KR20120068313A - Sensor with self-test function - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A sensor having a self-diagnosis function is provided to rapidly handle sensor malfunction by determining load control failure of the sensor and informing outside it. CONSTITUTION: An output terminal of a detection circuit(110) is connected with a base terminal of a power transistor. A collector terminal of the power transistor is connected with an external load(10). A sensor controls the external load by outputting a sensing on/off signal of the detection circuit to the external load through the power transistor. A self-diagnosis circuit(150) is connected to the collector terminal of the power transistor. The self-diagnosis circuit determines load control failure of the sensor. A timing circuit indicates a failure state of the sensor to outside through a display device.

Description

자기 진단 기능을 갖는 센서{SENSOR WITH SELF-TEST FUNCTION}Sensor with self-diagnostic function {SENSOR WITH SELF-TEST FUNCTION}

본 발명은 센서에 관한 것으로서, 특히 센서 자체의 부하 제어 불량일 경우 이를 판단하여 외부에 알려줄 수 있도록 된 자기 진단 기능을 갖는 센서에 관한 것이다. The present invention relates to a sensor, and more particularly, to a sensor having a self-diagnostic function that can be determined and informed to the outside if the load control failure of the sensor itself.

근접센서나 포토센서 등의 경우, 검출회로의 출력단을 출력 드라이브를 거쳐 NPN 또는 PNP 타입의 출력 트랜지스터의 베이스 단자에 연결하고, 출력 트랜지스터의 콜렉터 단자를 외부 부하에 연결함으로써 검출회로의 센싱 ON/OFF 신호를 출력 트랜지스터를 통해 외부 부하로 출력하여 외부 부하를 제어한다. In the case of a proximity sensor or a photo sensor, sensing on / off of the detection circuit is connected by connecting the output terminal of the detection circuit to the base terminal of the NPN or PNP type output transistor via an output drive and connecting the collector terminal of the output transistor to an external load. The external load is controlled by outputting a signal to an external load through an output transistor.

이때, 외부 부하의 단락(Short) 고장으로 인하여 출력 트랜지스터에 과도한 전류가 흐르는 것에 대해서는 부하단락 검출회로를 이용하여, 출력을 막아 주거나 펄스 형태로 인가함으로써, 외부 부하의 단락 고장에 대한 알림과 부하 및 센서를 보호하였다. 그런데, 출력 트랜지스터가 동작을 하는 않는 즉, 센서 자체의 고장을 진단하여 알려주는 기능은 없었다. At this time, the excessive current flows through the output transistor due to the short fault of the external load by using a load short detection circuit to block the output or apply it in the form of a pulse. The sensor was protected. However, there was no function of not outputting the operation of the output transistor, that is, diagnosing and informing the failure of the sensor itself.

이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 출력 트랜지스터 고장인 센서 자체의 부하 제어 불량을 판단하여 외부에 알려줄 수 있는 자기 진단 기능을 갖는 센서를 제공하는데 그 목적이 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a sensor having a self-diagnosis function that can determine the load control failure of the sensor itself, which is an output transistor failure, and notify the outside.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 자기 진단 기능을 갖는 센서는, 검출회로의 출력단을 출력 드라이브를 거쳐 출력 트랜지스터의 베이스 단자에 연결하고, 출력 트랜지스터의 콜렉터 단자를 외부 부하에 연결함으로써 검출회로의 센싱 ON/OFF 신호를 출력 트랜지스터를 통해 외부 부하로 출력하여 외부 부하를 제어하는 센서에 있어서, 상기 출력 트랜지스터의 콜렉터 단자에 연결되어 센서 자체의 부하 제어 불량 유무를 판단하는 자기 진단회로를 구비한 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, a sensor having a self-diagnostic function according to the present invention is connected by connecting an output terminal of a detection circuit to a base terminal of an output transistor via an output drive and connecting a collector terminal of the output transistor to an external load. A sensor for controlling an external load by outputting a sensing ON / OFF signal of a circuit to an external load through an output transistor, comprising: a self-diagnosis circuit connected to a collector terminal of the output transistor to determine whether there is a poor load control of the sensor itself It is characterized by one.

여기에서, 상기 출력 트랜지스터가 NPN 트랜지스터인 경우, 상기 자기 진단회로는 검출회로의 센싱 ON시 상기 NPN 트랜지스터의 콜렉터 단자 전압 레벨이 출력 개방 검출 레벨 이하로 떨어지지 아니하면 센서의 개방(Open) 고장으로 판단하고, 검출회로의 센싱 OFF시 상기 NPN 트랜지스터의 콜렉터 단자 전압 레벨이 출력 단락 검출 레벨 이하이면 센서의 단락(Short) 고장으로 판단할 수 있다. Here, when the output transistor is an NPN transistor, the self-diagnosis circuit determines that the sensor has an open fault when the collector terminal voltage level of the NPN transistor does not fall below the output open detection level when sensing of the detection circuit is turned on. When the sensing circuit is turned off, if the collector terminal voltage level of the NPN transistor is equal to or less than the output short detection level, it may be determined that the sensor has a short fault.

또한, 상기 출력 트랜지스터가 PNP 트랜지스터인 경우, 상기 자기 진단회로는 검출회로의 센싱 ON시 상기 PNP 트랜지스터의 콜렉터 단자 전압 레벨이 출력 개방 검출 레벨 이상이 되지 아니하면 센서의 개방(Open) 고장으로 판단하고, 검출회로의 센싱 OFF시 상기 NPN 트랜지스터의 콜렉터 단자 전압 레벨이 출력 단락 검출 레벨 이상을 유지하면 센서의 단락(Short) 고장으로 판단할 수 있다. In addition, when the output transistor is a PNP transistor, the self-diagnosis circuit determines that an open fault of the sensor is determined when the collector terminal voltage level of the PNP transistor does not exceed the output open detection level when sensing of the detection circuit is ON. When the detection circuit of the detection circuit is OFF, if the collector terminal voltage level of the NPN transistor is maintained above the output short detection level, it may be determined that the sensor has a short fault.

상기 자기 진단회로에 의해 센서 자체의 부하 제어 불량 판단시 불량 상태를 표시 수단을 통해 외부에 표시할 수 있도록 타이밍 회로를 더 구비할 수 있다. The self-diagnosis circuit may further include a timing circuit to display a failure state through the display means when the load control failure of the sensor itself is judged.

본 발명에 따르면, 출력 트랜지스터 고장인 센서 자체의 부하 제어 불량을 판단하여 외부에 알려줌으로써 센서 고장에 대해 신속하게 대처할 수 있는 이점이 있다. According to the present invention, it is possible to promptly deal with the sensor failure by determining the load control failure of the sensor itself, which is the output transistor failure, and notifying the outside.

도 1은 본 발명에 따라 출력 트랜지스터가 NPN 트랜지스터인 경우의 자기 진단 회로를 구비한 센서 블록도.
도 2는 도 1에서 외부 부하 단락시의 타이밍도.
도 3은 도 1에서 센서 출력 개방시의 타이밍도.
도 4는 도 1에서 센서 출력 단락시의 타이밍도.
도 5는 도 1에서 NPN 트랜지스터의 출력 및 개방/단락 검출 레벨을 보여주는 그래프.
도 6은 본 발명에 따라 출력 트랜지스터가 PNP 트랜지스터인 경우의 자기 진단 회로를 구비한 센서 블록도.
도 7은 도 6에서 PNP 트랜지스터의 출력 및 개방/단락 검출 레벨을 보여주는 그래프. 1 is a sensor block diagram provided with a self-diagnosis circuit in the case where the output transistor is an NPN transistor according to the present invention.
2 is a timing diagram at the time of an external load short circuit in FIG.
3 is a timing diagram when a sensor output is opened in FIG. 1;
4 is a timing diagram at the time of sensor output short circuit in FIG.
FIG. 5 is a graph showing the output and open / short detection levels of the NPN transistor in FIG.
Fig. 6 is a sensor block diagram provided with a self-diagnosis circuit when the output transistor is a PNP transistor in accordance with the present invention.
FIG. 7 is a graph showing the output and open / short detection levels of the PNP transistor in FIG.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따라 출력 트랜지스터가 NPN 트랜지스터인 경우의 자기 진단 회로를 구비한 센서 블록도, 도 2는 도 1에서 외부 부하 단락시의 타이밍도, 도 3은 도 1에서 센서 출력 개방시의 타이밍도, 도 4는 도 1에서 센서 출력 단락시의 타이밍도, 도 5는 도 1에서 NPN 트랜지스터의 출력 및 개방/단락 검출 레벨을 보여주는 그래프이다. 1 is a sensor block diagram having a self-diagnosis circuit in the case where the output transistor is an NPN transistor according to the present invention, FIG. 2 is a timing diagram when an external load is shorted in FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a timing diagram when the sensor output is shorted in FIG. 1, and FIG. 5 is a graph showing the output and the open / short detection level of the NPN transistor in FIG. 1.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 자기 진단 기능을 갖는 센서는, 출력 트랜지스터 고장인 센서 자체의 부하 제어 불량을 판단할 수 있도록, 검출회로(110)의 출력단을 출력 드라이브(130)를 거쳐 출력 트랜지스터(Q1)의 베이스 단자에 연결하고, 출력 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 단자를 외부 부하(10)에 연결함으로써 검출회로(110)의 센싱 ON/OFF 신호를 출력 트랜지스터(Q1)를 통해 외부 부하(10)로 출력하여 외부 부하를 제어하는 센서(100)에 있어서, 상기 출력 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 단자에 연결되어 센서 자체의 부하 제어 불량 유무를 판단하는 자기 진단회로(150)를 구비한다. As shown in FIG. 1, the sensor having the self-diagnosis function according to the present invention is configured to output the output drive 130 to the output terminal of the detection circuit 110 so that the load control failure of the sensor itself, which is an output transistor failure, can be determined. Connecting to the base terminal of the output transistor Q1 and connecting the collector terminal of the output transistor Q1 to the external load 10 to externally sense the ON / OFF signal of the detection circuit 110 through the output transistor Q1. In the sensor 100 for outputting to the load 10 to control the external load, the sensor 100 is provided with a self-diagnosis circuit 150 connected to the collector terminal of the output transistor Q1 to determine whether there is a load control failure of the sensor itself. .

도 1을 참조하여 자기 진단 기능을 갖는 센서(100)의 작동을 살펴보면, 출력 드라이브(130)는 검출회로(110)의 센싱 ON/OFF 신호를 수신해서 LED(D1)와 출력 트랜지스터(Q1)를 구동하여 외부 부하(10)를 구동하게 된다. 즉, 센서(100)가 센싱 ON되면 LED(D1)가 턴 온(TURN ON)되면서 출력 트랜지스터(Q1)도 턴 온되어 출력 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 단자 전압(VQc) 레벨이 하이(HIGH)에서 로우(LOW)로 떨어지면서 외부 부하(10)를 구동하는 것이다. Referring to FIG. 1, the operation of the sensor 100 having the self-diagnosis function will be described. The output drive 130 receives the sensing ON / OFF signal of the detection circuit 110 to operate the LED D1 and the output transistor Q1. Drive to drive the external load 10. That is, when the sensor 100 is sensed on, the LED D1 is turned on and the output transistor Q1 is also turned on so that the collector terminal voltage VQc level of the output transistor Q1 is high. The external load 10 is driven while falling low.

만약 외부 부하(10)가 단락 고장이 나면 출력 트랜지스터(Q1)에 과전류가 흐르고, 또한 저항(R2)에서 과전류에 해당하는 전압이 발생되어서 이것이 부하단락 검출회로(140)에 전달된다. 그리고, 부하단락 검출회로(140)에서 과전류 검출 레벨을 넘어섰다고 판단하면, 타이밍 회로(160)가 동작함과 동시에 출력을 OFF시키고, 타이밍 신호의 주기로 ON/OFF를 반복함으로써 부하 단락 상태가 해소되었는지를 체크한다. 이 상태에서 센싱 ON시 출력이 주기적으로 ON/OFF를 반복(예컨대, 1:200의 비율)함으로써 LED(D1)가 빠르게 깜박거리게 됨으로써 부하 단락 상태를 알려주게 된다. 또한, 출력을 주기적으로 ON/OFF 함으로써 센서를 보호하게 된다. If the external load 10 has a short circuit fault, an overcurrent flows through the output transistor Q1, and a voltage corresponding to the overcurrent is generated in the resistor R2, which is transmitted to the load short circuit detecting circuit 140. When the load short detection circuit 140 determines that the overcurrent detection level has been exceeded, the timing circuit 160 operates and the output is turned off, and the load short-circuit state is eliminated by repeating ON / OFF at the timing of the timing signal. Check In this state, when the sensing is ON, the output is repeatedly turned ON / OFF (for example, a ratio of 1: 200) so that the LED D1 blinks rapidly, thereby indicating a load short circuit condition. In addition, the sensor is protected by periodically turning the output on and off.

도 1은 출력 트랜지스터가 NPN 트랜지스터(Q1)인 경우로서, 센서 자체의 부하 제어 불량에 대해서는 NPN 트랜지스터(Q1)의 출력단을 자기 진단회로(150)를 이용하여 체크하게 된다. 즉, 상기 자기 진단회로(150)는 검출회로(110)의 센싱 ON시 상기 NPN 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 단자 전압(VQc) 레벨이 출력 개방 검출 레벨 이하로 떨어지지 아니하면 센서의 개방(Open) 고장으로 판단한다. 그리고, 검출회로(110)의 센싱 OFF시 상기 NPN 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 단자 전압(VQc) 레벨이 출력 단락 검출 레벨 이하이면 센서의 단락(Short) 고장으로 판단한다. FIG. 1 shows that the output transistor is the NPN transistor Q1. For the failure of the load control of the sensor itself, the output terminal of the NPN transistor Q1 is checked using the self-diagnosis circuit 150. That is, when the sensing circuit 110 senses ON, the self-diagnosis circuit 150 does not open the sensor when the collector terminal voltage VQc level of the NPN transistor Q1 does not fall below the output open detection level. Judging by. When the sensing circuit 110 senses OFF, if the collector terminal voltage VQc level of the NPN transistor Q1 is equal to or less than the output short detection level, it is determined that the sensor has a short fault.

부연하자면, 검출회로(110)에 의해 센싱 ON 신호가 출력 드라이브(130)를 통해서 LED(D1)와 NPN 트랜지스터(Q1)를 구동할 경우, 센서의 개방성 고장은 NPN 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 단자 전압(VQc) 레벨이 로우 레벨로 떨어지지 못하고 하이 레벨에 머물게 된다. 그리고, 검출회로(110)에 의해 센싱 OFF 신호가 출력 드라이브(130)를 통해서 LED(D1)와 NPN 트랜지스터(Q1)를 구동하지 않을 경우, 단락성 고장은 NPN 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 단자 전압(VQc) 레벨이 하이 레벨을 유지하지 못하고 로우 레벨에 머물게 된다. 그러므로, NPN 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 단자를 자기 진단회로(150)에 연결함으로써 센싱 ON/OFF시의 고장에 대한 판단을 할 수가 있는 것이다. In other words, when the sensing ON signal drives the LED D1 and the NPN transistor Q1 through the output drive 130, the open fault of the sensor may cause the collector terminal voltage of the NPN transistor Q1. The (VQc) level does not fall to the low level but remains at the high level. In addition, when the sensing OFF signal is not driven by the detection circuit 110 to drive the LED D1 and the NPN transistor Q1 through the output drive 130, the short circuit fault may cause the collector terminal voltage of the NPN transistor Q1 ( VQc) level does not maintain high level but stays low level. Therefore, by connecting the collector terminal of the NPN transistor Q1 to the self-diagnosis circuit 150, it is possible to determine the failure at the time of sensing ON / OFF.

그리고, 상기 자기 진단회로(150)에 의해 센서 자체의 부하 제어 불량 판단시에는 타이밍 회로(160)가 동작하여 센서 자체의 불량 상태를 LED(D1) 등의 표시 수단을 통해 외부에 표시할 수가 있다. 예컨대, 외부 부하(10)의 단락시의 타이밍 펄스와 다른 주기(예컨대, 1:1의 비율)로 LED(D1)의 깜박임을 다르게 표시하도록 하거나 별도의 LED를 통해 표시할 수가 있다.
When the load control failure of the sensor itself is determined by the self-diagnosis circuit 150, the timing circuit 160 may operate to display the failure state of the sensor itself externally through display means such as an LED D1. . For example, the blinking of the LED D1 may be differently displayed at different periods (for example, a ratio of 1: 1) from timing pulses when the external load 10 is shorted, or may be displayed through separate LEDs.

도 6은 본 발명에 따라 출력 트랜지스터가 PNP 트랜지스터인 경우의 자기 진단 회로를 구비한 센서 블록도, 도 7은 도 6에서 PNP 트랜지스터의 출력 및 개방/단락 검출 레벨을 보여주는 그래프이다. FIG. 6 is a sensor block diagram including a self-diagnosis circuit when the output transistor is a PNP transistor in accordance with the present invention. FIG. 7 is a graph showing the output and the open / short detection level of the PNP transistor in FIG.

도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 자기 진단 기능을 갖는 센서는, 출력 트랜지스터 고장인 센서 자체의 부하 제어 불량을 판단할 수 있도록, 검출회로(110)의 출력단을 출력 드라이브(130)를 거쳐 출력 트랜지스터(Q2)의 베이스 단자에 연결하고, 출력 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 단자를 외부 부하(10)에 연결함으로써 검출회로(110)의 센싱 ON/OFF 신호를 출력 트랜지스터(Q2)를 통해 외부 부하(10)로 출력하여 외부 부하를 제어하는 센서(100)에 있어서, 상기 출력 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 단자에 연결되어 센서 자체의 부하 제어 불량 유무를 판단하는 자기 진단회로(150)를 구비한다. As shown in FIG. 6, the sensor having the self-diagnostic function according to the present invention is configured to output the output drive 130 to the output terminal of the detection circuit 110 so that the load control failure of the sensor itself, which is an output transistor failure, can be determined. Connecting to the base terminal of the output transistor Q2 and connecting the collector terminal of the output transistor Q2 to the external load 10 to externally sense the ON / OFF signal of the detection circuit 110 through the output transistor Q2. In the sensor 100 for outputting to the load 10 to control the external load, it is provided with a self-diagnosis circuit 150 connected to the collector terminal of the output transistor (Q2) to determine whether the load control failure of the sensor itself. .

도 6을 참조하여 자기 진단 기능을 갖는 센서(100)의 작동을 살펴보면, 출력 드라이브(130)는 검출회로(110)의 센싱 ON/OFF 신호를 수신해서 출력 트랜지스터(Q2)를 구동하여 외부 부하(10)를 구동하게 된다. 즉, 센서(100)가 센싱 ON되면 출력 트랜지스터(Q2)가 턴 온되어 출력 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 단자 전압(VQc) 레벨이 로우(LOW)에서 하이(HIGH)로 올라가면서 외부 부하(10)를 구동하는 것이다. Referring to FIG. 6, the operation of the sensor 100 having the self-diagnosis function will be described. The output drive 130 receives the sensing ON / OFF signal of the detection circuit 110 to drive the output transistor Q2 to provide an external load ( 10). That is, when the sensor 100 is sensed on, the output transistor Q2 is turned on so that the collector terminal voltage VQc level of the output transistor Q2 rises from low to high and the external load 10 To drive.

외부 부하(10)가 단락 고장이 나면, 도 1의 경우와 마찬가지로 출력 트랜지스터(Q2)에 과도한 전류가 흘러서 저항(R2)에 과전류에 해당하는 전압(Vsc)이 발생된다. 발생된 전압(Vsc)이 도 7의 단락 검출 레벨 아래로 넘어서면 단락 고장을 판단하고, 출력을 오프시킴과 동시에 타이밍 회로(160)를 구동한다. 타이밍 회로(160)의 펄스에 따라서 출력 또한 펄스 신호 형태로 구동하게 되고, LED(D1)도 빠르게 깜박거리게 된다. 그러므로, 외부 부하(10)의 단락 고장에 대한 알림과 회로 보호를 하게 된다. When the external load 10 is short-circuited, excessive current flows through the output transistor Q2 as in the case of FIG. 1 to generate a voltage Vsc corresponding to an overcurrent in the resistor R2. When the generated voltage Vsc exceeds the short detection level of FIG. 7, the short circuit failure is determined, the output is turned off, and the timing circuit 160 is driven. In accordance with the pulse of the timing circuit 160, the output is also driven in the form of a pulse signal, and the LED (D1) also quickly flickers. Therefore, a notification and a circuit protection for a short circuit failure of the external load 10 are provided.

도 6은 출력 트랜지스터가 PNP 트랜지스터(Q2)인 경우로서, 센서 자체의 부하 제어 불량에 대해서는 PNP 트랜지스터(Q2)의 출력단을 자기 진단회로(150)를 이용하여 체크하게 된다. 즉, 상기 자기 진단회로(150)는 검출회로(100)의 센싱 ON시 상기 PNP 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 단자 전압(VQc) 레벨이 출력 개방 검출 레벨 이상이 되지 아니하면 센서의 개방 고장으로 판단하고, 센싱 OFF시 상기 NPN 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 단자 전압(VQc) 레벨이 출력 단락 검출 레벨 이상을 유지하면 센서의 단락 고장으로 판단한다. 6 illustrates a case where the output transistor is a PNP transistor Q2, and the output terminal of the PNP transistor Q2 is checked by using the self-diagnosis circuit 150 for the load control failure of the sensor itself. That is, when the sensing circuit 100 senses the sensing circuit 100, the self-diagnosis circuit 150 determines that the sensor has an open fault when the collector terminal voltage VQc level of the PNP transistor Q2 does not exceed the output open detection level. When the sensing OFF, the collector terminal voltage VQc level of the NPN transistor Q2 is maintained at or above the output short detection level, it is determined that the sensor has a short circuit failure.

부연하자면, 검출회로(110)의 센싱 ON신호에 의해 출력 드라이브(130)를 통해서 PNP 트랜지스터(Q2)를 구동하더라도 PNP 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 단자 전압(VQc)이 로우 레벨에서 하이 레벨로 상승하지 못하면, 즉 도 7에 도시한 바와 같이 출력 개방 검출 레벨 이상이 되지 아니하면 센서의 개방성 고장으로 판단하여 출력을 OFF시키고, 타이밍 회로(160)를 구동하여 출력을 주기적으로 ON/OFF시키게 된다. 그리고, 검출회로(110)의 센싱 OFF신호에 의해 출력 드라이브(130)를 통해서 PNP 트랜지스터(Q2)가 동작하지 않는데도 PNP 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 단자 전압(VQc)이 하이 레벨을 유지하고 있으면, 즉 도 7에 도시한 바와 같이 출력 단락 검출 레벨 이상을 유지하면 센서의 단락성 고장으로 판단한다. In other words, even when the PNP transistor Q2 is driven through the output drive 130 by the sensing ON signal of the detection circuit 110, the collector terminal voltage VQc of the PNP transistor Q2 does not rise from a low level to a high level. If not, that is, as shown in FIG. 7, if the output open detection level is not equal to or greater than the output open detection level, the sensor is determined to be in an open fault and the output is turned off, and the timing circuit 160 is driven to periodically turn the output on and off. If the collector terminal voltage VQc of the PNP transistor Q2 is maintained at a high level even though the PNP transistor Q2 is not operated through the output drive 130 due to the sensing OFF signal of the detection circuit 110, That is, if the output short circuit detection level is maintained as shown in Fig. 7, it is determined that the short circuit fault of the sensor.

그리고, 상기 자기 진단회로(150)에 의해 센서 자체의 부하 제어 불량 판단시에는 타이밍 회로(160)가 동작하여 센서 자체의 불량 상태를 LED(D1) 등의 표시 수단을 통해 외부에 표시할 수가 있다. 예컨대, 외부 부하(10)의 단락시의 타이밍 펄스와 다른 주기(예컨대, 1:1의 비율)로 LED(D1)의 깜박임을 다르게 표시하도록 하거나 별도의 LED를 통해 표시할 수가 있다. When the load control failure of the sensor itself is determined by the self-diagnosis circuit 150, the timing circuit 160 may operate to display the failure state of the sensor itself externally through display means such as an LED D1. . For example, the blinking of the LED D1 may be differently displayed at different periods (for example, a ratio of 1: 1) from timing pulses when the external load 10 is shorted, or may be displayed through separate LEDs.

한편, 본 발명에 따른 자기 진단 기능을 갖는 센서를 한정된 실시예에 따라 설명하였지만, 본 발명의 범위는 특정 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명과 관련하여 통상의 지식을 가진자에게 자명한 범위내에서 여러 가지의 대안, 수정 및 변경하여 실시할 수 있다. On the other hand, although the sensor having a self-diagnostic function according to the present invention has been described according to a limited embodiment, the scope of the present invention is not limited to the specific embodiment, the scope obvious to those of ordinary skill in the art related to the present invention Various alternatives, modifications and changes can be made within the implementation.

따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are not intended to limit the technical spirit of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by the embodiments and the accompanying drawings. . The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

110 : 검출회로 120 : 제어회로
130 : 출력 드라이브 140 : 부하단락 검출회로
150 : 자기 진단회로 160 : 타이밍 회로
Q1 : NPN 트랜지스터 Q2 : PNP 트랜지스터110: detection circuit 120: control circuit
130: output drive 140: load short detection circuit
150: self-diagnosis circuit 160: timing circuit
Q1: NPN transistor Q2: PNP transistor

Claims (4)

검출회로(110)의 출력단을 출력 드라이브(130)를 거쳐 출력 트랜지스터의 베이스 단자에 연결하고, 출력 트랜지스터의 콜렉터 단자를 외부 부하(10)에 연결함으로써 검출회로(110)의 센싱 ON/OFF 신호를 출력 트랜지스터를 통해 외부 부하(10)로 출력하여 외부 부하를 제어하는 센서(100)에 있어서,
상기 출력 트랜지스터의 콜렉터 단자에 연결되어 센서 자체의 부하 제어 불량 유무를 판단하는 자기 진단회로(150)를 구비한 것을 특징으로 하는 자기 진단 기능을 갖는 센서. By connecting the output terminal of the detection circuit 110 to the base terminal of the output transistor via the output drive 130, and connecting the collector terminal of the output transistor to the external load 10 to sense the sensing ON / OFF signal of the detection circuit 110 In the sensor 100 for controlling the external load by outputting to the external load 10 through the output transistor,
And a self-diagnosis circuit (150) connected to the collector terminal of the output transistor to determine whether there is a load control failure of the sensor itself. 청구항 1항에 있어서,
상기 출력 트랜지스터가 NPN 트랜지스터(Q1)인 경우, 상기 자기 진단회로(150)는 검출회로(110)의 센싱 ON시 상기 NPN 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 단자 전압(VQc) 레벨이 출력 개방 검출 레벨 이하로 떨어지지 아니하면 센서의 개방(Open) 고장으로 판단하고, 검출회로(110)의 센싱 OFF시 상기 NPN 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 단자 전압(VQc) 레벨이 출력 단락 검출 레벨 이하이면 센서의 단락(Short) 고장으로 판단하는 것을 특징으로 하는 자기 진단 기능을 갖는 센서. The method according to claim 1,
When the output transistor is the NPN transistor Q1, the self-diagnosis circuit 150 has the collector terminal voltage VQc level of the NPN transistor Q1 lower than the output open detection level when sensing of the detection circuit 110 is turned on. If it is not dropped, the sensor is determined to be an open fault, and when the sensing circuit 110 senses OFF, if the collector terminal voltage VQc level of the NPN transistor Q1 is equal to or less than an output short-circuit detection level, the sensor shorts. Sensor with a self-diagnosis function, characterized in that it is determined to be a failure. 청구항 1항에 있어서,
상기 출력 트랜지스터가 PNP 트랜지스터(Q2)인 경우, 상기 자기 진단회로(150)는 검출회로(110)의 센싱 ON시 상기 PNP 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 단자 전압(VQc) 레벨이 출력 개방 검출 레벨 이상이 되지 아니하면 센서의 개방(Open) 고장으로 판단하고, 검출회로(110)의 센싱 OFF시 상기 NPN 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 단자 전압(VQc) 레벨이 출력 단락 검출 레벨 이상을 유지하면 센서의 단락(Short) 고장으로 판단하는 것을 특징으로 하는 자기 진단 기능을 갖는 센서. The method according to claim 1,
When the output transistor is the PNP transistor Q2, the self-diagnosis circuit 150 has a collector terminal voltage VQc level of the PNP transistor Q2 that is greater than or equal to an output open detection level when sensing of the detection circuit 110 is turned on. If not, the sensor is determined to be an open fault, and when the sensing circuit 110 senses OFF, if the collector terminal voltage VQc level of the NPN transistor Q2 remains above the output short circuit detection level, Short) A sensor having a self-diagnosis function, characterized in that judged to be a failure. 청구항 1항에 있어서,
상기 자기 진단회로(150)에 의해 센서 자체의 부하 제어 불량 판단시 불량 상태를 표시 수단을 통해 외부에 표시할 수 있도록 타이밍 회로(160)를 더 구비한 것을 특징으로 하는 자기 진단 기능을 갖는 센서. The method according to claim 1,
And a timing circuit (160) for displaying a failure state externally through a display means when the load control failure of the sensor itself is judged by the self-diagnosis circuit (150).
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