KR20120139826A - Capacitive input device - Google Patents

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KR20120139826A
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아츠시 마츠다
기요시 고바야시
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알프스 덴키 가부시키가이샤
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Abstract

하부 전극 패턴과 상부 전극 패턴의 교차 위치에서의 중첩 면적을, 조작면에서부터 센서부까지의 거리에 기초하여 조정하여, 센서 감도의 균일성을 간단하고 또한 적절하게 향상시킨 정전 용량식 입력 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 하부 전극 패턴과 상부 전극 패턴이 평면에서 볼 때에 교차하여 배치되고, 하부 전극 패턴과 상부 전극 패턴 사이에서의 교차 위치에 정전 용량이 발생하여 이루어지는 센서부와, 센서부와 높이 방향으로 대향하여 배치되고, 표면에 조작면을 구비하는 표면 부재를 가지고 구성된다. 조작면은, 조작체를 조작면 상에 접촉시켰을 때의 조작체와 상기 센서부 사이의 거리가 조작체의 조작면 상에서의 접촉 위치에 따라 상이하도록 곡면을 가지고 형성되어 있다. 그리고, 교차 위치 (16a ? 16p) 에서의 하부 전극 패턴 (14a ? 14d) 과 상부 전극 패턴 (13a ? 13d) 의 중첩 면적은, 조작면과 상기 센서부 사이의 거리가 클수록 작게 형성되어 있다.An overlapping area at the intersection of the lower electrode pattern and the upper electrode pattern is adjusted based on the distance from the operation surface to the sensor portion, thereby providing a capacitive input device which simply and appropriately improves the uniformity of the sensor sensitivity. It aims to do it. The lower electrode pattern and the upper electrode pattern are disposed to cross each other in a plan view, and are disposed to face each other in the height direction with the sensor portion, in which the capacitance is generated at an intersection position between the lower electrode pattern and the upper electrode pattern. And a surface member having an operation surface on its surface. The operating surface is formed with a curved surface such that the distance between the operating body and the sensor portion when the operating body is in contact with the operating surface is different depending on the contact position on the operating surface of the operating body. The overlapping area of the lower electrode patterns 14a to 14d and the upper electrode patterns 13a to 13d at the crossing positions 16a to 16p is formed to be smaller as the distance between the operation surface and the sensor portion is larger.

Description

정전 용량식 입력 장치{CAPACITIVE INPUT DEVICE}Capacitive Input Device {CAPACITIVE INPUT DEVICE}

본 발명은, 입력 좌표 위치를 검출할 수 있는 정전 용량식 입력 장치에 관한 것으로, 특히, 조작면이 곡면상으로 형성되어 이루어지는 입력 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a capacitive input device capable of detecting input coordinate positions, and more particularly, to an input device in which an operating surface is formed in a curved shape.

도 9 는 종래에 있어서의 정전 용량식 입력 장치를 모식적으로 나타낸 부분 종단면도, 도 10 은, 종래에 있어서의 입력 장치의 센서부에 형성되는 하부 전극 패턴과 상부 전극 패턴의 부분 평면도이다.FIG. 9 is a partial longitudinal cross-sectional view schematically showing a capacitive input device in the related art. FIG. 10 is a partial plan view of the lower electrode pattern and the upper electrode pattern formed in the sensor portion of the conventional input device.

도 9 에 나타내는 바와 같이 정전 용량식 입력 장치 (1) 는, 표면에 하부 전극 패턴이 형성된 하부 기판 (2) 과, 표면에 상부 전극 패턴이 형성된 상부 기판 (3) 과, 표면에 조작면 (4a) 을 구비하는 표면 부재 (4) 를 구비한다. 센서부 (5) 는, 하부 기판 (2) 과 상부 기판 (3) 을 가지고 구성된다.As shown in FIG. 9, the capacitive input device 1 has the lower substrate 2 with the lower electrode pattern formed on the surface, the upper substrate 3 with the upper electrode pattern formed on the surface, and the operation surface 4a on the surface. ) Is provided with a surface member (4). The sensor part 5 is comprised with the lower board | substrate 2 and the upper board | substrate 3. As shown in FIG.

도 9 에 나타내는 바와 같이 표면 부재 (4) 는 센서부 (5) 의 상면측에 형성되고, 표면 부재 (4) 와 센서부 (5) 사이가 점착층 (40) 을 개재하여 접합되어 있다.As shown in FIG. 9, the surface member 4 is formed in the upper surface side of the sensor part 5, and the surface member 4 and the sensor part 5 are joined through the adhesion layer 40. As shown in FIG.

도 9 에 나타내는 형태에서는, 예를 들어, 표면 부재 (4) 의 조작면 (4a) 이 볼록 곡면으로 형성되어 있다. 한편, 센서부 (5) 를 구성하는 하부 기판 (2) 과 상부 기판 (3) 은 서로 평면상으로 형성되어 있다. 이 때문에, 손가락 (F) 을 조작면 (4a) 상에 접촉시켰을 때의 손가락 (F) 과 센서부 (5) 사이의 높이 방향 (Z) 으로의 거리 (L1) 는, 상기 손가락 (F) 의 조작면 (4a) 상에서의 접촉 위치에 따라 상이하다. 도 9 에 나타내는 손가락 (F) 은, 거리 (L1) 가 가장 커지는 위치의 조작면 (4a) 상에 접촉하고 있다.In the form shown in FIG. 9, the operation surface 4a of the surface member 4 is formed in convex curved surface, for example. On the other hand, the lower board | substrate 2 and the upper board | substrate 3 which comprise the sensor part 5 are formed in planar shape mutually. For this reason, the distance L1 in the height direction Z between the finger F and the sensor portion 5 when the finger F is brought into contact with the operation surface 4a is the same as that of the finger F. It differs according to the contact position on the operation surface 4a. The finger F shown in FIG. 9 is contacting on the operation surface 4a of the position where distance L1 becomes largest.

도 10 에 나타내는 바와 같이 복수 개의 하부 전극 패턴 (6) 과 복수 개의 상부 전극 패턴 (7) 은 서로 교차하여 배치되어 있다. 각 하부 전극 패턴 (6) 의 패턴 폭 (T1) 은 모두 동일한 크기이고, 마찬가지로 각 상부 전극 패턴 (7) 의 패턴 폭 (T2) 은 모두 동일한 크기로 형성된다.As shown in FIG. 10, the plurality of lower electrode patterns 6 and the plurality of upper electrode patterns 7 are arranged to cross each other. The pattern width T1 of each lower electrode pattern 6 is all the same size, and similarly, the pattern width T2 of each upper electrode pattern 7 is all formed the same size.

각 하부 전극 패턴 (6) 과 각 상부 전극 패턴 (7) 의 교차 위치 (8) 에서는, 정전 용량 (C1) 이 발생하고 있다. 도 9 에 나타내는 바와 같이 하부 기판 (2) 과 상부 기판 (3) 사이의 높이 방향 (Z) 의 거리는 일정하고 게다가 각 교차 위치 (8) 에서의 중첩 면적이 일정하기 때문에, 각 교차 위치 (8) 에서 발생하는 정전 용량 (C1) 은 동일한 크기로 되어 있다.At the intersection position 8 of each lower electrode pattern 6 and each upper electrode pattern 7, the capacitance C1 is generated. As shown in FIG. 9, since the distance of the height direction Z between the lower board | substrate 2 and the upper board | substrate 3 is constant, and the overlapping area in each crossing position 8 is constant, each crossing position 8 The capacitance C1 generated at is the same size.

도 10 에 나타내는 하부 전극 패턴 (6) 은 구동용 전극이고, 상부 전극 패턴 (7) 은 검출용 전극이다. 도 9 에 나타내는 바와 같이, 도전체인 손가락 (F) (조작체) 이, 조작면 (4a) 에 닿으면, 손가락 (F) 근방에서는, 상하 전극 패턴 (6, 7) 사이의 교차 위치에서 발생한 정전 용량에, 손가락 (F) 과 센서부 (5) 사이에 발생하는 정전 용량이 가미되기 때문에, 손가락 (F) 을 댔을 때와 대지 않았을 때에 있어서 용량 변화가 생긴다. 따라서, 구동용 전극인 하부 전극 패턴 (6) 에 펄스상의 전압을 부여한 상태에서, 순차적으로, 각 상부 전극 패턴 (7) 의 시정수의 변화를 검지하고, 이 시정수 변화의 연속 검지를, 각 하부 전극 패턴 (14) 에 전압을 순서대로 부여하면서 실시함으로써, 조작면 (4a) 에 있어서의 손가락 (F) 이 닿은 위치를 산출할 수 있다.The lower electrode pattern 6 shown in FIG. 10 is a drive electrode, and the upper electrode pattern 7 is an electrode for detection. As shown in FIG. 9, when the finger F (operating body) which is a conductor touches the operation surface 4a, the electrostatic force which generate | occur | produced in the crossing position between the up-and-down electrode patterns 6 and 7 in the vicinity of the finger F is shown. Since the capacitance takes into account the capacitance generated between the finger F and the sensor portion 5, a change in capacitance occurs when the finger F is put on and when it is not applied. Therefore, in a state in which the voltage of the pulse phase is applied to the lower electrode pattern 6 which is the driving electrode, the change of the time constant of each upper electrode pattern 7 is sequentially detected, and the continuous detection of the change of this time constant By implementing while giving voltage to the lower electrode pattern 14 in order, the position which the finger F in the operation surface 4a touched can be calculated.

그러나, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 손가락 (F) 을 곡면의 조작면 (4a) 상에 접촉시켰을 때, 손가락 (F) 과 센서부 (5) 사이의 높이 방향 (Z) 으로의 거리 (L1) 는 손가락 (F) 의 접촉 위치에 따라 상이하고, 손가락 (F) 과 센서부 (5) 사이에서 발생하는 정전 용량 (C11) 의 크기가 손가락 (F) 의 접촉 위치에 따라 상이하지만, 각 전극 패턴 (7, 8) 사이의 각 교차 위치 (8) 에서의 정전 용량 (C1) 은 어느 장소에서나 일정하기 때문에, 손가락 (F) 을 조작면 (4a) 상에 접촉시켰을 때의 용량 변화가 손가락 (F) 의 접촉 위치에 따라 불균일하여, 균일한 센서 감도를 얻을 수 없는 문제가 있었다.However, as shown in FIG. 9, when the finger F is contacted on the curved operation surface 4a, the distance L1 in the height direction Z between the finger F and the sensor part 5 is shown. Is different depending on the contact position of the finger F, and the size of the capacitance C11 generated between the finger F and the sensor portion 5 differs depending on the contact position of the finger F, but each electrode pattern Since the capacitance C1 at each intersection position 8 between the 7 and 8 is constant at any place, the capacitance change when the finger F is brought into contact with the operating surface 4a is the finger F. FIG. ), There was a problem that it was uneven depending on the contact position, and that uniform sensor sensitivity could not be obtained.

상기한 센서 감도의 편차를 억제하기 위하여, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 표면 부재 (4) 의 조작면 (4a) 의 곡면 형상을 본떠 센서부 (5) 도 곡면상으로 형성하는 구성을 생각할 수 있다. 이로써 도 9 에 나타내는 종래의 구조에 비해 조작면 (4a) 전체에서의 센서 감도를 균일화하기 쉬울 것으로 생각되었다.In order to suppress the above-mentioned deviation of the sensor sensitivity, as shown in FIG. 11, the structure which the sensor part 5 also forms the curved surface in consideration of the curved shape of the operation surface 4a of the surface member 4 can be considered. . It was thought that this makes it easy to equalize the sensor sensitivity in the whole operation surface 4a compared with the conventional structure shown in FIG.

그러나, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 곡면상의 센서부 (5) 를 적절하고 또한 안정적으로 형성하는 것은 매우 어렵다. 표면 부재 (4) 의 조작면 (4a) 이 평면 내에서 직교하는 2 방향 중 어느 쪽에 대해서도 곡면으로 형성되는 3D 형상의 경우나 곡률에 의해서는, 도 9 와 같이 평면 형태로 형성된 센서부 (5) 를 매끈하게 (주름 없이) 곡면 형상으로 절곡시킬 수 없다. 혹은 처음부터 곡면상으로 성형된 기재를 사용해도, 그 기재의 표면에 전극 패턴을 소정 폭으로 패턴 형성하는 것이 곤란하다.However, as shown in FIG. 11, it is very difficult to form the curved sensor part 5 appropriately and stably. In the case of a 3D shape or curvature in which the operating surface 4a of the surface member 4 is formed in a curved surface in any of two directions orthogonal in the plane, the sensor portion 5 formed in a planar shape as shown in FIG. 9. Cannot be bent smoothly (without wrinkles) into a curved shape. Or even if the base material shape | molded by the curved surface was used from the beginning, it is difficult to form an electrode pattern in a predetermined width on the surface of the base material.

따라서, 도 11 에 나타내는 바와 같이 표면 부재 (4) 와 함께 센서부 (5) 도 곡면상으로 하는 형태에서는, 간단하고 또한 안정적으로, 균일한 센서 감도를 갖는 입력 장치를 제조할 수 없었다.Therefore, as shown in FIG. 11, in the form in which the sensor part 5 is also curved along with the surface member 4, the input device which has a uniform sensor sensitivity could not be manufactured simply and stably.

일본 공개특허공보 2003-91360호Japanese Laid-Open Patent Publication 2003-91360 일본 공개특허공보 2008-47026호Japanese Laid-Open Patent Publication 2008-47026 일본 공개특허공보 2004-252676호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-252676 일본 공개특허공보 2010-20443호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-20443 일본 공개특허공보 2008-97283호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2008-97283

특허문헌 1 ? 3 에 기재된 입력 장치의 구조는, 도 11 에 나타내는 종래 구조이다. 또한, 특허문헌 2, 3 에 기재된 입력 장치는 정전 용량식이 아니라 저항식 입력 장치를 구성한다 (특허문헌 2 의 [0002] 란, 특허문헌 3 의 [0003] 란).Patent Document 1? The structure of the input device of 3 is a conventional structure shown in FIG. In addition, the input devices described in Patent Documents 2 and 3 constitute a resistive input device rather than a capacitance type (The column of Patent Document 2 is the column of Patent Document 3).

특허문헌 4, 5 에 기재된 입력 장치에서는, 표면 부재의 조작면이 곡면인 형태에 있어서 센서 감도의 균일성을 향상시키기 위한 구조는 전혀 기재되어 있지 않다.In the input device of patent documents 4 and 5, the structure for improving the uniformity of a sensor sensitivity is not described at all in the form whose operation surface of a surface member is a curved surface.

그래서, 본 발명은 상기 종래의 과제를 해결하기 위한 것으로서, 특히, 하부 전극 패턴과 상부 전극 패턴의 교차 위치에서의 중첩 면적을, 조작면에서부터 센서부까지의 거리에 기초하여 조정함으로써, 조작면 전체에 있어서의 센서 감도의 균일성을 간단하고 또한 적절하게 향상시킨 정전 용량식 입력 장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and in particular, by adjusting the overlapping area at the intersection position of the lower electrode pattern and the upper electrode pattern based on the distance from the operation surface to the sensor portion, It is an object of the present invention to provide a capacitive input device in which the uniformity of the sensor sensitivity in the sensor is improved simply and appropriately.

본 발명에 있어서의 정전 용량식 입력 장치는,The capacitive input device in the present invention,

높이 방향으로 간격을 두고 형성된 복수 개의 하부 전극 패턴과 복수 개의 상부 전극 패턴이 평면에서 볼 때에 교차하여 배치되고, 상기 하부 전극 패턴과 상기 상부 전극 패턴 사이에서의 교차 위치에 정전 용량이 발생하여 이루어지는 센서부와, 상기 센서부와 높이 방향으로 대향하여 배치되고, 표면에 조작면을 구비하는 표면 부재를 가지고 구성되고, A sensor formed by crossing a plurality of lower electrode patterns and a plurality of upper electrode patterns formed at intervals in the height direction when viewed in plan view, and generating capacitance at an intersection between the lower electrode pattern and the upper electrode pattern. And a surface member disposed opposite to the sensor portion in the height direction and having an operating surface on the surface thereof,

상기 조작면은, 조작체를 조작면 상에 접촉시켰을 때의 상기 조작체와 상기 센서부 사이의 높이 방향으로의 거리가 상기 조작체의 상기 조작면 상에서의 접촉 위치에 따라 상이하도록 곡면을 가지고 형성되어 있고, The operating surface is formed with a curved surface such that the distance in the height direction between the operating body and the sensor portion when the operating body is in contact with the operating surface is different depending on the contact position on the operating surface of the operating body. It is,

상기 교차 위치에서의 상기 하부 전극 패턴과 상기 상부 전극 패턴의 중첩 면적은, 상기 조작면과 상기 센서부 사이의 거리가 클수록 작게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다. 이로써, 각 하부 전극 패턴과 각 상부 전극 패턴의 교차 위치에서의 정전 용량을, 조작면과 센서부 사이의 거리가 커질수록 작게 할 수 있어, 손가락 등의 조작체를 조작면 상의 상이한 위치에 접촉시켰을 때의 용량 변화의 편차를 종래에 비해 억제할 수 있어, 조작면 전체에 있어서의 센서 감도의 균일성을 간단하고 또한 적절하게 향상시키는 것이 가능해진다. 본 발명에서는, 각 전극 패턴 사이의 교차 위치에서의 중첩 면적을 상기와 같이 조정함으로써 센서부를 평면 형상 (평판상) 으로 형성할 수 있기 때문에, 도 11 에 나타내는 바와 같이 센서부를 곡면상으로 형성하는 경우 등에 비해 센서부를 간단하고 또한 적절하게 형성할 수 있고, 따라서, 조작면 전체에 있어서의 센서 감도의 균일성이 우수한 입력 장치를 간단하고 또한 안정적으로 제조하는 것이 가능하다.The overlapping area of the lower electrode pattern and the upper electrode pattern at the crossing position is smaller as the distance between the operation surface and the sensor portion increases. As a result, the capacitance at the intersection of each of the lower electrode patterns and each of the upper electrode patterns can be made smaller as the distance between the operation surface and the sensor portion becomes larger, whereby an operating body such as a finger is brought into contact with different positions on the operation surface. Variation in capacity change at the time can be suppressed compared with the past, and it becomes possible to improve uniformity of the sensor sensitivity on the whole operation surface simply and suitably. In the present invention, since the sensor portion can be formed in a planar shape (flat plate shape) by adjusting the overlapping area at the intersection position between the respective electrode patterns as described above, when forming the sensor portion in a curved shape as shown in FIG. The sensor portion can be formed simply and appropriately as compared with the above. Thus, it is possible to easily and stably manufacture an input device having excellent uniformity of sensor sensitivity on the entire operating surface.

본 발명에서는, 각 교차 위치에서의 상기 중첩 면적의 비율은, 각 교차 위치에 있어서의 상기 조작면과 상기 센서부 사이의 거리의 비율에 반비례하는 것이 바람직하다. 이로써, 보다 효과적으로 균일한 센서 감도를 얻을 수 있다.In this invention, it is preferable that the ratio of the said overlapping area in each intersection position is inversely proportional to the ratio of the distance between the said operation surface and the said sensor part in each intersection position. Thereby, uniform sensor sensitivity can be obtained more effectively.

또, 본 발명에서는, 각 하부 전극 패턴은, 제 1 방향으로 간격을 두고 배치됨과 함께, 각각, 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되어 형성되어 있고, In addition, in the present invention, the lower electrode patterns are arranged at intervals in the first direction and extend in a second direction crossing the first direction, respectively.

각 상부 전극 패턴은, 상기 제 2 방향으로 간격을 두고 배치됨과 함께, 각각, 상기 제 1 방향으로 연장되어 형성되어 있고,The upper electrode patterns are arranged at intervals in the second direction and extend in the first direction, respectively.

상기 조작면은 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향 중 적어도 어느 일방을 향하여 볼록 곡면 혹은 오목 곡면으로 형성되어 있으며,The operation surface is formed of a convex curved surface or a concave curved surface toward at least one of the first direction and the second direction,

상기 조작면의 곡면 방향과 동일한 방향으로 형성된 각 전극 패턴의 패턴 폭은, 상기 조작면과 상기 센서부 사이의 거리가 클수록 작아지도록 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이 때, 상기 패턴 폭의 양측에 위치하는 각 전극 패턴의 측면부를 만곡 형상으로 형성할 수 있다. 이로써, 간단한 형상으로 각 전극 패턴을 형성할 수 있음과 함께, 각 교차 위치에서의 중첩 면적을, 조작면과 센서부 사이의 거리가 클수록 작아지도록 적절하고 또한 용이하게 조정하는 것이 가능하다.It is preferable that the pattern width of each electrode pattern formed in the same direction as the curved surface direction of the said operation surface is formed so that it may become small, so that the distance between the said operation surface and the said sensor part is large. At this time, the side surface portion of each electrode pattern located on both sides of the pattern width can be formed in a curved shape. Thereby, while being able to form each electrode pattern in a simple shape, it is possible to adjust suitably and easily so that the overlap area in each intersection position may become small so that the distance between an operation surface and a sensor part may become large.

또, 본 발명에서는, 상기 표면 부재는, 상기 센서부의 상면측에 배치되고, 상기 하부 전극 패턴이 구동 전극이고, 상기 상부 전극 패턴이 검출 전극인 구성에 바람직하게 적용할 수 있다.Moreover, in this invention, the said surface member is arrange | positioned at the upper surface side of the said sensor part, and it can apply suitably to the structure whose said lower electrode pattern is a drive electrode, and the said upper electrode pattern is a detection electrode.

본 발명의 입력 장치에 의하면, 종래에 비해, 조작면 전체에서의 센서 감도의 균일성을 향상시킬 수 있다.According to the input device of this invention, the uniformity of the sensor sensitivity in the whole operation surface can be improved compared with the past.

도 1 은 본 실시형태의 입력 장치의 분해 사시도,
도 2 는 본 실시형태에 있어서의 표면 부재, 하부 전극 패턴 및 상부 전극 패턴을 설명하기 위한 도면으로서, (a) 는 표면 부재의 평면도, 및 표면 부재를 A-A 선 및 B-B 선을 따라 절단했을 때의 단면도, (b) 는 하부 전극 패턴의 평면도, (c) 는 상부 전극 패턴의 평면도, (d) 는 (b) 의 하부 전극 패턴과 (c) 의 상부 전극 패턴을 중첩시킨 상태의 평면도,
도 3 은 도 2 와는 다른 실시형태에 있어서의 표면 부재, 하부 전극 패턴 및 상부 전극 패턴을 설명하기 위한 도면 ((a) 는 평면도 및 단면도, (b) ? (d) 는 평면도),
도 4 는 도 2, 도 3 과는 다른 실시형태에 있어서의 표면 부재, 하부 전극 패턴 및 상부 전극 패턴을 설명하기 위한 도면 ((a) 는 평면도 및 단면도, (b) ? (d) 는 평면도),
도 5 는 도 2 ? 도 4 와는 다른 실시형태에 있어서의 표면 부재, 하부 전극 패턴 및 상부 전극 패턴을 설명하기 위한 도면 ((a) 는 평면도 및 단면도, (b) ? (d) 는 평면도),
도 6 은 도 2 ? 도 5 와는 상이한 전극 패턴을 나타내는 부분 확대 평면도,
도 7 은 도 1 에 나타내는 본 실시형태의 입력 장치를 X1-X2 방향을 따라 절단했을 때의 부분 종단면도,
도 8 은 도 7 과 상이한 표면 부재를 사용한 본 실시형태의 입력 장치의 부분 종단면도,
도 9 는 종래에 있어서의 정전 용량식 입력 장치를 모식적으로 나타낸 부분 종단면도,
도 10 은 종래에 있어서의 입력 장치의 센서부에 형성되는 하부 전극 패턴과 상부 전극 패턴의 부분 평면도,
도 11 은 도 9 와 상이한 형태의 종래에 있어서의 정전 용량식 입력 장치를 모식적으로 나타낸 부분 종단면도이다.1 is an exploded perspective view of an input device of the present embodiment;
FIG. 2 is a view for explaining the surface member, the lower electrode pattern, and the upper electrode pattern in the present embodiment, wherein (a) is a plan view of the surface member and when the surface member is cut along the AA and BB lines. (B) is a plan view of the lower electrode pattern, (c) is a plan view of the upper electrode pattern, (d) is a plan view of a state where the lower electrode pattern of (b) and the upper electrode pattern of (c) are superimposed,
3 is a view for explaining a surface member, a lower electrode pattern, and an upper electrode pattern in an embodiment different from that in FIG. 2 ((a) is a plan view and a sectional view, (b)? (D) is a plan view),
4 is a view for explaining a surface member, a lower electrode pattern, and an upper electrode pattern in an embodiment different from FIGS. 2 and 3 ((a) is a plan view and a sectional view, and (b) to (d) are a plan view) ,
5 is FIG. 2? 4 is a plan view for explaining the surface member, the lower electrode pattern, and the upper electrode pattern in an embodiment different from FIG. 4 ((a) is a plan view and a sectional view, (b)? (D) is a plan view),
6 is FIG. 2? Partial enlarged plan view showing an electrode pattern different from FIG. 5,
7 is a partial longitudinal cross-sectional view when the input device of this embodiment shown in FIG. 1 is cut along the X1-X2 direction;
FIG. 8 is a partial longitudinal cross-sectional view of the input device of this embodiment using a surface member different from FIG. 7; FIG.
9 is a partial longitudinal cross-sectional view schematically showing a conventional capacitive input device;
10 is a partial plan view of a lower electrode pattern and an upper electrode pattern formed in a sensor portion of an input device according to the related art;
FIG. 11 is a partial longitudinal cross-sectional view schematically showing a capacitive input device according to the related art different from FIG. 9.

도 1 은, 본 실시형태의 정전 용량식 입력 장치 (터치 패널) (10) 의 분해 사시도, 도 2 는, 본 실시형태에 있어서의 표면 부재, 하부 전극 패턴 및 상부 전극 패턴을 설명하기 위한 도면으로서, (a) 는 표면 부재의 평면도, 및 표면 부재를 A-A 선 및 B-B 선을 따라 절단했을 때의 단면도, (b) 는 하부 전극 패턴의 평면도, (c) 는 상부 전극 패턴의 평면도, (d) 는 (b) 의 하부 전극 패턴과 (c) 의 상부 전극 패턴을 중첩시킨 상태의 평면도이다. 도 3 ? 도 5 는 도 2 와는 다른 실시형태를 나타낸다. 도 6 은, 도 2 ? 도 5 와는 상이한 전극 패턴을 나타내는 부분 확대 평면도이다. 도 7 은 도 1 에 나타내는 본 실시형태의 입력 장치를 X1-X2 방향을 따라 절단했을 때의 부분 종단면도, 도 8 은 도 7 과 상이한 표면 부재를 사용한 본 실시형태의 입력 장치의 부분 종단면도이다.1 is an exploded perspective view of the capacitive input device (touch panel) 10 of the present embodiment, and FIG. 2 is a view for explaining the surface member, the lower electrode pattern, and the upper electrode pattern in the present embodiment. (a) is a plan view of the surface member, and a sectional view when the surface member is cut along the AA and BB lines, (b) is a plan view of the lower electrode pattern, (c) is a plan view of the upper electrode pattern, (d) Is a plan view of the state which superposed the lower electrode pattern of (b) and the upper electrode pattern of (c). 3? FIG. 5 shows an embodiment different from FIG. 2. 6 is FIG. 2? It is a partially enlarged plan view which shows an electrode pattern different from FIG. 7 is a partial longitudinal cross-sectional view when the input device of this embodiment shown in FIG. 1 is cut | disconnected along the X1-X2 direction, and FIG. 8 is a partial longitudinal cross-sectional view of the input device of this embodiment using the surface member different from FIG. .

도 1 에 나타내는 바와 같이 입력 장치 (10) 는, 아래부터 기재 표면에 복수 개의 하부 전극 패턴이 형성된 하부 기판 (22), 점착층 (30), 기재 표면에 복수 개의 상부 전극 패턴이 형성된 상부 기판 (21), 점착층 (31), 및, 표면에 조작면 (20a) 을 구비한 표면 부재 (20) 의 순서로 적층되어 있다.As shown in FIG. 1, the input device 10 includes a lower substrate 22 having a plurality of lower electrode patterns formed on a surface of a substrate from below, an adhesive layer 30, and an upper substrate having a plurality of upper electrode patterns formed on a surface of a substrate ( 21), the adhesive layer 31, and the surface member 20 provided with the operation surface 20a on the surface, are laminated | stacked in order.

각 하부 전극 패턴 및 각 상부 전극 패턴은 조작면 (20a) 과 높이 방향으로 대향하는 영역에 형성되고, 각 전극 패턴은 조작면 (20a) 과의 대향 영역으로부터 각 기판 (21, 22) 의 외주부 (12) 에서 배선부에 접속되어 있다.Each lower electrode pattern and each upper electrode pattern is formed in an area facing the operation surface 20a in the height direction, and each electrode pattern is formed on the outer circumferential portion of each substrate 21, 22 from an area facing the operation surface 20a. 12) is connected to the wiring portion.

그리고, 각 배선부의 선단 (先端) 에 하부 접속부 (17) 나 상부 접속부 (15) 가 형성되어 있다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 입력 장치 (10) 에는, 플렉시블 프린트 기판 (23) 이 형성된다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 예를 들어, 플렉시블 프린트 기판 (23) 의 선단 (접속부 (15, 17) 와의 접속측) 은, 중앙부 (23a) 와 양측 단부 (端部) (23b, 23b) 로 분리되어 있다. 플렉시블 프린트 기판 (23) 의 중앙부 (23a) 에는 복수의 제 1 접속부 (도시 생략) 가 형성되어 있어, 중앙부 (23a) 가 상부 접속부 (15) 상에 중첩되어, 각 제 1 접속부와 각 상부 접속부 (15) 가 전기적으로 접속되어 있다. 또, 플렉시블 프린트 기판 (23) 의 양측 단부 (23b) 에는 복수의 제 2 접속부 (도시 생략) 가 형성되어 있어, 양측 단부 (23b, 23b) 가 입력 장치 (10) 의 하부 접속부 (17) 상에 중첩되어, 각 제 2 접속부와 각 하부 접속부 (17) 가 전기적으로 접속되어 있다.And the lower connection part 17 and the upper connection part 15 are formed in the front-end | tip of each wiring part. As shown in FIG. 1, the flexible printed circuit board 23 is formed in the input device 10 of this embodiment. As shown in FIG. 1, the front-end | tip (connection side with the connection parts 15 and 17) of the flexible printed circuit board 23 is isolate | separated into the center part 23a and both end parts 23b and 23b, for example. It is. A plurality of first connecting portions (not shown) are formed in the central portion 23a of the flexible printed board 23, and the central portion 23a is superimposed on the upper connecting portion 15, and each of the first connecting portions and each upper connecting portion ( 15) is electrically connected. In addition, a plurality of second connecting portions (not shown) are formed at both end portions 23b of the flexible printed circuit board 23, and both end portions 23b and 23b are formed on the lower connecting portion 17 of the input device 10. Overlapping and each 2nd connection part and each lower connection part 17 is electrically connected.

또, 플렉시블 프린트 기판 (23) 에서는, 각 제 1 접속부 및 각 제 2 접속부가, 플렉시블 프린트 기판 (23) 의 표면에 설치된 커넥터 (35) 와, 도시되지 않은 배선 패턴을 개재하여 전기적으로 접속되어 있다.Moreover, in the flexible printed circuit board 23, each 1st connection part and each 2nd connection part are electrically connected with the connector 35 provided in the surface of the flexible printed circuit board 23 via the wiring pattern which is not shown in figure. .

도 1 및 도 2(a) 에 나타내는 바와 같이, 표면 부재 (20) 의 표면은 손가락 (F) 이나 펜 등의 조작체에 의한 조작면 (20a) 이다. 이 실시형태에서는, 조작면 (20a) 의 외주부로서 표면 부재 (20) 의 하면에 가식(加飾)층 (24) 이 형성되어 있다. 조작면 (20a) 은 투광 영역이고, 가식층 (24) 이 형성된 조작면 (20a) 의 외주부는 비투광 영역이다.As shown to FIG. 1 and FIG. 2 (a), the surface of the surface member 20 is the operation surface 20a by operating bodies, such as a finger F and a pen. In this embodiment, the decorative layer 24 is formed in the lower surface of the surface member 20 as an outer peripheral part of the operation surface 20a. The operation surface 20a is a light transmissive region, and the outer circumferential portion of the operation surface 20a on which the decorative layer 24 is formed is a non-light transmissive region.

도 7 은 도 1 에 나타내는 입력 장치 (10) 를 X1-X2 방향을 따라 높이 방향으로 절단했을 때의 부분 종단면도이다.FIG. 7 is a partial longitudinal cross-sectional view when the input device 10 shown in FIG. 1 is cut in the height direction along the X1-X2 direction.

도 7 에 나타내는 바와 같이, 하부 기판 (22) 은, 평면상의 하부 기재 (32) 와 하부 기재 (32) 의 표면에 형성된 복수 개의 하부 전극 패턴 (14) 을 가지고 구성된다. 또, 상부 기판 (21) 은, 평면상의 상부 기재 (33) 와 상부 기재 (33) 의 표면에 형성된 복수 개의 상부 전극 패턴 (13) 을 가지고 구성된다. 복수 개의 하부 전극 패턴 (14) 과 복수 개의 상부 전극 패턴 (13) 은 평면에서 볼 때에 교차하고 있다.As shown in FIG. 7, the lower board | substrate 22 is comprised with the planar lower base material 32 and the some lower electrode pattern 14 formed in the surface of the lower base material 32. As shown in FIG. In addition, the upper substrate 21 has a plurality of upper electrode patterns 13 formed on the surface of the upper substrate 33 and the upper substrate 33 on a plane. The plurality of lower electrode patterns 14 and the plurality of upper electrode patterns 13 intersect in plan view.

하부 전극 패턴 (14) 은, 구동 전극 (드라이브 전극) 이고, 상부 전극 패턴 (13) 은 검출 전극이다.The lower electrode pattern 14 is a drive electrode (drive electrode), and the upper electrode pattern 13 is a detection electrode.

도 7 에 나타내는 바와 같이 하부 기판 (22) 과 상부 기판 (21) 사이는 점착층 (30) 을 개재하여 접합되어 있다. 하부 기판 (22), 점착층 (30) 및 상부 기판 (21) 으로 센서부 (25) 가 구성된다. 또한, 센서부 (25) 의 구성은, 도 7 에 나타내는 구조에 한정되는 것은 아니다. 평면상인 기재의 상하면에 하부 전극 패턴 (14) 및 상부 전극 패턴 (13) 을 형성한 구성 등이어도 된다. 또, 도 7 과 달리 상부 전극 패턴 (13) 을 점착층 (30) 측을 향하게 하고 하부 기판 (22) 과 상부 기판 (21) 사이를 접합시켜도 된다.As shown in FIG. 7, the lower board | substrate 22 and the upper board | substrate 21 are bonded through the adhesion layer 30. As shown in FIG. The sensor portion 25 is composed of the lower substrate 22, the adhesive layer 30, and the upper substrate 21. In addition, the structure of the sensor part 25 is not limited to the structure shown in FIG. The structure etc. which formed the lower electrode pattern 14 and the upper electrode pattern 13 in the upper and lower surfaces of the base material which are planar may be sufficient. In addition, unlike FIG. 7, the upper electrode pattern 13 may face the adhesive layer 30, and the lower substrate 22 and the upper substrate 21 may be bonded to each other.

각 전극 패턴 (13, 14) 은 모두 기재 표면에 ITO (Indium Tin Oxide) 등의 투명 도전 재료로 스퍼터나 증착에 의해 성막된다. 또, 기재 (32, 33) 는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 등의 필름상의 투명 기재나 유리 기재 등으로 형성된다. 본 실시형태에서는 하부 기판 (22) 및 상부 기판 (21) 을 평면상으로 형성하여, 도 11 에서 나타낸 바와 같은 입체상으로 성형하지 않기 때문에, 기재 (32, 33) 에는 연질인 필름뿐만 아니라 평면상의 유리 등을 사용하는 것이 가능하다.Each of the electrode patterns 13 and 14 is formed on the substrate surface by sputtering or vapor deposition with a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO). Moreover, the base materials 32 and 33 are formed of film-like transparent base materials, such as polyethylene terephthalate (PET), a glass base material, etc. In the present embodiment, since the lower substrate 22 and the upper substrate 21 are formed in a planar shape and are not molded into a three-dimensional shape as shown in FIG. 11, the substrates 32 and 33 have a planar shape as well as soft films. It is possible to use glass or the like.

도 7 에 나타내는 바와 같이, 센서부 (25) 의 상면측에 점착층 (31) 을 개재하여 표면 부재 (20) 가 접합되어 있다. 점착층 (30, 31) 은 아크릴계 점착제, 양면 점착 테이프 등이다. 표면 부재 (20) 는 특별히 재질을 한정하는 것은 아니지만, 유리, 플라스틱 등으로 형성된다. 도 7 에 나타내는 표면 부재 (20) 는, 조작면 (20a) 이 볼록 곡면이 되도록 형성되어 있다. 또한, 도 1 에 나타내는 표면 부재 (20) 의 표면 형상에는, 곡면인 것을 사시도로 보기 쉽게 하기 위해 도 3(a) 의 형상을 도시하는 것으로 하였다.As shown in FIG. 7, the surface member 20 is joined to the upper surface side of the sensor part 25 via the adhesion layer 31. The adhesive layers 30 and 31 are acrylic adhesives, double-sided adhesive tapes, and the like. The surface member 20 is not particularly limited in material, but is formed of glass, plastic, or the like. The surface member 20 shown in FIG. 7 is formed so that the operation surface 20a may become a convex curved surface. In addition, in the surface shape of the surface member 20 shown in FIG. 1, the shape of FIG. 3 (a) was shown in order to make it easy to see a curved surface from a perspective view.

도 2 는 제 1 실시형태에 있어서의 표면 부재 (20), 하부 전극 패턴 및 상부 전극 패턴의 형상을 나타낸다.2 shows the shapes of the surface member 20, the lower electrode pattern, and the upper electrode pattern in the first embodiment.

도 2(a) 는 표면 부재 (20) 의 평면도와, 표면 부재 (20) 의 중심 (O) 을 지나는 A-A 선 단면 및 B-B 선 단면을 나타낸다. 또한, A-A 선 단면 및 B-B 선 단면에는 표면 부재 (20) 뿐만 아니라 표면 부재 (20) 아래의 점착층 (31) 에 대해서도 일부 도시하였다.FIG. 2 (a) shows a plan view of the surface member 20, an A-A line cross section and a B-B line cross section passing through the center O of the surface member 20. In addition, not only the surface member 20 but also the adhesion layer 31 under the surface member 20 were shown in A-A cross section and B-B cross section.

도 2(a) 에 나타내는 바와 같이 표면 부재 (20) 의 조작면 (표면) (20a) 은, Y1-Y2 방향 (제 1 방향) 및 X1-X2 방향 (제 2 방향) 을 향하여 볼록 곡면으로 형성된다. 이 실시형태에서의 조작면 (20a) 은, 그 중심 (O) 이 가장 상방으로 돌출되어 있고, 중심 (O) 에서 멀어짐에 따라서 서서히 하방을 향하여 만곡되는 3D 형상으로 형성되어 있다.As shown to Fig.2 (a), the operation surface (surface) 20a of the surface member 20 is formed in convex curve toward the Y1-Y2 direction (1st direction) and X1-X2 direction (2nd direction). do. The operating surface 20a in this embodiment is formed in the 3D shape in which the center O protrudes upwards, and gradually curves downward as it moves away from the center O. As shown in FIG.

도 2(b) 는 하부 전극 패턴 (14) 의 평면도이다. 도 2(b) 에 나타내는 바와 같이 하부 전극 패턴 (14a ? 14d) 은 복수 개 형성된다. 여기서, 도 2 ? 도 5 에 있어서는 각 하부 전극 패턴이나 상부 전극 패턴을 개별적으로 설명할 필요성에서, 각 하부 전극 패턴이나 각 상부 전극 패턴에 「부호 14a, 14b ‥‥, 부호 13a, 13b, …」 라고 붙였다.2B is a plan view of the lower electrode pattern 14. As shown in Fig. 2B, a plurality of lower electrode patterns 14a to 14d are formed. Where 2? In FIG. 5, in order to separately describe each lower electrode pattern or upper electrode pattern, each lower electrode pattern or each upper electrode pattern is denoted by " symbols 14a, 14b, 13a, 13b,... I put it.

도 2(b) 에 나타내는 바와 같이, 각 하부 전극 패턴 (14a ? 14d) 은, Y1-Y2 방향으로 간격을 두고 배치됨과 함께, 각각, X1-X2 방향을 향하여 연장되어 형성되어 있다. 각 하부 전극 패턴 (14a ? 14d) 은 모두 X1-X2 방향의 중심에서의 패턴 폭 (Y1-Y2 방향의 치수) 이 가장 좁아지고, 상기 중심으로부터 X1-X2 방향으로 멀어짐에 따라서 서서히 패턴 폭이 커지는 형상으로 형성되어 있다. 도 2(b) 에는 평면에서 볼 때에, 표면 부재 (20) 의 조작면 (20a) 의 중심 (O) 도 도시하였다. 그리고, 도 2(b) 에 나타내는 실시형태에서는, 하부 전극 패턴 (14a, 14b) 과 하부 전극 패턴 (14c, 14d) 이 중심 (O) 에 대해 점 대칭으로 형성되어 있다. 즉, 하부 전극 패턴 (14a) 과 하부 전극 패턴 (14d) 은 동일한 형상으로 형성되고, 하부 전극 패턴 (14b) 과 하부 전극 패턴 (14c) 은 동일한 형상으로 형성된다.As shown in FIG.2 (b), each lower electrode pattern 14a-14d is arrange | positioned at intervals in the Y1-Y2 direction, and is extended and formed in the X1-X2 direction, respectively. Each of the lower electrode patterns 14a to 14d has the narrowest pattern width (dimensions in the Y1-Y2 direction) at the center in the X1-X2 direction, and gradually increases in pattern width as it moves away from the center in the X1-X2 direction. It is formed in a shape. In FIG. 2 (b), the center O of the operating surface 20 a of the surface member 20 is also shown in plan view. In the embodiment shown in FIG. 2B, the lower electrode patterns 14a and 14b and the lower electrode patterns 14c and 14d are formed in point symmetry with respect to the center O. As shown in FIG. That is, the lower electrode pattern 14a and the lower electrode pattern 14d are formed in the same shape, and the lower electrode pattern 14b and the lower electrode pattern 14c are formed in the same shape.

각 하부 전극 패턴 (14a ? 14d) 의 패턴 형상에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.The pattern shape of each lower electrode pattern 14a-14d is demonstrated in more detail.

하부 전극 패턴 (14a, 14d) 의 X1-X2 방향의 중심에서의 패턴 폭은 T3 으로 형성되고, 하부 전극 패턴 (14b, 14c) 의 X1-X2 방향의 중심에서의 패턴 폭은 T4 로 형성된다. 여기서, 패턴 폭 (T4) 은 패턴 폭 (T3) 보다 작게 형성되어 있다. 각 하부 전극 패턴 (14a ? 14d) 은, 패턴 폭 (T3, T4) 의 위치로부터 X1-X2 방향으로 멀어짐에 따라서, 서서히 패턴 폭이 넓어진다. 이 때, 하부 전극 패턴 (14b, 14c) 의 패턴 폭 (T6) 은, 하부 전극 패턴 (14a, 14d) 의 패턴 폭 (T5) 보다 항상 Y1-Y2 방향의 동일한 위치에서 작아지도록 형성되어 있다. 도 2(b) 에 나타내는 바와 같이, 각 하부 전극 패턴 (14a ? 14d) 의 패턴 폭의 양측에 위치하는 양 측부 (14m) 는 만곡되어 형성되어 있다.The pattern width at the center of the lower electrode patterns 14a, 14d in the X1-X2 direction is formed by T3, and the pattern width at the center of the lower electrode patterns 14b, 14c in the X1-X2 direction is formed by T4. Here, the pattern width T4 is formed smaller than the pattern width T3. As the lower electrode patterns 14a to 14d move away from the positions of the pattern widths T3 and T4 in the X1-X2 direction, the pattern width gradually increases. At this time, the pattern width T6 of the lower electrode patterns 14b and 14c is always formed to be smaller at the same position in the Y1-Y2 direction than the pattern width T5 of the lower electrode patterns 14a and 14d. As shown in FIG.2 (b), the both side parts 14m located in the both sides of the pattern width of each lower electrode pattern 14a-14d are curved and formed.

도 2(c) 는 상부 전극 패턴 (13) 의 평면도이다. 도 2(c) 에 나타내는 바와 같이 상부 전극 패턴 (13a ? 13d) 은 복수 개 형성된다. 도 2(c) 에 나타내는 바와 같이, 각 상부 전극 패턴 (13a ? 13d) 은, X1-X2 방향으로 간격을 두고 배치됨과 함께, 각각, Y1-Y2 방향을 향하여 연장되어 형성되어 있다. 각 상부 전극 패턴 (13a ? 13d) 은 모두 Y1-Y2 방향의 중심에서의 패턴 폭 (X1-X2 방향에 대한 치수) 이 가장 좁아지고, 상기 중심으로부터 Y1-Y2 방향으로 멀어짐에 따라서 서서히 패턴 폭이 커지는 형상으로 형성되어 있다. 도 2(c) 에는 평면에서 볼 때에 표면 부재 (20) 의 중심 (O) 도 도시하였다. 그리고, 도 2(c) 에 나타내는 실시형태에서는, 상부 전극 패턴 (13a, 13b) 과 상부 전극 패턴 (13c, 13d) 이 중심 (O) 에 대해 점 대칭으로 형성되어 있다. 즉, 상부 전극 패턴 (13a) 과 상부 전극 패턴 (13d) 은 동일한 형상으로 형성되고, 상부 전극 패턴 (13b) 과 상부 전극 패턴 (13c) 은 동일한 형상으로 형성된다.2C is a plan view of the upper electrode pattern 13. As shown in Fig. 2C, a plurality of upper electrode patterns 13a to 13d are formed. As shown in FIG.2 (c), each upper electrode pattern 13a-13d is arrange | positioned at intervals in the X1-X2 direction, and is extended and formed in the Y1-Y2 direction, respectively. Each of the upper electrode patterns 13a to 13d has the narrowest pattern width (dimension with respect to the X1-X2 direction) at the center in the Y1-Y2 direction, and gradually increases the pattern width as it moves away from the center in the Y1-Y2 direction. It is formed in the shape of becoming large. 2 (c) also shows the center O of the surface member 20 in plan view. In the embodiment shown in FIG. 2C, the upper electrode patterns 13a and 13b and the upper electrode patterns 13c and 13d are formed in point symmetry with respect to the center O. As shown in FIG. That is, the upper electrode pattern 13a and the upper electrode pattern 13d are formed in the same shape, and the upper electrode pattern 13b and the upper electrode pattern 13c are formed in the same shape.

각 상부 전극 패턴 (13a ? 13d) 의 패턴 형상에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.The pattern shape of each upper electrode pattern 13a-13d is demonstrated in more detail.

상부 전극 패턴 (13a, 13d) 의 Y1-Y2 방향의 중심에서의 패턴 폭은 T7 로 형성되고, 상부 전극 패턴 (13b, 13c) 의 Y1-Y2 방향의 중심에서의 패턴 폭은 T8 로 형성된다. 여기서, 패턴 폭 (T8) 은 패턴 폭 (T7) 보다 작게 형성되어 있다. 상부 전극 패턴 (13a ? 13d) 은, 패턴 폭 (T7, T8) 의 위치로부터 Y1-Y2 방향으로 멀어짐에 따라서, 서서히 패턴 폭이 넓어진다. 이 때, 상부 전극 패턴 (13b, 13c) 의 패턴 폭 (T10) 은, 상부 전극 패턴 (13a, 13d) 의 패턴 폭 (T9) 보다 항상 X1-X2 방향의 동일한 위치에서 작아지도록 형성되어 있다. 도 2(c) 에 나타내는 바와 같이 각 상부 전극 패턴 (13a ? 13d) 의 패턴 폭의 양측에 위치하는 양 측부 (13m) 는 만곡되어 형성되어 있다.The pattern width at the center of the Y1-Y2 direction of the upper electrode patterns 13a, 13d is formed by T7, and the pattern width at the center of the Y1-Y2 direction of the upper electrode patterns 13b, 13c is formed by T8. Here, the pattern width T8 is formed smaller than the pattern width T7. As the upper electrode patterns 13a to 13d move away from the positions of the pattern widths T7 and T8 in the Y1-Y2 direction, the pattern width gradually widens. At this time, the pattern width T10 of the upper electrode patterns 13b and 13c is always formed to be smaller at the same position in the X1-X2 direction than the pattern width T9 of the upper electrode patterns 13a and 13d. As shown in FIG.2 (c), both side parts 13m located in the both sides of the pattern width of each upper electrode pattern 13a-13d are curved and formed.

도 2(d) 는, 도 2(b) 에 나타내는 복수 개의 하부 전극 패턴 (14a ? 14d) 과 도 2(c) 에 나타내는 복수 개의 상부 전극 패턴 (13a ? 13d) 을 중첩시킨 평면도이다. 또한, 하부 전극 패턴 (14a ? 14d) 과 상부 전극 패턴 (13a ? 13d) 사이에는 도 7 에 나타내는 바와 같이, 점착층 (30) 이나 기재 (33) 등이 개재되어, 하부 전극 패턴 (14a ? 14d) 과 상부 전극 패턴 (13a ? 13d) 사이에는 높이 방향으로 소정의 간격이 두어져 있다.FIG. 2D is a plan view of a plurality of lower electrode patterns 14a to 14d shown in FIG. 2B and a plurality of upper electrode patterns 13a to 13d shown in FIG. 2C. In addition, as shown in FIG. 7, between the lower electrode patterns 14a to 14d and the upper electrode patterns 13a to 13d, an adhesive layer 30, a base material 33, and the like are interposed. ) And the upper electrode patterns 13a to 13d have a predetermined interval in the height direction.

도 2(d) 에 나타내는 바와 같이, 평면에서 볼 때에, 하부 전극 패턴 (14a ? 14d) 과 상부 전극 패턴 (13a ? 13d) 은 복수의 위치에서 교차한다. 그리고, 각 교차 위치 (16a ? 16p) 에서의 중첩 면적은, 표면 부재 (20) 의 중심 (O) 에 가까워질수록 작아지고 있다. 즉, 각 교차 위치 (16) 에서의 중첩 면적은, 도 7 에 나타내는 조작면 (20a) 과 센서부 (25) 사이의 높이 방향 (Z) 으로의 거리 (L2) 가 클수록 작게 형성되어 있다. 따라서, 중심 (O) 에 가장 가까운 교차 위치 (16f, 16g, 16j, 16k) 에서의 중첩 면적은 가장 작아지고, 중심 (O) 에서 가장 먼 교차 위치 (16a, 16d, 16m, 16p) 에서의 중첩 면적은 가장 크게 형성되어 있다. 또한, 도 7 에서는, 조작면 (20a) 과 센서부 (25) 의 상부 전극 패턴 (13) 사이의 간격으로 「거리 (L2)」 가 규정되어 있다.As shown in Fig. 2 (d), in plan view, the lower electrode patterns 14a to 14d and the upper electrode patterns 13a to 13d intersect at a plurality of positions. And the overlapping area in each intersection position 16a-16p is decreasing, so that it becomes closer to the center O of the surface member 20. As shown in FIG. That is, the overlapped area in each intersection position 16 is formed so that the distance L2 in the height direction Z between the operation surface 20a and the sensor part 25 shown in FIG. 7 is large. Therefore, the overlapping area at the intersection position 16f, 16g, 16j, 16k closest to the center O becomes the smallest and overlaps at the intersection position 16a, 16d, 16m, 16p farthest from the center O. The area is largest. In addition, in FIG. 7, "distance L2" is prescribed | regulated by the space | interval between the operation surface 20a and the upper electrode pattern 13 of the sensor part 25. As shown in FIG.

상기와 같이 각 교차 위치 (16a ? 16p) 에서의 중첩 면적을 상기와 같이 조정할 수 있는 것은 도 2(b), 도 2(c) 에 나타내는 바와 같이 각 하부 전극 패턴 (14a ? 14d) 및 각 상부 전극 패턴 (13a ? 13d) 의 패턴 폭을 표면 부재 (20) 의 중심 (O) 에 가까울수록 작아지도록 형성했기 때문이다.As described above, it is possible to adjust the overlapped area at each intersection position 16a to 16p as described above with reference to each of the lower electrode patterns 14a to 14d and the respective upper portions as shown in FIGS. 2 (b) and 2 (c). This is because the pattern width of the electrode patterns 13a to 13d is formed to be smaller as it becomes closer to the center O of the surface member 20.

본 실시형태에 있어서의 입력 장치 (10) 는, 구동 전극인 각 하부 전극 패턴 (14) 에 펄스상의 전압이 차례대로 부여되고, 이 때 상부 전극 패턴 (13) 에 순간적으로 전류가 흐른다. 도 7 에 나타내는 바와 같이, 도전체인 손가락 (F) (조작체) 이, 조작면 (20a) 에 닿으면, 손가락 (F) 근방에서는, 상하 전극 패턴 (13, 14) 사이의 교차 위치에서 발생한 정전 용량에, 손가락 (F) 과 센서부 (25) 사이에 정전 용량이 가미되어, 손가락 (F) 을 댔을 때와 대지 않았을 때에 있어서 용량 변화가 생긴다. 따라서, 구동용 전극인 하부 전극 패턴 (14) 에 펄스상의 전압을 부여한 상태에서, 순차적으로, 검출용 전극인 각 상부 전극 패턴 (13) 의 시정수의 변화를 검지하고, 이 시정수 변화의 연속 검지를, 각 하부 전극 패턴 (14) 에 전압을 순서대로 부여하면서 실시함으로써, 조작면 (20a) 에 있어서의 손가락 (F) 이 닿은 위치를 산출할 수 있다.In the input device 10 according to the present embodiment, a pulsed voltage is sequentially applied to each of the lower electrode patterns 14 serving as driving electrodes, and an electric current flows instantaneously through the upper electrode pattern 13 at this time. As shown in FIG. 7, when the finger F (operating body) which is a conductor touches the operation surface 20a, the electrostatic force which generate | occur | produced in the crossing position between the up-and-down electrode patterns 13 and 14 in the vicinity of the finger F is shown. The capacitance adds an electrostatic capacitance between the finger F and the sensor part 25, and a capacity change occurs when the finger F is not applied or when it is not applied. Therefore, in a state in which the voltage of the pulse phase is applied to the lower electrode pattern 14 which is the driving electrode, the change of the time constant of each upper electrode pattern 13 which is the detection electrode is sequentially detected, and the change of the time constant changes continuously. The detection can be performed while applying voltages to the lower electrode patterns 14 in order, whereby the position where the finger F on the operation surface 20a touches can be calculated.

도 7 에 나타내는 바와 같이 손가락 (F) 을 조작면 (20a) 상에 접촉시켰을 때, 손가락 (F) 의 접촉 위치를 바꾸면, 손가락 (F) 과 센서부 (25) 사이의 높이 방향 (Z) 으로의 거리 (L2) 는 변화하여, 손가락 (F) 과 센서부 (25) 사이에서 발생하는 정전 용량 (C2) (도 7 에서는 대표적으로 상부 전극 패턴과 손가락 (F) 사이에서 발생하는 정전 용량을 도시하고 있다) 이 손가락 (F) 의 접촉 위치에 따라 변화한다. 이 때문에, 본 실시형태에서는, 하부 전극 패턴 (14a ? 14d) 과 상부 전극 패턴 (13a ? 13d) 의 각 교차 위치 (16a ? 16p) 에서의 중첩 면적을, 조작면 (20a) 과 센서부 (5) 사이의 거리 (L2) 가 클수록 작아지도록 조정하고, 각 교차 위치 (16a ? 16p) 에서의 정전 용량을, 조작면 (20a) 과 센서부 (25) 사이의 거리 (L2) 가 커질수록 작아지도록 하였다. 예를 들어, 도 7 에 나타나는 각 전극 패턴 사이의 각 교차 위치에서 발생한 정전 용량 (C3 ? C10) 은, 정전 용량 (C3) ＜ 정전 용량 (C4, C8) ＜ 정전 용량 (C5, C9) ＜ 정전 용량 (C6, C10) ＜ 정전 용량 (C7) 이 되고 있다. 이와 같이 본 실시형태에서는, 손가락 (F) 과 센서부 (25) 사이의 거리 (L2) 가 멀어지면 그만큼 손가락 (F) 과 센서부 (25) 에서 발생하는 정전 용량 (C2) 이 작아지지만, 그것에 아울러, 조작면 (20a) 과 센서부 (25) 사이의 거리 (L2) 가 커질수록 각 전극 패턴 (13, 14) 사이의 각 교차 위치 (16a ? 16p) 에서의 정전 용량도 작아지도록 조정했기 때문에, 손가락 (F) 을 조작면 (20a) 에 맞닿게 했을 때에, 손가락 (F) 근방에서 생기는 용량 변화 (변화율) 가 접촉 장소에 따라 불균일해지는 것을 종래에 비해 억제할 수 있어, 센서 감도의 균일성을 향상시키는 것이 가능해진다.As shown in FIG. 7, when the contact point of the finger F is changed when the finger F is made to contact on the operation surface 20a, it will be in the height direction Z between the finger F and the sensor part 25. As shown in FIG. Distance L2 is changed, so that the capacitance C2 generated between the finger F and the sensor portion 25 (in FIG. 7 representatively shows the capacitance generated between the upper electrode pattern and the finger F) Changes depending on the contact position of the finger F). For this reason, in this embodiment, the overlapping area in each intersection position 16a-16p of the lower electrode patterns 14a-14d and the upper electrode patterns 13a-13d is made into the operation surface 20a and the sensor part 5 ) So that the distance (L2) between the two is larger, and the capacitance at each intersection position (16a-16p) becomes smaller as the distance (L2) between the operating surface (20a) and the sensor unit 25 becomes larger. It was. For example, the capacitances C3 to C10 generated at each crossing position between the electrode patterns shown in FIG. 7 include capacitances C3 <capacitances C4 and C8 <capacitances C5 and C9 <electrostatics Capacities C6 and C10 <electrostatic capacitance C7. As described above, in the present embodiment, when the distance L2 between the finger F and the sensor portion 25 becomes far, the capacitance C2 generated by the finger F and the sensor portion 25 decreases by that amount. In addition, since the capacitance L at each crossover position 16a-16p between each electrode pattern 13,14 is adjusted so that the distance L2 between the operation surface 20a and the sensor part 25 becomes large, When the finger F is brought into contact with the operating surface 20a, the capacity change (change rate) occurring near the finger F can be suppressed from nonuniformity according to the contact position, and the uniformity of the sensor sensitivity can be suppressed. It becomes possible to improve.

그리고, 본 실시형태에서는, 평면상 (평판상) 의 센서부 (25) 를 사용할 수 있기 때문에, 종래에 비해 조작면 (20a) 이 곡면으로 형성된 입력 장치 (10) 를 적절하고 또한 용이하게 제조할 수 있음과 함께 조작면 (20a) 전체에서의 센서 감도의 균일성을 효과적으로 향상시키는 것이 가능하다.And in this embodiment, since the sensor part 25 of planar shape (flat plate) can be used, the input device 10 in which the operation surface 20a was formed in curved shape compared with the conventional one can be manufactured suitably and easily. In addition, it is possible to effectively improve the uniformity of the sensor sensitivity on the entire operation surface 20a.

도 3 은 제 2 실시형태에 있어서의 표면 부재 (20), 하부 전극 패턴 및 상부 전극 패턴의 형상을 나타낸다.3 shows the shapes of the surface member 20, the lower electrode pattern, and the upper electrode pattern in the second embodiment.

도 3(a) 는 표면 부재 (20) 의 평면도와, 표면 부재 (20) 의 중심 (O) 을 지나는 A-A 선 단면 및 B-B 선 단면을 나타낸다. 또한, A-A 선 단면 및 B-B 선 단면에는 표면 부재 (20) 뿐만 아니라 표면 부재 (20) 아래의 점착층 (31) 에 대해서도 일부 도시하였다.FIG. 3A shows a plan view of the surface member 20, an A-A line cross section and a B-B line cross section passing through the center O of the surface member 20. In addition, not only the surface member 20 but also the adhesion layer 31 under the surface member 20 were shown in A-A cross section and B-B cross section.

도 3(a) 에 나타내는 바와 같이 표면 부재 (20) 의 조작면 (표면) (20a) 은 X1-X2 방향을 향하여 볼록 곡면으로 형성되고, Y1-Y2 방향을 향하여 직선상으로 형성된다. 이 실시형태에서는 조작면 (20a) 의 중심 (O) 을 지나는 Y1-Y2 방향의 선 위가 가장 상방으로 돌출되어 있고, 중심 (O) 을 지나는 Y1-Y2 방향의 선 위로부터 X1-X2 방향으로 멀어짐에 따라서 서서히 하방을 향하여 만곡되는 형상으로 형성되어 있다.As shown to Fig.3 (a), the operation surface (surface) 20a of the surface member 20 is formed in convex curve toward the X1-X2 direction, and is formed linearly toward the Y1-Y2 direction. In this embodiment, the line in the Y1-Y2 direction passing through the center O of the operation surface 20a protrudes upwards, and in the X1-X2 direction from the line in the Y1-Y2 direction passing through the center O. It is formed in the shape which gradually curves downwards as it moves away.

도 3(b) 는 하부 전극 패턴 (14) 의 평면도이다. 도 3(b) 에 나타내는 각 하부 전극 패턴 (14e ? 14h) 은 모두 X1-X2 방향의 중심에서의 패턴 폭이 가장 좁아지고, 상기 중심으로부터 X1-X2 방향으로 멀어짐에 따라서 서서히 패턴 폭이 커지는 형상으로 형성되어 있다. 도 3(b) 에서는, 복수 개의 하부 전극 패턴 (14e ? 14h) 이, 모두 동일한 패턴 형상이다. 즉, 각 하부 전극 패턴 (14e ? 14h) 의 X1-X2 방향의 중심에서의 패턴 폭은 모두 T11 로 형성된다. 또, 각 하부 전극 패턴 (14e ? 14h) 의 패턴 폭 (T11) 의 위치로부터 X1-X2 방향으로 멀어짐에 따라서 서서히 넓어지는 패턴 폭 (T12) 은, 각 하부 전극 패턴 (14e ? 14h) 의 Y1-Y2 방향의 동일한 위치에서 동일해지도록 형성되어 있다. 도 3(b) 에 나타내는 바와 같이 각 하부 전극 패턴 (14e ? 14h) 의 패턴 폭의 양측에 위치하는 양 측부 (14m) 는 만곡되어 형성되어 있다.3B is a plan view of the lower electrode pattern 14. Each of the lower electrode patterns 14e to 14h shown in Fig. 3B has the narrowest pattern width at the center in the X1-X2 direction, and gradually increases in pattern width as it moves away from the center in the X1-X2 direction. It is formed. In FIG. 3B, the plurality of lower electrode patterns 14e to 14h all have the same pattern shape. That is, the pattern width at the center of each lower electrode pattern 14e-14h in the X1-X2 direction is all formed by T11. In addition, the pattern width T12 gradually widening in the X1-X2 direction from the position of the pattern width T11 of each of the lower electrode patterns 14e to 14h is Y1- 1 of each of the lower electrode patterns 14e to 14h. It is formed to become the same at the same position in the Y2 direction. As shown in FIG.3 (b), both side parts 14m located in the both sides of the pattern width of each lower electrode pattern 14e-14h are curved and formed.

도 3(c) 는 상부 전극 패턴 (13) 의 평면도이다. 도 3(c) 에 나타내는 바와 같이 상부 전극 패턴 (13e ? 13h) 은 복수 개 형성된다. 도 3(c) 에 나타내는 바와 같이, 각 상부 전극 패턴 (13e ? 13h) 은, X1-X2 방향으로 간격을 두고 배치됨과 함께, 각각, Y1-Y2 방향을 향하여 연장되어 형성되어 있다. 각 상부 전극 패턴 (13e ? 13h) 중, 상부 전극 패턴 (13e, 13f) 과 상부 전극 패턴 (13g, 13h) 이 중심 (O) 에 대해 점 대칭으로 형성되어 있다. 즉, 상부 전극 패턴 (13e) 과 상부 전극 패턴 (13h) 은 동일한 형상으로 형성되고, 상부 전극 패턴 (13f) 과 상부 전극 패턴 (13g) 은 동일한 형상으로 형성된다.3C is a plan view of the upper electrode pattern 13. As shown in Fig. 3C, a plurality of upper electrode patterns 13e to 13h are formed. As shown in FIG.3 (c), each upper electrode pattern 13e-13h is arrange | positioned at intervals in the X1-X2 direction, and is extended and formed in the Y1-Y2 direction, respectively. In each of the upper electrode patterns 13e to 13h, the upper electrode patterns 13e and 13f and the upper electrode patterns 13g and 13h are formed in point symmetry with respect to the center O. That is, the upper electrode pattern 13e and the upper electrode pattern 13h are formed in the same shape, and the upper electrode pattern 13f and the upper electrode pattern 13g are formed in the same shape.

도 3(c) 에 나타내는 바와 같이, 각 상부 전극 패턴 (13e ? 13h) 은 각각, 소정 폭의 띠상으로 형성되는데, 표면 부재 (20) 의 중심 (O) 에 가까운 상부 전극 패턴일수록 패턴 폭이 좁게 형성된다. 즉, 상부 전극 패턴 (13f) 과 상부 전극 패턴 (13g) 의 패턴 폭 (T14) 은, 상부 전극 패턴 (13e) 과 상부 전극 패턴 (13h) 의 패턴 폭 (T13) 보다 작게 형성된다.As shown in FIG. 3C, each of the upper electrode patterns 13e to 13h is formed in a band shape having a predetermined width, and the pattern width is narrower as the upper electrode pattern closer to the center O of the surface member 20. Is formed. That is, the pattern width T14 of the upper electrode pattern 13f and the upper electrode pattern 13g is formed smaller than the pattern width T13 of the upper electrode pattern 13e and the upper electrode pattern 13h.

도 3(d) 는, 도 3(b) 에 나타내는 복수 개의 하부 전극 패턴 (14e ? 14h) 과 도 3(c) 에 나타내는 복수 개의 상부 전극 패턴 (13e ? 13h) 을 중첩시킨 평면도이다. 도 3(d) 에 나타내는 바와 같이, 하부 전극 패턴 (14e ? 14h) 과 상부 전극 패턴 (13e ? 13h) 은 복수의 위치에서 교차한다. 각 교차 위치 (18a ? 18p) 에서의 중첩 면적은, 도 7 에 나타내는 조작면 (20a) 과 센서부 (25) 사이의 높이 방향 (Z) 으로의 거리 (L2) 가 클수록 작게 형성되어 있다.FIG. 3D is a plan view of a plurality of lower electrode patterns 14e to 14h shown in FIG. 3B and a plurality of upper electrode patterns 13e to 13h shown in FIG. 3C. As shown in Fig. 3D, the lower electrode patterns 14e to 14h and the upper electrode patterns 13e to 13h intersect at a plurality of positions. The overlap area in each intersection position 18a-18p is formed so that the distance L2 in the height direction Z between the operation surface 20a and the sensor part 25 shown in FIG. 7 is large.

도 3 에서의 표면 부재 (20) 의 조작면 (20a) 은, 표면 부재 (20) 의 중심 (O) 을 지나는 Y1-Y2 방향의 선 위가 가장 돌출되고, 상기 선 위로부터 X1-X2 방향으로 멀어짐에 따라서 서서히 아래 방향으로 만곡되어 있다. 즉, 상기 선 위에서의 조작면 (20a) 과 센서부 (25) 사이의 거리 (L2) (도 7 참조) 가 가장 크고, 상기 선 위로부터 X1-X2 방향으로 멀어짐에 따라서 상기 거리 (L2) 가 서서히 작아진다. 따라서, 도 3(d) 에 있어서, 상기 선 위에서부터 동일한 위치에 있는 교차 위치 (18b, 18c, 18f, 18g, 18j, 18k, 18n, 18o) 에서의 각 중첩 면적은 동일한 면적이고, 한편, 교차 위치 (18a, 18d, 18e, 18h, 18i, 18l, 18m, 18p) 에서의 각 중첩 면적은, 교차 위치 (18b, 18c, 18f, 18g, 18j, 18k, 18n, 18o) 에서의 각 중첩 면적보다 크고 또한 동일한 면적으로 형성되어 있다. 도 3(d) 에 나타내는 각 교차 위치 (18a ? 18p) 에서의 중첩 면적을 얻기 위해, 도 3(b) 에 나타내는 각 하부 전극 패턴 (14e ? 14h) 및 도 3(c) 에 나타내는 각 상부 전극 패턴 (13e ? 13h) 의 형상이나 패턴 폭으로 조정하였다.As for the operation surface 20a of the surface member 20 in FIG. 3, the line on the Y1-Y2 direction which passes through the center O of the surface member 20 protrudes most, and it is X-X2 direction from the line. As it moves away, it gradually curves downward. That is, the distance L2 (see FIG. 7) between the operating surface 20a on the line and the sensor portion 25 is the largest, and as the distance L2 moves away from the line in the X1-X2 direction, Gradually decreases. Thus, in Fig. 3 (d), each overlapping area at the intersection positions 18b, 18c, 18f, 18g, 18j, 18k, 18n, 18o at the same position from above the line is the same area, while the intersection Each overlapped area at the positions 18a, 18d, 18e, 18h, 18i, 18l, 18m, 18p is larger than each overlapped area at the intersection positions 18b, 18c, 18f, 18g, 18j, 18k, 18n, 18o. It is formed large and the same area. In order to obtain the overlapped area in each intersection position 18a-18p shown to FIG. 3 (d), each lower electrode pattern 14e-14h shown in FIG.3 (b) and each upper electrode shown to FIG.3 (c) It adjusted to the shape and pattern width of pattern 13e-13h.

도 4 는 제 3 실시형태에 있어서의 표면 부재 (20), 하부 전극 패턴 및 상부 전극 패턴의 형상을 나타낸다.4 shows the shapes of the surface member 20, the lower electrode pattern, and the upper electrode pattern in the third embodiment.

도 4(a) 는 표면 부재 (20) 의 평면도와, 표면 부재 (20) 의 중심 (O) 을 지나는 A-A 선 단면 및 B-B 선 단면을 나타낸다. 또한, A-A 선 단면 및 B-B 선 단면에는 표면 부재 (20) 뿐만 아니라 표면 부재 (20) 아래의 점착층 (31) 에 대해서도 일부 도시하였다.4A shows a plan view of the surface member 20, and an A-A line cross section and a B-B line cross section passing through the center O of the surface member 20. In addition, not only the surface member 20 but also the adhesion layer 31 under the surface member 20 were shown in A-A cross section and B-B cross section.

도 4(a) 에 나타내는 바와 같이 표면 부재 (20) 의 조작면 (표면) (20a) 은, Y1-Y2 방향 (제 1 방향) 및 X1-X2 방향 (제 2 방향) 을 향하여 오목 곡면으로 형성된다. 이 실시형태에서는 조작면 (20a) 의 중심 (O) 이 가장 하방으로 패여 있고, 중심 (O) 에서 멀어짐에 따라서 서서히 상방을 향하여 만곡되는 3D 형상으로 형성되어 있다.As shown to Fig.4 (a), the operation surface (surface) 20a of the surface member 20 is formed in concave curved surface toward the Y1-Y2 direction (1st direction) and X1-X2 direction (2nd direction). do. In this embodiment, the center O of the operation surface 20a is cut in the lowermost part, and is formed in the 3D shape which gradually curves upwards as it moves away from the center O. As shown in FIG.

도 4(b) 는 하부 전극 패턴 (14) 의 평면도이다. 도 4(b) 에 나타내는 바와 같이 하부 전극 패턴 (14i ? 14l) 은 복수 개 형성된다. 도 4(b) 에 나타내는 바와 같이, 각 하부 전극 패턴 (14i ? 14l) 은, Y1-Y2 방향으로 간격을 두고 배치됨과 함께 각각, X1-X2 방향을 향하여 연장되어 형성되어 있다. 각 하부 전극 패턴 (14i ? 14l) 은 모두 X1-X2 방향의 중심에서의 패턴 폭이 가장 커지고, 상기 중심으로부터 X1-X2 방향으로 멀어짐에 따라서 서서히 패턴 폭이 작아지는 형상으로 형성되어 있다. 도 4(b) 에는 평면에서 볼 때에, 표면 부재 (20) 의 조작면 (20a) 의 중심 (O) 도 도시하였다. 그리고, 도 4(b) 에 나타내는 실시형태에서는, 하부 전극 패턴 (14i, 14j) 과 하부 전극 패턴 (14k, 14l) 이 중심 (O) 에 대해 점 대칭으로 형성되어 있다. 즉, 하부 전극 패턴 (14i) 과 하부 전극 패턴 (14l) 은 동일한 형상으로 형성되고, 하부 전극 패턴 (14j) 과 하부 전극 패턴 (14k) 은 동일한 형상으로 형성된다.4B is a plan view of the lower electrode pattern 14. As shown in Fig. 4B, a plurality of lower electrode patterns 14i to 14l are formed. As shown in FIG.4 (b), each lower electrode pattern 14i-14l is arrange | positioned at intervals in the Y1-Y2 direction, and is extended and formed in the X1-X2 direction, respectively. Each of the lower electrode patterns 14i to 14l is formed in a shape in which the pattern width at the center in the X1-X2 direction is greatest and gradually decreases as the pattern width is moved away from the center in the X1-X2 direction. In FIG. 4B, the center O of the operating surface 20a of the surface member 20 is also shown in plan view. In the embodiment shown in FIG. 4B, the lower electrode patterns 14i and 14j and the lower electrode patterns 14k and 14l are formed in point symmetry with respect to the center O. As shown in FIG. That is, the lower electrode pattern 14i and the lower electrode pattern 14l are formed in the same shape, and the lower electrode pattern 14j and the lower electrode pattern 14k are formed in the same shape.

각 하부 전극 패턴 (14i ? 14l) 의 패턴 형상에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.The pattern shape of each lower electrode pattern 14i-14l is demonstrated in more detail.

하부 전극 패턴 (14i, 14l) 의 X1-X2 방향의 중심에서의 패턴 폭은 T15 로 형성되고, 하부 전극 패턴 (14j, 14k) 의 X1-X2 방향의 중심에서의 패턴 폭은 T16 으로 형성된다. 여기서, 패턴 폭 (T15) 은 패턴 폭 (T16) 보다 작게 형성되어 있다. 각 하부 전극 패턴 (14i ? 14l) 은, 패턴 폭 (T15, T16) 의 위치로부터 X1-X2 방향으로 멀어짐에 따라서, 서서히 패턴 폭이 작아진다. 이 때, 하부 전극 패턴 (14i, 14l) 의 패턴 폭 (T17) 은, 하부 전극 패턴 (14j, 14k) 의 패턴 폭 (T18) 보다 항상 Y1-Y2 방향의 동일한 위치에서 작아지도록 형성되어 있다. 도 4(b) 에 나타내는 바와 같이 각 하부 전극 패턴 (14i ? 14l) 의 패턴 폭의 양측에 위치하는 양 측부 (14m) 는 만곡되어 형성되어 있다.The pattern width at the center of the lower electrode patterns 14i, 14l in the X1-X2 direction is formed by T15, and the pattern width at the center of the lower electrode patterns 14j, 14k in the X1-X2 direction is formed by T16. Here, the pattern width T15 is formed smaller than the pattern width T16. As the lower electrode patterns 14i to 14l move away from the positions of the pattern widths T15 and T16 in the X1-X2 direction, the pattern width gradually decreases. At this time, the pattern width T17 of the lower electrode patterns 14i and 14l is formed to be smaller at the same position in the Y1-Y2 direction than the pattern width T18 of the lower electrode patterns 14j and 14k. As shown in FIG.4 (b), the both side parts 14m located in the both sides of the pattern width of each lower electrode pattern 14i-14l are curved and formed.

도 4(c) 는 상부 전극 패턴 (13) 의 평면도이다. 도 4(c) 에 나타내는 바와 같이 상부 전극 패턴 (13i ? 13l) 은 복수 개 형성된다. 도 4(c) 에 나타내는 바와 같이, 각 상부 전극 패턴 (13i ? 13l) 은, X1-X2 방향으로 간격을 두고 배치됨과 함께, 각각, Y1-Y2 방향을 향하여 연장되어 형성되어 있다. 각 상부 전극 패턴 (13i ? 13l) 은 모두 Y1-Y2 방향의 중심에서의 패턴 폭이 가장 커지고, 상기 중심으로부터 Y1-Y2 방향으로 멀어짐에 따라서 서서히 패턴 폭이 작아지는 형상으로 형성되어 있다. 도 4(c) 에는 평면에서 볼 때에, 표면 부재 (20) 의 조작면 (20a) 의 중심 (O) 도 도시하였다. 그리고, 도 4(c) 에 나타내는 실시형태에서는, 상부 전극 패턴 (13i, 13j) 과 상부 전극 패턴 (13k, 13l) 이 중심 (O) 에 대해 점 대칭으로 형성되어 있다. 즉, 상부 전극 패턴 (13i) 과 상부 전극 패턴 (13l) 은 동일한 형상으로 형성되고, 상부 전극 패턴 (13j) 과 상부 전극 패턴 (13k) 은 동일한 형상으로 형성된다.4C is a plan view of the upper electrode pattern 13. As shown in Fig. 4C, a plurality of upper electrode patterns 13i to 13l are formed. As shown in FIG.4 (c), each upper electrode pattern 13i13l is arrange | positioned at intervals in the X1-X2 direction, and is extended and formed in the Y1-Y2 direction, respectively. Each of the upper electrode patterns 13i to 13l is formed in a shape in which the pattern width at the center in the Y1-Y2 direction is greatest and gradually decreases as the pattern width is moved away from the center in the Y1-Y2 direction. In FIG. 4C, the center O of the operating surface 20a of the surface member 20 is also shown in plan view. In the embodiment shown in FIG. 4C, the upper electrode patterns 13i and 13j and the upper electrode patterns 13k and 13l are formed in point symmetry with respect to the center O. As shown in FIG. That is, the upper electrode pattern 13i and the upper electrode pattern 13l are formed in the same shape, and the upper electrode pattern 13j and the upper electrode pattern 13k are formed in the same shape.

각 상부 전극 패턴 (13i ? 13l) 의 패턴 형상에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.The pattern shape of each upper electrode pattern 13i-13l is demonstrated in more detail.

상부 전극 패턴 (13i, 13l) 의 Y1-Y2 방향의 중심에서의 패턴 폭은 T19 로 형성되고, 상부 전극 패턴 (13j, 13k) 의 Y1-Y2 방향의 중심에서의 패턴 폭은 T20 으로 형성된다. 여기서, 패턴 폭 (T19) 은 패턴 폭 (T20) 보다 작게 형성되어 있다. 각 상부 전극 패턴 (13i ? 13l) 은, 패턴 폭 (T19, T20) 의 위치로부터 Y1-Y2 방향으로 멀어짐에 따라서, 서서히 패턴 폭이 작아진다. 이 때, 상부 전극 패턴 (13i, 13l) 의 패턴 폭 (T21) 은, 상부 전극 패턴 (13j, 13k) 의 패턴 폭 (T22) 보다 항상 X1-X2 방향의 동일한 위치에서 작아지도록 형성되어 있다. 도 4(c) 에 나타내는 바와 같이 각 상부 전극 패턴 (13i ? 13l) 의 패턴 폭의 양측에 위치하는 양 측부 (13m) 는 만곡되어 형성되어 있다.The pattern width at the center of the Y1-Y2 direction of the upper electrode patterns 13i, 13l is formed by T19, and the pattern width at the center of the Y1-Y2 direction of the upper electrode patterns 13i, 13k is formed by T20. Here, the pattern width T19 is formed smaller than the pattern width T20. As the upper electrode patterns 13i to 13l move away from the positions of the pattern widths T19 and T20 in the Y1-Y2 direction, the pattern width gradually decreases. At this time, the pattern width T21 of the upper electrode patterns 13i and 13l is formed to be smaller at the same position in the X1-X2 direction than the pattern width T22 of the upper electrode patterns 13j and 13k. As shown in FIG.4 (c), both side parts 13m located in the both sides of the pattern width of each upper electrode pattern 13i-13l are curved, and are formed.

도 4(d) 는, 도 4(b) 에 나타내는 복수 개의 하부 전극 패턴 (14i ? 14l) 과 도 4(c) 에 나타내는 복수 개의 상부 전극 패턴 (13i ? 13l) 을 중첩시킨 평면도이다.FIG. 4D is a plan view of a plurality of lower electrode patterns 14i to 14l shown in FIG. 4B and a plurality of upper electrode patterns 13i to 13l shown in FIG. 4C.

도 4(d) 에 나타내는 바와 같이, 하부 전극 패턴 (14i ? 14l) 과 상부 전극 패턴 (13i ? 13l) 은 복수의 위치에서 교차한다. 그리고, 각 교차 위치 (19a ? 19p) 에서의 중첩 면적은, 표면 부재 (20) 의 조작면 (20a) 의 중심 (O) 에서 멀어질수록, 즉, 조작면 (20a) 과 센서부 (25) 사이의 높이 방향 (Z) 으로의 거리 (L2) (도 7 참조；또한, 도 4 에서는 조작면 (20a) 이 오목 곡면인 데에 대해 도 7 에서는 볼록 곡면이지만, 거리 (L2) 를 도면에서 나타내기 위해 도 7 을 사용하였다) 가 커질수록 작게 되어 있다.As shown in Fig. 4D, the lower electrode patterns 14i to 14l and the upper electrode patterns 13i to 13l intersect at a plurality of positions. And the overlapping area in each intersection position 19a-19p becomes so far from the center O of the operation surface 20a of the surface member 20, ie, the operation surface 20a and the sensor part 25 Distance L2 in the height direction Z between them (refer FIG. 7; Moreover, although the operating surface 20a is a concave curved surface in FIG. 4, although it is a convex curved surface in FIG. 7, the distance L2 is shown in a figure. 7 is used to make it).

상기와 같이 각 교차 위치 (19a ? 19p) 에서의 중첩 면적을 상기와 같이 조정할 수 있는 것은 도 4(b), 도 4(c) 에 나타내는 바와 같이 각 하부 전극 패턴 (14i ? 14l) 및 각 상부 전극 패턴 (13i ? 13l) 의 패턴 폭을 표면 부재 (20) 의 조작면 (20a) 의 중심 (O) 에 가까울수록 커지도록 형성했기 때문이다.As described above, it is possible to adjust the overlap area at each intersection position 19a to 19p as described above with reference to each of the lower electrode patterns 14i to 14l and the respective upper portions as shown in FIGS. 4 (b) and 4 (c). This is because the pattern width of the electrode patterns 13i-13l is formed so as to become closer to the center O of the operating surface 20a of the surface member 20.

도 5 는 제 4 실시형태에 있어서의 표면 부재 (20), 하부 전극 패턴 및 상부 전극 패턴의 형상을 나타낸다.5 shows the shapes of the surface member 20, the lower electrode pattern, and the upper electrode pattern in the fourth embodiment.

도 5(a) 는 표면 부재 (20) 의 평면도와, 표면 부재 (20) 의 조작면 (20a) 의 중심 (O) 을 지나는 A-A 선 단면 및 B-B 선 단면을 나타낸다. 또한, A-A 선 단면 및 B-B 선 단면에는 표면 부재 (20) 뿐만 아니라 표면 부재 (20) 아래의 점착층 (31) 에 대해서도 일부 도시하였다.FIG. 5A shows a plan view of the surface member 20 and an A-A line cross section and a B-B line cross section passing through the center O of the operating surface 20a of the surface member 20. In addition, not only the surface member 20 but also the adhesion layer 31 under the surface member 20 were shown in A-A cross section and B-B cross section.

도 5(a) 에 나타내는 바와 같이 표면 부재 (20) 의 조작면 (표면) (20a) 은 X1-X2 방향을 향하여 오목 곡면으로 형성되지만, Y1-Y2 방향으로는 직선상으로 형성된다. 이 실시형태에서는 조작면 (20a) 의 중심 (O) 을 지나는 Y1-Y2 방향의 선 위가 가장 하방으로 패여 있고, 중심 (O) 을 지나는 Y1-Y2 방향의 선 위로부터 X1-X2 방향으로 멀어짐에 따라서 서서히 상방을 향하여 만곡되는 형상으로 형성되어 있다.As shown to Fig.5 (a), the operation surface (surface) 20a of the surface member 20 is formed in concave curved surface toward the X1-X2 direction, but is formed linearly in the Y1-Y2 direction. In this embodiment, the line in the Y1-Y2 direction passing through the center O of the operating surface 20a is most recessed, and away from the line in the Y1-Y2 direction passing through the center O in the X1-X2 direction. It is formed in the shape which gradually curves upwards according to this.

도 5(b) 는 하부 전극 패턴 (14) 의 평면도이다. 도 5(b) 에 나타내는 각 하부 전극 패턴 (14n ? 14q) 은 모두 X1-X2 방향의 중심에서의 패턴 폭이 가장 넓어지고, 상기 중심으로부터 X1-X2 방향으로 멀어짐에 따라서 서서히 패턴 폭이 작아지는 형상으로 형성되어 있다. 도 5(b) 에서는, 복수 개의 하부 전극 패턴 (14n ? 14q) 이, 모두 동일한 패턴 형상이다. 즉, 각 하부 전극 패턴 (14n ? 14q) 의 X1-X2 방향의 중심에서의 패턴 폭은 모두 T23 으로 형성된다. 또, 각 하부 전극 패턴 (14n ? 14q) 의 패턴 폭 (T23) 의 위치로부터 X1-X2 방향으로 멀어짐에 따라서 서서히 작아지는 패턴 폭 (T24) 은, 각 하부 전극 패턴 (14n ? 14q) 의 Y1-Y2 방향의 동일한 위치에서 동일해지도록 형성되어 있다. 도 5(b) 에 나타내는 바와 같이 각 하부 전극 패턴 (14n ? 14q) 의 패턴 폭의 양측에 위치하는 양 측부 (14r) 는 만곡되어 형성되어 있다.5B is a plan view of the lower electrode pattern 14. Each of the lower electrode patterns 14n to 14q illustrated in FIG. 5B has the widest pattern width at the center in the X1-X2 direction, and gradually decreases the pattern width as it moves away from the center in the X1-X2 direction. It is formed in a shape. In FIG. 5B, the plurality of lower electrode patterns 14n to 14q have the same pattern shape. That is, the pattern width at the center of each lower electrode pattern 14n-14q in the X1-X2 direction is formed by T23. Moreover, the pattern width T24 gradually decreasing as it moves away from the position of the pattern width T23 of each lower electrode pattern 14n-14q in the X1-X2 direction is Y1- of each lower electrode pattern 14n-14q. It is formed to become the same at the same position in the Y2 direction. As shown in FIG.5 (b), the both side parts 14r located in the both sides of the pattern width of each lower electrode pattern 14n-14q are curved and formed.

도 5(c) 는 상부 전극 패턴 (13) 의 평면도이다. 도 5(c) 에 나타내는 바와 같이 상부 전극 패턴 (13n ? 13q) 은 복수 개 형성된다. 도 5(c) 에 나타내는 바와 같이, 각 상부 전극 패턴 (13n ? 13q) 은, X1-X2 방향으로 간격을 두고 배치됨과 함께, 각각, Y1-Y2 방향을 향하여 연장되어 형성되어 있다. 각 상부 전극 패턴 (13n ? 13q) 중, 상부 전극 패턴 (13n, 13o) 과 상부 전극 패턴 (13p, 13q) 이 중심 (O) 에 대해 점 대칭으로 형성되어 있다. 즉, 상부 전극 패턴 (13n) 과 상부 전극 패턴 (13q) 은 동일한 형상으로 형성되고, 상부 전극 패턴 (13o) 과 상부 전극 패턴 (13p) 은 동일한 형상으로 형성된다.5C is a plan view of the upper electrode pattern 13. As shown in Fig. 5C, a plurality of upper electrode patterns 13n to 13q are formed. As shown in FIG.5 (c), while each upper electrode pattern 13n-13q is arrange | positioned at intervals in the X1-X2 direction, it extends toward the Y1-Y2 direction, respectively, and is formed. Of the upper electrode patterns 13n to 13q, the upper electrode patterns 13n and 13o and the upper electrode patterns 13p and 13q are formed in point symmetry with respect to the center O. That is, the upper electrode pattern 13n and the upper electrode pattern 13q are formed in the same shape, and the upper electrode pattern 13o and the upper electrode pattern 13p are formed in the same shape.

도 5(c) 에 나타내는 바와 같이, 각 상부 전극 패턴 (13n ? 13q) 은 각각, 소정 폭의 띠상으로 형성되지만, 표면 부재 (20) 의 조작면 (20a) 의 중심 (O) 에서 먼 상부 전극 패턴일수록 패턴 폭이 작게 형성된다. 즉, 상부 전극 패턴 (13n) 과 상부 전극 패턴 (13q) 의 패턴 폭 (T25) 은, 상부 전극 패턴 (13o) 과 상부 전극 패턴 (13p) 의 패턴 폭 (T26) 보다 작게 형성된다.As shown in FIG. 5C, each of the upper electrode patterns 13n to 13q is formed in a band shape having a predetermined width, but the upper electrode is far from the center O of the operating surface 20a of the surface member 20. The smaller the pattern, the smaller the pattern width. That is, the pattern width T25 of the upper electrode pattern 13n and the upper electrode pattern 13q is formed smaller than the pattern width T26 of the upper electrode pattern 13o and the upper electrode pattern 13p.

도 5(d) 는, 도 5(b) 에 나타내는 복수 개의 하부 전극 패턴 (14n ? 14q) 과 도 5(c) 에 나타내는 복수 개의 상부 전극 패턴 (13n ? 13q) 을 중첩시킨 평면도이다. 도 5(d) 에 나타내는 바와 같이, 하부 전극 패턴 (14n ? 14q) 과 상부 전극 패턴 (13n ? 13q) 은 복수의 위치에서 교차한다. 각 교차 위치 (26a ? 26p) 에서의 중첩 면적은, 조작면 (20a) 과 센서부 (5) 사이의 높이 방향 (Z) 으로의 거리가 클수록 작게 형성되어 있다.FIG. 5D is a plan view of a plurality of lower electrode patterns 14n to 14q illustrated in FIG. 5B and a plurality of upper electrode patterns 13n to 13q illustrated in FIG. 5C. As shown in Fig. 5D, the lower electrode patterns 14n to 14q and the upper electrode patterns 13n to 13q intersect at a plurality of positions. The overlapped area in each intersection position 26a-26p is formed so that the distance in the height direction Z between the operation surface 20a and the sensor part 5 may become large.

도 5 에서의 표면 부재 (20) 의 조작면 (20a) 은, 중심 (O) 을 지나는 Y1-Y2 방향의 선 위가 가장 패여 있고, 상기 선 위로부터 X1-X2 방향으로 멀어짐에 따라서 서서히 상방으로 만곡되어 있다. 즉, 상기 선 위에서의 조작면 (20a) 과 센서부 (25) 사이의 거리가 가장 작고, 상기 선 위로부터 X1-X2 방향으로 멀어짐에 따라서 상기 거리가 서서히 커진다. 따라서, 상기 선 위로부터 동일한 위치에 있는 교차 위치 (26a, 26d, 26e, 26h, 26i, 26l, 26m, 26p) 에서의 각 중첩 면적은 동일한 면적으로 형성되고, 상기 교차 위치 (26a, 26d, 26e, 26h, 26i, 26l, 26m, 26p) 보다 상기 중심 (O) 을 지나는 Y1-Y2 방향의 선 위에 가까운 교차 위치 (16b, 26c, 26f, 26g, 26j, 26k, 26n, 26o) 에서의 각 중첩 면적은, 교차 위치 (26a, 26d, 26e, 26h, 26i, 26l, 26m, 26p) 에서의 각 중첩 면적보다 크고 또한 동일한 면적으로 형성되어 있다. 도 5(d) 에 나타내는 각 교차 위치 (26a ? 26p) 에서의 중첩 면적을 얻기 위해, 도 5(b) 에 나타내는 각 하부 전극 패턴 (14n ? 14q) 및 도 5(c) 에 나타내는 각 상부 전극 패턴 (13n ? 13q) 의 형상이나 패턴 폭으로 조정하였다.As for the operation surface 20a of the surface member 20 in FIG. 5, the line top of the Y1-Y2 direction which passes through the center O is the largest, and gradually moves upwards as it moves away from the line in the X1-X2 direction. It is curved. That is, the distance between the operation surface 20a and the sensor part 25 on the said line is the smallest, and the said distance becomes gradually larger as it moves away from the said line in the X1-X2 direction. Thus, each overlapping area at the intersection positions 26a, 26d, 26e, 26h, 26i, 26l, 26m, 26p at the same position from the line is formed with the same area, and the intersection positions 26a, 26d, 26e. , Overlapping at the intersecting positions (16b, 26c, 26f, 26g, 26j, 26k, 26n, 26o) closer to the line in the Y1-Y2 direction passing through the center (O) than in (26h, 26i, 26l, 26m, 26p) The area is larger than each overlapped area at the intersection positions 26a, 26d, 26e, 26h, 26i, 26l, 26m, 26p and is formed with the same area. In order to obtain the overlap area at each intersection position 26a-26p shown in FIG. 5 (d), each lower electrode pattern 14n-14q shown in FIG. 5 (b) and each upper electrode shown in FIG. 5 (c) is shown. It adjusted to the shape and pattern width of pattern 13n-13q.

상기의 도 2 ? 도 5 에 나타낸 바와 같이, 조작면 (20a) 이 볼록 곡면이나 오목 곡면으로 형성된 어느 실시형태에서도, 조작면 (20a) 과 센서부 (25) 사이의 높이 방향으로의 거리가 커질수록, 각 전극 패턴 (13, 14) 사이의 교차 위치에서의 중첩 면적을 작게 함으로써, 조작면 (20a) 전체에 있어서의 센서 감도의 균일성을 종래에 비해 향상시킬 수 있다.2 above? As shown in FIG. 5, in any of the embodiments in which the operation surface 20a is formed as a convex curved surface or a concave curved surface, each electrode pattern becomes larger as the distance in the height direction between the operation surface 20a and the sensor portion 25 increases. By making the overlapped area at the intersection position between (13, 14) small, the uniformity of the sensor sensitivity in the whole operation surface 20a can be improved compared with the past.

본 실시형태에서는, 각 교차 위치에서의 상기 중첩 면적의 비율이, 각 교차 위치에 있어서의 조작면 (20a) 과 센서부 (25) 사이의 거리의 비율에 반비례하도록 각 중첩 면적을 조정하는 것이 바람직하다. 즉, 조작면 (20a) 상의 임의의 위치 a 에 있어서의 센서부 (25) 사이의 거리 A 에 대해, 조작면 (20a) 상의 다른 위치 b 에 있어서의 센서부 (25) 사이의 거리 B 가, 상기 거리 A 의 2 배이면, 상기 위치 b 에 있어서의 교차 위치의 중첩 면적 SB 를, 상기 위치 a 에 있어서의 교차 위치에서의 중첩 면적 SA 의 1/2 로 설정한다. 정전 용량의 크기는, 거리에 반비례하고, 면적에 비례한다. 따라서, 상기와 같이, 위치 b 상에 손가락 (F) 을 접촉시켰을 때에 센서부 (25) 사이에서 발생하는 정전 용량은, 위치 a 상에 손가락 (F) 을 접촉시켰을 때에 생기는 센서부 (25) 사이에서 발생하는 정전 용량의 약 1/2 이 되지만, 마찬가지로, 위치 b 에서 전극 패턴 (13, 14) 사이의 교차 위치에 발생하는 정전 용량을, 위치 a 에서 전극 패턴 (13, 14) 사이의 교차 위치에 발생하는 정전 용량의 1/2 로 설정할 수 있음으로써, 조작면 (20a) 전체에 있어서의 센서 감도의 균일성을 보다 효과적으로 향상시킬 수 있다.In this embodiment, it is preferable to adjust each overlapping area so that the ratio of the said overlapping area in each crossing position may be inversely proportional to the ratio of the distance between the operation surface 20a and the sensor part 25 in each crossing position. Do. That is, with respect to the distance A between the sensor parts 25 in arbitrary position a on the operation surface 20a, the distance B between the sensor parts 25 in the other position b on the operation surface 20a, If it is 2 times of the said distance A, the overlap area S B of the crossing position in the said position b will be set to 1/2 of the overlap area S A in the crossing position in the said position a. The magnitude of the capacitance is inversely proportional to the distance and proportional to the area. Therefore, as described above, the capacitance generated between the sensor portions 25 when the finger F is contacted on the position b is between the sensor portions 25 generated when the finger F is contacted on the position a. It is about 1/2 of the capacitance occurring at, but similarly, the capacitance occurring at the crossing position between the electrode patterns 13 and 14 at position b is the intersection position between the electrode patterns 13 and 14 at position a. By setting it to 1/2 of the electrostatic capacitance which generate | occur | produces, the uniformity of the sensor sensitivity in the whole operation surface 20a can be improved more effectively.

도 2, 도 4 에 나타내는 실시형태에서는, 표면 부재 (20) 의 조작면 (20a) 은 X1-X2 방향 및 Y1-Y2 방향의 쌍방에 있어서 볼록 곡면 혹은 오목 곡면으로 형성되어 있다. 이 때, 도 2, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 각 하부 전극 패턴 (14a ? 14d, 14i ? 14l) 및 각 상부 전극 패턴 (13a ? 13d, 13i ? 13l) 의 양 측부 (14m, 13m) 를 만곡면상으로 형성하여 패턴 폭을, 조작면 (20a) 의 중심 (O) 에서 멀어질수록 서서히 변화시킴으로써, 간단하고 또한 적절하게, 각 전극 패턴 (14a ? 14d, 14i ? 14l, 13a ? 13d, 13i ? 13l) 의 패턴 폭을 조작면 (20a) 과 센서부 (25) 사이의 거리가 클수록 작아지도록 형성할 수 있다. 따라서, 도 2(e), 도 4(e) 와 같이, 각 하부 전극 패턴 (14a ? 14d, 14i ? 14l) 및 각 상부 전극 패턴 (13a ? 13d, 13i ? 13l) 과의 교차 위치 (16a ? 16p, 19a ? 19p) 에서의 각 중첩 면적을, 조작면 (20a) 과 센서부 (25) 사이의 거리가 클수록 간단하고 또한 적절하게 작게 형성하는 것이 가능하다.In the embodiment shown in FIG. 2, FIG. 4, the operation surface 20a of the surface member 20 is formed in convex curved surface or concave curved surface in both X1-X2 direction and Y1-Y2 direction. At this time, as shown to FIG. 2, FIG. 4, the both side parts 14m, 13m of each lower electrode pattern 14a-14d, 14i-14l and each upper electrode pattern 13a13d, 13i13l are curved. By forming in a plane shape and gradually changing the pattern width as it moves away from the center O of the operating surface 20a, each electrode pattern 14a to 14d, 14i to 14l, 13a to 13d, 13i? The pattern width of 13l) can be formed so that it becomes small, so that the distance between the operation surface 20a and the sensor part 25 is large. Therefore, as shown in FIGS. 2E and 4E, the intersecting positions 16a to the lower electrode patterns 14a to 14d and 14i to 14l and the upper electrode patterns 13a to 13d and 13i to 13l, respectively. It is possible to form each overlapped area in 16p, 19a-19p) more simply and suitably as the distance between the operation surface 20a and the sensor part 25 is large.

혹은 도 6 에 나타내는 바와 같이, 예를 들어 각 상부 전극 패턴 (13) 을 소정 폭의 띠상으로 형성하고, 한편, 각 하부 전극 패턴 (14) 을 상부 전극 패턴 (13) 과의 교차 위치 (14s) 를 제외하고 일정한 폭으로 형성할 수도 있다. 그리고, 각 하부 전극 패턴 (14) 에 있어서의 교차 위치 (14a) 의 크기를, 상부 전극 패턴 (13) 과의 중첩 면적이 조작면 (20a) 과 센서부 (25) 사이의 높이 방향으로의 거리가 커질수록 작아지도록 형성한다. 이로써, 조작면 (20a) 과 센서부 (25) 사이의 높이 방향으로의 거리가 커질수록, 각 상부 전극 패턴 (13) 과 각 하부 전극 패턴 (14) 사이의 교차 위치에서 발생하는 정전 용량을 작게 할 수 있어, 조작면 (20a) 전체에 있어서의 센서 감도의 균일성을 향상시키는 것이 가능해진다.Or as shown in FIG. 6, for example, each upper electrode pattern 13 is formed in strip shape of predetermined width, and each lower electrode pattern 14 is the intersection position 14s with the upper electrode pattern 13, for example. Except for it may be formed in a constant width. And the magnitude | size of the intersection position 14a in each lower electrode pattern 14 is the distance of the overlap area with the upper electrode pattern 13 in the height direction between the operation surface 20a and the sensor part 25. It becomes smaller so that it becomes small. Thus, as the distance in the height direction between the operation surface 20a and the sensor portion 25 increases, the capacitance generated at the intersection position between each upper electrode pattern 13 and each lower electrode pattern 14 is reduced. It becomes possible to improve the uniformity of the sensor sensitivity in the whole operation surface 20a.

또, 도 7 에 나타내는 실시형태에서는, 표면 부재 (20) 는 조작면 (20a) 뿐만 아니라 조작면 (20a) 과 대향하는 이면 (20b) 도 조작면 (20a) 의 형상을 본떠 곡면상으로 형성되어 있지만, 도 8 에 나타내는 바와 같이 이면 (20b) 은 평탄면으로 형성되어도 된다.In addition, in the embodiment shown in FIG. 7, not only the operation surface 20a but also the back surface 20b which opposes the operation surface 20a is formed in the curved surface which modeled the shape of the operation surface 20a. However, as shown in FIG. 8, the back surface 20b may be formed in a flat surface.

C2 ? C10 : 정전 용량
F : 손가락
L2 : 거리
10 : 입력 장치
13, 13a ? 13q : 상부 전극 패턴
14, 14a ? 14q : 하부 전극 패턴
20 : 표면 부재
20a : 조작면
20b : 이면
21 : 상부 기판
22 : 하부 기판
25 : 센서부
16a ? 16p, 18a ? 18p, 19a ? 19p, 26a ? 6p : 교차 위치C2? C10: capacitance
F: finger
L2: Distance
10: input device
13, 13a? 13q: upper electrode pattern
14, 14a? 14q: lower electrode pattern
20: surface member
20a: Operation surface
20b: back side
21: upper substrate
22: lower substrate
25: sensor
16a? 16p, 18a? 18p, 19a? 19p, 26a? 6p: intersection position

Claims (5)

높이 방향으로 간격을 두고 형성된 복수 개의 하부 전극 패턴과 복수 개의 상부 전극 패턴이 평면에서 볼 때에 교차하여 배치되고, 상기 하부 전극 패턴과 상기 상부 전극 패턴 사이에서의 교차 위치에 정전 용량이 발생하여 이루어지는 센서부와, 상기 센서부와 높이 방향으로 대향하여 배치되고, 표면에 조작면을 구비하는 표면 부재를 가지고 구성되고,
상기 조작면은, 조작체를 조작면 상에 접촉시켰을 때의 상기 조작체와 상기 센서부 사이의 높이 방향으로의 거리가 상기 조작체의 상기 조작면 상에서의 접촉 위치에 따라 상이하도록 곡면을 가지고 형성되어 있고,
상기 교차 위치에서의 상기 하부 전극 패턴과 상기 상부 전극 패턴의 중첩 면적은, 상기 조작면과 상기 센서부 사이의 거리가 클수록 작게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 정전 용량식 입력 장치.A sensor formed by crossing a plurality of lower electrode patterns and a plurality of upper electrode patterns formed at intervals in the height direction when viewed in plan view, and generating capacitance at an intersection between the lower electrode pattern and the upper electrode pattern. And a surface member disposed opposite to the sensor portion in the height direction and having an operating surface on the surface thereof,
The operating surface is formed with a curved surface such that the distance in the height direction between the operating body and the sensor portion when the operating body is in contact with the operating surface is different depending on the contact position on the operating surface of the operating body. It is,
An overlapping area of the lower electrode pattern and the upper electrode pattern at the crossing position is smaller as the distance between the operation surface and the sensor portion increases. 제 1 항에 있어서,
각 교차 위치에서의 상기 중첩 면적의 비율은, 각 교차 위치에 있어서의 상기 조작면과 상기 센서부 사이의 거리의 비율에 반비례하는, 정전 용량식 입력 장치.The method of claim 1,
The capacitive input device in which the ratio of the overlapping area at each intersection position is inversely proportional to the ratio of the distance between the operating surface and the sensor unit at each intersection position. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
각 하부 전극 패턴은, 제 1 방향으로 간격을 두고 배치됨과 함께, 각각, 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되어 형성되어 있고,
각 상부 전극 패턴은, 상기 제 2 방향으로 간격을 두고 배치됨과 함께, 각각, 상기 제 1 방향으로 연장되어 형성되어 있고,
상기 조작면은 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향 중 적어도 어느 일방을 향하여 볼록 곡면 혹은 오목 곡면으로 형성되어 있으며,
상기 조작면의 곡면 방향과 동일한 방향으로 형성된 각 전극 패턴의 패턴 폭은, 상기 조작면과 상기 센서부 사이의 거리가 클수록 작아지도록 형성되어 있는, 정전 용량식 입력 장치.The method according to claim 1 or 2,
Each lower electrode pattern is arranged at intervals in the first direction and extends in a second direction crossing the first direction, respectively,
The upper electrode patterns are arranged at intervals in the second direction and extend in the first direction, respectively.
The operation surface is formed of a convex curved surface or a concave curved surface toward at least one of the first direction and the second direction,
The pattern width of each electrode pattern formed in the same direction as the curved surface direction of the said operation surface is formed so that it may become small, so that the distance between the said operation surface and the said sensor part may become large. 제 3 항에 있어서,
상기 패턴 폭의 양측에 위치하는 각 전극 패턴의 측면부는 만곡되어 형성되어 있는, 정전 용량식 입력 장치.The method of claim 3, wherein
The capacitive input device of which the side surface part of each electrode pattern located in the both sides of the said pattern width is curved. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 표면 부재는, 상기 센서부의 상면측에 배치되고, 상기 하부 전극 패턴이 구동 전극이고, 상기 상부 전극 패턴이 검출 전극인, 정전 용량식 입력 장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
The surface member is disposed on an upper surface side of the sensor portion, wherein the lower electrode pattern is a drive electrode, and the upper electrode pattern is a detection electrode.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200090860A (en) * 2018-01-26 2020-07-29 알프스 알파인 가부시키가이샤 Input device

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2499388B (en) * 2012-02-13 2014-02-12 Touchnetix Ltd Touch sensor for non-uniform panels
CN103365455B (en) * 2012-04-09 2016-06-01 群康科技(深圳)有限公司 Curved surface sense of touch feedback Touch Screen and sense of touch feedback driving method thereof
TWI460630B (en) * 2012-05-18 2014-11-11 Au Optronics Corp Touch panel and display device
JP5656922B2 (en) * 2012-06-14 2015-01-21 日本写真印刷株式会社 Method for manufacturing touch panel and film with conductive electrode
JP5968243B2 (en) * 2013-02-07 2016-08-10 株式会社ジャパンディスプレイ Input device, display device, and electronic device
US9142363B2 (en) 2013-02-27 2015-09-22 Microchip Technology Germany Gmbh Method for forming a sensor electrode for a capacitive sensor device
JP2015055938A (en) * 2013-09-10 2015-03-23 株式会社ジャパンディスプレイ Display device with touch detection function, electronic device and cover material
CN110266301B (en) 2014-01-28 2023-10-03 积水保力马科技株式会社 Housing for electronic device including sensor sheet and mounting plate for sensor sheet
JP6106614B2 (en) 2014-01-29 2017-04-05 京セラ株式会社 Front module for electronic equipment and electronic equipment having the same
JP6372747B2 (en) * 2014-07-07 2018-08-15 大日本印刷株式会社 Touch panel device and display device with touch position detection function
KR102365159B1 (en) 2014-07-15 2022-02-18 삼성전자주식회사 Curved touch panel and flexible display device with theh same
CN107111392B (en) 2014-11-21 2020-01-10 富士胶片株式会社 Conductive thin film and touch panel sensor provided with same
KR102239861B1 (en) * 2014-11-26 2021-04-13 삼성디스플레이 주식회사 Display device including touch sensor and driving method thereof
JP6282223B2 (en) * 2014-12-27 2018-02-21 アルプス電気株式会社 Input device
KR101598412B1 (en) * 2015-02-11 2016-02-29 주식회사 하이딥 Electrode sheet and touch input device
JP6517940B2 (en) * 2015-03-02 2019-05-22 エルジー イノテック カンパニー リミテッド Cover substrate and display apparatus including the same
US10712876B2 (en) * 2015-12-27 2020-07-14 Texas Instruments Incorporated Capacitive touch-on-surface input apparatus with touch-force sensing using profiled capacitive electrode
KR102552294B1 (en) 2016-07-15 2023-07-10 삼성디스플레이 주식회사 Pressure sensor and display device including the same
KR102552283B1 (en) 2016-07-15 2023-07-10 삼성디스플레이 주식회사 Pressure sensor and display device including the same
KR102491224B1 (en) * 2017-06-01 2023-01-20 엘지디스플레이 주식회사 Touch display device and touch panel
KR102423892B1 (en) * 2017-09-15 2022-07-21 삼성디스플레이 주식회사 Touch sensor and display device including the same
JP2019096020A (en) * 2017-11-22 2019-06-20 矢崎総業株式会社 Input device
CN109471558B (en) * 2018-10-31 2022-06-03 天马微电子股份有限公司 Touch panel and display device
EP3955275A4 (en) 2019-06-07 2023-01-18 Sekisui Polymatech Co., Ltd. Sensor-sheet-containing exterior article
JP2023152297A (en) * 2020-08-25 2023-10-17 アルプスアルパイン株式会社 Operating position sensing device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3971907B2 (en) * 2001-09-17 2007-09-05 アルプス電気株式会社 Coordinate input device and electronic device
CN2596435Y (en) * 2002-08-23 2003-12-31 突破光电科技股份有限公司 Flexible current type touch control sheet
US20090085892A1 (en) 2006-03-01 2009-04-02 Kenichiro Ishikura Input device using touch panel
JP2010086236A (en) * 2008-09-30 2010-04-15 Casio Computer Co Ltd Touch panel

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200090860A (en) * 2018-01-26 2020-07-29 알프스 알파인 가부시키가이샤 Input device
US11188182B2 (en) 2018-01-26 2021-11-30 Alps Alpine Co., Ltd. Input device

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Publication number Publication date
JPWO2011142332A1 (en) 2013-07-22
JP5390018B2 (en) 2014-01-15
KR101375476B1 (en) 2014-03-18
CN102893245A (en) 2013-01-23
WO2011142332A1 (en) 2011-11-17
CN102893245B (en) 2015-05-06

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