KR20120127070A - 그래핀 및 그 제조 방법과 이를 이용한 반도체 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

그래핀 및 그 제조 방법과 이를 이용한 반도체 소자 및 그 제조 방법 Download PDF

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이영국
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김창균
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Abstract

본 발명은, 합성 그래핀에 질소를 도핑하여 반도체 특성을 갖는 소자를 제작하는 데 적합한 그래핀 제조 방법과 이를 이용한 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 질소 플라즈마 처리를 통한 질소 도핑을 통해 그래핀의 구조적 변화를 생성함으로써 그래핀의 전기적 특성을 제어한다는 것으로, 본 발명은 이러한 기술적 수단을 통해 반도체 특성을 갖는 그래핀을 제조하거나 혹은 그래핀을 이용한 반도체 소자를 제조할 수 있는 것이다.

Description

그래핀 및 그 제조 방법과 이를 이용한 반도체 소자 및 그 제조 방법{GRAPHENE AND GRAPHENE MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 그래핀 및 그 제조 기법에 관한 것으로, 합성 그래핀에 질소를 도핑하여 반도체 특성을 갖는 소자를 제작하는 데 적합한 그래핀 및 그 제조 방법과 이를 이용한 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
잘 알려진 바와 같이, 그래핀은, 탄소 원자가 2차원의 격자 내로 채워진 평면 단일층 구조(탄소 나노 구조)를 갖는 것으로, 다른 소재에 비하여 상대적으로 뛰어난 전하 이동도, 낮은 면 저항 및 기계적 물성 그리고 열적, 화학적 안정성 등 다양한 고유 특성들을 가지고 있어, 최근 들어 그래핀의 물리적, 화학적, 기계적 고유 특성들을 이용한 많은 응용 관련 연구결과가 보고되고 있다.
특히, 그래핀의 전하 이동도는 실리콘에 비하여 100배 이상이고, 매우 뛰어난 전도체로서 구리보다 대략 100배 가량의 전류를 흐르게 할 수 있는 것으로 평가되고 있다.
그러나, 그래핀은 밴드 갭을 가지지 않는 물질로 알려져 있어, 도처에서 그래핀의 밴드 갭을 가지게 하는 연구가 활발히 진행되고 있으며, 또한 이러한 그래핀을 반도체 소자 등으로 직접 활용하기 위한 연구가 필요한 상황인데, 이를 위해서는 도핑을 통해 그래핀에서의 전기적 밴드를 변화시키는 시도가 필요한 실정이다.
그러나, 현재로서는 그래핀을 반도체 특성을 갖는 소자로 변환시키기 위한 직접적인 시도가 전혀 제시되고 있지 않은 실정인데, 이러한 점을 고려할 때 그래핀의 전기적 밴드를 변화시켜 반도체 특성을 갖도록 하는 기법이 절실한 실정이나, 현재로서는 이에 대한 어떠한 제안도 제시도 없는 실정이다.
본 발명은, 일 관점에 따라, 그래핀으로의 질소 도핑을 통한 구조적 변화를 이용하여 전기적 특성을 제어하는 그래핀 제조 방법을 제공한다.
본 발명은, 다른 관점에 따라, 질소 도핑을 통한 구조적 변화에 의거하여 전기적 특성이 제어되는 그래핀을 제공한다.
본 발명은, 또 다른 관점에 따라, 그래핀에 대한 선택적 영역의 질소 도핑을 통한 선택적인 구조적 변화를 이용하여 전기적 특성을 선택적 영역별로 제어하는 그래핀 제조 방법을 제공한다.
본 발명은, 또 다른 관점에 따라, 선택적 영역의 질소 도핑을 통한 선택적인 구조적 변화에 의거하여 전기적 특성이 선택적 영역별로 제어되는 그래핀을 제공한다.
본 발명은, 또 다른 관점에 따라, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 질소 도핑된 그래핀과, 전극층을 포함하는 반도체 소자를 제공한다.
본 발명은, 또 다른 관점에 따라, 기판을 준비하는 과정과, 상기 기판 상에 그래핀을 형성하는 과정과, 상기 그래핀에 질소를 도핑하여 구조적 변화를 생성하는 과정과, 상기 구조적 변화가 생성된 그래핀의 상부 일부에 전극층을 형성하는 과정을 포함하는 반도체 소자 제조 방법을 제공한다.
본 발명은, 질소 플라즈마 처리를 통한 질소 도핑을 통해 그래핀의 구조적 변화를 생성하는 방식으로 그래핀의 전기적 특성을 제어함으로써, 반도체 특성 및 다양한 전도도 특성을 갖는 그래핀을 제조하거나 혹은 그래핀을 이용한 반도체 소자를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따라 제조된 그래핀을 이용하여 제작한 반도체 소자의 단면도,
도 2는 합성된 그래핀에 질소 플라즈마 처리 전, 후의 변화를 라만분광법을 이용하여 확인한 그래프,
도 3은 질소 플라즈마 처리 전, 후의 질소 성분의 광전자분광 스펙트럼,
도 4는 본 발명에 따른 그래핀의 전기적 특성을 홀 측정을 이용하여 온도에 따른 저항변화를 측정한 그래프,
도 5는 본 발명에 따른 그래핀의 전기적 특성을 I-V를 측정하여 게이트 전압에 따른 그래핀 채널의 전도도를 측정한 그래프.
본 발명의 기술요지는, 질소 플라즈마 처리를 통한 질소 도핑을 통해 그래핀의 구조적 변화를 생성함으로써, 그래핀의 전기적 특성을 제어한다는 것으로, 본 발명은 이러한 기술적 수단을 통해 반도체 특성을 갖는 그래핀을 제조하거나 혹은 그래핀을 이용한 반도체 소자를 제조할 수 있다.
또한, 본 발명은 그래핀에 인가되는 질소 플라즈마의 파워와 인가 시간의 제어를 통해 다양한 특성(다양한 전도도 특성)을 갖는 질소 도핑된 그래핀 및 반도체 소자를 제조할 수 있는데, 이러한 반도체 소자로서는, 예컨대 그래핀 저항, 그래핀 도선, 그래핀 채널층, 메모리용 그래핀 전하 트랩층, 트랜지스터의 온/오프 스위치, 센서 소자, 방열 소자, 발열 소자 등이 될 수 있다.
아울러, 아래의 본 발명을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성 등에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들인 것으로, 이는 사용자, 운용자 등의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있음은 물론이다. 그러므로, 그 정의는 본 명세서의 전반에 걸쳐 기술되는 기술사상을 토대로 이루어져야 할 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명한다.
먼저, CVD(화학기상 증착법) 방법으로 합성하여 베이스(예컨대, 실리콘 기판 등)에 형성한 그래핀(합성 그래핀 또는 박리 그래핀)에 질소 플라즈마를 인가(질소 도핑)하여 반도체 특성을 갖는 그래핀(n-타입 그래핀)을 제조, 즉 그래핀의 구조적 변화(구조적 결함)를 유발시킴으로써 전기적 특성(전도도 특성)을 제어하는데, 원하는 만큼의 전기적 특성을 얻기 위해 질소 플라즈마의 파워(W), 질소 유량(sccm), 질소 플라즈마의 생성 압력(Pa), 질소 플라즈마와 그래핀의 접촉 시간인 플라즈마 인가시간(sec)을 고정밀하게 제어할 수 있다. 즉, 본 발명은 질소 플라즈마의 접촉(처리) 조건을 조절하여 원하는 전기적 특성을 갖는 그래핀 또는 그래핀을 이용한 반도체 소자를 제작할 수 있다.
여기에서, 질소 도핑(질소 플라즈마 접촉)은 그래핀의 일정 부분(특정 패턴 부분)에 대한 선택적인 질소 도핑을 포함할 수 있는데, 이러한 선택적인 질소 도핑은 반도체 기술 분야에서 널리 알려진 감광막 마스크 패턴을 이용하는 방식으로 진행될 수 있다. 즉, 구조적 변화를 원하는 선택적 영역의 그래핀 상부만을 선택적으로 노출시키는 선택적 영역(또는 선택적 패턴)을 정의하는 감광막 마스크 패턴을 그래핀 상부에 형성한 후 질소 플라즈마를 접촉시키고, 이후에 감광막 마스크 패턴을 스트리핑하는 기법 등을 통해 그래핀에 대한 선택적 영역의 구조적 변화를 생성할 수 있다.
그리고, 그래핀의 전기적 특성을 전도도로 제어할 수 있는 질소 도핑된 그래핀은 단층 그래핀 또는 다층 그래핀일 수 있는데, 이러한 그래핀에서의 구조적 변화는 라만 분광법에서 1300 내지 1400(㎝-1) 위치에 피크(peak)를 형성하는 특징을 가지며, 그래핀에 생성된 구조적 변화의 양이 증가할수록 피크의 강도가 증가하는 특징을 갖는다.
또한, 본 발명에 따른 그래핀의 구조적 변화는, 질소 플라즈마 접촉 뿐만 아니라, 그래핀의 가열, 그래핀과 화학적으로 반응하는 가스와의 접촉, 자외선을 포함하는 광 조사, 초음파의 인가 중 어느 하나를 통해 생성할 수도 있음은 물론이다. 여기에서, 그래핀의 가열은 일정 영역(특정 패턴 부분)에 대한 선택적인 가열을 포함할 수 있고, 가스와의 접촉은 일정 영역(특정 패턴 부분)에 대한 선택적인 접촉을 포함할 수 있으며, 광 조사는 일정 영역(특정 패턴 부분)에 대한 선택적인 광 조사를 포함할 수 있고, 초음파 인가는 일정 부분(특정 패턴 부분)에 대한 선택적인 초음파 인가를 포함할 수 있다. 이때, 일정 영역은, 예컨대 감광막 마스크 패턴을 이용하여 정의될 수 있다.
즉, 본 발명은 질소 도핑을 통한 구조적 변화에 의거하여 전기적 특성이 제어되는 그래핀을 제공하거나 혹은 선택적 영역의 질소 도핑을 통한 선택적인 구조적 변화에 의거하여 전기적 특성이 선택적 영역별로 제어되는 그래핀을 제공할 수 있으며, 이러한 그래핀은 그래핀 저항, 그래핀 도선, 그래핀 채널층, 메모리용 그래핀 전하 트랩층, 트랜지스터의 온/오프 스위치, 센서 소자, 방열 소자, 발열 소자 등으로 이용될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따라 제조된 그래핀을 이용하여 제작한 반도체 소자의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(102), 예컨대 도핑 농도가 상대적으로 높은 p형 불순물이 도핑된 300㎚의 SiO2 기판을 준비하고, CVD 방법으로 합성한 그래핀(104)을 기판(102) 상에 형성하는데, 이러한 그래핀(104)은 필요 또는 용도에 따라 단층 그래핀 또는 다층 그래핀으로 형성될 수 있다. 여기에서, 그래핀은 CVD에 의한 합성 그래핀 또는 박리 그래핀일 수 있다.
다음에, 질소 플라즈마 챔버에서의 플라즈마 처리(접촉)를 실시함으로써, 질소 도핑에 의한 그래핀에서의 구조적 변화(구조적 결함)를 생성할 수 있는데, 이러한 구조적 변화는 그래핀의 전기적 특성을 전도도로 제어하는 변화를 의미한다.
여기에서, 구조적 변화에 의한 그래핀의 전도도는 질소 플라즈마의 파워(W), 질소 유량(sccm), 질소 플라즈마의 생성 압력(Pa), 질소 플라즈마와 그래핀의 접촉 시간인 플라즈마 인가시간(sec) 등에 의해 결정될 수 있다.
이때, 그래핀에서의 구조적 변화는, 질소 플라즈마 접촉 뿐만 아니라, 그래핀의 가열, 그래핀과 화학적으로 반응하는 가스와의 접촉, 자외선을 포함하는 광 조사, 초음파의 인가 중 어느 하나를 통해 생성할 수도 있다.
이후, 증착 공정, 예컨대 스퍼터링 등과 같은 증착 공정을 실시함으로써, 질소 도핑된 그래핀(104)의 상부에 임의의 패턴을 갖는 수십 내지 수백 나노 두께의 전극층(106)을 형성하는데, 이러한 전극층(106)은, 예컨대 Au/Ti으로 된 복합 전극층으로 형성될 수 있으며, 이를 통해 기판(102), 질소 도핑된 그래핀(104) 및 전극층(106)으로 된 반도체 소자를 제작할 수 있다. 여기에서, 질소 도핑된 그래핀을 이용하여 제작한 반도체 소자는, 예컨대 그래핀 저항, 그래핀 도선, 그래핀 채널층, 메모리용 그래핀 전하 트랩층, 트랜지스터의 온/오프 스위치, 방열 소자, 발열 소자 중 어느 하나일 수 있다.
[실험 예1]
본 발명의 발명자는 고농도의 p형 불순물이 도핑된 300㎚의 SiO2 기판 상부에 단일층 그래핀(그래핀의 두께 0.33 nm)을 위치시킨 후 플라즈마 파워 100W, 질소 유량 0.250 SLM, 아르곤 50 sccm, 210 mTorr의 압력 조건(플라즈마 공정 조건)에서 질소 플라즈마를 생성하여 그래핀과 질소 플라즈마를 접촉시키고, 이후 스퍼터링 장비를 이용한 스퍼터링 공정을 실시하여 그래핀의 상부에 100/30㎚ 두께의 Au/Ti로 전극을 형성한 후 도핑 및 전기적 특성을 측정하는 실험을 실시하였다. 여기에서, 얻어진 질소 도핑된 그래핀의 질소 함량은 1.4%였다.
즉, 100W의 플라즈마 파워 조건으로 실시 한 본 실험에 관련하여, 라만 분광법으로 얻은 라만 스펙트럼은 도 2에 도시된 바와 같고, 광전자 분광법으로 질소 원소의 유무와 함량을 알 수 있었으며 그 결과는 도 3에 도시된 바와 같으며, 홀 측정을 이용하여 온도에 따른 저항변화를 측정한 결과는 도 4에 도시된 바와 같고, I-V를 측정하여 게이트 전압에 따른 그래핀 채널의 전도도를 측정한 결과는 도 5에 도시된 바와 같다.
[실험 예2]
본 발명의 발명자는 고농도의 p형 불순물이 도핑된 300㎚의 SiO2 기판 상부에 단일층 그래핀(그래핀의 두께 0.33 nm)을 위치시킨 후 플라즈마 파워 70W, 질소 유량 0.250 SLM, 아르곤 50 sccm, 210 mTorr의 압력 조건(플라즈마 공정 조건)에서 질소 플라즈마를 생성하여 그래핀과 질소 플라즈마를 접촉시키고, 이후 스퍼터링 장비를 이용한 스퍼터링 공정을 실시하여 그래핀의 상부에 100/30㎚ 두께의 Au/Ti로 전극을 형성한 후 도핑 및 전기적 특성을 측정하는 실험을 실시하였다. 여기에서, 얻어진 질소 도핑된 그래핀의 질소 함량은 0.99%였다.
즉, 70W의 플라즈마 파워 조건으로 실시 한 본 실험에 관련하여, 라만 분광법으로 얻은 라만 스펙트럼은 도 2에 도시된 바와 같고, 광전자 분광법으로 질소 원소의 유무와 함량을 알 수 있었으며 그 결과는 도 3에 도시된 바와 같으며, 홀 측정을 이용하여 온도에 따른 저항변화를 측정한 결과는 도 4에 도시된 바와 같고, I-V를 측정하여 게이트 전압에 따른 그래핀 채널의 전도도를 측정한 결과는 도 5에 도시된 바와 같다.
즉, 본 발명의 발명자는, 도 2에 도시된 바와 같이, 라만 분광법으로 확인한 결과 질소 플라즈마의 파워에 따라 순수 그래핀(PG : pristine graphene)에 비해 질소 플라즈마 처리된 그래핀의 인텐시티(Intensity)가 증가함을 알 수 있었고, 도 3에 도시된 바와 같이, 광전자 분광법으로 확인한 결과 질소 플라즈마의 파워에 따라 SiO2 웨이퍼와 순수 그래핀에 비해 질소 플라즈마 처리된 그래핀의 인텐시티가 증가함을 알 수 있었으며, 도 4에 도시된 바와 같이, 홀 측정으로 확인한 결과 질소 플라즈마의 파워와 온도 변화에 따라 순수 그래핀에 비해 질소 플라즈마 처리된 그래핀의 저항값이 변화함을 알 수 있었고, 도 5에 도시된 바와 같이, I-V의 측정으로 확인한 결과 질소 플라즈마의 파워에 따라 순수 그래핀에 비해 질소 플라즈마 처리된 그래핀 채널의 전도도가 변화함을 알 수 있었다.
이상의 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 제시하여 설명하였으나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함을 쉽게 알 수 있을 것이다.
102 : 기판
104 : 그래핀
106 : 전극층

Claims (30)

  1. 그래핀으로의 질소 도핑을 통한 구조적 변화를 이용하여 전기적 특성을 제어하는 그래핀 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 질소 도핑은,
    질소 플라즈마 처리를 통해 수행되는
    그래핀 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 구조적 변화는,
    상기 그래핀의 전기적 특성을 전도도로 제어하는
    그래핀 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 전도도는,
    상기 질소 플라즈마의 파워(W), 질소 유량(sccm), 상기 질소 플라즈마의 생성 압력(Pa), 상기 질소 플라즈마와 그래핀의 접촉 시간인 플라즈마 인가시간(sec)에 의해 제어되는
    그래핀 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 구조적 변화는,
    상기 그래핀의 가열, 상기 그래핀과 화학적으로 반응하는 가스와의 접촉, 자외선을 포함하는 광 조사, 초음파의 인가 중 어느 하나를 통해 생성되는
    그래핀 제조 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구조적 변화는,
    라만 분광법에서 1300 내지 1400(㎝-1) 위치에 피크(peak)를 형성하는
    그래핀 제조 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 그래핀은,
    CVD를 통해 합성한 그래핀 또는 박리 그래핀인
    그래핀 제조 방법.
  8. 질소 도핑을 통한 구조적 변화에 의거하여 전기적 특성이 제어되는 그래핀.
  9. 그래핀에 대한 선택적 영역의 질소 도핑을 통한 선택적인 구조적 변화를 이용하여 전기적 특성을 선택적 영역별로 제어하는 그래핀 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 선택적 영역은,
    감광막 마스크 패턴에 의해 정의되는
    그래핀 제조 방법.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 선택적 영역의 질소 도핑은,
    질소 플라즈마 처리를 통해 수행되는
    그래핀 제조 방법.
  12. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 선택적인 구조적 변화는,
    상기 그래핀의 전기적 특성을 전도도로 제어하는
    그래핀 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 전도도는,
    상기 질소 플라즈마의 파워(W), 질소 유량(sccm), 상기 질소 플라즈마의 생성 압력(Pa), 상기 질소 플라즈마와 그래핀의 접촉 시간인 플라즈마 인가시간(sec)에 의해 제어되는
    그래핀 제조 방법.
  14. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 선택적인 구조적 변화는,
    상기 그래핀의 가열, 상기 그래핀과 화학적으로 반응하는 가스와의 접촉, 자외선을 포함하는 광 조사, 초음파의 인가 중 어느 하나를 통해 생성되는
    그래핀 제조 방법.
  15. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 구조적 변화는,
    라만 분광법에서 1300 내지 1400(㎝-1) 위치에 피크(peak)를 형성하는
    그래핀 제조 방법.
  16. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 그래핀은,
    CVD를 통해 합성한 그래핀 또는 박리 그래핀인
    그래핀 제조 방법.
  17. 선택적 영역의 질소 도핑을 통한 선택적인 구조적 변화에 의거하여 전기적 특성이 선택적 영역별로 제어되는 그래핀.
  18. 기판과,
    상기 기판 상에 형성된 질소 도핑된 그래핀과,
    전극층
    을 포함하는 반도체 소자.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 질소 도핑은,
    질소 플라즈마 처리를 통해 수행되는
    반도체 소자.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 전극층은,
    Au/Ti의 복합 전극층인
    반도체 소자.
  21. 제 18 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 소자는,
    그래핀 저항, 그래핀 도선, 그래핀 채널층, 메모리용 그래핀 전하 트랩층, 트랜지스터의 온/오프 스위치, 센서 소자, 방열 소자, 발열 소자 중 어느 하나인
    반도체 소자.
  22. 기판을 준비하는 과정과,
    상기 기판 상에 그래핀을 형성하는 과정과,
    상기 그래핀에 질소를 도핑하여 구조적 변화를 생성하는 과정과,
    상기 구조적 변화가 생성된 그래핀의 상부 일부에 전극층을 형성하는 과정
    을 포함하는 반도체 소자 제조 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 질소의 도핑은,
    질소 플라즈마 처리를 통해 수행되는
    반도체 소자 제조 방법.
  24. 제 22 항에 있어서,
    상기 구조적 변화는,
    상기 그래핀의 전기적 특성을 전도도로 제어하는
    반도체 소자 제조 방법.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 전도도는,
    상기 질소 플라즈마의 파워(W), 질소 유량(sccm), 상기 질소 플라즈마의 생성 압력(Pa), 상기 질소 플라즈마와 그래핀의 접촉 시간인 플라즈마 인가시간(sec)에 의해 제어되는
    반도체 소자 제조 방법.
  26. 제 22 항에 있어서,
    상기 구조적 변화는,
    상기 그래핀의 가열, 상기 그래핀과 화학적으로 반응하는 가스와의 접촉, 자외선을 포함하는 광 조사, 초음파의 인가 중 어느 하나를 통해 생성되는
    반도체 소자 제조 방법.
  27. 제 22 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구조적 변화는,
    라만 분광법에서 1300 내지 1400(㎝-1) 위치에 피크(peak)를 형성하는
    반도체 소자 제조 방법.
  28. 제 22 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 그래핀은,
    CVD를 통해 합성한 그래핀 또는 박리 그래핀인
    반도체 소자 제조 방법.
  29. 제 22 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전극층은,
    Au/Ti의 복합 전극층인
    반도체 소자 제조 방법.
  30. 제 22 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 소자는,
    그래핀 저항, 그래핀 도선, 그래핀 채널층, 메모리용 그래핀 전하 트랩층, 트랜지스터의 온/오프 스위치, 센서 소자, 방열 소자, 발열 소자 중 어느 하나인
    반도체 소자 제조 방법.
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