KR20120131945A - 양자점 - Google Patents

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KR20120131945A
KR20120131945A KR1020110050451A KR20110050451A KR20120131945A KR 20120131945 A KR20120131945 A KR 20120131945A KR 1020110050451 A KR1020110050451 A KR 1020110050451A KR 20110050451 A KR20110050451 A KR 20110050451A KR 20120131945 A KR20120131945 A KR 20120131945A
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윤경진
김은범
노효진
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Abstract

본 발명의 일 실시 예에 따른 양자점은 코어, 상기 코어에 결합된 유기결합체 및 상기 유기결합체를 둘러싸는 보호막을 포함할 수 있다.

Description

양자점{QUANTUM DOT}
본 발명은 양자점에 관한 것으로, 보다 자세하게는 외부의 수분 및 산소로부터 안정성을 향상시킬 수 있는 양자점에 관한 것이다.
양자점(quantum dot)은 나노크기의 II-VI, III-V, I-III-VI, IV-VI 반도체 입자가 코어(core)를 이루는 입자를 말하며, 코어를 보호하기 위한 쉘(shell)과 분산을 돕기 위한 유기결합체(ligand)로 구분된다.
양자점은 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100?1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생하며, 양자점의 크기를 조절하면 원하는 파장의 가시광선 영역의 빛을 모두 낼 수 있다. 또한 여러 크기의 양자점이 함께 있을 때 하나의 파장으로 빛을 발하게 만들면 여러 가지 색을 한번에 낼 수도 있어 다양한 응용처가 (LED 조명, 액정 디스플레이 후광조명, 디스플레이 발광소자 재료 등) 연구되고 있지만 중심(core)의 산화로 광학적 효율저하 문제를 가지고 있어 현재 상용화에 제한성을 가지고 있다.
양자점은 코어가 산소와 반응하면 양자효율 저하와 형광 파장의 변화로 형광 수명, 색재현율이 감소된다. 이를 보완하기 위해 종래에는 쉘과 유기결합체로 코어의 산화를 방지하고 있지만, 코어과 쉘의 격자상수의 차이로 완벽한 결정을 이루지 못해 균열이 생성되며, 유기결합체 또한 단단한 막을 형성하지 못해 여전히 코어의 산화가 나타나는 문제점이 있다.
본 발명은 외부의 수분 및 산소로부터 안정성을 향상시킬 수 있는 양자점을 제공한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 양자점은 코어, 상기 코어에 결합된 유기결합체 및 상기 유기결합체를 둘러싸는 보호막을 포함할 수 있다.
상기 보호막은 상기 코어 및 상기 유기결합체를 모두 둘러싸는 것일 수 있다.
상기 코어는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaP, GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb 중 어느 하나 또는 둘 이상으로 이루어질 수 있다.
상기 보호막은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, Mn3O4,CoO, Co3O4, NiO, MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4 중 어느 하나 또는 둘 이상으로 이루어질 수 있다.
상기 보호막은 10 내지 200nm의 두께로 이루어질 수 있다.
상기 유기결합체는 지용성(hydophobic), 수용성(hydrophilic), 불소계(fluoride), 실리콘계(silicon) 유기결합체 중 어느 하나 또는 둘 이상으로 이루어질 수 있다.
상기 코어 중심으로부터 상기 보호막의 외부 표면까지의 거리는 20 내지 210nm일 수 있다.
상기 코어 중심으로부터 상기 보호막의 외부 표면까지의 거리는 20 내지 100nm일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점은 코어, 상기 코어를 둘러싸는 쉘, 상기 쉘에 결합된 유기결합체 및 상기 유기결합체를 둘러싸는 보호막을 포함할 수 있다.
상기 보호막은 상기 코어, 상기 쉘 및 상기 유기결합체를 모두 둘러싸는 것일 수 있다.
상기 코어 중심으로부터 상기 보호막의 외부 표면까지의 거리는 20 내지 210nm일 수 있다.
상기 코어 중심으로부터 상기 보호막의 외부 표면까지의 거리는 20 내지 100nm일 수 있다.
상기 코어는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaP, GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb 중 어느 하나 또는 둘 이상으로 이루어질 수 있다.
상기 보호막은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, Mn3O4,CoO, Co3O4, NiO, MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4 중 어느 하나 또는 둘 이상으로 이루어질 수 있다.
상기 보호막은 10 내지 200nm의 두께로 이루어질 수 있다.
상기 유기결합체는 지용성(hydophobic), 수용성(hydrophilic), 불소계(fluoride), 실리콘계(silicon) 유기결합체 중 어느 하나 또는 둘 이상으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 양자점은 금속 산화물 보호막을 형성하여 산소 및 수분으로부터 안정성을 향상시키고, 유기결합체로 인한 용매의 분산 능력을 확보할 수 있는 이점이 있다. 따라서, 안정성, 색재현율, 발광효율이 우수한 액정표시장치, LED 조명, 양자점 디스플레이를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 양자점을 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 양자점의 제조방법을 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 양자점을 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 양자점의 제조방법을 나타낸 도면.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 예들을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 양자점을 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 양자점의 제조방법을 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 양자점(110)의 형광은 전도대(conduction band)에서 가전자대 (valence band)로 들뜬 상태의 전자가 내려오면서 발생하는 빛이다. 양자점(110)은 같은 물질의 코어로 구성되더라도 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라지며 입자의 크기가 적어질수록 짧은 파장의 형광을 내며, 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역 형광을 대부분 낼 수 있다. 또한 일반적인 유기형광화합물과 달리, 발광파장(excitation wavelength)을 임의로 선택해도 형광을 얻을 수 있으므로, 여러 가지 양자점이 공존할 때 하나의 파장으로 발광시킬 경우 여러 가지 색의 형광을 한꺼번에 관찰할 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 양자점(100)은 코어(110), 코어(110)에 결합된 유기결합체(130) 및 코어(110)와 유기결합체(130)를 둘러싸는 보호막(140)을 포함한다.
코어(core)는 주기율표상의 Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족으로 구성되는 반도체 특성의 나노결정(nanocrystal)으로 형성되며, 조성 및 크기에 따라 특정 밴드갭(bandgap)을 가져 빛을 흡수하여 고유의 파장으로 방출하게 된다. 예를 들어, 코어는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaP, GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb 등의 화합물 또는 상기 원소들을 이용한 3~4종의 화합물을 사용한다.
그리고, 유기결합체(130)는 상기 양자점들(100) 간의 응집을 방지하고, 차징(charging) 특성을 부여하는 유기층으로 코어(110)의 표면과 결합되고, 지용성(hydophobic), 수용성(hydrophilic), 불소계(fluoride), 실리콘계(silicon) 유기결합체 중 어느 하나 또는 둘 이상으로 이루어진다.
상기 보호막(140)은 코어(110)의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 패시베이션막(passivation layer)의 역할과, 양자점에 전기영동(electrophoresis) 특성을 부여하기 위한 챠징막(charging layer)의 역할을 한다. 보호막(140)은 코어(110)의 성분과 절연 특성을 가지는 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, Mn3O4,CoO, Co3O4, NiO, MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4 중 어느 하나 또는 둘 이상의 산소를 포함한 금속화합물(metal compound)을 사용한다.
그리고, 보호막(140)은 상술한 바와 같이 단층 혹은 다중층으로 이루어질 수도 있고, 코어와 보호막 간의 다른 성분 구성으로 인한 래티스 미스매치(lattice mismatch)효과를 최소화하기 위해 코어의 성분과 보호막 간의 성분들이 점진적인 농도로 형성되도록 구성한다. 또한, 보호막(140)은 10 내지 200nm의 두께(t1)로 이루어져 코어(110)를 보호하고 빛의 산란을 최적화한다. 또한, 상기 본 발명의 양자점(100)은 코어(110)의 중심으로부터 보호막(140)의 외부 표면까지 거리(d1)는 20 내지 210nm로 이루어진다.
한편, 도 2를 참조하면, 전술한 본 발명의 제1 실시예에 따른 양자점은 유기금속화학증착(MOCVD), 분자선 에피택시(MBE) 또는 화학적습식방법 등을 통해 제조할 수 있다. 하기에서는 화학적 습식 방법을 예로 설명한다.
먼저, 용매에 코어를 이루고자 하는 전구체를 투입하여 코어를 형성한다. 이때, 용매는 알킬 포스핀(alkyl phosphine), 알킬 포스핀 옥사이드(alkyl phosphine oxide), 및 알킬 아민(alkyl amine)을 포함하며, 1-티오글리세롤, 다이글리세롤, 티오글리코익 에시드, 엘-사이스 타임 등이 사용될 수 있으며, 상기 용매는 단독으로 또는 두 가지 이상의 조합으로 사용할 수 있다. 그리고, 코어를 형성하는 전구체는 전술한 금속 화합물로 금속 전구체(metal precursor)를 사용하여 열 분해시키는 방법을 사용할 수 있다.
그리고, 원하는 코어가 형성되면, 코어의 결정 성장을 멈추도록 하고, 원심분리를 통하여 용매로부터 코어를 분리해 낸다. 코어는 반응 조건에 따라 여러 가지 형태를 얻을 수 있는데, 구형(sphere), 봉형(rod), 스타모양(star shape) 등을 얻을 수 있다. 그리고, 코어를 유기결합체 용매에 넣어 코어의 표면을 유기결합체로 치환한다.
이어, 유기결합체가 치환되어 결합된 코어를 용매에 넣고, 보호막을 이루고자 하는 전구체에 투입하여 보호막을 형성한다. 이때, 상기 전구체는 전술한 금속 산화물 전구체를 사용하며, 원하는 두께의 보호막이 형성될때까지 성장시켜 본 발명의 제1 실시예에 따른 양자점을 제조한다.
상기와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 양자점은 코어 및 유기결합체를 모두 둘러싸는 보호막을 형성함으로써, 외부의 수분 및 산소로부터 안정성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 양자점을 나타낸 도면이고, 도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 양자점의 제조방법을 나타낸 도면이다. 하기에서는 전술한 제1 실시예와 동일한 구성에 대해서는 그 설명을 간략히 하기로 한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 양자점(200)은 코어(210), 코어(210)를 둘러싸는 쉘(220), 쉘(220)에 결합된 유기결합체(230) 및 코어(210), 쉘(220) 및 유기결합체(230)를 둘러싸는 보호막(240)을 포함한다. 코어(210), 유기결합체(230) 및 보호막(240)의 구성은 전술한 제1 실시예와 동일하다.
상기 쉘(220)은 양자점에 전기영동(electrophoresis) 특성을 부여하기 위한 챠징막(charging layer)의 역할을 한다. 쉘(220)은 코어(210)의 성분과 절연 특성을 가지는 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, Mn3O4,CoO, Co3O4, NiO, MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4 중 어느 하나 또는 둘 이상의 무기화합물(inorganic compound)을 사용한다.
전술한 제1 실시예와는 달리, 상기 유기결합체(230)는 상기 쉘(220)의 표면에 치환되어 결합되고, 이러한 코어(210), 쉘(220) 및 유기결합체(230)를 모두 둘러싸는 보호막(240)이 형성된다.
여기서, 보호막(240)은 10 내지 200nm의 두께(t2)로 이루어져 코어(210)를 보호하고 빛의 산란을 최적화한다. 여기서, 상기 본 발명의 양자점(200)은 코어(210)의 중심으로부터 보호막(240)의 외부 표면까지 거리(d2)는 20 내지 210nm로 이루어지며, 바람직하게는 20 내지 100nm일 수 있다.
한편, 도 4를 참조하면, 전술한 본 발명의 제2 실시예에 따른 양자점은 유기금속화학증착(MOCVD), 분자선 에피택시(MBE) 또는 화학적습식방법 등을 통해 제조할 수 있다. 하기에서는 화학적 습식 방법을 예로 설명한다.
먼저, 용매에 코어를 이루고자 하는 전구체를 투입하여 코어를 형성한다. 이때, 용매는 알킬 포스핀(alkyl phosphine), 알킬 포스핀 옥사이드(alkyl phosphine oxide), 및 알킬 아민(alkyl amine)을 포함하며, 1-티오글리세롤, 다이글리세롤, 티오글리코익 에시드, 엘-사이스 타임 등이 사용될 수 있으며, 상기 용매는 단독으로 또는 두 가지 이상의 조합으로 사용할 수 있다. 그리고, 코어를 형성하는 전구체는 전술한 금속 화합물로 금속 전구체(metal precursor)를 사용하여 열 분해시키는 방법을 사용할 수 있다.
그리고, 원하는 코어가 형성되면, 코어의 결정 성장을 멈추도록 하고, 원심분리를 통하여 용매로부터 코어를 분리해 낸다. 코어는 반응 조건에 따라 여러 가지 형태를 얻을 수 있는데, 구형(sphere), 봉형(rod), 스타모양(star shape) 등을 얻을 수 있다.
그리고, 코어를 쉘을 이루고자 하는 전구체에 투입하여 쉘을 형성한다. 이때, 상기 전구체는 전술한 무기 화합물 전구체를 사용하며, 원하는 두께의 쉘이 형성될때까지 성장시킨다. 다음, 쉘이 형성된 코어를 유기결합체 용매에 넣어 쉘의 표면을 유기결합체로 치환한다.
이어, 유기결합체가 치환되어 결합된 쉘 및 코어를 용매에 넣고, 보호막을 이루고자 하는 전구체에 투입하여 보호막을 형성한다. 이때, 상기 전구체는 전술한 금속 산화물 전구체를 사용하며, 원하는 두께의 보호막이 형성될때까지 성장시켜 본 발명의 제2 실시예에 따른 양자점을 제조한다.
본 발명의 제2 실시예에서는 보호막(240)이 코어(210), 쉘(220) 및 유기결합체(230)를 모두 둘러쌈으로써, 외부의 수분 및 산소로부터 양자점(200)의 안정성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
전술한 본 발명의 실시예들에 따른 양자점은 금속 산화물 보호막을 형성함으로써, 양자점을 산소로부터 보호하고, 유기결합체로 인한 용매의 분산 능력을 확보함으로써, 안정성, 색재현율, 발광효율이 우수한 액정표시장치, LED 조명, 양자점 디스플레이 등 다양한 분야에 응용이 가능하다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (16)

  1. 코어;
    상기 코어에 결합된 유기결합체; 및
    상기 유기결합체를 둘러싸는 보호막을 포함하는 양자점.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 보호막은 상기 코어 및 상기 유기결합체를 모두 둘러싸는 양자점.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 코어는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaP, GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb 중 어느 하나 또는 둘 이상으로 이루어진 양자점.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 보호막은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, Mn3O4,CoO, Co3O4, NiO, MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4 중 어느 하나 또는 둘 이상으로 이루어진 양자점.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 보호막은 10 내지 200nm의 두께로 이루어진 양자점.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 유기결합체는 지용성(hydophobic), 수용성(hydrophilic), 불소계(fluoride), 실리콘계(silicon) 유기결합체 중 어느 하나 또는 둘 이상으로 이루어진 양자점.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 코어 중심으로부터 상기 보호막의 외부 표면까지의 거리는 20 내지 210nm인 양자점.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 코어 중심으로부터 상기 보호막의 외부 표면까지의 거리는 20 내지 100nm인 양자점.
  9. 코어;
    상기 코어를 둘러싸는 쉘;
    상기 쉘에 결합된 유기결합체; 및
    상기 유기결합체를 둘러싸는 보호막을 포함하는 양자점.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 보호막은 상기 코어, 상기 쉘 및 상기 유기결합체를 모두 둘러싸는 양자점.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 코어 중심으로부터 상기 보호막의 외부 표면까지의 거리는 20 내지 210nm인 양자점.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 코어 중심으로부터 상기 보호막의 외부 표면까지의 거리는 20 내지 100nm인 양자점.
  13. 제9 항에 있어서,
    상기 코어는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaP, GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb 중 어느 하나 또는 둘 이상으로 이루어진 양자점.
  14. 제9 항에 있어서,
    상기 보호막은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, Mn3O4,CoO, Co3O4, NiO, MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4 중 어느 하나 또는 둘 이상으로 이루어진 양자점.
  15. 제9 항에 있어서,
    상기 보호막은 10 내지 200nm의 두께로 이루어진 양자점.
  16. 제9 항에 있어서,
    상기 유기결합체는 지용성(hydophobic), 수용성(hydrophilic), 불소계(fluoride), 실리콘계(silicon) 유기결합체 중 어느 하나 또는 둘 이상으로 이루어진 양자점.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9761822B2 (en) 2015-12-24 2017-09-12 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting diode and display device including the same
US9834724B2 (en) 2013-09-26 2017-12-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanocrystal particles and processes for synthesizing the same
US9902900B2 (en) 2014-03-14 2018-02-27 Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University Nanoparticle polymer and method of preparing a nanoparticle polymer
US10179876B2 (en) 2014-02-05 2019-01-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor nanocrystals and processes for synthesizing the same
US11746290B2 (en) 2013-09-26 2023-09-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanocrystal particles and processes for synthesizing the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9834724B2 (en) 2013-09-26 2017-12-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanocrystal particles and processes for synthesizing the same
US11746290B2 (en) 2013-09-26 2023-09-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanocrystal particles and processes for synthesizing the same
US10179876B2 (en) 2014-02-05 2019-01-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor nanocrystals and processes for synthesizing the same
US9902900B2 (en) 2014-03-14 2018-02-27 Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University Nanoparticle polymer and method of preparing a nanoparticle polymer
US9761822B2 (en) 2015-12-24 2017-09-12 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting diode and display device including the same

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