KR20120041942A - 태양전지 - Google Patents
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Abstract
태양전지가 제공된다. 태양전지는 광흡수층, 광흡수층 상의 p형 구리 산화질화막으로 구성된 윈도우층, 광흡수층 아래에 배치된 배면 전극 및 윈도우층 상에 배치된 투명 전극을 포함한다.
Description
본 발명은 광소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 태양전지에 관한 것이다.
태양전지(solar cell 또는 photovoltaic cell)는 태양광을 직접 전기로 변환시키는 소자이다. 태양전지는 반도체의 에너지 밴드 갭(band gap energy)보다 큰 에너지를 가지는 태양광이 입사되는 전자-정공 쌍이 생성된다. 이 전자-정공 쌍은 반도체 pn 접합부에 형성된 전기장에 의해 이동하게 되고, 기전력을 발생시킬 수 있다.
태양전지의 소재로서, 구리 산화막은 비교적 간단한 조성과 지구상에 풍부한 원소로 구성되어 있다. 따라서, 태양전지의 소재로서 구리 산화막이 사용되는 경우, 제조공정의 단가를 낮출 수 있다.
본 발명의 목적은 구리 산화질화막을 이용하는 태양전지를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 태양전지는 광흡수층, 상기 광흡수층 상의, p형 구리 산화질화막으로 구성된 윈도우층, 상기 광흡수층 아래에 배치된 배면 전극 및 상기 윈도우층 상에 배치된 투명 전극을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 구리 산화질화막(Cu2OxNy)에서 x+y=1의 조건을 만족하며, y는 0 보다 크고 0.01보다 작을 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 윈도우층의 에너지 밴드 갭는 상기 광흡수층의 에너지 밴드 갭보다 크며, 상기 윈도우층은 상기 투명 전극으로부터 입사되는 태양광을 투과시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 태양전지는 상기 광흡수층과 상기 배면 전극 사이에 개재되는 엔형층을 더 포함하되, 상기 윈도우층, 상기 광흡수층 및 상기 엔형층은 p-i-n 구조를 이룰 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 윈도우층 및 상기 광흡수층은 p-n 구조를 이룰 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 태양전지는 상기 광흡수층과 상기 윈도우층 사이에 개재되는 보조 윈도우층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 보조 윈도우층의 에너지 밴드 갭는 상기 윈도우층의 에너지 밴드 갭보다 작을 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 윈도우층의 굴절률은 상기 투명 전극의 굴절률보다 크고, 상기 광흡수층의 굴절률보다 작을 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 태양전지는 상기 윈도우층과 상기 투명 전극 사이에 개재되는 상부 광흡수층을 더 포함하되, 상기 윈도우층은 상기 투명 전극으로부터 입사된 태양광의 일부를 투과시키며, 다른 일부를 반사시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 광흡수층은 상기 상부 광흡수층보다 짧은 파장의 빛을 흡수할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 광흡수층 및 상기 상부 광흡수층은 각각 p-i-n 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 태양전지는 구리 산화질화막으로 구성된 윈도우층을 포함한다. 구리 산화질화막은 에너지 밴드 갭이 2.5 eV 이상이므로, 입사되는 태양광을 투과하는 성질이 우수하다. 따라서, 구리 산화질화막을 포함하는 태양전지는 제조비용을 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 구리 산화질화막의 파장에 따른 투과도를 설명하기 위한 그래프이다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 구리 산화질화막의 파장에 따른 투과도를 설명하기 위한 그래프이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다. 여기에 설명되고 예시되는 실시예들은 그것의 상보적인 실시예들도 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소는 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양전지(100)는 광흡수층(130), 상기 광흡수층(130) 상의 p형 구리 산화질화막으로 구성된 윈도우층(140), 상기 광흡수층(130) 아래에 배치된 배면 전극(110) 및 상기 윈도우층(140) 상에 배치된 투명 전극(150)을 포함한다.
상기 광흡수층(130)과 상기 배면 전극(110) 사이에 엔형층(120)이 개재되며, 상기 윈도우층(140), 상기 광흡수층(130) 및 상기 엔형층(120)은 p-i-n 구조를 이룰 수 있다. 상기 투명 전극(150) 상에는 유리 기판(160)이 배치될 수 있다. 외부의 태양광은 유리 기판(160)을 통하여 입사될 수 있다. 이 구조는 수퍼스트레이트(superstrate) 구조로 칭해질 수 있다. 이와 다르게, 상기 투명 전극(150)과 유리 기판(160)이 아래에 배치되는 경우, 태양광은 반대 방향으로부터 태양전지(100)에 입사될 수 있다. 이 구조는 서브스트레이트(substrate) 구조로 칭해질 수 있다.
상기 윈도우층(140)은 p형 구리 산화질화막(Cu2OxNy)으로 구성될 수 있다. 상기 구리 산화질화막(Cu2OxNy)에서 x+y=1의 조건을 만족할 수 있으며, y는 0보다 크고 0.01보다 작을 수 있다. 즉, 상기 윈도우층(140)의 구리 산화질화막은 미량의 질소를 함유한다. 상기 윈도우층(140)의 구리 산화질화막은 빛에 대한 투과도를 높이기 위하여 에너지 밴드 갭이 충분히 높아야 한다. Cu20의 에너지 밴드 갭은 약 2.1eV 이며, CuO의 에너지 밴 갭은 1.4eV 이고, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 구리 산화질화막의 에너지 밴드 갭은 약 2.5eV 이다. 상기 윈도우층(140)의 구리 산화질화막은 구리 산화막에 질소를 함유시킴으로써, 구리 산화막의 에너지 밴드 갭보다 높은 에너지 밴드 갭을 가질 수 있다. 구리 산화막은 특별한 도핑 물질을 가지지 않더라도 p형의 반도체 물질로 알려져 있다.
상기 윈도우층(140)에 사용되는 구리 산화질화막은 증착온도와 플라즈마 파워를 조절하여 산소와 함께 질소를 함께 주입하여 형성될 수 있다. 질소는 암모니아 또는 이산화질소에 의하여 공급될 수 있다. 구체적으로, 상기 구리 산화질화막은 스퍼터링 방법으로 형성될 수 있다. 스퍼터링 방법을 사용하는 경우, 구리를 타겟으로 아르곤, 산소, 질소 가스를 공급하거나, 산화구리를 타겟으로 아르곤, 산소, 질소 가스를 공급할 수 있다. 또한, 상기 구리 산화질화막은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 방법, 원자층 증착(atomic layer deposition) 방법, 증발법(evaporation) 또는 솔-겔(sol-gel) 방법 등 다양한 방법으로 형성될 수 있다.
상기 윈도우층(140)은 상기 투명 전극(150)과 상기 광흡수층(130) 사이에 위치하므로, 비저항이 충분히 낮아야 한다. 상기 윈도우층(140)은 그 두께가 50nm 이하의 두께이고, 비저항이 103 Ω?㎝ 이하인 것이 바람직할 수 있다. 이러한 조건에서, 상기 윈도우층(140)으로 사용되는 구리 산화질화막은 500~1000nm의 파장을 가지는 빛의 투과도가 80% 이상일 수 있다.
상기 투명 전극(150)은 알루미늄이 도핑된 아연산화막(ZnO:Al), 갈륨이 도핑된 아연산화막(ZnO:Ga), 인듐 주석 산화막(ITO), 주석 산화막(SnO2), 루테늄 산화막(RuO2), 이리튬 산화막(IrO2), 구리 산화막(Cu2O) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 광흡수층(130)은 실리콘을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 광흡수층(130)은 비정질 실리콘, 비정질 실리콘게르마늄, 미세결정 실리콘, 미세결정 실리콘게르마늄, 결정질 실리콘 또는 결정질 실리콘게르마늄 중 어느 하나일 수 있다. 또는, 상기 광흡수층(130)은 구리 산화막(Cu2O, CuO 또는 이들의 혼합물)일 수 있다. 상기 광흡수층(130)은 아연산화막(ZnO) 또는 티타늄 산화막(TiO2) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 광흡수층(130)과 엔형층(120)이 비정질 실리콘인 경우, 상기 윈도우층(140)을 투과한 태양광은 비정질 실리콘에서 흡수된다. 비정질 실리콘의 에너지 밴드 갭은 1.7~2.0 eV 이고, 상기 윈도우층(140)으로 사용된 구리 산화질화막은 에너지 밴드 갭이 2.5 eV 이상이기 때문이다. 이 경우, 450~550nm 파장대역의 태양광이 효과적으로 윈도우층(140)을 투과하여 광흡수층(130)에 흡수될 수 있다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다. 도 1을 참조하여 제 1 실시예에서 설명된 기술적 특징은 설명의 간략함을 위하여 생략하기로 한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 태양전지(200)는 광흡수층(230), 상기 광흡수층(230) 상의 p형 구리 산화질화막으로 구성된 윈도우층(240), 상기 광흡수층(230) 아래에 배치된 배면 전극(210) 및 상기 윈도우층(240) 상에 배치된 투명 전극(250)을 포함한다.
상기 광흡수층(230)은 엔형 반도체일 수 있다. 상기 윈도우층(240) 및 상기 광흡수층(230)은 p-n 구조를 이룰 수 있다. 상기 투명 전극(250) 상에는 유리 기판(260)이 배치될 수 있다. 외부의 태양광은 유리 기판(260)을 통하여 입사될 수 있다. 이 구조는 수퍼스트레이트(superstrate) 구조로 칭해질 수 있다. 이와 다르게, 상기 투명 전극(250)과 유리 기판(260)이 아래에 배치되는 경우, 태양광은 반대 방향으로부터 태양전지(200)에 입사될 수 있다. 이 구조는 서브스트레이트(substrate) 구조로 칭해질 수 있다.
상기 윈도우층(240)은 p형 구리 산화질화막(Cu2OxNy)으로 구성될 수 있다. 상기 구리 산화질화막(Cu2OxNy)에서 x+y=1의 조건을 만족할 수 있으며, y는 0보다 크고 0.01보다 작을 수 있다. 즉, 상기 윈도우층(240)의 구리 산화질화막은 미량의 질소를 함유한다.
상기 윈도우층(240)은 상기 광흡수층(230)보다 에너지 밴드 갭이 크다. 상기 윈도우층(240)은 태양광을 투과시키며, 상기 광흡수층(230)은 태양광을 흡수하는 역할을 할 수 있다.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다. 도 1을 참조하여 제 1 실시예에서 설명된 기술적 특징은 설명의 간략함을 위하여 생략하기로 한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 태양전지(300)는 광흡수층(330), 상기 광흡수층(330) 상의 p형 구리 산화질화막으로 구성된 윈도우층(340), 상기 광흡수층(330) 아래에 배치된 배면 전극(310) 및 상기 윈도우층(340) 상에 배치된 투명 전극(350)을 포함한다.
상기 광흡수층(330)과 상기 윈도우층(340) 사이에 보조 윈도우층(335)이 개재될 수 있다. 상기 보조 윈도우층(335)의 에너지 밴드 갭은 상기 윈도우층(340)의 에너지 밴드 갭보다 작을 수 있다. 상기 보조 윈도우층(335)은 CuO, Cu2O 또는 Cu2OxNy 일 수 있다. 또는, 상기 보조 윈도우층(335)은 비정질 실리콘, 비정질 실리콘 게르마늄, 미세결정 실리콘, 미세결정 실리콘 게르마늄, 결정질 실리콘, 결정질 실리콘 게르마늄 또는 아연산화막 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 보조 윈도우층(335)은 에너지 밴드 갭를 변화시켜 태양전지의 개방 전압(open-circuit voltage: Voc) 값과 필 팩터(fill factor) 값을 향상시킬 수 있다. 상기 보조 윈도우층(335)은 상기 윈도우층(340)과 상기 광흡수층(330) 사이에서 완충층으로서 기능할 수 있다. 즉, 상기 보조 윈도우층(335)은 상기 윈도우층(340)과 상기 광흡수층(330) 사이의 결정성 문제 또는 계면 불일치(예를 들면, 격자 상수 차이)를 완충시킬 수 있다. 한편, 상기 보조 윈도우층(335)은 상기 윈도우층(340)의 굴절률보다 크고 상기 광흡수층(330)의 굴절률보다 작은 굴절률을 가져, 반사방지막으로서 기능할 수 있다. 또는, 상기 보조 윈도우층(335)은 전자의 재결합을 방지하여 전자의 이동을 용이하게 하거나, 내부 전계를 향상시키는 기능을 할 수 있다.
상기 광흡수층(330)과 상기 배면 전극(310) 사이에 엔형층(320)이 개재될 수 있다. 상기 광흡수층(330)은 진성층일 수 있다. 상기 윈도우층(340), 보조 윈도우층(335), 광흡수층(330) 및 엔형층(320)은 p-i-n 구조를 이룰 수 있다.
상기 투명 전극(350) 상에는 유리 기판(360)이 배치될 수 있다. 외부의 태양광은 유리 기판(360)을 통하여 입사될 수 있다. 이 구조는 수퍼스트레이트(superstrate) 구조로 칭해질 수 있다. 이와 다르게, 상기 투명 전극(350)과 유리 기판(360)이 아래에 배치되는 경우, 태양광은 반대 방향으로부터 태양전지(300)에 입사될 수 있다. 이 구조는 서브스트레이트(substrate) 구조로 칭해질 수 있다.
상기 윈도우층(340)은 p형 구리 산화질화막(CuOxNy)으로 구성될 수 있다. 상기 구리 산화질화막(Cu2OxNy)에서 x+y=1의 조건을 만족할 수 있으며, y는 0보다 크고 0.01보다 작을 수 있다. 즉, 상기 윈도우층(340)의 구리 산화질화막은 미량의 질소를 함유한다.
상기 윈도우층(340)은 상기 광흡수층(330)보다 에너지 밴드 갭이 크다. 상기 윈도우층(340)은 태양광을 투과시키며, 상기 광흡수층(330)은 태양광을 흡수하는 역할을 할 수 있다.
도 4는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다. 도 1을 참조하여 제 1 실시예에서 설명된 기술적 특징은 설명의 간략함을 위하여 생략하기로 한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 태양전지(400)는 광흡수층(430), 상기 광흡수층(430) 상의 p형 구리 산화질화막으로 구성된 윈도우층(440), 상기 광흡수층(430) 아래에 배치된 배면 전극(410) 및 상기 윈도우층(440) 상에 배치된 투명 전극(450)을 포함한다.
상기 윈도우층(440)의 굴절률은 상기 투명 전극(450)의 굴절률보다 크고, 상기 광흡수층(430)의 굴절률보다 작을 수 있다. 따라서, 상기 윈도우층(440)은 입사되는 태양광의 반사를 방지하는 역할을 할 수 있다. 상기 윈도우층(440)의 굴절률은 상기 조건을 만족하도록 1.8 내지 3.0 까지 조절될 수 있다.
상기 윈도우층(440)은 p형 구리 산화질화막(Cu2OxNy)으로 구성될 수 있다. 상기 구리 산화질화막(Cu2OxNy)에서 x+y=1의 조건을 만족할 수 있으며, y는 0보다 크고 0.01보다 작을 수 있다. 즉, 상기 윈도우층(440)의 구리 산화질화막은 미량의 질소를 함유한다.
상기 윈도우층(440)은 상기 광흡수층(430)보다 에너지 밴드 갭이 크다. 상기 윈도우층(440)은 태양광을 투과시키며, 상기 광흡수층(430)은 태양광을 흡수하는 역할을 할 수 있다. 따라서, 상기 윈도우층(440)은 큰 에너지 밴드 갭과 적합한 굴절률 값을 가져 태양광을 상기 광흡수층(430)으로 투과시킬 수 있다.
상기 광흡수층(430)은 진성층일 수 있다. 상기 광흡수층(430)과 상기 배면 전극(410) 사이에 엔형층(420)이 개재될 수 있다. 상기 윈도우층(440), 상기 광흡수층(430) 및 상기 엔형층(420)은 p-i-n 구조를 이룰 수 있다. 상기 투명 전극(450) 상에는 유리 기판이 배치될 수 있다.
도 5는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다. 도 1을 참조하여 제 1 실시예에서 설명된 기술적 특징은 설명의 간략함을 위하여 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 태양전지(500)는 광흡수층(530), 상기 광흡수층(530) 상의 p형 구리 산화질화막으로 구성된 윈도우층(540), 상기 광흡수층(530) 아래에 배치된 배면 전극(510), 상기 윈도우층(540) 상에 배치된 투명 전극(550) 및 상기 윈도우층(540)과 상기 투명 전극(550) 사이에 개재된 상부 광흡수층(545)을 포함한다. 상기 투명 전극(550) 상에 유리 기판(560)이 배치될 수 있다.
상기 윈도우층(540)은 상기 투명 전극(550)으로부터 입사된 태양광의 일부를 투과시키고 다른 일부를 반사시킬 수 있다. 상기 광흡수층(530)은 상기 상부 광흡수층(545)보다 짧은 파장의 빛을 흡수할 수 있다. 즉, 상기 윈도우층(540)은 선택적으로 특정 파장 대역의 빛을 투과시키며, 특정 파장 대역의 빛을 반사시킬 수 있다. 이러한 구조를 가지는 태양전지(500)는 탠덤(tandem)형 태양전지라고 칭할 수 있다.
예를 들면, 상기 상부 광흡수층(545)은 비정질 실리콘을 포함하고, 상기 광흡수층(530)은 미세결정 실리콘 또는 비정질 실리콘게르마늄을 포함할 수 있다. 비정질 실리콘의 에너지 밴드 갭은 미세결정 실리콘 또는 비정질 실리콘게르마늄의 에너지 밴드 갭보다 크다. 상기 윈도우층(540)은 상기 상부 광흡수층(545)에서 흡수되는 짧은 파장의 태양광을 반사시키며, 상기 광흡수층(530)에서 흡수하는 긴 파장의 태양광을 투과시킨다.
상기 광흡수층(530) 및 상기 상부 광흡수층(545)은 각각 p-i-n 구조를 가질 수 있다. 상기 윈도우층(540)은 p형 구리 산화질화막(Cu2OxNy)으로 구성될 수 있다. 상기 구리 산화질화막(Cu2OxNy)에서 x+y=1의 조건을 만족할 수 있으며, y는 0보다 크고 0.01보다 작을 수 있다. 즉, 상기 윈도우층(540)의 구리 산화질화막은 미량의 질소를 함유한다. 상기 구리 산화질화막은 2.5 eV 이상의 에너지 밴드 갭을 가지며, 1~300nm의 두께를 가질 수 있고, 104 Ω?㎝ 이하의 비저항을 가질 수 있다.
이와 다르게, 상기 윈도우층(540)과 상기 광흡수층(530)은 p-n 구조를 이룰 수 있다. 상기 구리 산화질화막은 2.5 eV 이상의 에너지 밴드 갭을 가지며, 1~50nm의 두께를 가질 수 있고, 103 Ω?㎝ 이하의 비저항을 가질 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 구리 산화질화막의 파장에 따른 투과도를 설명하기 위한 그래프이다.
도 6을 참조하면, A는 본 발명의 실시예들에 사용되는 구리 산화질화막이며, B는 일반적인 구리 산화막의 경우이다. 구리 산화질화막은 2.5 eV 이상의 에너지 밴드 갭을 가지며, 구리 산화막은 약 2.0 eV(1.5~2.5 eV)의 에너지 밴드 갭을 가진다. 그래프가 보여주는 바와 같이, A의 경우가 B의 경우보다 투과도가 더 우수하다. A 및 B에 해당하는 박막의 두께가 얇아지면, 곡선이 전체적으로 왼쪽으로 이동하게 되며, 이는 빛이 투과되는 파장 범위가 넓어질 수 있다는 것을 의미한다. B의 경우는 박막의 두께가 30nm 이하로 낮아지면 비저항이 급속히 증가할 수 있지만, A에 해당하는 박막은 두께가 30nm 이하로 낮아지더라도 103 Ω?㎝ 이하의 비저항을 유지할 수 있음이 관찰되었다.
110: 배면 전극 120: 엔형층
130: 광흡수층 140: 윈도우층
150: 투명 전극 160: 유리 기판
130: 광흡수층 140: 윈도우층
150: 투명 전극 160: 유리 기판
Claims (12)
- 광흡수층;
상기 광흡수층 상의, p형 구리 산화질화막으로 구성된 윈도우층;
상기 광흡수층 아래에 배치된 배면 전극; 및
상기 윈도우층 상에 배치된 투명 전극을 포함하는 태양 전지. - 청구항 1에 있어서,
상기 구리 산화질화막(Cu2OxNy)에서 x+y=1의 조건을 만족하며, y는 0 보다 크고 0.01보다 작은 태양전지. - 청구항 1에 있어서,
상기 윈도우층의 에너지 밴드 갭는 상기 광흡수층의 에너지 밴드 갭보다 크며,
상기 윈도우층은 상기 투명 전극으로부터 입사되는 태양광을 투과시키는 태양전지. - 청구항 1에 있어서,
상기 광흡수층은 비정질 실리콘, 비정질 실리콘게르마늄, 미세결정 실리콘, 미세결정 실리콘게르마늄, 결정질 실리콘, 결정질 실리콘게르마늄, 구리 산화막, 아연산화막 또는 티타늄 산화막 중 어느 하나를 포함하는 태양전지. - 청구항 1에 있어서,
상기 광흡수층과 상기 배면 전극 사이에 개재되는 엔형층을 더 포함하되,
상기 윈도우층, 상기 광흡수층 및 상기 엔형층은 p-i-n 구조를 이루는 태양전지. - 청구항 1에 있어서,
상기 윈도우층 및 상기 광흡수층은 p-n 구조를 이루는 태양전지. - 청구항 1에 있어서,
상기 광흡수층과 상기 윈도우층 사이에 개재되는 보조 윈도우층을 더 포함하는 태양전지. - 청구항 7에 있어서,
상기 보조 윈도우층의 에너지 밴드 갭는 상기 윈도우층의 에너지 밴드 갭보다 작은 태양전지. - 청구항 1에 있어서,
상기 윈도우층의 굴절률은 상기 투명 전극의 굴절률보다 크고, 상기 광흡수층의 굴절률보다 작은 태양전지. - 청구항 1에 있어서,
상기 윈도우층과 상기 투명 전극 사이에 개재되는 상부 광흡수층을 더 포함하되,
상기 윈도우층은 상기 투명 전극으로부터 입사된 태양광의 일부를 투과시키며, 다른 일부를 반사시키는 태양전지. - 청구항 10에 있어서,
상기 광흡수층은 상기 상부 광흡수층보다 짧은 파장의 빛을 흡수하는 태양전지. - 청구항 10에 있어서,
상기 광흡수층 및 상기 상부 광흡수층은 각각 p-i-n 구조를 가지는 태양전지.
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Family Cites Families (6)
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|---|---|---|---|---|
| US4514583A (en) * | 1983-11-07 | 1985-04-30 | Energy Conversion Devices, Inc. | Substrate for photovoltaic devices |
| US4873198A (en) * | 1986-10-21 | 1989-10-10 | Ametek, Inc. | Method of making photovoltaic cell with chloride dip |
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| KR20090100705A (ko) * | 2008-03-20 | 2009-09-24 | 엘지마이크론 주식회사 | 텐덤 방식의 ｃｉｓ계 및 ｃｇｓ계 광흡수층을 갖는 박막형태양전지 및 이의 제조 방법 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150055168A (ko) * | 2013-11-11 | 2015-05-21 | 한국전자통신연구원 | 실리콘 태양전지 |
| KR20160040380A (ko) * | 2014-10-02 | 2016-04-14 | (재)한국나노기술원 | 계면 재결합 억제 박막 태양전지 |
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