KR20130005489A - 유기 발광 표시 장치 및 그 제어방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 제어방법에 관한 것으로, 보다 상세히는 유기 절연막을 형성하지 않고, 단순화된 공정으로 제조될 수 있는 유기 발광 소자 및 그 제어방법에 관한 것이다.
본 발명의 일예와 관련된 유기 발광 표시장치는 기판, 상기 기판 상에 형성된 반도체층, 상기 반도체층에 형성된 소오스 및 드레인 전극, 상기 기판 상에 형성된 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 형성된 유기 발광층과 상기 유기 발광층 상에 형성되어 상기 제 1 전극과 함께 전계를 형성하는 제 2 전극을 포함하고, 상기 소오스 및 드레인 전극과 상기 제 1 전극은 동일한 물질로 구성될 수 있다.
본 발명의 일예와 관련된 유기 발광 표시장치는 기판, 상기 기판 상에 형성된 반도체층, 상기 반도체층에 형성된 소오스 및 드레인 전극, 상기 기판 상에 형성된 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 형성된 유기 발광층과 상기 유기 발광층 상에 형성되어 상기 제 1 전극과 함께 전계를 형성하는 제 2 전극을 포함하고, 상기 소오스 및 드레인 전극과 상기 제 1 전극은 동일한 물질로 구성될 수 있다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 제어방법에 관한 것으로, 보다 상세히는 유기 절연막을 형성하지 않고, 단순화된 공정으로 제조될 수 있는 유기 발광 소자 및 그 제어방법에 관한 것이다.
최근 고도의 정보화 사회가 도래하여, 퍼스널 컴퓨터, 카 내비게이션 시스템, 휴대 정보 단말기, 정보 통신 기기 또는 이들을 복합한 제품의 수요가 증가하고 있다. 이들 제품에 포함된 표시 장치는 시인성이 좋아야 하고, 넓은 시야각이 있어야 하며, 고속 응답으로 동영상을 표시할 수 있어야 하는 등의 특성을 요구한다.
평판 표시 장치(Flat Panel Display; FPD)는 경량, 박형 등의 특성이 뛰어나 음극선관 표시 장치(Cathode-ray Tube Display; CRT)를 대체하는 표시 장치로서 각광받고 있다. 이러한 평판 표시 장치 중에는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device; LCD) 및 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display; OLED)가 있다. 특히, 유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치에 비하여 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하고 백라이트유닛(Back Light Unit; BLU)을 필요로 하지 않아 초박형으로 구현할 수 이는 장점이 있다.
이와 같은 유기 발광 표시 장치는 유기 박막에 음극(cathode)과 양극(anode)을 통하여 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 재결합하여 여기자를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생하는 현상을 이용한 표시장치이다.
유기 발광 표시 장치는 구성 요소, 기능 및 발광된 빛이 발산하는 방향 등에 따라 여러 가지로 나눠질 수 있으며, 그 중에는 기판 등 구성 요소의 투과율이 높아 영상을 디스플레이하지 않는 경우에는 일반 유리처럼 보이며 영상을 디스플레이할 경우 양면에서 영상을 볼 수 있는 양면 유기 발광 표시 장치가 있다.
일반적으로, 양면 유기 발광 표시 장치는 기판이 투명한 플라스틱 및 메탈 포일과 같은 절연기판 등을 이용하고, 제 1 투명 전극과 제 2 투명 전극은 도전성 금속산화물, 예를 들면, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 등과 같은 투명 전극으로 형성된다.
이러한 구조의 유기 발광 표시 장치는 제 1 투명 전극과 제 2 투명 전극으로부터 전자와 정공이 발광층에서 재결합하여 여기자를 형상함으로써 빛을 발생시킨다. 이때 발광층에는 전자와 정공의 주입 특성을 향상시키기 위해 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나의 층을 더 포함한다.
한편, 유기 발광 표시 장치가 투명 박막 트랜지스터(Thin Film Transister: TFT)를 포함하는 경우, TFT 구동부의 소스/드레인 전극과 유기 발광 표시 장치의 애노드(Anode) 전극을 연결시키는 비아홀(Via hole)이 존재한다.
이러한 TFT 부분의 비아홀에는 무기절연막의 두께에 해당하는 깊은 홀(hole)이 형성되기 때문에 OLED 발광층과 캐써드(cathode)를 형성하는 경우, 단락이 발생하여 소자 구동이 어려워질 수 있다.
따라서 이러한 문제점을 방지하고, 연결 표면을 평탄하게 만들기 위하여 무기 절연막의 몇 배(예를 들면, 약 10배) 두께에 해당하는 유기 절연막을 형성해주어야만 한다.
단, 이러한 유기 절연막을 증착하여 패턴을 형성하는 과정은 많은 시간과 비용이 소모되므로, 좀 더 효율적인 유기 발광 소자의 제조 방법이 요구되는 실정이다.
본 발명은 상기한 바와 같은 일반적인 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 유기 절연막을 형성하지 않고, 단순화된 공정으로 제조될 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그 제어방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일예와 관련된 유기 발광 표시장치는 기판, 상기 기판 상에 형성된 반도체층, 상기 반도체층에 형성된 소오스 및 드레인 전극, 상기 기판 상에 형성된 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 형성된 유기 발광층과 상기 유기 발광층 상에 형성되어 상기 제 1 전극과 함께 전계를 형성하는 제 2 전극을 포함하고, 상기 소오스 및 드레인 전극과 상기 제 1 전극은 동일한 물질로 구성될 수 있다.
또한, 상기 유기 발광층은 능동형 유기 발광 소자(Active Matrix Organic Light Emitting Display: AMOLED), 조명용 유기 발광 소자 및 수동형 유기 발광 소자(Passive Matrix Organic Light Emitting Display: AMOLED) 중 어느 하나일 수 있다.
또한, 무기 절연막을 더 포함하고, 상기 무기 절연막은 상기 유기 발광층 및 상기 제 2 전극이 형성된 층과 상기 소오스 및 드레인 전극이 형성된 층 사이에 형성될 수 있다.
또한, 게이트 절연막과 상기 기판과 상기 게이트 절연막 사이에 형성된 게이트 전극을 더 포함하고, 상기 게이트 절연막은 상기 반도체층 및 상기 제 1 전극이 형성된 층과 상기 기판 사이에 형성될 수 있다.
또한, 게이트 절연막과 상기 기판과 상기 게이트 절연막 사이에 형성된 게이트 전극을 더 포함하고, 상기 게이트 절연막은 상기 반도체층과 상기 기판 사이에 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 1 전극 또는 상기 제 2 전극은 금속성 물질로 구성될 수 있다.
또한, 상기 금속성 물질은 투명전도성 물질일 수 있다.
또한, 상기 금속성 물질은 갈륨 도핑 산화아연, 산화인듐주석, 불소 함유 산화주석, 산화아연, 보론 도핑 산화아연, 알루미늄 도핑 산화아연, 은, 산화주석, 불소 도핑 산화주석, 아연-갈륨-산소 화합물, 아연-알루미늄-산소 화합물 및 주석-안티몬-산소 화합물로 구성된 그룹에서 선택된 하나의 물질일 수 있다.
한편, 상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일예와 관련된 유기 발광 표시장치는 기판, 상기 기판 상에 형성된 반도체층, 상기 반도체층에 형성된 소오스 및 드레인 전극, 상기 기판 상에 형성된 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 형성되어 양면으로 빛을 발산하는 유기 발광층과 상기 유기 발광층 상에 형성되어 상기 제 1 전극과 함께 전계를 형성하는 제 2 전극을 포함하고, 상기 소오스 및 드레인 전극과 상기 제 1 전극은 동일한 물질로 구성될 수 있다.
또한, 상기 유기 발광층은 능동형 유기 발광 소자(Active Matrix Organic Light Emitting Display: AMOLED), 조명용 유기 발광 소자 및 수동형 유기 발광 소자(Passive Matrix Organic Light Emitting Display: AMOLED) 중 어느 하나일 수 있다.
또한, 상기 기판의 하부에 위치하고, 전원의 인가여부에 따라 투명 또는 불투명 상태가 되어 상기 유기 발광층에 의해 발상되는 빛이 양면 또는 단면으로 표시되도록 선택하기 위한 양면 발광 선택부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 양면 발광 선택부는 적어도 하나의 일렉트로 크로믹 물질층을 더 포함할 수 있다.
한편, 상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일예와 관련된 유기 발광 표시장치의 제조방법은 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계, 상기 형성된 반도체층에 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계, 상기 형성된 제 1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계와 상기 형성된 유기 발광층 상에 상기 제 1 전극과 함께 전계를 형성하는 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 소오스 및 드레인 전극과 상기 제 1 전극은 동일한 물질로 구성될 수 있다.
또한, 무기 절연막을 생성하는 단계를 더 포함하고, 상기 무기 절연막은 상기 유기 발광층 및 상기 제 2 전극이 형성된 층과 상기 소오스 및 드레인 전극이 형성된 층 사이에 형성될 수 있다.
또한, 게이트 전극 및 게이트 절연막을 생성하는 단계를 더 포함하고, 상기 게이트 전극은 상기 기판과 상기 게이트 절연막 사이에 형성되고, 상기 게이트 절연막은 상기 반도체층 및 상기 제 1 전극이 형성된 층과 상기 기판 사이에 형성될 수 있다.
또한, 게이트 전극 및 게이트 절연막을 생성하는 단계를 더 포함하고, 상기 게이트 전극은 상기 기판과 상기 게이트 절연막 사이에 형성되고, 상기 게이트 절연막은 상기 반도체층과 상기 기판 사이에 형성될 수 있다.
또한, 상기 유기 발광층은 능동형 유기 발광 소자(Active Matrix Organic Light Emitting Display: AMOLED), 조명용 유기 발광 소자 및 수동형 유기 발광 소자(Passive Matrix Organic Light Emitting Display: AMOLED) 중 어느 하나일 수 있다.
또한, 상기 제 1 전극 또는 상기 제 2 전극은 금속성 물질로 구성될 수 있다.
또한, 상기 금속성 물질은 투명전도성 물질일 수 있다.
또한, 상기 금속성 물질은 갈륨 도핑 산화아연, 산화인듐주석, 불소 함유 산화주석, 산화아연, 보론 도핑 산화아연, 알루미늄 도핑 산화아연, 은, 산화주석, 불소 도핑 산화주석, 아연-갈륨-산소 화합물, 아연-알루미늄-산소 화합물 및 주석-안티몬-산소 화합물로 구성된 그룹에서 선택된 하나의 물질일 수 있다.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 관련된 유기 발광 표시 장치는 소오스/드레인 전극과 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display: OLED)의 애노드(Anode) 전극이 동일한 물질로 구성되도록 하여 유기 절연막을 형성하지 않고, 단순화된 공정으로 제조될 수 있다는 효과가 인정된다.
또한, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 관련된 유기 발광 표시 장치는 TFT 구동부의 소스/드레인 전극과 유기 발광 표시 장치의 애노드(Anode) 전극을 연결시키는 비아홀(Via hole)이 존재하지 않으므로, 더 넓은 발광 영역을 사용자에게 제공할 수 있다.
본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예와 관련된 일반적인 유기 발광 표시 장치를 상세하게 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명과 관련하여, 일반적인 유기 발광 표시 장치가 제작되는 공정 순서의 일례를 나타내는 순서도.
도 3은 본 발명과 관련하여 비아홀(Via hole) 영역 및 발광영역을 표시하는 일례를 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예와 관련된 유기 절연막을 형성하지 않는 유기 발광 표시 장치를 상세하게 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명의 일 실시예와 관련하여 유기 절연막을 형성하지 않는 유기 발광 표시 장치가 제작되는 공정 순서의 일례를 나타내는 순서도.
도 6은 본 발명의 일 실시예와 관련하여 유기 절연막을 형성하지 않는 유기 발광 표시 장치의 발광영역을 표시하는 일례를 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 일 실시예와 관련하여 유기 발광 표시 장치의 양면 발광 선택부의 일례를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명과 관련하여, 일반적인 유기 발광 표시 장치가 제작되는 공정 순서의 일례를 나타내는 순서도.
도 3은 본 발명과 관련하여 비아홀(Via hole) 영역 및 발광영역을 표시하는 일례를 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예와 관련된 유기 절연막을 형성하지 않는 유기 발광 표시 장치를 상세하게 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명의 일 실시예와 관련하여 유기 절연막을 형성하지 않는 유기 발광 표시 장치가 제작되는 공정 순서의 일례를 나타내는 순서도.
도 6은 본 발명의 일 실시예와 관련하여 유기 절연막을 형성하지 않는 유기 발광 표시 장치의 발광영역을 표시하는 일례를 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 일 실시예와 관련하여 유기 발광 표시 장치의 양면 발광 선택부의 일례를 나타낸 도면.
이하에서는, 본 발명과 관련된 유기 발광 표시 장치에 대하여 도면을 참조하여, 보다 상세하게 설명한다. 또한, 명세서에서 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 상부 또는 위에 있다고 표현되는 경우는 각 부분이 다른 부분의 바로 상부 또는 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라 각 부분과 다른 부분의 사이에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예와 관련된 일반적인 유기 발광 표시 장치를 상세하게 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 투명 기판의 일면에 형성되며, 상기한 절연막을 포함하는 적어도 하나의 유기 발광소자(Organic Light-Emmitting Diode; OLED)를 포함하는 유기 발광 표시부를 포함할 수 있다.
도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 투명기판(101), 게이트 전극(102), 게이트 절연막(103), 반도체(104), 소오스/드레인 전극(105), 무기 절연막(106), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display: OLED) 애노드(anode) 전극(107), 유기 절연막(108), OLED 발광층(109) 및 OLED 캐써드(cathode) 전극(110) 등을 포함할 수 있다.
좀 더 구체적으로 설명하면, 투명기판(101), 투명 기판(101) 상부에 형성된 게이트 전극(102), 게이트 전극(102) 상부에 형성되어 메탈과의 전기적 연결을 가능하게 하는 게이트 절연막(103), 반도체와 전기적으로 연결된 소오스/드레인 전극(105), 반도체(104), 비아홀(via hole)(111)을 형성하여 반도체층(104)과 소오스/드레인 전극(105)을 전기적으로 연결시키기 위한 무기 절연막(106), OLED 애노드(anode) 전극(107), 유기 절연막(108), 투명 전극층을 부분적으로 노출시키는 개구부가 형성된 화소 정의막의 일부 영역 및 개구부 상부에 형성된 발광층(109) 및 OLED 캐써드(cathode) 전극(110)을 포함한다.
여기서, 투명 기판(101)은 플렉서블 표시 장치를 구현하기 위해 플라스틱, 실리콘 또는 합성수지와 같은 절연성 물질로 형성된다. 투명 기판(101) 상부에 버퍼층이 형성될 수 있는데. 버퍼층은 질화막, 산화막 등 모든 투명 절연성 물질로 형성될 수 있다.
게이트 전극(102)은 소정의 패턴으로 형성되며, 투명성을 갖는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), ICO(Indium Cesium Oxide), 반투명 메탈 등으로 형성된다.
반도체(104)는 밴드갭이 3.0eV 이상인 광대역 반도체(wide band gap) 물질로 형성되는데, 예를 들어, ZnO, ZnSnO, GaSnO, GaN, SiC 중 선택된 어느 하나의 도전성 금속 물질로 형성된다.
소스 및 드레인 전극(105)은 전도성과 투명성이 모두 좋은 금속, 예를 들어 ITO, IZO, ITZO, ICO, 반투명 메탈 등으로 형성된다.
무기절연막(106)은 질화막, 산화막 등 투명절연성 재료로 형성될 수 있으며, 무기절연막(106)의 일부 영역을 식각하여 비아홀(Via hole)(111)이 형성된다.
비아홀(Via hole)(111)은 유기 발광 표시 장치가 투명 박막 트랜지스터(Thin Film Transister: TFT)를 포함하는 경우, TFT 구동부의 소스/드레인 전극과 유기 발광 표시 장치의 애노드(Anode) 전극을 연결시키기 위해 존재한다.
이러한 TFT 부분의 비아홀(111)에는 무기절연막의 두께에 해당하는 깊은 홀(hole)이 형성되기 때문에 OLED 발광층과 캐써드(cathode)를 형성하는 경우, 단락이 발생하여 소자 구동이 어려워질 수 있다.
따라서 이러한 문제점을 방지하고, 연결 표면을 평탄하게 만들기 위하여 무기 절연막의 몇 배(예를 들면, 약 10배) 두께에 해당하는 유기 절연막을 형성해주어야만 한다.
OLED 애노드(anode) 전극(107)은 무기절연막(106)에 형성된 비아홀(via hole)(111)을 통해 소스 및 드레인 전극(105) 중 어느 하나와 전기적으로 연결된다.
OLED 애노드(anode) 전극(107)은 전도성과 투명성이 모두 양호한 금속, 예를 들어, ITO, IZO, ITZO, 반투명 메탈 등으로 형성될 수 있다. OLED 애노드(anode) 전극(107) 상부에는 화소 정의막이 포함될 수 있고, 화소 정의막은 OLED 애노드(anode) 전극(107)을 부분적으로 노출시키는 개구부를 포함할 수 있다.
발광층(109)은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 이러한 발광층(109)은 OLED 애노드(anode) 전극(107)과 OLED 캐써드(cathode) 전극(110)으로부터 주입된 정공 및 전자가 결합하면서 발광한다.
OLED 캐써드(cathode) 전극(110)은 OLED 애노드(anode) 전극(107)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 여기서, 층간 절연층은 상기한 고체 입자 고용체를 포함하는 액체 유기물로 이루어진 잉크 재료를 사용한 인쇄 방식으로 형성된 미세 패턴으로 구현된다.
또한, 필요에 따라 화소 정의막, 게이트 절연막(103) 및 무기절연막(106)을 고체 입자 고용체를 포함하는 액체 유기물로 이루어진 잉크 재료를 사용한 인쇄 방식으로 형성된 미세 패턴으로 구현할 수 있다.
여기서는 유기 발광 표시 장치(100)가 투명 박막 트랜지스터(Thin Film Transister; TFT)를 포함하는 AMOLED(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode)로 구현되는 경우를 예를 들어 설명하였지만, 투명 박막 트랜지스터를 사용하지 않는 조명용 OLED 또는 PM OLED(Passive Matrix Organic Light-Emitting Diode)를 이용하여 유기 발광 표시 장치(100)가 구현될 수도 있다.
다음으로 도 2를 참조하여, 유기 발광 표시 장치가 제작되는 공정 순서를 설명한다.
도 2는 본 발명과 관련하여, 일반적인 유기 발광 표시 장치가 제작되는 공정 순서의 일례를 나타내는 순서도이다.
구체적인 설명에 앞서 이하에서 이용되는 패턴 공정의 일례를 먼저 설명한다.
크기가 매우 작은 반도체 칩이나 기판 위에 미세한 회로소자를 만들기 위해 필요한 공정이 패턴 공정이다. 예를 들어, 패턴 공정은 6 단계로 구성될 수 있다.
1 단계로 기본적인 글라스 위헤 최종적으로 만들고 있은 산출물을 올려놓는 증착 단계가 있다.
다음 단계로 감광물질을 바르는 포토레지스트 단계가 있다. 감광물질이란 빛(예를 들면, 자외선)에 민감하게 반응하는 물질을 말한다.
이후, 빛을 쏘아주는 노광 단계가 있다. 좀 더 구체적으로 설명하면, 만들고자 하는 회로를 먼저 마스크에 그리고, 상기 마스크에 빛을 쏘는 단계를 말한다.
노광 단계 이후, 현상 단계를 거친다. 현상 단계에서는 사진을 찍을 때 필름에 현상 되는 원리와 같이, 노광 단계에서 마스크에 패턴이 그려져 있지 않은 부분은 빛을 그대로 받아 감광물질 부분이 약해지고 빛을 받지 않은 부분은 코팅 상태를 유지하게 된다.
이후, 식각 공정을 거친다. 일반적으로 이는 애칭(Etching) 공정이라고도 불린다. 이 과정에서는 노광 공정에서 빛을 받지 않은 부분의 증착막을 제거하게 된다. 금속막을 식각시키는 경우에는 용액을 사용하는 습식 식각, 증착막이 반도체와 같은 절연체일 경우에는 플라즈마를 사용하는 건식 식각 등이 이용될 수 있다.
마지막으로 박리 단계를 거칠 수 있다. 박리단계에서는 증착막 위에 있는 감광제를 제거하는 공정으로 일반적으로 스트립 공정이라고도 불린다.
다시, 본 발명의 내용으로 복귀하여 유기 발광 표시 장치가 제작되는 공정 순서의 일례를 이하 설명해본다.
투명기판(110)은 유리 기판이 사용되며, 플렉서블 디스플레이를 구현하는 경우에는 플라스틱 기판이 사용될 수 있다.
먼저, 투명기판(110) 상단에 게이트 전극(102)이 증착되고, 패턴을 형성하는 추가 공정이 이루어진다(S201).
게이트 전극(102)의 패턴 공정 과정 이후, 메탈 컨택(Metal Contact)을 위해 게이트 절연막(103)이 증착되고, 패턴을 형성하는 추가 공정이 이루어진다(S202).
이후, 게이트 전극(102) 상단에 소오스/드레인 전극(105)이 증착되고, 패턴이 형성된다(S203).
소오스/드레인 전극(105)에 대한 패턴 형성 이후, 반도체(104)가 상단에 증착되고, 패턴 형성을 위한 추가 공정이 이루어진다(S204)
이후, 무기절연막(106)이 증착되고, 패턴이 형성될 수 있다(S205). 이때, 무기절연막(106)은 질화막, 산화막 등 투명절연성 재료로 형성될 수 있으며, 무기절연막(106)의 일부 영역을 식각하여 형성된 비아홀(111)이 형성된다.
무기 절연막(106)에 대한 패턴 공정이 완료되면, OLED 애노드(anode) 전극(107)이 증착되어 패턴 형성을 위한 과정을 거치고(S206), 이후 상단에 유기 절연막(108)이 증착된다(S207).
유기 절연막(108)은 전자 주입층(EIL;electron injection layer), 전자 수송층(ETL;electron transport layer), 유기 발광층(EML; emission layer), 정공 수송층(HTL;hole transport layer) 및 정공 주입층(HIL;hole injection layer)(139)을 포함할 수도 있다. 이 경우, 유기 절연막(108)은 전자 주입층, 전자 수송층, 유기 발광층, 정공 수송층 및 정공 주입층의 순서로 순차적으로 형성되며, 유기 박막층(130)은 증착 또는 코팅 방식을 통하여 형성된다.
다음으로 유기 절연막에 대한 패턴 공정이 완료되면, OLED 발광층(109)이 상단에 증착된다(S208).
OLED 발광층(109)의 증착 과정이 완료되면, 상단에 OLED 캐써드(cathode) 전극(110)이 증착된다(S209).
이후, 캐써드(cathode) 페시베이션(Passivation) 및 봉정(encap) 공정(S210)이 이루어짐으로써, 유기 발광 표시 장치(100)를 제조할 수 있다.
즉, S201 단계로부터 S210 단계까지의 10 단계 공정을 거쳐, 유기 발광 표시 장치(100)가 제조된다.
상기 10 단계의 공정 중 유기 절연막(108)을 증착하여 패턴을 형성하는 S206 과정이 필요한 이유는 OLED 애노드(anode) 전극(107)까지 형성된 이후의 표면에 요철이 형성되기 때문이다. 특히, 유기 발광 표시 장치(100)가 투명 박막 트랜지스터(Thin Film Transister: TFT)를 포함하는 경우, TFT 구동부의 소스/드레인 전극(105)과 유기 발광 표시 장치의 애노드(Anode) 전극(107)을 연결시키는 비아홀(Via hole)(111)이 존재한다.
이러한 TFT 부분의 비아홀(111)에는 무기절연막(106)의 두께에 해당하는 깊은 홀(hole)이 형성되기 때문에 OLED 발광층(109)과 캐써드(cathode)를 형성하는 경우, 단락이 발생하여 소자 구동이 어려워질 수 있다. 따라서 이러한 문제점을 방지하고, 연결 표면을 평탄하게 만들기 위하여 무기 절연막(106)의 몇 배(예를 들면, 약 10배) 두께에 해당하는 유기 절연막(108)을 형성하는 S206 단계가 요구된다.
도 3은 본 발명과 관련하여 비아홀(Via hole) 영역 및 발광영역을 표시하는 일례를 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 발광영역(312)의 측면에 비아홀(Via hole) 영역(311)이 존재한다는 것을 확인할 수 있다.
또한, 비아홀(Via hole) 영역(311)의 측면에서는 투명 박막 트랜지스터(Thin Film Transister: TFT)(313)가 연결되어 있다.
한편, 유기 발광 표시 장치를 제조하는 S201 단계로부터 S210 단계까지의 10 단계 공정 중 패턴 공정은 전술한 것과 같이 포토레지스트 단계, 노광 단계, 현상 단계, 식각 공정, 애칭(Etching) 공정 단계 및 박리 단계 등을 포함하 많은 시간과 비용이 소모될 수 있다.
특히, TFT 부분의 비아홀(111)에 무기절연막(106)의 두께에 해당하는 깊은 홀(hole)이 형성됨으로 인해 단락이 발생하는 문제점을 방지하기 위해 무기 절연막(106)의 몇 배(예를 들면, 약 10배) 두께에 해당하는 유기 절연막(108)을 형성하기 위한 패턴 공정과 관련된 S206 단계는 많은 시간과 비용을 요구하므로, 이에 대한 해결책이 요구된다.
따라서 본 발명에서는 소오스/드레인 전극(105)과 유기 발광 표시 장치(OLED)의 애노드(Anode) 전극(107)을 동일한 물질로 형성하는 방법을 제공한다.
즉, 앞서 기술한 유기 발광 표시 장치(100)를 구성하는 계층들 중에서 소오스/드레인 전극(105)과 OLED 애노드(anode) 전극(107)이 동일한 물질일 경우 드레인 전극과 OLED anode 전극을 일체형으로 형성시킬 수 있다.
이 경우, 기존 구조와는 달리 소오스/드레인 전극(105)과 OLED 애노드(anode) 전극(107)이 동일한 계층으로 형성될 수 있으므로, 무기 절연막에 형성했던 별도의 비아홀(111)이 필요 없게 된다. 또한, 이 비아홀(111)에 따른 문제점이 발생하지 않으므로 이를 덮고 있던 유기 절연막(108)의 제거도 가능해진다.
따라서, 유기 발광 표시 장치(100)의 제조과정에서 유기 절연막(108)을 형성하는 S206 단계는 생략될 수 있으므로, 공정 단계가 축소되어 시간 및 비용의 절감이 가능해진다. 또한, 비아홀(111)이 형성되어 있던 부분이 발광 영역으로 활용될 수 있으므로 기존의 구조보다 개구 비율(aperture ratio)이 증가되며, 이를 통해 패널의 전체적인 휘도 상승 효과를 가져올 수 있다.
이를 구체적으로 설명하기 위해 도 4를 참조한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예와 관련된 유기 절연막을 형성하지 않는 유기 발광 표시 장치를 상세하게 나타낸 단면도이다.
도 4를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 투명기판(410), 게이트 전극(420), 게이트 절연막(430), 반도체(440), 소오스/드레인 전극(450), 무기 절연막(460), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display: OLED) 애노드(anode) 전극(470), OLED 발광층(480) 및 OLED 캐써드(cathode) 전극(490) 등을 포함할 수 있다.
이때, 도 4에 도시된 소오스/드레인 전극(450)과 OLED 애노드 전극(470)은 동일한 물질로 구성될 수 있다.
즉, 전도성과 투명성이 모두 좋은 금속, 예를 들어 ITO, IZO, ITZO, ICO, 반투명 메탈 등으로 형성될 수 있다.
또한, 투명 전도성 물질로는 갈륨 도핑 산화아연(ZnO:Ga), 산화인듐주석(ITO(Indium Tin Oxide)), 불소 함유 산화주석(FTO(Fluorine doped Tin Oxide)), 산화아연(ZnO), 보론 도핑 산화아연(ZnO:B), 알루미늄 도핑 산화아연(ZnO:Al), 은(Ag), 산화주석(SnO2), 불소 도핑 산화주석(SnO2:F), 아연-갈륨-산소 화합물(ZnO:Ga2O3), 아연-알루미늄-산소 화합물(ZnO:Al2O3) 및 주석-안티몬-산소 화합물(SnO2: Sb2O3)로 구성된 그룹에서 선택된 하나의 물질 등을 포함할 수 있다.
이때, 소오스/드레인 전극(450)과 OLED 애노드 전극(470)은 동일한 물질로 구성되므로, 상기 소오스/드레인 전극(450)과 OLED 애노드 전극(470)을 전기적으로 연결시키기 위한 비아홀(111)을 형성할 필요가 없다.
따라서 도 4에 도시된 것과 같이, 소오스/드레인 전극(450)과 OLED 애노드 전극(470) 사이에는 비아홀(111)이 형성되어 있지 않다.
또한, 비아홀(111)에는 무기절연막(106)의 두께에 해당하는 깊은 홀(hole)이 형성되므로, OLED 발광층과 캐써드(cathode)를 형성하는 경우, 단락이 발생하여 소자 구동이 어려질 수 있다는 점을 해결하기 위한 유기 절연막(108)을 형성할 필요도 없다.
따라서 도 4는 도 1과 비교하여 유기 발광 표시 장치에 비아홀(111) 및 유기 절연막(108)이 존재하지 않는 특징이 인정된다.
이 경우, 소오스/드레인 전극(450)과 OLED 애노드 전극(470)이 동일한 물질로 구성되므로, 게이트 절연막의 형성을 생략하는 것도 가능하다.
더 나아가 도 5를 참조하여, 본 발명에 따른 유기 절연막을 형성하지 않는 유기 발광 표시 장치가 제작되는 공정 순서를 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예와 관련하여 유기 절연막을 형성하지 않는 유기 발광 표시 장치가 제작되는 공정 순서의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 5에서의 S501 내지 S506의 각 단계는 도 2에서 S201 내지 S206의 각 단계와 유사하므로 명세서의 간명화를 위해 구체적인 설명은 생략한다.
도 2에서는 무기 절연막(106)에 대한 패턴 공정이 완료되면, OLED 애노드(anode) 전극(107)이 증착되어 패턴 형성을 위한 과정을 거치고(S206), 이후 상단에 유기 절연막(108)이 증착된다(S207).
이에 반해 도 5에서는 OLED 애노드(anode) 전극(107)이 증착되어 패턴 형성을 위한 과정을 거친(S506) 이후, 유기 절연막(108)을 증착하는 과정을 수행하지 않고, 바로 OLED 발광층(109)을 상단에 증착하고, 패턴 형성을 위한 과정을 진행한다(S507).
이는 도 2에서의 S208 단계에 해당되는 것으로 결국, 도 2에서의 비아홀(111)을 형성하는 무기 절연막 증착 및 패턴 과정이 생략되는 효과가 인정된다.
따라서, 유기 발광 표시 장치(100)의 제조과정에서 유기 절연막(108)을 형성하는 S206 단계는 생략될 수 있으므로, 공정 단계가 축소되어 시간 및 비용의 절감이 가능해진다.
또한, 비아홀(111)이 형성되어 있던 부분이 발광 영역으로 활용될 수 있으므로 패널의 전체적인 휘도 상승 효과를 가져올 수 있다.
이를 좀 더 구체적으로 설명하기 위해 도 6을 참조한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예와 관련하여 유기 절연막을 형성하지 않는 유기 발광 표시 장치의 발광영역을 표시하는 일례를 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 비아홀(111)에 해당하는 부분이 사라졌으므로, 사라진 공간을 발광영역(612)으로 활용할 수 있다. 따라서 발광영역(612)의 측면에는 비아홀(111)에 해당하는 영역없이 바로 투명 박막 트랜지스터(Thin Film Transister: TFT)(612)가 연결된다.
이를 통해, 발광 영역은 더 확대될 수 있고, 기존의 구조보다 개구 비율(aperture ratio)이 증가되며, 이를 통해 패널의 전체적인 휘도 상승 효과도 가져올 수 있으므로 사용자에게 큰 편의가 제공될 수 있다.
또한, 게이트 절연막의 형성을 생략하는 경우, 도 2에서의 S203 단계를 생략할 수 있으므로, 공정 단계가 축소되어 시간 및 비용의 절감을 실현할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따르면, OLED 애노드 전극(470), OLED 캐써드(cathode) 전극(490)을 구성하는 물질의 종류 또는 각 전극의 두께를 조절하여 OLED 발광층(480)의 발광으로 인한 빛의 발산 방향을 제어하는 기능이 제공될 수 있다.
이를 도 4를 참조하여 설명한다.
OLED 발광층(480)의 발광으로 인한 빛의 발산 방향은 대표적으로 기판(410)을 향하는 방향과 OLED 캐써드(cathode) 전극(490)을 향하는 방향을 포함한다.
이때, 빛의 발산 방향은 투명 기판(410)을 향하는 것이 일반적이다. 이 경우, OLED 캐써드(cathode) 전극(490)은 불투명 또는 반투명 물질(예를 들면, 알루미늄 등)로 구성되고, OLED 애노드 전극(470)은 전도성과 투명성이 모두 좋은 금속, 예를 들어 ITO, IZO, ITZO, ICO, 반투명 메탈 등으로 구성될 수 있다.
예를 들어, OLED 캐써드(cathode) 전극(490)이 알루미늄이고, OLED 애노드 전극(470)이 ITO인 경우, OLED 발광층(480)의 발광으로 인한 빛은 알루미늄인 OLED 캐써드(cathode) 전극(490) 방향으로 나가지 못하고, ITO인 OLED 애노드 전극(470)을 거쳐 기판(410)을 향하는 방향으로 발산된다.
이와 달리, 빛의 발산 방향을 LED 캐써드(cathode) 전극(490)을 향하도록 제어할 수도 있다. 이 경우에는, OLED 캐써드(cathode) 전극(490)은 전도성과 투명성이 모두 좋은 금속, 예를 들어 ITO, IZO, ITZO, ICO, 반투명 메탈 등으로 구성되고, OLED 애노드 전극(470)은 불투명 또는 반투명 물질(예를 들면, 알루미늄 등)로 구성된다.
예를 들어, OLED 캐써드(cathode) 전극(490)이 ITO이고, OLED 애노드 전극(470)이 알루미늄인 경우, OLED 발광층(480)의 발광으로 인한 빛은 알루미늄인 OLED 애노드 전극(470)을 거쳐 기판(410)을 향하는 방향으로 발산되지 못하고, ITO인 OLED 캐써드(cathode) 전극(490) 방향으로 발산된다.
따라서 OLED 애노드 전극(470)과 OLED 캐써드(cathode) 전극(490)을 구성하는 물질의 종류를 변경하여 OLED 발광층(480)의 발광으로 인한 빛의 발산 방향을 변경하는 것이 가능하다.
또한, 각 전극의 두께를 조절하여 OLED 발광층(480)의 발광으로 인한 빛의 발산 방향을 제어할 수도 있다.
예를 들어, OLED 캐써드(cathode) 전극(490)이 알루미늄이고, OLED 애노드 전극(470)도 알루미늄인 경우, OLED 애노드 전극(470)의 두께를 얇게 하여 빛이 투과될 수 있도록 하면 OLED 발광층(480)의 발광으로 인한 빛은 OLED 애노드 전극(470)을 거쳐 기판(410)을 향하는 방향으로 발산된다.
이와 달리, OLED 캐써드(cathode) 전극(490)이 알루미늄이고, OLED 애노드 전극(470)도 알루미늄이며, LED 캐써드(cathode) 전극(490)의 두께를 얇게 하여 빛이 투과될 수 있도록 하면, OLED 발광층(480)의 발광으로 인한 빛은 OLED 캐써드(cathode) 전극(490) 방향으로 발산된다.
단, 전술한 OLED 캐써드(cathode) 전극(490) 및 OLED 애노드 전극(470)을 구성하는 물질은 단순한 예시에 불과하고, 다른 물질로도 본 발명의 내용이 구현될 수 있다.
따라서 OLED 캐써드(cathode) 전극(490) 및 OLED 애노드 전극(470)의 두께를 조절하여 OLED 발광층(480)의 발광으로 인한 빛의 발산 방향을 제어할 수도 있다.
한편, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, OLED 애노드 전극(470) 및 OLED 캐써드(cathode) 전극(490)을 구성하는 물질의 종류 또는 각 전극의 두께를 조절하여 OLED 발광층(480)의 발광으로 인한 빛이 양측면으로 발산되도록 제어하는 기능이 제공될 수 있다.
이를 도 4를 참조하여 설명한다.
예를 들어, OLED 캐써드(cathode) 전극(490)이 알루미늄이고, OLED 애노드 전극(470)이 ITO인 경우, OLED 발광층(480)의 발광으로 인한 빛은 알루미늄인 OLED 캐써드(cathode) 전극(490) 방향으로 나가지 못하고, ITO인 OLED 애노드 전극(470)을 거쳐 기판(410)을 향하는 방향으로 발산된다.
이때, OLED 캐써드(cathode) 전극(490)을 구성하는 물질을 ITO로 하거나 OLED 캐써드(cathode) 전극(490)의 두께를 얇게 하여 빛이 투과될 수 있도록 하면 OLED 발광층(480)의 발광으로 인한 빛은 OLED 캐써드(cathode) 전극(490) 방향으로도 발산될 수 있다. 따라서 LED 발광층(480)의 발광으로 인한 빛이 양측면으로 발산되도록 제어하는 기능이 제공될 수 있다.
이와 반대로, OLED 캐써드(cathode) 전극(490)이 ITO이고, OLED 애노드 전극(470)이 알루미늄인 경우, OLED 발광층(480)의 발광으로 인한 빛은 알루미늄인 OLED 애노드 전극(470)을 거쳐 기판(410)을 향하는 방향으로 발산되지 못하고, ITO인 OLED 캐써드(cathode) 전극(490) 방향으로 발산된다.
이때, OLED 애노드 전극(470)을 구성하는 물질을 ITO로 하거나 OLED 애노드 전극(470)의 두께를 얇게 하여 빛이 투과될 수 있도록 하면 OLED 발광층(480)의 발광으로 인한 빛은 OLED 애노드 전극(470)을 거쳐 기판(410)을 향하는 방향으로 발산될 수 있다. 따라서 LED 발광층(480)의 발광으로 인한 빛이 양 측면으로 발산되도록 제어하는 기능이 제공된다.
한편, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 유기 발광 표시 장치(100)가 양면 발광하는 경우, 양면 발광 선택부를 포함하여, 단면 발광 또는 양면 발광 중 어느 하나로 동작하도록 제어하는 기능이 제공될 수 있다.
전술한 것과 같이 유기 발광 표시 장치(100)는 양면으로 발광할 수 있고, 이는 OLED 캐써드 전극(490) 및 OLED 애노드 전극(470)을 구성하는 물질 또는 두께를 조절하여 제어될 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치(100)의 상면 또는 하면에 유기 발광 표시 장치(100)가 양면 발광을 할 것인지 단면 발광을 할 것인지를 선택하는 양면 발광 선택부가 포함될 수도 있다.
이를 도 7을 참조하여 설명한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예와 관련하여 유기 발광 표시 장치의 양면 발광 선택부의 일례를 나타낸 도면이다.
도 7을 참조하면, 양면 발광 선택부(700)에는 제 1 투명 전극(710)과 제 2 투명 전극(720)이 형성되어 있으며, 제 1 투명 전극(710)과 제 2 투명 전극(720) 사이에 전해질 층이 형성된다. 여기서, 전해질 층은 은, 금, 티타늄 등의 금속을 이용한 콜로이드 형태로 형성한 일렉트로 크로믹 물질층이다. 일반적으로 일렉트로 크로믹 소자(electrochromic device)는 작동 전극, 전해질 층 및 카운터 전극을 포함하며, 작동 전극 및 카운터 전극에 전원전압이 공급되면, 작동 전극과 카운터 전극 사이에 배치된 전해질 층에 전류가 흐르게 되고, 전해질 층 내부에서 전기 화학적 산화/환원 반응에 의해 가역적으로 착색된다.
전해질 층은 하나 또는 다수의 일렉트로 크로믹 물질 층을 포함하며, 각 일렉트로 크로믹 물질층은 WO3, MoO3, In(OH)3, In4O2, Fe(OH)2, Nb2O3 등의 무기 산화물, Bi 금속, 콜로이드 등의 무기/금속 화합물, 유기물 등으로 형성될 수 있다. 여기서는 효율적인 단면 발광을 위해 검은색으로 착색될 수 있는 In(OH)3 등의 물질을 사용하는 것이 바람직하다.
제 1 투명 전극(710)은 일렉트로 크로믹 소자의 작동 전극으로서, 활성 원소로 수소 이온을 함유하는 산화 텅스텐으로 형성될 수 있으며, 신뢰성을 향상시키기 위하여 리튬 이온을 더 함유하는 산화 텅스텐으로도 형성될 수도 있다.
또한, 제 1 투명 전극(710)은 리튬 이온과 산화 텅스텐의 반응 속도를 향상시키기 위하여 산화 텅스텐의 포타슘 화합물을 증착하는 방법에 의하여 형성되도록 하여 산화 텅스텐이 일정한 방향성의 결정 구조를 가지도록 할 수 있다. 또한, 제 1 투명 전극(710)은 ITO, IZO 등의 투명 도전성 물질 또는 Al, Al 합금, Cu/Ag 또는 Mg/Ag 등의 금속 물질로 형성될 수 있으며, SnO2, In2O3, ITO, SnO2 또는 In2O3을 코팅한 막에 Sn 또는 Sb를 도핑하여 형성될 수도 있다.
한편, 제 2 투명 전극(720)은 일렉트로 크로믹 소자의 카운터 전극으로서, 산화 니켈을 이용하여 형성될 수 있으며, ITO, IZO 등의 투명 도전성 물질 또는 Al, Al 합금, Cu/Ag, Mg/Ag 등의 금속 물질로 형성될 수 있으며, SnO2, In2O3, ITO, SnO2 또는 In2O3을 코팅한 막에 Sn 또는 Sb를 도핑하여 형성될 수도 있다.
전술한 양면 발광 선택부(700)는 전원 공급부에서 인가되는 전원 전압이 제 1 투명 전극(710)과 제 2 투명 전극(720)에 인가됨에 따라 빛을 차단 또는 투과시킬 수 있다.
따라서 양면 발광 선택부(700)의 전해질 층은 제 1 투명 전극(710)과 제 2 투명 전극(720)에 전원전압이 인가되지 않은 오프 상태에서는 투명한 상태를 유지하고, 제 1 투명 전극(710)과 제 2 투명 전극(720)에 전원 전압이 인가되는 온 상태에서는 착색되어 불투명한 상태가 될 수 있다. 이를 통해, 사용자가 양면 발광을 원하는 경우, 양면 발광 선택부(700)의 제 1 투명 전극(710)과 제 2 투명 전극(720)에 전원 공급부로부터 전원전압을 인가하지 않아 전해질 층을 투명하게 유지함으로써 양면 유기 발광 표시 장치(100)는 양면 발광을 실현할 수 있다.
사용자가 단면 발광을 원하는 경우 양면 발광 선택부(700)의 제 1 투명 전극(710)과 제 2 투명 전극(720)에 전원 공급부로부터 전원전압을 인가하여 전해질을 불투명한 상태로 구현하여 유기 발광 표시부의 한쪽 면을 착색하여 양면 유기 발광 표시 장치(100)는 단면 발광을 실현할 수 있다. 상기한 실시예에서는 유기 발광 표시부의 하부면을 검은색으로 착색하는 경우를 예를 들어 설명하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 검은색이 아닌 은색이나 푸른색 등으로 착색할 수도 있다.
또한, 상기에서는 양면 발광 선택부(700)가 유기 발광 표시 장치(100)의 하단에 연결되는 것으로 설명하였으나 상단에 위치하는 것에도 동일한 내용이 적용될 수 있다.
이때, 유기 발광 표시 장치(100)의 배면이 어두운 색으로 착색되면 유기 발광 표시 장치(100)에 의해 실현되는 영상의 휘도 및 콘트라스트도 향상시킬 수 있다.
한편, 양면 발광 선택부(700)를 고분자 분산형 액정(polymer dispersed liquid crystal; PDLC)을 사용하여 형성할 수 있다. 고분자 분산형 액정은 액정 표시 장치(LCD)에 사용되는 액정 셀의 일종으로, 빛의 투과를 빛의 산란 강도에 따라 제어하며 편광판을 필요로 하지 않는 것이 특징이다. 고분자 중에 수 mm의 액정 분자립이 다수 분산되어 있는 것 또는 그물 모양의 고분자 중에 액정이 포함되어 있는 것 등 몇 가지 종류의 구조가 제안되어 있다. 고분자 분산형 액정은 전압이 인가되지 않은 상태에서 액정 분자는 불규칙한 방향이 되고 매체와의 굴절률이 다른 계면에서 산란을 일으켜 불투명한 상태가 되는 반면에, 전압을 가하면 액정의 방향이 가지런하게 되고 양자의 굴절률이 일치하여 투명 상태가 된다.
단, 상기한 실시예에서는 동적 유기 발광소자(AMOLED)를 이용한 양면 유기 발광 표시 장치를 예를 들어 설명하였으나, LCD(Liquid Crystal Display), FED(Field Emission Display), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display) 및 VFD(Vacuum Fluorescent Display)에도 응용되어 적응될 수 있다.
또한, 상기와 같이 설명된 유기 발광 표시 장치(100)는 상기 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
Claims (20)
- 기판;
상기 기판 상에 형성된 반도체층;
상기 반도체층에 형성된 소오스 및 드레인 전극;
상기 기판 상에 형성된 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 형성된 유기 발광층; 및
상기 유기 발광층 상에 형성되어 상기 제 1 전극과 함께 전계를 형성하는 제 2 전극을 포함하되,
상기 소오스 및 드레인 전극과 상기 제 1 전극은 동일한 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치. - 제 1항에 있어서,
상기 유기 발광층은 능동형 유기 발광 소자(Active Matrix Organic Light Emitting Display: AMOLED), 조명용 유기 발광 소자 및 수동형 유기 발광 소자(Passive Matrix Organic Light Emitting Display: AMOLED) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치. - 제 1항에 있어서,
무기 절연막을 더 포함하고,
상기 무기 절연막은 상기 유기 발광층 및 상기 제 2 전극이 형성된 층과 상기 소오스 및 드레인 전극이 형성된 층 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치. - 제 1항에 있어서,
게이트 절연막; 및
상기 기판과 상기 게이트 절연막 사이에 형성된 게이트 전극을 더 포함하되,
상기 게이트 절연막은 상기 반도체층 및 상기 제 1 전극이 형성된 층과 상기 기판 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치. - 제 1항에 있어서,
게이트 절연막; 및
상기 기판과 상기 게이트 절연막 사이에 형성된 게이트 전극을 더 포함하되,
상기 게이트 절연막은 상기 반도체층과 상기 기판 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치. - 제 1항에 있어서,
상기 제 1 전극 또는 상기 제 2 전극은 금속성 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치. - 제 6항에 있어서,
상기 금속성 물질은 투명전도성 물질인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치. - 제 7항에 있어서,
상기 금속성 물질은 갈륨 도핑 산화아연, 산화인듐주석, 불소 함유 산화주석, 산화아연, 보론 도핑 산화아연, 알루미늄 도핑 산화아연, 은, 산화주석, 불소 도핑 산화주석, 아연-갈륨-산소 화합물, 아연-알루미늄-산소 화합물 및 주석-안티몬-산소 화합물로 구성된 그룹에서 선택된 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치. - 기판;
상기 기판 상에 형성된 반도체층;
상기 반도체층에 형성된 소오스 및 드레인 전극;
상기 기판 상에 형성된 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 형성되어 양면으로 빛을 발산하는 유기 발광층; 및
상기 유기 발광층 상에 형성되어 상기 제 1 전극과 함께 전계를 형성하는 제 2 전극을 포함하되,
상기 소오스 및 드레인 전극과 상기 제 1 전극은 동일한 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치. - 제 9항에 있어서,
상기 유기 발광층은 능동형 유기 발광 소자(Active Matrix Organic Light Emitting Display: AMOLED), 조명용 유기 발광 소자 및 수동형 유기 발광 소자(Passive Matrix Organic Light Emitting Display: AMOLED) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치. - 제 9항에 있어서,
상기 기판의 하부에 위치하고, 전원의 인가여부에 따라 투명 또는 불투명 상태가 되어 상기 유기 발광층에 의해 발상되는 빛이 양면 또는 단면으로 표시되도록 선택하기 위한 양면 발광 선택부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치. - 제 11항에 있어서,
상기 양면 발광 선택부는 적어도 하나의 일렉트로 크로믹 물질층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치. - 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계;
상기 형성된 반도체층에 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;
상기 형성된 제 1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 형성된 유기 발광층 상에 상기 제 1 전극과 함께 전계를 형성하는 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 소오스 및 드레인 전극과 상기 제 1 전극은 동일한 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법. - 제 13항에 있어서,
무기 절연막을 생성하는 단계를 더 포함하고,
상기 무기 절연막은 상기 유기 발광층 및 상기 제 2 전극이 형성된 층과 상기 소오스 및 드레인 전극이 형성된 층 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법. - 제 13항에 있어서,
게이트 전극 및 게이트 절연막을 생성하는 단계를 더 포함하고,
상기 게이트 전극은 상기 기판과 상기 게이트 절연막 사이에 형성되고, 상기 게이트 절연막은 상기 반도체층 및 상기 제 1 전극이 형성된 층과 상기 기판 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법. - 제 13항에 있어서,
게이트 전극 및 게이트 절연막을 생성하는 단계를 더 포함하고,
상기 게이트 전극은 상기 기판과 상기 게이트 절연막 사이에 형성되고, 상기 게이트 절연막은 상기 반도체층과 상기 기판 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법. - 제 13항에 있어서,
상기 유기 발광층은 능동형 유기 발광 소자(Active Matrix Organic Light Emitting Display: AMOLED), 조명용 유기 발광 소자 및 수동형 유기 발광 소자(Passive Matrix Organic Light Emitting Display: AMOLED) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법. - 제 13항에 있어서,
상기 제 1 전극 또는 상기 제 2 전극은 금속성 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법. - 제 18항에 있어서,
상기 금속성 물질은 투명전도성 물질인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법. - 제 19항에 있어서,
상기 금속성 물질은 갈륨 도핑 산화아연, 산화인듐주석, 불소 함유 산화주석, 산화아연, 보론 도핑 산화아연, 알루미늄 도핑 산화아연, 은, 산화주석, 불소 도핑 산화주석, 아연-갈륨-산소 화합물, 아연-알루미늄-산소 화합물 및 주석-안티몬-산소 화합물로 구성된 그룹에서 선택된 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
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| WO2020071605A1 (ko) * | 2018-10-02 | 2020-04-09 | 연세대학교 산학협력단 | 능동형 유기 발광 소자 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 |
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