KR20130007826A - 유기전계발광소자 - Google Patents

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KR20130007826A
KR20130007826A KR1020110068404A KR20110068404A KR20130007826A KR 20130007826 A KR20130007826 A KR 20130007826A KR 1020110068404 A KR1020110068404 A KR 1020110068404A KR 20110068404 A KR20110068404 A KR 20110068404A KR 20130007826 A KR20130007826 A KR 20130007826A
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Abstract

실시예에 따른 유기전계발광소자는 제1 전극, 제1 전극의 하면에 배치되는 유기막층, 및 유기막층의 하면에 배치되는 제2 전극을 포함하는 발광구조물, 및 제1 전극 상에 배치되고 유리로 형성되며 상면에 프리즘 구조가 구비된 제1 기판을 포함한다.

Description

유기전계발광소자{Organic Light Emitting Diode }
실시예는 유기전계발광소자에 관한 것이다.
최근, 표시장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Diode Display Device: OLED) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.
이들 중, 유기전계발광표시장치는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어서, 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.
유기전계발광표시장치를 구동하는 방식에는 수동 매트릭스(passive matrix) 방식과 박막 트랜지스터(thin film transistor)를 이용한 능동 매트릭스(active matrix) 방식이 있다. 수동 매트릭스 방식은 양극과 음극을 직교하도록 형성하고 라인을 선택하여 구동하는데 비해, 능동 매트릭스 방식은 박막 트랜지스터를 각 화소 전극에 연결하고 박막 트랜지스터의 게이트 전극에 연결된 커패시터 용량에 의해 유지된 전압에 따라 구동하는 방식이다.
이러한 유기전계발광표시장치는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 유기물로 이루어진 발광층이 위치하여, 발광층에서 빛을 발광하는 자발광소자이다.
그러나, 종래 유기전계발광표시장치는 대면적으로 갈수록 금속으로 이루어진 제 2 전극의 저항이 높아져 유기전계발광표시장치의 구동전압이 상승하고, 표시품질이 저하되는 문제점이 있다. 또한 내부구조물간의 반사율의 차이로 전반사로 인한 광손실이 크다는 점에서 개선의 여지가 있다.
실시예는 내부에서의 광손실이 최소화된 유기전계발광소자를 제공한다.
실시예에 따른 유기전계발광소자는 제1 전극, 제1 전극의 하면에 배치되는 유기막층, 및 유기막층의 하면에 배치되는 제2 전극을 포함하는 발광구조물, 및 제1 전극 상에 배치되고 유리로 형성되며 상면에 프리즘 구조가 구비된 제1 기판을 포함한다.
실시예에 따른 유기전계발광소자는 구조물 사이에서 발생하는 광손실을 최소화할 수 있다.
실시예에 따른 유기전계발광소자는 방열효과가 극대화될 수 있다.
실시예에 따른 유기전계발광소자는 집광이 뛰어나 광효율이 극대화될 수 있다.
실시예에 따른 유기전계발광소자는 부품부 감소를 유발하여 공정이 단순화될 수 있고 원가가 절감될 수 있다.
실시예에 따른 유기전계발광소자는 광량 대비 소비전력을 감소시켜, 연비 향상 및 유해 가스 배출량을 감소시킬 수 있다.
도 1a는 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면을 나타낸 단면도,
도 1b는 실시예에 따른 유기전계발광소자의 일부를 나타낸 사시도,
도 2a는 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면을 나타낸 단면도,
도 2b는 실시예에 따른 유기전계발광소자의 일부를 나타낸 사시도,
도 3a, 도 3b, 및 도 3c는 실시예에 따른 유기전계발광소자의 구조에 따른 광학해석결과이다.
첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 램프장치의 일 실시예를 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다. 또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광소자(100)의 단면을 나타낸 단면도이고, 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광소자(100)의 일부를 나타낸 사시도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 실시예에 따른 유기전계발광소자(100)는 제1 전극(122), 제1 전극(122)의 하면에 배치되는 유기막층(124), 및 유기막층(124)의 하면에 배치되는 제2 전극(126)을 포함하는 발광구조물(120), 및 제1 전극(122) 상에 배치되고 유리로 형성되며 상면에 프리즘 구조(112)가 구비된 제1 제1 기판(110)을 포함한다.
발광구조물(120)은 제2 전극(126), 제2 전극(126) 상에 위치하는 유기막층(124), 및 유기막층(124) 상에 위치하는 제1 전극(122)을 포함할 수 있다. 유기전계발광소자(100)에 있어서, 제1 전극(122)과 제2 전극(126) 간에 전압을 인가하면, 정공(hole)은 제1 전극(122)로부터 유기막층(124) 내로 주입될 수 있고, 전자(electron)는 제2 전극(126)로부터 유기막층(124) 내로 주입될 수 있다. 유기전계발광소자(100)는 유기막층(124) 내로 주입된 정공과 전자가 유기막층(124)에서 재결합하여 엑시톤(exiton)을 생성할 수 있다. 유기전계발광소자(100)는 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 전이하면서 빛을 방출할 수 있다.
유기전계발광소자(100)는 매트릭스 형태로 배치된 화소들을 구동하는 방식에 따라 수동매트릭스(Passive matrix)방식과 능동 매트릭스(Active matrix) 방식으로 나뉘어진다.
유기전계발광소자(100)는 수동 매트릭스 방식에서 양극과 음극을 직교하도록 형성하고 라인을 선택하여 구동할 수 있다. 유기전계발광소자(100)는 능동 매트릭스 방식에서 박막 트랜지스터(미도시)를 각 화소 전극(미도시)에 연결하고 박막 트랜지스터(미도시)의 게이트 전극(미도시)에 연결된 커패시터 용량에 의해 유지된 전압에 따라 구동할 수 있다.
유기전계발광소자(100)는 제1 기판(110), 제1 기판(110)의 하면에 위치하는 제1 전극(122), 제1 전극(122) 하면에 위치하는 유기막층(124), 및 유기막층(124)의 하면에 위치하는 제2 전극(126)을 포함할 수 있다.
제1 기판(110)은 유리 또는 플라스틱로 형성될 수 있다. 제1 기판(110)의 하면에는 제1 기판(110)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 유기전계발광소자(100)를 보호하기 위해 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 형성된 버퍼층(미도시)을 더 포함할 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.
도 1b를 참조하면, 제1 기판(110)은 상면에 프리즘구조(112)를 구비할 수 있다. 제1 기판(110)은 상면에 양각 또는 음각으로 프리즘구조(112)를 구비할 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 제1 기판(110)은 측면에서 바라봤을 경우 삼각형형태가 상면을 따라서 연속적으로 형성되는 형태일 수 있다. 제1 기판(110)은 일측면과 평행하도록 복수의 프리즘구조(112)가 연속적으로 구비될 수 있다.
제1 기판(110)은 프리즘구조(112)를 구비하여 제1 기판(110)의 상면이 평탄한 경우에 유기전계발광소자(100)의 내부에서 전반사가 일어나서 발생하는 광손실을 최소화할 수 있다. 제1 기판(110)은 프리즘구조(112)를 구비하여 내부 광손실을 줄임으로써 유기전계발광소자(100)의 열발생을 최소화할 수 있다. 제1 기판(110)은 프리즘구조(112)를 구비하여 유기전계발광소자(100) 자체적으로 집광기능을 갖도록 할 수 있다. 기판(100)은 집광기능 확보를 통해 집광을 위한 다른 구조를 생략하도록 하여 유기전계발광소자(100)의 생산을 위한 공정을 간편화할 수 있다.
유기전계발광소자(100)는 차량용 램프에 사용될 수 있다. 유기전계발광소자(100)는 차량용 램프로 사용되는 경우 광량과 관련된 법규를 만족시키는 지향각을 가질 필요가 있다. 유기전계발광소자(100)는 차량용 램프의 법규를 만족하기 위해 제1 기판(110)의 프리즘 구조의 경사각을 조절할 수 있다.
제1 기판(110)은 유리로 형성된 경우에 프리즘구조(112)의 측면이 제1 기판(110)의 바닥면과 이루는 각도(a)가 16 내지 26°일 수 있다. 제1 기판(110)은 프리즘구조(112)의 측면이 제1 기판(110)의 바닥면과 이루는 각도(a)가 16 내지 26°인 경우에 유기전계발광소자(100)는 법규를 만족하는 광량을 낼 수 있다.
제1 기판(110)은 유리로 형성된 경우에 두께가 0.3 내지 1.2mm일 수 있다. 제1 기판(110)은 유리로 형성된 경우에 두께가 0.3mm 이하가 되면 지지력이 약해져 그 위에 전극층 또는 유기막층(124) 등을 성장시키기 힘들어질 수 있고, 두께가 1.2mm 이상이 되는 경우에는 광흡수량이 커져 광손실이 증가될 수 있다.
제1 기판(110)은 플라스틱으로 형성될 수 있다. 제1 기판(110)은 플라스틱으로 형성된 경우에 프리즘구조(112)의 측면이 제1 기판(110)의 바닥면과 이루는 각도(a)가 15 내지 25°일 수 있다. 제1 기판(110)은 프리즘구조(112)의 측면이 제1 기판(110)의 바닥면과 이루는 각도(a)가 15 내지 25°인 경우에 유기전계발광소자(100)는 법규를 만족하는 광량을 낼 수 있다.
제1 기판(110)은 플라스틱으로 형성된 경우에 두께가 0.1 내지 1.0mm일 수 있다. 제1 기판(110)은 유리로 형성된 경우에 두께가 0.1mm 이하가 되면 지지력이 약해져 그 위에 전극층 또는 유기막층(124) 등을 성장시키기 힘들어질 수 있고, 두께가 1.0mm 이상이 되는 경우에는 광흡수량이 커져 광손실이 증가될 수 있다.
제1 기판(110)의 하면에는 제1 전극(122), 유기막층(124) 및 제2 전극(126)이 적층될 수 있다. 제1 기판(110)의 하면에는 제1 전극(122)과 제2 전극(126)이 위치할 수 있고, 제1 전극(122)과 제2 전극(126) 사이에 유기막층(124)이 위치할 수 있다.
제1 전극(122)은 애노드전극일 수 있다. 제1 전극(122)은 투명한 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 제1 전극(122)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 등의 투광성 물질 중 어느 하나일 수 있다. 제1 전극(122)은 ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 층 하부에 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 니켈(Ni) 중 어느 하나로 이루어진 반사층을 더 포함할 수 있다. 제1 전극(122)은 ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 두 개의 층 사이에 반사층을 포함할 수 있으나, 위와 같은 사항에 한정하지 아니한다.
제1 전극(122)은 스퍼터링법(Sputtering), 증발법(Evaporation), 기상증착법(Vapor Phase Deposition) 또는 전자빔증착법(Electron Beam Deposition) 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.
유기막층(124)은 제1 전극(122) 하면에 배치될 수 있다. 유기막층(124)은 발광층(미도시)을 포함할 수 있으며, 발광층(미도시)의 상부 또는 하부에 정공주입층(미도시), 정공수송층(미도시), 전자수송층(미도시) 또는 전자주입층(미도시)을 더 포함할 수 있다.
정공주입층(미도시)은 제 1 전극(122)으로부터 발광층(미도시)으로 정공을 주입할 수 있다. 정공주입층(미도시)은 CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine) 중의 어느 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 아니한다. 정공주입층(미도시)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성될 수 있다.
정공수송층(미도시)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 중의 어느 하나 이상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 아니한다. 정공수송층(미도시)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성될 수 있다.
발광층(미도시)은 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하여 형성될 수 있다.
발광층(미도시)이 적색인 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함할 수 있으며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium), 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)중의 어느 하나 이상의 도펀트를 포함하는 인광물질이나, PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 아니한다.
발광층(미도시)이 녹색인 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함할 수 있다. 발광층(미도시)은 Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)의 도펀트 물질을 포함하는 인광물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)의 형광물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 아니한다.
발광층(미도시)이 청색인 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함할 수 있다. 발광층(미도시)은 (4,6-F2ppy)2Irpic의 도펀트 물질을 포함하는 인광물질이나, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자 중의 어느 하나를 포함하는 형광물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 아니한다.
전자수송층(미도시)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq 중의 어느 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 아니한다. 전자수송층(미도시)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성될 수 있다.
전자수송층(미도시)은 제1 전극(122)으로부터 주입된 정공이 발광층(미도시)을 통과하여 제2 전극(126)으로 이동하는 것을 방지할 수 있다. 전자수송층(미도시)은 발광층(미도시)에서 정공과 전자의 결합을 효율적으로 할 수 있다.
전자주입층(미도시)은 전자의 주입을 원활하게 할 수 있으며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 아니한다.
전자주입층(미도시)은 무기물을 더 포함할 수 있다. 전자주입층(미도시)은 금속화합물을 포함하는 무기물을 더 포함할 수 있다. 전자주입층(미도시)은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 등의 금속 화합물을 포함할 수 있다. 전자주입층(미도시)은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함하는 금속화합물인 플루오르화리튬(LiF), 플루오프와나트륨(NaF), 플루오르화칼륨(KF), 플루오르화루비듐(RbF), 플루오르화세슘(CsF), 플루오르화프란슘(FrF), 플루오르화베릴륨(BeF2), 플루오르화마그네슘(MgF2), 플루오르화칼슘(CaF2), 플루오르화스트론튬(SrF2), 플루오르화바륨(BaF2) 및 플루오르화라듐(RaF2)중의 어느 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 아니한다.
전자주입층(미도시)은 증발법 또는 스핀코팅법으로 형성되거나 유기물과 무기물을 공증착법으로 혼합하여 형성할 수 있다.
제2 전극(126)은 캐소드 전극일 수 있으며, 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 제2 전극(미도시)은 유기전계발광소자(100)가 전면 또는 양면발광구조일 경우, 빛을 투과할 수 있을 정도로 얇은 두께로 형성할 수 있다. 제2 전극(126)은 유기전계발광소자(100)가 배면발광구조일 경우, 빛을 반사시킬 수 있을 정도로 두껍게 형성될 수 있다.
도 2a는 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자(200)의 단면을 나타낸 단면도이고, 도 2b는 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자(200)의 일부를 나타낸 사시도이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 유기전계발광소자(200)는 제1 기판(210) 상에 배치되며 제1 기판(210)의 상면과 대향하는 하면은 평면이고 그와 반대측면에 프리즘 구조(232)를 구비한 제2 기판(230)을 더 포함할 수 있다.
제2 기판(230)은 일측면과 프리즘 구조(232)가 평행하도록 형성될 수 있다. 제2 기판(230)은 일측면과 평행한 프리즘 구조(232)가 연속적으로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 제2 기판(230)은 하면이 평면일 수 있따. 제2 기판(230)은 하면이 제1 기판(210)의 상면과 접할 수 있다. 제2 기판(230)은 하면이 제1기판(210)의 프리즘 구조(212)와 대향할 수 있다.
제2 기판(230)은 유리로 형성된 경우에 프리즘구조(232)의 측면이 제2 기판(230)의 바닥면과 이루는 각도(a)가 16 내지 26°일 수 있다. 제2 기판(230)은 유리로 형성된 경우 프리즘구조(232)의 측면이 제2 기판(230)의 바닥면과 이루는 각도(a)가 16 내지 26°인 경우에 유기전계발광소자(200)는 법규를 만족하는 광량을 낼 수 있다.
제2 기판(230)은 유리로 형성된 경우에 두께가 0.3 내지 1.2mm일 수 있다. 제2 기판(230)은 유리로 형성된 경우에 두께가 0.3mm 이하가 되면 지지력이 약해져 그 위에 제1 기판(210), 전극층(222, 226), 또는 유기막층(224) 등을 배치시키기 힘들어질 수 있고, 두께가 1.2mm 이상이 되는 경우에는 광흡수량이 커져 광손실이 증가될 수 있다.
제2 기판(230)은 플라스틱으로 형성될 수 있다. 제2 기판(230)은 플라스틱으로 형성된 경우에 프리즘구조(232)의 측면이 제2 기판(230)의 바닥면과 이루는 각도(a)가 15 내지 25°일 수 있다. 제2 기판(230)은 플라스틱으로 형성된 경우 프리즘구조(232)의 측면이 제2 기판(230)의 바닥면과 이루는 각도(a)가 15 내지 25°인 경우에 유기전계발광소자(200)는 법규를 만족하는 광량을 낼 수 있다.
제2 기판(230)은 플라스틱으로 형성된 경우에 두께가 0.1 내지 1.0mm일 수 있다. 제2 기판(230)은 유리로 형성된 경우에 두께가 0.1mm 이하가 되면 지지력이 약해져 그 위에 제1 기판(210), 전극층(222, 226), 또는 유기막층(224) 등을 배치시키기 힘들어질 수 있고, 두께가 1.0mm 이상이 되는 경우에는 광흡수량이 커져 광손실이 증가될 수 있다.
도 2b를 참조하면, 제2 기판(230)은 프리즘 구조(232)가 제1 기판(210)의 프리즘 구조(212)와 교차되도록 배치될 수 있다. 제2 기판(230)은 프리즘 구조(232)가 제1 기판(210)의 프리즘 구조(212)와 수직적으로 되도록 배치될 수 있다. 제2 기판(230)의 프리즘 구조(232)는 제1 기판(210)의 프리즘 구조(212)와 같은 방향으로 배치될 수 있다.
도 3a, 도 3b, 및 도 3c는 실시예에 따른 유기전계발광소자(미도시)의 구조에 따른 광학해석결과이다.
도 3a는 제1 기판(미도시)이 상면이 평탄한 경우에 측정된 광학해석 결과이고, 도 3b는 제1 기판(미도시) 상에 프리즘 구조가 구비된 경우에 측정된 광학해석 결과이며, 도 3c는 제1 기판(미도시) 상에 프리즘 구조가 구비되고 그 위에 상면에 프리즘 구조를 구비한 제2 기판(미도시)이 배치된 경우에 측정된 광학해석 결과이다.
상기 광학 해석 결과 상에 배치된 사각형 테두리는 가로축이 -20 내지 20°의 범위를 나타내고 세로축이 -10 내지 10°의 범위를 나타낸다. 이는 국내법규기준에 부합하는 범위이다.
상기 광학 해석 결과를 참조하면 제1 기판(미도시) 상면이 평탄한 경우인 도 3a의 경우 상기 사각형 테두리 범위 내에 빨간 점들이 주로 나타난 반면, 제1 기판(미도시) 상에 프리즘 구조가 구비된 도 3b의 경우 상기 사각형 테두리 범위 내에 흰 점들이 나타나 있어 프리즘 구조를 구비한 경우 집광효과가 뚜렷한 것을 볼 수 있다.
제1 기판(미도시) 상에 프리즘 구조가 구비되고, 제1 기판(미도시) 상에 상면에 프리즘 구조를 구비한 제2 기판(미도시)이 배치된 경우의 광학해석 결과인 도 3c를 살펴보면 도3b에서 상기 사각형 테두리 범위 내의 흰점의 수보다 더 많은 수의 흰점들이 사각형 테두리 범위 내에 나타난 것으로 보아 제2 기판(미도시)를 배치함으로써 집광효과가 더욱더 개선됨을 확인할 수 있다.
이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
110 : 제1 기판 120 : 발광구조물

Claims (18)

  1. 제1 전극, 상기 제1 전극의 하면에 배치되는 유기막층, 및 상기 유기막층의 하면에 배치되는 제2 전극을 포함하는 발광구조물; 및
    상기 제1 전극 상에 배치되고 유리로 형성되며 상면에 프리즘 구조가 구비된 제1 기판;을 포함하는 유기전계발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판은 프리즘 구조의 측면이 연장된 선이 상기 제1 기판의 바닥면과 이루는 각도가 16 내지 26°인 유기전계발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판은 프리즘 구조가 일측면과 평행하게 형성되는 유기전계발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판은 두께가 0.3 내지 1.2mm인 유기전계발광소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판 상에 배치되며 상기 제1 기판의 상면과 대향하는 하면은 평면이고 그와 반대측면에 프리즘 구조를 구비한 제2기판을 더 포함하는 유기전계발광소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 기판은 두께가 0.3 내지 1.2mm인 유기전계발광소자.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제2 기판의 프리즘 구조는 상기 제2 기판의 일측면과 평행하게 형성되는 유기전계발광소자.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제2 기판은 프리즘 구조의 측면이 연장된 선이 상기 제2 기판의 바닥면과 이루는 각도가 16 내지 26°인 유기전계발광소자.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제2 기판은 프리즘 구조가 상기 제1 기판의 프리즘 구조와 교차되도록 배치되는 유기전계발광소자.
  10. 제1 전극, 상기 제1 전극의 하면에 배치되는 유기막층, 및 상기 유기막층의 하면에 배치되는 제2 전극을 포함하는 발광구조물; 및
    상기 제1 전극 상에 배치되고 플라스틱으로 형성되며 상면에 프리즘 구조가 구비된 제1 기판;을 포함하는 유기전계발광소자.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 기판은 프리즘 구조의 측면이 연장된 선이 상기 제1 기판의 바닥면과 이루는 각도가 15 내지 25°인 유기전계발광소자.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1 기판은 프리즘 구조가 일측면과 평행하게 형성되는 유기전계발광소자.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1 기판은 두께가 0.1 내지 1.0mm인 유기전계발광소자.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 제1 기판 상에 배치되며 상기 제1 기판의 상면과 대향하는 하면은 평면이고 그와 반대측면에 프리즘 구조를 구비한 제2기판을 더 포함하는 유기전계발광소자.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제2 기판은 두께가 0.1 내지 1.0mm인 유기전계발광소자.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제2 기판의 프리즘 구조는 상기 제2 기판의 일측면과 평행하게 형성되는 유기전계발광소자.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 제2 기판은 프리즘 구조의 측면이 연장된 선이 상기 제2 기판의 바닥면과 이루는 각도가 15 내지 25°인 유기전계발광소자.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 제2 기판은 프리즘 구조가 상기 제1 기판의 프리즘 구조와 교차되도록 배치되는 유기전계발광소자.
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