KR20120004385U - A structure of capacitive touch sensor - Google Patents

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KR20120004385U
KR20120004385U KR2020100012782U KR20100012782U KR20120004385U KR 20120004385 U KR20120004385 U KR 20120004385U KR 2020100012782 U KR2020100012782 U KR 2020100012782U KR 20100012782 U KR20100012782 U KR 20100012782U KR 20120004385 U KR20120004385 U KR 20120004385U
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KR2020100012782U
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카이티 양
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영 패스트 옵토일렉트로닉스 씨오., 엘티디.
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Abstract

본 고안은 일종의 정전 용량식 터치 감지기 구조에 관한 것으로서, 제 1 축 감지층, 제 2 축 감지층 및 제 1 축 감지층과 제 2 축 감지층사이에 설치된 절연층을 포함하며, 제 1, 제 2 축 감지층은 식각선으로부터 다수의 서로 평행 배열된 감지선 및 식각 구역을 구분하며, 또한 상기 식각 구역은 불연속적인 작은 면적의 유닛으로 분할되며, 상기 제 1 축 감지층과 제 2 축 감지층 사이에 상기 절연층이 접착되어 합쳐져서 투명판으로 이루게 되며, 또한 상기 제 1 축 감지선과 제 2 감지선은 직각 설치되며, 상기 제 1 축 감지선과 제 2 축 감지선상의 각 정전 용량 감응 유닛은 행렬 배열로 설치된다.The present invention relates to a kind of capacitive touch sensor structure, and includes a first axis sensing layer, a second axis sensing layer, and an insulating layer provided between the first axis sensing layer and the second axis sensing layer. The biaxial sensing layer distinguishes a plurality of parallel sensing lines and etching zones from an etching line, and the etching zone is divided into discrete small area units, and the first axis sensing layer and the second axis sensing layer. The insulating layer is bonded together to form a transparent plate, and the first axis sensing line and the second sensing line are installed at right angles, and each capacitive sensitive unit on the first axis sensing line and the second axis sensing line is arranged in a matrix. Installed in an array.

Description

정전 용량식 터치 감지기 구조{A STRUCTURE OF CAPACITIVE TOUCH SENSOR}Capacitive Touch Detector Structure {A STRUCTURE OF CAPACITIVE TOUCH SENSOR}

본 고안은 정전 용량식 터치 감지기 구조에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는 일종의 투과율 균일성을 향상시키고 정전 용량 값의 노이즈는 낮추는 개선된 정전 용량식 터치 감지기 구조에 관한 것이다. The present invention relates to a capacitive touch sensor structure, and more particularly, to an improved capacitive touch sensor structure that improves a kind of transmittance uniformity and lowers noise of a capacitance value.

정전 용량식 터치판은 사용자의 손가락 혹은 도체의 터치를 통해 순간적으로 패널 상에 하나의 정전 용량 효과를 생성해 낸 후, 정전 용량 값의 변화로부터 손가락 혹은 도체의 위치를 확정하게 하며, 이에 따라 신호 입력의 목적을 이룰 수 있게 한다.The capacitive touch plate generates a single capacitive effect on the panel instantaneously through the touch of a user's finger or conductor, and then determines the position of the finger or conductor from the change in the capacitance value. Allows you to achieve the purpose of the input.

또한, 기존 터치판의 정전 용량식 터치 감지기는 복수의 X축 감지선(X-Trace)과 Y축 감지선(Y-Trace)을 구비하며, X, Y축선상에는 각각 다수의 서로 상호 연결되어 있는 정전용량감응유닛이 설치되어 있으며, 상기 X축선과 Y축선은 서로 뒤얽히고 절연 설치되어, X, Y축선상의 각각의 정전용량감응유닛을 행렬 배열 시키며, 또한 상기 터치판의 작업 구역 내에 배치되게 한다.In addition, the capacitive touch detector of the existing touch panel includes a plurality of X-axis traces (X-Trace) and Y-axis traces (Y-Trace), and a plurality of X- and Y-axis lines are interconnected with each other. A capacitive sensitive unit is installed, and the X-axis and Y-axis are intertwined and insulated so that each of the capacitive-sensitive units on the X and Y axes is arranged in a matrix and arranged in the working area of the touch plate. .

일반적으로 X축 감지선과 Y축 감지선은 투명 도전 박막이 사용되는데, 예를 들면 산화 인디움 주석(Indium Tin Oxide, ITO) 재료이며, 식각공정을 이용하여 불필요한 부분을 없애고, 각각의 정전용량감응유닛을 구분해 내어, X, Y축선상의 각각의 정전용량감응유닛으로 하여금 상호 간에 서로 적당한 폭의 틈새를 구비하도록 하여, 절연 설치의 목적을 이룰 수 있게 한다.In general, the X-axis detection line and the Y-axis detection line are made of a transparent conductive thin film. For example, an indium tin oxide (ITO) material is used. By separating the units, each capacitive sensitive unit on the X and Y axes can be provided with a clearance of a suitable width to each other, to achieve the purpose of insulation installation.

그러나, 이러한 정전용량감응유닛의 설치 부위와 식각 제거 부위는 투과율(Transmittance)이 서로 다르기 때문에, 패널을 통과하는 광선 굴절이 고르지 않은 현상을 초래하여, 육안으로 관찰 시, 도형이 나타나게 할 수 있다.However, since the installation portion and the etching removal portion of the capacitive sensitive unit have different transmittances, the light refraction passing through the panel may be uneven, so that the figure may appear when visually observed.

본 고안은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 투명 도전 필름에 정교한 식각선을 형성하여 소요되는 도형을 구분해 내어, 이로써 대폭적으로 도전 필름의 손상 부분을 감소시키고, 상기 정전 용량 감지 구조의 외관 평면도 및 투과율의 균일성을 향상시켜, 상기 터치판 저부의 디스 플레이의 현상막이 뚜렷하지 않고 모호한 현상을 개선시키며, 또한 식각선 설치를 이용하여 상기 도전 필름의 식각 구역을 불연속적인 작은 면적의 유닛으로 분할하여, 정전 용량 값의 노이즈를 낮추는 일종의 개선된 정전 용량식 터치 감지기 구조를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention is to solve the above-described problems, by forming a sophisticated etching line on the transparent conductive film to separate the required figure, thereby significantly reducing the damage of the conductive film, the appearance plan view of the capacitive sensing structure And improve the uniformity of the transmittance, to improve the ambiguity and ambiguity of the developing film of the display of the bottom of the touch plate, and also to divide the etching region of the conductive film into discontinuous small area unit by using the etching line installation It is therefore an object of the present invention to provide a kind of improved capacitive touch sensor structure that lowers the noise of the capacitive value.

상기 과제를 달성하기 위한 본 고안은, 일종의 정전 용량식 터치 감지기 구조로서, 제 1축 감지층, 제 1 기판의 주표면상에 형성되어 있고, 상기 제 1 축 감지층상에는 식각선이 소요되는 도형을 구분되며, 또한 상기 도형은 다수의 서로 평행 배열된 제 1 축 감지선 및 식각 구역을 구비하며, 또한 상기 각 제 1 축 감지선은 다수의 서로 상호 연결되어 있는 정전 용량 감응 유닛을 구비하고 있으며, 상기 식각 구역은 다수의 불연속적인 작은 면적의 유닛으로 분할된다.The present invention for achieving the above object is a kind of capacitive touch sensor structure, which is formed on the main surface of the first axis sensing layer, the first substrate, an etch line is required on the first axis sensing layer. Also, the figure has a plurality of first axis sensing lines and etching zones arranged in parallel with each other, and each of the first axis sensing lines has a plurality of capacitive sensitive units interconnected with each other. The etch zone is divided into a number of discrete small area units.

제 2축 감지층, 제 2 기판의 주표면상에 형성되어 있으며, 상기 제 2 축 감지층상에는 식각선이 소요되는 도형을 구분되며, 또한 상기 도형은 다수의 서로 평행 배열된 제 2 축 감지선 및 식각 구역을 구비하며, 상기 각 제 2 축 감지선은 다수의 서로 상호 연결되어 있는 정전 용량 감응 유닛을 구비하고 있으며, 상기 식각 구역은 다수의 불연속적인 작은 면적의 유닛으로 분할된다.A second axis sensing layer and a second axis sensing line formed on the main surface of the second substrate, the second axis sensing layer on the second axis sensing layer is divided, and the figure is a plurality of second axis sensing lines arranged in parallel with each other And an etching zone, each second axis sensing line having a plurality of interconnected capacitive sensitive units, wherein the etching zone is divided into a plurality of discrete small area units.

절연층, 상기 제 1 축 감지층과 상기 제 2 축 감지층 사이에는 상기 절연층이 접착되어 합쳐져서 투명판으로 이루어지고, 또한 상기 제 1 축 감지선과 상기 제 2 축 감지선은 직각 설치되며, 상기 제 1 축 감지선과 상기 제 2 축 감지선상의 각 정전용량감응유닛은 행렬 배열 설치되며, 상기 각 제 1 축 감지선과 상기 제 2 축 감지선의 일단에는 각각 상기 감지층의 가장 자리에 설치되어 있는 신호 도로와 연결되어 있으며, 이로써 정전 용량 감지 신호를 상기 신호 도로를 거쳐 후속 신호처리회로로 전송시킨다.The insulating layer is bonded between the insulating layer, the first axis sensing layer and the second axis sensing layer, and is formed of a transparent plate, and the first axis sensing line and the second axis sensing line are installed at right angles. Each capacitive sensing unit on the first axis sensing line and the second axis sensing line is arranged in a matrix, and one end of each of the first axis sensing line and the second axis sensing line is provided at the edge of the sensing layer, respectively. It is connected to the road, thereby transmitting the capacitance sensing signal via the signal road to subsequent signal processing circuits.

상기 제 1 축 감지층 및 상기 제 2 축 감지층은 양호한 도전 특성을 구비한 투명 도전 박막이고, 그 재료로 산화 인디움 주석, 산화 인디움 아연, 산화 인디움 알루미늄 혹은 에틸렌디옥시티오펜(PEDOT) 등 재료로 제작된 투명한 도전 박막이다.The first axis sensing layer and the second axis sensing layer are transparent conductive thin films having good conductive properties, and materials thereof include indium tin oxide, indium zinc oxide, indium aluminum oxide, or ethylenedioxythiophene (PEDOT). It is a transparent conductive thin film made of a back material.

상기 절연층은 절연성을 가진 투명한 접착층이다.The insulating layer is an insulating transparent adhesive layer.

상기 식각선의 설치 깊이는 마침 상기 제 1 축 감지층 혹은 상기 제 2 축 감지층의 도전 필름을 완전히 절단시켜, 이로써 도전 필름으로 하여금 절연되는 2 개 부분으로 갈라지게 한다.The installation depth of the etch line finally cuts the conductive film of the first axis sensing layer or the second axis sensing layer completely, thereby causing the conductive film to split into two insulated portions.

상기 식각선은 대략 150㎛ 이하의 가로 폭을 구비한다.The etching line has a width of about 150 μm or less.

본 고안은, 투명 도전 필름에 정교한 식각선을 형성하여 소요되는 도형을 구분해 내어, 이로써 대폭적으로 도전 필름의 투각 부분을 감소시키고, 상기 정전 용량 감지 구조의 외관 평면도 및 투과율의 균일성을 향상시켜, 상기 터치판 저부의 디스 플레이의 현상막이 뚜렷하지 않고 모호한 현상을 개선 시킬 수 있다.The present invention separates the figures required by forming elaborate etching lines on the transparent conductive film, thereby significantly reducing the hollow portion of the conductive film, and improving the uniformity of the appearance planarity and transmittance of the capacitance sensing structure. In addition, the development film of the display on the bottom of the touch panel may not be clear and may improve the ambiguity.

도 1은 본 고안의 제 1 실시 예에 따른 부품 조합의 평면도;
도 2는 본 고안의 제 1 실시 예에 따른 부품 조합의 측면 단면도;
도 3은 본 고안의 제 1 실시 예에 따른 아래 기판의 평면도;
도 4는 도 3에 표시된 A 부분의 확대 도면;
도 5는 도 4에 표시된 C-C 선의 측면 단면도;
도 6은 도 4에 표시된 D-D 선의 측면 단면도;
도 7은 본 고안의 제 1 실시 예에 따른 상면 판의 평면도;
도 8은 본 고안의 제 2 실시 예에 따른 아래 기판의 평면도;
도 9는 본 고안의 제 2 실시 예에 따른 상면 판의 평면도;
도 10은 본 고안의 제 2 실시 예에 따른 부품 조합의 평면도;
도 11은 본 고안의 제 2 실시 예에 따른 부품 조합의 측면 단면도.
1 is a plan view of a component combination according to a first embodiment of the present invention;
2 is a side cross-sectional view of a component combination according to a first embodiment of the present invention;
3 is a plan view of a lower substrate according to the first embodiment of the present invention;
4 is an enlarged view of a portion A shown in FIG. 3;
5 is a side cross-sectional view of the line CC shown in FIG. 4;
6 is a side cross-sectional view of the DD line shown in FIG. 4;
7 is a plan view of a top plate according to a first embodiment of the present invention;
8 is a plan view of a lower substrate according to a second embodiment of the present invention;
9 is a plan view of a top plate according to a second embodiment of the present invention;
10 is a plan view of a component combination according to a second embodiment of the present invention;
11 is a side cross-sectional view of a component combination according to a second embodiment of the present invention.

도 1, 2와 같이 본 고안의 한 바람직한 실시 예에 따르면, 상기 정전 용량식 터치 감지기 구조는, 아래 기판(1)과 상 면판(2)을 포함하며, 상기 아래 기판(1) 및 상 면판(2)의 표면 상에는 각각 정전 용량 감응층(12, 22)이 설치되어 있으며, 아울러 아교층(3)을 이용하여 두판을 합쳐 접착되어 투명판으로 이루어진다.1 and 2, the capacitive touch sensor structure includes a lower substrate 1 and an upper plate 2, and the lower substrate 1 and the upper plate ( On the surface of 2), the capacitive sensitive layers 12 and 22 are provided, respectively, and the two plates are bonded together using the glue layer 3 to be bonded to each other to form a transparent plate.

그 중 상기 아래 기판(1) 및 상면판(2)은 투과율이 높은 재질이며, 또한 평면식 혹은 비평면식 박판일 수 있으며, 재료는 유리 박판 혹은 기타 각종 가요식 박판이 채택되어지는데, 예를 들면 폴리카보네이트(PC), 페트(PET), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA) 혹은 사이클로 올레핀 공중합체(COC) 등이 있다. 하지만 실시되는 재료의 범위는 상기 서술된 재료들에만 국한되는 것이 아니라, 각종 연성 혹은 경성 박판 모두가 사용 될 수 있다.Among them, the lower substrate 1 and the upper plate 2 are materials having high transmittance, and may be flat or non-planar thin plates, and the material is glass thin plates or other flexible thin plates, for example, poly Carbonate (PC), PET (PET), polymethyl methacrylate (PMMA) or cyclo olefin copolymer (COC). However, the scope of the material to be implemented is not limited to the above-described materials, all of a variety of flexible or rigid thin plates can be used.

상기 아교층(3)은 절연 특성을 구비한 투명 UV 접착제, OCA 접착제 혹은 IR 접착제를 골라 쓸 수 있다.The glue layer 3 may use a transparent UV adhesive, an OCA adhesive or an IR adhesive having insulating properties.

도 3 내지 도 5에서 도시하듯이, 상기 아래 기판(1)의 윗 표면에는 하부 감지층(12)이 설치되어 있으며, 하부 감지층(12)은 산화 인디움 주석 재질의 투명 도전 박막이며, 또한 식각공정을 이용하여 투명 도전 필름에 식각선(13)을 형성하여 소요되는 도형을 구분해 내는데, 상기 식각공정은 건식 식각공정을 채택할 수 있는바, 예를 들어 레이져 식각, 플라즈마 식각 등이다.3 to 5, a lower sensing layer 12 is provided on an upper surface of the lower substrate 1, and the lower sensing layer 12 is a transparent conductive thin film made of indium tin oxide. The etching process is performed to form the etching lines 13 on the transparent conductive film to distinguish the required figures. The etching process may employ a dry etching process, for example, laser etching, plasma etching, or the like.

또한, 습식 식각 공정을 채택할 수 있는바, 예를 들어 인쇄 식각, 황광 식각, 분묵 식각 등의 기술 수단이 사용될 수 있다.In addition, a wet etching process may be adopted, for example, a technical means such as printing etching, yellow etching, ink etching, or the like may be used.

상기 투명 도전 필름상의 도형은 다수의 서로 평행 배열된 X축 감지선(121) 및 식각 구역(122)을 포함하며, 각 X축 감지선(121)은 여러 개가 서로 연결되어 있으며 마름모 형태로 나타나는 정전용량감응유닛(121a)이 구비되고 있으며, 또한 상기 각 X축선(121)의 한끝에는 각각 상기 아래 기판(1)의 가장 자리에 설치되어 있는 신호 도선(14)과 연결되어 있으며, 또한 상기 식각 구역(122)은 여러 개의 불연속적인 작은 면적의 유닛(122a)으로 분할된다. The figure on the transparent conductive film includes a plurality of X-axis sensing lines 121 and etching regions 122 arranged in parallel with each other, and each of the X-axis sensing lines 121 is connected to each other and is shown in a diamond shape. The capacitive sensitive unit 121a is provided, and at one end of each of the X-axis lines 121 is connected to the signal conductor 14 which is provided at the edge of the lower substrate 1, respectively, and the etch zone 122 is divided into several discrete small area units 122a.

이와 같이 도 7에서 도시하듯이, 상기 상 면판(2)의 아래 표면에는 상부 감지층(22)이 설치되어 있으며, 상부 감지층(22)은 산화 인디움 주석(ITO) 재질의 투명한 도전 박막이며, 또한 레이저 식각 공정을 이용하여 투명 도전 필름에 식각선(23)을 형성하여 소요되는 도형을 구분해 내며, 또한 상기 도형은 다수의 서로 평행 배열 되어 있는 Y축 감지선(221) 및 식각 구역(222)을 포함하며, 각 Y축 감지선(221)은 다수가 서로 연결되어 있으며 마름모 형태로 나타나는 정전용량감응유닛(221a)을 구비하고 있으며, 또한 상기 각 Y축 감지선(221)의 한끝에는 각각 상기 상 면판(2) 가장 자리에 설치되어 있는 신호 도선(24)와 연결되어 있으며, 또한 상기 식각 구역(222)은 여러 개의 불연속적인 작은 면적의 유닛(222a)으로 분할되며, 이 밖에도 상기 상 면판(2)의 아래 표면과 상기 상부 감지층(22) 사이에 인접한 바깥 주변 부위에는 금속 스퍼터링(Sputtering)으로 코팅된 컬러 프레임(21)이 설치되어 있는데, 그것은 바로 상 면판(2)과 아래 기판(1)의 가장 자리의 있는 신호 도선(14, 24)을 가리는 데 사용된다.As shown in FIG. 7, the upper sensing layer 22 is provided on the lower surface of the upper plate 2, and the upper sensing layer 22 is a transparent conductive thin film made of indium tin oxide (ITO). In addition, by using the laser etching process to form the etching line 23 on the transparent conductive film to distinguish the required figure, the figure is also the Y-axis detection line 221 and the etching zone ( 222, each of the Y-axis sensing lines 221 includes a capacitive sensitive unit 221a, a plurality of which are connected to each other and appearing in a rhombus shape, and at one end of each of the Y-axis sensing lines 221. The etch zone 222 is divided into several discrete small area units 222a, each of which is connected to a signal conductor 24 installed at an edge of the upper face plate 2. The lower surface of the face plate 2 and the In the outer peripheral area adjacent between the upper sensing layers 22, a color frame 21 coated with metal sputtering is installed, which is the edge of the upper plate 2 and the lower substrate 1 at the edge of the signal. It is used to screen the conductors 14 and 24.

도 5에 도시하듯이, 상기 식각선(13, 23)은 대략 150㎛ 이하로 나타나는 가로 폭을 가지며, 또한 설치 깊이는 마침 상기 투명 도전 필름을 완전히 절단시킬 수 있어, 도전 필름으로 하여금 절연되는 두개 부분으로 갈라지게 한다.As shown in FIG. 5, the etch lines 13 and 23 have a horizontal width of approximately 150 μm or less, and the installation depth can finally cut the transparent conductive film completely, thereby allowing the conductive film to be insulated from each other. Divide into parts.

조합 시, 상기 상부 감지층(22)과 하부 감지층(12)사이에는 상기 열도성의 아교층(3)이 접착되어 합쳐져서 투명판으로 이루어진다. 또한 Y축 감지선(221)과 X축 감지선(121)사이는 직각 설치되고, Y, X축 감지선상의 각 정전용량감응유닛(121a, 221a)은 행렬 배열로 설치되며, 또한 상부, 하부 감지층이 유발하는 감지 신호는 상기 신호 도선(14, 24)을 거쳐 후속 신호처리회로로 전송된다.In combination, the thermally sensitive glue layer 3 is bonded and combined between the upper sensing layer 22 and the lower sensing layer 12 to form a transparent plate. In addition, the Y-axis sensing line 221 and the X-axis sensing line 121 are installed at right angles, and each of the capacitive sensing units 121a and 221a on the Y and X-axis sensing lines is provided in a matrix arrangement. The sensing signal generated by the sensing layer is transmitted to the subsequent signal processing circuit via the signal conductors 14 and 24.

상술한 정전 용량식 터치 감지기 구조는, X축선(121)과 신호 도선(14) 사이에 하나의 동등한 정전 용량이 형성되어 있을 수 있고, Y축선(122)과 신호 도선(24) 사이에도 역시 하나의 동등한 정전 용량이 형성되어 있을 수 있어, 손가락 및 도체로 터치 혹은 터치판 표면을 터치 시, 신호처리회로는 정전 용량의 변화로부터, 도체 혹은 손가락의 터치 위치를 판단해낸다.In the capacitive touch sensor structure described above, one equivalent capacitance may be formed between the X-axis line 121 and the signal lead line 14, and one of the capacitive touch sensor structures may also be formed between the Y-axis line 122 and the signal lead line 24. An equivalent capacitance of may be formed, so that when the touch or the touch plate surface is touched by the finger and the conductor, the signal processing circuit determines the touch position of the conductor or the finger from the change in capacitance.

도 8 내지 도 11과 같이 본 고안의 제 2 실시 예에 따르면, 전체 구조는 상기 제 1 실시 예와 같은데, 주요한 차이점은 하부 감지층(12')이 상기 아래 기판(1')의 하부 표면에 설치되어 있으며, 또한 아교층((3')을 이용하여 상 면판(2'), 상부 감지층(22')과 아래 기판(1'), 하부 감지층(12')을 겹쳐 접착하여 투명판(도 11에서 상세히 도시하고 있음)을 형성하고 있다는 것이다. According to the second embodiment of the present invention as shown in Figures 8 to 11, the overall structure is the same as the first embodiment, the main difference is that the lower sensing layer 12 'is formed on the lower surface of the lower substrate 1' The upper plate 2 ', the upper sensing layer 22', the lower substrate 1 ', and the lower sensing layer 12' are overlapped and bonded by using a glue layer (3 '). (Shown in detail in FIG. 11).

이 밖에도, 상기 상하부 감지층(22', 12')상에 형성된 도형의 사양은 다르며, 또한 상기 아래 기판(1') 아래면의 하부 감지층(12')의 식각선(13')이 구분해 놓은 도형은 다수의 상호 평행 배열된 X축 감지선(121') 및 식각 구역(122')을 포함하고, 각 X축 감지선(121')의 정전 용량 감응 유닛은 X축 방향으로 펼쳐진 직사각형의 면적으로 나타나며, 각 X축 감지선(121')의 한끝에는 각각 상기 아래 기판(1')의 가장 자리에 설치되어 있는 신호 도로(14')와 연결되어 있으며, 또한 상기 식각 구역(122')은 다수의 가늘고 긴 직사각형의 작은 면적의 유닛(122a')으로 분할된다.In addition, the specifications of the figures formed on the upper and lower sensing layers 22 'and 12' are different, and the etching lines 13 'of the lower sensing layer 12' on the lower surface of the lower substrate 1 'are divided. The figure includes a plurality of mutually parallel X-axis sensing lines 121 'and etching regions 122', and the capacitive sensitive units of each X-axis sensing line 121 'are rectangular in the X-axis direction. The X-axis sensing line 121 'is connected to a signal road 14' installed at the edge of the lower substrate 1 'at one end of each of the X-axis sensing lines 121', and is further connected to the etching area 122 '. ) Is divided into a plurality of elongated rectangular small area units 122a '.

상기 상 면판(2')의 아래 표면의 상부 감지층(22')의 식각선(23')으로 구분된 도형은 다수의 상호 평행 배열된 Y축 감지선(221') 및 식각 구역(222')을 포함하며, 각 Y축 감지선(221')의 정전 용량 감응 유닛은 Y축 방향으로 펼쳐진 직사각형의 면적으로 나타나며, 또한 각 Y축선 감지선(221')의 한끝에는 각 상기 상 면판(2') 의 가장 자리에 설치되어 있는 신호 도선(24')와 연결되어 있으며, 또한 상기 식각 구역(222')은 다수의 직사각형의 작은 면적의 유닛(222a')으로 분할된다.The figure divided by the etching line 23 'of the upper sensing layer 22' of the lower surface of the upper plate 2 'is formed of a plurality of mutually parallel Y-axis sensing lines 221' and an etching region 222 '. And the capacitive sensitive unit of each Y-axis sensing line 221 'is represented by a rectangular area extending in the Y-axis direction, and at each end of each Y-axis sensing line 221', the upper plate 2 It is connected to the signal lead 24 'installed at the edge of'), and the etching zone 222 'is divided into a plurality of rectangular small area units 222a'.

또한, 감지층상에 형성된 다른 도형 사양의 변경 설치는 상기 제 1 실시 예와 같거나 혹은 유사한 효과를 달성 할 수 있어, 기타 상기 제 1 실시 예와 통일된 부분은 설명을 생략하기로 한다.In addition, the change installation of another figure specification formed on the sensing layer may achieve the same or similar effect as that of the first embodiment, and the description of parts other than the first embodiment will be omitted.

Claims (5)

제 1축 감지층, 제 1 기판의 주표면상에 형성되어 있고, 상기 제 1 축 감지층상에는 식각선이 소요되는 도형을 구분해 내며, 상기 도형은 다수의 서로 평행 배열된 제 1 축 감지선 및 제 1 식각 구역을 구비하며, 상기 각 제 1 축 감지선은 다수의 서로 상호 연결되어 있는 정전 용량 감응 유닛을 구비하고 있으며, 상기 제 1 식각 구역은 다수의 불연속적인 작은 면적의 유닛으로 분할되며;
제 2축 감지층, 제 2 기판의 주표면상에 형성되어 있으며, 상기 제 2 축 감지층상에는 식각선이 소요되는 도형을 구분해 내며, 상기 도형은 다수의 서로 평행 배열된 제 2 축 감지선 및 제 2 식각 구역을 구비하며, 상기 각 제 2 축 감지선은 다수의 서로 상호 연결되어 있는 정전 용량 감응 유닛을 구비하고 있으며, 또한 상기 제 2 식각 구역은 다수의 불연속적인 작은 면적의 유닛으로 분할되며;
절연층, 상기 제 1 축 감지층과 상기 제 2 축 감지층 사이에는 상기 절연층이 접착되어 합쳐져서 투명판으로 이루어지고, 상기 제 1 축 감지선과 상기 제 2 축 감지선은 직각 설치되며, 상기 제 1 축 감지선과 상기 제 2 축 감지선상의 각 정전용량감응유닛은 행렬 배열 설치되며, 또한 상기 각 제 1 축 감지선과 상기 제 2 축 감지선의 한끝에는 각각 상기 감지층의 가장 자리에 설치되어 있는 신호 도선과 연결되어 있으며, 이로써 정전 용량 감지 신호를 상기 신호 도선을 거쳐 후속 신호처리회로로 전송시키는 것을 특징으로 하는 일종의 정전 용량식 터치 감지기 구조.
A first axis sensing layer formed on a main surface of the first substrate, and on the first axis sensing layer, a figure requiring an etch line is distinguished from the first axis sensing line, wherein the figures are arranged in parallel with each other; And a first etching zone, each first axis sensing line having a plurality of interconnected capacitive sensitive units, wherein the first etching zone is divided into a plurality of discrete small area units. ;
A second axis sensing layer formed on the main surface of the second substrate, and on the second axis sensing layer a figure requiring an etch line is distinguished, and the figure is a plurality of second axis sensing lines arranged in parallel with each other. And a second etching zone, each second axis sensing line having a plurality of interconnected capacitive sensitive units, wherein the second etching zone is divided into a plurality of discrete small area units. Become;
The insulating layer is bonded between the insulating layer, the first axis sensing layer and the second axis sensing layer, and is formed of a transparent plate, wherein the first axis sensing line and the second axis sensing line are installed at right angles, Each capacitive sensing unit on one axis sensing line and the second axis sensing line is arranged in a matrix, and at each end of each of the first axis sensing line and the second axis sensing line, a signal is provided at the edge of the sensing layer. A capacitive touch sensor structure, which is connected to a lead, thereby transmitting a capacitive sensing signal through the signal lead to a subsequent signal processing circuit.
제 1항에 있어서,
상기 제 1 축 감지층 및 상기 제 2 축 감지층은 양호한 도전 특성을 구비한 투명 도전 박막이고, 그 재료로 산화 인디움 주석, 산화 인디움 아연, 산화 인디움 알루미늄 혹은 에틸렌디옥시티오펜(PEDOT) 등 재료로 제작된 투명한 도전 박막인 것을 특징으로 하는 일종의 정전 용량식 터치 감지기 구조.
The method of claim 1,
The first axis sensing layer and the second axis sensing layer are transparent conductive thin films having good conductive properties, and materials thereof include indium tin oxide, indium zinc oxide, indium aluminum oxide, or ethylenedioxythiophene (PEDOT). A kind of capacitive touch sensor structure, characterized in that the transparent conductive thin film made of a material.
제 1항에 있어서,
상기 절연층은 절연성을 가진 투명한 접착층인 것을 특징으로 하는 일종의 정전 용량식 터치 감지기 구조.
The method of claim 1,
The insulating layer is a kind of capacitive touch sensor structure, characterized in that the insulating transparent adhesive layer.
제 1항에 있어서,
상기 식각선의 설치 깊이는 마침 상기 제 1 축 감지층 혹은 상기 제 2 축 감지층의 도전 필름을 완전히 절단시킴으로써 도전 필름으로 하여금 절연되는 2 개 부분으로 갈라지게 하는 것을 특징으로 하는 일종의 정전 용량식 터치 감지기 구조.
The method of claim 1,
The installation depth of the etch line is a kind of capacitive touch sensor, characterized in that the conductive film of the first axis sensing layer or the second axis sensing layer is completely cut to divide the conductive film into two insulated portions. rescue.
제 1항에 있어서,
상기 식각선은 대략 150㎛ 이하의 가로 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 일종의 정전 용량식 터치 감지기 구조.
The method of claim 1,
The etching line is a kind of capacitive touch sensor structure, characterized in that having a horizontal width of less than about 150㎛.
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