KR20120078530A - 유기발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자 - Google Patents

유기발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20120078530A
KR20120078530A KR1020110005086A KR20110005086A KR20120078530A KR 20120078530 A KR20120078530 A KR 20120078530A KR 1020110005086 A KR1020110005086 A KR 1020110005086A KR 20110005086 A KR20110005086 A KR 20110005086A KR 20120078530 A KR20120078530 A KR 20120078530A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
aryl
compound
organic
heteroaryl
Prior art date
Application number
KR1020110005086A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101375361B1 (ko
Inventor
김복영
안중복
진성민
이재성
안도환
강지승
박노길
한근희
Original Assignee
(주)씨에스엘쏠라
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)씨에스엘쏠라 filed Critical (주)씨에스엘쏠라
Publication of KR20120078530A publication Critical patent/KR20120078530A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101375361B1 publication Critical patent/KR101375361B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 유기 광소자 및 이에 사용되는 유기 광화합물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 우수한 발광효율, 발광 휘도, 색순도 및 발광 수명을 구현할 수 있는 유기 발광 소자와 이에 사용되는 유기 발광 화합물 또는 태양광 발전용 광소자 및 이에 사용되는 광화합물에 관한 것으로, 특히 피리도이미다졸(pyridoimidazole)계 유도체 및 이를 이용한 유기 광소자를 개발하여 전자수송층(ETM), 발광층(EML), 정공수송층(HTM) 등, 제1전극과 상기 제2전극 사이의 각종 유기막과 같이 다각적으로 쓰일 수 있는 물질을 개발하고, 효율 증가와 구동 전압의 감소와 같은 성능의 개선 및 OLED 재료로서의 능력을 극대화시킬 수 있다.

Description

유기발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자{ORGANIC LIGHT COMPOUND AND ORGANIC LIGHT DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 유기발광화합물, 특히 피리도이미다졸(pyridoimidazole)계 유도체 및 이를 이용한 유기 광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 우수한 발광효율, 발광 휘도, 색순도 및 발광 수명을 구현할 수 있는 유기 발광 소자와 이에 사용되는 유기 발광 화합물 또는 태양광 발전용 광소자 및 이에 사용되는 광화합물에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질에 전기에너지를 가했을 때 빛이 나타나는 현상을 말한다. 즉, 양극(anode)과 음극(cathode) 사이에 유기물층을 위치시켰을 때 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 된다. 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되고, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
유기 전계 발광 소자에 대한 연구는 1950년대 Bernanose가 유기 색소를 함유한 고분자 박막에 높은 교류 전압을 인가 하여 유기 박막으로부터 발광을 관측하였으며, 1965년 안트라센 단결정에 전류를 인가하여 일중항 여기자를 발생시켜 청색 형광을 얻었다.
유기 전계 발광 소자를 효율적으로 만들기 위한 한 방법으로서 소자 내의 유기물층을 단층 대신 다층 구조로 제조하는 연구가 진행되어 왔다. 1987년 탕(Tang)에 의하여 정공층과 발광층의 기능층으로 나눈 적층구조의 유기전계 발광 소자가 제시 되었으며, 현재 사용되는 대부분의 유기 전계 발광 소자는 기판, 양극, 양극으로 정공을 받아들이는 정공 주입층, 정공을 전달하는 정공 전달층, 정공과 전자가 재결합하여 빛을 내는 발광층, 전자를
전달하는 전자 전달층, 음극으로부터 전자를 받아들이는 전자 주입층 및 음극으로 이루어져 있다. 이렇게 유기전계 발광 소자를 다층으로 제작하는 이유는 정공과 전자의 이동속도가 상이하며, 따라서 적절한 정공 주입층및 전달층, 전자 전달층 및 전자 주입층을 만들어 주면 정공과 전자가 효과적으로 전달될 수 있으며, 소자 내 정공과 전자의 균형이 이루어져 발광 효율을 높일 수 있기 때문이다.
전자 수송의 재료에 관한 최초의 보고는 옥사디아졸 유도체(PBD)를 들 수 있다. 이후 트리아졸 유도체(TAZ) 및 페난스로린 유도체(BCP)가 전자 수송성을 나타낸다고 보고 되었다. 전자 수송층은 유기 단분자 물질로는 전자에 대한 안정도와 전자 이동 속도가 상대적으로 우수한 유기 금속착제들이 좋은 후보들이며, 안정성이 우수하고 전자 친화도가 큰 Alq3가 가장 우수한 것으로 보고 되었으며, 현재에도 가장 기본적으로 사용되고 있다. 또한, 종
래에 공지된 전자 수송용 물질로는 산요(Sanyo)사에서 발표한 플라본(flavon)유도체 또는 치소(Chisso)사의 게르마늄 및 실리콘시클로펜타디엔 유도체 등이 알려져 있다. (일본공개특허공보 제1998-017860호, 일본공개특허공보 제1999-087067호).
또한, 종래의 전자 주입 및 수송층용 물질로는 이미다졸기, 옥사졸기, 티아졸기를 가진 유기 단분자 물질들이 많이 보고되었다. 그러나 이러한 물질들이 전자수송용 물질로 보고되기 이전에 모토롤라(Motorola)사의 EU0700917 A2에 이러한 물질들의 금속착체 화합물들이 유기 발광 소자의 청색 발광층 또는 청록색 발광층에 적용된 것이 이미 보고되었다.
1996년도에 코닥사에서 발표하고 미국 특허 제5,645,948호에 기재된 TPBI는 이미다졸기를 가진 대표적인 전자수송층용 물질로 알려져 있으며, 그 구조는 벤젠의 1,3,5 치환 위치에 세 개의 N-페닐 벤즈이미다졸기를 함유하고 기능적으로는 전자를 전달하는 능력뿐 아니라 발광층에서 넘어오는 정공을 차단하는 기능도 있으나, 실제 소자에 적용하기에는 열적 안정성이 낮은 문제점을 가지고 있다.
또한, 일본 공개특허공보 평11-345686호에 개시된 전자수송용 물질들은 옥사졸기,티아졸기를 함유하고 있고 발광층에도 적용할 수 있다고 보고하고 있으나, 구동전압, 휘도 및 소자의 수명 측면에서 실용화에 도달하지 못하고 있다.
따라서, 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 극복하고 유기 전계 발광 소자의 특성을 더욱 향상시키기 위하여,유기 전계 발광 소자에서 전자 수송용 물질로 사용될 수 있는 보다 안정적이고 효율적인 재료에 대한 개발이 계속 요구된다.
본 발명이 이루고자 하는 첫 번째 기술적 과제는 유기 광소자, 특히 유기 전계 발광소자에 적용할 수 있는 새로운 유기 광화합물을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 두 번째 기술적 과제는 상기 신규 화합물을 포함하여 구동전압이 낮고, 발광효율, 휘도, 색순도, 열적 안정성 및 수명이 향상된 유기 전계 발광 소자 및 태양광 발전을 위한 유기 광소자를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 유기 광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자는 하기 화학식 F의 유기 광화합물을 기초로 한다:
<화학식 F>
Figure pat00001
상기 화학식에서 상기 X는 C 또는 N 이고,
상기 R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로
H, D, C1~C40의 알킬기, C5~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로아릴기, C5~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C5~C40의 아릴아미노기, C5~C40의 디아릴아미노기, C6~C40의 아릴알킬기, C3~C40의 시클로알킬기 및 C3~C40의 헤테로시클로알킬기로 이루어진 군에서 선택되거나; 또는 인접하는 기와 축합(fused) 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리 또는 축합 헤테로방향족 고리를 형성하는 기이고,
상기 R3 및 R4 중 하나 또는 둘 모두는 항상 C5~C40의 아릴기 또는 C5~C40의 헤테로아릴기이다.
본 발명에 따른 유기 광소자는 높은 발광 효율, 높은 발광 휘도, 높은 색순도 및 현저히 향상된 발광 수명을 제공하며,
아울러 본 발명은 이를 유기 발광 소자 및 유기 발광 화합물, 또는 태양광 발전을 위한 유기 광소자 및 광화합물을 제공한다.
이하 본 발명을 상세히 설명하도록 한다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 구현예(態樣, aspect)(또는 실시예)들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 구현예(태양, 態樣, aspect)(또는 실시예)를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, ~포함하다~ 또는 ~이루어진다~ 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
본 발명은 유기발광화합물, 특히 피리도이미다졸(pyridoimidazole)계 유도체를 개발하여 전자수송층(ETM), 발광층(EML), 정공수송층(HTM) 등, 제1전극과 상기 제2전극 사이의 각종 유기막과 같이 다각적으로 쓰일 수 있는 물질을 제시하고, 효율 증가와 구동 전압의 감소와 같은 성능의 개선 및 OLED 재료로서의 능력을 극대화시킨 물질을 개발하고자 한다.
본 명세서에서 유기 광화합물은 유기 광소자에 사용되는 화합물이라는 의미로서 반드시 발광이 가능한 화합물로 그 범위가 한정되지 않으며, 그 적용 범위도 유기 발광층에 한정되지 않고, 전하 주입층 및 전하 수송층 등 유기 광소자를 구성하는 어느 층에나 모두 사용될 수 있다.
또 본 명세서에서 '광화합물' 및 '광소자'라는 용어는 사전적인 또는 관습적인 정의와 무관하게 본 발명이 유기 발광 소자 및 태양광 발전을 위한 소자에 모두 적용되는 경우를 고려하여, 이를 포괄하고자 선정한 용어이다.
본 발명의 제 1태양에 따르는 유기 광소자는, 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 적어도 한 층의 유기막을 포함하는 유기 광소자로서, 상기 유기막이 하기 화학식 F의 유기 광화합물을 포함한다.
<화학식 F>
Figure pat00002
상기 유도체에서 상기 X는 C 또는 N 이고,
상기 R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로
H, D, C1~C40의 알킬기, C5~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로아릴기, C5~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C5~C40의 아릴아미노기, C5~C40의 디아릴아미노기, C6~C40의 아릴알킬기, C3~C40의 시클로알킬기 및 C3~C40의 헤테로시클로알킬기로 이루어진 군에서 선택되거나; 또는 인접하는 기와 축합(fused) 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리 또는 축합 헤테로방향족 고리를 형성하는 기이고,
상기 R3 및 R4 중 하나 또는 둘 모두는 항상 C5~C40의 아릴기 또는 C5~C40의 헤테로아릴기이다.
본 발명의 발명자는 상기 화학식 F의 유기 광화합물의 치환기에서 A1, A2, B1 및 B2와 X를 선택 특정한,
다양한 유도체를 개발하여 전자수송층(ETM), 발광층(EML), 정공수송층(HTM) 등, 제1전극과 상기 제2전극 사이의 각종 유기막으로 사용될 수 있는 유기 광화합물 및
이를 이용한 유기 광소자를 개발하고,
유기발광소자로 활용될 경우 효율 증가와 구동 전압의 감소와 같은 성능의 개선 및 OLED 재료로서의 능력을 극대화시킬 수 있고, 특히 발광 수명이 현저히 향상됨을 발견하였으며,
이를 태양광 발전을 위한 광소자 및 광화합물 분야에 응용 적용할 경우 우수한 발전 효율을 얻을 수 있을 것으로 기대된다.
이하에서는 화학식 F의 유기 광화합물을 유기 발광 소자와 관련하여 설명할 것이나, 이에 의하여 본 발명이 제한 해석 되어서는 안 된다.
상기 화학식 F의 유기 광화합물은 유기 광소자 중 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 유기막을 이루는 물질로 적합하다. 상기 화학식 F의 유기 광화합물은 유기 발광 소자의 유기막, 특히 정공수송층, 정공주입층 또는 발광층에 사용되기 적합하며 호스트 재료뿐만 아니라 도판트 재료로서도 사용된다. 상기 화학식 F의 유기 광화합물은 청색 내지 녹색인 색상을 제공하며 백색 발광 소자에 사용하기에 적합하다.
상기 R1, R2, R3 및 R4의 상기 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C5~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로아릴기, C5~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C5~C40의 아릴아미노기, C5~C40의 디아릴아미노기, C6~C40의 아릴알킬기, C3~C40의 시클로알킬기 및 C3~C40의 헤테로시클로알킬기는
각각 독립적으로 D, F, 할로겐, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C1~C40의 아미노기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상으로 치환되거나 비치환되는 것이 바람직하다.
또 상기 A1, A2, B1 및 B2의 상기 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C5~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로아릴기, C5~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C5~C40의 아릴아미노기, C5~C40의 디아릴아미노기, C6~C40의 아릴알킬기, C3~C40의 시클로알킬기 및 C3~C40의 헤테로시클로알킬기에 도입되는 치환기 중에서
C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C1~C40의 아미노기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기는
각각 독립적으로 D, F, 할로겐, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C1~C40의 아미노기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 제2치환기로 추가적으로 치환되거나; 또는 인접하는 기와 축합 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리 또는 축합 헤테로방향족 고리를 형성하거나 스피로 결합을 하는 것이 바람직하다.
나아가 상기 A1, A2, B1 및 B2의 상기 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C5~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로아릴기, C5~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C5~C40의 아릴아미노기, C5~C40의 디아릴아미노기, C6~C40의 아릴알킬기, C3~C40의 시클로알킬기 및 C3~C40의 헤테로시클로알킬기에 도입되는 치환기는
D, F, 페닐기, 톨일기, 비페닐기, 펜타레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 비페닐레닐기, 안트라세닐기, 벤조안트라세닐기, 아즈레닐기, 헵타레닐기, 아세나프틸레닐기, 페나레닐기, 메틸안트릴기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 피레닐기, 크리세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 클로로페릴레닐기, 펜타페닐기, 펜타세닐기, 테트라페닐레닐기, 헥사페닐기, 헥사세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 트리나프틸레닐기, 헵타페닐기, 헵타세닐기, 플루오레닐기, 피란트레닐기, 오바레닐기, 카르바졸릴기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 티오페닐기, 인돌일기, 푸리닐기, 벤즈이미다졸일기, 퀴놀리닐기, 벤조티오페닐기, 파라티아지닐기, 피롤일기, 피라졸릴기, 이미다졸릴기, 이미다졸리닐기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 트리아졸릴기, 테트라졸일기, 옥사디아졸릴기, 피리디닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 티안트레닐기(thianthrenyl), 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 옥시라닐기, 피롤리디닐기, 피라졸리디닐기, 이미다졸리디닐기, 피페리디닐기, 피페라지닐기, 모르폴리닐기, 디(C6-C50아릴)아미노기, 실레인기 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 것이 바람직하다.
상기 아릴기는 방향족 고리 시스템을 갖는 1가 그룹으로서, 2 이상의 고리시스템을 포함할 수 있으며, 상기 2이상의 고리 시스템은 서로 결합 또는 축합된 형태로 존재할 수 있다. 상기 헤테로아릴기는 상기 아릴기 중 하나 이상의 탄소가 N, O, S, P, Si 및 Se로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 치환된 그룹을 가리킨다.
한편, 사이클로알킬기는 고리 시스템을 갖는 알킬기를 가리키며, 상기 헤테로사이클로알킬기는 상기 사이클로알킬기 중 하나 이상의 탄소가 N, O, S, P, Si 및 Se로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 치환된 그룹을 가리킨다.
상기 아릴기 및 헤테로아릴기의 하나 이상의 수소가 치환될 경우, 이들의 치환기는 C1-C50알킬기; C1-C50알콕시기; 비치환 또는 C1-C50알킬기 또는 C1-C50알콕시기로 치환된 C6-C50아릴기; 비치환 또는 C1-C50알킬기 또는 C1-C50알콕시기로 치환된 C2-C50헤테로아릴기; 비치환 또는 C1-C50알킬기 또는 C1-C50알콕시기로 치환된 C5-C50사이클로알킬기및 비치환 또는 C1-C20알킬기 또는 C1-C20알콕시기로 치환된 C5-C50헤테로사이클로알킬기, 또는 실레인기로 표시되는 그룹으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
보다 상세하게 본 발명의 일 구현예에 따르면, 본 발명의 유기 광소자에 사용되는 유기 광화합물은 하기 화학식 1 내지 200의 구조(본 명세서에서 '화학식'은 생략하고 숫자만 기재함)를 가질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다:
1
Figure pat00003
2
Figure pat00004
3
Figure pat00005
4
Figure pat00006
5
Figure pat00007
6
Figure pat00008
7
Figure pat00009
8
Figure pat00010
9
Figure pat00011
10
Figure pat00012
11
Figure pat00013
12
Figure pat00014
13
Figure pat00015
14
Figure pat00016
15
Figure pat00017
16
Figure pat00018
17
Figure pat00019
18
Figure pat00020
19
Figure pat00021
20
Figure pat00022
21
Figure pat00023
22
Figure pat00024
23
Figure pat00025
24
Figure pat00026
25
Figure pat00027
26
Figure pat00028
27
Figure pat00029
28
Figure pat00030
29
Figure pat00031
30
Figure pat00032
31
Figure pat00033
32
Figure pat00034
33
Figure pat00035
34
Figure pat00036
35
Figure pat00037
36
Figure pat00038
37
Figure pat00039
38
Figure pat00040
39
Figure pat00041
40
Figure pat00042
41
Figure pat00043
42
Figure pat00044
43
Figure pat00045
44
Figure pat00046
45
Figure pat00047
46
Figure pat00048
47
Figure pat00049
48
Figure pat00050
49
Figure pat00051
50
Figure pat00052
51
Figure pat00053
52
Figure pat00054
53
Figure pat00055
54
Figure pat00056
55
Figure pat00057
56
Figure pat00058
57
Figure pat00059
58
Figure pat00060
59
Figure pat00061
60
Figure pat00062
61
Figure pat00063
62
Figure pat00064
63
Figure pat00065
64
Figure pat00066
65
Figure pat00067
66
Figure pat00068
67
Figure pat00069
68
Figure pat00070
69
Figure pat00071
70
Figure pat00072
71
Figure pat00073
72
Figure pat00074
73
Figure pat00075
74
Figure pat00076
75
Figure pat00077
76
Figure pat00078
77
Figure pat00079
78
Figure pat00080
79
Figure pat00081
80
Figure pat00082
81
Figure pat00083
82
Figure pat00084
83
Figure pat00085
84
Figure pat00086
85
Figure pat00087
86
Figure pat00088
87
Figure pat00089
88
Figure pat00090
89
Figure pat00091
90
Figure pat00092
91
Figure pat00093
92
Figure pat00094
93
Figure pat00095
94
Figure pat00096
95
Figure pat00097
96
Figure pat00098
97
Figure pat00099
98
Figure pat00100
99
Figure pat00101
100
Figure pat00102
101
Figure pat00103
102
Figure pat00104
103
Figure pat00105
104
Figure pat00106
105
Figure pat00107
106
Figure pat00108
107
Figure pat00109
108
Figure pat00110
109
Figure pat00111
110
Figure pat00112
111
Figure pat00113
112
Figure pat00114
113
Figure pat00115
114
Figure pat00116
115
Figure pat00117
116
Figure pat00118
117
Figure pat00119
118
Figure pat00120
119
Figure pat00121
120
Figure pat00122
121
Figure pat00123
122
Figure pat00124
123
Figure pat00125
124
Figure pat00126
125
Figure pat00127
126
Figure pat00128
127
Figure pat00129
128
Figure pat00130
129
Figure pat00131
130
Figure pat00132
131
Figure pat00133
132
Figure pat00134
133
Figure pat00135
134
Figure pat00136
135
Figure pat00137
136
Figure pat00138
137
Figure pat00139
138
Figure pat00140
139
Figure pat00141
140
Figure pat00142
141
Figure pat00143
142
Figure pat00144
143
Figure pat00145
144
Figure pat00146
145
Figure pat00147
146
Figure pat00148
147
Figure pat00149
148
Figure pat00150
149
Figure pat00151
150
Figure pat00152
151
Figure pat00153
152
Figure pat00154
153
Figure pat00155
154
Figure pat00156
155
Figure pat00157
156
Figure pat00158
157
Figure pat00159
158
Figure pat00160
159
Figure pat00161
160
Figure pat00162
161
Figure pat00163
162
Figure pat00164
163
Figure pat00165
164
Figure pat00166
165
Figure pat00167
166
Figure pat00168
167
Figure pat00169
168
Figure pat00170
169
Figure pat00171
170
Figure pat00172
171
Figure pat00173
172
Figure pat00174
173
Figure pat00175
174
Figure pat00176
175
Figure pat00177
176
Figure pat00178
177
Figure pat00179
178
Figure pat00180
179
Figure pat00181
180
Figure pat00182
181
Figure pat00183
182
Figure pat00184
183
Figure pat00185
184
Figure pat00186
185
Figure pat00187
186
Figure pat00188
187
Figure pat00189
188
Figure pat00190
189
Figure pat00191
190
Figure pat00192
191
Figure pat00193
192
Figure pat00194
193
Figure pat00195
194
Figure pat00196
195
Figure pat00197
196
197
Figure pat00199
198
Figure pat00200
199
Figure pat00201
200
Figure pat00202

상기 화학식 F의 화합물로 표시되는 본 발명에 따른 유기 광화합물은 통상의 합성 방법을 이용하여 합성될 수 있으며,상기 화합물의 보다 상세한 합성 경로는 하기 합성예의 반응식들을 참조한다. 상기 화학식 F의 화합물은 유기 광소자의 유기막, 특히 정공수송층, 정공주입층 또는 발광층에 사용되기 적합하다. 본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 구조는 매우 다양하다. 상기 제1전극과 제2전극 사이에 정공주입층, 정공수송층, 정공저지층, 전자저지층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 더 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 구현예는
먼저, 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/발광층/전자수송층/전자주입층/제2전극으로 이루어진 구조를 가질 수 있고,
또 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/제2전극으로 이루어진 구조를 가질 수 있으며,
나아가 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공저지층/전자수송층/전자주입층/제2전극의 구조를 가질 수 있다.
이때, 상기 정공수송층, 정공주입층 및 발광층 중 하나 이상은 본 발명을 따르는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명을 따르는 유기 광소자의 발광층은 적색, 녹색, 청색 또는 백색을 포함하는 인광 또는 형광 도펀트를 포함할 수 있다. 이 중, 상기 인광 도펀트는 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb 및 Tm으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 유기금속화합물일 수 있다. 또한, 본 발명에 따르는 화합물은 발광층에서 형광 도펀트로도 사용될 수 있다.
이하, 본 발명을 따르는 유기 광소자의 제조 방법을 유기 광소자를 참조하여, 살펴보기로 한다. 먼저 기판 상부에 높은 일함수를 갖는 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등에 의해 형성하여 제1전극을 형성한다. 상기 제1전극은 애노드(Anode)일 수 있다. 여기에서 기판으로는 통상적인 유기 광소자에서 사용되는 기판을 사용하는데 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 제1전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 사용한다.
다음으로, 상기 제1전극 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공주입층(HIL)을 형성할 수 있다.
진공증착법에 의하여 정공주입층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공주입층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 증착온도 100 내지 500℃, 진공도 10-5 내지 10-3 torr, 증착속도 0.01 내지 100Å/sec, 막 두께는 통상 100Å 내지 1㎛ 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
스핀코팅법에 의하여 정공주입층을 형성하는 경우, 그 코팅 조건은 정공주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공주입층의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2000rpm 내지 5000rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위 에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
상기 정공주입층 물질은 전술한 바와 같은 화학식 a를 갖는 화합물일 수 있다.
또는, 예를 들어, 미국특허 제4,356,429호에 개시된 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 Advanced Material, 6, p.677(1994)에 기재되어 있는 스타버스트형 아민 유도체류인 TCTA, m-MTDATA, m-MTDAPB, 2-TNATA(4,4',4" -tris(N-(2-naphtyl)-N-phenylamino)triphenylamine:4,4 ,4 -트리스(N-(나프틸)-N-페닐아미노)트리페닐아민), 용해성이 있는 전도성 고분자인 Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산) 또는 PEDOT/PSS (Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), PANI/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS
(Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트)) 등과 같은 공지된 정공주입 물질을 사용할 수 있다.
상기 정공주입층의 두께는 약 100Å 내지 10000Å, 바람직하게는 100Å 내지 1000Å일 수 있다. 상기 정공주입층의 두께가 100Å 미만인 경우, 정공주입 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공주입층의 두께가 10000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.
다르게는, 상기 정공주입층은 진공기상증착법에 의해 형성할 수 있다. 구체적인 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적인 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 예를 들어 DNTPD(N,N-bis-[4-(di-m-tolylamino)phenyl]-N,N -diphenylbiphenyl-4,4 -diamine) 등이 사용될 수 있다.
다음으로 상기 정공주입층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공수송층(HTL)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀팅법에 의하여 정공수송층을 형성하는 경우, 그 증착조건 및 코팅조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.
상기 정공수송층 물질은 전술한 바와 같은 화학식 a의 화합물을 포함할 수 있다. 또는, 예를 들어, N-페닐카르바졸, 폴리비닐카르바졸 등의 카르바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD) 등의 방향족 축합환을 가지는 통상적인 아민 유도체 등과 같은 공지된 정공수송 물질을 사용할 수 있다.상기 정공수송층의 두께는 약 50Å 내지 1000Å, 바람직하게는 100Å 내지 600Å일 수 있다. 상기 정공수송층의 두께가 50Å 미만인 경우, 정공수송 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공수송층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.
다음으로 상기 정공수송층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 발광층(EML)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.
상기 발광층은 전술한 바와 같이 본 발명을 따르는 화학식 a의 화합물을 포함할 수 있다. 이 때, 화학식 a의 화합물은 적합한 공지의 호스트 재료와 함께 사용될 수 있거나, 공지의 도펀트 재료와 함께 사용될 수 있다.
상기 화학식 a의 화합물을 단독으로 사용하는 것도 가능하다. 호스트 재료의 경우, 예를 들면, Alq3(tris(8-hydroxy-quinolatealuminium) 또는 CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), 또는 PVK(폴리(n-비닐카바졸)) 등을 사용할 수 있다.
도펀트 재료의 경우, 형광 도펀트로서는 이데미츠사(Idemitsu사)에서 구입 가능한 IDE102, IDE105 및 하야시바라사에서 구입 가능한 C545T 등을 사용할 수 있으며, 인광 도펀트로서는 적색 인광 도펀트 PtOEP, UDC사의 RD61, 녹색 인광 도판트 Ir(PPy)3(PPy=2-phenylpyridine), 청색 인광 도펀트인 F2Irpic, UDC사의 적색 인광 도펀트 RD 61 등을 사용할 수 있다. MQD(N-methylquinacridone), 쿠마린(Coumarine)유도체 등도 사용할 수 있다.
도핑 농도는 특별히 제한 되지 않으나 통상적으로 호스트100 중량부를 기준으로 하여 상기 도펀트의 함량은 0.01 ~ 15 중량부이다.상기 발광층의 두께는 약 100Å 내지 1000Å, 바람직하게는 200Å 내지 600Å일 수 있다.
상기 발광층의 두께가 100Å 미만인 경우, 발광 특성이 저하될 수 있으며, 상기 발광층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.
발광층에 발광 화합물이 인광 도펀트와 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자수송층으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여, 상기 발광층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 정공저지층(HBL)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 정공저지층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 사용가능한 공지의 정공저지재료, 예를 들면 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP 등을 들 수 있다.
상기 정공저지층의 두께는 약 50Å 내지 1000Å, 바람직하게는 100Å 내지 300Å일 수 있다. 상기 정공저지층의 두께가 50Å 미만인 경우, 정공저지 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공저지층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.상기 정공저지층이 생략될 경우 도 1b에 도시된 구조를 가지는 유기발광 소자가 얻어진다.
다음으로 전자수송층(ETL)을 진공증착법, 또는 스핀코팅법, 캐스트법 등의 다양한 방법을 이용하여 형성한다.
진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 전자수송층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 상기 전자수송층 재료는 전자주입전극(Cathode)로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), TAZ, Balq, PBD등과 같은 공지의 재료를 사용할 수도 있다.
상기 전자수송층의 두께는 약 100Å 내지 1000Å, 바람직하게는 200Å 내지 500Å일 수 있다. 상기 전자수송층의 두께가 100Å 미만인 경우, 전자수송 특성이 저하될 수 있으며, 상기 전자수송층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.
또한 전자수송층 상부에 음극으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자주입층(EIL)이 적층될 수 있으며 이는 특별히 재료를 제한하지 않는다.
전자 주입층으로서는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등과 같은 전자주입층 형성 재료로서 공지된 임의의 물질을 이용할 수 있다. 상기 전자주입층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.
상기 전자주입층의 두께는 약 1Å 내지 100Å, 바람직하게는 5Å 내지 50Å일 수 있다. 상기 전자주입층의 두께가 1Å 미만인 경우, 전자주입 특성이 저하될 수 있으며, 상기 전자주입층의 두께가 100Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.
마지막으로 전자주입층 상부에 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법을 이용하여 제2전극을 형성할 수 있다.
상기 제2전극은 캐소드(Cathode)로 사용될 수 있다. 상기 제2전극 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 들 수 있다. 또한 전면 발광소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 사용한 투과형 캐소드를 사용할 수도 있다.
본 발명의 다른 구현예에 따르는 유기 전계 발광 화합물은 상기 화학식 a로 표현될 수 있으며, 보다 구체적으로는 상기 화학식 1 내지 161로 표현될 수 있다. 상기 화합물들에 대한 구체적인 내용은 상술한 유기 발과 소자에 대하여 설명한 부분과 동일하다.
이하에서, 본 발명의 반응예 및 비교예를 구체적으로 예시하지만, 본 발명이 하기의 합성예 및 실시예로 한정되는 것은 아니다. 이하의 반응예에서 중간체 화합물은 최종 생성물의 번호에 일련번호를 추가하는 방식으로 표기한다. 예를 들어, 화합물 1은 화합물 [1] 로 상기 화합물의 중간체 화합물은 [1-1] 등으로 표기한다. 본 명세서에서 화학물의 번호는 화학식의 번호로서 표기한다. 예를 들어, 화학식 1로 표시되는 화합물은 화합물 1로 표기한다.
[반응 예 1] 화합물 [1]의 합성
Figure pat00203

중간체 화합물 [1-1]의 제조
2L 반응플라스크에 질소기류 하에서 테트라히드로퓨란 1.2L에 2-페닐이미다조[1,2-a]피리딘 30g(154.4mmol)를 녹이고, -78℃에서 부틸리튬 67.9mL(169.9mmol)을 적가하였다. 동일 온도에서 10분동안 교반한 후 트리부틸틴클로라이드 45.8mL(169.9mmol)를 첨가하였다. 반응종료 후 에틸아세테이트/증류수로 층분리하여 얻은 유기층을 무수 황산 마그네슘으로 수분을 제거하고 감압증류한다. 농축액을 컬럼크로마토그라프로 분리정제하여 연한 노란색 오일의 중간체화합물 [1-1] 32.1g(43%)을 수득하였다.
화합물 [1]의 제조
500mL반응플라스크에 중간체 화합물 [1-1] 10.3g(21.38mmol), 9-브로모페난트렌 5g (19.44mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 1.1g(0.97mmol)을 투입하고 질소기류 하에서 다이메틸폼아마이드 250mL을 사용하여12시간 동안 환류 교반시킨다. 반응종결 후 실온까지 천천히 냉각한 다음 반응액을 여과한다. 여과된 고체는 메탄올로 세척하고 테트라히드로퓨란과 메탄올로 재결정화하여 노란색 고체의 목적화합물 [1] 5.1g(72%)를 수득 하였다.
1H NMR (300 MHz, CDCl3) : δ 8.83(m, 2H), 8.38(m, 1H), 8.02(m, 2H), 7.83~7.72(m, 5H), 7.44~7.37(m, 6H), 7.11(m, 1H), 6.76(m, 1H)
MS/FAB : 370(M+)
상기 반응예 1의 방법에따라 1내지 14의 화합물을 제조하였으며, 하기 [제1 표]에 그 결과를 나타내었다.
[제1 표]
Figure pat00204

[반응 예 2] 화합물 [15]의 합성
Figure pat00205

중간체 화합물 [15-1]의 제조
반응 예 1과 동일한 합성방법으로 중간체 화합물[1-1], 1-브로모-4-아이오도벤젠, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 다이메틸폼아마이드을 사용하여 80℃에서 반응 후 컬럼크로마토그라프로 분리 정제하여 노란색 고체의 중간체 화합물 [15-1] 8g(51%)을 합성하였다.
중간체화합물 [15-2]의 제조
2L 반응플라스크에 질소기류 하에서 테트라히드로퓨란 200mL에 [15-1] 10g(28.63mmol)를 녹이고, -78℃에서 부틸리튬 12.6mL(31.49mmol)을 적가하였다. 동일 온도에서 30분동안 교반한 후 트리메틸보레이트 4mL(169.9mmol)를 첨가하였다. 반응종료 후 1N 염산 수용액에 붓고 에틸아세테이트로 추출한다. 유기층 분리 후 디클로로메탄과 노르말헥산으로 재결정화하여 흰색 고체의 중간체 화합물 [15-2] 6.2g(63%)을 수득하였다.
화합물 [15]의 제조
250mL 반응플라스크에 중간체 화합물 [15-2] 5.8g (18.66mmol), 9-브로모페난트렌 4g (15.55mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 359mg(0.31mmol), 탄산칼륨 (K2CO3) 3.2g (23.32mmol) 을 투입하고 질소기류하에서 1,4-디옥산100mL, 정제수 10mL 로 12시간 동안 환류 교반시킨다. 반응종결 후 실온까지 천천히 냉각한 다음 반응액을 여과한다. 여과된 고체는 정제수 와 메탄올로 세척하고 디클로로메탄과 메탄올로 재결정화하여 노란색 고체의 목적화합물[15] 4.8g(70%)를 수득하였다.
1H NMR (300 MHz, CDCl3) : δ 8.83(d, 2H), 8.38(d, 1H), 8.20(d, 2H), 8.02(d, 2H), 7.83~7.72(m, 5H), 7.44~7.37(m, 6H), 7.15~7.11(m, 3H), 6.76(t, 1H)
MS/FAB : 446(M+)
상기 반응예 2의 방법에따라 15내지 36의 화합물을 제조하였으며, 하기 [제2표군(群)]에 그 결과를 나타내었다.
[제2표군(群)]
Figure pat00206
Figure pat00207

[반응 예 3] 화합물 [37]의 합성
Figure pat00208

중간체 화합물 [37-1]의 제조
500mL 반응플라스크에 에탄올 300mL에 5-브로모피리딘-2-아민 10g(57.80mmol)과 2-브로모-1,2-디페닐에탄온 15.9g(57.80mmol)을 녹이고 12시간 동안 환류하였다. 상온으로 냉각하면 흰색 고체가 생성되며 이것을 NaHCO3 포화 수용액과 메탄올로 세척하였다. 유기층의 잔류 수분을 무수황산마그네슘으로 제거한 후 감압 건조한 다음 디클로로메탄과 노르말헥산으로 재결정하여 노란색 고체의 중간체 화합물[37-1] 15.7g(78%)을 수득하였다.
중간체 화합물 [37-2]의 제조
합성 예 2와 동일한 합성방법으로 중간체 화합물[37-1], 부틸리튬, 트리메틸보레이트, 테트라히드로퓨란을 사용하여 흰색 고체의 중간체 화합물 [37-2] 7g(60%)을 수득하였다.
화합물 [37]의 제조
합성 예 2와 동일한 합성방법으로 중간체 화합물 [37-2], 9-브로모페난트렌, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 탄산칼륨, 1,4-디옥산을 사용하여 노란색 고체의 목적화합물 [37] 4.2g(71%)을 수득하였다
1H NMR (300 MHz, CDCl3) : δ 8.83(m, 1H), 8.21(d, 1H), 8.02(m, 2H), 7.83~7.69(m, 7H), 7.50~7.31(m, 9H), 7.15(m, 1H), 6.76(t, 1H)
MS/FAB : 446(M+)
상기 반응예 3의 방법에 따라 37내지 46의 화합물을 제조하였으며, 하기 [제3표]에 그 결과를 나타내었다.
[제3표]
Figure pat00209

[반응 예 4] 화합물 [47]의 합성
Figure pat00210

중간체 화합물 [47-1]의 제조
합성 예 2와 동일한 합성방법으로 3-브로모이미다조[1,2-a]피리딘, 페닐보론산, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 탄산칼륨, 1,4-디옥산을 사용하여 노란색 고체의 중간체 화합물 [47-1] 14.3g(78%)을 수득하였다
중간체 화합물 [47-2]의 제조
1L 반응플라스크에 중간체 화합물 [47-1] 20g(102.97mmol)과 N-브로모숙신이미드 18.3g(102.97mmol)을 아세토니트릴 용매에 녹여 상온에서 4시간 동안 교반한 후 디클로로메탄 200ml을 가하고 10% 수산화나트륨 수용액으로 씻어 준 다음 티오황산 나트륨 포화 수용액과 물로 세척하였다. 유기층 잔류 수분을 무수황산마그네슘으로 제거한 후 감압 건조한 다음 얻어진 고체를 디클로로메탄과 메탄올로 재결정화하여 노란색 고체의 중간체 화합물을 [47-2] 22.4g(80%)을 수득하였다.
중간체 화합물 [47-3]의 제조
합성 예 1과 동일한 방법으로 중간체 화합물[47-2], 부틸리튬, 트리부틸틴클로라이드을 사용하여 노란색 오일의 중간체 화합물[47-3] 12.3g(44%)를 수득하였다.
화합물[47]의 제조
합성 예 1과 동일한 방법으로 중간체 화합물[47-3], 9-브로모페난트렌, 테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐, 다이메틸폼아마이드을 사용하여 노란색 고체의 목적화합물[47] 4.2g (70%)을 수득하였다.
1H NMR (300 MHz, CDCl3) : δ 8.83(d, 2H), 8.38(d, 1H), 8.02(d, 2H), 7.83~7.69(m, 7H), 7.41~7.31(m, 3H), 7.11(t, 1H), 6.76(t, 1H)
MS/FAB : 370(M+)
상기 반응예 4의 방법에 따라47내지 71의 화합물을 제조하였으며, 하기 [제4표군(群)]에 그 결과를 나타내었다.
[제4표군(群)]
Figure pat00211
Figure pat00212

[반응 예 5] 화합물 [72]의 합성
Figure pat00213

중간체 화합물 [72-1]의 제조
합성 예 3과 동일한 방법으로 2-아민노피리딘, 2-브로모-1-(4-브로모페닐)-2-페닐에탄온, 에탄올을 사용하여 노란색 고체의 중간체 화합물 [72-1] 20g(81%)을 수득하였다.
중간체 화합물 [72-2]의 제조
합성 예 2와 동일한 합성방법으로 중간체 화합물[72-1], 부틸리튬, 트리메틸보레이트, 테트라히드로퓨란을 사용하여 흰색 고체의 중간체 화합물 [72-2] 10.8g(60%)을 수득하였다.
화합물 [72]의 제조
합성 예 2와 동일한 합성방법으로 중간체 화합물 [72-2], 9-브로모페난트렌, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 탄산칼륨, 1,4-디옥산을 사용하여 노란색 고체의 목적화합물 [72] 3.8g(74%)을 수득하였다
1H NMR (300 MHz, CDCl3) : δ 8.83(d, 2H), 8.38(d, 1H), 8.20(d, 2H), 8.02(d, 2H), 7.83~7.69(m, 7H), 7.44~7.31(m, 4H), 7.15~7.11(m, 3H), 6.76(t, 1H)
MS/FAB : 446(M+)
상기 반응예 5의 방법에 따라 72내지 100의 화합물을 제조하였으며, 하기 [제5표군(群)]에 그 결과를 나타내었다.
[제5표군(群)]
Figure pat00214
Figure pat00215
Figure pat00216

[반응 예 6] 화합물 [101]의 합성
Figure pat00217

중간체 화합물 [101-1]의 제조
합성 예 1과 동일한 방법으로 2-페닐이미다조[1,2-a]피리미딘, 부틸리튬, 트리부틸 틴클로라이드을 사용하여 노란색 오일의 중간체 화합물[101-1] 6.2g(40%)를 수득하였다.
화합물 [101]의 제조
반응 예 1과 동일한 합성방법으로 중간체 화합물[101-1], 9-브로모페난트렌, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 다이메틸폼아마이드을 노란색 고체의 목적화합물 [101] 3.7g(68%)을 합성하였다.
1H NMR (300 MHz, CDCl3) : δ 8.95(d, 2H), 8.85~8.80(m, 2H), 8.14(d, 2H), 7.95~7.84(m, 5H), 7.53~7.49(m 5H), 7.30(t, 1H)
MS/FAB : 371(M+)
상기 반응예 6의 방법에 따라 101내지 114의 화합물을 제조하였으며, 하기 [제6표]에 그 결과를 나타내었다.
[제6표]
Figure pat00218

[반응 예 7] 화합물 [115]의 합성
Figure pat00219

중간체 화합물 [115-1]의 제조
반응 예 1과 동일한 합성방법으로 중간체 화합물[101-1], 1-브로모-4-아이오도벤젠, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 다이메틸폼아마이드을 사용하여 80℃에서 반응 후 컬럼크로마토그라프로 분리 정제하여 노란색 고체의 중간체 화합물 [115-1] 8.3g(52%)을 합성하였다.
중간체 화합물 [115-2]의 제조
합성 예 2와 동일한 합성방법으로 중간체 화합물[115-1], 부틸리튬, 트리메틸보레이트, 테트라히드로퓨란을 사용하여 흰색 고체의 중간체 화합물 [115-2] 9.8g(58%)을 수득하였다.
화합물 [115]의 제조
합성 예 2와 동일한 합성방법으로 중간체 화합물 [15-2], 9-브로모페난트렌, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 탄산칼륨, 1,4-디옥산을 사용하여 노란색 고체의 목적화합물 [115] 3.6g(72%)을 수득하였다
1H NMR (300 MHz, CDCl3) : δ 8.95(d, 2H), 8.85~8.80(m, 2H), 8.32(d, 2H), 8.14(d, 2H), 7.95~7.84(m, 5H), 7.53~7.43(m, 5H), 7.30~7.27(m, 3H)
MS/FAB : 447(M+)
상기 반응예 7의 방법에 따라 115내지 136의 화합물을 제조하였으며, 하기 [제7표군(群)]에 그 결과를 나타내었다.
[제7표군(群)]
Figure pat00220
Figure pat00221

[반응 예 8] 화합물 [137]의 합성
Figure pat00222

중간체 화합물 [137-1]의 제조
합성 예 3과 동일한 방법으로 5-브로모피리미딘-2-아민, 2-브로모-1-(4-브로모페닐)-2-페닐에탄온, 에탄올을 사용하여 노란색 고체의 중간체 화합물 [137-1] 18.4g(79%)을 수득하였다.
.
중간체 화합물 [137-2]의 제조
합성 예 2와 동일한 합성방법으로 중간체 화합물[137-1], 부틸리튬, 트리메틸보레이트, 테트라히드로퓨란을 사용하여 흰색 고체의 중간체 화합물 [137-2] 7.8g(56%)을 수득하였다.
화합물 [137]의 제조
합성 예 2와 동일한 합성방법으로 중간체 화합물 [137-2], 9-브로모페난트렌, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 탄산칼륨, 1,4-디옥산을 사용하여 노란색 고체의 목적화합물 [115] 3.2g(70%)을 수득하였다
1H NMR (300 MHz, CDCl3) : δ 8.99~8.92(m,4H), 8.12(d,2H), 7.92~7.78(m,7H), 7.50~7.40(m,8H)
MS/FAB : 447 (M+)
상기 반응예 8의 방법에 따라 137내지 146의 화합물을 제조하였으며, 하기 [제8표]에 그 결과를 나타내었다.
[제8표]
Figure pat00223

[반응 예 9] 화합물 [147]의 합성
Figure pat00224

중간체 화합물 [147-1]의 제조
합성 예 2와 동일한 합성방법으로 3-브로모이미다조[1,2-a]피리미딘, 페닐보론산, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 탄산칼륨, 1,4-디옥산을 사용하여 노란색 고체의 중간체 화합물 [147-1] 12.3g(76%)을 수득하였다
중간체 화합물 [147-2]의 제조
합성 예 4와 동일한 합성방법으로 [147-1]과 N-브로모숙신이미드, 아세토니트릴을 사용하여 노란색 고체의 중간체 화합물을 [147-2] 15.7g(81%)을 수득하였다.
중간체 화합물 [147-3]의 제조
합성 예 1과 동일한 방법으로 중간체 화합물[147-2], 부틸리튬, 트리부틸틴클로라이드을 사용하여 노란색 오일의 중간체 화합물[147-3] 10.3g(42%)를 수득하였다.
화합물[147]의 제조
합성 예 1과 동일한 방법으로 중간체 화합물[147-3], 9-브로모페난트렌, 테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐, 다이메틸폼아마이드을 사용하여 노란색 고체의 목적화합물[147] 3.2g (72%)을 수득하였다.
1H NMR (300 MHz, CDCl3) : δ 8.53(d, 2H), 8.43~8.38(m, 2H), 8.02(d, 2H), 7.83~7.69(m, 7H), 7.41~7.31(m, 3H), 7.18(t, 1H)
MS/FAB : 371(M+)
상기 반응예 9의 방법에 따라 147내지 171의 화합물을 제조하였으며, 하기 [제9표 군(群)]에 그 결과를 나타내었다.
[제9표 군(群)]
Figure pat00225
Figure pat00226

[반응 예 10] 화합물 [172]의 합성
Figure pat00227

중간체 화합물 [172-1]의 제조
합성 예 3과 동일한 방법으로 2-아민노피리미딘, 2-브로모-1-(4-브로모페닐)-2-페닐에탄온, 에탄올을 사용하여 노란색 고체의 중간체 화합물 [172-1] 23.4g(80%)을 수득하였다.
중간체 화합물 [172-2]의 제조
합성 예 2와 동일한 합성방법으로 중간체 화합물[172-1], 부틸리튬, 트리메틸보레이트, 테트라히드로퓨란을 사용하여 흰색 고체의 중간체 화합물 [172-2] 7.8g(62%)을 수득하였다.
화합물 [172]의 제조
합성 예 2와 동일한 합성방법으로 중간체 화합물 [172-2], 9-브로모페난트렌, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 탄산칼륨, 1,4-디옥산을 사용하여 노란색 고체의 목적화합물 [172] 3.2g(71%)을 수득하였다
1H NMR (300 MHz, CDCl3) : δ 8.95(d, 2H), 8.85~8.80(m, 2H), 8.32(d, 2H), 8.14(d, 2H), 7.91~7.81(m, 7H), 7.53~7.43(m, 3H), 7.31~7.26(m, 3H)
MS/FAB : 451(M+)
상기 반응예 10의 방법에 따라 172내지 200의 화합물을 제조하였으며, 하기 [제10표군(群)]에 그 결과를 나타내었다.
[제10표군(群)]
Figure pat00228
Figure pat00229

비교예 1
하기 화학식 a로 표시되는 화합물 a를 형광 녹색 호스트로 사용하고, 하기 화학식 b로 표시되는 화합물 b를 형광 녹색 도판트로 사용하고, 2-TNATA(4,4’,4”-tris(N-naphthalen-2-yl)-N-phenylamino)-triphenylamine)을 정공주입층 물질로 사용하고, α-NPD(N,N’-di(naphthalene-1-yl)-N,N’-diphenylbenzidine)을 정공수송층 물질로 사용하여, 다음과 같은 구조를 갖는 유기발광소자를 제작하였다: ITO/2-TNATA(80nm)/α-NPD(30nm)/화합물a+화합물b(30nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/ Al(60nm).
애노드는 코닝(Corning)사의 15Ω/cm2 (1000Å) ITO 유리 기판을 50mm x 50mm x 0.7mm크기로 잘라서 아세톤 이소프로필 알콜과 순수물 속에서 각 15분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다. 상기 기판 상부에 2-TANATA를 진공 증착하여 80nm 두께의 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 상부에, α-NPD를 진공 증착하여 30nm 두께의 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상부에 화학식 a로 표시되는 화합물 a 및 화학식 b로 표시되는 화합물 b(3% 도핑)를 진공 증착하여 30nm두께의 발광층을 형성하였다. 이후, 상기 발광층 상부에 화학식 c로 표시되는 화합물 c (Alq3) 화합물을 30nm의 두께로 진공증착하여 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 LiF 0.5nm(전자주입층)과 Al 60nm(캐소드)를 순차적으로 진공증착하여, 표 12에 표시된 바와 같은 유기발광소자를 제조하였다. 이를 비교샘플 1이라고 한다.
<화학식 a><화학식 b>
<화학식 c>

실시예1~200
상기 비교예 1 중, 전자수송층 화합물로서 화합물 c(Alq3) 대신 상기 합성예에 개시된 화학식 1~200으로 표시되는 화합물 1~200을 전자수송층 화합물로 각각 이용한 것을 제외하고는 상기 비교예 1과 동일한 방법으로 ITO/2-TNATA(80nm)/α-NPD(30nm)/ 화합물a+화합물b(30nm)/전자수송층화합물 1 ~ 200 중 하나/LiF(0.5nm)/Al(60nm)의 구조를 갖는 유기발광소자를 제조하였다. 이를 각각 샘플 1 내지 200이라고 한다.
평가예2: 비교샘플1및샘플 1~200의발광특성평가
비교샘플 1 및 샘플 1~200에 대하여, Keithley SMU 235, PR650를 이용하여 발광휘도, 발광효율, 발광피크를 각각 평가하여, 그 결과를 하기 [제11표군(群)]에 나타내었다. 상기 샘플들은 516~524nm 범위에서 녹색 발광피크값을 보여주었다.
[제11표군(群)]
Figure pat00230
Figure pat00231
Figure pat00232
Figure pat00233
Figure pat00234
Figure pat00235
Figure pat00236

상기 [제11표군(群)]에 보여지는 바와 같이 샘플 1 내지 200은 비교샘플 1에 비하여 향상된 발광 특성을 나타내었다.
이상의 설명에서 통상의 공지된 기술을 생략되어 있으나, 당업자라면 용이하게 이를 추측 및 추론하고 재현할 수 있다.

Claims (10)

  1. 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 적어도 한 층의 유기막을 포함하는 유기 광소자로서, 상기 유기막이 하기 화학식 F의 유기 광화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 광소자:
    <화학식 F>
    Figure pat00237

    상기 화학식에서 상기 X는 C 또는 N 이고,
    상기 R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로
    H, D, C1~C40의 알킬기, C5~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로아릴기, C5~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C5~C40의 아릴아미노기, C5~C40의 디아릴아미노기, C6~C40의 아릴알킬기, C3~C40의 시클로알킬기 및 C3~C40의 헤테로시클로알킬기로 이루어진 군에서 선택되거나; 또는 인접하는 기와 축합(fused) 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리 또는 축합 헤테로방향족 고리를 형성하는 기이고,


    상기 R3 및 R4 중 하나 또는 둘 모두는 항상 C5~C40의 아릴기 또는 C5~C40의 헤테로아릴기이다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 R1, R2, R3 및 R4의 상기 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C5~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로아릴기, C5~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C5~C40의 아릴아미노기, C5~C40의 디아릴아미노기, C6~C40의 아릴알킬기, C3~C40의 시클로알킬기 및 C3~C40의 헤테로시클로알킬기는
    각각 독립적으로 D, F, 할로겐, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C1~C40의 아미노기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상으로 치환되거나 비치환된 것을 특징으로 하는 유기 광소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 A1, A2, B1 및 B2의 상기 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C5~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로아릴기, C5~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C5~C40의 아릴아미노기, C5~C40의 디아릴아미노기, C6~C40의 아릴알킬기, C3~C40의 시클로알킬기 및 C3~C40의 헤테로시클로알킬기에 도입되는 치환기 중에서
    C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C1~C40의 아미노기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기는
    각각 독립적으로 D, F, 할로겐, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C1~C40의 아미노기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 제2치환기로 추가적으로 치환되거나; 또는 인접하는 기와 축합 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리 또는 축합 헤테로방향족 고리를 형성하거나 스피로 결합을 하는 것을 특징으로 하는 유기 광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 A1, A2, B1 및 B2의 상기 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C5~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로아릴기, C5~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C5~C40의 아릴아미노기, C5~C40의 디아릴아미노기, C6~C40의 아릴알킬기, C3~C40의 시클로알킬기 및 C3~C40의 헤테로시클로알킬기에 도입되는 치환기는
    D, F, 페닐기, 톨일기, 비페닐기, 펜타레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 비페닐레닐기, 안트라세닐기, 벤조안트라세닐기, 아즈레닐기, 헵타레닐기, 아세나프틸레닐기, 페나레닐기, 메틸안트릴기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 피레닐기, 크리세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 클로로페릴레닐기, 펜타페닐기, 펜타세닐기, 테트라페닐레닐기, 헥사페닐기, 헥사세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 트리나프틸레닐기, 헵타페닐기, 헵타세닐기, 플루오레닐기, 피란트레닐기, 오바레닐기, 카르바졸릴기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 티오페닐기, 인돌일기, 푸리닐기, 벤즈이미다졸일기, 퀴놀리닐기, 벤조티오페닐기, 파라티아지닐기, 피롤일기, 피라졸릴기, 이미다졸릴기, 이미다졸리닐기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 트리아졸릴기, 테트라졸일기, 옥사디아졸릴기, 피리디닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 티안트레닐기(thianthrenyl), 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 옥시라닐기, 피롤리디닐기, 피라졸리디닐기, 이미다졸리디닐기, 피페리디닐기, 피페라지닐기, 모르폴리닐기, 디(C6-C50아릴)아미노기, 실레인기 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 유기 광소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 화합물이 하기 화학식 1 내지 200으로 표시되는 것을 특징으로 하는 유기 광소자:
    Figure pat00238

    Figure pat00239

    Figure pat00240

    Figure pat00241

    Figure pat00242

    Figure pat00243

    Figure pat00244

    Figure pat00245

    Figure pat00246

    Figure pat00247

    Figure pat00248

    Figure pat00249

    Figure pat00250

    Figure pat00251

    Figure pat00252

    Figure pat00253

    Figure pat00254

    Figure pat00255

    Figure pat00256
  6. 하기 화학식 F로 표시되는 유기 광화합물:
    <화학식 F>
    Figure pat00257

    상기 화학식에서 상기 X는 C 또는 N 이고,
    상기 R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로
    H, D, C1~C40의 알킬기, C5~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로아릴기, C5~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C5~C40의 아릴아미노기, C5~C40의 디아릴아미노기, C6~C40의 아릴알킬기, C3~C40의 시클로알킬기 및 C3~C40의 헤테로시클로알킬기로 이루어진 군에서 선택되거나; 또는 인접하는 기와 축합(fused) 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리 또는 축합 헤테로방향족 고리를 형성하는 기이고,


    상기 R3 및 R4 중 하나 또는 둘 모두는 항상 C5~C40의 아릴기 또는 C5~C40의 헤테로아릴기이다.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 R1, R2, R3 및 R4의 상기 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C5~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로아릴기, C5~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C5~C40의 아릴아미노기, C5~C40의 디아릴아미노기, C6~C40의 아릴알킬기, C3~C40의 시클로알킬기 및 C3~C40의 헤테로시클로알킬기는
    각각 독립적으로 D, F, 할로겐, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C1~C40의 아미노기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상으로 치환되거나 비치환된 것을 특징으로 하는 유기 광화합물.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 A1, A2, B1 및 B2의 상기 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C5~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로아릴기, C5~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C5~C40의 아릴아미노기, C5~C40의 디아릴아미노기, C6~C40의 아릴알킬기, C3~C40의 시클로알킬기 및 C3~C40의 헤테로시클로알킬기에 도입되는 치환기 중에서
    C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C1~C40의 아미노기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기는
    각각 독립적으로 D, F, 할로겐, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C1~C40의 아미노기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 제2치환기로 추가적으로 치환되거나; 또는 인접하는 기와 축합 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리 또는 축합 헤테로방향족 고리를 형성하거나 스피로 결합을 하는 것을 특징으로 하는 유기 광화합물.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 A1, A2, B1 및 B2의 상기 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C5~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로아릴기, C5~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C5~C40의 아릴아미노기, C5~C40의 디아릴아미노기, C6~C40의 아릴알킬기, C3~C40의 시클로알킬기 및 C3~C40의 헤테로시클로알킬기에 도입되는 치환기는
    D, F, 페닐기, 톨일기, 비페닐기, 펜타레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 비페닐레닐기, 안트라세닐기, 벤조안트라세닐기, 아즈레닐기, 헵타레닐기, 아세나프틸레닐기, 페나레닐기, 메틸안트릴기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 피레닐기, 크리세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 클로로페릴레닐기, 펜타페닐기, 펜타세닐기, 테트라페닐레닐기, 헥사페닐기, 헥사세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 트리나프틸레닐기, 헵타페닐기, 헵타세닐기, 플루오레닐기, 피란트레닐기, 오바레닐기, 카르바졸릴기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 티오페닐기, 인돌일기, 푸리닐기, 벤즈이미다졸일기, 퀴놀리닐기, 벤조티오페닐기, 파라티아지닐기, 피롤일기, 피라졸릴기, 이미다졸릴기, 이미다졸리닐기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 트리아졸릴기, 테트라졸일기, 옥사디아졸릴기, 피리디닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 티안트레닐기(thianthrenyl), 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 옥시라닐기, 피롤리디닐기, 피라졸리디닐기, 이미다졸리디닐기, 피페리디닐기, 피페라지닐기, 모르폴리닐기, 디(C6-C50아릴)아미노기, 실레인기 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 유기 광화합물.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 화합물이 하기 화학식 1 내지 200으로 표시되는 것을 특징으로 하는 유기 광화합물:
    Figure pat00258

    Figure pat00259

    Figure pat00260

    Figure pat00261

    Figure pat00262

    Figure pat00263

    Figure pat00264

    Figure pat00265

    Figure pat00266

    Figure pat00267

    Figure pat00268

    Figure pat00269

    Figure pat00270

    Figure pat00271

    Figure pat00272

    Figure pat00273

    Figure pat00274

    Figure pat00275

    Figure pat00276
KR1020110005086A 2010-12-30 2011-01-18 유기발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자 KR101375361B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100138769 2010-12-30
KR20100138769 2010-12-30

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120135971A Division KR20130007510A (ko) 2010-12-30 2012-11-28 피리도이미다졸계 유도체 및 이를 이용한 유기 광소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120078530A true KR20120078530A (ko) 2012-07-10
KR101375361B1 KR101375361B1 (ko) 2014-03-27

Family

ID=46711862

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110005086A KR101375361B1 (ko) 2010-12-30 2011-01-18 유기발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
KR1020120135971A KR20130007510A (ko) 2010-12-30 2012-11-28 피리도이미다졸계 유도체 및 이를 이용한 유기 광소자

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120135971A KR20130007510A (ko) 2010-12-30 2012-11-28 피리도이미다졸계 유도체 및 이를 이용한 유기 광소자

Country Status (1)

Country Link
KR (2) KR101375361B1 (ko)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103709181A (zh) * 2012-09-29 2014-04-09 昆山维信诺显示技术有限公司 含咪唑并［1,2,a］吡啶基团的稠环芳烃衍生物及其应用
CN103788116A (zh) * 2012-10-30 2014-05-14 昆山维信诺显示技术有限公司 含咪唑［1,2,a］并吡啶基团的蒽类电致发光材料及其应用
US20140239263A1 (en) * 2013-02-25 2014-08-28 Samsung Display Co., Ltd. Anthracene-based compound and organic light emitting diode comprising the same
CN104650116A (zh) * 2013-12-26 2015-05-27 北京鼎材科技有限公司 一种有机化合物及其在有机电致发光器件中的应用
CN104650117A (zh) * 2013-12-26 2015-05-27 北京鼎材科技有限公司 一种有机化合物及其在有机电致发光器件中的应用
KR20160013356A (ko) * 2014-07-24 2016-02-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 장치
US9343687B1 (en) 2014-12-10 2016-05-17 National Chi Nan University Imidazo[1,2-A]pyrimidine-containing compounds, method for preparing the same, and their use in electronic devices
JP2016539982A (ja) * 2013-12-09 2016-12-22 ユーシービー バイオファルマ エスピーアールエル Ｔｎｆ活性のモジュレーターとしてのイミダゾピリミジン誘導体
CN112538075A (zh) * 2020-11-16 2021-03-23 南京高光半导体材料有限公司 一种稠杂环化合物及有机电致发光器件
WO2023057389A1 (en) 2021-10-04 2023-04-13 Forx Therapeutics Ag Parg inhibitory compounds

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040072004A (ko) * 2003-02-07 2004-08-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자용 발광 화합물 및 그를 이용한 유기전계발광 소자

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103709181A (zh) * 2012-09-29 2014-04-09 昆山维信诺显示技术有限公司 含咪唑并［1,2,a］吡啶基团的稠环芳烃衍生物及其应用
CN103788116A (zh) * 2012-10-30 2014-05-14 昆山维信诺显示技术有限公司 含咪唑［1,2,a］并吡啶基团的蒽类电致发光材料及其应用
US20140239263A1 (en) * 2013-02-25 2014-08-28 Samsung Display Co., Ltd. Anthracene-based compound and organic light emitting diode comprising the same
JP2016539982A (ja) * 2013-12-09 2016-12-22 ユーシービー バイオファルマ エスピーアールエル Ｔｎｆ活性のモジュレーターとしてのイミダゾピリミジン誘導体
CN104650116A (zh) * 2013-12-26 2015-05-27 北京鼎材科技有限公司 一种有机化合物及其在有机电致发光器件中的应用
CN104650117A (zh) * 2013-12-26 2015-05-27 北京鼎材科技有限公司 一种有机化合物及其在有机电致发光器件中的应用
KR20160013356A (ko) * 2014-07-24 2016-02-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 장치
US9343687B1 (en) 2014-12-10 2016-05-17 National Chi Nan University Imidazo[1,2-A]pyrimidine-containing compounds, method for preparing the same, and their use in electronic devices
CN112538075A (zh) * 2020-11-16 2021-03-23 南京高光半导体材料有限公司 一种稠杂环化合物及有机电致发光器件
WO2023057389A1 (en) 2021-10-04 2023-04-13 Forx Therapeutics Ag Parg inhibitory compounds

Also Published As

Publication number Publication date
KR101375361B1 (ko) 2014-03-27
KR20130007510A (ko) 2013-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101536167B1 (ko) 유기 발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
KR101399636B1 (ko) 유기발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
KR101375360B1 (ko) 유기발광 화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
KR101430589B1 (ko) 유기발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
KR101375357B1 (ko) 유기 광화합물 및 이를 구비한 유기 광소자
KR101324784B1 (ko) 유기발광 화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
KR101375361B1 (ko) 유기발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
KR101512012B1 (ko) 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20120129733A (ko) 유기발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
KR101395607B1 (ko) 유기발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
KR101324785B1 (ko) 유기발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
KR20120120886A (ko) 유기발광 화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
KR20140029182A (ko) 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR101324786B1 (ko) 유기발광 화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
KR20120096382A (ko) 유기발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
KR20130084952A (ko) 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101559428B1 (ko) 신규한 유기화합물, 이를 포함하는 유기전계발광소자 및 전자 기기
KR101536181B1 (ko) 유기발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
KR101375358B1 (ko) 유기발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
KR101559433B1 (ko) 유기발광 화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
KR20120120885A (ko) 유기발광 화합물 및 이를 이용한 유기 광소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170314

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180306

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190311

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200302

Year of fee payment: 7