KR20120065883A - Exposing method and exposing apparatus - Google Patents

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최철호
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Abstract

PURPOSE: An exposing method and an exposing apparatus are provided to vary the irradiation power of light with respect to a target according to the progressing time of exposure. CONSTITUTION: An exposing method includes an exposing process which irradiates light to a target of a pre-set thickness to be exposed. The irradiation power of light with respect to the target is variable according to the progressing time of exposure. The target is solder resist. The irradiation power of light is increased as the exposure is implemented. A specific wavelength band for light is selectively filtered to vary the irradiation power of light. The light includes i line, h line, and g line. The i line is selectively filtered at the initial part of the exposure, and the g line is selectively filtered at the last part of the exposure.

Description

노광방법 및 노광장치{Exposing method and exposing apparatus}Exposure method and exposing apparatus

본 발명은 노광방법 및 노광장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an exposure method and an exposure apparatus.

　인쇄회로기판을 제작하는 공정에 있어서, 회로패턴을 형성하는 공정과 솔더레지스트를 형성하는 공정 등에서 노광(exposure) 공정이 수행된다. 노광은 자외선과 같은 광원을 대상물질에 조사하여 광원에 노출된 대상물질의 특정 부분이 경화되도록 하는 공정으로서, 노광 시 조사율(irradiation power, W/m2)과 조사시간(irradiation time, s)을 적절히 설정하여 노광량(exposure energy, J/m2)을 결정한다.In the process of manufacturing a printed circuit board, an exposure process is performed in a process of forming a circuit pattern and a process of forming a solder resist. Exposure is a process to cure a specific part of the target material exposed to the light source by irradiating the target material with a light source such as ultraviolet rays, and irradiation time (irradiation power, W / m 2 ) and irradiation time (s) Set appropriately to determine the exposure energy (J / m 2 ).

노광량은 대상물질(target material)의 광경화도를 결정 짓는 주요변수로서, 일반적으로 노광량을 변화시키기 위해 조사율을 일정하게 유지한 상태에서 조사시간을 변화시키는 방법이 이용되기도 하고, 조사시간을 일정하게 유지한 상태에서 조사율을 변화시키는 방법이 이용되기도 한다.The exposure dose is a key variable that determines the degree of photocuring of the target material. In general, a method of changing the irradiation time while maintaining a constant irradiation rate is used to change the exposure dose. In some cases, a method of changing the irradiation rate may be used.

이러한 방법은 미소체적의 대상물질에서는 광경화도 측면에서 일관된 결과를 보여줄 수 있으나, 소정의 두께를 가지는 대상물질에 대해서는 두께 방향 전체에 걸쳐 일정한 광경화도를 보이기 어렵다. 예를 들어, 소정 두께의 솔더레지스트에 개구부를 형성하는 경우, 깊이 별 광경화도가 일정하지 않아 SR foot 혹은 언더컷(undercut) 등의 불량이 발생하기도 한다.
This method can show a consistent result in terms of photocurability in the microvolume of the target material, but it is difficult to show a constant photocurability in the entire thickness direction for the target material having a predetermined thickness. For example, when openings are formed in a solder resist having a predetermined thickness, photocurability for each depth is not constant, and defects such as SR foot or undercut may occur.

본 발명은 대상물질의 깊이 별 광경화도를 적절하게 제어할 수 있는 노광방법 및 노광장치를 제공하는 것이다.
The present invention provides an exposure method and an exposure apparatus capable of appropriately controlling the degree of photocuring for each depth of the target material.

본 발명의 일 측면에 따르면, 소정의 두께를 갖는 대상물질에 광을 조사하여 노광을 수행하는 방법으로서, 상기 대상물질에 대한 상기 광의 조사율(irradiation power)은 노광이 진행되는 시간에 따라 가변적인 것을 특징으로 하는 노광방법이 제공된다.According to an aspect of the present invention, a method of performing exposure by irradiating light to a target material having a predetermined thickness, the irradiation power (irradiation power) of the light to the target material is variable depending on the time the exposure proceeds An exposure method is provided, characterized by the above-mentioned.

이 때, 상기 대상물질은 솔더레지스트일 수 있다.In this case, the target material may be a solder resist.

또한, 상기 광의 조사율은 노광이 진행될수록 점차 증가할 수 있다.In addition, the irradiation rate of the light may gradually increase as the exposure proceeds.

또한, 상기 광의 조사율은 상기 광에 포함된 특정 파장대역을 선택적으로 필터링함으로써 변화될 수 있다.In addition, the irradiation rate of the light may be changed by selectively filtering a specific wavelength band included in the light.

이 때, 상기 광은 i선, h선 및 g선을 포함할 수 있으며, 노광 초기에는 상기 i선을 선택적으로 필터링하고, 노광 후기에는 상기 g선을 선택적으로 필터링 할 수 있다.In this case, the light may include i-line, h-line, and g-line, and selectively filter the i-line at the beginning of exposure, and selectively filter the g-line at the later exposure.

또한, 상기 i선과 상기 g선을 필터링 하는 단계는, 상기 g선을 선택적으로 필터링하는 제1 필터영역과, 상기 g선을 선택적으로 필터링하는 제2 필터영역이 구비된 광학필터를 상기 광원과 상기 대상물질 사이에 배치하는 단계; 및 상기 광학필터를 이동시키는 단계를 포함할 수 있다.The filtering of the i-line and the g-line may include: an optical filter including a first filter region for selectively filtering the g-line and a second filter region for selectively filtering the g-line; Disposing between the subject matter; And moving the optical filter.

여기서, 상기 광학필터는 바(bar) 형상으로 이루어질 수 있으며, 이 때, 상기 광학필터를 이동시키는 단계는, 상기 광학필터를 직선운동 시킴으로써 수행될 수 있다.Here, the optical filter may be formed in a bar shape, wherein the moving of the optical filter may be performed by linearly moving the optical filter.

한편, 상기 광학필터는 원 또는 고리 형상으로 이루어질 수도 있으며, 이 때, 상기 광학필터를 이동시키는 단계는, 상기 광학필터를 회전시킴으로써 수행될 수도 있다.Meanwhile, the optical filter may be formed in a circle or ring shape, and in this case, the moving of the optical filter may be performed by rotating the optical filter.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 소정의 두께를 갖는 대상물질에 광을 조사하여 노광을 수행하는 장치로서, 상기 대상물질에 광을 조사하는 광원; 상기 대상물질을 지지하는 지지체; 상기 광원과 상기 지지체 사이에 위치하며, 상기 광에 포함된 특정 파장대역을 각각 선택적으로 필터링하는 복수의 필터영역을 구비하는 광학필터; 및 상기 광학필터를 이동시키는 이동수단을 포함하는 노광장치가 제공된다.According to another aspect of the present invention, an apparatus for performing exposure by irradiating light to a target material having a predetermined thickness, comprising: a light source for irradiating light to the target material; A support for supporting the target material; An optical filter positioned between the light source and the support and having a plurality of filter regions for selectively filtering specific wavelength bands included in the light; And a moving means for moving the optical filter.

여기서, 상기 광학필터는 바(bar) 형상으로 이루어질 수 있으며, 이 때, 상기 광학필터를 이동시키는 단계는, 상기 광학필터를 직선운동 시킴으로써 수행될 수 있다.Here, the optical filter may be formed in a bar shape, wherein the moving of the optical filter may be performed by linearly moving the optical filter.

한편, 상기 광학필터는 원 또는 고리 형상으로 이루어질 수도 있으며, 이 때, 상기 광학필터를 이동시키는 단계는, 상기 광학필터를 회전시킴으로써 수행될 수도 있다.
Meanwhile, the optical filter may be formed in a circle or ring shape, and in this case, the moving of the optical filter may be performed by rotating the optical filter.

본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 대상물질에 대한 광의 조사율을 변경시켜, 대상물질의 깊이 별 광경화도를 적절하게 제어할 수 있다.
According to a preferred embodiment of the present invention, by changing the irradiation rate of the light to the target material, it is possible to appropriately control the degree of photocuring for each depth of the target material.

도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 노광방법의 일 실시예에 이용되는 광의 조사율을 나타내는 그래프.
도 2는 본 발명의 일 측면에 따른 노광방법의 다른 실시예에 이용되는 광의 파장별 상대강도를 나타내는 그래프.
도 3은 도 2의 그래프에 나타난 광의 전체 조사율을 나타내는 그래프.
도 4는 본 발명의 다른 측면에 따른 노광장치의 일 실시예를 나타내는 도면.
도 5는 도 4의 광학필터의 일 실시예를 나타내는 평면도.
도 6은 도 5의 광학필터가 이동하는 모습을 나타내는 측면도.
도 7은 도 4의 광학필터의 다른 실시예를 나타내는 평면도.
도 8은 도 7의 광학필터가 이동하는 모습을 나타내는 측면도.1 is a graph showing the irradiation rate of light used in one embodiment of an exposure method according to an aspect of the present invention.
2 is a graph showing the relative intensity for each wavelength of light used in another embodiment of the exposure method according to an aspect of the present invention.
3 is a graph showing the total irradiation rate of light shown in the graph of FIG.
4 shows an embodiment of an exposure apparatus according to another aspect of the invention.
FIG. 5 is a plan view illustrating an embodiment of the optical filter of FIG. 4. FIG.
FIG. 6 is a side view illustrating a state in which the optical filter of FIG. 5 moves. FIG.
7 is a plan view showing another embodiment of the optical filter of FIG.
FIG. 8 is a side view illustrating a state in which the optical filter of FIG. 7 moves. FIG.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

이하, 본 발명에 따른 노광방법 및 노광장치의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, a preferred embodiment of the exposure method and the exposure apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, in the description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals and Duplicate explanations will be omitted.

본 발명에 따른 노광방법은, 소정의 두께를 갖는 대상물질(예를 들면 인쇄회로기판의 솔더레지스트)에 광을 조사하여 노광을 수행함에 있어서, 대상물질에 대한 광의 조사율(irradiation power)이 노광이 진행되는 시간에 따라 가변적인 것에 큰 특징이 있다.In the exposure method according to the present invention, in performing exposure by irradiating light to a target material having a predetermined thickness (for example, a solder resist of a printed circuit board), the irradiation power of the light to the target material is exposed. There is a big feature to being variable over time.

도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 노광방법의 일 실시예에 이용되는 광의 조사율을 나타내는 그래프이다. 도 1을 통해 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 노광방법은, 노광 초기에는 광의 조사율을 약하게 하다가 노광이 진행될수록 조사율을 강하게 하는 방법을 이용한다. 즉, 일정한 영역에 대한 광의 조사율이 노광이 진행될수록 점차 증가하는 것이다.1 is a graph showing the irradiation rate of light used in one embodiment of an exposure method according to an aspect of the present invention. As can be seen through FIG. 1, the exposure method according to the exemplary embodiment of the present invention uses a method of decreasing the irradiation rate of light at the initial stage of exposure and increasing the irradiation rate as the exposure proceeds. That is, the irradiation rate of light with respect to a certain area gradually increases as the exposure proceeds.

노광 초기에 광의 조사율을 약하게 하면, 대상물질 표면에서의 광경화도를 낮출 수 있게 되며, 그 결과 광이 대상물질의 심부에까지 충분히 도달할 수 있게 되어 심부의 광경화도를 상대적으로 높일 수 있게 된다. 이러한 원리에 따라 점차 광의 조사율을 강하게 하면 대상물질의 두께 방향으로 균일한 광경화도를 얻을 수 있게 된다.When the irradiation rate of light is decreased at the initial stage of exposure, the degree of photocuring on the surface of the target material can be lowered, and as a result, the light can reach the core of the target material sufficiently, resulting in a relatively high degree of curing of the core. According to this principle, if the irradiation rate of light is gradually increased, uniform light curing degree can be obtained in the thickness direction of the target material.

한편, 본 실시예에서는 대상물질의 두께 방향으로 균일한 광경화도를 얻고자 하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 설계 상의 다양한 필요 및/또는 대상물질의 광경화 특성 등에 따라 조사율의 프로파일은 다르게 설정될 수도 있을 것이다.
On the other hand, in the present embodiment has been described taking the case of obtaining a uniform degree of photocuring in the thickness direction of the target material as an example, the profile of the irradiation rate may be set differently according to various needs of the design and / or photocuring properties of the target material, etc. Could be

다음으로, 본 발명의 일 측면에 따른 노광방법의 다른 실시예에 대해 설명하도록 한다. 도 2는 본 발명의 일 측면에 따른 노광방법의 다른 실시예에 이용되는 광의 파장별 상대강도(relative intensity)를을 나타내는 그래프이다.Next, another embodiment of the exposure method according to an aspect of the present invention will be described. FIG. 2 is a graph showing relative intensity of wavelengths of light used in another embodiment of an exposure method according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 실시예에서는, 노광이 수행되는 시간에 따라 광에 포함된 특정 파장대역을 선택적으로 필터링함으로써 광의 조사율이 변화되도록 하는 방법을 이용한다. 노광에이용되는 광에 포함된 다양한 파장대역들은 각각 대상물질의 깊이 별, 즉 두께 방향에 대해 영향을 미치는 정도가 상이하므로, 본 실시예의 경우와 같이 대상물질의 깊이 별로 적당한 특정 파장대역을 선택적으로 조사 또는 차단하게 되면, 해당 깊이에 적합한 성질을 갖는 광이 공급될 수 있도록 할 수 있어, 대상물질에 대한 노광 공정의 제어를 보다 효율적으로 수행할 수 있게 된다.In this embodiment, a method is used in which the irradiation rate of light is changed by selectively filtering a specific wavelength band included in the light according to the exposure time. Since various wavelength bands included in the light used for exposure have different degrees of influence on the depth direction of the target material, that is, the thickness direction, selectively select a specific wavelength band suitable for each depth of the target material as in the present embodiment. When irradiated or blocked, it is possible to supply light having a property suitable for the depth, thereby enabling more efficient control of the exposure process for the target material.

일 예로, 도 2에 도시된 바와 같이 i선(365nm), h선(405nm) 및 g선(436nm)을 포함하는 광을 이용하여 노광을 수행하는 경우, 노광 초기에는 i선을 선택적으로 필터링 하고(도 2의 (a) 참조), 노광 후기에는 g선을 선택적으로 필터링 하는(도 2의 (b) 참조) 방법을 이용할 수 있을 것이다. i선은 단파로서 대상물질 표면의 광경화도에 크게 영향을 주는 것으로 알려져 있으며, 상대적으로 장파인 g선은 대상물질의 심부에 큰 영향을 주는 것으로 알려져 있으므로, 노광 초기에는 i선을 필터링 하고 노광 말기에는 g선을 필터링 하는 프로파일을 적용하게 되면, 대상물질의 두께 방향으로 균일한 광경화도를 얻을 수 있게 될 것이다. 도 3에는 도 2의 그래프에 나타난 광의 전체 조사율의 시간에 따른 변화 모습이 도시되어 있다.As an example, when performing exposure using light including i-line (365 nm), h-line (405 nm), and g-line (436 nm), as shown in FIG. (See FIG. 2 (a)), a method of selectively filtering g lines (see FIG. 2 (b)) may be used in the later exposure. It is known that i-rays are shortwaves that greatly influence the degree of photocuring on the surface of the target material, and relatively long-wave g-rays are known to have a great influence on the core of the target material. If the g-filtering profile is applied, the uniform degree of photocuring in the thickness direction of the target material will be obtained. FIG. 3 illustrates a change in time of the total irradiation rate of light shown in the graph of FIG. 2.

한편, 본 실시예와 같이 시간에 따라 필터링 되는 파장대역을 변경하기 위하여, 후술할 구조의 광학필터(120, 120A, 120B)를 광원(110)과 대상물질(150) 사이에 배치한 뒤, 광학필터(120, 120A, 120B)를 이동시켜가면서 노광을 수행하는 방법을 이용할 수 있다. 이에 대해서는 추후에 보다 구체적으로 설명하도록 한다.
Meanwhile, in order to change the wavelength band filtered according to time as in the present embodiment, the optical filters 120, 120A, and 120B having a structure to be described later are disposed between the light source 110 and the target material 150, and then the optical A method of performing exposure while moving the filters 120, 120A, and 120B may be used. This will be described in more detail later.

다음으로, 본 발명의 다른 측면에 따른 노광장치에 대해 설명하도록 한다. 도 4는 본 발명의 다른 측면에 따른 노광장치의 일 실시예를 나타내는 도면으로서, 도 4를 참조하면, 광원(110), 광학필터(120), 지지체(130), 광학계(140), 대상물질(150)이 도시되어 있다.Next, an exposure apparatus according to another aspect of the present invention will be described. 4 is a view showing an embodiment of an exposure apparatus according to another aspect of the present invention. Referring to FIG. 4, the light source 110, the optical filter 120, the support 130, the optical system 140, and the target material. 150 is shown.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 노광장치는, 대상물질(150)에 광을 조사하는 광원(110); 대상물질(150)을 지지하는 지지체(130); 광원(110)과 지지체(130) 사이에 위치하며, 광에 포함된 특정 파장대역을 각각 선택적으로 필터링하는 복수의 필터영역을 구비하는 광학필터(120); 및 광학필터(120)를 이동시키는 이동수단(도 6의 160A, 도 9의 160B 참조)을 포함한다. 이러한 구조를 통하여, 노광이 수행되는 시간에 따라 광에 포함된 특정 파장대역을 선택적으로 필터링함으로써 광의 조사율이 변화되도록 할 수 있게 된다.As shown in FIG. 4, the exposure apparatus according to the present embodiment includes a light source 110 that irradiates light onto a target material 150; A support 130 for supporting the target material 150; An optical filter 120 positioned between the light source 110 and the support 130 and having a plurality of filter regions for selectively filtering specific wavelength bands included in light; And moving means (see 160A of FIG. 6 and 160B of FIG. 9) for moving the optical filter 120. Through this structure, the irradiation rate of the light can be changed by selectively filtering a specific wavelength band included in the light according to the exposure time.

광원(110)은 감광성을 갖는 대상물질(150)에 광을 조사하여 해당 부위가 경화되도록 하는 수단으로서, 대상물질(150)의 반응특성에 맞는 광을 조사한다. 본 실시예에서는 i선, h선 및 g선을 포함하는 광을 조사하는 경우를 예로 들고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것이 아님은 물론이다.The light source 110 is a means for irradiating light to a target material 150 having photosensitivity so that a corresponding portion is cured. The light source 110 irradiates light corresponding to a reaction characteristic of the target material 150. In this embodiment, the case of irradiating light including i-line, h-line and g-line is exemplified, but it is not necessarily limited thereto.

지지체(130)는 대상물질(150)을 지지하는 기능을 수행한다. 노광의 대상이 되는 대상물질(150)이 인쇄회로기판(미도시)에 형성되는 솔더레지스트인 경우, 지지체(130)는 인쇄회로기판의 하면을 지지함으로써 대상물질(150)인 솔더레지스트가 지지되도록 할 수 있을 것이다. 이러한 지지체(130)로는 작업테이블 등이 이용될 수 있을 것이다.The support 130 performs a function of supporting the target material 150. When the target material 150 to be exposed is a solder resist formed on a printed circuit board (not shown), the support 130 supports the lower surface of the printed circuit board to support the solder resist as the target material 150. You can do it. As the support 130, a work table or the like may be used.

광학계(140)는 광원(110)과 대상물질(150) 사이에 위치하여, 광원(110)에서 조사된 광이 노광에 적합한 밀도, 크기 등을 갖도록 변경시키는 기능을 수행한다. 이러한 광학계(140)는 복수 개의 오목렌즈 및/또는 볼록렌즈로 이루어지는 어레이로 구성될 수 있다.The optical system 140 is positioned between the light source 110 and the target material 150 to change the light irradiated from the light source 110 to have a density, size, and the like suitable for exposure. The optical system 140 may be configured as an array consisting of a plurality of concave lenses and / or convex lenses.

광학필터(120)는 광원(110)과 지지체(130) 사이에 위치하며 광원(110)이 조사하는 광에 포함된 특정 파장대역을 선택적으로 필터링하는 기능을 수행한다. 도 4에는 광학필터(120)가 광원(110)과 광학계(140) 사이에 배치되는 것으로 도시되어 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 광학계(140)과 대상물질(150) 사이에 배치될 수도 있는 등, 그 위치는 설계 상의 필요 등에 따라 다양하게 변경될 수 있을 것이다.The optical filter 120 is positioned between the light source 110 and the support 130 to selectively filter a specific wavelength band included in the light emitted by the light source 110. Although the optical filter 120 is illustrated as being disposed between the light source 110 and the optical system 140 in FIG. 4, the optical filter 120 is not necessarily limited thereto and may be disposed between the optical system 140 and the target material 150. The position may be changed in various ways according to design needs.

한편, 광학필터(120)에는 특정 파장대역을 각각 선택적으로 필터링 하는 복수의 필터영역이 마련된다. 도 5 및 도 7에는 각각 i선을 선택적으로 필터링하는 제1 필터영역(121A, 121B)과, g선을 선택적으로 필터링하는 제2 필터영역(122A, 122B)이 마련된 광학필터(120A, 120B)의 실시예들이 도시되어 있다. 이렇게 복수의 필터영역(121A, 122A, 121B, 122B)이 마련된 광학필터(120A, 120B)를 이동시켜가면서 노광 공정을 진행하게 되면, 시간에 따라 필터링 되는 파장대역을 변경시킬 수 있게 된다.On the other hand, the optical filter 120 is provided with a plurality of filter regions for selectively filtering each specific wavelength band. 5 and 7, optical filters 120A and 120B are provided with first filter regions 121A and 121B for selectively filtering i lines and second filter regions 122A and 122B for selectively filtering g lines. Examples of are shown. When the exposure process is performed while the optical filters 120A and 120B provided with the plurality of filter regions 121A, 122A, 121B, and 122B are moved as described above, the wavelength band to be filtered according to time can be changed.

도 5에는 바(bar) 형상의 광학필터(120A)가 도시되어 있다. 이 때 광학필터(120A)의 양단부에는 i선을 선택적으로 필터링하는 제1 필터영역(121A)과, g선을 선택적으로 필터링하는 제2 필터영역(122A)이 마련되어 있으며, 그 사이에는 모든 파장대역을 투과시키는 투광영역(123A)이 마련되어 있다. 이러한 바 형상의 광학필터(120A)를 이용하는 경우, 도 6에 도시된 바와 같이 컨베이어 벨트(160A)를 이송수단으로 이용하여 광학필터(120A)를 직선운동 시키게 되면, 광학필터(120A)의 직선운동에 따라 광원(110)에서 조사된 광이 통과하는 광학필터(120A) 상의 영역이 변화하게 되며, 그 결과 시간의 흐름에 따라 필터링 되는 파장대역을 변경시킬 수 있게 된다.5 shows a bar-shaped optical filter 120A. At this time, both ends of the optical filter 120A are provided with a first filter region 121A for selectively filtering i-line and a second filter region 122A for selectively filtering g-line, with all wavelength bands therebetween. A transmissive area 123A is formed to transmit light. In the case of using the bar-shaped optical filter 120A, as shown in FIG. 6, when the optical filter 120A is linearly moved using the conveyor belt 160A as a transfer means, the linear motion of the optical filter 120A is performed. As a result, the area on the optical filter 120A through which light emitted from the light source 110 passes is changed, and as a result, the wavelength band to be filtered can be changed as time passes.

도 7에는 광학필터(120)의 다른 예로, 원 형상의 광학필터(120B)가 도시되어 있다. 이 때 광학필터(120B)에는 그 중심을 기준으로 부채꼴 형상을 갖는 제1 필터영역(121B)과 제2 필터영역(122B) 및 투광영역(123B)이 마련된다. 이러한 원 형상의 광학필터(120B)를 이용하는 경우, 도 8에 도시된 바와 같이, 회전모터(160B)를 이송수단으로 이용하여 광학필터(120B)를 회전운동 시키게 되면, 광학필터(120B)의 회전운동에 따라 광원(110)에서 조사된 광이 통과하는 광학필터(120B) 상의 영역이 변화하게 되며, 그 결과 시간의 흐름에 따라 필터링 되는 파장대역을 변경시킬 수 있게 된다. 이 때 광학필터(120B)가 원 형상이 아닌 고리 형상으로 이루어질 수도 있음은 물론이다.In FIG. 7, a circular optical filter 120B is illustrated as another example of the optical filter 120. At this time, the optical filter 120B is provided with a first filter region 121B, a second filter region 122B, and a light transmitting region 123B having a fan shape with respect to the center thereof. In the case of using the circular optical filter 120B, as shown in FIG. 8, when the optical filter 120B is rotated using the rotary motor 160B as a transfer means, the optical filter 120B is rotated. According to the movement, the area on the optical filter 120B through which the light irradiated from the light source 110 passes is changed, and as a result, the wavelength band to be filtered can be changed as time passes. In this case, the optical filter 120B may be formed in a ring shape instead of a circular shape.

한편, 도 5 및 도 7에는 제1 필터영역(121A, 121B)과 제2 필터영역(122A, 122B) 사이에 모든 파장대역을 투과시키는 투광영역(123A, 123B)이 마련되어 있는 구조가 도시되어 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 또 다른 특정 파장대역을 선택적으로 필터링 하는 제3 필터영역(미도시)이 투광영역(123A, 123B)의 위치를 대체할 수도 있을 것이다.
5 and 7 illustrate a structure in which transmissive regions 123A and 123B which transmit all wavelength bands are provided between the first filter regions 121A and 121B and the second filter regions 122A and 122B. However, the present invention is not limited thereto, and a third filter region (not shown) for selectively filtering another specific wavelength band may replace the positions of the light transmitting regions 123A and 123B.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It will be understood that the invention may be varied and varied without departing from the scope of the invention.

전술한 실시예 외의 많은 실시예들이 본 발명의 특허청구범위 내에 존재한다.
Many embodiments other than the above-described embodiments are within the scope of the claims of the present invention.

110: 광원
120, 120A, 120B: 광학필터
121A, 121B: 제1 필터영역
122A, 122B: 제2 필터영역
123A, 123B: 투광영역
130: 지지체
140: 광학계
150: 대상물질
160A, 160B: 이동수단110: light source
120, 120A, 120B: Optical Filter
121A, 121B: first filter area
122A, 122B: second filter area
123A, 123B: light emitting area
130: Support
140: optical system
150: target substance
160A, 160B: Vehicle

Claims (12)

소정의 두께를 갖는 대상물질에 광을 조사하여 노광을 수행하는 방법으로서,
상기 대상물질에 대한 상기 광의 조사율(irradiation power)은 노광이 진행되는 시간에 따라 가변적인 것을 특징으로 하는 노광방법.
A method of performing exposure by irradiating light onto a target material having a predetermined thickness,
The irradiation power (irradiation power) of the light to the target material is variable, characterized in that depending on the time the exposure proceeds.
제1항에 있어서,
상기 대상물질은 솔더레지스트인 것을 특징으로 하는 노광방법.
The method of claim 1,
And the target material is solder resist.
제1항에 있어서,
상기 광의 조사율은 노광이 진행될수록 점차 증가하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
The method of claim 1,
The exposure rate of the light is characterized in that gradually increases as the exposure proceeds.
제1항에 있어서,
상기 광의 조사율은, 상기 광에 포함된 특정 파장대역을 선택적으로 필터링함으로써 변화되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
The method of claim 1,
The irradiation rate of the light is changed by selectively filtering a specific wavelength band included in the light.
제4항에 있어서,
상기 광은 i선, h선 및 g선을 포함하며,
노광 초기에는 상기 i선을 선택적으로 필터링하고, 노광 후기에는 상기 g선을 선택적으로 필터링 하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
The method of claim 4, wherein
The light includes i-rays, h-rays and g-rays,
The i-line is selectively filtered at an initial stage of exposure, and the g-line is selectively filtered at a later stage of exposure.
제5항에 있어서,
상기 i선과 상기 g선을 필터링 하는 단계는,
상기 i선을 선택적으로 필터링하는 제1 필터영역과, 상기 g선을 선택적으로 필터링하는 제2 필터영역이 구비된 광학필터를 상기 광원과 상기 대상물질 사이에 배치하는 단계; 및
상기 광학필터를 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
The method of claim 5,
Filtering the i-line and the g-line,
Disposing an optical filter between the light source and the target material, the optical filter including a first filter region selectively filtering the i-line and a second filter region selectively filtering the g-line; And
And moving the optical filter.
제6항에 있어서,
상기 광학필터는 바(bar) 형상으로 이루어지며,
상기 광학필터를 이동시키는 단계는, 상기 광학필터를 직선운동 시킴으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
The method of claim 6,
The optical filter is made of a bar (bar) shape,
The moving of the optical filter is performed by linearly moving the optical filter.
제6항에 있어서,
상기 광학필터는 원 또는 고리 형상으로 이루어지며,
상기 광학필터를 이동시키는 단계는, 상기 광학필터를 회전시킴으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
The method of claim 6,
The optical filter is made of a circle or ring shape,
Moving the optical filter is performed by rotating the optical filter.
소정의 두께를 갖는 대상물질에 광을 조사하여 노광을 수행하는 장치로서,
상기 대상물질에 광을 조사하는 광원;
상기 대상물질을 지지하는 지지체;
상기 광원과 상기 지지체 사이에 위치하며, 상기 광에 포함된 특정 파장대역을 각각 선택적으로 필터링하는 복수의 필터영역을 구비하는 광학필터; 및
상기 광학필터를 이동시키는 이동수단을 포함하는 노광장치.
An apparatus for performing exposure by irradiating light to a target material having a predetermined thickness,
A light source for irradiating light onto the target material;
A support for supporting the target material;
An optical filter positioned between the light source and the support and having a plurality of filter regions for selectively filtering specific wavelength bands included in the light; And
And moving means for moving the optical filter.
제9항에 있어서,
상기 광은 i선, h선 및 g선을 포함하며,
상기 복수의 필터영역은,
상기 i선을 선택적으로 필터링하는 제1 필터영역과, 상기 g선을 선택적으로 필터링하는 제2 필터영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
10. The method of claim 9,
The light includes i-rays, h-rays and g-rays,
The plurality of filter areas,
And a second filter area for selectively filtering the i line and a second filter area for selectively filtering the g line.
제9항에 있어서,
상기 광학필터는 바(bar) 형상으로 이루어지며,
상기 이동수단은 상기 광학필터를 직선운동 시키는 것을 특징으로 하는 노광장치.
10. The method of claim 9,
The optical filter is made of a bar (bar) shape,
And the moving means moves the optical filter linearly.
제9항에 있어서,
상기 광학필터는 원 또는 고리 형상으로 이루어지며,
상기 이동수단은 상과 광학필터를 회전시키는 것을 특징으로 하는 노광장치.10. The method of claim 9,
The optical filter is made of a circle or ring shape,
And the moving means rotates the image and the optical filter.
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