KR20120088137A - 비휘발성 메모리 장치의 프로그래밍 방법 - Google Patents

비휘발성 메모리 장치의 프로그래밍 방법 Download PDF

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Abstract

비휘발성 메모리 장치의 프로그래밍 방법은, 복수의 메모리 셀 중 프로그래밍된 적어도 하나의 메모리 셀을 지시하는 시작 어드레스 및 종료 어드레스를 기억하는 단계와, 데이터 스캐닝시 시작 어드레스부터 스캐닝 하여 불량 비트 수를 누적하는 단계와, 누적된 상기 불량 비트 수가 ECC(Error Correction Code) 허용 비트 수를 초과할 경우, 프로그래밍 동작을 재수행하는 단계를 포함한다.

Description

비휘발성 메모리 장치의 프로그래밍 방법{METHOD OF PROGRAMMING DATA FOR NON-VOLATILE MEMORY APPARATUS}
본 발명은 비휘발성 메모리 장치에 관한 것으로서, 데이터를 프로그래밍 하는 기술에 관한 것이다.
비휘발성 메모리 장치의 대표적인 난드 플래시 메모리 장치는 데이터를 메모리 셀에 프로그래밍한 이후에, 프로그래밍이 정확하게 수행되었는지 여부를 데이터 스캐닝 동작을 통해서 판별하게 된다. 일반적으로 데이터 스캐닝 동작은 한 페이지에 해당하는 복수의 메모리 셀의 데이터를 페이지 버퍼를 통해서 감지하고 불량 비트 수를 순차적으로 누적한다. 이때, 누적된 불량 비트 수가 ECC(Error Correction Code)로 정정할 수 있는 허용 비트 수를 초과하는 경우, 프로그래밍이 실패한 것으로 간주하고, 재 프로그래밍 동작을 수행하게 된다.
도 1은 일반적인 비휘발성 메모리 장치의 프로그래밍 방법을 나타낸 순서도이다.
도 1을 참조하여, 일반적인 비휘발성 메모리 장치의 프로그래밍 방법을 설명하기로 한다.
우선, 프로그래밍이 시작되면, 프로그래밍 커맨드와, 어드레스와, 데이터가 입력된다(S101,S102,S103).
다음으로, 프로그래밍 전압을 공급하여 데이터를 메모리 셀에 프로그래밍 한다(S104).
다음으로, 어드레스를 증가시키면서, 마지막 어드레스까지 데이터 스캐닝을 하면서 에러 비트를 누적한다(S105,S106,S107).
다음으로, 누적된 불량 비트 수가 ECC(Error Correction Code) 허용 비트 수를 초과할 경우, 프로그래밍 동작을 재수행한다(S108,S109). 반면에, 누적된 불량 비트 수가 ECC(Error Correction Code) 허용 비트 수를 초과하지 않을 경우, 프로그래밍이 성공한 것으로 간주한다.
상술한 바와 같은 일반적인 비휘발성 메모리 장치의 프로그래밍 방법은 데이터 스캐닝을 수행할 때, 하나의 페이지에 해당하는 모든 데이터를 순차적으로 스캐닝한 후에, 누적된 불량 비트 수가 ECC(Error Correction Code) 허용 비트 수를 초과했는지 여부를 판단하게 된다. 따라서 하나의 페이지에 해당하는 메모리 셀의 수가 많을 경우, 데이터 스캐닝 시간이 오래 걸리므로, 프로그래밍 시간이 증가한다.
본 발명은 데이터 스캐닝 시간을 단축시킴으로써, 프로그래밍 시간을 감소시킬 수 있는 비휘발성 메모리 장치의 프로그래밍 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 복수의 메모리 셀에 데이터를 프로그래밍 하는 방법에 있어서, 상기 복수의 메모리 셀 중 프로그래밍된 적어도 하나의 메모리 셀을 지시하는 시작 어드레스 및 종료 어드레스를 기억하는 단계; 데이터 스캐닝시 상기 시작 어드레스부터 스캐닝 하여 불량 비트 수를 누적하는 단계; 및 누적된 상기 불량 비트 수가 ECC(Error Correction Code) 허용 비트 수를 초과할 경우, 프로그래밍 동작을 재수행하는 단계;를 포함하는 비휘발성 메모리 장치의 프로그래밍 방법이 제공된다.
도 1은 일반적인 비휘발성 메모리 장치의 프로그래밍 방법을 나타낸 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 비휘발성 메모리 장치의 프로그래밍 방법을 나타낸 순서도이다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 비휘발성 메모리 장치의 프로그래밍 방법을 나타낸 순서도이다.
도 2를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 비휘발성 메모리 장치의 프로그래밍 방법을 설명하기로 한다.
우선, 프로그래밍이 시작되면 프로그래밍 커맨드가 입력된다(S201).
다음으로, 복수의 메모리 셀 중 프로그래밍된 적어도 하나의 메모리 셀을 지시하는 시작 어드레스 및 종료 어드레스를 기억한다(S10). 즉, 어드레스와 데이터가 입력되면(S202,S204), 시작 어드레스 및 종료 어드레스가 저장되고(S203,S205), 입력된 데이터는 프로그래밍 전압이 공급되면서 메모리 셀에 프로그래밍 된다(206). 이때, 시작 어드레스 및 종료 어드레스는 복수의 메모리 셀을 모두 지시하는 것이 아니라, 복수의 메모리 셀 중 일부 범위만을 지시할 수 있다. 즉, 시작 어드레스 및 종료 어드레스는 하나의 페이지에 해당하는 복수의 메모리 셀을 모두 지시하는 것은 아니고, 페이지에 해당하는 일부의 메모리 셀을 지시할 수 있다.
다음으로, 데이터 스캐닝시 시작 어드레스부터 스캐닝 하여 불량 비트 수를 누적한다(S20). 즉, 저장된 시작 어드레스를 로딩(S207)하고, 데이터가 프로그래밍된 시작 어드레스부터 스캐닝을 시작하면서 불량 비트 수를 누적한다(S208).
다음으로, 누적된 불량 비트 수가 ECC(Error Correction Code) 허용 비트 수를 초과할 경우, 프로그래밍 동작을 재수행한다(S30). 즉, 누적된 불량 비트 수가 ECC(Error Correction Code) 허용 비트 수를 초과하는지 판단(S209)하고, 초과하는 경우 프로그래밍 동작을 다시 수행한다. 이때, 프로그래밍 동작을 재수행하는 단계가 반복될수록 프로그래밍 전압을 점점 상승시킨다(S210).
한편, 누적된 불량 비트 수가 ECC(Error Correction Code) 허용 비트 수를 초과하지 않을 경우, 어드레스를 증가시키면서 스캐닝 하여 불량 비트 수를 누적한다(S40). 누적된 불량 비트 수가 ECC(Error Correction Code) 허용 비트 수를 초과하지 않을 경우, 종료 어드레스까지 어드레스를 증가시키면서 스캐닝 동작을 수행한다(S211,S212).
상술한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 비휘발성 메모리 장치의 프로그래밍 방법은 데이터 스캐닝을 수행할 때, 하나의 페이지에 해당하는 모든 데이터를 순차적으로 스캐닝 하지 않고, 시작 어드레스에서 종료 어드레스까지의 데이터만을 스캐닝 하다가 누적된 불량 비트 수가 ECC(Error Correction Code) 허용 비트 수를 초과하는 순간 다시 프로그래밍 동작을 진행한다. 이와 같은 동작은 종료 어드레스까지 스캐닝 했을 때, 누적된 불량 비트 수가 ECC(Error Correction Code) 허용 비트 수를 초과하지 않을 때 까지 반복적으로 수행되며, 누적된 불량 비트 수가 ECC(Error Correction Code) 허용 비트 수를 초과하지 않을 경우, 프로그래밍이 성공한 것으로 간주한다.
이와 같이 하나의 페이지에 해당하는 복수의 메모리 셀 중 시작 어드레스 및 종료 어드레스에 의해서 지시되는 메모리 셀만을 스캐닝하고, 스캐닝 도중에 누적된 불량 비트 수가 ECC(Error Correction Code) 허용 비트 수를 초과하는 순간 다시 프로그래밍 동작을 수행하므로, 데이터 스캐닝 시간이 단축된다.
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (4)

  1. 복수의 메모리 셀에 데이터를 프로그래밍 하는 방법에 있어서,
    상기 복수의 메모리 셀 중 프로그래밍된 적어도 하나의 메모리 셀을 지시하는 시작 어드레스 및 종료 어드레스를 기억하는 단계;
    데이터 스캐닝시 상기 시작 어드레스부터 스캐닝 하여 불량 비트 수를 누적하는 단계; 및
    누적된 상기 불량 비트 수가 ECC(Error Correction Code) 허용 비트 수를 초과할 경우, 프로그래밍 동작을 재수행하는 단계;
    를 포함하는 비휘발성 메모리 장치의 프로그래밍 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    누적된 상기 불량 비트 수가 상기 ECC(Error Correction Code) 허용 비트 수를 초과하지 않을 경우, 어드레스를 증가시키면서 스캐닝 하여 불량 비트 수를 누적하는 단계;를 더 포함하는 비휘발성 메모리 장치의 프로그래밍 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    누적된 상기 불량 비트 수가 ECC(Error Correction Code) 허용 비트 수를 초과하지 않을 경우, 상기 종료 어드레스까지 어드레스를 증가시키면서 스캐닝 하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 프로그래밍 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 프로그래밍 동작을 재수행하는 단계가 반복될수록 프로그래밍 전압을 점점 상승시키는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 프로그래밍 방법.
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