KR20120037101A - 발광소자 어레이 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 105
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Abstract
본 발명은 발광소자 어레이 및 이를 포함하는 백라이트 유닛에 관한 것이다. 실시예의 발광소자 어레이는, 기판; 상기 기판에 형성된 금속층; 상기 기판에 COB(Chip On Board) 방식으로 실장되어, 상기 금속층과 전기적으로 연결되는 복수의 발광 소자; 상기 복수의 발광 소자를 전체적으로 덮는 몰드재; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
실시예는 공정을 간단히 하여 제작비용을 절감할 수 있고, 방열 특성이 개선된 발광소자 어레이 및 이를 포함하는 백라이트 유닛을 제공할 수 있다.
실시예는 공정을 간단히 하여 제작비용을 절감할 수 있고, 방열 특성이 개선된 발광소자 어레이 및 이를 포함하는 백라이트 유닛을 제공할 수 있다.
Description
본 발명은 발광소자 어레이 및 이를 포함하는 백라이트 유닛에 관한 것이다.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광다이오드(Lighit Emitting Diode; LED)나 레이저 다이오드(Laser Diode; LD)와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하다. 또한, 발광 소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
발광 소자가 패키지 몸체에 실장되어 전기적으로 연결된 형태로 된 발광소자 패키지는 표시 장치의 광원으로 많이 사용되고 있다. 특히, COB(Chip on Board)형 발광소자 패키지는 발광 소자, 예를 들어 LED칩을 직접 기판에 다이 본딩(die bonding)하고, 와이어 본딩에 의해 전기적 연결을 하는 방식으로, 발광 소자가 기판 상에 여러개 배열된 발광소자 어레이 형태로 많이 사용되고 있다.
실시예는 공정을 간단히 하여 제작비용을 절감할 수 있고, 방열 특성이 개선된 발광소자 어레이 및 이를 포함하는 백라이트 유닛을 제공하고자 함에 목적이 있다.
실시예의 발광소자 어레이는, 기판; 상기 기판에 형성된 금속층; 상기 기판에 COB(Chip On Board) 방식으로 실장되어, 상기 금속층과 전기적으로 연결되는 복수의 발광 소자; 상기 복수의 발광 소자를 전체적으로 덮는 몰드재; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기판은 길이방향으로 길게 형성되고, 상기 복수의 발광 소자는 상기 기판의 길이방향을 따라 배열되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기판에 적층된 반사층; 을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 반사층은 포토 솔더 레지스트(Photo Solder Resist; PSR)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 몰드재는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 한다.
실시예의 발광소자 어레이는, 홈이 형성된 기판; 상기 기판에 형성된 제1 금속층; 상기 기판의 홈 내에 실장되어, 상기 제1 금속층과 전기적으로 연결되는 복수의 발광 소자; 상기 기판의 하부에 위치되고, 상기 발광 소자와 접촉되어 상기 발광 소자로부터 발생되는 열을 방출하기 위한 제2 금속층; 상기 발광 소자를 덮는 몰드재; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 발광 소자는 COB(Chip On Board) 방식으로 상기 기판에 실장되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기판은 길이방향으로 길게 형성되고, 상기 복수의 발광 소자는 상기 기판의 길이방향을 따라 배열되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기판에는 이격된 복수의 홈이 형성되고, 상기 복수의 발광 소자는 상기 홈에 각각 실장되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 몰드재는 상기 복수의 발광 소자를 전체적으로 덮는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기판에 적층된 반사층; 을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 반사층은 포토 솔더 레지스트(Photo Solder Resist; PSR)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
실시예의 백라이트 유닛은, 상기 발광소자 어레이를 포함하는 광원부; 상기 광원부로부터 출사되는 광을 안내하는 도광판; 상기 광원부 및 상기 도광판을 수납하는 수납 장치; 를 포함하고, 상기 광원부는 상기 도광판의 측면에 배치되는 것을 특징으로 한다.
실시예는 공정을 간단히 하여 제작비용을 절감할 수 있고, 방열 특성이 개선된 발광소자 어레이 및 이를 포함하는 백라이트 유닛을 제공할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자 어레이의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 라인을 따른 단면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광소자 어레이를 도시하는 도면으로, (a)는 평면도를 나타내고, (b)는 정면도를 나타낸다.
도 4는 도 3의 (a)의 B-B' 라인을 따른 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 발광소자 어레이를 도시하는 평면도이다.
도 6은 도 5의 C-C' 라인을 따른 단면도이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 발광소자 어레이를 도시하는 도면으로, (a)는 평면도를 나타내고, (b)는 정면도를 나타낸다.
도 8은 도 7의 (a)의 D-D' 라인을 따른 단면도이다.
도 9는 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 10은 실시예에 따른 표시 장치의 백라이트 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 라인을 따른 단면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광소자 어레이를 도시하는 도면으로, (a)는 평면도를 나타내고, (b)는 정면도를 나타낸다.
도 4는 도 3의 (a)의 B-B' 라인을 따른 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 발광소자 어레이를 도시하는 평면도이다.
도 6은 도 5의 C-C' 라인을 따른 단면도이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 발광소자 어레이를 도시하는 도면으로, (a)는 평면도를 나타내고, (b)는 정면도를 나타낸다.
도 8은 도 7의 (a)의 D-D' 라인을 따른 단면도이다.
도 9는 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 10은 실시예에 따른 표시 장치의 백라이트 유닛을 나타내는 단면도이다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
상기의 실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자 어레이의 개략적인 평면도이다. 도 2는 도 1의 A-A' 라인을 따른 단면도를 나타낸다.
COB(Chip on Board)형 발광소자 패키지는 발광 소자, 예를 들어 LED칩을 직접 기판에 다이 본딩(die bonding)하고, 와이어 본딩 등에 의해 전기적 연결을 하는 방식을 말한다. 발광소자 어레이는 발광 소자가 기판 상에 복수개 배열된 형태를 말한다.
도 1을 참조하면, 기판(110)은 길이방향으로 길게 형성된다. 발광소자 어레이(100)에는 복수의 발광 소자(140)가 COB(Chip on Board) 방식으로 기판(110)에 실장되어 길이방향으로 배열된다.
기판(110) 위에는 반사층(120)이 적층될 수 있다. 발광 소자(140)는 와이어(145)에 의해 금속층(130)과 전기적으로 연결될 수 있다.
기판(110)의 상부면에는 측벽(150)을 형성하고, 측벽의 내측으로는 발광 소자(140)를 에워싸도록 몰드재(160)를 도포한다.
이하에서는, 도 2을 참조하여 본 실시예의 발광소자 어레이(100)의 구조를 상세히 설명하기로 한다.
발광소자 어레이(100)는 기판(110), 반사층(120), 금속층(130), 발광 소자(140), 측벽(150), 몰드재(160)를 포함한다.
기판(110)으로는 PCB(Printed Circuit Board)를 사용할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 방열성능이 우수한 MCPCB(Metal Core PCB)가 사용될 수 있다. 기판(110)의 재질로는 FR4가 사용될 수 있다.
기판(110) 위에는 반사층(120)이 적층될 수 있다. 반사층(120)은 기판(110) 위에 전체적으로 도포되어, 발광 소자(140)로부터 발산되는 광을 출사면 쪽으로 반사시키는 역할을 한다. 반사층(120)은 포토 솔더 레지스트(Photo Solder Resist; PSR), 특히 화이트 포토 솔더 레지스트(white PSR)로 형성될 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다. 반사층(120)은 적층되는 두께가 두꺼워질수록 반사효율도 향상되므로, 1회 이상 도포하여 적절한 두께를 갖도록 할 수 있다.
기판(110) 위에는 금속층(130)이 형성된다. 금속층(130)은 기판(110) 위에 패턴인쇄될 수 있다. 금속층(130)은 상호 전기적으로 분리된 두 부분으로 형성될 수 있다. 금속층(130)은 발광 소자(140)와 전기적으로 연결되어, 발광 소자(140)에 전원을 공급하는 역할을 한다. 금속층(130)은 알루미늄, 구리, 금, 은, 니켈, 티타늄 등과 같은 재료를 이용하여 형성될 수 있다.
기판(110)에는 COB(Chip on Board) 방식으로 발광 소자(140)가 실장되어, 금속층(130)과 전기적으로 연결된다. 발광 소자(140)는 어느 하나의 금속층(130)에 다이본딩(die bonding)으로 부착되고, 다른 금속층(130)에 와이어(145)에 의해 와이어 본딩되어 전기적으로 연결될 수 있다. 도면에는 수직 구조의 발광 소자(140)가 도시되지만, 수평 구조의 발광 소자가 기판(110)에 실장될 수도 있다.
기판(110)의 상부면에는 측벽(150)이 형성될 수 있다. 측벽(150)은 발광 소자(140)를 에워싸도록 솔더페이스트 또는 금속재를 소재로 하여 스크린 인쇄방식으로 일정높이의 환고리형으로 형성될 수 있다.
측벽(150)의 내측으로는 몰드재(160)가 도포된다. 몰드재(160)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지물일 수 있다. 몰드재(160)의 상면은 볼록한 형상, 평판 형상 등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 몰드재(160)의 형태에 따라 발광 소자(140)에서 방출된 광의 지향각이 변화될 수 있다. 도시된 실시예에서는 몰드재(170)가 돔형상으로 형성되었다.
몰드재(160)에는 형광체가 포함될 수 있다. 형광체는 발광 소자(140)에서 방출된 광의 색을 변환시킬 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(140)가 청색광을 출력하는 경우, 백색광을 구현하기 위해 형광체는 황색 형광물질을 포함하게 된다. 발광 소자(140)가 출력하는 광의 색상이 청색이 아니라면, 백색광을 구현하기 위해 형광체의 색상 역시 바뀌어야 한다.
본 실시예의 발광소자 어레이(100)에서는, 기판(110)이 길이방향으로 길게 형성되고, 복수의 발광 소자(140)가 COB 방식으로 기판(110) 위에 길이방향을 따라 실장되었다. COB 방식의 발광소자 어레이(100)는 기판(110) 위에 직접 발광 소자(140)가 실장되므로 전체적인 두께를 줄일 수 있고, 제조공정이 간단한 이점이 있다. 이러한 COB 방식의 발광소자 어레이(100)는 표시 장치의 백라이트 유닛에서 에지형 광원으로 사용되어, 백라이트 유닛의 크기를 줄이는데 기여할 수 있다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광소자 어레이를 도시하는 도면으로, (a)는 평면도를 나타내고, (b)는 정면도를 나타낸다. 도 4는 도 3의 (a)의 B-B' 라인을 따른 단면도를 나타낸다.
도 3에서, 도시의 명확화를 위해, 일부 구성요소는 도시되지 않았다. 도 3의 (a)를 참조하면, 기판(210)은 길이방향으로 길게 형성된다. 발광소자 어레이(200)에는 복수의 발광 소자(240)가 COB(Chip on Board) 방식으로 기판(210)에 실장되어 길이방향으로 배열된다. 기판(210) 위에는 반사층(220)이 적층될 수 있다.
본 실시예에서 몰드재(260)는 복수의 발광 소자(240)를 전체적으로 덮도록 기판(210) 위에 적층된다. 도 3의 (b)를 참조하면, 몰드재(260)는 각각의 발광 소자(240)를 하나씩 몰딩하는 것이 아니라, 복수의 발광 소자(240)를 한꺼번에 전체적으로 몰딩한다. 이는 발광 소자(240)를 몰딩하는 공정을 간단히 하여 작업시간을 단축함으로써, 작업의 효율성을 증가시킨다.
도 4를 참조하면, 발광소자 어레이(200)는 기판(210), 반사층(220), 금속층(230), 발광 소자(240), 와이어(245), 몰드재(260)를 포함한다.
기판(210), 반사층(220), 금속층(230), 발광 소자(240) 및 와이어(245)의 구성은 도 2에 도시된 기판(110), 반사층(120), 금속층(130), 발광 소자(140) 및 와이어(145)와 대략 동일하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
몰드재(260)는 발광 소자(240)를 덮도록 기판(210) 위에 적층된다. 몰드재(260)의 단면은 대략 사각형 형상일 수 있고, 이에 제한되지는 않는다. 몰드재(260)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지물일 수 있다. 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 몰드재(260)는 기판(210) 위에 길이방향으로 배열된 복수의 발광 소자(240)를 전부 덮도록 전체적으로 몰딩됨으로써, 공정을 단축하는 효과를 얻을 수 있다.
도 5는 다른 실시예에 따른 발광소자 어레이를 도시하는 평면도이다. 도 6은 도 5의 C-C' 라인을 따른 단면도를 나타낸다.
도 5에서, 도시의 명확화를 위해, 일부 구성요소는 도시되지 않았다. 도 5를 참조하면, 기판(310)은 길이방향으로 길게 형성된다. 기판(310)에는 홈(311)이 형성된다. 홈(311)은 기판(310)의 길이방향을 따라 이격되어 복수 개가 형성되고, 복수의 발광 소자(340)는 각각의 홈(311)에 실장될 수 있다. 이 경우, 하나의 홈(311)에는 하나의 발광 소자(340)가 실장되지만, 하나의 홈(311)에 복수 개의 발광 소자(340)가 실장될 수도 있다. 이와 달리, 홈이 기판(310)의 길이방향으로 길게 하나로 연결되어 형성되고, 복수의 발광 소자(340)는 이러한 홈의 길이방향을 따라 배열될 수도 있다. 기판(310) 위에는 반사층(320)이 적층될 수 있다.
기판(310)의 상부면에는 측벽(350)을 형성하고, 측벽의 내측으로는 발광 소자(340)를 에워싸도록 몰드재(360)를 도포한다.
이하에서는, 도 6을 참조하여 본 실시예의 발광소자 어레이(300)의 구조를 상세히 설명하기로 한다.
발광소자 어레이(300)는 기판(310), 반사층(320), 제1 금속층(330), 발광 소자(340), 제2 금속층(315), 측벽(350), 몰드재(360)를 포함한다.
기판(310)으로는 PCB(Printed Circuit Board)를 사용할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 방열성능이 우수한 MCPCB(Metal Core PCB)가 사용될 수 있다. 기판(310)의 재질로는 FR4가 사용될 수 있다. 기판(310)에는 홈(311)이 형성된다. 이러한 홈은 기판(310)에 복수개 이격되어 형성될 수 있다. 각각의 홈(311)에는 발광 소자(340)가 실장된다.
기판(310) 위에는 반사층(320)이 적층될 수 있다. 반사층(320)은 기판(310) 위에 전체적으로 도포되어, 발광 소자(340)로부터 발산되는 광을 출사면 쪽으로 반사시키는 역할을 한다. 반사층(320)은 홈(311)의 벽면 및 발광 소자(340)의 하단부 주위에도 형성될 수 있다. 반사층(320)은 포토 솔더 레지스트(Photo Solder Resist; PSR), 특히 화이트 포토 솔더 레지스트(white PSR)로 형성될 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다. 반사층(320)은 적층되는 두께가 두꺼워질수록 반사효율도 향상되므로, 1회 이상 도포하여 적절한 두께를 갖도록 할 수 있다.
기판(310) 위에는 제1 금속층(330)이 형성된다. 제1 금속층(330)은 기판(310) 위에 패턴인쇄될 수 있다. 제1 금속층(330)은 상호 전기적으로 분리된 두 부분으로 형성될 수 있다. 제1 금속층(330)은 발광 소자(340)와 전기적으로 연결되어, 발광 소자(340)에 전원을 공급하는 역할을 한다. 제1 금속층(330)은 알루미늄, 구리, 금, 은, 니켈, 티타늄 등과 같은 재료를 이용하여 형성될 수 있다.
기판(310)의 홈(311)에는 COB(Chip on Board) 방식으로 발광 소자(340)가 실장되어, 제1 금속층(320)과 전기적으로 연결된다. 여기서, COB 방식은 발광 소자(340)가 기판(310)의 표면과 접촉되지는 않더라도, 발광 소자(340)가 인쇄회로기판과 같은 기판(310)에 형성된 제1 금속층(330)과 직접 전기적으로 연결되어 전원을 공급받는 형태를 포함하는 의미이다. 도면에는 수평 구조의 발광 소자(340)가 도시되지만, 수직 구조의 발광 소자가 기판(310)에 실장될 수도 있다.
한편, 발광 소자(340)는 전기를 공급받아 빛을 내는 과정에서 많은 열을 발산하게 된다. 발광 소자(340)에서 발산되는 열은 몰드재(360)에 포함될 수 있는 형광체로 전달되어, 형광체를 손상시키게 된다. 형광체가 손상되면 발광 소자(340)로부터 발광되는 광의 색좌표 또는 색온도가 바뀌게 되어, 발광 소자(340)로부터 원하는 색상의 광이 발광되지 않게 된다. 따라서, 발광 소자(340)로부터 발산되는 열을 외부로 잘 방출할 수 있도록 방열 특성을 개선하는 것이 중요한 문제가 되고 있다.
이를 위해, 기판(310)의 하부에는 발광 소자(340)와 접촉되도록 제2 금속층(315)이 배치된다. 제2 금속층(315)은 구리 등과 같이 열전도성이 우수한 금속으로 제작될 수 있다. 이와 같이, 기판(310)의 홈(311) 내에 배치된 발광 소자(340)가 제2 금속층(315)과 접촉됨으로써, 발광 소자(340)로부터 발생되는 열은 제2 금속층(315)을 통해 외부로 신속하게 방출될 수 있다. 따라서, 발광 소자(340)로부터 발생되는 열에 의해 형광체와 같은 부분이 열화되는 것을 방지할 수 있다.
기판(310)의 상부면에는 측벽(350)이 형성될 수 있다. 측벽(350)은 발광 소자(340)를 에워싸도록 솔더페이스트 또는 금속재를 소재로 하여 스크린 인쇄방식으로 일정높이의 환고리형으로 형성될 수 있다.
측벽(350)의 내측으로는 몰드재(360)가 도포된다. 몰드재(360)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지물일 수 있다. 몰드재(360)의 상면은 볼록한 형상, 평판 형상 등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 몰드재(360)의 형태에 따라 발광 소자(340)에서 방출된 광의 지향각이 변화될 수 있다.
본 실시예의 발광소자 어레이(300)에서는, 발광 소자(340)의 하부에 제2 금속층(315)이 발광 소자(340)와 접촉되도록 배치되어, 발광 소자(340)로부터 발생되는 열을 신속하게 제2 금속층(315)을 통해 외부로 방출함으로써, 다른 구성요소들이 열화되는 것을 방지할 수 있다.
도 7은 다른 실시예에 따른 발광소자 어레이를 도시하는 도면으로, (a)는 평면도를 나타내고, (b)는 정면도를 나타낸다. 도 8은 도 7의 (a)의 D-D' 라인을 따른 단면도를 나타낸다.
도 7에서, 도시의 명확화를 위해, 일부 구성요소는 도시되지 않았다. 도 7의 (a)를 참조하면, 기판(410)은 길이방향으로 길게 형성된다. 기판(410)에는 복수의 홈(411)이 기판(410)의 길이방향을 따라 이격되어 형성된다. 발광소자 어레이(400)에는 복수의 발광 소자(440)가 COB(Chip on Board) 방식으로 기판(410)의 홈(411)에 실장되어 배열된다. 기판(410) 위에는 반사층(420)이 적층될 수 있다.
본 실시예에서 몰드재(460)는 복수의 발광 소자(440)를 전체적으로 덮도록 기판(410) 위에 적층된다. 도 7의 (b)를 참조하면, 몰드재(460)는 각각의 발광 소자(440)를 하나씩 몰딩하는 것이 아니라, 복수의 발광 소자(440)를 한꺼번에 전체적으로 몰딩한다. 이는 발광 소자(440)를 몰딩하는 공정을 간단히 하여 작업시간을 단축함으로써, 작업의 효율성을 증가시킨다.
도 8를 참조하면, 발광소자 어레이(400)는 기판(410), 반사층(420), 제1 금속층(430), 발광 소자(440), 제2 금속층(415), 와이어(445), 몰드재(460)를 포함한다.
기판(410), 반사층(420), 제1 금속층(430), 발광 소자(440), 제2 금속층(415) 및 와이어(445)의 구성은 도 6에 도시된 기판(310), 반사층(320), 제1 금속층(330), 발광 소자(340), 제2 금속층(315) 및 와이어(345)와 대략 동일하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
몰드재(460)는 발광 소자(440)를 덮도록 기판(410) 위에 적층된다. 몰드재(460)의 단면은 대략 사각형 형상일 수 있고, 이에 제한되지는 않는다. 몰드재(460)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지물일 수 있다. 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 몰드재(460)는 기판(40) 위에 길이방향으로 배열된 복수의 발광 소자(440)를 전부 덮도록 전체적으로 몰딩됨으로써, 공정을 단축하는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 발광 소자(440)의 하부에는 제2 금속층(415)이 발광 소자(440)와 접촉되도록 배치되어, 발광 소자(440)로부터 발생되는 열을 신속하게 제2 금속층(415)을 통해 외부로 방출할 수 있다.
도 9는 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 사시도이다. 도 10은 실시예에 따른 표시 장치의 백라이트 유닛을 나타내는 단면도이다.
표시 장치(display; 500)는 화상표시부재(590) 및 백라이트 유닛을 포함한다. 여기서, 화상표시부재(590)는 예를 들어, 액정 패널과 같이 광을 받아 화상을 표시할 수 있도록 구성된 부재를 말한다. 이하에서는, 화상표시부재(590)의 실시예로 액정 패널을 예로 들어 설명하기로 한다.
액정 패널(590)은 TFT 기판 및 칼라 필터 기판 사이에 액정층이 주입되어 형성된다. 액정 패널(590)은 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 전극이 형성되어 있는 면이 마주하도록 배치하고, 두 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현한다.
백라이트 유닛은 광원부(511), 도광판(520), 광학시트(530) 및 반사시트(540)를 갖는 백라이트 어셈블리(510)와, 프레임(550) 및 하부커버(570)를 갖는 수납 장치를 포함할 수 있다.
광원부(511)는 LED(light emitting diodes; 발광 다이오드) 또는 CCFL(cold cathode fluorescent lamp; 냉음극 형광 램프) 등의 발광소자가 기판에 실장되어 형성되고, 메인 기판(미도시)과 전기적으로 연결된다.
광원부(511)는 도광판(520)의 한쪽 또는 양쪽 에지에 배열되는 에지형 광원으로 구성될 수 있다. 광원부(511)는 상기 실시예들에 도시된 발광소자 어레이를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 어레이들은 COB 방식으로 구성되어 전체적인 두께가 얇으므로, 에지형의 광원부(511)가 이러한 발광소자 어레이들을 포함하면, 광원부(511)의 부피 또는 두께를 줄일 수 있어, 백라이트 유닛을 콤팩트하게 구성할 수 있게 된다.
도광판(520)은 광원부(511)로부터 출사되는 광을 전달받아 백라이트의 발광영역 전체에 골고루 분산시킨다. 도광판(520)의 후면에는 광원부(511)로부터 출사된 광을 확산시키기 위한 다수의 반사도트들이 형성될 수 있다.
광학시트(530)는 도광판(520) 상에 부착되며, 도광판(520)에서 방출되는 광이 확산, 굴절현상을 거치도록 하여 휘도 및 광 효율을 향상시킨다. 광학시트(530)는 하나 또는 복수로 구성될 수 있다. 예를 들어, 광학시트(530)는 확산 시트(diffusion sheet)와, 프리즘 시트(prism sheet)를 포함할 수도 있고, 확산 시트의 기능과 프리즘 시트의 기능을 구비하는 하나의 광학시트로 구성될 수도 있다. 광학시트(530)의 종류와 수는 요구되는 휘도 특성에 따라 다양하게 선택될 수 있다.
반사시트(540)는 도광판(520)의 하부에 위치되며, 도광판(520)에서 후방으로 누설되는 광을 발광영역 방향으로 반사시켜 준다.
이러한 액정 패널(590) 및 백라이트 어셈블리(510)는 수납 및 고정되어야 하며, 이를 위해 프레임(550), 상부커버(560) 및 하부커버(570)가 사용된다.
프레임(550)과 하부커버(570)는 백라이트 어셈블리(510)를 수납하는 역할을 한다. 백라이트 어셈블리(510)에는 광원부(511)만 포함될 수도 있고, 광원부(511)외에 도광판(520), 광학시트(530) 및 반사시트(540) 중 하나 이상을 추가로 포함할 수 있다. 이와 같이, 백라이트 어셈블리(510)에 포함되는 구성요소의 범위는 당업자에 의해 적절히 선택될 수 있고, 본 발명을 제한하지 않는다.
도 10은 실시예로서 프레임(550)과 하부커버(570)에 의해 형성되는 공간의 양측으로 광원부(511)가 배치되고, 양측의 광원부(511) 사이에 도광판(520)이 배치되고, 도광판(520)의 하부에는 반사시트(540)가, 도광판(520)의 상부에는 광학시트(530)가 배치된 것을 도시하고 있다. 반사시트(540)와 하부커버(570) 사이에는 완충재(575)가 위치할 수 있다.
다시 도 9를 참조하면, 프레임(550) 위에는 액정 패널(590)이 안착될 수 있다. 액정 패널(590)은 상부커버(560)와 프레임(550) 사이에 지지되어 수납된다. 상기 프레임(550), 상부커버(560) 및 하부커버(570)는 금속 또는 플라스틱 재질로 형성될 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 어레이는 상기 표시 장치 외에도 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 발광소자 어레이 110 : 기판
120 : 반사층 130 : 금속층
140 : 발광 소자 145 : 와이어
150 : 측벽 160 : 몰드재
311 : 홈 320 : 반사층
350 : 측벽 411 : 홈
500 : 표시 장치 510 : 백라이트 어셈블리
511 : 광원부 520 : 도광판
530 : 광학시트 540 : 반사시트
550 : 프레임 560 : 상부커버
570 : 하부커버 590 : 액정패널
C : 캐비티
120 : 반사층 130 : 금속층
140 : 발광 소자 145 : 와이어
150 : 측벽 160 : 몰드재
311 : 홈 320 : 반사층
350 : 측벽 411 : 홈
500 : 표시 장치 510 : 백라이트 어셈블리
511 : 광원부 520 : 도광판
530 : 광학시트 540 : 반사시트
550 : 프레임 560 : 상부커버
570 : 하부커버 590 : 액정패널
C : 캐비티
Claims (13)
- 기판;
상기 기판에 형성된 금속층;
상기 기판에 COB(Chip On Board) 방식으로 실장되어, 상기 금속층과 전기적으로 연결되는 복수의 발광 소자;
상기 복수의 발광 소자를 전체적으로 덮는 몰드재;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이. - 제1항에 있어서,
상기 기판은 길이방향으로 길게 형성되고, 상기 복수의 발광 소자는 상기 기판의 길이방향을 따라 배열되는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이. - 제1항에 있어서,
상기 기판에 적층된 반사층;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이. - 제3항에 있어서,
상기 반사층은 포토 솔더 레지스트(Photo Solder Resist; PSR)를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이. - 제1항에 있어서,
상기 몰드재는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이. - 홈이 형성된 기판;
상기 기판에 형성된 제1 금속층;
상기 기판의 홈 내에 실장되어, 상기 제1 금속층과 전기적으로 연결되는 복수의 발광 소자;
상기 기판의 하부에 위치되고, 상기 발광 소자와 접촉되어 상기 발광 소자로부터 발생되는 열을 방출하기 위한 제2 금속층;
상기 발광 소자를 덮는 몰드재;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이. - 제6항에 있어서,
상기 발광 소자는 COB(Chip On Board) 방식으로 상기 기판에 실장되는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이. - 제7항에 있어서,
상기 기판은 길이방향으로 길게 형성되고, 상기 복수의 발광 소자는 상기 기판의 길이방향을 따라 배열되는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이. - 제7항에 있어서,
상기 기판에는 이격된 복수의 홈이 형성되고, 상기 복수의 발광 소자는 상기 홈에 각각 실장되는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이. - 제7항에 있어서,
상기 몰드재는 상기 복수의 발광 소자를 전체적으로 덮는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이. - 제7항에 있어서,
상기 기판에 적층된 반사층;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이. - 제11항에 있어서,
상기 반사층은 포토 솔더 레지스트(Photo Solder Resist; PSR)를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이. - 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 발광소자 어레이를 포함하는 광원부;
상기 광원부로부터 출사되는 광을 안내하는 도광판;
상기 광원부 및 상기 도광판을 수납하는 수납 장치;
를 포함하고,
상기 광원부는 상기 도광판의 측면에 배치되는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100098652A KR20120037101A (ko) | 2010-10-11 | 2010-10-11 | 발광소자 어레이 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 |
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ID=46138364
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR (1) | KR20120037101A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9366803B2 (en) | 2013-07-04 | 2016-06-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
-
2010
- 2010-10-11 KR KR1020100098652A patent/KR20120037101A/ko not_active Application Discontinuation
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|---|---|---|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |