KR20120076974A - Substrate processing apparatus, cover member therefor, and substrate processing method - Google Patents

Substrate processing apparatus, cover member therefor, and substrate processing method Download PDF

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Abstract

PURPOSE: A substrate processing apparatus, a cover member used for the same, and a substrate processing method are provided to prevent color difference formed on the surface of a substrate by uniformly forming a micro cavity formed on the surface of the substrate regardless of location. CONSTITUTION: A processing chamber forms a process space for processing a substrate(10). A substrate support supports a tray(30) in which the substrate is settled. A cover unit(200) comprises a cover plate(210) and a supporting unit(220) supporting the cover plate. The cover plate covers the substrate having an interval with the substrate. The cover plate comprises a center unit and an outer unit. The outer unit surrounds the center unit. A plurality of openings(211) which is penetrated to the top and bottom is formed on the cover plate.

Description

기판처리장치 및 그에 사용되는 커버부재 및 기판처리방법 {Substrate processing apparatus, cover member therefor, and substrate processing method}Substrate processing apparatus, cover member therefor, and substrate processing method}

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판을 식각하는 등 기판처리를 수행하는 기판처리장치, 그에 사용되는 커버부재 및 기판처리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for performing a substrate treatment, such as etching a substrate, a cover member and a substrate processing method.

기판처리장치란 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 공정챔버 내에 설치되어 기판이 안착되는 기판지지대를 포함하여 구성되며, 처리공간에 처리가스를 주입하면서 전원을 인가하여 기판의 표면을 식각하거나 증착하는 등 기판처리를 수행하는 장치를 말한다.The substrate processing apparatus includes a process chamber forming a closed processing space, and a substrate support installed in the process chamber to seat the substrate. The substrate processing apparatus applies power while injecting processing gas into the processing space to etch the surface of the substrate. Refers to an apparatus for performing substrate treatment such as vapor deposition.

상기 기판처리장치에 의하여 처리되는 기판은 반도체용 웨이퍼, LCD 패널용 유리기판, 태양전지용 기판 등이 있다.Substrates processed by the substrate processing apparatus include semiconductor wafers, glass panels for LCD panels, and solar cell substrates.

상기 기판처리장치의 일례로서, 기판지지대 상에 트레이를 사용하여 다수개의 태양전지용 기판을 안착시킨 후 기판의 상측에 다수개의 개구부들이 형성된 커버부재를 복개하여 기판의 표면에 미세한 요철-요철형성의 목적은 소자의 특성에 따라 달라질 수 있으며 특히 태양전지소자의 효율을 높이기 위하여 기판에 의한 빛의 반사율을 낮추는 것이 그 하나이다-을 형성하도록 기판처리를 수행하는 기판처리장치가 있다.As an example of the substrate processing apparatus, a plurality of solar cell substrates are seated on a substrate support, and then a cover member having a plurality of openings formed on the substrate is covered to cover the surface of the substrate to form minute unevenness-unevenness. The silver may vary depending on the characteristics of the device, and in particular, there is a substrate processing apparatus for performing a substrate treatment to form a low reflectance of light by the substrate in order to increase the efficiency of the solar cell device.

상기와 같이 커버부재를 복개하여 기판의 표면에 미세한 요철을 형성하는 기판처리장치는 다음과 같은 공정을 거쳐 기판의 표면에 요철을 형성한다.As described above, the substrate treating apparatus covering the cover member to form fine irregularities on the surface of the substrate forms irregularities on the surface of the substrate through the following process.

종래의 일예에 따른 기판처리장치는 공정챔버 내에 가스를 주입하면서 전원을 인가하면 처리공간 내에서 플라즈마를 형성하며, 플라즈마 및 가스의 일부는 커버부재의 개구부를 통과하여 기판의 표면을 식각한다.The substrate processing apparatus according to the related art forms a plasma in the processing space when power is applied while injecting gas into the process chamber, and a portion of the plasma and gas pass through the opening of the cover member to etch the surface of the substrate.

그리고 기판식각에 의하여 형성되는 화합물 중 일부는 커버부재의 저면과 기판 사이의 복개공간에서 부유하여 유동하게 되며, 나머지 화합물 및 부유된 화합물들의 일부가 기판의 표면에 부착되어 기판식각 과정에서 마스크로서 작용하여 기판표면에 미세요철의 형성을 촉진한다.Some of the compounds formed by substrate etching float and flow in the open space between the bottom of the cover member and the substrate, and the remaining compounds and some of the suspended compounds adhere to the surface of the substrate to act as a mask in the substrate etching process. Thereby facilitating the formation of fine irregularities on the substrate surface.

여기서 종래의 기판처리장치의 커버부재는 다수개의 개구부들이 형성된 커버 플레이트와, 커버 플레이트가 기판과 간격을 두고 설치될 수 있도록 커버 플레이트의 가장자리에 설치된 지지부를 포함하여 구성된다.Here, the cover member of the conventional substrate processing apparatus includes a cover plate having a plurality of openings formed therein, and a support part provided at an edge of the cover plate so that the cover plate may be installed at a distance from the substrate.

한편 커버부재를 사용하여 미세요철을 형성하는 종래의 기판처리방법은 커버부재의 중앙부분 및 가장자리부분 등 위치에 따른 화합물의 밀도에 차이가 발생할 수 있는데, 위치에 따른 화합물의 밀도차이는 기판의 표면상의 미세요철형성에 영향을 미쳐 기판의 색차를 야기하는 문제점이 있다.On the other hand, in the conventional substrate processing method for forming the fine roughness using the cover member, there may be a difference in the density of the compound depending on the position such as the center portion and the edge portion of the cover member. There is a problem that affects the fine irregularities formed on the image, causing color difference of the substrate.

특히 종래의 기판처리장치에 의하여 수행되는 기판처리방법은 도 3a에 도시된 바와 같이, 기판의 상측에 설치되는 커버부재를 기준으로 가장자리부분에 위치된 기판에서 현저한 색차가 발생한다.In particular, in the substrate processing method performed by the conventional substrate processing apparatus, as shown in FIG. 3A, a remarkable color difference occurs in the substrate positioned at the edge portion with respect to the cover member installed on the upper side of the substrate.

그리고 기판 표면의 색차는 반사율의 차이를 의미하며 기판 상의 미세요철의 형성에 의한 반사율저감효과를 충분히 달성되지 못하여 태양전지소자의 효율을 저하시키는 문제점이 있다.In addition, the color difference of the surface of the substrate means a difference in reflectance, and there is a problem in that the efficiency of the solar cell device is lowered because the effect of reducing the reflectance due to the formation of fine irregularities on the substrate is not sufficiently achieved.

또한 색차가 있는 기판은 시각적으로 좋지 않아 불량품으로 오인되는 등 시장에서 제품에 대한 신뢰도를 떨어뜨리고 색차없는 기판에 비하여 낮은 가격으로 유통되는 등 시장에서 판매가 용이하지 않은 문제점이 있다.In addition, the substrate having a color difference is not visually poor, which is mistaken as a defective product, thereby lowering the reliability of the product in the market, and circulating at a lower price than the substrate without color difference.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 커버부재를 기준으로 중앙부 및 외곽부에 위치된 기판들의 표면에 색차가 발생하는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치, 그에 사용되는 커버부재 및 기판처리방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention to solve the above problems, the substrate processing apparatus that can prevent the color difference from occurring on the surface of the substrate located in the center and the outer portion relative to the cover member, the cover member and the substrate used therein To provide a treatment method.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버 내부에 구비되며 복수개의 기판들이 m×n(m, n은 2 이상의 자연수)의 배열로 안착된 트레이를 지지하는 기판지지대와; 상하로 관통 형성된 다수의 개구부들이 형성되며 상기 기판과 간격을 가지고 상기 기판을 복개하는 커버 플레이트와, 상기 기판과 간격을 두고 설치될 수 있도록 상기 커버 플레이트를 지지하는 지지부를 포함하는 커버부를 포함하며, 상기 커버 플레이트는 중앙부와. 상기 중앙부를 둘러싸며 저면으로부터 상기 기판과의 수직거리가 상기 중앙부보다 작은 수직거리를 가지는 외곽부를 포함하며, 상기 트레이의 가장자리에 위치된 기판을 기준기판이라고 할 때 상기 중앙부와 외곽부의 경계는 상기 기준기판의 상기 외곽부 쪽 가장자리와 상기 기준기판의 중앙선 사이에 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention has been made to achieve the object of the present invention as described above, the present invention comprises a process chamber for forming a processing space for substrate processing; A substrate support provided in the process chamber and supporting a tray in which a plurality of substrates are seated in an array of m × n (m, n is a natural number of two or more); A cover part including a cover plate covering the substrate at a distance from the substrate and having a plurality of openings formed therethrough, the support part supporting the cover plate so as to be installed at a distance from the substrate, The cover plate has a central portion. And an outer portion surrounding the center portion and having a vertical distance from the bottom of the substrate with a vertical distance smaller than that of the center portion. When the substrate located at the edge of the tray is referred to as a reference substrate, the boundary between the center portion and the outer portion is defined as the reference substrate. Disclosed is a substrate processing apparatus, which is located between the outer edge of a substrate and a centerline of the reference substrate.

상기 중앙부의 저면과 상기 외곽부의 저면은 불연속구간 없이 연결될 수 있다.The bottom of the central portion and the bottom of the outer portion may be connected without a discontinuous section.

상기 외곽부는 저면이 기판 쪽으로 상기 중앙부보다 더 돌출되도록 형성될 수 있다.The outer portion may be formed such that the bottom surface protrudes more than the center portion toward the substrate.

상기 중앙부와 상기 외곽부의 경계는 단차가 형성될 수 있다.A step may be formed at the boundary between the center portion and the outer portion.

상기 외곽부는 상기 기준기판의 상기 외곽부 쪽 가장자리와 상기 기준기판의 중앙선 사이에서 가장자리 쪽으로 가면서 기판 쪽으로 더 돌출되는 하나 이상의 단차가 추가로 형성될 수 있다.The outer portion may further include one or more steps that protrude toward the substrate while going toward the edge between the outer edge of the reference substrate and the centerline of the reference substrate.

상기 외곽부의 저면은 상기 중앙부의 경계로부터 상기 트레이의 가장자리 가장자리로 가면서 적어도 일부분이 저면으로부터 상기 기판과의 수직거리가 감소할 수 있다.At least a portion of the bottom surface of the outer portion may extend from the boundary of the center portion to the edge edge of the tray, and the vertical distance from the bottom surface to the substrate may be reduced.

상기 외곽부의 저면은 적어도 상기 중앙부의 경계로부터 가장자리로 가면서 적어도 일부가 곡면을 이룰 수 있다.The bottom of the outer portion may be at least partially curved while going from the boundary of the central portion to the edge.

상기 커버 플레이트는 일정한 두께를 가지는 플레이트부재와, 상기 플레이트부재의 저면에 상기 외곽부에 해당되는 부분에 결합되는 외곽플레이트부재를 포함할 수 있다.The cover plate may include a plate member having a predetermined thickness and an outer plate member coupled to a portion corresponding to the outer portion on the bottom surface of the plate member.

상기 외곽부의 평균두께를 ts라 하고 상기 중앙부의 평균두께를 tp라 할 때, 1<ts/tp<2.0인 것이 바람직하다.When the average thickness of the outer portion is t s and the average thickness of the central portion is t p , it is preferable that 1 <t s / t p <2.0.

상기 기판은 태양전지용 결정계 실리콘 기판이 사용될 수 있다.The substrate may be a crystalline silicon substrate for solar cells.

본 발명은 또한 상기 기판처리장치의 커버부인 커버부재를 개시한다.The present invention also discloses a cover member which is a cover portion of the substrate processing apparatus.

본 발명은 또한 상기 기판처리장치에 의한 기판처리방법으로서, 상기 커버부를 복개한 상태에서 상기 기판의 표면에 다수의 미세요철을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법을 개시한다.The present invention also discloses a substrate processing method using the substrate processing apparatus, wherein a plurality of fine irregularities are formed on the surface of the substrate in a state in which the cover portion is covered.

본 발명에 따른 기판처리장치, 그에 사용되는 커버부재 및 기판처리방법은 커버부의 외곽부에서 그 저면으로부터 기판과의 수직거리를 중앙부에서의 수직거리보다 작게 함으로써 중앙부 및 외곽부에서의 기판처리의 편차를 줄여 균일한 기판처리를 수행할 수 있는 이점이 있다.Substrate processing apparatus according to the present invention, the cover member and substrate processing method used therein are the deviation of substrate processing in the center and the outer part by making the vertical distance from the bottom of the cover part to the substrate less than the vertical distance in the center part. There is an advantage that can reduce the uniform substrate processing.

특히 m×n으로 배치된 복수의 기판들이 태양전지용 실리콘 기판이며, 기판처리가 반응성이온에칭에 의하여 기판의 표면에 미세요철을 형성하는 공정인 경우, 외곽부에 위치된 기판의 표면에 형성되는 미세요철을 위치에 관계없이 균일하게 형성함으로써 기판의 표면에 형성되는 색차를 방지할 수 있는 이점이 있다.In particular, when the plurality of substrates arranged in m × n are silicon substrates for solar cells, and the substrate treatment is a process of forming fine irregularities on the surface of the substrate by reactive ion etching, the fine particles are formed on the surface of the substrate located at the outer portion. There is an advantage that the color difference formed on the surface of the substrate can be prevented by forming the unevenness uniformly regardless of the position.

더 나아가 본 발명에 따른 기판처리장치, 그에 사용되는 커버부재 및 기판처리방법은 m×n으로 배치된 복수의 기판들에 있어서 가장자리에 위치된 기판의 표면에 기판처리의 편차가 현저하게 발생하는바 상기와 같은 중앙부와 외곽부의 경계를 도 4에 도시된 바와 같이, 기준기판의 외곽부 쪽 가장자리와 기준기판의 중앙선 사이에 위치시킴으로써 간단한 구조의 커버부재에 의하여 최적의 색차 개선효과를 달성할 수 있는 이점이 있다.Furthermore, the substrate treating apparatus according to the present invention, the cover member and the substrate treating method used therein are markedly different from the substrate treatment on the surface of the substrate located at the edge of the plurality of substrates arranged in m × n. As shown in FIG. 4, the boundary between the central part and the outer part is positioned between the outer edge of the reference substrate and the center line of the reference substrate, thereby achieving an optimal color difference improvement effect by the cover member having a simple structure. There is an advantage.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1에서 트레이, 트레이 상에 안착된 기판들을 보여주는 평면도이다.
도 3a 및 도 3b는 각각 종래의 기판처리장치에 의하여 기판처리된 실리콘 기판을, 본 발명에 따른 기판처리장치에 의하여 기판처리된 실리콘 기판을 보여주는 개념도이다.
도 4는 도 1의 기판처리장치에 사용되는 커버부의 제1실시예를 보여주는 일부단면도이다.
도 5는 도 1의 기판처리장치에 사용되는 커버부의 제2실시예를 보여주는 일부단면도이다.
도 6은 도 1의 기판처리장치에 사용되는 커버부의 제3실시예를 보여주는 일부단면도이다.
도 7은 도 1의 기판처리장치에 사용되는 커버부의 제4실시예를 보여주는 일부단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a plan view illustrating a tray and substrates seated on the tray in FIG. 1.
3A and 3B are conceptual views showing a silicon substrate substrate processed by a conventional substrate processing apparatus and a silicon substrate substrate processed by a substrate processing apparatus according to the present invention.
4 is a partial cross-sectional view showing a first embodiment of a cover part used in the substrate processing apparatus of FIG.
FIG. 5 is a partial cross-sectional view illustrating a second embodiment of a cover unit used in the substrate processing apparatus of FIG. 1.
6 is a partial cross-sectional view showing a third embodiment of a cover part used in the substrate processing apparatus of FIG.
7 is a partial cross-sectional view showing a fourth embodiment of a cover part used in the substrate processing apparatus of FIG.

이하 본 발명에 따른 기판처리장치, 그에 사용되는 커버부재 및 기판처리방법에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 첨부된 도면들은 본 발명의 설명을 위하여 도시한 것으로 설명의 편의상 실제와는 크기 및 비율을 과장하여 도시하였다.Hereinafter, a substrate treating apparatus according to the present invention, a cover member and a substrate treating method thereof will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The accompanying drawings are shown for the purpose of explanation of the invention and have been exaggerated in size and ratio with actual ones for convenience of description.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이고, 도 2는 도 1에서 트레이, 트레이 상에 안착된 기판들을 보여주는 평면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to the present invention, Figure 2 is a plan view showing a tray, the substrate seated on the tray in FIG.

본 발명에 따른 기판처리장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 공정챔버(100) 내부에 구비되며 기판(10)들이 안착되는 트레이(30)를 지지하는 기판지지대(130)와; 상하로 관통 형성된 다수의 개구부(211)들이 형성되며 기판(10)을 복개하는 커버부(200)를 포함하여 구성된다. 여기서 기판처리는 다양한 기판처리가 가능하며, 특히 반응성이온에칭(Reactive ion etching)이 가장 바람직하다.As shown in FIG. 1, a substrate processing apparatus according to the present invention includes: a process chamber 100 forming a processing space S for substrate processing; A substrate support 130 provided in the process chamber 100 and supporting the tray 30 on which the substrates 10 are seated; A plurality of openings 211 are formed to penetrate up and down, and the cover part 200 covers the substrate 10. The substrate treatment may be a variety of substrate treatment, particularly reactive ion etching is most preferred.

기판처리의 대상인 기판(10)은 식각 등 기판처리를 요하는 기판이면 어떠한 기판도 가능하며, 특히 식각을 통하여 그 표면에 미세요철을 형성할 필요가 있는 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 등의 태양전지용 결정계 실리콘 기판도 가능하다.The substrate 10 to be subjected to substrate treatment can be any substrate as long as it is a substrate requiring substrate treatment such as etching. In particular, crystalline silicon for solar cells such as monocrystalline silicon and polycrystalline silicon that need to form fine roughness on its surface through etching. Substrates are also possible.

상기 기판(10)이 태양전지용 실리콘 기판인 경우, 기판(10)은 본 발명에 따른 기판처리장치를 사용하여 태양전지의 효율은 높이기 위하여 기판(10) 표면에 다수의 미세요철을 형성함으로써 반사율을 낮추고 있다.When the substrate 10 is a silicon substrate for a solar cell, the substrate 10 uses a substrate processing apparatus according to the present invention to form a plurality of fine irregularities on the surface of the substrate 10 in order to increase the efficiency of the solar cell. Is lowering.

상기 기판(10)은 기판처리의 효율을 위하여 복수개의 기판들이 n×m(n, m은 2 이상의 자연수)의 배열로 트레이(30) 상에 안착되어 공정챔버(100) 등으로 이송된다.In the substrate 10, a plurality of substrates are seated on the tray 30 in an array of n × m (n, m is two or more natural numbers) to be transferred to the process chamber 100 and the like for the efficiency of substrate processing.

상기 트레이(30)는 다수개의 기판(10)들이 안착되어 기판(10)을 이송하는 구성으로서 기판(10)의 종류 및 처리공정에 따라서 그 재질 및 형상은 다양하게 구성될 수 있다. 여기서 상기 트레이(30)는 붕규산유리(pyrex), Al2O3, 석영(Quartz), 각종 수지와 같은 플라즈마에 강한 재질이 사용되며, 안착된 상태로 기판(10)들을 이송하기 위한 구성으로서 기판(10)이 기판지지대(130)에 직접 안착되는 경우에는 필요하지 않음은 물론이다. The tray 30 is a configuration in which a plurality of substrates 10 are seated and transporting the substrate 10. The tray 30 may have various materials and shapes depending on the type and processing process of the substrate 10. Here, the tray 30 is made of a material resistant to plasma such as borosilicate glass (pyrex), Al 2 O 3 , quartz (Quartz), and various resins, and is used as a structure for transferring the substrates 10 in a seated state. Of course, if the 10 is directly seated on the substrate support 130, it is not necessary.

상기 공정챔버(100)는 기판처리를 위한 밀폐된 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서, 기판처리공정에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 도 1에 도시된 바와 같이, 서로 탈착가능하게 결합되어 처리공간을 형성하는 챔버본체(120) 및 탑리드(110)를 포함하여 구성될 수 있다. 여기서 본 발명에 따른 기판처리장치에 의하여 수행되는 처리공정은 진공상태에서 플라즈마를 형성하여 기판(10)의 표면을 식각하는 식각공정 등이 있다.The process chamber 100 is a configuration for forming a closed processing space (S) for substrate processing, various configurations are possible according to the substrate processing process, as shown in Figure 1, is detachably coupled to each other It may be configured to include a chamber body 120 and the top lead 110 to form a processing space. Here, the processing performed by the substrate processing apparatus according to the present invention includes an etching process for etching the surface of the substrate 10 by forming a plasma in a vacuum state.

상기 챔버본체(120)는 설계 및 디자인에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 기판(10)이 직접 입출되거나, 기판(10)이 안착된 트레이(30)가 입출될 수 있도록 게이트밸브에 의하여 개폐되는 적어도 하나의 게이트(170)가 형성될 수 있다. The chamber body 120 may be configured in various ways depending on the design and design, at least opened and closed by a gate valve so that the substrate 10 can be directly entered or the tray 30 on which the substrate 10 is seated can be entered. One gate 170 may be formed.

한편, 상기 공정챔버(100)에는 외부에 설치된 가스공급장치(미도시)로부터 공급받아 처리공간(S)으로 처리가스를 분사하는 샤워헤드(140) 및 기판(10)이 트레이(30)를 통하여 안착되는 기판지지대(130), 처리공간(S) 내의 압력조절 및 배기를 위한 배기시스템(미도시)과 연결되는 배기관(180) 등 진공처리공정을 수행하기 위한 장치들이 설치될 수 있다.Meanwhile, in the process chamber 100, a shower head 140 and a substrate 10 that receive a gas supplied from an external gas supply device (not shown) and inject a processing gas into the processing space S are provided through the tray 30. Devices for performing a vacuum treatment process, such as a substrate support 130 to be seated, an exhaust pipe 180 connected to an exhaust system (not shown) for pressure control and exhaust in the processing space S, may be installed.

상기 기판지지대(130)는 기판(10)이 직접 안착되거나, 기판(10)들이 안착된 트레이(30)가 안착되며, 처리공간(S)에서 플라즈마 형성 등 기판처리를 위한 반응이 일어날 수 있도록 전원이 인가되는 하부전극(미도시)이 설치된다.The substrate support 130 is a power source so that the substrate 10 is directly seated, or the tray 30 on which the substrates 10 are seated is seated, and a reaction for substrate treatment such as plasma formation occurs in the processing space S. The lower electrode (not shown) is applied.

여기서 상기 하부전극은 전원인가 방식에 따라서 공정챔버(100) 및 샤워헤드(140)를 접지시키고 하나 또는 두 개의 RF전원이 인가되거나, 하부전극은 접지되고 공정챔버(100) 및 샤워헤드(140)에 RF전원이 인가되거나, 하부전극에 제1의 RF전원이 인가되고 공정챔버(100) 및 샤워헤드(140)에 제2의 RF전원이 인가되는 등 다양한 형태로 전원이 인가될 수 있다.Here, the lower electrode is grounded to the process chamber 100 and the shower head 140 according to the power application method and one or two RF powers are applied, or the lower electrode is grounded and the process chamber 100 and the shower head 140 are grounded. RF power may be applied to the lower electrode, or a first RF power may be applied to the lower electrode, and a second RF power may be applied to the process chamber 100 and the shower head 140.

상기 커버부(200)는 그 사용목적에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 도 1, 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 다수개의 개구부(211)들이 형성되는 커버 플레이트(210)와, 트레이(30)에 안착된 기판(10)으로부터 커버 플레이트(210)가 소정의 간격을 두고 설치되도록 커버 플레이트(210)의 가장자리에 설치되어 커버 플레이트(210)를 지지하는 지지부(220)를 포함하여 구성될 수 있다. The cover part 200 may be configured in various ways according to the purpose of use, and as shown in FIGS. 1, 2, and 4, a cover plate 210 and a tray having a plurality of openings 211 are formed. The cover plate 210 may be installed at an edge of the cover plate 210 to support the cover plate 210 so that the cover plate 210 may be installed at a predetermined interval from the substrate 10 seated on the substrate 10. Can be.

이때 상기 커버부(200)는 기판(10)이 안착된 트레이(30) 사이에 복개공간을 형성하여 개구부(211)를 통하여 유입된 플라즈마에 의하여 형성되는 화합물을 가두어 화합물이 기판(10)의 표면에 부착되어 미세요철을 형성하는 등 소정의 목적을 위해 사용된 경우를 예시한 것이다. 여기서 기판(10)이 실리콘 기판인 경우 화합물은 실리콘화합물 등을 포함한다.In this case, the cover part 200 forms a covering space between the trays 30 on which the substrate 10 is seated, confines the compound formed by the plasma introduced through the opening 211, and thus the compound is formed on the surface of the substrate 10. It is an example of the case used for a predetermined purpose, such as attached to form a fine irregularity. Here, when the substrate 10 is a silicon substrate, the compound includes a silicon compound and the like.

이때 상기 커버부(200), 즉 커버 플레이트(210)의 저면과 트레이(30) 상에 안착된 기판(10)의 표면과의 거리는 잔사를 가두는 효과 및 잔사에 의한 요철형성속도를 고려하여 5㎜~30㎜를 유지하는 것이 바람직하다.In this case, the distance between the bottom of the cover part 200, ie, the bottom surface of the cover plate 210, and the surface of the substrate 10 seated on the tray 30 is 5 in consideration of the effect of confining the residue and the rate of irregularities due to the residue. It is preferable to maintain mm-30mm.

상기 커버 플레이트(210)에 형성되는 개구부(211)는 커버부(200)의 사용목적에 따라서 다양한 형상 및 치수를 가지며, 슬릿과 같이 길게 형성될 수 있다. 여기서 상기 개구부(211)가 슬릿으로 형성된 경우, 그 폭이 커버 플레이트(210)의 저면과 기판(10) 사이의 거리의 1/2이하로 형성됨이 바람직하다.The opening 211 formed in the cover plate 210 may have various shapes and dimensions according to the purpose of use of the cover part 200, and may be formed to be long as a slit. In this case, when the opening 211 is formed of a slit, the width thereof is preferably formed to be 1/2 or less of the distance between the bottom surface of the cover plate 210 and the substrate 10.

그리고 상기 개구부(211)는 상면 및 저면 중 적어도 어느 하나에서 개구부(211)의 가장자리에 모따기될 수 있다.The opening 211 may be chamfered at an edge of the opening 211 in at least one of an upper surface and a lower surface.

상기 커버 플레이트(210)는 진공처리공정에 따라서 다양한 재질이 사용될 수 있으며, 플라즈마에 강한 재질이 사용되는 것이 바람직하며, 알루미늄 또는 그 합금의 재질을 가질 수 있다.The cover plate 210 may be used in a variety of materials according to the vacuum treatment process, a material that is resistant to plasma is preferably used, it may have a material of aluminum or its alloy.

한편, 커버부(200)의 복개의 의하여 기판(10) 표면에 형성되는 미세요철은 트레이(30)의 상면 또는 기판지지대(130)의 상면을 기준으로 중앙부 및 외곽부 등 위치에 따라서 불균일하게 형성될 수 있다.On the other hand, the fine irregularities formed on the surface of the substrate 10 by the cover of the cover 200 is formed unevenly according to the position of the center and the outer portion with respect to the upper surface of the tray 30 or the upper surface of the substrate support 130. Can be.

따라서 상기 커버 플레이트(210)는 개구부(211)에 의하여 형성되는 개구율을 중앙부 및 외곽부가 서로 다르게 형성될 수 있으며, 중앙부의 개구율이 외곽부의 개구율보다 높게 형성될 수 있다.Therefore, the cover plate 210 may have an opening ratio formed by the opening 211 different from the central portion and the outer portion, and the opening ratio of the central portion may be higher than that of the outer portion.

상기 지지부(220)는 커버 플레이트(210)와 기판(10)이 안착된 트레이(30)로부터 일정한 거리를 유지하면서 처리공간(S)과 복개공간을 구획하기 위한 구성으로서, 커버 플레이트(210)와 일체로 형성되거나 커버 플레이트(210)와 별도로 구성될 수 있다. 이때 상기 지지부(220)는 커버 플레이트(210)와 다른 재질을 가질 수 있다. The support part 220 is configured to partition the processing space S and the cover space while maintaining a constant distance from the tray 30 on which the cover plate 210 and the substrate 10 are seated. It may be formed integrally or separately from the cover plate 210. In this case, the support part 220 may have a material different from that of the cover plate 210.

상기 커버부(200)는 기판(10)이 안착된 트레이(30)의 복개를 위하여 별도의 이송장치(미도시)에 의하여 상하로 이송가능하도록 지지부(220)에 한 쌍의 탭(미도시)이 설치될 수 있다.The cover part 200 has a pair of tabs (not shown) on the support part 220 to be transported up and down by a separate transfer device (not shown) to cover the tray 30 on which the substrate 10 is seated. This can be installed.

그리고 상기 커버부(200)는 기판처리장치, 즉 공정챔버(100)의 내부에서 기판(10)이 안착된 트레이(30)를 복개하도록 구성되거나, 외부에서 트레이(30)에 안착된 기판(10)을 복개한 상태로 트레이(30)와 함께 이송될 수 있다.The cover part 200 is configured to cover the tray 30 on which the substrate 10 is seated in the substrate processing apparatus, that is, the process chamber 100, or the substrate 10 seated on the tray 30 from the outside. ) May be transferred together with the tray 30 in a closed state.

상기 커버부(200)의 저면 및 트레이(30)와 소정의 간격을 유지하기 위하여 커버부(200) 및 기판지지대(130) 사이에는 하나 이상의 처짐방지기둥(미도시)이 설치될 수 있다.One or more sag prevention pillars (not shown) may be installed between the cover 200 and the substrate support 130 to maintain a predetermined distance from the bottom of the cover 200 and the tray 30.

상기 처짐방지기둥은 커버부(200)의 저면 트레이(30)와의 간격을 유지하기만 하면 어떠한 구성도 가능하며 플라즈마에 노출되는 것을 고려하여 알루미늄, 알루미늄합금, 실리콘, 테프론 등 플라즈마에 강한 재질을 가지는 것이 바람직하다.The sag prevention pillar may have any configuration as long as it maintains a gap with the bottom tray 30 of the cover part 200 and has a material resistant to plasma such as aluminum, aluminum alloy, silicon, and teflon in consideration of being exposed to plasma. It is preferable.

한편 상기 트레이(30)는 안착된 기판(10)들의 가장자리를 따라서 실리콘 등 기판(10)과 동일한 재질의 더미부재가 추가로 설치될 수 있다. 특히 중앙부에 위치된 기판(10)들은 이웃하는 기판(10)이 더미부재로서 활용이 가능한바 이웃하는 기판(10)이 없는 가장자리에 위치된 기판(10)의 가장자리에 더미부재가 추가로 설치될 수 있다.Meanwhile, the tray 30 may further include a dummy member made of the same material as the substrate 10 such as silicon along the edges of the substrates 10 seated thereon. In particular, the substrates 10 positioned in the center may be provided with a dummy member at an edge of the substrate 10 positioned at an edge where the neighboring substrate 10 is not available, and thus the neighboring substrate 10 may be used as a dummy member. Can be.

상기 기판(10) 및 더미부재는 동일한 재질이 사용됨이 바람직하며, 기판(10)이 단결정 또는 다결정 실리콘인 경우 더미부재 또한 동일한 재질인 단결정 또는 다결정 실리콘 사용이 바람직하다.Preferably, the substrate 10 and the dummy member are made of the same material. When the substrate 10 is single crystal or polycrystalline silicon, the dummy member is preferably made of single crystal or polycrystalline silicon.

한편 앞서 설명한 바와 같이, 커버부(200)의 복개의 의하여 기판(10) 표면에 형성되는 미세요철은 트레이(30)의 상면을 기준으로 중앙부 및 외곽부 등 위치에 따라서 불균일하게 형성되며, 특히 트레이(30)의 가장자리 부분에 위치된 기판(10)의 표면이 실험에 따르면 도 3a와 도시된 바와 같은 색차가 발생되는 문제가 있다.On the other hand, as described above, the fine irregularities formed on the surface of the substrate 10 by the cover of the cover 200 is unevenly formed according to the position of the center and the outer portion with respect to the upper surface of the tray 30, in particular, the tray According to the experiment of the surface of the substrate 10 located at the edge of 30, there is a problem that the color difference as shown in Fig. 3a occurs.

이러한 문제점을 해결하기 위하여, 상기 커버부(200)의 커버 플레이트(210)는 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 중앙부(CA)와, 중앙부(CA)를 둘러싸며 저면으로부터 기판(10)과의 수직거리가 중앙부(CA)보다 작은 수직거리를 가지는 외곽부(SL)를 포함하여 구성된다.In order to solve this problem, the cover plate 210 of the cover part 200, as shown in Figures 2 and 4, surrounding the central portion CA, the central portion (CA) and the substrate 10 from the bottom surface It comprises a peripheral portion (S L ) having a vertical distance with the vertical distance smaller than the central portion (CA).

상기 중앙부(CA) 및 외곽부(SL)는 커버 플레이트(210)를 물리적으로 분리한 것이 아니라 커버 플레이트(210)의 영역을 분할한 것으로서, 하나의 부재로 일체로 구성됨이 일반적이나 복수의 부재들로도 구성될 수 있음은 물론이다.The central portion CA and the outer portion S L are not physically separated from the cover plate 210, but are divided into regions of the cover plate 210. Of course, it can also be configured as.

그리고 상기 커버 플레이트(210)는 저면으로부터 기판(10)과의 수직거리가 중앙부보다 작은 수직거리를 가지는 외곽부(SL)를 포함하는 구성이면 어떠한 구성도 가능하며, 도 4 내지 도 7에 도시된 바와 같이 다양한 구성이 가능하다.The cover plate 210 may have any configuration as long as the cover plate 210 includes an outer portion S L having a vertical distance less than the center portion from the bottom surface, and is illustrated in FIGS. 4 to 7. As can be various configurations are possible.

특히 상기 외곽부(SL)는 저면이 기판(10) 쪽으로 중앙부(CA)보다 더 돌출되도록 형성될 수 있다.In particular, the outer portion S L may be formed such that a bottom surface thereof protrudes more than the central portion CA toward the substrate 10.

상기 커버 플레이트(210)의 제1실시예로서, 도 4에 도시된 바와 같이, 중앙부(CA)와 외곽부(SL)의 경계(310)는 단차가 형성될 수 있다.As a first embodiment of the cover plate 210, as shown in Figure 4, the boundary 310 of the central portion (CA) and the outer portion (S L ) may be formed stepped.

상기 중앙부(CA)와 외곽부(SL)의 경계(310)에 형성되는 단차는 도 4에 도시되 바와 같이, 일부구간이 수직을 이루도록 구성되거나, 커버 플레이트(210)의 제2실시예로서, 도 5에 도시된 바와 같이, 일부구간이 기판(10)에 대하여 경사면을 이루도록 구성될 수 있다.Steps formed at the boundary 310 between the central portion CA and the outer portion S L may be configured such that some sections are vertical as shown in FIG. 4, or as a second embodiment of the cover plate 210. 5, some sections may be configured to form an inclined surface with respect to the substrate 10.

한편 상기 커버 플레이트(210)의 제3실시예로서, 도 6에 도시되 바와 같이, 외곽부는 가장자리 쪽으로 가면서 기판(10) 쪽으로 더 돌출되는 하나 이상의 단차가 추가로 형성될 수도 있다.Meanwhile, as a third embodiment of the cover plate 210, as illustrated in FIG. 6, one or more steps may be further formed to protrude toward the substrate 10 while going to the edge.

또한 상기 커버 플레이트(210)의 제4실시예로서, 도 7에 도시된 바와 같이, 외곽부(SL)의 저면은 중앙부(CA)의 경계(310)로부터 가장자리로 가면서 적어도 일부분이 수직거리가 감소하도록 구성될 수 있다. 특히 상기 외곽부(SL)의 저면은 적어도 중앙부(CA)의 경계(310)로부터 가장자리로 가면서 적어도 일부가 곡면을 이룰 수 있다.In addition, as a fourth embodiment of the cover plate 210, as shown in Figure 7, the bottom surface of the outer portion (S L ) is at least a portion of the vertical distance from the boundary 310 of the central portion (CA) to the edge Can be configured to reduce. In particular, the bottom of the outer portion (S L ) may be at least a part of the curved surface at least from the boundary 310 of the central portion (CA) to the edge.

한편 기판처리 후 기판(10)의 표면에 발생하는 색차가 가장자리에 위치된 기판(10)에 현저하게 발생하는바, 커버 플레이트(210)의 가장자리에 위치된 기판(10)을 기준기판이라고 할 때 중앙부(CA)와 외곽부(SL)의 경계(310)는 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 기준기판의 외곽부(CA) 쪽 가장자리(B)와 기준기판의 중앙선(C) 사이에 위치됨이 바람직하다.On the other hand, the color difference generated on the surface of the substrate 10 after substrate processing is remarkably generated on the substrate 10 positioned at the edge. When the substrate 10 positioned at the edge of the cover plate 210 is referred to as a reference substrate, As shown in FIGS. 2 and 4, the boundary 310 between the central portion CA and the outer portion S L is disposed between the edge portion B of the outer side CA of the reference substrate and the center line C of the reference substrate. Preferably located at.

즉, 상기 중앙부(CA)와 외곽부(SL)의 경계(310)는 기준기판에서 커버 플레이트(210)의 가장자리 방향의 가장자리(B)와 기준기판의 중앙선(C) 사이에 위치됨이 바람직하다.That is, the boundary 310 of the central portion CA and the outer portion S L may be located between the edge B of the edge direction of the cover plate 210 and the centerline C of the reference substrate in the reference substrate. Do.

특히 상기와 같은 구성을 가지는 커버부(200)를 사용하여 실험한 결과, 중앙부(CA)와 외곽부(SL)의 경계(310)가 기준기판의 외곽부(CA) 쪽 가장자리(B)와 기준기판의 중앙선(C) 사이에 위치된 경우보다 색차 개선효과가 현저하게 좋아짐을 확인하였다.In particular, the experiment using the cover 200 having the configuration described above, as a result, the boundary 310 of the central portion (CA) and the outer portion (S L ) is the outer edge (B) side of the reference substrate (B) and It was confirmed that the color difference improvement effect was remarkably better than the case where it was located between the center lines (C) of the reference substrate.

한편 상기 중앙부(CA)와 외곽부(SL)의 경계(310)가 기준기판의 중앙부(CA) 쪽 가장자리보다 중앙부(CA) 쪽에 위치되는 경우 색차 개선효과는 어느 정도 있으나 중앙부(CA) 쪽에 위치된 기판(10)의 표면에 개구부(211)의 패턴이 형성되거나,중앙부(CA) 쪽에 위치된 기판(10)에 색차가 여전히 남는 문제점이 있다.On the other hand, when the boundary 310 of the central portion CA and the outer portion S L is located toward the central portion CA rather than the edge of the central portion CA side of the reference substrate, the color difference improvement effect is somewhat but is located on the central portion CA side. The pattern of the opening 211 is formed on the surface of the substrate 10, or the color difference remains on the substrate 10 positioned on the central portion CA side.

또한 상기 중앙부(CA)와 외곽부(SL)의 경계(310)가 기준기판의 중앙선(C)에서 중앙부(CA)에 위치된 경우에도 색차 개선효과는 어느 정도 있으나 전체적으로 색차가 존재, 특히 가장자리에 위치된 기판과 나머지 기판들과의 색차가 존재하는 문제점이 있다.In addition, even when the boundary 310 between the central portion CA and the outer portion S L is located at the central portion CA at the center line C of the reference substrate, there is a color difference improvement effect, but the color difference exists in general, in particular, the edge There is a problem in that the color difference between the substrate positioned in and the remaining substrates exists.

상기 중앙부(CA)의 저면과 외곽부(SL)의 저면은 도 4 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 불연속구간 없이, 즉 각진 부분의 형성없이 완만하게 연결되는 것이 바람직하다. 상기 중앙부(CA)의 저면과 외곽부(SL)의 저면에 각진 부분이 형성되는 경우 각진 부분에서 아크가 발생되는 등 기판처리에 영향을 미칠 수 있기 때문이다.As shown in FIGS. 4 to 7, the bottom of the central portion CA and the bottom of the outer portion S L are smoothly connected without a discontinuous section, that is, without the formation of an angled portion. This is because when the angled portion is formed on the bottom surface of the central portion CA and the bottom surface of the outer portion S L , an arc may be generated in the angled portion, thereby affecting substrate processing.

또한 상기 외곽부(SL)의 두께를 ts라 하고 중앙부(CA)의 두께를 tp라 할 때, 1<ts/tp<2.0인 것이 바람직하다. 여기서 외곽부(SL) 및 중앙부(CA)가 일정한 두께를 가지지 않은 경우에는 평균값으로 계산한다.Further, when the thickness of the outer portion S L is t s and the thickness of the central portion CA is t p , it is preferable that 1 <t s / t p <2.0. Here, when the outer portion S L and the central portion CA do not have a constant thickness, the average value is calculated.

한편 상기와 같이, 상기 커버부(200)의 커버 플레이트(210)가 저면으로부터 기판(10)과의 수직거리가 중앙부(CA)보다 작은 수직거리를 가지는 외곽부(SL)를 형성하는 방법으로써 하나의 부재에 의하여 구성되는 것 이외에, 일정한 두께를 가지는 플레이트부재의 저면에 외곽부에 해당되는 부분에 별도의 외곽플레이트부재(미도시)를 결합시켜 구성될 수 있다.On the other hand, as described above, the cover plate 210 of the cover portion 200 as a method of forming an outer portion (S L ) having a vertical distance of the vertical distance from the bottom surface to the substrate 10 is smaller than the central portion (CA) In addition to being configured by one member, it may be configured by coupling a separate outer plate member (not shown) to a portion corresponding to the outer portion on the bottom of the plate member having a certain thickness.

상기 외곽플레이트부재는 저면으로부터 기판(10)과의 수직거리가 중앙부보다 작은 수직거리를 가지는 외곽부(SL)를 형성하기 위한 구성으로서 다양한 구성이 가능하며, 체결부재에 의한 결합, 용접, 코팅 등 다양한 방법에 의하여 플레이트부재에 결합될 수 있다.The outer plate member is configured to form an outer portion S L having a vertical distance from the bottom of the substrate 10 with a vertical distance smaller than the center portion, and various configurations are possible. It may be coupled to the plate member by a variety of methods.

그리고 상기 외곽플레이트부재는 기판처리의 종류에 따라서 플레이트부재와 같은 재질이 사용되거나 플레이트부재와 다른 재질이 사용될 수 있음은 물론이다.
The outer plate member may be made of the same material as the plate member or different materials from the plate member, depending on the type of substrate treatment.

한편 상기와 같이 상기 커버부(200)의 커버 플레이트(210)가 중앙부(CA)를 둘러싸며 저면으로부터 기판(10)과의 수직거리가 중앙부보다 작은 수직거리를 가지는 외곽부(SL)를 포함하여 구성되는 경우, 특히 중앙부(CA)와 외곽부(SL)의 경계(310)가 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 기준기판의 외곽부(CA) 쪽 가장자리(B)와 기준기판의 중앙선(C) 사이에 위치될 때, 도 5에 도시된 실시예의 커버부(200)를 사용하여 실험한 결과 도 3b에 도시된 개념도와 같이, 가장자리에 위치된 기판(10)의 표면에 형성되는 색차가 현저하게 개선됨을 확인하였다.Meanwhile, as described above, the cover plate 210 of the cover part 200 includes an outer portion S L having a vertical distance that surrounds the central portion CA and the vertical distance from the bottom surface to the substrate 10 is smaller than the central portion. In particular, the boundary 310 between the central portion CA and the outer portion S L is shown in FIGS. 2 and 4, and the edge B and the reference substrate toward the outer portion CA of the reference substrate. When located between the center line C of the test results using the cover portion 200 of the embodiment shown in Figure 5 formed on the surface of the substrate 10 located at the edge, as shown in the conceptual diagram shown in Figure 3b It was confirmed that the color difference is remarkably improved.

이는 종래기술의 경우 기판처리시 발생하는 화합물, 특히 실리콘 화합물의 밀도가 커버 플레이트(210)의 외곽부(SL), 특히 가장자리에 위치된 기판(10) 상의 실리콘 화합물의 밀도가 중앙부분의 밀도보다 낮아 도 3a와 같은 색차가 발생한 것으로 해석된다. 여기서 도 3a 및 도 3b는 실제 실험사진을 기준으로 개념적으로 도시한 것이다.In the case of the prior art, the density of the compound, in particular, the silicon compound, which occurs during substrate processing, is the density of the silicon compound on the outer portion S L of the cover plate 210, in particular, on the substrate 10 positioned at the edge. It is interpreted that the lower the color difference as shown in Figure 3a. 3A and 3B are conceptually illustrated based on actual experimental photographs.

따라서 본 발명에 따른 기판처리장치와 같이, 커버부(200)의 커버 플레이트(210)를 중앙부(CA)를 둘러싸며 저면으로부터 기판(10)과의 수직거리가 중앙부보다 작은 수직거리를 가지는 외곽부(SL)를 포함하고, 특히 중앙부(CA)와 외곽부(SL)의 경계(310)가 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 기준기판의 외곽부(CA) 쪽 가장자리(B)와 기준기판의 중앙선(C) 사이에 위치시킴으로써, 커버 플레이트(210)의 외곽부(SL), 특히 가장자리에 위치된 기판(10) 상의 실리콘 화합물의 밀도를 상대적으로 높임으로써 도 3b에 도시된 바와 같이 기판 표면상의 색차 발생을 방지효과를 극대화한 것으로 해석된다.Therefore, like the substrate processing apparatus according to the present invention, the cover plate 210 of the cover portion 200 surrounds the central portion CA and has an outer portion having a vertical distance smaller than the central portion from the bottom with a vertical distance from the substrate 10. (S L ), and in particular, the boundary 310 of the central portion CA and the outer portion S L is shown in FIGS. 2 and 4, and the edge portion B toward the outer portion CA of the reference substrate. 3B by placing it between the center line C of the reference substrate and the density of the silicon compound on the outer portion S L of the cover plate 210, in particular, the substrate 10 located at the edges, as shown in FIG. 3B. As described above, the effect of preventing color difference on the surface of the substrate is maximized.

즉, 본 발명은 상기와 같이 커버 플레이트(210)의 외곽부(SL)에서의 기판(10)과의 상대거리를 중앙부(CA)에 비하여 감소시킴으로써 중앙부(CA)에 대응되는 공간보다 외곽부(SL)에 대응되는 공간을 줄임으로써 화합물의 밀도를 상대적으로 높임으로써 외곽부(SL)에서의 기판(10)에 대한 미세요철의 형성을 촉진하여 색차형성을 방지할 수 있다.That is, the present invention reduces the relative distance to the substrate 10 at the outer portion S L of the cover plate 210 as compared to the central portion CA, thereby reducing the relative distance from the space corresponding to the central portion CA. By reducing the space corresponding to (S L ) by increasing the density of the compound relatively, it is possible to promote the formation of fine irregularities on the substrate 10 in the outer portion S L to prevent color difference formation.

한편 상기와 같은 구성을 가지는 기판처리장치에 의하여 수행되는 기판처리방법은 다음과 같이 수행될 수 있다.Meanwhile, the substrate treating method performed by the substrate treating apparatus having the above configuration may be performed as follows.

즉, 본 발명에 따른 기판처리방법은 기판지지대(130) 상에 트레이(30)를 통하여 n×m(n, m은 2 이상의 자연수)로 배열된 복수개의 기판(10)들 상에 커버부(30)를 복개한 상태에서 기판처리를 수행하는 것을 특징으로 한다.That is, in the substrate processing method according to the present invention, the cover part is formed on a plurality of substrates 10 arranged in n × m (n, m is two or more natural numbers) through the tray 30 on the substrate support 130. It is characterized in that the substrate treatment is performed in a state of covering 30).

여기서 상기 커버부(30)는 공정챔버(100) 내에 도입되기 전에 트레이(30)에 안착된 기판(10)들을 복개하거나, 공정챔버(100) 내에서 별도의 복개장치(미도시)에 의하여 기판(10)들을 복개할 수 있다.Here, the cover part 30 covers the substrates 10 seated on the tray 30 before being introduced into the process chamber 100, or by a separate cover device (not shown) in the process chamber 100. (10) can be repaid.

그리고 상기 기판처리는 다양한 공정이 가능하며, 앞서 설명한 바와 같이 반응성이온에칭에 의하여 태양전지로 사용되는 결정계 실리콘 기판, 특히 다결정계 실리콘 기판의 표면에 다수의 미세요철을 형성하는 공정이 될 수 있다.
In addition, the substrate treatment may be performed in various ways, and as described above, may be a process of forming a plurality of fine irregularities on the surface of a crystalline silicon substrate, particularly a polycrystalline silicon substrate, used as a solar cell by reactive ion etching.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다. Since the above has been described only with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, the scope of the present invention, as is well known, should not be construed as limited to the above embodiments, the present invention described above It will be said that both the technical idea and the technical idea which together with the base are included in the scope of the present invention.

10 : 기판 30 : 트레이
100 : 공정챔버 200 : 커버부10 substrate 30 tray
100: process chamber 200: cover part

Claims (12)

기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버 내부에 구비되며 복수개의 기판들이 m×n(m, n은 2 이상의 자연수)의 배열로 안착된 트레이를 지지하는 기판지지대와; 상하로 관통 형성된 다수의 개구부들이 형성되며 상기 기판과 간격을 가지고 상기 기판을 복개하는 커버 플레이트와, 상기 기판과 간격을 두고 설치될 수 있도록 상기 커버 플레이트를 지지하는 지지부를 포함하는 커버부를 포함하며,
상기 커버 플레이트는 중앙부와. 상기 중앙부를 둘러싸며 저면으로부터 상기 기판과의 수직거리가 상기 중앙부보다 작은 수직거리를 가지는 외곽부를 포함하며,
상기 트레이의 가장자리에 위치된 기판을 기준기판이라고 할 때 상기 중앙부와 외곽부의 경계는 상기 기준기판의 상기 외곽부 쪽 가장자리와 상기 기준기판의 중앙선 사이에 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A process chamber forming a processing space for substrate processing; A substrate support provided in the process chamber and supporting a tray in which a plurality of substrates are seated in an array of m × n (m, n is a natural number of two or more); A cover part including a cover plate covering the substrate at a distance from the substrate and having a plurality of openings formed therethrough, the support part supporting the cover plate so as to be installed at a distance from the substrate,
The cover plate has a central portion. And an outer portion surrounding the central portion and having a vertical distance from the bottom of the substrate with a vertical distance smaller than that of the central portion.
When the substrate located at the edge of the tray is referred to as a reference substrate, the boundary between the center portion and the outer portion is located between the outer edge of the reference substrate and the center line of the reference substrate. 청구항 1에 있어서,
상기 중앙부의 저면과 상기 외곽부의 저면은 불연속구간 없이 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
And a bottom surface of the center portion and a bottom surface of the outer portion are connected without a discontinuous section. 청구항 1에 있어서,
상기 외곽부는 저면이 기판 쪽으로 상기 중앙부보다 더 돌출되도록 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The outer portion is a substrate processing apparatus, characterized in that the bottom surface is formed to protrude more than the center portion toward the substrate. 청구항 1에 있어서,
상기 중앙부와 상기 외곽부의 경계는 단차가 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Substrate processing apparatus, characterized in that the step is formed in the boundary between the central portion and the outer portion. 청구항 4에 있어서,
상기 외곽부는 상기 기준기판의 상기 외곽부 쪽 가장자리와 상기 기준기판의 중앙선 사이에서 가장자리 쪽으로 가면서 기판 쪽으로 더 돌출되는 하나 이상의 단차가 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 4,
The outer substrate is a substrate processing apparatus, characterized in that at least one step further protrudes toward the substrate while going toward the edge between the outer edge of the reference substrate and the center line of the reference substrate. 청구항 1에 있어서,
상기 외곽부의 저면은 상기 중앙부의 경계로부터 상기 트레이의 가장자리 가장자리로 가면서 적어도 일부분이 저면으로부터 상기 기판과의 수직거리가 감소하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
And the bottom surface of the outer portion goes from the boundary of the center portion to the edge edge of the tray, at least a portion of which reduces the vertical distance from the bottom surface to the substrate. 청구항 6에 있어서,
상기 외곽부의 저면은 적어도 상기 중앙부의 경계로부터 가장자리로 가면서 적어도 일부가 곡면을 이루는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 6,
The bottom surface of the outer portion is at least a portion of the substrate processing apparatus characterized in that the curved surface going from the boundary of the center portion to the edge. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 커버 플레이트는 일정한 두께를 가지는 플레이트부재와, 상기 플레이트부재의 저면에 상기 외곽부에 해당되는 부분에 결합되는 외곽플레이트부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 1 to 7,
The cover plate includes a plate member having a predetermined thickness and an outer plate member coupled to a portion corresponding to the outer portion on the bottom surface of the plate member. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 외곽부의 평균두께를 ts라 하고 상기 중앙부의 평균두께를 tp라 할 때, 1<ts/tp<2.0인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein when the average thickness of the outer portion is t s and the average thickness of the central portion is t p , 1 <t s / t p <2.0. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 기판은 태양전지용 결정계 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 1 to 7,
The substrate is a substrate processing apparatus, characterized in that the solar cell crystalline silicon substrate. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 따른 기판처리장치의 커버부인 커버부재.A cover member which is a cover part of the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 따른 기판처리장치에 의한 기판처리방법으로서,
상기 커버부를 복개한 상태에서 상기 기판의 표면에 다수의 미세요철을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.A substrate treating method by a substrate treating apparatus according to any one of claims 1 to 7,
And forming a plurality of fine irregularities on the surface of the substrate in a state in which the cover part is covered.
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