KR20120068393A - Light emitting device package - Google Patents

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KR20120068393A KR1020100130000A KR20100130000A KR20120068393A KR 20120068393 A KR20120068393 A KR 20120068393A KR 1020100130000 A KR1020100130000 A KR 1020100130000A KR 20100130000 A KR20100130000 A KR 20100130000A KR 20120068393 A KR20120068393 A KR 20120068393A
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최선
최기원
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삼성엘이디 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A light emitting device package is provided to improve light reflection efficiency by increasing a reflective region on an exposed metal plate surrounding a light emitting device chip. CONSTITUTION: A printed circuit board(110) is laminated by a metal plate, an insulating layer, and an electrode wiring pattern. A light emitting device chip(120) is arranged on a region exposed by the electrode wiring pattern on the printed circuit board. An electrode wiring pattern(116) includes a first electrode and a second electrode facing each other across the light emitting device chip. The first electrode and the second electrode include an extension part respectively extended to the light emitting device chip. A wire connects the extension part and the light emitting device chip.

Description

발광소자 패키지{Light emitting device package}A light emitting device package

본 개시는 인쇄회로기판을 이용한 발광소자 패키지에서 금속 플레이트의 상면을 반사면으로 이용한 발광소자 패키지에 관한 것이다. The present disclosure relates to a light emitting device package using a top surface of a metal plate as a reflective surface in a light emitting device package using a printed circuit board.

발광다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN접합을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 색의 광을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다. 이러한 LED는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 광의 지향성이 강하여 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 이러한 LED는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 패키징할 수 있어, 여러가지 용도로 적용이 가능하다. A light emitting diode (LED) refers to a semiconductor device capable of realizing various colors of light by forming a light emitting source through a PN junction of a compound semiconductor. These LEDs have a long life, can be miniaturized and lightweight, and has a strong directivity of light, thereby enabling low voltage driving. In addition, the LED is resistant to shock and vibration, does not require preheating time and complicated driving, and can be packaged in various forms, and thus it can be applied to various applications.

발광소자 패키지는 LED와 같은 발광소자칩을 형광체와 렌즈 등과 함께 리드 프레임 등에 실장하여 제작된다. The light emitting device package is manufactured by mounting a light emitting device chip such as an LED together with a phosphor and a lens in a lead frame.

인쇄회로기판을 이용한 발광소자 패키지는 인쇄회로기판의 배선패턴과 실장되는 발광소자칩을 와이어 본딩으로 전기적으로 연결한다. 배선패턴과 발광소자칩 사이의 와이어의 길이의 제한으로 발광소자칩을 둘러싸는 인쇄회로기판의 금속 플레이트의 면적이 좁아서 발광효율이 낮아질 수 있다. The light emitting device package using the printed circuit board electrically connects the wiring pattern of the printed circuit board and the light emitting device chip to be mounted by wire bonding. Due to the limitation of the length of the wire between the wiring pattern and the light emitting device chip, the area of the metal plate of the printed circuit board surrounding the light emitting device chip is narrow, thereby lowering the luminous efficiency.

발광소자칩을 둘러싸는 인쇄회로기판의 금속플레이트의 노출영역을 증가시켜서 발광효율을 향상시킨 발광소자 패키지를 제공한다. Provided is a light emitting device package having improved light emission efficiency by increasing an exposed area of a metal plate of a printed circuit board surrounding a light emitting device chip.

일 실시예에 따른 발광소자 패키지는: The light emitting device package according to one embodiment:

금속플레이트, 절연층, 및 전극배선패턴으로 적층된 인쇄회로기판; 및A printed circuit board laminated with a metal plate, an insulating layer, and an electrode wiring pattern; And

상기 인쇄회로기판에서 상기 전극배선패턴에 의해서 노출된 영역에 배치된 발광소자칩을 구비하며, A light emitting device chip disposed in an area of the printed circuit board exposed by the electrode wiring pattern;

상기 전극배선패턴은 상기 발광소자칩을 사이에 두고 서로 마주보는 제1전극 및 제2전극을 구비하며, 상기 제1전극 및 상기 제2전극은 각각 상기 발광소자칩을 향해 연장된 연장부를 구비하며, 상기 연장부 및 상기 발광소자칩을 연결하는 와이어를 더 구비한다. The electrode wiring pattern may include a first electrode and a second electrode facing each other with the light emitting device chip interposed therebetween, and the first electrode and the second electrode may each have an extension extending toward the light emitting device chip. And a wire connecting the extension part and the light emitting device chip.

상기 전극배선패턴과 상기 절연층은 상기 발광소자칩 및 상기 제1전극 및 제2전극 사이의 상기 금속플레이트의 제1영역을 노출시키도록 패터닝된다. The electrode wiring pattern and the insulating layer are patterned to expose the first region of the metal plate between the light emitting device chip and the first electrode and the second electrode.

상기 제1영역은 상기 연장부를 둘러싸서 광반사영역을 확대하도록 형성된다. The first region is formed to enclose the extension to enlarge a light reflection region.

상기 발광소자칩은 복수의 발광소자칩이다. The light emitting device chip is a plurality of light emitting device chips.

상기 금속플레이트는 알루미늄 또는 구리로 형성된다.The metal plate is formed of aluminum or copper.

개시된 실시예에 따르면, 발광소자 패키지는 발광소자칩과 전극 사이를 연결하는 와이어의 길이에 제한되지 않고 발광소자칩을 둘러싸는 노출된 금속플레이트의 반사영역을 증가시킴으로써 광반사효율이 향상된다. According to the disclosed embodiment, the light emitting device package is not limited to the length of the wire connecting the light emitting device chip and the electrode, and the light reflection efficiency is improved by increasing the reflective region of the exposed metal plate surrounding the light emitting device chip.

또한, 광반사영역을 증가시킴에 있어서, 와이어의 길이를 감소시키므로, 고가의 와이어의 사용량을 줄이며, 와이어의 파손 등에 의한 결함을 감소시킬 수 있다In addition, in increasing the light reflection area, since the length of the wire is reduced, the amount of expensive wire used can be reduced, and defects due to breakage of the wire can be reduced.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판을 이용한 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II' 선단면의 일부를 도시한 도면이다.
도 3은 도 1의 일부 확대도이다.
도 4는 본 발명의 실시예의 발광소자 패키지의 구조와 비교되는 예의 발광소자 패키지의 개략적 평면도이다.1 is a plan view of a light emitting device package using a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view illustrating a portion of the II-II ′ front end surface of FIG. 1. FIG.
3 is an enlarged view of a portion of FIG. 1.
4 is a schematic plan view of an example light emitting device package compared with the structure of the light emitting device package of the embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다. 명세서를 통하여 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this process, the thicknesses of layers or regions illustrated in the drawings are exaggerated for clarity. Throughout the specification, the same reference numerals are used for substantially the same components, and detailed descriptions thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판을 이용한 발광소자 패키지(100)의 평면도이다. 도 2는 도 1의 II-II' 선단면의 일부를 도시한 도면이다. 도 1에서는 편의상 일부 구성요소를 생략하였다. 1 is a plan view of a light emitting device package 100 using a printed circuit board according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view illustrating a portion of the II-II ′ front end surface of FIG. 1. FIG. In FIG. 1, some components are omitted for convenience.

도 1 및 도 2를 함께 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 인쇄회로기판(110) 상에 배치되는 발광소자칩(120)과, 발광소자칩(120)을 덮는 봉지재(130) 및 렌즈(140)를 구비한다. 1 and 2, the light emitting device package 100 includes a light emitting device chip 120 disposed on a printed circuit board 110, an encapsulant 130 and a lens covering the light emitting device chip 120. 140.

인쇄회로기판(110)은 금속플레이트(112), 절연층(114), 전극배선패턴(116)이 순차적으로 적층된 구조를 가진다. 전극배선패턴(116)은 금속층(예컨대 구리층)이 패터닝되어 형성된 것으로 전류공급배선을 형성한다. The printed circuit board 110 has a structure in which the metal plate 112, the insulating layer 114, and the electrode wiring pattern 116 are sequentially stacked. The electrode wiring pattern 116 is formed by patterning a metal layer (for example, a copper layer) to form a current supply wiring.

절연층(114)은 PSR(Photo Solder Resist 혹은 Photo imageable Solder Resist)로 형성될 수 있다. 절연층(114)은 전극배선패턴(116)과 금속플레이트(112)의 전기적 접촉을 방지하도록 형성된다. 발광소자칩(120)은 금속플레이트(112) 상에 배치되어서 전극배선패턴(116)과 와이어(122)로 와이어 본딩된다. 발광소자칩(120)과 금속플레이트(112) 사이는 도전성 또는 비도전성 접착제(미도시)가 도포되어 이들을 본딩할 수 있다. 발광소자칩(120)은 복수개로 배치될 수 있다. The insulating layer 114 may be formed of PSR (Photo Solder Resist or Photo imageable Solder Resist). The insulating layer 114 is formed to prevent electrical contact between the electrode wiring pattern 116 and the metal plate 112. The light emitting device chip 120 is disposed on the metal plate 112 and wire-bonded to the electrode wiring pattern 116 and the wire 122. A conductive or nonconductive adhesive (not shown) may be applied between the light emitting device chip 120 and the metal plate 112 to bond them. The light emitting device chip 120 may be arranged in plurality.

인쇄회로기판(110) 상에는 발광소자칩(120)을 둘러싸는 봉지댐(132)과, 봉지댐(132)을 둘러싸는 렌즈댐(142)이 설치된다. 봉지댐(132)과 렌즈댐(142)은 절연물질, 예컨대 PSR로 형성될 수 있다. The encapsulation dam 132 surrounding the light emitting device chip 120 and the lens dam 142 enclosing the encapsulation dam 132 are provided on the printed circuit board 110. The encapsulation dam 132 and the lens dam 142 may be formed of an insulating material, for example, PSR.

봉지재(130)는 봉지댐(132) 내에 발광소자칩(120)을 덮도록 형성된다. 봉지재(130)는 에폭시 수지 등으로 형성될 수 있다. 봉지재(130)에는 형광물질이 포함될 수 있다. The encapsulant 130 is formed to cover the light emitting device chip 120 in the encapsulation dam 132. The encapsulant 130 may be formed of an epoxy resin or the like. The encapsulant 130 may include a fluorescent material.

렌즈(140)는 렌즈댐(142) 내에서 봉지재(130)를 덮도록 형성된다. 렌즈(140)는 발광소자칩(120)으로부터의 광을 외부로 방출시 확산시켜주기 위한 것으로 볼록렌즈 형상이다. 렌즈(140)는 에폭시 수지 등으로 형성될 수 있다. The lens 140 is formed to cover the encapsulant 130 in the lens dam 142. The lens 140 has a convex lens shape for diffusing light from the light emitting device chip 120 to the outside. The lens 140 may be formed of an epoxy resin or the like.

참조번호 150은 금속배선패턴(116)의 일부를 덮는 절연층이며, 151, 152는 각각 제1전극(116a) 및 제2전극(116b)와 연결되는 커넥터(터미널)이다. 커넥터(151, 152)는 절연층(150)의 하부에서 제1전극(116a) 및 제2전극(116b)과 연결된다. Reference numeral 150 is an insulating layer covering a part of the metal wiring pattern 116, and 151 and 152 are connectors (terminals) connected to the first electrode 116a and the second electrode 116b, respectively. The connectors 151 and 152 are connected to the first electrode 116a and the second electrode 116b under the insulating layer 150.

도 3은 도 1의 일부 영역(일점쇄선으로 표시된 영역)의 확대도이다. FIG. 3 is an enlarged view of a portion of the region (indicated by a dashed line) of FIG. 1.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 전극배선패턴(116)은 발광소자칩(120)을 둘러싸는 전극을 구비한다. 전극은 +전압을 인가하는 제1전극(116a)과 -전암을 인가하는 제2전극(116b)으로 이루어진다. 제1전극(116a)과 제2전극(116b)은 서로 이격된다. 제1전극(116a)과 제2전극(116b)은 각각 대면되는 발광소자칩(120)과 와이어(122)로 와이어 본딩된다. 인접한 발광소자칩(120)도 도 2에서처럼 와이어 본딩되며, 따라서 각 발광소자칩(120)에는 제1전극(116a)과 제2전극(116b)이 직접적으로 또는 간접적으로 연결된다. 1 to 3, the electrode wiring pattern 116 includes an electrode surrounding the light emitting device chip 120. The electrode consists of a first electrode 116a for applying a + voltage and a second electrode 116b for applying a pre-cancer. The first electrode 116a and the second electrode 116b are spaced apart from each other. The first electrode 116a and the second electrode 116b are wire bonded to the light emitting device chip 120 and the wire 122 facing each other. The adjacent light emitting device chip 120 is also wire bonded as shown in FIG. 2, so that the first electrode 116a and the second electrode 116b are directly or indirectly connected to each light emitting device chip 120.

전극들로 둘러싸인 영역에서, 발광소자칩(120) 주위로 금속플레이트(112)가 노출된다. 도 1 및 도 3에서 참조번호 A는 금속플레이트(112)의 노출영역(A)을 나타낸다. 금속플레이트(112)는 발광소자칩(120)으로부터의 열을 외부로 방출하는 반사층 역할을 한다. 금속플레이트(112)의 하부에는 다른 방열수단이 더 배치될 수도 있다. 노출영역(A)은 연장부(117)을 둘러싸서 광반사영역을 확대하도록 형성될 수 있다. In the region surrounded by the electrodes, the metal plate 112 is exposed around the light emitting device chip 120. 1 and 3, reference numeral A denotes an exposed area A of the metal plate 112. The metal plate 112 serves as a reflective layer that emits heat from the light emitting device chip 120 to the outside. Other heat dissipation means may be further disposed below the metal plate 112. The exposure area A may be formed to surround the extension 117 to enlarge the light reflection area.

금속플레이트(112)는 알루미늄 또는 구리 등으로 형성될 수 있으며, 노출된 면은 발광소자칩(120)으로부터의 광을 반사시켜서 발광소자 패키지(100)의 발광효율을 향상시킬 수 있다.The metal plate 112 may be formed of aluminum, copper, or the like, and the exposed surface may reflect light from the light emitting device chip 120 to improve light emission efficiency of the light emitting device package 100.

제1전극(116a) 및 제2전극(116b)에는 대향하는 발광소자칩(120)을 향해서 연장된 연장부(117)가 형성되어 있다. 와이어(122)는 연장부(117) 및 발광소자칩(120)에 연결되므로, 발광소자칩(120) 및 전극 사이의 길이가 짧아진다. 따라서, 연장부(117)의 형성으로, 와이어(122)의 길이는 유지되면서도, 발광소자칩(120)을 둘러싸는 노출된 금속플레이트(112) 영역이 넓어질 수 있다. The first electrode 116a and the second electrode 116b are formed with an extension 117 extending toward the opposing light emitting device chip 120. Since the wire 122 is connected to the extension part 117 and the light emitting device chip 120, the length between the light emitting device chip 120 and the electrode is shortened. Therefore, the formation of the extension part 117 may increase the area of the exposed metal plate 112 surrounding the light emitting device chip 120 while maintaining the length of the wire 122.

도 4는 본 발명의 실시예의 발광소자 패키지(100)의 구조와 비교되는 예의 발광소자 패키지의 개략적 평면도이다. 발광소자 패키지(100)와 실질적으로 동일한 구성요소에 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다. 4 is a schematic plan view of an example light emitting device package compared with the structure of the light emitting device package 100 of the embodiment of the present invention. The same reference numerals are used for the same components as those of the light emitting device package 100, and detailed description thereof will be omitted.

도 4를 참조하면, 연장부(117)가 없는 발광소자 패키지에서는 한정된 길이의 와이어(122')로 인해 전극(116)과 발광소자칩(120) 사이의 금속플레이트(112)의 노출영역(B)이 제한된다. Referring to FIG. 4, in the light emitting device package without the extension 117, the exposed area B of the metal plate 112 between the electrode 116 and the light emitting device chip 120 due to the limited length of the wire 122 ′. ) Is limited.

본 발명의 실시예에 따른 인쇄회로기판(110)을 이용한 발광소자 패키지(100)는 발광소자칩(120)과 전극(116) 사이를 연결하는 와이어(122) 길이에 제한되지 않고 발광소자칩(120)을 둘러싸는 노출된 금속플레이트(112)의 반사영역을 증가시킴으로써 광반사효율이 향상된다.  The light emitting device package 100 using the printed circuit board 110 according to an embodiment of the present invention is not limited to the length of the wire 122 connecting between the light emitting device chip 120 and the electrode 116, the light emitting device chip ( The light reflection efficiency is improved by increasing the reflection area of the exposed metal plate 112 surrounding the 120.

또한, 광반사영역을 증가시킴에 있어서, 와이어(122) 길이를 감소시켜, 고가의 와이어(122)의 사용량을 줄이며, 와이어(122)의 파손 등에 의한 결함을 감소시킬 수 있다. In addition, in increasing the light reflection area, the length of the wire 122 can be reduced, the amount of expensive wire 122 used can be reduced, and defects due to breakage of the wire 122 can be reduced.

이상에서 첨부된 도면을 참조하여 설명된 본 발명의 실시예들은 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.While the invention has been shown and described with reference to certain embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the scope of the invention as defined by the appended claims. Therefore, the true scope of protection of the present invention should be defined only by the appended claims.

Claims (5)

금속플레이트, 절연층, 및 전극배선패턴으로 적층된 인쇄회로기판; 및
상기 인쇄회로기판에서 상기 전극배선패턴에 의해서 노출된 영역에 배치된 발광소자칩;을 구비하며,
상기 전극배선패턴은 상기 발광소자칩을 사이에 두고 서로 마주보는 제1전극 및 제2전극을 구비하며,
상기 제1전극 및 상기 제2전극은 각각 상기 발광소자칩을 향해 연장된 연장부를 구비하며,
상기 연장부 및 상기 발광소자칩을 연결하는 와이어를 더 구비하는 발광소자 패키지. A printed circuit board laminated with a metal plate, an insulating layer, and an electrode wiring pattern; And
And a light emitting device chip on the printed circuit board in an area exposed by the electrode wiring pattern.
The electrode wiring pattern includes a first electrode and a second electrode facing each other with the light emitting device chip therebetween,
The first electrode and the second electrode each has an extension extending toward the light emitting device chip,
Light emitting device package further comprising a wire connecting the extension and the light emitting device chip. 제 1 항에 있어서,
상기 전극배선패턴과 상기 절연층은 상기 발광소자칩 및 상기 제1전극 및 제2전극 사이의 상기 금속플레이트의 제1영역을 노출시키도록 패터닝된 발광소자 패키지. The method of claim 1,
The electrode wiring pattern and the insulating layer are patterned to expose the first region of the metal plate between the light emitting device chip and the first electrode and the second electrode. 제 2 항에 있어서,
상기 제1영역은 상기 연장부를 둘러싸서 최대한 광반사영역을 확대하도록 형성된 발광소자 패키지.The method of claim 2,
The first region is a light emitting device package formed so as to surround the extension portion to maximize the light reflection area. 제 1 항 내지 제 3 항 중 선택된 어느 한 항에 있어서,
상기 발광소자칩은 복수의 발광소자칩인 발광소자 패키지.The method according to any one of claims 1 to 3,
The light emitting device chip is a plurality of light emitting device chips. 제 4 항에 있어서,
상기 금속플레이트는 알루미늄 또는 구리로 형성된 발광소자 패키지.The method of claim 4, wherein
The metal plate is a light emitting device package formed of aluminum or copper.
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