KR20120038214A - Organic light emitting diode and method of fabricating the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기발광소자에 대한 것으로서, 보다 상세하게는, 유기발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to an organic light emitting device, and more particularly, to an organic light emitting device and a method of manufacturing the same.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(LCD : liquid crystal display), 플라즈마표시장치(PDP : plasma display panel), 유기발광소자 (OLED : organic light emitting diode)와 같은 여러가지 평판표시장치(flat display device)가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. Recently, liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), and organic light emitting diodes Various flat display devices such as organic light emitting diodes (OLEDs) are being utilized.
이와 같은 표시장치 중, 유기발광소자는 자발광소자로서, 비발광소자인 액정표시장치에 사용되는 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하다. 그리고, 액정표시장치에 비해 시야각 및 대조비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하다. 또한, 직류저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용온도범위도 넓으며, 특히 제조비용 측면에서도 저렴한 장점을 가지고 있다. Among such display devices, the organic light emitting device is a self-light emitting device, and since the backlight used in the liquid crystal display device, which is a non-light emitting device, is not necessary, it is possible to be light and thin. In addition, the viewing angle and contrast ratio are superior to those of the liquid crystal display, and are advantageous in terms of power consumption. In addition, DC low voltage driving is possible, the response speed is fast, and the internal component is solid, so it is resistant to external shock, the use temperature range is wide, and in particular, it has a low cost in terms of manufacturing cost.
도 1은 종래의 유기발광소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional organic light emitting device.
도 1을 참조하면, 기판(10) 상에 제 1 전극(31), 유기발광층(33), 제 2 전극(35)이 순차적으로 적층되어 있다. 제 1 전극(31)은 투명도전성물질로 이루어지고, 제 2 전극(35)은 고반사물질로 이루어지게 된다. 따라서, 유기발광층(33)에서 출사된 빛은 제 1 전극(31)과 기판(10)을 통해 외부로 출사된다. Referring to FIG. 1, the
그런데, 전술한 바와 같은 종래의 유기발광소자(1)의 광효율은 상당히 낮은 수준이다. 즉, 유기발광층(33)에서 발생된 빛이 100%라고 하는 경우에, 최종적으로 기판(10)을 통해 외부로 출사되는 빛은 대략 20% 정도에 불과하다.However, the light efficiency of the conventional organic
이는, 유기발광층(33), 제 1 전극(31), 기판(10)의 굴절율의 차이로 인해 전반사가 발생하는 데 기인한다 할 것이다. 여기서, 유기발광층(33), 제 1 전극(31), 기판(10)은 각각, 대략 1.7, 1.8, 1.5의 굴절율을 갖는다. 이와 같은 굴절율 차이로 인한 전반사에 의해, 유기발광층 및 제 1 전극(33, 31)에서는 대략 50% 정도가 흡수되고, 기판(10)에는 대략 30% 정도가 흡수된다.This is due to the total reflection caused by the difference in the refractive index of the organic light emitting layer 33, the
위와 같이 전반사로 인한 광추출효율 저하를 개선하기 위해 diffraction grating과 같은 방법이 시도되고 있으나, 이는 제조방법이 복잡하여 양산에 어려움을 야기시키며 또한 시인성이 저하되는 등의 문제점이 발생하게 된다.As described above, a method such as diffraction grating has been attempted to improve light extraction efficiency due to total reflection, but this causes a difficulty in mass production due to a complicated manufacturing method, and also causes a decrease in visibility.
따라서, 현재로서는 보다 효과적인 광추출효율 개선 방안이 요구되고 있는 실정이다.
Therefore, at present, there is a demand for a more effective light extraction efficiency improvement method.
본 발명은, 광추출효율을 개선할 수 있는 유기발광소자 및 그 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
It is an object of the present invention to provide an organic light emitting device capable of improving light extraction efficiency and a method of manufacturing the same.
전술한 바와 같은 과제를 달성하기 위해, 본 발명은, 기판과; 상기 기판 상에 위치하며, 상기 기판 방향으로 빛을 방출하는 유기발광다이오드와; 상기 유기발광다이오드와 기판 사이에 위치하며, 1 내지 3의 굴절율을 갖는 적층막을 적어도 하나 포함하는 광추출개선층을 포함하는 유기발광소자를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, the substrate; An organic light emitting diode positioned on the substrate and emitting light toward the substrate; An organic light emitting diode is disposed between the organic light emitting diode and the substrate, and includes an light extraction improvement layer including at least one laminated film having a refractive index of 1 to 3.
여기서, 상기 적층막은, 산화막 또는 유기막일 수 있다.Here, the laminated film may be an oxide film or an organic film.
상기 적층막이 다수인 경우에, 서로 이웃하는 상기 적층막은 서로 다른 굴절율을 가질 수 있다.When there are a plurality of laminated films, the adjacent laminated films may have different refractive indices.
상기 적층막은, 1㎚ 내지 1000㎚의 두께를 가질 수 있다.The laminated film may have a thickness of 1 nm to 1000 nm.
상기 유기발광다이오드는, 제 1 및 2 전극과, 상기 제 1 및 2 전극 사이에 위치하는 유기발광층을 포함하고, 상기 제 1 전극은, 투명도전성물질로 이루어지며, 상기 유기발광층과 광추출개선층 사이에 위치할 수 있다.The organic light emitting diode includes a first and second electrodes and an organic light emitting layer positioned between the first and second electrodes, wherein the first electrode is made of a transparent conductive material, and the organic light emitting layer and the light extraction improvement layer. It can be located in between.
다른 측면에서, 본 발명은, 기판 상에, 상기 기판 방향으로 빛을 방출하는 유기발광다이오드를 형성하는 단계와; 상기 유기발광다이오드와 기판 사이에, 1 내지 3의 굴절율을 갖는 적층막을 적어도 하나 포함하는 광추출개선층을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광소자 제조방법을 제공한다.In another aspect, the present invention includes forming an organic light emitting diode on a substrate, the organic light emitting diode emitting light toward the substrate; It provides an organic light emitting device manufacturing method comprising the step of forming a light extraction improvement layer comprising at least one laminated film having a refractive index of 1 to 3 between the organic light emitting diode and the substrate.
여기서, 상기 적층막은, 산화막 또는 유기막일 수 있다.Here, the laminated film may be an oxide film or an organic film.
상기 적층막이 다수인 경우에, 서로 이웃하는 상기 적층막은 서로 다른 굴절율을 가질 수 있다.When there are a plurality of laminated films, the adjacent laminated films may have different refractive indices.
상기 적층막은, 1㎚ 내지 1000㎚의 두께를 가질 수 있다.The laminated film may have a thickness of 1 nm to 1000 nm.
상기 유기발광다이오드는, 제 1 및 2 전극과, 상기 제 1 및 2 전극 사이에 위치하는 유기발광층을 포함하고, 상기 제 1 전극은, 투명도전물질로 이루어지며, 상기 유기발광층과 광추출개선층 사이에 위치할 수 있다.
The organic light emitting diode includes a first and second electrodes and an organic light emitting layer positioned between the first and second electrodes, wherein the first electrode is made of a transparent conductive material, and the organic light emitting layer and the light extraction improvement layer. It can be located in between.
본 발명에서는, 광추출개선층을 기판과 제 1 전극 사이게 구성함으로써, 유기발광다이오드에서 방출된 빛의 대부분이 기판에 전달되게 된다. In the present invention, by configuring the light extraction improvement layer between the substrate and the first electrode, most of the light emitted from the organic light emitting diode is transmitted to the substrate.
따라서, 종래에서 전반사에 의해 제 1 전극 및 유기발광층에 흡수되어 손실되는 빛을, 추출하여 활용할 수 있게 된다. 이로 인해, 광추출효율이 효과적으로 개선될 수 있게 된다.
Therefore, in the related art, light absorbed and lost by the first electrode and the organic light emitting layer by total reflection can be extracted and utilized. As a result, the light extraction efficiency can be effectively improved.
도 1은 종래의 유기발광소자를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자를 개략적으로 도시한 단면도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광소자에서의 광경로를 개략적으로 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광소자를 개략적으로 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional organic light emitting device.
2 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
3 is a view schematically showing a light path in an organic light emitting device according to a first embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting device according to a second embodiment of the present invention.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자(100)는, 기판(110)과, 기판(110) 상부에 형성된 광추출개선층(120)과, 광추출개선층(120) 상부에 형성된 유기발광다이오드(130)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the organic
기판(110)으로서는, 빛을 투과하는 투명 기판이 사용된다. 이와 같은 투명 기판으로서는, 예를 들면, 유리(glass) 기판, 석영(quartz) 기판과 같이 딱딱한 재질의 기판이 사용되거나, 플라스틱(plastic)과 같이 플렉서블(flexible)한 재질의 기판이 사용될 수 있다. As the
유기발광다이오드(130)는, 광추출개선층(120) 상부에 형성되며, 제 1 및 2 전극(131, 135)과, 제 1 및 2 전극(131, 135) 사이에 형성된 유기발광층(133)을 포함할 수 있다.The organic light emitting diode 130 is formed on the light
제 1 전극(131)은, 투명도전성물질로 이루어 질 수 있다. 이에 따라, 유기발광층(133)에서 생성된 빛은 제 1 전극(131)을 통과할 수 있게 되며, 더 나아가 기판(110)을 통과하여 외부로 출사될 수 있게 된다. The
제 1 전극(131)을 이루는 투명도전성물질로서는, 산화물 계열의 모든 투명도전성물질이 사용될 수 있다. 예를 들면, ITO(indium-tin-oxide), IZO(indium-zinc-oxide), GZO(gallium-zinc-oxide), IGZO(indium-gallium-zinc-oxide) 등의 물질이 사용될 수 있다. 한편, 제 1 전극은 다층막 구조를 가질 수도 있는데, 예를 들면, ITO/Ag/ITO와 같은 삼층막 구조를 가질 수도 있다.As the transparent conductive material constituting the
제 2 전극(135)은, 반사특성이 높은 불투명한 도전성물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, Al, AlNd, MgAg, MgAl 등과 같이 반사특성을 갖는 물질로 이루어 질 수 있다. 이에 따라, 유기발광층(133)에서 생성된 빛은 제 2 전극(135)을 통과하지 않고 제 1 전극(131) 방향으로 반사되어 나아갈 수 있게 된다.The
전술한 바에서, 제 1 및 2 전극(131, 135) 각각은, 애노드(anode) 및 캐소드(cathode)의 역할을 할 수 있다. 이처럼, 애노드의 역할을 하는 제 1 전극(131)은 일함수(work function) 값이 상대적으로 높은 전술한 바와 같은 물질로 이루어질 수 있으며, 캐소드 역할을 하는 제 2 전극(135)은 일함수 값이 상대적으로 낮은 전술한 바와 같은 물질로 이루어질 수 있게 된다.As described above, each of the first and
유기발광층(133)은, 제 1 전극(131)으로부터 공급되는 정공과, 제 2 전극(135)으로부터 공급되는 전자의 결합에 의해 빛을 방출하는 기능을 하게 된다. The organic light emitting layer 133 has a function of emitting light by combining holes supplied from the
이와 같은 유기발광층(133)은, 실질적으로 빛을 방출하는 기능을 하는 유기물질층을 포함할 수 있다. 한편, 유기발광층(133)은 여타의 유기층을 더욱 포함할 수 있는데, 예를 들면, 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 전자주입층(electron injection layer), 전자수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 이와 같은 경우에, 정공주입층과 정공수송층은 제 1 전극(131)과 유기물질층 사이에 순차적으로 위치할 수 있다. 그리고, 전자주입층과 전자수송층은 제 2 전극(135)과 유기물질층 사이에 순차적으로 위치할 수 있다.The organic light emitting layer 133 may include an organic material layer that functions to substantially emit light. The organic light emitting layer 133 may further include other organic layers, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer. (electron transporting layer) may be included. In this case, the hole injection layer and the hole transport layer may be sequentially positioned between the
전술한 바와 같은 구성을 갖는 유기발광다이오드(130)는, 빛을 생성하여 기판(110) 방향을 향해 방출하게 된다.The organic light emitting diode 130 having the above-described configuration generates light and emits the light toward the
이와 같이 유기발광다이오드(130)를 통해 방출된 빛은, 실질적으로 대부분이 광추출개선층(120)을 경유하여 기판(110)으로 전달되게 된다. 이처럼, 광추출개선층(120)은, 유기발광다이오드(130)를 통해 방출된 빛을 기판(110)으로 전달하는 기능을 한다. 즉, 광추출개선층(120)이, 유기발광다이오드(130)의 제 1 전극(131)과 기판(110) 사이에 구성됨으로써, 제 1 전극(131)과 기판(110)의 표면에서 발생하는 전반사를 방지할 수 있게 된다. As such, light emitted through the organic light emitting diode 130 is substantially transmitted to the
이로 인해, 종래에서 제 1 전극과 기판의 표면에서 발생한 전반사로 인해, 기판에 전달되는 빛의 양이 감소되어, 광추출효율이 감소하는 문제를 개선할 수 있게 된다.Therefore, due to the total reflection generated on the surface of the first electrode and the substrate, the amount of light transmitted to the substrate is reduced, thereby improving the problem of decreasing the light extraction efficiency.
이를 위해, 광추출개선층(120)은, 적어도 하나의 적층막을 포함할 수 있다. 예를 들면, 하나 이상 20개 이하의 적층막으로 구성될 수 있다. 한편, 본 발명의 제 1 실시예에서는, 3개의 적층막이 구성된 광추출개선층(120)을 일예로 도시하고 있다.To this end, the light
그리고, 광추출개선층(120)을 구성하는 각 적층막은, 1 내지 3의 굴절률을 갖는 것이 바람직하다. And, it is preferable that each laminated film which comprises the light
또한, 광추출개선층(120)을 구성하는 각 적층막은, 1㎚ 내지 1000㎚의 두께를 갖는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that each lamination film constituting the light
또한, 광추출개선층(120)을 구성하는 각 적층막은, 산화막 또는 유기막으로 이루어질 수 있다. In addition, each laminated film constituting the light
여기서, 광추출개선층(120)이 다층막인 경우에, 서로 이웃하는 적층막은 굴절률이 서로 상이하도록 형성하는 것이 바람직하다. Here, when the light
그리고, 광추출개선층(120)이 다층막인 경우에, 산화막이나 유기막 또는 이들이 혼합된 방식으로 광추출개선층(120)을 구성할 수 있다.When the light
한편, 광추출개선층(120)의 적층막이 산화막인 경우에, 예를 들면, TiO2, SiO2, SiONx, ZnO 등의 물질이 사용될 수 있다. 이와 같은 산화막은, 스퍼터링(sputtering) 방식이나 CVD(chemical vapor deposition) 방식으로 형성될 수 있다.On the other hand, when the laminated film of the light
그리고, 광추출개선층(120)의 적층막이 유기막인 경우에, 예를 들면, 폴리머(polymer) 등이 사용될 수 있다. 이와 같은 유기막은, 열증착(thermal evaporation) 방식, 스핀코팅(spin-coating) 방식, 잉크젯(inkjet) 방식, 롤투롤 공정(roll-to-roll processing) 등을 통해 형성될 수 있다.
In the case where the laminated film of the light
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광소자에서의 광경로를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 3에서는, 유기발광층(133)과 제 1 전극(131)과 기판(110)이 각각, 1.7, 1.8, 1.5의 굴절율을 갖는 경우를 예로 들어 나타내고 있다. 3 is a view schematically showing an optical path in an organic light emitting device according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 3, the organic light emitting layer 133, the
도 3을 살펴보면, 유기발광층(133)에서 제 1 전극(131)에 입사된 빛의 대부분은 광추출개선층(120)으로 입사되고, 이의 대부분은 다시 기판(110)에 입사됨을 알 수 있다.Referring to FIG. 3, it can be seen that most of the light incident on the
한편, 종래에서는, 도 1에 도시한 바와 같이, 전반사에 의해, 기판에 입사되는 양이 감소함을 알 수 있다. On the other hand, conventionally, as shown in FIG. 1, it can be seen that the amount of incident on the substrate is reduced by total reflection.
전술한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따라, 광추출개선층(120)을 기판(110)과 제 1 전극(131) 사이게 구성함으로써, 유기발광다이오드(130)에서 방출된 빛의 대부분이 기판(110)에 전달되게 된다. As described above, according to the first embodiment of the present invention, by configuring the light
따라서, 종래에서 전반사에 의해 제 1 전극 및 유기발광층에 흡수되어 손실되는 빛을, 본 발명의 실시예에서는 추출하여 활용할 수 있게 된다. 이로 인해, 종래에 비해, 2 내지 5배 정도의 광효율 개선을 달성할 수 있게 된다.
Accordingly, in the embodiment of the present invention, light absorbed and lost by the first electrode and the organic light emitting layer by total reflection can be extracted and utilized. For this reason, compared with the prior art, the light efficiency improvement of about 2 to 5 times can be achieved.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to a second exemplary embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광소자(200)는, 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)의 유기발광소자(200)로서, 각 화소영역(P)에 스위칭트랜지스터(미도시)와 구동트랜지스터(DTr)를 구비하게 된다.Referring to FIG. 4, the organic
이와 같은 유기발광소자(200)는, 기판(210) 상에 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트배선 및 데이터배선(미도시)이 형성된다. In the organic
이와 같은 게이트배선 및 데이터배선은 스위칭트랜지스터와 연결되고, 구동트랜지스터(DTr)는 스위칭트랜지스터와 연결된다. The gate wiring and the data wiring are connected to the switching transistor, and the driving transistor DTr is connected to the switching transistor.
구동트랜지스터(DTr)는, 반도체층(240)과, 게이트전극(247)과, 소스전극 및 드레인전극(253, 255)을 포함한다. 스위칭트랜지스터는, 이와 같은 구동트랜지스터(DTr)와 동일유사한 구조를 갖게 될 수 있다.The driving transistor DTr includes a
반도체층(240)은, 채널영역(CR)과 채널영역(CR) 양측에 위치하는 소스영역 및 드레인영역(SR, DR)을 포함한다. 이와 같은 반도체층(240)은 다결정실리콘으로 이루어질 수 있다. The
한편, 반도체층(240)과 기판(210) 사이에는 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있다.Meanwhile, a buffer layer (not shown) may be formed between the
반도체층(240) 상에는, 게이트절연막(245)이 형성될 수 있다. 그리고, 게이트절연막(245) 상에는, 채널영역(CR)에 대응하여 게이트전극(247)이 형성될 수 있다.The
게이트전극(247) 상에는, 층간절연막(250)이 형성될 수 있다. 층간절연막(250)과 게이트절연막(247)에는, 소스영역(SR)과 드레인영역(DR) 각각을 노출하는 반도체콘택홀(251)이 형성될 수 있다.An interlayer insulating
층간절연막(250) 상에는, 소스전극 및 드레인전극(253, 255)이 형성될 수 있다. 이와 같은 소스전극 및 드레인전극(253, 255)은, 대응되는 반도체콘택홀(251)을 통해, 소스영역 및 드레인영역(SR, DR)과 접촉하게 된다.Source and
소스전극 및 드레인전극(253, 255) 상에는, 보호층(260)이 형성될 수 있다. 그리고, 보호층(260) 상에는, 광추출개선층(220)과 유기발광다이오드(230)가 구성될 수 있다.The
광추출개선층(220)과 보호층(260)에는, 드레인전극(255)을 노출하는 드레인콘택홀(261)이 형성될 수 있다. 이와 같은 드레인콘택홀(261)을 통해, 유기발광다이오드(230)는 구동트랜지스터(DTr)와 전기적으로 연결될 수 있게 된다.In the light
유기발광다이오드(230)는, 제 1 및 2 전극(231, 235)과, 제 1 및 2 전극(231, 235) 사이에 형성된 유기발광층(233)을 포함할 수 있다.The organic
제 1 전극(231)은, 투명도전성물질로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 유기발광층(233)에서 생성된 빛은 제 1 전극(231)을 통과할 수 있게 되며, 더 나아가 기판(210)을 통과하여 외부로 출사될 수 있게 된다. The
제 1 전극(231)을 이루는 투명도전성물질로서는, 산화물 계열의 모든 투명도전성물질이 사용될 수 있다. 예를 들면, ITO, IZO, GZO, IGZO 등의 물질이 사용될 수 있다. 한편, 제 1 전극(231)은 다층막 구조를 가질 수도 있는데, 예를 들면, ITO/Ag/ITO와 같은 삼층막 구조를 가질 수도 있다.As the transparent conductive material forming the
제 2 전극(235)은, 반사특성이 높은 불투명한 도전성물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, Al, AlNd, MgAg, MgAl 등과 같이 반사특성을 갖는 물질로 이루어 질 수 있다. 이에 따라, 유기발광층(233)에서 생성된 빛은 제 2 전극(235)을 통과하지 않고 제 1 전극(231) 방향으로 반사되어 나아갈 수 있게 된다.The
전술한 바에서, 제 1 및 2 전극(231, 235) 각각은, 애노드 및 캐소드의 역할을 할 수 있다. 이처럼, 애노드의 역할을 하는 제 1 전극(231)은 일함수 값이 상대적으로 높은 전술한 바와 같은 물질로 이루어질 수 있게 되며, 캐소드 역할을 하는 제 2 전극(235)은 일함수 값이 상대적으로 낮은 전술한 바와 같은 물질로 이루어질 수 있게 된다.As described above, each of the first and
제 1 전극(231) 상에는, 화소영역(P) 마다 개구부를 갖는 뱅크(bank)층(270)이 형성될 수 있다.On the
이와 같은 뱅크층(270)의 개구부에 대응하여 유기발광층(233)이 형성된다.The organic
유기발광층(233)은, 제 1 전극(231)으로부터 공급되는 정공과, 제 2 전극(235)으로부터 공급되는 전자의 결합에 의해 빛을 방출하는 기능을 하게 된다. The organic
이와 같은 유기발광층(233)은, 실질적으로 빛을 방출하는 기능을 하는 유기물질층을 포함할 수 있다. 한편, 유기발광층(233)은 여타의 유기층을 더욱 포함할 수 있는데, 예를 들면, 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층, 전자수송층을 포함할 수 있다. 이와 같은 경우에, 정공주입층과 정공수송층은 제 1 전극(231)과 유기물질층 사이에 순차적으로 위치할 수 있다. 그리고, 전자주입층과 전자수송층은 제 2 전극(235)과 유기물질층 사이에 순차적으로 위치할 수 있다.The organic
전술한 바와 같은 구성을 갖는 유기발광다이오드(230)는, 구동트랜지스터(DTr)의 게이트전극(247)에 인가된 신호에 따라 대응되는 휘도의 빛을 생성하여 기판(210) 방향을 향해 방출하게 된다.The organic
이와 같이 유기발광다이오드(230)를 통해 방출된 빛은, 실질적으로 대부분이 광추출개선층(220)을 통과하여 기판(210) 방향으로 전달되게 된다. 이처럼, 광추출개선층(220)은, 유기발광다이오드(230)를 통해 방출된 빛을 기판(210) 방향으로 전달하는 기능을 한다. 이에 따라, 앞서 제 1 실시예에서 언급한 바와 유사하게, 광추출효율을 향상시킬 수 있게 된다.As such, the light emitted through the organic
이를 위해, 광추출개선층(220)은, 적어도 하나의 적층막을 포함할 수 있다. 예를 들면, 하나 이상 20개 이하의 적층막으로 구성될 수 있다. To this end, the light
그리고, 광추출개선층(220)을 구성하는 각 적층막은, 1 내지 3의 굴절률을 갖는 것이 바람직하다. And, it is preferable that each laminated film which comprises the light
또한, 광추출개선층(220)을 구성하는 각 적층막은, 1㎚ 내지 1000㎚의 두께를 갖는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that each lamination film constituting the light
또한, 광추출개선층(220)을 구성하는 각 적층막은, 산화막 또는 유기막으로 이루어질 수 있다. In addition, each laminated film constituting the light
여기서, 광추출개선층(220)이 다층막인 경우에, 서로 이웃하는 적층막은 굴절률이 서로 상이하도록 형성하는 것이 바람직하다. Here, when the light
그리고, 광추출개선층(220)이 다층막인 경우에, 산화막이나 유기막 또는 이들이 혼합된 방식으로 광추출개선층(220)을 구성할 수 있다.When the light
한편, 광추출개선층(220)의 적층막이 산화막인 경우에, 예를 들면, TiO2, SiO2, SiONx, ZnO 등의 물질이 사용될 수 있다. 이와 같은 산화막은, 스퍼터링 방식이나 CVD 방식으로 형성될 수 있다.On the other hand, when the laminated film of the light
그리고, 광추출개선층(220)의 적층막이 유기막인 경우에, 예를 들면, 폴리머 등이 사용될 수 있다. 이와 같은 유기막은, 열증착 방식, 스핀코팅 방식, 잉크젯 방식, 롤투롤 공정 등을 통해 형성될 수 있다.
And, in the case where the laminated film of the light
전술한 본 발명의 제 2 실시예는, 반도체층(240)으로서 결정질실리콘(crystalline silicon)을 사용한 탑게이트(top gate) 구조의 트랜지스터를 이용한 유기발광소자를 예로 들어 설명하였다. 한편, 반도체층으로서 비정질실리콘(amorphous silicon)을 사용한 역 스태거드(inverted staggered) 구조의 트랜지스터를 이용한 유기발광소자가 사용될 수도 있다.
In the above-described second embodiment of the present invention, an organic light emitting device using a transistor having a top gate structure using crystalline silicon as the
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 유기발광다이오드와 기판 사이에 광추출개선층을 구성하게 된다. 이로 인해, 유기발광다이오드에서 기판 방향으로의 광추출효율이 효과적으로 개선될 수 있게 된다.
As described above, according to the embodiments of the present invention, a light extraction improvement layer is formed between the organic light emitting diode and the substrate. Thus, the light extraction efficiency toward the substrate in the organic light emitting diode can be effectively improved.
전술한 본 발명의 실시예는 본 발명의 일예로서, 본 발명의 정신에 포함되는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명은, 첨부된 특허청구범위 및 이와 등가되는 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.
Embodiment of the present invention described above is an example of the present invention, it is possible to change freely within the scope included in the spirit of the present invention. Accordingly, the invention includes modifications of the invention within the scope of the appended claims and their equivalents.
100: 유기발광소자 110: 기판
120: 광추출개선층 130: 유기발광다이오드
131: 제 1 전극 133: 유기발광층
135: 제 2 전극100: organic light emitting element 110: substrate
120: light extraction improvement layer 130: organic light emitting diode
131: first electrode 133: organic light emitting layer
135: second electrode
Claims (10)
상기 기판 상에 위치하며, 상기 기판 방향으로 빛을 방출하는 유기발광다이오드와;
상기 유기발광다이오드와 기판 사이에 위치하며, 1 내지 3의 굴절율을 갖는 적층막을 적어도 하나 포함하는 광추출개선층
을 포함하는 유기발광소자.
A substrate;
An organic light emitting diode positioned on the substrate and emitting light toward the substrate;
A light extraction improvement layer disposed between the organic light emitting diode and the substrate and including at least one laminated film having a refractive index of 1 to 3
Organic light emitting device comprising a.
상기 적층막은, 산화막 또는 유기막인
유기발광소자.
The method of claim 1,
The laminated film is an oxide film or an organic film
Organic light emitting device.
상기 적층막이 다수인 경우에, 서로 이웃하는 상기 적층막은 서로 다른 굴절율을 갖는
유기발광소자.
The method of claim 1,
When there are a plurality of laminated films, the adjacent laminated films have different refractive indices.
Organic light emitting device.
상기 적층막은, 1㎚ 내지 1000㎚의 두께를 갖는
유기발광소자.
The method of claim 1,
The laminated film has a thickness of 1 nm to 1000 nm
Organic light emitting device.
상기 유기발광다이오드는, 제 1 및 2 전극과, 상기 제 1 및 2 전극 사이에 위치하는 유기발광층을 포함하고,
상기 제 1 전극은, 투명도전성물질로 이루어지며, 상기 유기발광층과 광추출개선층 사이에 위치하는
유기발광소자.
The method of claim 1,
The organic light emitting diode includes first and second electrodes and an organic light emitting layer positioned between the first and second electrodes,
The first electrode is made of a transparent conductive material, and positioned between the organic light emitting layer and the light extraction improvement layer.
Organic light emitting device.
상기 유기발광다이오드와 기판 사이에, 1 내지 3의 굴절율을 갖는 적층막을 적어도 하나 포함하는 광추출개선층을 형성하는 단계
를 포함하는 유기발광소자 제조방법.
Forming an organic light emitting diode on the substrate, the organic light emitting diode emitting light toward the substrate;
Forming a light extraction improvement layer between the organic light emitting diode and the substrate, the light extraction layer including at least one laminated film having a refractive index of 1 to 3
Organic light emitting device manufacturing method comprising a.
상기 적층막은, 산화막 또는 유기막인
유기발광소자 제조방법.
The method according to claim 6,
The laminated film is an oxide film or an organic film
Organic light emitting device manufacturing method.
상기 적층막이 다수인 경우에, 서로 이웃하는 상기 적층막은 서로 다른 굴절율을 갖는
유기발광소자 제조방법.
The method according to claim 6,
When there are a plurality of laminated films, the adjacent laminated films have different refractive indices.
Organic light emitting device manufacturing method.
상기 적층막은, 1㎚ 내지 1000㎚의 두께를 갖는
유기발광소자 제조방법.
The method according to claim 6,
The laminated film has a thickness of 1 nm to 1000 nm
Organic light emitting device manufacturing method.
상기 유기발광다이오드는, 제 1 및 2 전극과, 상기 제 1 및 2 전극 사이에 위치하는 유기발광층을 포함하고,
상기 제 1 전극은, 투명도전물질로 이루어지며, 상기 유기발광층과 광추출개선층 사이에 위치하는
유기발광소자 제조방법.The method according to claim 6,
The organic light emitting diode includes first and second electrodes and an organic light emitting layer positioned between the first and second electrodes,
The first electrode is made of a transparent conductive material, and positioned between the organic light emitting layer and the light extraction improvement layer.
Organic light emitting device manufacturing method.
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CN103441219A (en) * | 2013-08-30 | 2013-12-11 | 立达信绿色照明股份有限公司 | Rare earth polymer composite material and film for improving external quantum efficiency of OLED device, preparation method thereof, and OLED device |
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US9634281B2 (en) | 2014-10-08 | 2017-04-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
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- 2010-10-13 KR KR1020100099849A patent/KR20120038214A/en not_active Application Discontinuation
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