KR20120073684A - Pocket structure for susceptor - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 abstract description 28
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 abstract description 7
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 9
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting substrates others than wafers, e.g. chips
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
Description
본 발명은 서셉터의 포켓 구조에 관한 것으로, 보다 상세하게는 엘이디 제조용 기판을 지지하는 서셉터의 포켓 구조에 관한 것이다.
The present invention relates to a pocket structure of the susceptor, and more particularly to a pocket structure of the susceptor for supporting the substrate for LED production.
일반적으로, 엘이디 제조를 위해 사용되는 사파이어 기판은 그 직경이 2inch, 4inch, 6inch로 반도체 제조용 기판에 비해 그 크기가 소형이다. 이러한 소형의 사파이어 기판에 엘이디를 제조하기 위한 공정을 진행할 때, 생산성의 향상을 위해 다수의 사파이어 기판을 실장하는 포켓을 구비하여, 다수의 기판을 동시에 공정 처리할 수 있는 서셉터를 사용한다.
In general, the sapphire substrate used for LED production is 2 inches, 4 inches, 6 inches in diameter compared to the semiconductor manufacturing substrate is small in size. When a process for manufacturing LEDs is carried out on such a small sapphire substrate, a susceptor having a pocket for mounting a plurality of sapphire substrates in order to improve productivity is used to process a plurality of substrates at the same time.
상기 서셉터는 통상 그라파이트(graphite)로 제조되며, 상기 그라파이트는 엘이디 제조공정에서 이물이 발생될 염려가 있어 최근 SiC 등의 세라믹으로 외면을 코팅하여 사용하고 있다.
The susceptor is usually made of graphite (graphite), there is a fear that foreign matter is generated in the LED manufacturing process has recently been used by coating the outer surface with a ceramic, such as SiC.
상기 SiC로 코팅된 그라파이트 소재의 서셉터는 내열성, 내화학성이 우수하여 서셉터의 사용수명을 연장시킬 수 있으나, 국부적인 SiC 코팅층의 손상에 의해서도 그 내측의 그라파이트가 노출되기 때문에 사용할 수 없어 취급에 주의가 요구된다.
The susceptor of graphite material coated with SiC is excellent in heat resistance and chemical resistance, which can extend the service life of the susceptor, but cannot be used because the inner graphite is exposed by damage to the local SiC coating layer. Attention is required.
도 1은 종래 서셉터의 포켓과 그 포켓에 기판이 수용된 상태의 단면 구성도이다.1 is a cross-sectional configuration of a conventional susceptor pocket and the substrate is accommodated in the pocket.
도 1을 참조하면 종래 서셉터의 포켓(P)은, 그라파이트 소재의 바디부(1)에 마련되어 기판(S)을 수용하는 홈이며, 그 측면은 바닥의 지름(R2)이 입구의 지름(R1)보다 더 크도록 경사져 있다. Referring to FIG. 1, the pocket P of the conventional susceptor is a groove provided in the
상기 포켓(P)이 마련된 바디부(1)의 전면은 SiC 소재의 코팅층(2)으로 코팅되어, 내구성을 보다 향상시키며, LED 제조공정 등이 진행될 때 이물의 발생을 방지하는 역할을 한다.
The front surface of the body portion (1) provided with the pocket (P) is coated with a coating layer (2) of SiC material, further improves durability, and serves to prevent the generation of foreign objects when the LED manufacturing process and the like proceeds.
상기 포켓(P)의 깊이는 기판(S)의 깊이에 비하여 더 깊어, 그 기판(S)이 완전히 수용될 수 있게 된다. 상기 포켓(P)의 입구 부분의 지름(R1)은 기판(S)의 지름에 비하여 약간 더 큰 정도이며, 상기 포켓(P)의 측면부가 경사져 있기 때문에 수용된 기판(S)의 측면으로는 빈공간이 위치하게 된다.The depth of the pocket P is deeper than the depth of the substrate S, so that the substrate S can be completely accommodated. The diameter R1 of the inlet portion of the pocket P is slightly larger than the diameter of the substrate S. Since the side portion of the pocket P is inclined, an empty space is provided on the side of the substrate S accommodated. Will be located.
이러한 빈공간인 캐비티(3)는 공정중 가열되는 공기가 있어, 그 기판(S)의 온도를 일정하게 유지하는 역할을 하게 된다.
The
상기와 같이 포켓(P)에 기판(S)이 수용된 상태로 공정이 진행되는 동안 상기 바디부(1)와 코팅층(2)으로 이루어지는 서셉터는 회전하게 된다. 이 예에서는 기판(S)이 서셉터의 포켓에 직접 수용되는 것으로 설명하였으나, 서셉터의 구조에 따라 서셉터 본체에는 다수의 위성체(Satellite)가 회전가능하게 삽입되는 대형의 포켓이 마련되며, 기판은 그 위성체에 마련된 포켓에 수용될 수 있다.As described above, the susceptor made of the
그러나 포켓이 서셉터에 직접 마련되거나, 위성체에 마련되는 경우에 무관하게 기판이 수용되는 포켓의 구조는 동일하다.
However, the structure of the pocket in which the substrate is accommodated is the same regardless of whether the pocket is provided directly on the susceptor or provided to the satellite.
이와 같이 기판(S)이 포켓(P)에 수용된 상태로 서셉터가 회전하는 동안, 그 기판(S)의 상부모서리가 포켓(P)의 상단돌출부(4)의 하부에 충돌하게 된다.In this way, while the susceptor rotates while the substrate S is accommodated in the pocket P, the upper edge of the substrate S collides with the lower portion of the
이는 포켓(P)의 크기가 기판(S)의 크기보다 더 크며, 회전시 기판(S)을 고정하는 수단이 없기 때문이다.
This is because the size of the pocket P is larger than the size of the substrate S, and there is no means for fixing the substrate S during rotation.
이러한 기판(S)과 포켓(P)의 상단돌출부(4) 사이에 충돌로 인한 물리적인 충격에 의하여 상기 상단돌출부(4)를 이루는 코팅층(2)이 손상될 수 있으며, 이에 의해 그 내부의 바디부(1)가 노출되어 공정의 진행과정에서 이물이 발생할 수 있다.The
또한 상기 상단돌출부(4)에서 치핑(chipping)되는 코팅층(2) 자체가 공정의 오염원으로 작용하여, 수율을 저하시키는 원인이 된다.
In addition, the
상기 상단돌출부(4)를 이루는 바디부(1)는 예각이며, 그 예각인 바디부(1)에 코팅되는 코팅층(2)은 그 코팅의 결합력이 평면부분에 비하여 더 약하기 때문에 쉽게 박리되는 현상이 발생될 수 있다.
The
또한 상기와 같은 기판(S)과의 충돌 외에도, 공정의 진행 후 상기 포켓(P)으로부터 기판(S)을 인출하는 과정에서 상기 상단돌출부(4)의 코팅층(2)이 치핑 또는 박리되는 경우가 발생할 수 있다.In addition to the collision with the substrate S as described above, the
상기 포켓(P)의 내에 완전 수용된 기판(S)의 상면은 서셉터의 상면인 포켓(P) 밖의 코팅층(2)의 상면에 비하여 더 낮은 위치에 있기 때문에 인출기구를 상기 포켓(P)과 기판(S)의 사이에 넣고, 그 상단돌출부(4)에 인출기구가 지지되도록 한 상태에서 기판(S)을 들어 올려 인출하게 된다.
Since the upper surface of the substrate S completely accommodated in the pocket P is located at a lower position than the upper surface of the
이 과정에서 인출기구에 눌려진 상단돌출부(4)는 지속적으로 반복되는 압력에 의하여 치핑되어, 그 내측의 그라파이트 재질의 바디부(1)를 노출시키는 문제점이 있었다.
In this process, the
이와 같은 상단돌출부(4)의 치핑에 의해, 그라파이트 바디부(1)가 노출된 서셉터는, 제조공정에서 이물을 발생시키기 때문에 사용할 수 없으며, 그 수명이 다 한 것으로 폐기하기 때문에 서셉터의 수명이 짧아 제조비용을 증가시키는 원인이 된다.By the chipping of the
특히, 상단돌출부(4)는 기판(S)이 접촉되는 접촉면이며 또한 인출기구를 사용할 때 인출기구의 지지면으로 작용하기 때문에 지속적이고 반복적인 물리적인 압력이 가해지기 때문에 코팅층(2)의 치핑이 더 잘 일어나게 된다.
In particular, the
상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 그라파이트 소재의 바디부에 SiC 코팅층을 코팅한 서셉터의 포켓에서 그 코팅층이 치핑되는 것을 방지할 수 있는 서셉터의 포켓 구조를 제공함에 있다.
The problem to be solved by the present invention in consideration of the above problems is to provide a pocket structure of the susceptor that can prevent the coating layer from chipping in the pocket of the susceptor coated with a SiC coating layer on the body of the graphite material. .
상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명 서셉터의 포켓 구조는, 바디부 상에 코팅층이 코팅되며, 포켓에 기판을 수용하는 서셉터에 있어서, 상기 포켓의 측면은, 입구와 바닥면의 지름이 중앙부의 지름에 비해 더 크도록 상기 측면 중앙부에서 돌출되어 상기 기판의 측면에 접촉되는 접촉면을 가지는 경사면이며, 상기 바닥면과 상기 측면의 경계 부분에서 포켓의 외측방향으로 하향 연장되는 캐비티를 포함한다.
Pocket structure of the susceptor of the present invention for solving the above problems, the coating layer is coated on the body portion, the susceptor for receiving the substrate in the pocket, the side of the pocket, the diameter of the inlet and the bottom surface It is an inclined surface having a contact surface protruding from the side center portion to be in contact with the side surface of the substrate so as to be larger than the diameter of the center portion, and comprises a cavity extending downward in the outward direction of the pocket at the boundary portion of the bottom surface and the side surface.
본 발명 서셉터의 포켓 구조는, 서셉터가 회전할 때 기판이 접하는 포켓의 측면부 접촉면을 둔각이 되도록하여, 그 접촉면에서의 그라파이트 바디에 코팅되는 코팅층의 결합력을 향상시켜 치핑을 방지함으로써, 서셉터의 수명을 보다 증가시킬 수 있는 효과가 있다.The pocket structure of the susceptor of the present invention makes the side contact surface of the pocket contacted with the substrate when the susceptor rotate to an obtuse angle, thereby improving the bonding force of the coating layer coated on the graphite body at the contact surface, thereby preventing chipping. There is an effect that can increase the life of the more.
또한 본 발명 서셉터의 포켓 구조는, 포켓에 수용된 기판의 측면부가 노출되도록 함과 아울러 인출기구가 접하는 지지면이 둔각이 되도록 함으로써, 인출기구의 사용시 지지면의 코팅층이 치핑되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, the pocket structure of the susceptor of the present invention, by exposing the side surface of the substrate accommodated in the pocket and the support surface that the extraction mechanism is in contact with the obtuse angle, it is possible to prevent the coating layer of the support surface chipping when using the extraction mechanism. It works.
아울러 상기 포켓의 기판이 접촉되는 접촉면과 인출기구를 지지하는 지지면을 분리하여, 동일 부분에 지속적이고 반복적인 물리적 압력이 가해지는 것을 방지함으로써, 코팅층의 치핑으로 그 내부의 그라파이트 바디부가 노출되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
In addition, by separating the contact surface contacting the substrate of the pocket and the support surface for supporting the extraction mechanism, to prevent the continuous and repetitive physical pressure is applied to the same portion, it is to be exposed that the graphite body portion therein by chipping of the coating layer There is an effect that can be prevented.
도 1은 종래 서셉터의 포켓 단면 구성도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 서셉터의 포켓 단면 구성도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 서셉터 포켓으로부터 기판을 인출하는 과정을 보인 모식도이다.1 is a cross-sectional configuration diagram of a conventional susceptor.
2 is a cross-sectional view illustrating a pocket of a susceptor according to a preferred embodiment of the present invention.
3 is a schematic view showing a process of withdrawing a substrate from the susceptor pocket according to a preferred embodiment of the present invention.
이하, 상기와 같은 본 발명 서셉터의 포켓 구조의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
Hereinafter, with reference to the accompanying drawings a preferred embodiment of the pocket structure of the susceptor of the present invention as described above will be described in detail.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 서셉터의 포켓 단면 구성도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a pocket of a susceptor according to a preferred embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 서셉터의 포켓(30)은, 그라파이트 소재의 바디부(10)와 그 바디부(10)의 전면에 코팅된 SiC 소재의 코팅층(20)을 포함하는 서셉터의 상면에 홈의 형태로 마련되되, 입구의 지름(R1)과 바닥면의 지름(R3)보다 중앙부의 지름(R2)이 더 작도로 마련되어, 그 중앙측에서 수용된 기판(S)의 측면에 접촉되는 접촉면(31)을 가지도록 구성된다.Referring to FIG. 2, the susceptor's
상기 포켓(30)은 측면과 바닥면의 경계 부분에 경사진 홈인 캐비티(32)가 마련되어 있다.
The
이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 서셉터의 포켓 구조와 그 작용에 대해서 보다 상세히 설명한다.
Hereinafter, the pocket structure of the susceptor according to the preferred embodiment of the present invention configured as described above and its operation will be described in more detail.
먼저, 본 발명이 적용되는 서셉터는 그라파이트 소재의 바디부(10)와, 그 바디부(20) 상에 코팅된 SiC 소재의 코팅층(20)을 포함한다.First, the susceptor to which the present invention is applied includes a
본 발명의 포켓(30)의 형상은 상기 바디부(10)에 홈의 형태로 마련되며, 그 포켓(30) 부분의 바디부(10) 전체에도 코팅층(20)이 코팅되어 있다.
The shape of the
상기 포켓(30)은 상면에서 볼 때 엘이디 제조용 기판(S)이 수용할 수 있는 원형이며, 그 측면은 경사방향이 다른 이중의 경사면을 가진다. 즉 중앙부의 지름(R2)이 입구부의 지름(R1)과 바닥면의 지름(R3)에 비하여 더 작도록 그 측면의 중앙부가 돌출되며, 그 돌출된 부분의 끝단이 기판(S)과 접촉되는 접촉면(31)을 이룬다.
The
상기 접촉면(31)은 기판(S)의 측면과 접하되, 그 기판(S)의 측면 높이의 절반 이하가 되는 부분에서 접하도록 한다. 도면에서는 상기 접촉면(31)이 기판(S)과 접하는 높이(h)는 전체 기판(S)의 높이(3h)의 1/3 수준으로 도시하였다.The
이는 하나의 실시예이며 상기 접촉면(31)과 기판(S)이 접하는 부분의 높이는 기판(S) 두께의 1/4에서 1/2의 수준에서 선택적으로 구성할 수 있다.
This is one embodiment and the height of the
상기 접촉면(31)이 기판(S) 높이의 절반 이하에 위치하게 됨에 따라, 그 접촉면(31)을 둔각으로 할 수 있으며, 그 둔각인 접촉면(31) 부분의 바디부(10)에 코팅된 코팅층(20)의 결합력은 예각인 부분의 코팅에 비하여 더 견고한 결합력을 가지게 된다.As the
상기 접촉면(31)이 이루는 각(θ2)은 91 내지 144도로서 둔각이며, 상기 코팅층(20)의 바디부(10)와 접하는 부분인 저면부와 상기 기판(S)과 접촉되는 부분인 상면부 사이의 응력이 감소하며, 코팅층(20)의 결합력이 종래 예각인 접촉면에 비하여 보다 향상된다.
An angle θ2 formed by the
따라서 상기 포켓(30)에 기판(S)이 수용된 상태에서 바디부(10)와 코팅층(20)을 포함하는 서셉터가 회전하는 동안, 그 기판(S)이 접촉면(31)에 접촉되어도 쉽게 코팅층(20)의 치핑현상이 발생하지 않게 된다.
Therefore, while the susceptor including the
그리고 포켓(30)의 바닥면과 측면부의 경계는 상기 기판(S)의 측면인 가상의 수직선(y)를 기준으로 외측 하향으로 경사진 캐비티(32)가 마련되어 있다. 상기 캐비티(32)는 수직선(y)과 이루는 각(θ1)이 35 내지 55도이며, 그 캐비티(32)의 입구측에 기판(S)의 저면 가장자리가 일부 삽입되도록 포켓(30)의 바닥면 가장자리까지 함입된 구조를 가진다.
The bottom surface of the
상기 캐비티(32)는 기판(S)이 수용된 상태에서 공정이 진행될 때 공기를 보유 및 유지하게 되며, 그 기판(S)의 온도 균일성을 높일 수 있다. 종래에는 기판(S)과 포켓(30)의 측면 하부측의 사이에 캐비티를 마련해 두었으나, 본 발명에서는 접촉면(31)의 위치가 낮아짐에 따라 적정한 공간인 캐비티(32)를 포켓(30)의 바닥면과 측면의 경계부분에서 포켓(30)의 외측방향으로 가공하여 형성한다.
The
이와 같은 구조에 의해 접촉면(31)의 코팅층(20) 치핑을 방지하고, 열적안정성을 보장하여 기판(S)을 지지하면서 원활한 엘이디 제조공정이 이루어질 수 있도록 한다.
By such a structure, chipping of the
상기와 같이 공정이 진행된 후, 그 기판(S)은 상기 포켓(30)으로부터 인출된다.
After the process proceeds as described above, the substrate S is drawn out from the
도 3은 본 발명에 따른 서셉터의 포켓 구조에서 기판을 인출하는 과정을 보인 모식도이다.3 is a schematic diagram showing a process of withdrawing a substrate in the pocket structure of the susceptor according to the present invention.
도 3을 참조하면, 상기 접촉면(31)이 기판(S)의 절반 이하의 높이에서 위치하기 때문에 그 기판(S)의 측면 상부측이 노출되어 있으며, 따라서 바형의 인출기구(40)를 그 노출된 기판(S)에 접촉시키며, 상기 인출기구(40)를 기울여 지지면(33)에 접촉시켜 기판(S)의 일측을 포켓(30)으로부터 인출할 수 있게 된다.
Referring to FIG. 3, since the
이와 같은 구조에서 상기 인출기구(40)를 지지하는 포켓(30)의 입구측 가장자리인 지지면(33)은 인출기구(40)에 의한 물리적인 압력이 작용하게 되나, 도 2에 도시한 바와 같이 그 지지면(33)이 이루는 각(θ3)도 91 내지 144도의 둔각으로, 지지면(33)의 코팅층(20) 자체의 응력이 낮으며, 그 하부의 바디부(10)와 견고한 결합이 이루어진 상태이므로 쉽게 치핑되지 않게 된다.
In this structure, the
또한 본 발명은 기판(S)이 접촉되는 접촉면(31)과 인출기구(40)가 접촉되는 지지면(33)을 각기 다른 위치로 분산시킴으로써, 종래와 같이 동일 위치에 기판과 인출기구에 의한 물리적인 압력이 지속적, 반복적으로 가해지는 것을 방지하여 접촉면(31) 및 지지면(33)의 치핑 현상을 방지할 수 있게 된다.
In addition, the present invention by dispersing the
전술한 바와 같이 본 발명에 따른 서셉터의 포켓 구조에 대하여 바람직한 실시예를 들어 상세히 설명하였지만, 본 발명은 전술한 실시예들에 한정되는 것이 아니고, 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명에 속한다.
As described above, the pocket structure of the susceptor according to the present invention has been described in detail with reference to a preferred embodiment, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings It is possible to carry out various modifications within the scope of this also belongs to the present invention.
10:바디부 20:코팅층
30:포켓 31:접촉면
32:캐비티 33:지지면10: body 20: coating layer
30: pocket 31: contact surface
32: Cavity 33: Ground
Claims (6)
상기 포켓의 측면은, 입구와 바닥면의 지름이 중앙부의 지름에 비해 더 크도록 상기 측면 중앙부에서 돌출되어 상기 기판의 측면에 접촉되는 접촉면을 가지는 경사면이며,
상기 바닥면과 상기 측면의 경계 부분에서 포켓의 외측방향으로 하향 연장되는 캐비티를 포함하는 서셉터의 포켓 구조.
In the susceptor is coated on the body portion, the susceptor for receiving the substrate in the pocket,
The side surface of the pocket is an inclined surface having a contact surface protruding from the side central portion to contact the side of the substrate so that the diameter of the inlet and the bottom surface is larger than the diameter of the central portion,
And a cavity extending downward in the outward direction of the pocket at a boundary portion between the bottom surface and the side surface.
상기 포켓의 측면 상부와 상기 서셉터의 상면의 경계부에는 상기 기판을 인출하는 인출기구를 지지하는 지지면이며,
상기 지지면을 상기 접촉면과 분리하여 물리적인 압력의 작용 위치를 분산시키는 것을 특징으로 하는 서셉터의 포켓 구조.
The method of claim 1,
On the boundary between the upper side of the pocket and the upper surface of the susceptor is a support surface for supporting the take-out mechanism for taking out the substrate,
And the support surface is separated from the contact surface to disperse the position of action of the physical pressure.
상기 접촉면은,
상기 기판 두께의 1/4 내지 1/2의 높이에서 상기 기판의 측면에 접촉되는 것을 특징으로 하는 서셉터의 포켓 구조.
The method according to claim 1 or 2,
The contact surface,
A susceptor's pocket structure in contact with the side of the substrate at a height of 1/4 to 1/2 of the substrate thickness.
상기 접촉면은 91 내지 144도의 내각을 이루는 것을 특징으로 하는 서셉터의 포켓 구조.
The method of claim 3,
The contact surface is a pocket structure of the susceptor, characterized in that forming an angle of 91 to 144 degrees.
상기 캐비티는,
상기 기판의 측면에 대하여 35 내지 55도의 경사각을 가지도록 하향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 서셉터의 포켓 구조.
The method of claim 4, wherein
The cavity
The pocket structure of the susceptor, characterized in that it extends downward to have an inclination angle of 35 to 55 degrees with respect to the side of the substrate.
상기 지지면은 91 내지 144도의 내각을 이루는 것을 특징으로 하는 서셉터의 포켓 구조.
The method of claim 4, wherein
The support surface is a pocket structure of the susceptor, characterized in that forming an internal angle of 91 to 144 degrees.
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---|---|---|---|
KR1020100135515A KR20120073684A (en) | 2010-12-27 | 2010-12-27 | Pocket structure for susceptor |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180034052A (en) * | 2016-09-27 | 2018-04-04 | 엘지이노텍 주식회사 | Apparatus and method for manufacturing epitaxial wafer |
-
2010
- 2010-12-27 KR KR1020100135515A patent/KR20120073684A/en not_active Application Discontinuation
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