KR20120136693A - Liquid crystal display device and manufacturing method the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A liquid crystal display and a manufacturing method thereof are provided to prevent scratches generated in a shorting bar in a process of cutting a TFT array. CONSTITUTION: A shorting bar is formed in a non-display area and is same as the layer of a pixel electrode(180). The distance between a gate layer and a shorting bar is increased. A metal layer of a gate(162) formed on a display area is formed in the lower part of the shorting bar. The metal layer of the gate and the shorting bar has a gap of 7000Å. A gate insulating layer(164) and a passivation layer(170) are formed between the shorting bar and the gate layer.

Description

액정 표시장치와 이의 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THE SAME}Liquid crystal display and its manufacturing method {LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THE SAME}

본 발명은 액정 표시장치에 관한 것으로, 특히 화소 불량 검사를 위한 쇼팅 바(Shorting Bar)를 화소 전극과 동일 레이어(layer)에 형성하여, 패널 커팅 공정 시 글라스 칩(glass chip)에 의해 게이트 라인(gate line)과 데이터 라인(data line)들 간의 쇼트 발생에 따른 데이터 블록 딤(data block dim) 불량을 개선시킬 수 있는 액정 표시장치와 이의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display, and in particular, a shorting bar for inspecting pixel defects is formed on the same layer as a pixel electrode, and a gate line is formed by a glass chip during a panel cutting process. The present invention relates to a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same that can improve a data block dim defect caused by a short between gate lines and data lines.

이동통신 단말기, 노트북 컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 평판 표시장치(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 증대되고 있다.With the development of various portable electronic devices such as mobile communication terminals and notebook computers, there is an increasing demand for a flat panel display device that can be applied thereto.

평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display Device), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display Device), 발광 다이오드 표시장치(Light Emitting Diode Display Device), 유기발광 다이오드 표시장치(OLED: Organic Light Emitting Diode Display Device) 등이 연구되고 있다.The flat panel display includes a liquid crystal display device, a plasma display panel, a field emission display device, a light emitting diode display device, and an organic light emitting diode. Organic light emitting diode display devices (OLEDs) are being studied.

이러한 평판 표시장치 중에서 액정 표시장치(LCD)는 양산 기술의 발전, 구동수단의 용이성, 저전력 소비, 고화질 구현 및 대화면 구현의 장점이 있어 휴대용으로 기기에 적합하며 적용 분야가 확대되고 있다.Among such flat panel displays, liquid crystal displays (LCDs) have advantages in the development of mass production technology, ease of driving means, low power consumption, high definition, and large screen, and are suitable for portable devices, and their application fields are expanding.

액정 표시장치는 외부로부터 입력된 영상 신호를 데이터 전압으로 변환하고, 데이터 전압에 따라 복수의 화소(cell)의 액정층을 투과하는 광의 투과율을 조절하여 영상 신호에 따른 화상을 표시하게 된다.The liquid crystal display converts an image signal input from the outside into a data voltage and adjusts the transmittance of light passing through the liquid crystal layers of the plurality of pixels according to the data voltage to display an image according to the image signal.

이러한 액정 표시장치는 TFT 어레이 기판(하부 기판) 상에 박막트랜지스터(TFT)를 포함한 여러 패턴을 형성하는 공정; 컬러필터 어레이 기판 상에 컬러필터층을 포함한 각종 패턴을 형성하는 공정; TFT 어레이 기판과 컬러필터 어레이 기판을 대향 합착하고, 그 사이에 액정을 주입하는 액정셀 공정; 상기 TFT 어레이 기판에 구동 회로부를 연결하는 모율 공정;을 수행하여 제조되게 된다.Such a liquid crystal display includes a process of forming a plurality of patterns including a thin film transistor (TFT) on a TFT array substrate (lower substrate); Forming various patterns including a color filter layer on the color filter array substrate; A liquid crystal cell process in which a TFT array substrate and a color filter array substrate are opposed to each other, and a liquid crystal is injected therebetween; It is produced by performing a; matrix process step of connecting a driving circuit portion to the TFT array substrate.

여기서, TFT 어레이 기판이 제조된 후, 라인들의 쇼트, 단선 등과 같은 라인불량과, TFT의 불량 등을 검출하기 위한 신호검사를 수행하게 된다.Here, after the TFT array substrate is manufactured, signal inspection is performed to detect line defects such as shorts, disconnections, and the like of TFTs.

최근에는 TFT 어레이 기판의 신호검사를 위해 쇼팅 바를 이용하며, 쇼팅 바를 통해 게이트 라인과 데이터 라인에 구동 신호를 인가하여 TFT 어레이 기판 상의 라인들 및 화소들이 정상적으로 형성되었는지를 검사하게 된다.Recently, a shorting bar is used for signal inspection of a TFT array substrate, and a driving signal is applied to a gate line and a data line through the shorting bar to check whether lines and pixels on the TFT array substrate are normally formed.

도 1은 종래 기술에 따른 액정 표시장치의 TFT 어레이 기판을 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 2는 TFT 어레이 기판에 형성되는 쇼팅 바 및 데이터 패드를 나타내는 도면이다.1 is a view schematically showing a TFT array substrate of a liquid crystal display according to the prior art, and FIG. 2 is a view showing a shorting bar and a data pad formed on the TFT array substrate.

도 1 및 도 2를 참조하면, 종래 기술에 따른 액정 표시장의 TFT 어레이 기판은 표시 영역(10)과 비 표시 영역을 포함한다.1 and 2, a TFT array substrate of a liquid crystal display according to the prior art includes a display area 10 and a non-display area.

표시 영역(10)에는 복수의 게이트 라인(12), 복수의 데이터 라인(14) 및 복수의 화소(16)들이 형성된다. 이때, 복수의 화소 각각은 TFT 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다.In the display area 10, a plurality of gate lines 12, a plurality of data lines 14, and a plurality of pixels 16 are formed. In this case, each of the plurality of pixels includes a TFT and a storage capacitor Cst.

비 표시 영역에는 복수의 게이트 라인(12), 복수의 데이터 라인(14) 및 복수의 화소(16)들이 정상적으로 형성되었는지를 검사하기 위해 복수의 데이터 패드(20) 및 복수의 쇼팅 바(30)가 형성된다. 데이터 라인의 일측 끝단에는 신호가 입력되는 데이터 패드(20)가 연결되고, 데이터 패드(20)는 해당 쇼팅 바(30)에 연결된다.In the non-display area, a plurality of data pads 20 and a plurality of shorting bars 30 are provided to check whether the plurality of gate lines 12, the plurality of data lines 14, and the plurality of pixels 16 are normally formed. Is formed. A data pad 20 to which a signal is input is connected to one end of the data line, and the data pad 20 is connected to a corresponding shorting bar 30.

도 1에 도시되지 않았지만, 게이트 라인의 검사를 위한 게이트 패드가 게이트 라인에 연결되며, 게이트 패드에는 별도의 쇼팅 바가 연결될 수 있다.Although not shown in FIG. 1, a gate pad for inspecting the gate line may be connected to the gate line, and a separate shorting bar may be connected to the gate pad.

도 1에서는 데이터 쇼팅 바(30)가 3개 형성된 것을 도시하고 있지만, 데이터 쇼팅 바(30)의 개수에는 크게 제한이 없으며, 2개 또는 4개 이상이 형성될 수도 있다. 쇼팅 바가 2개 형성되는 경우에는 복수의 데이터 라인을 이븐 라인과 오드 라인으로 구분하여 신호검사를 수행한다.Although FIG. 1 illustrates that three data shorting bars 30 are formed, the number of data shorting bars 30 is not particularly limited, and two or four or more data shortening bars 30 may be formed. When two shorting bars are formed, a plurality of data lines are divided into even lines and odd lines to perform signal inspection.

한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 쇼팅 바(30)가 6개 형성되는 경우에는 복수의 데이터 라인 중 1/6에 해당하는 데이터 라인들을 각각의 쇼팅 바 공통으로 연결하여 신호검사를 수행하게 된다.Meanwhile, as shown in FIG. 2, when six shorting bars 30 are formed, signal inspection is performed by connecting data lines corresponding to 1/6 of a plurality of data lines in common to each shorting bar. .

상술한 구성을 포함하는 TFT 어레이 기판은 쇼팅 바(30)를 이용하여 신호검사 즉, 각 화소의 점등 검사를 수행한 후, 신호 검사가 완료되면 액정 패널의 크기에 따라 글래스 기판을 컷팅 한다. 이때, 컷팅 라인(40)을 따라 스크라이빙(scribing) 및 그라인딩(grinding) 공정을 수행하여 TFT 어레이 기판 상에서 쇼팅 바(30)를 제거한다. 즉, TFT 어레이 기판의 가장자리를 그라인딩 하여 쇼팅 바(30)를 제거한다.The TFT array substrate having the above-described configuration performs signal inspection, that is, lighting inspection of each pixel using the shorting bar 30, and then cuts the glass substrate according to the size of the liquid crystal panel after the signal inspection is completed. At this time, the shorting bar 30 is removed on the TFT array substrate by performing a scribing and grinding process along the cutting line 40. That is, the shorting bar 30 is removed by grinding the edge of the TFT array substrate.

여기서, 신호 검사는 단지 온-오프(on-off) 신호에 의한 화소의 점등 유무만을 판단하는 검사이므로, 쇼팅 바(30)가 제거된 이후, 비전 오토 프로브(Vision Auto Probe) 장비를 이용한 VAP 검사를 수행하여 각각의 화소들의 불량 유무를 최종 검사한다.In this case, the signal test is a test for determining only whether the pixel is turned on by the on-off signal. Therefore, the VAP test using the vision auto probe device after the shorting bar 30 is removed. Is performed to finally check whether each pixel is defective.

도 3은 도 2에 도시된 A1-A2 선에 따른 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along line A1-A2 of FIG. 2.

도 3을 참조하면, 쇼팅 바(30)는 글래스 기판(50) 상에 게이트 라인, 데이터 라인 및 TFT를 형성하는 공정 중에 함께 형성된다.Referring to FIG. 3, the shorting bar 30 is formed together during the process of forming a gate line, a data line, and a TFT on the glass substrate 50.

구체적으로, TFT 어레이 기판에는 글래스 기판(50) 상에 메탈 소재로 게이트(62)가 형성되고, 게이트(62) 상에는 게이트 절연층(64, GI)이 형성된다. 이후, TFT를 형성시키기 위해, 게이트 절연층(64) 상에 반도체층(66, active)을 형성시키고, 반도체층(66) 상에 메탈 소재로 소스/드레인(68) 레이어를 형성한다. 이후, 글래스 기판(50)에 보호층(70, PAS)를 형성한 후, 화소 전극(80, pixel layer)를 형성하게 된다.Specifically, the gate array 62 is formed of a metal material on the glass substrate 50, and the gate insulating layers 64 and GI are formed on the glass substrate 50 in the TFT array substrate. Then, to form a TFT, a semiconductor layer 66 (active) is formed on the gate insulating layer 64, and a source / drain 68 layer is formed of a metal material on the semiconductor layer 66. Subsequently, after forming the protective layer 70 (PAS) on the glass substrate 50, the pixel electrode 80 is formed.

쇼팅 바(30)는 소스/드레인을 형성시키는 메탈 재료를 이용하여, TFT의 소스/드레인과 함께 비 표시 영역에 형성되게 된다. 이때, 게이트(62) 레이어와 반도체층(66) 사이는 4,000Å(D1)의 간격을 가지고, 소스/드레인(68) 레이어와 화소 전극(80) 레이어 사이는 3,000Å(D2)의 간격을 가진다.The shorting bar 30 is formed in the non-display area together with the source / drain of the TFT by using a metal material for forming the source / drain. In this case, the gate 62 layer and the semiconductor layer 66 have a spacing of 4,000 Å (D1), and the source / drain 68 layer and the pixel electrode 80 layer have a spacing of 3,000 Å (D2). .

여기서, 쇼팅 바(30)를 이용하여 신호검사가 완료된 후, 패널을 커팅하는 공정 중에 글래스 칩(glass chip)들이 쇼팅 바(30)에 스크래치(scratch)를 발생시킨다. 이로 인해, 게이트 라인(gate line)과 데이터 라인(data line)들 간에 쇼트, 화소 전극(80) 레이어와 소스/드레인(68) 레이어 간에 쇼트 및 소스/드레인(68) 레이어와 게이트(62) 레이어 간에 쇼트가 발생되게 된다. Here, after the signal inspection is completed using the shorting bar 30, glass chips generate scratches on the shorting bar 30 during the process of cutting the panel. As a result, a short between the gate line and the data lines, a short and a source / drain 68 layer and a gate 62 layer between the pixel electrode 80 layer and the source / drain 68 layer. Short will occur in the liver.

TFT 어레이 기판에서 쇼팅 바(30)를 제거하기 위한 커팅 공정에 따른 라인들 및 레이어들 간의 쇼트로 인해 VAP 검사 시 데이터 블록 딤(data block dim) 불량이 발생되는 문제점이 있다.Due to a short between lines and layers according to a cutting process for removing the short bar 30 from the TFT array substrate, there is a problem in that a data block dim defect occurs during VAP inspection.

현재까지는 패널 컷팅 시 쇼팅 바(30)의 스크래치를 줄이기 위해 글래스 칩의 발생을 줄이는 방향으로 기술 개발이 이루어 졌다. 그라나, 게이트(62) 레이어로부터 화소 전극(80) 레이어들 간의 간격은 3,000Å~4,000Å으로 가깝기 때문에, 패널 컷팅 시 발생되는 글래스 칩을 줄이더라도 레이어들 간에 쇼트가 쉽게 발생되는 문제점을 근본적으로 개선시킬 수 없다.Until now, technology development has been made to reduce the occurrence of glass chips in order to reduce scratches of the shorting bar 30 when cutting the panel. However, since the distance between the layers of the pixel electrode 80 from the gate 62 layer is close to 3,000 Å to 4,000 Å, the short-circuit between layers is easily improved even if the glass chip generated during panel cutting is reduced. You can't.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 쇼팅 바를 이용한 신호검사 후, TFT 어레이 기판의 컷팅 시 쇼팅 바의 스크래치 발생을 방지할 수 있는 액정 표시장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problem, and it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device capable of preventing scratches of the shorting bar when the TFT array substrate is cut after signal inspection using the shorting bar.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 비전 오토 프로브(Vision Auto Probe) 검사 시 데이터 블록 딤(data block dim) 불량을 방지할 수 있는 쇼팅 바를 포함하는 액정 표시장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a liquid crystal display device including a shorting bar capable of preventing data block dim defects during a vision auto probe inspection. do.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, TFT 어레이 기판 상에서 쇼팅 바를 제거하는 컷팅 공정 시, 스크래치에 강하도록 쇼팅 바가 형성되는 레이어를 변경하여 라인들 및 레이어들 간의 쇼트 발생을 줄일 수 있는 액정 표시장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problem, and in a cutting process of removing a shorting bar on a TFT array substrate, a liquid crystal display capable of reducing the occurrence of shorts between lines and layers by changing a layer on which a shorting bar is formed to resist scratches. It is a technical object to provide an apparatus.

위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Other features and advantages of the invention will be set forth in the description which follows, or may be obvious to those skilled in the art from the description and the claims.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치는 TFT 어레이 기판의 표시 영역에서 상호 교차하도록 형성된 복수의 게이트 라인과 복수의 데이터 라인; 상기 복수의 게이트 라인과 상기 복수의 게이트 라인에 의해 정의되는 복수의 화소; 상기 복수의 데이터 라인에 접속되도록 상기 TFT 어레이 기판의 비 표시 영역에 형성된 복수의 데이터 패드; 및 상기 비 표시 영역에서 상기 복수의 데이터 패드에 접속되도록 형성되며, 검사 신호를 인가하여 상기 복수의 데이터 라인 및 상기 복수의 화소의 점등 검사를 위한 복수의 쇼팅 바;를 포함하고, 상기 복수의 쇼팅 바는 상기 화소의 화소 전극과 동일 레이어에 형성된 것을 특징으로 한다.A liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a plurality of gate lines and a plurality of data lines formed to cross each other in a display area of a TFT array substrate; A plurality of pixels defined by the plurality of gate lines and the plurality of gate lines; A plurality of data pads formed in the non-display area of the TFT array substrate so as to be connected to the plurality of data lines; And a plurality of shorting bars configured to be connected to the plurality of data pads in the non-display area, and to apply a test signal to check lighting of the plurality of data lines and the plurality of pixels. The bar is formed on the same layer as the pixel electrode of the pixel.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치는 상기 복수의 쇼팅 바의 하부에 상기 표시 영역에 형성된 게이트의 메탈층이 형성되어 있고, 상기 복수의 쇼팅 바와 상기 게이트의 메탈층은 7,000Å의 간격을 가지도록 형성된 것을 특징으로 한다.In the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention, a metal layer of a gate formed in the display area is formed below the shorting bars, and the plurality of shorting bars and the metal layers of the gate have a gap of 7,000 Å. Characterized in that formed.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치는 상기 복수의 쇼팅 바가 상기 화소 전극과 동일 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.In the liquid crystal display according to the exemplary embodiment, the plurality of shorting bars may be formed of the same material as the pixel electrode.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 제조방법은 TFT 어레이 기판의 표시 영역에서 상호 교차하도록 복수의 게이트 라인과 복수의 데이터 라인을 형성하여 복수의 화소를 정의하는 단계; 상기 TFT 어레이 기판의 비 표시 영역에 상기 복수의 데이터 라인과 접속되는 복수의 데이터 패드를 형성하는 단계; 및 상기 비 표시 영역에 상기 복수의 데이터 패드에 접속되도록 복수의 쇼팅 바;를 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 복수의 쇼팅 바는 검사 신호를 인가하여 상기 복수의 데이터 라인 및 상기 복수의 화소의 점등 검사를 위해 형성되며, 상기 화소의 화소 전극과 동일 레이어에 형성되는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention includes: defining a plurality of pixels by forming a plurality of gate lines and a plurality of data lines to cross each other in a display area of a TFT array substrate; Forming a plurality of data pads connected to the plurality of data lines in a non-display area of the TFT array substrate; And forming a plurality of shorting bars connected to the plurality of data pads in the non-display area, wherein the plurality of shorting bars apply an inspection signal to each of the plurality of data lines and the plurality of pixels. It is formed for the lighting test, characterized in that formed on the same layer as the pixel electrode of the pixel.

실시 예에 따른 본 발명은 쇼팅 바를 이용한 신호검사 후, TFT 어레이 기판의 컷팅 시 쇼팅 바의 스크래치 발생을 방지할 수 있는 액정 표시장치를 제공할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, after a signal inspection using a shorting bar, a liquid crystal display capable of preventing scratching of the shorting bar when cutting the TFT array substrate may be provided.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치는 쇼팅 바가 제거된 후, 개별 액정 패널의 비전 오토 프로브(Vision Auto Probe) 검사 시 데이터 블록 딤(data block dim) 불량을 방지할 수 있다.After the shorting bar is removed, the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention may prevent data block dim defects during vision auto probe inspection of individual liquid crystal panels.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치는 TFT 어레이 기판 상에서 쇼팅 바를 제거하는 컷팅 공정 시, 스크래치에 강하도록 쇼팅 바가 형성되는 레이어를 표시 영역의 화소 전극과 동일 레이어로 변경하여 라인들 및 레이어들 간의 쇼트 발생을 줄일 수 있다.In a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, in a cutting process of removing a shorting bar on a TFT array substrate, a layer in which a shorting bar is formed so as to be resistant to scratches is changed to the same layer as a pixel electrode of a display area, and between lines and layers. Short generation can be reduced.

이 밖에도, 본 발명의 실시 예들을 통해 본 발명의 또 다른 특징 및 이점들이 새롭게 파악 될 수도 있을 것이다.In addition, other features and advantages of the present invention may be newly understood through the embodiments of the present invention.

도 1은 종래 기술에 따른 액정 표시장치의 TFT 어레이 기판을 개략적으로 나타내는 도면.
도 2는 TFT 어레이 기판에 형성되는 쇼팅 바 및 데이터 패드를 나타내는 도면.
도 3은 도 2에 도시된 A1-A2 선에 따른 단면도.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 TFT 어레이 기판을 개략적으로 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 쇼팅 바 및 데이터 패드를 나타내는 도면.
도 6은 도 5에 도시된 B1-B2 선에 따른 단면도로써, 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 제조방법을 나타내는 도면.
1 is a view schematically showing a TFT array substrate of a liquid crystal display device according to the prior art.
2 shows a shorting bar and a data pad formed on a TFT array substrate.
3 is a cross-sectional view taken along the line A1-A2 shown in FIG.
4 is a schematic view of a TFT array substrate of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
5 illustrates a shorting bar and a data pad of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line B1-B2 of FIG. 5 and illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도면을 참조한 설명에 앞서, 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치는 액정 패널과, 상기 액정 패널을 구동시키기 위한 구동 회로부를 포함하여 구성된다. 본 발명은 액정 패널의 하부기판(TFT 어레이 기판)을 제조한 후, 셀 검사에 이용되는 쇼팅 바에 관한 사항을 발명의 주요 내용으로 한다. 따라서, 액정 패널의 상부기판(컬러필터 어레이 기판) 및 액정 패널을 구동시키기 위한 구동 회로부에 대한 도시 및 상세한 설명은 생략한다.Prior to the description with reference to the drawings, the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention includes a liquid crystal panel and a driving circuit unit for driving the liquid crystal panel. The present invention focuses on the shorting bar used for cell inspection after manufacturing the lower substrate (TFT array substrate) of the liquid crystal panel. Therefore, illustration and detailed description of the upper substrate (color filter array substrate) of the liquid crystal panel and the driving circuit unit for driving the liquid crystal panel are omitted.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 TFT 어레이 기판을 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 쇼팅 바 및 데이터 패드를 나타내는 도면이다.4 is a diagram schematically illustrating a TFT array substrate of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a diagram illustrating a shorting bar and a data pad of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 따른 액정 표시장의 TFT 어레이 기판(100)은 표시 영역(110)과 비 표시 영역을 포함한다.4 and 5, the TFT array substrate 100 of the liquid crystal display according to the present invention includes a display area 110 and a non-display area.

표시 영역(110)에는 복수의 게이트 라인(112) 및 복수의 데이터 라인(114)이 형성되고, 상기 복수의 게이트 라인(112) 및 복수의 데이터 라인(114)의 교차에 의해 화소(116)들이 정의된다.A plurality of gate lines 112 and a plurality of data lines 114 are formed in the display area 110, and pixels 116 are formed by the intersection of the plurality of gate lines 112 and the plurality of data lines 114. Is defined.

여기서, 복수의 화소(116) 각각은 TFT 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다.Here, each of the plurality of pixels 116 includes a TFT and a storage capacitor Cst.

비 표시 영역에는 제조 공정에 의해 복수의 게이트 라인(112), 복수의 데이터 라인(114) 및 복수의 화소(116)들이 정상적으로 형성되었는지를 검사하기 위한 복수의 데이터 패드(120) 및 복수의 쇼팅 바(130)가 형성된다.In the non-display area, a plurality of data pads 120 and a plurality of shorting bars for checking whether the plurality of gate lines 112, the plurality of data lines 114, and the plurality of pixels 116 are normally formed by a manufacturing process. 130 is formed.

데이터 라인(114)의 일측 끝단에는 신호가 입력되는 데이터 패드(120)가 연결되고, 데이터 패드(120)는 해당 쇼팅 바(130)에 연결된다. 이러한, 쇼팅 바(130)는 복수의 데이터 패드(120)를 이용하여 화소들의 IPT(In Processing Test)검사를 위해 형성된다.A data pad 120 to which a signal is input is connected to one end of the data line 114, and the data pad 120 is connected to a corresponding shorting bar 130. The shorting bar 130 is formed for IPT (In Processing Test) inspection of the pixels using the plurality of data pads 120.

도 4 및 도 5에 도시되지 않았지만, 게이트 라인(112)의 검사를 위한 게이트 패드가 별도로 형성되어 게이트 라인(112)에 연결되며, 별도의 게이트 쇼팅 바가 형성되어 게이트 패드와 연결될 수 있다.Although not illustrated in FIGS. 4 and 5, a gate pad for inspecting the gate line 112 may be separately formed and connected to the gate line 112, and a separate gate shorting bar may be formed and connected to the gate pad.

도 3에서는 데이터 쇼팅 바(130)가 3개 형성된 것을 도시하고 있지만, 데이터 쇼팅 바(130)의 개수에는 크게 제한이 없으며, 2개 또는 4개 이상이 형성될 수도 있다. 쇼팅 바가 2개 형성되는 경우에는 복수의 데이터 라인을 이븐 라인과 오드 라인으로 구분하여 신호검사를 수행한다.Although FIG. 3 illustrates that three data shorting bars 130 are formed, the number of data shorting bars 130 is not particularly limited, and two or four or more data shortening bars 130 may be formed. When two shorting bars are formed, a plurality of data lines are divided into even lines and odd lines to perform signal inspection.

한편, 도 5에 도시된 바와 같이, 쇼팅 바(130)가 6개 형성되는 경우에는 복수의 데이터 라인 중 1/6에 해당하는 데이터 라인들을 하나의 쇼팅 바 공통으로 연결하여 신호검사를 수행하게 된다. 즉, 6배수 단위로 데이터 라인들을 하나의 쇼팅 바에 연결하여 신호검사를 수행할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 5, when six shorting bars 130 are formed, signal inspection is performed by connecting data lines corresponding to 1/6 of a plurality of data lines in common to one shorting bar. . That is, signal inspection may be performed by connecting the data lines to one shorting bar in units of six multiples.

상술한 구성을 포함하는 TFT 어레이 기판(100)은 쇼팅 바(130)를 이용하여 신호검사 즉, 각 화소의 점등 검사를 수행한 후, 신호 검사가 완료되면 액정 패널의 크기에 따라 글래스 기판을 컷팅 한다.The TFT array substrate 100 having the above-described configuration performs signal inspection, that is, lighting inspection of each pixel using the shorting bar 130, and then cuts the glass substrate according to the size of the liquid crystal panel after the signal inspection is completed. do.

이때, 컷팅 라인(140)을 따라 스크라이빙(scribing) 및 그라인딩(grinding) 공정을 수행하여 TFT 어레이 기판(100) 상에서 쇼팅 바(130)를 제거한다. 쇼팅 바(130)가 TFT 어레이 기판(100)에서 제거된 후, 비전 오토 프로브(Vision Auto Probe) 장비를 이용한 VAP 검사를 수행하여 각각의 화소들의 불량 유무를 최종 검사한다.In this case, the shorting bar 130 is removed on the TFT array substrate 100 by performing a scribing and grinding process along the cutting line 140. After the shorting bar 130 is removed from the TFT array substrate 100, a VAP test using a vision auto probe device is performed to finally inspect each pixel for defects.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치는 글래스 기판 상에서 액정 패널을 컷팅 하는 공정 중에 종래 기술과 같이, 쇼팅 바(130)에 스크래치가 발생되어 라인들 및 레이어들 간에 쇼트가 발생되는 것을 방지하기 위해, 쇼팅 바(130)가 형성되는 레이어 변경하여 스크래치에 강한 구조를 제안한다.In the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention, in order to prevent a short circuit between the lines and layers due to scratches occurring in the shorting bar 130 as in the prior art during the process of cutting the liquid crystal panel on the glass substrate. By changing the layer in which the shorting bar 130 is formed, a scratch resistant structure is proposed.

TFT 어레이 기판의 표시 영역에는 상호 교차하도록 복수의 게이트 라인 및 복수의 데이터 라인이 형성된다. 글래스 기판(150) 상에 표시 영역(110)에 TFT를 형성하고, TFT 상부에 화소 전극(PXL)을 형성하게 된다.A plurality of gate lines and a plurality of data lines are formed in the display area of the TFT array substrate so as to cross each other. The TFT is formed in the display area 110 on the glass substrate 150, and the pixel electrode PXL is formed on the TFT.

그리고, TFT 어레이 기판의 비 표시 영역에는 데이터 라인의 일측 끝단에는 신호가 입력되는 데이터 패드가 데이터 라인에 접속되도록 형성된다. 이때, 데이터 패드(120)는 후술되는 쇼팅 바에 연결된다.In the non-display area of the TFT array substrate, a data pad to which a signal is input is connected at one end of the data line to the data line. In this case, the data pad 120 is connected to a shorting bar which will be described later.

도 6은 도 5에 도시된 B1-B2 선에 따른 단면도로써, 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 제조방법을 나타내는 도면이다.FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line B1-B2 of FIG. 5 and illustrates a method of manufacturing a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 쇼팅 바(130)는 글래스 기판(150) 상에 화소 전극(pixel)을 형성하는 공정 시, 화소 전극과 동일 레이어로 비 표시영역에 형성되어 액정 패널의 컷팅으로 인한 스크래치가 강한 구조를 가진다.Referring to FIG. 6, in the process of forming a pixel electrode on the glass substrate 150, the shorting bar 130 is formed in the non-display area in the same layer as the pixel electrode, so that scratches due to cutting of the liquid crystal panel may be prevented. It has a strong structure.

구체적으로, 글래스 기판(150) 상에 메탈을 증착시킨 후, 마스크 공정 및 식각 공정을 수행하여 게이트(162)를 형성한다.Specifically, after the metal is deposited on the glass substrate 150, the gate 162 is formed by performing a mask process and an etching process.

이후, 게이트(162) 상에는 절연 물질을 도포하여 게이트 절연층(164, GI)을 형성한다.Thereafter, an insulating material is coated on the gate 162 to form the gate insulating layer 164 (GI).

이후, 표시 영역(110)에 TFT를 형성시키기 위해, 게이트 절연층(164) 상에 반도체 물질을 도포한 후, 마스크 공정 및 식각 공정을 수행하여 반도체층(active)을 형성한다.Thereafter, in order to form a TFT in the display area 110, a semiconductor material is coated on the gate insulating layer 164, and then a mask process and an etching process are performed to form a semiconductor layer.

이후, 반도체층 상에 메탈 소재를 증착시킨 후, 마스크 공정 및 식각 공정을 수행하여 소스/드레인 레이어를 형성한다.Subsequently, after depositing a metal material on the semiconductor layer, a mask process and an etching process are performed to form a source / drain layer.

상기 게이트(162), 게이트 절연층(164), 반도체층 및 소스/드레인을 순차적으로 형성하여 각 화소의 TFT가 형성된다.The gate 162, the gate insulating layer 164, the semiconductor layer, and the source / drain are sequentially formed to form TFTs of respective pixels.

한편, 표시 영역(110)에 반도체층 및 소스/드레인을 형성하는 공정 중, 별도의 마스크로 비 표시 영역을 클로즈(close)하여, 비 표시 영역에는 반도체층의 물질 및 소스/드레인의 메탈이 증착되지 않도록 한다.Meanwhile, during the process of forming the semiconductor layer and the source / drain in the display area 110, the non-display area is closed with a separate mask, and the material of the semiconductor layer and the metal of the source / drain are deposited on the non-display area. Do not

이후, 글래스 기판(150)의 전면(표시영역 및 비 표시 영역)에 보호층(170, PAS)를 형성한 후, 보호층(170) 상에 화소 전극(180, pixel layer)를 형성한다.Thereafter, the passivation layer 170 (PAS) is formed on the front surface (display area and non-display area) of the glass substrate 150, and then the pixel electrode 180 is formed on the passivation layer 170.

여기서, 화소 전극(180)은 투명 전도성 물질 일 예로서, 인듐틴옥사이드(Indium Tin Oxide)로 형성될 수 있다. 이때, 투명 전도성 물질은 글래스 기판(150)의 표시 영역(110)뿐만 아니라, 비 표시 영역에도 도포되어 투명 전극으로 형성된다.Here, the pixel electrode 180 may be formed of indium tin oxide as an example of a transparent conductive material. In this case, the transparent conductive material is applied not only to the display area 110 of the glass substrate 150 but also to the non-display area to form a transparent electrode.

본 발명에서 쇼팅 바(130)는 화소 전극을 형성하기 위해 표시 영역(110)에 투명 전극을 이용하여 비 표시 영역에 형성된다. 이때, 화소 영역(110)의 화소 전극을 형성시키기 위한 마스크 외에, 비 표시 영역에 쇼팅 바(130)를 형성하기 위한 별도의 마스크를 이용하여 쇼팅 바(130)를 형성한다. 이를 통해, 표시 영역의 화소 전극과 동일한 레이어에서 비 표시 영역에 쇼팅 바(130)를 형성한다.In the present invention, the shorting bar 130 is formed in the non-display area using the transparent electrode in the display area 110 to form the pixel electrode. In this case, the shorting bar 130 is formed by using a separate mask for forming the shorting bar 130 in the non-display area, in addition to the mask for forming the pixel electrode of the pixel area 110. As a result, the shorting bar 130 is formed in the non-display area on the same layer as the pixel electrode of the display area.

본 발명은 액정 패널의 컷팅에 따른 스크래치에 강하도록 비 표시 영역에서 화소 전극(180)과 동일 레이어에 쇼팅 바(130)를 형성함으로써, 쇼팅 바(130)와 게이트(162) 레이어의 이격 거리를 늘릴 수 있다.According to the present invention, the shorting bar 130 is formed on the same layer as the pixel electrode 180 in the non-display area so as to be resistant to scratches due to cutting of the liquid crystal panel, thereby reducing the distance between the shorting bar 130 and the gate 162 layer. You can increase it.

이때, 상기 쇼팅 바(130)의 하부에는 상기 표시 영역에 형성된 게이트(162)의 메탈층이 형성되어 있고, 상기 쇼팅 바(130)와 상기 게이트(162)의 메탈층은 7,000Å의 간격을 가지도록 된다.In this case, a metal layer of the gate 162 formed in the display area is formed below the shorting bar 130, and the shorting bar 130 and the metal layer of the gate 162 have a gap of 7,000 Å. It is done.

이와 같이, 쇼팅 바(130)를 표시 영역의 화소 전극과 동일 레이어에 형성하면, 쇼팅 바(130)와 게이트(162) 레이어 사이의 간격(D3)은 7,000Å으로 형성되어 쇼팅 바(130)와 게이트(162) 레이어가 쇼트되지 않도록 할 수 있다.As described above, when the shorting bar 130 is formed on the same layer as the pixel electrode of the display area, the gap D3 between the shorting bar 130 and the gate 162 layer is formed to be about 7,000 占 so that the shorting bar 130 and The gate 162 layer may be prevented from shorting.

또한, 쇼팅 바(130)와 게이트(162) 레이어 사이에는 게이트 절연층(164) 및 보호층(170)이 형성되어 있다. 그리고, 전기가 도통될 수 있는 다른 레이어가 형성되어 있지 않아 액정 패널의 컷팅 시 글래스 칩에 의해 쇼팅 바(130)의 스크래치로 인해 라인들 및 레이어들 간에 쇼트가 발생되는 것을 방지할 수 있다.In addition, a gate insulating layer 164 and a protective layer 170 are formed between the shorting bar 130 and the gate 162 layer. In addition, since another layer capable of conducting electricity is not formed, a short between lines and layers may be prevented due to the scratch of the shorting bar 130 by the glass chip when the liquid crystal panel is cut.

또한, 종래 기술 대비 쇼팅 바(130)로부터 게이트 라인까지의 패스(Path)를 짧게 형성시킬 수 있어 저항 측면에서도 유리한 효과를 제공할 수 있다.In addition, the path from the shorting bar 130 to the gate line may be shorter than in the related art, thereby providing an advantageous effect in terms of resistance.

상술한 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치 및 이의 제조방법은 쇼팅 바를 이용한 신호검사 후, TFT 어레이 기판의 컷팅 시 쇼팅 바의 스크래치 발생을 방지할 수 있다.The liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present disclosure and a method of manufacturing the same may prevent scratching of the shorting bar when the TFT array substrate is cut after signal inspection using the shorting bar.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치와 이의 제조방법은 쇼팅 바가 제거된 후, 개별 액정 패널의 비전 오토 프로브(Vision Auto Probe) 검사 시 데이터 블록 딤(data block dim) 불량을 방지할 수 있다.The liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same may prevent data block dim defects during the inspection of a vision auto probe of an individual liquid crystal panel after the shorting bar is removed.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치와 이의 제조방법은 TFT 어레이 기판 상에서 쇼팅 바를 제거하는 컷팅 공정 시, 스크래치에 강하도록 쇼팅 바가 형성되는 레이어를 표시 영역의 화소 전극과 동일한 레이어로 변경하여 액정 패널의 컷팅으로 인한 라인들 및 레이어들 간의 쇼트 발생을 줄일 수 있다.In the liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same, a liquid crystal panel is formed by changing a layer on which a shorting bar is formed to be resistant to scratches in a cutting process of removing a shorting bar on a TFT array substrate to the same layer as a pixel electrode of a display area. It is possible to reduce the occurrence of short between lines and layers due to the cutting of.

본 발명이 속하는 기술분야의 당 업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

100: TFT 어레이 기판 110: 표시 영역
112: 게이트 라인 114: 데이터 라인
116: 화소 120: 데이터 패드
130: 쇼팅 바 140: 컷팅 라인
150: 글래스 기판 162: 게이트
164: 게이트 절연층 170: 보호층
180: 화소 전극
100: TFT array substrate 110: display area
112: gate line 114: data line
116: pixel 120: data pad
130: shorting bar 140: cutting line
150: glass substrate 162: gate
164: gate insulating layer 170: protective layer
180: pixel electrode

Claims (10)

TFT 어레이 기판의 표시 영역에서 상호 교차하도록 형성된 복수의 게이트 라인과 복수의 데이터 라인;
상기 복수의 게이트 라인과 상기 복수의 게이트 라인에 의해 정의되는 복수의 화소;
상기 복수의 데이터 라인에 접속되도록 상기 TFT 어레이 기판의 비 표시 영역에 형성된 복수의 데이터 패드; 및
상기 비 표시 영역에서 상기 복수의 데이터 패드에 접속되도록 형성되며, 검사 신호를 인가하여 상기 복수의 데이터 라인 및 상기 복수의 화소의 점등 검사를 위한 복수의 쇼팅 바;를 포함하고,
상기 복수의 쇼팅 바는 상기 화소의 화소 전극과 동일 레이어에 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
A plurality of gate lines and a plurality of data lines formed to cross each other in the display area of the TFT array substrate;
A plurality of pixels defined by the plurality of gate lines and the plurality of gate lines;
A plurality of data pads formed in the non-display area of the TFT array substrate so as to be connected to the plurality of data lines; And
A plurality of shorting bars configured to be connected to the plurality of data pads in the non-display area, and to apply a test signal to test lighting of the plurality of data lines and the plurality of pixels;
And the shorting bars are formed on the same layer as the pixel electrodes of the pixels.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 쇼팅 바의 하부에는 상기 표시 영역에 형성된 게이트의 메탈층이 형성되어 있고,
상기 복수의 쇼팅 바와 상기 게이트의 메탈층은 7,000Å의 간격을 가지도록 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
The method of claim 1,
A metal layer of a gate formed in the display area is formed below the shorting bars.
And the metal layers of the shorting bars and the gates are formed to have a spacing of 7,000 kHz.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 쇼팅 바와 상기 게이트의 메탈층은 사이에는 게이트 절연층 및 보호층이 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
The method of claim 1,
And a gate insulating layer and a protective layer between the shorting bars and the metal layers of the gate.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 쇼팅 바는 상기 화소 전극과 동일 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
The method of claim 1,
And the shorting bars are formed of the same material as the pixel electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 데이터 라인 및 상기 복수의 화소의 점등 검사 후, 상기 복수의 쇼팅 바는 상기 TFT 어레이 기판에서 제거되는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
The method of claim 1,
And after the lighting inspection of the plurality of data lines and the plurality of pixels, the plurality of shorting bars are removed from the TFT array substrate.
TFT 어레이 기판의 표시 영역에서 상호 교차하도록 복수의 게이트 라인과 복수의 데이터 라인을 형성하여 복수의 화소를 정의하는 단계;
상기 TFT 어레이 기판의 비 표시 영역에 상기 복수의 데이터 라인과 접속되는 복수의 데이터 패드를 형성하는 단계; 및
상기 비 표시 영역에 상기 복수의 데이터 패드에 접속되도록 복수의 쇼팅 바;를 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 복수의 쇼팅 바는 검사 신호를 인가하여 상기 복수의 데이터 라인 및 상기 복수의 화소의 점등 검사를 위해 형성되며, 상기 화소의 화소 전극과 동일 레이어에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 제조방법.
Defining a plurality of pixels by forming a plurality of gate lines and a plurality of data lines to cross each other in the display area of the TFT array substrate;
Forming a plurality of data pads connected to the plurality of data lines in a non-display area of the TFT array substrate; And
And forming a plurality of shorting bars in the non-display area so as to be connected to the plurality of data pads.
The plurality of shorting bars may be formed to inspect a lighting of the plurality of data lines and the plurality of pixels by applying a test signal, and are formed on the same layer as the pixel electrodes of the pixels. .
제 6 항에 있어서,
상기 복수의 쇼팅 바의 하부에는 상기 표시 영역에 형성되는 게이트의 메탈층이 형성되고,
상기 복수의 쇼팅 바와 상기 게이트의 메탈층은 7,000Å의 간격을 가지도록 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 제조방법.
The method according to claim 6,
A metal layer of a gate formed in the display area is formed below the shorting bars;
And the metal layers of the plurality of shorting bars and the gates are formed to have a spacing of about 7,000 kHz.
제 6 항에 있어서,
상기 복수의 쇼팅 바와 상기 게이트의 메탈층은 사이에는 게이트 절연층 및 보호층이 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 제조방법.
The method according to claim 6,
And a gate insulating layer and a protective layer formed between the plurality of shorting bars and the metal layers of the gate.
제 6 항에 있어서,
상기 복수의 쇼팅 바는 상기 화소 전극과 동일 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 제조방법.
The method according to claim 6,
And the shorting bars are formed of the same material as the pixel electrode.
제 6 항에 있어서,
상기 복수의 데이터 라인 및 상기 복수의 화소의 점등 검사 후, 상기 복수의 쇼팅 바를 상기 TFT 어레이 기판에서 제거하는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 제조방법.
The method according to claim 6,
And removing the plurality of shorting bars from the TFT array substrate after the lighting inspection of the plurality of data lines and the plurality of pixels.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20030054937A (en) * 2001-12-26 2003-07-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Liquid crystal display device
KR20050035676A (en) * 2003-10-14 2005-04-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Liquid crystal display panel and fabricating method thereof
KR20070047097A (en) * 2005-11-01 2007-05-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Thin film transistor array substrate and method for testing the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030054937A (en) * 2001-12-26 2003-07-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Liquid crystal display device
KR20050035676A (en) * 2003-10-14 2005-04-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Liquid crystal display panel and fabricating method thereof
KR20070047097A (en) * 2005-11-01 2007-05-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Thin film transistor array substrate and method for testing the same

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