KR20130008918A - Mixed type photovoltaic module - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag].[Sn] Chemical compound [Cu].[Ag].[Sn] PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OLXNZDBHNLWCNK-UHFFFAOYSA-N [Pb].[Sn].[Ag] Chemical compound [Pb].[Sn].[Ag] OLXNZDBHNLWCNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000969 tin-silver-copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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Abstract
Description
본 발명은 혼합형 태양전지 모듈에 관한 것으로, 구체적으로는 p-형 실리콘 태양전지 셀과 n-형 실리콘 태양전지 셀이 혼합 배열된 혼합형 태양전지 모듈에 관한 것이다.
The present invention relates to a hybrid solar cell module, and more particularly, to a hybrid solar cell module in which a p-type silicon solar cell and an n-type silicon solar cell are mixed and arranged.
태양전지는 광전효과를 이용하여 빛 에너지를 전기에너지로 변환하는 반도체 소자이다. 최근 태양 에너지를 활용한 태양전지가 미래의 유력한 대체 에너지원으로 더욱 주목받고 있으며, 또한 태양전지의 저가화로 인해 관련 세계 시장 규모도 급속도로 증가되고 있다.Solar cells are semiconductor devices that convert light energy into electrical energy using the photoelectric effect. Recently, solar cells utilizing solar energy are attracting more attention as a viable alternative energy source of the future, and due to the low price of solar cells, the global market size is rapidly increasing.
이러한 태양전지의 최소 단위를 태양전지 셀이라고 하는데, 필요한 전압이 수 V에서 수십 혹은 수백 V 이상임에 반해, 셀 1개로부터 나오는 전압은 약 0.5V로 매우 작기 때문에 다수의 태양전지 셀들을 필요한 단위 용량으로 직렬 또는 병렬 연결하여 사용하고 있다. 한편, 이러한 셀 간을 연결하는 전극부위를 인터커넥터 리본이라 하고, 다수의 전지셀이 연결되어 적정 기전력을 얻을 수 있는 구조를 태양전지 모듈(photovoltaic module)이라 한다.The minimum unit of such a solar cell is called a solar cell. While the voltage required is from several V to tens or hundreds of V, the voltage from one cell is very small, about 0.5 V, so that many solar cells require a unit capacity. Serial or parallel connection is used. Meanwhile, an electrode portion connecting the cells is called an interconnector ribbon, and a structure in which a plurality of battery cells are connected to obtain an appropriate electromotive force is called a photovoltaic module.
한 가지 타입(p-형 또는 n-형)의 태양전지 셀과 셀 사이를 연결할 시, 인터커넥터 리본은 첫 번째 태양전지의 후면 전극(p-형일 경우 양극 또는 n-형일 경우 음극)과 두 번째 태양전지의 전면전극(p-형일 경우 음극 또는 n-형일 경우 양극)을 연결하고 이 구조가 반복되어 전체 태양전지 모듈의 직렬연결을 구성하게 된다. 이 때, 인터커넥터 리본은 도 1에서 보여지는 바와 같이 상하로 꺽인 상태로 태양전지 셀간을 연결하게 된다.When connecting between one type (p-type or n-type) solar cell and the cell, the interconnector ribbon is the back electrode of the first solar cell (anode if p-type or negative if n-type) and second The front electrode of the solar cell (cathode in case of p-type or anode in case of n-type) is connected and this structure is repeated to form a series connection of the entire solar cell module. At this time, the interconnector ribbon is connected to the solar cells in a state of being bent up and down as shown in FIG.
인터커넥터 리본이 꺽인 상태로 연결될 경우 태양전지 셀과 태양전지 셀 사이의 간격이 한계가 있어 태양전지 셀 간의 간격이 멀어질 경우 태양전지 모듈의 집적도(packing density) 감소로 인해 태양전지의 효율 감소를 야기한다.When the interconnector ribbon is connected in a bent state, the gap between the solar cell and the solar cell is limited, and when the distance between the solar cells becomes far, the efficiency of the solar cell decreases due to the decrease in packing density of the solar cell module. Cause.
대한민국 공개특허공보 2010-0125989호 및 대한민국 공개특허공보 2011-0056653호는 꺽인 상태로 인터커넥터 리본을 태양전지 셀에 부착하는 방법이 공개되어 있다.Korean Unexamined Patent Publication No. 2010-0125989 and Korean Unexamined Patent Publication No. 2011-0056653 disclose a method of attaching an interconnector ribbon to a solar cell in a folded state.
꺽인 상태의 인터커넥터 리본으로 연결된 태양전지 셀 간의 간격을 지나치게 좁힐 경우 태양전지 셀의 측면부와 인터커넥터 리본이 접촉하여 누설(shunt)이 발생한다. 또한, 태양전지 모듈이 옥외에 설치되어 구동될 시, 낮과 밤의 온도 차에 의해 인터커넥터 리본은 꺽인 상태에서 팽창과 수축이 반복되며, 이로 인한 가공경화 현상에 의해 인터커넥터 리본의 취성이 커지면서 재료의 파괴가 일어나게 되어 모듈 회로의 단선이 발생한다. 누설 및 가공경화 현상으로 인한 회로의 단선은 모듈 효율의 감소를 야기한다.
If the gap between the solar cells connected by the interconnector ribbon in the folded state is narrowed too much, the side part of the solar cell and the interconnector ribbon contact each other, and leakage occurs. In addition, when the solar cell module is installed and driven outdoors, the expansion and contraction of the interconnect ribbon is repeated due to the difference in temperature between day and night, and the brittleness of the interconnect ribbon is increased due to the work hardening phenomenon. Destruction of the material occurs, resulting in disconnection of the module circuit. Circuit breakage due to leakage and work hardening causes a reduction in module efficiency.
이에 본 발명자들은 상술한 종래기술 상의 문제점을 해결할 수 있는 태양전지 모듈을 개발하고자 예의 노력한 결과 본 발명을 완성하기에 이르렀다.Accordingly, the present inventors have made intensive efforts to develop a solar cell module that can solve the above-described problems in the prior art, and have completed the present invention.
결국, 본 발명은 태양전지 셀 간을 연결하는 인터커넥터 리본의 누설 및 모듈 회로의 단선을 방지하고, 태양전지 모듈의 집적도를 향상시키기 위한 혼합형 태양전지 모듈을 제공하는 데 그 목적이 있다.
After all, an object of the present invention is to provide a hybrid solar cell module for preventing the leakage of the interconnector ribbon connecting the solar cells and disconnection of the module circuit, and improve the integration of the solar cell module.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는, 복수개의 태양전지 셀, 및 상기 태양전지 셀 간을 연결하는 인터커넥터 리본을 포함하는 태양전지 모듈에 있어서, 상기 복수개의 태양전지 셀은 p-형 실리콘 태양전지와 n-형 실리콘 태양전지가 반복되어 연결된 것을 특징으로 하는 혼합형 태양전지 모듈이 제공된다.In order to achieve the above object, in the present invention, a plurality of solar cells, and a solar cell module comprising an interconnector ribbon connecting the solar cells, wherein the plurality of solar cells is a p-type silicon solar cell The hybrid solar cell module is characterized in that the n-type silicon solar cell is connected repeatedly.
본 발명에 따른 혼합형 태양전지 모듈의 일 실시예에 의하면, 상기 복수개의 태양전지 셀은 p-형 실리콘 태양전지 상에 n-형 실리콘 태양전지가 적층된 태양전지 셀과 n-형 실리콘 태양전지 상에 p-형 실리콘 태양전지가 적층된 태양전지 셀이 반복되어 연결될 수 있다.According to one embodiment of the hybrid solar cell module according to the present invention, the plurality of solar cells are on the n-type silicon solar cell and the solar cell is stacked n-type silicon solar cell on the p-type silicon solar cell P-type silicon solar cells stacked on the solar cell can be connected repeatedly.
본 발명에 따른 혼합형 태양전지 모듈의 일 실시예에 의하면, 상기 인터커넥터 리본은 p-형 실리콘 태양전지의 전면전극과 n-형 실리콘 태양전지의 전면전극을 연결할 수 있다.According to an embodiment of the hybrid solar cell module according to the present invention, the interconnector ribbon may connect the front electrode of the p-type silicon solar cell and the front electrode of the n-type silicon solar cell.
본 발명에 따른 혼합형 태양전지 모듈의 일 실시예에 의하면, 상기 인터커넥터 리본은 p-형 실리콘 태양전지의 후면전극과 n-형 실리콘 태양전지의 후면전극을 연결할 수 있다.According to an embodiment of the hybrid solar cell module according to the present invention, the interconnector ribbon may connect the back electrode of the p-type silicon solar cell and the back electrode of the n-type silicon solar cell.
본 발명에 따른 혼합형 태양전지 모듈의 일 실시예에 의하면, 상기 인터커넥터 리본은 주석(Sn)으로 피복된 구리(Cu) 전극, 주석-납(Sn-Pb) 합금으로 피복된 구리(Cu) 전극, 주석-은(Sn-Ag) 합금으로 피복된 구리(Cu) 전극, 주석-납-은(Sn-Pb-Ag) 합금으로 피복된 구리(Cu) 전극 및 주석-은-구리(Sn-Ag-Cu) 합금으로 피복된 구리(Cu) 전극으로 이루어진 군에서 선택된 하나일 수 있다. According to one embodiment of the hybrid solar cell module according to the present invention, the interconnector ribbon is a copper (Cu) electrode coated with tin (Sn), a copper (Cu) electrode coated with a tin-lead (Sn-Pb) alloy. , Copper (Cu) electrode coated with tin-silver (Sn-Ag) alloy, copper (Cu) electrode coated with tin-lead-silver (Sn-Pb-Ag) alloy and tin-silver-copper (Sn-Ag) It may be one selected from the group consisting of a copper (Cu) electrode coated with -Cu alloy.
본 발명에 따른 혼합형 태양전지 모듈의 일 실시예에 의하면, 상기 혼합형 태양전지 모듈은 EVA/cell/EVA로 이루어진 엔캡(encap) 구조, EVA/cell/EVA/backsheet로 이루어진 서브-스트레이트(sub-straight) 구조, glass/EVA/cell/EVA/glass로 이루어진 더블 글래스(double glass) 구조, 및 glass/EVA/cell/EVA/backsheet로 이루어진 수퍼 스터레이트(super straight) 구조로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 구조일 수 있다.
According to an embodiment of the hybrid solar cell module according to the present invention, the hybrid solar cell module has an encap structure made of EVA / cell / EVA and a sub-straight made of EVA / cell / EVA / backsheet. ), A double glass structure composed of glass / EVA / cell / EVA / glass, and a super straight structure composed of glass / EVA / cell / EVA / backsheet. It may be a structure.
본 발명에 따르면, 인터커넥터 리본의 측면접촉 및 가공경화 현상을 방지함으로써, 태양전지 모듈의 누설 및 단선 현상을 방지하여 발전 효율감소를 최소화시킬 수 있다. 아울러, 태양전지 모듈의 집적도를 향상시켜 태양전지 효율을 증가시킬 수 있는 장점이 있다.
According to the present invention, by preventing the side contact and work hardening of the interconnector ribbon, it is possible to minimize the reduction in power generation efficiency by preventing the leakage and disconnection of the solar cell module. In addition, there is an advantage that can increase the solar cell efficiency by improving the integration degree of the solar cell module.
도 1은 종래의 태양전지 모듈의 구조를 나타낸 도면이다.
도 2는 종래의 태양전지 셀들이 인터커넥터 리본으로 연결된 구조의 (a) 정면도, (b) 평면도, 및 (c) 배면도 이다.
도 3은 종래의 태양전지 셀들이 인터커넥터 리본으로 연결된 구조를 포함하는 태양전지 모듈의 구성도이다.
도 4는 본 발명에 따른 혼합형 태양전지 셀들이 인터커넥터 리본으로 연결된 구조의 (a) 정면도, (b) 평면도, 및 (c) 배면도 이다.
도 5는 본 발명에 따른 혼합형 태양전지 셀들이 인터커넥터 리본으로 연결된 구조를 포함하는 태양전지 모듈의 구성도이다.
도 6은 본 발명에 따른 혼합형 태양전지 셀들이 인터커넥터 리본으로 연결된 구조의 정면도이다.1 is a view showing the structure of a conventional solar cell module.
2 is a (a) front view, (b) top view, and (c) back view of a structure in which conventional solar cells are connected by interconnect ribbons.
3 is a configuration diagram of a solar cell module including a structure in which conventional solar cells are connected by interconnect ribbons.
4 is (a) a front view, (b) a plan view, and (c) a rear view of a structure in which hybrid solar cells according to the present invention are connected by an interconnector ribbon.
5 is a configuration diagram of a solar cell module including a structure in which mixed solar cells according to the present invention are connected by an interconnector ribbon.
6 is a front view of a structure in which the hybrid solar cells according to the present invention are connected by an interconnector ribbon.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. In the following description of the present invention, if it is determined that the detailed description of the related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
본 발명에서는, 복수개의 태양전지 셀, 및 상기 태양전지 셀 간을 연결하는 인터커넥터 리본을 포함하는 태양전지 모듈에 있어서, 상기 복수개의 태양전지 셀은 p-형 실리콘 태양전지와 n-형 실리콘 태양전지가 반복되어 연결된 것을 특징으로 하는 혼합형 태양전지 모듈이 제공된다.In the present invention, a plurality of solar cells, and a solar cell module comprising an interconnector ribbon connecting the solar cells, wherein the plurality of solar cells is a p-type silicon solar cell and n-type silicon solar There is provided a hybrid solar cell module, wherein the cells are repeatedly connected.
태양광 발전(PV Photovoltaic) 시스템은 태양전지 셀, 태양전지 모듈, 태양전지 패널, 태양전지 어레이, 전력변환장치(PCS), 및 축전장치 등으로 구성된다. 상기에서 태양전지 모듈은 빛을 받아서 전기로 전환해주는 역할을 한다. 도 1은 태양전지의 모듈의 구조를 나타낸 것으로, 도면에서 볼 수 있듯이 태양전지 모듈은 일반적으로 표면재(강화유리)(1), 충진재(EVA)(7), 태양전지 셀(4), 셀 간을 연결하는 인터커넥터 리본(5), 백 시트(6)를 포함하여 구성된다.The PV photovoltaic system is composed of a solar cell, a solar cell module, a solar panel, a solar cell array, a power converter (PCS), and a power storage device. The solar cell module serves to receive light and convert it into electricity. 1 illustrates the structure of a solar cell module, and as shown in the drawing, a solar cell module generally includes a surface material (tempered glass) 1, a filler (EVA) 7, a
한편, 도 2는 태양전지 셀(4)들이 인터커넥터 리본(5)으로 연결된 모습의 (a) 정면도, (b)평면도, 및 (c)배면도를 나타낸 것으로, 인터커넥터 리본(5)으로 연결된 셀(4)들의 구조를 자세히 나타낸다. 태양전지 모듈은 본체에 다수의 태양전지 셀(4)들이 배치되고, 태양전지 셀들을 꺽인 상태의 인터커넥터 리본(5)이 상하로 연결하게 된다.2 shows (a) a front view, (b) a top view, and (c) a rear view of a state in which
도 2와 같이 인터커넥터 리본(5)이 꺽이거나 휘어진 상태로 태양전지 셀(4) 간을 연결할 경우 태양전지의 집적도를 높이기 위해서 태양전지 셀(4) 간의 간격을 지나치게 좁힐 시 태양전지 셀의 측면부와 인터커넥터 리본(5)의 접촉이 생기고 회로의 누설 현상이 발생한다. 회로의 누설 현상은 결과적으로 모듈 효율의 감소를 일으킨다. As shown in FIG. 2, when the interconnector ribbons 5 are bent or bent to connect the
또한, 태양전지 모듈은 대부분 옥외에 설치되어 구동될 경우, 낮과 밤의 온도 차에 의하여 인터커넥터 리본은 꺾인 상태에서 팽창과 수축이 반복되어 일어나게 되고 이로 인해 가공 경화 현상에 의하여 인터커넥터 리본의 취성이 커지면서 재료의 파괴가 일어나게 되어 모듈 회로의 단선이 일어난다. 모듈 회로의 단선 현상은 결과적으로 모듈 효율의 감소를 일으킨다.In addition, when the solar cell module is installed and driven outdoors, the expansion and contraction of the interconnector ribbon is repeated by bending the interconnector ribbon due to the temperature difference between day and night, which causes brittleness of the interconnector ribbon due to work hardening. As this increases, material destruction occurs, leading to breakage of the module circuit. Disconnection of the module circuit results in a decrease in module efficiency.
회로의 누설 현상 및 모듈 회로의 단선 현상으로 인해 모듈 효율이 감소되는 문제점을 해결하기 위해, 본 발명에서는 p-형 실리콘 태양전지와 n-형 실리콘 태양전지가 교대로 반복되어 연결된 것을 특징으로 하는 혼합형 태양전지 모듈을 제공한다.In order to solve the problem of reduced module efficiency due to leakage of circuits and disconnection of module circuits, in the present invention, a p-type silicon solar cell and an n-type silicon solar cell are alternately connected to each other. It provides a solar cell module.
또한, 본 발명에 따른 복수개의 태양전지 셀은 p-형 실리콘 태양전지 상에 n-형 실리콘 태양전지가 적층된 태양전지 셀과 n-형 실리콘 태양전지 상에 p-형 실리콘 태양전지가 적층된 태양전지 셀이 교대로 반복되어 연결될 수 있다.In addition, the plurality of solar cells according to the present invention is a p-type silicon solar cell is stacked on the n-type silicon solar cell and the n-type silicon solar cell is stacked on the p-type silicon solar cell The solar cells may be connected alternately and repeatedly.
본 발명에서 인터커넥터 리본은 p-형 실리콘 태양전지의 전면전극과 n-형 실리콘 태양전지의 전면전극 및 p-형 실리콘 태양전지의 후면전극과 n-형 실리콘 태양전지의 후면전극을 꺽임이나 휨 현상 없이 연결한다.In the present invention, the interconnector ribbon bends or warps the front electrode of the p-type silicon solar cell, the front electrode of the n-type silicon solar cell, and the rear electrode of the p-type silicon solar cell and the rear electrode of the n-type silicon solar cell. Connect without symptoms.
도 4에는 p-형 실리콘 태양전지 셀과 n-형 실리콘 태양전지 셀이 교대로 반복되어 인터커넥터 리본으로 연결된 모습의 (a) 정면도, (b) 평면도, 및 (c) 배면도를 나타내었다. 도 4에서 보여지는 바와 같이 인터커넥터 리본(5)은 꺽임이나 휨 현상 없이 p-형 실리콘 태양전지 셀의 전면전극(10)과 n-형 실리콘 태양전지 셀(9)의 전면전극을 연결하고 p-형 실리콘 태양전지 셀(10)의 후면전극과 n-형 실리콘 태양전지 셀(9)의 후면전극을 연결한다. 4 shows (a) a front view, (b) a top view, and (c) a rear view of a p-type silicon solar cell and an n-type silicon solar cell that are alternately repeated with interconnect ribbons. . As shown in FIG. 4, the
도 5는 본 발명에 따른 혼합형 태양전지 모듈의 구성도를 나타내었다. 최종 상하에 배치된 태양전지 셀(9,10)들에 연결된 인터커넥터 리본(5)은 버스리본(8)에 직렬 혹은 병렬로 연결되며, 상기 버스리본(8)은 외부 단자와 연결되는 구조를 가진다.5 is a block diagram of a hybrid solar cell module according to the present invention. The interconnector ribbons 5 connected to the
본 발명에 따른 혼합형 태양전지 모듈은 EVA/cell/EVA로 이루어진 엔캡(encap) 구조, EVA/cell/EVA/backsheet로 이루어진 서브-스트레이트(sub-straight) 구조, glass/EVA/cell/EVA/glass로 이루어진 더블 글래스(double glass) 구조, 및 glass/EVA/cell/EVA/backsheet로 이루어진 수퍼 스터레이트(super straight) 구조로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 구조일 수 있다.The hybrid solar cell module according to the present invention has an encap structure made of EVA / cell / EVA, a sub-straight structure made of EVA / cell / EVA / backsheet, glass / EVA / cell / EVA / glass It may be any one structure selected from the group consisting of a double glass (double glass) structure, and a super straight structure consisting of glass / EVA / cell / EVA / backsheet.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 혼합형 태양전지 모듈은 인터커넥터 리본의 꺽임이나 휨 현상 없이 태양전지 셀 간을 연결함으로써 리본의 꺽임 현상으로 인해 발생할 수 있는 회로의 누설 및 단선 현상을 방지하여 모듈 효율의 감소를 최소화할 수 있을 뿐만 아니라, 인터커넥터 리본의 꺽인 부분이 차지하던 태양전지 셀 간의 공간을 최소화하여 태양전지 모듈의 집적도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
As described above, the hybrid solar cell module according to the present invention prevents leakage and disconnection of circuits that may occur due to ribbon bending by connecting between solar cells without bending or bending the interconnector ribbon. In addition to minimizing the reduction, there is an effect of improving the integration of the solar cell module by minimizing the space between the solar cells occupied by the bent portion of the interconnector ribbon.
이상으로 본 발명의 내용을 특정한 부분을 상세히 기술하였는바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시 양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
As described above in detail the specific parts of the present invention, for those of ordinary skill in the art, these specific descriptions are only preferred embodiments, which are not intended to limit the scope of the present invention. Will be obvious. It is therefore intended that the scope of the invention be defined by the claims appended hereto and their equivalents.
1: 표면재(강화유리)
2: 실링제
3: 외장(알루미늄)
4: 태양전지 셀
5: 인터커넥터 리본
6: 백시트
7: 충전제
8: 버스리본
9: n형 태양전지 셀
10: p형 태양전지 셀1: Surface material (tempered glass)
2: sealing agent
3: exterior (aluminum)
4: solar cell
5: interconnect ribbon
6: backsheet
7: filler
8: bus ribbon
9: n-type solar cell
10: p-type solar cell
Claims (6)
상기 복수개의 태양전지 셀은 p-형 실리콘 태양전지와 n-형 실리콘 태양전지가 반복되어 연결된 것을 특징으로 하는 혼합형 태양전지 모듈.
A solar cell module comprising a plurality of solar cell and an interconnector ribbon connecting the solar cell,
The plurality of solar cells is a hybrid solar cell module, characterized in that the p-type silicon solar cell and n-type silicon solar cell is repeatedly connected.
상기 복수개의 태양전지 셀은 p-형 실리콘 태양전지 상에 n-형 실리콘 태양전지가 적층된 태양전지 셀과 n-형 실리콘 태양전지 상에 p-형 실리콘 태양전지가 적층된 태양전지 셀이 반복되어 연결된 것을 특징으로 하는 혼합형 태양전지 모듈.
The method of claim 1,
The plurality of solar cells include a solar cell in which n-type silicon solar cells are stacked on a p-type silicon solar cell and a solar cell in which p-type silicon solar cells are stacked on an n-type silicon solar cell. Hybrid solar cell module characterized in that the connection.
상기 인터커넥터 리본은 p-형 실리콘 태양전지의 전면전극과 n-형 실리콘 태양전지의 전면전극을 연결하는 것을 특징으로 하는 혼합형 태양전지 모듈.
The method of claim 1,
The interconnector ribbon is a hybrid solar cell module, characterized in that for connecting the front electrode of the p-type silicon solar cell and the front electrode of the n-type silicon solar cell.
상기 인터커넥터 리본은 p-형 실리콘 태양전지의 후면전극과 n-형 실리콘 태양전지의 후면전극을 연결하는 것을 특징으로 하는 혼합형 태양전지 모듈.
The method of claim 1,
The interconnector ribbon is a hybrid solar cell module, characterized in that for connecting the back electrode of the p-type silicon solar cell and the back electrode of the n-type silicon solar cell.
상기 인터커넥터 리본은 주석(Sn)으로 피복된 구리(Cu) 전극, 주석-납(Sn-Pb) 합금으로 피복된 구리(Cu) 전극, 주석-은(Sn-Ag) 합금으로 피복된 구리(Cu) 전극, 주석-납-은(Sn-Pb-Ag) 합금으로 피복된 구리(Cu) 전극 및 주석-은-구리(Sn-Ag-Cu) 합금으로 피복된 구리(Cu) 전극으로 이루어진 군에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 혼합형 태양전지 모듈.
The method of claim 1,
The interconnector ribbon comprises a copper (Cu) electrode coated with tin (Sn), a copper (Cu) electrode coated with a tin-lead (Sn-Pb) alloy, a copper coated with a tin-silver (Sn-Ag) alloy ( Cu) electrode, a group of copper (Cu) electrodes coated with a tin-lead-silver (Sn-Pb-Ag) alloy and a copper (Cu) electrode coated with a tin-silver-copper (Sn-Ag-Cu) alloy Mixed type solar cell module, characterized in that the one selected from.
상기 혼합형 태양전지 모듈은 EVA/cell/EVA로 이루어진 엔캡(encap) 구조, EVA/cell/EVA/backsheet로 이루어진 서브-스트레이트(sub-straight) 구조, glass/EVA/cell/EVA/glass로 이루어진 더블 글래스(double glass) 구조, 및 glass/EVA/cell/EVA/backsheet로 이루어진 수퍼 스터레이트(super straight) 구조로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 구조인 것을 특징으로 하는 혼합형 태양전지 모듈.The method of claim 1, wherein
The hybrid solar cell module has an encap structure made of EVA / cell / EVA, a sub-straight structure made of EVA / cell / EVA / backsheet, and a double made of glass / EVA / cell / EVA / glass. Mixed glass solar cell module, characterized in that any one structure selected from the group consisting of a glass (double glass), and a super straight structure consisting of glass / EVA / cell / EVA / backsheet.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103296132A (en) * | 2012-03-05 | 2013-09-11 | 聚日（苏州）科技有限公司 | Method for connecting solar cell plates electrically |
| KR101491355B1 (en) * | 2013-11-27 | 2015-02-09 | 주식회사 신성솔라에너지 | Solar cell, method of manufacturing the same, and solar cell module |
| WO2018070724A1 (en) * | 2016-10-13 | 2018-04-19 | 현대중공업그린에너지 주식회사 | Solar cell module |
| KR102624958B1 (en) * | 2022-08-30 | 2024-01-12 | 쑤저우 샤오니우 오토메이션 이큅먼트 컴퍼니 리미티드 | Manufacturing method of solar power generation assembly and battery module, battery string and solar power generation assembly |
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2011
- 2011-07-13 KR KR1020110069607A patent/KR20130008918A/en not_active Application Discontinuation
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