KR20120060540A - 발광모듈 및 이를 이용한 백라이트 유닛 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 회로기판; 상기 회로기판 상에 배치된 하나 이상의 광원부; 상기 광원부의 발광면 측에 배치되며, 상기 광원부의 발광면을 커버하여 빛의 파장을 변환시키는 파장변환부; 및 상기 파장변환부를 상기 광원부의 발광면 측에 지지하는 지지수단; 을 포함하는 발광모듈에 관한 것이다.

Description

발광모듈 및 이를 이용한 백라이트 유닛{LIGHT EMITTING MODULE AND BACKLIGHT UNIT USING THE SAME}
본 발명은 발광모듈 및 이를 이용한 백라이트 유닛에 관한 것이다.
반도체 발광소자의 일종인 발광 다이오드(LED)는 전류가 가해지면 p, n형 반도체의 접합 부분에서 전자와 정공의 재결합에 기하여 다양한 색상의 빛을 발생시킬 수 있는 반도체 장치이다.
이러한 발광 다이오드는 필라멘트에 기초한 발광소자에 비해 긴 수명, 낮은 전원, 우수한 초기 구동 특성, 높은 진동 저항 등의 여러 장점을 갖기 때문에 그 수요가 지속적으로 증가하고 있다.
특히, 최근에는 청색 계열의 단파장 영역의 빛을 발광할 수 있는 3족 질화물 반도체가 각광을 받고 있다.
한편, LCD 백라이트 유닛에 사용되는 발광모듈의 경우, 종래에는 냉음극 형광 램프(Cold Cathode Fluorescent Lamp: CCFL)가 사용되었으나, CCFL은 수은 가스를 사용하므로 환경 오염을 유발할 수 있고, 응답속도가 느리며, 색 재현성이 낮을 뿐만 아니라, LCD 패널의 경박 단소화에 적절하지 못한 단점을 가졌다.
이에 비해 발광 다이오드는 친환경적이며, 응답속도가 수 나노 초로 고속 응답이 가능하여 비디오 신호 스트림에 효과적이고, 임펄시브(Impulsive) 구동이 가능하다.
또한, 색 재현성이 100% 이상이고 적색, 녹색, 청색 발광 다이오드의 광량을 조정하여 휘도, 색 온도 등을 임의로 변경할 수 있을 뿐만 아니라, LCD 패널의 경박 단소화에 적합한 장점들을 가지므로 최근 백라이트 유닛용 발광모듈로서 적극적으로 채용되고 있는 실정이다.
본 발명의 일 목적은, 색 재현성과 발광 효율이 우수하며, 견고한 결합을 통해 신뢰성이 향상되는 발광모듈 및 이를 이용한 백라이트 유닛을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 간단한 구조로서 조립 및 제작의 작업성이 향상되고, 파장변환부가 규격화되어 기존의 형광체를 발광소자에 도포하여 사용하는 방식에 비해 원가를 절감시킬 수 있는 발광모듈 및 이를 이용한 백라이트 유닛을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 측면은, 회로기판; 상기 회로기판 상에 배치된 하나 이상의 광원부; 상기 광원부의 발광면 측에 배치되며, 상기 광원부의 발광면을 커버하여 빛의 파장을 변환시키는 파장변환부; 및 상기 파장변환부를 상기 광원부의 발광면 측에 지지하는 지지수단; 을 포함하는 발광모듈을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 파장변환부는 나노소재 형광물질 화합물로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 파장변환부는 양자점(quantum dot)를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 회로기판은 바(bar) 형상으로 구성될 수 있다.
이때, 상기 광원부는 복수개이며, 상기 회로기판의 길이방향을 따라 배열될 수 있다.
또한, 상기 파장변환부는 각각의 광원부에 대응되는 복수개의 분리체로 구성되며, 상기 회로기판의 길이방향을 따라 간격을 두고 설치될 수 있다.
본 발명의 다른 측면은, 발광모듈과, 상기 발광모듈의 발광경로 상에 배치된 도광판을 포함하며, 상기 발광모듈은 회로기판 상에 배치된 하나 이상의 광원부와, 상기 광원부의 발광면 측에 지지수단에 의해 배치된 파장변환부를 포함하며, 상기 파장변환부는 상기 광원부의 발광면을 커버하여 빛의 파장을 변환시키는 백라이트 유닛을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 도광판은 투명수지로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 지지수단은 상기 광원부의 발광면 측의 저면 위치에 배치되며 상기 파장변환부가 결합되도록 상면에 홈부를 갖는 지지체로 구성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에서, 상기 지지수단은 상기 광원부의 발광면 측의 저면 위치에 배치되며 상면에 돌기를 갖는 지지체와, 상기 지지체와 대향되는 상기 파장변환부의 일면에 상기 지지체의 돌기와 대응되게 형성된 홈부로 구성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 광원부는 오목부를 갖는 패키지 본체와, 상기 오목부에 배치된 발광소자를 포함할 수 있다.
이때, 상기 발광소자는 청색 LED칩으로 구성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 발광모듈과 도광판을 수납하는 샤시를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 회로기판과 전기적으로 연결된 전원공급부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 회로기판은 회로패턴이 측면을 향하게 수직으로 설치되고, 상기 광원부는 회로패턴의 형성방향을 따라 빛을 방출하도록 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에서, 상기 회로기판은 회로패턴이 위를 향하게 수평으로 설치되고, 상기 광원부는 상기 회로기판의 수평방향을 따라 빛을 방출하도록 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 발광모듈의 경우, 파장변환부를 홈/돌기 결합 등으로 광원부의 발광면 측에 결합하므로 작업성이 용이하고 견고한 결합을 통해 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 형광체를 포함하는 파장변환부를 광원부와 별도로 설치하므로 종래의 발광소자에 형광체를 직접 도포하는 방식에서 발생되던 빛의 휘도, 감도, 굴절률 변화 및 도포된 물질의 열화에 의한 변색 및 색 얼룩 발생을 방지할 수 있다
또한, 광원부의 발광면과 파장변환부 사이에 소정의 이격 공간이 생기므로 발광소자에서 발생되는 열을 빠르고 효율적으로 방출시킬 수 있다.
그리고, 파장변환부에 양자점을 포함시킴으로써 색 재현성과 발광 효율이 우수해질 수 있다(도 10 참고). 더불어 양자점의 입도와 농도를 조절함으로써 색 좌표를 용이하게 조절할 수 있는 효과를 가진다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광모듈의 광원부를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 정면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광모듈을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 백라이트 유닛 중 도광판을 제외하고 발광모듈을 중심으로 파장변환부가 분리된 상태를 나타낸 사시도이다.
도 5는 도 4의 결합사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 백라이트 유닛의 사시도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 백라이트 유닛 중 도광판을 제외하고 발광모듈을 중심으로 파장변환부가 분리된 상태를 나타낸 사시도이다.
도 8은 도 7의 결합사시도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 백라이트 유닛 중 도광판을 제외하고 발광모듈을 중심으로 나타낸 사시도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광모듈의 색 재현성을 나타낸 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 본 일 실시 형태에 따른 발광모듈은, 회로기판(20), 회로기판(20) 상에 배치된 하나 이상의 광원부(10), 상면에 길이방향의 홈부(41)를 가지며 광원부(10)의 발광면 측의 저면 위치에 배치된 지지체(40) 및, 지지체(40)의 홈부(41)에 끼움 결합되어 광원부(10)의 발광면을 커버하도록 배치되며 빛의 파장을 변환시키는 파장변환부(30)를 포함한다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 광원부(10)는 오목부(11a)를 갖는 패키지 본체(11) 및 패키지 본체(11)의 오목부(11a)에 내에 배치된 발광소자(12)를 포함할 수 있다.
발광소자(12)는 전기 신호 인가시 빛을 방출하는 광전소자라면 어느 것이나 이용 가능하며, 대표적으로 LED 칩을 들 수 있고, 일 예로서 청색광을 방출하는 질화갈륨(GaN)계 LED 칩일 수 있으며, 이러한 청색광 중 적어도 일부는 파장변환부(50)에 의해 다른 색의 빛(바람직하게 화이트 광)으로 변환될 수 있다.
패키지 본체(11)의 내부 측벽에는 소정 각도로 경사지게 반사부(13)가 구비되고, 오목부(11a)가 반사부(13)의 경사에 의해 발광소자(12)가 실장된 저면에 가까워질수록 패키지 본체(11) 내부의 폭이 좁아지는 형태로 구성될 수 있다.
반사부(13)는 발광소자(12)로부터 발광된 빛을 반사하여 외부광 추출효율을 향상시킬 수 있으며, 이를 위해 고반사성의 금속, 예를 들면 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등의 물질을 금속 도금하여 형성함이 바람직하다.
발광소자(12)는 패키지 본체(11)의 내부에 배치된 한 쌍의 리드프레임(16) 상에 배치될 수 있다.
한 쌍의 리드프레임(16)은 도전성 와이어(15)를 통해 발광소자(12)와 전기적으로 연결되고, 이 중 하나는 발광소자(12)의 실장영역으로 제공될 수 있다.
이 리드프레임(16)들은 바람직하게는 그 일부가 패키지 본체(11)의 외부로 노출되어 발광소자 패키지가 회로기판에 실장될 때 외부전기신호를 인가하기 위한 전극단자로 이용될 수 있도록 전기 전도성과 열 전도성이 우수한 금속 물질, 예컨대 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu)로 이루어진다.
다만, 본 실시 형태에서는 발광소자(12)와 연결된 한쌍의 전극이 상부에 위치하며, 발광소자(12)가 한 쌍의 도전성 와이어(15)를 통해 리드프레임(16)과 연결된 구조를 나타내고 있으나, 이러한 연결방식은 실시형태에 따라 달라질 수 있다.
예를 들어, 발광소자(12)는 실장영역으로 제공되는 일 리드프레임(16)과는 와이어(15)를 이용하지 않고 직접 전기적으로 연결되고, 반대쪽 리드 프레임(16b)과만 와이어(15)로 연결될 수도 있다.
다른 예로서, 도전성 와이어(W) 없이 소위 플립칩(flip-chip) 본딩 방식으로 발광소자(12)가 패키지 본체(11)에 배치될 수도 있다.
한편, 본 실시 형태에서는 패키지 본체(11) 하나에 발광소자(12)가 한 개만 구비되도록 표현되어 있으나, 발광소자(12)는 2개 이상 구비될 수도 있다.
나아가, 배선구조의 일 예로서 도전성 와이어를 나타내고 있으나 전기신호 전달기능을 수행할 수 있다면 다른 형태의 배선 구조 예컨대, 금속 라인으로 적절히 대체될 수도 있다.
패키지 본체(11)는 발광소자(12)를 노출하는 오목부(11a)를 포함하며, 발광소자(12)가 실장되는 적어도 한 쌍의 리드프레임(16)을 고정하는 역할을 할 수 있다.
이러한 패키지 본체(11)를 이루는 물질은 특별히 제한되는 것은 아니며, 다만 전기 절연성을 가지면서도 열 방출 성능과 광 반사율이 우수한 물질을 이용하는 것이 바람직하고, 이러한 측면에서 투명 수지 및 투명 수지에 광 반사 입자(예컨대 TiO2)가 분산된 구조를 가질 수 있다.
패키지 본체(11)의 오목부(11a)가 형성된 영역에는 발광소자(12)로부터 방출된 빛의 경로 상에 패키지 본체(11)의 오목부(11a) 내에서 발광소자(12)를 밀봉하는 형태로 봉지부(14)가 형성될 수 있다.
봉지부(14)는 실리콘, 에폭시 계열의 투명 수지로 이루어질 수 있으며, 발광 소자(12)와 도전성 와이어(15)를 보호하고, 발광소자(12)를 이루는 물질과 외부와의 굴절률 매칭을 구현하여 외부광 추출효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 봉지부(14)가 패키지 본체(11)의 오목부(11a) 내에 발광소자(12)를 감싸는 형태로 형성되고 후술하는 바와 같이 양자점을 포함하는 파장변환부(30)가 발광소자(12)로부터 이격되어 배치되므로 발광소자(12)의 열에 의한 파장변환부(30)의 열화를 방지하여 빛의 휘도, 감도 및 굴절률의 변화를 방지할 수 있다.
패키지 본체(11)의 오목부(11a) 상에는 양자점(Quantum Dot)을 포함하는 파장변환부(30)가 배치될 수 있다.
양자점(미도시)은 대략 1~10nm의 직경을 갖는 반도체 물질의 나노결정(nano crystal)으로 양자 제한(Quantum confinement) 효과를 나타내는 물질이며, 발광소자(12)에서 방출되는 광의 파장을 변환하여 파장변환광 즉 형광을 발생시킨다.
양자점으로는 Si계 나노결정, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정, III-V족계 화합물 반도체 나노결정, IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정 등을 예로 들 수 있는데 본 실시 예에서 양자점으로는 이들 각각을 단독으로 사용하거나 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.
양자점 물질을 보다 구체적으로 살펴보면, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 예를 들어 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 및 HgZnSTe로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나일 수 있다.
III-V족계 화합물 반도체 나노결정은 예를 들어 GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, 및 InAlPAs로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나일 수 있다.
IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 예를 들어 SbTe일 수 있다.
양자점은 유기용매 혹은 고분자 수지와 같은 분산매질에 자연스럽게 배위된 형태로 분산되며, 분산매질로는 양자점의 파장변환성능에 영향을 미치지 않으면서 광에 의해 변질되거나 광을 반사시키지 않으며, 광 흡수를 일으키지 않도록 하는 투명한 매질이라면 어느 것이든 사용할 수 있다.
예를 들어, 유기용매는 톨루엔(toluene), 클로로포름(chloroform), 및 에탄올(ethanol) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 고분자 수지는 에폭시(epoxy), 실리콘(silicone), 폴리스틸렌(polysthylene), 및 아크릴레이트(acrylate) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
한편, 양자점의 발광은 전도대에서 가전자대로 들뜬 상태의 전자가 전이하면서 발생되는데 동일한 물질의 경우에도 입자 크기에 따라 파장이 달라지는 특성을 나타낸다.
양자점의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 발광하는데 양자점의 크기를 조절하여 원하는 파장 영역의 빛을 얻을 수 있으며, 이 경우 양자점의 크기는 나노결정의 성장조건을 적절하게 변경함으로써 조절이 가능하다.
이때, 양자점을 구성하는 물질이 금속과 반응하게 되면 금속이 변색되어 발광소자(12)로부터 방출되는 광을 상부로 유도하는 반사층으로써의 기능을 수행할 수 없게 된다.
따라서, 본 실시형태에 따르면 패키지 본체(11)의 발광소자(12)를 봉지하는 봉지부(14)와 접촉하지 않도록 소정 간격을 두고 양자점을 포함하는 파장변환부(30)가 배치된다.
이러한 파장변환부(30) 내에는 양자점 뿐만 아니라 파장변환용 세라믹 형광체(미도시)를 포함할 수 있다.
예를 들면, 발광소자(12)로부터 방출되는 빛을 녹색으로 파장 변환시키는 양자점과 적색 빛으로 파장변환시키는 형광체가 파장변환부(30) 내에 함께 포함되어 해당되는 다양한 파장의 빛을 방출할 수 있다.
이러한 형광체는 YAG계, TAG계, Silicate계, Sulfide계 또는 Nitride계 중 어느 하나의 형광물질을 포함할 수 있다.
일반적으로, 파장변환부(30)에 포함되는 형광체는 패키지 본체(11)의 오목부(11a)를 봉지하는 봉지부(14) 상면에 직접 도포되는 것인바 발광소자(12)로부터 발생한 열에 의해 도포된 형광물질이 변색되므로 시간이 지남에 따라 방출되는 빛의 파장 및 색 분포가 변화하고 색 얼룩이 발생하는 문제가 있었다.
그러나 본 실시형태의 경우, 봉지부(14) 상에 접착성 형광물질이 직접 도포되는 것이 아니고, 파장변환부(30)는 지지체(40)에 의해 광원부(10)로부터 소정 이격하여 설치되는 것이므로 기존의 접착 물질로 된 형광체의 열화에 의한 변색 발생이 없는 발광모듈을 제공할 수 있는 것이다.
회로기판(20)은, PCB(인쇄회로기판)일 수 있고, 에폭시, 트리아진, 실리콘, 및 폴리이미드 등을 함유하는 유기 수지소재 및 기타 유기 수지소재로 형성되거나, AlN, Al2O3 등의 세라믹 소재, 또는 금속 및 금속화합물을 소재로 하여 형성될 수 있으며, 메탈 PCB의 일종인 MCPCB일 수도 있다.
즉, 광원부(10)가 실장된 면과 그 대향하는 면 모두에 광원부(10)를 구동하기 위한 배선 구조가 형성된 기판이면 어느 것이나 가능하다.
구체적으로, 기판(20)의 표면 및 이면에는 각각의 광원부(10)와 전기적으로 접속하기 위한 회로패턴과 배선이 형성될 수 있으며, 회로기판(20)의 광원부(10)가 실장되는 면에 형성된 배선은 스루홀이나 범프(미도시)를 통하여 그 이면에 형성되는 배선에 접속될 수 있다.
회로기판(20)의 이 면에는 발광모듈(100)로 전원을 공급하기 위한 배선 구조가 형성되고, 이 발광모듈(100)에 전원을 공급하기 위해 회로기판(20)과 전기적으로 연결된 별도의 전원공급부(50)가 설치될 수 있다.
한편, 본 실시 형태에 있어서, 발광모듈에 포함되는 회로기판(20)은 바(bar) 형상을 가지며, 이 바 형상의 회로기판(20) 상에는 복수 개의 광원부(10)가 회로기판(20)의 길이방향을 따라 일렬로 배치되므로 BLU의 제조 및 조립 공정이 간소화 될 수 있다.
그리고, 본 실시 형태에서는 파장변환부(30)가 단일 체로 광원부(10) 전체를 커버하는 형태로 표현하여 설명하였으나, 파장변환부(30'')는 도 9에 도시된 바와 같이 각각의 광원부에 대응되는 복수 개의 분리 체로 나누어 구성할 수 있으며, 따라서 회로기판(20)의 길이방향을 따라 각각의 광원부(10)에 대응되는 위치에서 지지체(40)의 홈부(41)에 간격을 두고 설치될 수 있다.
이러한 실시형태의 경우, 각각의 광원부(10)에 대하여 파장변환부(30'')를 별도로 구비해야 하므로 제조 및 조립 시간이 다소 증가할 수 있으나, 광원부(10) 간의 간격이 넓은 경우 광원부(10)로부터 방출된 광이 닿지 않는 영역에 불필요하게 배치되는 파장변환부(30'')의 부분을 제거함으로써 제조비용을 절감할 수 있다.
그리고, 회로기판(20)의 발광모듈이 실장된 면의 반대 면에는 열 방출을 위한 방열부(미도시)가 설치될 수 있다.
방열부는 회로기판(20)으로부터 발생된 열을 흡수하여 외부로 방출하는 역할을 하도록 열전도율이 우수한 재질인 구리, 알루미늄, 스테인레스 등으로 제작될 수 있으며, 바람직하게 표면적을 최대화하여 방열 기능을 높일 수 있다.
또한, 회로기판(20)과 방열부는 그 사이에 열 저항을 최소화시키기 위해 방열패드, 상변화 물질 또는 방열 테이프 등의 열계면 물질(Thermal Interface Material)(미도시)을 사용하여 결합시킬 수 있다.
한편, 파장변환부의 설치 구조는 위의 실시 형태에 제한되는 것은 아니고 다양하게 변형될 수 있으며, 예컨대 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 지지체(40')의 상면에 돌기(42)를 형성하고, 지지체(40')와 대향되는 파장변환부(30')의 저면에 돌기(42)와 대응되게 홈부(31)가 형성된 구조로 구성할 수 있다.
이 경우, 지지체(40')의 돌기(42)를 파장변환부(30')의 홈부(31)에 끼워 서로 결합시키면 될 것이다.
위와 같이 구성된 본 발명의 일 실시 형태들에 따른 발광모듈은 텔레비전의 백라이트 유닛(Backlight Unit), 조명 장치, 전장용 조명, 및 휴대폰 조명장치 등에 다양하게 적용될 수 있을 것이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 백라이트 유닛(BLU)을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4 내지 6을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 백라이트 유닛은, 발광모듈과, 발광모듈의 발광 경로 상에 배치된 도광판(60)을 포함한다.
도광판(60)은 입광면으로 입사되는 빛의 원활한 유도를 위해 PMMA와 같은 투명한 수지로 이루어질 수 있으며, 하부면에는 요철 등의 특정 패턴(미도시)을 형성하여 도광판(60)의 하부로 향하는 빛을 상부로 반사시키도록 구성될 수 있다.
또한, 도광판(60)의 입광면과 대향 하는 측단면에 옆으로 퍼져나가는 빛을 내측으로 반사시키도록 반사층(미도시)이 더 구비될 수 있다.
그리고, 빛의 손실을 줄여 디스플레이의 전체 밝기를 더 높일 수 있도록 BEF(brightness enhancement film) 또는 DBEF(dual brightness enhancement film)가 더 구비될 수도 있다.
한편, 위의 실시 형태들은 회로기판(20)의 회로패턴이 측면을 향하게 수직으로 설치하고 광원부(10)가 회로기판(20)의 측면에 회로패턴의 형성방향을 따라 빛을 방출하도록 배치된 것으로서 패키지 본체(11)의 저면(발광소자 실장면의 이면)에 리드프레임(16)이 노출 형성된 것이다.
그러나, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며, 회로기판의 설치 형태와 광원부의 위치는 다양하게 변형될 수 있으며, 예컨대 회로기판의 회로패턴이 위를 향하게 수평으로 설치하고 광원부(10)가 회로기판의 수평방향을 따라 빛을 방출하도록 배치할 수도 있으며, 이 경우 리드프레임(16)은 패키지 본체(11)의 저면이 아니라 측면에 형성하면 될 것이다.
그리고, 발광모듈과 도광판(60)을 내부에 수납하는 샤시(70)를 더 포함할 수 있다.
샤시(70)는 발광모듈과 도광판(60)이 장착되는 평평한 바닥면(71)과, 바닥면(71)의 테두리로부터 상부로 연장된 측벽(72)으로 이루어져 상부면이 개방된 박스형의 구조를 가진다.
이 샤시(70)는 강도 및 방열효율을 고려하여 금속 재질로 형성되는 것이 바람직하나 이에 한정하는 것은 아니다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다.
따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
10 ; 광원부 11 ; 패키지 본체
11a ; 오목부 12 ; 발광소자
13 ; 반사부 14 ; 봉지부
15 ; 와이어 16 ; 리드프레임
20 ; 회로기판 30, 30', 30'' ; 파장변환부
31, 41 ; 홈부 40, 40'; 지지체
42 ; 돌기 50 ; 전원공급부
60 ; 도광판 70 ; 샤시

Claims (19)

  1. 회로기판;
    상기 회로기판 상에 배치된 하나 이상의 광원부;
    상기 광원부의 발광면 측에 배치되며, 상기 광원부의 발광면을 커버하여 빛의 파장을 변환시키는 파장변환부; 및
    상기 파장변환부를 상기 광원부의 발광면 측에 지지하는 지지수단; 을 포함하는 발광모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지수단은 상기 광원부의 발광면 측의 저면 위치에 배치되며 상기 파장변환부가 결합되도록 상면에 홈부를 갖는 지지체인 것을 특징으로 하는 발광모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 지지수단은 상기 광원부의 발광면 측의 저면 위치에 배치되며 상면에 돌기를 갖는 지지체와, 상기 지지체와 대향되는 상기 파장변환부의 일면에 상기 지지체의 돌기와 대응되게 형성된 홈부인 것을 특징으로 하는 발광모듈.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 파장변환부는 나노소재 형광물질 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광모듈.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 파장변환부는 양자점(quantum dot)를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광모듈.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광원부는 오목부를 갖는 패키지 본체와, 상기 오목부에 배치된 발광소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광모듈.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 발광소자는 청색 LED칩인 것을 특징으로 하는 발광모듈.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 회로기판은 바(bar) 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 발광모듈.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 광원부는 복수개이며, 상기 회로기판의 길이방향을 따라 배열된 것을 특징으로 하는 발광모듈.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 파장변환부는 각각의 광원부에 대응되는 복수개의 분리체로 구성되며, 상기 회로기판의 길이방향을 따라 간격을 두고 설치된 것을 특징으로 하는 발광모듈.
  11. 발광모듈과, 상기 발광모듈의 발광경로 상에 배치된 도광판을 포함하며,
    상기 발광모듈은 회로기판 상에 배치된 하나 이상의 광원부와, 상기 광원부의 발광면 측에 지지수단에 의해 배치된 파장변환부를 포함하며,
    상기 파장변환부는 상기 광원부의 발광면을 커버하여 빛의 파장을 변환시키는 백라이트 유닛.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 도광판은 투명수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 지지수단은 상기 광원부의 발광면 측의 저면 위치에 배치되며, 상기 파장변환부가 결합되도록 상면에 홈부를 갖는 지지체인 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 지지수단은 상기 광원부의 발광면 측의 저면 위치에 배치되며 상면에 돌기를 갖는 지지체와, 상기 지지체와 대향되는 상기 파장변환부의 일면에 상기 지지체의 돌기와 대응되게 형성된 홈부인 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  15. 제11 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광원부는 오목부를 갖는 패키지 본체와, 상기 오목부에 배치된 발광소자를 포함하며,
    상기 발광소자는 청색 LED칩인 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  16. 제11 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광모듈과 도광판을 수납하는 샤시를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  17. 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 회로기판과 전기적으로 연결된 전원공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  18. 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 회로기판은 회로패턴이 측면을 향하게 수직으로 설치되고, 상기 광원부는 회로패턴의 형성방향을 따라 빛을 방출하도록 배치된 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  19. 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 회로기판은 회로패턴이 위를 향하게 수평으로 설치되고, 상기 광원부는 상기 회로기판의 수평방향을 따라 빛을 방출하도록 배치된 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
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