KR20120102276A - Fluidized bed reactor for producing a granulated polysilicon - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A fluidized bed reactor for manufacturing granulated polysilicon is provided to reduce the precipitation of silicon on the inner wall of a fluidized bed reactor by changing the circulating direction of a fluidized bed. CONSTITUTION: A fluidized bed reactor(100) includes a wall(110), a distributing plate(130), and a heater(140). The wall forms a fluidized bed space(120). Concave parts(150) are formed on the inner wall of the reactor. The distributing plate is positioned at the lower side of the inner wall. The distribution plate injects reaction gas into the inner part of the inner wall. The heater heats the inner wall. The concave parts are continuously formed to the height direction of the inner wall.

Description

입자형 폴리실리콘을 제조하는 유동층 반응기{FLUIDIZED BED REACTOR FOR PRODUCING A GRANULATED POLYSILICON}Fluidized bed reactor for producing particulate polysilicon {FLUIDIZED BED REACTOR FOR PRODUCING A GRANULATED POLYSILICON}

본 발명은 고효율로 입자형 폴리실리콘을 제조할 수 있는 유동층 반응기에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 유동층 반응기의 반응기 벽의 내면을 특정 형상으로 구성하여 실리콘 석출 반응 효율을 향상시킨 유동층 반응기에 관한 것이다.The present invention relates to a fluidized bed reactor capable of producing particulate polysilicon with high efficiency. More specifically, the present invention relates to a fluidized bed reactor in which the inner surface of the reactor wall of the fluidized bed reactor is formed in a specific shape to improve the silicon precipitation reaction efficiency.

일반적으로, 반도체 소자, 태양전지 또는 화학공정용 소재의 원료인 고순도의 폴리실리콘(polysilicon)은 높은 순도로 정제된 실리콘 함유 반응가스가 열분해 및/또는 수소환원 반응을 하여 실리콘 표면에 실리콘이 계속적으로 증착됨으로써 생산된다.In general, high-purity polysilicon, which is a raw material for semiconductor devices, solar cells, or chemical process materials, undergoes pyrolysis and / or hydrogen reduction reaction of purified silicon-containing reaction gas with high purity so that silicon continues on the surface of silicon. Produced by deposition.

현재까지는 종형(bell-jar type)의 반응기를 이용한 지멘스법(Siemens)이 주로 이용되어 왔으며, 이 반응기를 사용하여 제조된 폴리실리콘 제품은 약 50 내지 300mm의 직경을 갖는 봉(rod)형태이다.Until now, the Siemens method using a bell-jar type reactor has been mainly used, and polysilicon products manufactured using this reactor have a rod shape having a diameter of about 50 to 300 mm.

종형 반응기를 사용한 제조 방법은 폴리실리콘을 연속적으로 생산할 수 없고, 실리콘 석출에 필요한 실리콘 표면적이 제한적이어서 석출 반응의 효율이 나쁘며, 과다한 열손실로 인해 전력소모량이 크다는 문제점을 가진다.The production method using the vertical reactor has a problem in that polysilicon cannot be continuously produced, the silicon surface area required for silicon precipitation is limited, so that the precipitation reaction is poor, and power consumption is large due to excessive heat loss.

최근에는, 이러한 문제점들을 해결하기 위해 크기가 약 0.5 내지 3mm 정도인 입자형태의 폴리실리콘을 생산하는 유동층 반응기를 이용한 방법이 활용되고 있다.Recently, in order to solve these problems, a method using a fluidized bed reactor for producing polysilicon having a particle size of about 0.5 to 3 mm is used.

유동층 반응기를 이용한 폴리실리콘의 제조 방법은, 반응기 내에 크기가 작은 실리콘 종입자(seed crystal)를 투입한 뒤, 하부에서 실리콘 함유 반응가스를 투입하여 종입자를 유동화시켜 유동층을 형성하고, 반응기를 반응가스의 열분해 온도 이상으로 가열하여 실리콘 종입자의 표면에 반응가스에서 분해된 실리콘을 석출시키는 방법이다.In the method for producing polysilicon using a fluidized bed reactor, a small sized silicon seed particle is introduced into the reactor, and then a silicon-containing reaction gas is introduced at the bottom to fluidize the seed particles to form a fluidized bed, and react the reactor. It is a method of precipitating silicon decomposed in a reaction gas on the surface of silicon seed particles by heating above the gas pyrolysis temperature.

유동층 반응기를 이용하여 폴리실리콘을 제조하는 경우, 반응가스로부터 석출 효율을 증가시키기 위해, 종입자는 반응가스의 열분해 온도 이상으로 균일하게 가열되어야 한다. 또한, 반응가스의 일부는 유동층 내부를 버블(bubble) 형태로 통과하는데, 버블 내부에 존재하는 반응가스를 최소화시켜야 석출 효율을 증가시킬 수 있다.When producing polysilicon using a fluidized bed reactor, the seed particles must be uniformly heated above the pyrolysis temperature of the reaction gas in order to increase the precipitation efficiency from the reaction gas. In addition, some of the reaction gas passes through the inside of the fluidized bed in the form of a bubble, and the deposition efficiency may be increased by minimizing the reaction gas present in the bubble.

유동층 반응기의 가열은 외부에서 직접 가열하는 방식이 일반적이나, 가열 효율을 증가시키기 위해 반응기 내부에서 직접 가열하는 방식도 존재한다. 예를 들어, 로버트 N. 플라젤라(Robert N. Flagella) 등의 미국특허 제4,906,441호에는 유동층 반응기 내부에 전도성 물질로 제작된 라이너를 설치하고, 이 라이너에 전류를 인가하여 가열함으로써 종입자를 직접 균일하게 가열하는 방법이 개시되어 있다. 그러나, 이 방법에 의한다면, 라이너로 고압의 전류를 인가하여야 하며, 반응기 외부로 열손실이 발생한다는 문제점을 가진다.The heating of the fluidized bed reactor is generally performed by direct heating from the outside, but there is also a method of heating directly inside the reactor to increase the heating efficiency. For example, US Pat. No. 4,906,441 to Robert N. Flagella et al. Installs a liner made of a conductive material inside a fluidized bed reactor, and applies the current to the liner to heat seed particles directly. A method of uniformly heating is disclosed. However, by this method, a high pressure current must be applied to the liner, which causes a problem that heat loss occurs outside the reactor.

한편, 에이런 아차리아(Arun Acharya) 등의 미국특허 제4,904,452호는 반응기가 이중으로 되어 있고, 반응기의 외부와 내부에서 동시에 가열을 함으로써 가열 효율을 증가시키는 방법을 개시하고 있지만, 이 특허는 기존 방식에 비해 가열장치를 추가로 요구하며, 반응기 중앙부에는 유동층이 형성되지 않기 때문에 불필요한 공간을 발생시킨다는 문제점이 존재한다.Meanwhile, U.S. Patent No. 4,904,452 to Arun Acharya et al. Discloses a method in which a reactor is doubled and a heating efficiency is increased by heating simultaneously at the outside and the inside of the reactor. Compared to the method, a heating device is additionally required, and there is a problem of generating unnecessary space because no fluidized bed is formed in the center of the reactor.

또한, 리차드 A. 반 슬루텐(Richard A. Van Slooten) 등의 미국특허 제 4,992,245호에는 수직 원형 라이너를 반응기 내부에 설치하여 반응기 내벽과 라이너 사이의 공간을 형성하고, 이 공간에 존재하는 종입자를 외부에서 직접 가열하여 가열 효율을 높이고, 가열된 종입자는 유동층으로 투입되어 전체 유동층의 온도를 증가시키는 방법이 개시되어 있지만, 이는 가열된 종입자가 아래로 이동하여 유동층으로의 투입이 원활하지 않을 경우 문제점이 발생할 수 있다.In addition, US Pat. No. 4,992,245 to Richard A. Van Slooten et al. Provides a vertical circular liner in the reactor to form a space between the reactor inner wall and the liner, and seed particles present in the space. Is heated directly from the outside to increase the heating efficiency, and the heated seed particles are introduced into the fluidized bed to increase the temperature of the entire fluidized bed, but this is because the heated seed particles are moved downwards and the input into the fluidized bed is not smooth. If not, problems may occur.

상기와 같은 종래의 기술들은 실리콘 종입자를 효율적으로 가열하면서 석출 반응을 균일하게 유지시키는 방법을 제공해주지 못하고 있다. 또한, 반응기 또는 라이너가 수직 원형 모양으로 이루어져 있기 때문에 유동층 내부의 버블 이동에 영향을 주지 못하고, 이에 의해 내벽에 실리콘이 석출될 수 있다.Such conventional techniques do not provide a method of uniformly maintaining the precipitation reaction while efficiently heating the silicon seed particles. In addition, since the reactor or the liner has a vertical circular shape, it does not affect bubble movement in the fluidized bed, whereby silicon may be deposited on the inner wall.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 제1목적은 유동층 반응기 내부의 종입자의 가열 효율을 증가시키는 유동층 반응기를 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, the first object of the present invention is to provide a fluidized bed reactor for increasing the heating efficiency of the seed particles inside the fluidized bed reactor.

본 발명의 제2목적은 유동층 반응기 내 버블의 이동에 영향을 주어 버블 내 반응가스의 실리콘 석출 효율을 증가시키는 유동층 반응기를 제공하는 것이다.It is a second object of the present invention to provide a fluidized bed reactor which affects the movement of bubbles in a fluidized bed reactor to increase the silicon precipitation efficiency of the reaction gas in the bubble.

본 발명의 제3목적은 유동층의 순환 방향을 인위적으로 조절하여 실리콘 종입자의 표면에 균일하게 실리콘이 석출되도록 하는 유동층 반응기를 제공하는 것이다.It is a third object of the present invention to provide a fluidized bed reactor in which silicon is uniformly deposited on the surface of silicon seed particles by artificially adjusting the circulation direction of the fluidized bed.

본 발명의 제4목적은 유동층 반응기의 반응기 벽의 내면에 실리콘이 석출되는 것을 방지하는 유동층 반응기를 제공하는 것이다.It is a fourth object of the present invention to provide a fluidized bed reactor which prevents precipitation of silicon on the inner surface of the reactor wall of the fluidized bed reactor.

본 발명의 제5목적은 석출되는 실리콘의 불순물 오염을 최소화시켜 고순도의 폴리실리콘을 제조하는 유동층 반응기를 제공하는 것이다.A fifth object of the present invention is to provide a fluidized bed reactor for producing high purity polysilicon by minimizing impurity contamination of precipitated silicon.

본 발명의 일 실시예에 따른 유동층 반응기는,Fluidized bed reactor according to an embodiment of the present invention,

내부에 유동층 공간을 형성하며, 내면에 오목부들이 형성된 반응기 벽; 상기 반응기 벽의 하단에 위치되어, 상기 반응기 벽의 내부로 반응가스를 주입하는 분산판; 및 상기 반응기 벽을 가열하는 가열 장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.A reactor wall defining a fluidized bed space therein and having recesses formed therein; A dispersion plate positioned at a lower end of the reactor wall to inject a reaction gas into the reactor wall; And a heating device for heating the reactor wall.

상기 오목부는, 단면 형상이 삼각형 형상인 것이 바람직하다.It is preferable that the said recess is triangular in cross-sectional shape.

또한, 상기 오목부는, 단면 형상이 렌즈 형상일 수도 있다.In addition, the concave portion may have a lens shape in cross section.

상기 오목부는, 상기 반응기 벽의 높이 방향으로 연속적으로 형성된 것이 바람직하다.The recess is preferably formed continuously in the height direction of the reactor wall.

상기 오목부의 깊이(d)는 0.5 내지 8cm이고, 상기 오목부의 높이(h)는 0.5 내지 4cm이며, 상기 오목부와 상기 반응기 벽에 대한 수직선 사이의 각(θ)은 20 내지 80°인 것이 바람직하다.The depth d of the recess is 0.5 to 8 cm, the height h of the recess is 0.5 to 4 cm, and the angle θ between the recess and the vertical line to the reactor wall is preferably 20 to 80 degrees. Do.

더욱 바람직하게는, 상기 오목부의 깊이(d)는 0.5 내지 2cm이고, 상기 오목부의 높이(h)는 1 내지 3cm이며, 상기 오목부와 상기 반응기 벽에 대한 수직선 사이의 각(θ)은 30 내지 60°이다.More preferably, the depth d of the recess is 0.5-2 cm, the height h of the recess is 1-3 cm, and the angle θ between the recess and the vertical line to the reactor wall is 30-. 60 °.

상기 반응기 벽은, 탄화규소, 흑연, 실리콘, 유리질 탄소, 석영, 실리카, 질화규소 및 탄화텅스텐 중에서 적어도 하나 이상을 포함하여 이루어진 것이 바람직하다.The reactor wall preferably comprises at least one of silicon carbide, graphite, silicon, glassy carbon, quartz, silica, silicon nitride and tungsten carbide.

더욱 바람직하게는, 상기 반응기 벽은, 흑연으로 이루어지되, 상기 반응기 벽의 내면은 탄화규소로 코팅된다.More preferably, the reactor wall is made of graphite while the inner surface of the reactor wall is coated with silicon carbide.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유동층 반응기는,Fluidized bed reactor according to another embodiment of the present invention,

내부에 유동층 공간을 형성하며, 내면에 오목부들이 형성된 라이너; 상기 라이너를 둘러싸는 반응기 벽; 상기 반응기 벽의 하단에 위치되어, 상기 라이너의 내부로 반응가스를 주입하는 분산판; 및 상기 반응기 벽 또는 상기 라이너를 가열하는 가열 장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.A liner forming a fluidized bed space therein and having recesses formed in an inner surface thereof; A reactor wall surrounding the liner; A dispersion plate positioned at a lower end of the reactor wall to inject a reaction gas into the liner; And a heating device for heating the reactor wall or the liner.

상기와 같은 구성으로 인해, 본 발명의 일 실시예에 따른 유동층 반응기는 하기와 같은 효과를 가진다.Due to the configuration as described above, the fluidized bed reactor according to an embodiment of the present invention has the following effects.

(1) 반응기 벽의 내면의 면적이 증가하여 종입자의 가열 효율이 증가된다.(1) The area of the inner surface of the reactor wall is increased to increase the heating efficiency of the seed particles.

(2) 반응기 벽의 내면 형상으로 인해, 유동층의 순환방향이 변화되어 버블 내 반응가스의 실리콘 석출 효율이 증가하고, 실리콘 종입자의 표면에 실리콘이 균일하게 석출된다.(2) Due to the inner surface shape of the reactor wall, the circulation direction of the fluidized bed is changed to increase the silicon precipitation efficiency of the reaction gas in the bubble, and silicon is uniformly deposited on the surface of the silicon seed particles.

(3) 반응기 벽의 내면 형상으로 인해, 반응기 벽의 내면에 실리콘이 석출되는 것이 크게 감소된다.(3) Due to the inner surface shape of the reactor wall, the precipitation of silicon on the inner surface of the reactor wall is greatly reduced.

(4) 석출되는 실리콘의 불순물 오염을 최소화시켜 고순도의 폴리실리콘이 생산된다.(4) High purity polysilicon is produced by minimizing impurity contamination of precipitated silicon.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유동층 반응기의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유동층 반응기에서 유동층의 흐름을 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유동층 반응기에서 반응기 벽의 내면에 형성된 오목부에서의 종입자의 흐름을 확대한 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유동층 반응기의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유동층 반응기의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.1 is a view schematically showing the configuration of a fluidized bed reactor according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating the flow of a fluidized bed in a fluidized bed reactor according to an embodiment of the present invention.
3 is an enlarged view of a flow of seed particles in a recess formed in an inner surface of a reactor wall in a fluidized bed reactor according to one embodiment of the present invention.
4 is a view schematically showing the configuration of a fluidized bed reactor according to another embodiment of the present invention.
5 is a view schematically showing the configuration of a fluidized bed reactor according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하면서 예시적인 실시예를 통해 본 발명을 상세히 설명하기로 하며, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지의 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략될 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail through exemplary embodiments with reference to the accompanying drawings, and the present invention is not limited thereto. In addition, detailed descriptions of well-known functions and configurations that may blur the gist of the present invention will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유동층 반응기(100)의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.1 is a view schematically showing the configuration of a fluidized bed reactor 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유동층 반응기(100)는 반응기 벽(110), 분산판(130), 가열 장치(140), 반응기 하부(160) 및 가스 주입구(170)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the fluidized bed reactor 100 according to an embodiment of the present invention includes a reactor wall 110, a dispersion plate 130, a heating device 140, a reactor bottom 160, and a gas inlet 170. ).

반응기 벽(110)은 관 형상으로서, 내부에 유동층 공간(120)이 형성된다. 반응기 벽(110)의 내부로 종입자, 반응가스 등이 주입되어 유동층이 형성되고, 폴리실리콘이 석출된다. 유동층 공간(120)은 유동층이 형성되는 공간이다.The reactor wall 110 is tubular and has a fluidized bed space 120 formed therein. Seed particles, reaction gases and the like are injected into the reactor wall 110 to form a fluidized bed, and polysilicon is precipitated. The fluidized bed space 120 is a space in which a fluidized bed is formed.

분산판(130)은 반응기 벽(110) 하부에 위치되어, 가스 주입구(170)로부터 전달받는 반응가스를 반응기 벽(110) 내부로 균일하게 주입하는 구성이다. 분산판(130)은 반응가스를 반응기 벽(110) 내부의 상향으로 주입한다. 이에 의해, 반응기 벽(110) 내부에서 유동층과 반응기 벽(110) 내부를 통과하는 버블(180)이 형성된다. 분산판(130)의 중앙부에는 폴리실리콘 배출 노즐(도시되지 않음)이 구비될 수 있으며, 충분히 성장된 폴리실리콘이 이를 통해 외부로 배출된다.The dispersion plate 130 is positioned below the reactor wall 110 to uniformly inject the reaction gas received from the gas inlet 170 into the reactor wall 110. The dispersion plate 130 injects the reaction gas upward into the reactor wall 110. As a result, bubbles 180 are formed passing through the fluidized bed and the reactor wall 110 inside the reactor wall 110. A polysilicon discharge nozzle (not shown) may be provided at a central portion of the dispersion plate 130, and sufficient grown polysilicon is discharged to the outside.

반응가스는 실리콘 원소를 포함하는 모노실란(SiH4), 이염화실란(SiH2Cl2), 삼염화실란(SiHCl3), 사염화실란(SiCl4)과 같은 Si-H-Cl계 실란화합물이 단독 또는 혼합되어 사용되며, 이 반응가스에는 수소, 질소, 아르곤 또는 헬륨 중 하나 이상의 가스성분이 추가로 포함될 수 있다.The reaction gas may be a monosilane (SiH 4 ), a disilane (SiH 2 Cl 2 ), a trichlorosilane (SiHCl 3 ), or a tetrasilane (SiCl 4 ) -based silane compound containing silicon elements alone or Used in combination, the reaction gas may further include one or more gas components of hydrogen, nitrogen, argon or helium.

가열 장치(140)는 반응기 벽(110)을 가열하여 유동층의 온도가 반응가스로부터 실리콘 석출반응이 일어나는 온도인 400 내지 1100℃ 이상이 되도록 한다. 도 1에는 가열 장치(140)가 유동층 반응기(100) 외부에서 반응기 벽(110)을 가열하고 있는 것으로 도시되어 있지만, 이에 한정되지 않고, 내부에서 가열하는 장치도 포함한다.The heating device 140 heats the reactor wall 110 so that the temperature of the fluidized bed is at least 400-1100 ° C., the temperature at which the silicon precipitation reaction occurs from the reaction gas. Although FIG. 1 shows that the heating device 140 is heating the reactor wall 110 outside of the fluidized bed reactor 100, the present invention is not limited thereto and includes an apparatus for heating therein.

반응기 하부(160)는 분산판(130)의 하부에 위치되어, 가스 주입구(170)로부터 주입되는 반응가스를 분산판(130)으로 전달한다.The reactor lower portion 160 is positioned at the lower portion of the dispersion plate 130 to transfer the reaction gas injected from the gas inlet 170 to the dispersion plate 130.

가스 주입구(170)는 반응기 하부(160)로 반응가스를 주입하는 구성이다. 도 1에서는 반응기 하부(160)에 연결된 가스 주입구(170)만을 도시하고 있지만, 가스 주입구는 분산판(130)의 중앙부에 위치하는 폴리실리콘 배출 노즐에 직접 연결되어, 폴리실리콘 배출 노즐을 통해 반응기 벽(110) 내부로 반응가스가 주입되도록 구성될 수도 있다.The gas injection port 170 is configured to inject the reaction gas into the reactor lower portion 160. In FIG. 1, only the gas inlet 170 connected to the reactor bottom 160 is shown, but the gas inlet is directly connected to the polysilicon discharge nozzle located at the center of the dispersion plate 130, and through the polysilicon discharge nozzle, the reactor wall. The reaction gas may be configured to be injected into the 110.

도 1에 도시된 바와 같이, 반응기 벽(110)의 내면에는 반응기 벽(110)의 높이 방향으로 단면 형상이 삼각형 형상인 오목부(150)가 연속적으로 형성된다. 이 오목부(150)에 의한 유동층의 흐름은 도 2와 관련하여 설명될 것이다.As shown in FIG. 1, a recess 150 having a triangular cross-sectional shape in the height direction of the reactor wall 110 is continuously formed on the inner surface of the reactor wall 110. The flow of the fluidized bed by this recess 150 will be described with reference to FIG. 2.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유동층 반응기(100)에서 유동층의 흐름을 도시하는 도면이다.2 is a view showing the flow of the fluidized bed in the fluidized bed reactor 100 according to an embodiment of the present invention.

반응가스는 가스 주입구(170)로부터 분산판(130)을 통하여 반응기 벽(110) 내부로 고르게 주입되어 유동층이 형성하며, 반응가스 중 일부는 유동층 내에서 내부에 반응가스만을 포함한 버블(180)을 형성한다. 이 버블(180)은 반응기 벽(110) 내부의 종입자를 상향으로 밀어올리는데, 이때 종입자의 일부는 반응기 벽(110)의 내면에 형성된 오목부(150)에서 순환을 하며, 순환된 종입자는 오목부(150)의 하단에서 하강을 하게 된다(도 2의 화살표 ① 참조). 이러한 순환은 각 오목부(150)마다 발생한다.The reaction gas is evenly injected into the reactor wall 110 from the gas inlet 170 through the distribution plate 130 to form a fluidized bed, and some of the reaction gas includes bubbles 180 including only the reaction gas therein. Form. The bubble 180 pushes up the seed particles inside the reactor wall 110 upwards, wherein a part of the seed particles circulate in the recess 150 formed in the inner surface of the reactor wall 110, and the circulated seed particles Is lowered at the lower end of the recess 150 (see arrow ① of Figure 2). This circulation occurs for each recess 150.

오목부(150)에서 하강을 하는 종입자는 버블(180)에 의해 상승하는 종입자와 만나게 되어, 상승하는 종입자의 이동을 방해하고, 이는 결국 버블(180)의 이동을 방해하게 된다. 이에 의해, 반응기 벽(110)의 내면에 근접한 버블(180)은 이동 속도가 하락하게 된다. 버블(180)이 상승할수록 버블(180)의 외곽부의 이동 속도는 감소되고, 버블(180)의 중앙부가 버블(180)의 외곽부보다 빠르게 되어, 버블(180)의 중앙부에 의해 상승한 종입자는 화살표 ②와 같이 순환하게 된다.The seed particles falling in the concave portion 150 meet the rising seed particles by the bubble 180, which hinders the movement of the rising seed particles, which in turn hinders the movement of the bubble 180. As a result, the bubble 180 close to the inner surface of the reactor wall 110 has a reduced moving speed. As the bubble 180 rises, the moving speed of the outer portion of the bubble 180 decreases, and the center portion of the bubble 180 is faster than the outer portion of the bubble 180, so that the seed particles raised by the center portion of the bubble 180 It will cycle as shown by arrow ②.

도 2에 도시된 바와 같이, 오목부(150)가 연속적으로 형성된 반응기 벽(110)의 내면의 면적은 오목부(150)가 형성되지 않은 반응기 벽(110)의 내면의 면적보다 약 1 내지 3배 이상 증가하게 되고, 이는 종입자와 접하는 반응기 벽(110)의 가열 면적을 증가시켜, 종입자의 가열 효율을 증가시킨다. 또한, 화살표 ②에 따른 순환 경로에 의해 유동층 반응기(100) 내 종입자들의 이동이 활발해지고, 반응기 벽(110)의 내면에 인접하며 하강하는 종입자들이 유동층 공간(120)의 하부에서 다시 상승함으로써, 종입자들의 온도 편차를 감소시켜 종입자의 표면에 실리콘이 균일하게 석출될 수 있다.As shown in FIG. 2, the area of the inner surface of the reactor wall 110 in which the recesses 150 are continuously formed is about 1 to 3 greater than the area of the inner surface of the reactor wall 110 in which the recesses 150 are not formed. This increases more than twice, which increases the heating area of the reactor wall 110 in contact with the seed particles, thereby increasing the heating efficiency of the seed particles. In addition, the movement of the seed particles in the fluidized bed reactor 100 is activated by the circulation path according to the arrow ②, and the descending seed particles adjacent to the inner surface of the reactor wall 110 rise again at the bottom of the fluidized bed space 120. As a result, the temperature variation of the seed particles can be reduced, so that silicon can be uniformly deposited on the surface of the seed particles.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유동층 반응기(100)에서 반응기 벽(110)의 내면에 형성된 오목부(150)에서의 종입자(190)의 흐름을 확대한 도면이다.3 is an enlarged view of the flow of seed particles 190 in the recess 150 formed in the inner surface of the reactor wall 110 in the fluidized bed reactor 100 according to an embodiment of the present invention.

위에서 설명한 듯이, 오목부(150)에서 순환하여 하강하는 종입자(190)들은 버블(180)에 의해 상승하는 종입자들과 충돌하게 된다. 이에 의해, 버블(180)의 외곽부의 속도는 저하되고, 하강하면서 충돌된 종입자(190)들은 버블(180)의 내부에서 반응가스와 반응하여 종입자(190)들의 표면에 실리콘이 석출된다.As described above, the seed particles 190 circulating and descending in the recess 150 collide with the seed particles rising by the bubble 180. As a result, the velocity of the outer portion of the bubble 180 is lowered, and the falling seed particles 190 react with the reaction gas inside the bubble 180 to precipitate silicon on the surface of the seed particles 190.

종래의 유동층 반응기는 상승하는 버블의 이동에 큰 영향을 주지 못하기 때문에, 버블 내부에 존재하는 반응가스는 반응하지 못한 채 유동층 반응기 외부로 배출되지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 유동층 반응기(100)는, 오목부(150)에서 하강하는 종입자(190)들이 버블(180) 내부에서 반응가스와 결합하여 실리콘이 석출되기 때문에, 버블(180) 내부에 존재하는 반응가스의 석출 반응의 효율이 증가한다.Since the conventional fluidized bed reactor does not significantly affect the movement of the rising bubble, the reaction gas present in the bubble is discharged to the outside of the fluidized bed reactor without reacting, but according to an embodiment of the present invention, the fluidized bed reactor 100 ), Since the seed particles 190 falling in the concave portion 150 are combined with the reaction gas in the bubble 180 to precipitate silicon, the efficiency of the precipitation reaction of the reaction gas existing in the bubble 180 is increased. Increases.

오목부(150)는 종입자(190)가 최소한으로 순환할 수 있을 정도의 크기 이상이 되어야 한다. 오목부(150)가 매우 작을 경우 종입자(190)의 순환이 일어나지 않게 되어 반응기 벽(110)의 내면에 종입자(190)가 부착되어 굳어버릴 수 있기 때문이다. 또한, 오목부(150)가 매우 클 경우에는, 버블(180)이 직접 반응기 벽(110)의 내면에 접하여 내면 표면에서 실리콘의 석출반응이 일어날 수 있는 문제점이 생긴다. 반응기 벽(110)의 내면 표면에서 실리콘 석출반응이 일어나면 내면이 코팅되는 현상이 발생하는데, 이에 의해 열전도도가 낮아져 불필요한 열손실이 발생하고, 종입자의 가열효율을 감소시키는 문제점이 발생한다. 또한 이러한 코팅은 시간이 지남에 따라 벽면에서 떨어지는 경우가 발생할 수 있으며, 떨어진 코팅은 폴리실리콘의 순도 및 생산과정에 대하여 악영향을 끼친다.The recess 150 should be larger than the size that the seed particles 190 can circulate to the minimum. This is because when the recess 150 is very small, the circulation of the seed particles 190 does not occur and the seed particles 190 may be attached to the inner surface of the reactor wall 110 and may be hardened. In addition, when the concave portion 150 is very large, there is a problem that the bubble 180 directly contacts the inner surface of the reactor wall 110 so that precipitation reaction of silicon may occur on the inner surface. When the silicon precipitation reaction occurs on the inner surface of the reactor wall 110, the inner surface is coated, which leads to a low thermal conductivity, thereby causing unnecessary heat loss and reducing the heating efficiency of the seed particles. In addition, these coatings may fall off the wall over time, and the coatings that are adversely affected the purity and production of polysilicon.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유동층 반응기(100)에서 오목부(150)는 깊이(d)가 0.5 내지 8cm이고, 높이(h)가 0.5 내지 4cm이며, 오목부(150)와 반응기 벽(110)에 대한 수직선 사이의 각(θ)은 20 내지 80°인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 깊이(d)가 0.5 내지 2cm이고, 높이(h)가 1 내지 3cm이며, 오목부(150)와 반응기 벽(110)에 대한 수직선 사이의 각(θ)이 30 내지 60°일 수 있다. 이에 의해, 반응기 벽(110) 내면에서 석출되는 실리콘의 양을 크게 줄일 수 있다.Therefore, in the fluidized bed reactor 100 according to an embodiment of the present invention, the recess 150 has a depth d of 0.5 to 8 cm, a height h of 0.5 to 4 cm, and a recess 150 and a reactor wall. The angle θ between the perpendicular lines with respect to 110 is preferably 20 to 80 degrees. More preferably, the depth d is 0.5-2 cm, the height h is 1-3 cm, and the angle θ between the recess 150 and the perpendicular to the reactor wall 110 is 30-60 °. Can be. Thereby, the amount of silicon deposited on the inner surface of the reactor wall 110 can be greatly reduced.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유동층 반응기(200)의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.4 is a view schematically showing the configuration of the fluidized bed reactor 200 according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유동층 반응기(200)는 도 1에 도시된 유동층 반응기(100)와 마찬가지로, 반응기 벽(210), 분산판(230), 가열 장치(240), 반응기 하부(260) 및 가스 주입구(270)를 포함한다. 다만, 반응기 벽(210)의 내면과 관련하여, 도 4에 따른 유동층 반응기(200)의 반응기 벽(210) 내면에는 단면 형상이 렌즈 형상인 오목부(250)들이 연속적으로 형성되어 있다.The fluidized bed reactor 200 according to another embodiment of the present invention, like the fluidized bed reactor 100 shown in FIG. 1, includes a reactor wall 210, a dispersion plate 230, a heating device 240, and a reactor bottom 260. And a gas injection hole 270. However, in relation to the inner surface of the reactor wall 210, recesses 250 having a lens shape in cross section are continuously formed on the inner surface of the reactor wall 210 of the fluidized bed reactor 200 according to FIG. 4.

여기서 "렌즈 형상의 오목부"는, 반구형 또는 반타원형의 오목부를 의미한다.Here, "lens-shaped recessed part" means a hemispherical or semi-elliptic recessed part.

렌즈 형상의 오목부(250)들에 의한 유동층의 흐름은 도 1에 따른 삼각형 형상의 오목부(150)들에 의한 유동층의 흐름과 동일하므로 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 렌즈 형상의 오목부(250)일 경우, 종입자의 순환이 보다 원활하게 발생할 것이다.Since the flow of the fluidized bed by the lens-shaped recesses 250 is the same as the flow of the fluidized bed by the triangular-shaped recesses 150 according to FIG. 1, a description thereof will be omitted. However, in the case of the lens-shaped recess 250, the circulation of the seed particles will occur more smoothly.

도 4에 따른 유동층 반응기(200)의 오목부(250)는 도 1에 따른 오목부(150)와 동일한 높이, 깊이 및 각도를 가지는 것이 바람직하다.The recess 250 of the fluidized bed reactor 200 according to FIG. 4 preferably has the same height, depth, and angle as the recess 150 according to FIG. 1.

도 1 및 도 4는 오목부(150, 250)가 삼각형 형상인 경우와 렌즈 형상인 경우만을 도시하고 있으나, 이들 두 형상이 혼합되어 형성될 수도 있고, 반응기 벽의 내면 중 일부만 오목부가 형성될 수도 있다.1 and 4 illustrate only the case where the recesses 150 and 250 have a triangular shape and a lens shape, these two shapes may be mixed and formed, and only a part of the inner surface of the reactor wall may be formed. have.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유동층 반응기(300)의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.5 is a view schematically showing the configuration of the fluidized bed reactor 300 according to another embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 유동층 반응기(300)는 도 1에 도시된 유동층 반응기(100)의 구성을 포함하며, 라이너(380)를 추가적으로 더 포함한다.The fluidized bed reactor 300 shown in FIG. 5 includes the configuration of the fluidized bed reactor 100 shown in FIG. 1, and further includes a liner 380.

도 5에 도시된 유동층 반응기(300)에서, 라이너(380)는 관 형상으로서, 내부에 유동층 공간(320)이 형성된다. 라이너(380)가 설치된 경우, 반응기 벽(310)은 라이너(380)를 둘러싸는 형상을 갖는다. In the fluidized bed reactor 300 shown in FIG. 5, the liner 380 is tubular and a fluidized bed space 320 is formed therein. When liner 380 is installed, reactor wall 310 is shaped to surround liner 380.

도 5에 따른 유동층 반응기(300)에서는 라이너(380)의 내부에 유동층 공간(320)이 형성되므로, 도 1 및 도 4에 도시된 유동층 반응기(100, 200)와 달리 라이너(380)의 내면에 오목부(350)가 연속적으로 형성된다. 도 5에서는 삼각형 형상의 오목부(350)만이 도시되어 있지만, 렌즈 형상의 오목부가 구비될 수 있음은 자명하다. 오목부(350)에 의한 유동층의 흐름은 도 2와 동일하므로 설명을 생략한다.In the fluidized bed reactor 300 according to FIG. 5, the fluidized bed space 320 is formed inside the liner 380, and thus, unlike the fluidized bed reactors 100 and 200 illustrated in FIGS. 1 and 4, the fluidized bed reactor 300 is disposed on the inner surface of the liner 380. The recess 350 is formed continuously. In FIG. 5, only the concave portion 350 having a triangular shape is illustrated, but it is apparent that the concave portion having a lens shape may be provided. Since the flow of the fluidized bed by the recess 350 is the same as in FIG. 2, description thereof is omitted.

도 1, 도 4 및 도 5에 따른 유동층 반응기(100, 200, 300)에서 반응기 벽(110, 210, 310) 또는 라이너(380)가 철(Fe)로 이루어진 경우에는 종입자와의 마찰에 의해 불순물이 발생하기 쉬우며, 이에 의해 저급의 폴리실리콘이 생산될 수 있다. 따라서, 유동층 반응기(100, 200, 300)의 반응기 벽(110, 210, 310) 또는 라이너(380)는 탄화규소, 흑연, 실리콘, 유리질 탄소, 석영, 실리카, 질화규소 및 탄화텅스텐 중 하나 이상으로 이루어지는 것이 바람직하다. 또는 이들 중 어느 하나의 재질 위에 다른 재질이 코팅될 수도 있다. 보다 바람직하게는, 반응기 벽(110, 210, 310) 또는 라이너(380)가 탄화규소로 이루어지거나, 내면에 탄화규소가 코팅된 흑연으로 이루어질 수도 있다. 이에 의해 고순도의 폴리실리콘이 생산될 수 있다.In the fluidized bed reactors 100, 200, 300 according to FIGS. 1, 4, and 5, when the reactor walls 110, 210, 310, or liner 380 are made of iron (Fe), friction with seed particles may occur. Impurities are liable to be generated, whereby lower polysilicon can be produced. Thus, the reactor walls 110, 210, 310 or liner 380 of the fluidized bed reactors 100, 200, 300 consist of one or more of silicon carbide, graphite, silicon, glassy carbon, quartz, silica, silicon nitride and tungsten carbide. It is preferable. Alternatively, another material may be coated on any one of these materials. More preferably, the reactor walls 110, 210, 310 or liner 380 may be made of silicon carbide, or may be made of graphite coated with silicon carbide on the inner surface. Thereby, high purity polysilicon can be produced.

이상, 본 발명을 상기 실시예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것이 아니다. 당업자라면 본 발명의 취지 및 범위를 벗어나지 않고 수정, 변경을 할 수 있으며 이러한 수정과 변경 또한 본 발명에 속하는 것임을 알 수 있을 것이다.As mentioned above, although this invention was demonstrated to the said Example, this invention is not limited to this. It will be understood by those skilled in the art that modifications and variations may be made without departing from the spirit and scope of the invention, and that such modifications and variations are also contemplated by the present invention.

100, 200, 300: 유동층 반응기
110, 210, 310: 반응기 벽
120, 220, 320: 유동층 공간
130, 230, 330: 분산판
140, 240, 340: 가열 장치
150, 250, 350: 오목부
160, 260, 360: 반응기 하부
170, 270, 370: 가스 주입구
180: 버블
190: 종입자
380: 라이너100, 200, 300: fluidized bed reactor
110, 210, 310: reactor wall
120, 220, 320: fluidized bed space
130, 230, 330: dispersion plate
140, 240, 340: heating device
150, 250, 350: concave
160, 260, 360: bottom of reactor
170, 270, 370: gas inlet
180: bubble
190: seed particle
380: liner

Claims (9)

내부에 유동층 공간을 형성하며, 내면에 오목부들이 형성된 반응기 벽;
상기 반응기 벽의 하단에 위치되어, 상기 반응기 벽의 내부로 반응가스를 주입하는 분산판; 및
상기 반응기 벽을 가열하는 가열 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기.
A reactor wall defining a fluidized bed space therein and having recesses formed therein;
A dispersion plate positioned at a lower end of the reactor wall to inject a reaction gas into the reactor wall; And
And a heating device for heating said reactor walls.
제1항에 있어서, 상기 오목부는,
단면 형상이 삼각형 형상인 것을 특징으로 하는 유동층 반응기.
The method of claim 1, wherein the recessed portion,
Fluidized bed reactor, characterized in that the cross-sectional shape is a triangular shape.
제1항에 있어서, 상기 오목부는,
단면 형상이 렌즈 형상인 것을 특징으로 하는 유동층 반응기.
The method of claim 1, wherein the recessed portion,
Fluidized bed reactor, characterized in that the cross-sectional shape is a lens shape.
제1항에 있어서, 상기 오목부는,
상기 반응기 벽의 높이 방향으로 연속적으로 형성된 것을 특징으로 하는 유동층 반응기.
The method of claim 1, wherein the recessed portion,
A fluidized bed reactor, characterized in that formed continuously in the height direction of the reactor wall.
제1항에 있어서,
상기 오목부의 깊이(d)는 0.5 내지 8cm이고,
상기 오목부의 높이(h)는 0.5 내지 4cm이며,
상기 오목부와 상기 반응기 벽에 대한 수직선 사이의 각(θ)은 20 내지 80°인 것을 특징으로 하는 유동층 반응기.
The method of claim 1,
The depth d of the recess is 0.5 to 8 cm,
The height h of the recess is 0.5 to 4 cm,
Fluid angle reactor, characterized in that the angle (θ) between the recess and the vertical line to the reactor wall is 20 to 80 °.
제1항에 있어서,
상기 오목부의 깊이(d)는 0.5 내지 2cm이고,
상기 오목부의 높이(h)는 1 내지 3cm이며,
상기 오목부와 상기 반응기 벽에 대한 수직선 사이의 각(θ)은 30 내지 60°인 것을 특징으로 하는 유동층 반응기.
The method of claim 1,
The depth d of the recess is 0.5 to 2 cm,
The height h of the recess is 1 to 3 cm,
Fluid bed reactor, characterized in that the angle (θ) between the recess and the vertical line to the reactor wall is 30 to 60 °.
제1항에 있어서, 상기 반응기 벽은,
탄화규소, 흑연, 실리콘, 유리질 탄소, 석영, 실리카, 질화규소 및 탄화텅스텐 중에서 적어도 하나 이상을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유동층 반응기.
The reactor wall of claim 1, wherein the reactor wall is
A fluidized bed reactor comprising at least one of silicon carbide, graphite, silicon, glassy carbon, quartz, silica, silicon nitride, and tungsten carbide.
제7항에 있어서, 상기 반응기 벽은,
흑연으로 이루어지되, 상기 반응기 벽의 내면은 탄화규소로 코팅된 것을 특징으로 하는 유동층 반응기.
8. The reactor of claim 7, wherein the reactor wall is
A fluidized bed reactor, wherein the inner surface of the reactor wall is coated with silicon carbide.
내부에 유동층 공간을 형성하며, 내면에 오목부들이 형성된 라이너;
상기 라이너를 둘러싸는 반응기 벽;
상기 반응기 벽의 하단에 위치되어, 상기 라이너의 내부로 반응가스를 주입하는 분산판; 및
상기 반응기 벽 또는 상기 라이너를 가열하는 가열 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기.A liner forming a fluidized bed space therein and having recesses formed in an inner surface thereof;
A reactor wall surrounding the liner;
A dispersion plate positioned at a lower end of the reactor wall to inject a reaction gas into the liner; And
A heating device for heating said reactor wall or said liner.
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Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4214579A1 (en) 1992-04-30 1993-11-04 Gerd Gaiser REACTOR FOR CATALYTIC TREATMENT OF GAS SHAPED FLUIDS
JPH10205731A (en) * 1997-01-17 1998-08-04 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd Thermal decomposition reactor and waste treatment device
KR100358750B1 (en) 2000-08-23 2002-10-25 (주)케이.씨.텍 Apparatus For Treating Perfluoro Compound Gas
KR100954351B1 (en) * 2007-10-10 2010-04-21 세메스 주식회사 Apparatus and method of producting carbon nano tube

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170000097A (en) * 2015-06-23 2017-01-02 주식회사 엘지화학 Apparatus and Method for producing polycrystalline silicon using multi-way feeding

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