KR20120023979A - Thin film transistor substrate and method of fabricating the same - Google Patents
Thin film transistor substrate and method of fabricating the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120023979A KR20120023979A KR1020100086439A KR20100086439A KR20120023979A KR 20120023979 A KR20120023979 A KR 20120023979A KR 1020100086439 A KR1020100086439 A KR 1020100086439A KR 20100086439 A KR20100086439 A KR 20100086439A KR 20120023979 A KR20120023979 A KR 20120023979A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- film transistor
- substrate
- functional monomer
- protective film
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 46
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 41
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 33
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 13
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 10
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- NWAHZAIDMVNENC-UHFFFAOYSA-N octahydro-1h-4,7-methanoinden-5-yl methacrylate Chemical compound C12CCCC2C2CC(OC(=O)C(=C)C)C1C2 NWAHZAIDMVNENC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PGDIJTMOHORACQ-UHFFFAOYSA-N 9-prop-2-enoyloxynonyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCCCCOC(=O)C=C PGDIJTMOHORACQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QEIFDMWEHNJVJF-UHFFFAOYSA-N C1(CCCCC1)C=C(C(=O)O)C.C(C(=C)C)(=O)OC1CCCCC1 Chemical compound C1(CCCCC1)C=C(C(=O)O)C.C(C(=C)C)(=O)OC1CCCCC1 QEIFDMWEHNJVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 abstract description 9
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 abstract description 6
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical group 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- OIWOHHBRDFKZNC-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC1CCCCC1 OIWOHHBRDFKZNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- VOBUAPTXJKMNCT-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCC(OC(=O)C=C)OC(=O)C=C VOBUAPTXJKMNCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 2
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 공정을 단순화할 수 있음과 아울러 전기적 특성이 향상되는 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film transistor substrate and a method of manufacturing the same, which can simplify the process and improve electrical characteristics.
액정 표시 패널은 전계를 이용하여 유전 이방성을 갖는 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이를 위해, 액정 표시 패널은 서로 대향하여 합착된 박막 트랜지스터 기판 및 칼러 필터 기판과, 두 기판 사이에 형성되는 액정을 구비한다.The liquid crystal display panel displays an image by adjusting the light transmittance of the liquid crystal having dielectric anisotropy using an electric field. To this end, the liquid crystal display panel includes a thin film transistor substrate and a color filter substrate bonded to each other and a liquid crystal formed between the two substrates.
박막 트랜지스터 기판은 하부 기판 위에 서로 교차하게 형성된 게이트 라인 및 데이터 라인과, 그 교차부에 인접한 박막 트랜지스터와, 그 박막트랜지스터를 보호하도록 형성된 보호막과, 그 박막트랜지스터와 접속된 화소 전극을 구비한다. The thin film transistor substrate includes a gate line and a data line intersecting each other on a lower substrate, a thin film transistor adjacent to the intersection portion, a protective film formed to protect the thin film transistor, and a pixel electrode connected to the thin film transistor.
여기서, 보호막은 개구율을 향상시키기 위해 포토 아크릴 재료로 형성되는 유기 보호막과, 신뢰성 향상을 위해 박막트랜지스터와 유기 보호막 사이에 질화 실리콘 등으로 형성되는 무기 보호막의 이중 구조로 형성된다.Here, the protective film is formed of a double structure of an organic protective film formed of a photo acrylic material to improve the opening ratio, and an inorganic protective film formed of silicon nitride or the like between the thin film transistor and the organic protective film for improving reliability.
무기 보호막은 질화실리콘 CVD와 같은 증착 방법을 통해 기판 상에 증착됨으로써 형성된다. 이에 따라, 무기 보호막 형성을 위한 공정이 추가로 필요로 하므로 공정이 복잡하고 비용이 상승하는 문제점이 있다.The inorganic protective film is formed by depositing on a substrate through a deposition method such as silicon nitride CVD. Accordingly, there is a problem in that the process is complicated and the cost is increased because an additional process for forming the inorganic protective film is required.
유기 보호막은 현상 공정에서 용해도 선택비를 가지기 위해 카르복실산(Carboxylic acid) 그룹과, 내화학성을 위해 아로마틱(Aromatic) 그룹을 포함하는 열가소성 수지(thermoplastic resin)로 형성된다. 이 카르복실산 그룹과 아로마틱 그룹은 극성 그룹의 관능기로서, 장기간 구동시 발생되는 이온성 불순물 또는 유기 불순물과 반응하여 박막트랜지스터 및 액정셀의 전기적 특성을 저하시키는 문제점이 있다.The organic protective film is formed of a thermoplastic resin including a carboxylic acid group to have a solubility selectivity in the developing process and an aromatic group for chemical resistance. The carboxylic acid group and the aromatic group are functional groups of the polar group, and have a problem of deteriorating electrical characteristics of the thin film transistor and the liquid crystal cell by reacting with ionic impurities or organic impurities generated during long-term operation.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 공정을 단순화할 수 있음과 아울러 전기적 특성이 향상되는 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.In order to solve the above problems, the present invention is to provide a thin film transistor substrate and a method of manufacturing the same that can simplify the process and improve the electrical properties.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 박막트랜지스터 기판의 제조 방법은 기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터 기판이 형성된 기판 상에 임프린팅 수지를 도포한 후 임프린트용 몰드를 이용한 임프린팅 공정을 통해 유기 보호막을 형성하는 단계와; 상기 유기 보호막이 형성된 기판 상에 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 임프린팅 수지는 비극성 관능기 단량체와, 실란계 커플링제와, 광개시제로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, a method of manufacturing a thin film transistor substrate according to the present invention comprises the steps of forming a thin film transistor on the substrate; Forming an organic protective film through an imprinting process using an imprint mold after applying an imprinting resin onto the substrate on which the thin film transistor substrate is formed; And forming a pixel electrode on the substrate on which the organic protective film is formed, wherein the imprinting resin comprises a nonpolar functional monomer, a silane coupling agent, and a photoinitiator.
상기 임프린팅 수지는 20~30wt%의 단일 관능기 단량체와; 20~40wt%의 이중 관능기 단량체와; 35~60wt%의 삼중 관능기 단량체와; 0.01~10wt%의 상기 실란계 커플링제와; 0.01~2wt%의 상기 광개시제를 포함하는 것을 특징으로 한다.The imprinting resin is 20-30 wt% of a single functional monomer; 20-40 wt% of a double functional monomer; 35 to 60 wt% of a trifunctional monomer; 0.01 to 10 wt% of the silane coupling agent; It is characterized in that it comprises 0.01 ~ 2wt% of the photoinitiator.
상기 단일 관능기 단량체는 시클로헥실 메타크릴레이트(Cyclohexyl methacrylate), 디시클로펜테닐 메타크릴레이트(Dicyclo pentanyl methacrylate; DPMA), 이소보닐아크릴레이트(Isobornyl acrylate; IBOA) 또는 부틸메타크릴레이트(Butyl Methacrylate; BMA)로 형성되며, 상기 삼중 관능기 단량체는 트리메틸로프로판 트리아크릴레이트(Trimethylopropane Triacrylate)로 형성되는 것을 특징으로 한다.The single functional monomer may include cyclohexyl methacrylate, dicyclo pentanyl methacrylate (DPMA), isobornyl acrylate (IBOA) or butyl methacrylate (Butyl Methacrylate; BMA). ), Wherein the trifunctional monomer is formed of trimethylopropane triacrylate.
상기 이중 관능기 단량체는 10~20wt%의 1,6-헥사네디올 디아크릴레이트(Hexanediol Diacrylate)와; 10~20wt%의 1,9-노난디올 디아크릴레이트(Nonanediol Diacrylate)를 포함하는 것을 특징으로 한다.The double functional monomer is 10 to 20wt% 1,6-hexanediol diacrylate (Hexanediol Diacrylate); It is characterized in that it comprises 1,9-nonanediol Diacrylate of 10 ~ 20wt%.
상기 유기 보호막을 형성하는 단계는 상기 박막트랜지스터가 형성된 상기 기판 상에 상기 임프린팅 수지를 형성하는 단계와; 상기 임프린팅 수지가 형성된 상기 기판 상부에 상기 임프린트용 몰드를 정렬하는 단계와; 상기 임프린트용 몰드를 이용하여 상기 임프린팅 수지를 가압함으로써 상기 드레인 전극을 노출시키는 화소 컨택홀을 가지는 상기 유기 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The forming of the organic passivation layer may include forming the imprinting resin on the substrate on which the thin film transistor is formed; Arranging the imprint mold on the substrate on which the imprinting resin is formed; And forming the organic passivation layer having a pixel contact hole exposing the drain electrode by pressing the imprinting resin using the imprint mold.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 박막트랜지스터 기판은 기판 상에 형성되는 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터와 접속되는 화소 전극과; 상기 박막트랜지스터 및 상기 화소전극 사이에 형성되며, 비극성 관능기 단량체와, 실란계 커플링제와, 광개시제로 이루어지는 임프린팅 수지로 형성되는 유기 보호막을 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, the thin film transistor substrate according to the present invention comprises a thin film transistor formed on the substrate; A pixel electrode connected to the thin film transistor; And an organic protective film formed between the thin film transistor and the pixel electrode and formed of an imprinting resin comprising a nonpolar functional monomer, a silane coupling agent, and a photoinitiator.
본 발명에 따른 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법은 카르복실산과 아로마틱 그룹의 극성 관능기가 배제된 비극성 관능기 단량체를 이용하여 유기 보호막을 형성함으로써 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법은 종래 박막트랜지스터 기판과 대비하여 무기 보호막을 형성하지 않아도 되므로 공정을 단순화할 수 있어 비용을 절감할 수 있다.According to the present invention, the thin film transistor substrate and the method of manufacturing the same may improve electrical characteristics by forming an organic protective layer using a nonpolar functional monomer in which a polar functional group of a carboxylic acid and an aromatic group is excluded. In addition, the thin film transistor substrate and the method of manufacturing the same according to the present invention do not need to form an inorganic protective film as compared to the conventional thin film transistor substrate, so that the process can be simplified and the cost can be reduced.
도 1은 본 발명에 따른 박막트랜지스터 기판을 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 박막트랜지스터의 전기적 특성을 나타내는 그래프이다.
도 3a 내지 도 3e는 도 1에 도시된 박막트랜지스터 기판의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a thin film transistor substrate according to the present invention.
FIG. 2 is a graph illustrating electrical characteristics of the thin film transistor illustrated in FIG. 1.
3A to 3E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the thin film transistor substrate illustrated in FIG. 1.
이하, 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and embodiments.
도 1은 본 발명에 따른 박막트랜지스터 기판을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a thin film transistor substrate according to the present invention.
도 1에 도시된 박막 트랜지스터 기판은 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 박막트랜지스터와, 박막트랜지스터를 덮도록 형성된 유기 보호막(118)과. 박막트랜지스터와 접속된 화소 전극(122)을 구비한다.The thin film transistor substrate shown in FIG. 1 includes a thin film transistor connected to a gate line and a data line, an
박막트랜지스터는 게이트라인으로부터의 게이트신호에 응답하여 데이터라인으로부터의 데이터신호를 선택적으로 화소전극(122)에 공급한다. 이를 위해, 박막트랜지스터는 게이트 라인과 접속된 게이트 전극(106), 데이터 라인과 접속된 소스 전극(108), 화소 전극(122)과 접속된 드레인 전극(110), 게이트 전극(106)과 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 중첩되면서 소스 전극(108)과 드레인 전극(110) 사이에 채널을 형성하는 활성층(114), 그 활성층(114)과 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)과의 오믹 접촉을 위한 오믹 접촉층(116)을 구비한다.The thin film transistor selectively supplies the data signal from the data line to the
화소 전극(122)은 화소 컨택홀(120)을 통해 노출된 드레인 전극(110)과 접속된다. 이러한 화소 전극(122)은 박막 트랜지스터를 통해 비디오 신호가 공급되면, 공통 전압이 공급된 공통 전극과 수직 전계를 형성하여 박막트랜지스터 기판과 칼라필터 기판 사이에서 수직 방향으로 배열된 액정 분자들이 유전 이방성에 의해 회전하게 된다. 그리고, 액정 분자들의 회전 정도에 따라 화소 영역을 투과하는 광 투과율이 달라지게 됨으로써 계조를 구현하게 된다.The
유기 보호막(118)은 카르복실산과 아로마틱 그룹이 배제된 임프린팅 수지로 형성된다. 즉, 유기보호막(118)은 표 1에 도시된 바와 같이 비극성 관능기 단량체와, 실란계 커플링제와, 광개시제를 포함하는 임프린팅 수지로 형성된다. The
(wt%)content
(wt%)
(Functionality)Functional group
(Functionality)
(Mw)Molecular Weight
(Mw)
(mPas?S)Viscosity
(mPas? S)
관능기
단량체
Nonpolar
Functional group
Monomer
시클로헥실 메타크릴레이트(Cyclohexyl methacrylate)는 화학식 1과 같은 구조의 단일 관능기의 단량체로서, 화소 전극(122) 형성시 이용되는 식각액, 세정액 등에 대한 유기보호막(118)의 내화학성을 증진시키는 역할을 한다. Cyclohexyl methacrylate (Cyclohexyl methacrylate) is a monomer of a single functional group having a structure as shown in Formula 1, and serves to enhance the chemical resistance of the organic
이러한 시클로헥실 메타크릴레이트 대신에 화학식 2와 같은 구조의 디시클로펜테닐 메타크릴레이트(Dicyclo pentanyl methacrylate; DPMA), 화학식 3과 같은 구조의 이소보닐아크릴레이트(Isobornyl acrylate; IBOA) 또는 화학식 4와 같은 구조의 부틸메타크릴레이트(Butyl Methacrylate; BMA)와 같은 단일 관능기로 형성될 수도 있다. Instead of such cyclohexyl methacrylate, Dicyclo pentanyl methacrylate (DPMA) having a structure such as formula (2), Isobornyl acrylate (IBOA) having a structure such as formula (3) or formula (4) It may be formed with a single functional group such as butyl methacrylate (BMA) of the structure.
이 경우, 화학식 2의 DPMA, 화학식 3의 IBOA, 화학식 4의 BMA는 시클로헥실메타크릴레이트와 동일한 함량을 가지게 된다.In this case, DPMA of Formula 2, IBOA of Formula 3, and BMA of Formula 4 will have the same content as cyclohexyl methacrylate.
1,6-헥사네디올 디아크릴레이트(Hexanediol Diacrylate)는 화학식 5와 같은 구조의 이중 관능기 단량체로서, 유기 보호막(118)과, 그 유기보호막(118)과 인접한 박막들(예를 들어, 화소 전극(122), 게이트 절연막(112), 소스 전극(108), 드레인 전극(110) 및 활성층(114)) 간의 화학적 결합을 유도하여 이들 간의 접착력을 향상시키는 접착 증진제 역할을 한다.1,6-hexanediol diacrylate (Hexanediol Diacrylate) is a bifunctional monomer having a structure as shown in the formula (5), the organic
1,9-노난디올 디아크릴레이트(Nonanediol Diacrylate)는 화학식 6과 같은 구조의 이중 관능기 단량체로서, 유기 보호막(118)과, 그 유기보호막(118)과 인접한 박막들 간의 화학적 결합을 유도하여 이들 간의 접착력을 향상시키는 접착 증진제 역할을 한다.1,9-nonanediol diacrylate (Nonanediol Diacrylate) is a bifunctional monomer having a structure as shown in the formula (6), induces a chemical bond between the organic
트리메틸로프로판 트리아크릴레이트(Trimethylopropane Triacrylate)는 화학식 7과 같은 구조의 삼중 관능기 단량체로서, 임프린팅 수지의 가교를 유도하여 임프린팅 수지로 형성되는 유기 보호막(118)의 결합 특성을 향상시키는 가교제(Crosslinker) 역할을 한다.Trimethylopropane Triacrylate is a trifunctional monomer having a structure as shown in Formula 7, and induces crosslinking of the imprinting resin to improve the bonding properties of the organic
실란계 커플링제는 임프린팅 수지의 코팅성을 부여하기 위한 레벨링(leveling)역할을 한다.The silane coupling agent acts as a leveling for imparting coatability of the imprinting resin.
이와 같이, 본 발명은 카르복실산과 아로마틱 그룹의 극성 관능기가 배제된 비극성 관능기 단량체를 이용하여 유기 보호막(118)을 형성함으로써 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.As described above, the present invention can improve the electrical characteristics by forming the organic
도 2는 도 1에 도시된 박막트랜지스터의 전기적 특성을 나타내는 그래프이다. 도 2에서 가로축은 게이트 전극(106)에 인가되는 게이트 전압이며, 세로축은 게이트 전압에 대한 박막트랜지스터의 드레인 전류를 나타낸다.FIG. 2 is a graph illustrating electrical characteristics of the thin film transistor illustrated in FIG. 1. In FIG. 2, the horizontal axis represents the gate voltage applied to the
도 2에 도시된 바와 같이 임프린팅 수지로 본 발명의 유기 보호막(118)을 형성하는 경우, 포토아크릴로 형성되는 종래 보호막과 질화실리콘으로 형성되는 종래 보호막에 비해 누설 전류가 감소되었음을 알 수 있다. 특히, 게이트 전극(106)에 박막트랜지스터를 턴오프시키는 1V를 인가했을 때, 표 2에 도시된 바와 같이 포토아크릴로 형성된 종래 보호막 하부에 위치하는 박막트랜지스터의 누설 전류는 7.865×10-9이고, 질화실리콘으로 형성되는 종래 보호막 하부에 위치하는 박막트랜지스터의 누설 전류는 11.9339×10-9이다. 반면에, 본 발명의 임프린팅 수지의 유기 보호막(118) 하부에 형성되는 박막트랜지스터의 누설 전류는 포토아크릴 또는 질화실리콘으로 형성되는 종래 보호막 하부에 위치하는 박막트랜지스터의 오프 전류보다 낮은 471.2131×10-12이다.When the organic
또한, 본 발명의 임프린팅 수지로 형성되는 유기 보호막(118)의 유전 상수는 질화실리콘 또는 포토아크릴로 형성되는 종래 보호막에 비해 낮다. In addition, the dielectric constant of the organic
이에 따라, 본 발명의 유기 보호막(118)에 의해 형성되는 기생 캐패시터, 예를 들어 유기 보호막(118)을 사이에 두고 중첩되는 데이터 라인과 화소 전극(122) 간의 기생 캐패시터 및 유기 보호막(118)을 사이에 두고 중첩되는 게이트 라인과 화소 전극(122) 간의 기생 캐패시터의 용량값을 줄일 수 있다. Accordingly, the parasitic capacitor formed by the
이와 같이, 누설 전류 및 유전 상수의 감소로 인해 잔상, 크로스토크 및 얼룩 등 누설 전류에 의한 불량을 방지할 수 있어 액정 표시 패널의 화질을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 박막트랜지스터 기판은 종래의 무기 보호막 없이도 안정적 소자 특성 및 신뢰성을 확보할 수 있다.As described above, due to the reduction of the leakage current and the dielectric constant, defects due to leakage current, such as afterimages, crosstalk and spots, can be prevented, thereby improving the image quality of the liquid crystal display panel. Accordingly, the thin film transistor substrate according to the present invention can secure stable device characteristics and reliability without a conventional inorganic protective film.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명에 따른 박막트랜지스터 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.3A to 3E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a thin film transistor substrate according to the present invention.
도 3a를 참조하면, 하부 기판(101) 상에 게이트 전극(106)과; 활성층(114) 및 오믹 접촉층(116)을 포함하는 반도체 패턴과; 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)이 순차적으로 형성된다.Referring to FIG. 3A, the
구체적으로, 하부 기판(101) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 게이트 금속층이 형성된다. 게이트 금속층으로는 Mo, Ti, Cu, AlNd, Al, Cr, Mo 합금, Cu 합금, Al 합금 등과 같이 금속 물질이 단일층으로 이용되거나, 상기 금속을 이용하여 이중층 이상이 적층된 구조로 이용된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 게이트 금속층이 패터닝됨으로써 기판(101) 상에 게이트 전극(106)이 형성된다. Specifically, the gate metal layer is formed on the
게이트 전극(106)이 형성된 하부 기판(101) 상에 SiNx 또는 SiOx로 형성된 게이트 절연막(112), 비정질 실리콘층, 불순물(n+ 또는 p+)이 도핑된 비정질 실리콘층이 순차적으로 형성된다. 이어서 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 비정질 실리콘층 및 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층이 패터닝됨으로써 활성층(114) 및 오믹 접촉층(116)을 포함하는 반도체 패턴이 형성된다. A
반도체 패턴이 형성된 하부 기판(101) 상에 데이터 금속층이 형성된다. 데이터 금속층으로는 Mo, Ti, Cu, AlNd, Al, Cr, Mo 합금, Cu 합금, Al 합금 등과 같이 금속 물질이 단일층으로 이용되거나, 상기 금속을 이용하여 이중층 이상이 적층된 구조로 이용된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 데이터 금속층이 패터닝됨으로써 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)이 형성된다. 그런 다음, 소스 전극(108) 및 드레인 전극(108)을 마스크로 이들 사이에 위치하는 오믹접촉층(116)이 제거됨으로써 활성층(114)이 노출된다.The data metal layer is formed on the
전술한 바와 같이 게이트 전극과; 반도체 패턴과; 소스 및 드레인 전극 각각은 개별적인 마스크를 이용해 형성되므로 이들을 형성하기 위해서는 3개의 마스크가 필요하다. 이외에도 마스크수를 줄이기 위해 반도체 패턴과; 소스 및 드레인 전극은 회절 마스크 또는 반투과 마스크와 같은 마스크를 이용하여 한 번의 마스크 공정을 통해, 즉 동시에 형성가능하다. A gate electrode as described above; A semiconductor pattern; Since the source and drain electrodes are each formed using separate masks, three masks are required to form them. In addition to the semiconductor pattern to reduce the number of masks; The source and drain electrodes can be formed through one mask process, ie simultaneously, using a mask such as a diffraction mask or a transflective mask.
도 3b를 참조하면, 소스 및 드레인 전극(108,110)이 형성된 게이트 절연막(112) 상에 스핀 코팅 등의 방법으로 액상 형태의 임프린팅 수지(142)가 형성된다. 이 임프린팅 수지(142)는 1~2㎛의 두께로 형성된다. 여기서, 임프린팅 수지(142)의 두께가 1㎛미만이면, 임프린팅 수지(142)는 하부 기판(101) 상에 형성된 박막트랜지스터에 의해 발생되는 단차(S)를 평탄화할 수 없다.Referring to FIG. 3B, the
이 임프린팅 수지(142)가 형성된 기판(101) 상부에 임프린트용 몰드(140)가 정렬된다. 임프린트용 몰드(140)는 돌출부(140a)와 홈부(140b)를 구비한다. 임프린트용 몰드(140)의 돌출부(140a)는 화소 컨택홀(120)이 형성될 영역과 대응하며, 홈부(140b)는 보호막(118)이 형성될 영역과 대응한다. The
이러한 임프린트용 몰드(140)는 고무 특성을 가지는 폴리머 물질, 특히, 유기 절연 레진(142)의 용매를 효과적으로 흡수할 수 있는 폴리디메틸실록세인(Polydimethysiloxane: PDMS)로 형성된다. 이 임프린트용 몰드(140)는 도 3c에 도시된 바와 같이 임프린팅 수지(142)와 정합 접촉(Conformal contact)된다. 그러면, 임프린팅 수지(142) 내의 용매가 임프린트용 몰드(140) 표면으로 흡수되면서 임프린트용 몰드(140)와 하부 기판(101) 사이의 압력으로 발생하는 모세관 힘에 의해 임프린팅 수지(142)가 임프린트용 몰드(140)의 홈(140b)내로 이동하게 된다. 이 때, 하부 기판(101) 전면에 자외선이 조사되어 임프린팅 수지(142)이 경화됨으로써 도 6d에 도시된 바와 같이 보호막(118)이 형성된다. 보호막(118)은 임프린트용 몰드(140)의 홈(140b)과 반전 전사된 형태로 형성되며, 화소 컨택홀(120)은 임프린트용 몰드(140)의 돌출부(140a)와 반전 전사된 형태로 형성된다. 그런 다음, 화소 컨택홀(120)을 가지는 보호막(118)이 형성된 하부 기판(101)은 도 3d에 도시된 바와 같이 임프린트용 몰드(140)로부터 분리된다. The
도 3e를 참조하면, 보호막(118)이 형성된 하부 기판(101) 상에 화소 전극(122)이 형성된다. 구체적으로, 보호막(118)이 형성된 하부 기판(101) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 투명 도전막이 형성된다. 투명 도전막으로는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide : ITO)이나 주석 산화물(Tin Oxide : TO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide : IZO), SnO2 , 아몰퍼스-인듐 주석 산화물(a-ITO)등이 이용된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 투명 도전막이 패터닝됨으로써 화소 전극(122)이 형성된다. Referring to FIG. 3E, the
이와 같이, 본 발명에 따른 박막트랜지스터 기판의 제조 방법은 종래 박막트랜지스터 기판과 대비하여 무기 보호막을 형성하지 않아도 되므로 공정을 단순화할 수 있어 비용을 절감할 수 있다.As such, the method of manufacturing the thin film transistor substrate according to the present invention does not have to form an inorganic protective film as compared with the conventional thin film transistor substrate, thereby simplifying the process and reducing the cost.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of.
101: 기판 106 : 게이트 전극
108 : 소스 전극 110 : 드레인 전극
112 : 게이트 절연막 114 : 활성층
116 : 오믹접촉층 118 : 유기 보호막
120 : 화소 컨택홀 122 : 화소 전극
140 : 임프린트용 몰드101: substrate 106: gate electrode
108: source electrode 110: drain electrode
112
116: ohmic contact layer 118: organic protective film
120
140: imprint mold
Claims (9)
상기 박막트랜지스터 기판이 형성된 기판 상에 임프린팅 수지를 도포한 후 임프린트용 몰드를 이용한 임프린팅 공정을 통해 유기 보호막을 형성하는 단계와;
상기 유기 보호막이 형성된 기판 상에 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 임프린팅 수지는 비극성 관능기 단량체와, 실란계 커플링제와, 광개시제로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판의 제조 방법.Forming a thin film transistor on the substrate;
Forming an organic protective film through an imprinting process using an imprint mold after applying an imprinting resin onto the substrate on which the thin film transistor substrate is formed;
Forming a pixel electrode on the substrate on which the organic passivation layer is formed,
The imprinting resin is a method of manufacturing a thin film transistor substrate, characterized in that the non-polar functional monomer, a silane coupling agent and a photoinitiator.
상기 임프린팅 수지는
20~30wt%의 단일 관능기 단량체와;
20~40wt%의 이중 관능기 단량체와;
35~60wt%의 삼중 관능기 단량체와;
0.01~10wt%의 상기 실란계 커플링제와;
0.01~2wt%의 상기 광개시제를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판의 제조 방법.The method of claim 1,
The imprinting resin is
20-30 wt% of a single functional monomer;
20-40 wt% of a double functional monomer;
35 to 60 wt% of a trifunctional monomer;
0.01 to 10 wt% of the silane coupling agent;
A method for manufacturing a thin film transistor substrate comprising 0.01 to 2 wt% of the photoinitiator.
상기 단일 관능기 단량체는
시클로헥실 메타크릴레이트(Cyclohexyl methacrylate), 디시클로펜테닐 메타크릴레이트(Dicyclo pentanyl methacrylate; DPMA), 이소보닐아크릴레이트(Isobornyl acrylate; IBOA) 또는 부틸메타크릴레이트(Butyl Methacrylate; BMA)로 형성되며,
상기 삼중 관능기 단량체는 트리메틸로프로판 트리아크릴레이트(Trimethylopropane Triacrylate)로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판의 제조 방법.The method of claim 2,
The single functional monomer is
It is formed of cyclohexyl methacrylate (Cyclohexyl methacrylate), Dicyclo pentanyl methacrylate (DPMA), isobornyl acrylate (IBOA) or butyl methacrylate (Butyl Methacrylate; BMA),
The triple functional monomer is a method of manufacturing a thin film transistor substrate, characterized in that formed with trimethylopropane triacrylate (Trimethylopropane Triacrylate).
상기 이중 관능기 단량체는
10~20wt%의 1,6-헥사네디올 디아크릴레이트(Hexanediol Diacrylate)와;
10~20wt%의 1,9-노난디올 디아크릴레이트(Nonanediol Diacrylate)를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판의 제조 방법.The method of claim 2,
The double functional monomer is
10-20 wt% of 1,6-hexanediol diacrylate;
10 to 20wt% 1,9-nonanediol diacrylate (Nonanediol Diacrylate) comprising a method for producing a thin film transistor substrate.
상기 유기 보호막을 형성하는 단계는
상기 박막트랜지스터가 형성된 상기 기판 상에 상기 임프린팅 수지를 형성하는 단계와;
상기 임프린팅 수지가 형성된 상기 기판 상부에 상기 임프린트용 몰드를 정렬하는 단계와;
상기 임프린트용 몰드를 이용하여 상기 임프린팅 수지를 가압함으로써 상기 드레인 전극을 노출시키는 화소 컨택홀을 가지는 상기 유기 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판의 제조 방법.The method of claim 1,
Forming the organic protective film
Forming the imprinting resin on the substrate on which the thin film transistor is formed;
Arranging the imprint mold on the substrate on which the imprinting resin is formed;
And forming the organic passivation layer having a pixel contact hole exposing the drain electrode by pressing the imprinting resin using the imprint mold.
상기 박막트랜지스터와 접속되는 화소 전극과;
상기 박막트랜지스터 및 상기 화소전극 사이에 형성되며, 비극성 관능기 단량체와, 실란계 커플링제와, 광개시제로 이루어지는 임프린팅 수지로 형성되는 유기 보호막을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판.A thin film transistor formed on the substrate;
A pixel electrode connected to the thin film transistor;
And an organic protective film formed between the thin film transistor and the pixel electrode and formed of an imprinting resin comprising a nonpolar functional monomer, a silane coupling agent, and a photoinitiator.
상기 임프린팅 수지는
20~30wt%의 단일 관능기 단량체와;
20~40wt%의 이중 관능기 단량체와;
35~60wt%의 삼중 관능기 단량체와;
0.01~10wt%의 상기 실란계 커플링제와;
0.01~2wt%의 상기 광개시제를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판.The method according to claim 6,
The imprinting resin is
20-30 wt% of a single functional monomer;
20-40 wt% of a double functional monomer;
35 to 60 wt% of a trifunctional monomer;
0.01 to 10 wt% of the silane coupling agent;
A thin film transistor substrate comprising 0.01 to 2wt% of the photoinitiator.
상기 단일 관능기 단량체는
시클로헥실 메타크릴레이트(Cyclohexyl methacrylate), 디시클로펜테닐 메타크릴레이트(Dicyclo pentanyl methacrylate; DPMA), 이소보닐아크릴레이트(Isobornyl acrylate; IBOA) 또는 부틸메타크릴레이트(Butyl Methacrylate; BMA)로 형성되며,
상기 삼중 관능기 단량체는 트리메틸로프로판 트리아크릴레이트(Trimethylopropane Triacrylate)로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판.The method of claim 7, wherein
The single functional monomer is
It is formed of cyclohexyl methacrylate (Cyclohexyl methacrylate), Dicyclo pentanyl methacrylate (DPMA), isobornyl acrylate (IBOA) or butyl methacrylate (Butyl Methacrylate; BMA),
The triple functional monomer is a thin film transistor substrate, characterized in that formed of trimethylopropane triacrylate (Trimethylopropane Triacrylate).
상기 이중 관능기 단량체는
10~20wt%의 1,6-헥사네디올 디아크릴레이트(Hexanediol Diacrylate)와;
10~20wt%의 1,9-노난디올 디아크릴레이트(Nonanediol Diacrylate)를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판.The method of claim 7, wherein
The double functional monomer is
10-20 wt% of 1,6-hexanediol diacrylate;
A thin film transistor substrate comprising 10 to 20 wt% of 1,9-nonanediol diacrylate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100086439A KR101686105B1 (en) | 2010-09-03 | 2010-09-03 | Thin film transistor substrate and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100086439A KR101686105B1 (en) | 2010-09-03 | 2010-09-03 | Thin film transistor substrate and method of fabricating the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120023979A true KR20120023979A (en) | 2012-03-14 |
KR101686105B1 KR101686105B1 (en) | 2016-12-14 |
Family
ID=46131108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100086439A KR101686105B1 (en) | 2010-09-03 | 2010-09-03 | Thin film transistor substrate and method of fabricating the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101686105B1 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070114901A (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-05 | 삼성전자주식회사 | Thin film transistor substrate and manufacturing method thereof |
KR20080070917A (en) * | 2007-01-29 | 2008-08-01 | 삼성전자주식회사 | Method of manufacturing a thin film transistor substrate and liquid crystal display |
KR20100007737A (en) * | 2008-07-10 | 2010-01-22 | 후지필름 가부시키가이샤 | Curable composition for imprint, patterning method and pattern |
-
2010
- 2010-09-03 KR KR1020100086439A patent/KR101686105B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070114901A (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-05 | 삼성전자주식회사 | Thin film transistor substrate and manufacturing method thereof |
KR20080070917A (en) * | 2007-01-29 | 2008-08-01 | 삼성전자주식회사 | Method of manufacturing a thin film transistor substrate and liquid crystal display |
KR20100007737A (en) * | 2008-07-10 | 2010-01-22 | 후지필름 가부시키가이샤 | Curable composition for imprint, patterning method and pattern |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101686105B1 (en) | 2016-12-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101050292B1 (en) | Method of manufacturing thin film transistor array substrate | |
US8445300B2 (en) | Method of fabricating display device using plastic substrate | |
JP5150138B2 (en) | Manufacturing method of display device | |
TWI360702B (en) | Liquid crystal display device and method for manuf | |
US7505096B2 (en) | Liquid crystal display and method of manufacturing the same | |
JP4772653B2 (en) | TFT array substrate and manufacturing method thereof | |
CN100378561C (en) | Liquid crystal display device using small molecule organic semiconductor material and method of fabricating the same | |
US20050186359A1 (en) | Method for manufacturing conductive element substrate, conductive element substrate, method for manufacturing liquid crystal display, liquid crystal display and electronic information equipment | |
US20090109520A1 (en) | Electrophoretic display device and method for fabricating the same | |
US7501163B2 (en) | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
KR101251376B1 (en) | Array substrate for liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
KR20060133845A (en) | Fabricating method for thin flim transister substrate and thin flim transister substrate using the same | |
KR100698062B1 (en) | Liquid Crystal Display Device And Method For Fabricating The Same | |
KR101274715B1 (en) | Thin film transistor substrate and method of fabricating the same | |
WO2011142061A1 (en) | Thin-film transistor substrate and liquid-crystal display device provided with the same | |
KR101318436B1 (en) | Thin Film Transistor Substrate and Method thereof | |
JP5055849B2 (en) | Display device and organic thin film transistor manufacturing method | |
KR101712438B1 (en) | In-plane switching mode liquid crystal display device having touch sensing function and method of fabricating the same | |
US9224824B2 (en) | Display device substrate and display device equipped with same | |
KR20110105613A (en) | In-plane switching mode liquid crystal display device having touch sensing function and method of fabricating the same | |
US20080157414A1 (en) | Mold structure, patterning method using the same, and method of fabricating liquid crystal display device | |
KR101250320B1 (en) | In-plane switching mode liquid crystal display device having touch sensing function and method of fabricating the same | |
KR101686105B1 (en) | Thin film transistor substrate and method of fabricating the same | |
KR101205767B1 (en) | Method of fabricating the array substrate for liquid crystal display device using liquid type organic semiconductor material | |
KR101641356B1 (en) | Method of fabricating liquid crystal display panel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191113 Year of fee payment: 4 |