KR20120068234A - Insulating member and apparatus for manufacturing silicon single crystal ingot including the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An insulating member and an apparatus for manufacturing a silicon single crystal ingot including the same are provided to prevent the deterioration of a crucible and other subsidiary materials by reducing the loss of heat emitted from the crucible. CONSTITUTION: A crucible(10) is included inside a chamber and stores silicon. A heating portion is included inside the chamber and heats the silicon. An upper insulation portion(32) is arranged on the top of the crucible and shields the heat of the heating portion facing a single crystal ingot grown up from the silicon. An insulation member(60) shields the top of the crucible corresponding to the inner side of the insulation portion and includes a heat reflection layer on the surface of the crucible.

Description

단열 부재 및 이를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 제조장치{INSULATING MEMBER AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT INCLUDING THE SAME}INSULATING MEMBER AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT INCLUDING THE SAME}

본 발명은 단열 부재와 이를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 제조장치에 관한 것이다.The present invention relates to a heat insulating member and an apparatus for producing a silicon single crystal ingot comprising the same.

반도체 웨이퍼는 원료물질을 다결정 실리콘으로 형성시킨 후, 쵸크랄스키(Czochralski)법 등으로 단결정 잉곳(Ingot)으로 결정 성장시킨다. 그리고, 성장된 실리콘 단결정 잉곳은 슬라이싱(Slicing), 래핑(Lapping), 폴리싱(Polishing), 클리닝(Cleaning) 등의 가공 공정을 거쳐서 실리콘 단결정 웨이퍼가 되어 반도체 디바이스 기판으로 사용하게 된다.The semiconductor wafer is formed of polycrystalline silicon, and then grown in a single crystal ingot by the Czochralski method or the like. The grown silicon single crystal ingot becomes a silicon single crystal wafer through a processing process such as slicing, lapping, polishing, cleaning, and the like, and is used as a semiconductor device substrate.

상술한 공정 중 실리콘 단결정 잉곳의 제조장치는, 내부에 실리콘 단결정 잉곳의 생성을 위한 공간이 형성되는 챔버와, 실리콘 단결정 잉곳의 생성을 위한 기본 재료가 되는 실리콘 용융액이 수용되기 위하여 상기 챔버 내부에 구비되는 도가니를 포함한다.The apparatus for producing a silicon single crystal ingot during the above-described process includes a chamber in which a space for generating a silicon single crystal ingot is formed, and a silicon melt serving as a base material for producing a silicon single crystal ingot is provided inside the chamber. Includes a crucible to be.

그리고, 상기 도가니의 측방에는 상기 도가니를 가열하기 위한 가열부가 구비되고, 상기 도가니의 상방에는 상기 실리콘 용융액으로부터 생성된 상기 실리콘 단결정 잉곳을 향한 상기 가열부의 열을 차단하기 위한 단열부가 구비될 수 있다.And, the side of the crucible may be provided with a heating unit for heating the crucible, the upper portion of the crucible may be provided with a heat insulating portion for blocking the heat of the heating portion toward the silicon single crystal ingot generated from the silicon melt.

상기 단열부는 상기 단결정 잉곳이 상승하는 데 지장이 없는 정도까지 연장되는데, 상기 단열부의 중심에는 상기 단결정 잉곳이 상승할 때 관통하기 위한 개구부가 형성된다. The heat insulation portion extends to the extent that it does not interfere with the rise of the single crystal ingot, and an opening for penetrating when the single crystal ingot rises is formed at the center of the heat insulation portion.

상술한 실리콘 단결정 잉곳의 제조장치에서, 상기 실리콘 단결정 잉곳의 원재료가 상기 도가니에 수용되고, 상기 가열부가 작동하여 상기 도가니 및 실리콘을 가열하여 상기 도가니 내부의 실리콘 재료가 용융된다.In the above apparatus for producing a silicon single crystal ingot, the raw material of the silicon single crystal ingot is accommodated in the crucible, the heating unit is operated to heat the crucible and the silicon to melt the silicon material inside the crucible.

여기서, 상술한 실리콘 원재료의 멜팅(melting) 과정에서, 상기 단열부의 내측에 해당하는 상기 도가니의 상방은 개방되어 개구부가 형성되고, 상기 가열부의 열이 상기 개구부를 통하여 상방으로 확산된다. 이때, 상기 가열부의 열이 상방으로 확산되는 만큼 상기 멜팅 과정을 수행하는 데 걸리는 시간이 길어질 수 있다.Here, in the above-described melting process of the silicon raw material, the upper portion of the crucible corresponding to the inside of the heat insulating part is opened to form an opening, and the heat of the heating part is diffused upward through the opening. In this case, as long as the heat of the heating unit is diffused upward, the time taken to perform the melting process may be longer.

도 1은 실리콘 단결정의 성장 공정에서의 단위공정당 소요시간을 나타낸 도면인데, 전체 공정 중에서 실리콘의 멜팅 공정은 10% 이상을 차지하고 있다. 즉, 실리콘은 비열 및 액화열이 높기 때문에 고체 상태의 실리콘을 녹이기 위해서는 높은 히트 파워(Heater power)가 가해져야 한다.1 is a view showing the time required per unit process in the silicon single crystal growth process, the melting process of the silicon occupies more than 10% of the overall process. In other words, since silicon has a high specific heat and liquefaction heat, high heat power must be applied to melt the silicon in the solid state.

따라서, 실리콘 용융액을 담는 석영 도가니와 기타 부자재의 열화방지를 위하여, 시간 단축 및 히트 파워의 감소가 요구되고 있다. Therefore, in order to prevent degradation of the quartz crucible and other subsidiary materials containing the silicon melt, it is required to shorten the time and reduce the heat power.

본 발명은 실리콘 잉곳의 성장 공정에서 도가니에서 방출되는 열의 손실을 줄여서 공정 시간을 줄이고, 도가니와 기타 부자재의 열화를 방지하고자 한다.The present invention is to reduce the process time by reducing the loss of heat emitted from the crucible in the growth process of the silicon ingot, and to prevent deterioration of the crucible and other subsidiary materials.

실시예는 단열 몸체; 상기 단열 몸체의 상단에 구비되고, 시드척에 결합되는 결합부; 및 상기 단열 몸체의 하단에 구비되고, 표면에 열 반사층이 형성된 단열부를 포함하는 단열 부재를 제공한다.An embodiment is an insulating body; A coupling part provided at an upper end of the thermal insulation body and coupled to a seed chuck; And a heat insulation part provided at a lower end of the heat insulation body and having a heat reflection layer formed on a surface thereof.

여기서, 상기 열 반사층은 파이로 탄소(Pyro Carbon)가 코팅되어 형성될 수 있다.Here, the heat reflecting layer may be formed by coating pyro carbon.

그리고, 상기 열 반사층은 1 내지 10 밀리미터의 두께로 형성될 수 있다.The heat reflecting layer may be formed to a thickness of 1 to 10 millimeters.

또한, 상기 결합부는 원뿔대 형상일 수 있다.In addition, the coupling portion may have a truncated cone shape.

다른 실시예는 챔버; 상기 챔버의 내부에 구비되고, 실리콘이 수용되는 도가니; 상기 챔버의 내부에 구비되고, 상기 실리콘을 가열하는 가열부; 상기 도가니의 상부에 배치되고, 상기 실리콘으로부터 성장되는 단결정 잉곳을 향하는 상기 가열부의 열을 차폐하는 상방 단열부; 및 상기 단열부의 내측에 해당하는 상기 도가니의 상부를 차폐하고, 표면에 열 반사층이 형성된 단열 부재를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 제조장치를 제공한다.Another embodiment includes a chamber; A crucible provided inside the chamber and containing silicon; A heating unit provided inside the chamber and heating the silicon; An upper heat insulating part disposed on the crucible and shielding heat of the heating part facing the single crystal ingot grown from the silicon; And a heat shielding member which shields an upper portion of the crucible corresponding to an inner side of the heat insulating portion and has a heat reflecting layer formed on a surface thereof.

여기서, 상기 단열 부재는 상기 도가니 내의 실리콘으로부터 적어도 100 밀리미터 상부에 배치될 수 있다.Here, the heat insulating member may be disposed at least 100 millimeters above the silicon in the crucible.

그리고, 실리콘 단결정 잉곳의 제조장치는 시드가 고정되는 시드척을 더 포함하고, 상기 단열 부재는 상기 시드척에 결합과 분리가 가능할 수 있다.In addition, the apparatus for manufacturing a silicon single crystal ingot may further include a seed chuck to which the seed is fixed, and the insulating member may be coupled to and separated from the seed chuck.

그리고, 상기 실리콘의 멜팅(Melting)이 시작되면 상기 단열 부재가 하강하여 상기 단열 부재의 저면이 상기 상방 단열부의 하단의 높이와 동일하게 이르며, 상기 멜팅 과정이 종료되면 상기 단열 부재가 상승할 수 있다.When the melting of the silicon starts, the heat insulating member is lowered so that the bottom surface of the heat insulating member reaches the same height as the lower end of the upper heat insulating portion. When the melting process is finished, the heat insulating member may rise. .

상술한 실시예에 따르면, 실리콘 잉곳의 성장 공정에서 도가니에서 방출되는 열의 손실을 줄여서 공정 시간을 줄이고, 도가니와 기타 부자재의 열화를 방지하고자 한다.According to the above-described embodiment, the process time is reduced by reducing the loss of heat emitted from the crucible in the growth process of the silicon ingot, and the deterioration of the crucible and other subsidiary materials is to be prevented.

도 1은 실리콘 단결정의 성장 공정에서의 단위공정당 소요시간을 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명에 따른 단열 부재의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 3은 본 발명에 따른 실리콘 단결정 잉곳의 제조장치의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 4 내지 도 6은 도 3의 실리콘 단결정 잉곳의 제조장치의 효과를 나타낸 도면이고,
도 7은 종래의 실리콘 멜팅 공정에서의 히트 파워를 나타낸 도면이다.1 is a view showing the time required per unit process in the silicon single crystal growth process,
2 is a view showing an embodiment of a heat insulating member according to the present invention,
3 is a view showing an embodiment of an apparatus for producing a silicon single crystal ingot according to the present invention,
4 to 6 is a view showing the effect of the apparatus for producing a silicon single crystal ingot of FIG.
7 is a view showing a heat power in a conventional silicon melting process.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

상기의 실시예들의 설명에 있어서, 각 층(면), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the above embodiments, each layer (area), region, pattern or structure may be "on" or "under" the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case of what is described as being formed, "on" and "under" include both being formed "directly" or "indirectly" through another layer. In addition, the criteria for the top or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

도 2는 본 발명에 따른 단열 부재의 일실시예를 나타낸 도면이고, 도 3은 본 발명에 따른 실리콘 단결정 잉곳의 제조장치의 일실시예를 나타낸 도면이다. 이하에서, 도 2 및 도 3을 참조하여 단열 부재 및 이를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 제조장치의 일실시예를 설명한다.2 is a view showing an embodiment of the heat insulating member according to the present invention, Figure 3 is a view showing an embodiment of the apparatus for producing a silicon single crystal ingot according to the present invention. Hereinafter, an embodiment of a manufacturing apparatus of a heat insulating member and a silicon single crystal ingot including the same will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

본 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳 제조 장치(100)는, 내부에 실리콘(Si) 용융액으로부터 실리콘 단결정 잉곳이 성장하기 위한 공간이 형성되는 챔버(1)와, 상기 실리콘 용융액이 수용되기 위한 도가니(10)와, 상기 도가니(10)를 가열하기 위한 가열부(20)와, 상기 실리콘 단결정 잉곳을 향한 상기 가열부(20)의 열을 차단하기 위하여 상기 도가니(10)의 상방에 위치되는 상방 단열부(32)와, 상기 실리콘 단결정 잉곳의 성장을 위한 시드(미도시)를 고정하기 위한 시드척(41)와, 상기 시드척(41)에 결합과 분리가 가능한 단열 부재(60)와, 상기 실리콘 단결정 잉곳을 상방으로 이동시키는 이동 수단(미도시)을 포함한다.The silicon single crystal ingot manufacturing apparatus 100 according to the present embodiment includes a chamber 1 in which a space for growing a silicon single crystal ingot from a silicon (Si) melt is formed, and a crucible 10 for accommodating the silicon melt. ), A heating part 20 for heating the crucible 10, and an upper heat insulating part located above the crucible 10 to block heat of the heating part 20 toward the silicon single crystal ingot. (32), a seed chuck 41 for fixing a seed (not shown) for growth of the silicon single crystal ingot, a heat insulating member 60 that can be bonded to and separated from the seed chuck 41, and the silicon And moving means (not shown) for moving the single crystal ingot upwards.

그리고, 상기 실리콘 단결정 잉곳 제조 장치(100)는, 상기 도가니(10)를 지지하고 회전 및 상승시키기 위한 지지수단(50)과, 상기 챔버(1)의 내벽을 향한 상기 가열부(20)의 열을 차단하기 위한 측방 단열부(31)와, 상기 실리콘 단결정 잉곳의 상태를 감지하기 위한 감지부(미도시)와, 상기 실리콘 단결정 잉곳을 냉각하기 위한 냉각관(70)을 더 포함한다.In addition, the silicon single crystal ingot manufacturing apparatus 100 includes support means 50 for supporting, rotating and raising the crucible 10, and a row of the heating part 20 facing the inner wall of the chamber 1. Side insulation portion 31 for blocking the, a detection unit (not shown) for detecting the state of the silicon single crystal ingot, and a cooling tube 70 for cooling the silicon single crystal ingot further comprises.

상기 챔버(1)는 내부에 캐비티(cavity)가 형성된 원통 형상일 수 있고, 상기 챔버(1)의 중앙 영역에 상기 도가니(10)가 위치된다. 상기 도가니(10)는, 상기 실리콘 용융액이 수용될 수 있도록 전체적으로 오목한 그릇의 형상이다. 그리고, 상기 도가니(10)는, 상기 실리콘 용융액(100)과 직접 접촉되는 석영 도가니(11)와, 상기 석영 도가니(11)의 외면을 둘러싸면서 상기 석영 도가니(11)를 지지하는 흑연 도가니(12)로 이루어질 수 있다.The chamber 1 may have a cylindrical shape having a cavity formed therein, and the crucible 10 is positioned in a central region of the chamber 1. The crucible 10 is in the shape of a concave bowl as a whole so that the silicon melt can be accommodated. The crucible 10 includes a quartz crucible 11 in direct contact with the silicon melt 100 and a graphite crucible 12 supporting the quartz crucible 11 while surrounding an outer surface of the quartz crucible 11. It can be made of).

상기 도가니(10)의 측면에는 상기 도가니(10)를 향하여 열을 방출하기 위한 가열부(20)가 위치하고, 상기 측방 단열부(31)는 상기 가열부(20)와 상기 챔버(1)의 내벽 사이에 구비된다.The heating unit 20 for dissipating heat toward the crucible 10 is positioned on the side of the crucible 10, and the lateral heat insulation unit 31 is an inner wall of the heating unit 20 and the chamber 1. It is provided between.

그리고, 상기 상방 단열부(32)는, 상기 챔버(1)의 내벽으로부터 상기 실리콘 용융액과 상기 실리콘 용융액으로부터 성장된 단결정 잉곳의 경계면을 향하여 연장된다. 다만, 상기 상방 단열부(32)의 단부와 상기 경계면 사이를 통하여 아르곤 가스가 유동할 수 있도록, 상기 상방 단열부(32)의 단부가 상기 경계면과 이격되는 범위 내에서 연장된다.The upper heat insulating part 32 extends from the inner wall of the chamber 1 toward the interface between the silicon melt and the single crystal ingot grown from the silicon melt. However, an end portion of the upper insulation portion 32 extends in a range spaced from the boundary surface so that argon gas flows between the end portion of the upper insulation portion 32 and the boundary surface.

또한, 상기 상방 단열부(32)의 단부는 단열 부재(60)를 둘러싸고 있다. 즉, 상기 상방 단열부(32)는 상기 챔버(1)의 내부 공간을, 상기 실리콘 용융액이 가열되고 상기 실리콘 용융액으로부터 단결정 잉곳이 성장되는 가열 챔버(13)와, 상기 단결정 잉곳이 냉각되는 냉각 챔버(14)로 구획한다.In addition, an end portion of the upper heat insulating part 32 surrounds the heat insulating member 60. That is, the upper insulator 32 has a heating chamber 13 in which the silicon melt is heated and a single crystal ingot is grown from the silicon melt, and a cooling chamber in which the single crystal ingot is cooled. We divide into (14).

그리고, 실리콘 단결정 잉콧의 이동 수단은 단열 부재(60)를 이동시킬 수도 있다. 도시된 바와 같이 이동 수단은 시드척(41)에 연결되는 시드 케이블(42)과, 상기 단결정 잉곳을 상승시키기 위한 동력을 제공하는 구동모터(미도시)를 포함한다. 상기 구동모터에 의하여 상기 시드 케이블(42)을 당겨짐으로써, 상기 시드척(41)과 단열 부재(60)가 함께 당겨질 수 있다.In addition, the moving means of the silicon single crystal ingot may move the heat insulating member 60. As shown, the moving means comprises a seed cable 42 connected to the seed chuck 41 and a drive motor (not shown) which provides power for raising the single crystal ingot. The seed chuck 41 and the heat insulating member 60 may be pulled together by pulling the seed cable 42 by the driving motor.

또한, 상기 지지수단(50)은, 상기 도가니(10)를 지지하는 지지부와, 상기 도가니(10)를 회전 및 승강시키기 위한 동력을 제공하는 구동모터(미도시)를 포함한다. 상기 지지부는 상기 도가니(10)의 하방에서 상기 도가니(10)의 저면을 지지하고, 상기 구동모터는 상기 지지부를 회전 및 승강시킴으로써 상기 도가니(10)가 회전 및 승강되도록 한다.In addition, the support means 50 includes a support part for supporting the crucible 10 and a drive motor (not shown) for providing power for rotating and elevating the crucible 10. The support part supports the bottom surface of the crucible 10 under the crucible 10, and the driving motor rotates and lifts the support part so that the crucible 10 is rotated and lifted up.

그리고, 상기 냉각관(70)은 전체적으로 상하 방향으로 긴 중공형의 원통 형상이다. 그리고, 상기 냉각관(70)은 상기 단결정 잉곳의 상방에 해당하는 상기 챔버(1)의 상면에 고정된다. In addition, the cooling tube 70 is a hollow cylindrical shape that is long in the vertical direction as a whole. The cooling tube 70 is fixed to an upper surface of the chamber 1 corresponding to the upper side of the single crystal ingot.

그리고, 상기 냉각관(70)의 내부에는, 상기 단결정 잉곳의 냉각을 위한 물이 유동하기 위한 유로가 형성된다. 상기 단결정 잉곳의 쿨링(cooling) 과정이 수행되는 동안, 상기 단결정 잉곳은 상기 냉각관(70)의 내측에 위치되고 상기 냉각관(70)을 통하여 물이 유동하는 방식으로 상기 단결정 잉곳이 냉각될 수 있다.In the cooling tube 70, a flow channel for flowing water for cooling the single crystal ingot is formed. While the cooling process of the single crystal ingot is performed, the single crystal ingot may be located inside the cooling tube 70 and the single crystal ingot may be cooled in such a manner that water flows through the cooling tube 70. have.

상기 단결정 잉곳이 멜팅(melting)되는 동안, 상기 상방 단열부(32)의 내측에 해당하는 상기 도가니(10)의 상방을 단열 부재(80)가 선택적으로 차단할 수 있다. 즉, 상기 도가니(10)의 상방으로 방출되는 열을 상기 상방 단열부(32)와 단열 부재(60)가 함께 차단할 수 있다.While the single crystal ingot is melted, the heat insulating member 80 may selectively block the upper side of the crucible 10 corresponding to the inside of the upper heat insulating part 32. That is, the upper heat insulating part 32 and the heat insulating member 60 may block the heat emitted upward of the crucible 10.

상기 단열 부재(60)는 전체적으로 원뿔대(circular truncated cone) 형상으로 형성되는 단열 몸체(62b)와, 상기 단열 몸체(62b)의 하단으로부터 하방으로 연장되는 단열부(62a)와, 상기 시드척에 결합되는 결합부(62c)를 포함한다. 그리고, 상기 단열 몸체(62b) 및 단열부(62a)의 내부에는 단열재(61)가 수용될 수 있다.The heat insulating member 60 is connected to the seed chuck and the heat insulating body 62b which is formed in a truncated cone shape as a whole, a heat insulating portion 62a extending downward from a lower end of the heat insulating body 62b. Engaging portion 62c. The heat insulating material 61 may be accommodated in the heat insulating body 62b and the heat insulating part 62a.

그리고, 상기 단열 몸체(62b)의 외면은 경사지게 형성되어, 상기 냉각 챔버(14) 내부를 유동하는 아르곤 가스를 상기 가열 챔버(13)를 향하여 유동하도록 안내할 수 있다. 그리고, 상기 단열부(62a)는 상기 단열 몸체(62b)의 하단과 동일한 외경을 가지도록 형성된다.In addition, the outer surface of the heat insulation body 62b may be inclined to guide the argon gas flowing in the cooling chamber 14 toward the heating chamber 13. The heat insulating part 62a is formed to have the same outer diameter as the lower end of the heat insulating body 62b.

이때, 상기 단열 몸체(62b)의 하단의 외경 및 상기 단열부(62a)의 외경은 상기 상방 단열부(32)의 내경보다 작다. 즉, 상기 단열 부재(60)의 저면의 면적은, 상기 상방 단열부(32)로 둘러싸이는 내측 공간의 면적보다 적다. 따라서, 상기 단열 부재(60)와 상기 상방 단열부(32)의 사이로 상기 아르곤 가스가 유동할 수 있도록, 상기 단열 부재(60) 및 상방 단열부(32)는 서로 이격된다. At this time, the outer diameter of the lower end of the heat insulating body 62b and the outer diameter of the heat insulating part 62a are smaller than the inner diameter of the upper heat insulating part 32. That is, the area of the bottom face of the said heat insulation member 60 is smaller than the area of the inner space enclosed by the said upper heat insulation part 32. As shown in FIG. Therefore, the heat insulating member 60 and the upper heat insulating part 32 are spaced apart from each other so that the argon gas may flow between the heat insulating member 60 and the upper heat insulating part 32.

그리고, 단열부(62a)의 저면 즉, 상기 단열 부재(60)의 저면은, 상기 실리콘 용융액의 표면으로부터 일정한 간격을 가지도록 편평하게 형성된다. And the bottom face of the heat insulation part 62a, ie, the bottom face of the said heat insulation member 60, is formed flat so that it may have a fixed space | interval from the surface of the said silicon melt.

한편, 상기 결합부(62c)는 상기 단열 몸체(62b)의 상단에 구비되어, 상기 시드척(41)에 결합된다. 상기 결합부(62c)의 상면에는 상기 시드척(41)과 결합하기 위한 결합홈(63)이 형성된다.On the other hand, the coupling portion 62c is provided on the upper end of the heat insulating body 62b and coupled to the seed chuck 41. A coupling groove 63 for coupling with the seed chuck 41 is formed on an upper surface of the coupling part 62c.

이하에서, 실시예에 따른 단열 부재 및 이를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳 제조 장치에서 작용에 대하여 설명한다.Hereinafter, the operation of the heat insulating member and the silicon single crystal ingot manufacturing apparatus including the same according to the embodiment will be described.

시드척(41)에 단열 부재(60)를 결합하는데, 상기 단열 부재(60)의 단열부(62a)의 표면에는 열 반사층(64)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 열 반사층(64)는 파이로 카본(Pyro carbon)이 코팅되어 형성될 수 있고, 1 밀리미터 내지 10 밀리미터의 두께로 코팅될 수 있다.The heat insulating member 60 is coupled to the seed chuck 41, and a heat reflecting layer 64 is formed on the surface of the heat insulating part 62a of the heat insulating member 60. In addition, the heat reflection layer 64 may be formed by coating pyro carbon, and may be coated with a thickness of 1 millimeter to 10 millimeters.

여기서, 상기 열 반사층(64)를 단열 부재(60)의 전체에 코팅하면 열 반사 효과가 향상될 수 있으나, 파이로 카본은 코팅 속도가 작으므로 도가니(10)로부터 방출되는 열과 직접 접촉하는 단열부(62a)에만 형성할 수 있다.In this case, the heat reflection effect may be improved by coating the heat reflecting layer 64 on the entirety of the heat insulating member 60, but since the pyro carbon has a low coating rate, the heat insulating part directly contacts the heat emitted from the crucible 10. It can be formed only at 62a.

상기 결합홈(63)에 시드척(41)이 삽입되고, 상기 시드 케이블(42)이 하강하고 따라서 상기 단열 부재(60)가 하강하게 된다. 이때, 상기 단열 부재(60)는 저면, 즉 단열부(62a)의 저면이 상기 상방 단열부(32)의 하단의 높이와 동일하게 이를 때까지 하강한다. 즉, 상기 단열 부재(60)의 저면이 상기 상방 단열부(32)의 하단의 높이와 일치하면, 멜팅 과정에서 도가니(10)로부터 발생하는 열이 외부로 방출되는 것을 막을 수 있다.The seed chuck 41 is inserted into the coupling groove 63, and the seed cable 42 descends and thus the heat insulating member 60 descends. At this time, the heat insulating member 60 is lowered until the bottom surface, that is, the bottom surface of the heat insulating part 62a is equal to the height of the lower end of the upper heat insulating part 32. That is, when the bottom surface of the heat insulating member 60 coincides with the height of the lower end of the upper heat insulating part 32, heat generated from the crucible 10 may be prevented from being released to the outside during the melting process.

또한, 상기 파이로 카본 등이 코팅된 열 반사층(64)이 도가니(10)로부터 방출되는 열을 반사하므로, 이러한 효과를 더욱 증대시킬 수 있다. 파이로 카본은 종래의 그라파이트(Graphite)에 비하여 반사율이 2배 이상 증가되어 상술한 효과를 기대할 수 있다.In addition, since the heat reflecting layer 64 coated with the pyro carbon or the like reflects the heat emitted from the crucible 10, this effect may be further increased. Pyrocarbon can be expected to have the above-described effect by increasing the reflectance by more than twice as compared with conventional graphite (Graphite).

이때, 상기 단열 부재(60)는 그 저면이 상기 도가니(10) 내의 실리콘으로부터 100 밀리미터 이상 상부에 고정될 수 있다. 만약, 상기 단열 부재(60)가 상기 도가니(10) 내의 실리콘과 너무 가까우면, 상기 실리콘의 특성에 악영향을 미칠 수 있다.At this time, the bottom surface of the heat insulating member 60 may be fixed to the top of 100 millimeters or more from the silicon in the crucible 10. If the heat insulating member 60 is too close to the silicon in the crucible 10, it may adversely affect the properties of the silicon.

그리고, 상기 가열부(20)를 작동시켜, 상기 도가니(10)에 수용되는 실리콘을 가열한다. 이때, 상기 가열부(20)로부터 방출된 열이 상기 도가니(10)로 집중되고, 상기 단열 부재(60)에 의하여 상기 상방 단열부(32)의 내측에 해당하는 상기 도가니(10)의 상방이 차폐되고, 도가니(10)의 상부를 향하는 열은 열 반사층(64)에서 반사되어 다시 도가니(10) 내로 향한다.Then, the heating unit 20 is operated to heat the silicon accommodated in the crucible 10. At this time, the heat emitted from the heating unit 20 is concentrated in the crucible 10, the upper portion of the crucible 10 corresponding to the inside of the upper heat insulating portion 32 by the heat insulating member 60 is Shielded, heat directed upwards of the crucible 10 is reflected off the heat reflecting layer 64 and back into the crucible 10.

따라서, 상기 가열부(20)가 더욱 적은 출력으로도 상기 실리콘의 멜팅 과정을 수행할 수 있으며, 상기 가열부(20)의 출력이 종래에 비하여 감소되므로, 상기 멜팅 과정을 수행하는 데 필요한 에너지 소비량이 감소될 수 있다.Therefore, the heating unit 20 may perform the melting process of the silicon even with a smaller output, and the output of the heating unit 20 is reduced compared to the conventional, energy consumption required to perform the melting process This can be reduced.

또한, 상기 멜팅 과정에서도, 상기 아르곤 가스는 상기 냉각 챔버(14)로부터 상기 가열 챔버(13)를 향하여 유동하게 되는데, 상기 아르곤 가스는 상기 단열 부재(80)의 측면에 의하여 상기 가열 챔버(13)을 향하도록 안내될 수 있다.In addition, in the melting process, the argon gas flows from the cooling chamber 14 toward the heating chamber 13, wherein the argon gas is formed by the side surface of the heat insulating member 80. It may be directed to face.

한편, 상기 멜팅 과정이 완료된 경우에는, 상기 인상 수단에 의하여 상기 단열 부재(60)가 다시 상승되어, 상기 상방 단열부(32)의 내측에 해당하는 공간으로부터 이탈된다. 그리고, 상기 단결정 잉곳을 생성하기 위한 다음 과정이 수행될 수 있다.On the other hand, when the melting process is completed, the heat insulating member 60 is raised again by the pulling means, is separated from the space corresponding to the inside of the upper heat insulating portion (32). In addition, the following process for generating the single crystal ingot may be performed.

아래의 표 1은 본 실시예와 같이 단열 부재의 표면에 열 반사층(64)를 코팅한 경우와, 종래의 비교예에서 동일한 히트 파워(Heat power)에서의 온도를 비교한 것이다.Table 1 below compares the temperature at the same heat power in the case where the heat reflective layer 64 is coated on the surface of the heat insulating member as in the present embodiment and in the conventional comparative example.

비교예Comparative example 실시예Example 히트 파워(kw)Heat power (kw) 120120 120120 측면 멜팅 온도(K)Side Melting Temperature (K) 18931893 19831983 중심 멜팅 온도(K)Center Melting Temperature (K) 16851685 18801880 중심-측면 멜팅 온도차Center-Side Melting Temperature Difference 208208 103103

종래의 그라파이트보다 파이로 카본의 열, 적외선 반사효율이 커서, 동일한 히트 파워를 사용하여도 멜팅 온도가 약 90도 상승하고 있다.그리고, 본 실시예에서는 멜팅 덮개를 적용한 경우에 멜팅 중심부와 측면부의 온도차가 비교예보다 편차가 105도 감소하고 있다. 즉, 멜팅 덮개로 상부 단열을 강화하여 멜팅 공정을 진행하였을 때, 온도 편차가 줄어 전체적으로 멜팅의 온도 분포가 균일하게 된다.The heat and infrared reflection efficiency of pyro carbon is higher than that of conventional graphite, and the melting temperature is increased by about 90 degrees even when the same heat power is used. The variation in temperature is 105 degrees less than that of the comparative example. In other words, when the melting process is performed by strengthening the upper insulation with the melting cover, the temperature variation is reduced, so that the temperature distribution of the melting is generally uniform.

도 4 내지 도 6은 도 3의 실리콘 단결정 잉곳의 제조장치의 효과를 나타낸 도면이고, 도 7은 종래의 실리콘 멜팅 공정에서의 히트 파워를 나타낸 도면이다.4 to 6 is a view showing the effect of the apparatus for producing a silicon single crystal ingot of Figure 3, Figure 7 is a view showing the heat power in the conventional silicon melting process.

도 4로부터 동일한 히트 파워 조건에서 멜팅 시간이 상술한 실시예에서 종래의 비교예보다 약 18% 감소하고 있다.From the same heat power condition from Figure 4, the melting time is reduced by about 18% in the above-described embodiment compared to the conventional comparative example.

그리고, 도 5에서는 도 4와 달리 멜팅 시간을 종래의 비교예와 동일하게 할때, 히트 파워의 감소를 측정하였다. 실시예에서 종래보다 히트 파워가 약 20 킬로 와트(kw) 감소함을 알 수 있다.In addition, in FIG. 5, when the melting time is the same as that of the conventional comparative example, unlike in FIG. 4, a decrease in the heat power was measured. In the embodiment it can be seen that the heat power is reduced by about 20 kilowatts (kw) compared to the prior art.

도 6에서, 도가니의 라이프 타임 내구성이 종래의 비교예보다 약 9% 증가하고 있다.In Fig. 6, the life time durability of the crucible is increased by about 9% compared to the conventional comparative example.

즉, 도 7에서 멜팅 공정은 다른 공정에 비하여 높은 히트 파워(Heat power)에서 진행되며 석영 도가니의 열화를 가져와 수율을 저하시킬 수 있는데, 실시예와 같이 단열 부재에 열 반사층을 파이로 카본으로 형성하여 멜팅 효율을 증가시키고 TOH(Total Operation Hour)를 단축할 수 있다.That is, in Figure 7, the melting process is performed at a higher heat power (Heat power) compared to other processes and may cause a degradation of the quartz crucible, thereby lowering the yield. This can increase the melting efficiency and shorten the total operation hour (TOH).

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

1 : 챔버 10 : 도가니
11 : 석영 도가니 12 : 흑연 도가니
13 : 가열 챔버 14 : 냉각 챔버
20 : 가열부 31 : 측방 단열부
32 : 상방 단열부 41 : 시드척
42 : 케이블 50 : 지지 수단
60 : 단열 부재 61 : 단열재
62a : 단열부 62b : 단열 몸체
62c : 결합부 63 : 결합홈
64 : 열 반사층 70 : 냉각관
100 : 실리콘 단결정 잉곳 제조장치1: chamber 10: crucible
11: quartz crucible 12: graphite crucible
13 heating chamber 14 cooling chamber
20: heating part 31: lateral insulation
32: upward insulation portion 41: seed chuck
42 cable 50 support means
60: heat insulating member 61: heat insulating material
62a: insulation 62b: insulation body
62c: coupling portion 63: coupling groove
64: heat reflection layer 70: cooling tube
100: silicon single crystal ingot manufacturing apparatus

Claims (11)

단열 몸체;
상기 단열 몸체의 상단에 구비되고, 시드척에 결합되는 결합부; 및
상기 단열 몸체의 하단에 구비되고, 표면에 열 반사층이 형성된 단열부를 포함하는 단열 부재.Thermal insulation body;
A coupling part provided at an upper end of the thermal insulation body and coupled to a seed chuck; And
Is provided at the bottom of the heat insulating body, the heat insulating member comprising a heat insulating portion is formed on the surface a heat reflection layer. 제 1 항에 있어서,
상기 열 반사층은 파이로 탄소(Pyro Carbon)가 코팅되어 형성된 단열 부재.The method of claim 1,
The heat reflecting layer is a heat insulating member formed by coating a pyro carbon (Pyro Carbon). 제 1 항에 있어서,
상기 열 반사층은 1 내지 10 밀리미터의 두께로 형성된 실리콘 단열 부재.The method of claim 1,
The heat reflective layer is a silicon heat insulating member formed to a thickness of 1 to 10 millimeters. 제 1 항에 있어서,
상기 결합부는 원뿔대 형상인 단열 부재.The method of claim 1,
The coupling portion is a heat insulating member having a truncated cone shape. 챔버;
상기 챔버의 내부에 구비되고, 실리콘이 수용되는 도가니;
상기 챔버의 내부에 구비되고, 상기 실리콘을 가열하는 가열부;
상기 도가니의 상부에 배치되고, 상기 실리콘으로부터 성장되는 단결정 잉곳을 향하는 상기 가열부의 열을 차폐하는 상방 단열부; 및
상기 단열부의 내측에 해당하는 상기 도가니의 상부를 차폐하고, 표면에 열 반사층이 형성된 단열 부재를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 제조장치.chamber;
A crucible provided inside the chamber and containing silicon;
A heating unit provided inside the chamber and heating the silicon;
An upper heat insulating part disposed on the crucible and shielding heat of the heating part facing the single crystal ingot grown from the silicon; And
An apparatus for manufacturing a silicon single crystal ingot, comprising a heat insulating member formed on a surface thereof to shield an upper portion of the crucible corresponding to the inside of the heat insulating part. 제 5 항에 있어서,
상기 열 반사층은 파이로 탄소(Pyro Carbon)가 코팅되어 형성된 실리콘 단결정 잉곳의 제조장치.The method of claim 5, wherein
The heat reflection layer is a device for manufacturing a silicon single crystal ingot formed by coating a pyro carbon (Pyro Carbon). 제 5 항에 있어서,
상기 열 반사층은 1 내지 10 밀리미터의 두께로 형성된 실리콘 단결정 잉곳의 제조장치.The method of claim 5, wherein
The heat reflection layer is a device for producing a silicon single crystal ingot formed to a thickness of 1 to 10 millimeters. 제 5 항에 있어서,
상기 단열 부재는 상기 도가니 내의 실리콘으로부터 적어도 100 밀리미터 상부에 배치되는 실리콘 단결정 잉곳의 제조장치.The method of claim 5, wherein
And the thermal insulation member is disposed at least 100 millimeters above silicon from the crucible. 제 5 항에 있어서,
상기 단열 부재의 상단은 원뿔대 형상인 실리콘 단결정 잉곳의 제조장치.The method of claim 5, wherein
An upper end of the heat insulating member is a device for producing a silicon single crystal ingot having a truncated cone shape. 제 5 항에 있어서,
시드가 고정되는 시드척을 더 포함하고,
상기 단열 부재는 상기 시드척에 결합과 분리가 가능한 실리콘 단결정 잉곳의 제조장치.The method of claim 5, wherein
Further comprising a seed chuck to which the seed is fixed,
The heat insulating member is a device for manufacturing a silicon single crystal ingot capable of bonding to and separating from the seed chuck. 제 5 항에 있어서,
상기 실리콘의 멜팅(Melting)이 시작되면 상기 단열 부재가 하강하여 상기 단열 부재의 저면이 상기 상방 단열부의 하단의 높이와 동일하게 이르며, 상기 멜팅 과정이 종료되면 상기 단열 부재가 상승하는 실리콘 잉곳 제조 장치.The method of claim 5, wherein
When the melting of the silicon (Melting) is started, the heat insulating member is lowered, the bottom surface of the heat insulating member reaches the same as the height of the lower end of the upper heat insulating portion, the silicon ingot manufacturing apparatus that the heat insulating member is raised when the melting process is finished .
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