KR20120098031A - Memory, memory system including the same and operating method of memory and memory system - Google Patents

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KR20120098031A
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최성대
김유성
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에스케이하이닉스 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A memory, a memory system including the same, and a method for operating the memory and the memory system are provided to improve the accuracy of write data by controlling the number of fail bits which are allowed according to a data type. CONSTITUTION: Data is inputted(S101). Information about a fail allowable value is inputted(S102). Data is stored to allow a fail below the fail allowable value(S103). The fail allowable value is determined according to a data type. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Finish; (S101) Inputting data; (S102) Receiving information about a fail allowable value; (S103) Storing data to allow fail below a fail allowable value

Description

메모리, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 메모리와 메모리 시스템의 동작방법{MEMORY, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME AND OPERATING METHOD OF MEMORY AND MEMORY SYSTEM}Memory, a memory system including the same and a method of operating the memory and the memory system {MEMORY, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME AND OPERATING METHOD OF MEMORY AND MEMORY SYSTEM}

본 발명은 메모리의 동작방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of operating a memory.

최근 들어 전기적으로 프로그램(program)과 소거(erase)가 가능하고, 일정 주기로 데이터를 재작성해야하는 리프레시(refresh) 기능이 필요 없는 비휘발성 메모리 소자에 대한 수요가 증가하고 있다.Recently, there is an increasing demand for a nonvolatile memory device that can be electrically programmed and erased and that does not require a refresh function that requires rewriting data at regular intervals.

상기 비휘발성 메모리 셀은 전기적인 프로그램/소거 동작이 가능한 소자로서 얇은 산화막에 인가되는 강한 전기장에 의해 전자가 이동하면서 셀의 문턱전압을 변화시켜 프로그램 및 소거 동작을 수행한다.The nonvolatile memory cell is a device capable of electrical program / erase operation, and performs a program and erase operation by changing a threshold voltage of the cell while electrons are moved by a strong electric field applied to a thin oxide film.

이러한 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 동작 중에는 프로그램 대상 셀들이 검증 전압이상으로 프로그램되었는지를 확인하는 검증 동작을 수행하게 된다. 그리고 검증 결과 프로그램이 완료되어 더 이상 프로그램을 수행하지 않아도 되는 셀들은 패스 셀로 구분한다. 프로그램이 완료되지 않은 셀들은 페일 셀로 구분하여 추가적인 프로그램 동작을 수행하게 된다.During the program operation of the nonvolatile memory device, a verification operation for confirming whether the program target cells are programmed above the verify voltage is performed. In addition, cells that are not completed by the program after completion of the verification program are classified as pass cells. Cells in which the program is not completed are classified into fail cells to perform additional program operations.

이때 비휘발성 메모리 장치의 동작에 따라 단일 페이지 내의 페일 셀(이하 페일 비트(fail bit))의 개수가 몇 개인지를 확인할 필요가 있다. 특히 ECC(Error correcting code) 처리 알고리즘이 비휘발성 메모리 장치에 적용되면서, 전체 셀이 패스 상태에 있지 않은 경우라도 ECC 처리 알고리즘에 의한 처리 허용 비트 수 범위 내에서 페일 비트가 발생한 경우에는 패스 된 것으로 보고 프로그램을 완료시킬 필요가 있다.In this case, it is necessary to check how many fail cells (hereinafter, fail bits) are included in a single page according to the operation of the nonvolatile memory device. In particular, as the error correcting code (ECC) processing algorithm is applied to the nonvolatile memory device, even if the entire cell is not in the pass state, it is reported that a fail bit occurs within the allowable bit range by the ECC processing algorithm. You need to complete the program.

이러한 방법을 사용하면 비휘발성 메모리의 프로그램을 완료하는데 소요되는 시간을 줄일 수 있다. 다만 허용되는 페일 비트의 수와 프로그램을 완료하는데 소요되는 시간은 서로 트레이드 오프(trade-off) 관계에 있다고 볼 수 있다. 허용되는 페일 비트의 개수가 커질수록 프로그램을 완료하는데 소요되는 시간은 길어지지만 프로그램의 정확도가 떨어지게 되고, 허용되는 페일 비트의 수가 작아질수록 프로그램을 완료하는데 소요되는 시간은 짧아지지만 프로그램의 정확도는 높아지기 때문이다.This method reduces the time required to complete the program of nonvolatile memory. However, the allowable number of fail bits and the time required to complete the program can be regarded as a trade-off relationship. The larger the number of allowable fail bits, the longer it takes to complete the program, but the less accurate the program. The smaller the number of allowed fail bits, the shorter the time required to complete the program, but the higher the program accuracy. Because.

프로그램의 정확도는 데이터의 유형에 따라 달라지는데 종래의 경우 데이터의 유형에 관계없이 허용되는 페일 비트의 수가 정해져 있어 데이터의 정확도와 프로그램에 소요되는 시간 중 어떤 방향으로도 이점을 취할 수 없었다.
The accuracy of the program depends on the type of data. In the conventional case, the number of fail bits allowed is fixed regardless of the type of data, and thus the advantage of the data cannot be taken in any direction.

본 발명은 데이터의 유형에 따라 허용되는 페일 비트의 수를 조절함으로써 기록되는 데이터의 정확도를 높히거나 프로그램에 소요되는 시간을 줄일 수 있는 메모리의 동작방법을 제공한다.
The present invention provides a method of operating a memory that can increase the accuracy of recorded data or reduce the time required for a program by adjusting the number of fail bits allowed according to the type of data.

본 발명에 따른 메모리의 동작방법은, 데이터를 입력받는 단계; 페일 허용값에 관한 정보를 입력받는 단계; 및 상기 페일 허용값 이하의 페일이 나도록 상기 데이터를 저장하는 단계를 포함할 수 있다.A method of operating a memory according to the present invention includes: receiving data; Receiving information regarding a fail permission value; And storing the data such that a fail of the fail allowable value or less occurs.

또한 본 발명에 따른 메모리 시스템의 동작방법은, 메모리 컨트롤러 및 상기 메모리 컨트롤러에 의해 제어되는 메모리를 포함하는 메모리 시스템의 동작방법에 있어서, 상기 메모리 컨트롤러로부터 상기 메모리로 데이터가 전달되는 단계; 상기 메모리 컨트롤러에서 상기 데이터의 유형에 따라 페일 허용값에 관한 정보를 생성하는 단계; 상기 메모리 컨트롤러로부터 상기 메모리로 상기 페일 허용값에 관한 정보가 전달되는 단계; 및 상기 메모리에 상기 페일 허용값 이하의 페일이 나도록 상기 데이터를 저장하는 단계를 포함할 수 있다.In addition, a method of operating a memory system according to the present invention includes a memory controller and a method of operating a memory system including a memory controlled by the memory controller, the method comprising: transferring data from the memory controller to the memory; Generating information regarding a fail permission value according to the type of the data in the memory controller; Transferring information about the fail permission value from the memory controller to the memory; And storing the data such that the memory has a fail value less than or equal to the fail allowance value.

또한 본 발명에 따른 메모리는, 입력된 데이터 패킷을 저장하는 셀 어레이; 상기 데이터 패킷의 페일값을 체크하는 페일 체크부; 상기 데이터 패킷의 페일값과 페일 허용값을 비교하는 페일값 비교부; 및 상기 페일값 비교부의 비교 결과에 따라 상기 데이터 패킷의 페일값이 상기 페일 허용값 이하가 되도록 상기 데이터 패킷을 상기 셀 어레이에 저장하는 제어부를 포함할 수 있다.In addition, the memory according to the present invention, the cell array for storing the input data packet; A fail check unit for checking a fail value of the data packet; A fail value comparison unit for comparing a fail value of the data packet with a fail permission value; And a controller configured to store the data packet in the cell array such that a fail value of the data packet becomes equal to or less than the fail allowable value according to a comparison result of the fail value comparator.

또한 본 발명에 따른 메모리 시스템은, 메모리 컨트롤러; 및 상기 메모리 컨트롤러에 의해 제어되는 메모리를 포함하는 메모리 시스템에 있어서 상기 메모리 컨트롤러는 상기 메모리로 데이터 패킷 및 상기 데이터 패킷의 유형에 따라 생성된 페일 허용값에 관한 정보 전달하고, 상기 메모리는 상기 페일 허용값 이하의 페일이 나도록 상기 데이터 패킷를 저장한다.
In addition, the memory system according to the present invention, a memory controller; And a memory controlled by the memory controller, wherein the memory controller transfers information about a data packet and a fail permission value generated according to a type of the data packet to the memory, and the memory permits the fail permission. The data packet is stored to cause a failure of less than the value.

본 발명에 따른 메모리의 동작방법은 데이터의 유형에 따라 허용되는 페일 비트의 수를 조절함으로써 상대적으로 낮은 정확도가 요구되는 데이터를 프로그램하는 경우 허용되는 페일 비트 수를 늘려 프로그램에 소요되는 시간을 줄이고, 상대적으로 높은 정확도가 요구되는 데이터를 프로그램하는 경우 허용되는 페일 비트 수를 줄여 데이터를 정확하게 프로그램함으로써 데이터 유형에 따라 메모리가 효과적으로 동작하도록 한다.
The memory operating method according to the present invention reduces the time required for the program by increasing the number of allowable fail bits when programming data requiring relatively low accuracy by adjusting the number of allowable fail bits according to the type of data. When programming data that requires relatively high accuracy, the data can be programmed accurately by reducing the number of fail bits allowed so that memory operates effectively according to the data type.

도 1은 본 발명에 따른 메모리 동작방법을 도시한 순서도,
도 2는 본 발명에 따른 메모리 시스템의 동작방법을 도시한 순서도,
도 3은 본 발명에 따른 메모리 시스템의 구성도.
1 is a flowchart illustrating a memory operating method according to the present invention;
2 is a flowchart illustrating a method of operating a memory system according to the present invention;
3 is a block diagram of a memory system according to the present invention;

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
Hereinafter, the most preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 메모리 동작방법을 도시한 순서도이다.1 is a flowchart illustrating a memory operating method according to the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이 메모리 동작방법은, 데이터를 입력받는 단계(101), 페일 허용값에 관한 정보를 입력받는 단계(S102) 및 페일 허용값 이하의 페일이 나도록 데이터를 저장하는 단계(S103)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the method of operating a memory includes: receiving data (101); receiving information on a fail permission value (S102); and storing data such that a fail below a fail allowance value occurs (S103). ).

이하 도 1을 참조하여 메모리 동작방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of operating a memory will be described with reference to FIG. 1.

본 발명에 따른 메모리의 동작방법은 다수의 메모리 셀을 포함하고 다수의 메모리 셀이 각각 데이터를 저장(기록)하는 속도가 다른 메모리에 적용될 수 있다. 이러한 메모리 셀을 포함하는 메모리의 가장 대표적인 예는 비휘발성 메모리이다. 비휘발성 메모리는 메모리 셀의 문턱전압을 변경시키는 방법으로 데이터를 저장한다. 이때 메모리 셀의 문턱전압을 변화시키기 위해 메모리 셀에 프로그램 펄스(program pulse)를 인가하게 된다. 그런데 문턱전압이 변하는 속도는 각 메모리 셀마다 달라서 모든 메모리 셀이 프로그램될 때까지 프로그램 펄스가 인가된다. 이하에서는 메모리가 비휘발성 메모리인 경우의 예를 들어 설명한다. 이러한 메모리 동작방법이 비휘발성 메모리에 한정되는 것은 아니다.The method of operating a memory according to the present invention may be applied to a memory including a plurality of memory cells and having a different speed at which the plurality of memory cells respectively store (write) data. The most representative example of a memory including such a memory cell is a nonvolatile memory. Nonvolatile memories store data in a manner that changes the threshold voltage of a memory cell. In this case, a program pulse is applied to the memory cell to change the threshold voltage of the memory cell. However, the speed at which the threshold voltage changes is different for each memory cell so that a program pulse is applied until all memory cells are programmed. Hereinafter, an example in which the memory is a nonvolatile memory will be described. Such a memory operation method is not limited to the nonvolatile memory.

메모리는 저장(쓰기) 동작이 시작되면 외부로부터 데이터를 입력받는다(S101). 비휘발성 메모리의 경우 데이터를 읽고/쓰는 단위는 페이지(page)이다. 따라서 데이터 입력 단계(S101)에서 한 번에 입력받는 데이터는 한 페이지(page)에 저장될 데이터에 해당한다.When the storage (write) operation is started, the memory receives data from the outside (S101). In the case of non-volatile memory, the unit of reading / writing data is pages. Therefore, the data received at one time in the data input step S101 corresponds to the data to be stored in one page.

메모리는 데이터와 함께 페일 허용값에 관한 정보를 입력받는다(S102). 페일 허용값이란 단일 페이지에서 프로그램 패스(pass, 프로그램이 성공했음을 의미함)로 판정나기 위한 페일이 난 비트 수(한 페이지에서 프로그램 페일된 메모리 셀의 개수, 이하 페일 비트의 수)의 최대값을 말한다. 즉 페이지에 포함된 메모리 셀들에 프로그램 펄스를 인가한 후 검증(verity) 동작을 수행한 결과 제대로 프로그램되지 않은 페일 비트의 수가 페일 허용값보다 큰 경우 프로그램 페일되어 다시 프로그램 펄스를 인가하고, 페일 비트의 수가 페일 허용값보다 작은 경우 프로그램 패스되어 데이터의 저장 동작이 종료된다.The memory receives information regarding a failing allowance value together with the data (S102). The fail tolerance is the maximum number of failed bits (the number of program cells failed in a page, the number of fail bits below) to be determined as a program pass on a single page. Say. In other words, if the number of fail bits that are not properly programmed is greater than the allowable value after applying the program pulse to the memory cells included in the page, the program is failed and the program pulse is applied again. If the number is smaller than the fail allowable value, the program passes and the data storage operation is terminated.

한편 본 발명에서 페일 허용값은 데이터의 유형에 따라 결정된다. 데이터의 유형은 데이터에 요구되는 정확도에 따라 분류된다. 예를 들어 영상 데이터, 사진 데이터, 음성 데이터, 문자 데이터를 생각해 보자. 영상 데이터나 사진 데이터 등은 데이터의 일부분이 소실되어도 사용자가 인지하기 힘든 경우가 많다. 따라서 영상 데이터나 사진 데이터는 상대적으로 데이터에 요구되는 정확도가 낮은 데이터라고 볼 수 있다. 그러나 문자 데이터 같은 경우에는 극히 일부의 데이터만 소실되어도 사용자에게 잘못된 문자정보를 전달할 수 있다. 따라서 문자 데이터의 경우 상대적으로 데이터에 요구되는 정확도가 높은 데이터라고 볼 수 있다. 특히 문자 데이터가 특정한 비밀번호 등의 정보를 담고 있는 경우에는 모든 비트가 정확해야 하므로 데이터에 매우 높은 정확도가 요구된다고 볼 수 있다. Meanwhile, in the present invention, the allowable fail value is determined according to the type of data. Types of data are classified according to the accuracy required for the data. For example, consider image data, picture data, audio data, and text data. Image data and photo data are often difficult for a user to recognize even when a part of data is lost. Therefore, image data or photo data can be regarded as relatively low accuracy data required for the data. However, in the case of text data, even if only a small part of data is lost, wrong text information can be delivered to the user. Therefore, the character data may be regarded as relatively high accuracy data required for the data. In particular, if the character data contains information such as a specific password, all the bits must be correct, which means that the data needs a very high accuracy.

이와 같이 분류하면 영상 데이터와 사진 데이터는 문자 데이터와 다른 유형의 데이터에 해당하게 된다. 또한 영상 데이터와 사진 데이터가 입력되는 경우 페일 허용값은 문자 데이터가 입력되는 경우 페일 허용값 보다 크다. 즉 데이터의 유형에 따라 데이터에 요구되는 정확도가 작아질수록 페일 허용값은 커지고, 데이터에 요구되는 정확도가 커질수록 페일 허용값은 작아진다. 데이터의 유형은 상술한 예와 같이 두 가지로만 분류할 수 있는 것이 아니라 사용자의 설정에 따라 다양하게 분류될 수 있다. 또한 데이터 유형의 분류가 다양해지면 이에 따라 페일 허용값도 세분화할 수 있음은 당연하다.In this manner, the image data and the photo data correspond to different types of data than character data. Also, when the image data and the photo data are input, the fail allowance value is larger than the fail allowance value when the character data is input. In other words, the smaller the accuracy required for the data according to the type of data, the larger the fail tolerance value, and the larger the accuracy required for the data, the smaller the fail tolerance value. The type of data may not be classified into two types as in the above-described example, but may be variously classified according to a user's setting. In addition, as the classification of data types varies, it is natural that the fail tolerance can be further refined accordingly.

메모리는 이러한 페일 허용값을 데이터와 함께 입력받는다. 이러한 페일 허용값 정보 입력 단계(S102)는 데이터 입력 단계(S101) 이전 혹은 이후뿐만 아니라 데이터 입력 단계(S101)와 동시에 수행될 수도 있다. 도 1의 순서도와 같이 반드시 데이터 입력 단계(S101) 이후에 페일 허용값 정보 입력 단계(S102)가 수행되어야 하는 것은 아니다. 도 1은 일실시예에 해당한다.The memory receives this fail tolerance with data. This fail allowance value input step S102 may be performed simultaneously with the data input step S101 as well as before or after the data input step S101. As shown in the flowchart of FIG. 1, the fail permission value information input step S102 is not necessarily performed after the data input step S101. 1 corresponds to one embodiment.

메모리는 이렇게 입력되는 데이터의 유형에 따라 결정되는 페일 허용값에 관한 정보를 저장할 수 있다. 페일 허용값을 저장함으로써 동일한 유형의 데이터가 연속적으로 입력되는 경우 페일 허용값을 한 번만 입력받을 수도 있고, 데이터 중 잘못 저장된 비트의 수 즉 페일 비트의 수와 페일 허용값을 비교하는 동작도 안정적으로 수행할 수 있다. 이렇게 저장된 페일 허용값은 데이터의 유형이 달라지는 경우 새로 입력된 페일 허용값으로 갱신될 수 있다.The memory may store information about the fail allowance value determined according to the type of data thus input. If the same type of data is continuously input by storing the fail allowance value, the fail allowance value may be input only once, and the operation of comparing the number of incorrectly stored bits, that is, the number of fail bits and the fail allowance value, is stable. Can be done. The stored fail allowance may be updated with a newly entered fail allowance when data types are changed.

데이터 및 페일 허용값에 관한 정보를 입력받은 후에는 데이터의 페일 값이 페일 허용값 이하가 되도록 데이터를 저장한다(S103). 데이터 저장 단계(S103)는 비휘발성 메모리의 경우 프로그램 펄스를 인가하는 프로그램 동작을 하는 단계를 의미한다. 데이터의 페일 값이란 데이터를 저장하기 위해 페이지에 포함된 다수의 메모리 셀에 프로그램 펄스를 인가한 후 검증했을 때 제대로 프로그램되지 않은 메모리 셀의 수를 의미한다(즉 당해 프로그램 펄스 인가 후의 실제 페일 비트의 수). 데이터의 페일 값이 허용 페일값보다 큰 경우 다수의 메모리 셀들에는 다시 프로그램 펄스가 인가된다. 이러한 동작은 데이터의 페일 값이 허용 페일값보다 작아질 때까지 반복된다. 즉 비휘발성 메모리의 경우 데이터의 페일 값이 허용 페일값보다 작아질 때까지 반복적으로 프로그램 펄스가 인가되며 데이터의 페일값이 허용 페일값 보다 작하지면 데이터 저장 단계(S103)가 끝나고 데이터의 저장동작이 종료된다.After receiving the information regarding the data and the fail allowable value, the data is stored so that a fail value of the data is equal to or less than the fail allowable value (S103). The data storage step S103 refers to a step of performing a program operation of applying a program pulse in the case of the nonvolatile memory. The fail value of data refers to the number of memory cells that are not properly programmed when the program pulses are applied to the plurality of memory cells included in the page to store the data and then verified. Number). If the fail value of the data is larger than the allowable fail value, a program pulse is applied to the plurality of memory cells again. This operation is repeated until the fail value of the data is smaller than the allowable fail value. That is, in the case of nonvolatile memory, a program pulse is repeatedly applied until the data fail value is smaller than the allowable fail value. If the data fail value is smaller than the allowable fail value, the data storage step (S103) ends and the data storage operation is terminated. It ends.

본 발명에 따른 메모리 동작방법은 종래와 달리 저장되는 데이터의 유형에 따라 페일 허용값을 달리한다. 데이터의 유형에 관계없이 일괄적으로 페일 허용값을 크게 하는 경우 데이터를 정확하게 저장할 수 있지만 데이터를 저장하는데 소요되는 시간이 길고, 페일 허용값을 작게 하는 경우 데이터를 저장하는데 소요되는 시간이 짧지만 데이터를 정확하게 저장할 수 없다. 따라서 데이터의 유형에 따라 페일 허용값을 달리함으로써 높은 정확도가 요구되는 데이터의 경우 데이터의 저장속도보다는 정확한 데이터를 저장하는데 중점을 두어 동작하고, 낮은 정확도가 요구되는 데이터의 경우 데이터의 저장속도에 중점을 두어 동작함으로써 유연한 저장동작이 가능하다. 또한 이러한 방법으로 메모리의 물리적 특성을 개선하지 않고도 메모리의 성능을 개선할 수 있다는 장점이 있다.
The memory operating method according to the present invention differs from the conventional one in that the allowable fail value is changed according to the type of data to be stored. Regardless of the type of data, if you increase the fail allowance in a batch, the data can be stored correctly, but the time required to store the data is long. Cannot be stored correctly. Therefore, by varying the fail tolerance according to the type of data, the data is operated with a focus on storing accurate data rather than a data storage speed for data requiring high accuracy, and the data storage speed for data requiring low accuracy. Flexible storage operation is possible by operating. In addition, this method has the advantage that the performance of the memory can be improved without improving the physical characteristics of the memory.

도 2는 본 발명에 따른 메모리 시스템의 동작방법을 도시한 순서도이다.2 is a flowchart illustrating a method of operating a memory system according to the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이 메모리 시스템의 동작방법은, 메모리 컨트롤러 및 상기 메모리 컨트롤러에 의해 제어되는 메모리를 포함하는 메모리 시스템의 동작방법에 있어서, 메모리 컨트롤러로부터 메모리로 데이터가 전달되는 단계(S201), 메모리 컨트롤러에서 데이터의 유형에 따라 페일 허용값에 관한 정보를 생성하는 단계(S202), 메모리 컨트롤러로부터 메모리로 페일 허용값에 관한 정보가 전달되는 단계(S203), 및 메모리에 페일 허용값 이하의 페일이 나도록 데이터를 저장하는 단계(S204)를 포함한다.As shown in FIG. 2, the method of operating a memory system includes: in a method of operating a memory system including a memory controller and a memory controlled by the memory controller, transferring data from the memory controller to the memory (S201); Generating information about the fail permission value according to the type of data in the memory controller (S202), transferring information about the fail permission value from the memory controller to the memory (S203), and failing the fail value or less to the memory; In step S204, the data is stored.

이하 도 2을 참조하여 메모리 시스템의 동작방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of operating a memory system will be described with reference to FIG. 2.

본 발명에 따른 메모리 시스템의 동작방법은 메모리가 다수의 메모리 셀을 포함하고 다수의 메모리 셀이 각각 데이터를 저장하는 속도가 다른 경우 적용될 수 있다. 이하의 설명은 도 1의 설명에서 상술한 바와 동일하며 이하에서는 비휘발성 메모리 시스템인 경우의 예를 들어 설명한다.The operating method of the memory system according to the present invention may be applied when the memory includes a plurality of memory cells and the speed at which the plurality of memory cells stores data is different. The following description is the same as described above in the description of FIG. 1, and the following description will be given with an example of a nonvolatile memory system.

메모리 시스템에서 메모리 컨트롤러는 저장 동작(혹은 쓰기 동작)이 시작되면 칩의 외부에서 입력받은 데이터를 메모리로 전달한다(S201). 비휘발성 메모리의 경우 데이터를 읽고/쓰는 단위는 페이지(page)이다. 따라서 데이터 전달 단계(S201)에서 메모리 컨트롤러에 의해 한 번에 메모리로 전달되는 데이터는 한 페이지(page)에 저장될 데이터에 해당한다.In the memory system, when a storage operation (or a write operation) is started, the memory controller transfers data received from the outside of the chip to the memory (S201). In the case of non-volatile memory, the unit of reading / writing data is pages. Therefore, the data transferred to the memory at one time by the memory controller in the data transfer step S201 corresponds to the data to be stored in one page.

메모리 컨트롤러는 데이터의 유형에 따라 페일 허용값에 관한 정보를 생성한다(S202). 데이터의 유형 및 데이터의 유형에 따른 페일 허용값에 관한 설명은 도 1의 설명에서 상술하 바와 동일하다. 메모리 컨트롤러는 페일 허용값 정보 생성 단계(S202)는 데이터의 유형에 대응되는 페일 허용값을 미리 저장하고 있다가 출력한다거나 데이터의 유형에 관한 정보를 직접 처리하여 페일 허용값을 생성할 수도 있다. 다만 페일 허용값 정보 생성 단계(S202)는 반드시 메모리 컨트롤러 안에서 수행되어야 하는 것은 아니며 메모리 내부에서 데이터의 유형에 관한 정보를 입력받아 직접 생성할 수도 있고, 집적회로 외부에서 생성될 수도 있다.The memory controller generates information about a fail permission value according to the type of data (S202). The description of the fail tolerance according to the type of data and the type of data is the same as described above in the description of FIG. 1. The memory controller may generate the fail tolerance value corresponding to the type of data in advance in step S202, and output the fail tolerance value corresponding to the type of data, or may directly process the information regarding the type of data to generate the fail tolerance value. However, fail generation information generation step (S202) is not necessarily to be performed in the memory controller, it may be generated directly by receiving information on the type of data in the memory, or may be generated outside the integrated circuit.

메모리 컨트롤러는 메모리로 데이터와 함께 페일 허용값에 관한 정보를 전달한다(S203). 페일 허용값 정보 전달 단계(S203)는 도 1의 페일 허용값 정보 입력 단계(S102)에 대응된다. 이하의 설명은 도 1의 설명과 동일하므로 생략한다. 또한 데이터 전달 단계(S201), 페일 허용값 정보 생성 단계(S202), 페일 허용값 정보 전달 단계(S203)의 선후관계는 페일 허용값 정보 생성 단계(S202)는 페일 허용값 정보 전달 단계(S203) 보다는 당연히 앞서야 하나 나머지는 선후관계가 바뀌어도 상관없다. 예를 들어 페일 허용값 정보 생성 단계(S202), 페일 허용값 정보 전달 단계(S203), 데이터 전달 단계(S201)의 순으로 동작하는 것도 가능하며 페일 허용값 정보 생성 단계(S202), 페일 허용값 정보 전달 단계(S203)와 데이터 전달 단계(S201)가 동시에 이루어질 수도 있다. 도 2는 일실시예에 해당한다.The memory controller transmits information regarding the fail permission value to the memory together with the data (S203). The fail allowance value information transferring step S203 corresponds to the fail allowance value information input step S102 of FIG. 1. The following description is the same as the description of FIG. 1 and thus will be omitted. In addition, the data transfer step (S201), fail allowance value information generation step (S202), fail allowance value information transfer step (S203) of the fail tolerance value information generation step (S202) is fail tolerance value information transfer step (S203) Of course, it should be ahead, but the rest does not matter. For example, it is possible to operate in the order of fail allowance value information generation step S202, fail allowance value information transfer step S203, and data forwarding step S201, and fail allowance value information generation step S202 and fail allowance value. The information delivery step S203 and the data delivery step S201 may be performed at the same time. 2 corresponds to one embodiment.

데이터 및 페일 허용값에 관한 정보를 메모리 컨트롤러로부터 전달받은 메모리는 데이터의 페일 값이 페일 허용값 이하가 되도록 데이터를 저장한다(S204). 데이터 페일 값 및 비휘발성 메모리 시스템에서 데이터 저장에 관한 사항은 도 1의 설명에서 상술한 바와 동일하다. 데이터의 페일 값이 허용 페일값 보다 작아지면 데이터 저장 단계(S204)가 끝나고 데이터의 저장 동작이 종료된다.
The memory, which has received the information about the data and the fail permission value from the memory controller, stores the data so that the fail value of the data is equal to or lower than the fail permission value (S204). Data fail values and data storage in the nonvolatile memory system are the same as described above with reference to FIG. 1. When the fail value of the data is smaller than the allowable fail value, the data storing step S204 is finished and the data storing operation is terminated.

도 3은 본 발명에 따른 메모리 시스템의 구성도이다.3 is a configuration diagram of a memory system according to the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이 메모리 시스템은, 메모리 컨트롤러(310) 및 입력된 데이터 패킷(DATA)을 저장하는 셀 어레이(321), 데이터 패킷의 페일값(FAIL)을 체크하는 페일 체크부(322), 데이터 패킷의 페일값(FAIL)과 페일 허용값(REF)을 비교하는 페일값 비교부(323), 페일값 비교부(323)의 비교 결과에 따라 데이터 패킷의 페일값(FAIL)이 페일 허용값(REF) 이하가 되도록 데이터 패킷(DATA)을 셀 어레이(321)에 저장하는 제어부(324)를 포함하되 메모리 컨트롤러(310)에 의해 제어되는 메모리(320)를 포함한다. 데이터 패킷(DATA)은 다수의 데이터를 포함하므로 멀티 비트의 디지털 신호이다.As shown in FIG. 3, the memory system includes a memory controller 310, a cell array 321 storing an input data packet DATA, and a fail check unit 322 checking a fail value FAIL of the data packet. According to the result of the comparison between the fail value comparison unit 323 and the fail value comparison unit 323 comparing the fail value FAIL of the data packet with the fail allowable value REF, the fail value FAIL of the data packet is allowed to fail. The controller 324 stores the data packet DATA in the cell array 321 to be equal to or less than the value REF, and includes a memory 320 controlled by the memory controller 310. The data packet DATA is a multi-bit digital signal because it contains a plurality of data.

이하 도 3을 참조하여 메모리 시스템 및 메모리의 동작에 대해 설명한다. 도 1, 2의 설명에서 상술한 바와 같이 본 발명에 따른 메모리 시스템 및 메모리는 다수의 메모리 셀에 데이터를 저장(기록)하는 속도가 다른 경우 적용될 수 있으나 이해를 돕기 위해 비휘발성 메모리 시스템 및 비휘발성 메모리(그 중에서도 특이 플래쉬 메모리)에 적용된 예에 대해 설명한다.Hereinafter, an operation of the memory system and the memory will be described with reference to FIG. 3. As described above with reference to FIGS. 1 and 2, the memory system and the memory according to the present invention may be applied when the speed of storing (writing) data in a plurality of memory cells is different. An example applied to a memory (particularly a flash memory) will be described.

메모리 컨트롤러(310)는 메모리(320)의 동작을 제어하며 메모리로 커맨드(CMD), 데이터 패킷(DATA), 페일 허용값(REF)을 전달한다. 커맨드(CMD)는 리드 명령(read command), 라이트 명령(write command) 등을 포함하는 것을 말하며 본 발명은 데이터를 저장하는 동작에 관련된 발명이므로 커맨드(CMD)가 라이트 명령인 경우를 중심으로 설명한다. 데이터 패킷(DATA)은 한 번의 커맨드(CMD)에 대응되어 독출/기록되는 데이터의 단위를 나타내는 것으로 비휘발성 메모리의 경우 한 페이지에서 독출되거나 한 페이지에 기록되는 데이터를 나타낸다. 페일 허용값(REF)은 도 1, 2의 설명에서 상술한 바와 동일한 신호로 적어도 1비트 이상의 디지털 신호이다. 페일 허용값(REF)은 데이터의 유형에 따라 결정되며 페일 허용값(REF) 및 데이터의 유형에 관한 설명은 도 1, 2의 설명에서 상술한 바와 동일하다.The memory controller 310 controls the operation of the memory 320 and transmits a command CMD, a data packet DATA, and a fail permission value REF to the memory. The command CMD refers to a read command, a write command, and the like. The present invention relates to an operation of storing data, and thus, the command CMD will be described with reference to a case where the command CMD is a write command. . The data packet DATA indicates a unit of data that is read / written in response to one command CMD. In the case of a nonvolatile memory, the data packet DATA indicates data read from one page or written to one page. The fail allowance value REF is the same signal as described above in the description of FIGS. 1 and 2 and is a digital signal of at least one bit or more. The fail allowance REF is determined according to the type of data, and the description of the fail allowance REF and the type of data is the same as described above with reference to FIGS. 1 and 2.

메모리 컨트롤러(310)는 커맨드(CMD, 여기서는 라이트 명령)와 함께 메모리(320)로 데이터 패킷(DATA)과 페일 허용값(REF)을 전달한다. 이때 데이터 패킷(DATA)과 페일 허용값(REF)을 동시에 전달할 수도 있고, 둘 중 어느 하나를 먼저 전달하고 나머지를 나중에 전달할 수도 있다.The memory controller 310 transmits the data packet DATA and the fail permission value REF to the memory 320 together with the command CMD (here, a write command). In this case, the data packet DATA and the fail permission value REF may be simultaneously delivered, or one of them may be delivered first and the other may be delivered later.

메모리(320)는 메모리 컨트롤러(310)로부터 전달된 커맨드(CMD), 데이터 패킷(DATA) 및 페일 허용값(REF)를 입력받아 데이터 패킷이 페일 허용값(REF) 이하의 페일이 나도록 셀 어레이(321)에 저장한다. 메모리(320)의 동작을 좀 더 구체적으로 살펴보면 다음과 같다. 이하에서 데이터 패킷의 페일값(FAIL)이란 데이터 패킷(DATA)을 저장하는 메모리 셀 중 페일난 메모리 셀의 수, 즉 데이터 패킷(DATA) 중 제대로 저장되지 않은 데이터의 비트 수를 의미한다.The memory 320 receives a command CMD, a data packet DATA, and a fail permission value REF received from the memory controller 310 so that the data packet may fail under the fail allowance value REF. 321). Looking at the operation of the memory 320 in more detail as follows. Hereinafter, the fail value FAIL of the data packet refers to the number of failing memory cells among the memory cells storing the data packet DATA, that is, the number of bits of data not properly stored in the data packet DATA.

제어부(324)는 커맨드(CMD)에 응답하여 데이터 패킷(DATA)를 셀 어레이(321)에 저장하기 위해 셀 어레이(321)에 포함된 다수의 메모리 셀에 프로그램 펄스를 인가한다. 이때 데이터 패킷(DATA)이 저장될 메모리 셀은 어드레스(address, 도 3에 미도시)에 의해 결정된다.The controller 324 applies a program pulse to a plurality of memory cells included in the cell array 321 in order to store the data packet DATA in the cell array 321 in response to the command CMD. In this case, the memory cell in which the data packet DATA is to be stored is determined by an address (not shown in FIG. 3).

프로그램 펄스가 인가된 후 검증(verify) 동작시 페일 체크부(322)는 데이터 패킷의 페일값(FAIL)을 체크한다. 쉽게 말하면 프로그램 펄스가 인가된 후 제대로 프로그램되지 않은 메모리 셀의 개수를 카운팅한다. 데이터 패킷의 페일값(FAIL)의 체크가 완료되면 체크 결과를 페일값 비교부(323)로 보낸다. 참고로 페일 체크부(322)는 데이터 패킷의 페일값(FAIL)을 체크하기 위해 카운터(counter)를 포함할 수 있다.In the verify operation after the program pulse is applied, the fail check unit 322 checks a fail value FAIL of the data packet. In other words, after the program pulse is applied, it counts the number of memory cells that are not properly programmed. When the check of the fail value FAIL of the data packet is completed, the check result is sent to the fail value comparison unit 323. For reference, the fail check unit 322 may include a counter to check a fail value (FAIL) of the data packet.

페일값 비교부(323)는 데이터 패킷의 페일값(FAIL)과 페일 허용값(REF)을 비교하여 그 비교결과에 따라 제어부(324)에 의해 셀 어레이(321)에 프로그램 펄스를 더 인가할지 말지를 결정한다. 데이터 패킷의 페일값(FAIL)이 페일 허용값(REF)보다 큰 경우 제어부(324)가 셀 어레이(321)에 프로그램 펄스를 더 인가하도록 하고, 데이터 패킷의 페일값(FAIL)이 페일 허용값(REF)보다 작은 경우 제어부(324)가 셀 어레이(321)에 프로그램 펄스를 더 이상 인가하지 않고 데이터 패킷(DATA)의 저장 동작을 종료하도록 한다. 참고로 데이터 패킷의 페일값(FAIL)과 페일 허용값(REF)이 동일한 경우에는 프로그램 펄스를 더 인가할지 말지는 사용자에 의해 결정될 수 있다.The fail value comparison unit 323 compares the fail value FAIL and the fail allowance value REF of the data packet and applies the program pulse to the cell array 321 by the control unit 324 according to the comparison result. Determine. If the fail value FAIL of the data packet is greater than the fail allowable value REF, the controller 324 further applies a program pulse to the cell array 321, and the fail value FAIL of the data packet corresponds to the fail allowance value (REF). If less than REF, the controller 324 terminates the storing operation of the data packet DATA without applying a program pulse to the cell array 321. For reference, when the fail value FAIL and the fail allowance value REF of the data packet are the same, it may be determined by a user whether to further apply a program pulse.

본 발명에 따른 메모리 시스템 및 메모리는 도 1, 2의 설명에서 상술한 바와 같이 데이터 패킷(DATA)의 유형에 따라 데이터 패킷(DATA) 저장의 정확도를 높일지 아니면 데이터 패킷(DATA)의 저장에 소요되는 시간을 줄일지를 정할 수 있으므로 보다 유연한 데이터 패킷(DATA)의 저장동작을 수행할 수 있다는 장점이 있다. 이는 종래 페일 허용값(REF)의 고정되어 있던 것과는 달리 데이터 패킷(DATA)의 유형에 따라 페일 허용값(REF)을 다르게 해줌으로써 가능한 것이다. 따라서 데이터 패킷(DATA) 저장의 정확도와 데이터 패킷(DATA)을 저장하는데 소요되는 시간 중 한 부분에서 이점을 취할 수 있으므로 데이터 패킷(DATA)의 유형에 따라 최적의 저장동작을 할 수 있다.
As described above with reference to FIGS. 1 and 2, the memory system and the memory according to the present invention increase the accuracy of storing the data packet DATA according to the type of the data packet DATA or to store the data packet DATA. Since it is possible to determine whether to reduce the time required, there is an advantage that a more flexible storage operation of the data packet DATA can be performed. This is possible by varying the fail allowance REF according to the type of the data packet DATA, unlike the conventional fail allowance REF. Therefore, an advantage may be obtained in one of the accuracy of data packet DATA storage and the time required for storing the data packet DATA, and thus an optimal storage operation may be performed according to the type of the data packet DATA.

본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 알 수 있을 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. In addition, those skilled in the art will recognize that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

Claims (20)

데이터를 입력받는 단계;
페일 허용값에 관한 정보를 입력받는 단계; 및
상기 페일 허용값 이하의 페일이 나도록 상기 데이터를 저장하는 단계
를 포함하는 메모리의 동작방법.
Receiving data;
Receiving information regarding a fail permission value; And
Storing the data such that a fail below the fail tolerance value occurs;
Operating method of a memory comprising a.
제 1항에 있어서,
상기 페일 허용값은 상기 데이터의 유형에 따라 결정되는 메모리의 동작 방법.
The method of claim 1,
The fail tolerance value is determined according to the type of data.
제 2항에 있어서,
상기 데이터의 유형은,
상기 데이터에 요구되는 정확도에 따라 분류되는 메모리의 동작 방법.
The method of claim 2,
The type of data is
A method of operating a memory classified according to the accuracy required for the data.
제 3항에 있어서,
상기 데이터의 유형에 따라,
상기 데이터에 요구되는 정확도가 작아질수록 상기 페일 허용값은 커지고, 상기 데이터에 요구되는 정확도가 커질수록 상기 페일 허용값은 작아지는 메모리의 동작방법.
The method of claim 3, wherein
Depending on the type of data above,
And the fail allowance value increases as the accuracy required for the data decreases, and the fail allowance value decreases as the accuracy required for the data increases.
제 2항에 있어서,
상기 페일 허용값에 관한 정보를 입력받은 후에 상기 입력받은 페일 허용값에 관한 정보를 저장하는 단계를 더 포함하는 메모리의 동작방법.
The method of claim 2,
And storing information about the received fail tolerance value after receiving the information on the fail permission value.
제 2항에 있어서,
상기 데이터를 저장하는 단계는,
상기 페일 허용값과 상기 데이터의 페일값을 비교하되, 상기 데이터의 페일값이 상기 페일 허용값 이하가 되도록 상기 데이터를 저장하는 메모리의 동작방법.
The method of claim 2,
Storing the data,
And comparing the fail allowable value with a fail value of the data, and store the data such that a fail value of the data is equal to or less than the fail allowable value.
메모리 컨트롤러 및 상기 메모리 컨트롤러에 의해 제어되는 메모리를 포함하는 메모리 시스템의 동작방법에 있어서,
상기 메모리 컨트롤러로부터 상기 메모리로 데이터가 전달되는 단계;
상기 메모리 컨트롤러에서 상기 데이터의 유형에 따라 페일 허용값에 관한 정보를 생성하는 단계;
상기 메모리 컨트롤러로부터 상기 메모리로 상기 페일 허용값에 관한 정보가 전달되는 단계; 및
상기 메모리에 상기 페일 허용값 이하의 페일이 나도록 상기 데이터를 저장하는 단계
를 포함하는 메모리 시스템의 동작방법.
In the operating method of a memory system including a memory controller and a memory controlled by the memory controller,
Transferring data from the memory controller to the memory;
Generating information regarding a fail permission value according to the type of the data in the memory controller;
Transferring information about the fail permission value from the memory controller to the memory; And
Storing the data such that a fail of the fail tolerance value or less occurs in the memory;
Operating method of a memory system comprising a.
제 7항에 있어서,
상기 페일 허용값은 상기 데이터의 유형에 따라 결정되는 메모리 시스템의 동작방법.
8. The method of claim 7,
The fail tolerance value is determined according to the type of data.
제 8항에 있어서,
상기 데이터의 유형은,
상기 데이터에 요구되는 정확도에 따라 분류되는 메모리 시스템의 동작방법.
The method of claim 8,
The type of data is
A method of operating a memory system classified according to the accuracy required for the data.
제 9항에 있어서,
상기 데이터의 유형에 따라,
상기 데이터에 요구되는 정확도가 작아질수록 상기 페일 허용값은 커지고, 상기 데이터에 요구되는 정확도가 커질수록 상기 페일 허용값은 작아지는 메모리 시스템의 동작방법.
The method of claim 9,
Depending on the type of data above,
The fail tolerance increases as the accuracy required for the data decreases, and the fail tolerance decreases as the accuracy required for the data increases.
제 8항에 있어서,
상기 데이터를 저장하는 단계는,
상기 페일 허용값과 상기 데이터의 페일값을 비교하되, 상기 데이터의 페일값이 상기 페일 허용값 이하가 되도록 상기 데이터를 저장하는 메모리 시스템의 동작방법.
The method of claim 8,
Storing the data,
Compare the fail allowance with a fail value of the data, and store the data such that a fail value of the data is equal to or less than the fail allowable value.
입력된 데이터 패킷을 저장하는 셀 어레이;
상기 데이터 패킷의 페일값을 체크하는 페일 체크부;
상기 데이터 패킷의 페일값과 페일 허용값을 비교하는 페일값 비교부; 및
상기 페일값 비교부의 비교 결과에 따라 상기 데이터 패킷의 페일값이 상기 페일 허용값 이하가 되도록 상기 데이터 패킷을 상기 셀 어레이에 저장하는 제어부
를 포함하는 메모리.
A cell array for storing input data packets;
A fail check unit for checking a fail value of the data packet;
A fail value comparison unit for comparing a fail value of the data packet with a fail permission value; And
A controller configured to store the data packet in the cell array such that a fail value of the data packet is equal to or less than the fail allowable value according to a comparison result of the fail value comparator.
Memory containing.
제 12항에 있어서,
상기 데이터 패킷의 페일 허용값은 상기 데이터 패킷의 유형에 따라 결정되는 메모리.
13. The method of claim 12,
The fail tolerance of the data packet is determined according to the type of the data packet.
제 13항에 있어서,
상기 데이터 패킷의 유형은,
상기 데이터 패킷에 요구되는 정확도에 따라 분류되는 메모리.
The method of claim 13,
The type of data packet is
Memory classified according to the accuracy required for the data packet.
제 14항에 있어서,
상기 데이터 패킷의 유형에 따라,
상기 데이터 패킷에 요구되는 정확도가 작아질수록 상기 데이터 패킷의 페일 허용값은 커지고, 상기 데이터 패킷에 요구되는 정확도가 커질수록 상기 데이터 패킷의 페일 허용값은 작아지는 메모리.
The method of claim 14,
According to the type of data packet,
The smaller the accuracy required for the data packet, the greater the fail tolerance of the data packet, and the greater the accuracy required for the data packet, the smaller the fail tolerance of the data packet.
제 13항에 있어서,
상기 데이터 패킷의 페일 허용값을 저장하는 페일 허용값 저장부를 더 포함하는 메모리.
The method of claim 13,
And a fail tolerance storing unit configured to store a fail tolerance of the data packet.
메모리 컨트롤러; 및
상기 메모리 컨트롤러에 의해 제어되는 메모리를 포함하는 메모리 시스템에 있어서,
상기 메모리 컨트롤러는 상기 메모리로 데이터 패킷 및 상기 데이터 패킷의 유형에 따라 생성된 페일 허용값에 관한 정보 전달하고, 상기 메모리는 상기 페일 허용값 이하의 페일이 나도록 상기 데이터 패킷를 저장하는 메모리 시스템.
Memory controller; And
A memory system including a memory controlled by the memory controller,
The memory controller transfers information about a data packet and a fail allowance value generated according to the type of the data packet to the memory, and the memory stores the data packet so that a fail equal to or less than the fail allowance value occurs.
제 17항에 있어서,
상기 페일 허용값은 상기 데이터 패킷의 유형에 따라 결정되는 메모리 시스템.
18. The method of claim 17,
The fail tolerance is determined according to the type of data packet.
제 18항에 있어서,
상기 데이터 패킷의 유형은,
상기 데이터 패킷에 요구되는 정확도에 따라 분류되는 메모리 시스템.
19. The method of claim 18,
The type of data packet is
A memory system classified according to the accuracy required for the data packet.
제 19항에 있어서,
상기 데이터 패킷의 유형에 따라,
상기 데이터 패킷에 요구되는 정확도가 작아질수록 상기 페일 허용값은 커지고, 상기 데이터 패킷에 요구되는 정확도가 커질수록 상기 페일 허용값은 작아지는 메모리 시스템.
20. The method of claim 19,
According to the type of data packet,
The fail tolerance increases as the accuracy required for the data packet decreases, and the fail tolerance becomes smaller as the accuracy required for the data packet increases.
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