KR20130013869A - 발광소자 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 82
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 39
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 23
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018229 Al—Ga Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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Abstract
실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 활성층; 상기 활성층 상에 전자차단층; 및 상기 전자차단층 상에 제2 도전형 반도체층;을 포함하고, 상기 전자차단층은 p형으로 도핑된 p-AlxGa1 -xN(0＜x≤1)를 포함하고, 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층은 벌크층(bulk layer)이며, 상기 전자차단층의 Al의 조성이 다른 다수의 영역을 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 활성층; 상기 활성층 상에 전자차단층; 및 상기 전자차단층 상에 제2 도전형 반도체층;을 포함하고, 상기 전자차단층은 p형으로 도핑된 p-AlxGa1 -xN(0＜x≤1)를 포함하고, 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층은 벌크층(bulk layer)이며, 상기 전자차단층의 Al의 조성이 다른 다수의 영역을 포함할 수 있다.
Description
실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지를 빛에너지로 변환시키는 소자로서, 예를 들어, 발광소자는 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.
질화물반도체 박막기반의 발광소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 갖고 있다. 따라서, LCD(Liquid Crystal Display) 표시장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광소자 백라이트, 형광등이나 백열전구를 대체할 수 있는 백색 발광소자 조명장치 및 자동차 헤드라이트 및 신호 등에까지 응용이 확대되고 있다.
질화물반도체 발광소자 응용범위의 확대는 근본적으로 발광소자의 고출력, 고효율화 기술개발을 요구한다.
한편, 종래기술에 의하면 다중양자우물구조 활성층을 구비하는 질화물반도체 발광소자에서는, 활성층 내의 양자우물층들이 주입된 캐리어들을 균일하게 분산하여 수용하지 못하고, 정공주입층에 인접한 소수의 양자우물층만이 주로 발광에 기여하는 문제점이 있다. 따라서, 주입전류량이 충분히 많을 경우, 활성층 내에 효과적으로 속박되지 않는 잉여의 전자가 발생하게 된다.
이러한 잉여의 전자들은 빛을 발생시키는 데 참여하지 않고 활성층내에서 자체 소멸되거나 혹은 활성층 외부로 누설된다.
활성층 외부로의 누설은 주로 주입 캐리어의 양자벽 오버플로우(quantum barrier overflow of injected carrier)형태로 발생한다.
또한, 종래의 질화물반도체 발광소자에서 활성층에 주입되는 전자가 핫 캐리어 성질(hot carrier property)을 갖고 있기 때문에 캐리어 오버플로우(carrier overflow) 문제점을 갖는다.
결국, 주입되는 전류가 증가하게 되면 전자와 정공의 비발광 손실이 증가하게 되어 활성층의 발광효율, 예를 들어 내부양자효율(internal quantum efficiency)이 감소하게 된다.
이에 종래기술에 의하면 P-GaN층과 활성층 사이에 전자차단층(Eglectron blocking layer)을 형성한다. 상기 전자차단층은 활성층의 양자벽보다 에너지 밴드갭이 충분히 커서 N-GaN 층에서 공급된 전자가 활성층을 지나서 발광에 참여하지 않고 P-GaN층로 넘어가는 것을 차단한다.
한편, 종래기술에 의하면 캐리어 오버플로우(carrier overflow)를 방지하기 위한 전자차단층으로 p-AlGaN층을 채용하고 있다.
그런데, 종래기술에 의하면 활성층의 방향을 기준으로 초기부터 Al의 조성비가 높아 격자 상수 불일치에 의한 활성층과 전자차단층 사이의 스트레인(strain)이 발생하여 전자차단기능을 제대로 수행하지 못하며, 정공의 주입효율(hole injection efficiency)이 감소하는 문제가 발생하여 고출력 발광소자를 제공하지 못하고 있다.
실시예는 고출력 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 전자차단기능이 우수하며 정공주입 효율이 증대되는 전자차단층을 포함하는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 활성층; 상기 활성층 상에 전자차단층; 및 상기 전자차단층 상에 제2 도전형 반도체층;을 포함하고, 상기 전자차단층은 p형으로 도핑된 p-AlxGa1 -xN(0＜x≤1)를 포함하고, 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층은 벌크층(bulk layer)이며, 상기 전자차단층의 Al의 조성이 다른 다수의 영역을 포함할 수 있다.
실시예 고출력 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.
또한, 실시예는 전자차단기능이 우수하며 정공주입 효율이 증대되는 전자차단층을 포함하는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자의 에너지 밴드 다이어그램 예시도.
도 2는 실시예에 따른 발광소자의 부분 확대도.
도 3은 실시예에 따른 발광소자의 전자차단층에 대한 TEM 사진.
도 5는 실시예에 따른 발광소자의 단면도.
도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 7은 실시예에 따른 조명 유닛의 사시도.
도 8은 실시예에 따른 백라이트 유닛의 사시도.
도 2는 실시예에 따른 발광소자의 부분 확대도.
도 3은 실시예에 따른 발광소자의 전자차단층에 대한 TEM 사진.
도 5는 실시예에 따른 발광소자의 단면도.
도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 7은 실시예에 따른 조명 유닛의 사시도.
도 8은 실시예에 따른 백라이트 유닛의 사시도.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
(실시예)
도 1은 실시예에 따른 발광소자의 에너지 밴드 다이어그램 예시도이며, 도 2는 실시예에 따른 발광소자의 부분 확대도이고, 도 3은 실시예에 따른 발광소자의 전자차단층에 대한 TEM 사진이다.
실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층(112)과, 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 배치된 활성층(114)과 , 상기 활성층 상에 배치된 전자차단층(130) 및 상기 전자차단층(130) 상에 배치된 제2 도전형 반도체층(116)을 포함한다.
실시예에서 상기 전자차단층(130)은 p형으로 도핑된 p-AlxGa1 -xN(0＜x≤1)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 전자차단층(130)은 Mg이 약 1018~1020/cm3 농도 범위로 이온주입되어 오버플로우되는 전자를 효율적으로 차단하고, 홀의 주입효율을 증대시킬 수 있다.
또한, 실시예에서 상기 p-AlxGa1- xN 전자차단층(130)의 Al의 조성이 변할 수 있다. 예를 들어, 실시예에서 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)은 상기 Al의 조성이 상기 활성층(114)에서 상기 제2 도전형 반도체층(116) 방향으로 증가하다가 감소할 수 있다.
또한, 실시예에서 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)은 상기 Al의 조성이 상기 활성층(114)에서 상기 제2 도전형 반도체층(116) 방향으로 점진적으로 증가하다가 점진적으로 감소할 수 있다.
실시예에 의하면, 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)의 초기 Al 조성비를 낮게 하여 활성층과의 격자상수 차이를 최소화하여 스트레인(strain)을 완화시키고 홀 주입효율(hole injention efficiency)을 증대시킬 수 있다.
또한, 실시예에서 제2 도전형 반도체층(116)과 인접한 마지막 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)에서 Al 조성비를 낮춤으로써 에너지 밴드 준위를 낮게 하여 홀 주입효율(hole injention efficiency)을 증대시킬 수 있다.
또한, 실시예에서 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)은 특정 두께를 가지고, Al 조성비를 점차 변화시켜 전자차단 및 홀 주입 효율을 증대시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)은 약 300Å~약 600Å의 두께로 형성됨으로써 전자차단 및 홀 주입 효율을 증대시킬 수 있다.
또한, 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)은 도 3과 같이 벌크층(bulk layer)일 수 있으며, 벌크층 내에 Al의 조성이 변하는 복수의 영역이 존재할 수 있다.
예를 들어, 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)은 Al 조성비가 약 5% 내지 약 30% 사이에서 변화되는 스테어(stair)는 약 4 내지 약 5개를 가질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)은 Al의 조성이 변하는 제1 영역(130a), 제2 영역(130b), 제3 영역(130c) 및 제4 영역(130d)을 포함할 수 있으며, 상기 제1 영역(130a) 내지 제4 영역(130d)은 상기 활성층(114)에서 제2 도전형 반도체층(116) 방향으로 순차적으로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 영역(130a)은 Al의 조성이 약 9~11%이고, 상기 제2 영역(130b)은 Al의 조성이 약 16~20%이고, 상기 제3 영역(130c)은 Al의 조성이 약 27~33%이고, 상기 제4 영역(130d)은 Al의 조성이 약 16~20%일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 영역(130a)의 두께는 약 120 nm이고, 상기 제2 영역(130b)의 두께는 약 150nm이고, 상기 제3 영역(130c)의 두께는 약 60nm이고, 상기 제4 영역(130d)의 두께는 약 120nm일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에 의하면, 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)의 제1 영역(130a)의 Al 조성비를 낮게 하여 활성층(114)과의 격자상수 차이를 최소화하여 스트레인(strain)을 완화시키고 홀 주입효율(hole injention efficiency)을 증대시킬 수 있다.
또한, 실시예에서 제2 도전형 반도체층(116)과 인접한 제4 영역(130d)의 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)에서 Al 조성비를 낮춤으로써 에너지 밴드 준위를 낮게 하여 홀 주입효율(hole injention efficiency)을 증대시킬 수 있다.
실시예에서 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)은 도 3과 같이 벌크층(bulk layer)일 수 있다.
실시예에서 Al 조성비가 높을수록 명암비 진하게 나올 수 있으며, TEM에서 보듯이 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)에서 Al 조성이 그레이딩(grading)이 되는 것이 명확하게 나타난다.
실시예에 의하면 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)이 벌크층(bulk layer)으로 됨으로써 초격자 구조의 전자차단층에 비해 공정시간 단축되며, 생산성이 향상될 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)은 Al 조성비가 변하면서 각층의 에너지 밴드 갭(Energy band gap)이 변함으로써 피에조 필드(piezofield)를 활용하여 전자차단 효율을 높일 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 벌크층의 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)에서 Al 조성비를 변화시킴으로써 스트레인(strain)을 완화시키고 홀 주입효율(hole injention efficiency)을 증대시킬 수 있다.
또한, 실시예는 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)에 In이 도핑됨으로써 활성층 이후 성장되는 p-AlxGa1 - xN 전자차단층에서 핏(pit)을 머지(Merge)할 수 있고, In을 첨가함에 따라 홀 농도 효율(hole concentration efficiency)를 증대시킬 수 있다.
실시예는 도 2와 같이, 상기 활성층(114)과 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130) 사이에 도핑되지 않은 AlyGa1 -yN(0＜y≤1)(135)를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 실시예는 활성층(114)과 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130) 사이에 약 60Å 이하의 도핑되지 않은 AlyGa1 -yN(0＜y≤1)을 형성함으로써 스트레인을 완화(Strain relaxation)시키고, 홀 주입효율(hole injection efficiency)을 증대 시킬 수 있다.
또한, 실시예는 제2 도전형 반도체층(116)에서 Mg 도핑(doping) 농도가 증가되는 p-범프(Bump)구조를 채용하여 이후 형성되는 전극층과의 컨택저항을 낮출 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 제1 농도의 제2 도전형 반도체층(116a)과 상기 제1 농도 보다 높은 제2 농도의 제2 도전형 반도체층(116b)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예 고출력 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.
또한, 실시예는 전자차단기능이 우수하며 정공주입 효율이 증대되는 전자차단층을 포함하는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.
이하, 도 4는 실시예에 따른 발광소자(100)에 대해 개략적으로 구조를 설명한다.
실시예는 수직형 발광소자를 중심으로 설명하고 있으나 이는 예시에 불과한 것으로서, 수평형 발광소자, 플립칩형 발광소자, 비아홀을 포함하는 하이브리드형 발광소자 등에도 적용될 수 있다.
실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114), 제2 도전형 반도체층(116)을 포함하는 발광구조물(110)과, 상기 발광구조물(110) 상면 일부에 배치된 패시베이션층(140), 발광구조물(110) 상에 배치된 제1 전극(150)을 포함할 수 있다.
실시예는 상기 활성층(114)과 상기 제2 도전형 반도체층(116) 사이에 전자차단층(130)을 포함할 수 있다.
실시예에서 상기 전자차단층(130)은 p형으로 도핑된 p-AlxGa1 -xN(0＜x≤1)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 전자차단층(130)은 Mg이 약 1018~1020/cm3 농도 범위로 이온주입되어 오버플로우되는 전자를 효율적으로 차단하고, 홀의 주입효율을 증대시킬 수 있다.
또한, 실시예에서 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)의 Al의 조성이 점진적으로 변할 수 있다. 예를 들어, 실시예에서 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)은 상기 Al의 조성이 상기 활성층(114)에서 상기 제2 도전형 반도체층(116) 방향으로 점진적으로 증가하다가 점진적으로 감소할 수 있다.
실시예에 의하면, 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)의 초기 Al 조성비를 낮게 하여 활성층과의 격자상수 차이를 최소화하여 스트레인(strain)을 완화시키고 홀 주입효율(hole injention efficiency)을 증대시킬 수 있다.
또한, 실시예에서 제2 도전형 반도체층(116)과 인접한 마지막 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)에서 Al 조성비를 낮춤으로써 에너지 밴드 준위를 낮게 하여 홀 주입효율(hole injention efficiency)을 증대시킬 수 있다.
또한, 실시예에서 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)은 특정 두께를 가지고, Al 조성비를 점차 변화시켜 전자차단 및 홀 주입 효율을 증대시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)은 약 300Å~약 600Å의 두께로 형성됨으로써 전자차단 및 홀 주입 효율을 증대시킬 수 있다.
실시예에서 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)은 도 3과 같이 벌크층(bulk layer)일 수 있다.
실시예에 의하면 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)이 벌크층(bulk layer)으로 됨으로써 초격자 구조의 전자차단층에 비해 공정시간 단축되며, 생산성이 향상될 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)은 Al 조성비가 변하면서 각층의 에너지 밴드 갭(Energy band gap)이 변함으로써 피에조 필드(piezofield)를 활용하여 전자차단 효율을 높일 수 있다.
또한, 실시예는 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130)에 In이 도핑됨으로써 활성층 이후 성장되는 p-AlxGa1 - xN 전자차단층에서 핏(pit)을 머지(Merge)할 수 있고, In을 첨가함에 따라 홀 농도 효율(hole concentration efficiency)를 증대시킬 수 있다.
또한, 실시예는 상기 활성층(114)과 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130) 사이에 도핑되지 않은 AlyGa1 -yN(0＜y≤1)(135)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 실시예는 활성층(114)과 p-AlxGa1 - xN 전자차단층(130) 사이에 약 60Å 이하의 도핑되지 않은 AlyGa1 -yN(0＜y≤1)을 형성함으로써 스트레인을 완화(Strain relaxation)시키고, 홀 주입효율(hole injection efficiency)을 증대 시킬 수 있다.
또한, 실시예는 제2 도전형 반도체층(116)에서 Mg 도핑(doping) 농도가 증가되는 p-범프(Bump)구조를 채용하여 이후 형성되는 전극층과의 컨택저항을 낮출 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 제1 농도의 제2 도전형 반도체층(116a)과 상기 제1 농도 보다 높은 제2 농도의 제2 도전형 반도체층(116b)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서, 상기 제1 도전형 반도체층(112)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(112)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
상기 활성층(114)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 활성층(114)의 우물층(114w)/장벽층(114b)은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 우물층은 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(116)은 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체, 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다.
실시예에서 상기 제1 도전형 반도체층(112)은 N형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 P형 반도체층으로 구현할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 또한 상기 제2 도전형 반도체층(116) 위에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 갖는 반도체 예컨대, 제2 도전형 반도체층(116)이 P형 반도체층인 경우, N형 반도체층(미도시)을 더 형성할 수 있다. 이에 따라 발광구조물(110)은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.
상기 발광구조물(110) 상면에는 요철(R)이 형성되어 광추출 효율을 높일 수 있다.
상기 발광구조물(110) 하측에는 제2 전극층(120)이 형성되며, 상기 제2 전극층(120)은 오믹층(122), 반사층(124), 결합층(125), 지지기판(126) 등을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 오믹층(122)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.
또한, 상기 반사층(124)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사층(124)은 상기 금속 또는 합금과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예를 들어, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다.
또한, 상기 결합층(125)은 Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 전도성 지지기판(126)는 구리(Cu), 구리합금(Cu Alloy), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예를 들어, Si, Ge, GaAs, GaN, ZnO, SiGe, SiC 등) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광구조물(110)의 하측 외곽에는 보호 부재(190)가 형성될 수 있고, 상기 발광구조물(110)과 상기 오믹층(122) 사이에는 전류 차단층(current blocking layer, CBL)(129)이 형성될 수 있다.
상기 보호 부재(190)는 상기 발광구조물(110)과 결합층(125) 사이의 둘레 영역에 형성될 수 있으며, 링 형상, 루프 형상, 사각 프레임 형상 등으로 형성될 수 있다. 상기 보호 부재(190)는 일부분이 상기 발광구조물(110)과 수직 방향에서 중첩될 수 있다.
상기 보호 부재(190)는 상기 결합층(125)과 활성층(114) 사이의 측면에서의 거리를 증가시켜 상기 결합층(125)과 활성층(114) 사이의 전기적 단락의 발생 가능성을 줄일 수 있고, 칩 분리 공정에서 전기적 단락이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
상기 보호 부재(190)는 전기 절연성을 가지는 물질이거나, 반사층(124) 또는 결합층(1125)보다 전기 전도성이 낮은 물질, 또는 제2 도전형의 반도체층(116)과 쇼트키 접촉을 형성하는 물질을 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 보호 부재(190)는 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiOx, TiO2, Ti, Al 또는 Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시예 고출력 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.
또한, 실시예는 전자차단기능이 우수하며 정공주입 효율이 증대되는 전자차단층을 포함하는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.
도 5는 실시예들에 따른 발광소자가 설치된 발광소자 패키지(200)를 설명하는 도면이다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 패키지 몸체부(205)와, 상기 패키지 몸체부(205)에 설치된 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과, 상기 패키지 몸체부(205)에 설치되어 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(240)가 포함된다.
상기 패키지 몸체부(205)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.
상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공하는 역할을 한다. 또한, 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광 소자(100)는 수직형 타입의 발광 소자가 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 수평형 발광소자도 적용될 수 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 패키지 몸체부(205) 상에 설치되거나 상기 제3 전극층(213) 또는 제4 전극층(214) 상에 설치될 수 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 제3 전극층(213) 및/또는 제4 전극층(214)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 실시예에서는 상기 발광 소자(100)가 상기 제3 전극층(213)과 와이어(230)를 통해 전기적으로 연결되고 상기 제4 전극층(214)과 직접 접촉하여 전기적으로 연결된 것이 예시되어 있다.
상기 몰딩부재(240)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(240)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능하거나 조명 유닛으로 기능할 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 백라이트 유닛, 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
도 6은 실시예에 따른 조명 유닛의 사시도(1100)이다. 다만, 도 6의 조명 유닛(1100)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
실시예에서 상기 조명 유닛(1100)은 케이스몸체(1110)와, 상기 케이스몸체(1110)에 설치된 발광모듈부(1130)과, 상기 케이스몸체(1110)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1120)를 포함할 수 있다.
상기 케이스몸체(1110)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.
상기 발광모듈부(1130)은 기판(1132)과, 상기 기판(1132)에 탑재되는 적어도 하나의 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.
상기 기판(1132)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판(1132)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.
상기 기판(1132) 상에는 상기 적어도 하나의 발광소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200) 각각은 적어도 하나의 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드(100)는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
상기 발광모듈부(1130)는 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광소자 패키지(200)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.
상기 연결 단자(1120)는 상기 발광모듈부(1130)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 실시예에서 상기 연결 단자(1120)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1120)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.
도 7은 실시예에 따른 백라이트 유닛의 분해 사시도(1200)이다. 다만, 도 7의 백라이트 유닛(1200)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
실시예에 따른 백라이트 유닛(1200)은 도광판(1210)과, 상기 도광판(1210)에 빛을 제공하는 발광모듈부(1240)와, 상기 도광판(1210) 아래에 반사 부재(1220)와, 상기 도광판(1210), 발광모듈부(1240) 및 반사 부재(1220)를 수납하는 바텀 커버(1230)를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 도광판(1210)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1210)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광모듈부(1240)은 상기 도광판(1210)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 상기 백라이트 유닛이 설치되는 디스플레이 장치의 광원으로써 작용하게 된다.
상기 발광모듈부(1240)은 상기 도광판(1210)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는). 구체적으로는, 상기 발광모듈부(1240)은 기판(1242)과, 상기 기판(1242)에 탑재된 다수의 발광소자 패키지(200)를 포함하는데, 상기 기판(1242)이 상기 도광판(1210)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 기판(1242)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1242)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
그리고, 상기 다수의 발광소자 패키지(200)는 상기 기판(1242) 상에 빛이 방출되는 발광면이 상기 도광판(1210)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있다.
상기 도광판(1210) 아래에는 상기 반사 부재(1220)가 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(1220)는 상기 도광판(1210)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 백라이트 유닛의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1220)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1230)는 상기 도광판(1210), 발광모듈부(1240) 및 반사 부재(1220) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1230)는 상면이 개구된 박스(box) 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1230)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다.
실시예에 의하면 고출력 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (9)
- 제1 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 활성층;
상기 활성층 상에 전자차단층; 및
상기 전자차단층 상에 제2 도전형 반도체층;을 포함하고,
상기 전자차단층은 p형으로 도핑된 p-AlxGa1 -xN(0＜x≤1)를 포함하고,
상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층은 벌크층(bulk layer)이며, 상기 전자차단층의 Al의 조성이 다른 다수의 영역을 포함하는 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층의 Al의 조성이 상기 활성층에서 상기 제2 도전형 반도체층 방향으로 증가하다가 감소하는 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층의 Al의 조성이 상기 활성층에서 상기 제2 도전형 반도체층 방향으로 점진적으로 증가하다가 점진적으로 감소하는 발광소자. - 제2 항 또는 제3 항에 있어서,
상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층은
Al의 조성이 변하는 제1 영역, 제2 영역, 제3 영역 및 제4 영역을 포함하며,
상기 제1 영역 내지 제4 영역은 상기 활성층에서 상기 제2 도전형 반도체층 방향으로 순차적으로 형성되는 발광소자. - 제4 항에 있어서,
상기 제1 영역은 Al의 조성이 9~11%이고, 상기 제2 영역은 Al의 조성이 16~20%이고, 상기 제3 영역은 Al의 조성이 27~33%이고, 상기 제4 영역은 Al의 조성이 16~20%인 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층에 In이 도핑된 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 활성층과 상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층 사이에 도핑되지 않은 AlyGa1 -yN(0＜x≤1)를 더 포함하는 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층은
300Å~600Å의 두께로 형성되는 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 p-AlxGa1 - xN 전자차단층은
Al 조성비가 5% 내지 30% 사이에서 변화되는 발광소자.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110075761A KR20130013869A (ko) | 2011-07-29 | 2011-07-29 | 발광소자 |
| US13/397,907 US8648384B2 (en) | 2011-07-25 | 2012-02-16 | Light emitting device |
| CN201210058023.9A CN102903806B (zh) | 2011-07-25 | 2012-03-07 | 发光器件 |
| EP12158942.8A EP2551923B1 (en) | 2011-07-25 | 2012-03-09 | Light emitting diode |
| JP2012055118A JP6144014B2 (ja) | 2011-07-25 | 2012-03-12 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110075761A KR20130013869A (ko) | 2011-07-29 | 2011-07-29 | 발광소자 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130013869A true KR20130013869A (ko) | 2013-02-06 |
Family
ID=47894267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110075761A KR20130013869A (ko) | 2011-07-25 | 2011-07-29 | 발광소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20130013869A (ko) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10903391B2 (en) | 2013-09-03 | 2021-01-26 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Optoelectronic device with modulation doping |
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