KR20120123888A - backlight unit and display apparatus using the same - Google Patents
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Abstract
Description
실시예는 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a backlight unit and a display device using the same.
일반적으로, 대표적인 대형 디스플레이 장치로는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 등이 있다.Typically, typical large-sized display devices include a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and the like.
자발광 방식의 PDP와는 다르게 LCD는 자체적인 발광소자의 부재로 인해 별도의 백라이트 유닛이 필수적이다.Unlike the self-luminous PDP, an LCD requires a separate backlight unit due to the absence of its own light emitting device.
LCD에 사용되는 백라이트 유닛은 광원의 위치에 따라 엣지(edge) 방식의 백라이트 유닛과 직하 방식의 백라이트 유닛으로 구분되는데, 엣지 방식은 LCD 패널의 좌우 측면 또는 상하 측면에 광원을 배치하고 도광판을 이용하여 빛을 전면에 고르게 분산시키므로 빛의 균일성이 좋고 패널 두께의 초박형화가 가능하다.The backlight unit used in LCD is classified into an edge type backlight unit and a direct type backlight unit according to the position of the light source. In the edge type, the light source is disposed on the left and right sides or the top and bottom sides of the LCD panel and the light guide plate is used. Since the light is evenly distributed on the front surface, the light is uniform and the panel thickness can be made ultra thin.
직하 방식은 보통 20인치 이상의 디스플레이에 사용되는 기술로써, 패널 하부에 광원을 복수 개로 배치하므로 엣지 방식에 비해 광효율이 우수한 장점이 있어 고휘도를 요구하는 대형 디스플레이에 주로 사용된다.The direct-type method is generally used for a display of 20 inches or more, and since the light source is arranged at a lower portion of the panel, the light efficiency is higher than that of the edge method. Thus, it is mainly used for a large display requiring high brightness.
기존 엣지 방식이나 직하 방식의 백라이트 유닛의 광원으로는 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)를 이용하였다.CCFL (Cold Cathode Fluorescent Lamp) was used as the light source of the existing edge type or direct type backlight unit.
그러나, CCFL을 이용한 백라이트 유닛은 항상 CCFL에 전원이 인가되므로 상당량의 전력이 소모되며, CRT에 비해 약 70% 수준의 색 재현율, 수은이 첨가됨에 따른 환경 오염 문제들이 단점으로 지적되고 있다.However, since the CCFL-based backlight unit is always powered by the CCFL, a considerable amount of power is consumed, and the problems of environmental pollution due to the addition of about 70% color reproduction rate and mercury are pointed out as disadvantages.
상기 문제점을 해소하기 위한 대체품으로 현재 LED(Light Emitting diode)를 이용한 백라이트 유닛에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.As a substitute for solving the above problems, research on a backlight unit using an LED (Light Emitting Diode) has been actively conducted.
LED를 백라이트 유닛으로 사용하는 경우, LED 어레이의 부분적인 온/오프가 가능하여 소모전력을 획기적으로 줄일 수 있으며, RGB LED의 경우, NTSC (National Television System Committee) 색 재현 범위 사양의 100%를 상회하여 보다 생생한 화질을 소비자에게 제공할 수 있다.When the LED is used as a backlight unit, the LED array can be partially turned on and off, which can drastically reduce the power consumption. For the RGB LED, it exceeds 100% of the NTSC (National Television System Committee) color reproduction range specification. To provide consumers with more vivid picture quality.
또한, 반도체 공정으로 제작되는 LED는 환경에 무해한 것이 특징이다.In addition, the LED produced by the semiconductor process is characterized by harmless to the environment.
현재 상기와 같은 장점을 가진 LED를 채용한 LCD제품들이 속속들이 출시되고 있으나, 기존 CCFL 광원과 구동 메커니즘이 상이하므로, 구동 드라이버, PCB 기판 등이 고가이다.LCD products employing LEDs with the above advantages are being released one after another. However, since the driving mechanism is different from the existing CCFL light source, driving drivers and PCB substrates are expensive.
따라서, LED 백라이트 유닛은 아직 고가의 LCD 제품에만 적용되고 있다.Therefore, the LED backlight unit is still applied only to expensive LCD products.
실시예는 정반사 영역과 난반사 영역을 갖는 리플렉터를 이용하여, 에어 가이드(air guide)를 갖는 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치를 제공하고자 한다.Embodiments provide a backlight unit having an air guide and a display device using the reflector having a specular reflection area and a diffuse reflection area.
실시예는 제 1 리플렉터(reflector)와, 제 2 리플렉터와, 제 1, 제 2 리플렉터 사이에 배치되는 적어도 하나의 광원(light source)을 포함하고, 제 2 리플렉터는 정반사영역(specular reflection area)과 난반사영역(scattered reflection area)을 포함하고, 정반사영역은 제 2 리플렉터의 전체 영역 중 5 - 50%를 차지하며, 정반사영역은 제 1 리플렉터와 중첩될 수 있다.An embodiment includes a first reflector, a second reflector, and at least one light source disposed between the first and second reflectors, the second reflector being a specular reflection area and It includes a scattered reflection area, the specular reflection area occupies 5-50% of the total area of the second reflector, the specular reflection area may overlap the first reflector.
여기서, 제 2 리플렉터는 적어도 하나의 경사면(inclined surface)과 적어도 하나의 평면(flat surface)을 포함하고, 제 2 리플렉터의 평면은 제 1 리플렉터와 평행한 면일 수 있다.Here, the second reflector may include at least one inclined surface and at least one flat surface, and the plane of the second reflector may be a surface parallel to the first reflector.
그리고, 제 2 리플렉터는 적어도 하나의 변곡점을 갖는 적어도 2개 경사면을 포함하고, 변곡점을 중심으로 인접하는 제 1, 제 2 경사면의 곡률은 서로 다를 수 있다.The second reflector may include at least two inclined surfaces having at least one inflection point, and the curvatures of the first and second inclined surfaces adjacent to the inflection point may be different from each other.
한편, 제 2 리플렉터의 정반사영역은 광원으로부터 멀어질수록 면적 비율이 줄어들 수 있다.Meanwhile, as the specular reflection area of the second reflector moves away from the light source, the area ratio may decrease.
또한, 광원에 인접한 제 2 리플렉터의 정반사영역은 광원으로부터 멀리 떨어진 제 2 리플렉터의 정반사영역보다 면적이 더 클 수 있다.Also, the specular reflection area of the second reflector adjacent to the light source may be larger in area than the specular reflection area of the second reflector away from the light source.
여기서, 제 2 리플렉터의 정반사영역은 제 2 리플렉터의 전체 영역 중 20 - 30%를 차지할 수 있으며, 제 2 리플렉터의 정반사영역과 난반사영역의 면적 비율은 1 : 1 - 20일 수 있다.Here, the specular reflection area of the second reflector may occupy 20-30% of the entire area of the second reflector, and the ratio of the area of the specular reflection area and the diffuse reflection area of the second reflector may be 1: 1-20.
그리고, 제 2 리플렉터는 정반사영역과 난반사영역을 포함하는 단일층(single layer)일 수 있으며, 단일층은 동일한 평면 상에 배열되는 정반사층과 난반사층으로 구성되고, 정반사층과 난반사층은 서로 동일한 두께를 가질 수 있다.The second reflector may be a single layer including a specular reflection area and a diffuse reflection area. The single layer may include a specular reflection layer and a diffuse reflection layer arranged on the same plane, and the specular reflection layer and the diffuse reflection layer may be the same. It may have a thickness.
이어, 단일층은 동일한 평면 상에 배열되는 정반사층과 난반사층으로 구성되고, 정반사층과 난반사층은 일부분이 서로 중첩되고, 난반사층과 중첩된 정반사층의 두께는 난반사층과 중첩되지 않는 정반사층의 두께보다 더 얇을 수 있다.Subsequently, the single layer is composed of a specular reflection layer and a diffuse reflection layer arranged on the same plane, the specular reflection layer and the diffuse reflection layer partially overlap each other, and the thickness of the specular reflection layer overlapping the diffuse reflection layer does not overlap with the diffuse reflection layer. It may be thinner than its thickness.
여기서, 정반사층과 난반사층의 중첩영역은 난반사층 위에 정반사층이 형성되고, 난반사층의 일부가 노출되도록 정반사층에 적어도 하나의 홀(hole)이 형성될 수 있으며, 난반사층과 중첩된 정반사층의 두께는 광원으로부터 멀어질수록 얇아질 수 있다.Here, in the overlapping region of the specular reflection layer and the diffuse reflection layer, a specular reflection layer may be formed on the diffuse reflection layer, and at least one hole may be formed in the specular reflection layer to expose a part of the diffuse reflection layer, and the specular reflection layer overlapping the diffuse reflection layer The thickness of may become thinner away from the light source.
그리고, 제 2 리플렉터는 난반사층과, 난반사층의 일부분이 노출되도록 난반사층 위에 형성되는 정반사층을 포함하는 이중층(double layer)으로 이루어질 수도 있다.The second reflector may include a double layer including a diffuse reflection layer and a specular reflection layer formed on the diffuse reflection layer to expose a portion of the diffuse reflection layer.
여기서, 난반사층 위에 형성되는 정반사층은 난반사층의 일부가 노출되도록 다수의 홀(hole)들이 형성될 수 있고, 정반사층에 형성되는 홀은 광원으로부터 멀어질수록 홀의 개수가 증가할 수도 있다.Here, in the specular reflection layer formed on the diffuse reflection layer, a plurality of holes may be formed to expose a part of the diffuse reflection layer, and the number of holes may increase as the hole formed in the specular reflection layer moves away from the light source.
이어, 정반사층은 광원에 인접한 제 1 영역과 광원으로부터 멀리 떨어진 제 2 영역을 포함하고, 제 2 영역은 상기 제 1 영역보다 면적이 더 작을 수 있다.Subsequently, the specular reflection layer may include a first area adjacent to the light source and a second area away from the light source, and the second area may have a smaller area than the first area.
여기서, 제 2 영역의 평면 형상은 반구형, 삼각형, 사각형, 다각형 중 적어도 어느 하나일 수 있고, 정반사층의 제 2 영역은 정반사층의 제 1 영역으로부터 5 - 200mm 거리만큼 연장될 수 있다.Here, the planar shape of the second region may be at least one of hemispherical, triangular, rectangular, and polygonal, and the second region of the specular reflection layer may extend by a distance of 5 to 200 mm from the first region of the specular reflection layer.
또한, 정반사층의 제 2 영역은 광원으로부터 멀어질수록 두께가 감소하거나, 또는 광원으로부터 멀어질수록 두께가 일정하다가 감소할 수 있다.In addition, the second region of the specular reflection layer may decrease in thickness as it moves away from the light source, or may decrease in thickness as it moves away from the light source.
실시예들은 정반사영역(specular reflection area)과 난반사영역(scattered reflection area)을 갖도록 에어 가이드용 리플렉터를 형성함으로써, 무게가 가볍고, 제작단가가 저렴하며, 균일한 휘도를 제공할 수 있다.Embodiments can form a reflector for an air guide to have a specular reflection area and a scattered reflection area, thereby providing light weight, low manufacturing cost, and uniform luminance.
따라서, 백라이트 유닛의 경제성 및 신뢰성이 향상될 수 있다.Therefore, the economics and reliability of the backlight unit can be improved.
도 1a 및 도 1b는 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 도면
도 2a 및 도 2b는 제 2 리플렉터의 정반사영역에 중첩되는 제 1 리플렉터를 보여주는 도면
도 3a 내지 도 3c는 경사면과 평면을 포함하는 제 2 리플렉터를 보여주는 도면
도 4a 내지 도 4c는 다수의 경사면을 포함하는 제 2 리플렉터를 보여주는 도면
도 5는 제 1 실시예에 따른 단일층 구조의 제 2 리플렉터를 보여주는 단면도
도 6a 내지 도 6d는 광원 모듈로부터 멀어질수록 정반사영역이 감소하는 제 2 리플렉터의 다양한 형상을 보여주는 평면도
도 7a 내지 도 7c는 광원모듈과의 거리에 따라 면적이 다른 정반사영역을 갖는 제 2 리플렉터의 다양한 형상을 보여주는 평면도
도 8은 제 2 실시예에 따른 단일층 구조의 제 2 리플렉터를 보여주는 단면도
도 9a 내지 도 9d는 도 8의 중첩영역의 다양한 형상을 보여주는 단면도
도 10a 내지 도 10c는 도 8의 중첩영역에 형성되는 정반사층의 다양한 형상을 보여주는 평면도
도 11은 도 8의 중첩영역에 형성되는 정반사층의 홀을 보여주는 단면도
도 12a 및 도 12b는 도 8의 중첩영역에 형성되는 정반사층의 홀을 보여주는 평면도
도 13는 이중층 구조의 제 2 리플렉터를 보여주는 단면도
도 14a 및 도 14b는 도 13의 정반사층의 두께를 보여주는 단면도
도 15a 및 도 15b는 정반사영역에 형성되는 홀을 보여주는 평면도
도 16a 내지 도 16c는 정반사영역의 제 2 영역에 대한 다양한 형상을 보여주는 평면도
도 17a 내지 도 17c 및 도 18은 제 2 리플렉터의 정반사영역의 형상에 따른 휘도의 균일도를 설명하기 위한 도면
도 19은 홀과 삼각형 형상을 갖는 정반사영역을 보여주는 도면
도 20a 및 도 20b는 스트라이프(stripe) 형상을 갖는 정반사영역을 보여주는 도면
도 21은 광 반사 특성이 다른 다수의 난반사 영역을 갖는 제 2 리플렉터를 보여주는 도면이다.
도 22는 1 에지 타입(one edge type)의 제 2 리플렉터를 보여주는 도면
도 23은 2 에지 타입(two edge type)의 제 2 리플렉터를 보여주는 도면
도 24 및 도 25는 4 에지 타입(four edge type)의 제 2 리플렉터를 보여주는 도면
도 26은 광학 부재를 포함하는 백라이트 유닛을 보여주는 도면
도 27는 광학 부재의 형상을 일예로 보여주는 도면
도 28는 제 2 리플렉터의 하부면에 형성된 보강 리브를 보여주는 도면
도 29은 제 2 리플렉터의 상부면에 형성된 지지핀을 보여주는 도면
도 30은 실시예에 따른 백라이트 유닛을 갖는 디스플레이 모듈을 보여주는 도면
도 31 및 도 32는 실시예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 도면1A and 1B illustrate a backlight unit according to an embodiment.
2A and 2B show a first reflector overlapping a specular reflection area of a second reflector;
3a to 3c show a second reflector comprising an inclined surface and a plane
4A-4C show a second reflector comprising a plurality of slopes
5 is a cross-sectional view showing a second reflector of the single layer structure according to the first embodiment
6A to 6D are plan views illustrating various shapes of the second reflector in which the specular reflection area decreases away from the light source module.
7A to 7C are plan views illustrating various shapes of the second reflector having the specular reflection area having different areas depending on the distance from the light source module.
8 is a sectional view showing a second reflector of the single layer structure according to the second embodiment
9A to 9D are cross-sectional views illustrating various shapes of the overlapping region of FIG. 8.
10A to 10C are plan views illustrating various shapes of the specular reflection layer formed on the overlapping region of FIG. 8.
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a hole of a specular reflection layer formed in an overlapping region of FIG. 8.
12A and 12B are plan views illustrating holes of a specular reflection layer formed in the overlapping region of FIG. 8.
13 is a cross-sectional view showing a second reflector of a double layer structure;
14A and 14B are cross-sectional views showing thicknesses of the specular reflection layer of FIG. 13.
15A and 15B are plan views showing holes formed in the specular reflection area;
16A to 16C are plan views showing various shapes of the second region of the specular reflection region.
17A to 17C and 18 are views for explaining the uniformity of luminance according to the shape of the specular reflection area of the second reflector.
19 shows a specular reflection area having a hole and a triangular shape;
20A and 20B show a specular reflection area having a stripe shape.
21 is a view showing a second reflector having a plurality of diffuse reflection regions having different light reflection characteristics.
FIG. 22 shows a second reflector of one edge type. FIG.
FIG. 23 shows a second reflector of a two edge type; FIG.
24 and 25 show a second reflector of the four edge type.
26 illustrates a backlight unit including an optical member.
27 shows an example of a shape of an optical member;
28 shows a reinforcing rib formed on the lower surface of the second reflector.
29 shows a support pin formed on the upper surface of the second reflector.
30 is a view showing a display module having a backlight unit according to an embodiment
31 and 32 illustrate a display device according to an embodiment.
이하 실시예들을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.
본 실시예의 설명에 있어서, 각 구성요소(element)의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 구성요소(element)가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 구성요소(element)가 상기 두 구성요소(element) 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.In the description of the present embodiment, when described as being formed on the "on or under" of each element, the (top) or (bottom) ( on or under includes both that two elements are in direct contact with one another or one or more other elements are formed indirectly between the two elements.
또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"로 표현되는 경우 하나의 구성요소(element)를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In addition, when expressed as "on" or "under", it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one element.
도 1a 및 도 1b는 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 도면으로서, 도 1a는 단면도이고, 도 1b는 상면 사시도이다.1A and 1B are diagrams for describing a backlight unit according to an embodiment. FIG. 1A is a cross-sectional view and FIG. 1B is a top perspective view.
도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 백라이트 유닛은 적어도 하나의 광원(110)을 포함하는 광원 모듈(100), 제 1 리플렉터(reflector)(200) 및 제 2 리플렉터(300)를 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 1A and 1B, the backlight unit may include a
여기서, 광원(110)을 포함하는 광원 모듈(100)은 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300) 사이에 위치하고, 제 1 리플렉터(200) 또는 제 2 리플렉터(300)에 인접하여 배치될 수 있다.Here, the
경우에 따라, 광원 모듈(100)은 제 1 리플렉터(200)에 접촉됨과 동시에 제 2 리플렉터(300)로부터 일정간격 떨어져 배치될 수 있거나, 또는 제 2 리플렉터(300)에 접촉됨과 동시에 제 1 리플렉터(200)로부터 일정간격 떨어져 배치될 수 있다.In some cases, the
또는, 광원 모듈(100)은 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300)로부터 일정간격 떨어져 배치될 수 있거나, 또는 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300)에 동시에 접촉될 수도 있다.Alternatively, the
그리고, 광원 모듈(100)은 전극 패턴을 갖는 회로기판 및 광을 생성하는 발광 소자를 포함할 수 있다.The
이때, 회로기판은 적어도 하나의 발광 소자가 실장될 수 있으며, 전원을 공급하는 어댑터와 발광 소자을 연결하기 위한 전극 패턴이 형성되어 있을 수 있다.In this case, at least one light emitting device may be mounted on the circuit board, and an adapter for supplying power and an electrode pattern for connecting the light emitting device may be formed.
예를 들어, 회로기판의 상면에는 발광 소자와 어댑터를 연결하기 위한 탄소나노튜브 전극 패턴이 형성될 수 있다.For example, a carbon nanotube electrode pattern for connecting the light emitting device and the adapter may be formed on the upper surface of the circuit board.
이러한 회로기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 유리, 폴리카보네이트(PC) 또는 실리콘(Si) 등으로 이루어져 복수의 광원들(100)이 실장되는 PCB(Printed Circuit Board) 기판일 수 있으며, 필름 형태로 형성될 수 있다.The circuit board may be made of polyethylene terephthalate (PET), glass, polycarbonate (PC) or silicon (Si), and may be a printed circuit board (PCB) substrate on which a plurality of
또한, 기판은 단층 PCB, 다층 PCB, 세라믹 기판, 메탈 코아 PCB 등을 선택적으로 사용할 수 있다.In addition, the substrate may selectively use a single layer PCB, a multilayer PCB, a ceramic substrate, a metal core PCB and the like.
한편, 발광 소자는 발광 다이오드 칩(LED chip)일 수 있으며, 발광 다이오드 칩은 블루 LED 칩 또는 자외선 LED 칩으로 구성되거나 또는 레드 LED 칩, 그린 LED 칩, 블루 LED 칩, 엘로우 그린(Yellow green) LED 칩, 화이트 LED 칩 중에서 적어도 하나 또는 그 이상을 조합한 패키지 형태로 구성될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device may be a light emitting diode chip, and the light emitting diode chip may include a blue LED chip or an ultraviolet LED chip, or a red LED chip, a green LED chip, a blue LED chip, and a yellow green LED. It may also be configured in a package form combining at least one or more of a chip, a white LED chip.
그리고, 화이트 LED는 블루 LED 상에 옐로우 인광(Yellow phosphor)을 결합하거나, 블루 LED 상에 레드 인광(Red phosphor)과 그린 인광(Green phosphor)를 동시에 사용하여 구현할 수 있고, 블루 LED 상에 옐로우 인광(Yellow phosphor), 레드 인광(Red phosphor) 및 그린 인광(Green phosphor)를 동시에 사용하여 구현할 수도 있다.The white LED may be realized by combining a yellow phosphor on a blue LED or by simultaneously using a red phosphor and a green phosphor on a blue LED, (Yellow phosphor), Red phosphor (Phosphor) and Green phosphor (Phosphor).
다음, 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300) 사이의 빈 공간에는 에어 가이드(air guide)을 갖도록, 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300)는 일정 간격 떨어져 서로 마주볼 수 있다.Next, the
그리고, 제 1 리플렉터(200)는 반사 코팅 필름 및 반사 코팅 물질층 중 어느 하나로 형성되어, 광원 모듈(100)로부터 생성된 광을 제 2 리플렉터(300) 방향으로 반사시키는 역할을 수행할 수 있다.In addition, the
또한, 제 1 리플렉터(200)의 표면 중 광원 모듈(100)에 마주보는 표면 위에는 톱니형태의 반사 패턴이 형성되고, 반사 패턴의 표면은 평면 또는 곡면일 수도 있다.In addition, a serrated reflection pattern is formed on a surface of the
제 1 리플렉터(200)의 표면에 반사 패턴을 형성하는 이유는 광원 모듈에서 생성된 광을 제 2 리플렉터(300)의 중앙영역으로 반사시킴으로써, 백라이트 유닛의 중앙영역에 휘도를 증가시키기 위함이다.The reason for forming the reflective pattern on the surface of the
다음, 제 2 리플렉터(300)는 정반사영역(specular reflection area)(300a)과 난반사영역(scattered reflection area)(300b)을 포함한다.Next, the
여기서, 정반사영역(300a)은 입사되는 광을 정반사하는 역할을 수행하고, 난반사영역(300b)는 입사되는 광을 난반사하는 역할을 수행할 수 있으며, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 광 반사율은 약 50 - 99.99%일 수 있다.Here, the
그리고, 정반사영역(300a)은 제 2 리플렉터(300)의 전체 영역 중 약 5 - 50%를 차지할 수 있다.In addition, the
경우에 따라, 제 2 리플렉터(300)에서, 정반사영역(300a)은 제 2 리플렉터(300)의 전체 영역 중 약 20 - 30%를 차지할 수도 있다.In some cases, in the
또한, 제 2 리플렉터(300)에서, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 면적 비율은 1 : 1 - 20일 수도 있다.In addition, in the
이와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 면적 비율을 정하는 이유는, 광원(110)에 인접한 영역과 광원(110)으로부터 멀리 떨어진 영역과의 휘도 차이를 줄이기 위함이다.As such, the reason for determining the area ratio between the
즉, 제 2 리플렉터(300)는 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 면적 비율을 적절하게 조절함으로써, 전체적으로 균일한 휘도를 제공할 수 있다.That is, the
여기서, 제 2 리플렉터(300)는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 이산화 티타늄(TiO2) 등과 같이 높은 반사율을 가지는 금속 또는 금속 산화물을 포함하여 구성될 수 있는데, 제 2 리플렉터(300)는 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)에 형성되는 물질이 서로 다를 수도 있고, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 표면 거칠기가 서로 다를 수도 있다.Here, the
즉, 제 2 리플렉터(300)는 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)은 동일한 물질로 형성됨과 동시에, 표면 거칠기가 서로 다를 수 있다.That is, in the
또는, 제 2 리플렉터(300)는 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)은 서로 다른 물질로 형성됨과 동시에, 표면 거칠기가 서로 다를 수 있다.Alternatively, the
그리고, 광원(110) 및 제 1 리플렉터(200) 중 적어도 어느 하나는 정반사영역(300a)과 중첩될 수 있다.At least one of the
즉, 제 1 리플렉터(200)는 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 일부만 중첩될 수도 있고, 완전히 중첩될 수도 있다.That is, only part of the
제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 광원 모듈(100)에 인접하여 위치하고, 광원(110)으로부터 출사된 광을 제 2 리플렉터(300)의 중앙영역으로 반사시키는 역할을 수행하고, 제 2 리플렉터(300)의 난반사영역(300b)은 제 2 리플렉터(300)의 중앙영역에 위치하여 입사되는 광을 확산시키는 역할을 수행할 수 있다.The
또한, 제 2 리플렉터(300)는 적어도 하나의 경사면(inclined surface)과 적어도 하나의 평면(flat surface)을 포함할 수 있다.In addition, the
여기서, 제 2 리플렉터(300)의 경사면은 제 1 리플렉터(200)에 대해 일정 각도로 경사진 면일 수 있고, 제 2 리플렉터(300)의 평면은 제 1 리플렉터(200)와 평행한 면일 수 있다.Here, the inclined surface of the
그리고, 제 2 리플렉터(300)의 경사면(inclined surface)은 전체 영역이 정반사영역일 수 있고, 또는 일부 영역만이 정반사영역일 수 있으며, 광원(110) 및 제 1 리플렉터(200) 중 적어도 어느 하나와 중첩될 수 있다.In addition, the inclined surface of the
도 2a 및 도 2b는 제 2 리플렉터의 정반사영역에 중첩되는 제 1 리플렉터를 보여주는 도면으로서, 도 2a는 제 2 리플렉터의 정반사영역에 일부 중첩되는 제 1 리플렉터를 보여주는 도면이고, 도 2b는 제 2 리플렉터의 정반사영역에 완전 중첩되는 제 1 리플렉터를 보여주는 도면이다.2A and 2B illustrate a first reflector overlapping a specular reflection area of a second reflector, and FIG. 2A illustrates a first reflector partially overlapping a specular reflection area of a second reflector, and FIG. 2B illustrates a second reflector. 1 is a view showing a first reflector completely overlapping the specular reflection region of the?
도 2a에 도시된 바와 같이, 제 1 리플렉터(200)는 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 일부만 중첩될 수도 있다.As shown in FIG. 2A, only a part of the
여기서, 광원(100)은 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 일부만 중첩되거나 또는 완전 중첩될 수도 있다.Here, the
그리고, 도 2b에 도시된 바와 같이, 제 1 리플렉터(200)는 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 완전 중첩될 수도 있다.As shown in FIG. 2B, the
여기서, 광원(100)은 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 일부만 중첩되거나 또는 완전 중첩될 수도 있다.Here, the
도 3a 내지 도 3c는 경사면과 평면을 포함하는 제 2 리플렉터를 보여주는 도면이다.3A to 3C show a second reflector comprising an inclined surface and a plane.
도 3a는 경사면이 편평한 표면을 가지고, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 포함될 수 있다.3A may have a flat surface and may be included in the
그리고, 도 3b는 경사면이 오목한 곡면을 가지고, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 포함될 수 있으며, 도 2c는 경사면이 볼록한 곡면을 가지고, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 포함될 수 있다.3B has a curved surface having a concave surface, and may be included in the
이어, 도 3a 내지 도 3c에 도시된 바와 같이, 제 1 리플렉터(200)와 평행한 제 2 리플렉터(300)의 평면은 제 2 리플렉터(300)의 난반사영역(300b)에 포함될 수 있다.3A to 3C, the plane of the
한편, 제 2 리플렉터(300)는 적어도 하나의 변곡점을 갖는 적어도 2개 경사면을 포함하고, 변곡점을 중심으로 인접하는 제 1, 제 2 경사면의 곡률은 서로 다를 수도 있다.The
도 4a 내지 도 4c는 다수의 경사면을 포함하는 제 2 리플렉터를 보여주는 도면이다.4A to 4C show a second reflector including a plurality of inclined surfaces.
도 4a는 서로 인접하는 두 경사면이 편평한 표면을 가지고, 하나의 경사면은 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 포함되고, 나머지 경사면은 제 2 리플렉터(300)의 난반사영역(300b)에 포함될 수 있다.4A shows that two inclined surfaces adjacent to each other have a flat surface, one inclined surface is included in the
경우에 따라, 나머지 경사면은 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 일부 포함될 수도 있다.In some cases, the remaining inclined surface may be partially included in the
그리고, 도 4b는 서로 인접하는 두 경사면이 오목한 곡면을 가지고, 두 경사면의 곡률은 서로 다를 수도 있으며, 도 4c는 서로 인접하는 두 경사면이 볼록한 곡면을 가지고, 두 경사면의 곡률은 서로 다를 수도 있다.In addition, in FIG. 4B, two inclined surfaces adjacent to each other may have a concave curved surface, and the curvatures of the two inclined surfaces may be different from each other.
여기서, 하나의 경사면은 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 포함되고, 나머지 경사면은 제 2 리플렉터(300)의 난반사영역(300b)에 포함될 수 있다.Here, one inclined surface may be included in the
경우에 따라, 나머지 경사면은 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 일부 포함될 수도 있다.In some cases, the remaining inclined surface may be partially included in the
이와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 경사면은 오목면(concave surface), 볼록면(convex surface), 평면(flat surface) 중 적어도 어느 하나일 수 있다.As such, the inclined surface of the
한편, 제 2 리플렉터(300)은 단일층(single layer)일 수도 있고, 이중층(double layer)일 수도 있다.Meanwhile, the
즉, 제 2 리플렉터(300)는 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)을 포함하는 단일층(single layer)일 수도 있고, 난반사층과, 난반사층의 일부분이 노출되도록 난반사층 위에 형성되는 정반사층을 포함하는 이중층(double layer)일 수도 있다.That is, the
도 5는 제 1 실시예에 따른 단일층 구조의 제 2 리플렉터를 보여주는 단면도로서, 도 5는 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)이 서로 중첩되지 않는 구조이다.5 is a cross-sectional view illustrating a second reflector having a single layer structure according to the first embodiment, and FIG. 5 is a structure in which the
도 5에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 정반사층이 형성되고, 제 2 리플렉터(300)의 난반사영역(300b)은 난반사층이 형성될 수 있다.As illustrated in FIG. 5, the
여기서, 정반사층과 난반사층은 동일한 평면 상에 배열되고, 정반사층의 두께 t1과 난반사층의 두께 t2는 서로 동일할 수 있다.Here, the specular reflection layer and the diffuse reflection layer may be arranged on the same plane, and the thickness t1 of the specular reflection layer and the thickness t2 of the diffuse reflection layer may be the same.
그리고, 정반사층과 난반사층은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 이산화 티타늄(TiO2) 등과 같이 높은 반사율을 가지는 금속 또는 금속 산화물을 포함하여 구성될 수 있는데, 정반사층과 난반사층의 물질은 서로 동일하거나 또는 서로 다를 수도 있고, 그들의 표면 거칠기는 서로 다를 수도 있다.In addition, the specular reflection layer and the diffuse reflection layer may include a metal or a metal oxide having high reflectivity such as aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), titanium dioxide (TiO 2 ), and the like. The materials of the diffuse reflection layer may be the same or different from each other, and their surface roughness may be different from each other.
또한, 정반사층과 난반사층은 몰드 바디(mold body)에 반사 필름이 부착된 구조일 수도 있고, 정반사면 또는 난반사면을 갖는 몰드 바디 자체일 수도 있다.In addition, the specular reflection layer and the diffuse reflection layer may have a structure in which a reflective film is attached to a mold body, or may be a mold body having a specular reflection surface or a diffuse reflection surface.
경우에 따라, 정반사층 및 난반사층은 사출 성형이 가능하도록 플라스틱 등과 같은 고분자 수지로 제작할 수 있다.In some cases, the specular reflection layer and the diffuse reflection layer may be made of a polymer resin such as plastic to enable injection molding.
여기서, 반사 필름은 금속 또는 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 예를 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 또는 이산화 티타늄(TiO2)과 같이 높은 반사율을 가지는 금속 또는 금속 산화물을 포함하여 구성될 수 있다.Here, the reflective film may include at least one of a metal or a metal oxide, and for example, a metal having high reflectance such as aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), or titanium dioxide (TiO 2 ). Or a metal oxide.
그리고, 정반사층으로 이루어진 정반사영역(300a)과 난반사층으로 이루어진 난반사영역(300b)의 경계면에는 접착제 또는 결합 부재 등이 형성되어, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)이 서로 연결될 수 있다.In addition, an adhesive or a coupling member may be formed on an interface between the
이어, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 광원 모듈(100)로부터 멀어질수록 면적 비율이 줄어들 수 있다.Subsequently, as the
도 6a 내지 도 6d는 광원 모듈로부터 멀어질수록 정반사영역이 감소하는 제 2 리플렉터의 다양한 형상을 보여주는 평면도이다.6A through 6D are plan views illustrating various shapes of the second reflector in which the specular reflection area decreases away from the light source module.
도 6a는 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)이 삼각형 형상을 가지고, 도 6b는 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)이 반구 형상을 가지며, 도 6c는 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)이 계단형 형상을 가지고, 도 6d는 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)이 비스듬한 라인(slant line) 형상을 가질 수 있다.6A shows that the
도 6a 내지 도 6d에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 정반사영역의 면적이 점차적으로 감소할 수 있다. 6A to 6D, the area of the
반면, 제 2 리플렉터(300)의 난반사영역(300b)은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 난반사영역의 면적이 점차적으로 증가할 수 있다.On the other hand, as the diffuse
여기서, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 제 2 리플렉터(300)의 전체 영역 중 약 20 - 30%를 차지할 수 있다.Here, the
경우에 따라, 제 2 리플렉터(300)에서, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 면적 비율은 약 1 : 1 - 20일 수 있다.In some cases, in the
이와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)이 광원 모듈(100)로부터 멀어질수록 면적 비율이 줄어들도록 형성하는 이유는, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 경계에서 나타날 수 있는 블랙라인을 제거하여 균일한 휘도를 제공할 수 있기 때문이다.As such, the reason why the area ratio decreases as the
또한, 다른 실시예로서, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)에 인접한 제 1 영역과 광원모듈(100)로부터 멀리 떨어진 제 2 영역을 포함할 수 있는데, 광원모듈(100)에 인접한 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)로부터 멀리 떨어진 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)보다 면적이 더 클 수 있다.In addition, as another embodiment, the
도 7a 내지 도 7c는 광원모듈과의 거리에 따라 면적이 다른 정반사영역을 갖는 제 2 리플렉터의 다양한 형상을 보여주는 평면도이다.7A to 7C are plan views illustrating various shapes of the second reflector having the specular reflection area having different areas depending on the distance from the light source module.
도 7a는 제 2 영역의 정반사영역이 삼각형 형상을 가지고, 도 7b는 제 2 영역의 정반사영역이 반구 형상을 가지며, 도 7c는 제 2 영역의 정반사영역이 사각형 형상을 가질 수 있다.In FIG. 7A, the specular reflection region of the second region may have a triangular shape, in FIG. 7B, the specular reflection region of the second region may have a hemispherical shape, and in FIG. 7C, the specular reflection region of the second region may have a rectangular shape.
도 7a 내지 도 7c에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)에 인접한 제 1 영역과 광원모듈(100)로부터 멀리 떨어진 제 2 영역을 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 7A to 7C, the
여기서, 제 2 영역의 정반사영역(300a)은 제 1 영역의 정반사영역(300a)보다 면적은 더 작고, 삼각형, 반구, 사각형, 다각형 등과 같이 다양한 형상을 가질 수 있다.Here, the
즉, 제 2 영역의 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 정반사영역의 면적이 점차적으로 감소할 수 있다.That is, as the
반면, 제 2 영역의 난반사영역(300b)은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 난반사영역의 면적이 점차적으로 증가할 수 있다.On the other hand, the area of the diffuse
여기서, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 제 2 리플렉터(300)의 전체 영역 중 약 20 - 30%를 차지할 수 있다.Here, the
경우에 따라, 제 2 리플렉터(300)에서, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 면적 비율은 약 1 : 1 - 20일 수 있다.In some cases, in the
또한, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에서, 제 1 영역과 제 2 영역의 면적 비율은 약 1 - 10 : 0.4일 수 있다.In addition, in the
다음, 정반사영역(300a)의 제 2 영역은 정반사영역(300a)의 제 1 영역으로부터 약 5 - 200mm 거리만큼 연장될 수도 있다.Next, the second area of the
도 8은 제 2 실시예에 따른 단일층 구조의 제 2 리플렉터를 보여주는 단면도로서, 도 8은 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)이 서로 중첩되는 구조이다.FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a second reflector having a single layer structure according to a second embodiment, and FIG. 8 is a structure in which the
도 8에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 정반사층이 형성되고, 제 2 리플렉터(300)의 난반사영역(300b)은 난반사층이 형성되며, 제 2 리플렉터(300)의 중첩영역은 정반사층과 난반사층이 중첩되어 형성될 수 있다.As shown in FIG. 8, the
여기서, 중첩영역은 난반사층 위에 정반사층이 적층된 구조일 수 있고, 중첩영역의 전체 두께는 정반사영역(300a)의 두께와 난반사영역(300b)의 두께와 실질적으로 동일할 수 있다.Here, the overlapping region may have a structure in which a specular reflection layer is stacked on the diffuse reflection layer, and the overall thickness of the overlapping region may be substantially the same as the thickness of the
경우에 따라서, 중첩영역의 전체 두께는 정반사영역(300a)의 두께와 난반사영역(300b)의 두께 중 적어도 어느 하나와는 다를 수도 있다.In some cases, the total thickness of the overlapping region may be different from at least one of the thickness of the
또한, 도시하지는 않았지만, 중첩영역은 정반사층 위에 난반사층이 적층된 구조일 수도 있다.Although not shown, the overlapping region may have a structure in which a diffuse reflection layer is stacked on the specular reflection layer.
이와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 정반사층과 난반사층은 동일한 평면 상에 배열되고, 정반사층과 난반사층은 일부분이 서로 중첩될 수 있다.As such, the specular reflection layer and the diffuse reflection layer of the
도 9a 내지 도 9d는 도 8의 중첩영역의 다양한 형상을 보여주는 단면도이다.9A to 9D are cross-sectional views illustrating various shapes of the overlapping region of FIG. 8.
도 9a 및 도 9d는 중첩영역의 정반사층의 두께가 일정한 실시예이고, 도 9b 및 도 9c는 중첩영역의 정반사층의 두께가 점차 감소하는 실시예이다.9A and 9D illustrate embodiments in which the thickness of the specular reflection layer in the overlapping region is constant, and FIGS. 9B and 9C illustrate embodiments in which the thickness of the specular reflection layer in the overlapping region gradually decreases.
도 9a 내지 도 9d에 도시된 바와 같이, 중첩영역은 정반사층과 난반사층이 적층되고, 난반사층과 중첩된 정반사층의 두께 t11는 난반사층과 중첩되지 않는 정반사층의 두께 t1보다 더 얇을 수 있다.As shown in FIGS. 9A to 9D, the overlapping region may be a layer in which the specular reflection layer and the diffuse reflection layer are stacked, and the thickness t11 of the specular reflection layer overlapping the diffuse reflection layer may be thinner than the thickness t1 of the specular reflection layer which does not overlap the diffuse reflection layer. .
좀 더 상세히 설명하면, 도 9a에 도시된 바와 같이, 중첩영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11은 정반사영역(300a)에 형성되는 정반사층의 두께 t1보다 더 작고, 중첩영역에 형성되는 난반사층의 두께 t22은 난반사영역(300b)에 형성되는 난반사층의 두께 t2보다 더 작을 수 있다.In more detail, as shown in FIG. 9A, the thickness t11 of the specular reflection layer formed in the overlapping region is smaller than the thickness t1 of the specular reflection layer formed in the
그리고, 중첩영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11은 중첩영역 내에서 일정한 두께를 유지하고, 중첩영역에 형성된 난반사층의 두께 t22와 동일할 수도 있다.The thickness t11 of the specular reflection layer formed in the overlapped region may be the same as the thickness t22 of the diffuse reflection layer formed in the overlapped region while maintaining a constant thickness in the overlapped region.
하지만, 경우에 따라, 중첩영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11은 중첩영역에 형성된 난반사층의 두께 t22보다 더 크거나 작을 수도 있다However, in some cases, the thickness t11 of the specular reflection layer formed in the overlapping region may be larger or smaller than the thickness t22 of the diffuse reflection layer formed in the overlapping region.
그리고, 도 9b에 도시된 바와 같이, 중첩영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11, t12은 정반사영역(300a)에 형성되는 정반사층의 두께 t1보다 더 작을 수 있다.As shown in FIG. 9B, the thicknesses t11 and t12 of the specular reflection layer formed in the overlapping region may be smaller than the thickness t1 of the specular reflection layer formed in the
여기서, 중첩영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11, t12은 광원모듈로부터 멀어질수록 점차 작아질 수 있다.Here, the thicknesses t11 and t12 of the specular reflection layer formed in the overlapped area may be gradually reduced as the distance from the light source module is increased.
즉, 중첩영역에 형성되는 정반사층은 광원모듈에 인접하는 영역의 두께 t11으로부터 광원모듈로부터 먼 영역의 두께 t12로 서서히 감소할 수 있다.That is, the specular reflection layer formed in the overlapping region may gradually decrease from the thickness t11 of the region adjacent to the light source module to the thickness t12 of the region far from the light source module.
이어, 도 9c에 도시된 바와 같이, 중첩영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11, t12은 정반사영역(300a)에 형성되는 정반사층의 두께 t1보다 더 작을 수 있다.Subsequently, as illustrated in FIG. 9C, the thicknesses t11 and t12 of the specular reflection layer formed in the overlap region may be smaller than the thickness t1 of the specular reflection layer formed in the
여기서, 중첩영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11, t12은 광원모듈로부터 멀어질수록 단계적으로 작아질 수 있다.Here, the thicknesses t11 and t12 of the specular reflection layer formed in the overlapping region may be gradually reduced as the distance from the light source module increases.
즉, 중첩영역에 형성되는 정반사층은 광원모듈에 인접하는 영역의 두께 t11으로부터 광원모듈로부터 먼 영역의 두께 t12로 감소할 수 있다.That is, the specular reflection layer formed in the overlapped region may be reduced from the thickness t11 of the region adjacent to the light source module to the thickness t12 of the region far from the light source module.
다음, 도 9d에 도시된 바와 같이, 중첩영역에 형성되는 난반사층은 정반사층 사이에 삽입되어 있다.Next, as shown in FIG. 9D, the diffuse reflection layer formed in the overlap region is inserted between the specular reflection layers.
중첩영역에서, 난반사층의 상부에 위치하는 정반사층의 두께 t11과 난반사층의 하부에 위치하는 정반사층의 두께 t12는 정반사영역(300a)에 형성되는 정반사층의 두께 t1보다 더 작고, 중첩영역에 형성되는 난반사층의 두께 t22은 난반사영역(300b)에 형성되는 난반사층의 두께 t2보다 더 작을 수 있다.In the overlapping region, the thickness t11 of the specular reflection layer located above the diffuse reflection layer and the thickness t12 of the specular reflection layer located below the diffuse reflection layer are smaller than the thickness t1 of the specular reflection layer formed in the
그리고, 중첩영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11, t12은 중첩영역 내에서 일정한 두께를 유지하고, 중첩영역에 형성된 난반사층의 두께 t22와 동일할 수도 있다.In addition, the thicknesses t11 and t12 of the specular reflection layer formed in the overlapping region may be the same as the thickness t22 of the diffuse reflection layer formed in the overlapping region while maintaining a constant thickness in the overlapping region.
하지만, 경우에 따라, 중첩영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11, t12은 중첩영역에 형성된 난반사층의 두께 t22보다 더 크거나 작을 수도 있다However, in some cases, the thicknesses t11 and t12 of the specular reflection layer formed in the overlapping region may be larger or smaller than the thickness t22 of the diffuse reflection layer formed in the overlapping region.
도 10a 내지 도 10c는 도 8의 중첩영역에 형성되는 정반사층의 다양한 형상을 보여주는 평면도이다.10A through 10C are plan views illustrating various shapes of the specular reflection layer formed in the overlapping region of FIG. 8.
도 10a는 중첩영역의 정반사층이 삼각형 형상을 가지고, 도 10b는 중첩영역의 정반사층이 반구 형상을 가지며, 도 10c는 중첩영역의 정반사층이 사각형 형상을 가질 수 있다.In FIG. 10A, the specular reflection layer of the overlapping region may have a triangular shape, in FIG. 10B, the specular reflection layer of the overlapping region may have a hemispherical shape, and in FIG. 10C, the specular reflection layer of the overlapping region may have a rectangular shape.
도 10a 내지 도 10c에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)는 정반사영역(300a)의 정반사층과 난반사영역(300b)의 난반사층이 서로 중첩되는 중첩영역을 포함할 수 있는데, 중첩영역의 정반사층은 정반사영역(300a)의 정반사층보다 면적은 더 작고, 삼각형, 반구, 사각형, 다각형 등과 같이 다양한 형상을 가질 수 있다.As shown in FIGS. 10A to 10C, the
즉, 중첩영역의 정반사층은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 정반사층의 면적이 점차적으로 감소할 수 있다.That is, as the specular reflection layer of the overlapping area moves away from the
반면, 중첩영역의 난반사층은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 난반사층의 면적이 점차적으로 증가할 수 있다.On the other hand, as the diffuse reflection layer of the overlapped area moves away from the
여기서, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 제 2 리플렉터(300)의 전체 영역 중 약 20 - 30%를 차지할 수 있다.Here, the
경우에 따라, 제 2 리플렉터(300)에서, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 면적 비율은 약 1 : 1 - 20일 수 있다.In some cases, in the
그리고, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에서, 중첩영역 이외의 영역과 중첩영역의 면적 비율은 약 1 - 10 : 0.4일 수 있다.In addition, in the
다음, 정반사영역(300a)의 중첩영역은 정반사영역(300a)으로부터 약 5 - 200mm 거리만큼 연장될 수도 있다.Next, the overlapping area of the
또한, 중첩영역의 정반사층은 난반사층의 일부가 노출되도록 정반사층에 적어도 하나의 홀(hole)이 형성될 수도 있다.In addition, in the specular reflection layer of the overlapped region, at least one hole may be formed in the specular reflection layer so that a part of the diffuse reflection layer is exposed.
도 11은 도 8의 중첩영역에 형성되는 정반사층의 홀을 보여주는 단면도이고, 도 12a 및 도 12b는 도 8의 중첩영역에 형성되는 정반사층의 홀을 보여주는 평면도이다.FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating holes of the specular reflection layer formed in the overlapped region of FIG. 8, and FIGS. 12A and 12B are plan views illustrating holes of the specular reflective layer formed in the overlapped region of FIG. 8.
도 11에 도시된 바와 같이, 중첩영역에서, 난반사층 위에 형성되는 정반사층은 난반사층의 일부가 노출되도록 다수의 홀(hole)들이 형성될 수 있다.As shown in FIG. 11, in the overlapping region, a plurality of holes may be formed in the specular reflection layer formed on the diffuse reflection layer so that a part of the diffuse reflection layer is exposed.
여기서, 정반사층에 형성되는 홀은 광원모듈로부터 멀어질수록 홀의 개수가 증가할 수 있다.Here, the number of holes formed in the specular reflection layer may increase as the distance from the light source module increases.
또한, 정반사층에 형성되는 홀의 크기는 서로 동일할 수도 있지만, 경우에 따라서는, 서로 다를 수도 있다.The sizes of the holes formed in the specular reflection layer may be the same, but in some cases, they may be different.
도 12a에 도시된 바와 같이, 중첩영역에 형성되는 홀의 크기가 서로 동일할 수도 있고, 도 12b에 도시된 바와 같이, 중첩영역에 형성되는 홀의 크기가 서로 다를 수도 있다.As shown in FIG. 12A, the sizes of the holes formed in the overlapped areas may be the same, or as illustrated in FIG. 12B, the sizes of the holes formed in the overlapped areas may be different from each other.
중첩영역에 형성되는 홀의 크기가 서로 다른 경우, 광원모듈(100)으로부터 멀어질수록 홀의 크기는 커질 수 있다.When the sizes of the holes formed in the overlapping regions are different from each other, the size of the holes may increase as the distance from the
그리고, 중첩영역에 형성되는 홀은 그 크기에 상관 없이, 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 홀의 개수가 증가할 수도 있다.And, the number of holes formed in the overlapping area may increase as the distance from the
이와 같이, 제 2 리플렉터의 중첩영역에 홀을 형성하는 이유는 광원모듈(100)로부터 멀어질수록, 정반사영역(300a)의 면적비율을 줄임으로써, 균일한 휘도를 제공할 수 있기 때문이다.As described above, the reason why the hole is formed in the overlapping region of the second reflector is that as the distance from the
그리고, 제 2 리플렉터의 정반사영역에 형성되는 정반사층과 제 2 리플렉터의 난반사영역에 형성되는 난반사층은 몰드 바디(mold body)에 반사 필름이 부착된 구조일 수도 있고, 정반사면 또는 난반사면을 갖는 몰드 바디 자체일 수도 있다.The specular reflection layer formed in the specular reflection area of the second reflector and the diffuse reflection layer formed in the diffuse reflection area of the second reflector may have a structure in which a reflective film is attached to a mold body, and has a specular reflection surface or a diffuse reflection surface. It may also be the mold body itself.
경우에 따라, 정반사층 및 난반사층은 사출 성형이 가능하도록 플라스틱 등과 같은 고분자 수지로 제작할 수 있다.In some cases, the specular reflection layer and the diffuse reflection layer may be made of a polymer resin such as plastic to enable injection molding.
여기서, 반사 필름은 금속 또는 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 예를 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 또는 이산화 티타늄(TiO2)과 같이 높은 반사율을 가지는 금속 또는 금속 산화물을 포함하여 구성될 수 있다.Here, the reflective film may include at least one of a metal or a metal oxide, and for example, a metal having high reflectance such as aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), or titanium dioxide (TiO 2 ). Or a metal oxide.
그리고, 정반사층으로 이루어진 정반사영역과 난반사층으로 이루어진 난반사영역 사이에는 접착제 또는 결합 부재 등이 형성되어, 정반사영역과 난반사영역이 서로 연결될 수 있다.In addition, an adhesive or a coupling member may be formed between the specular reflection area made of the specular reflection layer and the diffuse reflection area made of the diffuse reflection layer, so that the specular reflection area and the diffuse reflection area may be connected to each other.
도 13는 이중층 구조의 제 2 리플렉터를 보여주는 단면도이다.13 is a cross-sectional view illustrating a second reflector of a double layer structure.
도 13에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)는 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)이 서로 중첩되는 구조이다.As shown in FIG. 13, the
여기서, 제 2 리플렉터(300)는 난반사층과, 난반사층의 일부분이 노출되도록 난반사층 위에 형성되는 정반사층을 포함하는 이중층(double layer)으로 이루어질 수 있다.The
즉, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 난반사층 위에 정반사층이 형성된 구조이고, 제 2 리플렉터(300)의 난반사영역(300b)은 난반사층이 노출된 구조이다.That is, the
이때, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 제 2 리플렉터(300)의 전체 영역 중 약 20 - 30%를 차지할 수 있고, 경우에 따라, 제 2 리플렉터(300)에서, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 면적 비율은 약 1 : 1 - 20일 수 있다.In this case, the
그리고, 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)에 인접한 제 1 영역과 광원모듈(100)로부터 멀리 떨어진 제 2 영역을 포함할 수 있는데, 제 2 영역은 제 1 영역보다 면적이 더 작을 수 있다.In addition, the
여기서, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에서, 제 1 영역과 제 2 영역의 면적 비율은 약 1 - 10 : 0.4일 수 있다.Here, in the
또한, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에서, 제 2 영역에 형성되는 정반사층의 두께는 제 1 영역에 형성되는 정반사층의 두께와 동일할 수도 있지만, 서로 다를 수도 있다.In addition, in the
도 14a 및 도 14b는 도 13의 정반사층의 두께를 보여주는 단면도이다.14A and 14B are cross-sectional views illustrating thicknesses of the specular reflection layer of FIG. 13.
도 14a는 제 2 영역에 형성되는 정반사층의 두께가 광원모듈(도시하지 않음)로부터 멀어질수록 서서히 감소하는 실시예이고, 도 14b는 제 2 영역에 형성되는 정반사층의 두께가 광원모듈(도시하지 않음)로부터 멀어질수록 두께가 일정하다가 서서히 감소하는 실시예이다.14A is an embodiment in which the thickness of the specular reflection layer formed in the second region gradually decreases away from the light source module (not shown). It is an embodiment in which the thickness is constant and gradually decreases as it goes further away.
도 14a에 도시된 바와 같이, 정반사영역(300a)의 제 2 영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11, t12은 정반사영역(300a)의 제 1 영역에 형성되는 정반사층의 두께 t1보다 더 작을 수 있다.As shown in FIG. 14A, the thicknesses t11 and t12 of the specular reflection layer formed in the second region of the
여기서, 제 2 영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11, t12은 광원모듈로부터 멀어질수록 점차 작아질 수 있다.Here, the thicknesses t11 and t12 of the specular reflection layer formed in the second region may become smaller as the distance from the light source module increases.
즉, 제 2 영역에 형성되는 정반사층은 광원모듈에 인접하는 영역의 두께 t11으로부터 광원모듈로부터 먼 영역의 두께 t12로 서서히 감소할 수 있다.That is, the specular reflection layer formed in the second region may gradually decrease from the thickness t11 of the region adjacent to the light source module to the thickness t12 of the region far from the light source module.
이어, 도 14b에 도시된 바와 같이, 정반사영역(300a)의 제 2 영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11, t12는 정반사영역(300a)의 제 1 영역에 형성되는 정반사층의 두께 t1와 동일한 두께를 유지하다가 서서히 감소할 수 있다.Subsequently, as illustrated in FIG. 14B, the thicknesses t11 and t12 of the specular reflection layer formed in the second region of the
즉, 제 2 영역에 형성되는 정반사층은 광원모듈에 인접하는 영역의 두께 t11으로부터 광원모듈로부터 먼 영역의 두께 t12로 감소할 수 있다.That is, the specular reflection layer formed in the second region may be reduced from the thickness t11 of the region adjacent to the light source module to the thickness t12 of the region far from the light source module.
이와 같이, 제 2 영역에 형성되는 정반사층의 두께를 감소시키는 이유는, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b) 사이의 경계영역에서, 급격한 휘도변화를 감소시키기 위함이다.As described above, the reason for reducing the thickness of the specular reflection layer formed in the second region is to reduce the sudden brightness change in the boundary region between the
또한, 난반사층 위에 형성되는 정반사층은 난반사층의 일부가 노출되도록 다수의 홀(hole)들이 형성될 수도 있다.In addition, in the specular reflection layer formed on the diffuse reflection layer, a plurality of holes may be formed so that a part of the diffuse reflection layer is exposed.
도 15a 및 도 15b는 정반사영역에 형성되는 홀을 보여주는 평면도이다.15A and 15B are plan views illustrating holes formed in the specular reflection area.
도 15a는 정반사영역(300a)에 형성되는 홀의 개수가 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 증가하는 것을 보여주는 실시예이고, 도 15b는 정반사영역(300a)에 형성되는 홀의 크기가 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 증가하는 것을 보여주는 실시예이다.15A illustrates an example in which the number of holes formed in the
도 15a에 도시된 바와 같이, 정반사영역(300a)에서, 난반사층 위에 형성되는 정반사층은 난반사층의 일부가 노출되도록 다수의 홀(hole)들이 형성될 수 있다.As shown in FIG. 15A, in the
여기서, 정반사층에 형성되는 홀은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 홀의 개수가 증가할 수 있다.Here, the number of holes may increase as the holes formed in the specular reflection layer move away from the
또한, 정반사층에 형성되는 홀의 크기는 서로 동일할 수도 있지만, 경우에 따라서는, 서로 다를 수도 있다.The sizes of the holes formed in the specular reflection layer may be the same, but in some cases, they may be different.
즉, 정반사층에 형성되는 홀은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 홀의 개수 및 홀의 크기가 동시에 증가할 수도 있다.That is, as the holes formed in the specular reflection layer move away from the
도 15b에 도시된 바와 같이, 정반사영역(300a)에서, 난반사층 위에 형성되는 정반사층은 난반사층의 일부가 노출되도록 다수의 홀(hole)들이 형성될 수 있다.As shown in FIG. 15B, in the
여기서, 정반사층에 형성되는 홀은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 홀의 크기가 증가할 수 있다.Here, the size of the hole may increase as the hole formed in the specular reflection layer moves away from the
또한, 정반사층에 형성되는 홀의 개수는 서로 동일할 수도 있지만, 경우에 따라서는, 서로 다를 수도 있다.The number of holes formed in the specular reflection layer may be the same, but in some cases, may be different.
즉, 정반사층에 형성되는 홀은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 홀의 개수 및 홀의 크기가 동시에 증가할 수도 있다.That is, as the holes formed in the specular reflection layer move away from the
이와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 홀을 형성하는 이유는 광원모듈(100)로부터 멀어질수록, 정반사영역(300a)의 면적비율을 줄임으로써, 균일한 휘도를 제공할 수 있기 때문이다.As such, the reason for forming the hole in the
그리고, 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)에 인접한 제 1 영역과 광원모듈(100)로부터 멀리 떨어진 제 2 영역을 포함할 수 있는데, 제 2 영역은 제 1 영역보다 면적이 더 작을 수 있다.In addition, the
도 16a 내지 도 16c는 정반사영역의 제 2 영역에 대한 다양한 형상을 보여주는 평면도이다.16A to 16C are plan views illustrating various shapes of the second region of the specular reflection region.
도 16a는 제 2 영역의 정반사영역이 삼각형 형상을 가지고, 도 16b는 제 2 영역의 정반사영역이 반구 형상을 가지며, 도 16c는 제 2 영역의 정반사영역이 사각형 형상을 가질 수 있다.16A may have a triangular shape of the specular reflection area of the second area, FIG. 16B may have a hemispherical shape of the regular reflection area of the second area, and FIG. 16C may have a quadrangular shape of the regular reflection area of the second area.
도 16a 내지 도 16c에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)에 인접한 제 1 영역과 광원모듈(100)로부터 멀리 떨어진 제 2 영역을 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 16A to 16C, the
여기서, 제 2 영역의 정반사영역(300a)은 제 1 영역의 정반사영역(300a)보다 면적은 더 작고, 삼각형, 반구, 사각형, 다각형 등과 같이 다양한 형상을 가질 수 있다.Here, the
즉, 제 2 영역의 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 정반사영역의 면적이 점차적으로 감소할 수 있다.That is, as the
반면, 제 2 영역의 난반사영역(300b)은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 난반사영역의 면적이 점차적으로 증가할 수 있다.On the other hand, the area of the diffuse
여기서, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 제 2 리플렉터(300)의 전체 영역 중 약 20 - 30%를 차지할 수 있다.Here, the
경우에 따라, 제 2 리플렉터(300)에서, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 면적 비율은 약 1 : 1 - 20일 수 있다.In some cases, in the
또한, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에서, 제 1 영역과 제 2 영역의 면적 비율은 약 1 - 10 : 0.4일 수 있다.In addition, in the
다음, 정반사영역(300a)의 제 2 영역은 정반사영역(300a)의 제 1 영역으로부터 약 5 - 200mm 거리만큼 연장될 수도 있다.Next, the second area of the
그리고, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 형성되는 정반사층과 제 2 리플렉터(300)의 난반사영역(300b)에 형성되는 난반사층은 몰드 바디(mold body)에 반사 필름이 부착된 구조일 수도 있고, 정반사면 또는 난반사면을 갖는 몰드 바디 자체일 수도 있다.In addition, the specular reflection layer formed in the
경우에 따라, 정반사층 및 난반사층은 사출 성형이 가능하도록 플라스틱 등과 같은 고분자 수지로 제작할 수 있다.In some cases, the specular reflection layer and the diffuse reflection layer may be made of a polymer resin such as plastic to enable injection molding.
여기서, 반사 필름은 금속 또는 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 예를 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 또는 이산화 티타늄(TiO2)과 같이 높은 반사율을 가지는 금속 또는 금속 산화물을 포함하여 구성될 수 있다.Here, the reflective film may include at least one of a metal or a metal oxide, and for example, a metal having high reflectance such as aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), or titanium dioxide (TiO 2 ). Or a metal oxide.
그리고, 정반사층으로 이루어진 정반사영역(300a)과 난반사층으로 이루어진 난반사영역(300b) 사이에는 접착제 또는 결합 부재 등이 형성되어, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)이 서로 연결될 수 있다.An adhesive or a coupling member may be formed between the
도 17a 내지 도 17c 및 도 18은 제 2 리플렉터의 정반사영역의 형상에 따른 휘도의 균일도를 설명하기 위한 도면이다.17A to 17C and FIG. 18 are diagrams for describing uniformity of luminance according to the shape of the specular reflection area of the second reflector.
도 17a는 정반사영역의 끝단에 삼각형 형상이 없는 실시예이고, 도 17b 및 도 17c는 정반사영역의 끝단에 삼각형 형상이 형성된 실시예이며, 도 18은 도 17a 내지 도 17c의 실시예에 따른 휘도의 균일도를 비교한 그래프이다.17A is an embodiment in which the triangular shape is not at the end of the specular reflection area, and FIGS. 17B and 17C are embodiments in which the triangular shape is formed at the end of the specular reflection area, and FIG. It is a graph comparing uniformity.
먼저, 도시하지는 않았지만, 정반사영역은 없고 난반사영역만을 갖는 제 2 리플렉터를 실시예 A이고, 도 17a에 도시된 바와 같이, 양 끝단의 거리 D1이 약 100mm인 정반사영역(300a)을 갖는 제 2 리플렉터(300)를 실시예 B이며, 도 17b에 도시된 바와 같이, 양 끝단의 거리 D1이 약 100mm인 정반사영역(300a) 내에서, 양 끝단의 거리 D2(즉, 삼각형 형상의 높이)가 약 30mm인 삼각형 형상을 갖는 제 2 리플렉터(300)를 실시예 C이고, 도 17c에 도시된 바와 같이, 양 끝단의 거리 D1이 약 100mm인 정반사영역(300a) 내에서, 양 끝단의 거리 D2(즉, 삼각형 형상의 높이)가 약 90mm인 삼각형 형상을 갖는 제 2 리플렉터(300)를 실시예 D일 수 있다.First, although not shown, a second reflector having no specular reflection area but only a diffuse reflection area is Example A, and as shown in Fig. 17A, a second reflector having a
그리고, 도 18은 광원과의 거리에 따른 휘도를 각 실시예별로 측정하여 비교한 그래프이다.18 is a graph in which luminance according to a distance from a light source is measured and compared for each embodiment.
도 18에 도시된 바와 같이, 정반사영역이 없는 실시예 A에서는, 광원에 인접한 영역의 휘도가 높게 나타나고, 광원에서 먼 영역의 휘도는 낮게 나타나는 것을 알 수 있다.As shown in FIG. 18, in Example A without the specular reflection region, the luminance of the region adjacent to the light source is high and the luminance of the region far from the light source is low.
그리고, 정반사영역이 있는 실시예 B에서는, 광원에 인접한 영역의 휘도가 낮게 나타나고, 광원에서 먼 영역의 휘도는 높게 나타나는 것을 알 수 있다.And in Example B where there is a specular reflection area, it turns out that the brightness | luminance of the area | region adjacent to a light source appears low, and the brightness | luminance of the area | region far from a light source appears high.
또한, 정반사영역 내에 삼각형 형상을 갖는 실시예 C 및 D에서는, 광원에 인접한 영역의 휘도와 광원에서 먼 영역의 휘도가 거의 균일하게 나타나는 것을 알 수 있다.Further, in Examples C and D having a triangular shape in the specular reflection region, it can be seen that the luminance of the region adjacent to the light source and the luminance of the region far from the light source are almost uniform.
여기서, 삼각형 형상의 높이가 약 90mm인 실시예 D는 삼각형 형상의 높이가 약 30mm인 실시예 C보다 휘도가 더 높음과 동시에 더 균일하다는 것을 알 수 있다.Here, it can be seen that Example D having a triangular height of about 90 mm is more uniform and more uniform than Example C having a triangular height of about 30 mm.
이와 같이, 제 2 리플렉터의 정반사영역은 광원에 인접한 제 1 영역과 광원으로부터 멀리 떨어진 제 2 영역을 포함할 수 있는데, 정반사영역의 제 2 영역이 광원에서 멀어질수록 점차 감소하는 형상을 가질 때, 휘도는 균일하게 나타나는 것을 알 수 있다.As such, the specular reflection region of the second reflector may include a first region adjacent to the light source and a second region far from the light source. When the second region of the specular reflection region has a shape that gradually decreases away from the light source, It can be seen that the luminance appears uniformly.
도 19는 홀과 삼각형 형상을 갖는 정반사영역을 보여주는 도면이다.19 is a view showing a specular reflection area having a hole and a triangular shape.
도 19에 도시된 바와 같이, 정반사영역(300a)의 제 1 영역에는 다수의 홀을 갖는 정반사층이 형성되고, 정반사영역(300a)의 제 2 영역에는 삼각형 형상을 갖는 정반사층이 형성될 수도 있다.As shown in FIG. 19, a specular reflection layer having a plurality of holes may be formed in the first region of the
여기서, 제 1 영역에 형성된 홀은 정반사층의 하부에 위치하는 난반사층이 노출될 수 있다.Here, the diffuse reflection layer positioned below the specular reflection layer may be exposed in the hole formed in the first region.
도 19의 실시예는 정반사영역(300a)의 제 1 영역에 형성되는 정반사층의 홀의 개수 또는 홀의 크기와, 정반사영역(300a)의 제 2 영역에 형성되는 정반사층의 형상을 적절하게 조절함으로써, 전체적으로 균일한 휘도를 제공할 수 있다.In the embodiment of FIG. 19, by appropriately adjusting the number of holes or the size of the holes of the specular reflection layer formed in the first region of the
도 20a 및 도 20b는 스트라이프(stripe) 형상을 갖는 정반사영역을 보여주는 도면이다.20A and 20B show a specular reflection area having a stripe shape.
도 20a 및 도 20b에 도시된 바와 같이, 정반사영역(300a)의 제 1 영역에는 정반사층이 형성되고, 정반사영역(300a)의 제 2 영역에는 스트라이프 형상을 갖는 정반사층이 형성될 수도 있다.As shown in FIGS. 20A and 20B, a specular reflection layer may be formed in the first region of the
여기서, 정반사영역(300a)의 제 2 영역에 형성된 정반사층은 다수개의 스트라이프들로 구성되고, 서로 인접한 스트라이프들의 폭은 서로 동일할 수도 있고, 서로 다를 수도 있다.Here, the specular reflection layer formed in the second region of the
도 20a는 정반사영역(300a)의 제 2 영역에 동일한 폭을 갖는 다수의 스트라이프들이 배열된 실시예이고, 도 19b는 정반사영역(300a)의 제 2 영역에 다른 폭을 갖는 다수의 스트라이프들이 배열된 실시예이다.20A illustrates an embodiment in which a plurality of stripes having the same width are arranged in the second region of the
도 20b의 스트라이프들 중, 광원 모듈(100)에 인접한 스트라이프의 폭 w1은 광원 모듈(100)로부터 멀리 떨어진 스트라이프의 폭 w3보다 더 넓을 수 있다.Among the stripes of FIG. 20B, the width w1 of the stripe adjacent to the
경우에 따라, 정반사영역(300a)의 제 1 영역에 형성된 정반사층은, 다수의 홀을 가질 수 있고, 홀은 정반사층의 하부에 위치하는 난반사층이 노출될 수 있다.In some cases, the specular reflection layer formed in the first region of the
도 20a 및 도 20b의 실시예는 정반사영역(300a)의 제 2 영역에 형성되는 스트라이프의 개수 및 폭을 적절하게 조절함으로써, 전체적으로 균일한 휘도를 제공할 수 있다.20A and 20B may provide uniform brightness as a whole by appropriately adjusting the number and width of stripes formed in the second area of the
도 21은 광 반사 특성이 다른 다수의 난반사 영역을 갖는 제 2 리플렉터를 보여주는 도면이다.21 is a view showing a second reflector having a plurality of diffuse reflection regions having different light reflection characteristics.
도 21에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터의 난반사 영역은 광 반사 특성에 따라 다수 영역으로 분리할 수 있다.As shown in FIG. 21, the diffuse reflection region of the second reflector may be divided into a plurality of regions according to light reflection characteristics.
예를 들면, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에는 정반사 특성을 갖는 반사시트를 배치하고, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 난반사영역(300b1)에는 정반사와 난반사 특성이 혼합된 반사시트를 배치하며, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 난반사영역(300b2)에는 난반사 특성을 갖는 반사시트를 배치할 수도 있다.For example, a reflection sheet having specular reflection characteristics is disposed in the
즉, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 난반사영역(300b2)에는 램버시안 표면(lambertian surface)을 가지는 반사시트를 배치할 수 있다.That is, a reflective sheet having a Lambertian surface may be disposed in the second diffuse reflection region 300b2 of the
여기서, 램버시안 표면(lambertian surface)을 가지는 반사시트는 모든 방향으로 거의 동일한 휘도가 나타나는 확산면을 가질 수 있는 반사시트일 수 있다.Here, the reflective sheet having a Lambertian surface may be a reflective sheet which may have a diffusion surface in which almost the same luminance appears in all directions.
그리고, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 난반사영역(300b1)에는 램버시안 표면(lambertian surface)의 밀도가 제 2 리플렉터(300)의 제 2 난반사영역(300b2)보다 더 낮은 반사시트를 배치할 수 있다.In the first diffuse reflection region 300b1 of the
이어, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에는 램버시안 표면(lambertian surface)의 밀도가 제 2 리플렉터(300)의 제 1 난반사영역(300b1)보다 더 낮은 반사시트를 배치할 수도 있고, 또는 램버시안 표면(lambertian surface)이 거의 존재하지 않을 수도 있다.Subsequently, in the
한편, 정반사영역과 난반사영역을 갖는 제 2 리플렉터는 광원 모듈의 배치에 따라 다양한 형상으로 제작될 수 있다.Meanwhile, the second reflector having the specular reflection area and the diffuse reflection area may be manufactured in various shapes according to the arrangement of the light source module.
도 22는 1 에지 타입(one edge type)의 제 2 리플렉터를 보여주는 도면이고, 도 23은 2 에지 타입(two edge type)의 제 2 리플렉터를 보여주는 도면이며, 도 24 및 도 25는 4 에지 타입(four edge type)의 제 2 리플렉터를 보여주는 도면이다.FIG. 22 is a view showing a second reflector of one edge type, FIG. 23 is a view showing a second reflector of a two edge type, and FIGS. 24 and 25 are four edge types ( 4 shows a second reflector of four edge types.
도 22는 1 에지 타입(one edge type)의 제 2 리플렉터를 보여주는 평면도로서, 도 21에 도시된 바와 같이, 1 에지 타입의 제 2 리플렉터(300)는 일측에 광원 모듈(100)이 배치되고, 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)에 인접하여 배치되며, 난반사영역(300b)은 광원모듈(100)로부터 먼 영역에 배치될 수 있다.FIG. 22 is a plan view illustrating a second reflector of one edge type. As illustrated in FIG. 21, the
그리고, 도 23은 2 에지 타입의 제 2 리플렉터를 보여주는 평면도로서, 도 23에 도시된 바와 같이, 2 에지 타입의 제 2 리플렉터(300)는 양측에 광원 모듈(100)이 배치되고, 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)에 인접하여 배치되며, 난반사영역(300b)은 광원모듈(100)로부터 먼 영역에 배치될 수 있다.23 is a plan view illustrating a second edger of a two-edge type. As illustrated in FIG. 23, the
이어, 도 24는 4 에지 타입(four edge type)의 제 2 리플렉터를 보여주는 평면도로서, 도 24에 도시된 바와 같이, 4 에지 타입의 제 2 리플렉터(300)는 4 측면에 각각 광원 모듈(100)이 배치되고, 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)에 인접하여 배치되며, 난반사영역(300b)은 광원모듈(100)로부터 먼 영역에 배치될 수 있다.Subsequently, FIG. 24 is a plan view illustrating a second reflector of a four edge type. As shown in FIG. 24, the
다음, 도 25는 4 에지 타입(four edge type)의 제 2 리플렉터를 보여주는 평면도로서, 도 25에 도시된 바와 같이, 4 에지 타입의 제 2 리플렉터(300)는 4 모서리 영역에 각각 광원 모듈(100)이 배치되고, 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)에 인접하여 배치되며, 난반사영역(300b)은 광원모듈(100)로부터 먼 영역에 배치될 수 있다.Next, FIG. 25 is a plan view illustrating the second reflector of the four edge type. As shown in FIG. 25, the
또한, 실시예에 따른 백라이트 유닛은 제 2 리플렉터로부터 일정 간격으로 공간을 두고 배치되는 광학 부재(optical member)를 더 포함할 수 있고, 제 2 리플렉터와 광학 부재 사이의 공간에는 에어 가이드가 형성될 수 있다.In addition, the backlight unit according to the embodiment may further include an optical member disposed at a predetermined interval from the second reflector, the air guide may be formed in the space between the second reflector and the optical member. have.
도 26은 광학 부재를 포함하는 백라이트 유닛을 보여주는 도면이고, 도 27은 광학 부재의 형상을 일예로 보여주는 도면이다.FIG. 26 is a view illustrating a backlight unit including an optical member, and FIG. 27 is a diagram illustrating a shape of an optical member as an example.
도 26에 도시된 바와 같이, 광학 부재(600)는 제 1 리플렉터(200)의 오픈 영역에 배치되고, 상부 표면에 요철 패턴(620)을 가질 수 있다.As illustrated in FIG. 26, the
여기서, 광학 부재(600)는 제 1 리플렉터(200)의 오픈 영역을 통해 출사되는 광을 확산시키기 위한 것으로, 확산 효과를 증가시키기 위해 확산시트(600)의 상부 표면에 요철 패턴(620)을 형성할 수 있다.Here, the
요철 패턴(620)은 도 27에 도시된 바와 같이, 광원 모듈(100)을 따라 배치되는 스트라이프(strip) 형상을 가질 수 있다.As shown in FIG. 27, the
이때, 요철 패턴(620)은 광학 부재(600) 표면으로 돌출부를 가지고, 돌출부는 서로 마주보는 제 1 면과 제 2 면으로 구성되며, 제 1 면과 제 2 면 사이의 각은 둔각 또는 예각일 수 있다.At this time, the concave-
경우에 따라, 광학 부재(600)는 적어도 하나의 시트로 이루어지는데, 확산 시트, 프리즘 시트, 휘도 강화 시트 등을 선택적으로 포함할 수 있다.In some cases, the
여기서, 확산 시트는 광원에서 출사된 광을 확산시켜 주고, 프리즘 시트는 확산된 광을 발광 영역으로 가이드하며, 휘도 확산 시트는 휘도를 강화시켜 준다.Here, the diffusion sheet diffuses the light emitted from the light source, and the prism sheet guides the diffused light to the light emitting area, and the brightness diffusion sheet strengthens the brightness.
이와 같이, 백라이트 유닛은 제 2 리플렉터의 표면을 오목라인과 볼록라인이 교대로 배열되도록 다수의 패턴을 형성함으로써, 휘도를 향상시키고, 균일한 휘도를 제공할 수 있다.As such, the backlight unit may form a plurality of patterns such that the concave lines and the convex lines are alternately arranged on the surface of the second reflector, thereby improving luminance and providing uniform luminance.
한편, 본 실시예는 광원 모듈의 광 출사면을 다양한 방향으로 배치할 수도 있다.In the present embodiment, the light exit surface of the light source module may be arranged in various directions.
즉, 광원 모듈은 광 출사면이 광학 부재와 제 2 리플렉터 사이의 에어 가이드 방향을 향하도록 배치된 직접 출사형(direct emitting type) 구조일 수도 있고, 광원 모듈은 광 출사면이 제 1 리플렉터, 제 2 리플렉터 및 커버 플레이트 방향 중 어느 한 방향을 향하도록 배치되는 간접 출사형 구조일 수도 있다.That is, the light source module may be a direct emitting type structure in which the light exit surface is disposed in the direction of the air guide between the optical member and the second reflector, and the light source module may include the first reflector and the first light reflector. It may also be an indirect emitting type structure which is arranged to face in one of two reflector and cover plate directions.
여기서, 간접 출사형 광원 모듈은 출사된 광이 제 1 리플렉터, 제 2 리플렉터 및 커버 플레이트에 반사되고, 반사된 광은 다시 백라이트 유닛의 에어 가이드 방향으로 나아갈 수 있다.Here, in the indirect emission type light source module, the emitted light may be reflected by the first reflector, the second reflector, and the cover plate, and the reflected light may go back toward the air guide direction of the backlight unit.
이와 같이, 광원 모듈을 간접 출사형 구조로 배치하는 이유는 핫 스팟(hot spot) 현상을 줄일 수 있기 때문이다.As such, the reason for arranging the light source module in the indirect light emitting structure is that a hot spot phenomenon can be reduced.
또한, 제 2 리플렉터의 하부면에 다수의 보강 리브(rib)가 배치될 수 있다.In addition, a plurality of reinforcing ribs may be disposed on the lower surface of the second reflector.
도 28는 제 2 리플렉터의 하부면에 형성된 보강 리브를 보여주는 도면으로서, 도 28에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터의 하부면에 다수의 보강 리브(rib)(350)가 배치될 수 있다.FIG. 28 is a view illustrating reinforcing ribs formed on the lower surface of the second reflector. As shown in FIG. 28, a plurality of reinforcing
그 이유는 제 2 리플렉터가 곡면을 갖는 반사면을 가지므로, 외부 환경 조건에 의해, 변형될 수 있으므로, 이를 방지하기 위하여 보강 리브(350)가 설치될 수 있다.The reason is that since the second reflector has a reflective surface having a curved surface, it may be deformed by external environmental conditions, so that a reinforcing
보강 리브(350)는 제 2 리플렉터의 경사면과 마주하는 후면에 배치될 뿐만 아니라, 제 2 리플렉터의 측면과 마주하는 후면에도 배치될 수 있다.The reinforcing
그리고, 제 2 리플렉터의 상부면에 광학 부재를 지지하는 지지 핀들이 형성될 수도 있다.In addition, support pins for supporting the optical member may be formed on the upper surface of the second reflector.
도 29은 제 2 리플렉터의 상부면에 형성된 지지핀을 보여주는 도면으로서, 도 29에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 상부면에 광학 부재를 지지하는 지지 핀(360)들이 형성될 수도 있다.FIG. 29 is a view illustrating a support pin formed on an upper surface of the second reflector. As illustrated in FIG. 29, support pins 360 for supporting an optical member may be formed on the upper surface of the
그 이유는, 광학 부재가 제 2 리플렉터(300)로부터 이격되고, 그 사이에는 에어 가이드가 형성되므로, 광학 부재의 중심영역이 하부로 처질 수 있기 때문이다.The reason is that since the optical member is spaced apart from the
여기서, 지지 핀(360)는 제 2 리플렉터(300)에 접촉되는 하부면의 면적이 상부면의 면적보다 넓게 형성하는 것이 안정적일 수 있다.Here, the
한편, 제 2 리플렉터의 경사면 하부에는 광원 모듈을 구동시키기 위한 회로 장치들이 배치될 수 있다.Meanwhile, circuit devices for driving the light source module may be disposed under the inclined surface of the second reflector.
제 2 리플렉터의 후면에는 경사면 사이에 소정의 공간이 형성되므로, 해당 공간에 회로 장치들을 배치하면, 빈 공간을 효율적으로 이용할 수 있다.Since a predetermined space is formed between the inclined surfaces on the rear surface of the second reflector, by arranging circuit devices in the corresponding space, the empty space can be efficiently used.
도 30은 실시예에 따른 백라이트 유닛을 갖는 디스플레이 모듈을 보여주는 도면이다.30 is a view illustrating a display module having a backlight unit according to an embodiment.
도 30에 도시된 바와 같이, 디스플레이 모듈(20)은 디스플레이 패널(800) 및 백라이트 유닛(700)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 30, the
디스플레이 패널(800)은 서로 마주하여 균일한 셀 갭이 유지되도록 합착된 컬러필터 기판(810)과 TFT(Thin Film Transistor) 기판(820)을 포함하며, 상기 두 기판(810, 820)의 사이에 액정층(미도시)이 개재될 수 있다.The
그리고, 디스플레이 패널(800)의 상측 및 하측에는 각각 상부 편광판(830) 및 하부 편광판(840)이 배치될 수 있으며, 보다 자세하게는 컬러필터 기판(810)의 상면에 상부 편광판(830)이 배치되고, TFT 기판(820)의 하면에 하부 편광판(840)이 배치될 수 있다.The upper polarizer 830 and the
도시하지 않았지만, 디스플레이 패널(800)의 측면에는 패널(800)을 구동시키기 위한 구동 신호를 생성하는 게이트 및 데이터 구동부가 구비될 수 있다.Although not shown, a gate and a data driver for generating a driving signal for driving the
도 31 및 도 32는 실시예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 도면이다.31 and 32 illustrate a display apparatus according to an embodiment.
도 31을 참조하면, 디스플레이 장치(1)는 디스플레이 모듈(20), 디스플레이 모듈(20)을 둘러싸는 프론트 커버(30) 및 백 커버(35), 백 커버(35)에 구비된 구동부(55) 및 구동부(55)를 감싸는 구동부 커버(40)로 구성될 수 있다.Referring to FIG. 31, the display apparatus 1 includes a
프론트 커버(30)는 광을 투과시키는 투명한 재질의 전면 패널(미도시)을 포함할 수 있으며, 전면 패널은 일정한 간격을 두고 디스플레이 모듈(20)을 보호하며, 디스플레이 모듈(20)로부터 방출되는 광을 투과시켜 디스플레이 모듈(20)에서 표시되는 영상이 외부에서 보여지도록 한다.The
백 커버(35)는 프론트 커버(30)와 결합하여 디스플레이 모듈(20)을 보호할 수 있다.The
백 커버(35)의 일면에는 구동부(55)가 배치될 수 있다.The driving
구동부(55)는 구동 제어부(55a), 메인보드(55b) 및 전원공급부(55c)를 포함할 수 있다.The driving
구동 제어부(55a)는 타이밍 컨트롤러로 일 수 있으며, 디스플레이 모듈(20)의 각 드라이버 IC에 동작 타이밍을 조절하는 구동부이고, 메인보드(55b)는 타이밍 컨트롤러에 V싱크, H싱크 및 R, G, B 해상도 신호를 전달하는 구동부이며, 전원 공급부(55c)는 디스플레이 모듈(20)에 전원을 인가하는 구동부이다. The driving
구동부(55)는 백 커버(35)에 구비되어 구동부 커버(40)에 의해 감싸질 수 있다.The driving
백 커버(35)에는 복수의 홀이 구비되어 디스플레이 모듈(20)과 구동부(55)가 연결될 수 있고, 디스플레이 장치(1)를 지지하는 스탠드(60)가 구비될 수 있다. A plurality of holes may be provided in the
반면, 도 32에 도시된 바와 같이, 구동부(55)의 구동 제어부(55a)는 백 커버(35)에 구비되고, 메인보드(55b)와 전원보드(55c)는 스탠드(60)에 구비될 수도 있다.On the other hand, as shown in FIG. 32, the driving
그리고, 구동부 커버(40)는 백 커버(35)에 구비된 구동부(55)만을 감쌀 수 있다.In addition, the driving
본 실시예에서는, 메인보드(55b)와 전원보드(55c)를 각각 따로 구성하였으나, 하나의 통합보드로도 이루어질 수 있으며 이에 한정되지 않는다.Although the
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.
Claims (21)
제 2 리플렉터; 그리고,
상기 제 1, 제 2 리플렉터 사이에 배치되는 적어도 하나의 광원(light source)을 포함하고,
상기 제 2 리플렉터는 정반사영역(specular reflection area)과 난반사영역(scattered reflection area)을 포함하고,
상기 정반사영역은 상기 제 2 리플렉터의 전체 영역 중 5 - 50%를 차지하며,
상기 정반사영역은 상기 제 1 리플렉터와 중첩되는 백라이트 유닛.A first reflector;
A second reflector; And,
At least one light source disposed between the first and second reflectors,
The second reflector includes a specular reflection area and a scattered reflection area,
The specular reflection area occupies 5-50% of the total area of the second reflector,
The specular reflection area overlaps the first reflector.
상기 제 2 리플렉터로부터 일정 간격으로 공간을 두고 배치되는 광학 부재(optical member)를 더 포함하고, 상기 제 2 리플렉터와 상기 광학 부재 사이의 공간에는 에어 가이드가 형성되는 백라이트 유닛.The method of claim 1,
And a optical member disposed at a predetermined interval from the second reflector, wherein an air guide is formed in the space between the second reflector and the optical member.
상기 디스플레이 패널로 광을 조사하는 백라이트 유닛을 포함하며,
상기 백라이트 유닛은 제 1 항 내지 제 20 항에 기재된 백라이트 유닛 중 어느 하나인 백라이트 유닛을 이용한 디스플레이 장치.Display panel;
It includes a backlight unit for irradiating light to the display panel,
Display device using the backlight unit is any one of the backlight unit of claim 1 to claim 20, wherein the backlight unit.
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