KR20120050740A - 나노 복합체 스트레인 측정장치 및 이를 이용한 스트레인 측정방법 - Google Patents

나노 복합체 스트레인 측정장치 및 이를 이용한 스트레인 측정방법

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KR20120050740A
KR20120050740A KR1020100112144A KR20100112144A KR20120050740A KR 20120050740 A KR20120050740 A KR 20120050740A KR 1020100112144 A KR1020100112144 A KR 1020100112144A KR 20100112144 A KR20100112144 A KR 20100112144A KR 20120050740 A KR20120050740 A KR 20120050740A
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Abstract

본 발명은, 폴리머와 상기 폴리머 내에 배치된 전도성 나노입자를 포함하는 복합소재로 이루어지는 베이스부, 베이스부의 가장자리 둘레로 상호 이격되게 연결되는 복수의 전극들, 전극들에 전기적으로 연결되어, 전극 사이의 저항값을 측정하는 저항측정기, 베이스부를 복수 영역들의 배열로 나눈 상태에서 저항측정기에 검출된 전극 사이의 저항값을 입력받아 분석하며, 베이스부 상으로 응력에 따른 변형이 발생되면서 변화하는 전극 사이 저항값의 변화를 통해, 변형이 발생된 영역의 위치와 변형의 크기를 산출하는 변형분포산출부를 포함하는 나노 복합체 스트레인 측정장치를 제공한다.
이와 같이, 나노 복합체 스트레인 측정장치 및 이를 이용한 스트레인 측정방법은, 폴리머 및 전도성 나노입자로 이루어진 베이스부의 가장자리 둘레로 복수개의 전극들을 상호 이격되게 설치한 후, 저항측정기에 입력되는 전극들 사이의 저항값을 통해 베이스부를 복수 영역들의 배열로 나눈 상태로 변형분포산출부가 변형이 발생된 영역의 위치 및 크기를 산출한다. 이같이, 변형분포산출부에서 베이스부를 복수 영역들의 배열로 나눈 상태로 각 영역들에 대한 변형을 측정할 수 있으므로 크기가 넓은 구조물의 변형에 대한 측정이 가능해지게 된다.

Description

나노 복합체 스트레인 측정장치 및 이를 이용한 스트레인 측정방법{Nanocomposite strain measuring system and strain measuring method using the same}
본 발명은 나노 복합체 스트레인 측정장치 및 이를 이용한 스트레인 측정방법에 관한 것으로서, 외부적인 응력이 가해질 경우, 나노 복합체가 형성하는 전도성 네트워크가 분열되면서 전기저항이 증가하는 성질을 이용하여 응력값을 측정하는 나노 복합체 스트레인 측정장치 및 이를 이용한 스트레인 측정방법에 관한 것이다.
일반적으로, 항공기나 교량의 건전성을 진단하는데 가장 널리 사용되는 기법은, 육안검사, 음향 반출(Acoustic emission; AE), 와전류(Eddy current), 초음판(Ultrasonics), X선 투과시험(X-ray radiography) 등으로, 검사인력과 장비를 투입하여 정기적으로 검사를 수행하게 된다. 이러한 구조물은, 상태와 상관없이 정해진 일정에 맞춰 검사를 수행하므로 필요 이상의 인건비가 소요되고, 구조물의 중단시간(Downtime)에 의한 손실이 발생함에 따라 근래에는 내장형 센서들이 도입되고 있다.
이중 가장 널리 사용되는 센서는, 세라믹 기반 압전 센서, 스트레인 게이지, 광섬유(Fiber Bragg grating), 표면탄성파센서(Surface acoustic wave sensor) 등이 있다. 이러한 센서들은 높은 정확도, 감도, 신뢰성 등을 갖지만, 센싱소자를 부착하는 지점 즉 '국부적인 감지(Point sensing)' 만이 가능함으로 인해 구조물의 응력/변형력 상태를 전체적으로 파악하기 어려운 문제점이 있다.
본 발명은, 넓은 구조물 영역에 대한 스트레인을 측정하는 있는 나노 복합체 스트레인 측정장치 및 이를 이용한 스트레인 측정방법을 제공하는데 목적이 있다.
본 발명은, 폴리머와 상기 폴리머 내에 배치된 전도성 나노입자를 포함하는 복합소재로 이루어지는 베이스부와, 상기 베이스부의 가장자리 둘레로 상호 이격되게 연결되는 복수의 전극들과, 상기 전극들에 전기적으로 연결되어, 상기 전극 사이의 저항값을 측정하는 저항측정기와, 상기 베이스부를 복수 영역들의 배열로 나눈 상태에서 상기 저항측정기에 검출된 상기 전극 사이의 저항값을 입력받아 분석하며, 상기 베이스부 상으로 응력에 따른 변형이 발생되면서 변화하는 상기 전극 사이 저항값의 변화를 통해, 변형이 발생된 상기 영역의 위치와 변형의 크기를 산출하는 변형분포산출부를 포함하는 나노 복합체 스트레인 측정장치을 제공한다.
그리고, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 폴리머와 전도성 나노입자를 포함하는 복합소재로 이루어지며, 가장자리 둘레로 상호 이격되게 복수개의 전극들을 가지는 베이스부에 저항측정기를 연결하는 단계와, 산출용 컴퓨터가 상기 베이스부를 복수 영역들의 배열로 나눈 상태로 상기 베이스부에 응력이 발생되지 않은 상태 및 복수의 응력이 상기 베이스부의 각 영역에 가해진 상태에서, 상기 저항측정기에 검출된 상기 전극들 사이의 저항값을 입력받아, 각각의 상기 영역에 관여하는 초기 상기 전극들의 정보 및 각각의 상기 영역에서의 상기 응력에 따른 변형크기를 저장하는 단계와, 실제로 외부에서 가해지는 응력에 따른 상기 베이스부 상으로 변형이 발생되면, 상기 산출용 컴퓨터가 상기 저항측정기에서 입력되는 상기 전극들 사이의 저항값을 통해 변형이 발생된 영역 및 변형 크기를 산출하는 단계 및, 상기 산출용 컴퓨터를 통해 산출된 상기 베이스부의 변형 발생영역 및 변형 크기를 화면으로 출력시키는 단계를 포함하는 나노 복합체 스트레인 측정장치를 이용한 스트레인 측정방법을 제공한다.
본 발명에 따른 나노 복합체 스트레인 측정장치 및 이를 이용한 스트레인 측정방법은, 폴리머 및 전도성 나노입자로 이루어진 베이스부의 가장자리 둘레로 복수개의 전극들을 상호 이격되게 설치한 후, 저항측정기에 입력되는 전극들 사이의 저항값을 통해 베이스부를 복수 영역들의 배열로 나눈 상태로 변형분포산출부가 변형이 발생된 영역의 위치 및 크기를 산출한다. 이같이, 변형분포산출부에서 베이스부를 복수 영역들의 배열로 나눈 상태로 각 영역들에 대한 변형을 측정할 수 있으므로 크기가 넓은 구조물의 변형에 대한 측정이 가능해지게 된다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 나노 복합체 스트레인 측정장치의 개략 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 베이스부 및 전극의 확대 연결상태 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 베이스부의 영역에 관여하는 전극의 일예를 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 디스플레이부의 변형 크기를 도시한 일예를 나타낸 상태도이다.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 나노 복합체 스트레인 측정장치의 개략 구성도이며, 도 2는 도 1에 나타낸 베이스부 및 전극의 확대 연결상태 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 나노 복합체 스트레인 측정장치는, 베이스부(100), 전극(200), 저항측정기(300), 변형분포산출부(400)를 구비하고 있다.
상기 베이스부(100)는 폴리머 및 상기 폴리머 내부에 전도성 나노입자가 배향된 단방향 나노 복합소재로 이루어진 판 형상의 필름 부재이다. 여기서, 상기 전도성 나노입자는 상기 폴리머 내에 분산 배치된다.
여기서, 상기 전도성 나노입자는 상기 폴리머 내부에 적절히 분산시키면, 높은 전기전도성 및 선형성의 특징을 가지게 된다. 이러한 상기 전도성 나노입자로는, 탄소나노튜브(Carbon nanotube)나 그래핀(Graphene)을 사용할 수 있으며, 탄소나노튜브에 그래핀을 혼합하여 사용할 수도 있다. 그리고, 상기 전도성 나노입자를 상기 폴리머에 고르게 분산시키기 위해서, 측정 기능, 감도 등을 높이기 위하여, 상기 전도성 나노입자에 산(Acid) 처리를 하여 표면을 개질시킬 수 있다. 여기서, 상기 전도성 나노입자에 산 처리를 할 경우, 상기 전도성 나노입자에는 카르복시산(COOH) 작용기를 가지게 된다. 더불어, 상기 전도성 나노입자에 불순물을 도핑(Doping)시키거나, 필요한 물질을 코팅시킬 수도 있다.
그리고, 상기 폴리머로는 폴리메틸 메타크리레이트(Polymethyl methacrylate)를 사용하지만, 이에 한정하지 않고 상기 전도성 나노입자가 고루 분산됨으로써 측정장치로서 필요한 성질을 나타낼 수 있는 소재를 적용할 수 있다. 즉, 상기 폴리머로서, 폴리에테르 설폰(Polyether sulfone), 에폭시(Epoxy), 폴리비닐리딘 프루오라이드(Polyvinylidine fluoride), 폴리에틸렌(Polyethylene), 폴리비닐 크로라이드(Polyvinyl chloride), 폴리프로필렌(Polypropylene), 폴리에스테르(Polyester), 아크리릭(Acrylic), 나일론(Nylon), 셀룰로식(Cellusosic), 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 폴리머(Acrylonitrile-butadiene-styrene polymer), 폴리카본나이트(Polycarbonate), 아세탈(Acetal), 플루오로플라스틱(Fluoroplastic) 등을 사용할 수 있으며, 이들 중 적어도 2개 이상을 함께 혼합 사용할 수도 있다. 더불어, 상기 폴리머로는 섬유강화플라스틱(FRP)을 사용할 수 도 있다.
상기 전극(200)은 상기 베이스부(100)와 전기적으로 연결된다. 이러한, 상기 전극(200)은 상기 베이스부(100)의 가장자리 둘레로 상호 이격되게 복수개가 연결 배치된 상태로 이후 설명될 상기 저항측정기(300)와 연결된다. 그리고, 상기 전극(200)들은 상기 베이스부(100)에 전기전도성 접착수단에 의해 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 전기전도성 접착수단으로 실버에폭시 페이스트를 사용하나, 이에 한정하지 않고, 상기 전극(200)을 상기 베이스부(100)에 전기적으로 연결할 수 있는 소재를 선택적으로 적용할 수 있음은 물론이다.
상기 저항측정기(300)는 상기 전극(200)들에 전기적으로 연결되어, 상기 전극(200)들 사이의 저항값을 측정한다. 이렇게, 상기 저항측정기(300)를 통해 측정된 저항값들은 이후 설명될 상기 변형분포산출부(400)로 전달된다. 여기서, 상기 저항측정기(300)는 상기 베이스부(100)의 변형 전 상기 전극(200) 사이의 저항값과 더불어 이후 상기 베이스부(100)에 응력이 발생하면서 탄성 변형되며 변화되는 상기 전극(200) 사이의 저항값을 측정하게 된다. 이러한, 상기 저항측정기(300)는 상기 전극(200)들 사이의 저항값을 측정하는 멀티미터를 사용한다.
상기 변형분포산출부(400)는 상기 저항측정기(300)에서 입력되는 상기 저항값을 입력받아 분석한 후, 변형이 발생된 상기 베이스부(100)의 위치와 변형 크기를 산출하게 된다. 이러한, 상기 변형분포산출부(400)는 상기 베이스부(100)를 복수 영역들의 배열로 나눈 상태에서 각 상기 영역에 관여하는 상기 전극(200)들의 정보를 저장한다. 더불어, 상기 변형분포산출부(400)는 상기 베이스부(100)에 응력에 따른 변형 발생시, 저항값이 변화되는 상기 전극(200)들 사이의 저항값을 통해, 상기 베이스부(100)의 변형 영역위치와 변형 크기를 산출하게 된다. 여기서, 상기 변형분포산출부(400)는 산출용 컴퓨터(410), 디스플레이장치(420)를 포함한다.
상기 산출용 컴퓨터(410)는 상기 저항측정기(300)에 검출된 상기 베이스부(100)의 전극(200)들 사이 저항값이 입력되면 프로그램을 통해, 변형이 발생된 해당 상기 베이스부(100) 영역 위치 및 변형의 크기를 산출한다. 이러한, 상기 산출용 컴퓨터(410)에는 상기 베이스부(100)를 실제 구조물(도면미도시)에 설치한 상태에서 상기 구조물에 실제 응력에 따른 변형에 대응되는 실제 변형 발생시, 저항값이 변화되는 상기 전극(200)을 통해 변형 영역 및 변형 크기를 산출할 수 있도록, 상기 베이스부(100)의 상기 전극(200)들 사이 정보 및 복수의 응력을 가할 경우에 따라 산출되는 각각의 변형 크기 정보가 저장된 기초위치DB(411)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 기초위치DB(411)에 저장된 상기 전극(200)들 사이 정보 및 복수의 응력을 가할 경우에 따라 산출되는 각각의 변형 크기 정보는 각각 영역에 응력에 가해지지 않은 상태 및 각각 영역에 응력에 가해지지 않은 상태를 모두 포함하게 된다. 그러므로, 상기 기초위치DB(411)의 정보를 기초로, 상기 베이스부(100)의 임의의 영역에 상기 실제 응력으로 인한 변형시, 상기 저항측정기(300)로부터 전달되는 상기 전극(200)들 사이의 저항값을 상기 기초위치DB(411)의 영역에 따른 관여 전극 정보와 비교하여, 변형이 발생된 상기 베이스부(100)의 영역 및 변형 크기를 파악할 수 있게 된다. 즉, 도 3을 참조하여 변형 영역에 대한 산출에 대해 살펴보면, 응력이 발생되기 전의 영역(A)에 대해 관여하는 상기 전극(200)들로 R2-7, R4-8, R5-7이 상기 기초위치DB(411)로 저장되며, 이후, 상기 영역(A)에 응력에 의한 변형 발생시, 상기 저항측정기(300)에는 상기 영역(A)에 관여하는 상기 전극(200)들 R2-7, R4-8, R5-7의 저항값이 변화된 상태로 입력된다. 그러면, 상기 산출용 컴퓨터(410)는 상기 영역(A)에서 변형에 따른 저항값이 증가된 상기 전극(200)들의 선택정보를 상기 기초위치DB(411)에 저장된 정보와 비교하여 상기 영역(A)임을 산출할 수 있게 된다. 반면, 변형 영역에서의 변형 크기는 각 영역에서 시험적으로 응력을 변화시키면서 발생되는 변형 크기가 상기 기초위치DB(411)에 저장된 상태에서, 이후 실제 구조물의 변형에 따라 대응되게 발생되는 상기 영역의 저항값을 통해 산출되는 응력과 상기 기초위치DB(411)의 응력을 비교하여 변형크기를 산출할 수 있게 된다.
상기 디스플레이부(420)는 상기 산출용 컴퓨터(410)를 통해 산출된 상기 베이스부(100)의 변형 발생위치와 변형 크기를 쉽게 파악할 수 있도록 숫자나 이미지로 출력하게 된다. 도 4를 참조하면, 상기 디스플레이부(420)에 의한 상기 베이스부(100)의 변형 크기는 색상이나 채도를 통해 표현할 수도 있다.
이하, 본 발명의 일실시예에 따른 상기 나노 복합체 스트레인 측정장치를 이용하여 스트레인을 측정하는 방법을 상세히 설명하기로 한다.
먼저, 상기 폴리머와 상기 폴리머 내부에 전도성 나노입자가 분산처리된 복합소재로 이루어진 베이스부(100)를 준비하고, 상기 베이스부(200)의 가장자리 둘레로 복수의 전극(200)들을 상호 이격되게 연결 설치한 후, 상기 전극(200)들을 저항측정기(300)에 연결한다.
그리고, 상기 저항측정기(300)에 상기 산출용 컴퓨터(410)를 연결하여, 상기 베이스부(100)에 응력에 따른 변형이 발생되지 않는 상태 및 복수의 응력이 상기 베이스부(100)의 각 영역에 가해진 상태에서, 상기 전극(200)들 사이의 저항값을 상기 산출용 컴퓨터(400)로 전달한다. 즉, 상기 산출용 컴퓨터(410)는 프로그램으로 상기 베이스부(100)를 복수 영역들의 배열로 나눈 상태에서, 응력이 발생된 상태에서 각 영역에 대해 관여하는 초기 상기 전극(200)들의 정보 및 각 영역에 복수의 시험에 의한 응력을 가하면서 산출되는 초기 변형 크기 정보를 저장하게 된다.
이후, 상기 베이스부(100) 상으로 실제로 발생되는 응력에 따른 변형이 발생되면, 상기 산출용 컴퓨터(410)가 상기 저항측정기(300)에서 입력되는 상기 전극(200) 사이의 저항값을 통해 변형이 발생된 영역 및 변형 크기를 산출하게 된다. 여기서, 상기 저항측정기(300)로부터 전달되는 상기 전극(200)들 사이의 저항값들 중 수치가 증가된 상기 전극(200)들을 파악한 후, 저장된 각각의 상기 영역에 관여하는 초기 상기 전극들 정보와 비교하여 해당 영역을 산출하게 된다. 하나의 영역을 예로 들어 설명하면, 앞서 설명한 도 3의 경우와 같이, 응력이 발생되기 전의 영역(A)에 대해 관여하는 상기 전극(200)들로 R2-7, R4-8, R5-7이 상기 기초위치DB(411)로 저장되며, 이후, 상기 영역(A)에 응력에 의한 변형 발생시, 상기 저항측정기(300)에는 상기 영역(A)에 관여하는 상기 전극(200)들 R2-7, R4-8, R5-7의 저항값이 변화된 상태로 입력된다. 그러면, 상기 산출용 컴퓨터(410)는 상기 영역(A)에서 변형에 따른 저항값이 증가된 상기 전극(200)들의 선택정보를 상기 기초위치DB(411)에 저장된 정보와 비교하여 상기 영역(A)임을 산출할 수 있게 된다. 그리고, 변형 영역에서의 변형 크기는 이후 실제 응력에 따라 대응되게 발생되는 상기 변형 영역의 저항값을 통해 산출되는 응력과, 이미 저장된 시험 응력을 비교하여 실제 상기 베이스부(100)의 변형 영역에 대한 변형 크기를 산출할 수 있게 된다.
이렇게, 상기 산출용 컴퓨터(410)에 의해 산출된 상기 베이스부(100)의 변형 발생 영역 및 변형 크기는 사용자가 용이하게 파악할 수 있도록 화면 상으로 출력된다. 이때, 상기 베이스부(100)의 변형 발생 영역 및 변형 크기는 숫자나 이미지로 출력된다.
이와 같이, 일실시예에 따른 상기 나노 복합체 스트레인 측정장치 및 이를 이용한 스트레인 측정방법은, 폴리머 및 전도성 나노입자로 이루어진 상기 베이스부(100)의 가장자리 둘레로 복수개의 상기 전극(200)들을 상호 이격되게 설치한 후, 상기 저항측정기(300)에 입력되는 상기 전극(200)들 사이의 저항값을 통해 상기 베이스부(100)를 복수 영역들의 배열로 나눈 상태로 상기 변형분포산출부(400)가 변형이 발생된 영역의 위치 및 크기를 산출한다. 이같이, 상기 변형분포산출부(400)에서 상기 베이스부(100)를 복수 영역들의 배열로 나눈 상태로 각 영역들에 대한 변형을 측정할 수 있으므로 크기가 넓은 구조물의 변형에 대한 측정이 가능해지게 된다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 베이스부 200: 전극
300: 저항측정기 400: 변형분포산출부
410: 산출용 컴퓨터 420: 디스플레이부

Claims (9)

  1. 폴리머와 상기 폴리머 내에 배치된 전도성 나노입자를 포함하는 복합소재로 이루어지는 베이스부와;
    상기 베이스부의 가장자리 둘레로 상호 이격되게 연결되는 복수의 전극들과;
    상기 전극들에 전기적으로 연결되어, 상기 전극 사이의 저항값을 측정하는 저항측정기와;
    상기 베이스부를 복수 영역들의 배열로 나눈 상태에서 상기 저항측정기에 검출된 상기 전극 사이의 저항값을 입력받아 분석하며, 상기 베이스부 상으로 응력에 따른 변형이 발생되면서 변화하는 상기 전극 사이 저항값의 변화를 통해, 변형이 발생된 상기 영역의 위치와 변형의 크기를 산출하는 변형분포산출부를 포함하는 나노 복합체 스트레인 측정장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 베이스부는 판 형상의 필름인 나노 복합체 스트레인 측정장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 나노입자는, 탄소나노튜브 또는 그래핀이나 탄소나노튜브에 그래핀이 혼합된 것 중 선택된 어느 하나인 나노 복합체 스트레인 측정장치.
  4. 청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 전도성 나노입자는 산 처리되어 카르복시산 작용기를 가지는 나노 복합체 스트레인 측정장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 변형분포산출부는,
    상기 저항측정기에 검출된 저항값을 입력받아 변형이 발생된 상기 영역의 위치와 변형의 크기를 산출하는 산출용 컴퓨터와,
    상기 산출용 컴퓨터를 통해 산출된 변형 발생위치와 변형 크기를 출력하는 디스플레이장치를 포함하는 나노 복합체 스트레인 측정장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 산출용 컴퓨터에는, 각각의 상기 영역에 응력이 발생된 상태 및 복수의 응력이 발생된 상태에서 상기 전극들 사이의 정보 및 복수의 응력에 따라 산출되는 변형 크기가 저장된 기초위치DB를 포함하여,
    상기 응력에 의해 선택된 어느 하나의 상기 영역에 변형이 발생시, 상기 저항측정기로부터 전달되는 상기 전극들 사이의 저항값을 상기 기초위치DB의 상기 전극들 사이 정보와 비교하여, 변형이 발생된 상기 영역의 위치 및 변형 크기를 파악하는 나노 복합체 스트레인 측정장치.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 디스플레이부는, 상기 산출용 컴퓨터를 통해 산출된 변형 발생위치와 변형 크기를 색상이나 채도로 표현하는 나노 복합체 스트레인 측정장치.
  8. 폴리머와 전도성 나노입자를 포함하는 복합소재로 이루어지며, 가장자리 둘레로 상호 이격되게 복수개의 전극들을 가지는 베이스부에 저항측정기를 연결하는 단계와;
    산출용 컴퓨터가 상기 베이스부를 복수 영역들의 배열로 나눈 상태로 상기 베이스부에 응력이 발생되지 않은 상태 및 복수의 응력이 상기 베이스부의 각 영역에 가해진 상태에서, 상기 저항측정기에 검출된 상기 전극들 사이의 저항값을 입력받아, 각각의 상기 영역에 관여하는 초기 상기 전극들의 정보 및 각각의 상기 영역에서의 상기 응력에 따른 변형크기를 저장하는 단계와;
    실제로 외부에서 가해지는 응력에 따른 상기 베이스부 상으로 변형이 발생되면, 상기 산출용 컴퓨터가 상기 저항측정기에서 입력되는 상기 전극들 사이의 저항값을 통해 변형이 발생된 영역 및 변형 크기를 산출하는 단계; 및,
    상기 산출용 컴퓨터를 통해 산출된 상기 베이스부의 변형 발생영역 및 변형 크기를 화면으로 출력시키는 단계를 포함하는 나노 복합체 스트레인 측정장치를 이용한 스트레인 측정방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 베이스부의 변형이 발생된 영역 및 변형크기를 산출하는 단계는, 상기 저항측정기로부터 전달되는 상기 전극들 사이의 저항값들 중 수치가 증가된 상기 전극들을 파악한 후, 저장된 각각의 상기 영역에 관여하는 초기 상기 전극들 정보와 비교하여 해당 영역을 산출하며,
    상기 전극들 사이의 저항값을 통해 산출되는 응력을 파악한 후, 저장된 상기 응력과 비교하여 해당 영역에서의 변형 크기를 산출하는 나노 복합체 스트레인 측정장치를 이용한 스트레인 측정방법.
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