KR20130000553A

KR20130000553A - Adhesive, heater and method producing of heater using the same

Info

Publication number: KR20130000553A
Application number: KR1020110061113A
Authority: KR
Inventors: 김경민
Original assignee: (주)티티에스
Priority date: 2011-06-23
Filing date: 2011-06-23
Publication date: 2013-01-03
Also published as: KR101334223B1

Abstract

PURPOSE: An adhesive is provided to have excellent adhesion and high resistance to thermal impacts and is to be used for an apparatus used in an environment for high temperatures. CONSTITUTION: An adhesive which bonds objects consisting of SiO2 comprises SiO2 and a metal oxide mixed with SiO2. A heater for heating a substrate which is mounted on one side of the heater comprises a heater block(320) in which a heating body for heating the substrate is inserted, and a plate which is arranged in at least one of the upper part and lower part of the heater block. The heater block and the plate are attached by the adhesive. The plate is a shield plate(330) having a shield electrode which is inserted inside the plate.

Description

Adhesive, Heater and Method of Manufacturing Heater Using the Same {Adhesive, heater and method Producing of heater using the same}

본 발명은 제조가 용이한 접착제, 히터 및 이를 이용한 히터의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive, a heater, and a method of manufacturing a heater using the same, which are easy to manufacture.

반도체 제조 장치는 내부 공간을 가지는 챔버, 챔버 내에 위치하여 기판을 지지 가열하는 히터, 챔버 내에서 히터의 상측에 대응 배치되어 기판 상에 기판 처리 원료를 분사하는 원료 분사부를 포함한다. 일반적으로 히터로 내열성 및 열충격에 우수한 석영 히터를 이용한다. 이러한 히터는 베이스 플레이트, 베이스 플레이트 상부에 배치되며 내측에 발열체가 삽입된 히터 블럭, 히터 블럭 상부에 배치되며 내측에 실드 전극이 삽입된 실드 플레이트, 실드 플레이트 상부에 배치되는 커버 플레이트를 포함한다. 그리고 베이스 플레이트, 히터 블럭, 실드 플레이트 및 커버 플레이트 각각은 석영으로 제작된다.The semiconductor manufacturing apparatus includes a chamber having an internal space, a heater positioned in the chamber to support and heat the substrate, and a raw material injection unit disposed corresponding to an upper side of the heater in the chamber to inject the substrate processing material onto the substrate. In general, a quartz heater having excellent heat resistance and thermal shock is used as the heater. The heater includes a base plate, a heater block disposed above the base plate and having a heating element inserted therein, a shield plate disposed above the heater block and having a shield electrode inserted therein, and a cover plate disposed above the shield plate. The base plate, heater block, shield plate and cover plate are each made of quartz.

한편, 종래의 석영 히터의 경우 용접에 의해 베이스 플레이트와 히터 블럭 사이, 히터 블럭과 실드 플레이트 사이, 실드 플레이트와 커버 플레이트 사이가 접합된다. 이때, 베이스 플레이트, 히터 블럭, 실드 플레이트, 커버 플레이트를 동시에 용접할 수 없으므로, 각각을 단계적으로 용접한다. 즉, 예를 들어, 베이스 플레이트와 히터 블럭, 히터 블럭과 실드 플레이트, 실드 플레이트와 커버 플레이트 순으로 용접한다. 이와 같이 각각을 단계적으로 용접할 경우, 각각의 용접 부위가 깨져, 히터가 손상되는 문제가 발생된다. 이에, 히터의 생산 수율이 낮아지고, 이는 석형 히터의 제조 원가를 높이는 요인이 된다.On the other hand, in the conventional quartz heater, the base plate and the heater block, the heater block and the shield plate, and the shield plate and the cover plate are joined by welding. At this time, the base plate, the heater block, the shield plate, and the cover plate cannot be welded at the same time, so that each is welded step by step. That is, for example, the base plate and the heater block, the heater block and the shield plate, the shield plate and the cover plate in the order of welding. When welding each step in this way, each welding site is broken and a problem arises that a heater is damaged. As a result, the production yield of the heater is lowered, which increases the manufacturing cost of the stone heater.

또한, 용접을 통한 접합의 경우 베이스 플레이트와 히터 블럭 사이, 히터 블럭과 실드 플레이트 사이, 실드 플레이트와 커버 플레이트 사이를 압착(press)하는 압착(press) 공정이 수반되어야 하는 번거로움이 있다. 그리고 압착(press) 및 용접 공정은 일반적으로 고가의 진공로에서 진행된다. 이에, 압착(press) 공정으로 인한 전체 제조 공정 시간 및 고가의 진공로의 마련을 위한 생산 비용이 증가하는 문제가 발생 된다.In addition, in the case of joining through welding, a press process of pressing the base plate and the heater block, the heater block and the shield plate, and the shield plate and the cover plate is cumbersome. Press and welding processes are generally carried out in expensive vacuum furnaces. Accordingly, there is a problem that the production cost for the preparation of the entire manufacturing process time and the expensive vacuum furnace due to the press (press) process increases.

이러한 문제를 해결하기 위하여 종래에는 SiO₂로 이루어진 접착제를 이용하였으나, 고온(예컨데, 400도 이상)의 온도에서 깨지는 문제점이 있었다. 따라서, 고온의 환경에서 기판 처리 공정을 진행할 경우, 히터의 접합부위가 깨져 손상되고, 이로 인해 공정이 중단되는 문제가 있다.Conventionally, in order to solve this problem, an adhesive made of SiO ₂ was used, but there was a problem of breaking at a high temperature (for example, 400 degrees or more). Therefore, when the substrate processing process is carried out in a high temperature environment, there is a problem that the bonding portion of the heater is broken and damaged, thereby stopping the process.

본 발명의 일 기술적 과제는 히터 블럭과 플레이트 사이가 용이하게 접합된 히터 및 히터의 제조 방법을 제공하는 데 있다.One technical problem of the present invention is to provide a heater and a method of manufacturing the heater that are easily bonded between the heater block and the plate.

본 발명의 또 다른 일 기술적 과제는 석영(SiO₂)으로 각기 제작된 히터 블럭과 플레이트 사이가 용이하게 접합된 석영 히터 및 석영 히터의 제조 방법을 제공하는 데 있다.Another technical problem of the present invention is to provide a method of manufacturing a quartz heater and a quartz heater in which a heater block made of quartz (SiO ₂ ) and a plate are easily bonded to each other.

본 발명의 다른 일 기술적 과제는 석영(SiO₂)으로 이루어진 접합 대상물 간을 용이하게 접합시킬 수 있는 접착제를 제공하는 데 있다.Another technical problem of the present invention is to provide an adhesive that can easily bond between bonding objects made of quartz (SiO ₂ ).

본 발명은 SiO₂로 이루어진 접합 대상물 간을 접합시키는 접착제에 관한 것으로, SiO₂, 상기 SiO₂와 혼합되는 금속산화물을 포함한다.The present invention relates to an adhesive for bonding between the bonding target consisting of SiO _2, it comprises a metal oxide is mixed with SiO _2, the SiO _2.

상기 금속산화물은 ZnO, B₂O₃, K₂O, Li₂O를 포함한다.The metal oxide includes ZnO, B ₂ O ₃ , K ₂ O, Li ₂ O.

상기 금속산화물은 Al₂O₃, CuO 및 Na₂O 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 것이 바람직하다.Preferably, the metal oxide further includes at least one of Al ₂ O ₃ , CuO, and Na ₂ O.

상기 SiO₂가 전체의 20 중량% 내지 50 중량% 포함된다.The SiO ₂ is included 20 to 50% by weight of the total.

상기 SiO₂가 전체의 20 중량% 내지 25 중량% 포함되는 것이 효과적이다.It is effective to include 20 wt% to 25 wt% of SiO ₂ .

상기 ZnO가 3 중량% 내지 25 중량%, B₂O₃가 10 중량% 내지 20 중량%, Li₂O가 0.5 내지 15 중량%, K₂O가 1.5 중량% 내지 10 중량% 포함된다.The ZnO is 3 wt% to 25 wt%, B ₂ O ₃ is 10 wt% to 20 wt%, Li ₂ O is 0.5 to 15 wt%, K ₂ O is included 1.5 wt% to 10 wt%.

상기 Al₂O₃는 1.5 중량% 내지 15 중량%로 포함되고, 상기 CuO는 0.5 중량% 내지 3 중량%로 포함되고, Na₂O는 0.5 중량% 내지 10 중량%로 포함되는 것이 바람직하다.The Al ₂ O ₃ is contained in 1.5% by weight to 15% by weight, the CuO is contained in 0.5% by weight to 3% by weight, Na ₂ O is preferably included in 0.5% by weight to 10% by weight.

상기 ZnO가 20 중량% 내지 25 중량%, B₂O₃가 15 중량% 내지 20 중량%, Li₂O가 3 중량% 내지 15 중량%, K₂O가 6 중량% 내지 10 중량% 포함된다20 wt% to 25 wt% of ZnO, 15 wt% to 20 wt% of B ₂ O ₃ , 3 wt% to 15 wt% of Li ₂ O, and 6 wt% to 10 wt% of K ₂ O;

상기 Al₂O₃는 3 중량% 내지 15 중량%로 포함되고, 상기 Na₂O는 5 중량% 내지 10 중량%로 포함된다.The Al ₂ O ₃ is included in 3% by weight to 15% by weight, the Na ₂ O is included in 5% by weight to 10% by weight.

본 발명은 일측에 기판이 안치되고, 상기 기판을 가열하는 히터에 한 것으로, 내측에 상기 기판을 가열하는 발열체가 삽입된 히터 블럭, 상기 히터 블럭의 상부 및 하부 중 적어도 어느 하나에 배치된 플레이트를 포함하고, 상기 히터 블럭과 플레이트 사이는 접착제에 의해 접합되며, 상기 접착제는 SiO₂, 상기 SiO₂와 혼합되는 금속산화물을 포함한다.According to the present invention, a substrate is placed on one side and a heater for heating the substrate. The heater block includes a heater block into which a heating element for heating the substrate is inserted, and a plate disposed on at least one of upper and lower portions of the heater block. And a bonding between the heater block and the plate by an adhesive, the adhesive comprising SiO ₂ , a metal oxide mixed with the SiO ₂ .

상기 히터 블럭의 상부에 배치되는 플레이트는 내측에 실드 전극이 삽입 설치된 실드 플레이트이다.The plate disposed above the heater block is a shield plate in which a shield electrode is inserted.

상기 실드 플레이트 상부에 커버 플레이트가 배치된다.A cover plate is disposed on the shield plate.

상기 히터 블럭의 하부에 배치되는 플레이트는 내측에 반사 부재가 삽입 설치된 베이스 플레이트이다.The plate disposed below the heater block is a base plate in which a reflective member is inserted.

상기 히터 블럭 및 플레이트는 SiO₂로 제작된다.The heater block and plate are made of SiO ₂ .

상기 접착제의 금속산화물은 ZnO, B₂O₃, K₂O, Li₂O를 포함한다.The metal oxide of the adhesive includes ZnO, B ₂ O ₃ , K ₂ O, Li ₂ O.

상기 금속산화물은 Al₂O₃ 및 CuO 및 Na₂O 중 적어도 어느 하나를 더 포함한다.The metal oxide further includes at least one of Al ₂ O ₃ and CuO and Na ₂ O.

상기 접착제는 SiO₂가 전체의 25 중량% 내지 50 중량%, ZnO가 3 중량% 내지 25 중량%, B₂O₃가 10 중량% 내지 20 중량%, Li₂O가 0.5 중량% 내지 5 중량%, K₂O가 1.5 중량% 내지 10 중량% 포함한다.The adhesive may be 25 to 50% by weight of SiO ₂ , 3 to 25% by weight of ZnO, 10 to 20% by weight of B ₂ O ₃ , and 0.5 to 5% by weight of Li ₂ O. , K ₂ O from 1.5% by weight to 10% by weight.

상기 Al₂O₃는 1.5 중량% 내지 15 중량%로 포함되고, 상기 CuO는 0.5 중량% 내지 3 중량%로 포함되고, Na₂O는 0.5 중량% 내지 10 중량%로 포함한다.The Al ₂ O ₃ is contained in 1.5% by weight to 15% by weight, the CuO is contained in 0.5% by weight to 3% by weight, Na ₂ O is included in 0.5% by weight to 10% by weight.

본 발명은 일측에 기판이 안치되고, 상기 기판을 가열하는 히터의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 기판을 가열하는 히터 블럭을 마련하는 과정, 상기 히터 블럭의 상부 및 하부 중 적어도 어느 하나와 접합되는 플레이트를 마련하는 과정, SiO2, 상기 SiO2와 혼합되는 금속산화물을 포함하는 접착제를 마련하고, 상기 접착제를 히터 블럭과 플레이트 사이에 도포하는 과정, 상기 접착제를 가열하여, 상기 히터 블럭과 플레이트를 사이를 접합시키는 과정을 포함한다.The present invention relates to a method for manufacturing a heater in which a substrate is placed on one side and to heat the substrate, the method comprising: providing a heater block for heating the substrate, and a plate joined to at least one of the upper and lower portions of the heater block. The process of preparing a, SiO2, preparing an adhesive comprising a metal oxide mixed with the SiO2, and applying the adhesive between the heater block and the plate, by heating the adhesive, bonding the heater block and the plate between It includes the process of making.

상기 접착제를 가열하는 과정에 있어서, 제 1 온도로 상기 접착제를 가열하고, 상기 제 1 온도에 비해 높은 제 2 온도로 상기 접착제를 재 가열하며, 상기 제 1 온도는 350도 내지 450도가 되도록하고, 제 2 온도는 950도 내지 1100도가 되도록 하는 것이 바람직하다.In the process of heating the adhesive, the adhesive is heated to a first temperature, reheating the adhesive to a second temperature higher than the first temperature, the first temperature is 350 to 450 degrees, Preferably, the second temperature is set to 950 degrees to 1100 degrees.

상기 제 1 온도는 400 내지 450도 이고, 제 2 온도는 1000도 내지 1100도인 것이 바람직하다.The first temperature is 400 to 450 degrees, and the second temperature is preferably 1000 to 1100 degrees.

본 발명의 실시예에 따른 접착제는 SiO₂와 금속산화물을 포함하며, 페이스트 형태로 제작된다. 이러한 접착제는 접착 능력이 우수하며, 열충격에 강하여, 고온의 환경에서 사용되는 장치에 접착제로 사용될 수 있다. The adhesive according to the embodiment of the present invention includes SiO ₂ and a metal oxide, and is manufactured in paste form. Such an adhesive has excellent adhesive ability and is resistant to thermal shock, and thus can be used as an adhesive in a device used in a high temperature environment.

예컨데, 이와 같은 접착제를 히터를 제조하는데 사용할 경우, 접합이 용이한 히터를 제조할 수 있다. 즉, 히터 블럭과 플레이트 사이에 실시예에 따른 접착제를 도포하고, 이를 가열함으로써 상기 히터 블럭과 플레이트 사이가 접합된다. 이때, 전술한 바와 같이 접착제가 페이스트 형태이므로, 히터 블럭 및 플레이트의 형상과 공정 조건에 따라 상기 접착제를 다양한 위치에 도포할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 접착제를 이용할 경우 종래와 같은 용접 공정에 비해 접합 부위의 변경이 용이하다. 또한, 종래에서와 같이 압착(press) 공정을 거치지 않고도 접착제의 가열을 통해 히터 블럭과 플레이트 사이를 용이하게 접합시킬 수 있다. 그리고 고가의 진공로에서 진행하지 않아도 되므로, 접합 공정을 위한 비용을 줄일 수 있다.For example, when such an adhesive is used to produce a heater, a heater that can be easily bonded can be produced. That is, the adhesive between the heater block and the plate is applied and the adhesive is heated between the heater block and the plate. In this case, as described above, since the adhesive is in the form of a paste, the adhesive may be applied at various positions according to the shape and process conditions of the heater block and the plate. That is, in the case of using the adhesive according to the embodiment, it is easier to change the joint site than in the conventional welding process. In addition, it is possible to easily bond between the heater block and the plate through the heating of the adhesive without going through a pressing process as in the prior art. And since it does not have to proceed in an expensive vacuum furnace, the cost for the bonding process can be reduced.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 히터를 구비하는 기판 처리 장치를 도시한 단면도
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 히터를 확대 도시한 단면도
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 히터를 확대 도시한 입체 도면
도 4a 및 도 4b는 실시예에 따른 접착제를 이용하여 히터를 제조하는 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도
도 5는 실시예에 따른 접착제를 열처리하는 방법을 설명하기 위한 그래프
도 6은 실시예에 따른 접착제를 이용하여 제조한 히터의 사진
도 7 및 도 8은 비교예에 따른 접착제를 이용하여 제조한 히터의 사진1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus having a heater according to an embodiment of the present invention.
2 is an enlarged cross-sectional view of a heater according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is an enlarged three-dimensional view showing a heater according to an embodiment of the present invention;
4A and 4B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a heater using an adhesive according to an embodiment.
5 is a graph for explaining a method of heat treating the adhesive according to the embodiment
6 is a photograph of a heater manufactured using the adhesive according to the embodiment
7 and 8 are photographs of a heater manufactured using the adhesive according to the comparative example

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art. It is provided for complete information.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 히터를 구비하는 기판 처리 장치를 도시한 단면도이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 히터를 확대 도시한 단면도이다. 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 히터를 확대 도시한 입체 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus having a heater according to an embodiment of the present invention. 2 is an enlarged cross-sectional view of a heater according to an exemplary embodiment of the present invention. 3 is an enlarged three-dimensional view of a heater according to an embodiment of the present invention.

실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판(S) 또는 기판(S) 상에 형성된 박막을 식각하는 식각 장치이다. 이러한 기판 처리 장치는 도 1에 도시된 바와 같이 내부 공간을 가지는 챔버(100), 챔버(100) 내에 위치하여 기판(S)을 지지하는 기판 지지 모듈(500), 챔버(100) 내에서 기판 지지 모듈(500)의 상측에 대응 배치되어 기판(S) 상에 기판 처리 원료를 공급하는 원료 분사부(200) 및 기판 지지 모듈(500)에 열원을 공급하는 제 1 및 제 2 전원 공급부(510, 520)를 포함한다. 또한, 원료 분사부(200)에 플라즈마 발생을 위한 전원을 인가하는 플라즈 전원 발생부(210)를 포함한다. 여기서 기판 지지 모듈(500)은 기판(S)을 지지하고 이를 가열하는 히터(300), 히터(300)의 일단에 연결되어 상기 히터(300)를 지지하는 샤프트(410) 및 샤프트(410)와 연결되어 상기 샤프트(410)에 승하강 및 회전 동력을 제공하는 구동부(420)를 포함한다.The substrate processing apparatus according to the embodiment is an etching apparatus for etching the substrate S or the thin film formed on the substrate S. 1, the substrate processing apparatus includes a chamber 100 having an internal space, a substrate support module 500 positioned in the chamber 100 to support the substrate S, and a substrate supported in the chamber 100. A first and second power supply units 510 disposed corresponding to the upper side of the module 500 and supplying a heat source to the substrate support module 500 and a raw material injection unit 200 for supplying a substrate processing material onto the substrate S; 520). In addition, the raw material injection unit 200 includes a plasma power generation unit 210 for applying a power for generating plasma. Herein, the substrate support module 500 may include a heater 300 that supports the substrate S and heats it, a shaft 410 and a shaft 410 connected to one end of the heater 300 to support the heater 300. It is connected to include a drive unit 420 for providing a lifting and rotating power to the shaft 410.

챔버(100)는 내부가 비어있는 사각통 형상으로 제작되며, 내부에는 기판(S)을 처리할 수 있는 소정의 반응 공간이 마련된다. 실시예에서는 챔버(100)를 사각 통 형상으로 제작하였으나, 이에 한정되지 않고, 기판(S)의 형상에 대응되는 다양한 형상으로 제작될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 챔버(100)의 일측에는 기판(S)이 출입하는 출입구(미도시)가 마련되며, 챔버(100) 내부의 압력을 조절하는 압력 조절 수단(미도시) 및 챔버(100)의 내부를 배기하는 배기 수단(미도시)을 구비할 수도 있다. 그리고 챔버(100) 내부에서 히터(300)와 대향 배치되어 기판(S)을 처리하는 소정의 원료 물질 예를 들어, 식각 가스를 분사하는 원료 분사부(200)가 마련된다.The chamber 100 is manufactured to have a rectangular cylindrical shape with an empty inside, and a predetermined reaction space for processing the substrate S is provided therein. In the embodiment, the chamber 100 is manufactured in a rectangular cylindrical shape, but is not limited thereto, and may be manufactured in various shapes corresponding to the shape of the substrate S. Although not shown, a chamber 100 is provided at one side thereof with an entrance (not shown) through which the substrate S enters and exits, a pressure regulating means (not shown) for regulating the pressure inside the chamber 100, And exhaust means (not shown) for exhausting the inside of the exhaust pipe. In addition, the raw material injection unit 200 is disposed in the chamber 100 to face the heater 300 to inject a predetermined raw material, for example, an etching gas, to process the substrate S.

실시예에 따른 히터(300)는 석영(SiO₂)으로 제작되어, 소정의 투광성을 가지며 내열성 및 열충격에 우수하다. 그리고 히터(300)는 그 단면의 형상이 기판(S)의 형상과 대응하는 형상으로 제작되는 것이 바람직하다. 이에 실시예에서는 원형의 판 형상으로 히터(300)를 제작하나, 이에 한정되지 않고 기판(S)의 형상에 따라 히터(300)의 형상을 다양하게 변형시킬 수 있다. 이러한 히터(300)는 도 1 및 도 2에 도시되 바와 같이, 내부에 반사 부재(312)가 삽입 설치된 베이스 플레이트(310), 베이스 플레이트(310) 상측에 배치되며 내측에 발열체(322)가 삽입 설치된 히터 블럭(320), 히터 블럭(320)의 상측에 배치되며 내측에 실드 전극(332)이 삽입 설치된 실드 플레이트(330), 실드 플레이트(330)의 상측에 배치되며 그 상부에 기판(S)이 안착되는 커버 플레이트(340)를 포함한다. 즉, 히터(300)는 베이스 플레이트(310), 히터 블럭(320), 실드 플레이트(330), 커버 플레이트(340) 순으로 적층되어 상호 결합된다. 이때, 베이스 플레이트(310)와 히터 블럭(320) 사이, 히터 블럭(320)과 실드 플레이트(330) 사이, 실드 플레이트(330)와 커버 플레이트(340) 사이 각각에 실시예에 따른 접착제(350)가 배치되어, 상기 접착제(350)에 의해 상호 접합된다. 실시예에 접착제(350)는 SiO₂를 포함하는 것으로써, 접착제(350)의 제조 방법 및 상기 접착제(350)를 이용한 히터(300)의 제조 방법에 대한 상세한 설명은 하기에서 하기로 한다.Heater 300 according to the embodiment is made of quartz (SiO ₂ ), has a predetermined light transmittance and is excellent in heat resistance and thermal shock. And it is preferable that the heater 300 is produced in the shape corresponding to the shape of the board | substrate S in the cross section. In the embodiment, the heater 300 is manufactured in a circular plate shape, but the shape of the heater 300 may be variously modified according to the shape of the substrate S without being limited thereto. 1 and 2, the heater 300 is disposed above the base plate 310 and the base plate 310 in which the reflective member 312 is inserted therein, and the heating element 322 is inserted therein. The heater block 320 is disposed, the shield plate 330 is disposed above the heater block 320 and the shield electrode 332 is inserted therein, and is disposed above the shield plate 330 and the substrate S is disposed thereon. It includes a cover plate 340 is seated. That is, the heater 300 is laminated in the order of the base plate 310, the heater block 320, the shield plate 330, the cover plate 340 are coupled to each other. At this time, the adhesive 350 according to the embodiment between the base plate 310 and the heater block 320, between the heater block 320 and the shield plate 330, and between the shield plate 330 and the cover plate 340, respectively. Are disposed and bonded to each other by the adhesive 350. In the embodiment, the adhesive 350 includes SiO ₂ , and thus, a detailed description of the manufacturing method of the adhesive 350 and the manufacturing method of the heater 300 using the adhesive 350 will be described below.

베이스 플레이트(310)는 히터 블럭(320)의 하측에 배치되며, 후술되는 복수의 반사 부재(312)가 수납되는 제 1 수납홈(311)이 마련된다. 베이스 플레이트(310)는 SiO2로 제작되어 소정의 투광성을 가지도록 제작되며, 원형의 판 형상으로 제작된다. 하지만 베이스 플레이트(310)는 이에 한정되지 않고 다양한 형상으로 제작될 수 있다. 그리고 베이스 플레이트(310)에는 히터 블럭(320)이 배치된 방향으로 개방되고, 상기 베이스 플레이트(310) 내측으로 오목한 제 1 수납홈(311)이 마련된다. 물론 이에 한정되지 않고 제 1 수납홈(311)은 전면이 밀폐된 형상으로 제작될 수도 있다. 이러한 제 1 수납홈(311)은 원형의 판 형상으로 베이스 플레이트(310)를 제작한 후 이를 가공하여 제작하거나, 베이스 플레이트(310)를 제작하는 공정에서 동시에 제작할 수 있다. 그리고 베이스 플레이트(310)의 상부면의 영역 중, 상기 제 1 수납홈(311)이 형성되지 않은 영역은 실시예에 따른 접착제(350)가 도포되어, 상기 접착제(350)에 의해 베이스 플레이트(310)와 히터 블럭(320)이 접합되는 영역이다.The base plate 310 is disposed below the heater block 320 and is provided with a first accommodating groove 311 in which a plurality of reflective members 312 described later are accommodated. The base plate 310 is made of SiO 2 and manufactured to have a predetermined light transmittance, and is manufactured in a circular plate shape. However, the base plate 310 is not limited thereto and may be manufactured in various shapes. In addition, the base plate 310 is provided with a first receiving groove 311 that is opened in the direction in which the heater block 320 is disposed and is concave inside the base plate 310. Of course, the present invention is not limited thereto, and the first accommodating groove 311 may be manufactured in a sealed shape. The first accommodating groove 311 may be manufactured by manufacturing the base plate 310 in a circular plate shape and then processing the same, or simultaneously manufacturing the base plate 310. In the region of the upper surface of the base plate 310, the region in which the first accommodating groove 311 is not formed is coated with the adhesive 350 according to the embodiment, and the base plate 310 is formed by the adhesive 350. ) And the heater block 320 are bonded to each other.

반사 부재(312)는 베이스 플레이트(310)에 마련된 제 1 수납홈(311) 내에 삽입 설치되어, 발열체(322)로부터 발생된 열이 기판(S)이 배치된 방향과 반대 방향 즉, 베이스 플레이트(310)로 복사되는 것을 방지한다. 실시예에 따른 히터(300)에서는 기판(S)이 히터 블럭(320)의 상측에 배치된 커버 플레이트(340) 상에 안치되고, 상기 히터 블럭(320)의 하측에 베이스 플레이트(310)가 배치된다. 이에, 히터 블럭(320)의 열이 기판(S)이 배치된 방향과 반대 방향 즉, 베이스 플레이트(310)로 복사되는 것을 방지하기 위하여, 상기 베이스 플레이트(310)에 제 1 수납홈(311)을 마련하고, 상기 제 1 수납홈(311)에 반사 부재(312)를 설치한다. 여기서, 반사 부재(312)는 반사율이 높은 금속 재료 예를 들어, Ni, SiC, 그라파이트(graphite) 등의 재료를 이용하여 제작한다. 실시예에 따른 반사 부재(312)는 판 형상의 벌크(bulk)로 제작되어, 제 1 수납홈(311)에 삽입 설치된다. 하지만 이에 한정되지 않고, 반사율이 높은 페이스트 형태의 금속 재료를 제 1 수납홈(311)에 도포하고 이를 응고시켜, 반사 부재(312)를 형성할 수도 있다. 이때, 반사 부재(312)의 높이 즉 두께는 제 1 수납홈(311)의 내측 높이에 비해 작도록 제작된다. 예를 들어, 제 1 수납홈(311)의 내측 높이가 3mm일 경우, 반사 부재(312)의 높이는 1mm가 되도록 하는 것이 바람직하다. 이에, 제 1 수납홈(311)에 반사 부재(312)가 삽입되면, 상기 제 1 수납홈(311)의 상측 영역은 반사 부재(312)가 위치하지 않는 빈 공간이 된다. 따라서, 제 1 수납홈(311) 내의 영역 중 반사 부재(312)와 히터 블럭(320)의 사이가 빈 공간이 된다. 하기에서는 반사 부재(312)와 히터 블럭(320)의 사이의 빈 공간을 갭(gap)으로 명명한다. 이러한 반사 부재(312)와 히터 블럭(320) 사이의 갭(gap)은 상기 히터 블럭(320)의 열이 베이스 플레이트(310)로 쉽게 복사되는 것을 방해하는 역할을 한다. 한편, 히터 블럭(320)으로 부터 베이스 플레이트(310)로 복사되는 열을 반사 부재(312)가 반사시켜야 하므로, 전술한 바와 같이 반사 부재(312)의 상부면에는 접착제(350)가 배치되지 않는다. 즉, 접착제(350)는 베이스 플레이트(310)이 상부면의 영역 중, 반사 부재(312)가 삽입되지 않은 영역에 배치된다.The reflective member 312 is inserted into and installed in the first receiving groove 311 provided in the base plate 310, so that heat generated from the heating element 322 is opposite to the direction in which the substrate S is disposed, that is, the base plate ( 310 to prevent copying. In the heater 300 according to the embodiment, the substrate S is placed on the cover plate 340 disposed above the heater block 320, and the base plate 310 is disposed below the heater block 320. do. Accordingly, in order to prevent the heat of the heater block 320 from being radiated to the direction opposite to the direction in which the substrate S is disposed, that is, to the base plate 310, the first accommodating groove 311 is formed in the base plate 310. And a reflection member 312 is installed in the first receiving groove 311. Here, the reflective member 312 is manufactured using a metal material having high reflectance, for example, Ni, SiC, graphite, or the like. Reflecting member 312 according to the embodiment is made of a bulk (bulk) of the plate shape, is inserted into the first receiving groove 311 is installed. However, the present invention is not limited thereto, and the reflective member 312 may be formed by applying a paste-like metal material having a high reflectance to the first accommodating groove 311 and solidifying the same. In this case, the height, that is, the thickness of the reflective member 312 is manufactured to be smaller than the inner height of the first receiving groove 311. For example, when the inner height of the first accommodating groove 311 is 3 mm, the height of the reflective member 312 is preferably 1 mm. Thus, when the reflective member 312 is inserted into the first accommodating groove 311, the upper region of the first accommodating groove 311 becomes an empty space in which the reflective member 312 is not located. Therefore, an empty space is formed between the reflective member 312 and the heater block 320 among the regions in the first accommodating groove 311. In the following, an empty space between the reflective member 312 and the heater block 320 is referred to as a gap. The gap between the reflective member 312 and the heater block 320 serves to prevent the heat of the heater block 320 from being easily radiated to the base plate 310. Meanwhile, since the reflective member 312 should reflect heat radiated from the heater block 320 to the base plate 310, the adhesive 350 is not disposed on the upper surface of the reflective member 312 as described above. . That is, the adhesive 350 is disposed in the region where the base plate 310 is not inserted, in the region of the upper surface.

히터 블럭(320)은 베이스 플레이트(310)의 상측에 배치되며, 기판(S)을 가열하기 위한 열을 발생시키는 발열체(322)가 삽입되는 제 2 수납홈(321)이 마련된다. 히터 블럭(320)은 SiO2를 이용하여 원형의 판 형상으로 제작된다. 그리고 히터 블럭(320)에는 실드 플레이트(330)가 배치된 방향으로 개방되고, 상기 히터 블럭(320) 내측으로 호목한 제 2 수납홈(321)이 마련된다. 물론 이에 한정되지 않고 제 2 수납홈(321)은 전면이 밀폐된 형상으로 제작될 수도 있다. 제 2 수납홈(321)은 히터 블럭(320)을 제작한 후 이를 가공하여 제작하거나, 히터 블럭(320)을 제작하는 공정에서 동시에 제작할 수 있다. 실시예에 따른 제 2 수납홈(321)은 히터 블럭(320) 상에서 환형의 라인 형상으로 제작되나, 이에 한정되지 않고 발열체(322)의 배치 형상에 따라 다양한 형상으로 변형될 수 있다. 그리고 히터 블럭(320)의 상부면의 영역 중, 상기 제 2 수납홈(321)이 형성되지 않은 영역은 실시예에 따른 접착제(350)가 배치되어, 상기 접착제(350)에 의해 히터 블럭(320)과 실드 플레이트(330)가 접합되는 영역일 수 있다.The heater block 320 is disposed above the base plate 310 and is provided with a second accommodating groove 321 into which a heating element 322 for generating heat for heating the substrate S is inserted. The heater block 320 is manufactured in the shape of a circular plate using SiO2. The heater block 320 is opened in the direction in which the shield plate 330 is disposed, and a second receiving groove 321 is provided in the heater block 320. Of course, the present invention is not limited thereto, and the second accommodating groove 321 may be manufactured in a sealed shape. The second accommodating groove 321 may be manufactured by manufacturing the heater block 320 and processing the same, or may be simultaneously manufactured in a process of manufacturing the heater block 320. The second accommodating groove 321 according to the embodiment is manufactured in an annular line shape on the heater block 320, but is not limited thereto and may be modified into various shapes according to the arrangement shape of the heating element 322. In the region of the upper surface of the heater block 320, in which the second accommodating groove 321 is not formed, the adhesive 350 according to the embodiment is disposed, and the heater block 320 is formed by the adhesive 350. ) And the shield plate 330 may be bonded to each other.

발열체(322)는 히터 블럭(320)의 내측에 마련된 제 2 수납홈(321)에 삽입되어, 상기 히터 블럭(320)을 가열한다. 실시예에서는 전기 에너지를 열로 발산하는 열선을 발열체(322)로 이용하나, 이에 한정되지 않고 기판(S)을 가열할 수 있는 다양한 수단을 발열체(322)로 이용할 수 있다. 실시예에 따른 발열체(322)는 라인(line) 형상으로 제작되어, 히터 블럭(320)을 균일하게 가열하도록 환형 라인으로 설치된다. 하지만, 발열체(322)가 히터 블럭(320)에 설치되는 형상은 환형 라인에 한정되지 않고, 히터 블럭(320)을 가열할 수 있는 다양한 형상으로 설치될 수 있다. 또한, 발열체(322)는 히터 블럭(320)에 균일하게 설치되지 않고, 공정 상의 특성, 기판(S) 가열 목적 등에 따라 다양한 방법으로 설치할 수 있다. 즉, 예를 들어, 히터 블럭(320)의 중심 영역에 비해 가장 자리 영역에 발열체(322)가 집중 배치되도록 설치되거나, 그 반대의 경우가 되도록 발열체(322)를 설치할 수 있다.The heating element 322 is inserted into the second receiving groove 321 provided inside the heater block 320 to heat the heater block 320. In the exemplary embodiment, a heating wire for dissipating electrical energy as heat is used as the heating element 322, but the present invention is not limited thereto. Various means for heating the substrate S may be used as the heating element 322. The heating element 322 according to the embodiment is manufactured in a line shape, and installed in an annular line to uniformly heat the heater block 320. However, the shape in which the heating element 322 is installed in the heater block 320 is not limited to the annular line, but may be installed in various shapes capable of heating the heater block 320. In addition, the heating element 322 is not uniformly installed in the heater block 320, but may be installed in various ways depending on the characteristics of the process, the purpose of heating the substrate S, and the like. That is, for example, the heating element 322 may be installed so that the heating element 322 is concentrated in the edge region of the heater block 320, or vice versa.

실드 플레이트(330)는 히터 블럭(320)의 상측에 배치되며, 실드 전극(332)이 삽입되는 제 3 수납홈(331)이 마련된다. 실드 플레이트(330)는 SiO2를 이용하여 원형의 판 형상으로 제작된다. 그리고 제 3 수납홈(331)은 커버 플레이트(340)가 배치된 방향으로 개방되고, 실드 플레이트(330) 내측으로 오목한 형상으로 제작된다. 물론 이에 한정되지 않고 제 3 수납홈(331)은 전면이 밀폐된 형상으로 제작될 수도 있다. 실시예에 따른 제 3 수납홈(331)은 도 3에 도시된 바와 같이 메쉬(mesh) 형상으로 제작되나, 이에 한정되지 않고 다양한 형상으로 변형될 수 있다. 이러한 제 3 수납홈(331)은 실드 플레이트(330)를 제작한 후 이를 가공하여 제작하거나, 실드 플레이트(330)를 제작하는 공정에서 동시에 제작할 수 있다. 그리고 실드 플레이트(330)의 상부면의 영역 중, 상기 제 3 수납홈(331)이 형성되지 않은 영역은 실시예에 따른 접착제(350)가 배치되어, 상기 접착제(350)에 의해 실드 플레이트(330)와 접합되는 영역일 수 있다.The shield plate 330 is disposed above the heater block 320 and is provided with a third receiving groove 331 into which the shield electrode 332 is inserted. The shield plate 330 is manufactured in a circular plate shape using SiO 2. The third accommodating groove 331 is opened in the direction in which the cover plate 340 is disposed, and is manufactured to have a concave shape inside the shield plate 330. Of course, the present invention is not limited thereto, and the third accommodating groove 331 may be manufactured in a sealed shape on its front surface. The third receiving groove 331 according to the embodiment is manufactured in a mesh shape as shown in FIG. 3, but is not limited thereto and may be modified in various shapes. The third accommodating groove 331 may be manufactured by manufacturing the shield plate 330 and then processing the same, or may be simultaneously manufactured in a process of manufacturing the shield plate 330. In the region of the upper surface of the shield plate 330, in which the third accommodating groove 331 is not formed, the adhesive 350 according to the embodiment is disposed, and the shield plate 330 is formed by the adhesive 350. ) May be a region to be bonded.

실드 전극(332)은 실드 플레이트(330)에 마련된 제 3 수납홈(331)에 삽입 설치되어, RF를 차징시켜 플라즈마로부터 생성되는 노휴즈를 제거하는 역할을 한다. 이러한 실드 전극(332)은 페이스트 상태의 도전성 물질 예를 들어, Al 페이스트를 제 3 수납홈(331)에 도포하고 이를 가열하여 제작할 수 있다. 하지만 이에 한정되지 않고, 도전성의 물질의 플레이트 형태로 실드 전극(332)을 제작하고, 이를 제 3 수납홈(331)에 삽입할 수도 있다.The shield electrode 332 is inserted into and installed in the third receiving groove 331 provided in the shield plate 330, and serves to remove the no-fuse generated from the plasma by charging the RF. The shield electrode 332 may be manufactured by applying a paste-like conductive material, for example, Al paste, to the third accommodating groove 331 and heating it. However, the present invention is not limited thereto, and the shield electrode 332 may be manufactured in the form of a plate of a conductive material and inserted into the third receiving groove 331.

커버 플레이트(340)는 실드 플레이트(330)의 상측에 배치며, 그 상부에 기판(S)이 안치된다. 이러한 커버 플레이트(340)에는 기판(S)을 지지 고정하기 위한 고정 부재(미도시)가 설치될 수 있다. 예를 들어 진공 흡입력을 이용하여 기판(S)을 고정시키는 경우, 커버 플레이트(340)에는 진공 펌프와 연결되는 복수의 홀 및 홀과 진공 펌프를 연결시키는 진공 라인이 설치될 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고 고정 부재로 다양한 수단 예를 들어 정전척 또는 클램프 등을 이용할 수 있다.The cover plate 340 is disposed above the shield plate 330, and the substrate S is placed thereon. The cover plate 340 may be provided with a fixing member (not shown) for supporting and fixing the substrate (S). For example, when fixing the substrate S using a vacuum suction force, the cover plate 340 may be provided with a plurality of holes connected to the vacuum pump and a vacuum line connecting the holes and the vacuum pump. Of course, the present invention is not limited thereto, and various means such as an electrostatic chuck or a clamp may be used as the fixing member.

전술한 바와 같이 히터(300)는 베이스 플레이트(310), 히터 블럭(320), 실드 플레이트(330), 커버 플레이트(340) 순으로 적층되어 상호 결합되며, 실시예에 따른 접착제(350)를 통해 상호 접합된다. 실시예에 따른 접착제(350)는 SiO₂를 주요 물질로하고, 상기 SiO₂ 이외에 다른 복수의 금속산화물 재료를 포함한다. 하기에서는 접착제(350)의 제조를 위해 SiO₂와 혼합되는 금속산화물 재료를 '금속산화물'이라 명명한다. 즉, 실시예에 따른 접착제(350)는 SiO₂ 및 상기 SiO₂와 혼합되는 복수의 금속산화물을 포함한다. 여기서 SiO₂와 혼합되는 복수의 금속산화물은 적어도 ZnO, B₂O₃, K₂O, Li₂O를 포함한다. 그리고 이에 한정되지 않고 금속산화물은 Al₂O₃, CuO 및 Li₂O 중 적어도 어느 하나를 더 포함할 수 있다. 이러한 접착제(350)는 페이스트 형태로 제작된다. 즉, 액상의 용매와 분말 형태의 SiO₂ 및 금속산화물을 혼합하여, 페이스트 형태의 접착제(350)를 제조 한다. 이때, SiO₂, ZnO, B₂O3, Al₂O₃, Li₂O, K₂O, CuO, Na₂O 각각이 접착제이 전체 중량에서 차지하는 비율에 따라 접착 능력 및 내열성이 달라질 수 있다. SiO₂, ZnO, B₂O3, Al₂O₃, Li₂O, K₂O, CuO, Na₂O 함량에 따른 접착제(350)의 접착 능력 및 내열성(또는 열 충격성)에 대한 상세한 설명은 하기에서 하기로 한다. 그리고 용매로는 에탄올, 프로판올, 메톡시 프로판올, 에톡시 프로판올, 프로폭시 프로판올, 부톡시 프로판올, 프로판디올, 도데칸글리콜 및 벤질 알코올 등의 유기 용매를 사용할 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고 다양한 용매들이 사용될 수 있다. 이와 같은 유기 용매와 분말 형태의 SiO2 및 금속산화물이 혼합되면 페이스트 형태의 접착제(350)가 제조된다. 그리고 이를 복수의 접착 대상물 사이에 도포하여 가열시키면 상기 접착 대상물 사이가 접합된다. 이때, 제 1 온도로 접착제(350)를 가열하여 상기 접착제(350)의 용매를 증발시키고, 제 1 온도에 비해 높은 제 2 온도로 접착제(350)를 가열하여 접합 대상물 사이를 접합시킨다. 제 1 온도는 350도 내지 450도 바람직하게는 400도 내지 450도이며, 제 2 온도는 950도 내지 1100도 바람직하게는 1000도 내지 1100도 이다. 그리고 제 1 온도로 열처리하는 제 1 열처리 시간은 60분 내지 110분 바람직하게는 80분 내지 110도 이고, 제 2 온도로 열처리하는 제 2 열처리 시간은 80분 내지 150분 바람직하게는 120분 내지 150분이다.As described above, the heaters 300 are stacked in the order of the base plate 310, the heater block 320, the shield plate 330, and the cover plate 340, and are coupled to each other, and through the adhesive 350 according to the embodiment. Are joined together. The adhesive 350 according to the embodiment has SiO ₂ as a main material and includes a plurality of metal oxide materials in addition to SiO ₂ . Hereinafter, the metal oxide material mixed with SiO ₂ for manufacturing the adhesive 350 will be referred to as 'metal oxide'. That is, the adhesive 350 according to the embodiment includes SiO ₂ and a plurality of metal oxides mixed with the SiO ₂ . Here, the plurality of metal oxides mixed with SiO ₂ includes at least ZnO, B ₂ O ₃ , K ₂ O, and Li ₂ O. In addition, the metal oxide may further include at least one of Al ₂ O ₃ , CuO, and Li ₂ O. The adhesive 350 is manufactured in the form of a paste. That is, a paste-type adhesive 350 is manufactured by mixing a liquid solvent with SiO ₂ and a metal oxide in powder form. At this time, each of SiO ₂ , ZnO, B ₂ O 3, Al ₂ O ₃ , Li ₂ O, K ₂ O, CuO, Na ₂ O, the adhesive ability and heat resistance may vary depending on the ratio of the adhesive to the total weight. A detailed description of the adhesive ability and the heat resistance (or heat shock resistance) of the adhesive 350 according to the content of SiO ₂ , ZnO, B ₂ O 3, Al ₂ O ₃ , Li ₂ O, K ₂ O, CuO, Na ₂ O Let's do at. As the solvent, organic solvents such as ethanol, propanol, methoxy propanol, ethoxy propanol, propoxy propanol, butoxy propanol, propanediol, dodecane glycol and benzyl alcohol can be used. Of course, but not limited to, various solvents may be used. When such an organic solvent is mixed with powder SiO 2 and a metal oxide, an adhesive 350 in a paste form is manufactured. And when it is apply | coated and heated between a some bonding object, the said bonding object is joined. At this time, the adhesive 350 is heated to a first temperature to evaporate the solvent of the adhesive 350, and the adhesive 350 is heated to a second temperature higher than the first temperature to bond the bonding objects. The first temperature is 350 degrees to 450 degrees, preferably 400 degrees to 450 degrees, and the second temperature is 950 degrees to 1100 degrees and preferably 1000 degrees to 1100 degrees. And the first heat treatment time for heat treatment at the first temperature is 60 minutes to 110 minutes preferably 80 minutes to 110 degrees, the second heat treatment time for heat treatment at the second temperature is 80 minutes to 150 minutes preferably 120 minutes to 150 Minutes.

표 1 에는 SiO₂, ZnO, B₂O3, Al₂O₃, Li₂O, K₂O, CuO 및 Na₂O의 함량 및 제 1 가열 온도 및 제 2 가열 온도의 변화에 따른 히터의 상태를 나타낸 것이다.Table 1 shows the contents of SiO ₂ , ZnO, B ₂ O 3, Al ₂ O ₃ , Li ₂ O, K ₂ O, CuO and Na ₂ O and the state of the heater according to the change of the first heating temperature and the second heating temperature. It is shown.

하기에서는 표1을 참고하여, SiO₂, ZnO, B₂O3, Al₂O₃, Li₂O, K₂O, CuO 및 Na₂O각각의 함량에 따른 접합제의 접착 능력 및 내열성(열 충격성)에 대해 설명한다. 이때, 상기에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 간략히 설명하거나, 생략한다.In the following, referring to Table 1, the bonding ability and heat resistance of the binder according to the content of SiO ₂ , ZnO, B ₂ O 3, Al ₂ O ₃ , Li ₂ O, K ₂ O, CuO and Na ₂ O respectively ). In this case, the content overlapping with the above-described content is briefly described or omitted.

SiO₂ 중량%SiO ₂ wt% ZnO
중량%ZnO
weight% B₂O₃
중량%B ₂ O ₃
weight% Al₂O₃
중량%Al ₂ O ₃
weight% Li₂O
중량%Li ₂ O
weight% K₂O
중량%K ₂ O
weight% CuO
중량%CuO
weight% Na₂O
중량%Na ₂ O
weight% Total
중량%Total
weight% 제1 가열시간(min)First heating time (min) 제1 가열 온도(℃)First heating temperature (° C.) 제2 가열시간(min))2nd heating time (min)) 제2 가열 온도(℃)2nd heating temperature (degreeC) 히터
상태
heater
condition
제 1
비교예1st
Comparative Example 8585 55 1010 00 00 00 00 00 100100 6060 350350 8080 700700 크랙발생/
불투명Cracking /
opacity 제 2
비교예Second
Comparative Example 8080 33 1010 55 00 1.51.5 00 0.50.5 100100 7070 360360 8585 750750 크랙발생/
불투명Cracking /
opacity 제 3
비교예3rd
Comparative Example 7878 33 1010 1.51.5 1.51.5 2.52.5 00 1.51.5 100100 7070 380380 9595 800800 크랙발생/
불투명Cracking /
opacity 제 4
비교예Fourth
Comparative Example 7575 77 1111 22 0.50.5 3.53.5 00 1One 100100 7070 390390 100100 850850 크랙발생Cracking 제 5
비교예5th
Comparative Example 7070 88 1212 22 1One 44 1One 22 100100 7575 400400 105105 900900 크랙발생/
불투명Cracking /
opacity 제 6
비교예6th
Comparative Example 5656 1414 1414 2.52.5 22 5.55.5 22 44 100100 8080 420420 100100 950950 크랙발생
/
불투명Crack
Of
opacity 제 1
실시예1st
Example 5050 1515 1515 22 33 66 22 55 100100 8585 430430 120120 10001000 양호Good 제 2
실시예Second
Example 36.536.5 2121 1818 44 44 88 0.50.5 88 100100 9595 450450 130130 10501050 양호Good 제 3
실시예3rd
Example 2525 2525 2020 55 55 1010 00 1010 100100 110110 450450 150150 11001100 양호Good

실시예에 따른 접착제는 SiO₂, 상기 SiO₂와 혼합되는 금속산화물을 포함하고, 상기 금속산화물은 적어도 ZnO, B₂O3, K₂O, Li₂O를 포함한다. 또한, Al₂O₃, CuO 및 Na₂O 을 더 포함할 수 있다. 접착제 전체에 대하여 SiO2는 전체의 20 내지 50 중량%이고, ZnO가 3 내지 25 중량%, B₂O₃가 10 내지 20 중량%, Li₂O가 0.5 내지 15 중량%, K₂O가 1.5 내지 10 중량% 입니다. 또한, Al₂O₃는 1.5 내지 15 중량%로 포함되고, CuO는 0.5 내지 3 중량%로 포함되고, Na₂O는 0.5 내지 10 중량% 이다. 더욱 바람직하게는 SiO₂가 전체의 20 내지 25 중량%, ZnO가 20 내지 25 중량%, B₂O₃가 15 내지 20 중량%, Li2O가 3 내지 15 중량%, K₂O가 6 내지 10 중량%, Al₂O₃는 3 내지 15 중량%로 포함되고, 상기 Na₂O는 5 내지 10 중량% 인 것이 효과적이다.The adhesive according to the embodiment includes SiO ₂ , a metal oxide mixed with the SiO _2, and the metal oxide includes at least ZnO, B ₂ O 3, K ₂ O, and Li ₂ O. In addition, Al ₂ O ₃ , CuO and Na ₂ O may be further included. SiO2 is 20 to 50% by weight based on the whole adhesive, 3 to 25% by weight ZnO, 10 to 20% by weight B ₂ O ₃ , 0.5 to 15% by weight Li ₂ O, 1.5 to 5% K ₂ O 10 weight percent. In addition, Al ₂ O ₃ is included in 1.5 to 15% by weight, CuO is included in 0.5 to 3% by weight, Na ₂ O is 0.5 to 10% by weight. More preferably, 20 to 25% by weight of SiO ₂ , 20 to 25% by weight of ZnO, 15 to 20% by weight of B ₂ O ₃ , 3 to 15% by weight of Li ₂ O, and 6 to 10% by weight of K ₂ O %, Al ₂ O ₃ is contained in 3 to 15% by weight, it is effective that the Na ₂ O is 5 to 10% by weight.

예를 들어, 종래에서와 같이 SiO2로만을 이용하여 접착제(350)를 제조할 경우, SiO₂는 1550도 내지 1700도 이상의 온도에서 용융되는데, 히터(350)를 1550도 내지 1700도로 가열시키면, SiO₂로 이루어진 접착제(350)도 같이 용융되어 액체 상태가 된다. 이에, 히터(300)가 손상될 수 있다.For example, when manufacturing the adhesive 350 using only SiO 2 as in the prior art, SiO ₂ is melted at a temperature of 1550 to 1700 degrees or more, and when the heater 350 is heated to 1550 to 1700 degrees, _The adhesive 350 made of ₂ is also melted into a liquid state. Thus, the heater 300 may be damaged.

이에, 실시예에서는 SiO2에 ZnO, B2O3, K2O, Li2O의 금속산화물을 혼합하여 접착제를 제조한다. 물론, 이에 한정되지 않고, Al2O3, CuO 및 Na2O 을 더 포함할 수 있다. 여기서, ZnO, B₂O₃, K₂O, Li2O, Al₂O₃, CuO 및 Na2O는 고온에서 용융되지 않도록 하고, 접착제(350)가 균일하게 도포될 수 있도록 플럭스(Flux) 역할을 한다.Thus, in the embodiment, an adhesive is prepared by mixing metal oxides of ZnO, B 2 O 3, K 2 O, and Li 2 O with SiO 2. Of course, the present invention is not limited thereto, and may further include Al 2 O 3, CuO, and Na 2 O. Here, ZnO, B ₂ O ₃ , K ₂ O, Li ₂ O, Al ₂ O ₃ , CuO and Na ₂ O does not melt at a high temperature, and serves as a flux (Flux) so that the adhesive 350 can be uniformly applied.

또한, 제 1 가열 온도가 350도 내지 450도가 되도록하고, 제 2 가열 온도는 950도 내지 1100도가 되도록 합니다. 바람직하게는 제 1 가열 온도가 400 내지 450도 이고, 제 2 가열 온도가 1000도 내지 1100도인 것이 효과적입니다.In addition, the first heating temperature should be 350 degrees to 450 degrees, and the second heating temperature is set to 950 degrees to 1100 degrees. Preferably the first heating temperature is 400 to 450 degrees and the second heating temperature is 1000 to 1100 degrees.

표 1을 참조하면, 접착제 전체에 대해 SiO₂가 20 내지 50 중량%, ZnO가 3 내지 25 중량%, B₂O₃가 10 내지 20 중량%, Li2O가 0.5 내지 15 중량%, K₂O가 1.5 내지 10 중량% 인 경우(제 1 실시예 내지 제 3 실시예), 도 6에 도시된 바와 같이 크랙이 발생되거나 불투명하게 석출되는 현상 없는 히터(300)가 제조된다. 또한, 제 1 실시예 내지 제 3 실시예의 경우 접착제 전체에 대해 Al₂O₃가 1.5 내지 15 중량%, CuO가 0.5 내지 3 중량%, Na₂O가 0.5 내지 10 중량% 포함된다.Referring to Table 1, 20 to 50% by weight SiO ₂ , 3 to 25% by weight ZnO, 10 to 20% by weight B ₂ O ₃ , 0.5 to 15% by weight Li ₂ O, and K ₂ O When it is 1.5 to 10% by weight (first to third embodiments), as shown in FIG. 6, a heater 300 without phenomenon in which a crack is generated or precipitates opaquely is produced. In addition, in the first to third embodiments, 1.5 to 15 wt% of Al ₂ O ₃ , 0.5 to 3 wt% of CuO, and 0.5 to 10 wt% of Na ₂ O are included with respect to the entire adhesive.

하지만, 접착제 전체에 대해 SiO₂의 중량%가 20 내지 50 중량%의 범위 밖이거나(제 1 비교예 내지 제 6 비교예), ZnO의 중량%가 3 내지 25 중량% 범위 밖인 경우(제 1 비교예 내지 제 6 비교예), 도 7에 도시된 바와 같이 크랙(Crack)이 발생됩니다. 또한, 제 1 가열 온도가 400 내지 450 범위 밖이거나, 제 2 가열 온도가 1000도 내지 1100도의 범위 밖인 경우(제 1 비교예 내지 제 6 비교예), 도 8에 도시된 바와 같이 불투명한 히터(300)가 제조될 수 있다. 이와 같이 제 1 가열 온도가 400 내지 450도 범위 밖이거나, 제 2 가열 온도가 1000도 내지 1100도의 범위 밖일 때, 가열 공정 중에 접착제(350), 바람직하게는 SiO2가 재결정 석출되는 결정화 현상에 의해, 불투명한 상태가 된다.However, if the weight percentage of SiO ₂ is out of the range of 20 to 50% by weight relative to the entire adhesive (Comparative Examples 1 to 6) or the weight percentage of ZnO is out of the range of 3 to 25% by weight (first comparison). Examples 6 to 6 Comparative Examples), cracks are generated as shown in FIG. In addition, when the first heating temperature is outside the range of 400 to 450 or the second heating temperature is outside the range of 1000 to 1100 degrees (first comparative example to sixth comparative example), an opaque heater (as shown in FIG. 8) 300) can be made. As such, when the first heating temperature is outside the range of 400 to 450 degrees or the second heating temperature is outside the range of 1000 to 1100 degrees, due to the crystallization phenomenon in which the adhesive 350, preferably SiO2, is recrystallized during the heating process, It becomes an opaque state.

또한, 실시예에서는 접착제(350)를 400 내지 450도의 제 1 가열 온도로 가열한 후, 000도 내지 1100도의 제 2 가열 온도로 제가열한다. 예를 들어, 제 1 가열 온도를 거치지 않고 바로 제 2 가열 온도에서 접착제(350)를 가열시키면, 상기 접착제(350)를 구성하는 용매가 용융되면서 기포가 발생된다. 이러한 기포는 접합면에 얼룩을 발생시키는 요인으로 작용하여, 매끄러운 접합면을 얻을 수 없으며, 접합 상태가 나쁘다.Further, in the embodiment, the adhesive 350 is heated to a first heating temperature of 400 to 450 degrees, and then heated to a second heating temperature of 000 to 1100 degrees. For example, when the adhesive 350 is heated directly at the second heating temperature without passing through the first heating temperature, bubbles are generated while the solvent constituting the adhesive 350 melts. Such bubbles act as a factor of causing unevenness in the bonding surface, and thus a smooth bonding surface cannot be obtained, and the bonding state is bad.

샤프트(410)는 일단이 챔버(100) 내부로 삽입되어 히터의 베이스 플레이트(310)의 하부와 연결되고, 타단이 챔버(100) 외부로 돌출되어 구동부(420)와 연결된다. 여기서 구동부(420)는 샤프트(410)에 승하강 및 회전력을 제공하는 역할을 한다. 이에, 구동부(420)에 의해 샤프트(410)가 승하강 또는 회전하면 상기 샤프트(410)에 의해 히터(300)가 승하강 또는 회전한다. 그리고 이러한 샤프트 내에는 히터(300)의 발열체(322)에 전원을 인가하는 제 1 전원선(511), 실드 전극(332)에 RF 전원을 인가하는 제 2 전원선(521)이 마련된다. 여기서 제 1 전원선(511)의 일단은 베이스 플레이트(310)를 관통하여 히터 블럭(320) 내에 설치된 발열체(322)와 접속되고, 타단은 제 1 전원 공급부(510)와 접속된다. 또한, 제 2 전원선(521)의 일단은 베이스 플레이트(310) 및 히터 블럭(320)을 관통하여 실드 플레이트 내에 설치된 실드 전극(332)과 접속되고, 타단은 제 2 전원 공급부(520)와 접속된다.One end of the shaft 410 is inserted into the chamber 100 to be connected to the lower part of the base plate 310 of the heater, and the other end is protruded out of the chamber 100 to be connected to the driving part 420. The driving unit 420 serves to provide the lifting and lowering force to the shaft 410. Thus, when the shaft 410 is raised or lowered by the driving unit 420, the heater 300 is raised or lowered by the shaft 410. In this shaft, a first power line 511 for applying power to the heating element 322 of the heater 300 and a second power line 521 for applying RF power to the shield electrode 332 are provided. Here, one end of the first power line 511 is connected to the heating element 322 installed in the heater block 320 through the base plate 310, and the other end is connected to the first power supply unit 510. In addition, one end of the second power line 521 is connected to the shield electrode 332 provided in the shield plate through the base plate 310 and the heater block 320, and the other end thereof is connected to the second power supply 520. do.

도 4a 및 도 4b는 실시예에 따른 접착제를 이용하여 히터를 제조하는 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도이다. 도 5는 실시예에 따른 접착제를 열처리하는 방법을 설명하기 위한 그래프이다.4A and 4B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a heater using an adhesive according to an embodiment. 5 is a graph illustrating a method of heat treating an adhesive according to an embodiment.

도 4a를 참조하면, 먼저 베이스 플레이트(310), 히터 블럭(320), 실드 플레이트(330) 및 커버 플레이트(340)를 마련하고, 상기 베이스 플레이트(310), 히터 블럭(320) 및 실드 플레이트(330)의 상부면 각각에 실시예에 따른 접착제(350)를 도포한다. 여기서 베이스 플레이트(310)의 내측에는 복수의 반사 부재(312)가 삽입되어 있고, 히터 블럭(320)의 내측에는 발열체(322)가 삽입되어 있으며, 실드 플레이트(330)의 내측에는 실드 전극(332)이 삽입되어 있다. 또한, 실시예에 따른 접착제(350)는 유기 용매에 20 내지 25 중량의 SiO₂, 20 내지 25 중량%의 ZnO, 5 내지 20 중량%의 B₂O₃, 내지 15 중량%의 Al₂O₃, 3 내지 15 중량%의 Li₂O, 6 내지 10 중량%의 K₂O, 0 내지 3 중량%의 CuO, 5 내지 10 중량% Na₂O가 혼합되어 제조된 페이스트 형태이다. 이러한 접착제(350)를 프린팅 방법 예를 들어, 스크린 프린팅 방법으로 베이스 플레이트(310), 히터 블럭(320) 및 실드 플레이트(330) 각각의 상부면에 도포한다. 이때, 베이스 플레이트(310)에 도포되는 접착제(350)의 경우, 반사 부재(312)가 삽입되지 않은 영역의 상기 베이스 플레이트(310) 상부면에 도포된다. 이는 히터 블럭(320) 열이 베이스 플레이트(310)가 배치된 방향으로 복사될 때, 반사 부재(312)를 통해 상기 복사열을 용이하게 반사하기 위함이다. 그리고 실시예에서는 히터 블럭(320)의 상부면의 영역 중 히터(300)가 삽입되지 않은 영역에 접착제(350)를 도포하고, 실드 플레이트(330)의 상부면의 영역 중 실드 전극(332)이 삽입되지 않은 영역에 접착제(350)를 도포한다. 물론 이에 한정되지 않고 히터 블럭(320)의 상부면 전체 및 실드 플레이트(330) 상부면 전체에 접착제(350)를 도포할 수 있다.Referring to FIG. 4A, first, the base plate 310, the heater block 320, the shield plate 330, and the cover plate 340 are prepared, and the base plate 310, the heater block 320, and the shield plate ( An adhesive 350 according to an embodiment is applied to each of the upper surfaces of 330. Here, a plurality of reflective members 312 are inserted inside the base plate 310, a heating element 322 is inserted inside the heater block 320, and a shield electrode 332 inside the shield plate 330. ) Is inserted. In addition, the adhesive 350 according to the embodiment is 20 to 25% by weight of SiO ₂ , 20 to 25% by weight of ZnO, 5 to 20% by weight of B ₂ O ₃ , to 15% by weight of Al ₂ O ₃ in an organic solvent , 3 to 15% by weight of Li ₂ O, 6 to 10% by weight of K ₂ O, 0 to 3% by weight of CuO, 5 to 10% by weight of Na ₂ O prepared in the form of a paste. The adhesive 350 is applied to the top surface of each of the base plate 310, the heater block 320 and the shield plate 330 by a printing method, for example, a screen printing method. In this case, in the case of the adhesive 350 applied to the base plate 310, the reflective member 312 is applied to the upper surface of the base plate 310 in the region where the reflection member 312 is not inserted. This is to easily reflect the radiant heat through the reflective member 312 when the heater block 320 heat is radiated in the direction in which the base plate 310 is disposed. In an embodiment, the adhesive 350 is applied to a region where the heater 300 is not inserted in the region of the upper surface of the heater block 320, and the shield electrode 332 is formed in the region of the upper surface of the shield plate 330. Adhesive 350 is applied to the uninserted area. Of course, the present invention is not limited thereto, and the adhesive 350 may be applied to the entire upper surface of the heater block 320 and the entire upper surface of the shield plate 330.

상기에서는 베이스 플레이트(310)의 상부, 히터 블럭(320)의 상부 및 실드 플레이트(330)의 상부 각각에 접착제(350)를 도포하는 것을 예를 들어 설명하였다. 하지만 이에 한정되지 않고 히터 블럭(320)의 하부, 실드 플레이트(330)의 하부 및 커버 플레이트(340)의 하부 각각에 접착제(350)를 도포할 수 있다. 또한 베이스 플레이트(310) 상부, 히터 블럭(320)의 상부 및 하부, 실드 플레이트(330)의 상부 및 하부, 커버 플레이트(340)의 하부 각각에 접착제(350)를 도파할 수도 있다.In the above description, for example, the adhesive 350 is applied to the upper portion of the base plate 310, the upper portion of the heater block 320, and the upper portion of the shield plate 330. However, the present invention is not limited thereto, and the adhesive 350 may be applied to the lower portion of the heater block 320, the lower portion of the shield plate 330, and the lower portion of the cover plate 340. In addition, the adhesive 350 may be guided to each of the upper portion of the base plate 310, the upper and lower portions of the heater block 320, the upper and lower portions of the shield plate 330, and the lower portion of the cover plate 340.

접착제(350)의 도포과 완료되면, 도 4b에 도시된 바와 같이 베이스 플레이트(310), 베이스 플레이트(310) 상부에 히터 블럭(320), 히터 블럭(320) 상부에 실드 플레이트(330), 실드 플레이트(330) 상부에 커버 플레이트(340)를 배치시키고, 상호 밀착시킨다. 그리고 접착제(350)를 가열하는 열처리 공정을 통해 베이스 플레이트(310)와 히터 블럭(320), 히터 블럭(320)와 실드 플레이트(330) 사이, 실드 플레이트(330)와 커버 플레이트(340) 사이를 접합시킨다. 이때, 도 5에 도시된 바와 같이 제 1 열처리 온도로 접착제(350)를 가열하여 상기 접착제(350)의 용매를 증발시키고, 이후, 상기 제 2 열처리 온도로 접착제(350)를 가열하여 베이스 플레이트(310)와 히터 블럭(320), 히터 블럭(320)와 실드 플레이트(330) 사이, 실드 플레이트(330)와 커버 플레이트(340) 사이를 접합시킨다. 실시예에서는 접착제(350)를 가열하는 수단으로 전기로(furnance)를 이용하나, 이에 한정되지 않고 접착제(350)를 가열할 수 있는 다양한 수단이 사용될 수 있다. 제 1 열처리 온도는 350도 내지 450도 바람직하게는 400도 내지 450도 이고, 제 1 열처리 시간은 60분 내지 110분 바람직하게는 80분 내지 110분이다. 또한 제 2 열처리 온도는 950도 내지 1100도 바람직하게는 1000도 내지 1100도 이고, 제 1 열처리 시간은 80분 내지 150분 바람직하게는 120분 내지 150분이다. 이를 통해 SiO2로 각기 제작된 베이스 플레이트(310)와 히터(300) 플레이트 사이, 히터(300) 플레이트와 실드 플레이트(330) 사이, 실드 플레이트(330)와 커버 플레이트(340) 사이가 용이하게 접합된다. After the application of the adhesive 350 and completion, as shown in Figure 4b, the base plate 310, the heater block 320 on the base plate 310, the shield plate 330, the shield plate on the heater block 320 top The cover plate 340 is disposed on the upper portion 330 and closely adhered to each other. And between the base plate 310 and the heater block 320, the heater block 320 and the shield plate 330, between the shield plate 330 and the cover plate 340 through a heat treatment process for heating the adhesive 350 Bond. In this case, as shown in FIG. 5, the solvent of the adhesive 350 is evaporated by heating the adhesive 350 at a first heat treatment temperature, and then, the adhesive 350 is heated at the second heat treatment temperature to form a base plate ( 310, the heater block 320, the heater block 320 and the shield plate 330, and the shield plate 330 and the cover plate 340 are bonded to each other. In an embodiment, although a furnace is used as a means for heating the adhesive 350, various means for heating the adhesive 350 may be used. The first heat treatment temperature is 350 degrees to 450 degrees, preferably 400 degrees to 450 degrees, and the first heat treatment time is 60 minutes to 110 minutes, preferably 80 minutes to 110 minutes. Further, the second heat treatment temperature is 950 to 1100 degrees, preferably 1000 degrees to 1100 degrees, and the first heat treatment time is 80 minutes to 150 minutes, preferably 120 minutes to 150 minutes. Through this, the base plate 310 and the heater 300 plate made of SiO 2 are easily bonded between the heater 300 plate and the shield plate 330, and the shield plate 330 and the cover plate 340. .

이와 같이 본 발명의 실시예에 따른 접착제(350)를 이용함으로써, 내열성 및 열충격에 우수한 석영(SiO2) 히터(300)가 제조된다. 이에, 기판(S)을 고온의 환경에서 진행하더라도 접착제(350)가 파괴되거나 접착 능력이 소멸되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 고온의 온도 환경에서도 용이하게 공정을 진행할 수 있다As such, by using the adhesive 350 according to the embodiment of the present invention, a quartz (SiO 2) heater 300 excellent in heat resistance and thermal shock is manufactured. Thus, even when the substrate S is advanced in a high temperature environment, it is possible to prevent the adhesive 350 from being destroyed or the adhesive ability is lost. Therefore, the process can be easily performed even in a high temperature environment.

310: 베이스 플레이트 320: 히터 블럭
330: 실드 플레이트 340: 커버 플레이트
350: 접착제310: base plate 320: heater block
330: shield plate 340: cover plate
350: adhesive

Claims

In the adhesive for joining the junction between the object consisting of SiO _2,
SiO ₂ , An adhesive comprising a metal oxide mixed with the SiO ₂ .

The method according to claim 1,
The metal oxide is an adhesive comprising ZnO, B ₂ O ₃ , K ₂ O, Li ₂ O.

The method according to claim 2,
The metal oxide adhesive further comprises at least one of Al ₂ O ₃ , CuO and Na ₂ O.

The method according to claim 1,
Adhesive containing 20 to 50% by weight of the SiO ₂ total.

The method of claim 4,
Adhesive containing 20 to 25% by weight of the SiO ₂ total.

The method according to claim 2,
The adhesive comprising 3 wt% to 25 wt% of ZnO, 10 wt% to 20 wt% of B ₂ O ₃ , 0.5 wt% to 15 wt% of Li ₂ O, and 1.5 wt% to 10 wt% of K ₂ O; .

The method according to claim 3,
The Al ₂ O _{3 It} is contained in 1.5 wt% to 15 wt%, The CuO is contained in 0.5 wt% to 3 wt%, Na ₂ O is included in the adhesive 0.5 to 10% by weight.

The method of claim 6,
The adhesive includes 20 wt% to 25 wt% of ZnO, 15 wt% to 20 wt% of B ₂ O ₃ , 3 wt% to 15 wt% of Li ₂ O, and 6 wt% to 10 wt% of K ₂ O.

The method of claim 7,
The Al ₂ O ₃ is included in 3% by weight to 15% by weight, the Na ₂ O is 5% by weight to 10% by weight of the adhesive.

In a heater that is placed on one side, and heats the substrate,
A heater block into which a heating element for heating the substrate is inserted;
A plate disposed on at least one of upper and lower portions of the heater block,
Between the heater block and the plate is bonded by an adhesive,
The adhesive comprises a SiO ₂ , a metal oxide mixed with the SiO ₂ .

The method of claim 10,
The plate disposed above the heater block is a shield plate in which a shield electrode is inserted.

The method of claim 10,
And a cover plate disposed on the shield plate.

The method of claim 10,
The plate disposed below the heater block is a base plate with a reflection member inserted therein.

The method according to any one of claims 10 to 13,
The heater block and the plate is a heater made of SiO ₂ .

The method of claim 10,
The metal oxide of the adhesive is ZnO, B ₂ O ₃ , K ₂ O, a heater comprising Li ₂ O.

The method according to claim 3,
The metal oxide further comprises at least one of Al ₂ O ₃ and CuO and Na ₂ O.

The method according to claim 10 or 15,
The adhesive may be 25 to 50% by weight of SiO ₂ , 3 to 25% by weight of ZnO, 10 to 20% by weight of B ₂ O ₃ , and 0.5 to 5% by weight of Li ₂ O. , 1.5 to 10 weight percent K ₂ O included.

18. The method of claim 16,
The Al ₂ O ₃ is contained in 1.5% by weight to 15% by weight, the CuO is contained in 0.5% by weight to 3% by weight, Na ₂ O is a heater containing 0.5% by weight to 10% by weight.

In a method of manufacturing a heater in which a substrate is placed on one side and heats the substrate,
Providing a heater block for heating the substrate;
Providing a plate joined to at least one of upper and lower portions of the heater block;
Preparing an adhesive comprising SiO ₂ , a metal oxide mixed with the SiO _2, and applying the adhesive between the heater block and the plate;
Heating the adhesive to bond the heater block and the plate to each other.

The method of claim 19,
The heater block and plate is a method of manufacturing a heater made of SiO ₂ .

The method of claim 19,
In the process of heating the adhesive,
Heating the adhesive to a first temperature, reheating the adhesive to a second temperature that is higher than the first temperature,
The first temperature is 350 to 450 degrees, and the second temperature is 950 to 1100 degrees manufacturing method of the heater.

23. The method of claim 21,
The first temperature is 400 to 450 degrees, the second temperature is 1000 to 1100 degrees manufacturing method of the heater.