거나 마이크로 렌즈(331) 및 컬러 필터(332)로 구성될 수 있다. 마이크로 렌즈(331) 및 컬러 필터(332)는 기판(310)의 화소 영역 상에서 수광 소자(312)와 대향되도록 배치되며, 수광 소자(312)에 입사되도록 빛을 투과시킬 수 있다. 컬러 필터(332)는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터 및 청색 컬러 필터 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 마이크로 렌즈(331)는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터 및 청색 컬러 필터 각각에 하나씩 대응되도록 배치될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 후면 조사형 CMOS 이미지 센서의 제조 과정을 상세히 설명한다. 도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시 예에 따른 후면 조사형 CMOS 이미지 센서의 제조 과정을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4a를 참조하면, 기판(310)을 준비한다. 일 예로서, 일면을 전면이라 할 수 있으면서 타면을 후면이라 할 수 있는 실리콘 웨이퍼(311)를 준비할 수 있다.
기판(310)의 전체 영역 중에서 추후에 수광 소자(312)들에 의해 형성될 서브 어레이(313, 314, 315) 간을 전기적으로 분리할 위치에 STI 공정 또는 LOCOS 공정을 이용하여 필드절연 영역(318)을 형성한다. 여기서, 필드절연 영역(318)은 식각 공정을 통해 트렌치를 형성한 후에 이를 절연물질로 매입하여 형성할 수 있다. 예컨대, HDP(High Density Plasma) 산화막으로 트렌치를 매립하여 형성할 수 있다.
그리고, 추후에 형성될 서브 어레이(313, 314, 315) 내에서 수광 소자(312) 간을 전기적으로 분리할 위치에 이온주입 영역(317)을 형성한다. 여기서, 이온주입 영역(317)은 추후에 수광 소자(312)를 N- 도전형으로 형성하고자 할 때에 P+ 이온을 주입하여 형성할 수 있으며, 예컨대, 2불화보론(BF2)와 보론(B) 중에서 어느 하나의 이온을 주입하거나 두 이온을 모두 주입하여 형성할 수 있다. 2불화보론(BF2)와 보론(B)을 모두 주입할 때에는 먼저 2불화보론을 80~90 KeV의 에너지를 사용하여 0.9 ~ 1.1 X 1013 ion/cm2의 도즈량으로 주입한 후에 보론을 90~110 KeV의 에너지를 사용하여 1.1 ~ 1.3 X 1013 ion/cm2의 도즈량으로 주입하여 형성할 수 있다.
이로써, 이온주입 영역(317)과 필드절연 영역(318)에 의한 기판(310)의 비활성 영역이 정의되고, 추후에 수광 소자(312)를 형성하기 위한 활성 영역이 정의된다.
한편, 기판(310)의 비활성 영역을 정의할 때에 이온주입 영역(317)을 별도로 형성하지 않고, 필드절연 영역(318)을 형성할 때에 이온주입 영역(317)에 해당하는 위치까지 필드절연 영역(318)을 형성할 수도 있다. 그런데, 필드절연 영역(318)을 형성할 때에 트렌치의 형성을 위해 식각 공정을 이용하면 실리콘 웨이퍼(311)에 결함(defect)이 발생하거나 무리한 스트레스(stress)를 유발할 수가 있다. 이에 필드절연 영역(318) 좌우에 일정 거리를 두고 수광 소자(312)를 형성하게 되는데, 이로써 픽셀 내 유효면적(active fill factor)이 줄어들어 감광도 효율이 감소될 수 있다. 하지만, 이온주입 영역(317)을 형성하여 서브 어레이 내의 수광 소자(312) 간을 분리하면 식각 공정을 수행하지 않기 때문에 필드절연 영역(318) 좌우에 곧바로 수광 소자(312)을 형성할 수 있으며, 이로써 픽셀 내 유효면적이 증대됨과 아울러 픽셀 크기가 감소된다. 고해상도 및 고정밀 3차원 이미지를 구현하기 위해서는 다중 개구면 내의 서브 어레이의 수를 늘려야 하며, 이를 위해서는 픽셀 크기는 감소하여야 하고, 감도 특성은 유지되어야 하는데, 본 발명의 실시 예는 이러한 조건을 만족시킬 수 있다.
다음으로, 기판(310)의 활성 영역에 수광 소자(312)를 형성한다. 이로써, 복수의 수광 소자(312)가 배열되어 서브 어레이(313, 314, 315)를 형성하고, 복수의 서브 어레이(313, 314, 315)가 배열되어 픽셀 어레이(316)를 형성한다. 예컨대, 기판(310)이 P+ 도전형일 때에 N+ 이온을 주입하여 수광 소자(312)를 형성할 수 있다.
도 4b를 참조하면, 기판(310)의 전면 상에 배선부(320)를 형성한다. 배선부(320)를 형성하는 것은 기판(310)의 전면 상에 절연층(321)을 형성하는 것과 절연층(321)에 배선패턴(322)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 예컨대, 절연층(321)은 복수의 절연막들을 적층하여 형성할 수 있다.
도 4c를 참조하면, 기판(310)의 후면 상에 컬러 필터(332) 및 마이크로 렌즈(331)를 차례로 형성한다. 이때, 컬러 필터(332) 및 마이크로 렌즈(331)를 형성하는 것은 기판(310) 상에 노광 공정을 수행하는 것을 포함할 수 있다.
이에 따라, 기판(310)의 전면 상에 배선부(120)가 배치되고, 기판(310)의 후면 상에 렌즈부(330)가 배치되는 후면 조사형 CMOS 이미지 센서(300)가 형성될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 다중 개구면 거리 화상 센서 200 : 광 검출기
300 : 후면 조사형 CMOS 이미지 센서 310 : 기판
320 : 배선부 330 : 렌즈부

Claims (8)

  1. 공간을 통하여 렌즈 입사면에 도달하는 빛을 집속하는 대물렌즈와,
    상기 대물렌즈에 의해 상기 빛이 초점면에 집속되도록 상기 대물렌즈를 지지하는 하우징과,
    상기 하우징의 내부에 배치되며, 하나의 렌즈와 다수의 수광 소자를 포함하는 서브 어레이들이 배열되어 픽셀 어레이를 구성하고, 상기 초점면을 지나서 분광된 상기 빛이 상기 렌즈를 통과하면 상기 수광 소자에서 검출하는 후면 조사형 씨모스 이미지 센서를 포함하는
    다중 개구면 거리 화상 센서용 광 검출기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 후면 조사형 씨모스 이미지 센서는, 상기 서브 어레이 간의 영역을 분리하는 필드절연 영역과,
    상기 서브 어레이 내의 픽셀 및 소자간 영역을 분리하는 이온주입 영역을 포함하는
    다중 개구면 거리 화상 센서용 광 검출기.
  3. 기판의 내부에 형성되어, 복수의 상기 수광 소자가 배열된 서브 어레이를 형성하고, 복수의 상기 서브 어레이가 배열된 픽셀 어레이를 형성하는 수광 소자와,
    상기 픽셀 어레이 내의 상기 서브 어레이 간의 영역을 분리하는 필드절연 영역과,
    상기 서브 어레이 내의 상기 수광 소자 간의 영역을 분리하는 이온주입 영역과,
    상기 수광 소자와 상기 이온주입 영역 및 상기 필드절연 영역을 포함하는 상기 기판의 전면에 형성된 배선부와,
    상기 수광 소자와 상기 이온주입 영역 및 상기 필드절연 영역을 포함하는 상기 반도체 기판의 후면에 상기 픽셀 어레이에 대응하게 형성된 렌즈부를 포함하는
    후면 조사형 씨모스 이미지 센서.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 후면 조사형 씨모스 이미지 센서는, 상기 수광 소자가 N- 도전형일 경우에 상기 이온주입 영역은 P+ 이온이 주입되어 형성된
    후면 조사형 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
  5. 기판의 내부에 형성할 복수의 수광 소자가 형성하는 서브 어레이가 배열되어 형성될 픽셀 어레이 내에서 상기 서브 어레이 간의 영역을 분리하는 필드절연 영역을 형성하는 단계와,
    상기 서브 어레이 내에서 상기 수광 소자 간을 분리하는 이온주입 영역을 형성하는 단계와,
    상기 기판의 내부에 상기 수광 소자를 형성하여, 상기 서브 어레이 및 상기 픽셀 어레이가 형성되도록 하는 단계와,
    상기 수광 소자와 상기 이온주입 영역 및 상기 필드절연 영역을 포함하는 상기 기판의 전면에 배선부를 형성하는 단계와,
    상기 배선부가 형성된 상기 기판의 후면에 상기 픽셀 어레이에 대응하게 렌즈부를 형성하는 단계를 포함하는
    후면 조사형 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 이온주입 영역을 형성하는 단계는, 상기 수광 소자가 N- 도전형일 경우에 P+ 이온이 주입하여 상기 이온주입 영역을 형성하는
    후면 조사형 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 이온주입 영역을 형성하는 단계는, 2불화보론(BF2) 또는 보론(B) 중에서 적어도 하나 이상의 이온을 주입하여 상기 이온주입 영역을 형성하는
    후면 조사형 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 이온주입 영역을 형성하는 단계는, 상기 2불화보론을 80~90 KeV의 에너지를 사용하여 0.9 ~ 1.1 X 1013 ion/cm2의 도즈량으로 주입한 후에 상기 보론을 90~110 KeV의 에너지를 사용하여 1.1 ~ 1.3 X 1013 ion/cm2의 도즈량으로 주입하여 상기 이온주입 영역을 형성하는
    후면 조사형 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
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