KR20120085523A - Dielectric diplexer comprising resonator and communication device comprising the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A resonator type dielectric diplexer and a communication device including the same are provided to complement a narrow bandwidth of the dielectric diplexer by implementing one side band with a low pass filter. CONSTITUTION: A first resonator of a resonator type dielectric diplexer(200) includes 1-1 to 1-4 resonators(13a-13d). A low pass filter pattern includes a first input and output pattern(31), a second input and output pattern(32) and a first to a fifth inductor patterns. The low pass filter pattern includes 1-1 to 1-4 capacitor patterns(42a-42d) respectively connected to the 1-1 to 1-4 resonators.

Description

공진기 타입 유전체 다이플렉서 및 그를 포함하는 통신 소자{Dielectric diplexer comprising resonator and communication device comprising the same}Dielectric diplexer comprising resonator and communication device comprising the same

본 발명은 공진기 타입 유전체 다이플렉서 및 그를 포함하는 통신 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a resonator type dielectric diplexer and a communication device comprising the same.

일반적으로 무선 통신 시스템에서 사용되는 다이플렉서는 LC 집중소자나 마이크로 스트립 선로, 또는 LTCC형태로 제작되고 있다. 이 중 LC 집중소자로 제작된 다이플렉서는 회로에서의 삽입 손실이 크고 GHz대 고주파 영역에 대한 구현이 매우 어려운 단점이 있으며, 마이크로 스트립 선로로 제작된 다이플렉서는 통신 소자에 실장될 때, 상대적으로 넓은 물리적 공간을 차지한다는 단점이 있다. 또한, LTCC 형태로 제작된 다이플렉서는 회로에서의 삽입 손실도 클 뿐만 아니라 튜닝이 불가능한 단점이 있다.In general, diplexers used in wireless communication systems are manufactured in the form of LC concentrators, micro strip lines, or LTCCs. Among these, the diplexer manufactured by the LC lumped element has a high insertion loss in the circuit and it is very difficult to implement in the high frequency region of the GHz band.When the diplexer manufactured by the micro strip line is mounted in the communication element, The disadvantage is that it takes up a relatively large physical space. In addition, the diplexer manufactured in the LTCC form has a large insertion loss in the circuit as well as a disadvantage that tuning is impossible.

한편 모노블럭 타입 유전체를 이용하여 구현되는 소자 중에는 다이플렉서와 비슷한 특성을 보이는 듀플렉서가 있지만, 이는 공진기 특성상 10% 내외의 좁은 대역폭을 갖게 되고 광대역 특성을 얻는 것이 거의 불가능하다.On the other hand, among the devices implemented using a monoblock type dielectric, there is a duplexer similar to the diplexer, but it has a narrow bandwidth of about 10% due to the characteristics of the resonator and it is almost impossible to obtain broadband characteristics.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 넓은 대역폭의 확보가 가능함과 동시에, 낮은 삽입 손실과 급격한 감쇄 특성을 얻을 수 있는 공진기 타입 유전체 다이플렉서를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a resonator type dielectric diplexer capable of securing a wide bandwidth and attaining low insertion loss and rapid attenuation characteristics.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 공진기 타입 유전체 다이플렉서를 포함하는 통신 소자를 제공하는 것이다.Another technical problem to be solved by the present invention is to provide a communication device including the resonator type dielectric diplexer.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems of the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 공진기 타입 유전체 다이플렉서의 일 태양은, 공진홀과 공진홀 내부에 형성된 공진기 패턴으로 이루어진 공진기가 형성된 유전체 블록, 유전체 블록의 적어도 일면에 배치된 접지 패턴, 유전체 블록의 일측에, 공진기와 연결되고 접지 패턴과 이격되어 배치된 로우 패스 필터 패턴, 및 유전체 블록의 타측에, 공진기와 연결되고 접지 패턴과 이격되어 배치된 밴드 패스 필터 패턴을 포함한다.One aspect of the resonator type dielectric diplexer of the present invention for achieving the above technical problem is a dielectric block having a resonator formed of a resonator pattern formed in the resonator hole and the resonator hole, a ground pattern disposed on at least one surface of the dielectric block, One side of the dielectric block includes a low pass filter pattern connected to the resonator and spaced apart from the ground pattern, and the other side of the dielectric block includes a band pass filter pattern connected to the resonator and spaced apart from the ground pattern.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 통신 소자의 일 태양은, 접지 전극 및 제1 내지 제3 입출력 라인이 형성된 기판, 및 기판 상에 실장된 공진기 타입 유전체 다이플렉서를 포함하되, 공진기 타입 유전체 다이플렉서는, 공진홀과 공진홀 내부에 형성된 공진기 패턴으로 이루어진 공진기가 형성된 유전체 블록과, 유전체 블록의 적어도 일면에 배치된 접지 패턴과, 유전체 블록의 일측에, 공진기와 연결되고 접지 패턴과 이격되어 배치된 로우 패스 필터 패턴과, 유전체 블록의 타측에, 공진기와 연결되고 접지 패턴과 이격되어 배치된 밴드 패스 필터 패턴을 포함한다.One aspect of the communication device of the present invention for achieving the above another technical problem comprises a resonator type dielectric diplexer mounted on the substrate, and a substrate having a ground electrode and the first to third input and output lines, the resonator type The dielectric diplexer includes a dielectric block having a resonator formed of a resonator hole and a resonator pattern formed inside the resonator hole, a ground pattern disposed on at least one surface of the dielectric block, and one side of the dielectric block connected to a resonator and connected to a ground pattern. A low pass filter pattern spaced apart from each other and a band pass filter pattern connected to the resonator and spaced apart from the ground pattern on the other side of the dielectric block.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.

본 발명의 실시예들에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서는 유전체 블록 상에 로우 패스 필터와 밴드 패스 필터를 모두 구현함으로써, 유전체 고유의 특성인 낮은 삽입 손실과 급격한 감쇄 특성을 얻을 수 있게 된다. 또한, 한쪽 대역을 로우 패스 필터로 구현함으로써, 유전체 듀플렉서(duplexr)의 단점인 좁은 대역폭을 보완하고 넓은 대역폭의 확보가 가능하다.By implementing both the low pass filter and the band pass filter on the dielectric block, the resonator type dielectric diplexer according to the embodiments of the present invention can obtain low insertion loss and rapid attenuation characteristics, which are inherent in the dielectric. In addition, by implementing one band as a low pass filter, it is possible to compensate for the narrow bandwidth, which is a disadvantage of the dielectric duplexer, and to secure a wide bandwidth.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서의 사시도들이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서의 등가 회로도다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서의 사시도들이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서의 등가 회로도다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서의 주파수 응답 특성을 도시한 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 통신 소자의 사시도이다.1 and 2 are perspective views of a resonator type dielectric diplexer according to an embodiment of the present invention.
3 is an equivalent circuit diagram of a resonator type dielectric diplexer according to an embodiment of the present invention.
4 and 5 are perspective views of a resonator type dielectric diplexer according to another embodiment of the present invention.
6 is an equivalent circuit diagram of a resonator type dielectric diplexer according to another embodiment of the present invention.
7 is a graph illustrating frequency response characteristics of a resonator type dielectric diplexer according to another exemplary embodiment of the present invention.
8 is a perspective view of a communication device according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 표시된 구성요소의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. The size and relative size of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity of explanation.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭하며, "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification, and "and / or" includes each and every combination of one or more of the mentioned items.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "이루어지다(made of)"는 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, the terms "comprises" and / or "made of" means that a component, step, operation, and / or element may be embodied in one or more other components, steps, operations, and / And does not exclude the presence or addition thereof.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, it goes without saying that these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, it goes without saying that the first component mentioned below may be the second component within the technical scope of the present invention.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

이하 도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서에 대해 설명한다.Hereinafter, a resonator type dielectric diplexer according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서의 사시도들이다.1 and 2 are perspective views of a resonator type dielectric diplexer according to an embodiment of the present invention.

먼저 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서(100)는 유전체 블록(10), 접지 패턴(20), 제1 내지 제3 입출력 패턴(31~33), 로우 패스 필터 패턴(41a, 41b, 42), 밴드 패스 필터 패턴(52)을 포함할 수 있다.First, referring to FIGS. 1 and 2, a resonator type dielectric diplexer 100 according to an exemplary embodiment of the present invention may include a dielectric block 10, a ground pattern 20, and first to third input / output patterns 31 ˜. 33), the low pass filter patterns 41a, 41b, and 42, and the band pass filter pattern 52.

유전체 블록(10)에는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 공진기(13, 14)가 형성될 수 있다. 그리고 공진기(13)는 유전체 블록(10)에 형성된 공진홀(11)과 공진홀 내벽에 형성된 공진기 패턴(12)으로 이루어질 수 있다. 이렇게 공진홀(11)과 공진기 패턴(12)으로 이루어진 공진기(13, 14)는 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서(100)에서 유전체 공진기(dielectric resonator)의 역할을 할 수 있다.Resonators 13 and 14 may be formed in the dielectric block 10 as illustrated in FIGS. 1 and 2. The resonator 13 may include a resonator hole 11 formed in the dielectric block 10 and a resonator pattern 12 formed in an inner wall of the resonant hole. The resonators 13 and 14 including the resonator hole 11 and the resonator pattern 12 may serve as dielectric resonators in the resonator type dielectric diplexer 100 according to the embodiment of the present invention. have.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서(100)에서 공진홀(11)의 형상은 도시된 것과 같이 원형일 수 있다. 그리고, 이 때 공진기 패턴(12)은 이러한 원형 공진홀(11)의 내벽을 따라 형성될 수 있다. 다시 말해, 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서(100)의 공진기(13, 14)는 도시된 바와 같이 원통 형상의 캐비티(cavity)를 갖도록 형성될 수 있다.On the other hand, in the resonator type dielectric diplexer 100 according to an embodiment of the present invention, the shape of the resonance hole 11 may be circular as shown. In this case, the resonator pattern 12 may be formed along the inner wall of the circular resonance hole 11. In other words, the resonators 13 and 14 of the resonator type dielectric diplexer 100 according to the exemplary embodiment of the present invention may be formed to have a cylindrical cavity as shown.

이처럼 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서(100)의 공진기(13, 14)는 원통 형상의 캐비티를 갖도록 형성될 수도 있으나, 본 발명에 따른 공진기(13, 14)가 도 1 및 도 2에 도시된 형상에만 제한되는 것은 아니다. 필요에 따라, 공진기(13, 14)의 형상은 도 1 및 도 2에 도시된 형상과 다르게 얼마든지 변형될 수 있다.As described above, although the resonators 13 and 14 of the resonator type dielectric diplexer 100 according to the embodiment of the present invention may have a cylindrical cavity, the resonators 13 and 14 according to the present invention are illustrated in FIG. 1. And it is not limited to the shape shown in FIG. If necessary, the shapes of the resonators 13 and 14 may be modified as many as different from those shown in FIGS. 1 and 2.

접지 패턴(20)은 유전체 블록의 적어도 일면에 배치될 수 있다. 구체적으로, 접지 패턴(20)은 도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이, 제1 내지 제3 입출력 패턴(31~33), 로우 패스 필터 패턴(41a, 41b, 42) 및 밴드 패스 필터 패턴(52)을 둘러싼 형상으로, 유전체 블록(10)의 모든 면에 형성될 수 있다. 이 때, 이러한 접지 패턴(20)은 외부 접지 전압과 연결되어 접지 전극의 역할을 할 수 있다.The ground pattern 20 may be disposed on at least one surface of the dielectric block. Specifically, as shown in FIGS. 1 and 2, the ground pattern 20 may include the first to third input / output patterns 31 to 33, the low pass filter patterns 41a, 41b, and 42, and the band pass filter pattern ( 52 may be formed on all surfaces of the dielectric block 10. In this case, the ground pattern 20 may be connected to an external ground voltage to serve as a ground electrode.

비록, 도 1 및 도 2에는 제1 내지 제3 입출력 패턴(31~33), 로우 패스 필터 패턴(41a, 41b, 42) 및 밴드 패스 필터 패턴(52)을 둘러싼 형상으로 유전체 블록(10)의 모든 면에 접지 패턴(20)이 형성되어 있으나, 본 발명이 도 1 및 도 2에 도시된 형상에만 제한되는 것은 아니며, 필요에 따라 접지 패턴(20)의 형상은 얼마든지 변형될 수 있다.1 and 2, the dielectric block 10 may have a shape surrounding the first to third input / output patterns 31 to 33, the low pass filter patterns 41a, 41b, and 42, and the band pass filter pattern 52. Although the ground pattern 20 is formed on all surfaces, the present invention is not limited to the shape shown in FIGS. 1 and 2, and the shape of the ground pattern 20 may be modified as needed.

제1 내지 제3 입출력 패턴(31~33)은 도시된 것과 같이 각각 유전체 블록(10)의 일측부, 중앙부, 타측부에 형성될 수 있다. 여기서 제1 내지 제3 입출력 패턴(31~33)은 신호가 입력되고 출력되는 전송 선로의 역할을 할 수 있는데, 구체적으로 예를 들어, 제1 입출력 패턴(31)은 저주파수 단(도 3의 Low)에 연결될 수 있고, 제2 입출력 패턴(32)은 안테나 단(도 3의 Ant)에 연결될 수 있으며, 제3 입출력 패턴(33)은 고주파수 단(도 3의 High)에 연결될 수 있다.As illustrated, the first to third input / output patterns 31 to 33 may be formed at one side, the center, and the other side of the dielectric block 10, respectively. Here, the first to third input / output patterns 31 to 33 may serve as transmission lines through which signals are input and output. Specifically, for example, the first input / output pattern 31 may include a low frequency terminal (low in FIG. 3). ), The second input / output pattern 32 may be connected to the antenna terminal (ant in FIG. 3), and the third input / output pattern 33 may be connected to the high frequency terminal (high in FIG. 3).

로우 패스 필터 패턴(41a, 41b, 42)은 도시된 것과 같이 제1 입출력 패턴(31)과 제2 입출력 패턴(32) 사이의 유전체 블록(10)의 일측에 배치될 수 있다. 구체적으로, 로우 패스 필터 패턴(41a, 41b, 42)은 제1 입출력 패턴(31)과 제1 공진기(13)가 서로 연결되도록 배치된 제1 인덕터 패턴(41a)과, 제2 입출력 패턴(32)과 제1 공진기(13)가 서로 연결되도록 배치된 제2 인덕터 패턴(41b)과, 제1 공진기(13)와 연결되고 접지 패턴(20)과 이격되도록 배치된 제1 커패시터 패턴(42)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 및 제2 인덕터 패턴(41a, 41b)과 제1 커패시터 패턴(42)은 도시된 바와 같이 유전체 블록(10)의 서로 마주보는 면에 배치될 수 있으나, 본 발명이 이러한 배치에만 제한되는 것은 아니며, 필요에 따라 제1 및 제2 인덕터 패턴(41a, 41b)과 제1 커패시터 패턴(42)의 배치는 얼마든지 변형될 수 있다. 이러한 로우 패스 필터 패턴(41a, 41b, 42)은 제1 공진기(13), 제1 및 제2 입출력 패턴(31, 32)과 함께 로우 패스 필터(low pass filter)의 역할을 할 수 있다. 이에 관한 보다 상세한 설명은 후술하도록 한다.The low pass filter patterns 41a, 41b, and 42 may be disposed on one side of the dielectric block 10 between the first input / output pattern 31 and the second input / output pattern 32 as shown. In detail, the low pass filter patterns 41a, 41b, and 42 may include the first inductor pattern 41a and the second input / output pattern 32 arranged to connect the first input / output pattern 31 and the first resonator 13 to each other. ) And the second inductor pattern 41b disposed to be connected to each other and the first resonator 13, and the first capacitor pattern 42 connected to the first resonator 13 and spaced apart from the ground pattern 20. It may include. Here, the first and second inductor patterns 41a and 41b and the first capacitor pattern 42 may be disposed on opposite sides of the dielectric block 10 as shown, but the present invention is limited to such an arrangement. The arrangement of the first and second inductor patterns 41a and 41b and the first capacitor pattern 42 may be modified as necessary. The low pass filter patterns 41a, 41b, and 42 may serve as a low pass filter together with the first resonator 13 and the first and second input / output patterns 31 and 32. A more detailed description thereof will be described later.

밴드 패스 필터 패턴(52)은 도시된 것과 같이 제2 입출력 패턴(32)과 제3 입출력 패턴(33) 사이의 유전체 블록(10)의 타측에 배치될 수 있다. 구체적으로, 밴드 패스 필터 패턴(52)은 제2 공진기(14)와 연결되고, 접지 패턴(20), 제2 및 제3 입출력 패턴(32, 33)과 이격되어 배치된 제2 커패시터 패턴(52)을 포함할 수 있다. 여기서, 제2 커패시터 패턴(52)은 도시된 것과 같이 제1 커패시터 패턴(42)과 유전체 블록(10)상의 동일 면에 배치될 수 있으나, 본 발명이 역시 이에만 제한되는 것은 아니다. 이러한 밴드 패스 필터 패턴(52)은 제2 공진기(14), 제2 및 제3 입출력 패턴(32, 33)과 함께 밴드 패스 필터(band pass filter)의 역할을 할 수 있다. 이에 관한 보다 상세한 설명 역시 후술하도록 한다.The band pass filter pattern 52 may be disposed on the other side of the dielectric block 10 between the second input / output pattern 32 and the third input / output pattern 33 as shown. Specifically, the band pass filter pattern 52 is connected to the second resonator 14 and the second capacitor pattern 52 spaced apart from the ground pattern 20, the second and third input / output patterns 32 and 33. ) May be included. Here, the second capacitor pattern 52 may be disposed on the same surface on the first capacitor pattern 42 and the dielectric block 10 as shown, but the present invention is not limited thereto. The band pass filter pattern 52 may serve as a band pass filter together with the second resonator 14 and the second and third input / output patterns 32 and 33. A more detailed description thereof will be described later.

다음 도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서의 기능에 대해 설명한다.Next, a function of a resonator type dielectric diplexer according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서의 등가 회로도다.3 is an equivalent circuit diagram of a resonator type dielectric diplexer according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 3의 저주파수 단(Low)는 앞서 설명한 바와 같이 도 1 및 도 2에 도시된 제1 입출력 패턴(31)일 수 있고, 안테나 단(Ant)은 제2 입출력 패턴(32)일 수 있으며, 고주파수 단(High)은 제3 입출력 패턴(33)일 수 있다. 그리고, 도 3에서 로우 패스 필터는 제1 접지 커패시터(Cp1), 제1 인덕터(L1), 제1 공진기(13), 제5 접지 커패시터(Cp5), 제5 인덕터(L5) 및 제6 접지 커패시터(Cp6)로 구성될 수 있고, 밴드 패스 필터는 제4 패턴간 커패시터(Cs4), 제2 공진기(14), 제7 접지 커패시터(Cp7) 및 제8 패턴간 커패시터(Cs8)로 구성될 수 있다.First, the low frequency stage Low of FIG. 3 may be the first input / output pattern 31 illustrated in FIGS. 1 and 2, and the antenna terminal Ant may be the second input / output pattern 32 as described above. The high frequency terminal High may be the third input / output pattern 33. In FIG. 3, the low pass filter includes a first ground capacitor Cp1, a first inductor L1, a first resonator 13, a fifth ground capacitor Cp5, a fifth inductor L5, and a sixth ground capacitor. The band pass filter may include a fourth interpattern capacitor Cs4, a second resonator 14, a seventh ground capacitor Cp7, and an eighth interpattern capacitor Cs8. .

보다 구체적으로, 로우 패스 필터를 구성하는 도 3의 제1 접지 커패시터(Cp1)는 도 1 및 도 2에 도시된 제1 입출력 패턴(31)과 접지 패턴(20)간의 이격에 의해 형성될 수 있고, 제6 접지 커패시터(Cp6)는 제2 입출력 패턴(32)과 접지 패턴(20)간의 이격에 의해 형성될 수 있다. 그리고, 제 5 접지 커패시터(Cp5)는 도 1에 도시된 제1 커패시터 패턴(42)과 접지 패턴(20)간의 이격에 의해 형성될 수 있다. 한편, 도 2의 제1 인덕터 패턴(41a)과 제2 인덕터 패턴(41b)은 각각 도 3의 제1 인덕터(L1)와 제5 인덕터(L5)일 수 있다. 즉, 이처럼 유전체 블록(10)에 형성된 로우 패스 필터 패턴(41a, 41b, 42), 제1 공진기(13), 제1 및 제2 입출력 패턴(31, 32)은 회로적으로 로우 패스 필터를 구성할 수 있다.More specifically, the first ground capacitor Cp1 of FIG. 3 constituting the low pass filter may be formed by the separation between the first input / output pattern 31 and the ground pattern 20 shown in FIGS. 1 and 2. The sixth ground capacitor Cp6 may be formed by the separation between the second input / output pattern 32 and the ground pattern 20. The fifth ground capacitor Cp5 may be formed by the separation between the first capacitor pattern 42 and the ground pattern 20 illustrated in FIG. 1. Meanwhile, the first inductor pattern 41a and the second inductor pattern 41b of FIG. 2 may be the first inductor L1 and the fifth inductor L5 of FIG. 3, respectively. That is, the low pass filter patterns 41a, 41b, and 42, the first resonator 13, and the first and second input / output patterns 31 and 32 formed in the dielectric block 10 constitute a low pass filter in a circuit. can do.

한편, 밴드 패스 필터를 구성하는 도 3의 제4 패턴간 커패시터(Cs4)는 도 2에 도시된 제2 입출력 패턴(32)과 제2 커패시터 패턴(52)간의 이격에 의해 형성될 수 있으며, 제8 패턴간 커패시터(Cs8)는 제3 입출력 패턴(33)과 제2 커패시터 패턴(52)간의 이격에 의해 형성될 수 있다. 그리고, 제7 접지 커패시터(Cp7)는 접지 패턴(20)과 제2 커패시터 패턴(52)간의 이격에 의해 형성될 수 있다. 따라서, 마찬가지로 유전체 블록(10)에 형성된 밴드 패스 필터 패턴(또는 제2 커패시터 패턴)(52), 제2 공진기(14), 제2 및 제3 입출력 패턴(32, 33)은 회로적으로 밴드 패스 필터를 구성할 수 있다.Meanwhile, the fourth interpattern capacitor Cs4 of FIG. 3 constituting the band pass filter may be formed by the separation between the second input / output pattern 32 and the second capacitor pattern 52 illustrated in FIG. 2. The eight inter-pattern capacitor Cs8 may be formed by the separation between the third input / output pattern 33 and the second capacitor pattern 52. In addition, the seventh ground capacitor Cp7 may be formed by the separation between the ground pattern 20 and the second capacitor pattern 52. Accordingly, the band pass filter pattern (or second capacitor pattern) 52, the second resonator 14, and the second and third input / output patterns 32 and 33 similarly formed in the dielectric block 10 may be band pass. You can configure the filter.

이처럼, 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서(100)는 유전체 블록(10) 상에 로우 패스 필터와 밴드 패스 필터를 모두 구현함으로써, 유전체 고유의 특성인 낮은 삽입 손실과 급격한 감쇄 특성을 얻을 수 있게 된다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서(100)는 한쪽 대역을 상기와 같이 로우 패스 필터로 구현함으로써, 유전체 듀플렉서(duplexr)의 단점인 좁은 대역폭을 보완하고 넓은 대역폭의 확보가 가능하다.As such, the resonator type dielectric diplexer 100 according to an embodiment of the present invention implements both a low pass filter and a band pass filter on the dielectric block 10, thereby providing low insertion loss and rapid attenuation, which are inherent in dielectrics. Can get characteristics. In addition, the resonator type dielectric diplexer 100 according to an embodiment of the present invention implements one band as a low pass filter as described above, thereby compensating a narrow bandwidth, which is a disadvantage of the dielectric duplexer, and securing a wide bandwidth. Is possible.

다음 도 4 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서에 대해 설명한다.Next, a resonator type dielectric diplexer according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 6.

도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서의 사시도들이고, 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서의 등가 회로도다. 이하에서는 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서를 설명하면서 설명한 사항에 대해서는 중복된 자세한 설명을 생략하도록 한다. 즉, 이하에서는 그 차이점에 대해서만 설명하도록 한다.4 and 5 are perspective views of a resonator type dielectric diplexer according to another embodiment of the present invention, and FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of a resonator type dielectric diplexer according to another embodiment of the present invention. Hereinafter, descriptions of the resonator type dielectric diplexer according to the embodiment of the present invention described above will be omitted. That is, only the differences will be described below.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서(200)의 제1 공진기는 제1-1 내지 제1-4 공진기(13a~13d)를 포함하고, 로우 패스 필터 패턴은 제1 입출력 패턴(31), 제2 입출력 패턴(32) 및 제1-1 내지 제1-4 공진기(13a~13d)와 각각 서로 연결되도록 배치된 제1 내지 제5 인덕터 패턴(41a~41e)과, 제1-1 내지 제1-4 공진기(13a~13d)와 각각 하나씩 연결되고 서로간 이격되게 배치된 제1-1 내지 제1-4 커패시터 패턴(42a~42d)을 포함할 수 있다.4 to 6, the first resonator of the resonator type dielectric diplexer 200 according to another embodiment of the present invention includes first to first to first to fourth resonators 13a to 13d, The low pass filter pattern may include the first to fifth inductor patterns arranged to be connected to the first input / output pattern 31, the second input / output pattern 32, and the first to first to fourth resonators 13a to 13d, respectively. 41a to 41e and the 1-1 to 1-4 resonators 13a to 13d, respectively, connected to each other and arranged to be spaced apart from each other, the 1-1 to 1-4 capacitor patterns 42a to 42d. It may include.

한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서(200)의 제2 공진기는 제2-1 내지 제2-4 공진기(14a~14d)를 포함하고, 밴드 패스 필터 패턴은 제2-1 내지 제2-4 공진기(14a~14d)와 각각 하나씩 연결되고 서로간 이격되게 배치된 제2-1 내지 제2-4 커패시터 패턴(52a~52d)을 포함할 수 있다.On the other hand, the second resonator of the resonator type dielectric diplexer 200 according to another embodiment of the present invention includes the 2-1 to 2-4 resonators (14a ~ 14d), the band pass filter pattern is a second Each of the -1 to 2-4 resonators 14a to 14d may be connected to each other and may include 2-1 to 2-4 capacitor patterns 52a to 52d spaced apart from each other.

즉, 본 발명의 다른 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서(200)의 로우 패스 필터는 제1 내지 제6 접지 커패시터(Cp1~Cp6), 제1 내지 제5 인덕터(L1~L5), 제1-1 내지 제1-4 공진기(13a~13d), 및 제1 내지 제3 패턴간 커패시터(Cs1~Cs3)로 구성될 수 있고, 밴드 패스 필터는 제4 내지 제8 패턴간 커패시터(Cs4~Cs8), 제2-1 내지 제2-4 공진기(14a~14d), 및 제7 내지 제10 접지 커패시터(Cp7~Cp10)으로 구성될 수 있다.That is, the low pass filter of the resonator type dielectric diplexer 200 according to another embodiment of the present invention may include first to sixth ground capacitors Cp1 to Cp6, first to fifth inductors L1 to L5, and 1-1 to 1-4 resonators 13a to 13d and first to third interpattern capacitors Cs1 to Cs3, and the band pass filter may include fourth to eighth intercapacitors Cs4 to. Cs8), the second through second through fourth resonators 14a through 14d, and the seventh through tenth ground capacitors Cp7 through Cp10.

구체적으로, 로우 패스 필터를 구성하는 도 6의 제1 내지 제6 접지 커패시터(Cp1~Cp6)는 각각 도 4의 제1 입출력 패턴(31), 제1-1 커패시터 패턴(42a), 제1-2 커패시터 패턴(42b), 제1-3 커패시터 패턴(42c), 제1-4 커패시터 패턴(42d), 제2 입출력 패턴(32)과 접지 패턴(20)간의 이격에 의해 형성될 수 있다. 그리고, 도 6의 제1 내지 제5 인덕터(L1~L5)는 각각 도 5의 제1 내지 제5 인덕터 패턴(41a~41e)일 수 있으며, 도 6의 제1 내지 제3 패턴간 커패시터(Cs1~Cs3)는 각각 도 4의 제1-1 커패시터 패턴(42a), 제1-2 커패시터 패턴(42b), 제1-3 커패시터 패턴(42c), 제1-4 커패시터 패턴(42d)간의 이격에 의해 형성될 수 있다.Specifically, the first to sixth ground capacitors Cp1 to Cp6 of FIG. 6 constituting the low pass filter are respectively the first input / output pattern 31, the first-first capacitor pattern 42a, and the first-first of FIG. 4. The second capacitor pattern 42b, the 1-3 capacitor pattern 42c, the 1-4 capacitor pattern 42d, and the second input / output pattern 32 and the ground pattern 20 may be formed by a spaced apart from each other. In addition, the first to fifth inductors L1 to L5 of FIG. 6 may be the first to fifth inductor patterns 41a to 41e of FIG. 5, respectively, and the first to third pattern capacitors Cs1 of FIG. 6. ˜Cs3 is a distance between the 1-1 capacitor pattern 42a, the 1-2 capacitor pattern 42b, the 1-3 capacitor pattern 42c, and the 1-4 capacitor pattern 42d of FIG. 4, respectively. It can be formed by.

한편, 밴드 패스 필터를 구성하는 도 6의 제7 내지 제10 접지 커패시터(Cp7~Cp10)는 각각 도 4의 제2-1 커패시터 패턴(52a), 제2-2 커패시터 패턴(52b), 제2-3 커패시터 패턴(52c), 제2-4 커패시터 패턴(52d)과 접지 패턴(20)간의 이격에 의해 형성될 수 있고, 도 6의 제4 내지 제8 패턴간 커패시터(Cs4~Cs8)는 각각 도 4의 제2 입출력 패턴(32), 제2-1 커패시터 패턴(52a), 제2-2 커패시터 패턴(52b), 제2-3 커패시터 패턴(52c), 제2-4 커패시터 패턴(52d), 제3 입출력 패턴(33)간의 이격에 의해 형성될 수 있다.Meanwhile, the seventh to tenth ground capacitors Cp7 to Cp10 of FIG. 6 constituting the band pass filter are respectively the 2-1st capacitor pattern 52a, the 2-2nd capacitor pattern 52b, and the 2nd-2nd capacitor pattern of FIG. 4. The third capacitor pattern 52c, the second-4 capacitor pattern 52d, and the ground pattern 20 may be formed to be spaced apart, and the fourth to eighth capacitors Cs4 to Cs8 of FIG. The second input / output pattern 32, the 2-1 capacitor pattern 52a, the 2-2 capacitor pattern 52b, the 2-3 capacitor pattern 52c, and the 2-4 capacitor pattern 52d of FIG. The distance between the third input and output patterns 33 may be formed.

이처럼, 본 발명의 다른 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서(200)도 유전체 블록(10) 상에 로우 패스 필터와 밴드 패스 필터를 모두 구현함으로써, 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서(100)의 장점을 모두 가질 수 있으며, 나아가 보다 정밀하게 주파수 특성을 조절할 수 있는 장점이 있다.As such, the resonator type dielectric diplexer 200 according to another embodiment of the present invention also implements both the low pass filter and the band pass filter on the dielectric block 10, thereby resonator according to the embodiment of the present invention described above. It may have all the advantages of the type dielectric diplexer 100, and furthermore, there is an advantage of more precisely adjusting the frequency characteristics.

다음, 도 7을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서의 주파수 응답 특성에 대해 설명한다.Next, a frequency response characteristic of the resonator type dielectric diplexer according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 7.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서의 주파수 응답 특성을 도시한 그래프이다.7 is a graph illustrating frequency response characteristics of a resonator type dielectric diplexer according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 도 7에는 제2 입출력 패턴(32)으로 입력되는 신호를 제1 입출력 패턴(31) 쪽에서 관찰한 그래프(S21)와, 제2 입출력 패턴(32)으로 입력되는 신호를 제3 입출력 패턴(33) 쪽에서 관찰한 그래프(S31)와, 제2 입출력 패턴(32) 쪽에서 반사되는 신호를 관찰한 그래프(S11)가 도시되어 있다.Referring to FIG. 7, FIG. 7 shows a graph S21 of observing a signal input to the second input / output pattern 32 on the first input / output pattern 31 and a signal input to the second input / output pattern 32. 3 shows a graph S31 observed from the side of the input / output pattern 33 and a graph S11 from the signal reflected from the side of the second input / output pattern 32.

이상의 그래프들을 관찰하여 보면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서(200)의 일측은 로우 패스 필터의 기능을 수행(S21 참조)하고, 타측은 밴드 패스 필터의 기능을 수행(S31참조)함을 알 수 있다. 또한, 원하지 않는 주파수 영역에서는 급격한 감쇄 특성을 보이고 있음을 알 수 있다.Observing the above graphs, one side of the resonator type dielectric diplexer 200 according to another embodiment of the present invention performs the function of the low pass filter (see S21), and the other side performs the function of the band pass filter ( See S31). In addition, it can be seen that a sudden attenuation characteristic in the unwanted frequency region.

다음 도 8을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 통신 소자에 대해 설명한다.Next, a communication device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 8.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 통신 소자의 사시도이다. 이하에서도, 앞서 설명한 본 발명의 실시예들에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서를 설명하면서 설명한 사항에 대해서는 중복된 자세한 설명은 생략하도록 한다.8 is a perspective view of a communication device according to an embodiment of the present invention. In the following description, detailed descriptions of the resonator type dielectric diplexer according to the embodiments of the present invention will be omitted.

도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 통신 소자는 기판(300) 및 기판(300) 상에 실장된 공진기 타입 유전체 다이플렉서(200)를 포함할 수 있다. 비록, 도 8에는 일 예시로, 본 발명의 다른 실시예에 따른 공진기 타입 유전체 다이플렉서(200)가 기판(300) 상에 실장된 것이 도시되어 있으나, 이는 필요에 따라 얼마든지 변형될 수 있다.Referring to FIG. 8, a communication device according to an embodiment of the present invention may include a substrate 300 and a resonator type dielectric diplexer 200 mounted on the substrate 300. 8 illustrates an example in which a resonator type dielectric diplexer 200 is mounted on a substrate 300 according to another embodiment of the present invention, but may be modified as needed. .

기판(300) 상에는 접지 전극(340), 및 제1 내지 제3 입출력 라인(310, 320, 330)이 형성되어 있다. 공진기 타입 유전체 다이플렉서(200)의 접지 패턴(20)은 기판(300)의 도시된 것과 같이 기판(300) 상의 접지 전극(340)에 연결 되도록 기판(300) 상에 실장되고, 공진기 타입 유전체 다이플렉서(200)의 제1 내지 제3 입출력 패턴(31~33)은 도시된 것과 같이 각각 기판(300) 상의 제1 내지 제3 입출력 라인(310~330)에 연결되도록 기판(300) 상에 실장될 수 있다.The ground electrode 340 and the first to third input / output lines 310, 320, and 330 are formed on the substrate 300. The ground pattern 20 of the resonator type dielectric diplexer 200 is mounted on the substrate 300 to be connected to the ground electrode 340 on the substrate 300 as shown in the substrate 300, and the resonator type dielectric As illustrated, the first to third input / output patterns 31 to 33 of the diplexer 200 are connected to the first to third input / output lines 310 to 330 on the substrate 300, respectively. Can be mounted on

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to the above embodiments but may be manufactured in various forms, and having ordinary skill in the art to which the present invention pertains. It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

10: 유전체 블록 13, 14: 공진기
20: 접지 패턴 31~33: 입출력 패턴
41a~41e: 인덕터 패턴 42a~42d, 52a~52d: 커패시터 패턴
100, 200: 공진기 타입 유전체 다이플렉서10: dielectric block 13, 14: resonator
20: ground pattern 31 to 33: input / output pattern
41a to 41e: inductor patterns 42a to 42d, 52a to 52d: capacitor patterns
100, 200: resonator type dielectric diplexer

Claims (12)

공진홀과 상기 공진홀 내부에 형성된 공진기 패턴으로 이루어진 공진기가 형성된 유전체 블록;
상기 유전체 블록의 적어도 일면에 배치된 접지 패턴;
상기 유전체 블록의 일측에, 상기 공진기와 연결되고 상기 접지 패턴과 이격되어 배치된 로우 패스 필터 패턴; 및
상기 유전체 블록의 타측에, 상기 공진기와 연결되고 상기 접지 패턴과 이격되어 배치된 밴드 패스 필터 패턴을 포함하는 공진기 타입 유전체 다이플렉서.A dielectric block having a resonator formed of a resonator hole and a resonator pattern formed in the resonator hole;
A ground pattern disposed on at least one surface of the dielectric block;
A low pass filter pattern connected to the resonator and spaced apart from the ground pattern at one side of the dielectric block; And
And a band pass filter pattern connected to the resonator and spaced apart from the ground pattern on the other side of the dielectric block. 제 1항에 있어서,
상기 공진홀은 원형 공진홀을 포함하고,
상기 공진기 패턴은 상기 원형 공진홀 내벽에 형성된 공진기 타입 유전체 다이플렉서.The method of claim 1,
The resonance hole includes a circular resonance hole,
The resonator pattern is a resonator type dielectric diplexer formed on the inner wall of the circular resonance hole. 제 1항에 있어서,
상기 유전체 블록에 배치된 제1 내지 제3 입출력 패턴을 더 포함하고,
상기 로우 패스 필터 패턴은 상기 제1 입출력 패턴과 상기 제2 입출력 패턴 사이에 배치되고,
상기 밴드 패스 필터 패턴은 상기 제2 입출력 패턴과 상기 제3 입출력 패턴 사이에 배치되는 공진기 타입 유전체 다이플렉서.The method of claim 1,
Further comprising first to third input and output patterns disposed on the dielectric block,
The low pass filter pattern is disposed between the first input output pattern and the second input output pattern,
The band pass filter pattern is a resonator type dielectric diplexer disposed between the second input and output patterns and the third input and output patterns. 제 3항에 있어서,
상기 공진기는 상기 유전체 블록의 상기 일측에 배치된 제1 공진기와, 상기 유전체 블록의 상기 타측에 배치된 제2 공진기를 포함하고,
상기 로우 패스 필터 패턴은, 상기 제1 입출력 패턴, 제2 입출력 패턴 및 제1 공진기와 서로 연결되도록 배치된 인덕터 패턴과, 상기 제1 공진기와 연결되고 상기 접지 패턴과 이격되도록 배치된 제1 커패시터 패턴을 포함하고,
상기 밴드 패스 필터 패턴은, 상기 제2 공진기와 연결되고 상기 접지 패턴 및 상기 제2 및 제3 입출력 패턴과 이격되어 배치된 제2 커패시터 패턴을 포함하는 공진기 타입 유전체 다이플렉서.The method of claim 3, wherein
The resonator includes a first resonator disposed on the one side of the dielectric block and a second resonator disposed on the other side of the dielectric block,
The low pass filter pattern may include an inductor pattern disposed to be connected to the first input / output pattern, the second input / output pattern, and a first resonator, and a first capacitor pattern connected to the first resonator and spaced apart from the ground pattern. Including,
The band pass filter pattern may include a second capacitor pattern connected to the second resonator and spaced apart from the ground pattern and the second and third input / output patterns. 제 4항에 있어서,
상기 인덕터 패턴은 상기 유전체 블록의 제1 면에 배치되고,
상기 제1 커패시터 패턴은 상기 유전체 블록의 제2 면에 배치되되,
상기 제1 면과 상기 제2 면은 서로 마주보는 면인 공진기 타입 유전체 다이플렉서.The method of claim 4, wherein
The inductor pattern is disposed on a first surface of the dielectric block,
The first capacitor pattern is disposed on the second side of the dielectric block,
The first surface and the second surface is a resonator type dielectric diplexer facing each other. 제 5항에 있어서,
상기 제2 커패시터 패턴은 상기 유전체 블록의 상기 제2 면에 배치되는 공진기 타입 유전체 다이플렉서.6. The method of claim 5,
And the second capacitor pattern is disposed on the second side of the dielectric block. 제 4항에 있어서,
상기 제1 공진기는 제1-1 내지 제1-4 공진기를 포함하고,
상기 로우 패스 필터 패턴은, 상기 제1 입출력 패턴, 제2 입출력 패턴 및 제1-1 내지 제1-4 공진기와 각각 서로 연결되도록 배치된 제1 내지 제5 인덕터 패턴과,
상기 제1-1 내지 제1-4 공진기와 각각 하나씩 연결되고, 서로간 이격되게 배치된 제1-1 내지 제1-4 커패시터 패턴을 포함하는 공진기 타입 유전체 다이플렉서.The method of claim 4, wherein
The first resonator includes a 1-1 to 1-4 resonators,
The low pass filter pattern may include: first to fifth inductor patterns arranged to be connected to each of the first input / output pattern, the second input / output pattern, and the first to first to fourth resonators;
A resonator type dielectric diplexer connected to each of the 1-1 to 1-4 resonators and including 1-1 to 1-4 capacitor patterns spaced apart from each other. 제 4항에 있어서,
상기 제2 공진기는 제2-1 내지 제2-4 공진기를 포함하고,
상기 밴드 패스 필터 패턴은 상기 제2-1 내지 제2-4 공진기와 각각 하나씩 연결되고, 서로간 이격되게 배치된 제2-1 내지 제2-4 커패시터 패턴을 포함하는 공진기 타입 유전체 다이플렉서.The method of claim 4, wherein
The second resonator includes 2-1 to 2-4 resonators,
The band pass filter pattern is connected to each of the 2-1 to 2-4 resonators, each of the resonator type dielectric diplexer including a 2-1 to 2-4 capacitor pattern disposed spaced apart from each other. 접지 전극 및 제1 내지 제3 입출력 라인이 형성된 기판; 및
상기 기판 상에 실장된 공진기 타입 유전체 다이플렉서를 포함하되,
상기 공진기 타입 유전체 다이플렉서는,
공진홀과 상기 공진홀 내부에 형성된 공진기 패턴으로 이루어진 공진기가 형성된 유전체 블록과,
상기 유전체 블록의 적어도 일면에 배치된 접지 패턴과,
상기 유전체 블록의 일측에, 상기 공진기와 연결되고 상기 접지 패턴과 이격되어 배치된 로우 패스 필터 패턴과,
상기 유전체 블록의 타측에, 상기 공진기와 연결되고 상기 접지 패턴과 이격되어 배치된 밴드 패스 필터 패턴을 포함하는 통신소자.A substrate on which a ground electrode and first to third input / output lines are formed; And
A resonator type dielectric diplexer mounted on the substrate,
The resonator type dielectric diplexer,
A dielectric block having a resonator formed of a resonator hole and a resonator pattern formed in the resonator hole;
A ground pattern disposed on at least one surface of the dielectric block;
A low pass filter pattern connected to the resonator and spaced apart from the ground pattern at one side of the dielectric block;
And a band pass filter pattern connected to the resonator and spaced apart from the ground pattern on the other side of the dielectric block. 제 9항에 있어서,
상기 공진홀은 원형 공진홀을 포함하고,
상기 공진기 패턴은 상기 원형 공진홀 내벽에 형성된 통신 소자.The method of claim 9,
The resonance hole includes a circular resonance hole,
The resonator pattern is a communication device formed on the inner wall of the circular resonance hole. 제 9항에 있어서,
상기 유전체 블록에 배치된 제1 내지 제3 입출력 패턴을 더 포함하고,
상기 로우 패스 필터 패턴은 상기 제1 입출력 패턴과 상기 제2 입출력 패턴 사이에 배치되고,
상기 밴드 패스 필터 패턴은 상기 제2 입출력 패턴과 상기 제3 입출력 패턴 사이에 배치되는 통신 소자.The method of claim 9,
Further comprising first to third input and output patterns disposed on the dielectric block,
The low pass filter pattern is disposed between the first input output pattern and the second input output pattern,
The band pass filter pattern is disposed between the second input output pattern and the third input output pattern. 제 11항에 있어서,
상기 공진기는 상기 유전체 블록의 상기 일측에 배치된 제1 공진기와, 상기 유전체 블록의 상기 타측에 배치된 제2 공진기를 포함하고,
상기 로우 패스 필터 패턴은, 상기 제1 입출력 패턴, 제2 입출력 패턴 및 제1 공진기와 서로 연결되도록 배치된 인덕터 패턴과, 상기 제1 공진기와 연결되고 상기 접지 패턴과 이격되도록 배치된 제1 커패시터 패턴을 포함하고,
상기 밴드 패스 필터 패턴은, 상기 제2 공진기와 연결되고 상기 접지 패턴 및 상기 제2 및 제3 입출력 패턴과 이격되어 배치된 제2 커패시터 패턴을 포함하는 통신 소자.12. The method of claim 11,
The resonator includes a first resonator disposed on the one side of the dielectric block and a second resonator disposed on the other side of the dielectric block,
The low pass filter pattern may include an inductor pattern disposed to be connected to the first input / output pattern, the second input / output pattern, and a first resonator, and a first capacitor pattern connected to the first resonator and spaced apart from the ground pattern. Including,
The band pass filter pattern may include a second capacitor pattern connected to the second resonator and spaced apart from the ground pattern and the second and third input / output patterns.
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