KR20120046460A - Wafer allignment apparatus and method for aligning wafer using the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An apparatus for aligning a wafer and a method for aligning a wafer using the same are provided to minimize a damage added to a wafer by minimizing a contact area of a wafer aligner and the wafer. CONSTITUTION: A lower chuck(100) supports an upper chuck(200) and a plurality of grip bars(300). The upper chuck independently revolves against the lower chuck. A water spray part(210) is arranged in a center area of the upper chuck. The grip bar is arranged in the outer circumference of the upper chuck. A sensor unit(400) detects a notch or a flat zone of the wafer.

Description

웨이퍼 얼라인 장치 및 이를 이용하여 웨이퍼를 얼라인하는 방법{WAFER ALLIGNMENT APPARATUS AND METHOD FOR ALIGNING WAFER USING THE SAME}Wafer Alignment Apparatus and Method for Aligning Wafer Using the Same {Wafer Alignment Apparatus and Method for Aligning Wafer USing the SAME}

실시예는 웨이퍼 얼라인 장치 및 이를 이용하여 웨이퍼를 얼라인하는 방법에 관한 것이다.Embodiments relate to a wafer alignment apparatus and a method for aligning a wafer using the same.

일반적으로, 웨이퍼 상에 층을 형성하거나, 웨이퍼 상에 형성된 층을 식각하여 의도하는 패턴을 형성하는 공정에 있어서, 복수의 웨이퍼들에 서로 동일한 층 또는 패턴을 형성하기 위해서는 웨이퍼들이 반응 챔버 내에서 각각 동일한 형상으로 구비되어 있어야 한다.In general, in the process of forming a layer on a wafer or etching a layer formed on a wafer to form an intended pattern, in order to form the same layer or pattern on a plurality of wafers, the wafers may be formed in the reaction chamber, respectively. It should be provided in the same shape.

웨이퍼는 반응 챔버 내부에 웨이퍼의 위치 또는 방향을 특정시키기 위한 얼라인 마크를 포함한다. 얼라인 마크는 웨이퍼 일부의 원주 면을 직선으로 절단시킨 플랫존(flat zone) 또는 웨이퍼 일부의 원주 면을 웨이퍼의 중심을 향하여 함입시킨 노치(notch) 등일 수 있다.The wafer includes an alignment mark for specifying the position or orientation of the wafer inside the reaction chamber. The alignment mark may be a flat zone in which the circumferential surface of the portion of the wafer is cut in a straight line, or a notch in which the circumferential surface of the portion of the wafer is recessed toward the center of the wafer.

종래의 웨이퍼 얼라이너는 회전모터, 웨이퍼 척 및 센서를 포함한다. 웨이퍼의 얼라인은 예를 들어, 웨이퍼 척이 회전모터가 전달하는 회전력에 의해 수평 회전하고, 웨이퍼 척 상에 배치된 웨이퍼의 얼라인 마크를 센서가 감지함으로써 이루어질 수 있다.Conventional wafer aligners include rotary motors, wafer chucks and sensors. Alignment of the wafer may be achieved by, for example, the wafer chuck rotating horizontally by the rotational force transmitted by the rotating motor, and the sensor detecting the alignment mark of the wafer disposed on the wafer chuck.

이러한 웨이퍼 얼라이너는 한 장의 웨이퍼만을 얼라인 시키므로, 복수의 웨이퍼들을 얼라인 시키기 위해서는 웨이퍼들의 수만큼 반복해야한다. 이에 따라, 상기 웨이퍼 얼라이너를 이용하여 모든 웨이퍼들을 모두 얼라인 시키기 위해서는 많은 시간이 소요된다. 또한, 웨이퍼들의 정렬이 완료되기 전까지는 후속 공정을 진행할 수 없다.Since the wafer aligner aligns only one wafer, it is necessary to repeat the number of wafers to align the plurality of wafers. Accordingly, it takes a long time to align all the wafers by using the wafer aligner. In addition, subsequent processing cannot proceed until the alignment of the wafers is completed.

웨이퍼들의 얼라인을 위해 소요되는 시간이 길수록 반도체 제조공정 전체의 소요 시간이 길어짐으로써 반도체 생산의 생산성을 저하시키는 문제점이 있다.The longer the time required for the alignment of the wafers, the longer the time required for the entire semiconductor manufacturing process, thereby lowering the productivity of semiconductor production.

실시예는 웨이퍼가 하부로 처지는 현상을 보상하고, 안정하고 정밀하게 웨이퍼를 얼라인할 수 있는 웨이퍼 얼라인 장치 및 이를 사용하여 웨이퍼를 얼라인하는 방법을 제공하고자 한다.Embodiments provide a wafer aligning device capable of compensating a wafer to sag downward and aligning a wafer stably and precisely, and a method of aligning a wafer using the wafer.

실시예에 따른 웨이퍼 얼라인 장치는 하부척; 상기 하부척 상에 배치되고, 상기 하부척에 대하여 독립적으로 회전가능한 상부척; 상기 상부척의 외주면에 배치되어 웨이퍼를 지지하는 다수 개의 그립바들을 포함하고, 상기 상부척은 상방으로 물을 분출하는 워터 분사부를 포함한다.According to an embodiment, a wafer alignment apparatus includes a lower chuck; An upper chuck disposed on the lower chuck and rotatable independently of the lower chuck; A plurality of grip bars disposed on an outer circumferential surface of the upper chuck to support a wafer, the upper chuck includes a water jet unit for ejecting water upwards.

실시예에 따른 웨이퍼를 얼라인하는 방법은 하부척; 상기 하부척 상에 배치되는 상부척; 상기 하부척 및 상기 상부척의 외주면에 배치되는 다수 개의 그립바들을 포함하는 웨이퍼 얼라인 장치에서, 상기 상부척에 형성된 워터 분사부를 통하여 상방으로 물이 분출되는 단계; 상기 상부척 상에 웨이퍼가 안착되는 단계; 상기 웨이퍼가 상기 그립바들에 의해서 상승되는 단계; 및 상기 상부척 및 상기 그립바들에 의해서 상기 웨이퍼를 회전시키는 단계를 포함한다.According to an embodiment, a method of aligning a wafer includes a lower chuck; An upper chuck disposed on the lower chuck; In the wafer aligning device including a plurality of grip bars disposed on the outer circumferential surface of the lower chuck and the upper chuck, the water is ejected upward through the water injection unit formed in the upper chuck; Mounting a wafer on the upper chuck; The wafer is lifted by the grip bars; And rotating the wafer by the upper chuck and the grip bars.

실시예에 따른 웨이퍼 얼라인 장치는 웨이퍼의 하면에 물을 분출시켜서 웨이퍼를 지지할 수 있다. 워터 분사부에 의해서 분출되는 물에 의해서, 웨이퍼가 지지될 수 있고, 웨이퍼가 처지는 현상이 방지된다. 따라서, 실시예에 따른 웨이퍼 얼라인 장치는 웨이퍼를 안전하게 지지하고, 웨이퍼를 정밀하게 얼라인할 수 있다.The wafer alignment apparatus according to the embodiment may support the wafer by spraying water on the lower surface of the wafer. By the water ejected by the water jetting portion, the wafer can be supported and the phenomenon of sagging of the wafer is prevented. Therefore, the wafer alignment apparatus according to the embodiment can safely support the wafer and precisely align the wafer.

또한, 웨이퍼는 그립바들에 의해서 회전될 수 있으므로, 웨이퍼와 웨이퍼 얼라인 장치의 접촉 면적이 최소화된다. 이에 따라서, 실시예에 따른 웨이퍼 얼라인 장치는 웨이퍼에 가해지는 손상을 최소화시킬 수 있다.In addition, the wafer can be rotated by the grip bars, thereby minimizing the contact area between the wafer and the wafer alignment device. Accordingly, the wafer alignment apparatus according to the embodiment may minimize damage to the wafer.

또한, 웨이퍼의 하면에 분사되는 물에 의해서, 웨이퍼의 하면이 클리닝될 수 있다.In addition, the bottom surface of the wafer may be cleaned by water sprayed on the bottom surface of the wafer.

도 1은 실시예에 따른 웨이퍼 얼라인 장치를 도시한 사시도이다.
도 2는 실시예에 따른 웨이퍼 얼라인 장치의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 그립바를 확대하여 도시한 사시도이다.
도 4는 실시예에 따른 웨이퍼 얼라인 장치를 이용하여, 웨이퍼를 얼라인하는 과정을 도시한 블럭도이다.
도 5 내지 도 7은 실시예에 따른 웨이퍼 얼라인 장치를 이용하여, 웨이퍼를 얼라인하는 과정을 도시한 도면들이다.1 is a perspective view illustrating a wafer alignment apparatus according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view showing a cross section of the wafer alignment apparatus according to the embodiment.
3 is an enlarged perspective view of the grip bar.
4 is a block diagram illustrating a process of aligning wafers using the wafer alignment apparatus according to the embodiment.
5 to 7 are diagrams illustrating a process of aligning a wafer by using the wafer alignment apparatus according to the embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 웨이퍼, 부, 바 또는 척 등이 각 부, 바, 웨이퍼 또는 척 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 하부에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, in the case where each wafer, part, bar, or chuck is described as being formed "on" or "under" of each part, bar, wafer, or chuck, "On" and "under" include both being formed "directly" or "indirectly" through other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 실시예에 따른 웨이퍼 얼라인 장치를 도시한 사시도이다. 도 2는 실시예에 따른 웨이퍼 얼라인 장치의 일 단면을 도시한 단면도이다. 도 3은 그립바를 확대하여 도시한 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a wafer alignment apparatus according to an embodiment. 2 is a cross-sectional view showing a cross section of the wafer alignment apparatus according to the embodiment. 3 is an enlarged perspective view of the grip bar.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 웨이퍼 얼라인 장치는 하부척(100), 상부척(200), 다수 개의 그립바들(300) 및 센서부(400)를 포함한다.1 to 3, the wafer alignment apparatus according to the embodiment includes a lower chuck 100, an upper chuck 200, a plurality of grip bars 300, and a sensor unit 400.

상기 하부척(100)은 상기 상부척(200) 및 상기 그립바들(300)을 지지한다. 상기 하부척(100)은 자체적으로 회전하지 않는다. 상기 하부척(100)에는 중공이 형성될 수 있다.The lower chuck 100 supports the upper chuck 200 and the grip bars 300. The lower chuck 100 does not rotate by itself. The lower chuck 100 may be hollow.

상기 상부척(200)은 상기 하부척(100) 상에 배치된다. 상기 상부척(200)은 상기 하부척(100)에 대하여 독립적으로 회전한다. 더 자세하게, 상기 상부척(200)은 원형 플레이트 형상을 가질 수 있고, 상기 중공을 관통하는 회전축(240)에 의해서 회전될 수 있다.The upper chuck 200 is disposed on the lower chuck 100. The upper chuck 200 rotates independently of the lower chuck 100. In more detail, the upper chuck 200 may have a circular plate shape, and may be rotated by the rotation shaft 240 penetrating the hollow.

즉, 실시예에 따른 웨이퍼 얼라인 장치는 상기 상부척(200)을 회전시키기 위한 제 1 구동부(230)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 구동부(230)는 상기 상부척(200)을 원하는 방향으로 원하는 각도로 회전시키기 위한 스테핑 모터를 포함할 수 있다.That is, the wafer alignment apparatus according to the embodiment may include a first driver 230 for rotating the upper chuck 200. The first driving unit 230 may include a stepping motor for rotating the upper chuck 200 at a desired angle in a desired direction.

또한, 상기 상부척(200)에는 상기 그립바들(300)을 상하 방향으로 구동하기 위한 제 2 구동부(250)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 구동부(250)는 상기 그립바들(300)을 구동하기 위한 스테핑 모터를 포함할 수 있다.In addition, the upper chuck 200 may include a second driver 250 for driving the grip bars 300 in the vertical direction. The second driver 250 may include a stepping motor for driving the grip bars 300.

상기 상부척(200)의 직경은 얼라인하는 웨이퍼(W)의 직경에 대응될 수 있다. 예를 들어, 상기 상부척(200)의 직경은 약 300㎜일 수 있다. 상기 상부척(200)은 워터 분사부(210)를 포함한다.The diameter of the upper chuck 200 may correspond to the diameter of the wafer (W) to align. For example, the diameter of the upper chuck 200 may be about 300 mm. The upper chuck 200 includes a water jet unit 210.

상기 워터 분사부(210)는 상기 상부척(200)의 중앙 부분에 배치된다. 상기 워터 분사부(210)는 상기 상부척(200)의 상면에서 상방으로 물을 분출시킬 수 있다. 상기 워터 분사부(210)는 상기 상부척(200) 상에 배치되는 웨이퍼(W)의 하면에 물을 분사한다.The water injection unit 210 is disposed in the central portion of the upper chuck 200. The water injection unit 210 may eject water upward from the upper surface of the upper chuck 200. The water jetting unit 210 injects water onto the lower surface of the wafer W disposed on the upper chuck 200.

상기 워터 분사부(210)는 상기 상부척(200)에 형성되는 다수 개의 분사홀들이다. 상기 분사홀들의 직경은 약 4.5㎜ 내지 약 5.5㎜일 수 있다. 또한, 상기 분사홀들 사이의 거리는 약 19㎜ 내지 약 21㎜일 수 있다. 특히, 상기 분사홀들 사이의 거리는 서로 일정할 수 있다.The water injection unit 210 is a plurality of injection holes formed in the upper chuck 200. The diameter of the injection holes may be about 4.5mm to about 5.5mm. In addition, the distance between the injection holes may be about 19mm to about 21mm. In particular, the distance between the injection holes may be constant with each other.

또한, 상기 워터 분사부(210)에 물을 공급하기 위한 워터 호스가 상기 상부척(200)에 연결될 수 있다.In addition, a water hose for supplying water to the water injection unit 210 may be connected to the upper chuck 200.

상기 상부척(200)의 상면에는 단차가 형성된다. 더 자세하게, 상기 상부척(200)은 높이가 서로 다른 상면들을 포함할 수 있다. 이때, 상기 상부척(200)의 중앙 부분의 상면의 높이가 가장 낮고, 상기 상부척(200)의 외곽 부분의 상면이 가장 높을 수 있다.A step is formed on the upper surface of the upper chuck 200. In more detail, the upper chuck 200 may include upper surfaces having different heights. At this time, the height of the upper surface of the central portion of the upper chuck 200 may be the lowest, the upper surface of the outer portion of the upper chuck 200 may be the highest.

상기 상부척(200)의 상면은 제 1 상면(201), 제 2 상면(202) 및 제 3 상면(203)을 포함할 수 있다.The upper surface of the upper chuck 200 may include a first upper surface 201, a second upper surface 202, and a third upper surface 203.

상기 제 1 상면(201)은 상기 상부척(200)의 중앙 부분에 위치한다. 상기 제 1 상면(201)에는 상기 워터 분사부(210)가 형성된다. 즉, 상기 워터 분사부(210)는 상기 제 1 상면(201)에 형성된 홀들이다. 상기 제 1 상면(201)은 평면에서 보았을 때, 원 형상을 가질 수 있다.The first upper surface 201 is located at the center of the upper chuck 200. The water jetting unit 210 is formed on the first upper surface 201. That is, the water injection unit 210 is holes formed in the first upper surface 201. The first upper surface 201 may have a circular shape when viewed in a plan view.

상기 제 2 상면(202)은 상기 제 1 상면(201)을 둘러싼다. 상기 제 2 상면(202)은 평면에서 보았을 때, 폐루프 형상을 가질 수 있다. 상기 제 2 상면(202)은 상기 제 1 상면(201)보다 더 높다. 상기 제 1 상면(201) 및 상기 제 2 상면(202)의 높이차는 약 1.8㎜ 내지 약 2.2㎜일 수 있다. 상기 제 2 상면(202)의 폭은 약 50㎜일 수 있다.The second top surface 202 surrounds the first top surface 201. The second top surface 202 may have a closed loop shape when viewed in a plan view. The second top surface 202 is higher than the first top surface 201. The height difference between the first upper surface 201 and the second upper surface 202 may be about 1.8 mm to about 2.2 mm. The width of the second upper surface 202 may be about 50 mm.

상기 제 3 상면(203)은 상기 제 2 상면(202)을 둘러싼다. 상기 제 3 상면(203)은 평면에서 보았을 때, 폐루프 형상을 가질 수 있다. 상기 제 3 상면(203)은 상기 제 2 상면(202)보다 더 높다. 상기 제 2 상면(202) 및 상기 제 3 상면(203)의 높이차는 약 1.8㎜ 내지 약 2.2㎜일 수 있다. 상기 제 3 상면(203)의 폭은 약 50㎜일 수 있다.The third top surface 203 surrounds the second top surface 202. The third upper surface 203 may have a closed loop shape when viewed in a plan view. The third top surface 203 is higher than the second top surface 202. The height difference between the second upper surface 202 and the third upper surface 203 may be about 1.8 mm to about 2.2 mm. The width of the third upper surface 203 may be about 50 mm.

상기 상부척(200)의 상면에 단차가 형성되기 때문에, 상기 웨이퍼(W)는 상기 상부척(200)의 상면에 효율적으로 센터링될 수 있다. 즉, 상기 상부척(200)의 상면은 중앙 부분이 깊고, 외곽 부분이 얕은 구조를 가지기 때문에, 상기 상부척(200)의 상면에 물이 채워질 때, 표면 장력에 의해서, 상기 웨이퍼(W)가 효과적으로 센터링될 수 있다.Since a step is formed on the upper surface of the upper chuck 200, the wafer W may be efficiently centered on the upper surface of the upper chuck 200. That is, since the upper surface of the upper chuck 200 has a deep central portion and the outer portion has a shallow structure, when the water is filled on the upper surface of the upper chuck 200, the wafer W is formed by surface tension. Can be effectively centered.

즉, 상기 상부척(200)의 중앙 부분이 더 깊기 때문에, 상기 상부척(200)의 중앙 부분의 표면 장력이 강하게 되고, 이에 따라서, 상기 웨이퍼(W)가 상기 상부척(200)의 상면에 효과적으로 센터링될 수 있다.That is, since the central portion of the upper chuck 200 is deeper, the surface tension of the central portion of the upper chuck 200 becomes stronger, so that the wafer W is placed on the upper surface of the upper chuck 200. Can be effectively centered.

상기 그립바들(300)은 상기 상부척(200)의 외주면에 배치된다. 상기 그립바들(300)은 상기 하부척(100)의 외주면까지 연장될 수 있다. 상기 그립바들(300)은 상기 상부척(200)의 외주면에 상하로 이동가능하도록 고정될 수 있다.The grip bars 300 are disposed on an outer circumferential surface of the upper chuck 200. The grip bars 300 may extend to the outer circumferential surface of the lower chuck 100. The grip bars 300 may be fixed to the outer circumferential surface of the upper chuck 200 to be movable up and down.

상기 그립바들(300)은 상기 상부척(200)의 외주면에 3개 이상 배치될 수 있다. 또한, 상기 그립바들(300) 사이의 간격은 서로 대응될 수 있다. 즉, 상기 그립바들(300)은 상기 상부척(200)의 외주면을 서로 동일하게 나눌 수 있다.Three or more grip bars 300 may be disposed on an outer circumferential surface of the upper chuck 200. In addition, the gaps between the grip bars 300 may correspond to each other. That is, the grip bars 300 may divide the outer circumferential surface of the upper chuck 200 in the same manner.

상기 그립바들(300)은 상기 상부척(200)에 대하여, 상하 방향으로 상대이동된다. 더 자세하게, 상기 그립바들(300)은 상기 상부척(200)부터 상방으로 약 5㎜만큼 상승하고, 다시 약 5㎜만큼 하강할 수 있다.The grip bars 300 are moved relative to the upper chuck 200 in the vertical direction. In more detail, the grip bars 300 may ascend upward by about 5 mm from the upper chuck 200 and descend by about 5 mm again.

상기 그립바들(300)은 상기 웨이퍼(W)의 외곽 부분을 지지한다. 또한, 상기 그립바들(300)은 상기 웨이퍼(W)의 에지부를 지지하며, 가이드한다.The grip bars 300 support an outer portion of the wafer (W). In addition, the grip bars 300 support and guide the edge portion of the wafer (W).

각각의 그립바(300)는 제 1 지지부(310) 및 제 2 지지부(320)를 포함할 수 있다.Each grip bar 300 may include a first support 310 and a second support 320.

상기 제 1 지지부(310)는 상기 웨이퍼(W)의 하면을 지지한다. 상기 제 1 지지부(310)는 상기 상부척(200)의 상면과 평행한 지지면(311)을 포함한다. 즉, 상기 제 1 지지부(310)의 지지면(311)은 상기 웨이퍼(W)의 하면과 직접 접촉할 수 있다.The first support part 310 supports the lower surface of the wafer (W). The first support part 310 includes a support surface 311 parallel to the upper surface of the upper chuck 200. That is, the support surface 311 of the first support part 310 may be in direct contact with the bottom surface of the wafer (W).

상기 제 2 지지부(320)는 상기 웨이퍼(W)의 측면, 즉, 외주면을 지지한다. 상기 제 2 지지부(320)는 상기 상부척(200)의 상면에 대하여 경사지는 경사면(321)을 포함한다. 상기 경사면(321) 및 상기 지지면(311)이 서로 교차하여 형성되는 각도는 약 40° 내지 약 50°일 수 있다. 더 자세하게, 상기 경사면(321) 및 상기 지지면(311) 사이의 각도는 약 45°일 수 있다. 즉, 상기 경사면(321) 및 상기 상부척(200)의 상면 사이의 각도도 약 40° 내지 약 50°일 수 있다.The second support part 320 supports the side of the wafer W, that is, the outer circumferential surface. The second support part 320 includes an inclined surface 321 inclined with respect to the upper surface of the upper chuck 200. An angle at which the inclined surface 321 and the support surface 311 cross each other may be about 40 ° to about 50 °. In more detail, the angle between the inclined surface 321 and the support surface 311 may be about 45 °. That is, the angle between the inclined surface 321 and the upper surface of the upper chuck 200 may also be about 40 ° to about 50 °.

상기 제 2 지지부(320)는 상기 제 1 지지부(310)보다 더 높은 위치에 배치된다. 즉, 상기 제 2 지지부(320)는 상기 상부척(200)의 상면보다 더 상방으로 돌출될 수 있다. 이때, 상기 제 2 지지부(320)는 상기 제 1 지지부(310)보다 약 9㎜ 내지 약 11㎜ 만큼 더 돌출될 수 있다.The second support part 320 is disposed at a higher position than the first support part 310. That is, the second support part 320 may protrude upward more than an upper surface of the upper chuck 200. In this case, the second support part 320 may protrude about 9 mm to about 11 mm more than the first support part 310.

상기 센서부(400)는 상기 상부척(200) 상에 배치된다. 상기 센서부(400)는 상기 웨이퍼(W)의 노치(N) 또는 플랫존을 검출할 수 있다. 상기 센서부(400)는 상기 웨이퍼(W)에 광을 조사하는 발광부 및 상기 웨이퍼(W)에 의해서 반사되는 광을 수광하는 수광부를 포함할 수 있다.The sensor unit 400 is disposed on the upper chuck 200. The sensor unit 400 may detect the notch N or the flat zone of the wafer W. The sensor unit 400 may include a light emitting unit for irradiating light onto the wafer W and a light receiving unit for receiving light reflected by the wafer W.

도 4는 실시예에 따른 웨이퍼 얼라인 장치를 이용하여, 웨이퍼를 얼라인하는 과정을 도시한 블럭도이다. 도 5 내지 도 7은 실시예에 따른 웨이퍼 얼라인 장치를 이용하여, 웨이퍼를 얼라인하는 과정을 도시한 도면들이다.4 is a block diagram illustrating a process of aligning wafers using the wafer alignment apparatus according to the embodiment. 5 to 7 are diagrams illustrating a process of aligning a wafer by using the wafer alignment apparatus according to the embodiment.

도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 워터 분사부(210)로부터 상방으로 물이 분출되고, 상기 상부척(200)의 상면에 수막이 형성된다(S100). 상기 워터 분사부(210)로부터 분출되는 물의 유속은 얼라인하는 웨이퍼(W)의 크기, 두께 및 무게 등에 따라서 다양하게 조절될 수 있다. 예를 들어, 상기 워터 분사부(210)는 약 0.5ℓ/min의 속도로 물을 분출시킬 수 있다.4 and 5, water is ejected upward from the water injection unit 210, and a water film is formed on an upper surface of the upper chuck 200 (S100). The flow rate of the water jetted from the water jet unit 210 may be variously adjusted according to the size, thickness and weight of the wafer W to be aligned. For example, the water injection unit 210 may eject water at a rate of about 0.5 l / min.

도 4 및 도 6을 참조하면, 상기 상부척(200)에 형성된 수막 상에 웨이퍼(W)가 안착된다(S200). 이에 따라서, 상기 웨이퍼(W)는 상기 수막의 표면장력에 의해서 1차 센터링된다(S300). 상기 웨이퍼(W)가 1차 센터링이 완료된 후, 상기 워터 분사부(210)로부터 물의 분출이 중지될 수 있다(S400).4 and 6, the wafer W is seated on the water film formed on the upper chuck 200 (S200). Accordingly, the wafer W is first centered by the surface tension of the water film (S300). After the first centering of the wafer W is completed, the ejection of water from the water jetting unit 210 may be stopped (S400).

도 4 및 도 7을 참조하면, 상기 그립바들(300)은 상기 상부척(200)으로부터 상승한다(S500). 이때, 상기 그립바들(300)은 약 5㎜ 정도 상승할 수 있다. 또한, 상기 워터 분사부(210)로부터 상방으로 물이 다시 분출된다(S600).4 and 7, the grip bars 300 are lifted from the upper chuck 200 (S500). In this case, the grip bars 300 may rise by about 5 mm. In addition, the water is jetted upward again from the water injection unit 210 (S600).

이에 따라서, 상기 웨이퍼(W)는 상기 그립바들(300)에 의해서 상승하게 된다. 또한, 상기 웨이퍼(W)의 외곽 부분은 상기 그립바들(300)에 의해서 지지되고, 상기 웨이퍼(W)의 중앙 부분은 상기 워터 분사부(210)로부터 분출되는 물에 의해서 지지될 수 있다. 따라서, 상기 웨이퍼(W)는 상기 그립바들(300) 및 상기 물에 의해서 안정적으로 지지될 수 있다.Accordingly, the wafer W is raised by the grip bars 300. In addition, an outer portion of the wafer W may be supported by the grip bars 300, and a central portion of the wafer W may be supported by water ejected from the water jet unit 210. Therefore, the wafer W may be stably supported by the grip bars 300 and the water.

이에 따라서, 상기 웨이퍼(W)는 상기 그립바들(300)에 의해서, 정밀하게 2차 센터링된다(S700).Accordingly, the wafer W is precisely secondary centered by the grip bars 300 (S700).

이후, 상기 상부척(200)은 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전된다. 이에 따라서, 상기 그립바들(300)도 상기 상부척(200)의 회전에 따라서 회전되고, 결국, 상기 웨이퍼(W)는 상기 상부척(200)의 회전에 따라서 회전된다.Thereafter, the upper chuck 200 is rotated clockwise or counterclockwise. Accordingly, the grip bars 300 are also rotated in accordance with the rotation of the upper chuck 200, and eventually, the wafer W is rotated in accordance with the rotation of the upper chuck 200.

이때, 상기 센서부(400)는 상기 웨이퍼(W)의 노치(N)를 검출하여, 상기 웨이퍼(W)를 얼라인할 수 있다(S800).In this case, the sensor unit 400 may detect the notch N of the wafer W to align the wafer W (S800).

이후, 상기 웨이퍼(W)는 이송 암에 의해서, 언로딩되고, 상기 그립바들(300)은 하강하게 된다(S900).Thereafter, the wafer W is unloaded by a transfer arm, and the grip bars 300 are lowered (S900).

이와 같이, 실시예에 따른 웨이퍼 얼라인 장치는 상기 웨이퍼(W)의 하면에 물을 분출시켜서 웨이퍼(W)를 지지할 수 있다. 상기 워터 분사부(210)에 의해서 분출되는 물에 의해서, 상기 웨이퍼(W)의 중앙 부분 지지될 수 있고, 상기 웨이퍼(W)가 처지는 현상이 방지된다. 따라서, 실시예에 따른 웨이퍼 얼라인 장치는 상기 웨이퍼(W)를 안전하게 지지하고, 상기 웨이퍼(W)를 정밀하게 얼라인할 수 있다.As described above, the wafer alignment apparatus according to the embodiment may support the wafer W by spraying water on the lower surface of the wafer W. FIG. By the water jetted by the water jetting unit 210, the central portion of the wafer W may be supported, and the phenomenon of sagging of the wafer W is prevented. Therefore, the wafer alignment apparatus according to the embodiment may safely support the wafer W and align the wafer W precisely.

또한, 상기 웨이퍼(W)는 상기 그립바들(300)에 의해서 회전될 수 있으므로, 상기 웨이퍼(W)가 다른 장치에 접촉되는 최소화된다. 이에 따라서, 실시예에 따른 웨이퍼 얼라인 장치는 상기 웨이퍼(W)에 가해지는 손상을 최소화시킬 수 있다.In addition, since the wafer W may be rotated by the grip bars 300, the wafer W is minimized in contact with another device. Accordingly, the wafer alignment apparatus according to the embodiment may minimize damage to the wafer (W).

또한, 상기 웨이퍼(W)의 하면에 분사되는 물에 의해서, 상기 웨이퍼(W)의 하면이 클리닝될 수 있다.In addition, the bottom surface of the wafer W may be cleaned by water sprayed on the bottom surface of the wafer W. FIG.

또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

Claims (12)

하부척;
상기 하부척 상에 배치되고, 상기 하부척에 대하여 독립적으로 회전가능한 상부척;
상기 상부척의 외주면에 배치되어 웨이퍼를 지지하는 다수 개의 그립바들을 포함하고,
상기 상부척은 상방으로 물을 분출하는 워터 분사부를 포함하는 웨이퍼 얼라인 장치.Lower chuck;
An upper chuck disposed on the lower chuck and rotatable independently of the lower chuck;
A plurality of grip bars disposed on an outer circumferential surface of the upper chuck to support a wafer;
The upper chuck wafer alignment apparatus including a water jet unit for ejecting water upwards. 제 1 항에 있어서, 상기 상부척의 상면에는 단차가 형성되는 웨이퍼 얼라인 장치.The wafer alignment apparatus of claim 1, wherein a step is formed on an upper surface of the upper chuck. 제 1 항에 있어서, 상기 상부척은
상기 워터 분사부가 형성된 제 1 상면;
상기 제 1 상면보다 더 높은 제 2 상면; 및
상기 제 2 상면보다 더 높은 제 3 상면을 포함하는 웨이퍼 얼라인 장치.The method of claim 1, wherein the upper chuck
A first upper surface on which the water jetting part is formed;
A second upper surface higher than the first upper surface; And
And a third upper surface higher than the second upper surface. 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 상면은 상기 워터 분사부의 주위를 둘러싸고,
상기 제 3 상면은 상기 제 2 상면의 주위를 둘러싸는 웨이퍼 얼라인 장치.The method of claim 3, wherein the second upper surface surrounds the periphery of the water injection portion,
And the third upper surface surrounds the circumference of the second upper surface. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 상면 및 상기 제 2 상면의 높이차는 약 1.8㎜ 내지 약 2.2㎜이고,
상기 제 2 상면 및 상기 제 3 상면의 높이차는 약 1.8㎜ 내지 약 2.2㎜인 웨이퍼 얼라인 장치.The method of claim 3, wherein the height difference between the first upper surface and the second upper surface is about 1.8mm to about 2.2mm,
And a height difference between the second upper surface and the third upper surface is about 1.8 mm to about 2.2 mm. 제 1 항에 있어서, 상기 그립바들은
웨이퍼의 하면을 지지하는 제 1 지지부; 및
상기 웨이퍼의 측면을 지지하는 제 2 지지부를 포함하는 웨이퍼 얼라인 장치.The grip bar of claim 1, wherein the grip bars
A first support part supporting a bottom surface of the wafer; And
And a second support portion for supporting a side of the wafer. 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 지지부는 상기 상부척의 상면에 대하여 경사지는 경사면을 포함하는 웨이퍼 얼라인 장치.The wafer alignment apparatus of claim 6, wherein the second support part comprises an inclined surface that is inclined with respect to an upper surface of the upper chuck. 제 7 항에 있어서, 상기 경사면은 상기 상부척의 상면에 대하여, 40° 내지 50°의 각도로 경사지는 웨이퍼 얼라인 장치.The wafer alignment apparatus of claim 7, wherein the inclined surface is inclined at an angle of 40 ° to 50 ° with respect to an upper surface of the upper chuck. 제 1 항에 있어서, 상기 워터 분사부는 다수 개의 분사홀들을 포함하고,
상기 분사홀들의 직경은 4.5㎜ 내지 5.5㎜인 웨이퍼 얼라인 장치.According to claim 1, wherein the water jetting portion includes a plurality of injection holes,
The diameter of the injection hole is a wafer alignment device of 4.5mm to 5.5mm. 제 1 항에 있어서, 상기 상부척 상에 배치되고, 상기 상부척에 안착된 웨이퍼의 노치를 검출하는 센서부를 포함하는 웨이퍼 얼라인 장치.The wafer alignment apparatus of claim 1, further comprising a sensor unit disposed on the upper chuck and detecting a notch of a wafer seated on the upper chuck. 하부척; 상기 하부척 상에 배치되는 상부척; 상기 하부척 및 상기 상부척의 외주면에 배치되는 다수 개의 그립바들을 포함하는 웨이퍼 얼라인 장치에서, 상기 상부척에 형성된 워터 분사부를 통하여 상방으로 물이 분출되는 단계;
상기 상부척 상에 웨이퍼가 안착되는 단계;
상기 웨이퍼가 상기 그립바들에 의해서 상승되는 단계; 및
상기 상부척 및 상기 그립바들에 의해서 상기 웨이퍼를 회전시키는 단계를 포함하는 웨이퍼를 얼라인하는 방법.Lower chuck; An upper chuck disposed on the lower chuck; In the wafer alignment apparatus including a plurality of grip bars disposed on the outer circumferential surface of the lower chuck and the upper chuck, the water is ejected upward through the water injection unit formed in the upper chuck;
Mounting a wafer on the upper chuck;
The wafer is lifted by the grip bars; And
Rotating the wafer by the upper chuck and the grip bars. 제 11 항에 있어서, 상기 웨이퍼가 회전될 때, 상기 웨이퍼의 노치를 디텍팅하는 단계를 포함하는 웨이퍼를 얼라인하는 방법.12. The method of claim 11 including detecting the notch of the wafer when the wafer is rotated.
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