KR20120022549A - Method for cleaning ion source electrode - Google Patents

Method for cleaning ion source electrode Download PDF

Info

Publication number
KR20120022549A
KR20120022549A KR1020110067169A KR20110067169A KR20120022549A KR 20120022549 A KR20120022549 A KR 20120022549A KR 1020110067169 A KR1020110067169 A KR 1020110067169A KR 20110067169 A KR20110067169 A KR 20110067169A KR 20120022549 A KR20120022549 A KR 20120022549A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
plasma
gas
ion beam
glow discharge
Prior art date
Application number
KR1020110067169A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101243748B1 (en
Inventor
타케시 마츠모토
Original Assignee
닛신 이온기기 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛신 이온기기 가부시기가이샤 filed Critical 닛신 이온기기 가부시기가이샤
Publication of KR20120022549A publication Critical patent/KR20120022549A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101243748B1 publication Critical patent/KR101243748B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00—Ion beam tubes
    • H01J27/02—Ion sources; Ion guns
    • H01J27/08—Ion sources; Ion guns using arc discharge
    • H01J27/14—Other arc discharge ion sources using an applied magnetic field
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/08—Ion sources; Ion guns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • H01J37/15—External mechanical adjustment of electron or ion optical components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

PURPOSE: A method for cleaning an ion beam electrode is provided to eliminate sediments by generating the glow discharge of cleaning gas between a first electrode and a second electrode comprising a drawing electrode system. CONSTITUTION: A plasma generating part(4) introduces ionized gas. The plasma generating part creates plasma by ionizing the ionized gas. A drawing electrode system(10) draws out an ion beam from the plasma of the plasma generating part. The drawing electrode system comprises a first electrode(11), a second electrode(12), and a third electrode arranged to a ion beam draw-out direction. Cleaning gas is supplied between the second electrode and the third electrode. Gas pressure between the second electrode and the third electrode is higher than gas pressure when drawing out the ion beam.

Description

이온원 전극의 클리닝 방법{METHOD FOR CLEANING ION SOURCE ELECTRODE}Cleaning method for ion source electrode {METHOD FOR CLEANING ION SOURCE ELECTRODE}

이 발명은 이온원의 인출(引出) 전극계를 구성하는 전극의 표면에 퇴적된 퇴적물을 제거하는 클리닝 방법에 관한 것이다. 한편 이 명세서에서 단순히 이온이라고 할 경우에는 양이온을 가리킨다. This invention relates to the cleaning method which removes the deposit deposited on the surface of the electrode which comprises the extraction electrode system of an ion source. In the present specification, when simply referred to as an ion, a cation is indicated.

이온원으로부터 이온빔을 인출하는 운전을 계속하면, 그 인출 전극계를 구성하는 전극에 퇴적물이 퇴적(부착)된다. 그것을 방치해 두면 전극간의 이상 방전 등의 문제를 야기한다. If the operation of taking out the ion beam from the ion source is continued, deposits are deposited (attached) to the electrodes constituting the extraction electrode system. If left unattended, problems such as abnormal discharge between the electrodes are caused.

그래서 이온원 전극을 클리닝하는 방법의 일례로서, 이온화 가스 대신에 희가스(inert gas)를 플라즈마실 내에 공급하여, 당해 희가스의 이온빔을 인출하고, 또한 가스 유량과 인출 전압 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 조정함으로써 이온빔의 빔 직경을 조정하고, 그로 인해 이온빔을 전극 표면에 퇴적된 퇴적물에 충돌시켜, 퇴적물을 스퍼터에 의해 제거하는 클리닝 방법이 종래부터 제안되어 있다(예를 들면 특허문헌 1 참조). Thus, as an example of a method of cleaning the ion source electrode, by supplying an inert gas into the plasma chamber instead of the ionizing gas, the ion beam of the rare gas is extracted, and either or both of the gas flow rate and the extraction voltage are adjusted. The cleaning method which adjusts the beam diameter of an ion beam, and thereby makes an ion beam collide with the deposit deposited on the electrode surface, and removes a deposit by sputtering conventionally (for example, refer patent document 1).

일본국 특허공보 제4374487호(단락 0024-0028, 도 1)Japanese Patent Publication No. 4374487 (paragraph 0024-0028, Fig. 1)

상기 종래의 클리닝 방법은 희가스의 이온빔을 전극 표면의 퇴적물에 충돌시킴으로써 퇴적물을 제거하는 것인데, 플라즈마실 내에 공급하는 희가스의 가스 유량이나, 인출 전극계에 인가하는 인출 전압을 어떻게 조정하더라도, 퇴적물이 제거되는 영역은 전극의 구멍(이온 인출구멍) 주변에 한정되므로 그 이외의 영역에 퇴적된 퇴적물을 제거하는 것은 불가능하다. 따라서 퇴적물을 제거할 수 있는 영역이 좁다.The conventional cleaning method is to remove the deposit by colliding an ion beam of the rare gas with the deposit on the electrode surface. The deposit is removed no matter how the gas flow rate of the rare gas supplied into the plasma chamber or the drawing voltage applied to the drawing electrode system are adjusted. The region to be formed is limited to the periphery of the electrode (ion extraction hole), so that it is impossible to remove the deposit deposited in other regions. Therefore, the area where the deposit can be removed is narrow.

또한 플라즈마실 내의 플라즈마로부터 이온빔으로서 인출되어, 각 전극에 조사되는 이온빔 전류의 상한값은 원리상 그 이온원의 최대 이온빔 전류 정도이므로, 아무리 커도 기껏해야 수백mA 정도로 밖에 할 수 없으며, 따라서 퇴적물의 고속 제거가 곤란하다. In addition, the upper limit of the ion beam current drawn out from the plasma in the plasma chamber as an ion beam and irradiated to each electrode is, in principle, about the maximum ion beam current of the ion source. Is difficult.

그래서 이 발명은 이온원의 인출 전극계를 구성하는 전극의 넓은 영역에 걸쳐 고속으로 퇴적물을 제거할 수 있는 클리닝 방법을 제공하는 것을 주된 목적으로 하고 있다. Therefore, this invention aims at providing the cleaning method which can remove a deposit at high speed over the large area | region of the electrode which comprises the extraction electrode system of an ion source.

이 발명에 따른 클리닝 방법 중 하나는 이온화 가스가 도입되고 당해 이온화 가스를 전리시켜 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부와, 이 플라즈마 생성부 내의 플라즈마로부터 전계의 작용으로 이온빔을 인출하는 전극계이며 최(最)플라즈마측에서 이온빔 인출방향으로 배치된 제1전극 및 제2전극을 적어도 가지고 있는 인출 전극계를 구비하고 있는 이온원의 상기 인출 전극계를 구성하는 전극의 클리닝 방법으로서, 상기 플라즈마 생성부에 상기 이온화 가스를 도입하여 상기 이온빔을 인출하는 대신에, 상기 인출 전극계를 구성하는 적어도 제1전극과 제2전극 사이에 클리닝 가스를 공급하고, 당해 제1전극과 제2전극 사이의 가스압을 상기 이온빔 인출 시의 가스압보다 높게 유지한 상태로, 상기 제1전극과 제2전극 사이에 전압을 인가하여, 양쪽 전극간에 상기 클리닝 가스의 글로우 방전을 발생시키는 것을 특징으로 하고 있다. One of the cleaning methods according to the present invention is a plasma generating unit which introduces an ionization gas and ionizes the ionizing gas to generate a plasma, and an electrode system which draws out an ion beam from the plasma in the plasma generating unit under the action of an electric field. A cleaning method of an electrode constituting the extraction electrode system of an ion source having a drawing electrode system having at least a first electrode and a second electrode arranged in an ion beam extraction direction on a plasma side. Instead of introducing an ionizing gas to extract the ion beam, a cleaning gas is supplied between at least a first electrode and a second electrode constituting the extraction electrode system, and a gas pressure between the first electrode and the second electrode is applied to the ion beam. The voltage was applied between the first electrode and the second electrode while maintaining the gas pressure higher than that at the time of drawing. Between and is characterized in that for generating a glow discharge in the cleaning gas.

이 클리닝 방법에서는, 제1전극과 제2전극 사이에 발생시킨 글로우 방전에 의해 클리닝 가스의 플라즈마가 생성되고, 당해 플라즈마 중의 이온에 의한 스퍼터 및 당해 플라즈마 중의 활성 입자와의 화학반응 등에 의해, 양쪽 전극 표면에 퇴적되어 있는 퇴적물이 제거된다. 즉, 양쪽 전극을 클리닝할 수 있다. In this cleaning method, the plasma of the cleaning gas is generated by the glow discharge generated between the first electrode and the second electrode, and both electrodes are formed by sputtering by ions in the plasma and chemical reaction with active particles in the plasma. The deposits deposited on the surface are removed. That is, both electrodes can be cleaned.

게다가, 상기 글로우 방전은 전압을 인가하고 있는 제1전극과 제2전극 사이의 거의 전체에 발생하므로, 글로우 방전에 의한 플라즈마가 발생하고 있는 측의 전극면의 거의 전체가 플라즈마에 노출된다. 따라서 이온 인출구멍의 주변에 한정되지 않고, 양쪽 전극의 넓은 영역에 걸쳐 퇴적물을 제거할 수 있다. In addition, since the glow discharge occurs almost entirely between the first electrode and the second electrode applying the voltage, almost the entire surface of the electrode on the side where the plasma is generated by the glow discharge is exposed to the plasma. Therefore, it is not limited to the periphery of an ion extraction hole, and deposits can be removed over the large area | region of both electrodes.

나아가, 상기 글로우 방전의 방전 전류는 용이하게 이온원의 최대 이온빔 전류보다 훨씬 큰 값으로 할 수 있으므로, 종래의 클리닝 방법보다 고속으로 퇴적물을 제거할 수 있다. Further, since the discharge current of the glow discharge can be easily set to a value much larger than the maximum ion beam current of the ion source, the deposit can be removed at a higher speed than the conventional cleaning method.

인출 전극계가 제1전극, 제2전극 및 제3전극을 적어도 가지고 있을 경우에는, 제1전극과 제2전극 사이에 글로우 방전을 발생시키는 대신에, 혹은 그것과 전환해서, 제2전극과 제3전극 사이에 글로우 방전을 발생시켜도 된다. 그로 인해 제2전극 및 제3전극을 클리닝할 수 있다.When the lead-out electrode system has at least the first electrode, the second electrode, and the third electrode, the second electrode and the third electrode are replaced with or instead of generating a glow discharge between the first electrode and the second electrode. Glow discharge may be generated between the electrodes. Therefore, the second electrode and the third electrode can be cleaned.

상기 글로우 방전을 발생시키는 전압은 이온빔 인출방향측의 전극을 마이너스측으로 하는 직류 전압이어도 되고, 교류 전압이어도 된다. The voltage for generating the glow discharge may be a direct current voltage having the electrode on the ion beam extraction direction side as a negative side, or may be an alternating voltage.

청구항 1에 기재된 발명에 따르면, 인출 전극계를 구성하는 제1전극과 제2전극 사이에 클리닝 가스의 글로우 방전을 발생시키므로, 이온 인출구멍의 주변에 한정되지 않고, 양쪽 전극의 넓은 영역에 걸쳐 퇴적물을 제거할 수 있다. According to the invention according to claim 1, since a glow discharge of the cleaning gas is generated between the first electrode and the second electrode constituting the extraction electrode system, it is not limited to the periphery of the ion extracting aperture, and deposits over a wide area of both electrodes. Can be removed.

게다가 상기 글로우 방전의 방전 전류는 용이하게 이온원의 최대 이온빔 전류보다 훨씬 큰 값으로 할 수 있으므로, 종래의 클리닝 방법보다 고속으로 퇴적물을 제거할 수 있다. In addition, since the discharge current of the glow discharge can be easily set to a value much larger than the maximum ion beam current of the ion source, the deposit can be removed at a higher speed than the conventional cleaning method.

청구항 2에 기재된 발명에 따르면, 인출 전극계를 구성하는 제2전극과 제3전극 사이에 클리닝 가스의 글로우 방전을 발생시키므로, 이온 인출구멍의 주변에 한정되지 않고, 양쪽 전극의 넓은 영역에 걸쳐 퇴적물을 제거할 수 있다. According to the invention according to claim 2, since a glow discharge of the cleaning gas is generated between the second electrode and the third electrode constituting the extraction electrode system, it is not limited to the periphery of the ion extraction hole and deposits over a wide area of both electrodes. Can be removed.

게다가 상기 글로우 방전의 방전 전류는 용이하게 이온원의 최대 이온빔 전류보다 훨씬 큰 값으로 할 수 있으므로, 종래의 클리닝 방법보다 고속으로 퇴적물을 제거할 수 있다. In addition, since the discharge current of the glow discharge can be easily set to a value much larger than the maximum ion beam current of the ion source, the deposit can be removed at a higher speed than the conventional cleaning method.

청구항 3에 기재된 발명에 따르면 다음과 같은 효과를 한층 더 발휘한다. 즉, 전극에의 퇴적물의 퇴적량은 이온빔이 닿는 측의 면인 정면쪽이, 그것에 대향하는 전극의 배면보다 훨씬 많아진다. 그러므로 글로우 방전을 발생시키는 전압을, 이온빔 인출방향측의 전극을 마이너스측으로 하는 직류 전압으로 하면, 글로우 방전에 의한 플라즈마 중의 이온은 마이너스측의 전극, 즉 이온빔 인출방향측의 전극(청구항 1의 경우에는 제2전극, 청구항 2의 경우에는 제3전극)의 상기 정면에 전적으로 입사하여 충돌하므로, 퇴적물이 많이 퇴적되는 당해 정면의 퇴적물 제거를 우선적으로 실시할 수 있다. 따라서 클리닝을 보다 효율적으로 실시할 수 있다. According to invention of Claim 3, the following effects are further exhibited. In other words, the deposition amount of the deposit on the electrode is much larger than the back side of the electrode facing the front side, which is the surface on the side where the ion beam touches. Therefore, if the voltage for generating the glow discharge is a direct current voltage having the electrode on the ion beam extraction direction as the negative side, the ions in the plasma due to the glow discharge are negative on the electrode, i.e., the electrode on the ion beam extraction direction (in the case of claim 1). Since the second electrode, in the case of claim 2, impinges on the front face of the second electrode), the front side of the deposit can be preferentially removed. Therefore, cleaning can be performed more efficiently.

청구항 4에 기재된 발명에 따르면 다음과 같은 효과를 한층 더 발휘한다. 즉, 글로우 방전을 발생시키는 전압을 교류 전압으로 하면, 글로우 방전에 의한 플라즈마 중의 이온은 인가 전압의 극성 반전에 따라, 당해 글로우 방전을 사이에 끼우는 양쪽 전극에 입사하여 충돌하므로, 양쪽 전극에 퇴적된 퇴적물을 효율적으로 제거할 수 있다. According to invention of Claim 4, the following effects are further exhibited. That is, if the voltage for generating the glow discharge is an alternating voltage, the ions in the plasma due to the glow discharge are incident on and collide with both electrodes sandwiching the glow discharge in accordance with the polarity inversion of the applied voltage. Sediment can be removed efficiently.

도 1은 이 발명에 따른 클리닝 방법을 실시하는 이온원 장치의 일례를 나타내는 개략도이며, 이온빔 인출 시의 상태를 나타낸다.
도 2는 이 발명에 따른 클리닝 방법을 실시하는 이온원 장치의 일례를 나타내는 개략도이며, 클리닝 시의 상태를 나타낸다.
도 3은 이 발명에 따른 클리닝 방법을 실시하는 이온원 장치의 다른 예를 나타내는 개략도이며, 클리닝 시의 상태를 나타낸다.
도 4는 이 발명에 따른 클리닝 방법을 실시하는 이온원 장치의 또 다른 예를 나타내는 개략도이며, 클리닝 시의 상태를 나타낸다.
도 5는 이 발명에 따른 클리닝 방법을 실시하는 이온원 장치의 또 다른 예를 나타내는 개략도이며, 클리닝 시의 상태를 나타낸다.
도 6은 클리닝 가스의 도입 방법의 다른 예를 나타내는 개략도이다. Fig. 1 is a schematic view showing an example of an ion source device for carrying out the cleaning method according to the present invention, showing the state at the time of ion beam extraction.
2 is a schematic view showing an example of an ion source device for carrying out the cleaning method according to the present invention, and showing the state at the time of cleaning.
3 is a schematic view showing another example of an ion source device for carrying out the cleaning method according to the present invention, and showing the state at the time of cleaning.
Fig. 4 is a schematic view showing still another example of an ion source device for carrying out the cleaning method according to the present invention, and showing the state at the time of cleaning.
Fig. 5 is a schematic diagram showing still another example of an ion source device for carrying out the cleaning method according to the present invention, and showing the state at the time of cleaning.
6 is a schematic view showing another example of the method of introducing the cleaning gas.

이 발명에 따른 클리닝 방법을 실시하는 이온원 장치의 일례를 도 1, 도 2에 나타낸다. 도 1은 이온빔 인출 시의 상태를 나타내고, 도 2는 클리닝 시의 상태를 나타낸다. An example of the ion source apparatus which implements the cleaning method which concerns on this invention is shown to FIG. 1, FIG. 1 shows a state at the time of ion beam extraction, and FIG. 2 shows a state at the time of cleaning.

이 이온원 장치를 구성하는 이온원(2)은 이온화 가스(38)가 도입되고 당해 이온화 가스(38)를 전리시켜 플라즈마(6)를 생성하는 플라즈마 생성부(4)와, 이 플라즈마 생성부(4) 내의 플라즈마(6)로부터 전계의 작용으로 이온빔(20)을 인출하는 인출 전극계(10)를 구비하고 있다. The ion source 2 constituting the ion source device includes a plasma generation unit 4 which introduces an ionization gas 38 and ionizes the ionization gas 38 to generate a plasma 6, and the plasma generation unit ( 4 is provided with an extraction electrode system 10 which draws out the ion beam 20 by the action of an electric field from the plasma 6 in FIG.

플라즈마 생성부(4)는 이 예에서는 플라즈마 생성용기(5) 내에 마련된 필라멘트(8)로부터 열전자를 방출시켜, 당해 필라멘트(8)와 양극을 겸하는 플라즈마 생성용기(5) 사이에서 방전(아크 방전)을 발생시키고, 이온화 가스(38)를 전리시켜 플라즈마(6)를 생성하는 것이다. 필라멘트(8)에 그 가열용 필라멘트 전원(50)이 접속되어 있고, 필라멘트(8)의 한쪽 끝과 플라즈마 생성용기(5) 사이에 전자(前者)를 음극측으로 해서 아크 방전 발생용 아크 전원(52)이 접속되어 있다. In this example, the plasma generating unit 4 emits hot electrons from the filament 8 provided in the plasma generating container 5 to discharge between the filament 8 and the plasma generating container 5 serving as an anode (arc discharge). Is generated, and the ionization gas 38 is ionized to generate the plasma 6. The heating filament power source 50 is connected to the filament 8, and the arc power source 52 for generating arc discharge with the former as the cathode side between one end of the filament 8 and the plasma generating vessel 5. ) Is connected.

단, 플라즈마 생성부(4)는 이 타입에 한정되는 것은 아니다. 필라멘트(8)의 수도 도시예와 같은 1개에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면 필라멘트(8)를 복수개 가지고 있어도 된다. 또한 고주파 방전에 의해 이온화 가스(38)를 전리시켜 플라즈마(6)를 생성하는 타입 등이어도 된다. However, the plasma generating unit 4 is not limited to this type. The number of filaments 8 is not limited to one like the example of illustration. For example, the filament 8 may have a plurality. The ionization gas 38 may be ionized by the high frequency discharge to generate the plasma 6.

이온화 가스(38)는 이 예에서는 이온화 가스원(32)으로부터 유량 조절기(34), 밸브(36) 및 가스 도입구(7)를 경유하여 플라즈마 생성용기(5) 내에 도입된다. The ionization gas 38 is introduced into the plasma generation vessel 5 in this example from the ionization gas source 32 via the flow regulator 34, the valve 36 and the gas inlet 7.

이온화 가스(38)는 소망하는 도펀트, 예를 들면 붕소(B), 인(P) 또는 비소(As)를 포함하는 가스이며, 예를 들면 불화붕소 가스(BF3), 수소 희석 디보란(diborane) 가스(B2H6/H2), 수소 희석 포스핀 가스(PH3/H2) 또는 수소 희석 아르신(arsine) 가스(AsH3/H2) 등이다. Ionization gas 38 is a gas containing a desired dopant, for example, boron (B), phosphorus (P) or arsenic (As), for example, boron fluoride gas (BF 3 ), hydrogen dilute diborane ) Gas (B 2 H 6 / H 2 ), hydrogen diluted phosphine gas (PH 3 / H 2 ), or hydrogen diluted arsine gas (AsH 3 / H 2 ).

인출 전극계(10)는 이 예에서는 최플라즈마측에서부터 이온빔 인출방향에 걸쳐 배치된 4장의 전극, 즉 제1전극(플라즈마 전극이라고도 함)(11), 제2전극(인출 전극이라고도 함)(12), 제3전극(억제 전극이라고도 함)(13) 및 제4전극(접지 전극이라고도 함)(14)을 가지고 있다. 16은 절연물인데, 그 밖의 절연물은 도시를 생략하였다. 전극은 4장에 한정되지 않으며, 2장, 3장 등이어도 된다. 각 전극(11?14)은 이온 인출구멍(15)을 각각 가지고 있다. 이온 인출구멍(15)은 예를 들면 복수의(다수의) 구멍이어도 되고, 1 이상의 슬릿이어도 된다. In this example, the drawing electrode system 10 includes four electrodes arranged in the ion beam extraction direction from the most plasma side, that is, a first electrode (also called a plasma electrode) 11 and a second electrode (also called a drawing electrode) 12 ), A third electrode (also called suppression electrode) 13, and a fourth electrode (also called ground electrode) 14. 16 is an insulator, and other insulators are not shown. The electrode is not limited to four, but may be two, three or the like. Each electrode 11-14 has the ion extraction hole 15, respectively. The ion extracting holes 15 may be, for example, a plurality of holes or a plurality of slits.

한편 인출 전극계(10)를 구성하는 각 전극(11?14)간의 간격은 도시의 편의상 확대해서 도시하였다. 다른 도면에서도 마찬가지이다. In addition, the space | interval between each electrode 11-14 which comprises the extraction electrode system 10 was expanded and shown for the convenience of illustration. The same applies to other drawings.

플라즈마 생성부(4)(보다 구체적으로는 그 플라즈마 생성용기(5))의 앞 부분은, 진공배기장치(30)에 의해 밸브(28)를 통해 진공 배기되는 이온원 챔버(22, 23)에 장착되어 있고, 인출 전극계(10)는 이 이온원 챔버(22, 23) 내에 수납되어 있다. 이온원 챔버 22와 23 사이는 가속 전원(58)의 출력 전압에 상당하는 전압을 절연하기 위해, 절연물(24)에 의해 절연되어 있다. 이온원 챔버(23)에는 인출 전극계(10) 및 상기 밸브(28)보다 하류측의 위치에, 이온원(2)의 보수 점검 작업 등을 위해, 그곳을 칸막이하는 밸브(게이트 밸브)(26)가 마련되어 있다. The front portion of the plasma generating unit 4 (more specifically, the plasma generating container 5) is connected to the ion source chambers 22 and 23 which are evacuated through the valve 28 by the vacuum exhaust device 30. It is attached and the extraction electrode system 10 is accommodated in these ion source chambers 22 and 23. The ion source chambers 22 and 23 are insulated by the insulator 24 to insulate a voltage corresponding to the output voltage of the acceleration power supply 58. A valve (gate valve) 26 partitioning the ion source chamber 23 therein for the maintenance inspection work of the ion source 2 at a position downstream from the lead electrode system 10 and the valve 28. ) Is provided.

인출 전극계(10)의 제1전극(11)은 이 예에서는 상기 아크 전원(52)의 음극측에 접속되어 있다. 플라즈마 생성용기(5)와 접지 전위부 사이에, 전자(前者)를 양극측으로 해서, 주로 이온빔(20)의 에너지를 정하는 가속 전원(58)이 접속되어 있다. 제2전극(12)과 플라즈마 생성용기(5) 사이에, 전자(前者)를 음극측으로 하고 또한 후술하는 전환 스위치(71)를 통해, 주로 플라즈마(6)로부터 이온을 인출하기 위한 인출 전원(54)이 접속되어 있다. 제3전극(13)과 접지 전위부 사이에, 전자(前者)를 음극측으로 하고 또한 후술하는 전환 스위치(72)를 통해, 주로 하류측으로부터의 역류 전자 억제를 위한 억제 전원(56)이 접속되어 있다. 제4전극(14)은 접지되어 있다. The first electrode 11 of the lead-out electrode system 10 is connected to the cathode side of the arc power source 52 in this example. An acceleration power supply 58 is mainly connected between the plasma generating vessel 5 and the ground potential portion to mainly determine the energy of the ion beam 20 with electrons as the anode side. An extraction power source 54 mainly for extracting ions from the plasma 6 through the switching switch 71 described below with the former as the cathode side between the second electrode 12 and the plasma generating vessel 5. ) Is connected. A suppression power supply 56 is mainly connected between the third electrode 13 and the ground potential portion for the reverse flow electron suppression from the downstream side through the switching switch 72 described below with electrons as the cathode side. have. The fourth electrode 14 is grounded.

이 이온원 장치는 플라즈마 생성부(4)에 이온화 가스(38)를 도입하여 이온빔(20)을 인출하는 대신에, 이하에 설명하는 클리닝 방법을 실시할 수 있도록 다음과 같은 구성을 더 구비하고 있다. The ion source device further includes the following configuration so that the cleaning method described below can be performed instead of introducing the ionizing gas 38 into the plasma generating unit 4 to extract the ion beam 20. .

즉, 클리닝 가스원(42), 유량 조절기(44) 및 밸브(46)를 마련하고, 이 예에서는 상기 가스 도입구(7)를 경유하여, 플라즈마 생성용기(5) 내에 클리닝 가스(48)(도 2 참조)를 공급할 수 있도록 하고 있다. 이 클리닝 가스(48)는 상기 위치에 마련된 진공배기장치(30)에 의해 진공 배기되는 것도 돕고, 제1전극(11) 등의 이온 인출구멍(15)을 통해 인출 전극계(10)의 각 전극간에 확산되어 당해 각 전극간에도 공급된다. That is, the cleaning gas source 42, the flow regulator 44, and the valve 46 are provided, and in this example, the cleaning gas 48 (in the plasma generation container 5) via the gas inlet 7 is provided. 2) can be supplied. The cleaning gas 48 also helps to evacuate the vacuum by the vacuum exhaust device 30 provided at the position, and each electrode of the extraction electrode system 10 through the ion extracting aperture 15 such as the first electrode 11. It is diffused in the liver and is also supplied between the electrodes.

클리닝 가스(48)로는 후술하는 글로우 방전을 발생시켰을 때에 전극 표면에 퇴적물을 생성시키기 어려운 가스를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들면 클리닝 가스(48)는 수소 가스, 아르곤 등의 불활성 가스(희가스라고도 함) 또는 이들의 혼합 가스이다. 불활성 가스는 Ar 이외의 He, Ne, Kr, Xe여도 된다. 클리닝 가스(48)로 수소 가스를 사용하면, 전극 표면에서 제거된 퇴적물이 수소와 결합하여 수소 화합물을 만들거나 해서, 진공배기장치(30)에 의해 외부로 배출되기 쉬워진다는 이점이 있다. 또한 이것에 한하지 않고 불소가 함유된 클리닝 가스를 사용해도 된다. 예를 들면 NF3, C3F8, CF4를 들 수 있다.As the cleaning gas 48, it is preferable to use a gas that is difficult to generate deposits on the electrode surface when the glow discharge described later is generated. For example, the cleaning gas 48 is an inert gas (also called a rare gas) such as hydrogen gas, argon, or a mixture of these. The inert gas may be He, Ne, Kr, or Xe other than Ar. The use of hydrogen gas as the cleaning gas 48 has the advantage that the deposits removed from the surface of the electrode are combined with hydrogen to form a hydrogen compound and easily discharged to the outside by the vacuum exhaust device 30. In addition, you may use not only this but the cleaning gas containing fluorine. It may be selected from among NF 3, C 3 F 8, CF 4.

클리닝 시에 진공배기장치(30)에 의해 이온원 챔버(22, 23) 내부를 이온빔 인출 시보다 작은 배기 속도로 배기하기 위해, 상기 밸브(28)에 병렬로, 당해 밸브(28)보다 개구 면적이 작으며 컨덕턴스가 작은 밸브(29)를 마련하였다. In order to exhaust the inside of the ion source chambers 22 and 23 by the vacuum exhaust device 30 at the time of cleaning at a lower exhaust rate than the ion beam extraction, the opening area is larger than the valve 28 in parallel to the valve 28. This small, low conductance valve 29 was provided.

제1전극(11)과 제2전극(12) 사이에, 이온빔 인출방향측의 전극인 제2전극(12)을 마이너스측으로 하는 직류 전압을 인가하여, 양쪽 전극(11, 12)간에 클리닝 가스(48)의 글로우 방전(80)(도 2 참조)을 발생시키는 직류의 글로우 방전용 전원(60)을 마련하였다. 이 글로우 방전용 전원(60)의 출력 전압은 예를 들면 수백V?수kV, 보다 구체적으로는 100V?1kV 정도이다. Between the first electrode 11 and the second electrode 12, a direct current voltage is applied to the negative side of the second electrode 12, which is the electrode on the ion beam extraction direction side, so that the cleaning gas ( A direct current glow discharge power source 60 for generating a glow discharge 80 (see FIG. 2) of 48 was provided. The output voltage of the glow discharge power supply 60 is, for example, several hundred V to several kV, more specifically, about 100 V to 1 kV.

이온빔(20)의 인출과, 전극의 클리닝을 전환하기 위해 스위치(70?73)를 마련하였다. 전환 스위치(71)는 제2전극(12)을, 인출 전원(54)측과, 저항기(64)를 통한 글로우 방전용 전원(60)측으로 전환한다. 전환 스위치(72)는 제3전극(13)을, 억제 전원(56)측과, 저항기(66)를 통한 접지측으로 전환한다. In order to switch the extraction of the ion beam 20 and the cleaning of the electrode, switches 70 to 73 were provided. The changeover switch 71 switches the second electrode 12 to the draw power supply 54 side and the glow discharge power supply 60 through the resistor 64. The changeover switch 72 switches the third electrode 13 to the suppression power supply 56 side and the ground side through the resistor 66.

스위치(70, 73)는 플라즈마 생성용기(5), 제1전극(11) 등을 접지 전위로 하기 위한 것이다. 한편 스위치(70, 73)를 닫을 때에는 당연히 전원(52, 58)의 출력 전압을 미리 0으로 해 둔다. The switches 70 and 73 are for bringing the plasma generating vessel 5, the first electrode 11, and the like into the ground potential. On the other hand, when the switches 70 and 73 are closed, the output voltages of the power sources 52 and 58 are set to 0 in advance.

이온빔(20)을 인출할 때의 상태를 도 1에 나타낸다. 이 경우에는 밸브(26)는 열어 둔다. 그리고 밸브(29)를 닫고 밸브(28)는 열어 두고, 진공배기장치(30)에 의해 이온원 챔버(22, 23) 내부를 진공 배기한다. 밸브(46)를 닫고 밸브(36)는 열어 두고, 플라즈마 생성용기(5) 내에 이온화 가스(38)를 도입한다. 스위치(70, 73)는 열어 두고, 전환 스위치(71)는 인출 전원(54)측으로, 전환 스위치(72)는 억제 전원(56)측으로 전환해 둔다. The state at the time of extracting the ion beam 20 is shown in FIG. In this case, the valve 26 is left open. Then, the valve 29 is closed and the valve 28 is open, and the inside of the ion source chambers 22 and 23 is evacuated by the vacuum exhaust device 30. The valve 46 is closed and the valve 36 is open, and the ionization gas 38 is introduced into the plasma generation vessel 5. The switches 70 and 73 are left open, and the switching switch 71 is switched to the extraction power supply 54 side, and the switching switch 72 is switched to the suppression power supply 56 side.

이로 인해 플라즈마 생성부(4)(보다 구체적으로는 그 플라즈마 생성용기(5)) 내에서 이온화 가스(38)를 전리시켜 플라즈마(6)를 생성하고, 당해 플라즈마(6)로부터 인출 전극계(10)에 의해 이온빔(20)을 인출할 수 있다. As a result, the ionization gas 38 is ionized in the plasma generating unit 4 (more specifically, the plasma generating container 5) to generate the plasma 6, and the extraction electrode system 10 is discharged from the plasma 6. ), The ion beam 20 can be taken out.

전극을 클리닝할 때의 상태를 도 2에 나타낸다. 이 경우, 밸브(26)는 닫아 둔다. 그리고 밸브(28)를 닫고 밸브(29)는 열고, 진공배기장치(30)에 의해 이온원 챔버(22, 23) 내부를 작은 배기 속도로 배기한다. 또한 밸브(36)를 닫는 대신 밸브(46)를 열고, 플라즈마 생성용기(5) 내에 클리닝 가스(48)를 도입한다. 이로 인해 상술한 바와 같이, 플라즈마 생성용기(5) 내에 도입된 클리닝 가스(48)는 적어도 제1전극(11)과 제2전극(12) 사이에 공급된다. 이때, 플라즈마 생성용기(5) 내에 도입하는 클리닝 가스(48)의 유량, 진공배기장치(30)에 의한 배기 속도 등을 조정하여, 제1전극(11)과 제2전극(12) 사이의 가스압을, 이온빔 인출 시의 가스압(예를 들면 1Pa 미만)보다 높게 유지한다. 보다 구체적으로는 클리닝 가스(48)의 글로우 방전(80)을 발생시키기에 적합한 가스압으로 유지한다. 예를 들면 1Pa?1000Pa 정도로 유지한다. The state at the time of cleaning an electrode is shown in FIG. In this case, the valve 26 is closed. The valve 28 is closed, the valve 29 is opened, and the inside of the ion source chambers 22 and 23 is exhausted by the vacuum exhaust device 30 at a small exhaust rate. In addition, instead of closing the valve 36, the valve 46 is opened to introduce the cleaning gas 48 into the plasma generating vessel 5. Therefore, as described above, the cleaning gas 48 introduced into the plasma generation vessel 5 is supplied between at least the first electrode 11 and the second electrode 12. At this time, the flow rate of the cleaning gas 48 introduced into the plasma generation container 5, the exhaust speed by the vacuum exhaust device 30, and the like are adjusted to adjust the gas pressure between the first electrode 11 and the second electrode 12. Is maintained higher than the gas pressure (for example, less than 1 Pa) at the time of ion beam extraction. More specifically, it is maintained at a gas pressure suitable for generating the glow discharge 80 of the cleaning gas 48. For example, it is maintained at about 1 Pa to 1000 Pa.

또한 전환 스위치(71)를 글로우 방전용 전원(60)측(구체적으로는 저항기(64)측)으로 전환하여, 스위치(70)를 닫고, 제1전극(11)과 제2전극(12) 사이에, 후자를 마이너스측으로 해서 글로우 방전용 전원(60)으로부터 직류 전압을 인가하여, 양쪽 전극(11, 12) 사이에 클리닝 가스(48)의 글로우 방전(직류 글로우 방전)(80)을 발생시킨다. 또한 전환 스위치(72)는 저항기(66)측으로 전환하고, 스위치(73)는 닫아 둔다. Further, the selector switch 71 is switched to the glow discharge power supply 60 side (specifically, the resistor 64 side), and the switch 70 is closed to close the first electrode 11 and the second electrode 12. On the negative side, a direct current voltage is applied from the glow discharge power source 60 to generate a glow discharge (direct glow discharge) 80 of the cleaning gas 48 between the electrodes 11 and 12. In addition, the changeover switch 72 is switched to the resistor 66 side, and the switch 73 is closed.

상기 제1전극(11)과 제2전극(12) 사이에 발생시킨 글로우 방전(80)에 의해 클리닝 가스(48)의 플라즈마가 생성되고, 당해 플라즈마 중의 이온에 의한 스퍼터 및 당해 플라즈마 중의 라디칼 등의 활성 입자와의 화학반응 등에 의해, 양쪽 전극(11, 12) 표면에 퇴적되어 있는 퇴적물이 제거된다. 즉, 양쪽 전극(11, 12)을 클리닝할 수 있다.The plasma of the cleaning gas 48 is generated by the glow discharge 80 generated between the first electrode 11 and the second electrode 12, and sputtered by ions in the plasma, radicals in the plasma, and the like. By the chemical reaction with active particles, the deposits deposited on the surfaces of both electrodes 11 and 12 are removed. That is, both electrodes 11 and 12 can be cleaned.

게다가 상기 글로우 방전(80)은 전압을 인가하고 있는 제1전극(11)과 제2전극(12) 사이의 거의 전체에 발생하므로, 글로우 방전(80)에 의한 플라즈마가 발생하고 있는 측의 전극면(즉 제1전극(11)의 배면(11b) 및 제2전극(12)의 정면(12a))의 거의 전체가 플라즈마에 노출된다. 따라서 이온 인출구멍(15)의 주변에 한정되지 않고, 양쪽 전극(11, 12)의 넓은 영역에 걸쳐 퇴적물을 제거할 수 있다. In addition, since the glow discharge 80 is generated almost entirely between the first electrode 11 and the second electrode 12 applying the voltage, the electrode surface on the side where the plasma generated by the glow discharge 80 is generated. (I.e., almost the entire back surface 11b of the first electrode 11 and the front surface 12a of the second electrode 12) are exposed to the plasma. Therefore, the deposit is not limited to the periphery of the ion extraction hole 15 but can be removed over a wide area of both electrodes 11 and 12.

또한 상기 글로우 방전(80)의 방전 전류는 용이하게 이온원의 최대 이온빔 전류보다 훨씬 큰 값으로 할 수 있으므로, 종래의 클리닝 방법보다 고속으로 퇴적물을 제거할 수 있다. In addition, since the discharge current of the glow discharge 80 can be easily set to a value much larger than the maximum ion beam current of the ion source, it is possible to remove the deposit at a higher speed than the conventional cleaning method.

이것을 보다 자세하게 설명하면, 글로우 방전 플라즈마의 밀도가 높을수록, 당해 플라즈마 중의 이온 및 활성 입자의 밀도가 높아지므로 퇴적물의 제거 속도가 빨라진다. 따라서 플라즈마 밀도의 지표인 글로우 방전 전류가 클수록 퇴적물의 제거 속도는 빨라진다. 예를 들어 플랫 패널 디스플레이(FPD) 제조를 위한 이온 도핑 장치용 이온원 장치를 이용한 실험에 따르면, 상술한 종래의 클리닝 방법에 상당하는 방법으로 제2전극(12)에 이온빔을 충돌시켰을 경우, 그 때의 이온빔 전류는 200mA 정도가 한도였다. 이에 반해, 본 클리닝 방법에 의한 경우의 글로우 방전 전류는 2000mA를 달성할 수 있었다. In more detail, the higher the density of the glow discharge plasma, the higher the density of ions and active particles in the plasma, and thus the faster the removal rate of the deposit. Therefore, the larger the glow discharge current, which is an indicator of plasma density, the faster the removal rate of the deposit. For example, according to an experiment using an ion source device for an ion doping apparatus for manufacturing a flat panel display (FPD), when the ion beam is impinged on the second electrode 12 by a method corresponding to the conventional cleaning method described above, The ion beam current at that time was about 200 mA. In contrast, the glow discharge current in the case of the present cleaning method was able to achieve 2000 mA.

그런데 전극(11, 12)에의 퇴적물의 퇴적량은 이온빔이 닿는 측의 면인 정면(12a)쪽이, 그것에 대향하는 전극(11)의 배면(11b)보다 훨씬 많아진다. 그래서 글로우 방전(80)을 발생시키는 전압을, 도 2에 나타내는 예와 같이 이온빔 인출방향측의 전극인 제2전극(12)을 마이너스측으로 하는 직류 전압으로 하면, 글로우 방전(80)에 의한 플라즈마 중의 이온은 마이너스측의 전극, 즉 제2전극(12)의 정면(12a)에 전적으로 입사하여 충돌하므로, 퇴적물이 많이 퇴적되는 당해 정면(12a)의 퇴적물 제거를 우선적으로 실시할 수 있다. 따라서 클리닝을 보다 효율적으로 실시할 수 있다. By the way, the deposition amount of the deposits on the electrodes 11 and 12 is much larger on the front face 12a, which is the surface on the side where the ion beams touch, than the rear face 11b of the electrode 11 facing it. Therefore, when the voltage which generates the glow discharge 80 is made into the direct current voltage which makes the 2nd electrode 12 which is an electrode of an ion beam extraction direction side into a negative side like the example shown in FIG. 2, in the plasma by the glow discharge 80 Since the ions are totally incident on the negative electrode, that is, the front face 12a of the second electrode 12, and collide with each other, the deposits can be preferentially removed from the front face 12a in which a large amount of deposits are deposited. Therefore, cleaning can be performed more efficiently.

한편 클리닝 가스(48)는 도 1에 나타내는 예와 같이 공급하면, 가스 도입구(7)를 이온화 가스(38)와 겸용할 수 있다는 이점이 있지만, 제1전극(11)과 제2전극(12) 사이에 클리닝 가스(48)를 공급하기 위해서는, 예를 들면 도 6에 나타내는 예와 같이, 이온원 챔버(22)(또는 23)의 벽면으로부터 그 내부에 클리닝 가스(48)를 도입해도 된다. 도 3?도 5에 나타내는 각 예의 경우에도 마찬가지이다. On the other hand, when the cleaning gas 48 is supplied as in the example shown in FIG. 1, the gas inlet 7 can be used as the ionization gas 38. However, the first electrode 11 and the second electrode 12 can be used. In order to supply the cleaning gas 48 between), for example, you may introduce the cleaning gas 48 into the inside from the wall surface of the ion source chamber 22 (or 23) like the example shown in FIG. The same applies to the respective examples shown in FIGS. 3 to 5.

또한 제1전극(11)과 제2전극(12) 사이의 가스압을 글로우 방전(80)의 발생에 적합한 것으로 조정하기 위해서는, 도 2에 나타내는 예와 같이 밸브(26, 28)를 닫고, 밸브(29)를 경유하여 진공배기장치(30)에 의해 작은 배기 속도로 배기하는 것이 실제적으로 바람직하지만, 물론 이것 이외의 방법으로 제1전극(11)과 제2전극(12) 사이의 가스압을 조정해도 된다. In addition, in order to adjust the gas pressure between the first electrode 11 and the second electrode 12 to one suitable for the generation of the glow discharge 80, the valves 26 and 28 are closed as shown in the example shown in FIG. Although it is practically preferable to exhaust at a small exhaust rate by the vacuum exhaust device 30 via 29, it is of course possible to adjust the gas pressure between the first electrode 11 and the second electrode 12 by a method other than this. do.

전극(11, 12)상에 퇴적물이 있는 상태에서 글로우 방전(80)을 발생시키면, 양쪽 전극(11, 12)간에서 이상 방전이 발생하기 쉬워, 이것이 글로우 방전용 전원(60)을 고장나게 하는 원인이 되는 경우가 있다. 그래서 도 2에 나타내는 예와 같이, 상기 직렬 저항기(64)를 마련해 두는 것이 바람직한데, 그렇게 하면 이상 방전 시의 급격한 전류 증가를 저항기(64)에 의해 억제할 수 있다. 즉, 저항기(64)는 한류(限流) 저항 기능을 한다. When the glow discharge 80 is generated in the state where deposits are present on the electrodes 11 and 12, abnormal discharge is likely to occur between the electrodes 11 and 12, which causes the glow discharge power supply 60 to fail. It may be the cause. Therefore, as in the example shown in FIG. 2, it is preferable to provide the series resistor 64. In this case, the sudden increase in current during abnormal discharge can be suppressed by the resistor 64. FIG. That is, the resistor 64 functions as a current limiting resistor.

제3전극(13)을 전환 스위치(72)를 통해 접지하면, 글로우 방전용 전원(60)으로부터, 제2전극(12)과 제3전극(13) 사이에도 전압이 인가된다. 그래서 전극(11, 12)간에서 글로우 방전(80)을 우선적으로 발생시키기 위해서는, 도 2에 나타내는 예와 같이 제3전극(13)을 높은 저항값의 저항기(66)를 통해 접지하는 것이 바람직하다. 그렇게 하면, 가령 제2전극(12)과 제3전극(13) 사이에서 플라즈마가 발생하면 당해 플라즈마 중의, 이온보다 이동도가 높은 전자가 제3전극(13)에 많이 입사하여 제3전극(13)이 음으로 대전되는 결과, 제2전극(12)과 제3전극(13) 사이의 전위차가 내려가므로, 양쪽 전극(12, 13)간에서 플라즈마가 발생하는 것을 억제할 수 있다. When the third electrode 13 is grounded through the changeover switch 72, a voltage is applied between the second electrode 12 and the third electrode 13 from the glow discharge power supply 60. Therefore, in order to preferentially generate the glow discharge 80 between the electrodes 11 and 12, it is preferable to ground the third electrode 13 through the resistor 66 having a high resistance value as shown in FIG. . In this case, for example, when a plasma is generated between the second electrode 12 and the third electrode 13, electrons having higher mobility than ions in the plasma are incident on the third electrode 13 so that the third electrode 13 As a result of the negative charge, the potential difference between the second electrode 12 and the third electrode 13 decreases, so that the generation of plasma can be suppressed between the electrodes 12 and 13.

상기 글로우 방전용 전원(60)을 마련하는 대신에, 도 3에 나타내는 예와 같이, 전환 스위치(71)에 의해 제2전극(12)을 저항기(64)를 통해 인출 전원(54)에 접속하도록 구성하여, 인출 전원(54)을 글로우 방전(80) 발생용 전원으로서 겸용해도 된다. 그렇게 하면, 글로우 방전 전용 전원을 추가하지 않고 상기 클리닝을 실시할 수 있다. 한편 이 경우에는 인출 전원(54)의 최대 출력 전류에 의해 글로우 방전 전류가 제한되게 된다. Instead of providing the glow discharge power source 60, as shown in the example shown in FIG. 3, the switching switch 71 connects the second electrode 12 to the draw power source 54 through the resistor 64. In this configuration, the draw power supply 54 may be used as a power supply for generating the glow discharge 80. In that case, the said cleaning can be performed without adding a glow discharge power supply. In this case, the glow discharge current is limited by the maximum output current of the drawing power supply 54.

또한 상기 직류의 글로우 방전용 전원(60)을 마련하는 대신에, 도 4에 나타내는 예와 같이, 교류의 글로우 방전용 전원(62)을 마련하여, 교류 전압 인가에 의해 상기 글로우 방전(80)(이 경우에는 교류 글로우 방전)을 발생시켜도 된다. In addition, instead of providing the direct current glow discharge power supply 60, as shown in FIG. 4, an AC glow discharge power supply 62 is provided, and the glow discharge 80 ( In this case, AC glow discharge) may be generated.

글로우 방전(80)을 발생시키는 전압을 교류 전압으로 하면, 글로우 방전(80)에 의한 플라즈마 중의 이온은 인가 전압의 극성 반전에 따라, 당해 글로우 방전(80)을 사이에 끼우는 양쪽 전극(11, 12)에 입사하여 충돌하므로, 양쪽 전극(11, 12)에, 즉 이온빔 인출방향측의 전극인 제2전극(12)의 정면(12a) 및 그것에 대향하는 제1전극(11)의 배면(11b)의 양쪽에 퇴적된 퇴적물을 효율적으로 제거할 수 있다. When the voltage for generating the glow discharge 80 is an alternating voltage, the ions in the plasma generated by the glow discharge 80 are both electrodes 11 and 12 sandwiching the glow discharge 80 in accordance with the polarity inversion of the applied voltage. (C) is incident on and collides with each other, so that the front surface 12a of the second electrode 12, which is the electrode on the ion beam extraction direction side, and the rear surface 11b of the first electrode 11 opposite thereto Sediment deposited on both sides can be removed efficiently.

또한 교류의 글로우 방전용 전원(60)은 통상 변압기를 주체로 구성되어 있으며, 반도체 소자를 이용하고 있는 직류 전원보다 고장나기 어려우므로, 전극(11, 12)간에서 이상 방전이 발생해도 고장나기 어렵다는 이점도 있다. In addition, the AC glow discharge power supply 60 is usually composed of a transformer, and is less likely to fail than a DC power supply using a semiconductor element, and thus it is difficult to fail even if abnormal discharge occurs between the electrodes 11 and 12. There is also an advantage.

상기 각 클리닝 방법은 제1전극(11)과 제2전극(12) 사이에서 글로우 방전(80)을 발생시키는 클리닝 방법이므로, 인출 전극계(10)가 적어도 제1전극(11) 및 제2전극(12)을 가지고 있다면 적용할 수 있다. Each cleaning method is a cleaning method for generating a glow discharge 80 between the first electrode 11 and the second electrode 12, so that the extraction electrode system 10 includes at least the first electrode 11 and the second electrode. If you have (12), you can apply.

또한 제3전극(13)은 제2전극(12)보다 하류측에 있으므로, 이온빔 인출에 수반되는 제3전극(13)에의 퇴적물의 퇴적량은 제2전극(12)에의 퇴적량보다 적지만, 제1전극(11)과 제2전극(12) 사이에 글로우 방전(80)을 발생시키는 상기 클리닝 방법과 마찬가지로 해서, 제2전극(12)과 제3전극(13) 사이에 글로우 방전(80)을 발생시켜 양쪽 전극(12, 13)을 클리닝해도 된다. Further, since the third electrode 13 is located downstream from the second electrode 12, the deposition amount of the deposit on the third electrode 13 accompanying the ion beam extraction is smaller than the deposition amount on the second electrode 12, In the same manner as the cleaning method for generating the glow discharge 80 between the first electrode 11 and the second electrode 12, the glow discharge 80 is formed between the second electrode 12 and the third electrode 13. May be generated to clean both electrodes 12 and 13.

이 클리닝 방법의 일례를 도 5를 참조하여 설명한다. 도 2에 나타낸 예와의 상이점을 주로 설명하면, 상기 글로우 방전용 전원(60) 및 저항기(64)를 전환 스위치(72)측에 접속하고, 클리닝 시에는 전환 스위치(72)를 글로우 방전용 전원(60)측(구체적으로는 저항기(64)측)으로 전환한다. 또한 제2전극(12)을 접지 전위로 하는 스위치(74)를 마련해 두고, 클리닝 시에는 그것을 닫는다. 이때, 당연히 인출 전원(54)의 출력 전압은 미리 0으로 해 둔다. An example of this cleaning method will be described with reference to FIG. 5. The difference with the example shown in FIG. 2 is mainly demonstrated, and the said glow discharge power supply 60 and the resistor 64 are connected to the switch switch 72 side, and the switch switch 72 is connected to the glow discharge power supply at the time of cleaning. Switching is made to the (60) side (specifically, the resistor 64 side). In addition, a switch 74 having the second electrode 12 at the ground potential is provided, and is closed when cleaning. At this time, of course, the output voltage of the drawing power supply 54 is set to 0 beforehand.

클리닝 가스(48)는 도 2의 예의 경우와 마찬가지로 플라즈마 생성용기(5)에 도입해도 되고, 도 6에 나타낸 예와 같이 이온원 챔버(22)(또는 23)의 벽면으로부터 그 내부에 도입해도 된다. 이렇게 해서, 적어도 제2전극(12)과 제3전극(13) 사이에 클리닝 가스(48)를 공급하고, 제2전극(12)과 제3전극(13) 사이의 가스압을 상술한 바와 같이 이온빔 인출 시의 가스압보다 높게 유지한 상태로, 글로우 방전용 전원(60)으로부터 제2전극(12)과 제3전극(13) 사이에 직류 전압을 인가하여, 양쪽 전극(12, 13)간에 클리닝 가스(48)의 글로우 방전(80)을 발생시킨다. The cleaning gas 48 may be introduced into the plasma generation vessel 5 as in the case of the example of FIG. 2, or may be introduced into the interior of the ion source chamber 22 (or 23) from the wall surface as shown in the example of FIG. 6. . In this way, the cleaning gas 48 is supplied between at least the second electrode 12 and the third electrode 13, and the gas pressure between the second electrode 12 and the third electrode 13 is described as described above. In the state of maintaining higher than the gas pressure at the time of drawing, a direct current voltage is applied between the second electrode 12 and the third electrode 13 from the glow discharge power supply 60, thereby cleaning gas between the electrodes 12, 13, respectively. A glow discharge 80 of 48 is generated.

이로 인해 도 2에 나타낸 예의 경우와 동일한 작용에 의해, 이온 인출구멍(15)의 주변에 한정되지 않고, 양쪽 전극(12, 13)의 넓은 영역에 걸쳐 퇴적물을 제거할 수 있다. For this reason, by the same effect as the case of the example shown in FIG. 2, it is not limited to the periphery of the ion extraction hole 15, and deposits can be removed over the large area | region of both electrodes 12 and 13.

게다가 상기 글로우 방전(80)의 방전 전류는 용이하게 이온원의 최대 이온빔 전류보다 훨씬 큰 값으로 할 수 있으므로, 종래의 클리닝 방법보다 고속으로 퇴적물을 제거할 수 있다. In addition, since the discharge current of the glow discharge 80 can be easily set to a value much larger than the maximum ion beam current of the ion source, the deposit can be removed at a higher speed than the conventional cleaning method.

또한 글로우 방전(80)을 발생시키는 전압을, 이온빔 인출방향측의 전극인 제3전극(13)을 마이너스측으로 하는 직류 전압으로 하면, 글로우 방전(80)에 의한 플라즈마 중의 이온은 마이너스측의 전극, 즉 제3전극(13)의 정면(13a)에 전적으로 입사하여 충돌하므로, 퇴적물이 많이 퇴적되는 당해 정면(13a)의 퇴적물 제거를 우선적으로 실시할 수 있다. 따라서 클리닝을 보다 효율적으로 실시할 수 있다. When the voltage for generating the glow discharge 80 is a DC voltage at which the third electrode 13 which is the electrode on the ion beam extraction direction side is the negative side, the ions in the plasma by the glow discharge 80 are negative electrodes, That is, since the front electrode 13a of the third electrode 13 is completely incident and collided, it is possible to preferentially remove the deposit of the front side 13a in which a large amount of deposits are deposited. Therefore, cleaning can be performed more efficiently.

단, 도 4에 나타낸 예와 마찬가지로, 직류의 글로우 방전용 전원(60) 대신에 교류의 글로우 방전용 전원(62)을 마련해도 된다. 그렇게 하면, 양쪽 전극(12, 13)에, 즉 이온빔 인출방향측의 전극인 제3전극(13)의 정면(13a) 및 그것에 대향하는 제2전극(12)의 배면(12b)의 양쪽에 퇴적된 퇴적물을 효율적으로 제거할 수 있다. However, as in the example shown in FIG. 4, an alternating glow discharge power supply 62 may be provided instead of the direct current glow discharge power supply 60. Then, it is deposited on both electrodes 12 and 13, that is, on both the front face 13a of the third electrode 13 which is the electrode on the ion beam extraction direction side and on the rear face 12b of the second electrode 12 opposite thereto. The sediment can be removed efficiently.

인출 전극계가 제1전극(11), 제2전극(12) 및 제3전극(13)을 적어도 가지고 있을 경우, (a)도 2 등에 나타낸 예와 같이 제1전극(11)과 제2전극(12) 사이에 글로우 방전(80)을 발생시켜도 되고, (b)도 5에 나타낸 예와 같이 제2전극(12)과 제3전극(13) 사이에 글로우 방전(80)을 발생시켜도 되며, (c)글로우 방전용 전원(60, 62) 등의 접속을 상기와 같은 스위치 등을 이용해서 적절히 전환함으로써, 상기(a)의 글로우 방전 발생(클리닝)과 상기(b)의 글로우 방전 발생(클리닝)을 전환해서 실시하도록 해도 된다. When the lead-out electrode system has at least the first electrode 11, the second electrode 12, and the third electrode 13, (a) the first electrode 11 and the second electrode (as shown in FIG. The glow discharge 80 may be generated between 12) and (b) the glow discharge 80 may be generated between the second electrode 12 and the third electrode 13 as shown in FIG. 5. c) Glow discharge generation (cleaning) of the above (a) and glow discharge generation (cleaning) of (b) by appropriately switching the connection of the glow discharge power supply 60, 62 etc. using the above switches etc. It may be performed by switching.

한편 제4전극(14)에의 퇴적물의 퇴적량은 통상 적으므로, 제4전극(14)을 클리닝할 필요성은 그다지 높지 않지만, 필요에 따라 상기와 마찬가지로 해서, 제3전극(13)과 제4전극(14) 사이에 클리닝 가스(48)를 공급하고 글로우 방전용 전압을 인가하여, 양쪽 전극(13, 14) 사이에 글로우 방전을 발생시켜 클리닝해도 된다. On the other hand, since the deposition amount of the deposit on the fourth electrode 14 is usually small, the necessity of cleaning the fourth electrode 14 is not very high, but if necessary, the third electrode 13 and the fourth electrode are similar to the above. The cleaning gas 48 may be supplied between the parts 14 and the glow discharge voltage may be applied to generate a glow discharge between the electrodes 13 and 14 to perform cleaning.

클리닝 후에는 도 1에 나타낸 상태로 되돌림으로써 이온빔(20)을 인출할 수 있다. After cleaning, the ion beam 20 can be taken out by returning to the state shown in FIG.

2 이온원 4 플라즈마 생성부
10 인출 전극계 11 제1전극
12 제2전극 13 제3전극
14 제4전극 20 이온빔
38 이온화 가스 48 클리닝 가스
60, 62 글로우 방전용 전원 80 글로우 방전2 ion source 4 plasma generation unit
10 Leading electrode system 11 First electrode
12 Second electrode 13 Third electrode
14 Fourth Electrode 20 Ion Beam
38 Ionizing Gas 48 Cleaning Gas
60, 62 glow discharge power 80 glow discharge

Claims (4)

이온화 가스가 도입되고 상기 이온화 가스를 전리시켜 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부와, 이 플라즈마 생성부 내의 플라즈마로부터 전계의 작용으로 이온빔을 인출하는 전극계이며 최(最)플라즈마측에서 이온빔 인출방향으로 배치된 제1전극 및 제2전극을 적어도 가지고 있는 인출 전극계를 구비하고 있는 이온원의 상기 인출 전극계를 구성하는 전극의 클리닝 방법으로서,
상기 플라즈마 생성부에 상기 이온화 가스를 도입하여 상기 이온빔을 인출하는 대신에,
상기 인출 전극계를 구성하는 적어도 제1전극과 제2전극 사이에 클리닝 가스를 공급하고, 상기 제1전극과 제2전극 사이의 가스압을 상기 이온빔 인출 시의 가스압보다 높게 유지한 상태로,
상기 제1전극과 제2전극 사이에 전압을 인가하여, 양쪽 전극간에 상기 클리닝 가스의 글로우 방전을 발생시키는 것을 특징으로 하는 이온원 전극의 클리닝 방법. A plasma generation unit which introduces an ionization gas and ionizes the ionization gas to generate a plasma, and an electrode system which draws out an ion beam by the action of an electric field from the plasma in the plasma generation unit, and is arranged in the ion beam extraction direction on the side of the most plasma. A cleaning method of an electrode constituting the extraction electrode system of an ion source having an extraction electrode system having at least a first electrode and a second electrode,
Instead of introducing the ionizing gas to the plasma generating unit to extract the ion beam,
In a state in which a cleaning gas is supplied between at least a first electrode and a second electrode constituting the lead-out electrode system, and a gas pressure between the first electrode and the second electrode is maintained higher than a gas pressure at the time of the ion beam extraction.
And applying a voltage between the first electrode and the second electrode to generate a glow discharge of the cleaning gas between both electrodes. 이온화 가스가 도입되고 상기 이온화 가스를 전리시켜 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부와, 이 플라즈마 생성부 내의 플라즈마로부터 전계의 작용으로 이온빔을 인출하는 전극계이며 최플라즈마측에서 이온빔 인출방향으로 배치된 제1전극, 제2전극 및 제3전극을 적어도 가지고 있는 인출 전극계를 구비하고 있는 이온원의 상기 인출 전극계를 구성하는 전극의 클리닝 방법으로서,
상기 플라즈마 생성부에 상기 이온화 가스를 도입하여 상기 이온빔을 인출하는 대신에,
상기 인출 전극계를 구성하는 적어도 제2전극과 제3전극 사이에 클리닝 가스를 공급하고, 상기 제2전극과 제3전극 사이의 가스압을 상기 이온빔 인출 시의 가스압보다 높게 유지한 상태로,
상기 제2전극과 제3전극 사이에 전압을 인가하여, 양쪽 전극간에 상기 클리닝 가스의 글로우 방전을 발생시키는 것을 특징으로 하는 이온원 전극의 클리닝 방법. A plasma generation unit for introducing an ionization gas and ionizing the ionization gas to generate a plasma; an electrode system for extracting an ion beam from the plasma in the plasma generation unit under the action of an electric field; and arranged in the ion beam extraction direction on the most plasma side A cleaning method of an electrode constituting the extraction electrode system of an ion source having an extraction electrode system having at least an electrode, a second electrode and a third electrode,
Instead of introducing the ionizing gas to the plasma generating unit to extract the ion beam,
In a state in which a cleaning gas is supplied between at least a second electrode and a third electrode constituting the lead-out electrode system, the gas pressure between the second electrode and the third electrode is maintained higher than the gas pressure at the time of the ion beam extraction.
A voltage is applied between the second electrode and the third electrode to generate a glow discharge of the cleaning gas between both electrodes. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 글로우 방전을 발생시키는 전압은 이온빔 인출방향측의 전극을 마이너스측으로 하는 직류 전압인 것을 특징으로 하는 이온원 전극의 클리닝 방법. The method according to claim 1 or 2,
And the voltage for generating the glow discharge is a direct current voltage having the electrode on the ion beam extraction direction side as the negative side. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 글로우 방전을 발생시키는 전압은 교류 전압인 것을 특징으로 하는 이온원 전극의 클리닝 방법. The method according to claim 1 or 2,
And a voltage for generating the glow discharge is an alternating voltage.
KR1020110067169A 2010-08-11 2011-07-07 Method for cleaning ion source electrode KR101243748B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-179909 2010-08-11
JP2010179909A JP5141732B2 (en) 2010-08-11 2010-08-11 Ion source electrode cleaning method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120022549A true KR20120022549A (en) 2012-03-12
KR101243748B1 KR101243748B1 (en) 2013-03-13

Family

ID=45794945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110067169A KR101243748B1 (en) 2010-08-11 2011-07-07 Method for cleaning ion source electrode

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5141732B2 (en)
KR (1) KR101243748B1 (en)
CN (1) CN102376513B (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160005095A (en) * 2013-05-03 2016-01-13 액셀리스 테크놀러지스, 인크. Extraction electrode assembly voltage modulation in an ion implantation system
KR20170098254A (en) * 2014-12-16 2017-08-29 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 Ionization device and mass spectrometer therewith

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5370462B2 (en) * 2011-11-07 2013-12-18 日新イオン機器株式会社 Ion source electrode cleaning device
CN103515172B (en) * 2012-06-22 2016-07-20 日新离子机器株式会社 The method of operation of ion beam irradiation apparatus and ion beam irradiation apparatus
US9530615B2 (en) 2012-08-07 2016-12-27 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for improving the performance and extending the lifetime of an ion source
US20140127394A1 (en) * 2012-11-07 2014-05-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Reducing Glitching In An Ion Implanter
US9570271B2 (en) * 2014-03-03 2017-02-14 Praxair Technology, Inc. Boron-containing dopant compositions, systems and methods of use thereof for improving ion beam current and performance during boron ion implantation
JP6480222B2 (en) * 2015-03-18 2019-03-06 株式会社アルバック Ion beam apparatus, ion implantation apparatus, and ion beam emission method
DE112015006730T5 (en) 2015-08-20 2018-04-12 Hitachi High-Technologies Corporation Ion beam device and cleaning method for a gas field ion source
CN107999469B (en) * 2017-11-20 2021-04-27 安徽晓星能源科技有限公司 Medium-frequency alternating-current glow cleaning power supply

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60262339A (en) * 1984-06-07 1985-12-25 Jeol Ltd Conditioning method of accelerating tube
JPS62180944A (en) * 1986-02-05 1987-08-08 Hitachi Ltd Ion source for ion implantation apparatus
JPH0746588B2 (en) * 1986-09-09 1995-05-17 日本電信電話株式会社 Microwave ion source
JPH02207442A (en) * 1989-02-07 1990-08-17 Fuji Electric Co Ltd Charged particle device
JPH1083899A (en) * 1996-09-09 1998-03-31 Ebara Corp Neutral particle beam source
US5992244A (en) * 1998-03-04 1999-11-30 Regents Of The University Of Minnesota Charged particle neutralizing apparatus and method of neutralizing charged particles
JPH11329336A (en) * 1998-05-11 1999-11-30 Nissin Electric Co Ltd Ion implanter
JP2000350970A (en) * 1999-05-10 2000-12-19 Eaton Corp Method and apparatus for cleaning contaminated surface in ion injector
JP2001229841A (en) 2000-02-21 2001-08-24 Hitachi Ltd Method of cleaning lead-out electrode and ion beam treatment apparatus
JP4374487B2 (en) * 2003-06-06 2009-12-02 株式会社Ｓｅｎ Ion source apparatus and cleaning optimization method thereof
CN101302606A (en) * 2007-05-11 2008-11-12 北京石油化工学院 Magnesium alloy surface strengthening method and apparatus
US8969795B2 (en) * 2008-10-06 2015-03-03 Shimadzu Corporation Curtain gas filter for mass- and mobility-analyzers that excludes ion-source gases and ions of high mobility
US8263944B2 (en) * 2008-12-22 2012-09-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Directional gas injection for an ion source cathode assembly

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160005095A (en) * 2013-05-03 2016-01-13 액셀리스 테크놀러지스, 인크. Extraction electrode assembly voltage modulation in an ion implantation system
KR20170098254A (en) * 2014-12-16 2017-08-29 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 Ionization device and mass spectrometer therewith
US10236169B2 (en) 2014-12-16 2019-03-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Ionization device with mass spectrometer therewith

Also Published As

Publication number Publication date
CN102376513B (en) 2015-06-10
JP2012038668A (en) 2012-02-23
KR101243748B1 (en) 2013-03-13
CN102376513A (en) 2012-03-14
JP5141732B2 (en) 2013-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101243748B1 (en) Method for cleaning ion source electrode
JP4345895B2 (en) Ion source operation method and ion implantation apparatus
TWI725970B (en) Ion implantation system and method of in-situ plasma cleaning
US9564297B2 (en) Electron beam plasma source with remote radical source
TWI437608B (en) Ion source cleaning method and apparatus
JP5652582B2 (en) Hybrid ion source
KR100388594B1 (en) Ion beam processing apparatus
US20150034837A1 (en) Lifetime ion source
Vorobyov et al. Investigation of the stability of the electron source with a multi-aperture plasma emitter generating a large cross-section electron beam
KR101342400B1 (en) Cleaning apparatus of ion source extraction electrode system
JP5105729B2 (en) Processing method with gas cluster ion beam
JP2006236772A (en) Neutral particle beam source and neutral particle beam processing apparatus
US20140199492A1 (en) Ion implanter and method of operating ion implanter
JP5370556B2 (en) Ion source electrode cleaning method
JP2006253190A (en) Neutral particle beam processing apparatus and method of neutralizing charge
US9721760B2 (en) Electron beam plasma source with reduced metal contamination
Ehlers et al. Increasing the efficiency of a multicusp ion source
Chalise et al. Side-extraction-type secondary emission electron gun using wire ion plasma source
KR20210105376A (en) Electrode arrangement for a plasma source for performing plasma treatments
JP2014110136A (en) Ion source, ion beam irradiation device, and method of cleaning ion source
RU170626U1 (en) Installation of local ion etching of dielectric surfaces
KR100469552B1 (en) System and method for surface treatment using plasma
JP2021048133A (en) Ion implantation device
Dudin et al. Comparative study of positive and negative ion flows extracted from downstream plasmas beyond magnetic and electrostatic electron filters
JP2014186883A (en) Ion milling device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160218

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170220

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180219

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200129

Year of fee payment: 8