KR20120003699A - 웨이퍼 클리닝 장치 - Google Patents
웨이퍼 클리닝 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120003699A KR20120003699A KR1020100064446A KR20100064446A KR20120003699A KR 20120003699 A KR20120003699 A KR 20120003699A KR 1020100064446 A KR1020100064446 A KR 1020100064446A KR 20100064446 A KR20100064446 A KR 20100064446A KR 20120003699 A KR20120003699 A KR 20120003699A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafers
- wafer
- bubble
- cleaning
- spraying
- Prior art date
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 79
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 116
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000011449 brick Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 15
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 9
- 239000002101 nanobubble Substances 0.000 claims description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- -1 that is Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 실리콘 브릭(Brick)이 슬라이스 형태로 커팅된 실리콘 웨이퍼를 세정하는 웨이퍼 클리닝 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 일례는 실리콘 브릭이 슬라이스 형태로 커팅된 복수 개의 웨이퍼를 이동하거나 고정하는 빔지그(Beam jig); 빔지그의 하부에 고정 배치되며, 복수 개의 웨이퍼가 세로방향으로 배치되도록 복수 개의 웨이퍼 상부를 고정시키는 플레이트(Plate); 및 복수 개의 웨이퍼 양측면 또는 하부면 중 적어도 하나에 배치되어, 복수 개의 웨이퍼 각각의 절단면 사이로 기포 형태의 나노마이크로버블을 분사하는 버블분사부;를 포함한다.
본 발명에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 일례는 실리콘 브릭이 슬라이스 형태로 커팅된 복수 개의 웨이퍼를 이동하거나 고정하는 빔지그(Beam jig); 빔지그의 하부에 고정 배치되며, 복수 개의 웨이퍼가 세로방향으로 배치되도록 복수 개의 웨이퍼 상부를 고정시키는 플레이트(Plate); 및 복수 개의 웨이퍼 양측면 또는 하부면 중 적어도 하나에 배치되어, 복수 개의 웨이퍼 각각의 절단면 사이로 기포 형태의 나노마이크로버블을 분사하는 버블분사부;를 포함한다.
Description
본 발명은 실리콘 브릭(Brick)이 슬라이스 형태로 커팅된 실리콘 웨이퍼를 세정하는 웨이퍼 클리닝 장치에 관한 것이다.
최근 매년 수십% 정도에 이르는 태양전지의 수요 증가에 따라 태양전지용 다결정 실리콘 잉곳의 수요 역시 매년 큰 폭으로 증가하고 있다. 일반적으로 태양전지용 다결정 실리콘 잉곳은 원료 실리콘을 실리콘 덩어리로 파쇄하여 석영 또는 흑연 도가니(10)에 충진한 후 용융 및 방향성 응고과정을 통하여 제조된다.
이와 같은 다결정 실리콘 잉곳은 복수 개의 실리콘 브릭(Brick)으로 커팅되고, 이와 같이 커팅된 실리콘 브릭은 다시 실톱(Wire saw)으로 슬라이스 형태로 커팅되어 복수 개의 실리콘 웨이퍼가 생성된다.
이와 같은 태양전지용 다결정 실리콘 웨이터는 웨이퍼 표면 상부에 여러 가지 기능을 수행하는 박막을 증착하고 이를 패터닝하여 형성함으로써 제조하게 된다. 이러한 실리콘 웨이퍼를 제조하기 위한 단위공정은, 크게 실리콘 웨이퍼 내부로 3B족(예컨대, B) 또는 5B족(예컨대, P 또는 As)의 불순물 이온을 주입하는 불순물 이온주입 공정, 반도체 기판 상에 물질막을 형성하는 박막 증착(deposition)공정, 상기 물질막을 소정의 패턴으로 형성하는 식각 공정, 그리고 웨이퍼 상부에 층간절연막등을 증착한 후에 일괄적으로 웨이퍼 표면을 연마하여 단차를 없애는 평탄화(CMP:Chemical Mechanical Polishing) 공정을 비롯하여 불순물 제거를 위한 웨이퍼 및 챔버 세정 공정등과 같은 여러 단위 공정들로 구분할 수 있다.
따라서, 실리콘 웨이퍼를 제조하기 위해서는 상기와 같은 여러 단위 공정들을 선택적이고도 반복적으로 실시하게 되는데, 이러한 여러 단위 공정을 진행하는 과정에서 많은 오염물질들이 발생하게 된다. 따라서, 본 분야에서는 이러한 오염물질을 제거하기 위한 웨이퍼 세정 클리닝을 전(pre)/후(post) 공정에 수반하여 필수적으로 실시하고 있다.
이와 같은 웨이퍼 클리닝 공정은 통상적으로, 실리콘 브릭이 슬라이스 형태로 커팅된 복수 개의 웨이퍼를 한번에 세정액을 담고있는 세정 배스(Bath)에 담궈 세정 배스 내에서 복수 개의 웨이퍼에 의해 형성된 틈으로 초음파를 조사하여 세정하거나, 낱장으로 분리된 실리콘 웨이퍼를 이송 롤러를 통하여 이동시키면서, 실리콘 웨이퍼의 상부 또는 하부 측면에서 세정액을 발생시켜 웨이퍼를 세척하였다.
그러나, 복수 개의 웨이퍼를 세척 배스에 담궈 한번에 세척하는 경우 각각의 웨이퍼 틈 사이에는 연마제(Slurry)가 많이 포함되어 있어, 세척이 용이하지 않았고, 물 사용량이 많으며 세정력이 떨어지는 문제점이 있었다.
또한, 이송 롤러를 이용하여 낱장의 웨이퍼를 세척하는 경우에도 세정액만 이용하므로 세정력이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명은 실리콘 브릭(Brick)이 슬라이스 형태로 커팅된 실리콘 웨이퍼를 세정하는데 있어서, 세정력이 증가된 웨이퍼 클리닝 장치를 제공하는데 그 목정이 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 일례는 실리콘 브릭이 슬라이스 형태로 커팅된 복수 개의 웨이퍼를 이동하거나 고정하는 빔지그(Beam jig); 빔지그의 하부에 고정 배치되며, 복수 개의 웨이퍼가 세로방향으로 배치되도록 복수 개의 웨이퍼 상부를 고정시키는 플레이트(Plate); 및 복수 개의 웨이퍼 양측면 또는 하부면 중 적어도 하나에 배치되어, 복수 개의 웨이퍼 각각의 절단면 사이로 기포 형태의 나노마이크로버블을 분사하는 버블분사부;를 포함한다.
여기서, 나노마이크로버블의 직경은 복수 개의 웨이퍼 사이에 형성된 절단면 사이의 폭보다 작을 수 있다.
또한, 나노마이크로버블의 직경은 0.1um(마이크로미터) ~ 50um 사이가 되도록 할 수도 있다.
또한, 버블분사부는 복수 개의 웨이퍼 하부에서 복수 개의 웨이퍼 하부 절단면 사이로 나노마이크로버블을 분사하는 하부 버블분사부;를 포함할 수 있다.
또한, 버블분사부는 복수 개의 웨이퍼 양측면에서 복수 개의 웨이퍼 측면 절단면 사이로 나노마이크로버블을 분사하는 측면 버블분사부;를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 다른 일례는 슬라이스 형태로 커팅된 웨이퍼를 낱장으로 이동시키는 이송 롤러; 이송 롤러의 상부 또는 하부에서 웨이퍼를 세정하는 웨이퍼 세정액과 공기방울인 나노마이크로버블을 함께 분사하는 버블분사부;를 포함하고, 버블분사부가 분사하는 마이크로버블의 직경은 0.1um(마이크로미터) ~ 50um 사이가 된다.
여기서, 버블분사부는 세정액을 분사하는 제 1 노즐과 제 1 노즐의 내부에 배치되어 나노마이크로버블을 분사하는 제 2 노즐을 포함할 수 있다.
본 발명의 일례에 따른 웨이퍼 클리닝 장치는 웨이퍼의 세정시에 나노마이크로버블을 이용함으로써 웨이퍼의 세정력을 높이며 물사용량을 절감할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.
이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 클리팅 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 1의 (a)는 웨이퍼 클리닝 장치의 개략도를 측면에서 바라본 모습이고, (b)는 세정 배스(10)를 제외한 웨이퍼 클리닝 장치의 개략적인 사시도이다.
도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 클리닝 장치는 세정 배스(10), 빔지그(20), 플레이트(30), 및 버블분사부(50, 60)를 포함한다.
세정 배스(10)(Cleaning bath)에는 실리콘 브릭이 슬라이스 형태로 커팅된 복수 개의 실리콘 웨이퍼(70)를 세정하기 위한 세정액이 담겨있다.
빔지그(20)(Beam Jig)는 실리콘 브릭이 실톱(Wire Saw)에 의해 슬라이스 형태로 복수 개의 실리콘 웨이퍼(70)로 커팅되면, 복수 개의 실리콘 웨이퍼(70)를 세정하기 위해 세정 배스(10)로 복수 개의 실리콘 웨이퍼(70)를 이동하여 세정되는 동안에 위치를 고정시키는 기능을 한다.
플레이트(30)(Plate)는 빔지그(20)의 하부에 고정 배치되며, 상기 복수 개의 웨이퍼(70)가 세로방향으로 배치되도록 상기 복수 개의 웨이퍼(70) 상부를 고정시키는 기능을 한다.
이와 같은 플레이트(30)는 구체적으로 평판 형태로 빔지그(20)와 나란한 방향으로 배치되며, 빔지그(20)에 나사로 체결될 수도 있으며, 접착물질에 의해 본딩되어 빔지그(20)의 하부에 고정배치될 수 있다. 그리고 이와 같은 플레이트(30)의 하부에는 복수 개의 웨이퍼(70)를 세로방향으로 고정시키는 글래스가 배치될 수 있다. 이와 같은 글래스는 플레이트(30)의 하부에서 나사 체결로 플레이트(30)의 하부에 배치될 수 있으며, 복수 개의 실리콘 웨이퍼(70)는 슬라이스 형태로 절단된 일부 측면이 글래스에 접착 물질에 의해 세로로 고정 배치될 수 있는 것이다.
이와 같이 플레이트(30)의 하부에 배치되는 글래스와 복수 개의 실리콘 웨이퍼(70)가 빔지그(20)의 이동에 의하여 세정 배스(10)의 세정액에 담기게 되는 것이다.
이와 같이 함으로써, 플레이트(30)는 복수 개의 실리콘 웨이퍼(70)가 보다 용이하게 한꺼번에 세정되도록 세로 방향으로 배치할 수 있는 것이다.
버블분사부(50, 60)는 복수 개의 웨이퍼(70) 양측면 또는 하부면 중 적어도 하나에 배치되어, 상기 복수 개의 웨이퍼(70) 각각의 커팅된 면으로 기포 형태의 나노마이크로버블을 분사하는 기능을 한다.
이와 같은 버블분사부(50, 60)에서 분사되는 나노마이크로버블은 실리콘 웨이퍼(70)의 절단면에 붙어있는 슬러리(Slurry)를 보다 용이하게 제거할 수 있어 세정력을 증가시킬 뿐만 아니라, 나노마이크로버블로 인하여 세정 공정 중에 사용되는 물의 양도 줄일 수 있고, 세정 공정 이후 복수 개의 웨이퍼(70)가 낱장으로 보다 용이하게 분리되도록 하는 효과가 있다.
보다 구체적으로, 복수 개의 실리콘 웨이퍼(70)의 절단면은 실톱(Wire saw)에 의해 커팅(Cutting)되면서 그 과정중에 생긴 슬러리(Slurry), 즉 실리콘 가루의 장력에 의해 절단면이 서로 붙어 있게 된다.
이와 같은 경우, 단순히 세정액만으로는 슬러리가 웨이퍼(70)의 절단면으로부터 분리되기 어려울 뿐만 아니라, 세정 공정 중에 사용되는 물의 양이 많아지게 된다.
그러나, 본 발명과 같이 버블분사부(50, 60)를 통하여 웨이퍼(70)의 절단면 사이로 나노마이크로버블을 분사하게 되면, 나노마이크로버블은 복수 개의 실리콘 웨이퍼(70)의 절단면 사이로 들어가게 되고, 나노마이크로버블은 부력에 의해 세정액의 수면이나 실리콘 웨이퍼(70)와 글래스가 접착되는 지점까지 슬러리를 밀고 올라가면서 실리콘 웨이퍼(70) 절단면 사이의 슬러리를 제거할 수 있는 것이다.
이를 위해 나노마이크로버블의 직경은 복수 개의 웨이퍼(70) 사이에 형성된 절단면 사이의 폭보다 작을 수 있는 것이다. 일례로 실리콘 브릭을 슬라이스 형태로 커팅하는 실톱의 두께가 대략 120um인 경우, 실리콘 웨이퍼(70) 사이에 형성된 절단면 사이의 폭은 평균 대략 200um에서 형성될 수 있다. 이와 같은 경우 나노마이크로버블의 직경은 실톱의 두께인 120um보가 작게 형성될 수 있는 것이다.
또한, 나노마이크로버블의 직경을 더 작게 하여 버블분사부(50, 60)가 분사하는 나노마이크로버블의 직경이 수십 마이크로미터 이하, 일례로 0.1um(마이크로미터) ~ 50um 사이가 되도록 할 수도 있다. 이와 같이 나노마이크로버블의 직경이 수십 마이크로미터 이하가 되는 경우, 나노마이크로버블의 특성이 달라지게 된다.
보다 구체적으로, 나노마이크로버블의 직경이 수십 마이크로미터 이하가 되는 경우, 나노마이크로버블은 기포가 마이너스 전위를 띠게되어, 플러스 전위를 가지는 슬러리 같은 물질이 쉽게 버블에 부착되는 효과가 있다.
또한, 나노마이크로버블은 세정액의 수면까지 상승하지 않고, 느린 속도록 상승하다가 수중에서 소멸된다. 이때, 나노마이크로버블이 소멸되면서 대략 40KHz의 초음파가 발생하게 되며, 아울러 140dB의 높은 음압과 4000℃ ~ 6000℃의 순간적인 고열이 발생시켜 슬러리를 분해 정화작용을 하는 효과가 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 버블분사부(50, 60)는 미세 기포 형태의 나노마이크로버블을 발생시킴으로써 세정력을 증가시키며, 웨이퍼(70)의 절단면 사이에 존재하는 슬러리를 보다 용이하고 효과적으로 제거하는 효과가 있는 것이다.
이와 같은 버블분사부(50, 60)는 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 하부 버블분사부(60) 및 측면 버블분사부(50)를 포함할 수 있다.
하부 버블분사부(60)는 복수 개의 웨이퍼(70) 하부에서 상기 복수 개의 웨이퍼(70) 하부 절단면 사이로 상기 나노마이크로버블을 분사하고, 측면 버블분사부(50)는 복수 개의 웨이퍼(70) 양측면에서 상기 복수 개의 웨이퍼(70) 측면 절단면 사이로 상기 나노마이크로버블을 분사하게 된다.
이와 같이, 버블분사부(50, 60)를 측면 뿐만 아니라 하부에도 함께 설치하고, 한꺼번에 복수 개의 웨이퍼(70) 하부 및 측면 절단면 사이로 분사하도록 함으로써 웨이퍼(70) 세정 효과를 보다 강력하게 할 수 있는 것이다.
이와 같은 세정 공정이 끝나면, 빔지그(20)를 통해 복수 개의 웨이퍼(70)를 세정 배스(10)로부터 외부로 이동시켜, 플레이트(30) 하부에 고정된 글래스를 탈착한 이후, 60℃ ~ 70℃의 온도를 가하여 글래스로부터 복수 개의 웨이퍼(70)를 분리할 수 있는 것이다.
이와 같이, 웨이퍼 클리닝 장치에 나노마이크로버블을 이용하는 것은 다른 형태의 웨이퍼 클리닝 장치에도 이용될 수 있다.
예를 들어, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(70)를 낱장으로 세정하는 웨이퍼 클리닝 장치에도 적용될 수 있는 것이다.
보다 구체적으로 실리콘 웨이퍼(140)를 낱장으로 세정하는 웨이퍼 클리닝 장치는 세정챔버(100), 이송 롤러(110)및 버블분사부(120, 130)를 포함한다.
여기서, 세정챔버(100)는 실리콘 웨이퍼(140)를 낱장으로 세정하기 위한 공간을 제공하며, 이송 롤러는 세정챔버(100) 내에서 슬라이스 형태로 커팅된 웨이퍼(140)를 낱장으로 이동시키는 기능을 한다.
버블분사부(120, 130)는 상기 이송 롤러의 상부 및/또는 하부에 배치되어 상기 웨이퍼(140)를 세정하는 웨이퍼(140) 세정액과 공기방울인 나노마이크로버블을 함께 분사하는 기능을 한다. 여기서 나노마이크로버블의 직경은 0.1um(마이크로미터) ~ 50um 사이가 된다.
여기서, 버블분사부(120, 130)는 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이 세정액이 분사되는 노즐 내부에 나노마이크로버블이 분사되는 노즐을 형성할 수 있다. 이와 같이 노즐의 형태가 되도록 함으로써, 나노마이크로버블의 효과를 최대로 활용할 수 있는 것이다.
구체적으로 버블분사부(120, 130)는 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이 세정액을 분사하는 제 1 노즐(122)과 제 1 노즐(122) 내에 배치되어 나노마이크로버블이 분사되는 제 2 노즐(121)을 포함할 수 있다.
여기서, 제 2 노즐(121)의 직경 폭(d1)은 제 1 노즐(122)의 직경 폭(d2)보다 작게 형성되되, 0.1um(마이크로미터) ~ 50um 사이 의 나노마이크로버블이 분사되기에 적절하도록 50um이내로 형성될 수 있는 것이다.
이와 같이, 실리콘 웨이퍼(140)를 낱장으로 세정하는 경우에도, 도 1에서 전술한 바와 동일하게 낱장의 실리콘 웨이퍼(140)의 절단면에 존재하는 슬러리를 보다 효과적으로 제거할 수 있는 효과가 있는 것이다.
이와 같이, 실리콘 웨이퍼를 세정하는 다양한 형태의 웨이퍼 클리닝 장치에 나노마이크로버블을 이용하여 실리콘 웨이퍼를 세정할 수 있는 것이다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (7)
- 실리콘 브릭이 슬라이스 형태로 커팅된 복수 개의 웨이퍼를 이동하거나 고정하는 빔지그(Beam jig);
상기 빔지그의 하부에 고정 배치되며, 상기 복수 개의 웨이퍼가 세로방향으로 배치되도록 상기 복수 개의 웨이퍼 상부를 고정시키는 플레이트(Plate); 및
상기 복수 개의 웨이퍼 양측면 또는 하부면 중 적어도 하나에 배치되어, 상기 복수 개의 웨이퍼 각각의 절단면 사이로 기포 형태의 나노마이크로버블을 분사하는 버블분사부;
를 포함하는 웨이퍼 클리닝 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 나노마이크로버블의 직경은 상기 복수 개의 웨이퍼 사이에 형성된 절단면 사이의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 웨이퍼 클리닝 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 나노마이크로버블의 직경은 0.1um(마이크로미터) ~ 50um 사이인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 클리닝 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 버블분사부는 상기 복수 개의 웨이퍼 하부에서 상기 복수 개의 웨이퍼 하부 절단면 사이로 상기 나노마이크로버블을 분사하는 하부 버블분사부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 클리닝 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 버블분사부는 상기 복수 개의 웨이퍼 양측면에서 상기 복수 개의 웨이퍼 측면 절단면 사이로 상기 나노마이크로버블을 분사하는 측면 버블분사부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 클리닝 장치. - 슬라이스 형태로 커팅된 웨이퍼를 낱장으로 이동시키는 이송 롤러;
상기 이송 롤러의 상부 또는 하부에서 상기 웨이퍼를 세정하는 웨이퍼 세정액과 공기방울인 나노마이크로버블을 함께 분사하는 버블분사부;를 포함하고,
상기 버블분사부가 분사하는 상기 마이크로버블의 직경은 0.1um(마이크로미터) ~ 50um 사이인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 클리닝 장치. - 제 6 항에 있어서,
상기 버블분사부는 상기 세정액을 분사하는 제 1 노즐과 상기 제 1 노즐의 내부에 배치되어 상기 나노마이크로버블을 분사하는 제 2 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 클리닝 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100064446A KR20120003699A (ko) | 2010-07-05 | 2010-07-05 | 웨이퍼 클리닝 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100064446A KR20120003699A (ko) | 2010-07-05 | 2010-07-05 | 웨이퍼 클리닝 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120003699A true KR20120003699A (ko) | 2012-01-11 |
Family
ID=45610575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100064446A KR20120003699A (ko) | 2010-07-05 | 2010-07-05 | 웨이퍼 클리닝 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20120003699A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102907325A (zh) * | 2012-11-06 | 2013-02-06 | 广东第二师范学院 | 利用薄片培养技术生产所罗门姜黄和红艳郁金花卉苗的方法 |
| WO2013163352A1 (en) * | 2012-04-24 | 2013-10-31 | Advanced Wet Technologies Gmbh | Hyperbaric cnx for post-wafer-saw integrated clean, de-glue, and dry apparatus & process |
| KR20170018551A (ko) | 2015-08-10 | 2017-02-20 | 주식회사 네가트론 | 나노 버블 세정 장치 |
-
2010
- 2010-07-05 KR KR1020100064446A patent/KR20120003699A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013163352A1 (en) * | 2012-04-24 | 2013-10-31 | Advanced Wet Technologies Gmbh | Hyperbaric cnx for post-wafer-saw integrated clean, de-glue, and dry apparatus & process |
| CN102907325A (zh) * | 2012-11-06 | 2013-02-06 | 广东第二师范学院 | 利用薄片培养技术生产所罗门姜黄和红艳郁金花卉苗的方法 |
| KR20170018551A (ko) | 2015-08-10 | 2017-02-20 | 주식회사 네가트론 | 나노 버블 세정 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20080295860A1 (en) | Apparatus and Method for Cleaning of Objects, in Particular of Thin Discs | |
| TW200905745A (en) | Methodology for cleaning of surface metal contamination from electrode assemblies | |
| TW200932695A (en) | An apparatus for etching a glass wafer, and a glass sheet manufactured by the same | |
| JP2013004584A (ja) | 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置 | |
| CN103339738A (zh) | 太阳能电池用基板的制造方法和太阳能电池 | |
| KR20120003699A (ko) | 웨이퍼 클리닝 장치 | |
| TW201207928A (en) | Process and apparatus for texturizing a flat semiconductor substrate | |
| JP3192610B2 (ja) | 多孔質表面の洗浄方法、半導体表面の洗浄方法および半導体基体の製造方法 | |
| KR20120086873A (ko) | 웨이퍼 분리 장치 | |
| JP6166170B2 (ja) | 複合基板及びその製法 | |
| CN207952128U (zh) | 一种多线切硅片脱胶超声清洗装置 | |
| CN106733876B (zh) | 一种金刚线切割的晶体硅片的清洗方法 | |
| WO2012159710A2 (en) | Methods for the surface treatment of metal, metalloid and semiconductor solids | |
| KR20090026498A (ko) | 다이어몬드 전착 와이어 쏘우의 제조방법 | |
| JP2006278701A (ja) | 半導体ウェハの製造方法 | |
| US20220161390A1 (en) | Apparatus of cleaning a polishing pad and polishing device | |
| JP2002009033A (ja) | 半導体ウエハ用洗浄装置 | |
| JP2013241297A (ja) | ガラス板切断方法、ガラス板製品の製造方法及びガラス板切断装置 | |
| CN101347926B (zh) | 硅片背面干法喷砂制造吸杂源、消除硅抛光表面氧化雾的工艺方法 | |
| KR20110016101A (ko) | 글래스 기판의 가공 방법 | |
| KR20160128115A (ko) | 와이어 쏘 장치 | |
| CN105655248A (zh) | 一种非抛光单晶硅基器件光刻对准标记的碱腐蚀加工方法 | |
| CN104746127B (zh) | 用于电化学法制备多孔硅的双槽装置及制备多孔硅的方法 | |
| WO2009098042A1 (en) | Device for cleaning flat substrates | |
| KR101068114B1 (ko) | 유리기판 에칭장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |