KR20120140077A - Roll to roll cds deposition method and system - Google Patents
Roll to roll cds deposition method and system Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120140077A KR20120140077A KR1020110059711A KR20110059711A KR20120140077A KR 20120140077 A KR20120140077 A KR 20120140077A KR 1020110059711 A KR1020110059711 A KR 1020110059711A KR 20110059711 A KR20110059711 A KR 20110059711A KR 20120140077 A KR20120140077 A KR 20120140077A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- flexible substrate
- roll
- cds
- thin film
- deposition
- Prior art date
Links
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 49
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 8
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 claims description 5
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 롤투롤 CdS 증착 방법 및 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 화학 재료의 사용 효율을 높이면서, 선택적인 CdS 증착이 가능한 롤투롤 CdS 증착 방법 및 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a roll-to-roll CdS deposition method and system, and more particularly to a roll-to-roll CdS deposition method and system capable of selective CdS deposition while increasing the use efficiency of chemical materials.
CIGS 및 CdTe 태양 전지의 구조에서는 수송층으로 사용되는 CdS층이 반드시 필요하다.In the structure of CIGS and CdTe solar cells, a CdS layer used as a transport layer is essential.
종래, CdS 증착 방법은 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)나 CBD(Chemical Bath Deposition), 또는 스프레이 코팅(Spray coating)의 방식이 적용되어 왔다. 이후, 태양 전지의 제조 단가를 낮추기 위해 Flexible solar cell을 롤투롤 방법으로 제작하고 있다. 현재는 CBD 방법에 의한 CdS 박막의 롤투롤 증착 방법이 양산에 사용되고 있으나, 화학 제품의 사용 효율이 떨어지며, 기판의 양면에 증착이 되는 단점이 있었다.Conventionally, the CdS deposition method has been applied to the method of metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), chemical bath deposition (CBD), or spray coating (Spray coating). Thereafter, in order to lower the manufacturing cost of solar cells, flexible solar cells are manufactured by a roll-to-roll method. Currently, roll-to-roll deposition of CdS thin films by the CBD method is used for mass production, but the use efficiency of chemical products is reduced, and deposition on both sides of the substrate has a disadvantage.
도 1은 종래 방식에 따른 CdS 증착 방법을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a conventional CdS deposition method.
우선, 아래의 표 1은 기존에 사용되는 CdS 증착 방법에서, 사용 용액 및 화학적 반응을 나타내고 있다.First, Table 1 below shows the used solution and the chemical reaction in the existing CdS deposition method.
[표 1][Table 1]
표 1에 제시된 바와 같이, 증착에 사용되는 잉크는 CdSO4와, NH4OH와, (NH2)2CS와, CH2N2의 혼합액을 사용하거나, 다른 조합의 용액을 사용할 수도 있다.As shown in Table 1, the ink used for deposition may use a mixture of CdSO 4 , NH 4 OH, (NH 2 ) 2 CS, and CH 2 N 2 , or a combination of other solutions.
도 1을 참조하면, 연성 기판이 오른쪽에서 왼쪽 방향으로 진행시, 오른쪽이 왼쪽에 비해 높은 위치에 위치하게 되어, 오른쪽 상단에서 투입하는 잉크(110)가 왼쪽 방향으로 화살표를 따라 흘러가게 된다. 이때, 연성 기판 투입부와 인출부 사이에 복수개의 롤(120)이 장착되어 있기 때문에, 연성 기판의 투입부에서 투입되는 잉크(110)는 복수개의 롤(120)이 회전하면서, 골고루 연성 기판에 도포된다. 하지만, 이와 같은 CdS 증착 방법은 증착이 기판의 양면에 이루어지기 때문에, 최종적인 태양 셀 모듈을 제작하기 위해서는 하부에 형성되는 CdS 박막을 다시 제거해야하는 문제점이 있었다. 또한, 사용 용액의 활용 효율이 매우 낮기 때문에, 공정에 사용되는 화학 재료의 소요 비용이 매우 높은 문제점이 있었다. 그리고, 사용되는 화학 제품이 인체에 해로운 카드늄을 포함하고 있기 때문에, 이에 대한 처리의 문제점이 있었다.Referring to FIG. 1, when the flexible substrate proceeds from the right side to the left side, the right side is positioned at a higher position than the left side, and the
이와 같이, 종래 방식에 따른 기판의 후면 증착을 방지하기 위한 롤투롤 증착 방법이 도 2에 도시되어 있다. 도 2를 참조하면, 욕조(210)에 사용을 요하는 화학 제품을 충전한 후, 화학 제품의 온도를 70°~ 80°로 유지한 상태에서 욕조(210) 내부에 롤 드럼(220)을 절반 정도 담근 상태에서 플렉서블 기판(230)을 이동시키면서 증착시킨다. 하지만, 이와 같은 CdS 증착을 위해서는 5분 ~ 10분 정도의 소요 시간이 필요하며, 이와 같은 CdS 증착의 구현을 위해 사용되는 롤 드럼(220)의 직경이 매우 커야하는 문제점이 있었다.As such, a roll-to-roll deposition method for preventing backside deposition of a substrate in a conventional manner is illustrated in FIG. 2. Referring to FIG. 2, after filling the
따라서, 본 발명은 화학 제품의 사용 효율을 높이고, 플렉서블 기판의 원하는 부분에만 선택적으로 CdS 증착을 할 수 있는 새로운 CdS 증착 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a new CdS deposition method capable of increasing the use efficiency of chemical products and selectively performing CdS deposition only on a desired portion of the flexible substrate.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 롤투롤 CdS 증착 방법은, 컨베이어 상의 플렉서블 기판이 CdS 증착을 위한 증착 시스템의 투입부에 투입되는 단계(S100)와, 상기 증착 시스템의 투입부로 투입된 상기 플렉서블 기판을 웨트 클리닝(wet cleaning)부에 의해, 웨트 클리닝을 실시하는 단계(S200)와, 상기 웨트 클리닝이 이루어진 플렉서블 기판에, ATM 플라스마 처리부를 이용하여, 드라이 클리닝(dry cleaning)을 실시하는 단계(S300)와, 상기 플렉서블 기판에, 슬릿 노즐(slit nozzle) 형태의 코팅 유닛에 의해 3번 이상 연속하여 CdS 박막 형성을 위한 화학 제품 용액을 도포하는 단계(S400)와, 상기 플렉서블 기판 위에서의 CdS 박막의 균일한 형성을 위해, 상기 화학 제품 용액이 도포된 상기 플렉서블 기판에, 핫 에어부(Hot air)에서 발생시킨 핫 에어를 플로우(flow)시키는 단계(S500)를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, in the roll-to-roll CdS deposition method according to the present invention, the flexible substrate on the conveyor is put into the input of the deposition system for CdS deposition (S100), and the flexible input to the input of the deposition system Performing wet cleaning on the substrate by a wet cleaning unit (S200) and performing dry cleaning on the flexible substrate on which the wet cleaning is performed by using an ATM plasma processing unit ( S300 and applying a chemical solution for forming the CdS thin film to the flexible substrate in a continuous three or more times by a coating unit in the form of a slit nozzle (S400), and the CdS thin film on the flexible substrate In order to uniformly form, hot air generated in a hot air flows on the flexible substrate to which the chemical solution is applied. It characterized in that it comprises a step (S500).
또한, 본 발명에 따른 롤투롤 CdS 증착 방법은, 상기 화학 제품 용액은 0.038M의 CdSO4와, 0.076M의 (NH4)2SO4와, 0.076M의 (NH2)2CS와, 29.4%(H2O 기준)의 NH3OH 용액인 것을 특징으로 한다.In addition, the roll-to-roll CdS deposition method according to the present invention, wherein the chemical solution is 0.038M CdSO 4 , 0.076M (NH 4 ) 2 SO 4 , 0.076M (NH 2 ) 2 CS, 29.4% It is characterized by the NH 3 OH solution (based on H 2 O).
또한, 본 발명에 따른 롤투롤 CdS 증착 방법은, 상기 플렉서블 기판은 PET 필름으로 코팅된 ITO 혹은 금속 포일(metal foil)인 것을 특징으로 한다.In addition, the roll-to-roll CdS deposition method according to the present invention, the flexible substrate is characterized in that the ITO or metal foil (metal foil) coated with a PET film.
또한, 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 롤투롤 CdS 증착 시스템은, CdS 증착을 위한 투입부 및 배출부 사이에, 플렉서블 기판을 이동시키는 컨베이어와, 상기 컨베이어 상의 플렉서블 기판을, CdS 증착 이전에 웨트 클리닝을 실시하기 위한 웨트 클리닝부와, 상기 웨트 클리닝이 이루어진 상기 플렉서블 기판에 드라이 클리닝을 실시하는 ATM 플라스마 처리부와, 상기 드라이 클리닝이 이루어진 상기 플렉서블 기판에, 3번 이상 연속하여 CdS 박막 형성을 위한 화학 제품 용액을 도포하여 박막을 형성하는 코팅 유닛부와, 상기 플렉서블 기판 위에서의 CdS 박막의 균일한 형성을 위해, 박막이 형성된 상기 플렉서블 기판에 핫 에어를 플로우시킴으로서, 상기 화학 제품 용액의 휘석을 용이하게 하는 핫 에어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in order to achieve the above object, the roll-to-roll CdS deposition system according to the present invention, between the inlet and outlet for the CdS deposition, the conveyor for moving the flexible substrate, and the flexible substrate on the conveyor before the CdS deposition Forming a CdS thin film in a wet cleaning unit for wet cleaning, an ATM plasma processing unit performing dry cleaning on the flexible substrate on which the wet cleaning is performed, and the flexible substrate on which the dry cleaning is performed, three or more times in succession The coating unit portion for applying a chemical solution for forming a thin film, and for the uniform formation of the CdS thin film on the flexible substrate, by flowing hot air to the flexible substrate on which the thin film is formed, the fluorescence of the chemical solution It characterized in that it comprises a hot air portion to facilitate.
또한, 본 발명에 따른 롤투롤 CdS 증착 시스템은, 상기 화학 제품 용액은 0.038M의 CdSO4와, 0.076M의 (NH4)2SO4와, 0.076M의 (NH2)2CS와, 29.4%(H2O 기준)의 NH3OH 용액인 것을 특징으로 한다.In addition, the roll-to-roll CdS deposition system according to the present invention, wherein the chemical solution is 0.038M CdSO 4 , 0.076M (NH 4 ) 2 SO 4 , 0.076M (NH 2 ) 2 CS, 29.4% It is characterized by the NH 3 OH solution (based on H 2 O).
또한, 본 발명에 따른 롤투롤 CdS 증착 시스템은, 상기 플렉서블 기판은 PET 필름으로 코팅된 ITO 혹은 금속 포일(metal foil)인 것을 특징으로 한다.In addition, the roll-to-roll CdS deposition system according to the present invention, the flexible substrate is characterized in that the ITO or metal foil (metal foil) coated with a PET film.
본 발명에 의하면, 플렉서블 기판의 원하는 부분에만 CdS 박막의 형성이 가능한 효과가 있다.According to the present invention, the CdS thin film can be formed only on a desired portion of the flexible substrate.
또한, 본 발명에 의하면, CdS 증착 용액의 사용 효율을 극대화하여 생산 단가를 낮추는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of lowering the production cost by maximizing the use efficiency of the CdS deposition solution.
또한, 본 발명에 의하면, 공정 용액을 캐니스터에 담아서 사용하기 때문에, 화학용액중에서 휘발성이 강한 암모니아수의 조성을 유지함으로써, 초기의 화학 제품의 조성을 변화없이 일정하게 유지할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, since the process solution is used in a canister, by maintaining the composition of the highly volatile ammonia water in the chemical solution, the composition of the initial chemical product can be kept constant without change.
또한, 본 발명에 의하면, CdS 박막 증착에 필요한 최소한의 용액만을 사용함으로써 공정 용액 회수 시스템을 사용하지 않기 때문에, 폐수의 발생을 최소화할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, since the process solution recovery system is not used by using only the minimum solution necessary for CdS thin film deposition, the generation of waste water can be minimized.
또한, 플렉서블 기판에 전처리를 함으로서, 화학 제품 용액의 기판에 대한 젖음성을 개선할 수 있는 효과가 있다.In addition, by pretreating the flexible substrate, there is an effect that can improve the wettability of the chemical solution to the substrate.
또한, 본 발명에 의하면, CdS 박막의 형성을 위한 혼합액의 기판상에 도포를 위하여 슬릿 노즐(slit nozzle) 형태의 정량, 균일도포가 가능한 것을 사용함으로써, 박막 두께의 제어 및 용액의 사용효율을 극대화한다.In addition, according to the present invention, by using a slit nozzle (quantity of slit nozzle), uniform coating can be applied to the substrate of the mixed liquid for the formation of the CdS thin film, to control the thickness of the thin film and maximize the use efficiency of the solution do.
도 1은 종래 방식에 따른 CdS 증착 방법을 나타내는 단면도.
도 2는 종래 방식에 따른 롤투롤 증착 방법을 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 CdS 증착용 시스템의 전체 구성을 나타내는 도면.
도 4는 도 3의 CdS 증착용 시스템의 전체 구성에서, 점선으로 도시된 부분을 확대하여 나타낸 확대도.
도 5는 도 4에서 점선으로 도시된 부분(B1)을 확대하여 나타낸 확대도.1 is a cross-sectional view showing a CdS deposition method according to the prior art.
2 is a cross-sectional view showing a roll-to-roll deposition method according to the prior art.
3 is a view showing the overall configuration of a system for CdS deposition according to the present invention.
4 is an enlarged view showing an enlarged view of a portion shown by a dotted line in the overall configuration of the CdS deposition system of FIG.
FIG. 5 is an enlarged view of a portion B1 enlarged in dotted lines in FIG. 4; FIG.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 3은 본 발명에 따른 CdS 증착용 시스템의 전체 구성을 나타내는 도면이다.3 is a view showing the overall configuration of a system for CdS deposition according to the present invention.
도 3을 참조하면, 아래의 오른쪽이 CdS 증착을 위한 투입부이고, 위의 오른쪽이 배출부이다. 아래의 오른쪽에 도시된 화살표 방향으로 컨베이어(310) 위의 플렉서블 기판(320)이 이동한다. 컨베이어(310)는 본 도면에서 원으로 표시된 롤러(330)에 의해 이동하게 된다.Referring to FIG. 3, the lower right side is an input for CdS deposition, and the upper right side is an outlet. The
우선, 컨베이어(310) 상의 플렉서블 기판(320)은 CdS 증착 이전에 웨트 클리닝(wet cleaning) 장치(340)에 의해, 웨트 클리닝이 실시된다. 이와 같이, 플렉서블 기판(320)에 CdS 증착을 하기 이전에 웨트 클리닝 장치(340)에 의한 웨트 클리닝을 실시하는 이유는 CdS 증착에 의해 박막이 제대로 형성되도록, 플렉서블 기판(320)의 표면에 잔존하는 입자(particle)를 제거하기 위함이다.First, the
다음, ATM 플라스마 처리 장치(350)를 이용하여, 웨트 클리닝 장치(340)에 의한 웨트 클리닝이 이루어진 플렉서블 기판(320)에 드라이 클리닝(dry cleaning)을 실시한다. 이와 같이, ATM 플라스마 처리 장치(350)를 이용하여 플렉서블 기판(320)에 ATM 플라스마 처리를 실시하는 이유는 기판의 표면 에너지를 조정하기 위함이다. 여기서, 표면 에너지란, 표면이 스스로 수축하여 가능한 한, 작은 면적을 취하려는 에너지를 말하며, 이와 같은 표면 에너지는 표면을 이루는 분자층(分子層)에 의해 생긴다. 즉, 기판의 표면 에너지를 조정함으로써, 이후에 코팅될 CdS용 화학 제품 용액의 기판에 대한 wetting 특성을 향상시킬 수 있게 된다.Next, using the ATM
다음, 동 도면에 도시된 바와 같이, 코팅 유닛(360)에 의해, 3번 이상 연속하여 화학 제품 용액을 플렉서블 기판(320)에 도포함으로써, CdS 박막의 두께를 조정할 수 있다. 또한, 플렉서블 기판(320) 위에서의 CdS 박막의 균일한 형성을 위해, 핫 에어 발생 장치(370)는 박막이 형성된 플렉서블 기판(320)에 핫 에어를 플로우시킴으로서, 화학 제품 용액의 휘석을 용이하게 한다.Next, as shown in the figure, the
여기서, 코팅 유닛(360)에 의해, 3번 이상 연속하여 화학 제품 용액을 플렉서블 기판(320)에 도포하는 이유는, 일정 농도를 유지하면서 박막을 형성하기 위해서이다. 즉, 종래와 같이, 연성 기판이 오른쪽에서 왼쪽 방향으로 진행시, 오른쪽이 왼쪽에 비해 높은 위치에 위치하게 함으로써, 오른쪽 상단에서 투입하는 잉크(110)가 왼쪽 방향으로 화살표를 따라 골고루 흘러가게 하거나, 또는 화학 제품 용액이 담긴 욕조(210) 내부에 롤 드럼(220)을 절반 정도 담근 상태에서 플렉서블 기판(230)을 이동시키면서 증착함으로써, 일정 농도를 유지하면서 박막을 형성하는 효과를 내기 위해서이다.Here, the
또한, 본 실시예에서, 발명자는 화학 제품 용액을 다음과 같이 사용하였다.In addition, in this example, the inventor used the chemical product solution as follows.
사용한 화학 제품 용액 : CdSO4 : 0.038M, (NH4)2SO4 : 0.076M, (NH2)2CS : 0.076M, NH3OH 29.4%(H2O 기준)의 용액을 1L 제작하여 코팅 테스트를 시도하였다.Chemical solution used: CdSO 4 : 0.038M, (NH 4 ) 2 SO 4 : 0.076M, (NH 2 ) 2 CS: 0.076M, NH 3 OH 29.4% (based on H 2 O) Test was attempted.
그 후, 추가적으로 용액의 농도를 1, 2, 3, 4, 5배로 증가시키면서 이러한 5가지의 용액에 대해 코팅하고, CdS 박막 형성을 관찰하였다. 또한, 사용 기판은 PET 필름으로 코팅된 ITO를 사용하였다.Thereafter, the concentration of the solution was further increased by 1, 2, 3, 4, 5 times, and coated on these 5 solutions, and the CdS thin film formation was observed. In addition, the substrate used was ITO coated with a PET film.
다음 표 2는 상술한 5가지 용액에 의한 CdS 박막 형성 결과를 나타내는 SEM 사진의 결과이다.Table 2 below shows the results of SEM photographs showing the results of CdS thin film formation by the five solutions described above.
[표 2][Table 2]
위의 결과에서와 같이, 조건 1번의 용액에서 조건 5번의 용액으로 갈수록 박막의 형성이 더 이루어지는 것을 확인할 수 있다. 이와 같은 이유는, 기판상에서 CdS 박막을 형성하기 위한 용액의 최적 조성 비율이 기존의 방법에 비해 사용되는 용액의 양이 적으므로 상대적인 용액의 농도가 높아지기 때문이다. 이러한 결과는 표 3의 optical enerygy band gap의 측정 결과에서도 확인이 가능하다.As in the above results, it can be seen that the formation of the thin film is further formed from the solution of the condition 1 to the solution of the condition 5. The reason for this is because the optimum composition ratio of the solution for forming the CdS thin film on the substrate is relatively small compared to the conventional method because the amount of the solution used is relatively high concentration of the solution. These results can also be confirmed from the measurement results of the optical enerygy band gap of Table 3.
[표 3][Table 3]
다음, 표 4는 박막의 조성비를 분석하는 EDAX 결과이다. Next, Table 4 shows EDAX results of analyzing the composition ratio of the thin film.
[표 4][Table 4]
이와 같은 박막의 조성을 분석한 결과, 원자 조성비(atomic ratio)가 Cd : S = 1:1로서, CdS의 박막이 제대로 형성된 것으로 확인 가능하다.As a result of analyzing the composition of such a thin film, it can be confirmed that the CdS thin film is properly formed with an atomic ratio of Cd: S = 1: 1.
다음으로, 도 4는 도 3의 CdS 증착용 시스템의 전체 구성에서, 점선으로 도시된 부분(A1)을 확대하여 나타낸 확대도이다.Next, FIG. 4 is an enlarged view showing the enlarged portion A1 shown by dotted lines in the overall configuration of the CdS deposition system of FIG. 3.
도 4에서와 같이, 코팅 유닛(360)이, 공급되는 화학 제품 용액의 양에 비례하여 화학 제품 용액을, 슬릿 노즐(slit nozzle)을 사용하여 컨베이어(310) 위에서 이동되는 플렉서블 기판(320)에 균일하게 도포한다.As in FIG. 4, the
다음, 도 5는 도 4에서 점선으로 도시된 부분(B1)을 확대하여 나타낸 확대도이다.Next, FIG. 5 is an enlarged view illustrating the enlarged portion B1 shown by a dotted line in FIG. 4.
도 5를 참조하면, 캐니스터에 CdS 증착에 사용되는 화학 제품 용액을 담는다. 그 후, 정량으로 화학 제품 용액을 코팅 유닛(360)으로 보내는 역할을 LMFC에서 담당한다.Referring to FIG. 5, the canister contains a chemical solution used for CdS deposition. The LMFC is then responsible for quantitatively sending the chemical solution to the
LMFC는 아날로그 신호 제어를 통해 화학 제품 용액을 정량으로 코팅 유닛(360)에 보내도록 제어한다. CdS 증착에 사용되는 화학 제품 용액은 강알칼리 계통의 용액이어야 하며, 이러한 농도는 CdS 증착에 있어서 중요한 인자가 되므로 농도의 관리와 시스템의 안전 관리를 위해, 화학 제품 용액이 외부로 노출되지 않도록 캐니스터의 밀봉 기능이 양호하도록 형성한다.The LMFC controls to send the chemical solution quantitatively to the
이상에서는 본 발명의 실시예를 예로 들어 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경이 가능하다. 따라서, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안되며, 이하에 기재된 특허청구범위에 의해 해석되어야 함이 자명하다.Although the embodiments of the present invention have been described above, various modifications may be made by those skilled in the art. Therefore, it should be understood that the present invention should not be construed as being limited to the above embodiments, but should be construed in accordance with the following claims.
310 : 컨베이어
320 : 플렉서블 기판
330 : 롤러
340 : 웨트 클리닝 장치
350 : ATM 플라스마 처리 장치
360 : 코팅 유닛
370 : 핫 에어 발생 장치310: Conveyor
320: flexible substrate
330: Roller
340: wet cleaning device
350: ATM Plasma Processing Unit
360: Coating Unit
370: hot air generating device
Claims (6)
상기 증착 시스템의 투입부로 투입된 상기 플렉서블 기판을 웨트 클리닝(wet cleaning)부에 의해, 웨트 클리닝을 실시하는 단계(S200)와,
상기 웨트 클리닝이 이루어진 플렉서블 기판에, ATM 플라스마 처리부를 이용하여, 드라이 클리닝(dry cleaning)을 실시하는 단계(S300)와,
상기 플렉서블 기판에, 슬릿 노즐(slit nozzle) 형태의 코팅 유닛에 의해 3번 이상 연속하여 CdS 박막 형성을 위한 화학 제품 용액을 도포하는 단계(S400)와,
상기 플렉서블 기판 위에서의 CdS 박막의 균일한 형성을 위해, 상기 화학 제품 용액이 도포된 상기 플렉서블 기판에, 핫 에어부(Hot air)에서 발생시킨 핫 에어를 플로우(flow)시키는 단계(S500)를 포함하는 것을 특징으로 하는 롤투롤 CdS 증착 방법.The flexible substrate on the conveyor is put into the input of the deposition system for CdS deposition (S100),
Performing a wet cleaning on the flexible substrate introduced into the input unit of the deposition system by a wet cleaning unit (S200);
Performing dry cleaning on the flexible substrate on which the wet cleaning is performed using an ATM plasma processing unit (S300);
Applying a chemical solution for forming a CdS thin film to the flexible substrate three or more times in succession by a coating unit in the form of a slit nozzle (S400);
In order to uniformly form the CdS thin film on the flexible substrate, the step of flowing the hot air generated in the hot air (Hot air) to the flexible substrate coated with the chemical solution (S500) Roll to roll CdS deposition method characterized in that.
상기 화학 제품 용액은 0.038M의 CdSO4와, 0.076M의 (NH4)2SO4와, 0.076M의 (NH2)2CS와, 29.4%(H2O 기준)의 NH3OH 용액인 것을 특징으로 하는 롤투롤 CdS 증착 방법.The method of claim 1,
And the chemistry of the solution was 0.038M CdSO 4, and the (NH 4) 2 SO 4 in 0.076M, the NH 3 OH solution (NH 2) 2 CS and, 29.4% (H 2 O basis) of a 0.076M Roll to roll CdS deposition method characterized in that.
상기 플렉서블 기판은 PET 필름으로 코팅된 ITO 혹은 금속 포일(metal foil)인 것을 특징으로 하는 롤투롤 CdS 증착 방법.The method of claim 1,
The flexible substrate is roll-to-roll CdS deposition method characterized in that the ITO or metal foil (metal foil) coated with a PET film.
상기 컨베이어 상의 플렉서블 기판을, CdS 증착 이전에 웨트 클리닝을 실시하기 위한 웨트 클리닝부와,
상기 웨트 클리닝이 이루어진 상기 플렉서블 기판에 드라이 클리닝을 실시하는 ATM 플라스마 처리부와,
상기 드라이 클리닝이 이루어진 상기 플렉서블 기판에, 3번 이상 연속하여 CdS 박막 형성을 위한 화학 제품 용액을 도포하여 박막을 형성하는 코팅 유닛부와,
상기 플렉서블 기판 위에서의 CdS 박막의 균일한 형성을 위해, 박막이 형성된 상기 플렉서블 기판에 핫 에어를 플로우시킴으로서, 상기 화학 제품 용액의 휘석을 용이하게 하는 핫 에어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 롤투롤 CdS 증착 시스템.A conveyor for moving the flexible substrate between the inlet and the outlet for CdS deposition;
A wet cleaning unit for performing wet cleaning on the flexible substrate on the conveyor before CdS deposition;
An ATM plasma processing unit for performing dry cleaning on the flexible substrate on which the wet cleaning is performed;
A coating unit unit which forms a thin film by applying a chemical solution for forming a CdS thin film to the flexible substrate on which the dry cleaning is performed three or more times in succession;
Roll to roll CdS deposition, comprising: a hot air portion for facilitating the dilution of the chemical solution by flowing hot air to the flexible substrate on which the thin film is formed for uniform formation of the CdS thin film on the flexible substrate. system.
상기 화학 제품 용액은 0.038M의 CdSO4와, 0.076M의 (NH4)2SO4와, 0.076M의 (NH2)2CS와, 29.4%(H2O 기준)의 NH3OH 용액인 것을 특징으로 하는 롤투롤 CdS 증착 시스템.The method of claim 4, wherein
And the chemistry of the solution was 0.038M CdSO 4, and the (NH 4) 2 SO 4 in 0.076M, the NH 3 OH solution (NH 2) 2 CS and, 29.4% (H 2 O basis) of a 0.076M Roll to roll CdS deposition system characterized.
상기 플렉서블 기판은 PET 필름으로 코팅된 ITO 혹은 금속 포일(metal foil)인 것을 특징으로 하는 롤투롤 CdS 증착 시스템.The method of claim 4, wherein
The flexible substrate is a roll-to-roll CdS deposition system, characterized in that the ITO or metal foil (metal foil) coated with a PET film.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110059711A KR101257819B1 (en) | 2011-06-20 | 2011-06-20 | ROLL TO ROLL CdS DEPOSITION METHOD AND SYSTEM |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110059711A KR101257819B1 (en) | 2011-06-20 | 2011-06-20 | ROLL TO ROLL CdS DEPOSITION METHOD AND SYSTEM |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120140077A true KR20120140077A (en) | 2012-12-28 |
KR101257819B1 KR101257819B1 (en) | 2013-05-06 |
Family
ID=47906232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110059711A KR101257819B1 (en) | 2011-06-20 | 2011-06-20 | ROLL TO ROLL CdS DEPOSITION METHOD AND SYSTEM |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101257819B1 (en) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3684013B2 (en) | 1997-01-21 | 2005-08-17 | キヤノン株式会社 | Semiconductor thin film and photovoltaic device manufacturing apparatus |
JP2008081794A (en) | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Showa Denko Kk | Aluminum alloy, and thin film solar cell substrate |
US20080093221A1 (en) | 2006-10-19 | 2008-04-24 | Basol Bulent M | Roll-To-Roll Electroplating for Photovoltaic Film Manufacturing |
-
2011
- 2011-06-20 KR KR1020110059711A patent/KR101257819B1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101257819B1 (en) | 2013-05-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102971085B (en) | roll coater | |
US9673348B2 (en) | Buffer layer deposition for thin-film solar cells | |
US7858151B2 (en) | Formation of CIGS absorber layer materials using atomic layer deposition and high throughput surface treatment | |
JP5243550B2 (en) | Method and device for processing silicon wafers | |
TWI544537B (en) | Method and device for processing silicon substrates | |
US20100300352A1 (en) | Solution deposition assembly | |
CN103469179B (en) | A kind of inorganic gradient thin film preparation method under vacuum environment based on solution | |
Oliva-Avilés et al. | CdS films deposited by chemical bath under rotation | |
Muñoz-Rojas et al. | Spatial atomic layer deposition | |
US8361831B2 (en) | Zinc oxide film forming method and apparatus | |
CN102766900A (en) | Method for preparing cadmium sulfide film by using chemical bath deposition method | |
JP5006245B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing chalcopyrite thin film solar cell | |
US20120045533A1 (en) | Thin film buffer layer solution deposition assembly | |
TWI460305B (en) | Apparatus for chemical bath deposition | |
KR101257819B1 (en) | ROLL TO ROLL CdS DEPOSITION METHOD AND SYSTEM | |
CN109830552A (en) | A kind of nano-crystalline thin membrane preparation method for solar battery light-absorption layer | |
KR20100088139A (en) | Method and device for coating a carrier for thin-film solar cells | |
JP3465872B2 (en) | Method and apparatus for treating cadmium telluride film for solar cell | |
WO2005081789A2 (en) | Formation of CIGS Absorber Layer by Atomic Layer Deposition | |
TW201504464A (en) | Vapor dispensing apparatus and method for forming solar panel | |
Huong et al. | Impact of Precursor Exposure in Spatial Atomic Layer Deposition on Process Efficiency and Film Properties | |
KR101457290B1 (en) | Ald system with dual purging line | |
KR101231987B1 (en) | Flexible CIGS thin film solar cells for the formation of the buffer layer Continuous deposition apparatus | |
KR20120021087A (en) | Buffer layer deposition apparatus for thin-film solar cells and method for deposition of buffer layer using the same | |
CN217094114U (en) | Chain type double-sided deposition equipment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160504 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170309 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180322 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190220 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200227 Year of fee payment: 8 |