KR20120119845A - 관성센서 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 관성센서로서, 구동전극 및 감지전극이 형성된 가요기판부와, 상기 가요기판부에 변위가능하도록 장착된 구동체와, 상기 구동체를 부유된 상태로 지지하기 위해 상기 가요기판부에 결합되고 실리콘으로 이루어진 지지체를 구비하는 센서부 및 상기 구동체의 하부를 커버하고 실리콘으로 이루어진 하부캡을 포함하고, 상기 하부캡과 센서부는 실리콘 다이렉트 본딩으로 결합되고, 관성센서의 상기 센서부와 하부캡을 실리콘 다이렉트 본딩결합으로 제조상의 편의성과 센서의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 관성센서 및 그의 제조방법을 얻을 수 있다.
Description
본 발명은 관성센서 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
가속도 및/또는 각속도의 물리량을 측정하는 관성센서는 핸드폰의 화면전환, 게임, 디지털TV의 모션 리모콘, 게임기의 리모콘, 손 떨림 감지, 움직임의 위치 및 각도를 감지할 수 있는 센서모듈등에 실장되어 널리 이용되고 있는 실정이다.
그리고 상기 관성센서는 센싱대상의 움직임에 대하여 가속도 또는 각속도를 센싱하고, 이를 전기신호로 변환한다. 이를 통해 기기의 조작시 사용자의 움직임을 입력수단으로 이용함으로서, 모션 인터페이스의 구현이 가능하게된다. 그리고 이와 같은 관성센서는 가전 등의 움직임 센서 등을 비롯하여 비행기?차량의 항법 및 제어 등 매우 광범위하다.
또한, 상기 관성센서는 휴대용 PDA, 디지털 카메라 또는 핸드폰 등에 적용되면서 다양한 기능과 더 작고 가벼운 제품으로의 기술구현이 요구됨에 따라, 초소형 센서모듈의 개발이 필요한 실정이다.
그리고 가전분야, 개인휴대기기용 저가초소형으로 구현되는 관성센서는 정전용량방식과 압전소자를 이용한 방식이 주류를 이루고 있다. 이에 따른 관성센서의 구동수단은 압전(piezo-electric)과 정전용량(capacitive)방식으로 분류하고, 감지수단은 압전, 정전용량, 압저항(piezoresistive)방식으로 분류할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 압전구동방식은 압전체에 교류전압을 인가하면 변형이 발생하는 역방향 압전효과(reverse piezo-electric effect)를 사용하며, 압전감지방식은 압전체에 응력이 가해지면 전하가 형성되는 정방향 압전효과(direct piezo-electric effect)를 사용한다. 예를들어, 미국등록특허 제5646346호에는 판상의 가요부에 형성된 압전소자를 구동수단 및 감지수단으로 사용하는 각속도센서가 개시되어 있다.
이와 비교하여, 상기 정전용량 구동방식은 두 개의 전극을 근거리에 대향시키고, 양전극 사이에 교류전압을 인가할 때 발생하는 정전기력(electrostaticforce)에 의해 구동체를 가진시키는 것이고, 정전용량 감지방식은 두 개의 전극간의 상대변위가 발생시키는 전압을 검출하는 방법이다. 예를들어 미국등록특허 제6003371호에는 구동체 또는 판상의 가요부에 형성된 전극과 고정된 전극으로 구성된 정전용량소자를 구동수단 및 감지수단으로 사용하는 각속도센서가 개시되어 있다.
또한, 감도를 증가시키고자 빗(comb)형태의 전극을 형성하여 전극의 면적을 증가시키는 방법도 널리 사용되고 있다. 압저항감지방식은 변형에 따라 저항값이 변하는 압저항효과를 사용한다. 일본등록특허 제3171970호는 빔(beam)형태의 복수의 가요부에 형성된 압저항소자를 가요부변형의 감지수단으로 사용하는 가속도센서가 개시되어 있다.
그리고 정전용량방식으로 구동 또는 감지하는 경우, 정전용량소자에 직류바이어스(DC bias)전압을 가하여 발생하는 정전기력에 해당하는 만큼 구동모드 또는 감지모드의 공진주파수를 변화시켜 Δf를 제어하는 방법이 참고문헌 "A Micro machined Vibrating Rate Gyroscope with Independent Beams for the Driving and Detection Modes"를 비롯한 다수의 문헌에 공지되어있다. 그러나 이러한 방법은 고전압을 필요로 하고 소모전력이 증가하기 때문에 모바일기기에 적용하기에 적합하지 않다.
그리고, 압전방식으로 구동 또는 감지하는 경우, 압전효과의 높은 전기기계결합계수(electro mechanical coupling coefficient)에 의해 각속도센서의 큰 감도를 얻을 수 있다.
한편, 관성센서를 구현하기 위한 압전(piezo-electric)소자는 전압이 인가되면 변형이 발생하고 반대로, 외부에서 힘이 인가되면 전하가 발생하는 특징으로 인해 각종 액츄에이터, 센서등에 많이 사용되고 있다.
그리고 압전소자로는 Aln, ZnO, Quartz등 다양한 재료들이 있으나 압전상수가 큰 PZT가 다양한 분야에서 많이 이용되고 있으며, 그 특성을 향상시키기 위해 대부분 소자 제조후 동작전에 폴링(poling)단계를 거쳐야하며, 온도와 전압을 인가하는 과정에서 압전특성이 향상된다.
상기 압전소자를 이용한 방식은 정전용량방식과 비교하여, 진공패키징이 필요없고 상압패키징으로 구현가능하다는 이점을 지니고 있다. 그리고 저가초소형 압전방식의 관성센서는 실리콘구조체의 Bulk Micro-Machining기술로 제작되며, 원형의 판형스프링을 구비하고, 상기 판형스프링 가운데에 원기둥모양의 실리콘 구동체(mass)가 구비되고, 구동전압의 인가에 따라 상기 구동체는 상하 또는 좌우/전후 또는 이들의 복합방향으로 구동하게 된다.
이와 같이 저가초소형 압전방식의 관성센서는 그 제조방법에 있어, 상부에 전극패턴을 형성시키고, 구동체 및 지지체를 형성시켜 소자 웨이퍼인 센서부를 제조하고, 상기 센서부의 구동체를 보호하기 위해 센서부의 하부에 결합되는 하부캡을 제조하고, 상기 하부캡에 접착재료인 폴리머를 도포하고, 상기 센서부와 하부캡을 결합시키는 방식을 이용한다.
이와같이 이루어짐에 따라, 상기 센서부와 하부캡를 폴리머에 의한 본딩결합으로 구현함에 따라, 폴리머에 의한 접합시 평활도오류 등의 불량이 발생될 수 있고, 접합후에도 온도 및 외부요인에 따라 접합부의 손상이 발생될 수 있으며, 상기 하부캡에 캐비티가 형성됨에 따라 폴리머 패터닝 단계가 난해할 뿐만 아니라, 고가의 폴리머에 의해 생산비용이 증가되는 문제점을 지니고 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 관성센서의 센서부와 하부캡을 실리콘 다이렉트 본딩방식을 이용하여 결합함으로써 제조상의 편의성과 센서의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 관성센서 및 그의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 관성센서로서, 구동전극 및 감지전극이 형성된 가요기판부와, 상기 가요기판부에 변위가능하도록 장착된 구동체와, 상기 구동체를 부유된 상태로 지지하기 위해 상기 가요기판부에 결합되고 실리콘으로 이루어진 지지체를 구비하는 센서부; 및 상기 구동체의 하부를 커버하고 실리콘으로 이루어진 하부캡을 포함하고, 상기 하부캡과 센서부는 실리콘 다이렉트 본딩방식으로 결합된다.
그리고 상기 실리콘 다이렉트 본딩방식은 웨이퍼 표면의 오염제거하고, 친수성처리하고, 상기 센서부와 상기 하우캡을 가압하여 초기접합하고, 본딩제를 이용하고 가압하여 본접합하고 고온열처리에 의한 최종접합으로 구현된다.
또한, 본 발명에 따른 관성센서는 상기 가요기판부의 상부를 커버하는 상부캡을 더 포함한다.
그리고 상기 상부캡은 실리콘으로 이루어지고, 상기 가요기판부는 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼로 이루어지고, 상기 상부캡과 상기 가요기판부는 실리콘 다이렉트 본딩방식으로 결합된다.
본 발명에 따른 관성센서 제조방법은 SOI 웨이퍼에 식각을 통해 구동체 및 지지체를 형성시키는 센서부 형성단계와, 상기 SOI 웨이퍼의 구동체를 커버하기 위해 지지체에 결합되는 하부캡을 마련하는 하부캡 형성단계와, 상기 SOI 웨이퍼의 지지부에 상기 하부캡을 결합시키는 실리콘 다이렉트 본딩단계와, 상기 SOI 웨이퍼의 상면에 전극패턴을 형성하는 전극패턴 형성단계를 포함한다.
그리고 상기 하부캡 형성단계은 실리콘 웨이퍼를 마련하고, 상기 실리콘 웨이퍼에 식각을 통해 캐비티를 형성시킨다.
그리고 상기 실리콘 다이렉트 본딩단계는 웨이퍼 표면의 오염제거하고, 친수성처리하고, 상기 센서부와 상기 하우캡을 가압하여 초기접합하고, 본딩제를 이용하고 가압하여 본접합하고 고온열처리에 의한 최종접합으로 구현된다.
그리고 상기 초기접합단계에서 가해지는 압력은 0.6bar 내지 0.8bar이다.
그리고 상기 친수성 처리단계는 Plasma activation 방식이다.
그리고 상기 본접합단계는 본딩제를 이용하여 15도 내지 400도 이하에서 가압하는 것이 바람직하다.
그리고 상기 최종접합단계는 퓨네이스(Furnace)를 이용해 1000도 ~ 1300도에서 열처리하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 최종접합단계는 고온열처리 전에 상온에서 보관하는 홀딩단계를 포함하고, 상기 홀딩단계는 24시간 내지 48시간 동안 보관한다.
그리고 상기 전극패턴 형성단계는 상기 소자 웨이퍼의 상면에 전극재료를 증착하고, 패턴형성에 의해 구동전극 및 감지전극 패턴을 형성한다.
본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명에 의하면 관성센서의 센서부와 하부캡을 실리콘 다이렉트 본딩방식을 이용하여 결합함으로써 제조상의 편의성과 센서의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 관성센서 및 그의 제조방법을 제공하는 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명에 따른 관성센서의 개략적인 단면도.
도 2는 도 1에 도시한 관성센서의 제조방법을 개략적으로 도시한 제조단계 순서도.
도 3은 본 발명에 따른 관성센서의 제조방법에 있어서 실리콘 다이렉트 본딩단계를 개략적으로 나타낸 순서도.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 관성센서의 개략적인 단면도.
도 2는 도 1에 도시한 관성센서의 제조방법을 개략적으로 도시한 제조단계 순서도.
도 3은 본 발명에 따른 관성센서의 제조방법에 있어서 실리콘 다이렉트 본딩단계를 개략적으로 나타낸 순서도.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 관성센서의 개략적인 단면도.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 관성센서에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 관성센서의 개략적인 단면도이다. 도시한 바와 같이, 상기 관성센서(100)는 센서부(110) 및 하부캡(120)을 포함한다. 그리고 상기 센서부(110)는 구동체(111), 가요기판부(112) 및 지지체(113)를 포함한다.
보다 구체적으로, 상기 가요기판부(112)는 가요기판, 압전재료(PZT) 및 전극을 포함하고, 상기 가요기판은 실리콘 단결정 기판 즉, SOI(Silicon On Insulator)웨이퍼로 이루어지고, 압전소자 및 전극이 증착되어, 구동전극과 감지전극이 형성된다.
그리고, 상기 구동체(111)는 실리콘 기판으로 이루어지고, 상기 가요기판부(112)의 하부에 변위가능하도록 위치되고, 상기 가요기판부(112)의 구동전극에 전압이 인가됨에 따라 이동된다.
또한, 상기 지지체(113)는 실리콘 기판으로 이루어지고, 상기 가요기판(112)에 결합되고, 상기 구동체(111)가 부유된 상태로 자유이동 가능하도록 지지한다.
또한, 상기 하부캡(120)은 상기 구동체(111)를 보호하기 위한 것으로, 실리콘 웨이퍼를 식각하여 캐비티가 형성된다.
그리고 상기 지지체(113)와 하부캡(120)은 실리콘 다이렉트 본딩방식을 이용하여 결합된다.
그리고, 상기 실리콘 다이렉트 본딩방식은 접착대상 웨이퍼 표면의 오염제거하고, 친수성처리하고, 센서부와 하부캡을 가압하여 초기접합하고, 본딩제를 이용하고 가압하여 본접합하고, 고온열처리에 의한 최종접합하는 방식으로 구현되며, 후술되는 관성센서 제조방법에 관한 설명에서 보다 자세히 기술한다.
도 2는 도 1에 도시한 관성센서의 제조방법을 개략적으로 도시한 제조단계 순서도이다. 도시한 바와 같이, 상기 관성센서 제조방법은 SOI(Silicon on insulator) 웨이퍼에 식각을 통해 구동체 및 지지체를 형성시키는 센서부 형성단계(S110)와, 상기 SOI 웨이퍼의 구동체를 커버하기 위해 지지체에 결합되는 하부캡을 마련하는 하부캡 형성단계(S120)와, 상기 SOI 웨이퍼에 상기 하부캡을 결합시키는 실리콘 다이렉트 본딩단계(S130)와, 상기 SOI 웨이퍼의 상면에 전극패턴을 형성하는 전극패턴 형성단계(S140)를 포함한다.
보다 구체적으로, 상기 센서부 형성단계(S110)는 소자 웨이퍼를 마련하고 상기 웨이퍼의 하부를 식각하여 구동체와 지지체를 형성시킨다.
또한, 상기 하부캡 형성단계(S120)는 실리콘 웨이퍼를 마련하고, 식각을 통해 캐비티를 형성시킨다.
또한, 상기 전극패턴 형성단계(S140)는 상기 소자 웨이퍼의 상면에 전극재료를 증착하고, 패턴형성에 의해 구동전극 및 감지전극 패턴을 형성시킨다.
이하, 본 발명에 따른 SOI 웨이퍼와 하부캡의 실리콘 다이렉트 본딩단계(S130)에 대하여 보다 자세히 기술한다.
도 3은 본 발명에 따른 관성센서의 제조방법에 있어서 실리콘 다이렉트 본딩단계를 개략적으로 나타낸 순서도이다. 도시한 바와 같이, 상기 실리콘 다이렉트 본딩단계는 오염제거단계(S210)와, 친수성 처리단계(S220)와, 초기접합단계(S230)와, 본접합단계(S240)와, 고온열처리에 의한 최종접합단계(S250)를 포함한다.
보다 구체적으로, 상기 오염제거단계(S210)는 웨이퍼 표면의 오염물질을 제거하는 단계이다.
그리고 상기 초기접합단계(S230)는 열에너지 없이 웨이퍼 표면의 접촉만으로 가접합시키는 것으로서, 웨이퍼 Bow, 표면의 Roughness, 오염 정도와 친수성 처리 방법 등에 따라 접합력이 결정된다. 또한, 웨이퍼의 Bow 정도는 초기접합을 불가능하게 할 정도로 큰 영향을 주고, 이를 위해 초기접합단계에서 가해지는 압력은 0.6bar 내지 0.8bar가 바람직하다.
그리고 상기 친수성 처리단계(S220)는 SPM/SC-1 용액 등을 이용한 Wet 방식과 Plasma activation 방식중 하나를 선택할 수 있으나, 본딩후 최종접합단계의 열처리 온도를 낮추기 위해서는 Wet 방식 보다는 Plasma activation 방식이 바람직하다.
그리고 상기 본접합단계(S240)는 본딩제를 이용하여 상온 즉 15도 내지 400도 이하에서 가압한다.
그리고 상기 최종접합단계(S250)는 Furnace를 이용해 1000도 ~ 1300도에서 열처리하고, 바람직하게는 약 1200도에서 열처리를 진행한다.
또한, 실리콘 다이렉트 본딩단계에서 접합력과 더불어 가장 중요한 이슈는 보이드(Void)를 줄이는 것이다. 그리고 보이드의 원인은 주로 먼지 등의 오염물질과 본딩 중 트랩(trap)된 가스, 친수성 처리에 의해 웨이퍼 표면에 잔류하거나 접합 부산물로 발생하는 수분 등이다. 그리고 오염물질은 접합 전 오염제거단계에서 제거되어야 한다.
또한, 접합단계진행중에 트랩(trap)되는 가스는 주로 여러 개의 본딩 웨이브가 만나서 형성되므로, 웨이퍼의 중앙이나 가장자리에서 단일 본딩 웨이브(bonding wave)를 발생시켜 웨이퍼의 전면으로 퍼져나가도록 접합하는 것이 바람하고, 보이드 감소를 위해, 열처리를 계단식 온도 단계를 두어 웨이퍼 밖으로 수분의 확산을 용이하게 한다.
그러나, 세정의 정도와 조건에 따른 과도한 친수성의 강화가 웨이퍼의 표면에 잔류 수분을 증가시키고 이것이 열처리 후 보이드를 증가시킬 수 있다. 그리고 웨이퍼의 오염물질의 제거를 위해서는 접합 전 제작되는 웨이퍼의 최종 오염제거는 생략할 수가 없고, 접합 전의 표면 처리도 본딩 웨이브 형성을 위한 친수성 처리를 위해서는 반드시 필요하므로 친수성을 약화시키는 데는 한계가 있다.
따라서 최종접합단계(S250)는 열처리 전에 상온에서 일정 시간 이상 보관하는 홀딩단계를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 홀딩단계는 웨이퍼의 접합 표면에 있는 잔류수분과 접합과정 중 부산물로 발생하는 수분이 아직 최종접합이 되지 않은 계면을 통해 충분히 확산되어 웨이퍼의 밖으로 빠져나가게 하기 위한 것이다. 그리고 상기 홀딩단계는 24시간 내지 48시간 동안 보관하는 것이 바람직하다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 관성센서의 개략적인 단면도이다. 도시한 바와 같이, 상기 관성센서(200)는 도 1에 도시한 상기 관성센서(100)와 비교하여 상부캡(230)을 더 포함하여 이루어진다.
보다 구체적으로, 상기 관성센서(200)는 센서부(210), 하부캡(220) 및 상부캡(230)을 포함한다. 그리고 상기 센서부(210)는 구동체(211), 가요기판부(212) 및 지지체(213)를 포함한다.
그리고 상기 상부캡(230)은 상기 가요기판부(212)에 형성된 전극을 보호하기 위한 것으로서, 상기 가요기판부(212) 및 지지체(213)와 동일한 재료인 실리콘으로 이루어지거나, 유사한 열팽창계수를 갖는 파이렉스(Pyrex)유리 등을 이용할 수 있으나, 가공성 및 공정성을 고려하여 동일 재료인 실리콘을 이용하는 것이 바람직하다. 그리고 상기 가요기판부(212)와 상부캡(230)은 폴리머에 의한 본딩결합될 수 있고, 본 발명에 따른 실리콘 다이렉트 본딩으로 결합될 수 있다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 관성센서는 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다고 할 것이다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
100, 200 : 관성센서 110,210 : 센서부
111, 211 : 구동체 112,212 : 가요기판부
120, 220: 하부캡 230 : 상부캡
111, 211 : 구동체 112,212 : 가요기판부
120, 220: 하부캡 230 : 상부캡
Claims (14)
- 구동전극 및 감지전극이 형성된 가요기판부와, 상기 가요기판부에 변위가능하도록 장착된 구동체와, 상기 구동체를 부유된 상태로 지지하기 위해 상기 가요기판부에 결합되고 실리콘으로 이루어진 지지체를 구비하는 센서부; 및
상기 구동체의 하부를 커버하고 실리콘으로 이루어진 하부캡을 포함하고, 상기 하부캡과 센서부는 실리콘 다이렉트 본딩방식으로 결합된 것을 특징으로 하는 관성센서.
- 청구항 1에 있어서,
상기 실리콘 다이렉트 본딩방식은
웨이퍼 표면의 오염제거하고, 친수성처리하고, 상기 센서부와 상기 하부캡을 가압하여 초기접합하고, 본딩제를 이용하고 가압하여 본접합하고, 고온열처리에 의한 최종접합하는 것을 특징으로 하는 관성센서.
- 청구항 1에 있어서,
상기 가요기판부의 상부를 커버하는 상부캡을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 관성센서.
- 청구항 3에 있어서,
상기 상부캡은 실리콘으로 이루어지고, 상기 가요기판부는 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼로 이루어지고, 상기 상부캡과 상기 가요기판부는 실리콘 다이렉트 본딩방식으로 결합된 것을 특징으로 하는 관성센서.
- SOI 웨이퍼에 식각을 통해 구동체 및 지지체를 형성시키는 센서부 형성단계;
상기 SOI 웨이퍼의 구동체를 커버하기 위해 지지체에 결합되는 하부캡을 마련하는 하부캡 형성단계;
상기 SOI 웨이퍼의 지지체와 상기 하부캡을 결합시키는 실리콘 다이렉트 본딩단계; 및
상기 SOI 웨이퍼의 상면에 전극패턴을 형성하는 전극패턴 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 관성센서의 제조방법.
- 청구항 5에 있어서,
상기 하부캡 형성단계는
실리콘 웨이퍼를 마련하고, 상기 실리콘 웨이퍼에 식각을 통해 캐비티를 형성시킨 것을 특징으로 하는 관성센서의 제조방법.
- 청구항 5에 있어서,
상기 실리콘 다이렉트 본딩방식은
웨이퍼 표면의 오염제거하고, 친수성처리하고, 상기 센서부와 상기 하부캡을 가압하여 초기접합하고, 본딩제를 이용하고 가압하여 본접합하고, 고온열처리에 의한 최종접합를 포함하는 것을 특징으로 하는 관성센서의 제조방법.
- 청구항 7에 있어서,
상기 초기접합단계에서 가해지는 압력은 0.6bar 내지 0.8bar인 것을 특징으로 하는 관성센서의 제조방법.
- 청구항 7에 있어서,
상기 친수성 처리단계는 Plasma activation 방식인 것을 특징으로 하는 관성센서의 제조방법.
- 청구항 7에 있어서,
상기 본접합단계는 본딩제를 이용하여 15도 내지 400도 이하에서 가압하는 것을 특징으로 하는 관성센서의 제조방법.
- 청구항 7에 있어서,
상기 최종접합단계는 퓨네이스(Furnace)를 이용해 1000도 ~ 1300도에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 관성센서의 제조방법.
- 청구항 7에 있어서,
상기 최종접합단계는 고온열처리 전에 상온에서 보관하는 홀딩단계를 포함하는 것이 특징으로 하는 관성센서의 제조방법.
- 청구항 12에 있어서,
상기 홀딩단계는 24시간 내지 48시간 동안 보관하는 것을 특징으로 하는 관성센서의 제조방법.
- 청구항 5에 있어서,
상기 전극패턴 형성단계는
상기 소자 웨이퍼의 상면에 전극재료를 증착하고, 패턴형성에 의해 구동전극 및 감지전극 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 관성센서의 제조방법.
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