KR20120066708A - Hall ic with temperature compensation function - Google Patents

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KR20120066708A
KR20120066708A KR1020100098782A KR20100098782A KR20120066708A KR 20120066708 A KR20120066708 A KR 20120066708A KR 1020100098782 A KR1020100098782 A KR 1020100098782A KR 20100098782 A KR20100098782 A KR 20100098782A KR 20120066708 A KR20120066708 A KR 20120066708A
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hall
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reference voltage
switching
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표승철
한동옥
김경욱
김성태
이수웅
박상규
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삼성전기주식회사
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Abstract

PURPOSE: A hall integrated circuit which has a temperature compensation function is provided to reduce operation errors of a hall device by applying a temperature compensation result of a hall device to reference voltage. CONSTITUTION: A magnetic field detection circuit part(100) detects a differential hall signal from a hall device. A temperature compensation part(200) senses a temperature change. The temperature compensation part varies reference voltage according to the temperature change. A comparator(300) creates a switching signal by comparing the hall signal and reference voltage.

Description

온도보상기능을 갖는 홀 집적회로{HALL IC WITH TEMPERATURE COMPENSATION FUNCTION}Hall integrated circuit with temperature compensation {HALL IC WITH TEMPERATURE COMPENSATION FUNCTION}

본 발명은 휴대폰이나 모터 등에 적용될 수 있는 온도보상기능을 갖는 홀 집적회로에 관한 것으로, 특히 홀 소자의 온도 보상을 비교기(슈미트 트리거)의 기준 전압에 반영하도록 함으로써, 홀 소자의 동작 오차를 줄일 수 있는 온도보상기능을 갖는 홀 집적회로에 관한 것이다.The present invention relates to a Hall integrated circuit having a temperature compensation function that can be applied to a mobile phone, a motor, or the like, and in particular, by reflecting the temperature compensation of the Hall element to the reference voltage of the comparator (Schmitt trigger), the operation error of the Hall element can be reduced. The present invention relates to a Hall integrated circuit having a temperature compensation function.

종래의 홀 집적회로(Hall IC)의 온도보상 구조는, 홀 소자에 전압원을 공급하는 바이어싱(biasing) 회로를 홀소자의 온도계수와 반비례하는 특성을 가지도록 조정함으로서, 홀 전압이 일정하게 나오도록 설계할 수 있다.The temperature compensation structure of the conventional Hall IC is to adjust the biasing circuit for supplying the voltage source to the Hall element so as to have a characteristic that is inversely proportional to the temperature coefficient of the Hall element, so that the hall voltage is constant. Can be designed.

또는, 홀 소자의 후단인 증폭단에서 온도 계수를 가지는 저항으로 온도에 따라 증폭도를 가변시켜 홀 전압의 온도 특성을 보정하는 방식이었다.
Alternatively, the amplification stage, which is the rear end of the Hall element, is a method of correcting the temperature characteristic of the Hall voltage by varying the degree of amplification according to temperature with a resistor having a temperature coefficient.

이와 같은 종래 홀 소자의 온도 보상 방식은, 특정한 온도 계수를 가지는 저항소자 사용에 있어서 홀 소자의 온도 특성을 정확하게 반영하는데 한계점을 가지고 있는 문제점이 있다.The conventional temperature compensation method of the Hall element has a problem in that it accurately reflects the temperature characteristics of the Hall element when using a resistance element having a specific temperature coefficient.

또한, 홀 소자의 온도보상 이후, 홀 소자로부터의 신호를 처리하는 회로 스테이지에서는 온도변화에 대한 보상이 불가능하다는 문제점이 있다.
In addition, after the temperature compensation of the Hall element, there is a problem that compensation for the temperature change is impossible in the circuit stage processing the signal from the Hall element.

본 발명의 과제는 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 본 발명은, 홀 소자의 온도 보상을 비교기(슈미트 트리거)의 기준 전압에 반영하도록 함으로써, 홀 소자의 동작 오차를 줄일 수 있는 온도보상기능을 갖는 홀 집적회로를 제공한다.An object of the present invention is to solve the above-described problems of the prior art, and the present invention can reduce the operating error of the Hall element by reflecting the temperature compensation of the Hall element to the reference voltage of the comparator (Schmitt trigger). Provided is a Hall integrated circuit having a temperature compensation function.

상기한 본 발명의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제1 기술적인 측면은, 홀 소자로부터의 차동 홀신호를 탐지하는 자계 탐지 회로부; 온도 변화를 감지하고, 감지된 온도 변화에 따라 기준 전압을 가변하는 온도 보상부; 및 상기 자계 탐지 회로부로부터의 홀신호와 상기 온도 보상부로부터의 기준 전압을 비교하여 이 비교결과에 따라 스위칭 신호를 생성하는 비교기를 포함하는 홀 집적회로를 제안하는 것이다.The first technical aspect of the present invention for solving the above problems of the present invention, the magnetic field detection circuit for detecting a differential Hall signal from the Hall element; A temperature compensator for sensing a temperature change and varying a reference voltage according to the sensed temperature change; And a comparator for comparing a Hall signal from the magnetic field detection circuit unit with a reference voltage from the temperature compensator and generating a switching signal according to the comparison result.

상기 온도 보상부는, 온도 변화에 따른 온도 전압을 생성하는 온도 탐지부; 상기 온도 탐지부로부터의 온도 전압을 디지털 온도 전압으로 변환하는 A/D 변환부; 및 상기 A/D 변환부로부터의 디지털 온도 전압의 크기에 따라 미리 설정된 상기 기준 전압을 가변하는 가변 바이어스 회로부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The temperature compensator may include a temperature detector configured to generate a temperature voltage according to a temperature change; An A / D converter converting the temperature voltage from the temperature detector into a digital temperature voltage; And a variable bias circuit unit configured to vary the preset reference voltage according to the magnitude of the digital temperature voltage from the A / D converter.

상기 비교기는, 상기 자계 탐지 회로부로부터의 홀신호를 입력받는 비반전 입력단과, 상기 온도 보상부로부터의 기준 전압을 입력받는 반전 입력단과, 상기 홀신호와 상기 기준 전압을 비교하여 상기 스위칭 신호를 생성하여 출력단으로 출력하는 슈미트 트리거로 이루어진 것을 특징으로 한다.The comparator generates the switching signal by comparing a non-inverting input terminal for receiving a Hall signal from the magnetic field detection circuit unit, an inverting input terminal for receiving a reference voltage from the temperature compensation unit, and comparing the Hall signal with the reference voltage. It characterized by consisting of the Schmitt trigger to output to the output stage.

상기 온도 탐지부는, 온도에 따른 저항치를 갖는 온도 검출 소자; 상기 온도 검출 소자와 연결된 저항을 포함하는 것을 특징으로 한다.The temperature detector may include a temperature detection device having a resistance value corresponding to a temperature; It characterized in that it comprises a resistor connected to the temperature detection element.

상기 A/D 변환부는, 사전에 설정된 N 분해능을 가지며, 상기 온도 탐지부로부터의 온도 전압을 상기 N 분해능에 따라 N 비트를 갖는 디지털 온도 전압으로 변환하는 것을 특징으로 한다.The A / D converter has a predetermined N resolution, characterized in that for converting the temperature voltage from the temperature detector to a digital temperature voltage having N bits in accordance with the N resolution.

상기 가변 바이어스 회로부는, 동작전압을 공급받는 전압단과 접지 사이에 직렬로 연결된 제1 및 제2 저항; 및 상기 제1 및 제2 저항의 접속노드와 접지 사이에 복수의 제1 내지 제n 스위칭 저항부를 포함하고, 상기 제1 내지 제n 스위칭 저항부중 제1 스위칭 저항부는 제1 스위치와 제1 가변저항을 포함하고, 상기 제n 스위칭 저항부는 제n 스위치와 제n 가변저항을 포함하는 것을 특징으로 한다.The variable bias circuit unit may include: first and second resistors connected in series between a voltage terminal receiving an operating voltage and a ground; And a plurality of first to nth switching resistors between the connection node of the first and second resistors and a ground, wherein a first switching resistor of the first to nth switching resistors includes a first switch and a first variable resistor. The nth switching resistor unit includes an nth switch and an nth variable resistor.

본 발명에 의하면, 홀 소자의 온도 보상을 비교기(슈미트 트리거)의 기준 전압에 반영하도록 함으로써, 홀 소자의 동작 오차를 줄일 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the temperature compensation of the Hall element is reflected in the reference voltage of the comparator (Schmitt trigger), whereby the operation error of the Hall element can be reduced.

도 1은 본 발명에 따른 홀 집적회로의 블록도.
도 2는 본 발명의 온도 보상부의 구성도.
도 3은 본 발명의 온도 탐지부, A/D 변환부 및 가변 바이어스 회로부의 출력 저항값을 보이는 그래프.1 is a block diagram of a Hall integrated circuit according to the present invention;
2 is a block diagram of a temperature compensation unit of the present invention.
3 is a graph showing output resistance values of a temperature detector, an A / D converter, and a variable bias circuit of the present invention;

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 설명되는 실시 예에 한정되지 않으며, 본 발명의 실시 예는 본 발명의 기술적 사상에 대한 이해를 돕기 위해서 사용된다. 본 발명에 참조된 도면에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용할 것이다.
The present invention is not limited to the embodiments described, and the embodiments of the present invention are used to assist in understanding the technical spirit of the present invention. In the drawings referred to in the present invention, components having substantially the same configuration and function will use the same reference numerals.

도 1은 본 발명에 따른 홀 집적회로의 블록도이다.1 is a block diagram of a Hall integrated circuit according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 홀 집적회로는, 홀 소자(10)로부터의 차동 홀신호(Sh)를 탐지하는 자계 탐지 회로부(100)와, 온도 변화를 감지하고, 감지된 온도 변화에 따라 기준 전압(Vref)을 가변하는 온도 보상부(200)와, 상기 자계 탐지 회로부(100)로부터의 홀신호(Sh)와 상기 온도 보상부(200)로부터의 기준 전압(Vref)을 비교하여 이 비교결과에 따라 스위칭 신호(Ssw)를 생성하는 비교기(300)를 포함할 수 있다.
Referring to FIG. 1, a hole integrated circuit according to the present invention includes a magnetic field detection circuit unit 100 for detecting a differential Hall signal Sh from a Hall element 10, a temperature change detection, and a change in a detected temperature change. The temperature compensator 200 that varies the reference voltage Vref according to the present invention is compared with the Hall signal Sh from the magnetic field detection circuit 100 and the reference voltage Vref from the temperature compensator 200. The comparator 300 may generate a switching signal Ssw according to the comparison result.

도 2는 본 발명의 온도 보상부의 구성도이다.2 is a block diagram of a temperature compensator of the present invention.

도 2를 참조하면, 상기 온도 보상부(200)는, 온도 변화에 따른 온도 전압을 생성하는 온도 탐지부(210)와, 상기 온도 탐지부(210)로부터의 온도 전압을 디지털 온도 전압으로 변환하는 A/D 변환부(220)와, 상기 A/D 변환부(220)로부터의 디지털 온도 전압의 크기에 따라 미리 설정된 상기 기준 전압을 가변하는 가변 바이어스 회로부(230)를 포함할 수 있다.
Referring to FIG. 2, the temperature compensator 200 may include a temperature detector 210 generating a temperature voltage according to a temperature change, and converting a temperature voltage from the temperature detector 210 into a digital temperature voltage. An A / D converter 220 and a variable bias circuit 230 for varying the predetermined reference voltage according to the magnitude of the digital temperature voltage from the A / D converter 220 may be included.

일 구현예로, 상기 비교기(300)는, 기 자계 탐지 회로부(100)로부터의 홀신호(Sh)를 입력받는 비반전 입력단과, 상기 온도 보상부(200)로부터의 기준 전압(Vref)을 입력받는 반전 입력단과, 상기 홀신호(Sh)와 상기 기준 전압(Vref)을 비교하여 이 비교결과에 따라 상기 스위칭 신호(Ssw)를 생성하여 출력단으로 출력하는 슈미트 트리거로 이루어질 수 있다.
In an exemplary embodiment, the comparator 300 may include a non-inverting input terminal for receiving the Hall signal Sh from the magnetic field detection circuit unit 100 and a reference voltage Vref from the temperature compensating unit 200. The received inverting input terminal and the Hall signal Sh and the reference voltage Vref may be compared to generate a switching signal Ssw according to the comparison result, and a Schmitt trigger for outputting the output terminal.

일 구현예로, 상기 온도 탐지부(210)는, 온도에 따른 저항치를 갖는 온도 검출 소자(VR11)와, 상기 온도 검출 소자(VR1)와 연결된 저항(R11)을 포함할 수 있다.
In one embodiment, the temperature detector 210 may include a temperature detection device VR11 having a resistance value corresponding to a temperature, and a resistor R11 connected to the temperature detection device VR1.

상기 A/D 변환부(220)는, 사전에 설정된 N 분해능을 가지며, 상기 온도 탐지부(210)로부터의 온도 전압을 상기 N 분해능에 따라 N 비트를 갖는 디지털 온도 전압으로 변환하도록 이루어질 수 있다.
The A / D converter 220 may have a predetermined N resolution, and may be configured to convert the temperature voltage from the temperature detector 210 into a digital temperature voltage having N bits according to the N resolution.

상기 가변 바이어스 회로부(230)는, 동작전압(Vdd)을 공급받는 전압단과 접지 사이에 직렬로 연결된 제1 및 제2 저항(R11,R12); 및 상기 제1 및 제2 저항(R11,R12)의 접속노드(NC1)와 접지 사이에 복수의 제1 내지 제n 스위칭 저항부를 포함할 수 있다.The variable bias circuit unit 230 may include first and second resistors R11 and R12 connected in series between a voltage terminal receiving an operating voltage Vdd and a ground; And a plurality of first through n-th switching resistors between the connection node NC1 of the first and second resistors R11 and R12 and ground.

이때, 상기 제1 내지 제n 스위칭 저항부중 제1 스위칭 저항부는 제1 스위치(SW1)와 제1 가변저항(VR1)을 포함할 수 있고, 상기 제n 스위칭 저항부는 제n 스위치(SWn)와 제n 가변저항(VRn)을 포함할 수 있다.
In this case, a first switching resistor of the first to n-th switching resistors may include a first switch SW1 and a first variable resistor VR1, and the n-th switching resistor includes an n-th switch SWn and an n-th switch. n variable resistor VRn.

도 3은 본 발명의 온도 탐지부, A/D 변환부 및 가변 바이어스 회로부의 출력 저항값을 보이는 그래프이다.3 is a graph showing output resistance values of a temperature detector, an A / D converter, and a variable bias circuit of the present invention.

도 3을 참조하면, 상기 온도 탐지부(210)의 온도 검출 소자(VR11)는 온도에 비례하는 저항치를 갖고, 상기 A/D 변환부(220)의 입력 저항은 온도에 반비례하며, 상기 가변 바이어스 회로부(230)는 온도에 비례하는 바이어스 저항치를 갖는 것을 보이고 있다.
Referring to FIG. 3, the temperature detection element VR11 of the temperature detector 210 has a resistance value proportional to temperature, and the input resistance of the A / D converter 220 is inversely proportional to temperature, and the variable bias is applied. Circuit portion 230 is shown to have a bias resistance value proportional to temperature.

이하, 본 발명의 작용 및 효과를 첨부한 도면에 의거하여 설명한다.
Hereinafter, the operation and effects of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명에 따른 홀 집적회로에 대해 설명하면, 먼저 도 1에서, 본 발명의 홀 집적회로는, 자계 탐지 회로부(100), 온도 보상부(200) 및 비교기(300)를 포함하는 경우에 대해 설명한다.Referring to FIGS. 1 to 3, a hole integrated circuit according to the present invention will be described. First, in FIG. 1, the hole integrated circuit according to the present invention includes a magnetic field detection circuit unit 100, a temperature compensator 200, and a comparator 300. Will be described.

도 1을 참조하면, 상기 자계 탐지 회로부(100)는, 홀 소자(10)로부터의 차동 홀신호(Sh)를 탐지하여 상기 비교기(300)에 제공한다.Referring to FIG. 1, the magnetic field detection circuit unit 100 detects a differential Hall signal Sh from the Hall element 10 and provides it to the comparator 300.

상기 온도 보상부(200)는, 온도 변화를 감지하고, 감지된 온도 변화에 따라 기준 전압(Vref)을 가변하여 상기 비교기(300)에 제공한다.The temperature compensator 200 detects a change in temperature and provides a reference voltage Vref to the comparator 300 according to the sensed temperature change.

그리고, 상기 비교기(300)는, 상기 자계 탐지 회로부(100)로부터의 홀신호(Sh)와 상기 온도 보상부(200)로부터의 기준 전압(Vref)을 비교하여 이 비교결과에 따라 스위칭 신호(Ssw)를 생성한다.
The comparator 300 compares the Hall signal Sh from the magnetic field detection circuit unit 100 with the reference voltage Vref from the temperature compensating unit 200, and according to the comparison result, the switching signal Ssw. )

도 2를 참조하여 상기 온도 보상부(200)는, 온도 탐지부(210), A/D 변환부(220) 및 가변 바이어스 회로부(230)를 포함하는 경우에 대해 설명한다.
The temperature compensator 200 will be described with reference to FIG. 2 when the temperature detector 210, the A / D converter 220, and the variable bias circuit 230 are included.

도 2를 참조하면, 상기 온도 탐지부(210)는 온도 변화에 따른 온도 전압을 생성하여 상기 A/D 변환부(220)에 제공한다.Referring to FIG. 2, the temperature detector 210 generates a temperature voltage according to a temperature change and provides the temperature voltage to the A / D converter 220.

상기 A/D 변환부(220)는, 상기 온도 탐지부(210)로부터의 온도 전압을 디지털 온도 전압으로 변환하여 상기 가변 바이어스 회로부(230)에 제공한다.The A / D converter 220 converts the temperature voltage from the temperature detector 210 into a digital temperature voltage and provides the converted voltage to the variable bias circuit 230.

그리고, 상기 가변 바이어스 회로부(230)는, 상기 A/D 변환부(220)로부터의 디지털 온도 전압의 크기에 따라 미리 설정된 상기 기준 전압을 가변하는 상기 가변 바이어스 회로부(230)에 제공한다.
The variable bias circuit unit 230 provides the variable bias circuit unit 230 to vary the predetermined reference voltage according to the magnitude of the digital temperature voltage from the A / D converter 220.

일 구현 예로, 상기 비교기(300)는 슈미트 트리거로 이루어지는 경우, 상기 홀신호(Sh)와 상기 기준 전압(Vref)을 비교하여 이 비교결과에 따라 상기 스위칭 신호(Ssw)를 생성하여 출력단으로 출력한다.
In one embodiment, when the comparator 300 is a Schmitt trigger, the comparator 300 compares the Hall signal Sh with the reference voltage Vref and generates and outputs the switching signal Ssw according to the comparison result. .

일 구현 예로, 상기 온도 탐지부(210)는, 온도 검출 소자(VR11) 및 저항(R11)을 포함하는 경우, 상기 온도 검출 소자(VR11)는 온도 크기에 따라 저항치가 변하므로, 상기 온도 검출 소자(VR1)와 고정 저항치를 갖는 저항(R11)을 이용하면 온도변화를 감지할 수 있다.
As an example embodiment, when the temperature detector 210 includes a temperature detection device VR11 and a resistor R11, the temperature detection device VR11 may have a resistance value that varies with temperature, and thus, the temperature detection device. The temperature change can be detected by using a resistor R11 having a VR1 and a fixed resistance value.

일 구현 예로, 상기 A/D 변환부(220)는, 사전에 설정된 N 분해능을 가지는 경우, 상기 온도 탐지부(210)로부터의 온도 전압을 상기 N 분해능에 따라 N 비트를 갖는 디지털 온도 전압으로 변환할 수 있다.
As an example embodiment, when the A / D converter 220 has a predetermined N resolution, the A / D converter 220 converts the temperature voltage from the temperature detector 210 into a digital temperature voltage having N bits according to the N resolution. can do.

일 구현 예로, 상기 가변 바이어스 회로부(230)는, 동작전압(Vdd)을 공급받는 전압단과 접지 사이에 직렬로 연결된 제1 및 제2 저항(R11,R12)을 포함하고, 상기 제1 및 제2 저항(R11,R12)의 접속노드(NC1)와 접지 사이에 복수의 제1 내지 제n 스위칭 저항부를 포함할 수 있다.In an embodiment, the variable bias circuit unit 230 may include first and second resistors R11 and R12 connected in series between a voltage terminal receiving an operating voltage Vdd and a ground, respectively, and the first and second resistors may be connected to each other. A plurality of first through n-th switching resistors may be included between the connection node NC1 of the resistors R11 and R12 and the ground.

이때, 상기 제1 내지 제n 스위칭 저항부중 제1 스위칭 저항부는 제1 스위치(SW1)와 제1 가변저항(VR1)을 포함할 수 있고, 상기 제n 스위칭 저항부는 제n 스위치(SWn)와 제n 가변저항(VRn)을 포함할 수 있다.In this case, a first switching resistor of the first to n-th switching resistors may include a first switch SW1 and a first variable resistor VR1, and the n-th switching resistor includes an n-th switch SWn and a n-th switch. n variable resistor VRn.

이에 따라, 상기 가변 바이어스 회로부(230)는, 상기 A/D 변환부(220)로부터의 디지털 온도 전압의 크기, 즉 N 비트 디지털 온도 전압에 따라 상기 제1 내지 제n 스위칭 저항부에 포함된 스위치가 스위칭 동작하여, 상기 제2 저항(R12)에 병렬로 연결되는 가변저항의 개수가 결정되며, 이러한 동작을 통해서, 상기 비교기(300)의 기준 전압(Vref)이 가변될 수 있다.
Accordingly, the variable bias circuit unit 230 includes a switch included in the first to n th switching resistors according to the magnitude of the digital temperature voltage from the A / D converter 220, that is, the N bit digital temperature voltage. The switching operation may determine the number of variable resistors connected in parallel to the second resistor R12, and through this operation, the reference voltage Vref of the comparator 300 may vary.

이와 같이, 상기 비교기(300)의 기준 전압(Vref)이 가변된다는 것은, 홀 소자가 온도변화에 따라 출력신호가 변화하는 것을 보상할 수 있다는 것을 의미한다.
As such, the change in the reference voltage Vref of the comparator 300 means that the Hall element can compensate for the change in the output signal according to the temperature change.

전술한 바와 같은 본 발명에서, 홀 소자의 특정 온도계수를 반영하기 위한 저항소자를 사용하여야 하는 어려움이 없이 기준 전압(Reference voltage)만 변화시켜주면 되므로 정확한 온도특성 보정에 있어서 많은 장점을 가지고 있다.In the present invention as described above, since only the reference voltage is changed without the difficulty of using a resistance element for reflecting a specific temperature coefficient of the Hall element has a number of advantages in correct temperature characteristics correction.

또한, 최종단인 비교기로 이용되는 슈미트 트리거에서의 온도보상이 이루어지기 때문에 다른 온도보상의 회로의 경우와는 다르게 회로전체에서의 온도 특성을 보정할 수 있는 장점을 가진다.In addition, since the temperature compensation is performed in the Schmitt trigger used as the final comparator, there is an advantage in that the temperature characteristic of the entire circuit can be corrected unlike in the case of other temperature compensation circuits.

10 : 홀 소자 100 : 자계 탐지 회로부
200 : 온도 보상부 210 : 온도 탐지부
220 : A/D 변환부 230 : 가변 바이어스 회로부
300 : 비교기 Sh : 차동 홀신호
Vref : 기준 전압 Ssw : 스위칭 신호10: Hall element 100: magnetic field detection circuit portion
200: temperature compensation unit 210: temperature detection unit
220: A / D converter 230: variable bias circuit
300: comparator Sh: differential hall signal
Vref: reference voltage Ssw: switching signal

Claims (6)

홀 소자로부터의 차동 홀신호를 탐지하는 자계 탐지 회로부;
온도 변화를 감지하고, 감지된 온도 변화에 따라 기준 전압을 가변하는 온도 보상부; 및
상기 자계 탐지 회로부로부터의 홀신호와 상기 온도 보상부로부터의 기준 전압을 비교하여 이 비교결과에 따라 스위칭 신호를 생성하는 비교기
를 포함하는 홀 집적회로.A magnetic field detection circuit unit for detecting a differential Hall signal from the Hall element;
A temperature compensator for sensing a temperature change and varying a reference voltage according to the sensed temperature change; And
A comparator for comparing the Hall signal from the magnetic field detection circuit unit with a reference voltage from the temperature compensator and generating a switching signal according to the comparison result
Hall integrated circuit comprising a. 제1항에 있어서, 상기 온도 보상부는,
온도 변화에 따른 온도 전압을 생성하는 온도 탐지부;
상기 온도 탐지부로부터의 온도 전압을 디지털 온도 전압으로 변환하는 A/D 변환부; 및
상기 A/D 변환부로부터의 디지털 온도 전압의 크기에 따라 미리 설정된 상기 기준 전압을 가변하는 가변 바이어스 회로부
를 포함하는 것을 특징으로 하는 홀 집적회로.The method of claim 1, wherein the temperature compensator,
A temperature detector configured to generate a temperature voltage according to the temperature change;
An A / D converter converting the temperature voltage from the temperature detector into a digital temperature voltage; And
A variable bias circuit unit varying the preset reference voltage according to the magnitude of the digital temperature voltage from the A / D converter
Hall integrated circuit comprising a. 제2항에 있어서, 상기 비교기는
상기 자계 탐지 회로부로부터의 홀신호를 입력받는 비반전 입력단과, 상기 온도 보상부로부터의 기준 전압을 입력받는 반전 입력단과, 상기 홀신호와 상기 기준 전압을 비교하여 이 비교결과에 따라 상기 스위칭 신호를 생성하여 출력단으로 출력하는 슈미트 트리거로 이루어진 것을 특징으로 하는 홀 집적회로.The method of claim 2, wherein the comparator
The non-inverting input terminal for receiving the Hall signal from the magnetic field detection circuit unit, the inverting input terminal for receiving the reference voltage from the temperature compensating unit, and comparing the Hall signal with the reference voltage to obtain the switching signal according to the comparison result. Hall integrated circuit, characterized in that consisting of the Schmitt trigger to output to the output stage. 제2항에 있어서, 상기 온도 탐지부는,
온도에 따른 저항치를 갖는 온도 검출 소자;
상기 온도 검출 소자와 연결된 저항
를 포함하는 것을 특징으로 하는 홀 집적회로.The method of claim 2, wherein the temperature detector,
A temperature detecting element having a resistance value according to temperature;
A resistor connected to the temperature detecting element
Hall integrated circuit comprising a. 제4항에 있어서, 상기 A/D 변환부는,
사전에 설정된 N 분해능을 가지며, 상기 온도 탐지부로부터의 온도 전압을 상기 N 분해능에 따라 N 비트를 갖는 디지털 온도 전압으로 변환하는 것을 특징으로 하는 홀 집적회로.The method of claim 4, wherein the A / D conversion unit,
And a predetermined N resolution, and converts the temperature voltage from the temperature detector to a digital temperature voltage having N bits according to the N resolution. 제5항에 있어서, 상기 가변 바이어스 회로부는,
동작전압을 공급받는 전압단과 접지 사이에 직렬로 연결된 제1 및 제2 저항; 및
상기 제1 및 제2 저항의 접속노드와 접지 사이에 복수의 제1 내지 제n 스위칭 저항부를 포함하고,
상기 제1 내지 제n 스위칭 저항부중 제1 스위칭 저항부는 제1 스위치와 제1 가변저항을 포함하고,
상기 제n 스위칭 저항부는 제n 스위치와 제n 가변저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 홀 집적회로.The method of claim 5, wherein the variable bias circuit unit,
First and second resistors connected in series between a voltage terminal receiving an operating voltage and ground; And
A plurality of first through n-th switching resistors between the connection node of the first and second resistors and a ground;
A first switching resistor of the first to nth switching resistors includes a first switch and a first variable resistor,
The n-th switching resistor unit includes an n-th switch and an n-th variable resistor.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150027414A (en) * 2013-09-02 2015-03-12 삼성전자주식회사 Temparature sensor having calibration function accoding to temparature, method thereof, and devices having the same
CN109116907A (en) * 2018-08-13 2019-01-01 河北新华北集成电路有限公司 Negative pressure biasing circuit and power amplifier

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