KR20120050946A - Method of manufacturing non-volatile memory device using transparent substrate or flexible substrates - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 비휘발성 메모리 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 투명 기판이나 플렉시블 기판 상에 투명 게이트 전극층, 투명 절연막층, 투명 나노 부유 게이트층, 투명 채널층 등을 형성하여 제조된 비휘발성 메모리 소자가 투명한(transparent) 특징을 갖는 투명 혹은 플렉시블 비휘발성 메모리 소자 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a nonvolatile memory device, and more particularly, a nonvolatile memory device manufactured by forming a transparent gate electrode layer, a transparent insulating film layer, a transparent nano floating gate layer, a transparent channel layer, or the like on a transparent substrate or a flexible substrate. A method of manufacturing a transparent or flexible nonvolatile memory device having a transparent characteristic.
비휘발성 메모리 소자(non-volatile memory device)는 전원이 공급되지 않아도 저장된 정보를 계속 유지하는 기억 소자로서, 게이트 절연막(gate insulator) 내의 부유 게이트(floating gate)에 전하(charge)를 저장하여 정보를 저장하는 소자이다. A non-volatile memory device is a memory device that maintains stored information even when power is not supplied. A non-volatile memory device stores information by storing a charge in a floating gate in a gate insulator. The device to store.
비휘발성 메모리 소자의 제작을 위하여 현재 가장 널리 이용되고 있는 방법은 실리콘 기반의 불투명한 기판을 이용하여 소자를 제작하는 방법으로, 실리콘 기반의 불투명한 기판 상에 각종 전극 등을 형성하고 있다.Currently, the most widely used method for manufacturing a nonvolatile memory device is a method of manufacturing a device using a silicon-based opaque substrate, and various electrodes are formed on the silicon-based opaque substrate.
그러나, 실리콘 기반의 불투명 기판은 유리 기판이나 플렉시블(flexible)한 고분자 기판에 비하여 상대적으로 고가이며, 투명한 비휘발성 메모리 소자의 제작 기술에는 적용될 수 없는 문제점이 있다. However, silicon-based opaque substrates are relatively expensive compared to glass substrates and flexible polymer substrates, and are not applicable to fabrication techniques of transparent nonvolatile memory devices.
이에 따라, 투명하거나 혹은 플렉시블한 비휘발성 메모리 소자의 제작을 위한 기판으로서, 상대적으로 저가이면서도 투명한 특성을 갖는 유리 기판이나 플렉시블한 고분자 기판의 적용이 요구된다. Accordingly, application of a glass substrate or a flexible polymer substrate having a relatively inexpensive and transparent characteristic as a substrate for manufacturing a transparent or flexible nonvolatile memory device is required.
본 발명의 목적은 투명 기판이나 플렉시블한 고분자 기판을 이용하고, 게이트 전극층, 게이트 절연막층, 부유 게이트층, 채널층 등을 투명한 물질들을 이용하여 형성함으로써, 제조된 비휘발성 메모리 소자가 투명하거나 플렉시블한 특성을 갖는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법을 제공하는 것이다. An object of the present invention is to form a gate electrode layer, a gate insulating film layer, a floating gate layer, a channel layer, etc. using transparent materials, and by using a transparent substrate or a flexible polymer substrate, the manufactured nonvolatile memory device is transparent or flexible A method of manufacturing a nonvolatile memory device having characteristics is provided.
또한, 본 발명은 종래에 비하여 상대적으로 저온 및 간단한 공정으로 메모리 소자를 제조할 수 있는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a nonvolatile memory device capable of manufacturing a memory device at a relatively low temperature and a simple process as compared with the prior art.
본 발명은 (a)투명 기판 또는 플렉서블 기판 상에 투명 게이트 전극을 형성하는 단계; (b)내부에 투명 나노입자로 이루어진 투명 부유 게이트의 전면(全面)을 둘러싸는 투명 게이트 절연층을 상기 투명 게이트 전극 상에 형성하는 단계; (c)상기 투명 게이트 절연층 상에 투명 산화물 채널층을 형성하는 단계; 및 (d)상기 투명 산화물 채널층과 전기적으로 연결시키고, 상기 투명 부유 게이트와 비접촉되도록 투명 소스 전극 및 투명 드레인 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법을 제공한다.The present invention comprises the steps of (a) forming a transparent gate electrode on a transparent substrate or a flexible substrate; (b) forming a transparent gate insulating layer on the transparent gate electrode that surrounds an entire surface of the transparent floating gate made of transparent nanoparticles; (c) forming a transparent oxide channel layer on the transparent gate insulating layer; And (d) electrically connecting the transparent oxide channel layer and forming a transparent source electrode and a transparent drain electrode to be in non-contact with the transparent floating gate.
본 발명에 따른 투명 혹은 플렉시블한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법은 종래의 실리콘 기반의 불투명한 기판을 이용하는 방법에 비하여 상대적으로 저가의 공정비용이 소요되고, 또한 유리 기판이나 고분자 기판을 이용하고, 각종 전극 등을 주로 스핀 코팅 방식 혹은 스퍼터링 방식에 의해 형성함으로써 저온 및 간단한 공정을 통하여 투명 비휘발성 메모리 소자를 제조할 수 있는 장점이 있다.The method for manufacturing a transparent or flexible nonvolatile memory device according to the present invention requires a relatively inexpensive process cost compared to a method using a conventional silicon-based opaque substrate, and uses a glass substrate or a polymer substrate, and uses various electrodes. By forming a back or the like mainly by a spin coating method or a sputtering method, there is an advantage of manufacturing a transparent nonvolatile memory device through a low temperature and a simple process.
또한, 본 발명에 따른 제조 방법으로 제조된 투명 혹은 플렉시블 비휘발성 메모리 소자는 전체적으로 투명하고 플렉시블하여, 디자인 측면이 우수하며, 투명 컴퓨터 또는 투명 디스플레이 등에 적용될 수 있다. In addition, the transparent or flexible nonvolatile memory device manufactured by the manufacturing method according to the present invention is transparent and flexible as a whole, and has excellent design aspects and can be applied to a transparent computer or a transparent display.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 투명 혹은 플렉시블 비휘발성 메모리 소자 제조 방법을 개략적으로 나타내는 순서도이다.
도 2는 도 1에 도시된 방법에 의해 제조된 투명 혹은 플렉시블 비휘발성 메모리 소자의 예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 투명 혹은 플렉시블 비휘발성 메모리 소자 제조 방법을 개략적으로 나타내는 순서도이다.
도 4a 내지 도 4f는 도 3에 도시된 투명 혹은 플렉시블 비휘발성 메모리 소자 제조 방법을 구현하기 위한 각 단계의 예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 방법에 의해 제조된 투명 혹은 플렉시블 비휘발성 메모리 소자의 단위 셀을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 6은 제1 투명 절연층과 제2 투명 절연층 사이에 투명 부유 게이트가 형성되어 있는 것을 나타내는 이미지이다.
도 7은 나노입자로 이루어진 투명 부유 게이트의 이미지이다. 1 is a flowchart schematically illustrating a method of manufacturing a transparent or flexible nonvolatile memory device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating an example of a transparent or flexible nonvolatile memory device manufactured by the method illustrated in FIG. 1.
3 is a flowchart schematically illustrating a method of manufacturing a transparent or flexible nonvolatile memory device according to another embodiment of the present invention.
4A through 4F are cross-sectional views schematically illustrating examples of steps for implementing the transparent or flexible nonvolatile memory device shown in FIG. 3.
FIG. 5 is a perspective view schematically illustrating a unit cell of a transparent or flexible nonvolatile memory device manufactured by the method illustrated in FIG. 4.
6 is an image showing that a transparent floating gate is formed between a first transparent insulating layer and a second transparent insulating layer.
7 is an image of a transparent floating gate made of nanoparticles.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and those skilled in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명 비휘발성 메모리 소자 제조 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
Hereinafter, a method for manufacturing a transparent nonvolatile memory device according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 투명 혹은 플렉시블 비휘발성 메모리 소자 제조 방법을 개략적으로 나타내는 순서도이다. 1 is a flowchart schematically illustrating a method of manufacturing a transparent or flexible nonvolatile memory device according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에 도시된 방법에 의해 제조된 투명 혹은 플렉시블한 비휘발성 메모리 소자의 예를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 이하, 도 1에 도시된 투명 혹은 플렉시블 비휘발성 메모리 소자 제조 방법을 설명함에 있어 도 2를 참조하기로 한다. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an example of a transparent or flexible nonvolatile memory device manufactured by the method illustrated in FIG. 1. Hereinafter, a method of manufacturing a transparent or flexible nonvolatile memory device shown in FIG. 1 will be referred to FIG. 2.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 투명 혹은 플렉시블 비휘발성 메모리 소자 제조 방법은 투명 게이트 전극 형성 단계(S110), 투명 게이트 절연층 형성 단계(S120) 및 투명 산화물 채널층 형성 단계(S130)를 포함한다.Referring to FIG. 1, in the method of manufacturing a transparent or flexible nonvolatile memory device, the transparent gate electrode forming step S110, the transparent gate insulating layer forming step S120, and the transparent oxide channel layer forming step S130 may be performed. Include.
투명 게이트 전극 형성 단계(S110)에서는 유리 기판이나 플렉시블(flexible)한 고분자 기판과 같은 투명 기판(210) 상에 스퍼터링(sputtering) 등의 방법을 이용하여 투명 게이트 전극(220)을 형성한다. In the transparent gate electrode forming step S110, the
투명 게이트 전극(220)은 투명하면서도 전기전도도가 양호한 ITO(Indium Tin Oxide), ATO(Antimon Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등으로 형성될 수 있으며, 도전성을 향상시키는 등의 경우에 따라서는 투명 기판(210) 상에 미리 금속 박막을 형성한 후에 투명 게이트 전극(220)을 형성할 수 있다. The
도 2에서는 하나의 단위 비휘발성 메모리 셀을 예로 들었으나, 실제는 복수개의 투명 게이트 전극(220)들이 투명 기판 또는 플렉서블 기판(210) 상에 일정한 간격으로 이격되어 형성되며, 형성된 투명 게이트 전극(220)들은 투명 비휘발성 메모리 소자에서 워드라인(word line)으로 이용될 수 있다. In FIG. 2, one unit nonvolatile memory cell is taken as an example, but in reality, a plurality of
투명 게이트 절연층 형성 단계(S120)에서는 투명 게이트 전극(220) 상에 투명 게이트 절연층(230)을 형성한다. 이때, 투명 게이트 절연층(230) 내부에는 전하를 저장하기 위한 투명 부유 게이트(235)가 형성되어 있으며, 투명 부유 게이트(235)는 1~20nm의 사이즈를 갖는 투명 나노입자로 이루어진다. In the transparent gate insulating layer forming step (S120), the transparent
투명 부유 게이트(235)는 스핀코팅 방식 혹은 스퍼터링 방식을 통하여 직접 나노입자를 형성하는 방식으로 투명 부유 게이트 층을 형성시킨다. 나노입자의 크기는 1~20 nm 의 사이즈를 갖는 나노입자이며, 투명 게이트 절연층(230)을 일부 형성한 후, 그 위에 스핀코팅, 스퍼터링 등의 방법으로 증착함으로써 형성될 수 있다. The transparent
투명 산화물 채널층 형성 단계(S130)에서는 투명 비휘발성 메모리 소자의 동작시 전하(charge)의 도전 통로를 제공하기 위한 투명 산화물 채널층(240)을 투명 게이트 절연층(230) 상에 형성한다. 투명 산화물 채널층(240)은 ZnO, IGZO, IZO와 같은 투명한 반도체 산화물로 형성될 수 있다. 형성된 투명 산화물 채널층(240)은 바이어스 라인(bias line)들로 이용될 수 있다. In the transparent oxide channel layer forming step (S130), a transparent
한편, 상기 투명 산화물 채널층(240)과 전기적으로 연결되도록 투명 소스 전극(250a) 및 투명 드레인 전극(250b)을 더 형성할 수 있다. 투명 소스 전극(250a)과 투명 드레인 전극(250b)은 투명 게이트 전극(220)이 신장하는 방향과 직교하는 방향을 따라서 형성될 수 있다. 투명 소스 전극(250a)은 공통 라인(common line)으로 이용할 수 있으며, 투명 드레인 전극(250b)은 비트 라인(bit line)으로 이용할 수 있다. Meanwhile, the
이때, 투명 소스 전극(250a)과 투명 드레인 전극(250b)은 투명 기판 또는 플렉서블 기판(210), 상기 투명 게이트 절연층(230) 및 상기 투명 산화물 채널층(240) 상에 계단형태로 형성될 수 있다.
In this case, the
도 3은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 투명 혹은 플렉시블 비휘발성 메모리 소자 제조 방법을 개략적으로 나타내는 순서도이다.3 is a flowchart schematically illustrating a method of manufacturing a transparent or flexible nonvolatile memory device according to another embodiment of the present invention.
도 4a 내지 도 4f는 도 3에 도시된 투명 혹은 플렉시블 비휘발성 메모리 소자 제조 방법을 구현하기 위한 각 단계의 예를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 이하, 도 2에 도시된 투명 혹은 플렉시블 비휘발성 메모리 소자 제조 방법을 설명함에 있어 도 4a 내지 도 4f를 참조하기로 한다. 4A through 4F are cross-sectional views schematically illustrating examples of steps for implementing the transparent or flexible nonvolatile memory device shown in FIG. 3. Hereinafter, a method of manufacturing a transparent or flexible nonvolatile memory device shown in FIG. 2 will be described with reference to FIGS. 4A to 4F.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 투명 혹은 플렉시블 비휘발성 메모리 소자 제조 방법은 제1 투명 전극층 형성 단계(S310), 제1 투명 절연층 형성 단계(S320), 투명 부유 게이트 형성 단계(S330), 제2 투명 절연층 형성 단계(S340), 투명 채널층 형성 단계(S350) 및 제2 투명 전극층 형성 단계(S360)를 포함한다.
Referring to FIG. 3, in the method of manufacturing a transparent or flexible nonvolatile memory device according to the present embodiment, a first transparent electrode layer forming step S310, a first transparent insulating layer forming step S320, and a transparent floating gate forming step S330 are performed. The second transparent insulating layer forming step S340, the transparent channel layer forming step S350, and the second transparent electrode layer forming step S360 are included.
제1 투명 First transparent 전극층Electrode layer (게이트 전극)(Gate electrode)
제1 투명 전극층 형성 단계(S310)에서는 투명 기판 또는 플렉서블 기판(410) 상에 제1 투명 전극층(420)을 형성한다.(도 4a)
In the first transparent electrode layer forming step (S310), the first
*이때, 투명 기판 또는 플렉서블 기판(410)은 투명한 유리 기판 또는 고분자 기판일 수 있으며, 이들 기판은 종래의 비휘발성 메모리 소자의 기판으로 이용되는 실리콘 기반의 기판보다 상대적으로 저가이며, 저온 공정에 적합한 장점이 있으며, 고분자 기판의 경우 플렉시블(flexible)한 재질로서 다양한 응용이 가능하다. In this case, the transparent substrate or the
제1 투명 전극층(420)은 게이트 전극(Gate Electrode)으로 활용할 수 있다. 제1 투명 전극층(420)은 투명하면서도 전기전도도가 양호한 ITO(Indium Tin Oxide), ATO(Antimon Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)과 같은 물질을 스퍼터링 등의 방법으로 투명 기판(410) 상에 증착함으로써 형성될 수 있다. 제1 투명 전극층(420)은 투명 비휘발성 메모리 소자에서 워드라인(word line)으로 이용할 수 있다. The first
한편, 도전성의 보완 등 필요에 따라서는 투명 기판 또는 플렉서블 기판(410) 상에 금속 박막을 미리 형성한 후에 제1 투명 전극층(420)을 형성할 수 있다.
Meanwhile, the first
제1 투명 절연층(블로킹 First transparent insulation layer (blocking 절연층Insulation layer ))
제1 투명 절연층 형성 단계(S320)에서는 제1 투명 전극층(420) 상에 제1 투명 절연층(430)을 형성한다.(도 4b)In the first transparent insulating layer forming step (S320), the first transparent insulating
제1 투명 절연층(430)은 도 4b에 도시된 바와 같이, 제1 투명 전극층(420)의 상부 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. As illustrated in FIG. 4B, the first transparent insulating
이러한 제1 투명 절연층(430)은 투명하면서도 전기적으로 부도체인 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(Si3N4), Al2O3, parylene-x, PVP(Polyvinyl pyrrolidone) 등을 물리적 또는 화학적 증착 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
The first transparent insulating
투명 부유 게이트Transparent floating gate
투명 부유 게이트 형성 단계(S330)에서는 제1 투명 절연층(430) 상에 투명 부유 게이트(440)를 형성한다.(도 4c)In the transparent floating gate forming step S330, the transparent floating
투명 부유 게이트(440)는 투명 비휘발성 메모리 소자의 동작시 전하를 저장 또는 방출함으로써 정보를 저장하는 역할을 한다. The transparent floating
이러한 투명 부유 게이트(440)는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), SnO2 , ZnO, Al, Pt, Au, Ti, W, Si, Ge 등을 스퍼터링 혹은 스핀코팅 방식을 통하여 직접 금속 나노입자를 형성하는 방식으로 제조한 1~20nm의 사이즈를 갖는 나노입자를 스퍼터링 혹은 스핀코팅 등의 증착 방법으로 증착함으로써 제1 투명 절연층(430) 상에 형성될 수 있다. 투명 부유 게이트 층을 나노입자로 형성시킬 경우, 터널링 옥사이드 층의 두께를 얇게 하여도 누설전류로 인한 전하저장시간은 단축되지 않기 때문에, 구동전압을 낮출 수 있으며, 소비전력도 줄일 수 있다.
The transparent floating
제2 투명 절연층(Second transparent insulating layer ( 터널링Tunneling 절연층Insulation layer ))
제2 투명 절연층 형성 단계(S340)에서는 상기 투명 부유 게이트 상에 제2 투명 절연층(450)을 형성한다.(도 4d)In the second transparent insulating layer forming step (S340), a second transparent insulating
제2 투명 절연층(450)은 제1 투명 절연층(430)과 마찬가지로 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(Si3N4), Al2O3, parylene-x, PVP(Polyvinyl pyrrolidone) 등으로 형성될 수 있다.Similar to the first transparent insulating
한편, 투명 부유 게이트(440)를 기준으로, 투명 부유 게이트(440)의 하부에 형성되는 제1 투명 절연층(430)은 투명 비휘발성 메모리 소자 동작시 블록킹 절연층(blocking insulator)으로 이용할 수 있고, 투명 부유 게이트(440)의 상부에 형성되는 제2 투명 절연층(450)은 터널링 절연층(tunneling insulator)으로 이용할 수 있다.
Meanwhile, the first transparent insulating
투명 Transparency 채널층Channel layer
투명 채널층 형성 단계(S350)에서는 제2 투명 절연층(450) 상에 투명 채널층(460)을 형성한다.(도 4e)In the transparent channel layer forming step S350, the
투명 채널층(460)은 투명 비휘발성 메모리 소자의 동작시 전하의 도전 통로를 제공하며, 바이어스 라인(bias line)으로 이용될 수 있다. The
투명 채널층(460)은 투명 반도체 산화물로 형성될 수 있는데, 대표적인 예로 ZnO, IZGO, IZO 등을 들 수 있으며, 이들이 단독으로 또는 2이상이 혼합되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 ZnO, IZGO, IZO 등에 알루미늄 (Al), 갈륨 (Ga), 주석 (Sn)과 인듐 (In) 원소가 도핑되어 있을 수 있다.
The
제2 투명 Second transparent 전극층Electrode layer 형성(소스 & Formation (Source & 드레인drain 전극) electrode)
제2 투명 전극층 형성 단계(S360)에서는 투명 채널층(460)과 전기적으로 연결되도록 제2 투명 전극층(470a,470b)을 형성한다.(도 4f)In the second transparent electrode layer forming step S360, second
제2 투명 전극층(470a,470b)은 소스 전극(source electrode)과 드레인 전극이 될 수 있으며, 이 중에서 소스 전극의 경우 투명 비휘발성 메모리 소자에서 공통 라인(common line)으로 이용되며, 드레인 전극의 경우 비트 라인(bit line)으로 이용된다. The second
제2 투명 전극층은 ITO(Indium Tin Oxide), ATO (Antimon Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 형성될 수 있으며, 여기에 알루미늄(Al)층과 같은 금속 전극층이 더 포함되어 있을 수 있다. The second transparent electrode layer may be formed of indium tin oxide (ITO), antimony tin oxide (ATO), or indium zinc oxide (IZO), and may further include a metal electrode layer such as an aluminum (Al) layer.
이러한 제2 투명 전극층(470a,470b)은 각각 제1 투명 전극층(420)과 전기적으로 연결되지 않으며, 또한 제1 투명 전극층(420)과 직교하는 방향으로 형성되어 있을 수 있다. The second
한편, 전술한 제2 투명 절연층(450)이 투명 부유 게이트(440)의 상부 및 측면을 덮도록 형성되어 있는 경우, 제2 투명 전극층(470a,470b)은 도 4f에 도시된 바와 같이, 투명 기판 또는 플렉서블 기판(410), 제1 투명 절연층(430), 제2 투명 절연층(450) 및 투명 채널층(460) 상에 계단 형태로 형성될 수 있다.
On the other hand, when the above-described second transparent insulating
도 5는 도 4에 도시된 방법에 의해 제조된 투명 비휘발성 메모리 소자의 단위 셀을 개략적으로 나타내는 사시도이다. FIG. 5 is a perspective view schematically illustrating a unit cell of a transparent nonvolatile memory device manufactured by the method illustrated in FIG. 4.
도 5를 참조하면, 투명 기판 또는 플렉서블 기판(410) 상에 제1 투명 전극층(420)이 종방향으로 신장하는 형태로 형성되고, 제1 투명 전극층(420) 상에 그 위에 제1 투명 절연층(430) 및 제2 투명 절연층(450)이 형성되며, 제2 투명 절연층(450) 상에 투명 채널층(460)이 형성되며, 제2 투명 전극층(470a,470b)이 횡방향으로 신장하는 형태로, 또한 투명 기판 또는 플렉서블 기판(410)으로부터 투명 채널층(460)까지 계단 형태로 각각 형성되어 있다. Referring to FIG. 5, a first
도 5에서는 나타나지 않지만, 제1 투명 절연층(430)과 제2 투명 절연층(450) 사이에는 전하를 저장하기 위한 투명 부유 게이트가 형성된다.
Although not shown in FIG. 5, a transparent floating gate for storing charge is formed between the first transparent insulating
도 6은 제1 투명 절연층과 제2 투명 절연층 사이에 투명 부유 게이트가 형성되어 있는 것을 나타내는 이미지이고, 도 7은 나노입자로 이루어진 투명 부유 게이트의 이미지이다. FIG. 6 is an image showing a transparent floating gate is formed between the first transparent insulating layer and the second transparent insulating layer, and FIG. 7 is an image of the transparent floating gate made of nanoparticles.
도 6 및 도 7을 참조하면, 제1 투명 절연층(430) 상에 수 나노미터 두께의 투명 부유 게이트(440)가 나노입자들에 의해 형성되어 있는 것을 볼 수 있으며, 투명 부유 게이트(440) 상에는 제2 투명 절연층(440)이 형성되어 있다.
6 and 7, it can be seen that a transparent floating
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 소자 제조 방법은 저가의 유리 기판 또는 고분자 기판을 이용함으로써, 소자 제조 비용을 절감할 수 있으며, 투명 기판 또는 플렉서블 기판 위에 주로 스퍼터링을 이용하여 각종 전극 등을 형성할 수 있어 저온 및 간단한 공정으로 투명 비휘발성 메모리 소자를 제조할 수 있는 효과가 있다. As described above, the method of manufacturing a nonvolatile memory device according to the present invention can reduce the device manufacturing cost by using a low-cost glass substrate or a polymer substrate, and various kinds of electrodes or the like mainly by sputtering on a transparent substrate or a flexible substrate. Since it can form a low temperature and a simple process there is an effect that can be manufactured in a transparent nonvolatile memory device.
이를 통해 제조된 투명 혹은 플렉시블 비휘발성 메모리 소자는 전체적으로 투명한 시각적 효과를 통하여, 미래에 주목받을 것으로 예상되는 투명 컴퓨터나 투명 디스플레이 등에 적용될 수 있을 것이다. The transparent or flexible nonvolatile memory device manufactured through this may be applied to a transparent computer or a transparent display that is expected to be noticed in the future through an overall transparent visual effect.
이상에서는 본 발명의 일 실시예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다. Although the above has been described with reference to one embodiment of the present invention, various changes and modifications can be made at the level of those skilled in the art. Such changes and modifications may belong to the present invention without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention will be determined by the claims described below.
Claims (1)
(b)내부에 투명 나노입자로 이루어진 투명 부유 게이트의 전면(全面)을 둘러싸는 투명 게이트 절연층을 상기 투명 게이트 전극 상에 형성하는 단계;
(c)상기 투명 게이트 절연층 상에 투명 산화물 채널층을 형성하는 단계; 및
(d)상기 투명 산화물 채널층과 전기적으로 연결시키고, 상기 투명 부유 게이트와 비접촉되도록 투명 소스 전극 및 투명 드레인 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법. (a) forming a transparent gate electrode on the transparent substrate or the flexible substrate;
(b) forming a transparent gate insulating layer on the transparent gate electrode that surrounds an entire surface of the transparent floating gate made of transparent nanoparticles;
(c) forming a transparent oxide channel layer on the transparent gate insulating layer; And
(d) electrically connecting the transparent oxide channel layer and forming a transparent source electrode and a transparent drain electrode to be in contact with the transparent floating gate.
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