KR20120133017A - Feed unit and ingot grower including the same - Google Patents

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KR20120133017A
KR20120133017A KR1020110051477A KR20110051477A KR20120133017A KR 20120133017 A KR20120133017 A KR 20120133017A KR 1020110051477 A KR1020110051477 A KR 1020110051477A KR 20110051477 A KR20110051477 A KR 20110051477A KR 20120133017 A KR20120133017 A KR 20120133017A
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hopper
port
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silicon
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KR1020110051477A
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김복생
신화수
권오은
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(주)세미머티리얼즈
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
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    • B65B3/00—Packaging plastic material, semiliquids, liquids or mixed solids and liquids, in individual containers or receptacles, e.g. bags, sacks, boxes, cartons, cans, or jars
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof

Abstract

PURPOSE: A feed unit and an ingot growing apparatus including the same are provided to maintain internal sealing of housing without a separate fastener by closely sticking a top flange of a bellows and a bottom flange of a connection port to a sealing member through pressure difference. CONSTITUTION: A grow chamber(101) comprises a lower side movement port(101a) and a supply port(130). A crucible(104) accepts a fused silicon source(108). A pull chamber(102) provides a channel of an ingot(109) and a seed(110). A heater(107) melts the fused silicon source which is provided to the crucible by heating the crucible. A hopper discharges silicon through an exhaust port formed on the lower side.

Description

피드유닛 및 이를 구비하는 잉곳 성장장치{FEED UNIT AND INGOT GROWER INCLUDING THE SAME}Feed unit and ingot growth apparatus having the same {FEED UNIT AND INGOT GROWER INCLUDING THE SAME}

본 발명은 피드유닛 및 이를 구비하는 잉곳 성장장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 도가니에 공급된 실리콘을 용융하여 실리콘 잉곳을 생성하는 피드유닛 및 이를 구비하는 잉곳 성장장치에 관한 것이다.The present invention relates to a feed unit and an ingot growth apparatus having the same, and more particularly, to a feed unit for producing a silicon ingot by melting the silicon supplied to the crucible and an ingot growth apparatus having the same.

전자장치에 사용되는 대부분의 반도체 칩들은 쵸크랄스키 방법(Czochralski method)에 의해 만들어지는 단결정 실리콘으로부터 제조된다. 쵸크랄스키 방법에서, 단결정 실리콘 잉곳(ingot)은 다결정 실리콘 소스(source) 재료를 도가니 내에서 녹이고, 도가니와 소스 용융물(source melt)을 평형온도로 안정화시키고, 씨드(seed) 결정을 소스 용융물에 담그고, 단결정 잉곳을 형성하기 위해 시드 상에 소스 용융물이 결정화함에 따라 시드 결정을 빼내고(withdrawing), 잉곳이 성장함에 따라 잉곳을 풀링(pulling)하여 제조된다. 용융은 저압의 불활성가스 환경에서 약 1420℃의 온도에서 일어난다. 도가니는 결정이 성장함에 다라 일반적으로 수직인 축 둘레로 계속 회전된다. 소스 용융물로부터 잉곳이 풀링되는 속도는 원하는 직경을 갖는 잉곳이 형성되도록 선택된다.Most semiconductor chips used in electronic devices are made from single crystal silicon made by the Czochralski method. In the Czochralski method, a monocrystalline silicon ingot melts a polycrystalline silicon source material in a crucible, stabilizes the crucible and source melt to equilibrium temperature, and seed seeds into the source melt. It is prepared by dipping and withdrawing seed crystals as the source melt crystallizes on the seeds to form single crystal ingots and pulling the ingots as the ingots grow. Melting takes place at a temperature of about 1420 ° C. in a low pressure inert gas environment. The crucible continues to rotate around its generally vertical axis as the crystal grows. The rate at which the ingot is pulled from the source melt is selected such that an ingot with the desired diameter is formed.

본 발명의 목적은 잉곳을 제조하기 위한 피드유닛 및 이를 구비하는 잉곳 성장장치를 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to provide a feed unit for producing an ingot and an ingot growth apparatus having the same.

본 발명의 다른 목적은 도가니 내에 실리콘 소스를 원활하게 공급할 수 있는 피드유닛 및 이를 구비하는 잉곳 성장장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a feed unit capable of smoothly supplying a silicon source into a crucible and an ingot growth apparatus having the same.

본 발명의 또 다른 목적은 호퍼 내에 실리콘 소스를 용이하게 적재할 수 있는 피드유닛 및 이를 구비하는 잉곳 성장장치를 제공하는 데 있다.Still another object of the present invention is to provide a feed unit capable of easily loading a silicon source in a hopper and an ingot growth apparatus having the same.

본 발명의 또 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부한 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.Still other objects of the present invention will become more apparent from the following detailed description and the accompanying drawings.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 잉곳 성장장치는, 씨드가 이동하는 하부이동포트 및 외부로부터 실리콘이 공급되는 공급포트를 구비하는 성장챔버(grow chamber); 상기 성장챔버의 내부에 설치되며, 상기 실리콘이 채워지는 도가니(crucible); 상기 하부이동포트에 연결되는 상부이동포트를 구비하며, 상기 하부이동포트 및 상기 상부이동포트를 통해 이동하는 상기 씨드의 이동통로를 제공하는 풀챔버(pull chamber); 상기 실리콘이 내부에 채워지며, 하부에 형성된 배출포트를 통해 상기 실리콘을 배출하는 호퍼; 상기 호퍼를 승강 가능하게 지지하는 승강 기구; 그리고 상기 호퍼를 회전가능하게 지지하는 회전 기구를 구비한다.According to one embodiment of the present invention, an ingot growth apparatus includes a growth chamber having a lower movement port through which a seed moves and a supply port through which silicon is supplied from the outside; A crucible installed inside the growth chamber and filled with the silicon; A pull chamber having an upper moving port connected to the lower moving port and providing a moving passage of the seed moving through the lower moving port and the upper moving port; A hopper filled with the silicon and discharging the silicon through a discharge port formed at a lower portion thereof; A lift mechanism for supporting the hopper in a liftable manner; And a rotation mechanism for rotatably supporting the hopper.

상기 승강 기구 및 상기 회전 기구는 상기 호퍼를 공급위치 및 적재위치로 전환하며, 상기 호퍼가 상기 공급위치에 있을 때 상기 배출포트는 상기 공급포트와 연결되고, 상기 호퍼가 상기 적재위치에 있을 때 상기 배출포트는 상기 공급포트로부터 분리될 수 있다.The lifting mechanism and the rotating mechanism switch the hopper to a supply position and a loading position, the discharge port is connected to the supply port when the hopper is at the supply position, and when the hopper is at the loading position, The discharge port may be separated from the supply port.

상기 승강 기구는, 상기 호퍼를 상승하여 상기 공급위치로부터 상기 배출포트가 상기 공급포트로부터 분리된 분리위치로 전환하고, 상기 회전 기구는 상기 호퍼를 회전하여 상기 분리위치로부터 상기 배출포트가 상기 공급포트의 상부로부터 이탈한 회전위치로 전환하며, 상기 승강 기구는 상기 호퍼를 하강하여 상기 회전위치로부터 상기 적재위치로 전환할 수 있다.The lifting mechanism raises the hopper to switch from the supply position to the separation position where the discharge port is separated from the supply port, and the rotary mechanism rotates the hopper so that the discharge port is moved from the separation position to the supply port. Switching to the rotational position away from the top of the, the lifting mechanism can be switched from the rotational position to the loading position by lowering the hopper.

상기 회전 기구는, 회전축; 상기 회전축의 일측에 연결되어 상기 회전축을 구동하는 회전구동부; 그리고 상기 호퍼에 연결되며, 상기 회전축에 연결되어 상기 회전축과 함께 회전하는 구동브래킷을 구비하고, 상기 승강 기구는, 상기 회전축에 연결되며, 상하방향으로 배치되는 승강로드; 그리고 상기 구동브래킷과 연결되고, 상기 승강로드에 연결되어 상기 승강로드의 회전방향에 따라 상기 승강로드를 따라 승강하는 승강브래킷을 구비하며, 상기 구동브래킷은 상기 승강브래킷에 의해 상기 회전축을 따라 승강할 수 있다.The rotating mechanism includes a rotating shaft; A rotation driver connected to one side of the rotation shaft to drive the rotation shaft; And a driving bracket connected to the hopper and connected to the rotation shaft to rotate together with the rotation shaft, and the lifting mechanism is connected to the rotation shaft and provided in an up and down direction; And an elevating bracket connected to the driving bracket and connected to the elevating rod to elevate along the elevating rod according to the rotation direction of the elevating rod, wherein the elevating bracket is capable of elevating along the axis of rotation by the elevating bracket. Can be.

상기 잉곳 성장장치는, 외부로부터 차단되어 상기 호퍼가 내부에 설치되는 내부공간을 가지며, 상기 호퍼와 함께 이동하는 하우징을 더 구비하며, 상기 구동브래킷은 상기 하우징의 일측에 고정설치될 수 있다.The ingot growth apparatus may have an inner space that is blocked from the outside and the hopper is installed therein, and further includes a housing that moves together with the hopper, and the driving bracket may be fixed to one side of the housing.

상기 잉곳 성장장치는, 외부로부터 차단되어 상기 호퍼가 내부에 설치되는 내부공간을 가지며, 상기 호퍼와 함께 이동하는 하우징; 상기 공급포트에 연결되며, 일측에 형성된 유입포트를 구비하는 피드실린더; 그리고 상기 하우징의 하부에 고정설치되며, 상기 호퍼가 상기 공급위치에 있을 때 상기 유입포트에 연결되고 상기 호퍼가 상기 적재위치로 전환될 때 상기 유입포트로부터 분리되는 제1 연결부재를 더 구비할 수 있다.The ingot growth apparatus may include a housing which is blocked from the outside and has an internal space in which the hopper is installed, and moves together with the hopper; A feed cylinder connected to the supply port and having an inflow port formed at one side; And a first connection member fixed to the lower portion of the housing and connected to the inlet port when the hopper is in the supply position and separated from the inlet port when the hopper is switched to the loading position. have.

상기 잉곳 성장장치는, 상기 공급포트 상에 설치되며, 상기 호퍼가 상기 적재위치로 전환되기 전에 상기 공급포트를 외부로부터 차단하고 상기 호퍼가 상기 공급위치로 전환된 후에 상기 공급포트를 개방하는 게이트 밸브를 더 포함할 수 있다.The ingot growth apparatus is installed on the supply port, the gate valve to block the supply port from the outside before the hopper is switched to the loading position and to open the supply port after the hopper is switched to the supply position It may further include.

상기 잉곳 성장장치는, 상기 피드실린더에 연결되며, 상기 호퍼가 상기 공급위치로 전환된 후에 상기 피드실린더 내부에 진공을 형성하는 보조펌프를 더 포함할 수 있다.The ingot growth apparatus may further include an auxiliary pump connected to the feed cylinder and forming a vacuum in the feed cylinder after the hopper is switched to the supply position.

상기 잉곳 성장장치는, 상기 배출포트를 통해 배출된 상기 실리콘이 입구측을 통해 유입되는 제1 공급관; 상기 하우징에 설치되어 상기 제1 공급관을 상기 연결부재 상에 고정하는 고정브래킷; 그리고 상기 제1 공급관의 출구측을 통해 배출된 상기 실리콘이 입구측을 통해 유입되며, 출구측이 상기 유입포트 상에 위치하는 제2 공급관을 더 구비하며, 상기 제2 공급관의 입구측 내경은 상기 제1 공급관의 출구측 외경보다 클 수 있다.The ingot growth apparatus may include a first supply pipe through which the silicon discharged through the discharge port flows through an inlet side; A fixing bracket installed in the housing to fix the first supply pipe on the connection member; And the silicon discharged through the outlet side of the first supply pipe is introduced through the inlet side, the outlet side further comprises a second supply pipe located on the inlet port, the inlet side inner diameter of the second supply pipe is It may be larger than the outer diameter of the outlet side of the first supply pipe.

상기 잉곳 성장장치는, 상기 배출포트에 연결되는 유입구를 가지며, 일측에 연결되어 상기 유입구를 통해 유입된 상기 실리콘을 상기 제1 연결관의 입구측으로 배출하는 배출관을 구비하는 이동관; 그리고 상기 이동관에 연결되며, 기설정된 주파수로 상기 이동관에 진동을 가하는 진동피더를 더 구비하며, 상기 제1 공급관의 입구측 내경은 상기 배출관의 출구측 외경보다 클 수 있다.The ingot growth apparatus may include a moving tube having an inlet connected to the discharge port and connected to one side and having a discharge pipe discharging the silicon introduced through the inlet to the inlet side of the first connection pipe; And a vibration feeder connected to the moving tube and configured to vibrate the moving tube at a predetermined frequency, wherein the inlet side inner diameter of the first supply tube may be larger than the outlet side outer diameter of the discharge tube.

상기 잉곳 성장장치는, 상기 호퍼가 상기 공급위치에 있을 때 상기 제1 연결부재와 상기 유입포트를 연결하며, 진동을 감쇠하는 제2 연결부재를 더 구비할 수 있다.The ingot growth apparatus may further include a second connection member connecting the first connection member and the inflow port when the hopper is in the supply position and damping vibration.

상기 잉곳 성장장치는, 일측 및 타측에 각각 형성된 튜브입구 및 튜브출구를 가지고, 상기 피드실린더 내에 설치되어 상기 피드실린더의 내부를 따라 이동가능한 연장튜브를 더 포함하며, 상기 연장튜브는 이동에 의해 상기 피드실린더의 내부에 위치하는 해제위치와 상기 튜브입구가 상기 유입포트와 대응되고 상기 튜브출구가 상기 공급포트를 통해 상기 도가니의 상부에 위치하는 공급위치로 전환가능한 연장튜브를 더 포함할 수 있다.The ingot growth apparatus has a tube inlet and a tube outlet respectively formed on one side and the other side, and further comprises an extension tube installed in the feed cylinder and movable along the inside of the feed cylinder, the extension tube is moved by the The apparatus may further include an extension tube which is located in a release position of the feed cylinder and the tube inlet corresponds to the inlet port, and the tube outlet is switchable to a supply position located at the top of the crucible through the supply port.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 잉곳이 성장하는 성장챔버의 공급포트에 연결되어 상기 성장챔버에 실리콘을 공급하는 피드유닛은, 상기 실리콘이 내부에 채워지며, 하부에 형성된 배출포트를 통해 상기 실리콘을 배출하는 호퍼; 상기 호퍼를 승강 가능하게 지지하는 승강 기구; 그리고 상기 호퍼를 회전가능하게 지지하는 회전 기구를 구비한다.According to an embodiment of the present invention, a feed unit connected to a supply port of a growth chamber in which an ingot grows and supplies silicon to the growth chamber has the silicon filled therein and is formed through the discharge port formed at the bottom of the silicon. Hopper to discharge; A lift mechanism for supporting the hopper in a liftable manner; And a rotation mechanism for rotatably supporting the hopper.

본 발명에 의하면 호퍼 내에 실리콘 소스를 원활하게 공급할 수 있다.According to the present invention, the silicon source can be smoothly supplied into the hopper.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 잉곳 성장장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시한 피드유닛을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시한 호퍼를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 2에 도시한 진동피더를 통해 실리콘이 이동관을 따라 이동하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 5는 도 2에 도시한 연장튜브의 이동을 나타내는 도면이다.
도 6은 도 2에 도시한 제2 공급관을 통해 이동한 실리콘 소스가 연장튜브를 통해 이동하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 7은 도 2에 도시한 연장튜브를 통해 도가니 내에 실리콘을 공급하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 8 내지 도 10은 도 2에 도시한 승강기구 및 회전기구를 이용하여 호퍼를 이동하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 11은 도 2에 도시한 보조펌프를 이용하여 피드실린더 및 하우징 내부에 진공을 형성하는 모습을 나타내는 도면이다.1 is a view schematically showing an ingot growth apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view schematically showing a feed unit shown in FIG.
3 is a view showing the hopper shown in FIG.
4 is a view showing a state that the silicon moves along the moving tube through the vibration feeder shown in FIG.
5 is a view showing the movement of the extension tube shown in FIG.
FIG. 6 is a view illustrating a state in which a silicon source moved through a second supply pipe shown in FIG. 2 moves through an extension tube.
7 is a view showing a state in which silicon is supplied into the crucible through the extension tube shown in FIG.
8 to 10 are views showing a state in which the hopper is moved by using the lifting mechanism and the rotating mechanism shown in FIG.
FIG. 11 is a view illustrating a vacuum in the feed cylinder and the housing using the auxiliary pump illustrated in FIG. 2.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부된 도 1 및 도 11을 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예들은 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 and 11. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments are provided to explain the present invention to a person having ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Accordingly, the shape of each element shown in the drawings may be exaggerated to emphasize a clearer description.

한편, 이하에서 사용하는 "연결"은 'A'를 'B'에 직접 연결하는 경우 뿐만 아니라, 'C'를 통해 'A'를 'B'에 연결하는 경우도 포함하는 것으로 해석된다. 또한, 이하에서 사용하는 "연결"은 'A'와 'B'를 기계적으로 연결하는 경우 뿐만 아니라, 'A'와 'B'를 공간적으로 연결하여 어떤 물질이 'A'로부터 'B'로 이동할 수 있는 경우도 포함하는 것으로 해석된다.
On the other hand, the "connection" used below is interpreted to include not only the case of directly connecting 'A' to 'B', but also the case of connecting 'A' to 'B' through 'C'. In addition, the following "connection" is used not only to connect the 'A' and 'B' mechanically, but also to spatially connect the 'A' and 'B' to move a material from 'A' to 'B'. It is interpreted to include the case where possible.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 잉곳 성장장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 잉곳 성장장치(100)는 성장챔버(101) 및 풀챔버(102)를 포함한다. 성장챔버(101)는 샤프트(105) 상에 장착된 도가니(104)를 수용하며, 도가니(104)는 용융된 실리콘 소스(108)를 담고 있다. 도가니(104)는 석영 재질일 수 있다. 샤프트(105)는 구동부(106)에 연결되며, 도가니(104) 및 샤프트(105)는 구동부(106)에 의해 회전하거나 승강할 수 있다. 히터(107)는 도가니(104)의 둘레에 설치되며, 도가니(104)를 가열하여 도가니(104) 내에 공급된 실리콘 소스를 녹인다. 단열층(120)은 성장챔버(101)의 내면에 설치되며, 카본 재질일 수 있다.
1 is a view schematically showing an ingot growth apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the ingot growth apparatus 100 includes a growth chamber 101 and a full chamber 102. The growth chamber 101 receives a crucible 104 mounted on a shaft 105, which contains a molten silicon source 108. The crucible 104 may be made of quartz. The shaft 105 is connected to the driver 106, and the crucible 104 and the shaft 105 can be rotated or lifted by the driver 106. The heater 107 is installed around the crucible 104 and heats the crucible 104 to melt the silicon source supplied into the crucible 104. The heat insulation layer 120 is installed on the inner surface of the growth chamber 101 and may be made of carbon.

성장챔버(101)는 하부이동포트(101a) 및 공급포트(130)를 구비한다. 씨드(110)는 공정진행시 용융된 실리콘 소스(108)에 담겨진 상태에서 상부를 향해 풀링되며, 이때, 씨드(110)는 하부이동포트(101a)를 통해 풀챔버(102)로 이동할 수 있다. 성장챔버(101)는 공정진행시 배기장치(도시안함)에 연결되며, 공정진행시 성장챔버(101)의 내부는 배기장치(도시안함)를 통해 진공상태를 유지할 수 있다. 후술하는 피드유닛(200)은 공급포트(130)에 연결되며, 피드유닛(200)으로부터 공급된 실리콘 소스는 공급포트(130)를 통해 도가니(104) 내로 이동한다.
The growth chamber 101 has a lower movement port 101a and a supply port 130. The seed 110 is pulled upward in the state contained in the molten silicon source 108 during the process, the seed 110 may be moved to the full chamber 102 through the lower movement port (101a). The growth chamber 101 may be connected to an exhaust device (not shown) during the process, and the interior of the growth chamber 101 may be maintained in a vacuum state through the exhaust device (not shown). The feed unit 200 to be described later is connected to the supply port 130, the silicon source supplied from the feed unit 200 is moved into the crucible 104 through the supply port 130.

풀챔버(102)는 성장챔버(101)의 상부에 연결되며, 풀챔버(102)는 잉곳(110)의 풀링이 이루어질 때 씨드(110) 및 잉곳(109)이 이동할 수 있는 통로를 제공한다. 진공밸브(103)는 성장챔버(101)와 풀챔버(102)를 격리할 수 있다.
The pull chamber 102 is connected to an upper portion of the growth chamber 101, and the pull chamber 102 provides a passage through which the seed 110 and the ingot 109 can move when the ingot 110 is pulled. The vacuum valve 103 may isolate the growth chamber 101 and the full chamber 102.

잉곳(109)은 용융된 실리콘 소스(108)에 씨드(110)를 담그고 씨드(110)와 잉곳(109)을 위쪽으로 당겨 도가니(104)로부터 풀링된다. 이때, 씨드(110)와 잉곳(109)은 도가니(104)와 반대방향으로 회전한다. 씨드(110)는 씨드척(113)에 고정된 상태에서 풀링로드(111)에 연결되며, 풀링로드(111)는 풀링 메커니즘(112)에 의해 위쪽으로 당겨져 씨드(110)는 풀챔버(102)를 따라 상부로 이동할 수 있다.
Ingot 109 is pulled from crucible 104 by dipping seed 110 into molten silicon source 108 and pulling seed 110 and ingot 109 upwards. At this time, the seed 110 and the ingot 109 is rotated in the opposite direction to the crucible (104). The seed 110 is connected to the pulling rod 111 in a state fixed to the seed chuck 113, the pulling rod 111 is pulled upward by the pulling mechanism 112 so that the seed 110 is pull chamber 102 Can be moved upward along.

도 2는 도 1에 도시한 피드유닛을 개략적으로 나타내는 도면이다. 피드유닛(200)은 호퍼(201)와 이동관(205), 그리고 진동피더(206)를 포함한다. 호퍼(201)는 실리콘 소스들(202)을 담고 있으며, 실리콘 소스들(202)은 과립(granule)이나 칩(chip) 형태일 수 있다. 또한, 실리콘 소스들(202)은 다결정 실리콘(polycrystalline silicon)일 수 있다. 호퍼(201)의 상부는 원통 형상이고 호퍼(201)의 하부는 아래로 갈수록 단면적이 감소하는 깔때기 형상이다. 호퍼(201)는 하부에 형성된 배출포트(204)를 구비하며, 호퍼(201) 내에 채워진 실리콘 소스들(202)은 배출포트(204)를 통해 배출될 수 있다.
2 is a view schematically showing a feed unit shown in FIG. The feed unit 200 includes a hopper 201, a moving tube 205, and a vibration feeder 206. Hopper 201 contains silicon sources 202, which may be in the form of granules or chips. In addition, the silicon sources 202 may be polycrystalline silicon. The upper portion of the hopper 201 is cylindrical and the lower portion of the hopper 201 is funnel-shaped, the cross-sectional area of which decreases downward. The hopper 201 has a discharge port 204 formed at the bottom, and the silicon sources 202 filled in the hopper 201 may be discharged through the discharge port 204.

한편, 호퍼(201)는 실리콘 소스들(202)의 품질에 영향을 주지 않는 재질(예를 들어, 테프론, 고무, 실리콘, 쿼츠 등)로 이루어지거나, 호퍼(201)의 내벽면에 실리콘 소스들(202)의 품질에 영향을 주지 않는 물질(예를 들어, 테프론, 고무, 실리콘, 쿼츠 등)을 도포할 수 있다.
Meanwhile, the hopper 201 is made of a material (eg, Teflon, rubber, silicon, quartz, etc.) that does not affect the quality of the silicon sources 202, or the silicon sources on the inner wall surface of the hopper 201. Materials that do not affect the quality of 202 (eg, teflon, rubber, silicone, quartz, etc.) may be applied.

도 3은 도 2에 도시한 호퍼를 나타내는 도면이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 배출포트(204)는 상하방향으로 배치되며, 측벽에 형성된 개방영역(204a)을 가질 수 있다. 실리콘 소스들(202)이 배출포트(204)를 통해 배출되는 과정에서 실리콘 소스들(202)끼리 엉켜 배출포트(204)를 막을 수 있으며, 이로 인해 실리콘 소스들(202)이 배출되지 않을 수 있다. 따라서, 개방영역(204a)을 통해 실리콘 소스들(202)이 배출되는 공간을 확장할 수 있으며, 이를 통해 실리콘 소스들(202)끼리 서로 엉키는 현상을 방지할 수 있다. 개방영역(204a)은 대칭을 이루도록 형성될 수 있다.
3 is a view showing the hopper shown in FIG. As shown in FIG. 3, the discharge port 204 may be disposed in the vertical direction and may have an open area 204a formed on the sidewall. As the silicon sources 202 are discharged through the discharge port 204, the silicon sources 202 may be entangled with each other to block the discharge port 204, and thus, the silicon sources 202 may not be discharged. . Therefore, the space in which the silicon sources 202 are discharged through the open area 204a may be expanded, thereby preventing the silicon sources 202 from being entangled with each other. The open area 204a may be formed to be symmetrical.

도 4는 도 2에 도시한 진동피더를 통해 실리콘이 이동관을 따라 이동하는 모습을 나타내는 도면이다. 도 4에 도시한 바와 같이, 이동관(205)은 일측에 형성된 유입구(205a) 및 타측에 연결된 배출관(207)을 가진다. 배출포트(204)는 유입구(205a)에 삽입되며, 배출포트(204)를 통해 배출된 실리콘 소스들(202)은 유입구(205a)를 통해 이동관(205)의 내부로 유입된다. 유입된 실리콘 소스들(202)은 후술하는 진동피더(206)의 진동에 의해 배출관(207)을 향해 이동한 후 배출관(207)을 통해 배출된다.
4 is a view showing a state that the silicon moves along the moving tube through the vibration feeder shown in FIG. As shown in Figure 4, the moving tube 205 has an inlet 205a formed on one side and a discharge pipe 207 connected to the other side. The discharge port 204 is inserted into the inlet 205a, and the silicon sources 202 discharged through the discharge port 204 flow into the inside of the moving tube 205 through the inlet 205a. The introduced silicon sources 202 are moved toward the discharge pipe 207 by the vibration of the vibration feeder 206 which will be described later, and then discharged through the discharge pipe 207.

진동피더(206)는 이동관(205)에 연결되어 기설정된 주파수로 이동관(205)에 진동(vibration)을 인가한다. 배출포트(204)를 통해 배출된 실리콘 소스들(202)은 배출포트(204)의 하부에 위치하는 이동관(205) 내에 적재될 수 있으며, 이후 이동관(205)에 진동이 인가되면, 진동에 의해 배출관(207)을 향해 이동할 수 있다. 이때, 실리콘 소스들(202)이 이동하는 원리는 확산(diffusion) 현상으로 설명될 수 있다. 즉, 이동관(205) 내에서 배출포트(204)의 하부에 집중되어 있는 실리콘 소스들(202)은 진동에 의해 다른 공간으로 확산될 수 있으며, 이로 인해 배출관(207)을 향해 이동할 수 있다.
The vibration feeder 206 is connected to the moving tube 205 to apply vibration to the moving tube 205 at a predetermined frequency. The silicon sources 202 discharged through the discharge port 204 may be loaded into the moving tube 205 positioned below the discharge port 204, and when vibration is applied to the moving tube 205, the vibration may be caused by vibration. It may move toward the discharge pipe 207. In this case, the principle of moving the silicon sources 202 may be described as a diffusion phenomenon. That is, the silicon sources 202 concentrated in the lower portion of the discharge port 204 in the moving tube 205 may be diffused into another space by vibration, and thus may move toward the discharge tube 207.

한편, 이동관(205)은 수평 상태로 배치될 수 있으며, 진동피더(206)에 의해 진동이 인가되지 않을 경우, 실리콘 소스들(202)은 이동관(205) 내에서 배출포트(204)의 하부에 집중적으로 적재된 상태를 유지할 수 있으며, 외력(또는 진동)이 인가될 경우, 실리콘 소스들(202)은 외력에 의해 이동할 수 있다. 이때, 실리콘 소스들(202)이 이동하는 속도는 진동피더(206)에 의해 인가되는 진동의 주파수에 비례할 수 있다. 따라서, 주파수를 조절함으로써 실리콘 소스들(202)의 이동속도를 조절할 수 있으며, 진동피더(206)의 작동을 중단함으로써 실리콘 소스들(202)의 공급을 중단할 수 있다.
Meanwhile, the moving tube 205 may be disposed in a horizontal state, and when the vibration is not applied by the vibration feeder 206, the silicon sources 202 may be disposed below the discharge port 204 in the moving tube 205. The loaded state can be maintained in a concentrated state, and when external force (or vibration) is applied, the silicon sources 202 can be moved by the external force. In this case, the speed at which the silicon sources 202 move may be proportional to the frequency of the vibration applied by the vibration feeder 206. Accordingly, the moving speed of the silicon sources 202 may be adjusted by adjusting the frequency, and the supply of the silicon sources 202 may be stopped by stopping the operation of the vibration feeder 206.

이후, 실리콘 소스들(202)은 배출관(207)을 통해 하부로 배출되며, 배출관(207)의 하부에 배치된 제1 공급관(208)을 통해 제2 공급관(209)으로 이동한다. 이때, 제1 공급관(208)의 입구측 내경은 배출관(207)의 출구측 외경보다 클 수 있다. 따라서, 이동관(205)에 인가된 진동은 제1 공급관(208)으로 전달되지 않는다.
Thereafter, the silicon sources 202 are discharged downward through the discharge pipe 207 and move to the second supply pipe 209 through the first supply pipe 208 disposed under the discharge pipe 207. At this time, the inlet side inner diameter of the first supply pipe 208 may be larger than the outlet side outer diameter of the discharge pipe 207. Therefore, the vibration applied to the moving tube 205 is not transmitted to the first supply pipe 208.

한편, 도 2에 도시한 바와 같이, 피드유닛(200)은 하우징(210)을 더 포함하며, 하우징(210)은 외부로부터 차단된 내부공간을 가진다. 하우징(210)의 내부공간은 후술하는 피드실린더(228)의 내부와 연통하며, 하우징(210)의 내부공간은 피드실린더(228)에 연결된 보조펌프(228a)를 통해 진공상태를 형성할 수 있다. 호퍼(201) 및 이동관(205), 그리고 진동피더(206)는 하우징(210)의 내부공간에 설치될 수 있다.
On the other hand, as shown in Figure 2, the feed unit 200 further includes a housing 210, the housing 210 has an internal space blocked from the outside. The inner space of the housing 210 communicates with the inside of the feed cylinder 228 which will be described later, and the inner space of the housing 210 may form a vacuum state through the auxiliary pump 228a connected to the feed cylinder 228. . The hopper 201, the moving tube 205, and the vibration feeder 206 may be installed in the interior space of the housing 210.

도 2에 도시한 바와 같이, 피드유닛(200)은 회전기구 및 승강기구를 더 포함하며, 회전기구는 회전축(211) 및 구동브래킷(213)을 구비하고, 승강기구는 승강로드(244) 및 승강브래킷(246)을 구비한다. 하우징(210)은 구동브래킷(213)을 통해 회전축(211)에 연결되며, 회전축(211)은 회전축(211)에 연결된 회전구동부(242)를 통해 회전할 수 있다. 승강로드(244)는 회전축에 연결된 지지대(245) 상에 설치되며, 회전축(211)과 대체로 나란하게 배치된다. 종동기어(244a)는 승강로드(244)의 상단에 연결되며, 구동모터(248)에 연결된 구동기어(248a)는 종동기어(244a)와 맞물린다. 구동모터(248)가 회전하면, 종동기어(244)는 구동기어(248a)에 의해 회전하며, 승강로드(244)는 종동기어(244)와 함께 회전한다. 승강브래킷(246)은 구동브래킷(213)에 연결되며, 승강로드(244) 상에 설치되어 승강로드(244)의 회전방향에 따라 승강로드(244)를 따라 승강한다. 승강로드(246)의 내주면에 형성된 나사산은 승강로드(244)의 외주면에 형성된 나사산과 나사결합하며, 승강로드(244)가 회전함에 따라 승강브래킷(246)은 승강한다.
As shown in FIG. 2, the feed unit 200 further includes a rotating mechanism and a lifting mechanism, the rotating mechanism includes a rotating shaft 211 and a driving bracket 213, and the lifting mechanism includes a lifting rod 244 and a lifting mechanism. A bracket 246 is provided. The housing 210 may be connected to the rotating shaft 211 through the driving bracket 213, and the rotating shaft 211 may rotate through the rotating driving part 242 connected to the rotating shaft 211. The lifting rod 244 is installed on the support 245 connected to the rotating shaft, and is disposed substantially parallel to the rotating shaft 211. The driven gear 244a is connected to the upper end of the lifting rod 244, and the drive gear 248a connected to the drive motor 248 meshes with the driven gear 244a. When the drive motor 248 rotates, the driven gear 244 rotates by the drive gear 248a, and the lifting rod 244 rotates together with the driven gear 244. The lifting bracket 246 is connected to the driving bracket 213 and installed on the lifting rod 244 to move up and down along the lifting rod 244 according to the rotation direction of the lifting rod 244. The thread formed on the inner circumferential surface of the elevating rod 246 is screwed with the thread formed on the outer circumferential surface of the elevating rod 244, and the elevating bracket 246 is elevated as the elevating rod 244 rotates.

후술하는 바와 같이, 호퍼(201)에 실리콘 소스들(202)을 채워야 할 경우, 구동모터(248)를 이용하여 하우징(210)을 상승한 후 회전구동부(242)를 이용하여 하우징(210)을 반대편으로 회전시키고, 다시 구동모터(248)를 이용하여 하우징(210)을 하강할 수 있다. 이때, 하우징(210)이 상승할 경우, 연결포트(222)와 벨로우즈(224)는 분리될 수 있다.
As will be described later, when the silicon sources 202 are to be filled in the hopper 201, the housing 210 is raised using the driving motor 248, and then the housing 210 is opposite to the housing 210 using the rotation driving unit 242. Rotate to, and the housing 210 can be lowered by using the drive motor 248 again. At this time, when the housing 210 rises, the connection port 222 and the bellows 224 may be separated.

한편, 본 실시예에서는 회전축(211) 및 구동브래킷(213)과 승강로드(244) 및 승강브래킷(246)을 통해 회전 및 승강을 설명하였으나, 본 실시예와 다른 구성을 통해 회전 및 승강을 구현할 수 있다.
On the other hand, in the present embodiment has been described the rotation and lifting through the rotating shaft 211 and the driving bracket 213 and the lifting rod 244 and the lifting bracket 246, but the rotation and lifting through a different configuration than the embodiment Can be.

하우징(210)은 공급구(201a) 및 커버(203)를 더 포함하며, 실리콘 소스들(202)은 공급구(201a)를 통해 호퍼(201)에 공급될 수 있다. 하우징(210)의 내부는 진공을 유지할 수 있으며, 압력게이지(212)는 하우징(210) 내부의 압력을 측정한다. 또한, 로드셀(214)은 호퍼(201)에 연결되어 호퍼(201)에 채워진 실리콘 소스들(202)의 무게를 측정한다. 제1 공급관(208)은 고정브래킷(208a)을 통해 하우징(210)의 하부에 고정되며, 제1 공급관(208)은 고정된 상태에서 하우징(210)의 하부에 고정설치된 연결포트(222) 상에 위치한다.
The housing 210 further includes a supply port 201a and a cover 203, and the silicon sources 202 may be supplied to the hopper 201 through the supply port 201a. The interior of the housing 210 may maintain a vacuum, and the pressure gauge 212 measures the pressure inside the housing 210. In addition, the load cell 214 is connected to the hopper 201 to measure the weight of the silicon sources 202 filled in the hopper 201. The first supply pipe 208 is fixed to the lower portion of the housing 210 through the fixing bracket 208a, the first supply pipe 208 is on the connection port 222 fixed to the lower portion of the housing 210 in a fixed state Located in

피드유닛(200)은 피드실린더(228) 및 연장튜브(232), 그리고 이동로드(234)를 더 포함한다. 피드실린더(228)는 실린더출구(228b)를 가지며, 실린더출구(228b)는 공급포트(130)의 포트입구(130a)에 연결된다. 피드실린더(228)의 내부는 공급포트(130)의 내부와 연통되며, 게이트밸브(132)는 공급포트(130)를 개폐하여 피드실린더(228)의 내부와 공급포트(130)의 내부를 격리할 수 있다.
The feed unit 200 further includes a feed cylinder 228, an extension tube 232, and a moving rod 234. The feed cylinder 228 has a cylinder outlet 228b, and the cylinder outlet 228b is connected to the port inlet 130a of the supply port 130. The interior of the feed cylinder 228 is in communication with the interior of the supply port 130, the gate valve 132 opens and closes the supply port 130 to isolate the interior of the feed cylinder 228 and the interior of the supply port 130. can do.

후술하는 바와 같이, 피드실린더(228)의 내부 또는 피드실린더(228)의 내부와 연통되는 하우징(210)의 내부를 진공상태로 유지하기 곤란한 경우, 게이트밸브(132)는 사전에 공급포트(130)를 폐쇄하여 공급포트(130)의 내부를 피드실린더(228)의 내부로부터 격리할 수 있다. 이와 같은 방법을 통해 피드실린더(228)의 내부 또는 하우징(210)의 내부에 형성된 진공상태를 해제할 수 있으며, 성장챔버(101) 내부는 진공상태로 유지할 수 있다.
As will be described later, when it is difficult to maintain the inside of the feed cylinder 228 or the inside of the housing 210 in communication with the inside of the feed cylinder 228 in a vacuum state, the gate valve 132 is previously provided with the supply port 130. ) May be closed to isolate the interior of the feed port 130 from the interior of the feed cylinder 228. Through such a method, the vacuum state formed in the interior of the feed cylinder 228 or the housing 210 may be released, and the growth chamber 101 may be maintained in the vacuum state.

예를 들어, 호퍼(201)에 실리콘 소스들(202)을 적재할 경우, 게이트밸브(132)를 이용하여 공급포트(130)를 폐쇄하여 공급포트(130)의 내부와 피드실린더(228)의 내부(또는 하우징(210)의 내부)를 격리한 상태에서, 하우징(210)의 커버(203)를 개방하고 호퍼(201) 내에 실리콘 소스를 적재할 수 있다.
For example, when the silicon sources 202 are loaded in the hopper 201, the supply port 130 is closed by using the gate valve 132, so that the inside of the supply port 130 and the feed cylinder 228 are closed. With the interior (or interior of the housing 210) isolated, the cover 203 of the housing 210 can be opened and the silicon source loaded into the hopper 201.

게이트밸브(132)는 연장튜브(232)를 통해 실리콘 소스들(202)을 공급할 때 공급포트(130)를 개방한다. 성장챔버(101)의 내부에 설치된 도가니(104)에 실리콘 소스들(202)을 공급할 경우, 게이트밸브(132)는 공급포트(130)를 개방하여 공급포트(130)의 내부와 피드실린더(228)의 내부를 연통한다. 실리콘 소스의 공급은 성장챔버(101)의 내부가 진공상태이거나 불활성 분위기, 또는 양쪽 모두에 해당할 때 이루어지므로, 피드실린더(228)의 내부도 진공상태를 유지할 필요가 있다. 보조펌프(228a)는 피드실린더(228)에 연결되며, 피드실린더(228)의 내부(또는 하우징(210)의 내부)는 보조펌프(228a)에 의해 진공상태를 유지할 수 있다. 한편, 본 실시예와 달리, 보조펌프(228a)는 하우징(210)에 연결되며, 하우징(210)의 내부(또는 피드실린더(228)의 내부)는 보조펌프(228a)에 의해 진공상태를 유지할 수 있다.
The gate valve 132 opens the supply port 130 when supplying the silicon sources 202 through the extension tube 232. When the silicon sources 202 are supplied to the crucible 104 installed inside the growth chamber 101, the gate valve 132 opens the supply port 130 to feed the interior of the supply port 130 and the feed cylinder 228. Communicate inside). Since the supply of the silicon source is made when the inside of the growth chamber 101 is in a vacuum state, an inert atmosphere, or both, it is necessary to keep the inside of the feed cylinder 228 also in a vacuum state. The auxiliary pump 228a is connected to the feed cylinder 228, and the interior of the feed cylinder 228 (or the interior of the housing 210) may be maintained in a vacuum state by the auxiliary pump 228a. On the other hand, unlike the present embodiment, the auxiliary pump 228a is connected to the housing 210, the inside of the housing 210 (or the inside of the feed cylinder 228) to maintain the vacuum state by the auxiliary pump (228a) Can be.

연장튜브(232)는 석영 재질이며, 일측에 형성된 튜브입구와 타측에 형성된 튜브출구를 가진다. 연장튜브(232)는 후술하는 제2 공급관(209)을 통해 공급된 실리콘 소스들(202)을 도가니(104) 내에 공급한다.
The extension tube 232 is made of quartz and has a tube inlet formed on one side and a tube outlet formed on the other side. The extension tube 232 supplies the silicon sources 202 supplied through the second supply pipe 209 to be described later into the crucible 104.

도 5는 도 2에 도시한 연장튜브의 이동을 나타내는 도면이다. 연장튜브(232)는 연결브래킷(233)을 통해 이동로드(234)에 연결된다. 연결브래킷(233)은 내주면에 형성된 나사산(233a)을 가지며, 이동로드(234)의 외주면에 형성된 나사산과 나사결합된다. 따라서, 이동로드(234)의 회전방향에 따라 연결브래킷(233)은 이동로드(234)를 따라 이동할 수 있으며, 연장튜브(232)는 연결브래킷(233)과 함께 이동할 수 있다. 한편, 피드유닛(200)은 연장튜브(232)(또는 연결브래킷(233))의 이동을 감지할 수 있는 제한센서(도시안함)를 더 포함할 수 있으며, 이를 통해 연장튜브(232)의 튜브출구측이 도가니(104) 또는 도가니(104)에 채워진 용융된 실리콘 소스(108)와 충돌하는 것을 방지할 수 있다.
5 is a view showing the movement of the extension tube shown in FIG. The extension tube 232 is connected to the moving rod 234 through the connecting bracket 233. The connecting bracket 233 has a thread 233a formed on the inner circumferential surface and is screwed with the thread formed on the outer circumferential surface of the moving rod 234. Accordingly, the connecting bracket 233 may move along the moving rod 234 according to the rotation direction of the moving rod 234, and the extension tube 232 may move together with the connecting bracket 233. On the other hand, the feed unit 200 may further include a limit sensor (not shown) that can detect the movement of the extension tube 232 (or connecting bracket 233), through which the tube of the extension tube 232 It is possible to prevent the outlet side from colliding with the crucible 104 or the molten silicon source 108 filled in the crucible 104.

도 2에 도시한 바와 같이, 피드실린더(228)는 유입포트(226)를 구비하며, 유입포트(226)는 벨로우즈(224)를 통해 연결포트(222)에 연결된다. 벨로우즈(224)의 하부플랜지는 체결구(예를 들어, 클램프와 같은)를 통해 유입포트(226)의 상부플랜지에 체결되며, 벨로우즈(224)의 상부플랜지는 체결구(예를 들어, 클램프와 같은)를 통해 연결포트(222)의 하부플랜지에 체결된다. 그러나, 본 실시예와 달리, 체결구는 생략될 수 있으며, 실링부재(도시안함)가 벨로우즈(224)의 상부플랜지와 연결포트(222)의 하부플랜지 사이에 삽입될 수 있다. 보조펌프(228a)를 이용하여 피드실린더(228)(또는 하우징(210))의 내부에 진공을 형성할 경우, 내외의 압력차에 의해 벨로우즈(224)의 상부플랜지와 연결포트(222)의 하부플랜지는 실링부재에 밀착되며, 별도의 체결구 없이 피드실린더(228)(또는 하우징(210))의 내부 기밀을 유지할 수 있다.
As shown in FIG. 2, the feed cylinder 228 has an inlet port 226, and the inlet port 226 is connected to the connection port 222 through the bellows 224. The lower flange of the bellows 224 is fastened to the upper flange of the inlet port 226 through a fastener (such as a clamp), and the upper flange of the bellows 224 is fastened to the fastener (for example a clamp). It is fastened to the lower flange of the connection port 222 through the same). However, unlike the present embodiment, the fastener may be omitted, and a sealing member (not shown) may be inserted between the upper flange of the bellows 224 and the lower flange of the connection port 222. When a vacuum is formed in the feed cylinder 228 (or the housing 210) using the auxiliary pump 228a, the upper flange of the bellows 224 and the lower portion of the connection port 222 due to the pressure difference between the inside and the outside. The flange may be in close contact with the sealing member and maintain the airtightness of the feed cylinder 228 (or the housing 210) without a separate fastener.

이와 같이, 연결포트(222)와 벨로우즈(224)가 상호 체결된 상태에서, 하우징(210)의 내부는 연결포트(222) 및 벨로우즈(224)를 통해 유입포트(226)의 내부와 연통되며, 이때, 호퍼(201)의 배출포트(204)를 통해 배출된 실리콘 소스들(202)은 제1 및 제2 공급관(208,209)을 통해 연장튜브(232)에 공급된 후 공급포트(130)를 통해 도가니(104) 내에 공급될 수 있다('공급위치').
As such, in the state in which the connection port 222 and the bellows 224 are fastened to each other, the inside of the housing 210 communicates with the inside of the inlet port 226 through the connection port 222 and the bellows 224. In this case, the silicon sources 202 discharged through the discharge port 204 of the hopper 201 are supplied to the extension tube 232 through the first and second supply pipes 208 and 209, and then through the supply port 130. It may be supplied in the crucible 104 ('feed position').

한편, 벨로우즈(224)는 연결포트(222)의 진동을 감쇠(damping)하여 연결포트(222)의 진동이 유입포트(226)에 전달되는 것을 방지한다. 유입포트(226)에 진동이 전달될 경우, 진동은 공급포트(130)를 통해 성장챔버(101)에 전달될 수 있기 때문이다. 벨로우즈(224)는 진동을 감쇠할 수 있는 다른 형태의 제동포트로 대체될 수 있다.
Meanwhile, the bellows 224 damps the vibration of the connection port 222 to prevent the vibration of the connection port 222 from being transmitted to the inlet port 226. This is because when the vibration is transmitted to the inlet port 226, the vibration may be transmitted to the growth chamber 101 through the supply port 130. The bellows 224 can be replaced with another type of braking port that can damp vibrations.

제2 공급관(209)은 제1 공급관(208)의 하부에 배치되며, 제1 공급관(208)으로 이동한 실리콘 소스들(202)은 제2 공급관(209)을 통해 연장튜브(232)로 이동할 수 있다. 실리콘 소스들(202)은 배출관(207)을 통해 자유낙하하여 제2 공급관(209)까지 이동할 수 있다. 이때, 제2 공급관(209)의 입구측 내경은 제1 공급관(208)의 출구측 외경보다 클 수 있다. 따라서, 제1 공급관(208)에 인가된 진동은 제2 공급관(209)으로 전달되지 않는다.
The second supply pipe 209 is disposed below the first supply pipe 208, and the silicon sources 202 moved to the first supply pipe 208 move to the extension tube 232 through the second supply pipe 209. Can be. The silicon sources 202 may freely fall through the discharge pipe 207 and move to the second supply pipe 209. At this time, the inner diameter of the inlet side of the second supply pipe 209 may be larger than the outer diameter of the outlet side of the first supply pipe 208. Therefore, the vibration applied to the first supply pipe 208 is not transmitted to the second supply pipe 209.

도 6은 도 2에 도시한 제2 공급관을 통해 이동한 실리콘 소스가 연장튜브를 통해 이동하는 모습을 나타내는 도면이다. 앞서 설명한 바와 같이, 연장튜브(232)는 연결브래킷(233)과 함께 이동할 수 있으며, 이동에 의해 연장튜브(232)가 피드실린더(228) 내부에 위치하는 해제위치 또는 후술하는 공급위치로 전환될 수 있다. 도 6에 도시한 바와 같이, 연장튜브(232)의 튜브입구(232a)가 제2 공급관(209)의 출구측과 대응되도록 위치할 수 있으며('공급위치'), 제2 공급관(209)을 통해 배출된 실리콘 소스들(202)은 튜브입구(232a)를 통해 연장튜브(232)의 내부로 이동할 수 있다.
FIG. 6 is a view illustrating a state in which a silicon source moved through a second supply pipe shown in FIG. 2 moves through an extension tube. As described above, the extension tube 232 can move together with the connecting bracket 233, and by extension the extension tube 232 is switched to the release position or the supply position described later located inside the feed cylinder 228 Can be. As shown in FIG. 6, the tube inlet 232a of the extension tube 232 may be positioned to correspond to the outlet side of the second supply pipe 209 ('feeding position'), and the second supply pipe 209 may be disposed. The silicon sources 202 discharged through may move into the extension tube 232 through the tube inlet 232a.

도 7은 도 2에 도시한 연장튜브를 통해 도가니 내에 실리콘을 공급하는 모습을 나타내는 도면이다. 도 7에 도시한 바와 같이, 연장튜브(232)가 공급위치로 전환되면, 연장튜브(232)의 튜브출구는 도가니(104)의 상부에 위치하며, 연장튜브(232)의 내부로 이동한 실리콘 소스들(202)은 연장튜브(232)의 튜브출구를 통해 도가니(104) 내에 공급될 수 있다. 이때, 연장튜브(232)의 튜브출구는 도가니(104)에 최대한 근접할 수 있으며, 이를 통해 튜브출구에서 배출되는 실리콘 소스들(202)이 용융된 실리콘 소스(108)에 낙하하면서 실리콘 소스(108)가 튀는 것을 방지할 수 있다. 한편, 도 1에 도시한 바와 같이, 잉곳(109)이 용융된 실리콘 소스(108)로부터 풀링되면 잉곳(109)에 대한 쿨링공정이 이루어지며, 이때, 실리콘 소스들(202)은 도가니(104) 내에 공급될 수 있다.
7 is a view showing a state in which silicon is supplied into the crucible through the extension tube shown in FIG. As shown in FIG. 7, when the extension tube 232 is switched to the supply position, the tube outlet of the extension tube 232 is located at the top of the crucible 104 and moves to the inside of the extension tube 232. Sources 202 may be supplied into crucible 104 through the tube outlet of extension tube 232. At this time, the tube outlet of the extension tube 232 can be as close as possible to the crucible 104, through which the silicon source 202 discharged from the tube outlet falls on the molten silicon source 108, the silicon source 108 ) Can prevent splashing. Meanwhile, as shown in FIG. 1, when the ingot 109 is pulled from the molten silicon source 108, a cooling process for the ingot 109 is performed. At this time, the silicon sources 202 are the crucible 104. Can be supplied within.

도 8 내지 도 10은 도 2에 도시한 승강기구 및 회전기구를 이용하여 호퍼를 이동하는 모습을 나타내는 도면이며, 도 11은 도 2에 도시한 보조펌프를 이용하여 피드실린더 및 하우징 내부에 진공을 형성하는 모습을 나타내는 도면이다. 이하에서는 도 8 내지 도 11을 참고하여 호퍼에 실리콘 소스들을 적재하는 과정과 피드실린더 및 하우징 내부에 진공을 형성하는 과정을 설명하기로 한다.
8 to 10 are views showing the movement of the hopper using the lifting mechanism and the rotating mechanism shown in Figure 2, Figure 11 is a vacuum in the feed cylinder and the housing using the auxiliary pump shown in FIG. It is a figure which shows how to form. Hereinafter, a process of loading silicon sources into a hopper and a process of forming a vacuum in the feed cylinder and the housing will be described with reference to FIGS. 8 to 11.

앞서 설명한 바와 같이, 호퍼(201)가 공급위치에 놓인 상태에서 하우징(210)의 내부는 유입포트(226)의 내부와 연통되며, 호퍼(201) 내에 적재된 실리콘 소스들(202)은 연장튜브(232)의 튜브출구를 통해 도가니(104) 내에 공급되며, 이후 씨드(110)를 용융된 실리콘 소스(108)에 담그고 씨드(110)와 잉곳(109)을 위쪽으로 당겨 도가니(104)로부터 풀링된다. 이때, 호퍼(201) 내에 새로운 실리콘 소스들(202)을 적재하여 호퍼(201)의 내부를 재충전함으로써 다음 공정을 준비할 수 있다.
As described above, the inside of the housing 210 is in communication with the inside of the inlet port 226 with the hopper 201 in the feed position, the silicon sources 202 loaded in the hopper 201 is an extension tube Supplied into the crucible 104 via the tube outlet of 232, and then immersed the seed 110 in the molten silicon source 108 and pulled the seed 110 and ingot 109 upwards from the crucible 104. do. At this time, new silicon sources 202 may be loaded into the hopper 201 to refill the inside of the hopper 201 to prepare for the next process.

먼저, 도 8에 도시한 바와 같이, 게이트밸브(132)를 이용하여 공급포트(130)를 폐쇄함으로써 공급포트(130)의 내부(또는 성장챔버(101)의 내부)와 피드실린더(228)의 내부(또는 하우징(210)의 내부)를 격리한다. 이와 같은 방법을 통해 피드실린더(228)의 내부(또는 하우징(210)의 내부)에 형성된 진공상태가 해제되라도 성장챔버(101)의 내부는 진공상태를 유지할 수 있다.
First, as shown in FIG. 8, by closing the supply port 130 using the gate valve 132, the inside of the supply port 130 (or the inside of the growth chamber 101) and the feed cylinder 228 are closed. Isolate the interior (or interior of housing 210). Through such a method, even if the vacuum state formed in the inside of the feed cylinder 228 (or the inside of the housing 210) is released, the inside of the growth chamber 101 may maintain the vacuum state.

이후, 구동모터(248)를 이용하여 구동기어(248a)를 일방향으로 회전하면, 종동기어(244a)와 승강로드(244)가 함께 회전하며, 이로 인해 승강브래킷(246)과 구동브래킷(213)이 상승한다. 이때, 구동브래킷(213)은 회전축(211)을 따라 상승하며, 하우징(210) 및 호퍼(201)는 구동브래킷(213)과 함께 상승한다('분리위치'). 이때, 하우징(210)의 상승폭을 제한할 수 있는 제한센서(도시안함)가 설치될 수 있으며, 이를 통해 하우징(210)이 상승제한폭을 넘는 것을 방지할 수 있다.
Thereafter, when the driving gear 248a is rotated in one direction by using the driving motor 248, the driven gear 244a and the lifting rod 244 rotate together, and thus the lifting bracket 246 and the driving bracket 213 are rotated. It rises. At this time, the driving bracket 213 rises along the rotation shaft 211, and the housing 210 and the hopper 20 rise together with the driving bracket 213 ('separated position'). In this case, a limit sensor (not shown) may be installed to limit the rising width of the housing 210, thereby preventing the housing 210 from exceeding the rising limit.

하우징(210)이 상승할 경우, 하우징(210)의 하부에 고정설치된 연결포트(222)는 하우징(210)고 함께 상승하여 벨로우즈(224)로부터 분리되며, 이를 위해 연결포트(222)와 벨로우즈(224)를 체결하는 체결구를 사전에 해제할 수 있다. 이때, 제1 공급관(208)은 고정브래킷(280a)을 통해 하우징(210)의 하부에 고정되므로, 하우징(210)과 함께 상승하며, 제1 공급관(208)과 제2 공급관(209)은 체결된 상태가 아니므로, 제1 공급관(208)의 출구측은 제2 공급관(209)의 입구측으로부터 인출된다.
When the housing 210 is raised, the connection port 222 fixed to the lower portion of the housing 210 is raised together with the housing 210 to be separated from the bellows 224. For this purpose, the connection port 222 and the bellows ( The fastener for fastening 224 can be released beforehand. At this time, since the first supply pipe 208 is fixed to the lower portion of the housing 210 through the fixing bracket 280a, the first supply pipe 208 rises together with the housing 210, and the first supply pipe 208 and the second supply pipe 209 are fastened. Since it is not in the state, the outlet side of the first supply pipe 208 is drawn out from the inlet side of the second supply pipe 209.

다음, 도 9에 도시한 바와 같이, 회전구동부(242)를 이용하여 회전축(211)을 회전시키면, 하우징(210) 및 호퍼(201)는 회전축(211)을 기준으로 원래의 위치와 반대방향으로 이동하며('회전위치'), 마찬가지로, 승강로드(244) 및 승강브래킷(246)은 회전축(211)을 기준으로 원래의 위치와 반대방향으로 이동한다.
Next, as shown in FIG. 9, when the rotation shaft 211 is rotated using the rotation driving unit 242, the housing 210 and the hopper 201 are opposite to their original positions with respect to the rotation shaft 211. Likewise, the lifting rod 244 and the lifting bracket 246 move in the opposite direction to the original position with respect to the rotation shaft 211.

다음, 도 10에 도시한 바와 같이, 구동모터(248)를 이용하여 구동기어(248a)를 일방향과 반대방향으로 회전하면, 종동기어(244a)와 승강로드(244)가 함께 종전 방향과 반대방향으로 회전하며, 이로 인해 승강브래킷(246)과 구동브래킷(213)이 하강한다. 이때, 구동브래킷(213)은 회전축(211)을 따라 하강하며, 하우징(210)은 구동브래킷(213)과 함께 하강한다. 이와 같은 방법을 통해 호퍼(201)는 작업자가 실리콘 소스들(202)에 대한 적재작업을 용이하게 할 수 있는 높이까지 하강할 수 있다('적재위치'). 이때, 적재위치에 놓여진 호퍼(201)의 높이는 공급위치에 놓여진 호퍼(201)의 높이보다 낮다. 한편, 하우징(210)의 하강폭을 제한할 수 있는 제한센서(도시안함)가 설치될 수 있으며, 이를 통해 하우징(210)이 하강제한폭을 넘는 것을 방지할 수 있다.
Next, as shown in FIG. 10, when the driving gear 248a is rotated in the opposite direction to the one direction using the driving motor 248, the driven gear 244a and the lifting rod 244 together move in the opposite direction to the previous direction. And the lifting bracket 246 and the driving bracket 213 are lowered. At this time, the driving bracket 213 is lowered along the rotating shaft 211, the housing 210 is lowered with the driving bracket 213. In this way, the hopper 201 can be lowered to a height that allows the operator to facilitate loading of the silicon sources 202 ('loading position'). At this time, the height of the hopper 201 placed in the loading position is lower than the height of the hopper 201 placed in the feeding position. On the other hand, a limit sensor (not shown) that can limit the falling width of the housing 210 may be installed, through which the housing 210 can be prevented from exceeding the falling limit width.

하우징(210)이 원하는 높이까지 하강하면, 작업자는 커버(203)를 개방하고 공급구(201a)를 통해 실리콘 소스들(202)을 호퍼(201)에 공급할 수 있다. 이때, 로드셀(214)을 이용하여 호퍼(201)에 채워진 실리콘 소스들(202)의 무게를 측정할 수 있다.
Once the housing 210 is lowered to the desired height, the operator can open the cover 203 and supply the silicon sources 202 to the hopper 201 through the supply port 201a. In this case, the weight of the silicon sources 202 filled in the hopper 201 may be measured using the load cell 214.

위와 같은 방법으로 실리콘 소스들(202)에 대한 적재가 완료되면, 도 11에 도시한 바와 같이, 하우징(210)(또는 호퍼(201))은 앞서 설명한 과정의 역순에 따라 원래의 위치(공급위치)로 복귀하며, 연결포트(222)의 하부플랜지는 체결구(예를 들어, 클램프와 같은)를 통해 벨로우즈(224)의 상부플랜지에 체결된다.
When the loading of the silicon sources 202 is completed in the above manner, as shown in FIG. 11, the housing 210 (or the hopper 201) is returned to its original position (supply position) in the reverse order of the above-described process. ), The lower flange of the connection port 222 is fastened to the upper flange of the bellows 224 through a fastener (for example, a clamp).

이때, 하우징(210)의 상승폭을 제한할 수 있는 제한센서(도시안함)와 하우징(210)의 하강폭을 제한할 수 있는 제한센서(도시안함)가 설치될 수 있으며, 제한센서는 하우징(210)(또는 호퍼(201))의 불필요한 이동을 제한할 뿐만 아니라 장치와의 충돌을 방지할 수 있다. 또한, 제한센서는 하우징(210)(또는 호퍼(201))의 상승 또는 하강시 동일한 레벨을 유지할 수 있도록 하며, 하우징(210)의 하강시 연결포트(222)가 벨로우즈(224)를 과도하게 눌러 벨로우즈(224)가 파손되는 것을 방지할 수 있다.
In this case, a limit sensor (not shown) that may limit the rising width of the housing 210 and a limit sensor (not shown) that may limit the falling width of the housing 210 may be installed, and the limit sensor may include a housing 210. (Or hopper 201) can not only limit unnecessary movement, but also prevent collision with the device. In addition, the limit sensor may maintain the same level when the housing 210 (or hopper 201) is raised or lowered, and the connection port 222 presses the bellows 224 excessively when the housing 210 is lowered. The bellows 224 can be prevented from being broken.

한편, 본 실시예와 달리, 벨로우즈(224)의 상부플랜지와 연결포트(222)의 하부플랜지를 체결하는 별도의 체결구는 생략될 수 있으며, 실링부재(도시안함)가 벨로우즈(224)의 상부플랜지와 연결포트(222)의 하부플랜지 사이에 삽입될 수 있다. 보조펌프(228a)를 이용하여 피드실린더(228)(또는 하우징(210))의 내부에 진공을 형성할 경우, 내외의 압력차에 의해 벨로우즈(224)의 상부플랜지와 연결포트(222)의 하부플랜지는 실링부재에 밀착되며, 별도의 체결구 없이 피드실린더(228)(또는 하우징(210))의 내부 기밀을 유지할 수 있다.
On the other hand, unlike the present embodiment, a separate fastener for fastening the upper flange of the bellows 224 and the lower flange of the connection port 222 may be omitted, the sealing member (not shown) is the upper flange of the bellows 224 And a lower flange of the connection port 222. When a vacuum is formed in the feed cylinder 228 (or the housing 210) using the auxiliary pump 228a, the upper flange of the bellows 224 and the lower portion of the connection port 222 due to the pressure difference between the inside and the outside. The flange may be in close contact with the sealing member and maintain the airtightness of the feed cylinder 228 (or the housing 210) without a separate fastener.

이후, 보조펌프(228a)를 이용하여 피드실린더(228)(또는 하우징(210)) 내부에 진공을 형성한다. 보조펌프(228a)는 배기라인(229) 상에 설치되며, 보조펌프(228a)는 배기라인(229)을 통해 피드실린더(228)의 내부를 배기한다. 이때, 압력게이지(212)는 하우징(210) 내부의 압력을 측정하며, 이를 통해 하우징(210)의 내부(또는 피드실린더(228)의 내부)가 원하는 압력(성장챔버(101)의 내부압력의 오차범위 이내)에 도달하였는지 여부를 판단할 수 있다. 하우징(210)의 내부(또는 피드실린더(228)의 내부)가 원하는 압력에 도달한 경우, 게이트밸브(132)를 이용하여 공급포트(130)를 개방하며, 연장튜브(232)를 통해 도가니(104)에 실리콘 소스들(202)을 재공급할 수 있다.
Thereafter, a vacuum is formed in the feed cylinder 228 (or the housing 210) using the auxiliary pump 228a. The auxiliary pump 228a is installed on the exhaust line 229, and the auxiliary pump 228a exhausts the inside of the feed cylinder 228 through the exhaust line 229. At this time, the pressure gauge 212 measures the pressure inside the housing 210, through which the inside of the housing 210 (or the inside of the feed cylinder 228) is a desired pressure (inner pressure of the growth chamber 101) Or within an error range). When the inside of the housing 210 (or the inside of the feed cylinder 228) reaches the desired pressure, the supply port 130 is opened by using the gate valve 132, and the crucible (through the extension tube 232) Silicon sources 202 may be resupplied to 104.

본 발명을 바람직한 실시예들을 통하여 상세하게 설명하였으나, 이와 다른 형태의 실시예들도 가능하다. 그러므로, 이하에 기재된 청구항들의 기술적 사상과 범위는 바람직한 실시예들에 한정되지 않는다.Although the present invention has been described in detail by way of preferred embodiments thereof, other forms of embodiment are possible. Therefore, the technical idea and scope of the claims set forth below are not limited to the preferred embodiments.

100 : 잉곳 성장장치 101 : 성장챔버
102 : 풀챔버 104 : 도가니
105 : 샤프트 106 : 구동부
109 : 잉곳 130 : 공급포트
200 : 피드유닛 201 : 호퍼
205 : 이동관 206 : 진동피더
207 : 배출관 208 : 제1 공급관
209 : 제2 공급관 213 : 구동브래킷
222 : 연결포트 224 : 벨로우즈
226 : 유입포트 228 : 피드실린더
232 : 연장튜브 234 : 이동로드
242 : 회전구동부 244 : 승강로드
246 : 승강브래킷100: ingot growth apparatus 101: growth chamber
102: full chamber 104: crucible
105: shaft 106: drive part
109: ingot 130: supply port
200: feed unit 201: hopper
205: moving tube 206: vibration feeder
207: discharge pipe 208: first supply pipe
209: second supply pipe 213: drive bracket
222 connection port 224 bellows
226: inlet port 228: feed cylinder
232: extension tube 234: moving rod
242: rotation driving unit 244: lifting rod
246: lifting bracket

Claims (17)

씨드가 이동하는 하부이동포트 및 외부로부터 실리콘이 공급되는 공급포트를 구비하는 성장챔버(grow chamber);
상기 성장챔버의 내부에 설치되며, 상기 실리콘이 채워지는 도가니(crucible);
상기 하부이동포트에 연결되는 상부이동포트를 구비하며, 상기 하부이동포트 및 상기 상부이동포트를 통해 이동하는 상기 씨드의 이동통로를 제공하는 풀챔버(pull chamber);
상기 실리콘이 내부에 채워지며, 하부에 형성된 배출포트를 통해 상기 실리콘을 배출하는 호퍼;
상기 호퍼를 승강 가능하게 지지하는 승강 기구; 및
상기 호퍼를 회전가능하게 지지하는 회전 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 잉곳 성장장치.A growth chamber having a lower movement port through which the seed moves and a supply port through which silicon is supplied;
A crucible installed inside the growth chamber and filled with the silicon;
A pull chamber having an upper moving port connected to the lower moving port and providing a moving passage of the seed moving through the lower moving port and the upper moving port;
A hopper filled with silicon and discharging the silicon through a discharge port formed at a lower portion thereof;
A lift mechanism for supporting the hopper in a liftable manner; And
And a rotating mechanism for rotatably supporting the hopper. 제1항에 있어서,
상기 승강 기구 및 상기 회전 기구는 상기 호퍼를 공급위치 및 적재위치로 전환하며,
상기 호퍼가 상기 공급위치에 있을 때 상기 배출포트는 상기 공급포트와 연결되고, 상기 호퍼가 상기 적재위치에 있을 때 상기 배출포트는 상기 공급포트로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 잉곳 성장장치.The method of claim 1,
The elevating mechanism and the rotating mechanism switch the hopper to a supply position and a loading position,
And the discharge port is connected to the supply port when the hopper is in the feed position, and the discharge port is separated from the supply port when the hopper is in the load position. 제2항에 있어서,
상기 승강 기구는 상기 호퍼를 상승하여 상기 공급위치로부터 상기 배출포트가 상기 공급포트로부터 분리된 분리위치로 전환하고,
상기 회전 기구는 상기 호퍼를 회전하여 상기 분리위치로부터 상기 배출포트가 상기 공급포트의 상부로부터 이탈한 회전위치로 전환하며,
상기 승강 기구는 상기 호퍼를 하강하여 상기 회전위치로부터 상기 적재위치로 전환하는 것을 특징으로 하는 잉곳 성장장치.The method of claim 2,
The elevating mechanism raises the hopper to switch from the supply position to the separation position where the discharge port is separated from the supply port,
The rotating mechanism rotates the hopper to switch from the separation position to the rotation position deviated from the upper portion of the supply port,
And the lifting mechanism lowers the hopper to switch from the rotation position to the loading position. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 회전 기구는,
회전축;
상기 회전축의 일측에 연결되어 상기 회전축을 구동하는 회전구동부; 및
상기 호퍼에 연결되며, 상기 회전축에 연결되어 상기 회전축과 함께 회전하는 구동브래킷을 구비하고,
상기 승강 기구는,
상기 회전축에 연결되며, 상하방향으로 배치되는 승강로드; 및
상기 구동브래킷과 연결되며, 상기 승강로드에 연결되어 상기 승강로드의 회전방향에 따라 상기 승강로드를 따라 승강하는 승강브래킷을 구비하며,
상기 구동브래킷은 상기 승강브래킷에 의해 상기 회전축을 따라 승강하는 것을 특징으로 하는 잉곳 성장장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The rotation mechanism includes:
A rotating shaft;
A rotation driver connected to one side of the rotation shaft to drive the rotation shaft; And
A driving bracket connected to the hopper and connected to the rotation shaft to rotate together with the rotation shaft;
Wherein the lifting mechanism comprises:
A lifting rod connected to the rotation shaft and disposed in a vertical direction; And
It is connected to the driving bracket, and is provided with a lifting bracket which is connected to the lifting rod to move along the lifting rod in accordance with the direction of rotation of the lifting rod,
The driving bracket is ingot growth apparatus, characterized in that the lifting up and down along the axis of rotation by the lifting bracket. 제4항에 있어서,
상기 잉곳 성장장치는,
외부로부터 차단되어 상기 호퍼가 내부에 설치되는 내부공간을 가지며, 상기 호퍼와 함께 이동하는 하우징을 더 구비하며,
상기 구동브래킷은 상기 하우징의 일측에 고정설치되는 것을 특징으로 하는 잉곳 성장장치.5. The method of claim 4,
The ingot growth apparatus,
It is further cut off from the outside has an internal space in which the hopper is installed therein, further comprising a housing moving with the hopper,
The driving bracket is ingot growth apparatus, characterized in that fixed to one side of the housing. 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 잉곳 성장장치는,
외부로부터 차단되어 상기 호퍼가 내부에 설치되는 내부공간을 가지며, 상기 호퍼와 함께 이동하는 하우징;
상기 공급포트에 연결되며, 일측에 형성된 유입포트를 구비하는 피드실린더; 및
상기 하우징의 하부에 고정설치되며, 상기 호퍼가 상기 공급위치에 있을 때 상기 유입포트에 연결되고 상기 호퍼가 상기 적재위치로 전환될 때 상기 유입포트로부터 분리되는 제1 연결부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 잉곳 성장장치.The method according to claim 2 or 3,
The ingot growth apparatus,
A housing which is blocked from the outside and has an internal space in which the hopper is installed, and moves together with the hopper;
A feed cylinder connected to the supply port and having an inflow port formed at one side; And
It is fixed to the lower portion of the housing, characterized in that it further comprises a first connecting member connected to the inlet port when the hopper is in the supply position and separated from the inlet port when the hopper is switched to the loading position Ingot growth apparatus made with. 제6항에 있어서,
상기 잉곳 성장장치는,
상기 공급포트 상에 설치되며, 상기 호퍼가 상기 적재위치로 전환되기 전에 상기 공급포트를 외부로부터 차단하고 상기 호퍼가 상기 공급위치로 전환된 후에 상기 공급포트를 개방하는 게이트 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 잉곳 성장장치.The method according to claim 6,
The ingot growth apparatus,
A gate valve installed on the supply port, the gate valve closing the supply port from the outside before the hopper is switched to the loading position and opening the supply port after the hopper is switched to the supply position. Ingot growth apparatus made with. 제6항에 있어서,
상기 잉곳 성장장치는,
상기 피드실린더에 연결되며, 상기 호퍼가 상기 공급위치로 전환된 후에 상기 피드실린더 내부에 진공을 형성하는 보조펌프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 잉곳 성장장치.The method according to claim 6,
The ingot growth apparatus,
And an auxiliary pump connected to the feed cylinder and forming a vacuum in the feed cylinder after the hopper is switched to the supply position. 제6항에 있어서,
상기 잉곳 성장장치는,
상기 배출포트를 통해 배출된 상기 실리콘이 입구측을 통해 유입되는 제1 공급관;
상기 하우징에 설치되어 상기 제1 공급관을 상기 연결부재 상에 고정하는 고정브래킷; 및
상기 제1 공급관의 출구측을 통해 배출된 상기 실리콘이 입구측을 통해 유입되며, 출구측이 상기 유입포트 상에 위치하는 제2 공급관을 더 구비하며,
상기 제2 공급관의 입구측 내경은 상기 제1 공급관의 출구측 외경보다 큰 것을 특징으로 하는 잉곳 성장장치.The method according to claim 6,
The ingot growth apparatus,
A first supply pipe through which the silicon discharged through the discharge port flows through the inlet side;
A fixing bracket installed in the housing to fix the first supply pipe on the connection member; And
The silicon discharged through the outlet side of the first supply pipe is introduced through the inlet side, the outlet side further comprises a second supply pipe located on the inlet port,
Inlet growth apparatus, characterized in that the inlet side inner diameter of the second supply pipe is larger than the outlet side outer diameter of the first supply pipe. 제9항에 있어서,
상기 잉곳 성장장치는,
상기 배출포트에 연결되는 유입구를 가지며, 일측에 연결되어 상기 유입구를 통해 유입된 상기 실리콘을 상기 제1 연결관의 입구측으로 배출하는 배출관을 구비하는 이동관; 및
상기 이동관에 연결되며, 기설정된 주파수로 상기 이동관에 진동을 가하는 진동피더를 더 구비하며,
상기 제1 공급관의 입구측 내경은 상기 배출관의 출구측 외경보다 큰 것을 특징으로 하는 잉곳 성장장치.10. The method of claim 9,
The ingot growth apparatus,
A moving tube having an inlet connected to the discharge port and having a discharge pipe connected to one side and discharging the silicon introduced through the inlet to the inlet side of the first connection pipe; And
It is connected to the moving tube, further comprising a vibration feeder for applying vibration to the moving tube at a predetermined frequency,
Ingot growth apparatus, characterized in that the inlet side inner diameter of the first supply pipe is larger than the outlet side outer diameter of the discharge pipe. 제10항에 있어서,
상기 잉곳 성장장치는,
상기 호퍼가 상기 공급위치에 있을 때 상기 제1 연결부재와 상기 유입포트를 연결하며, 진동을 감쇠하는 제2 연결부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 잉곳 성장장치.The method of claim 10,
The ingot growth apparatus,
And a second connection member connecting the first connection member and the inflow port when the hopper is in the supply position and damping vibrations. 제6항에 있어서,
상기 잉곳 성장장치는,
일측 및 타측에 각각 형성된 튜브입구 및 튜브출구를 가지고, 상기 피드실린더 내에 설치되어 상기 피드실린더의 내부를 따라 이동가능한 연장튜브를 더 포함하며,
상기 연장튜브는 이동에 의해 상기 피드실린더의 내부에 위치하는 해제위치와 상기 튜브입구가 상기 유입포트와 대응되고 상기 튜브출구가 상기 공급포트를 통해 상기 도가니의 상부에 위치하는 공급위치로 전환가능한 연장튜브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 잉곳 성장장치.The method according to claim 6,
The ingot growth apparatus,
And an extension tube having a tube inlet and a tube outlet respectively formed at one side and the other side, the extension tube being installed in the feed cylinder and movable along the inside of the feed cylinder.
The extension tube extends to a release position located inside the feed cylinder and a tube inlet corresponding to the inlet port by a movement and to a supply position located at an upper portion of the crucible through the supply port. Ingot growth apparatus further comprises a tube. 잉곳이 성장하는 성장챔버의 공급포트에 연결되어 상기 성장챔버에 실리콘을 공급하는 피드유닛에 있어서,
상기 실리콘이 내부에 채워지며, 하부에 형성된 배출포트를 통해 상기 실리콘을 배출하는 호퍼;
상기 호퍼를 승강 가능하게 지지하는 승강 기구; 및
상기 호퍼를 회전가능하게 지지하는 회전 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 피드유닛.In the feed unit for supplying silicon to the growth chamber is connected to the supply port of the growth chamber ingot growth,
A hopper filled with the silicon and discharging the silicon through a discharge port formed at a lower portion thereof;
A lift mechanism for supporting the hopper in a liftable manner; And
And a rotating mechanism for rotatably supporting the hopper. 제13항에 있어서,
상기 승강 기구 및 상기 회전 기구는 상기 호퍼를 공급위치 및 적재위치로 전환하며,
상기 호퍼가 상기 공급위치에 있을 때 상기 배출포트는 상기 공급포트와 연결되고, 상기 호퍼가 상기 적재위치에 있을 때 상기 배출포트는 상기 공급포트로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 피드유닛.The method of claim 13,
The elevating mechanism and the rotating mechanism switch the hopper to a supply position and a loading position,
And the discharge port is connected to the supply port when the hopper is in the feed position, and the discharge port is separated from the supply port when the hopper is in the load position. 제14항에 있어서,
상기 승강 기구는 상기 호퍼를 상승하여 상기 공급위치로부터 상기 배출포트가 상기 공급포트로부터 분리된 분리위치로 전환하고,
상기 회전 기구는 상기 호퍼를 회전하여 상기 분리위치로부터 상기 배출포트가 상기 공급포트의 상부로부터 이탈한 회전위치로 전환하며,
상기 승강 기구는 상기 호퍼를 하강하여 상기 회전위치로부터 상기 적재위치로 전환하는 것을 특징으로 하는 피드유닛.15. The method of claim 14,
The elevating mechanism raises the hopper to switch from the supply position to the separation position where the discharge port is separated from the supply port,
The rotating mechanism rotates the hopper to switch from the separation position to the rotation position deviated from the upper portion of the supply port,
And the lifting mechanism lowers the hopper to switch from the rotation position to the loading position. 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 회전 기구는,
회전축;
상기 회전축의 일측에 연결되어 상기 회전축을 구동하는 회전구동부; 및
상기 호퍼에 연결되며, 상기 회전축에 연결되어 상기 회전축과 함께 회전하는 구동브래킷을 구비하고,
상기 승강 기구는,
상기 회전축에 연결되며, 상하방향으로 배치되는 승강로드;
상기 구동브래킷과 연결되며, 상기 승강로드에 연결되어 상기 승강로드의 회전방향에 따라 상기 승강로드를 따라 승강하는 승강브래킷을 구비하며,
상기 구동브래킷은 상기 승강브래킷에 의해 상기 회전축을 따라 승강하는 것을 특징으로 하는 피드유닛.The method according to any one of claims 13 to 15,
The rotation mechanism includes:
A rotating shaft;
A rotation driver connected to one side of the rotation shaft to drive the rotation shaft; And
A driving bracket connected to the hopper and connected to the rotation shaft to rotate together with the rotation shaft;
Wherein the lifting mechanism comprises:
A lifting rod connected to the rotation shaft and disposed in a vertical direction;
It is connected to the driving bracket, and is provided with a lifting bracket which is connected to the lifting rod to move along the lifting rod in accordance with the direction of rotation of the lifting rod,
The drive bracket is a feed unit, characterized in that the lifting up and down along the rotation axis by the lifting bracket. 제16항에 있어서,
상기 피드유닛은,
외부로부터 차단되며 상기 호퍼가 내부에 설치되는 내부공간을 가지며, 상기 호퍼와 함께 이동하는 하우징을 더 구비하며,
상기 구동브래킷은 상기 하우징의 일측에 고정설치되는 것을 특징으로 하는 피드유닛.17. The method of claim 16,
The feed unit,
It is further cut off from the outside and has an inner space in which the hopper is installed therein, further comprising a housing moving with the hopper,
The driving bracket is fixed to one side of the housing, characterized in that the feed unit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN109665300A (en) * 2018-12-26 2019-04-23 苏州慕尚自动化科技有限公司 A kind of design of the feed device about regular material

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