KR20120000533A - Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method for using the same - Google Patents

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method for using the same Download PDF

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Abstract

PURPOSE: An active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, a resist film using the same, and a method for forming patterns are provided to improve the out gas performance in an exposing process, the line-edge-roughness, the pattern shape, the resolution, and the sensitivity of the composition. CONSTITUTION: An active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition includes a resin. The resin includes a first repeating unit and a second repeating unit. The first repeating unit includes an ionic structure part which generates an acid anion to the side chain of the resin by being decomposed based on irradiation by an active ray or radiation. The second repeating unit is represented by chemical formula I. The cation of the ionic structure part is diaryliodium cation which is represented by chemical formula A1. A resist film is formed based on the composition.

Description

감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 그것을 이용한 레지스트막과 패턴 형성 방법{ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND RESIST FILM AND PATTERN FORMING METHOD FOR USING THE SAME}ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND RESIST FILM AND PATTERN FORMING METHOD FOR USING THE SAME}

본 발명은 초LSI나 고용량 마이크로칩의 제조 등의 초마이크로리소그래피 프로세스나 그 밖의 포토퍼블리케이션 프로세스에 바람직하게 사용되는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 그것을 이용한 레지스트막 및 패턴 형성 방법에 관한 것이다.The present invention is directed to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, which is preferably used for ultra-microlithography processes such as the production of ultra-LSI and high-capacity microchips, and other photopublishing processes, and a resist film and pattern forming method using the same. It is about.

종래, IC나 LSI 등의 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는 포토레지스트 조성물을 사용한 리소그래피에 의한 미세 가공이 행해지고 있다. 최근, 집적 회로의 고집적화에 따라 서브미크론 영역이나 쿼터미크론 영역의 초미세 패턴 형성이 요구되어져 오고 있다. 그것에 따라 노광 파장도 g선으로부터 i선으로, 또한 KrF 엑시머 레이저광으로라는 바와 같이 단파장화의 경향이 보여진다. 또한, 현재에서는 엑시머 레이저광 이외에도 전자선이나 X선, 또는 EUV광을 사용한 리소그래피도 개발이 진행되고 있다.Conventionally, in the manufacturing process of semiconductor devices, such as IC and LSI, the microprocessing by the lithography using a photoresist composition is performed. In recent years, as the integration of integrated circuits has increased, there has been a demand for the formation of ultrafine patterns in the submicron region or the quarter micron region. As a result, a tendency of shortening wavelength is seen as the exposure wavelength is also from g line to i line and KrF excimer laser light. In addition, lithography using electron beams, X-rays, or EUV light is being developed in addition to the excimer laser light.

특히 전자선 리소그래피는 차세대 또는 차차세대의 패턴 형성 기술로서 위치부여되어 고감도, 고해상성의 포지티브형 레지스트가 요망되고 있다. 특히 웨이퍼 처리 시간의 단축화를 인해 고감도화는 매우 중요한 과제이지만, 전자선용 포지티브형 레지스트에 있어서는 고감도화를 추구하고자 하면 해상력의 저하 뿐만 아니라, 라인 에지 러프니스의 악화가 일어나서 이들의 특성을 동시에 만족하는 레지스트의 개발이 강하게 요망되고 있다. 여기에서, 라인 에지 러프니스란 레지스트의 패턴과 기판 계면의 에지가 레지스트의 특성에 기인해서 라인 방향과 수직인 방향으로 불규칙하게 변동하므로 패턴을 바로 위에서 보았을 때에 에지가 요철로 보이는 것을 말한다. 이 요철이 레지스트를 마스크로 하는 에칭 공정에 의해 전사되어 전기 특성을 열화시키므로 수율을 저하시킨다. 특히 0.25㎛ 이하의 초미세 영역에서는 라인 에지 러프니스는 매우 중요한 개량 과제로 되어 있다. 고감도와, 고해상성, 양호한 패턴 형상, 양호한 라인 에지 러프니스는 트레이드 오프의 관계에 있고, 이것을 어떻게 동시에 만족시키는가가 매우 중요하다.In particular, electron beam lithography is positioned as a next-generation or next-generation pattern formation technique, and a high sensitivity and high resolution positive resist is desired. In particular, high sensitivity is a very important issue due to shortening of wafer processing time. However, in the case of positive resists for electron beams, if the high sensitivity is pursued, not only the resolution is lowered but also the line edge roughness is deteriorated to satisfy these characteristics simultaneously. The development of resists is strongly desired. Here, the line edge roughness means that the edges of the pattern and substrate interface of the resist fluctuate irregularly in the direction perpendicular to the line direction due to the characteristics of the resist, so that the edges appear uneven when viewed from above. This unevenness is transferred by an etching process using the resist as a mask, thereby deteriorating electrical characteristics, thereby lowering the yield. In particular, in the ultrafine region of 0.25 µm or less, line edge roughness is a very important improvement problem. High sensitivity, high resolution, good pattern shape, and good line edge roughness are in a trade-off relationship, and how to simultaneously satisfy this is very important.

또한, X선이나 EUV광을 사용하는 리소그래피에 있어서도 마찬가지로 고감도와, 고해상성, 양호한 패턴 형상, 양호한 라인 에지 러프니스를 동시에 만족시키는 것이 중요한 과제로 되어 있어 이들의 해결이 필요하다.Similarly, in lithography using X-rays or EUV light, it is important to simultaneously satisfy high sensitivity, high resolution, good pattern shape, and good line edge roughness, and these solutions are required.

또한, EUV광을 광원으로 하는 경우 광의 파장이 극자외 영역에 속하고, 고에너지를 가지므로 종래의 광원과 달리 레지스트막 중의 화합물이 프래그먼테이션(fragmentation)에 의해 파괴되어 노광 중에 저분자 성분으로서 휘발해서 노광기 내의 환경을 오염시킨다는 아웃 가스의 문제가 현저해진다.In addition, when EUV light is used as a light source, since the wavelength of the light belongs to the extreme ultraviolet region and has a high energy, unlike the conventional light source, the compound in the resist film is destroyed by fragmentation and is exposed as a low molecular weight component during exposure. The problem of outgas that volatilizes and pollutes the environment in the exposure machine becomes remarkable.

이러한 문제를 해결하는 하나의 방법으로서 폴리머 주쇄, 또는 측쇄에 광산 발생제를 갖는 수지의 사용이 검토되어 있다(특허문헌 1∼8). As one method of solving such a problem, use of resin which has a photoacid generator in a polymer main chain or a side chain is examined (patent documents 1-8).

예를 들면, 특허문헌 1에는 요오드늄 양이온을 갖는 광산 발생제 함유 수지가 개시되어 있다.For example, Patent Document 1 discloses a photoacid generator-containing resin having an iodonium cation.

또한, 특허문헌 2∼8에는 광산 발생기 및 산분해에 의해 알칼리 현상액에의 용해성이 증대되는 기를 동일 분자 내에 갖는 수지가 개시되어 있다.Further, Patent Documents 2 to 8 disclose resins having a photoacid generator and a group in which the solubility in an alkaline developer is increased by the acid decomposition in the same molecule.

일본 특허 공개 평 9-325497호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 9-325497 일본 특허 공개 평 10-221852호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 10-221852 일본 특허 공개 2006-178317호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2006-178317 일본 특허 공개 2007-197718호 공보Japanese Patent Publication No. 2007-197718 국제 공개 제06/121096호International Publication No. 06/121096 미국 특허 출원 공개 제2006/121390호 명세서US Patent Application Publication No. 2006/121390 일본 특허 공개 2009-93137호 공보Japanese Patent Publication No. 2009-93137 일본 특허 공개 2010-85971호 공보Japanese Patent Publication No. 2010-85971

그러나, 특허문헌 1의 요오드늄 양이온을 갖는 광산 발생제 함유 수지는 화학적 또는 열적으로 안정된 수지구조가 아니며, 이러한 수지를 사용해서 얻어지는 레지스트 조성물의 경시 안정성은 불충분한 것이었다. 또한, 특허문헌 1의 기술은 광산 발생제를 갖는 수지와 산분해에 의해 알칼리 현상액에의 용해성이 증대되는 용해 저지 화합물의 혼합계이기 때문에 이들 소재의 불균일 혼합성에 기인해서 양호한 패턴 형상이나 라인 에지 러프니스를 얻는 것이 곤란했다.However, the photoacid generator-containing resin having the iodonium cation of Patent Document 1 is not a chemically or thermally stable resin structure, and the stability over time of the resist composition obtained using such a resin is insufficient. In addition, since the technique of patent document 1 is a mixed system of resin which has a photo-acid generator, and the dissolution prevention compound which the solubility to alkaline developing solution increases by acid decomposition, favorable pattern shape and line edge roughness are attributable to the heterogeneous mixing property of these materials. It was difficult to get nice.

또한, 특허문헌 2∼6에서는 광산 발생기 및 산분해에 의해 알칼리 현상액에의 용해성이 증대되는 기를 동일 분자 내에 갖는 수지가 개시되어 있지만, 특히 전자선, X선 또는 EUV광에 대한 감도에 대해서 충분하다고는 하기 어려웠다.In addition, Patent Documents 2 to 6 disclose resins having a photoacid generator and a group in which the solubility in an alkaline developer is increased by acid decomposition in the same molecule, but are particularly sufficient for sensitivity to electron beams, X-rays, or EUV light. It was hard to do.

특허문헌 1∼8에 기재된 기술과 같이, 상기 산 발생제에 대응하는 산 발생 부위가 수지에 포함되어 있으면 산 발생제와 수지의 혼화성이 불충분한 것이나, 노광에 의해 산 발생제로부터 발생된 산이 의도하지 않은 영역(미노광부 등)에까지 확산되는 것 등에 의해 해상성이 손상된다는 문제는 저감되는 경향으로 된다. 또한, 저분자의 산 발생제가 존재하지 않음으로써 예를 들면 EUV광이 조사된 경우에 있어서도 저분자 성분으로부터 유래되는 아웃 가스의 발생이 보다 저감되는 경향으로 된다. 그러나, 전자선, X선 또는 EUV광 리소그래피에 있어서 해상성이나 아웃 가스 특성에 관해서 새로운 개량이 요구되어지고 있는 것에 추가해서 동시에 감도, 라인 에지 러프니스, 패턴 형상 및 경시 안정성, 및 용액으로서의 보존 안정성에 대해서도 더욱 양호한 성능이 요구되어지고 있는 것이 실상이다.As in the techniques described in Patent Literatures 1 to 8, when the acid generating site corresponding to the acid generator is contained in the resin, the miscibility of the acid generator and the resin is insufficient, or the acid generated from the acid generator by exposure. The problem that the resolution is impaired due to diffusion to an unintended area (unexposed part or the like) tends to be reduced. In addition, since there is no acid generator of low molecular weight, even if it is irradiated with EUV light, the generation of the outgas derived from a low molecular weight component will become more reduced. However, in addition to requiring new improvements in resolution and outgas characteristics in electron beams, X-rays or EUV optical lithography, in addition to the sensitivity, line edge roughness, pattern shape and stability over time, and storage stability as a solution. Even better performance is actually required.

따라서, 본 발명의 목적은 특히 전자선, X선 또는 EUV광 리소그래피에 있어서, 고감도, 고해상성, 양호한 패턴 형상, 양호한 라인 에지 러프니스를 고차원으로 동시에 만족함과 아울러 노광시의 아웃 가스 성능, 및 경시 안정성이 충분히 양호하며, 용액으로서의 보존 안정성이 우수한 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 그것을 사용한 레지스트막 및 패턴 형성 방법을 제공하는 것에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to satisfy high sensitivity, high resolution, good pattern shape, and good line edge roughness at the same time in high dimensions, especially in electron beam, X-ray or EUV light lithography, as well as outgas performance and exposure stability at the time of exposure. This is sufficient to provide the actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition excellent in the storage stability as a solution, and the resist film and pattern formation method using the same.

상기 과제는 이하의 구성에 의해 달성되는 것을 발견했다.The said subject was discovered to be achieved by the following structures.

(1)활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 분해되어 수지의 측쇄에 산 음이온을 발생시키는 이온성 구조 부위를 구비한 반복단위(A)와 하기 일반식(I)로 나타내어지는 반복단위(C)를 갖는 수지(P)를 함유하는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물로서, 상기 이온성 구조 부위의 양이온은 하기 일반식(A1)로 나타내어지는 디아릴요오드늄 양이온인 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.(1) A repeating unit (A) having an ionic structure moiety that is decomposed by irradiation with active light or radiation to generate acid anions in the side chain of the resin, and a repeating unit (C) represented by the following general formula (I): An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing a resin (P) having, wherein the cation of the ionic structure moiety is a diaryliodonium cation represented by the following general formula (A1): Resin composition.

Figure pat00001
Figure pat00001

일반식(A1)에 있어서 Ar1은 (p+1)가의 방향환기를 나타내고, Ar2는 (q+1)가의 방향환기를 나타낸다.In General Formula (A1), Ar 1 represents a (p + 1) valent aromatic ring group, and Ar 2 represents a (q + 1) valent aromatic ring group.

L1 및 L2는 각각 독립적으로 단결합 또는 산소원자를 나타낸다. L 1 and L 2 each independently represent a single bond or an oxygen atom.

R11, R12, R13, R21, R22 및 R23은 각각 독립적으로 수소원자 또는 알킬기를 나타낸다. R11, R12 및 R13 중 적어도 2개가 결합하여 환을 형성해도 좋다. 또한, R21, R22 및 R23 중 적어도 2개가 결합하여 환을 형성해도 좋다. R 11 , R 12 , R 13 , R 21 , R 22 and R 23 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group. At least two of R 11 , R 12, and R 13 may combine to form a ring. In addition, at least two of R 21 , R 22, and R 23 may combine to form a ring.

p 및 q는 각각 0∼9의 정수를 나타내고, p+q≥2를 충족시킨다.p and q each represent an integer of 0 to 9 and satisfy p + q ≧ 2.

p≥2의 경우 복수의 (R11)(R12)(R13)CL1-로 나타내어지는 기는 서로 동일해도 달라도 좋다. In the case of p≥2, the groups represented by a plurality of (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ) CL 1 − may be the same or different.

q≥2의 경우 복수의 (R21)(R22)(R23)CL2-로 나타내어지는 기는 서로 동일해도 달라도 좋다.In the case of q≥2, the groups represented by a plurality of (R 21 ) (R 22 ) (R 23 ) CL 2 − may be the same or different.

단, 상기 일반식(A1)은 하기 일반식(A1-1)로 나타내어지는 경우 L1과 L2가 서로 동일하며, 또한 R11, R12, R13, R21, R22 및 R23 전부가 동일한 일은 없다.However, in the general formula (A1), when represented by the following general formula (A1-1), L 1 and L 2 are the same as each other, and R 11 , R 12 , R 13 , R 21 , R 22 and R 23 are all Is not the same thing.

Figure pat00002
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Figure pat00003
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일반식(I)에 있어서, R11', R12' 및 R13'은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 시클로알킬기, 할로겐원자, 시아노기 또는 알콕시카르보닐기를 나타낸다. 또한 R13'은 Ar1'과 결합해서 환을 형성하고 있어도 좋고, 그 경우의 R13'은 알킬렌기를 나타낸다. In Formula (I), R 11 ′, R 12 ′ and R 13 ′ each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. R 13 ′ may be bonded to Ar 1 ′ to form a ring, and R 13 ′ in that case represents an alkylene group.

X1은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다.X 1 represents a single bond or a divalent linking group.

Ar1'은 (n+1)가의 방향환기를 나타내고, R13'과 결합해서 환을 형성하는 경우에는 (n+2)가의 방향환기를 나타낸다.Ar 1 ′ represents a (n + 1) valent aromatic ring group, and when combined with R 13 ′ to form a ring, (n + 2) valent aromatic ring group.

n은 1∼4의 정수를 나타낸다.n represents the integer of 1-4.

(2)(1)에 있어서, 상기 일반식(A1)에 있어서 p가 1 이상의 정수이며, 또한 q가 1 이상의 정수인 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.(2) The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to (1), wherein in the general formula (A1), p is an integer of 1 or more, and q is an integer of 1 or more.

(3)(2)에 있어서, 상기 일반식(A1)에 있어서 p개의 (R11)(R12)(R13)CL1-로 나타내어지는 기 및 q개의 (R21)(R22)(R23)CL2-로 나타내어지는 기는 모두 동일한 기가 아닌 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.(3) In (2), in the general formula (A1), p groups represented by (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ) CL 1 − and q groups (R 21 ) (R 22 ) ( The groups represented by R 23 ) CL 2 − are not all the same group, but the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.

(4)(1)∼(3) 중 어느 하나에 있어서, 상기 일반식(A1)에 있어서 p와 q가 서로 다른 정수인 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.(4) The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of (1) to (3), wherein p and q are integers different from each other in General Formula (A1).

(5)(1)∼(4) 중 어느 하나에 있어서, 상기 일반식(A1)에 있어서 (R11)(R12)(R13)CL1-로 나타내어지는 기 및 (R21)(R22)(R23)CL2-로 나타내어지는 기는 각각 독립적으로 탄소수 1∼3의 알킬기를 나타내는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.(5) The group represented by (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ) CL 1 -in any of Formulas (A1) and (R 21 ) (R) in any one of (1) to (4). 22 ) An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition in which groups represented by (R 23 ) CL 2 -each independently represent an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.

(6)(1)∼(5) 중 어느 하나에 있어서, 상기 일반식(A1)에 있어서 (R11)(R12)(R13)CL1-로 나타내어지는 기 및 (R21)(R22)(R23)CL2-로 나타내어지는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 2개 이상의 기 중 적어도 1개는 방향족환 상의 요오드늄기에 대해서 오르토 위치에 위치하는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.(6) The group represented by (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ) CL 1 -in any of Formula (A1) and (R 21 ) (R) in any one of (1) to (5). 22 ) An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition in which at least one of two or more groups selected from the group consisting of groups represented by (R 23 ) CL 2 -is positioned at the ortho position with respect to the iodonium group on the aromatic ring.

(7)(1)∼(6) 중 어느 하나에 있어서, 상기 일반식(A1)에 있어서 p+q≥3을 충족시키는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.(7) The actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition in any one of (1)-(6) which satisfy | fills p + q≥3 in the said General formula (A1).

(8)(1)∼(7) 중 어느 하나에 있어서, 상기 일반식(A1)에 있어서 p+q≥4를 충족시키는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.(8) The actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition in any one of (1)-(7) which satisfy | fills p + q≥4 in the said General formula (A1).

(9)(1)∼(8) 중 어느 하나에 있어서, 상기 수지(P)는 산의 작용에 의해 분해되어 알칼리 가용성기를 발생시키는 반복단위(C)를 더 갖는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.(9) The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive ray according to any one of (1) to (8), wherein the resin (P) further has a repeating unit (C) which is decomposed by the action of an acid to generate an alkali-soluble group. Resin composition.

(10)(1)∼(9) 중 어느 하나에 있어서, 상기 반복단위(B)는 하기 일반식(V) 또는 (VI)으로 나타내어지는 반복단위인 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.(10) The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of (1) to (9), wherein the repeating unit (B) is a repeating unit represented by the following General Formula (V) or (VI).

Figure pat00004
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일반식(V) 중 R51, R52, R53은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 할로겐원자, 시아노기 또는 알콕시카르보닐기를 나타낸다. R52는 L5와 결합해서 환을 형성하고 있어도 좋고, 그 경우의 R52는 알킬렌기를 나타낸다.In formula (V), R 51 , R 52 and R 53 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. R 52 may be bonded to L 5 to form a ring, in which case R 52 represents an alkylene group.

L5는 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, R52와 환을 형성하는 경우에는 3가의 연결기를 나타낸다. L 5 represents a single bond or a divalent linking group, and in the case of forming a ring with R 52 , represents a trivalent linking group.

R54는 알킬기를 나타내고, R55 및 R56은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기 또는 1가의 방향환기를 나타낸다. R55 및 R56은 서로 결합해서 환을 형성해도 좋다. 단, R55와 R56이 동시에 수소원자인 일은 없다.R 54 represents an alkyl group, and R 55 and R 56 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group or a monovalent aromatic ring group. R 55 and R 56 may be bonded to each other to form a ring. However, R 55 and R 56 do not simultaneously represent a hydrogen atom.

일반식(VI) 중 R61, R62, R63은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 할로겐원자, 시아노기 또는 알콕시카르보닐기를 나타낸다. R62는 Ar6과 결합해서 환을 형성하고 있어도 좋고, 그 경우의 R62는 알킬렌기를 나타낸다.In General Formula (VI), R 61 , R 62 and R 63 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. R 62 may be bonded to Ar 6 to form a ring, in which case R 62 represents an alkylene group.

Ar6은 (n+1)가의 방향환기를 나타내고, R62와 결합해서 환을 형성하는 경우에는 (n+2)가의 방향환기를 나타낸다.Ar 6 represents a (n + 1) valent aromatic ring group, and when combined with R 62 to form a ring, (n + 2) valent aromatic ring group.

Y는 수소원자 또는 산의 작용에 의해 탈리되는 기를 나타내고, Y가 복수 존재하는 경우 복수의 Y는 같아도 달라도 좋다. 단, Y 중 적어도 1개는 산의 작용에 의해 탈리되는 기를 나타낸다. Y represents a group which is released by the action of a hydrogen atom or an acid, and when a plurality of Y are present, a plurality of Y may be the same or different. Provided that at least one of Y represents a group that is released by the action of an acid.

n은 1∼4의 정수를 나타낸다.n represents the integer of 1-4.

(11)(1)∼(10) 중 어느 하나에 있어서, 전자선, X선 또는 EUV광용인 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.(11) The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of (1) to (10), which is for electron beam, X-ray, or EUV light.

(12)(1)∼(11) 중 어느 하나에 기재된 감활성 광선성 또는 감방사선성 조성물을 사용해서 형성된 레지스트막.The resist film formed using the actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive composition in any one of (12) (1)-(11).

(13)(12)에 기재된 레지스트막을 노광, 현상하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.It has a process of exposing and developing the resist film of (13) (12), The pattern formation method characterized by the above-mentioned.

(14)(13)에 기재된 패턴 형성 방법을 포함하는 전자 디바이스의 제조 방법.The manufacturing method of an electronic device containing the pattern formation method as described in (14) (13).

(15)(14)에 기재된 전자 디바이스의 제조 방법에 의해 제조된 전자 디바이스.The electronic device manufactured by the manufacturing method of the electronic device as described in (15) (14).

본 발명은 또한 하기 구성인 것도 바람직하다.It is preferable that this invention is also the following structure.

(16)(1)∼(11) 중 어느 하나에 있어서, 상기 일반식(A1)에 있어서 L1 및 L2는 산소원자를 나타내는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.(16) The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to any one of (1) to (11), wherein L 1 and L 2 in the general formula (A1) represent an oxygen atom.

(17)(1)∼(11), (16) 중 어느 하나에 있어서, 상기 일반식(A1)에 있어서 Ar1 및 Ar2에 있어서의 전체 치환기의 요오드늄기에 대한 하멧값의 총합이 -0.5 이하인 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.(17) In any one of (1)-(11) and (16), the sum total of the Hammett values with respect to the iodonium group of all the substituents in Ar <1> and Ar <2> in the said General formula (A1) is -0.5 The actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition which is the following.

(18)(17)에 있어서, 상기 일반식(A1)에 있어서 Ar1 및 Ar2의 방향족환에 있어서의 전체 치환기의 요오드늄기에 대한 하멧값의 총합이 -0.8 이하인 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.(18) The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive radiation according to (17), wherein the sum of the Hammet values for the iodonium groups of all substituents in the aromatic rings of Ar 1 and Ar 2 in General Formula (A1) is -0.8 or less. Resin composition.

(19)(18)에 있어서, 상기 일반식(A1)에 있어서 Ar1 및 Ar2의 방향족환에 있어서의 전체 치환기의 요오드늄기에 대한 하멧값의 총합이 -1.0 이하인 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.(19) (18), The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive radiation in which the sum of Hammet values for the iodonium groups of all substituents in the aromatic rings of Ar 1 and Ar 2 in General Formula (A1) is -1.0 or less; Resin composition.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명에 의하면, 특히 전자선, X선 또는 EUV광 리소그래피에 있어서 고감도, 고해상성, 양호한 패턴 형상, 양호한 라인 에지 러프니스를 고차원으로 동시에 만족함과 아울러 노광시의 아웃 가스 성능 및 경시 안정성이 충분히 양호하여 용액으로서의 보존 안정성이 우수한 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 그것을 사용한 레지스트막과 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, particularly in electron beam, X-ray or EUV lithography, high sensitivity, high resolution, good pattern shape, and good line edge roughness are simultaneously satisfied in high dimensions, and the outgas performance during exposure and stability over time are sufficiently good. The actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition excellent in the storage stability as a solution, the resist film and the pattern formation method using the same can be provided.

이하, 본 발명에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

또한, 본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서 치환 및 무치환을 기재하지 않은 표기는 치환기를 갖지 않는 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면, 「알킬기」란 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기) 뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.In addition, in description of group (atom group) in this specification, the description which is not describing substitution and unsubstitution includes what has a substituent with the thing which does not have a substituent. For example, an "alkyl group" includes not only the alkyl group (unsubstituted alkyl group) which does not have a substituent but the alkyl group (substituted alkyl group) which has a substituent.

본 명세서 중에 있어서의 「활성 광선」또는 「방사선」이란 예를 들면, 수은등의 휘선 스펙트럼, 엑시머 레이저로 대표되는 원자외선, 극자외선(EUV광), X선, 연X선, 전자선 등을 나타낸다. 또한, 본 발명에 있어서 광이란 활성 광선 또는 방사선을 의미한다."Active light" or "radiation" in the present specification means, for example, a bright spectrum of mercury lamp, far ultraviolet rays represented by excimer laser, extreme ultraviolet light (EUV light), X-ray, soft X-ray, electron beam and the like. In addition, in this invention, light means actinic light or a radiation.

또한, 본 명세서 중에 있어서의 「노광」이란 특별히 기재하지 않는 않는 한, 수은등, 엑시머 레이저로 대표되는 원자외선, X선, EUV광 등에 의한 노광 뿐만 아니라, 전자선, 이온빔 등의 입자선에 의한 묘화도 노광에 포함시킨다.In addition, unless otherwise indicated, "exposure" in this specification is not only exposure to ultraviolet rays, X-rays, EUV light, etc. represented by a mercury lamp, an excimer laser, but also drawing by particle beams, such as an electron beam and an ion beam. Include in exposure.

본 발명의 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물은 이하에 설명하는 수지(P)를 함유하고 있다.The actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition of this invention contains resin (P) demonstrated below.

본 발명의 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 의하면, 고감도, 고해상성, 양호한 패턴 형상, 양호한 라인 에지 러프니스를 고차원으로 동시에 만족시킴과 아울러 노광시의 아웃 가스 성능 및 경시 안정성을 충분히 양호한 것으로 할 수 있고, 또한 용액으로서의 보존 안정성을 우수한 것으로 할 수 있다.According to the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention, high sensitivity, high resolution, good pattern shape, and good line edge roughness are satisfied simultaneously in high dimensions, and satisfactorily satisfactory outgas performance and time stability at the time of exposure. The storage stability as a solution can be made excellent.

본 발명의 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 사용함으로써 이온성 구조 부위에 있어서의 디아릴요오드늄 양이온의 구조가 특히 전자선, X선 또는 EUV광에 대하여 양호한 감도를 나타내기 쉽고(환언하면, 충분한 양의 산 음이온을 발생시키기 쉽고), 특히 전자선, X선 또는 EUV광에 의해 얻어지는 미세 패턴의 형성에 있어서 고해상성, 양호한 패턴 형상, 양호한 라인 에지 러프니스, 및 노광시의 아웃 가스 성능을 고차원으로 동시에 만족시키는 것에 기여한 것으로 추측된다.By using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention, the structure of the diaryliodonium cation in the ionic structure site is particularly easy to exhibit good sensitivity to electron beams, X-rays or EUV light (in other words, High acidity, good pattern shape, good line edge roughness, and outgas performance during exposure, particularly in the formation of fine patterns obtained by electron beams, X-rays or EUV light. It is guessed that it contributed to satisfying simultaneously in high dimension.

또한, 요오드늄 양이온을 갖는 산 발생제는 충분한 감도가 얻어졌다 해도 경시에서의 안정성이 불충분하여 사용이 곤란하지만, 상기 일반식(A1)로 나타내어지는 바와 같이 (R11)(R12)(R13)CL1-로 나타내어지는 기 및 (R21)(R22)(R23)CL2-로 나타내어지는 기로부터 선택되는 기가 디아릴요오드늄 양이온의 아릴환 상에 합계 2개 이상 도입됨으로써 분자량이 증대되어 노광시의 아웃 가스 성능이 보다 양호해짐과 아울러 경시에서의 물이나 구핵제 등에 의한 분해가 생기기 어려워져 경시 안정성이 향상된 것이라고 추측된다.In addition, the acid generator having an iodonium cation is difficult to use due to insufficient stability over time even if sufficient sensitivity is obtained, but as represented by the general formula (A1), (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ) The molecular weight of two or more groups selected from the group represented by CL 1 -and the group represented by (R 21 ) (R 22 ) (R 23 ) CL 2 -is introduced onto the aryl ring of the diaryliodonium cation. This increases the outgas performance at the time of exposure, and the decomposition with water, nucleophiles, etc. is difficult to occur over time, and it is estimated that stability with time is improved.

또한, 상기한 바와 같이, 일반식(A1)로 나타내어지는 디아릴요오드늄 양이온으로서 상기 일반식(A1-1)로 나타내어짐과 아울러 L1과 L2가 서로 동일하며, 또한 R11, R12, R13, R21, R22 및 R23 전체가 동일한 양이온은 제외되어 있으며, 이것에 의해 본 발명의 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물은 용액으로서의 보존 안정성이 우수한 것이라고 여겨진다.As described above, the diaryl iodonium cation represented by the general formula (A1) is represented by the general formula (A1-1), and L 1 and L 2 are the same as each other, and R 11 and R 12 are the same. The same cation as that of all of R 13 , R 21 , R 22 and R 23 is excluded, whereby the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention is considered to be excellent in storage stability as a solution.

그 이유는 완전히 명백하지는 않지만, 상기 제외된 일반식(A1-1)로 나타내어지는 화합물에 있어서는 디아릴요오드늄 양이온에 있어서의 아릴환 상의 (R11)(R12)(R13)CL1-로 나타내어지는 기, 및 (R21)(R22)(R23)CL2-로 나타내어지는 기가 요오드늄 양이온 분자의 대칭성을 증대시키는 경향이 있는 기임과 아울러, 또한 이러한 기가 요오드늄 양이온 분자의 대칭성을 보다 증대시키는 위치에서 아릴환에 결합하고 있는 것이라고 생각된다. 그 결과, 상기 제외된 일반식(A1-1)로 나타내어지는 화합물은 분자로서의 대칭성이 매우 높아 용제 중에서 결구 구조를 발생시키기 쉽기 때문에 레지스트 조성물 중의 고형분이 용제에 용해되지 않거나, 또는 일단 용해되어도 응고되거나 해서 용제에 대한 용해성에 지장이 생겨 용액으로서의 보존 안정성이 손상되는 것이라고 생각된다. 한편 본 발명의 디아릴요오드늄 양이온을 사용하면 상기와 같은 분자로서 대칭성이 높은 화합물을 제외하고 있기 때문에 분자의 대칭성이 낮고, 고형분의 용제 용해성이 높아져, 그 결과 보존 안정성이 우수한 것이라고 추측된다.The reason is not completely clear, but in the compound represented by the general formula (A1-1) excluded above, the (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ) CL 1 − in the aryl ring on the diaryl iodonium cation The groups represented by and the groups represented by (R 21 ) (R 22 ) (R 23 ) CL 2 -are groups which tend to increase the symmetry of the iodonium cation molecule, and these groups are also the symmetry of the iodonium cation molecule. It is thought that it is couple | bonded with the aryl ring in the position which increases more. As a result, the compound represented by the general formula (A1-1) exemplified above has a very high symmetry as a molecule and is likely to generate a nodule structure in the solvent, so that the solid content in the resist composition is not dissolved in the solvent or solidified once dissolved. Therefore, it is thought that the solubility to a solvent will interfere and the storage stability as a solution will be impaired. On the other hand, when the diaryl iodonium cation of the present invention is used, the compound having high symmetry is excluded as the molecule as described above, so that the symmetry of the molecule is low, the solvent solubility of the solid content is increased, and as a result, it is estimated that the storage stability is excellent.

본 발명에 의한 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물은 예를 들면 포지티브형의 조성물이며, 전형적으로는 포지티브형의 레지스트 조성물이다. 이하, 이 조성물의 구성을 설명한다.The actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition according to the present invention is, for example, a positive composition, and typically a positive resist composition. Hereinafter, the structure of this composition is demonstrated.

[1]수지(P)[1] resins (P)

감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물이 함유하는 수지(P)는 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 분해되어 수지의 측쇄에 산 음이온을 발생시키는 이온성 구조 부위를 구비한 반복단위(A)를 갖고 있다. 그리고, 이 이온성 구조 부위의 양이온은 나중에 상세하게 설명하는 일반식(A1)로 나타내어지는 디아릴요오드늄 양이온이다.Resin (P) contained in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprises a repeating unit (A) having an ionic structure moiety which is decomposed by irradiation of active light or radiation to generate acid anions in the side chain of the resin. Have And the cation of this ionic structure site | part is the diaryl iodonium cation represented by general formula (A1) demonstrated later in detail.

〔반복단위(A)〕[Repeat unit (A)]

반복단위(A)는 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 분해되어 수지의 측쇄에 산 음이온을 발생시키는 반복단위이며, 1형태에 있어서 적어도 상기 산 음이온의 카운터 양이온을 제외한 상기 측쇄에 방향환을 함유하는 반복단위인 것이 바람직하다.The repeating unit (A) is a repeating unit that is decomposed by irradiation of actinic rays or radiation to generate acid anions in the side chain of the resin, and in one embodiment contains an aromatic ring in the side chain except at least the counter cation of the acid anion. It is preferable that it is a repeating unit.

반복단위(A)는 보다 구체적으로는 일반식(I) 또는 일반식(II)로 나타내어지는 반복단위인 것이 바람직하다.It is preferable that a repeating unit (A) is a repeating unit more specifically represented by general formula (I) or general formula (II).

Figure pat00005
Figure pat00005

일반식(I)에 있어서, R11, R12, R13은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 할로겐원자, 시아노기 또는 알콕시카르보닐기를 나타낸다. In general formula (I), R <11> , R <12> , R <13> represents a hydrogen atom, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, a halogen atom, a cyano group, or an alkoxycarbonyl group each independently.

알킬기는 치환기를 갖고 있어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기이며, 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 좋은 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 도데실기 등 탄소수 20 이하의 알킬기를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 탄소수 8 이하의 알킬기, 특히 바람직하게는 탄소수 3 이하의 알킬기를 들 수 있다.The alkyl group is a linear or branched alkyl group which may have a substituent, and preferably a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl group or 2-ethyl which may have a substituent. C20 or less alkyl groups, such as a hexyl group, an octyl group, and a dodecyl group, are mentioned, More preferably, an alkyl group of 8 or less carbon atoms, Especially preferably, an alkyl group of 3 or less carbon atoms is mentioned.

알콕시카르보닐기에 포함되는 알킬기로서는 상기 R11, R12 및 R13에 있어서의 알킬기와 같은 것이 바람직하다.As an alkyl group contained in the alkoxycarbonyl group, the same thing as the alkyl group in said R <11> , R <12> and R <13> is preferable.

1가의 지방족 탄화수소환기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 단환형 또는 다환형의 지방족 탄화수소환기를 들 수 있다. 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 좋은 시클로프로필기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기와 같은 탄소수 3∼8개이며 단환형의 1가의 지방족 탄화수소환기를 들 수 있다.As monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, the monocyclic or polycyclic aliphatic hydrocarbon ring group which may have a substituent is mentioned. Preferably, a monocyclic monovalent aliphatic hydrocarbon ring group having 3 to 8 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group which may have a substituent is mentioned.

할로겐원자로서는 불소원자, 염소원자, 브롬원자 및 요오드원자를 들 수 있고, 불소원자가 특히 바람직하다.Examples of the halogen atom include fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom, with fluorine atom being particularly preferred.

상기 각 기에 있어서의 바람직한 치환기로서는 수산기, 할로겐원자(불소, 염소, 브롬, 요오드), 니트로기, 시아노기, 아미드기, 술폰아미드기, R11∼R13에서 열거한 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 히드록시에톡시기, 프로폭시기, 히드록시프로폭시기, 부톡시기 등의 알콕시기, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기 등의 알콕시카르보닐기, 포르밀기, 아세틸기, 벤조일기 등의 아실기, 아세톡시기, 부틸옥시기 등의 아실옥시기, 카르복시기를 들 수 있다. 특히, 수산기, 할로겐원자가 바람직하다.Examples of preferable substituent in each of the groups hydroxy, halogen atom (F, Cl, Br, I), an alkyl group, a methoxy group listed in a nitro group, a cyano group, an amide group, a sulfonamide group, R 11 ~R 13, ethoxy groups Alkoxy groups such as hydroxyethoxy groups, propoxy groups, hydroxypropoxy groups, butoxy groups, alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl groups and ethoxycarbonyl groups, acyl groups such as formyl groups, acetyl groups and benzoyl groups, ace Acyloxy groups, such as a oxy group and a butyloxy group, and a carboxy group are mentioned. In particular, a hydroxyl group and a halogen atom are preferable.

식(I)에 있어서의 R11, R12 및 R13으로서는 수소원자, 알킬기, 할로겐원자가 보다 바람직하고, 수소원자, 메틸기, 에틸기, 트리플루오로메틸기(-CF3), 히드록시메틸기(-CH2-OH), 클로로메틸기(-CH2-Cl), 불소원자(-F)가 특히 바람직하다.As R 11 , R 12 and R 13 in formula (I), a hydrogen atom, an alkyl group, and a halogen atom are more preferable, and a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a trifluoromethyl group (-CF 3 ), and a hydroxymethyl group (-CH 2 -OH), chloromethyl group (-CH 2 -Cl), fluorine atom (-F) is particularly preferred.

X11, X12, X13은 각각 독립적으로 단결합, -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기, 또는 이들을 조합한 기를 나타낸다.X 11 , X 12 and X 13 are each independently a single bond, -O-, -S-, -CO-, -SO 2- , -NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing nonaromatic Heterocyclic group or group which combined these is shown.

-NR-에 있어서, R에 의해 나타내어지는 알킬기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기이며, 상기 R11, R12, R13에 있어서의 알킬기와 동일한 구체예를 들 수 있다. R로서 수소원자, 메틸기, 에틸기가 특히 바람직하다.In -NR-, the alkyl group represented by R is a linear or branched alkyl group which may have a substituent, and the specific example similar to the alkyl group in said R <11> , R <12> , R <13> is mentioned. As R, a hydrogen atom, a methyl group and an ethyl group are particularly preferable.

또한, 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기는 적어도 1개의 질소원자를 갖는 바람직하게는 3∼8원의 비방향족 복소환기를 의미하고, 구체적으로는 예를 들면 하기 구조의 2가의 연결기를 들 수 있다.In addition, the divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group means preferably a 3 to 8 membered non-aromatic heterocyclic group having at least one nitrogen atom, and specific examples thereof include a divalent linking group having the following structure. .

Figure pat00006
Figure pat00006

X11이 단결합인 경우 R12는 Ar1과 환을 형성하고 있어도 좋고, 그 경우의 R12는 알킬렌기를 나타낸다. X11로서는 단결합, -COO-, -CONR-(R은 수소원자 또는 알킬기)이 보다 바람직하고, 단결합, -COO-가 특히 바람직하다.When X 11 is a single bond, R 12 may form a ring with Ar 1, and R 12 in that case represents an alkylene group. As X <11>, a single bond, -COO-, -CONR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group) is more preferable, A single bond and -COO- is especially preferable.

X12로서는 단결합, -O-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 및 이들을 조합한 기가 보다 바람직하고, 단결합, -OCO-, -OSO2-가 특히 바람직하다.A single bond as X 12, -O-, -CO-, -SO 2 -, -NR- more preferred group is a combination of (R is a hydrogen atom or an alkyl group), and these, and a single bond, -OCO-, -OSO 2 -Is particularly preferred.

X13으로서는 단결합, -O-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 및 이들을 조합한 기가 보다 바람직하고, 단결합, -OCO-, -OSO2-가 특히 바람직하다.A single bond as X 13, -O-, -CO-, -SO 2 -, -NR- more preferred group is a combination of (R is a hydrogen atom or an alkyl group), and these, and a single bond, -OCO-, -OSO 2 -Is particularly preferred.

L11은 단결합, 알킬렌기, 알케닐렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기, 2가의 방향환기, 또는 이들의 2 이상을 조합한 기를 나타낸다. 조합한 기에 있어서 조합되는 2 이상의 기는 같아도 달라도 좋고, 또한 연결기로서 -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기, 또는 이들을 조합한 기를 통해 연결되어 있어도 좋다.L 11 represents a single bond, an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a group combining two or more thereof. Two or more groups to be combined in the combined group may be the same or different, and as the linking group, -O-, -S-, -CO-, -SO 2- , -NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group) and a divalent nitrogen-containing ratio You may be connected through the aromatic heterocyclic group or the group which combined these.

L11에 있어서의 알킬렌기로서는 직쇄상이어도 분기상이어도 좋고, 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 헥실렌기, 옥틸렌기 등의 탄소수 1∼8개의 알킬렌기를 바람직한 예로서 들 수 있다. 탄소수 1∼6개의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소수 1∼4개의 알킬렌기가 특히 바람직하다.The alkylene group in L 11 may be linear or branched, and for example, a preferable alkyl group having 1 to 8 carbon atoms such as methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, hexylene group, octylene group, etc. It can be mentioned as. More preferably, a C1-C6 alkylene group is preferable, and a C1-C4 alkylene group is especially preferable.

알케닐렌기로서는 상기 L11에서 설명한 알킬렌기의 임의의 위치에 이중 결합을 갖는 기를 들 수 있다.As an alkenylene group, the group which has a double bond in the arbitrary position of the alkylene group demonstrated by said L <11> is mentioned.

2가의 지방족 탄화수소환기로서는 단환형 또는 다환형 중 어느 것이어도 좋고, 예를 들면, 시클로부틸렌기, 시클로펜틸렌기, 시클로헥실렌기, 노르보르나닐렌기, 아다만틸렌기, 디아만타닐렌기 등의 탄소수 3∼17의 2가의 지방족 탄화수소환기를 바람직한 예로서 들 수 있다. 탄소수 5∼12의 2가의 지방족 탄화수소환기가 보다 바람직하고, 탄소수 6∼10의 2가의 지방족 탄화수소환기가 특히 바람직하다.The divalent aliphatic hydrocarbon ring group may be either monocyclic or polycyclic, for example, a cyclobutylene group, a cyclopentylene group, a cyclohexylene group, a norbornanylene group, an adamantylene group, a diamantanylene group, or the like. Preferable examples include a C3-C17 divalent aliphatic hydrocarbon ring group. More preferable is a C5-12 divalent aliphatic hydrocarbon ring group, and a C6-10 divalent aliphatic hydrocarbon ring group is particularly preferable.

2가의 방향환기로서는 예를 들면, 페닐렌기, 톨릴렌기, 나프틸렌기 등의 탄소수 6∼14의 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴렌기, 또는 예를 들면, 티오펜, 푸란, 피롤, 벤조티오펜, 벤조푸란, 벤조피롤, 트리아진, 이미다졸, 벤조이미다졸, 트리아졸, 티아디아졸, 티아졸 등의 헤테로환을 포함하는 2가의 방향환기를 들 수 있다. As a divalent aromatic ring group, the arylene group which may have a C6-C14 substituent, such as a phenylene group, a tolylene group, a naphthylene group, for example, or thiophene, furan, pyrrole, benzothiophene, benzo And divalent aromatic ring groups containing heterocycles such as furan, benzopyrrole, triazine, imidazole, benzoimidazole, triazole, thiadiazole and thiazole.

또한, -NR- 및 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기로서는 상술한 X11에 있어서의 각각과 동일한 구체예를 들 수 있고, 바람직한 예도 같다.In addition, there may be mentioned the same embodiment, respectively in the above-described X 11 as the -NR- and bivalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, as preferred examples.

L11로서는 단결합, 알킬렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기가 보다 바람직하고, 단결합, 알킬렌기가 특히 바람직하다.As L 11, a single bond, an alkylene group, or a divalent aliphatic hydrocarbon ring group is more preferable, and a single bond or an alkylene group is particularly preferable.

L12는 단결합, 알킬렌기, 알케닐렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기, 2가의 방향환기, 또는 이들의 2 이상을 조합한 기를 나타내고, 이들의 기는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자, 불화알킬기, 니트로기, 또는 시아노기로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있다. 조합한 기에 있어서 조합되는 2 이상의 기는 같아도 달라도 좋고, 또한 연결기로서 -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기, 또는 이들을 조합한 기를 통해 연결되어 있어도 좋다.L 12 represents a single bond, an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a combination of two or more thereof, and some or all of the hydrogen atoms in the group are fluorine atoms or alkyl fluoride groups. It is substituted by the substituent chosen from nitro group, or cyano group. Two or more groups to be combined in the combined group may be the same or different, and as the linking group, -O-, -S-, -CO-, -SO 2- , -NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group) and a divalent nitrogen-containing ratio You may be connected through the aromatic heterocyclic group or the group which combined these.

L12로서는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자 또는 불화알킬기(보다 바람직하게는 퍼플루오로알킬기)로 치환된 알킬렌기, 2가의 방향환기, 및 이들을 조합한 기가 보다 바람직하고, 적어도 일부 또는 전부가 불소원자로 치환된 알킬렌기가 특히 바람직하다. L12로서 수소원자수의 30∼100%가 불소원자로 치환된 알킬렌기가 가장 바람직하다.As L 12 , an alkylene group in which part or all of hydrogen atoms are substituted with a fluorine atom or an fluorinated alkyl group (more preferably a perfluoroalkyl group), a divalent aromatic ring group, and a group combining these are more preferable, and at least some or all of them are Especially preferred are alkylene groups substituted with fluorine atoms. As L 12 , an alkylene group having 30 to 100% of the number of hydrogen atoms substituted with a fluorine atom is most preferred.

L12에 있어서의 알킬렌기로서는 직쇄상이어도 분기상이어도 좋고, 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 헥실렌기, 옥틸렌기 등의 탄소수 1∼8개의 알킬렌기를 바람직한 예로서 들 수 있다. 탄소수 1∼6개의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소수 1∼4개의 알킬렌기가 특히 바람직하다.The alkylene group in L 12 may be linear or branched, and for example, a preferred alkyl group having 1 to 8 carbon atoms such as methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, hexylene group, octylene group, etc. It can be mentioned as. More preferably, a C1-C6 alkylene group is preferable, and a C1-C4 alkylene group is especially preferable.

알케닐렌기로서는 상기 알킬렌기의 임의의 위치에 이중 결합을 갖는 기를 들 수 있다.As an alkenylene group, the group which has a double bond in the arbitrary position of the said alkylene group is mentioned.

2가의 지방족 탄화수소환기로서는 단환형 또는 다환형 중 어느 것이어도 좋고, 예를 들면, 시클로부틸렌기, 시클로펜틸렌기, 시클로헥실렌기, 노르보르나닐렌기, 아다만틸렌기, 디아만타닐렌기 등의 탄소수 3∼17의 2가의 지방족 탄화수소환기를 바람직한 예로서 들 수 있다.The divalent aliphatic hydrocarbon ring group may be either monocyclic or polycyclic, for example, a cyclobutylene group, a cyclopentylene group, a cyclohexylene group, a norbornanylene group, an adamantylene group, a diamantanylene group, or the like. Preferable examples include a C3-C17 divalent aliphatic hydrocarbon ring group.

2가의 방향환기로서는 앞서 기재한 L11에 있어서의 연결기로서의 2가의 방향환기에 있어서 열거한 구체예와 동일한 기를 들 수 있다.Examples of the divalent aromatic ring group include the same groups as the specific examples listed in the divalent aromatic ring group as the linking group in L 11 described above.

또한, L12에 있어서의 연결기의 -NR- 및 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기로서는 상술한 X11에 있어서의 각각과 동일한 구체예를 들 수 있고, 바람직한 예도 같다. Moreover, the same specific example as each in X <11> mentioned above is mentioned as -NR- and bivalent nitrogen containing non-aromatic heterocyclic group of the coupling group in L <12> , A preferable example is also the same.

이하에, L12의 바람직한 구체예를 나타내지만, 특별히 이들에 한정되지 않는다.Although the preferable specific example of L <12> is shown below, it is not specifically limited to these.

Figure pat00007
Figure pat00007

Ar1은 2가의 방향환기 또는 2가의 방향환기와 알킬렌기를 조합한 기를 나타낸다.Ar 1 represents a group in which a divalent aromatic ring group or a divalent aromatic ring group and an alkylene group are combined.

2가의 방향환기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 예를 들면, 페닐렌기, 톨릴렌기, 나프틸렌기 등의 탄소수 6∼18의 아릴렌기, 또는 예를 들면, 티오펜, 푸란, 피롤, 벤조티오펜, 벤조푸란, 벤조피롤, 트리아진, 이미다졸, 벤조이미다졸, 트리아졸, 티아디아졸, 티아졸 등의 헤테로환을 포함하는 2가의 방향환기를 바람직한 예로서 들 수 있다.The divalent aromatic ring group may have a substituent, for example, an arylene group having 6 to 18 carbon atoms such as a phenylene group, tolylene group, naphthylene group, or for example, thiophene, furan, pyrrole, benzothiophene, A bivalent aromatic ring group containing hetero rings, such as benzofuran, benzopyrrole, triazine, imidazole, benzoimidazole, triazole, thiadiazole, thiazole, is mentioned as a preferable example.

상기 각 기에 있어서의 바람직한 치환기로서는 R11∼R13에서 열거한 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 히드록시에톡시기, 프로폭시기, 히드록시프로폭시기, 부톡시기 등의 알콕시기, 페닐기 등의 아릴기를 들 수 있다. Preferable substituents in the above groups include an alkoxy group such as an alkyl group, a methoxy group, an ethoxy group, a hydroxyethoxy group, a propoxy group, a hydroxypropoxy group and a butoxy group, and a phenyl group listed in R 11 to R 13 . Aryl group is mentioned.

2가의 방향환기와 알킬렌기를 조합한 기로서는 상술한 2가의 방향환기와, 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 헥실렌기, 옥틸렌기 등의 탄소수 1∼8개의 알킬렌기(직쇄상이어도 분기상이어도 좋다)를 조합한 아랄킬렌기를 바람직한 예로서 들 수 있다.As a group which combined a divalent aromatic ring group and an alkylene group, C1-C8 alkyl, such as the divalent aromatic ring group mentioned above, for example, methylene group, ethylene group, a propylene group, butylene group, hexylene group, octylene group, etc. An aralkylene group which combined the rene group (linear or branched) may be mentioned as a preferable example.

Ar1로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 6∼18의 아릴렌기가 보다 바람직하고, 페닐렌기, 나프틸렌기, 비페닐렌기, 페닐기로 치환된 페닐렌기가 특히 바람직하다.As Ar 1, a C 6-18 arylene group which may have a substituent is more preferable, and a phenylene group substituted with a phenylene group, a naphthylene group, a biphenylene group, or a phenyl group is particularly preferable.

Z1은 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 술폰산기, 이미드산기 또는 메티드산기가 되는 부위를 나타낸다. Z1에 의해 나타내어지는 부위로서는 하기 일반식(ZI)∼(ZIII)로 나타내어지는 구조가 특히 바람직하다.Z <1> represents the site | part which becomes a sulfonic acid group, an imid acid group, or a methic acid group by irradiation of actinic light or a radiation. As the site | part represented by Z <1> , the structure represented by the following general formula (ZI)-(ZIII) is especially preferable.

Figure pat00008
Figure pat00008

일반식(ZII) 및 (ZIII) 중 Z1, Z2, Z3, Z4, Z5는 각각 독립적으로 -CO- 또는 -SO2-를 나타내고, 보다 바람직하게는 -SO2-이다.In General Formulas (ZII) and (ZIII), Z 1 , Z 2 , Z 3 , Z 4 and Z 5 each independently represent -CO- or -SO 2- , and more preferably -SO 2- .

Rz1, Rz2, Rz3은 각각 독립적으로 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 아릴기, 아랄킬기를 나타낸다. 이들 기는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자 또는 플루오로알킬기(보다 바람직하게는 퍼플루오로알킬기)로 치환된 형태가 보다 바람직하고, 수소원자수의 30∼100%가 불소원자로 치환된 형태가 특히 바람직하다. Rz 1 , Rz 2 and Rz 3 each independently represent an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, an aryl group, and an aralkyl group. These groups are more preferably in a form in which some or all of the hydrogen atoms are replaced with a fluorine atom or a fluoroalkyl group (more preferably a perfluoroalkyl group), particularly in a form in which 30 to 100% of the hydrogen atoms are replaced with fluorine atoms desirable.

상기 알킬기로서는 직쇄상이어도 분기상이어도 좋고, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 헥실기, 옥틸기 등의 탄소수 1∼8개의 알킬기를 바람직한 예로서 들 수 있다. 탄소수 1∼6개의 알킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 1∼4개의 알킬기가 특히 바람직하다.As said alkyl group, linear or branched form may be sufficient, for example, a C1-C8 alkyl group, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a hexyl group, an octyl group, is mentioned as a preferable example. The alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is more preferable, and the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is particularly preferable.

1가의 지방족 탄화수소환기로서는 예를 들면, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등 탄소수 3∼10의 1가의 지방족 탄화수소환기가 바람직하고, 탄소수 3∼6의 1가의 지방족 탄화수소환기가 보다 바람직하다.As monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, C3-C10 monovalent aliphatic hydrocarbon ring groups, such as a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group, are preferable, for example, A C3-C6 monovalent aliphatic hydrocarbon ring group is more preferable. .

아릴기로서는 탄소수 6∼18의 아릴기가 바람직하고, 탄소수 6∼10의 아릴기가 보다 바람직하고, 페닐기가 특히 바람직하다.As an aryl group, a C6-C18 aryl group is preferable, A C6-C10 aryl group is more preferable, A phenyl group is especially preferable.

아랄킬기로서는 탄소수 1∼8의 알킬렌기와 상기 아릴기가 결합한 아랄킬기를 바람직한 예로서 들 수 있다. 탄소수 1∼6의 알킬렌기와 상기 아릴기가 결합한 아랄킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 1∼4의 알킬렌기와 상기 아릴기가 결합한 아랄킬기가 특히 바람직하다.As an aralkyl group, the aralkyl group which the C1-C8 alkylene group and the said aryl group couple | bonded is mentioned as a preferable example. The aralkyl group which the C1-C6 alkylene group and the said aryl group couple | bonded is more preferable, and the aralkyl group which the C1-C4 alkylene group and the said aryl group couple | bonded is especially preferable.

Rz1, Rz2, Rz3으로서는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자 또는 플루오로알킬기(보다 바람직하게는 퍼플루오로알킬기)로 치환된 알킬기가 보다 바람직하고, 수소원자수의 30∼100%가 불소원자로 치환된 알킬기가 특히 바람직하다. Rz 1 , Rz 2 and Rz 3 are more preferably an alkyl group in which part or all of the hydrogen atoms are replaced with fluorine atoms or fluoroalkyl groups (more preferably perfluoroalkyl groups), and 30 to 100% of the number of hydrogen atoms Especially preferred are alkyl groups substituted with fluorine atoms.

상기 일반식(ZI)∼(ZIII)에 있어서 A+은 하기 일반식(A1)로 나타내어지는 디아릴요오드늄 양이온을 나타낸다.In said general formula (ZI)-(ZIII), A <+> represents the diaryl iodonium cation represented by the following general formula (A1).

Figure pat00009
Figure pat00009

일반식(A1)에 있어서 Ar1은 (p+1)가의 방향환기를 나타내고, Ar2는 (q+1)가의 방향환기를 나타낸다.In General Formula (A1), Ar 1 represents a (p + 1) valent aromatic ring group, and Ar 2 represents a (q + 1) valent aromatic ring group.

L1 및 L2는 각각 독립적으로 단결합 또는 산소원자를 나타낸다.L 1 and L 2 each independently represent a single bond or an oxygen atom.

R11, R12, R13, R21, R22 및 R23은 각각 독립적으로 수소원자 또는 알킬기를 나타낸다. R11, R12 및 R13 중 적어도 2개가 결합하여 환을 형성해도 좋다. 또한, R21, R22 및 R23 중 적어도 2개가 결합하여 환을 형성해도 좋다.R 11 , R 12 , R 13 , R 21 , R 22 and R 23 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group. At least two of R 11 , R 12, and R 13 may combine to form a ring. In addition, at least two of R 21 , R 22, and R 23 may combine to form a ring.

p 및 q는 각각 0∼9의 정수를 나타내고, p+q≥2를 충족시킨다.p and q each represent an integer of 0 to 9 and satisfy p + q ≧ 2.

p≥2의 경우 복수의 (R11)(R12)(R13)CL1-로 나타내어지는 기는 서로 동일해도 달라도 좋다. In the case of p≥2, the groups represented by a plurality of (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ) CL 1 − may be the same or different.

q≥2의 경우 복수의 (R21)(R22)(R23)CL2-로 나타내어지는 기는 서로 동일해도 달라도 좋다.In the case of q≥2, the groups represented by a plurality of (R 21 ) (R 22 ) (R 23 ) CL 2 − may be the same or different.

단, 상기 일반식(A1)이 하기 일반식(A1-1)로 나타내어지는 경우 L1과 L2가 서로 동일하며, 또한 R11, R12, R13, R21, R22 및 R23 모두가 동일한 일은 없다.However, when the general formula (A1) is represented by the following general formula (A1-1), L 1 and L 2 are the same as each other, and R 11 , R 12 , R 13 , R 21 , R 22 and R 23 are all Is not the same thing.

Figure pat00010
Figure pat00010

Ar1로서의 방향환기, 및 Ar2로서의 방향환기에 있어서의 방향환은 특별히 한정되지 않지만, 탄소수 6∼14의 방향족환인 것이 바람직하고, 페닐환, 나프탈렌환 또는 안트라센환인 것이 바람직하고, 페닐환인 것이 보다 바람직하다.Although the aromatic ring in the aromatic ring group as Ar 1 and the aromatic ring group as Ar 2 is not specifically limited, It is preferable that it is a C6-C14 aromatic ring, It is preferable that it is a phenyl ring, a naphthalene ring, or an anthracene ring, and it is more preferable that it is a phenyl ring. Do.

상기한 바와 같이, L1 및 L2는 각각 독립적으로 단결합 또는 산소원자를 나타내고, 단결합의 경우 특히, 아웃 가스 성능, 감도를 더욱 향상시킬 수 있고, 산소원자의 경우 특히 아웃 가스 성능, 경시 안정성을 더욱 향상시킬 수 있다.As described above, L 1 and L 2 each independently represent a single bond or an oxygen atom, and in the case of a single bond, in particular, the outgas performance and sensitivity can be further improved, and in the case of an oxygen atom, especially outgas performance and stability over time Can be further improved.

R11, R12, R13, R21, R22 및 R23에 있어서의 알킬기는 탄소수 1∼20의 알킬기가 바람직하고, 1∼10의 알킬기가 보다 바람직하고, 1∼5의 알킬기가 더욱 바람직하다.The alkyl group in R 11 , R 12 , R 13 , R 21 , R 22 and R 23 is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkyl group of 1-10, and even more preferably an alkyl group of 1-5. Do.

(R11)(R12)(R13)C-로 나타내어지는 기 및 (R21)(R22)(R23)C-로 나타내어지는 기는 각각 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 도데실기 등의 탄소수 20 이하의 알킬기인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼8의 알킬기인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1∼3의 알킬기인 것이 더욱 바람직하다.The groups represented by (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ) C- and the groups represented by (R 21 ) (R 22 ) (R 23 ) C- are each methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n It is preferable that it is a C20 or less alkyl group, such as a butyl group, a sec-butyl group, a hexyl group, 2-ethylhexyl group, an octyl group, and a dodecyl group, It is more preferable that it is a C1-C8 alkyl group, and it is C1-C8 It is more preferable that it is an alkyl group of 3.

(R11)(R12)(R13)CL1-로 나타내어지는 기, 및 (R21)(R22)(R23)CL2-로 나타내어지는 기가 각각 탄소수 1∼3의 알킬기인 것이 특히 바람직하다(즉, 이 경우 L1과 L2가 단결합이 된다). In particular, the groups represented by (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ) CL 1 -and the groups represented by (R 21 ) (R 22 ) (R 23 ) CL 2 -are each an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. Preferred (ie, L 1 and L 2 are single bonds in this case).

R11, R12 및 R13 중 적어도 1개, 및 R21, R22 및 R23 중 적어도 1개는 각각 수소원자인 것이 바람직하다.At least one of R 11 , R 12 and R 13 and at least one of R 21 , R 22 and R 23 are each preferably a hydrogen atom.

R11, R12 및 R13 중 적어도 2개가 결합해서 형성해도 좋은 환, 및 R21, R22 및 R23 중 적어도 2개가 결합해서 형성해도 좋은 환으로서는 단환이어도, 다환이어도 좋다.As a ring which at least 2 of R <11> , R <12> and R <13> may combine and form, and the ring which at least 2 of R <21> , R <22> and R <23> may combine and form, it may be mono-cyclic or polycyclic.

단환은 탄소수 3∼7의 탄화수소환이 바람직하고, 탄소수 5 또는 6의 탄화수소환이 바람직하다. 단환으로서는 시클로펜탄환, 시클로헥산환 등을 들 수 있다. 다환으로서는 탄소수 4∼20의 탄화수소환이 바람직하고, 탄소수 7∼15의 탄화수소환이 보다 바람직하다. 다환으로서는 노르보르난환, 테트라시클로데칸환, 테트라시클로도데칸환, 아다만탄환 등을 들 수 있다.The monocyclic hydrocarbon ring having 3 to 7 carbon atoms is preferable, and the hydrocarbon ring having 5 or 6 carbon atoms is preferable. Examples of the monocyclic ring include a cyclopentane ring and a cyclohexane ring. As a polycyclic ring, a C4-20 hydrocarbon ring is preferable, and a C7-15 hydrocarbon ring is more preferable. Examples of the polycyclic ring include norbornane ring, tetracyclodecane ring, tetracyclododecane ring, and adamantane ring.

p 및 q는 각각 0∼5의 정수를 나타내는 것이 바람직하다.It is preferable that p and q respectively represent the integer of 0-5.

상기 일반식(A1)에 있어서 (i)p 및 q 중 어느 한쪽이 2 이상이며, 또한 다른쪽이 0이어도, (ii)p가 1 이상의 정수이며, 또한 q가 1 이상의 정수이어도 좋지만, (ii)p가 1 이상의 정수이며, 또한 q가 1 이상의 정수인 것이 바람직하다. 즉, 디아릴요오드늄 양이온의 2개의 아릴환의 각각이 (R11)(R12)(R13)CL1-로 나타내어지는 기, 또는 (R21)(R22)(R23)CL2-로 나타내어지는 기를 갖는 것이 바람직하고, 이것에 의해 특히, 아웃 가스 성능과 경시 안정성을 더욱 향상시킬 수 있다. 이 경우 p개의 (R11)(R12)(R13)CL1-로 나타내어지는 기 및 q개의 (R21)(R22)(R23)CL2-로 나타내어지는 기가 모두 동일한 기가 아닌 것이 보다 바람직하다.In the general formula (A1), any one of (i) p and q may be 2 or more, and the other may be 0, (ii) p may be an integer of 1 or more, and q may be an integer of 1 or more, but (ii ) p is an integer of 1 or more, and it is preferable that q is an integer of 1 or more. That is, each of the two aryl rings of the diaryliodonium cation is represented by (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ) CL 1- , or (R 21 ) (R 22 ) (R 23 ) CL 2- It is preferable to have a group represented by this, and it can especially improve outgas performance and time-lapse stability by this. In this case, p groups represented by (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ) CL 1 -and q groups represented by (R 21 ) (R 22 ) (R 23 ) CL 2 -are not the same group. More preferred.

또한, 상기 일반식(A1)에 있어서 p와 q가 서로 다른 정수인 것이 바람직하고, 이것에 의해 특히 아웃 가스 성능과 경시 안정성을 더욱 향상시킬 수 있다.In addition, in said general formula (A1), it is preferable that p and q are mutually different integers, and it can especially improve outgas performance and stability with time by this.

R11, R12, R13, R21, R22 및 R23은 각각 (R11)(R12)(R13)CL1-로 나타내어지는 기, 및 (R21)(R22)(R23)CL2-로 나타내어지는 기가 전자 공여성을 상실하지 않는 범위에서 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 수산기, 알콕시기, 티올기, 티오알콕시기, 아미노기, 할로겐원자 등으로 치환되어 있어도 좋다. 또한, 이들 치환기는 이들 치환기로 더 치환되어 있어도 좋고, 또한 가능하다면 결합해서 환을 형성하고 있어도 좋다.R 11 , R 12 , R 13 , R 21 , R 22 and R 23 are each represented by (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ) CL 1- , and (R 21 ) (R 22 ) (R 23 ) The group represented by CL 2 -may be substituted with an alkenyl group, alkynyl group, aryl group, hydroxyl group, alkoxy group, thiol group, thioalkoxy group, amino group, halogen atom or the like in a range that does not lose electron donating. In addition, these substituents may be further substituted by these substituents, and if possible, may combine and form the ring.

(R11)(R12)(R13)CL1-로 나타내어지는 기 및 (R21)(R22)(R23)CL2-로 나타내어지는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 2개 이상의 기 중 적어도 1개는 방향족환 상의 요오드늄기에 대해서 파라 위치, 또는 오르토 위치에 위치하는 것이 바람직하고, 상기 2개 이상의 기 중 적어도 2개가 파라 위치, 또는 오르토 위치에 위치하는 것이 보다 바람직하고, 상기 2개 이상의 기 모두가 파라 위치, 또는 오르토 위치에 위치하는 것이 더욱 바람직하다.At least two groups selected from the group consisting of a group represented by (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ) CL 1 -and a group represented by (R 21 ) (R 22 ) (R 23 ) CL 2- It is preferable that one is located in the para position or the ortho position with respect to the iodonium group on an aromatic ring, It is more preferable that at least two of the said 2 or more groups are located in the para position or the ortho position, It is more preferable that all the groups are located in the para position or the ortho position.

또한, 상기 일반식(A1)에 있어서 (R11)(R12)(R13)CL1-로 나타내어지는 기, 및 (R21)(R22)(R23)CL2-로 나타내어지는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 2개 이상의 기 중 적어도 1개는 방향족환 상의 요오드늄기에 대해서 오르토 위치에 위치하는 것이 바람직하다.In the above general formula (A1), a group represented by (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ) CL 1 −, and a group represented by (R 21 ) (R 22 ) (R 23 ) CL 2 − At least one of the two or more groups selected from the group consisting of is preferably positioned at the ortho position relative to the iodonium group on the aromatic ring.

또한, A+는 상기 일반식(A1)에 있어서 p+q≥2를 충족시킴으로써 방향족환 상에 (R11)(R12)(R13)CL1-로 나타내어지는 기, 또는 (R21)(R22)(R23)CL2-로 나타내어지는 기를 합계 2개 이상 갖는 것이지만, 특히 아웃 가스 성능과 경시 안정성을 보다 확실하게 양립할 수 있다고 하는 관점에서 p+q≥3을 충족시키는 것이 바람직하고, p+q≥4를 충족시키는 것이 더욱 바람직하다.Further, A + is a group represented by (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ) CL 1 − on an aromatic ring by satisfying p + q ≧ 2 in the general formula (A1), or (R 21 ) Although having a total of two or more groups represented by (R 22 ) (R 23 ) CL 2 −, it is particularly desirable to satisfy p + q ≧ 3 in terms of more reliably compatible outgas performance and aging stability. It is more preferable to satisfy p + q ≧ 4.

p≥1임과 아울러 p개의 (R11)(R12)(R13)CL1-로 나타내어지는 기 중 적어도 1개에 관하여 L1이 산소원자를 나타내는 것이 바람직하다. 또한, 상기 일반식(A1)에 있어서 L1 및 L2가 산소원자를 나타내는 것이 보다 바람직하다.Im p≥1 and addition of p (R 11) (R 12) (R 13) CL 1 - with respect to at least one of the groups represented by the dog it is preferred that L 1 represents an oxygen atom. In addition, in said general formula (A1), it is more preferable that L <1> and L <2> represent an oxygen atom.

또한, 상기 일반식(A1)로 나타내어지는 디아릴요오드늄 양이온은 그 2개의 방향족환(즉, Ar1 및 Ar2)에 있어서 요오드늄기에 대한 전체 치환기의 하멧값의 총합이 바람직하게는 -0.25 이하, 보다 바람직하게는 -0.5 이하, 더욱 바람직하게는 -0.8 이하, 특히 바람직하게는 -1.0 이하이다. 상기 요오드늄기에 대한 전체 치환기란 디아릴요오드늄 양이온에 있어서의 방향족환(즉, Ar1 및 Ar2)에 결합한 모든 치환기를 가리킨다. 단, 요오드늄기는 제외한다. 또한, 치환기의 하멧값은 각각의 디아릴 요오드늄 골격에 있어서의 요오드늄기를 기준으로 한다.The diaryl iodonium cation represented by the general formula (A1) preferably has a sum of the Hammet values of all substituents for the iodonium group in the two aromatic rings (ie, Ar 1 and Ar 2 ), preferably -0.25. Or less, more preferably -0.5 or less, still more preferably -0.8 or less, and particularly preferably -1.0 or less. Total substituent groups for the iodonium field points to all of the substituents bonded to the aromatic ring (i.e., Ar 1 and Ar 2) of the diaryl iodonium cation. However, the iodonium group is excluded. In addition, the Hammet value of a substituent is based on the iodonium group in each diaryl iodonium skeleton.

여기에서, 하멧값에 대해서 설명한다. 하멧칙은 벤젠 유도체의 반응 또는 평형에 미치는 치환기의 영향을 정량적으로 논하기 위해 1935년에 L. P. Hammett에 의해 제창된 경험칙이지만, 이것은 오늘 널리 타당성이 인정되고 있다. 하멧칙으로 구해진 치환기 정수에는 σp값과 σm값이 있고, 이들 값은 대부분의 일반적인 성서에서 찾아낼 수 있지만, 예를 들면, J. A. Dean편, 「Lange's Handbook of Chemistry」 제12판, 1979년(Mc Graw-Hill)이나 「화학의 영역」증간, 122호, 96∼103쪽, 1979년(난코도), 이나모토 나오키 편, 화학 세미나 10 하멧칙 -구조와 반응성-(1983년, 마루젠(주) 발행)에 상세하다.Here, the Hammett value is described. Hammet's rule is an empirical rule proposed by L. P. Hammett in 1935 to quantitatively discuss the effect of substituents on the reaction or equilibrium of benzene derivatives, but this is widely accepted today. Substituent constants obtained by Hammet's law have σp and σm values, which can be found in most common Bible texts.For example, see JA Dean, 12th edition of Lang's Handbook of Chemistry, 1979 (Mc. Graw-Hill) and `` The Field of Chemistry '', 122, 96-103, 1979 (Nankodo), Naoki Inamoto, Chemistry Seminar 10 Hammet Rule -Structure and Reactivity- (1983, Maruzen) Issuance).

본 발명에 있어서의 하멧값은 이나모토 나오키 편, 화학 세미나 10 하멧칙 -구조와 반응성-(1983년, 마루젠(주) 발행), 및 일본 화학회편, 화학 편람 기초편 개정 5판(2004년, 마루젠(주) 발행)에 기재된 수치를 사용하고 있다.The Hammet value in the present invention is published by Naoki Inamoto, Chemistry Seminar 10 Hammet Rule -Structure and Reactivity- (Published by Maruzen, 1983), and Japan Chemical Society, Chemical Handbook Basic Edition Revised 5th Edition (2004, The numerical value described in Maruzen Corporation) is used.

하멧값은 통상 m위치, p위치의 값으로 사용된다. 또한, 본 발명에 사용하는 하멧값은 전자적인 효과로서 o위치의 값은 p위치의 값과 같은 값으로서 계산한다.Hammett values are normally used for m and p positions. The Hammet value used in the present invention is an electronic effect, and the value of the o position is calculated as the same value as the value of the p position.

또한, 디아릴요오드늄 양이온은 아릴환 상에 전자 구인성기가 치환되어 있어도 좋지만, 요오드늄기에 대한 전체 치환기의 하멧값의 총합이 0 이하인 것이 바람직하다. 단, 알콕시기는 -OCH3의 값, 알킬기는 -CH3의 값을 사용한다.The diaryl iodonium cation may be substituted with an electron withdrawing group on the aryl ring, but it is preferable that the sum of the Hammet values of all the substituents for the iodonium group is 0 or less. However, the value of the alkoxy group -OCH 3, an alkyl group uses a value of -CH 3.

또한, Ar1 및 Ar2에 있어서의 방향환에는 요오드늄기에 대한 전체 치환기의 하멧값의 총합이 0 이하가 되는 범위에 있어서 (R11)(R12)(R13)CL1-로 나타내어지는 기, 및 (R21)(R22)(R23)CL2-로 나타내어지는 기와는 다른 치환기를 더 가져도 좋다. 이러한 추가의 치환기의 예로서는 수산기, 할로겐원자(불소, 염소, 브롬, 요오드), 니트로기, 시아노기, 아미드기, 술폰아미드기, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기 등의 알콕시카르보닐기, 포르밀기, 아세틸기, 벤조일기 등의 아실기, 아세톡시기, 부틸옥시기 등의 아실옥시기, 카르복시기, 페닐기 등의 아릴기를 들 수 있다.Moreover, in the aromatic ring in Ar <1> and Ar <2> , it is represented by (R <11> (R <12> ) (R <13> ) CL <1-> in the range which the sum total of the Hammet values of all the substituents with respect to an iodonium group becomes zero or less. group, and (R 21) (R 22) (R 23) CL 2 - group represented by may further have another substituent. Examples of such additional substituents include alkoxycarbonyl groups such as hydroxyl groups, halogen atoms (fluorine, chlorine, bromine, iodine), nitro groups, cyano groups, amide groups, sulfonamide groups, methoxycarbonyl groups, and ethoxycarbonyl groups, formyl groups and acetyl groups. And aryl groups such as acyloxy groups such as acyl groups such as benzoyl groups, acetoxy groups, and butyloxy groups, carboxyl groups, and phenyl groups.

여기에서, p≥1 또한 q≥1임과 아울러 L1 및 L2가 단결합인 경우 Ar1 및 Ar2 중 어느 한쪽만이 상기 추가의 치환기를 갖고 있거나, 또는 Ar1 및 Ar2가 서로 다른 상기 추가의 치환기를 갖고 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 중의 고형분이 용제에 의해 용해되기 쉬워져 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물의 용액으로서의 보존 안정성을 보다 우수한 것으로 할 수 있다.Herein, when p≥1 and q≥1 and L 1 and L 2 are single bonds, only one of Ar 1 and Ar 2 has the above additional substituent, or Ar 1 and Ar 2 are different from each other. It is preferable to have the said additional substituent. Thereby, solid content in an actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition becomes easy to melt | dissolve by a solvent, and it can make storage stability as a solution of an actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition more excellent.

이하에, 일반식(ZI)∼(ZIII)에 있어서의 A+의 바람직한 구체예를 이하에 들지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 하기 예시 화합물의 일부에 있어서 탄화수소쇄를 탄소(C) 및 수소(H)의 기호를 생략한 간략 구조식으로 기재한다. 또한, 예시 화합물: (Z-1)∼(Z-61)의 요오드늄기에 대한 전체 치환기의 하멧값의 총합을 표 1에 나타낸다.Although the preferable specific example of A <+> in general formula (ZI)-(ZIII) is given below, it is not limited to these. In addition, in some of the following exemplary compounds, a hydrocarbon chain is described by the simplified structural formula which abbreviate | omits the symbol of carbon (C) and hydrogen (H). In addition, the sum total of the Hammet value of all the substituents with respect to the iodonium group of exemplary compound: (Z-1)-(Z-61) is shown in Table 1.

Figure pat00011
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Figure pat00012
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Figure pat00013
Figure pat00013

일반식(I)의 반복단위에 대응하는 중합성 모노머에 관하여 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 양이온이 탈리되어 술폰산, 이미드산 또는 메티드산을 생성하는 중합성 모노머의 구체예를 이하에 예시한다.Specific examples of the polymerizable monomers in which the cation is released by actinic light or radiation irradiation to produce sulfonic acid, imide acid or methic acid with respect to the polymerizable monomer corresponding to the repeating unit of the general formula (I) are illustrated below. .

Figure pat00014
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Figure pat00015
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Figure pat00016
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Figure pat00017
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이어서, 일반식(II)에 대해서 설명한다.Next, general formula (II) is demonstrated.

일반식(II)에 있어서, R21, R22, R23은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 할로겐원자, 시아노기 또는 알콕시카르보닐기를 나타낸다.In general formula (II), R <21> , R <22> , R <23> represents a hydrogen atom, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, a halogen atom, a cyano group, or an alkoxycarbonyl group each independently.

알킬기는 치환기를 갖고 있어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기이며, 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 좋은 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 도데실기 등 탄소수 20 이하의 알킬기를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 탄소수 8 이하의 알킬기, 특히 바람직하게는 탄소수 3 이하의 알킬기를 들 수 있다.The alkyl group is a linear or branched alkyl group which may have a substituent, and preferably a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl group or 2-ethyl which may have a substituent. C20 or less alkyl groups, such as a hexyl group, an octyl group, and a dodecyl group, are mentioned, More preferably, an alkyl group of 8 or less carbon atoms, Especially preferably, an alkyl group of 3 or less carbon atoms is mentioned.

알콕시카르보닐기에 포함되는 알킬기로서는 상기 R21, R22 및 R23에 있어서의 알킬기와 같은 것이 바람직하다.As an alkyl group contained in the alkoxycarbonyl group, the same thing as the alkyl group in said R <21> , R <22> and R <23> is preferable.

1가의 지방족 탄화수소환기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 단환형 또는 다환형의 지방족 탄화수소환기를 들 수 있다. 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 좋은 시클로프로필기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기와 같은 탄소수 3∼8개이며 단환형의 1가의 지방족 탄화수소환기를 들 수 있다.As monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, the monocyclic or polycyclic aliphatic hydrocarbon ring group which may have a substituent is mentioned. Preferably, a monocyclic monovalent aliphatic hydrocarbon ring group having 3 to 8 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group which may have a substituent is mentioned.

할로겐원자로서는 불소원자, 염소원자, 브롬원자 및 요오드원자를 들 수 있고, 불소원자가 특히 바람직하다.Examples of the halogen atom include fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom, with fluorine atom being particularly preferred.

상기 각 기가 갖고 있어도 좋은 바람직한 치환기로서는 수산기, 할로겐원자(불소, 염소, 브롬, 요오드), 니트로기, 시아노기, 아미드기, 술폰아미드기, R21∼R23에서 열거한 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 히드록시에톡시기, 프로폭시기, 히드록시프로폭시기, 부톡시기 등의 알콕시기, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기 등의 알콕시카르보닐기, 포르밀기, 아세틸기, 벤조일기 등의 아실기, 아세톡시기, 부틸옥시기 등의 아실옥시기, 카르복시기를 들 수 있다. 특히, 수산기, 할로겐원자가 바람직하다.Preferred substituents which each group may have include hydroxyl group, halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine), nitro group, cyano group, amide group, sulfonamide group, alkyl group listed in R 21 to R 23 , methoxy group, ethoxy Alkoxy groups such as alkoxy groups such as time periods, hydroxyethoxy groups, propoxy groups, hydroxypropoxy groups, butoxy groups, alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl groups and ethoxycarbonyl groups, acyl groups such as formyl groups, acetyl groups and benzoyl groups, Acyloxy groups, such as an acetoxy group and a butyloxy group, and a carboxy group are mentioned. In particular, a hydroxyl group and a halogen atom are preferable.

식(II)에 있어서의 R21, R22 및 R23으로서는 수소원자, 알킬기, 할로겐원자가 보다 바람직하고, 수소원자, 메틸기, 에틸기, 트리플루오로메틸기(-CF3), 히드록시메틸기(-CH2-OH), 클로로메틸기(-CH2-Cl), 불소원자(-F)가 특히 바람직하다.Formula (II) of R 21, R 22 and R 23 as hydrogen atom, an alkyl group, more preferably a halogen atom and a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a trifluoromethyl (-CF 3), a hydroxymethyl group (-CH according to 2 -OH), chloromethyl group (-CH 2 -Cl), fluorine atom (-F) is particularly preferred.

X21은 -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기, 또는 이들을 조합한 기를 나타낸다. X 21 represents —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, or a combination thereof.

-NR-에 있어서 R에 의해 나타내어지는 알킬기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기이며, 상기 R21, R22, R23에 있어서의 알킬기와 같은 구체예를 들 수 있다. R로서 수소원자, 메틸기, 에틸기가 특히 바람직하다.As an alkyl group represented by R in -NR-, it is a linear or branched alkyl group which may have a substituent, and the specific example like the alkyl group in said R <21> , R <22> , R <23> is mentioned. As R, a hydrogen atom, a methyl group and an ethyl group are particularly preferable.

또한, 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기는 적어도 1개의 질소원자를 갖는 바람직하게는 3∼8원의 비방향족 복소환기를 의미하고, 구체적으로는 상술한 일반식(I)에 있어서의 X11∼X13에 있어서 예시한 구조를 들 수 있다.In addition, the divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group means preferably a 3-8 membered non-aromatic heterocyclic group having at least one nitrogen atom, and specifically, X 11 to in general formula (I) described above there may be mentioned a structure example according to X 13.

X21로서는 -O-, -CO-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 또는 이들을 조합한 기가 보다 바람직하고, -COO-, -CONR-(R은 수소원자 또는 알킬기)이 특히 바람직하다.As X 21, -O-, -CO-, -NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), or a combination thereof is more preferable, and -COO-, -CONR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group) is particularly preferable. Do.

L21은 알킬렌기, 알케닐렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기 또는 이들의 2 이상을 조합한 기를 나타낸다. 조합한 기에 있어서 조합되는 2 이상의 기는 같아도 달라도 좋고, 또한 연결기로서 -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기, 2가의 방향환기, 또는 이들을 조합한 기를 통해 연결되어 있어도 좋다.L 21 represents an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group or a group of two or more thereof combined. Two or more groups to be combined in the combined group may be the same or different, and as the linking group, -O-, -S-, -CO-, -SO 2- , -NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group) and a divalent nitrogen-containing ratio The aromatic heterocyclic group, the divalent aromatic ring group, or a combination thereof may be connected.

L21에 있어서의 알킬렌기로서는 직쇄상이어도 분기상이어도 좋고, 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 헥실렌기, 옥틸렌기 등의 탄소수 1∼8개를 바람직한 예로서 들 수 있다. 탄소수 1∼6개의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소수 1∼4개의 알킬렌기가 특히 바람직하다.As an alkylene group in L <21> , linear or branched form may be sufficient, for example, C1-C8, such as a methylene group, ethylene group, a propylene group, butylene group, a hexylene group, an octylene group, is mentioned as a preferable example. Can be. More preferably, a C1-C6 alkylene group is preferable, and a C1-C4 alkylene group is especially preferable.

알케닐렌기로서는 상기 L21에서 설명한 알킬렌기의 임의의 위치에 이중 결합을 갖는 기를 들 수 있다.As an alkenylene group, the group which has a double bond in the arbitrary position of the alkylene group demonstrated by said L <21> is mentioned.

2가의 지방족 탄화수소환기로서는 단환형 또는 다환형 중 어느 것이어도 좋고, 예를 들면, 시클로부틸렌기, 시클로펜틸렌기, 시클로헥실렌기, 노르보르나닐렌기, 아다만틸렌기, 디아만타닐렌기 등의 탄소수 3∼17의 2가의 지방족 탄화수소환기를 바람직한 예로서 들 수 있다. 탄소수 5∼12의 2가의 지방족 탄화수소환기가 보다 바람직하고, 탄소수 6∼10의 2가의 지방족 탄화수소환기가 특히 바람직하다.The divalent aliphatic hydrocarbon ring group may be either monocyclic or polycyclic, for example, a cyclobutylene group, a cyclopentylene group, a cyclohexylene group, a norbornanylene group, an adamantylene group, a diamantanylene group, or the like. Preferable examples include a C3-C17 divalent aliphatic hydrocarbon ring group. More preferable is a C5-12 divalent aliphatic hydrocarbon ring group, and a C6-10 divalent aliphatic hydrocarbon ring group is particularly preferable.

연결기로서의 2가의 방향환기로서는 예를 들면, 페닐렌기, 톨릴렌기, 나프틸렌기 등의 탄소수 6∼14의 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴렌기, 또는 예를 들면, 티오펜, 푸란, 피롤, 벤조티오펜, 벤조푸란, 벤조피롤, 트리아진, 이미다졸, 벤조이미다졸, 트리아졸, 티아디아졸, 티아졸 등의 헤테로환을 포함하는 2가의 방향환기를 들 수 있다.As a bivalent aromatic ring group as a coupling group, the arylene group which may have a C6-C14 substituent, such as a phenylene group, a tolylene group, a naphthylene group, for example, or thiophene, furan, pyrrole, benzothiophene And divalent aromatic ring groups containing hetero rings such as benzofuran, benzopyrrole, triazine, imidazole, benzoimidazole, triazole, thiadiazole and thiazole.

또한, -NR- 및 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기로서는 상술한 X21에 있어서의 각각과 같은 구체예를 들 수 있고, 바람직한 예도 같다.In addition, there may be mentioned a specific example, such as each of the -NR- and bivalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group as the above X 21, as preferred examples.

L21로서는 알킬렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기, 또는 -OCO-, -O-, -CONH-를 통해 알킬렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기를 조합한 기(예를 들면, -알킬렌기-O-알킬렌기-, -알킬렌기-OCO-알킬렌기-, -2가의 지방족 탄화수소환기-O-알킬렌기-, -알킬렌기-CONH-알킬렌기- 등)가 특히 바람직하다.L 21 is an alkylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, or a group combining an alkylene group and a divalent aliphatic hydrocarbon ring group via -OCO-, -O-, or -CONH- (for example, -alkylene group-O-alkyl Benzene group, -alkylene group-OCO-alkylene group-, -divalent aliphatic hydrocarbon ring group-O-alkylene group-, -alkylene group-CONH-alkylene group-, etc. are especially preferable.

X22, X23은 각각 독립적으로 단결합, -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기, 또는 이들을 조합한 기를 나타낸다. X 22 , X 23 are each independently a single bond, -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing nonaromatic heterocyclic group, or The group which combined these is shown.

X22, X23에 있어서의 -NR- 및 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기로서는 상술한 X21에 있어서의 각각과 같은 구체예를 들 수 있고, 바람직한 예도 같다.Examples of -NR- and a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group for X 22 and X 23 include the same specific examples as in X 21 described above, and preferred examples thereof are also the same.

X22로서는 단결합, -S-, -O-, -CO-, -SO2-, 및 이들을 조합한 기가 보다 바람직하고, 단결합, -S-, -OCO-, -OSO2-가 특히 바람직하다.As X 22, a single bond, -S-, -O-, -CO-, -SO 2- , and a combination thereof are more preferable, and a single bond, -S-, -OCO-, -OSO 2 -is particularly preferable. Do.

X23으로서는 -O-, -CO-, -SO2-, 및 이들을 조합한 기가 보다 바람직하고, -OSO2-가 특히 바람직하다.X 23 as -O-, -CO-, -SO 2 -, and a combination of these groups, and more preferably, -OSO 2 - is particularly preferred.

Ar2는 2가의 방향환기 또는 2가의 방향환기와 알킬렌기를 조합한 기를 나타낸다.Ar <2> represents group which combined a bivalent aromatic ring group or a bivalent aromatic ring group and an alkylene group.

2가의 방향환기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 예를 들면, 페닐렌기, 톨릴렌기, 나프틸렌기 등의 탄소수 6∼18의 아릴렌기, 또는 예를 들면, 티오펜, 푸란, 피롤, 벤조티오펜, 벤조푸란, 벤조피롤, 트리아진, 이미다졸, 벤조이미다졸, 트리아졸, 티아디아졸, 티아졸 등의 헤테로환을 포함하는 2가의 방향환기를 바람직한 예로서 들 수 있다.The divalent aromatic ring group may have a substituent, for example, an arylene group having 6 to 18 carbon atoms such as a phenylene group, tolylene group, naphthylene group, or for example, thiophene, furan, pyrrole, benzothiophene, A bivalent aromatic ring group containing hetero rings, such as benzofuran, benzopyrrole, triazine, imidazole, benzoimidazole, triazole, thiadiazole, thiazole, is mentioned as a preferable example.

상기 각 기에 있어서의 바람직한 치환기로서는 R21∼R23에서 열거한 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 히드록시에톡시기, 프로폭시기, 히드록시프로폭시기, 부톡시기 등의 알콕시기, 페닐기 등의 아릴기를 들 수 있다. Preferable substituents in each of the above groups include an alkyl group, a methoxy group, an ethoxy group, a hydroxyethoxy group, a propoxy group, an alkoxy group such as a hydroxypropoxy group and a butoxy group, and a phenyl group listed in R 21 to R 23 . Aryl group is mentioned.

2가의 방향환기와 알킬렌기를 조합한 기로서는 상술한 2가의 방향환기와, 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 헥실렌기, 옥틸렌기 등의 탄소수 1∼8개의 알킬렌기(직쇄상이어도 분기상이어도 좋다)를 조합한 아랄킬렌기를 바람직한 예로서 들 수 있다.As a group which combined a divalent aromatic ring group and an alkylene group, C1-C8 alkyl, such as the divalent aromatic ring group mentioned above, for example, methylene group, ethylene group, a propylene group, butylene group, hexylene group, octylene group, etc. An aralkylene group which combined the rene group (linear or branched) may be mentioned as a preferable example.

Ar2로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 6∼18의 아릴렌기, 탄소수 6∼18의 아릴렌기와 탄소수 1∼4의 알킬렌을 조합한 아랄킬렌기가 보다 바람직하고, 페닐렌기, 나프틸렌기, 비페닐렌기, 페닐기로 치환된 페닐렌기가 특히 바람직하다.As Ar <2> , the arylene group which combined the C6-C18 arylene group which may have a substituent, the C6-C18 arylene group, and the C1-C4 alkylene is more preferable, A phenylene group, a naphthylene group, biphenyl A phenylene group substituted with a ethylene group and a phenyl group is particularly preferable.

L22는 알킬렌기, 알케닐렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기, 2가의 방향환기, 또는 이들의 2 이상을 조합한 기를 나타내고, 이들의 기는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자, 불화알킬기, 니트로기, 또는 시아노기로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있다. 조합한 기에 있어서 조합되는 2 이상의 기는 같아도 달라도 좋고, 또한 연결기로서 -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기, 또는 이들을 조합한 기를 통해 연결되어 있어도 좋다.L 22 represents an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, a divalent aromatic ring group, or a group combining two or more thereof, in which some or all of the hydrogen atoms are fluorine, alkyl fluoride, or nitro groups Or a substituent selected from a cyano group. Two or more groups to be combined in the combined group may be the same or different, and as the linking group, -O-, -S-, -CO-, -SO 2- , -NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group) and a divalent nitrogen-containing ratio You may be connected through the aromatic heterocyclic group or the group which combined these.

L22로서는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자 또는 불화알킬기(보다 바람직하게는 퍼플루오로알킬기)로 치환된 알킬렌기, 2가의 방향환기, 및 이들을 조합한 기가 보다 바람직하고, 적어도 일부 또는 전부가 불소원자로 치환된 알킬렌기, 2가의 방향환기가 특히 바람직하다. L22로서 수소원자수의 30∼100%가 불소원자로 치환된 알킬렌기, 2가의 방향환기가 가장 바람직하다.As L 22 , an alkylene group in which part or all of hydrogen atoms are substituted with a fluorine atom or an fluorinated alkyl group (more preferably a perfluoroalkyl group), a divalent aromatic ring group, and a combination thereof are more preferable, and at least some or all of them are Especially preferred are alkylene groups substituted with fluorine atoms and divalent aromatic ring groups. As L 22 , an alkylene group in which 30 to 100% of the number of hydrogen atoms is substituted with a fluorine atom, and a divalent aromatic ring group are most preferable.

L22에 있어서의 알킬렌기로서는 직쇄상이어도 분기상이어도 좋고, 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 헥실렌기, 옥틸렌기 등의 탄소수 1∼8개의 알킬렌기를 바람직한 예로서 들 수 있다. 탄소수 1∼6개의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소수 1∼4개의 알킬렌기가 특히 바람직하다.The alkylene group for L 22 may be linear or branched. Examples of preferred alkylene groups of 1 to 8 carbon atoms such as methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, hexylene group and octylene group It can be mentioned as. More preferably, a C1-C6 alkylene group is preferable, and a C1-C4 alkylene group is especially preferable.

알케닐렌기로서는 상기 알킬렌기의 임의의 위치에 이중 결합을 갖는 기를 들 수 있다.As an alkenylene group, the group which has a double bond in the arbitrary position of the said alkylene group is mentioned.

2가의 지방족 탄화수소환기로서는 단환형 또는 다환형 중 어느 것이어도 좋고, 예를 들면, 시클로부틸렌기, 시클로펜틸렌기, 시클로헥실렌기, 노르보르나닐렌기, 아다만틸렌기, 디아만타닐렌기 등의 탄소수 3∼17의 2가의 지방족 탄화수소환기를 바람직한 예로서 들 수 있다.The divalent aliphatic hydrocarbon ring group may be either monocyclic or polycyclic, for example, a cyclobutylene group, a cyclopentylene group, a cyclohexylene group, a norbornanylene group, an adamantylene group, a diamantanylene group, or the like. Preferable examples include a C3-C17 divalent aliphatic hydrocarbon ring group.

2가의 방향환기로서는 앞서 기재한 L21에 있어서의 연결기로서의 2가의 방향환기에 있어서 열거한 구체예와 같은 기를 들 수 있다.Examples of the divalent aromatic ring group include the same groups as the specific examples listed in the divalent aromatic ring group as the linking group for L 21 described above.

또한, L22에 있어서의 연결기의 -NR- 및 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기로서는 상술한 X21에 있어서의 각각과 같은 구체예를 들 수 있고, 바람직한 예도 같다.Moreover, the same specific example as each in X <21> mentioned above is mentioned as -NR- and bivalent nitrogen containing non-aromatic heterocyclic group of the coupling group in L <22> , and a preferable example is also the same.

L22의 바람직한 구체예로서는 상술한 일반식(I)에 있어서의 L12에 있어서 예시한 구조를 들 수 있다.As a preferable specific example of L <22> , the structure illustrated in L <12> in General formula (I) mentioned above is mentioned.

Z2는 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 술폰산기, 이미드산기 또는 메티드산기가 되는 부위를 나타낸다. Z2는 일반식(I)에 있어서의 Z1과 동의이며, Z1에 관한 상기 설명이 Z2에 대해서도 적합하다. 또한, 구체예에 관해서도 Z1에 있어서 열거한 구체예와 같은 기를 들 수 있다.Z <2> represents the site | part which turns into a sulfonic acid group, an imid acid group, or a methic acid group by irradiation of actinic light or a radiation. Z 2 is suitable even for the above description relates to a Z 1 and agreed in the formula (I), Z 1 Z 2 . In addition, there may be mentioned groups such as the embodiments listed in the Z 1 As for the specific example.

일반식(II)의 반복단위에 대응하는 중합성 모노머에 관하여 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 양이온이 탈리되어 술폰산, 이미드산 또는 메티드산을 생성하는 중합성 모노머의 구체예를 이하에 예시한다.Specific examples of the polymerizable monomer in which the cation is desorbed by actinic light or radiation irradiation to produce sulfonic acid, imide acid or methic acid with respect to the polymerizable monomer corresponding to the repeating unit of general formula (II) are shown below. .

Figure pat00018
Figure pat00018

Figure pat00019
Figure pat00019

또한, 반복단위(A)는 다른 형태에 있어서 일반식(I) 또는 일반식(II) 이외로 나타내어지는 상기 산 음이온의 카운터 양이온을 제외한 상기 측쇄에 방향환을 함유하는 반복단위이어도 좋다. Moreover, the repeating unit (A) may be a repeating unit which contains an aromatic ring in the said side chain except the counter cation of the said acid anion represented by general formula (I) or general formula (II) in another form.

이러한 반복단위(A)에 대응하는 중합성 모노머에 관하여 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 양이온이 탈리되어 술폰산, 이미드산 또는 메티드산을 생성하는 중합체 모노머의 구체예를 이하에 예시한다.Specific examples of the polymer monomer in which the cation is released by irradiation of actinic light or radiation with respect to the polymerizable monomer corresponding to this repeating unit (A) to produce sulfonic acid, imide acid or methic acid are shown below.

Figure pat00020
Figure pat00020

반복단위(A)로서는 일반식(III)으로 나타내어지는 것도 바람직하다.As a repeating unit (A), what is represented by general formula (III) is also preferable.

Figure pat00021
Figure pat00021

일반식(III)에 있어서 R31, R32, R33은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 할로겐원자, 시아노기 또는 알콕시카르보닐기를 나타낸다. In General Formula (III), R 31 , R 32 and R 33 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group.

알킬기는 치환기를 갖고 있어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기이며, 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 좋은 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 도데실기 등 탄소수 20 이하의 알킬기를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 탄소수 8 이하의 알킬기, 특히 바람직하게는 탄소수 3 이하의 알킬기를 들 수 있다.The alkyl group is a linear or branched alkyl group which may have a substituent, and preferably a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl group or 2-ethyl which may have a substituent. C20 or less alkyl groups, such as a hexyl group, an octyl group, and a dodecyl group, are mentioned, More preferably, an alkyl group of 8 or less carbon atoms, Especially preferably, an alkyl group of 3 or less carbon atoms is mentioned.

알콕시카르보닐기에 포함되는 알킬기로서는 상기 R31, R32 및 R33에 있어서의 알킬기와 같은 것이 바람직하다.As an alkyl group contained in the alkoxycarbonyl group, the same thing as the alkyl group in said R <31> , R <32> and R <33> is preferable.

1가의 지방족 탄화수소환기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 단환형 또는 다환형의 지방족 탄화수소환기를 들 수 있다. 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 좋은 시클로프로필기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기와 같은 탄소수 3∼8개이며 단환형의 1가의 지방족 탄화수소환기를 들 수 있다.As monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, the monocyclic or polycyclic aliphatic hydrocarbon ring group which may have a substituent is mentioned. Preferably, a monocyclic monovalent aliphatic hydrocarbon ring group having 3 to 8 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group which may have a substituent is mentioned.

할로겐원자로서는 불소원자, 염소원자, 브롬원자 및 요오드원자를 들 수 있고, 불소원자가 특히 바람직하다.Examples of the halogen atom include fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom, with fluorine atom being particularly preferred.

상기 각 기가 갖고 있어도 좋은 바람직한 치환기로서는 수산기, 할로겐원자(불소, 염소, 브롬, 요오드), 니트로기, 시아노기, 아미드기, 술폰아미드기, R21∼R23에서 열거한 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 히드록시에톡시기, 프로폭시기, 히드록시프로폭시기, 부톡시기 등의 알콕시기, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기 등의 알콕시카르보닐기, 포르밀기, 아세틸기, 벤조일기 등의 아실기, 아세톡시기, 부티릴옥시기 등의 아실옥시기, 카르복시기를 들 수 있다. 특히, 수산기, 할로겐원자가 바람직하다.Preferred substituents which each group may have include hydroxyl group, halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine), nitro group, cyano group, amide group, sulfonamide group, alkyl group listed in R 21 to R 23 , methoxy group, ethoxy Alkoxy groups such as alkoxy groups such as time periods, hydroxyethoxy groups, propoxy groups, hydroxypropoxy groups, butoxy groups, alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl groups and ethoxycarbonyl groups, acyl groups such as formyl groups, acetyl groups and benzoyl groups, Acyloxy groups, such as an acetoxy group and a butyryloxy group, and a carboxy group are mentioned. In particular, a hydroxyl group and a halogen atom are preferable.

식(III)에 있어서의 R31, R32 및 R33으로서는 수소원자, 알킬기, 할로겐원자가 보다 바람직하고, 수소원자, 메틸기, 에틸기, 트리플루오로메틸기(-CF3), 히드록시메틸기(-CH2-OH), 클로로메틸기(-CH2-Cl), 불소원자(-F)가 특히 바람직하다.As R 31 , R 32 and R 33 in formula (III), a hydrogen atom, an alkyl group and a halogen atom are more preferable, and a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a trifluoromethyl group (-CF 3 ) and a hydroxymethyl group (-CH 2 -OH), chloromethyl group (-CH 2 -Cl), fluorine atom (-F) is particularly preferred.

X31, X32는 각각 독립적으로 단결합, -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기, 또는 이들을 조합한 기를 나타낸다.X 31 and X 32 are each independently a single bond, —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (R is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing nonaromatic heterocyclic group, Or group combining these.

-NR-에 있어서 R에 의해 나타내어지는 알킬기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기이며, 상기 R31, R32, R33에 있어서의 알킬기와 같은 구체예를 들 수 있다. R로서, 수소원자, 메틸기, 에틸기가 특히 바람직하다.As an alkyl group represented by R in -NR-, it is a linear or branched alkyl group which may have a substituent, and the specific example like the alkyl group in said R <31> , R <32> , R <33> is mentioned. As R, a hydrogen atom, a methyl group and an ethyl group are particularly preferable.

또한, 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기는 적어도 1개의 질소원자를 갖는 바람직하게는 3∼8원의 비방향족 복소환기를 나타내고, 구체적으로는 상술한 일반식(I)에 있어서의 X11∼X13에 있어서 예시한 구조를 들 수 있다.In addition, the divalent nitrogen-containing nonaromatic heterocyclic group preferably has a 3 to 8 membered non-aromatic heterocyclic group having at least one nitrogen atom, and specifically, X 11 to X in General Formula (I) described above. The structure illustrated in 13 is mentioned.

X31로서는 단결합, -O-, -CO-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 또는 이들을 조합한 기가 보다 바람직하고, -COO-, -CONR-(R은 수소원자 또는 알킬기)이 특히 바람직하다. As X <31>, a single bond, -O-, -CO-, -NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), or group which combined these is more preferable, -COO-, -CONR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group) This is particularly preferred.

X32로서는 단결합, -O-, -CO-, -SO2-, 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기, 및 이들을 조합한 기가 보다 바람직하고, 단결합, -OCO-, -OSO2-, 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기와 -SO2-를 조합한 기가 특히 바람직하다.As X 32, a single bond, -O-, -CO-, -SO 2- , a divalent nitrogen-containing nonaromatic heterocyclic group, and a group in combination thereof are more preferable, and a single bond, -OCO-, -OSO 2- , 2 Particularly preferred are groups in which a volatile nitrogen-containing nonaromatic heterocyclic group and -SO 2 -are combined.

L31은 단결합, 알킬렌기, 알케닐렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기 또는 이들의 2 이상을 조합한 기를 나타낸다. 조합한 기에 있어서 조합되는 2 이상의 기는 같아도 달라도 좋고, 또한 연결기로서 -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기, 또는 이들을 조합한 기를 통해 연결되어 있어도 좋다.L 31 represents a single bond, an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group or a group of two or more thereof combined. Two or more groups to be combined in the combined group may be the same or different, and as the linking group, -O-, -S-, -CO-, -SO 2- , -NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group) and a divalent nitrogen-containing ratio You may be connected through the aromatic heterocyclic group or the group which combined these.

L31에 있어서의 알킬렌기로서는 직쇄상이어도 분기상이어도 좋고, 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 헥실렌기, 옥틸렌기 등의 탄소수 1∼8개를 바람직한 예로서 들 수 있다. 탄소수 1∼6개의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소수 1∼4개의 알킬렌기가 특히 바람직하다.The alkylene group for L 31 may be linear or branched. For example, examples of the alkylene group having 1 to 8 carbon atoms such as methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, hexylene group and octylene group are given as preferable examples. Can be. More preferably, a C1-C6 alkylene group is preferable, and a C1-C4 alkylene group is especially preferable.

알케닐렌기로서는 상기 L31에서 설명한 알킬렌기의 임의의 위치에 이중 결합을 갖는 기를 들 수 있다.As an alkenylene group, the group which has a double bond in arbitrary positions of the alkylene group demonstrated by said L <31> is mentioned.

2가의 지방족 탄화수소환기로서는 단환형 또는 다환형 중 어느 것이어도 좋고, 예를 들면, 시클로부틸렌기, 시클로펜틸렌기, 시클로헥실렌기, 노르보르나닐렌기, 아다만틸렌기, 디아만타닐렌기 등의 탄소수 3∼17의 2가의 지방족 탄화수소환기를 바람직한 예로서 들 수 있다. 탄소수 5∼12의 2가의 지방족 탄화수소환기가 보다 바람직하고, 탄소수 6∼10의 2가의 지방족 탄화수소환기가 특히 바람직하다.The divalent aliphatic hydrocarbon ring group may be either monocyclic or polycyclic, for example, a cyclobutylene group, a cyclopentylene group, a cyclohexylene group, a norbornanylene group, an adamantylene group, a diamantanylene group, or the like. Preferable examples include a C3-C17 divalent aliphatic hydrocarbon ring group. More preferable is a C5-12 divalent aliphatic hydrocarbon ring group, and a C6-10 divalent aliphatic hydrocarbon ring group is particularly preferable.

또한, -NR- 및 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기로서는 상술한 X31에 있어서의 각각과 같은 구체예를 들 수 있고, 바람직한 예도 같다.In addition, there may be mentioned a specific example, such as each of the -NR- and bivalent nitrogen-containing non-aromatic heterocycle which X 31 described above as the ventilation, as preferred examples.

L31로서는 단결합, 알킬렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기, 또는 -OCO-, -O-, -CONH-을 통해 알킬렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기를 조합한 기(예를 들면, -알킬렌기-O-알킬렌기-, -알킬렌기-OCO-알킬렌기-, -2가의 지방족 탄화수소환기-O-알킬렌기-, -알킬렌기-CONH-알킬렌기-등)가 특히 바람직하다.L 31 is a single bond, an alkylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, or a group combining an alkylene group or a divalent aliphatic hydrocarbon ring group via -OCO-, -O-, or -CONH- (for example, -alkylene group- O-alkylene group-, -alkylene group-OCO-alkylene group-, -divalent aliphatic hydrocarbon ring group-O-alkylene group-, -alkylene group-CONH-alkylene group-, etc. are especially preferable.

L32는 알킬렌기, 알케닐렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기, 또는 이들의 2 이상을 조합한 기를 나타내고, 이들의 기는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자, 불화알킬기, 니트로기, 또는 시아노기로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있다. 조합한 기에 있어서 조합되는 2 이상의 기는 같아도 달라도 좋고, 또한 연결기로서 -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR-(R은 수소원자 또는 알킬기), 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기, 또는 이들을 조합한 기를 통해 연결되어 있어도 좋다.L 32 represents an alkylene group, an alkenylene group, a divalent aliphatic hydrocarbon ring group, or a combination of two or more thereof, in which some or all of the hydrogen atoms are selected from a fluorine atom, an alkyl fluoride group, a nitro group, or a cyano group It is substituted by the substituent selected. Two or more groups combined in the combined group may be the same or different, and as a linking group, -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group) and a divalent nitrogen-containing nonaromatic You may be connected through the heterocyclic group or the group which combined them.

L32로서는 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자 또는 불화 알킬기(보다 바람직하게는 퍼플루오로알킬기)로 치환된 알킬렌기가 보다 바람직하고, 수소원자의 일부 또는 전부가 불소원자로 치환된 알킬렌기가 특히 바람직하다. L32로서 수소원자수의 30∼100%가 불소원자로 치환된 알킬렌기가 가장 바람직하다.As L 32, an alkylene group in which part or all of hydrogen atoms are substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group (more preferably perfluoroalkyl group) is more preferable, and an alkylene group in which part or all of hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms is particularly preferred. desirable. As L 32 , an alkylene group having 30 to 100% of the number of hydrogen atoms substituted with a fluorine atom is most preferred.

L32에 있어서의 알킬렌기로서는 직쇄상이어도 분기상이어도 좋고, 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 헥실렌기, 옥틸렌기 등의 탄소수 1∼8개의 알킬렌기를 바람직한 예로서 들 수 있다. 탄소수 1∼6개의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소수 1∼4개의 알킬렌기가 특히 바람직하다.The alkylene group for L 32 may be linear or branched. Examples of preferred alkylene groups of 1 to 8 carbon atoms such as methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, hexylene group and octylene group It can be mentioned as. More preferably, a C1-C6 alkylene group is preferable, and a C1-C4 alkylene group is especially preferable.

알케닐렌기로서는 상기 알킬렌기의 임의의 위치에 이중 결합을 갖는 기를 들 수 있다.As an alkenylene group, the group which has a double bond in the arbitrary position of the said alkylene group is mentioned.

2가의 지방족 탄화수소환기로서는 단환형 또는 다환형 중 어느 것이어도 좋고, 예를 들면, 시클로부틸렌기, 시클로펜틸렌기, 시클로헥실렌기, 노르보르나닐렌기, 아다만틸렌기, 디아만타닐렌기 등의 탄소수 3∼17의 2가의 지방족 탄화수소환기를 바람직한 예로서 들 수 있다.The divalent aliphatic hydrocarbon ring group may be either monocyclic or polycyclic, for example, a cyclobutylene group, a cyclopentylene group, a cyclohexylene group, a norbornanylene group, an adamantylene group, a diamantanylene group, or the like. Preferable examples include a C3-C17 divalent aliphatic hydrocarbon ring group.

또한, L32에 있어서의 연결기의 -NR- 및 2가의 질소 함유 비방향족 복소환기로서는 상술한 X31에 있어서의 각각과 같은 구체예를 들 수 있고, 바람직한 예도 같다.Examples of -NR- and a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group of the linking group in L 32 include the same specific examples as in X 31 described above, and preferred examples thereof are also the same.

L32의 바람직한 구체예로서는 상술한 일반식(I)에 있어서의 L12에 있어서 예시한 구조를 들 수 있다.As a preferable specific example of L <32> , the structure illustrated in L <12> in General formula (I) mentioned above is mentioned.

Z3은 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 술폰산기, 이미드산기 또는 메티드산기가 되는 부위를 나타낸다. Z3은 일반식(I)에 있어서의 Z1과 동의이며, Z1에 관한 상기 설명이 Z3에 대해서도 적합하다. 또한, 구체예에 관해서도 Z1에 있어서 열거한 구체예와 같은 기를 들 수 있다.Z <3> represents the site | part which turns into a sulfonic acid group, an imid acid group, or a methic acid group by irradiation of actinic light or a radiation. Z 3 is suitable even for the above description relates to a Z 1 and agreed in the formula (I), Z 1 Z 3 . In addition, there may be mentioned groups such as the embodiments listed in the Z 1 As for the specific example.

일반식(III)의 반복단위에 대응하는 중합성 모노머에 관하여 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 양이온이 탈리되어 술폰산, 이미드산 또는 메티드산을 생성하는 중합체 모노머의 구체예를 이하에 예시한다.Specific examples of the polymer monomers in which the cation is desorbed by actinic light or radiation irradiation to produce sulfonic acid, imide acid or methic acid with respect to the polymerizable monomer corresponding to the repeating unit of formula (III) are shown below.

Figure pat00022
Figure pat00022

반복단위(A)에 대응하는 중합성 화합물은 일반적인 술폰산 에스테르화 반응 또는 술폰아미드화 반응을 사용함으로써 합성할 수 있다. 예를 들면, 비스술포닐할라이드 화합물의 한쪽의 술포닐할라이드부를 선택적으로 아민, 알콜 등과 반응시켜서 술폰아미드 결합, 술폰산 에스테르 결합을 형성한 후, 다른 한쪽의 술포닐할라이드 부분을 가수분해하는 방법, 또는 환상 술폰산 무수물을 아민, 알콜에 의해 개환시키는 방법에 의해 얻을 수 있다. 또한, US5554664, J. Fluorine Chem. 105(2000) 129-136, J. Fluorine Chem. 116(2002) 45-48에 기재되어 있는 방법을 사용해도 용이하게 합성할 수 있다.The polymerizable compound corresponding to the repeating unit (A) can be synthesized by using a general sulfonic acid esterification reaction or sulfonamide reaction. For example, a method of reacting one sulfonyl halide portion of a bissulfonyl halide compound with a amine, an alcohol or the like to form a sulfonamide bond, a sulfonic acid ester bond, and then hydrolyzing the other sulfonyl halide portion, or It can obtain by the method of ring-opening cyclic sulfonic acid anhydride with amine and alcohol. See also US5554664, J. Fluorine Chem. 105 (2000) 129-136, J. Fluorine Chem. The synthesis described in 116 (2002) 45-48 can also be readily synthesized.

반복단위(A)에 대응하는 중합성 화합물은 상기에서 합성한 유기산의 리튬, 나트륨, 칼륨염과 요오드늄 또는 술포늄의 수산화물, 브롬화물, 염화물 등으로부터 일본 특허 공표 11-501909호 공보, 또는 일본 특허 공개 2003-246786호 공보에 기재되어 있는 염 교환법이나, 일본 특허 공개 평 10-232490호 공보 또는 특허 제4025039호 공보 등에 기재되어 있는 염 교환법을 사용해서 용이하게 합성할 수 있다.The polymerizable compound corresponding to the repeating unit (A) is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-501909, or Japan, from a hydroxide, bromide, chloride or the like of lithium, sodium, potassium salt and iodide or sulfonium of the organic acid synthesized above. It can be synthesize | combined easily using the salt exchange method of Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-246786, the salt exchange method of Unexamined-Japanese-Patent No. 10-232490, 404039, etc., and the like.

하기 표에 반복단위(A)에 대응하는 중합성 화합물(M)의 구체예를 양이온 구조(상기 예시의 (Z-1)∼(Z-61))와 음이온 구조(앞에서 예시한 (I-1)∼(I-65), (II-1)∼(II-27), (III-1)∼(III-40)에 있어서의 유기산의 수소원자를 제외한 음이온)의 조합으로서 나타낸다.Specific examples of the polymerizable compound (M) corresponding to the repeating unit (A) in the following table are cationic structures ((Z-1) to (Z-61) in the above examples) and anionic structures ((I-1 described above). )-(I-65), (II-1) to (II-27), and (III-1) to (III-40), except for the hydrogen atom of the organic acid.

Figure pat00023
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Figure pat00024
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Figure pat00025
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Figure pat00026
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수지(P) 중의 반복단위(A)의 함유율은 전체 반복단위에 대해서 0.5∼80몰%의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1∼60몰%의 범위이며, 더욱 바람직하게는 3∼40몰%의 범위이다.The content rate of the repeating unit (A) in the resin (P) is preferably in the range of 0.5 to 80 mol%, more preferably in the range of 1 to 60 mol%, more preferably 3 to 40 mol relative to the total repeating units. Range of%.

〔반복단위(B)〕[Repeating unit (B)]

수지(P)는 상기 반복단위(A)에 추가해서 산의 작용에 의해 분해되어 알칼리 가용성기를 발생시키는 반복단위(B)(이하, 「산분해성기를 갖는 반복단위」라고 칭하는 경우가 있다)를 갖는 것이 바람직하다.The resin (P) has a repeating unit (B) (hereinafter sometimes referred to as a "repeating unit having an acid-decomposable group") in addition to the repeating unit (A), which is decomposed by the action of an acid to generate an alkali-soluble group. It is preferable.

알칼리 가용성기로서는 페놀성 수산기, 카르복실기, 불소화 알콜기, 술폰산기, 술폰아미드기, 술포닐이미드기, (알킬술포닐)(알킬카르보닐)메틸렌기, (알킬술포닐)(알킬카르보닐)이미드기, 비스(알킬카르보닐)메틸렌기, 비스(알킬카르보닐)이미드기, 비스(알킬술포닐)메틸렌기, 비스(알킬술포닐)이미드기, 트리스(알킬카르보닐)메틸렌기, 트리스(알킬술포닐)메틸렌기 등을 들 수 있다.As an alkali-soluble group, a phenolic hydroxyl group, a carboxyl group, a fluorinated alcohol group, a sulfonic acid group, a sulfonamide group, a sulfonimide group, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) methylene group, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) Imide group, bis (alkylcarbonyl) methylene group, bis (alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylsulfonyl) methylene group, bis (alkylsulfonyl) imide group, tris (alkylcarbonyl) methylene group, tris ( Alkyl sulfonyl) methylene group etc. are mentioned.

바람직한 알칼리 가용성기로서는 페놀성 수산기, 카르복실기, 불소화 알콜기(바람직하게는 헥사플루오로이소프로판올), 술폰산기를 들 수 있다.Preferred alkali-soluble groups include phenolic hydroxyl groups, carboxyl groups, fluorinated alcohol groups (preferably hexafluoroisopropanol), and sulfonic acid groups.

산분해성기로서 바람직한 기는 이들 알칼리 가용성기의 수소원자를 산으로 탈리하는 기로 치환한 기이다.A group preferable as an acid-decomposable group is group which substituted the hydrogen atom of these alkali-soluble groups by the group which detach | desorbs with acid.

산으로 탈리되는 기로서는 예를 들면, -C(R36)(R37)(R38), -C(R01)(R02)(OR39), -C(=O)-O-C(R36)(R37)(R38), -C(R01)(R02)-C(=O)-O-C(R36)(R37)(R38), -CH(R36)(Ar) 등을 들 수 있다.Examples of the group that are released to the acid include -C (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ), -C (R 01 ) (R 02 ) (OR 39 ), and -C (= 0) -OC (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ), -C (R 01 ) (R 02 ) -C (= O) -OC (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ), -CH (R 36 ) (Ar ), And the like.

식 중, R36∼R39는 각각 독립적으로 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 1가의 방향환기, 알킬렌기와 1가의 방향환기를 조합한 기 또는 알케닐기 나타낸다. R36과 R37은 서로 결합해서 환을 형성해도 좋다.In the formula, each of R 36 to R 39 independently represents an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, a monovalent aromatic ring group, a group in which an alkylene group and a monovalent aromatic ring group are combined, or an alkenyl group. R 36 and R 37 may be bonded to each other to form a ring.

R01∼R02는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 1가의 방향환기, 알킬렌기와 1가의 방향환기를 조합한 기 또는 알케닐기를 나타낸다.R 01 to R 02 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, a monovalent aromatic ring group, a group in which an alkylene group and a monovalent aromatic ring group are combined, or an alkenyl group.

Ar은 1가의 방향환기를 나타낸다.Ar represents a monovalent aromatic ring group.

R36∼R39, R01 및 R02의 알킬기는 탄소수 1∼8의 알킬기가 바람직하고, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 헥실기, 옥틸기 등을 들 수 있다.The alkyl group of R 36 to R 39 , R 01 and R 02 is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and for example, methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl group, octyl group Etc. can be mentioned.

R36∼R39, R01 및 R02의 1가의 지방족 탄화수소환기는 단환형이어도, 다환형이어도 좋다. 단환형으로서는 탄소수 3∼8의 지방족 탄화수소환기가 바람직하고, 예를 들면, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로옥틸기 등을 들 수 있다. 다환형으로서는 탄소수 6∼20의 지방족 탄화수소환기가 바람직하고, 예를 들면, 아다만틸기, 노르보르닐기, 이소보로닐기, 캄파닐기, 디시클로펜틸기, α-피넬기, 트리시클로데카닐기, 테트라시클로도데실기, 안스로스타닐기 등을 들 수 있다. 또한, 지방족 탄화수소환기 중 탄소원자의 일부가 산소원자 등의 헤테로 원자에 의해 치환되어 있어도 좋다.The monovalent aliphatic hydrocarbon ring group of R 36 to R 39 , R 01, and R 02 may be monocyclic or polycyclic. As monocyclic type, a C3-C8 aliphatic hydrocarbon ring group is preferable, For example, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclooctyl group, etc. are mentioned. As a polycyclic type, a C6-C20 aliphatic hydrocarbon ring group is preferable, For example, an adamantyl group, norbornyl group, isoboroyl group, campanyl group, dicyclopentyl group, (alpha)-pinenel group, tricyclo decanyl group, Tetracyclododecyl group, anthrostanyl group, etc. are mentioned. In addition, a part of the carbon atoms in the aliphatic hydrocarbon ring group may be substituted by a hetero atom such as an oxygen atom.

R36∼R39, R01 및 R02 및 Ar의 1가의 방향환기는 탄소수 6∼10의 1가의 방향환기가 바람직하고, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기 등의 아릴기, 티오펜, 푸란, 피롤, 벤조티오펜, 벤조푸란, 벤조피롤, 트리아진, 이미다졸, 벤조이미다졸, 트리아졸, 티아디아졸, 티아졸 등의 헤테로환을 포함하는 2가의 방향환기를 들 수 있다.The monovalent aromatic ring group of R 36 to R 39 , R 01, and R 02 and Ar is preferably a monovalent aromatic ring group having 6 to 10 carbon atoms, for example, an aryl group such as phenyl group, naphthyl group, anthryl group, tee And divalent aromatic ring groups including heterocycles such as opene, furan, pyrrole, benzothiophene, benzofuran, benzopyrrole, triazine, imidazole, benzoimidazole, triazole, thiadiazole and thiazole. .

R36∼R39, R01 및 R02의 알킬렌기와 1가의 방향환기를 조합한 기로서는 탄소수 7∼12의 아랄킬기가 바람직하고, 예를 들면, 벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기 등을 들 수 있다.R 36 ~R 39, R 01 and the group as a combination of an alkylene group and a monovalent ventilation direction of the R 02, and preferably an aralkyl group having a carbon number of 7 to 12, for an example, a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, etc. Can be mentioned.

R36∼R39, R01 및 R02의 알케닐기는 탄소수 2∼8의 알케닐기가 바람직하고, 예를 들면, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 시클로헥세닐기 등을 들 수 있다.The alkenyl group of R 36 to R 39 , R 01 and R 02 is preferably an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, and examples thereof include vinyl group, allyl group, butenyl group, cyclohexenyl group and the like.

R36과 R37은 서로 결합해서 형성하는 환은 단환형이어도 다환형이어도 좋다. 단환형으로서는 탄소수 3∼8의 지방족 탄화수소환 구조가 바람직하고, 예를 들면, 시클로프로판 구조, 시클로부탄 구조, 시클로펜탄 구조, 시클로헥산 구조, 시클로헵탄 구조, 시클로옥탄 구조 등을 들 수 있다. 다환형으로서는 탄소수 6∼20의 지방족 탄화수소환 구조가 바람직하고, 예를 들면, 아다만탄 구조, 노르보르난 구조, 디시클로펜탄 구조, 트리시클로데칸 구조, 테트라시클로도데칸 구조 등을 들 수 있다. 또한, 지방족 탄화수소환 구조 중의 탄소원자의 일부가 산소원자 등의 헤테로원자에 의해 치환되어 있어도 좋다.The ring formed by combining R 36 and R 37 with each other may be monocyclic or polycyclic. As monocyclic type, a C3-C8 aliphatic hydrocarbon ring structure is preferable, For example, a cyclopropane structure, a cyclobutane structure, a cyclopentane structure, a cyclohexane structure, a cycloheptane structure, a cyclooctane structure, etc. are mentioned. As the polycyclic type, an aliphatic hydrocarbon ring structure having 6 to 20 carbon atoms is preferable, and examples thereof include adamantane structure, norbornane structure, dicyclopentane structure, tricyclodecane structure, and tetracyclododecane structure. . In addition, a part of the carbon atoms in the aliphatic hydrocarbon ring structure may be substituted by heteroatoms such as oxygen atoms.

R36∼R39, R01, R02, 및 Ar로서의 상기 각 기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는 예를 들면, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 아릴기, 아미노기, 아미드기, 우레이도기, 우레탄기, 히드록실기, 카르복실기, 할로겐원자, 알콕시기, 티오에테르기, 아실기, 아실옥시기, 알콕시카르보닐기, 시아노기, 니트로기 등을 들 수 있고, 치환기의 탄소수는 8 이하가 바람직하다.Each of the groups as R 36 to R 39 , R 01 , R 02 , and Ar may have a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, an aryl group, an amino group, an amide group, a ureido group, and a urethane. A group, a hydroxyl group, a carboxyl group, a halogen atom, an alkoxy group, a thioether group, an acyl group, an acyloxy group, an alkoxycarbonyl group, a cyano group, a nitro group, etc. are mentioned, C8 of a substituent is preferable.

반복단위(B)로서는 하기 일반식(V) 또는 (VI)으로 나타내어지는 반복단위가 보다 바람직하다.As a repeating unit (B), the repeating unit represented with the following general formula (V) or (VI) is more preferable.

Figure pat00027
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일반식(V)에 있어서 R51, R52, R53은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 할로겐원자, 시아노기 또는 알콕시카르보닐기를 나타낸다. R52는 L5와 결합해서 환(바람직하게는 5원 또는 6원환)을 형성하고 있어도 좋고, 그 경우의 R52는 알킬렌기를 나타낸다.In General Formula (V), R 51 , R 52 and R 53 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. R 52 may be bonded to L 5 to form a ring (preferably a 5- or 6-membered ring), in which case R 52 represents an alkylene group.

L5는 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, R52와 환을 형성하는 경우에는 3가의 연결기를 나타낸다.L 5 represents a single bond or a divalent linking group, and in the case of forming a ring with R 52 , represents a trivalent linking group.

R54는 알킬기를 나타내고, R55 및 R56은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기 또는 1가의 방향환기를 나타낸다. R55 및 R56은 서로 결합해서 환을 형성해도 좋다. 단, R55와 R56이 동시에 수소원자인 일은 없다.R 54 represents an alkyl group, and R 55 and R 56 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group or a monovalent aromatic ring group. R 55 and R 56 may be bonded to each other to form a ring. However, R 55 and R 56 do not simultaneously represent a hydrogen atom.

일반식(VI) 중 R61, R62, R63은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 할로겐원자, 시아노기 또는 알콕시카르보닐기를 나타낸다. R62는 Ar6과 결합해서 환(바람직하게는 5원 또는 6원환)을 형성하고 있어도 좋고, 그 경우의 R62는 알킬렌기를 나타낸다.In General Formula (VI), R 61 , R 62 and R 63 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. R 62 may be bonded to Ar 6 to form a ring (preferably a 5- or 6-membered ring), in which case R 62 represents an alkylene group.

Ar6은 (n+1)가의 방향환기를 나타내고, R62와 결합해서 환을 형성하는 경우에는 (n+2)가의 방향환기를 나타낸다.Ar 6 represents a (n + 1) valent aromatic ring group, and when combined with R 62 to form a ring, (n + 2) valent aromatic ring group.

Y는 수소원자 또는 산의 작용에 의해 탈리되는 기를 나타내고, Y가 복수 존재하는 경우 복수의 Y는 같아도 달라도 좋다. 단, Y 중 적어도 1개는 산의 작용에 의해 탈리되는 기를 나타낸다.Y represents a group which is released by the action of a hydrogen atom or an acid, and when a plurality of Y are present, a plurality of Y may be the same or different. Provided that at least one of Y represents a group that is released by the action of an acid.

n은 1∼4의 정수를 나타낸다.n represents the integer of 1-4.

일반식(V)에 대해서 더욱 상세하게 설명한다.General formula (V) is demonstrated in more detail.

일반식(V)에 있어서의 R51∼R53의 알킬기로서는 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 좋은 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 도데실기 등 탄소수 20 이하의 알킬기를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 탄소수 8 이하의 알킬기, 특히 바람직하게는 탄소수 3 이하의 알킬기를 들 수 있다.As an alkyl group of R <51> -R <53> in general formula (V), The methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group which may preferably have a substituent, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl group, 2- C20 or less alkyl groups, such as an ethylhexyl group, an octyl group, and a dodecyl group, are mentioned, More preferably, an alkyl group of 8 or less carbon atoms, Especially preferably, an alkyl group of 3 or less carbon atoms is mentioned.

알콕시카르보닐기에 포함되는 알킬기로서는 상기 R51∼R53에 있어서의 알킬기와 같은 것이 바람직하다.As an alkyl group contained in the alkoxycarbonyl group, the same thing as the alkyl group in said R <51> -R <53> is preferable.

1가의 지방족 탄화수소환기로서는 단환형이어도, 다환형이어도 좋은 1가의 지방족 탄화수소환기를 들 수 있다. 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 좋은 시클로프로필기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기와 같은 탄소수 3∼8개이며 단환형의 1가의 지방족 탄화수소환기를 들 수 있다.Examples of the monovalent aliphatic hydrocarbon ring group include monovalent aliphatic hydrocarbon ring groups which may be monocyclic or polycyclic. Preferably, a monocyclic monovalent aliphatic hydrocarbon ring group having 3 to 8 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group which may have a substituent is mentioned.

할로겐원자로서는 불소원자, 염소원자, 브롬원자 및 요오드원자를 들 수 있고, 불소원자가 특히 바람직하다.Examples of the halogen atom include fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom, with fluorine atom being particularly preferred.

상기 각 기에 있어서의 바람직한 치환기로서는 예를 들면, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 아릴기, 아미노기, 아미드기, 우레이도기, 우레탄기, 히드록실기, 카르복실기, 할로겐원자, 알콕시기, 티오에테르기, 아실기, 아실옥시기, 알콕시카르보닐기, 시아노기, 니트로기 등을 들 수 있고, 치환기의 탄소수는 8 이하가 바람직하다. As a preferable substituent in each said group, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, an aryl group, an amino group, an amide group, a ureido group, a urethane group, a hydroxyl group, a carboxyl group, a halogen atom, an alkoxy group, a thioether group, An acyl group, an acyloxy group, an alkoxycarbonyl group, a cyano group, a nitro group, etc. are mentioned, As for carbon number of a substituent, 8 or less are preferable.

또한 R52가 알킬렌기를 나타내는 경우 알킬렌기로서는 바람직하게는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 헥실렌기, 옥틸렌기 등의 탄소수 1∼8의 알킬렌기를 들 수 있다. 탄소수 1∼4의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소수 1∼2의 알킬렌기가 특히 바람직하다.Moreover, when R <52> represents an alkylene group, Preferably, as an alkylene group, C1-C8 alkylene groups, such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group, an octylene group, are mentioned. The alkylene group having 1 to 4 carbon atoms is more preferable, and the alkylene group having 1 to 2 carbon atoms is particularly preferable.

식(V)에 있어서의 R51, R53으로서는 수소원자, 알킬기, 할로겐원자가 보다 바람직하고, 수소원자, 메틸기, 에틸기, 트리플루오로메틸기(-CF3), 히드록시메틸기(-CH2-OH), 클로로메틸기(-CH2-Cl), 불소원자(-F)가 특히 바람직하다. R52로서는 수소원자, 알킬기, 할로겐원자, 알킬렌기(Q와 환을 형성)가 보다 바람직하고, 수소원자, 메틸기, 에틸기, 트리플루오로메틸기(-CF3), 히드록시메틸기(-CH2-OH), 클로로메틸기(-CH2-Cl), 불소원자(-F), 메틸렌기(L5와 환을 형성), 에틸렌기(L5와 환을 형성)가 특히 바람직하다.As R 51 and R 53 in formula (V), a hydrogen atom, an alkyl group, and a halogen atom are more preferable, and a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a trifluoromethyl group (-CF 3 ), and a hydroxymethyl group (-CH 2 -OH ), Chloromethyl group (-CH 2 -Cl) and fluorine atom (-F) are particularly preferred. As R 52, a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, and an alkylene group (which forms a ring with Q) are more preferable, and a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a trifluoromethyl group (-CF 3 ), and a hydroxymethyl group (-CH 2- OH), a chloromethyl group (-CH 2 -Cl), a fluorine atom (-F), a methylene group (forms a ring with L 5 ), and an ethylene group (forms a ring with L 5 ) is particularly preferred.

L5로 나타내어지는 2가의 연결기로서는 알킬렌기, 2가의 방향환기, -COO-L1-, -O-L1-, -L1-O-, 이들의 2개 이상을 조합해서 형성되는 기 등을 들 수 있다. 여기에서, L1은 알킬렌기, 2가의 지방족 탄화수소환기, 2가의 방향환기, 알킬렌기와 2가의 방향환기를 조합한 기를 나타내고, 불소원자 등의 치환기로 더 치환되어 있어도 좋다.Examples of the divalent linking group represented by L 5 include an alkylene group, a divalent aromatic ring group, -COO-L 1- , -OL 1- , -L 1 -O-, and a group formed by combining two or more thereof. Can be. Here, L <1> represents the group which combined the alkylene group, the bivalent aliphatic hydrocarbon ring group, the bivalent aromatic ring group, the alkylene group, and the bivalent aromatic ring group, and may be further substituted by substituents, such as a fluorine atom.

L5는 단결합, -COO-L1-(L1은 탄소수 1∼5의 알킬렌기가 바람직하고, 메틸렌, 프로필렌기가 보다 바람직하다) 또는 2가의 방향환기로 나타내어지는 기가 바람직하다.L 5 is preferably a single bond, -COO-L 1- (L 1 is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably methylene or propylene group) or a group represented by a divalent aromatic ring group.

R54∼R56의 알킬기로서는 탄소수 1∼20의 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼10의 것이고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기 등의 탄소수 1∼4의 것이 특히 바람직하다.As an alkyl group of R <54> -R <56> , a C1-C20 thing is preferable, More preferably, it is a C1-C10 thing, A methyl group, an ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, Particularly preferred are those having 1 to 4 carbon atoms such as t-butyl group.

R55 및 R56으로 나타내어지는 1가의 지방족 탄화수소환기로서는 탄소수 3∼20의 것이 바람직하고, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 단환성이 것이어도 좋고, 노르보르닐기, 아다만틸기, 테트라시클로데카닐기, 테트라시클로도데카닐기 등의 다환성의 것이어도 좋다. The monovalent aliphatic hydrocarbon ring group represented by R 55 and R 56 preferably has 3 to 20 carbon atoms, and may be monocyclic such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group, and may be a norbornyl group, adamantyl group, or tetracyclodeca. Polycyclic ones, such as a silyl group and a tetracyclo dodecanyl group, may be sufficient.

또한, R55 및 R56이 서로 결합해서 형성되는 환으로서는 탄소수 3∼20의 것이 바람직하고, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 단환성이 것이어도 좋고, 노르보르닐기, 아다만틸기, 테트라시클로데카닐기, 테트라시클로도데카닐기 등의 다환성이 것이어도 좋다. R55 및 R56이 서로 결합해서 환을 형성하는 경우 R54는 탄소수 1∼3의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기가 보다 바람직하다.Moreover, as a ring formed by combining R <55> and R <56> mutually, C3-C20 is preferable, Monocyclic things, such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group, may be sufficient and a norbornyl group, adamantyl group, and tetracyclo Polycyclic ones, such as a decanyl group and a tetracyclo dodecanyl group, may be sufficient. When R 55 and R 56 are bonded to each other to form a ring, R 54 is preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and more preferably a methyl group or an ethyl group.

R55 및 R56으로 나타내어지는 1가의 방향환기로서는 탄소수 6∼20의 것이 바람직하고, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다. R55 및 R56 중 어느 한쪽이 수소원자인 경우 다른쪽은 1가의 방향환기인 것이 바람직하다.As the monovalent aromatic ring group represented by R 55 and R 56 , one having 6 to 20 carbon atoms is preferable, and examples thereof include a phenyl group and a naphthyl group. When either one of R 55 and R 56 is a hydrogen atom, the other is preferably a monovalent aromatic ring group.

일반식(V)로 나타내어지는 반복단위에 상당하는 모노머의 합성 방법으로서는 일반적인 중합성기 함유 에스테르의 합성법을 적용하는 것이 가능하며, 특별히 한정되는 일은 없다.As a synthesis | combining method of the monomer corresponded to the repeating unit represented by general formula (V), it is possible to apply the synthesis | combining method of a general polymeric group containing ester, and it is not specifically limited.

이하에, 일반식(V)로 나타내어지는 반복단위의 구체예를 나타내지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.Although the specific example of the repeating unit represented by general formula (V) below is shown, this invention is not limited to this.

Figure pat00028
Figure pat00028

Figure pat00029
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Figure pat00030
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Figure pat00031
Figure pat00031

일반식(VI)에 대해서 상세하게 설명한다.General formula (VI) is demonstrated in detail.

일반식(VI)에 있어서의 R61∼R63의 알킬기로서는 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 좋은 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 도데실기 등 탄소수 20 이하의 알킬기를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 탄소수 8 이하의 알킬기를 들 수 있다. As the alkyl group of R 61 to R 63 in the general formula (VI), a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl group, 2- which may preferably have a substituent And an alkyl group having 20 or less carbon atoms, such as an ethylhexyl group, an octyl group and a dodecyl group, and more preferably an alkyl group having 8 or less carbon atoms.

알콕시카르보닐기에 포함되는 알킬기로서는 상기 R61∼R63에 있어서의 알킬기와 같은 것이 바람직하다.As an alkyl group contained in the alkoxycarbonyl group, the same thing as the alkyl group in said R <61> -R <63> is preferable.

1가의 지방족 탄화수소환기로서는 단환형이어도 다환형이어도 좋고, 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 좋은 시클로프로필기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기와 같은 탄소수 3∼8개의 단환형의 1가의 지방족 탄화수소환기를 들 수 있다.As monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, monocyclic or polycyclic may be sufficient, Preferably, C3-C8 monocyclic monovalent aliphatic hydrocarbon ring groups, such as the cyclopropyl group, cyclopentyl group, and cyclohexyl group which may have a substituent are mentioned. Can be.

할로겐원자로서는 불소원자, 염소원자, 브롬원자 및 요오드원자를 들 수 있고, 불소원자가 보다 바람직하다.As a halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom are mentioned, A fluorine atom is more preferable.

R62가 알킬렌기를 나타내는 경우 알킬렌기로서는 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 좋은 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 헥실렌기, 옥틸렌기 등의 탄소수 1∼8개의 것을 들 수 있다. When R 62 represents an alkylene group, an alkylene group preferably has 1 to 8 carbon atoms such as methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, hexylene group and octylene group which may have a substituent.

Ar6은 (n+1)가의 방향환기를 나타낸다. n이 1인 경우에 있어서의 2가의 방향환기는 예를 들면, 페닐렌기, 톨릴렌기, 나프틸렌기 등의 탄소수 6∼18의 아릴렌기, 또는 예를 들면, 티오펜, 푸란, 피롤, 벤조티오펜, 벤조푸란, 벤조피롤, 트리아진, 이미다졸, 벤조이미다졸, 트리아졸, 티아디아졸, 티아졸 등의 헤테로환을 포함하는 2가의 방향환기를 바람직한 예로서 들 수 있다.Ar 6 represents an (n + 1) valent aromatic ring group. When n is 1, the divalent aromatic ring group is, for example, an arylene group having 6 to 18 carbon atoms such as a phenylene group, tolylene group, naphthylene group, or thiophene, furan, pyrrole, benzoti A bivalent aromatic ring group containing heterocycles, such as offen, benzofuran, benzopyrrole, triazine, imidazole, benzoimidazole, triazole, thiadiazole, thiazole, is mentioned as a preferable example.

n이 2 이상의 정수인 경우에 있어서의 (n+1)가의 방향환기의 구체예로서는 2가의 방향환기의 상기한 구체예로부터 (n-1)개의 임의의 수소원자를 나누어서 이루어지는 기를 바람직하게 들 수 있다. (n+1)가의 방향환기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.As a specific example of the (n + 1) valent aromatic ring group in case n is an integer of 2 or more, the group formed by dividing (n-1) arbitrary hydrogen atoms from said specific example of a bivalent aromatic ring group is mentioned preferably. The (n + 1) valent aromatic ring group may further have a substituent.

상술한 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 알콕시카르보닐기, 알킬렌기 및 (n+1)가의 방향환기가 가질 수 있는 치환기로서는 상술한 일반식(V)에 있어서의 R51∼R53에 의해 나타내어지는 각 기가 가질 수 있는 치환기와 같은 구체예를 들 수 있다.As a substituent which the alkyl group, monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, alkoxycarbonyl group, alkylene group, and (n + 1) valent aromatic ring group which were mentioned above may have, each represented by R <51> -R <53> in General formula (V) mentioned above Specific examples, such as a substituent which a group may have, are mentioned.

n은 1 또는 2인 것이 바람직하고, 1인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 1 or 2, and, as for n, it is more preferable.

n개의 Y는 각각 독립적으로 수소원자 또는 산의 작용에 의해 탈리되는 기를 나타낸다. 단, n개 중 적어도 1개는 산의 작용에 의해 탈리되는 기를 나타낸다. each of n Y independently represents a group which is released by the action of a hydrogen atom or an acid. Provided that at least one of n represents a group that is released by the action of an acid.

산의 작용에 의해 탈리되는 기Y로서는 앞에서 예시한 기, 즉, -C(R36)(R37)(R38), -C(=O)-O-C(R36)(R37)(R38), -C(R01)(R02)(OR39), -C(R01)(R02)-C(=O)-O-C(R36)(R37)(R38), -CH(R36)(Ar) 등을 들 수 있다. 이들 식 중 R36∼R39, R01 및 R02는 앞에서 설명한 각 기와 동의이다. Examples of the group Y desorbed by the action of an acid include the groups exemplified above, that is, -C (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ), -C (= O) -OC (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ), -C (R 01 ) (R 02 ) (OR 39 ), -C (R 01 ) (R 02 ) -C (= O) -OC (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ),- CH (R 36 ) (Ar) etc. are mentioned. In these formulas, R 36 to R 39 , R 01, and R 02 are synonymous with the groups described above.

산의 작용에 의해 탈리되는 기Y로서는 하기 일반식(VI-A)로 나타내어지는 구조가 보다 바람직하다.As group Y detached by the action of an acid, the structure represented by the following general formula (VI-A) is more preferable.

Figure pat00032
Figure pat00032

여기에서, L1 및 L2는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 1가의 방향환기 또는 알킬렌기와 1가의 방향환기를 조합한 기를 나타낸다.Herein, L 1 and L 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, a monovalent aromatic ring group, or a group combining an alkylene group and a monovalent aromatic ring group.

M은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다.M represents a single bond or a divalent linking group.

Q는 알킬기, 헤테로원자를 포함하고 있어도 좋은 1가의 지방족 탄화수소환기, 헤테로원자를 포함하고 있어도 좋은 1가의 방향환기, 아미노기, 암모늄기, 메르캅토기, 시아노기 또는 알데히드기를 나타낸다.Q represents an alkyl group, the monovalent aliphatic hydrocarbon ring group which may contain the hetero atom, the monovalent aromatic ring group which may contain the hetero atom, an amino group, an ammonium group, a mercapto group, a cyano group, or an aldehyde group.

Q, M, L1 중 적어도 2개가 결합해서 환(바람직하게는 5원 또는 6원환)을 형성해도 좋다.At least two of Q, M, and L 1 may be bonded to form a ring (preferably a 5- or 6-membered ring).

L1 및 L2로서의 알킬기는 예를 들면 탄소수 1∼8개의 알킬기이며, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 헥실기, 옥틸기를 바람직하게 들 수 있다.The alkyl groups as L 1 and L 2 are, for example, alkyl groups having 1 to 8 carbon atoms, and specific examples thereof include methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl group and octyl group.

L1 및 L2로서의 1가의 지방족 탄화수소환기는 예를 들면 탄소수 3∼15개의 지방족 탄화수소환기이며, 구체적으로는 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등을 바람직한 예로서 들 수 있다.The monovalent aliphatic hydrocarbon ring group as L 1 and L 2 is, for example, an aliphatic hydrocarbon ring group having 3 to 15 carbon atoms, and specific examples thereof include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group, and an adamantyl group. have.

L1 및 L2로서의 1가의 방향환기는 예를 들면 탄소수 6∼15개의 아릴기이며, 구체적으로는 페닐기, 톨릴기, 나프틸기, 안트릴기 등을 바람직한 예로서 들 수 있다. The monovalent aromatic ring groups as L 1 and L 2 are, for example, an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, and specific examples thereof include phenyl group, tolyl group, naphthyl group, anthryl group and the like.

L1 및 L2로서의 알킬렌기와 1가의 방향환기를 조합한 기는 예를 들면, 탄소수 6∼20이며, 벤질기, 페네틸기 등의 아랄킬기를 들 수 있다.The group which combined the alkylene group and monovalent aromatic ring group as L <1> and L <2> is C6-C20, for example, and aralkyl groups, such as a benzyl group and a phenethyl group, are mentioned.

M으로서의 2가의 연결기는 예를 들면, 알킬렌기(예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 헥실렌기, 옥틸렌기 등), 2가의 지방족 탄화수소환기(예를 들면, 시클로펜틸렌기, 시클로헥실렌기, 아다만틸렌기 등), 알케닐렌기(예를 들면, 에틸렌기, 프로페닐렌기, 부테닐렌기 등), 2가의 방향환기(예를 들면, 페닐렌기, 톨릴렌기, 나프틸렌기 등), -S-, -O-, -CO-, -SO2-, -N(R0)-, 및 이들의 복수를 조합한 2가의 연결기이다. R0은 수소원자 또는 알킬기(예를 들면 탄소수 1∼8개의 알킬기이며, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 헥실기, 옥틸기 등)이다.The divalent linking group as M is, for example, an alkylene group (for example, methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, hexylene group, octylene group, etc.), a divalent aliphatic hydrocarbon ring group (for example, cyclopentyl Ethylene group, cyclohexylene group, adamantylene group, etc.), alkenylene group (for example, ethylene group, propenylene group, butenylene group, etc.), divalent aromatic ring group (for example, phenylene group, tolylene group, a naphthylene group, etc.), -S-, -O-, -CO-, -SO 2 -, -N (R 0) -, and a divalent linking group combining a plurality of these. R 0 is a hydrogen atom or an alkyl group (for example, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and specifically, methyl, ethyl, propyl, n-butyl, sec-butyl, hexyl, or octyl).

Q로서의 알킬기는 상술의 L1 및 L2로서의 각 기와 같다.The alkyl group as Q is the same as each group as L 1 and L 2 described above.

Q로서의 헤테로원자를 포함하고 있어도 좋은 1가의 지방족 탄화수소환기 및 헤테로원자를 포함하고 있어도 좋은 1가의 방향환기에 있어서의 헤테로원자를 포함하지 않는 지방족 탄화수소환기 및 헤테로원자를 포함하지 않는 1가의 방향환기로서는 상술의 L1 및 L2로서의 1가의 지방족 탄화수소환기, 및 1가의 방향환기 등을 들 수 있고, 바람직하게는 탄소수 3∼15이다.As a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group which may contain the hetero atom as Q, and the aliphatic hydrocarbon ring group which does not contain the hetero atom in the monovalent aromatic ring group which may contain the hetero atom, and the monovalent aromatic ring group which does not contain the hetero atom, The monovalent aliphatic hydrocarbon ring group as above-mentioned L <1> and L <2>, a monovalent aromatic ring group, etc. are mentioned, Preferably they are C3-C15.

헤테로원자를 포함하는 1가의 지방족 탄화수소환기 및 헤테로원자를 포함하는 1가의 방향환기로서는 예를 들면, 티이란, 시클로티오란, 티오펜, 푸란, 피롤, 벤조티오펜, 벤조푸란, 벤조피롤, 트리아진, 이미다졸, 벤조이미다졸, 트리아졸, 티아디아졸, 티아졸, 피롤리돈 등의 헤테로환 구조를 갖는 기를 들 수 있지만, 일반적으로 헤테로환이라고 불리는 구조(탄소와 헤테로원자로 형성되는 환, 또는 헤테로원자로 형성되는 환)이면 이들에 한정되지 않는다.As a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group containing a hetero atom and the monovalent aromatic ring group containing a hetero atom, for example, thiran, cyclothiorane, thiophene, furan, pyrrole, benzothiophene, benzofuran, benzopyrrole, tri Groups having heterocyclic structures such as azine, imidazole, benzimidazole, triazole, thiadiazole, thiazole, pyrrolidone, etc. may be mentioned, but a structure generally called a heterocyclic ring (a ring formed of carbon and heteroatoms, Or a ring formed with a hetero atom).

Q, M, L1 중 적어도 2개가 결합해서 형성해도 좋은 환으로서는 Q, M, L1 중 적어도 2개가 결합해서, 예를 들면, 프로필렌기, 부틸렌기를 형성하고, 산소원자를 함유하는 5원 또는 6원환을 형성하는 경우를 들 수 있다.As a ring which at least 2 of Q, M, and L <1> may combine and form, at least 2 of Q, M, and L <1> couple | bonds, for example, 5-membered which forms a propylene group and a butylene group, and contains an oxygen atom Or the case of forming a six-membered ring.

일반식(VI-A)에 있어서의 L1, L2, M, Q로 나타내어지는 각 기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 예를 들면, 상술의 R36∼R39, R01, R02, 및 Ar이 가져도 좋은 치환기로서 열거한 것을 들 수 있고, 치환기의 탄소수는 8 이하가 바람직하다.Each group represented by L 1 , L 2 , M, Q in General Formula (VI-A) may have a substituent, for example, R 36 to R 39 , R 01 , R 02 , and Ar described above. The thing enumerated as this substituent which may have is mentioned, As for carbon number of a substituent, 8 or less is preferable.

-M-Q로 나타내어지는 기로서 탄소수 1∼30개로 구성되는 기가 바람직하고, 탄소수 5∼20개로 구성되는 기가 보다 바람직하다.As group represented by -M-Q, group which consists of C1-C30 is preferable, and group which consists of C5-C20 is more preferable.

이하에, 일반식(VI)로 나타내어지는 반복단위의 구체예를 나타내지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.Although the specific example of the repeating unit represented by general formula (VI) is shown below, this invention is not limited to this.

Figure pat00033
Figure pat00033

Figure pat00034
Figure pat00034

Figure pat00035
Figure pat00035

Figure pat00036
Figure pat00036

본 발명의 수지(P) 중에 있어서의 반복단위(B)의 함유율은 전체 반복단위에 대해서 3∼90몰%의 범위가 바람직하고, 5∼80몰%의 범위가 보다 바람직하고, 7∼70몰%의 범위가 특히 바람직하다.As for the content rate of the repeating unit (B) in resin (P) of this invention, the range of 3-90 mol% is preferable with respect to all the repeating units, The range of 5-80 mol% is more preferable, 7-70 mol The range of% is especially preferable.

또한, 수지 중의 반복단위(A)와 반복단위(B)의 비율(A의 몰수/B의 몰수)은 0.04∼1.0이 바람직하고, 0.05∼0.9가 보다 바람직하고, 0.06∼0.8이 특히 바람직하다.Further, the ratio (moles of A / moles of B) of the repeating unit (A) and the repeating unit (B) in the resin is preferably 0.04 to 1.0, more preferably 0.05 to 0.9, and particularly preferably 0.06 to 0.8.

〔반복단위(C)〕[Repeat unit (C)]

본 발명의 수지(P)는 알칼리 가용성기를 갖는 반복단위(C)를 갖고 있다. 반복단위(C)는 방향환기를 갖는 알칼리 가용성기인 것이 바람직하고, 하기 일반식(I)로 나타내어지는 구조가 보다 바람직하다.Resin (P) of this invention has a repeating unit (C) which has alkali-soluble group. The repeating unit (C) is preferably an alkali-soluble group having an aromatic ring group, and more preferably a structure represented by the following general formula (I).

Figure pat00037
Figure pat00037

여기에서, R11', R12' 및 R13'은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 시클로알킬기, 할로겐원자, 시아노기 또는 알콕시카르보닐기를 나타낸다. R13'은 Ar1'과 결합해서 환(바람직하게는 5원 또는 6원환)을 형성하고 있어도 좋고, 그 경우의 R13'은 알킬렌기를 나타낸다.Here, R 11 ′, R 12 ′ and R 13 ′ each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. R 13 ′ may be bonded to Ar 1 ′ to form a ring (preferably a 5- or 6-membered ring), in which case R 13 ′ represents an alkylene group.

X1은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다.X 1 represents a single bond or a divalent linking group.

Ar1'은 (n+1)가의 방향환기를 나타내고, R13'과 결합해서 환을 형성하는 경우에는 (n+2)가의 방향환기를 나타낸다.Ar 1 ′ represents a (n + 1) valent aromatic ring group, and when combined with R 13 ′ to form a ring, (n + 2) valent aromatic ring group.

n은 1∼4의 정수를 나타낸다.n represents the integer of 1-4.

식(I)에 있어서의 R11', R12', R13'의 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 할로겐원자, 및 알콕시카르보닐기 및 이들의 기가 가질 수 있는 치환기의 구체예로서는 상기 일반식(V)에 있어서의 각 기와 같은 구체예를 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group represented by R 11 ′, R 12 ′, and R 13 ′ in formula (I), monovalent aliphatic hydrocarbon ring groups, halogen atoms, and alkoxycarbonyl groups and the substituents that these groups may have include general formula (V) The specific example similar to each group in is mentioned.

X1은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. X1로 나타내어지는 2가의 연결기로서는 예를 들면, -COO-, -CONH-, -OCO-, -CO-, -O-, -S-, -SO-, -SO2-, -NH-, 알킬렌기, 시클로알킬렌기 및 알케닐렌기를 들 수 있다. 그 중에서도 -COO-, -CONH-, -OCO-, -CO-, -S-, -SO- 또는 -SO2-가 바람직하고, -COO-, -CONH-, -SO2- 또는 -SO3-이 보다 바람직하다.X 1 represents a single bond or a divalent linking group. As the divalent linking group represented by X 1 , for example, -COO-, -CONH-, -OCO-, -CO-, -O-, -S-, -SO-, -SO 2- , -NH-, Alkylene group, a cycloalkylene group, and an alkenylene group are mentioned. Among them, -COO-, -CONH-, -OCO-, -CO-, -S-, -SO- or -SO 2 -are preferable, and -COO-, -CONH-, -SO 2 -or -SO 3 -More preferred.

Ar1'은 (n+1)가의 방향환기를 나타낸다. n이 1인 경우에 있어서의 2가의 방향환기는 예를 들면, 페닐렌기, 톨릴렌기, 나프틸렌기, 안트라세닐렌기 등의 탄소수 6∼18의 아릴렌기, 또는 예를 들면, 티오펜, 푸란, 피롤, 벤조티오펜, 벤조푸란, 벤조피롤, 트리아진, 이미다졸, 벤조이미다졸, 트리아졸, 티아디아졸, 티아졸 등의 헤테로환을 포함하는 2가의 방향환기를 바람직한 예로서 들 수 있다.Ar 1 ′ represents an aromatic ring group having a (n + 1) valence. The divalent aromatic ring group in the case where n is 1, for example, arylene groups having 6 to 18 carbon atoms such as phenylene group, tolylene group, naphthylene group, anthracenylene group, or for example, thiophene, furan, A bivalent aromatic ring group containing hetero rings, such as pyrrole, benzothiophene, benzofuran, benzopyrrole, triazine, imidazole, benzoimidazole, triazole, thiadiazole, thiazole, is mentioned as a preferable example.

n이 2 이상의 정수인 경우에 있어서의 (n+1)가의 방향환기의 구체예로서는 2가의 방향환기의 상기한 구체예로부터 (n-1)개의 임의의 수소원자를 나누어서 이루어지는 기를 바람직하게 들 수 있다.As a specific example of the (n + 1) valent aromatic ring group in case n is an integer of 2 or more, the group formed by dividing (n-1) arbitrary hydrogen atoms from said specific example of a bivalent aromatic ring group is mentioned preferably.

(n+1)가의 방향환기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋고, 이러한 추가의 치환기로서는 R51∼R53에서 열거한 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 히드록시에톡시기, 프로폭시기, 히드록시프로폭시기, 부톡시기 등의 알콕시기, 페닐기 등의 아릴기를 들 수 있다.The (n + 1) valent aromatic ring group may further have a substituent, and as such further substituents, the alkyl groups, methoxy groups, ethoxy groups, hydroxyethoxy groups, propoxy groups and hydroxypropenes listed in R 51 to R 53 may be used . Aryl groups, such as an alkoxy group, such as an alkoxy group and butoxy group, and a phenyl group, are mentioned.

Ar1'로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄소수 6∼18의 방향환기가 보다 바람직하고, 벤젠환기, 나프탈렌환기, 비페닐렌환기가 특히 바람직하다.As Ar <1>', the C6-C18 aromatic ring group which may have a substituent is more preferable, A benzene ring group, a naphthalene ring group, and a biphenylene ring group are especially preferable.

일반식(I)로 나타내어지는 알칼리 가용성기를 갖는 반복단위의 함유율은 수지(P) 중의 전체 반복단위에 대해서 3∼90mol%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5∼80mol%, 더욱 바람직하게는 7∼70mol%이다.As for the content rate of the repeating unit which has alkali-soluble group represented by General formula (I), 3-90 mol% is preferable with respect to all the repeating units in resin (P), More preferably, it is 5-80 mol%, More preferably, it is 7- 70 mol%.

이하에, 일반식(I)로 나타내어지는 알칼리 가용성기를 갖는 반복단위의 구체예를 나타내지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 식 중, a는 0∼2의 정수를 나타낸다.Although the specific example of the repeating unit which has alkali-soluble group represented by General formula (I) is shown below, this invention is not limited to this. In formula, a represents the integer of 0-2.

Figure pat00038
Figure pat00038

Figure pat00039
Figure pat00039

〔반복단위(D)〕[Repeat unit (D)]

수지(P)는 또한 알칼리 현상액의 작용으로 분해되어 알칼리 현상액 중에의 용해 속도가 증대되는 기를 갖는 반복단위(D)를 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that resin (P) also has a repeating unit (D) which has group which decomposes by the action of an alkaline developing solution, and the dissolution rate in an alkaline developing solution increases.

알칼리 현상액의 작용으로 분해되어 알칼리 현상액 중에의 용해 속도가 증대되는 기로서는 락톤 구조, 페닐 에스테르 구조 등을 들 수 있다.A lactone structure, a phenyl ester structure, etc. are mentioned as group which decomposes by the action of an alkaline developing solution, and the dissolution rate in an alkaline developing solution increases.

반복단위(D)로서는 하기 일반식(AII)으로 나타내어지는 반복단위가 보다 바람직하다.As a repeating unit (D), the repeating unit represented with the following general formula (AII) is more preferable.

Figure pat00040
Figure pat00040

일반식(AII) 중In general formula (AII)

Rb0은 수소원자, 할로겐원자 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기(바람직하게는 탄소수 1∼4)를 나타낸다.Rb 0 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group (preferably having 1 to 4 carbon atoms) which may have a substituent.

Rb0의 알킬기가 갖고 있어도 좋은 바람직한 치환기로서는 수산기, 할로겐원자를 들 수 있다. Rb0의 할로겐원자로서는 불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자를 들 수 있다. Rb0으로서 바람직하게는 수소원자, 메틸기, 히드록시메틸기, 트리플루오로메틸기이며, 수소원자, 메틸기가 특히 바람직하다.The preferable substituent which the alkyl group of Rb 0 may have include a hydroxyl group and a halogen atom. Examples of the halogen atom of Rb 0 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. Rb 0 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group, a trifluoromethyl group, and a hydrogen atom or a methyl group is particularly preferable.

Ab는 단결합, 알킬렌기, 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소환 구조를 갖는 2가의 연결기, 에테르 결합, 에스테르 결합, 카르보닐기, 또는 이들을 조합한 2가의 연결기를 나타낸다. Ab는 바람직하게는 단결합, -Ab1-CO2-로 나타내어지는 2가의 연결기이다.Ab represents a divalent linking group having a single bond, an alkylene group, a monocyclic or polycyclic aliphatic hydrocarbon ring structure, an ether bond, an ester bond, a carbonyl group, or a divalent linking group combining these. Ab is preferably a single bond, a divalent linking group represented by -Ab 1 -CO 2- .

Ab1은 직쇄 또는 분기 알킬렌기, 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소환기이며, 바람직하게는 메틸렌기, 에틸렌기, 시클로헥실렌기, 아다만틸렌기, 노르보르닐렌기이다.Ab 1 is a linear or branched alkylene group, a monocyclic or polycyclic aliphatic hydrocarbon ring group, preferably a methylene group, an ethylene group, a cyclohexylene group, an adamantylene group or a norbornylene group.

V는 알칼리 현상액의 작용으로 분해되어 알칼리 현상액 중에의 용해 속도가 증대되는 기를 나타낸다. 바람직하게는 에스테르 결합을 갖는 기이며, 그 중에서도 락톤 구조를 갖는 기가 보다 바람직하다.V decomposes | dissolves by the action of an alkaline developing solution, and shows the group which the dissolution rate in an alkaline developing solution increases. Preferably it is group which has an ester bond, and the group which has lactone structure is especially preferable.

락톤 구조를 갖는 기로서는 락톤 구조를 갖고 있으면 어느 것이라도 사용할 수 있지만, 바람직하게는 5∼7원환 락톤 구조이며, 5∼7원환 락톤 구조에 비시클로 구조, 스피로 구조를 형성하는 형태로 다른 환 구조가 축환되어 있는 것이 바람직하다. 하기 일반식(LC1-1)∼(LC1-17) 중 어느 하나로 나타내어지는 락톤 구조를 갖는 반복단위를 갖는 것이 보다 바람직하다. 또한, 락톤 구조가 주쇄에 직접 결합되어 있어도 좋다. 바람직한 락톤 구조로서는 (LC1-1), (LC1-4), (LC1-5), (LC1-6), (LC1-13), (LC1-14), (LC1-17)이다.Although any group can be used as long as it has a lactone structure, Preferably it is a 5-7 member cyclic lactone structure, The ring structure which forms a bicyclo structure and a spiro structure in a 5-7 member cyclic lactone structure is another ring structure. It is preferable that is condensed. It is more preferable to have a repeating unit having a lactone structure represented by any one of the following General Formulas (LC1-1) to (LC1-17). In addition, the lactone structure may be directly bonded to the main chain. Preferred lactone structures are (LC1-1), (LC1-4), (LC1-5), (LC1-6), (LC1-13), (LC1-14) and (LC1-17).

Figure pat00041
Figure pat00041

락톤 구조 부분은 치환기(Rb2)를 갖고 있어도 갖고 있지 않아도 좋다. 바람직한 치환기(Rb2)로서는 탄소수 1∼8의 알킬기, 탄소수 4∼7의 1가의 지방족 탄화수소환기, 탄소수 1∼8의 알콕시기, 탄소수 1∼8의 알콕시카르보닐기, 카르복실기, 할로겐원자, 수산기, 시아노기, 산분해성기 등을 들 수 있다. 보다 바람직하게는 탄소수 1∼4의 알킬기, 시아노기, 산분해성기이다. n2는 0∼4의 정수를 나타낸다. n2가 2 이상일 때 복수 존재하는 치환기(Rb2)는 동일해도 달라도 좋고, 또한 복수 존재하는 치환기(Rb2)끼리가 결합해서 환을 형성해도 좋다. The lactone structure portion may or may not have a substituent (Rb 2 ). Preferred substituents (Rb 2 ) include an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group having 4 to 7 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 1 to 8 carbon atoms, a carboxyl group, a halogen atom, a hydroxyl group and a cyano group And acid-decomposable groups. More preferably, they are a C1-C4 alkyl group, cyano group, and an acid-decomposable group. n 2 represents an integer of 0 to 4. n substituents (Rb 2), which second plurality is present as 2 or more, which may be the same or different, or may form a ring by combining with each other the substituent (Rb 2) to present a plurality.

락톤기를 갖는 반복단위는 통상 광학 이성체가 존재하지만, 어느 광학 이성체를 사용해도 좋다. 또한, 1종의 광학 이성체를 단독으로 사용해도, 복수의 광학 이성체를 혼합해서 사용해도 좋다. 1종의 광학 이성체를 주로 사용하는 경우 그 광학순도(ee)가 90% 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 95% 이상이다.The repeating unit having a lactone group usually has an optical isomer, but any optical isomer may be used. In addition, 1 type of optical isomers may be used individually, or some optical isomers may be mixed and used. When one type of optical isomer is mainly used, the optical purity (ee) thereof is preferably 90% or more, and more preferably 95% or more.

수지(P) 중의 반복단위(D)의 함유율은 전체 반복단위에 대해서 0.5∼80몰%의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1∼60몰%의 범위이며, 더욱 바람직하게는 2∼40몰%의 범위이다. 반복단위(D)는 1종류이어도 좋고, 2종류 이상을 조합해서 사용해도 좋다. 특정의 락톤 구조를 사용함으로써 라인 에지 러프니스, 현상 결함이 양호해진다.The content rate of the repeating unit (D) in the resin (P) is preferably in the range of 0.5 to 80 mol%, more preferably in the range of 1 to 60 mol%, more preferably 2 to 40 mol, based on the total repeating units. Range of%. One type of repeating unit (D) may be used, and may be used in combination of 2 or more type. By using a specific lactone structure, line edge roughness and development defects are improved.

이하에, 수지(P) 중의 반복단위(D)의 구체예를 나타내지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 식 중, Rx는 H, CH3, CH2OH, 또는 CF3을 나타낸다.Although the specific example of the repeating unit (D) in resin (P) is shown below, this invention is not limited to this. In the formula, Rx represents H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 .

Figure pat00042
Figure pat00042

Figure pat00043
Figure pat00043

〔기타 반복단위〕[Other repeating units]

수지(P)는 상술한 반복단위 이외의 반복단위로서 극성기를 갖는 반복단위를 더 갖고 있어도 좋다. 극성기로서는 수산기, 시아노기, 카르복실기, 술포닐이미드기, 비스술포닐이미드기, α위치가 전자 구인성기로 치환된 알콜성 수산기(예를 들면, 헥사플루오로이소프로판올기: -C(CF3)2OH) 등을 들 수 있다. 수지(P)가 이러한 반복단위를 가짐으로써 이것에 의해 기판 밀착성, 현상액 친화성을 향상시킬 수 있다. 상술한 반복단위 이외의 극성기를 갖는 반복단위는 수산기 또는 시아노기를 갖는 반복단위인 것이 바람직하고, 수산기 또는 시아노기로 치환된 지환 탄화수소 구조를 갖는 반복단위인 것이 보다 바람직하고, 산분해성기를 갖지 않는 것이 더욱 바람직하다. 수산기 또는 시아노기로 치환된 지환 탄화수소 구조에 있어서의 지환 탄화수소 구조로서는 아다만틸기, 디아만틸기, 노르보르난기가 바람직하다. 수산기 또는 시아노기로 치환된 지환 탄화수소 구조로서는 하기 일반식(VIIa)∼(VIId)로 나타내어지는 부분 구조가 바람직하다.Resin (P) may further have a repeating unit which has a polar group as repeating units other than the above-mentioned repeating unit. Examples of polar group a hydroxyl group, a cyano group, a carboxyl group, a sulfonyl imide group, a bis sulfonyl imide group, the α position, for the alcoholic hydroxyl group (for example, substituted by electron withdrawing groups, hexafluoroisopropanol: -C (CF 3 ) 2 OH). When resin (P) has such a repeating unit, board | substrate adhesiveness and developer affinity can be improved by this. The repeating unit having a polar group other than the above-mentioned repeating unit is preferably a repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group, more preferably a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group, and having no acid-decomposable group. More preferred. As an alicyclic hydrocarbon structure in the alicyclic hydrocarbon structure substituted by the hydroxyl group or the cyano group, an adamantyl group, diamantyl group, and norbornane group are preferable. As an alicyclic hydrocarbon structure substituted by the hydroxyl group or the cyano group, the partial structure represented by the following general formula (VIIa)-(VIId) is preferable.

Figure pat00044
Figure pat00044

일반식(VIIa)∼(VIIc)에 있어서 R2c∼R4c는 각각 독립적으로 수소원자, 수산기 또는 시아노기를 나타낸다. 단, R2c∼R4c 중 적어도 1개는 수산기 또는 시아노기를 나타낸다. 바람직하게는 R2c∼R4c 중 1개 또는 2개가 수산기이며, 나머지가 수소원자이다. 일반식(VIIa)에 있어서 더욱 바람직하게는 R2c∼R4c 중 2개가 수산기이며, 나머지가 수소원자이다.In formulas (VIIa) to (VIIc), R 2 c to R 4 c each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a cyano group. Provided that at least one of R 2 c to R 4 c represents a hydroxyl group or a cyano group. Preferably, one or two of R 2 c to R 4 c are hydroxyl groups, and the rest are hydrogen atoms. In general formula (VIIa), More preferably, two of R < 2 > c-R <4> c are hydroxyl groups, and the remainder is a hydrogen atom.

일반식(VIIa)∼(VIId)로 나타내어지는 부분 구조를 갖는 반복단위로서는 하기 일반식(AIIa)∼(AIId)로 나타내어지는 반복단위를 들 수 있다. As a repeating unit which has the partial structure represented by general formula (VIIa)-(VIId), the repeating unit represented by the following general formula (AIIa)-(AIId) is mentioned.

Figure pat00045
Figure pat00045

일반식(AIIa)∼(AIId)에 있어서, R1c는 수소원자, 메틸기, 트리 플루오로메틸기 또는 히드록시메틸기를 나타낸다.In General Formulas (AIIa) to (AIId), R 1 c represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group, or a hydroxymethyl group.

R2c∼R4c는 일반식(VIIa)∼(VIIc)에 있어서의 R2c∼R4c와 동의이다.R 2 is R 2 c~R c~R 4 c 4 c and agreement in the formula (VIIa) ~ (VIIc).

수지(P)는 극성기를 갖는 반복단위를 함유해도 함유하지 않아도 좋지만, 함유하는 경우 그 함유율은 수지(P) 중의 전체 반복단위에 대해서 1∼60몰%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5∼50몰%이다.Although resin (P) does not need to contain even if it contains the repeating unit which has a polar group, when it contains, the content rate is 1-60 mol% with respect to all the repeating units in resin (P), More preferably, it is 5-50 Molar%.

극성기를 갖는 반복단위의 구체예를 이하에 들지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다.Although the specific example of the repeating unit which has a polar group is given to the following, this invention is not limited to these.

Figure pat00046
Figure pat00046

본 발명의 수지(P)는 또한 극성기를 갖지 않는 환상 탄화수소 구조를 갖고, 산분해성을 나타내지 않는 반복단위를 가질 수 있다. 이러한 반복단위로서는 일반식(VII)로 나타내어지는 반복단위를 들 수 있다.Resin (P) of this invention may also have a repeating unit which has a cyclic hydrocarbon structure which does not have a polar group, and does not show acid decomposability. As such a repeating unit, the repeating unit represented by general formula (VII) is mentioned.

Figure pat00047
Figure pat00047

일반식(VII) 중 R5는 적어도 하나의 환상 탄화수소 구조를 갖고, 극성기(수산기나 시아노기 등)를 갖지 않는 탄화수소기를 나타낸다.R <5> in general formula (VII) represents a hydrocarbon group which has at least 1 cyclic hydrocarbon structure, and does not have a polar group (hydroxyl group, cyano group, etc.).

Ra는 수소원자, 알킬기 또는 -CH2-O-Ra2기를 나타낸다. 식 중, Ra2는 수소원자, 알킬기 또는 아실기를 나타낸다. Ra는 수소원자, 메틸기, 히드록시메틸기, 트리플루오로메틸기가 바람직하고, 수소원자, 메틸기가 특히 바람직하다. Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group or a -CH 2 -O-Ra 2 group. In the formula, Ra 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group or an acyl group. Ra is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, and particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

R5가 갖는 환상 탄화수소 구조에는 단환식 탄화수소기 및 다환식 탄화수소기가 포함된다. 단환식 탄화수소기로서는 예를 들면, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등의 탄소수 3∼12의 시클로알킬기, 시클로헥세닐기 등 탄소수 3∼12의 시클로알케닐기, 페닐기 등을 들 수 있다. 바람직한 단환식 탄화수소기로서는 탄소수 3∼7의 단환식 탄화수소기이며, 보다 바람직하게는 시클로펜틸기, 시클로헥실기를 들 수 있다. The cyclic hydrocarbon structure of R 5 includes a monocyclic hydrocarbon group and a polycyclic hydrocarbon group. Examples of the monocyclic hydrocarbon group include a C3-C12 cycloalkyl group such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group, and a C3-C12 cycloalkenyl group such as a cyclohexenyl group and a phenyl group. Can be mentioned. As a preferable monocyclic hydrocarbon group, it is a C3-C7 monocyclic hydrocarbon group, More preferably, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group are mentioned.

다환식 탄화수소기에는 환집합 탄화수소기, 가교환식 탄화수소기가 포함되고, 환집합 탄화수소기의 예로서는 비시클로헥실기, 퍼히드로나프탈레닐기, 비페닐기, 4-시클로헥실페닐기 등이 포함된다. 가교환식 탄화수소환으로서, 예를 들면, 피난, 보르난, 노르피난, 노르보르난, 비시클로옥탄환(비시클로[2.2.2]옥탄환, 비시클로[3.2.1]옥탄환 등) 등의 2환식 탄화수소환 및 호모브렌단, 아다만탄, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸, 트리시클로[4.3.1.12,5]운데칸환 등의 3환식 탄화수소환, 테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10]도데칸, 퍼히드로-1,4-메타노-5,8-메타노나프탈렌환 등의 4환식 탄화수소환 등을 들 수 있다. 또한, 가교환식 탄화수소환에는 축합환식 탄화수소환, 예를 들면, 퍼히드로나프탈렌(데칼린), 퍼히드로안트라센, 퍼히드로페난트렌, 퍼히드로아세나프텐, 퍼히드로플루오렌, 퍼히드로인덴, 퍼히드로페난트렌환 등의 5∼8원 시클로알칸환이 복수개 축합된 축합환도 포함된다.The polycyclic hydrocarbon group includes a ring group hydrocarbon group and a temporary exchange hydrocarbon group, and examples of the ring group hydrocarbon group include a bicyclohexyl group, a perhydronaphthalenyl group, a biphenyl group, and a 4-cyclohexylphenyl group. Examples of the cross-linked hydrocarbon ring include, but are not limited to, evacuation, boran, norfinan, norbornane, bicyclooctane ring (bicyclo [2.2.2] octane ring, bicyclo [3.2.1] octane ring, etc.). Tricyclic hydrocarbon rings, such as bicyclic hydrocarbon rings and homobendan, adamantane, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane, tricyclo [4.3.1.1 2,5 ] undecane ring, tetracyclo [4.4.0.1 2 , 5.1 7,10 ] tetracyclic hydrocarbon rings such as dodecane, perhydro-1,4-methano-5,8-methanonaphthalene ring, and the like. In addition, condensed cyclic hydrocarbon rings include, for example, perhydronaphthalene (decalin), perhydroanthracene, perhydrophenanthrene, perhydroacenaphthene, perhydrofluorene, perhydroindene, and perhydrophenant. Condensed rings in which a plurality of 5- to 8-membered cycloalkane rings such as a len ring are condensed are also included.

바람직한 가교환식 탄화수소환으로서 노르보르닐기, 아다만틸기, 비시클로옥타닐기, 트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐기 등을 들 수 있다. 보다 바람직한 가교환식 탄화수소환으로서 노르보르닐기, 아다만틸기를 들 수 있다.As a preferable crosslinkable hydrocarbon ring, a norbornyl group, adamantyl group, bicyclooctanyl group, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decanyl group, etc. are mentioned. Norbornyl group and an adamantyl group are mentioned as a more preferable crosslinkable hydrocarbon ring.

이들 환상 탄화수소기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 바람직한 치환기로서는 할로겐원자, 알킬기, 수소원자가 치환된 수산기, 수소원자가 치환된 아미노기 등을 들 수 있다. 바람직한 할로겐원자로서는 브롬, 염소, 불소원자, 바람직한 알킬기로서는 메틸, 에틸, 부틸, t-부틸기를 들 수 있다. 상기 알킬기는 치환기를 더 갖고 있어도 좋고, 더 갖고 있어도 좋은 치환기로서는 할로겐원자, 알킬기, 수소원자가 치환된 수산기, 수소원자가 치환된 아미노기를 들 수 있다.These cyclic hydrocarbon groups may have a substituent, and a preferable substituent includes a halogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group substituted with a hydrogen atom, an amino group substituted with a hydrogen atom, and the like. Preferred halogen atoms include bromine, chlorine and fluorine atoms, and preferred alkyl groups include methyl, ethyl, butyl and t-butyl groups. The alkyl group may further have a substituent, and examples of the substituent which may have a substituent include a halogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group substituted with a hydrogen atom, and an amino group substituted with a hydrogen atom.

상기 수소원자를 치환하는 치환기로서는 예를 들면 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 아랄킬기, 치환 메틸기, 치환 에틸기, 알콕시카르보닐기, 아랄킬옥시카르보닐기를 들 수 있다. 바람직한 알킬기로서는 탄소수 1∼4의 알킬기, 바람직한 치환 메틸기로서는 메톡시메틸, 메톡시티오메틸, 벤질옥시메틸, t-부톡시메틸, 2-메톡시에톡시메틸기, 바람직한 치환 에틸기로서는 1-에톡시에틸, 1-메틸-1-메톡시에틸, 바람직한 아실기로서는 포르밀, 아세틸, 프로피오닐, 부티릴, 이소부티릴, 발레릴, 피발로일기 등의 탄소수 1∼6의 지방족 아실기, 알콕시카르보닐기로서는 탄소수 1∼4의 알콕시카르보닐기 등을 들 수 있다.As a substituent which substitutes the said hydrogen atom, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, an aralkyl group, a substituted methyl group, a substituted ethyl group, an alkoxycarbonyl group, an aralkyloxycarbonyl group is mentioned, for example. As a preferable alkyl group, it is a C1-C4 alkyl group, As a preferable substituted methyl group, As a methoxymethyl, methoxythiomethyl, benzyloxymethyl, t-butoxymethyl, 2-methoxyethoxymethyl group, As a preferable substituted ethyl group, 1-ethoxyethyl And 1-methyl-1-methoxyethyl, and preferred acyl groups include aliphatic acyl groups and alkoxycarbonyl groups having 1 to 6 carbon atoms, such as formyl, acetyl, propionyl, butyryl, isobutyryl, valeryl, and pivaloyl groups. C1-C4 alkoxycarbonyl group etc. are mentioned.

수지(P)는 극성기를 갖지 않는 환상 탄화수소 구조를 갖고, 산분해성을 나타내지 않는 반복단위를 함유해도 함유하지 않아도 좋지만, 함유하는 경우 그 함유율은 수지(P) 중의 전체 반복단위에 대해서 1∼40몰%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5∼20몰%이다.The resin (P) may have a cyclic hydrocarbon structure having no polar group and may not contain even if it contains a repeating unit which does not exhibit acid decomposability, but when it contains, the content rate is 1 to 40 moles with respect to all the repeating units in the resin (P). % Is preferable, More preferably, it is 5-20 mol%.

극성기를 갖지 않는 환상 탄화수소 구조를 갖고, 산분해성을 나타내지 않는 반복단위의 구체예를 이하에 들지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다. 식 중, Ra는 H, CH3, CH2OH, 또는 CF3을 나타낸다.Although the specific example of the repeating unit which has a cyclic hydrocarbon structure which does not have a polar group and does not show acid decomposability is given to the following, this invention is not limited to these. In the formula, Ra represents H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 .

Figure pat00048
Figure pat00048

Figure pat00049
Figure pat00049

본 발명의 수지(P)는 상기 반복 구조 단위 이외에 드라이 에칭 내성이나 표준 현상액 적성, 기판 밀착성, 레지스트 프로파일, 또한 레지스트의 일반적인 필요한 특성인 해상력, 내열성, 감도 등을 조절할 목적으로 여러가지 반복 구조 단위를 가질 수 있다.In addition to the repeating structural unit, the resin (P) of the present invention may have various repeating structural units for the purpose of adjusting dry etching resistance, standard developer aptitude, substrate adhesion, resist profile, and resolution, heat resistance, sensitivity, etc. which are general necessary characteristics of the resist. Can be.

이러한 반복 구조 단위로서는 하기의 단량체에 상당한 반복 구조 단위를 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. Although a repeating structural unit corresponded to the following monomer as a repeating structural unit is mentioned, It is not limited to these.

이것에 의해, 본 발명의 조성물에 사용되는 수지에 요구되는 성능, 특히,Thereby, the performance calculated | required by resin used for the composition of this invention, especially,

(1)도포 용제에 대한 용해성,(1) solubility in coating solvents,

(2)제막성(유리 전이점),(2) film forming property (glass transition point),

(3)알칼리 현상성,(3) alkali developability,

(4)막두께 감소(친소수성, 알칼리 가용성기 선택),(4) film thickness reduction (selection of hydrophilic, alkali-soluble groups),

(5)미노광부의 기판에의 밀착성,(5) adhesion to the unexposed portion of the substrate,

(6)드라이 에칭 내성,(6) dry etching resistance,

등의 미조정이 가능해진다.Fine adjustment of the back and the like becomes possible.

이러한 단량체로서, 예를 들면 아크릴산 에스테르류, 메타크릴산 에스테르류, 아크릴아미드류, 메타크릴아미드류, 알릴 화합물, 비닐에테르류, 비닐에스테르류, 스티렌류, 크로톤산 에스테르류 등으로부터 선택되는 부가 중합성 불포화 결합을 1개 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 그 외, 무수 말레산, 말레이미드, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 및 말레로니트릴도 들 수 있다.As such monomers, for example, addition polymerization selected from acrylic acid esters, methacrylic acid esters, acrylamides, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, styrenes, crotonic acid esters, and the like The compound etc. which have one sex unsaturated bond are mentioned. In addition, maleic anhydride, maleimide, acrylonitrile, methacrylonitrile and maleonitrile are also mentioned.

그 밖에도, 상기 각종 반복 구조 단위에 상당한 단량체와 공중합 가능인 부가 중합성의 불포화 화합물이면 공중합되어 있어도 좋다.In addition, it may be copolymerized as long as it is an addition polymerizable unsaturated compound which can be copolymerized with a monomer corresponding to the above various repeating structural units.

이하에, 그러한 다른 중합성 모노머 유래의 반복단위의 바람직한 구체예를 들지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.Although the preferable specific example of the repeating unit derived from such another polymeric monomer is given to the following, it is not limited to these.

Figure pat00050
Figure pat00050

본 발명의 조성물에 사용되는 수지(P)에 있어서 각 반복 구조 단위의 함유 몰비는 레지스트의 드라이 에칭 내성이나 표준 현상액 적성, 기판 밀착성, 레지스트 프로파일, 또한 레지스트의 일반적인 필요 성능인 해상력, 내열성, 감도 등을 조절하기 위해서 적당히 설정된다.In the resin (P) used in the composition of the present invention, the molar ratio of each repeating structural unit is determined by the dry etching resistance of the resist, the standard developer aptitude, the substrate adhesion, the resist profile, and the resolution, heat resistance, sensitivity, etc. which are general required performances of the resist. It is set appropriately to adjust.

본 발명의 수지(P)의 형태로서는 랜덤형, 블록형, 빗형, 별형 중 어느 형태이어도 좋다.The form of the resin (P) of the present invention may be any of random form, block form, comb form, and star form.

수지(P)는 예를 들면, 각 구조에 대응하는 불포화 모노머의 라디칼, 양이온, 또는 음이온 중합에 의해 합성할 수 있다. 또 각 구조의 전구체에 상당하는 불포화 모노머를 사용해서 중합한 후에 고분자 반응을 행함으로써 목적으로 하는 수지를 얻는 것도 가능하다.Resin (P) can be synthesize | combined by radical, cation, or anionic polymerization of the unsaturated monomer corresponding to each structure, for example. Moreover, it is also possible to obtain the target resin by performing a polymer reaction after superposing | polymerizing using the unsaturated monomer corresponding to the precursor of each structure.

예를 들면, 일반적 합성 방법으로서는 불포화 모노머 및 중합 개시제를 용제에 용해시키고 가열함으로써 중합을 행하는 일괄 중합법, 가열 용제에 불포화 모노머와 중합 개시제 용액을 1∼10시간에 걸쳐서 적하해서 첨가하는 적하 중합법 등을 들 수 있고, 적하 중합법이 바람직하다.For example, as a general synthesis method, the batch polymerization method which superposes | polymerizes by melt | dissolving and heating an unsaturated monomer and a polymerization initiator in a solvent, and the dropping polymerization method which adds an unsaturated monomer and a polymerization initiator solution dropwise to a heating solvent over 1 to 10 hours, and adds it. Etc. are mentioned, and the dropping polymerization method is preferable.

중합에 사용되는 용매로서는 예를 들면, 후술의 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 조제할 때에 사용할 수 있는 용제 등을 들 수 있고, 보다 바람직하게는 본 발명의 조성물에 사용되는 용제와 동일한 용제를 사용해서 중합하는 것이 바람직하다. 이것에 의해 보존시의 파티클의 발생을 억제할 수 있다.As a solvent used for superposition | polymerization, the solvent etc. which can be used when preparing the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition mentioned later are mentioned, for example, More preferably, it is the same as the solvent used for the composition of this invention. It is preferable to superpose | polymerize using a solvent. As a result, generation of particles during storage can be suppressed.

중합 반응은 질소나 아르곤 등 불활성 가스 분위기 하에서 행해지는 것이 바람직하다. 중합 개시제로서는 시판의 라디칼 개시제(아조계 개시제, 퍼옥사이드 등)를 사용해서 중합을 개시시킨다. 라디칼 개시제로서는 아조계 개시제가 바람직하고, 에스테르 결합, 시아노기, 카르복실기를 갖는 아조계 개시제가 바람직하다. 바람직한 개시제로서는 아조비스이소부틸로니트릴, 아조비스디메틸발레로니트릴, 디메틸2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트) 등을 들 수 있다. 필요에 따라 연쇄 이동제(예를 들면, 알킬메르캅탄 등)의 존재 하에서 중합을 행해도 좋다. It is preferable that a polymerization reaction is performed in inert gas atmosphere, such as nitrogen and argon. As a polymerization initiator, superposition | polymerization is started using a commercial radical initiator (azo initiator, peroxide, etc.). As a radical initiator, an azo initiator is preferable, and the azo initiator which has an ester bond, a cyano group, and a carboxyl group is preferable. Preferred initiators include azobisisobutylonitrile, azobisdimethylvaleronitrile, dimethyl 2,2'-azobis (2-methylpropionate) and the like. As needed, you may superpose | polymerize in presence of a chain transfer agent (for example, alkyl mercaptan etc.).

반응액 중의 용질의 농도는 5∼70질량%이며, 바람직하게는 10∼50질량%이다. 반응 온도는 통상 10℃∼150℃이며, 바람직하게는 30℃∼120℃, 더욱 바람직하게는 40∼100℃이다.The concentration of the solute in the reaction solution is 5 to 70% by mass, preferably 10 to 50% by mass. Reaction temperature is 10 degreeC-150 degreeC normally, Preferably it is 30 degreeC-120 degreeC, More preferably, it is 40-100 degreeC.

반응 시간은 통상 1∼48시간이며, 바람직하게는 1∼24시간, 더욱 바람직하게는 1∼12시간이다. The reaction time is usually 1 to 48 hours, preferably 1 to 24 hours, more preferably 1 to 12 hours.

반응 종료 후, 실온까지 방냉하고 정제한다. 정제는 수세나 적절한 용매를 조합함으로써 잔류 단량체나 올리고머 성분을 제거하는 액 추출법, 특정의 분자량이하의 것만을 추출 제거하는 한외 여과 등의 용액 상태에서의 정제 방법이나, 수지 용액을 빈용매에 적하함으로써 수지를 빈용매 중에 응고시킴으로써 잔류 단량체 등을 제거하는 재침전법이나 여과 분별된 수지 슬러리를 빈용매로 세정하는 등의 고체 상태에서의 정제 방법 등의 통상의 방법을 적용할 수 있다. 예를 들면, 상기 수지가 난용 또는 불용의 용매(빈용매)를 상기 반응 용액의 10배 이하의 체적량, 바람직하게는 10∼5배의 체적량으로 접촉시킴으로써 수지를 고체로서 석출시킨다.After the reaction is completed, the reaction mixture is allowed to cool to room temperature and purified. Purification is carried out by a liquid extraction method for removing residual monomers and oligomer components by washing with water or combining a suitable solvent, a purification method in a solution state such as ultrafiltration for extracting and removing only those having a specific molecular weight or less, or by dropping a resin solution into a poor solvent. Conventional methods such as a reprecipitation method for removing residual monomer and the like by coagulating the resin in a poor solvent and a purification method in a solid state such as washing the separated resin slurry with a poor solvent can be applied. For example, the resin is precipitated as a solid by contacting a poorly or insoluble solvent (poor solvent) in a volume amount of 10 times or less, preferably 10 to 5 times the volume of the reaction solution.

폴리머 용액으로부터의 침전 또는 재침전 조작시에 사용하는 용매(침전 또는 재침전 용매)로서는 상기 폴리머의 빈용매이면 좋고, 폴리머의 종류에 따라 탄화수소, 할로겐화탄화수소, 니트로 화합물, 에테르, 케톤, 에스테르, 카보네이트, 알콜, 카르복실산, 물, 이들의 용매를 포함하는 혼합 용매 등 중에서 적당히 선택해서 사용할 수 있다. 이들 중에서도 침전 또는 재침전 용매로서 적어도 알콜(특히, 메탄올 등) 또는 물을 포함하는 용매가 바람직하다.The solvent (precipitation or reprecipitation solvent) used in the precipitation or reprecipitation operation from the polymer solution may be a poor solvent of the polymer, and may be a hydrocarbon, a halogenated hydrocarbon, a nitro compound, an ether, a ketone, an ester, or a carbonate depending on the type of polymer. , Alcohols, carboxylic acids, water, mixed solvents containing these solvents, and the like, may be appropriately selected. Among these, a solvent containing at least an alcohol (particularly methanol or the like) or water as the precipitation or reprecipitation solvent is preferable.

침전 또는 재침전 용매의 사용량은 효율이나 수율 등을 고려해서 적당히 선택할 수 있지만, 일반적으로는 폴리머 용액 100질량부에 대해서 100∼10000질량부, 바람직하게는 200∼2000질량부, 더욱 바람직하게는 300∼1000질량부이다.The amount of precipitation or reprecipitation solvent can be appropriately selected in consideration of efficiency, yield, and the like, but is generally 100-10000 parts by mass, preferably 200-2000 parts by mass, more preferably 300, based on 100 parts by mass of the polymer solution. It is -1000 mass parts.

침전 또는 재침전할 때의 온도로서는 효율이나 조작성을 고려해서 적당히 선택할 수 있지만, 통상 0∼50℃ 정도, 바람직하게는 실온 부근(예를 들면 20∼35℃ 정도)이다. 침전 또는 재침전 조작은 교반조 등의 관용의 혼합 용기를 사용하고, 배치식, 연속식 등의 공지의 방법에 의해 행할 수 있다.Although it can select suitably as temperature at the time of precipitation or reprecipitation, considering efficiency and operability, it is about 0-50 degreeC normally, Preferably it is near room temperature (for example, about 20-35 degreeC). Precipitation or reprecipitation operation can be performed by well-known methods, such as a batch type and a continuous type, using common mixing vessels, such as a stirring tank.

침전 또는 재침전한 폴리머는 통상 여과, 원심 분리 등의 관용의 고액 분리에 부여하여 건조해서 사용에 제공된다. 여과는 내용제성의 여과재를 사용하고, 바람직하게는 가압 하에서 행해진다. 건조는 상압 또는 감압 하(바람직하게는 감압 하), 30∼100℃ 정도, 바람직하게는 30∼50℃ 정도의 온도에서 행해진다.Precipitated or reprecipitated polymers are usually supplied to conventional solid-liquid separation, such as filtration and centrifugation, to be dried and used for use. Filtration uses the filter medium of solvent resistance, Preferably it is performed under pressure. Drying is performed at a temperature of about 30 to 100 ° C, preferably about 30 to 50 ° C, under normal pressure or reduced pressure (preferably under reduced pressure).

또한, 한번 수지를 석출시켜서 분리한 후에, 다시 용매에 용해시켜 상기 수지가 난용 또는 불용인 용매와 접촉시켜도 좋다. 즉, 상기 라디칼 중합 반응 종료후, 상기 폴리머가 난용 또는 불용인 용매를 접촉시켜 수지를 석출시키고(공정a), 수지를 용액으로부터 분리하고(공정b), 다시 용매에 용해시켜 수지 용액A를 조제하고(공정c), 그 후, 상기 수지 용액 A에 상기 수지가 난용 또는 불용인 용매를 수지 용액A의 10배 미만의 체적량(바람직하게는 5배 이하의 체적량)으로 접촉시킴으로써 수지 고체를 석출시키고(공정d), 석출된 수지를 분리하는(공정e) 것을 포함하는 방법이어도 좋다.In addition, once the resin is precipitated and separated, it may be dissolved in a solvent again and brought into contact with a solvent that is poorly soluble or insoluble. That is, after completion of the radical polymerization reaction, the polymer is contacted with a solvent that is poorly soluble or insoluble to precipitate a resin (step a), the resin is separated from the solution (step b), and dissolved in a solvent to prepare a resin solution A. The resin solid is then contacted by contacting the resin solution A with a solvent in which the resin is poorly soluble or insoluble in a volume amount of less than 10 times the volume of the resin solution A (preferably 5 times or less). The method may include depositing (step d) and separating the precipitated resin (step e).

본 발명에 의한 수지(P)의 분자량은 특별히 제한되지 않지만, 중량 평균 분자량이 1000∼100000의 범위인 것이 바람직하고, 1500∼60000의 범위인 것이 보다 바람직하고, 2000∼30000의 범위인 것이 특히 바람직하다. 중량 평균 분자량을 1000∼100000의 범위로 함으로써 내열성이나 드라이 에칭 내성의 열화를 방지할 수 있고, 또한 현상성이 열화되거나, 점도가 높아져서 제막성이 열화되는 것을 방지할 수 있다. 여기에서, 수지의 중량 평균 분자량은 GPC(캐리어:THF 또는 N-메틸-2-피롤리돈(NMP))에 의해 측정한 폴리스티렌 환산 분자량을 나타낸다. Although the molecular weight of resin (P) by this invention is not specifically limited, It is preferable that the weight average molecular weight is the range of 1000-100000, It is more preferable that it is the range of 1500-60000, It is especially preferable that it is the range of 2000-30000. Do. By setting a weight average molecular weight in the range of 1000-100000, deterioration of heat resistance and dry etching resistance can be prevented, and developability deteriorates or a viscosity becomes high and it can prevent that film forming property deteriorates. Here, the weight average molecular weight of resin represents the polystyrene conversion molecular weight measured by GPC (carrier: THF or N-methyl- 2-pyrrolidone (NMP)).

또한 분산도(Mw/Mn)는 바람직하게는 1.00∼5.00, 보다 바람직하게는 1.03∼3.50이며, 더욱 바람직하게는 1.05∼2.50이다. 분자량 분포가 작은 것일수록 해상도, 레지스트 형상이 좋고, 또한 레지스트 패턴의 측벽이 스무즈해서 러프니스성이 우수하다.Moreover, dispersion degree (Mw / Mn) becomes like this. Preferably it is 1.00-5.00, More preferably, it is 1.03-3.50, More preferably, it is 1.05-2.50. The smaller the molecular weight distribution is, the better the resolution and the resist shape are, and the sidewalls of the resist pattern are smooth and the roughness is excellent.

본 발명의 수지(P)는 1종류 단독으로, 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 수지(P)의 함유율은 본 발명의 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 중의 전체 고형분을 기준으로 해서 30∼100질량%가 바람직하고, 50.0∼99.95질량%가 보다 바람직하고, 70.0∼99.90질량%가 특히 바람직하다.Resin (P) of this invention can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. As for content rate of resin (P), 30-100 mass% is preferable on the basis of the total solid in the actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of this invention, 50.0-99.95 mass% is more preferable, 70.0-99.90 mass % Is particularly preferred.

수지(P)의 보다 바람직한 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Although the more preferable specific example of resin (P) is shown below, this invention is not limited to these.

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본 발명의 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에는 필요에 따라 산의 작용에 의해 분해되어 알칼리 수용액에 대한 용해 속도가 증대되는 수지, 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물(저분자의 광산 발생제 (종래형)), 염기성 화합물, 산의 작용에 의해 탈리되는 기를 갖는 저분자 화합물, 계면활성제, 산의 작용에 의해 분해되어 카르복실산보다 강한 산을 생성하는 물질 등을 더 함유시킬 수 있다.In the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention, a compound which generates an acid by irradiation with a resin, active light or radiation, which is decomposed by the action of an acid as necessary to increase the dissolution rate in an aqueous alkali solution (low molecular weight). Photoacid generators (conventional)), basic compounds, low molecular weight compounds having groups that are released by the action of an acid, surfactants, substances that decompose by the action of an acid to produce acids stronger than carboxylic acids, and the like. Can be.

[2]산의 작용에 의해 분해되어 알칼리 수용액에 대한 용해 속도가 증대되는 수지[2] resins, decomposed by the action of acids, to increase their dissolution rate in aqueous alkali

본 발명의 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물은 수지(P) 이외에 산의 작용에 의해 분해되어 알칼리 수용액에 대한 용해 속도가 증대되는 수지를 함유하고 있어도 좋다.In addition to the resin (P), the actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition of the present invention may contain a resin that is decomposed by the action of an acid and the dissolution rate in the aqueous alkali solution is increased.

산의 작용에 의해 분해되어 알칼리 수용액에 대한 용해 속도가 증대되는 수지(이하, 「산분해성 수지」라고도 한다)는 수지의 주쇄 또는 측쇄, 또는 주쇄 및 측쇄의 양쪽에 산의 작용에 의해 분해되어 알칼리 가용성기를 발생시키는 기(산분해성기)를 갖는 수지이다. 이 중, 산분해성기를 측쇄에 갖는 수지가 보다 바람직하다.A resin that is decomposed by the action of an acid to increase its dissolution rate in an aqueous alkali solution (hereinafter also referred to as an "acid-decomposable resin") is decomposed by the action of an acid on both the main chain or the side chain of the resin, or both the main chain and the side chain, and is alkali. It is resin which has group (acid-decomposable group) which produces | generates a soluble group. Among these, resin which has an acid-decomposable group in a side chain is more preferable.

산분해성 수지는 유럽 특허 254853호 명세서, 일본 특허 공개 평 2-25850호 공보, 동 3-223860호 공보, 동 4-251259호 공보 등에 개시되어 있는 바와 같이 알칼리 가용성 수지에 산으로 분해될 수 있는 기의 전구체를 반응시키거나 또는 산으로 분해될 수 있는 기가 결합된 알칼리 가용성 수지 모노머를 각종 모노머와 공중합해서 얻을 수 있다.The acid-decomposable resin is a group which can be decomposed into an acid in an alkali-soluble resin as disclosed in European Patent No. 254853, Japanese Patent Laid-Open No. 2-25850, Japanese Patent No. 3-223860, Japanese Patent No. 4-251259 and the like. An alkali-soluble resin monomer having a group bonded to react with a precursor or decomposed into an acid can be obtained by copolymerization with various monomers.

산분해성기로서는 예를 들면, -COOH기, -OH기 등의 알칼리 가용성기를 갖는 수지에 있어서 좌측에 기재된 알칼리 가용성기의 수소원자를 산의 작용에 의해 탈리되는 기로 치환한 기가 바람직하다.As an acid-decomposable group, group which substituted the hydrogen atom of the alkali-soluble group of the left side with the group which detach | desorbs by the effect of an acid in resin which has alkali-soluble groups, such as -COOH group and -OH group, is preferable, for example.

산분해성기로서 구체적으로는 상술한 본 발명의 수지(P)에서 설명한 산분해성기(예를 들면, 수지(P)에 있어서의 반복단위(B)로서 설명한 산분해성기)와 같은 기를 바람직한 예로서 들 수 있다. As an acid-decomposable group, specifically, the same group as the acid-decomposable group demonstrated by resin (P) of this invention mentioned above (for example, the acid-decomposable group demonstrated as repeating unit (B) in resin (P)) is a preferable example. Can be mentioned.

상기 알칼리 가용성기를 갖는 수지로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 폴리(o-히드록시스티렌), 폴리(m-히드록시스티렌), 폴리(p-히드록시스티렌) 및 이들의 공중합체, 수소화폴리(히드록시스티렌), 하기 구조로 나타내어지는 치환기를 갖는 폴리(히드록시스티렌)류, 및 페놀성 수산기를 갖는 수지, 스티렌-히드록시스티렌 공중합체, α-메틸스티렌-히드록시스티렌 공중합체, 수소화 노볼락 수지 등의 히드록시스티렌 구조단위를 갖는 알칼리 가용성 수지, (메타)아크릴산, 노르보르넨카르복실산 등의 카르복실기를 갖는 반복단위를 함유하는 알칼리 가용성 수지를 들 수 있다.Although it does not specifically limit as resin which has the said alkali-soluble group, For example, poly (o-hydroxy styrene), poly (m-hydroxy styrene), poly (p-hydroxy styrene), its copolymer, hydrogenated poly (Hydroxystyrene), poly (hydroxystyrene) having a substituent represented by the following structure, resin having a phenolic hydroxyl group, styrene-hydroxystyrene copolymer, α-methylstyrene-hydroxystyrene copolymer, hydrogenation Alkali-soluble resin which has hydroxy styrene structural units, such as a novolak resin, Alkali-soluble resin containing the repeating unit which has carboxyl groups, such as (meth) acrylic acid and norbornene carboxylic acid, is mentioned.

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이들 알칼리 가용성 수지의 알칼리 용해 속도는 2.38질량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드로 측정(23℃)해서 17nm/초 이상이 바람직하다. 특히 바람직하게는 33nm/초 이상이다.The alkali dissolution rate of these alkali-soluble resins is preferably measured at 2.38% by mass of tetramethylammonium hydroxide (23 ° C), and preferably 17 nm / sec or more. Especially preferably, it is 33 nm / sec or more.

산에서 분해될 수 있는 기의 함유율은 수지 중의 산으로 분해될 수 있는 기를 갖는 반복단위의 수(X)와 산으로 탈리되는 기로 보호되어 있지 않은 알칼리 가용성기를 갖는 반복단위의 수(Y)를 갖고 X/(X+Y)로 나타내어진다. 함유율은 바람직하게는 0.01∼0.7, 보다 바람직하게는 0.05∼0.50, 더욱 바람직하게는 0.05∼0.40이다. The content of groups that can be decomposed in an acid has a number (X) of repeating units having a group that can be decomposed into an acid in the resin and a number (Y) of repeating units having an alkali-soluble group that is not protected by a group that is desorbed to an acid. It is represented by X / (X + Y). The content rate is preferably 0.01 to 0.7, more preferably 0.05 to 0.50, still more preferably 0.05 to 0.40.

산분해성 수지의 분자량, 분산도의 바람직한 범위는 수지(P)와 같다.The preferable range of the molecular weight and dispersion degree of acid-decomposable resin is the same as that of resin (P).

산분해성 수지는 2종류 이상 조합해서 사용해도 좋다.You may use acid-decomposable resin in combination of 2 or more types.

본 발명의 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물은 수지(P)를 제외한 산분해성 수지를 함유해도 하지 않아도 좋지만, 함유하는 경우 수지(P)를 제외한 산분해성 수지의 조성물 중의 배합률은 조성물의 전체 고형분 중 0.1∼70질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1∼50질량%, 더욱 바람직하게는 0.1∼30질량%이다.The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention may not contain an acid-decomposable resin except for the resin (P), but when it contains, the blending ratio of the acid-decomposable resin except the resin (P) in the composition of the composition 0.1-70 mass% is preferable in solid content, More preferably, it is 0.1-50 mass%, More preferably, it is 0.1-30 mass%.

[3]활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물(저분자 광산 발생제)[3] compounds, which generate acids by irradiation with active light or radiation (low molecular weight photoacid generators)

본 발명의 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에서는 광산 발생 구조를 갖는 수지(P)를 함유하고 있지만, 상기 수지(P) 이외에 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키는 저분자 화합물(이하, 「산 발생제」또는 「광산 발생제」라고도 한다)을 함유해도 좋다.The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention contains a resin (P) having a photo-generating structure, but in addition to the resin (P), a low molecular compound that generates an acid by irradiation with actinic light or radiation (hereinafter referred to) Or "acid generator" or "acid generator".

이러한 저분자의 산 발생제의 분자량은 3000 이하인 것이 바람직하고, 2000 이하인 것이 보다 바람직하다. 저분자의 산 발생제의 분자량의 하한값은 통상 200이다.It is preferable that it is 3000 or less, and, as for the molecular weight of such a low molecular acid generator, it is more preferable that it is 2000 or less. The lower limit of the molecular weight of the low molecular acid generator is usually 200.

그러한 산 발생제로서는 광 양이온 중합의 광개시제 광 라디칼 중합의 광개시제, 색소류의 광소색제, 광변색제, 또는 마이크로 레지스트 등에 사용되고 있는 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키는 공지의 화합물 및 이들의 혼합물을 적절하게 선택해서 사용할 수 있다.Such acid generators include photoinitiators of photocationic polymerization, photoinitiators of photo-radical polymerization, photochromic agents of pigments, photochromic agents, known compounds which generate acids by irradiation of actinic rays or radiation used in micro resists, and the like. Mixtures may be appropriately selected and used.

예를 들면, 디아조늄염, 포스포늄염, 술포늄염, 요오드늄염, 이미드술포네이트, 옥심술포네이트, 디아조디술폰, 디술폰, o-니트로벤질술포네이트를 들 수 있다. 이들의 구체예로서는 예를 들면, 미국 특허 출원 공개 제2008/0241737A1호 명세서의 〔0164〕∼〔0248〕에 설명되어 있는 것을 들 수 있다.For example, a diazonium salt, a phosphonium salt, a sulfonium salt, an iodonium salt, an imide sulfonate, an oxime sulfonate, a diazo disulfone, a disulfone, o-nitrobenzyl sulfonate is mentioned. As these specific examples, what is described in [0164]-[0248] of the specification of US patent application publication 2008 / 0241737A1 is mentioned, for example.

본 발명의 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 있어서 광산 발생 구조를 갖는 수지(P) 이외에 산 발생제를 사용하는 경우에는 산 발생제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 산 발생제의 조성물 중의 함량은 본 발명의 조성물의 전체 고형분을 기준으로 해서 0∼20질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0∼10질량%, 더욱 바람직하게는 0∼7질량%이다. 산 발생제는 본 발명에 있어서 필수 성분은 아니지만, 첨가의 효과를 얻는 데에 있어서는 통상 0.01질량% 이상으로 사용된다.In the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention, when an acid generator is used in addition to the resin (P) having a photoacid generator structure, the acid generator may be used alone or in combination of two or more thereof. have. As for content in the composition of an acid generator, 0-20 mass% is preferable based on the total solid of the composition of this invention, More preferably, it is 0-10 mass%, More preferably, it is 0-7 mass%. Although an acid generator is not an essential component in this invention, in order to acquire the effect of addition, it is normally used in 0.01 mass% or more.

[4]염기성 화합물[4] basic compounds

본 발명의 감활성 광선 또는 방사선성 조성물은 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the actinic light or radioactive composition of this invention contains a basic compound.

염기성 화합물은 질소 함유 유기 염기성 화합물인 것이 바람직하다.It is preferable that a basic compound is a nitrogen containing organic basic compound.

사용 가능한 화합물은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 이하의 (1)∼(4)로 분류되는 화합물이 바람직하게 사용된다.Although the compound which can be used is not specifically limited, For example, the compound classified into the following (1)-(4) is used preferably.

(1)하기 일반식(BS-1)로 나타내어지는 화합물(1) the compound represented by the following general formula (BS-1)

Figure pat00063
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일반식(BS-1) 중,In general formula (BS-1),

R은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기(직쇄 또는 분기), 1가의 지방족 탄화수소환기(단환 또는 다환), 아릴기, 아랄킬기 중 어느 하나를 나타낸다. 단, 세개의 R 모두가 수소원자로는 되지 않는다.R each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group (linear or branched), a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group (monocyclic or polycyclic), an aryl group, or an aralkyl group. However, not all three Rs are hydrogen atoms.

R로서의 알킬기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 통상 1∼20, 바람직하게는 1∼12이다.Although carbon number of the alkyl group as R is not specifically limited, Usually, it is 1-20, Preferably it is 1-12.

R로서의 1가의 지방족 탄화수소환기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 통상 3∼20, 바람직하게는 5∼15이다.Although carbon number of the monovalent aliphatic hydrocarbon ring group as R is not specifically limited, Usually, it is 3-20, Preferably it is 5-15.

R로서의 아릴기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 통상 6∼20, 바람직하게는 6∼10이다. 구체적으로는 페닐기나 나프틸기 등을 들 수 있다.Although carbon number of the aryl group as R is not specifically limited, Usually, it is 6-20, Preferably it is 6-10. Specifically, a phenyl group, a naphthyl group, etc. are mentioned.

R로서의 아랄킬기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 통상 7∼20, 바람직하게는 7∼11이다. 구체적으로는 벤질기 등을 들 수 있다.Although carbon number of the aralkyl group as R is not specifically limited, Usually, it is 7-20, Preferably it is 7-11. Specifically, a benzyl group etc. are mentioned.

R로서의 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 아릴기 또는 아랄킬기는 수소원자가 치환기에 의해 치환되어 있어도 좋다. 이 치환기로서는 예를 들면, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 아릴기, 아랄킬기, 수산기, 카르복실기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알킬카르보닐옥시기, 알킬옥시카르보닐기 등을 들 수 있다.In the alkyl group, monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, aryl group or aralkyl group as R, the hydrogen atom may be substituted with a substituent. As this substituent, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, an aryl group, an aralkyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylcarbonyloxy group, an alkyloxycarbonyl group, etc. are mentioned, for example.

일반식(BS-1)로 나타내어지는 화합물은 3개의 R 중 1개만이 수소원자인 것이 바람직하고, 또는 모든 R이 수소원자가 아닌 것이 바람직하다.In the compound represented by the general formula (BS-1), only one of the three R's is preferably a hydrogen atom, or all R's are preferably hydrogen atoms.

일반식(BS-1)의 화합물의 구체예로서는 트리-n-부틸아민, 트리-n-펜틸아민, 트리-n-옥틸아민, 트리-n-데실아민, 트리이소데실아민, 디시클로헥실메틸아민, 테트라데실아민, 펜타데실아민, 헥사데실아민, 옥타데실아민, 디데실아민, 메틸옥타데실아민, 디메틸운데실아민, N,N-디메틸도데실아민, 메틸디옥타데실아민, N,N-디부틸아닐린, N,N-디헥실아닐린, 2,6-디이소프로필아닐린, 2,4,6-트리(t-부틸)아닐린 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound of formula (BS-1) include tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-octylamine, tri-n-decylamine, triisodecylamine, dicyclohexylmethylamine , Tetradecylamine, pentadecylamine, hexadecylamine, octadecylamine, didecylamine, methyloctadecylamine, dimethyl undecylamine, N, N-dimethyldodecylamine, methyldioctadecylamine, N, N- Dibutyl aniline, N, N-dihexyl aniline, 2,6-diisopropylaniline, 2,4,6-tri (t-butyl) aniline and the like.

또한, 일반식(BS-1)에 있어서 적어도 1개의 R은 수산기로 치환된 알킬기인 화합물을 바람직한 형태의 하나로서 들 수 있다. 구체적 화합물로서는 트리에탄올아민, N,N-디히드록시에틸아닐린 등을 들 수 있다. In addition, in general formula (BS-1), the compound whose at least 1 R is an alkyl group substituted by the hydroxyl group is mentioned as one of the preferable forms. Specific examples of the compound include triethanolamine, N, N-dihydroxyethyl aniline, and the like.

또한, R로서의 알킬기는 알킬쇄 중에 산소원자를 갖고, 옥시알킬렌쇄가 형성되어 있어도 좋다. 옥시알킬렌쇄로서는 -CH2CH2O-이 바람직하다. 구체적 예로서는 트리스(메톡시에톡시에틸)아민이나, 미국 특허 제6040112호 명세서의 컬럼 3, 60행째 이후에 예시된 화합물 등을 들 수 있다.Moreover, the alkyl group as R may have an oxygen atom in the alkyl chain, and the oxyalkylene chain may be formed. As the oxyalkylene chain, -CH 2 CH 2 O- is preferable. Specific examples include tris (methoxyethoxyethyl) amine, compounds exemplified after columns 3 and 60, and the like in US Pat. No. 6060112.

(2)질소 함유 복소환 구조를 갖는 화합물(2) a compound having a nitrogen-containing heterocyclic structure

복소환 구조로서는 방향족성을 갖고 있어도 없어도 좋다. 또한, 질소원자를 복수 갖고 있어도 좋고, 또한 질소 이외의 헤테로원자를 함유하고 있어도 좋다. 구체적으로는 이미다졸 구조를 갖는 화합물(2-페닐벤조이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸 등), 피페리딘 구조를 갖는 화합물(N-히드록시에틸피페리딘, 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜)세바케이트 등), 피리딘 구조를 갖는 화합물(4-디메틸아미노피리딘 등), 안티피린 구조를 갖는 화합물(안티피린, 히드록시안티피린 등)을 들 수 있다.The heterocyclic structure may or may not have aromaticity. Moreover, it may have two or more nitrogen atoms, and may contain hetero atoms other than nitrogen. Specifically, compounds having an imidazole structure (2-phenylbenzoimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, etc.), compounds having a piperidine structure (N-hydroxyethyl piperidine, bis ( 1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) sebacate, etc.), a compound having a pyridine structure (such as 4-dimethylaminopyridine), a compound having an antipyrine structure (antipyrine, hydroxyantipyrine, etc.) ).

또한, 환 구조를 2개 이상 갖는 화합물도 바람직하게 사용된다. 구체적으로는 1,5-디아자비시클로[4.3.0]노나-5-엔, 1,8-디아자비시클로〔5.4.0〕-운데카-7-엔 등을 들 수 있다.Moreover, the compound which has two or more ring structures is also used preferably. Specifically, 1, 5- diazabicyclo [4.3.0] nona-5-ene, 1, 8- diazabicyclo [5.4.0]-undeca-7-ene, etc. are mentioned.

(3)페녹시기를 갖는 아민 화합물(3) an amine compound having a phenoxy group

페녹시기를 갖는 아민 화합물은 아민 화합물의 알킬기의 질소원자와 반대측의 말단에 페녹시기를 갖는 것이다. 페녹시기는 예를 들면, 알킬기, 알콕시기, 할로겐원자, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 카르복실산 에스테르기, 술폰산 에스테르기, 아릴기, 아랄킬기, 아실옥시기, 아릴옥시기 등의 치환기를 갖고 있어도 좋다. An amine compound having a phenoxy group is one having a phenoxy group at a terminal opposite to the nitrogen atom of the alkyl group of the amine compound. The phenoxy group may be a substituent such as an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carboxyl group, a carboxylic acid ester group, a sulfonic acid ester group, an aryl group, an aralkyl group, an acyloxy group or an aryloxy group. You may have it.

보다 바람직하게는 페녹시기와 질소원자 사이에 적어도 1개의 옥시알킬렌쇄를 갖는 화합물이다. 1분자 중의 옥시알킬렌쇄의 수는 바람직하게는 3∼9개, 더욱 바람직하게는 4∼6개이다. 옥시알킬렌쇄 중에서도 -CH2CH2O-가 바람직하다.More preferably, the compound has at least one oxyalkylene chain between the phenoxy group and the nitrogen atom. The number of oxyalkylene chains in one molecule is preferably 3 to 9, more preferably 4 to 6. Among the oxyalkylene chains, -CH 2 CH 2 O- is preferable.

구체예로서는 2-[2-{2-(2,2-디메톡시-페녹시에톡시)에틸}-비스-(2-메톡시에틸)]-아민이나, 미국 특허 출원 공개 제2007/0224539A1호 명세서의 단락 [0066]에 예시되어 있는 화합물(C1-1)∼(C3-3) 등을 들 수 있다.Specific examples thereof include 2- [2- {2- (2,2-dimethoxy-phenoxyethoxy) ethyl} -bis- (2-methoxyethyl)]-amine, but US Patent Application Publication No. 2007 / 0224539A1 The compound (C1-1)-(C3-3) etc. which were illustrated by stage of the above are mentioned.

(4)암모늄염(4) ammonium salt

암모늄염도 적당히 사용된다. 바람직하게는 히드록시드 또는 카르복실레이트이다. 보다 구체적으로는 테트라부틸암모늄히드록시드로 대표되는 테트라알킬암모늄히드록시드가 바람직하다.Ammonium salts are also suitably used. Preferably hydroxide or carboxylate. More specifically, tetraalkylammonium hydroxide represented by tetrabutylammonium hydroxide is preferable.

(5)산의 작용에 의해 염기성이 증대되는 화합물(5) Compounds whose basicity is increased by the action of acid

산의 작용에 의해 염기성이 증대되는 화합물도 염기성 화합물의 1종으로서 사용할 수 있다. 이 예로서, 예를 들면 하기 일반식(A)로 나타내어지는 구조를 갖는 것을 들 수 있다. 하기 화합물은 N원자에 전자 구인성의 에스테르 결합이 인접하고 있기 때문에 그대로는 염기성이 낮지만, 하기 화합물에 산이 작용했을 경우 우선 -C(Rb)(Rb)(Rb) 부위가 분해되고, 이어서 에스테르 결합 부위가 탈탄산됨으로써 전자 구인성의 에스테르 결합 부위가 제거되므로 실질적인 염기성이 발현된다고 생각된다.The compound whose basicity increases by the action of an acid can also be used as one kind of basic compound. As this example, what has a structure represented by following General formula (A) is mentioned, for example. The following compounds have low basicity as they are adjacent to N atoms with electron-withdrawing ester bonds. It is thought that substantial basicity is expressed because the site is decarbonized to remove the electron-binding ester binding site.

Figure pat00064
Figure pat00064

일반식(A)에 있어서 Ra는 수소원자, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타낸다. 또한, n=2일 때, 2개의 Ra는 같아도 달라도 좋고, 2개의 Ra는 서로 결합되어 2가의 복소환식 탄화수소기(바람직하게는 탄소수 20 이하) 또는 그 유도체를 형성하고 있어도 좋다. In general formula (A), Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, an aryl group, or an aralkyl group. When n = 2, two Ras may be the same or different, and two Ras may be bonded to each other to form a divalent heterocyclic hydrocarbon group (preferably having 20 or less carbon atoms) or a derivative thereof.

Rb는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타낸다. 단, -C(Rb)(Rb)(Rb)에 있어서 3개의 Rb가 동시에 수소원자인 일은 없다.Each R b independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, an aryl group, or an aralkyl group. However, in -C (Rb) (Rb) (Rb), three Rb do not simultaneously represent a hydrogen atom.

적어도 2개의 Rb는 결합해서 지환식 탄화수소기, 방향족 탄화수소기, 복소환식 탄화수소기 또는 그 유도체를 형성하고 있어도 좋다. At least two Rb's may combine to form an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, a heterocyclic hydrocarbon group, or a derivative thereof.

n은 0∼2의 정수를 나타내고, m은 1∼3의 정수를 나타내고, n+m=3이다.n represents the integer of 0-2, m represents the integer of 1-3, and n + m = 3.

일반식(A)에 있어서 Ra 및 Rb가 나타내는 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 아릴기 및 아랄킬기는 수산기, 시아노기, 아미노기, 피롤리디노기, 피페리디노기, 모르폴리노기, 옥소기 등의 관능기, 알콕시기, 또는 할로겐원자로 치환되어 있어도 좋다.In general formula (A), the alkyl group, monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, aryl group, and aralkyl group which Ra and Rb represent, such as a hydroxyl group, a cyano group, an amino group, a pyrrolidino group, a piperidino group, a morpholino group, an oxo group, etc. It may be substituted with a functional group, an alkoxy group, or a halogen atom.

상기 Ra 및 Rb의 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 아릴기 또는 아랄킬기(이들의 알킬기, 지방족 탄화수소환기, 아릴기 및 아랄킬기는 상기 관능기, 알콕시기, 할로겐원자로 치환되어 있어도 좋다)로서는Examples of the Ra, Rb alkyl group, monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, aryl group or aralkyl group (their alkyl group, aliphatic hydrocarbon ring group, aryl group and aralkyl group may be substituted with the functional group, alkoxy group and halogen atom).

예를 들면, 메탄, 에탄, 프로판, 부탄, 펜탄, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 데칸, 운데칸, 도데칸 등의 직쇄상, 분기상의 알칸으로부터 유래되는 기, 이들의 알칸으로부터 유래되는 기를, 예를 들면 시클로알킬기로 치환한 기,For example, groups derived from linear, branched alkanes such as methane, ethane, propane, butane, pentane, hexane, heptane, octane, nonane, decane, undecane, dodecane, groups derived from alkanes thereof, Groups substituted with, for example, cycloalkyl groups,

시클로부탄, 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄, 노르보르난, 아다만탄, 노라다만탄 등의 시클로알칸으로부터 유래되는 기, 이들의 시클로알칸으로부터 유래되는 기를, 예를 들면 직쇄상 또는 분기상의 알킬기로 치환한 기,Groups derived from cycloalkanes such as cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, norbornane, adamantane, and noradamantane, and groups derived from these cycloalkanes, for example, linear or A group substituted with a branched alkyl group,

벤젠, 나프탈렌, 안트라센 등의 방향족 화합물로부터 유래되는 기, 이들의 방향족 화합물로부터 유래되는 기를, 예를 들면 직쇄상 또는 분기상의 알킬기로 치환한 기,Groups derived from aromatic compounds such as benzene, naphthalene and anthracene, groups derived from these aromatic compounds, for example, groups substituted with linear or branched alkyl groups,

피롤리딘, 피페리딘, 모르폴린, 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란, 인돌, 인돌린, 퀴놀린, 퍼히드로퀴놀린, 인다졸, 벤즈이미다졸 등의 복소환 화합물로부터 유래되는 기, 이들의 복소환 화합물로부터 유래되는 기를 직쇄상 또는 분기상의 알킬기 또는 방향족 화합물로부터 유래되는 기로 치환한 기, 직쇄상 또는 분기상의 알칸으로부터 유래되는 기·시클로알칸으로부터 유래되는 기를, 예를 들면 방향족 화합물로부터 유래되는 기로 치환한 기 등 또는 상기 치환기가 수산기, 시아노기, 아미노기, 피롤리디노기, 피페리디노기, 모르폴리노기, 옥소기 등의 관능기로 치환된 기 등을 들 수 있다.Groups derived from heterocyclic compounds such as pyrrolidine, piperidine, morpholine, tetrahydrofuran, tetrahydropyran, indole, indolin, quinoline, perhydroquinoline, indazole, benzimidazole, and heterocycles thereof A group derived from a linear or branched alkyl group or a group derived from an aromatic compound, or a group derived from a linear or branched alkane derived from a cycloalkane, for example, a group derived from an aromatic compound The group etc. which the said substituent was substituted by functional groups, such as a hydroxyl group, a cyano group, an amino group, a pyrrolidino group, a piperidino group, a morpholino group, an oxo group, etc. are mentioned.

또한, 상기 Ra가 서로 결합하여 형성하는 2가의 복소환식 탄화수소기(바람직하게는 탄소수 2∼20) 또는 그 유도체로서는 예를 들면, 피롤리딘, 피페리딘, 모르폴린, 1,4,5,6-테트라히드로피리미딘, 1,2,3,4-테트라히드로퀴놀린, 1,2,3,6-테트라히드로피리딘, 호모피페라진, 4-아자벤즈이미다졸, 벤조트리아졸, 5-아자벤조트리아졸, 1H-1,2,3-트리아졸, 1,4,7-트리아자시클로노난, 테트라졸, 7-아자인돌, 인다졸, 벤즈이미다졸, 이미다조[1,2-a]피리딘, (1S,4S)-(+)-2,5-디아자비시클로 [2.2.1]헵탄, 1,5,7-트리아자비시클로[4.4.0]데크-5-엔, 인돌, 인돌린, 1,2,3,4-테트라히드로퀴녹살린, 퍼히드로퀴놀린, 1,5,9-트리아자시클로데칸 등의 복소환식 화합물로부터 유래되는 기, 이들의 복소환식 화합물로부터 유래되는 기를 직쇄상 또는 분기상의 알칸으로부터 유래되는 기, 시클로알칸으로부터 유래되는 기, 방향족 화합물로부터 유래되는 기, 복소환 화합물로부터 유래되는 기, 수산기, 시아노기, 아미노기, 피롤리디노기, 피페리디노기, 모르폴리노기, 옥소기 등으로 치환한 기 등을 들 수 있다.Moreover, as said bivalent heterocyclic hydrocarbon group (preferably C2-C20) or its derivative (s) which Ra forms and combines with each other, for example, pyrrolidine, piperidine, morpholine, 1,4,5, 6-tetrahydropyrimidine, 1,2,3,4-tetrahydroquinoline, 1,2,3,6-tetrahydropyridine, homopiperazine, 4-azabenzimidazole, benzotriazole, 5-azabenzo Triazole, 1H-1,2,3-triazole, 1,4,7-triazacyclononane, tetrazole, 7-azaindole, indazole, benzimidazole, imidazo [1,2-a] pyridine , (1S, 4S)-(+)-2,5-diazabicyclo [2.2.1] heptane, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene, indole, indolin, Groups derived from heterocyclic compounds such as 1,2,3,4-tetrahydroquinoxaline, perhydroquinoline, 1,5,9-triazacyclodecane, and groups derived from these heterocyclic compounds, linear or branched And cycloalkanes derived from alkanes on And groups substituted with groups derived from aromatic compounds, groups derived from aromatic compounds, groups derived from heterocyclic compounds, hydroxyl groups, cyano groups, amino groups, pyrrolidino groups, piperidino groups, morpholino groups, oxo groups, and the like. Can be.

본 발명에 있어서의 특히 바람직한 산의 작용에 의해 염기성이 증대되는 화합물을 구체적으로 나타내지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.Although the compound which basicity increases by the effect | action of especially preferable acid in this invention is shown concretely, this invention is not limited to this.

Figure pat00065
Figure pat00065

Figure pat00066
Figure pat00066

Figure pat00067
Figure pat00067

일반식(A)로 나타내어지는 화합물은 시판의 아민으로부터 Protective Groups in Organic Synthesis 제4판 등에 기재된 방법으로 간편하게 합성할 수 있다. 가장 일반적인 방법으로서는 시판의 아민에 대하여 2탄산 에스테르 또는 할로포름산 에스테르를 작용시킴으로써 얻는 방법이 있다. 식 중 X는 할로겐원자를 나타낸다. Ra, Rb는 일반식(A)와 동의이다.The compound represented by general formula (A) can be conveniently synthesized from a commercially available amine by the method described in Protective Groups in Organic Synthesis fourth edition and the like. The most common method is a method obtained by reacting a dicarboxylic acid ester or a haloformic acid ester with a commercial amine. In the formula, X represents a halogen atom. Ra and Rb are synonymous with general formula (A).

Figure pat00068
Figure pat00068

그 외, 본 발명의 조성물에 사용 가능한 것으로서 일본 특허 공개 2002-363146호 공보의 실시예에서 합성되어 있는 화합물, 일본 특허 공개 2007-298569호 공보의 단락 0108에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.In addition, the compound synthesize | combined in the Example of Unexamined-Japanese-Patent No. 2002-363146, the compound of Paragraph 0108 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-298569, etc. are mentioned as what can be used for the composition of this invention.

염기성 화합물은 단독으로 또는 2종 이상 병용해서 사용된다.A basic compound is used individually or in combination of 2 or more types.

염기성 화합물의 사용량은 조성물의 고형분을 기준으로 해서 통상 0.001∼10질량%, 바람직하게는 0.01∼5질량%이다. The usage-amount of a basic compound is 0.001-10 mass% normally, based on solid content of a composition, Preferably it is 0.01-5 mass%.

산 발생제/염기성 화합물의 몰비는 2.5∼300인 것이 바람직하다. 즉, 감도, 해상도의 점으로부터 몰비가 2.5 이상이 바람직하고, 노광 후 가열 처리까지의 경시에서의 패턴의 굵기에 의한 해상도의 저하 억제의 점으로부터 300 이하가 바람직하다. 이 몰비로서 보다 바람직하게는 5.0∼200, 더욱 바람직하게는 7.0∼150이다.The molar ratio of the acid generator / basic compound is preferably 2.5 to 300. That is, a molar ratio of 2.5 or more is preferable from the point of sensitivity and resolution, and 300 or less is preferable from the point of suppression of the fall of the resolution by the thickness of the pattern over time until post-exposure heat processing. As this molar ratio, More preferably, it is 5.0-200, More preferably, it is 7.0-150.

또한, 상기 몰비에 있어서의 산 발생제는 수지(P)에 포함되는 반복 단위(a)와, 상술한 수지(P) 이외의 산 발생제의 합계의 양이다.In addition, the acid generator in the said molar ratio is the quantity of the sum total of the repeating unit (a) contained in resin (P), and acid generators other than resin (P) mentioned above.

[5]산 또는 알칼리의 작용에 의해 분해되는 기를 갖는 저분자 화합물[5] low molecular weight compounds having groups decomposed by the action of acids or alkalis

본 발명의 조성물은 산 또는 알칼리의 작용에 의해 분해되는 기를 갖는 저분자 화합물(단, 상술한 산의 작용에 의해 염기성이 증대되는 화합물을 제외한다)을 함유할 수 있다. 이러한 저분자 화합물의 분자량은 3000 이하인 것이 바람직하다. 산 또는 알칼리의 작용에 의해 분해되는 기로서는 특별히 한정되지 않지만, 아세탈 기, 카르보네이트기, 카르바메이트기, 3급 에스테르기, 3급 수산기, 헤미아미날에테르기, 락톤 구조가 바람직하고, 카르바메이트기, 헤미아미날에테르기인 것이 특히 바람직하다. The composition of the present invention may contain a low molecular weight compound having a group that is decomposed by the action of an acid or an alkali (except for compounds whose basicity is increased by the action of the acid described above). It is preferable that the molecular weight of such a low molecular weight compound is 3000 or less. The group decomposed by the action of an acid or an alkali is not particularly limited, but an acetal group, a carbonate group, a carbamate group, a tertiary ester group, a tertiary hydroxyl group, a hemiamino ether group, and a lactone structure are preferable, It is especially preferable that they are a carbamate group and a hemiamine ether group.

전자선 또는 EUV광으로 조사하는 경우에는 페놀 화합물의 페놀성 수산기를 산분해기로 치환한 구조를 함유하는 것이 바람직하다. 페놀 화합물로서는 페놀 골격을 1∼9개 함유하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 2∼6개 함유하는 것이다.When irradiating with an electron beam or EUV light, it is preferable to contain the structure which substituted the phenolic hydroxyl group of the phenolic compound by the acid-decomposer. As a phenolic compound, what contains 1-9 phenol skeletons is preferable, More preferably, it contains 2-6.

이하에 구체예를 나타내지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다.Although a specific example is shown below, this invention is not limited to these.

Figure pat00069
Figure pat00069

Figure pat00070
Figure pat00070

상기 산 또는 알칼리의 작용에 의해 분해되는 기를 갖는 저분자 화합물은 시판의 것을 사용해도, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용해도 좋다.The low molecular weight compound which has a group decomposed | disassembled by the action of the said acid or alkali may use a commercial thing, or the thing synthesize | combined by a well-known method may be used.

[6]계면활성제[6] surfactants

본 발명의 조성물은 계면활성제를 더 함유해도 좋다. 함유하는 경우 계면활성제로서는 불소계 및/또는 실리콘계 계면활성제가 바람직하다. The composition of this invention may contain surfactant further. When it contains, as surfactant, a fluorine type and / or silicone type surfactant is preferable.

이들에 해당되는 계면활성제로서는 다이니폰 잉크 카가쿠고교(주)제의 메가팩 F176, 메가팩 R08, OMNOVA사제의 PF656, PF6320, 트로이 케미칼(주)제의 트로이졸 S-366, 스미토모 스리엠(주)제의 플루오라드 FC430, 신에츠 카가쿠고교(주)제의 폴리실록산 폴리머 KP-341 등을 들 수 있다.As surfactants corresponding to these, Megapack F176, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals Co., Ltd. Fluoride FC430 by the Co., Ltd., polysiloxane polymer KP-341 by the Shin-Etsu Kagaku Kogyo Co., etc. are mentioned.

또한, 불소계 및/또는 실리콘계 계면활성제 이외의 다른 계면활성제를 사용할 수도 있다. 보다 구체적으로는 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌알킬아릴에테르류 등을 들 수 있다. Moreover, surfactant other than fluorine type and / or silicone type surfactant can also be used. More specifically, polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyethylene alkyl aryl ethers, etc. are mentioned.

그 외, 공지의 계면활성제가 적당히 사용 가능하다. 사용 가능한 계면활성제로서는 예를 들면, 미국 특허 출원 공개 제2008/0248425A1호 명세서의 [0273] 이후에 기재된 계면활성제를 들 수 있다.In addition, a well-known surfactant can be used suitably. As the surfactant that can be used, for example, the surfactant described later in the specification of US Patent Application Publication No. 2008 / 0248425A1 can be mentioned.

계면활성제는 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.Surfactant may be used independently and may use 2 or more types together.

계면활성제의 사용량은 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물의 전체 고형분량(용제를 제외한 전량)에 대해서 바람직하게는 0∼2질량%, 더욱 바람직하게는 0.0001∼2질량%, 특히 바람직하게는 0.0005∼1질량%이다.The amount of the surfactant to be used is preferably 0 to 2% by mass, more preferably 0.0001 to 2% by mass, particularly preferably based on the total solids (the total amount of the solvent except the solvent) of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. It is 0.0005-1 mass%.

[7]용제[7] solvents

조성물을 조제할 때에 사용할 수 있는 용제로서는 각 성분을 용해하는 것인 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 알킬렌글리콜모노알킬에테르카르복실레이트, 알킬렌글리콜모노알킬에테르, 락트산 알킬에스테르, 환상 락톤, 쇄상 또는 환상의 케톤, 알킬렌카보네이트, 카르복실산 알킬, 알콕시아세트산 알킬, 피루브산 알킬 등을 들 수 있다. 기타 사용 가능한 용매로서, 예를 들면, 미국 특허 출원 공개 제2008/0248425A1호 명세서의 [0244] 이후에 기재되어 있는 용제 등을 들 수 있다.The solvent that can be used when preparing the composition is not particularly limited as long as it dissolves each component. Examples thereof include alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate, alkylene glycol monoalkyl ether, lactic acid alkyl ester and cyclic lactone. And linear or cyclic ketones, alkylene carbonates, alkyl carboxylic acid, alkyl alkoxyacetic acid, alkyl pyruvate and the like. As other usable solvents there may be mentioned, for example, the solvents described later in the specification of US Patent Application Publication No. 2008 / 0248425A1.

알킬렌글리콜모노알킬에테르카르복실레이트로서는 예를 들면, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르프로피오네이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트를 바람직하게 들 수 있다.Examples of the alkylene glycol monoalkyl ether carboxylates include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, and propylene glycol monomethyl ether propionate. , Propylene glycol monoethyl ether propionate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate are preferable.

알킬렌글리콜모노알킬에테르로서는 예를 들면, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르를 바람직하게 들 수 있다.Examples of the alkylene glycol monoalkyl ethers include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, and ethylene glycol monoethyl ether. Can be.

락트산 알킬에스테르로서는 예를 들면, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 프로필, 락트산 부틸을 바람직하게 들 수 있다.As lactic acid alkyl ester, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactic acid, and butyl lactate are mentioned preferably, for example.

알콕시프로피온산 알킬로서는 예를 들면, 3-에톡시프로피온산 에틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸을 바람직하게 들 수 있다.As alkyl alkoxy propionate, 3-ethoxy propionate ethyl, 3-methoxy propionate methyl, 3-ethoxy propionate methyl, and 3-methoxy ethylpropionate are mentioned preferably, for example.

환상 락톤으로서는 예를 들면, β-프로피오락톤, β-부티롤락톤, γ-부티롤락톤, α-메틸-γ-부티롤락톤, β-메틸-γ-부티롤락톤, γ-발레로락톤, γ-카프롤락톤, γ-옥타노익락톤, α-히드록시-γ-부티롤락톤을 바람직하게 들 수 있다.Examples of cyclic lactones include β-propiolactone, β-butyrolactone, γ-butyrolactone, α-methyl-γ-butyrolactone, β-methyl-γ-butyrolactone, and γ-valerolactone , γ-caprolactone, γ-octanoic lactone, and α-hydroxy-γ-butyrolactone are preferable.

쇄상 또는 환상의 케톤으로서는 예를 들면, 2-부타논, 3-메틸부타논, 피나콜론, 2-펜타논, 3-펜타논, 3-메틸-2-펜타논, 4-메틸-2-펜타논, 2-메틸-3-펜타논, 4,4-디메틸-2-펜타논, 2,4-디메틸-3-펜타논, 2,2,4,4-테트라메틸-3-펜타논, 2-헥사논, 3-헥사논, 5-메틸-3-헥사논, 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 2-메틸-3-헵타논, 5-메틸-3-헵타논, 2,6-디메틸-4-헵타논, 2-옥타논, 3-옥타논, 2-노나논, 3-노나논, 5-노나논, 2-데카논, 3-데카논, 4-데카논, 5-헥센-2-온, 3-펜텐-2-온, 시클로펜타 논, 2-메틸시클로펜타논, 3-메틸시클로펜타논, 2,2-디메틸시클로펜타논, 2,4,4-트리메틸시클로펜타논, 시클로헥사논, 3-메틸시클로헥사논, 4-메틸시클로헥사논, 4-에틸시클로헥사논, 2,2-디메틸시클로헥사논, 2,6-디메틸시클로헥사논, 2,2,6-트리메틸시클로헥사논, 시클로헵타논, 2-메틸시클로헵타논, 3-메틸시클로헵타논을 바람직하게 들 수 있다.Examples of the chain or cyclic ketones include 2-butanone, 3-methylbutanone, pinacolone, 2-pentanone, 3-pentanone, 3-methyl-2-pentanone, and 4-methyl-2-penta. Paddy, 2-methyl-3-pentanone, 4,4-dimethyl-2-pentanone, 2,4-dimethyl-3-pentanone, 2,2,4,4-tetramethyl-3-pentanone, 2 -Hexanone, 3-hexanone, 5-methyl-3-hexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, 2-methyl-3-heptanone, 5-methyl-3-heptanone , 2,6-dimethyl-4-heptanone, 2-octanone, 3-octanone, 2-nonanone, 3-nonanone, 5-nonanone, 2-decanone, 3-decanone, 4-de Canon, 5-hexen-2-one, 3-penten-2-one, cyclopentanone, 2-methylcyclopentanone, 3-methylcyclopentanone, 2,2-dimethylcyclopentanone, 2,4,4 -Trimethylcyclopentanone, cyclohexanone, 3-methylcyclohexanone, 4-methylcyclohexanone, 4-ethylcyclohexanone, 2,2-dimethylcyclohexanone, 2,6-dimethylcyclohexanone, 2 , 2,6-trimethylcyclohexanone, cycloheptanone, 2-methylcycloheptanone, 3-methylcycle There may be mentioned preferably heptanone.

알킬렌카보네이트로서는 예를 들면, 프로필렌카보네이트, 비닐렌카보네이트, 에틸렌카보네이트, 부틸렌카보네이트를 바람직하게 들 수 있다.As alkylene carbonate, a propylene carbonate, vinylene carbonate, ethylene carbonate, butylene carbonate is mentioned preferably, for example.

카르복실산 알킬로서는 예를 들면, 아세트산 부틸을 바람직하게 들 수 있다.As alkyl carboxylic acid, butyl acetate is mentioned preferably, for example.

알콕시아세트산 알킬로서는 예를 들면, 아세트산-2-메톡시에틸, 아세트산-2-에톡시에틸, 아세트산-2-(2-에톡시에톡시)에틸, 아세트산-3-메톡시-3-메틸부틸, 아세트산-1-메톡시-2-프로필을 바람직하게 들 수 있다.As an alkoxy acetic acid alkyl, For example, 2-methoxy ethyl acetate, 2-ethoxy ethyl acetate, 2- (2-ethoxy ethoxy) ethyl acetate, 3-methoxy-3- methylbutyl, Acetic acid-1-methoxy-2-propyl is mentioned preferably.

피루브산 알킬로서는 예를 들면, 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필을 바람직하게 들 수 있다.Examples of the alkyl pyruvate include methyl pyruvate, ethyl pyruvate, and propyl pyruvate.

바람직하게 사용할 수 있는 용제로서는 2-헵타논, 시클로펜타논, γ-부티롤락톤, 시클로헥사논, 아세트산 부틸, 락트산 에틸, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 3-에톡시프로피온산 에틸, 피루브산 에틸, 아세트산-2-에톡시에틸, 아세트산-2-(2-에톡시에톡시)에틸, 프로필렌카보네이트를 들 수 있다. 특히 바람직한 용제로서는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르를 들 수 있다.Preferable solvents include 2-heptanone, cyclopentanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, butyl acetate, ethyl lactate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and propylene glycol monomethyl Ether, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl pyruvate, 2-ethoxyethyl acetate, acetic acid-2- (2-ethoxyethoxy) ethyl, and propylene carbonate. As a particularly preferable solvent, propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monomethyl ether are mentioned.

이들 용매는 단독으로 사용해도 2종 이상을 혼합해서 사용해도 좋다. 2종 이상을 혼합하는 경우 수산기를 갖는 용제와 수산기를 갖지 않는 용제를 혼합하는 것이 바람직하다. 수산기를 갖는 용제와 수산기를 갖지 않는 용제의 질량비는 1/99∼99/1, 바람직하게는 10/90∼90/10, 더욱 바람직하게는 20/80∼60/40이다. These solvents may be used alone or in combination of two or more thereof. When mixing 2 or more types, it is preferable to mix the solvent which has a hydroxyl group, and the solvent which does not have a hydroxyl group. The mass ratio of the solvent which has a hydroxyl group and the solvent which does not have a hydroxyl group is 1 / 99-99 / 1, Preferably it is 10 / 90-90 / 10, More preferably, it is 20 / 80-60 / 40.

수산기를 갖는 용제로서는 알킬렌글리콜모노알킬에테르가 바람직하고, 수산기를 갖지 않는 용제로서는 알킬렌글리콜모노알킬에테르카르복실레이트가 바람직하다.As a solvent which has a hydroxyl group, alkylene glycol monoalkyl ether is preferable, and as a solvent which does not have a hydroxyl group, alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate is preferable.

본 발명의 조성물 중에 있어서의 용매의 함유율은 소망의 막두께 등에 따라 적당히 조정 가능하지만, 일반적으로는 조성물의 전체 고형분 농도가 0.5∼30질량%, 바람직하게는 1.0∼20질량%, 보다 바람직하게는 1.5∼10질량%가 되도록 조제된다.Although the content rate of the solvent in the composition of this invention can be adjusted suitably according to desired film thickness etc., generally the total solid content concentration of a composition is 0.5-30 mass%, Preferably it is 1.0-20 mass%, More preferably, It is prepared so that it may become 1.5-10 mass%.

[8]산의 작용에 의해 분해되고 카르복실산보다 강한 산을 생성하는 물질[8] substances that decompose by the action of acids and produce acids stronger than carboxylic acids

본 발명의 조성물은 산의 작용에 의해 분해되고, 카르복실산보다 강한 산을 생성하는 물질(이하, 「산 증식제」라고도 한다)을 함유해도 좋다.The composition of the present invention may be decomposed by the action of an acid, and may contain a substance (hereinafter, also referred to as an "acid increasing agent") that produces an acid stronger than a carboxylic acid.

산 증식제로부터 생성되는 산은 그 산의 강도가 큰 것이 바람직하고, 구체적으로는 그 산의 해리 정수(pKa)로서 3 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 이하이다. 산 증식제로부터 발생하는 산으로서는 술폰산이 바람직하다.It is preferable that the acid produced | generated from an acid multiplying agent has a big intensity | strength, specifically, 3 or less are preferable as a dissociation constant (kKa) of the acid, More preferably, it is 2 or less. As the acid generated from the acid multiplying agent, sulfonic acid is preferable.

산 증식제는 국제 공개 제95/29968호 공보, 국제 공개 제98/24000호 공보, 일본 특허 공개 평 8-305262호 공보, 일본 특허 공개 평 9-34106호 공보, 일본 특허 공개 평 8-248561호 공보, 일본 특허 공표 평 8-503082호 공보, 미국 특허 제5,445,917호 명세서, 일본 특허 공표 평 8-503081호 공보, 미국 특허 제5,534,393호 명세서, 미국 특허 제5,395,736호 명세서, 미국 특허 제5,741,630호 명세서, 미국 특허 제5,334,489호 명세서, 미국 특허 제5,582,956호 명세서, 미국 특허 제5,578,424호 명세서, 미국 특허 제5,453,345호 명세서, 미국 특허 제5,445,917호 명세서, 유럽 특허 제665,960호 명세서, 유럽 특허 제757,628호 명세서, 유럽 특허 제665,961호 명세서, 미국 특허 제5,667,943호 명세서, 일본 특허 공개 평 10-1508호 공보, 일본 특허 공개 평 10-282642호 공보, 일본 특허 공개 평 9-512498호 공보, 일본 특허 공개 2000-62337호 공보, 일본 특허 공개 2005-17730호 공보, 일본 특허 공개 2008-209889호 공보 등에 기재된 산 증식제를 1종, 또는 2종 이상 조합해서 사용할 수 있다.The acid increasing agent is disclosed in International Publication No. 95/29968, International Publication No. 98/24000, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-305262, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-34106, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-248561. Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-503082, US Patent No. 5,445,917, Japanese Patent Publication No. 8-503081, US Patent No. 5,534,393, US Patent No. 5,395,736, US Patent No. 5,741,630, U.S. Patent 5,334,489, U.S. Patent 5,582,956, U.S. Patent 5,578,424, U.S. Patent 5,453,345, U.S. Patent 5,445,917, European 665,960, European 757,628, Europe Patent No. 665,961, US Patent No. 5,667,943, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-1508, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-282642, Japanese Patent Application Laid-open No. 9-512498, and Japanese Patent Publication 20 The acid increasing agent described in 00-62337, Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-17730, Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-209889, etc. can be used 1 type, or in combination of 2 or more types.

구체적으로는 하기 일반식(1)∼(6)으로 나타내어지는 화합물이 바람직하다.Specifically, the compound represented by following General formula (1)-(6) is preferable.

Figure pat00071
Figure pat00071

일반식(1)∼(6)에 있어서,In the general formulas (1) to (6),

R은 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타낸다.R represents an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, an aryl group or an aralkyl group.

R0은 산의 작용에 의해 탈리되는 기를 나타낸다.R 0 represents a group that is released by the action of an acid.

R1은 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 아릴기, 아랄킬기, 알콕시기, 또는 아릴옥시기를 나타낸다.R 1 represents an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, an aryl group, an aralkyl group, an alkoxy group, or an aryloxy group.

R2는 알킬기 또는 아랄킬기를 나타낸다.R 2 represents an alkyl group or an aralkyl group.

R3은 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타낸다. R <3> represents an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, an aryl group, or an aralkyl group.

R4, R5는 각각 독립적으로 알킬기를 나타내고, R4와 R5가 서로 결합해서 환을 형성해도 좋다. R 4 and R 5 each independently represent an alkyl group, and R 4 and R 5 may be bonded to each other to form a ring.

R6은 수소원자 또는 알킬기를 나타낸다.R 6 represents a hydrogen atom or an alkyl group.

R7은 수소원자, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타낸다. R 7 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, an aryl group, or an aralkyl group.

R8은 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타낸다.R 8 represents an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, an aryl group, or an aralkyl group.

R9는 수소원자, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타낸다.R 9 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, an aryl group, or an aralkyl group.

R9는 R7과 결합해서 환을 형성해도 좋다.R 9 may be bonded to R 7 to form a ring.

R10은 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 알콕시기, 아릴기, 아랄킬기, 아릴옥시기 또는 알케닐옥시기를 나타낸다.R 10 represents an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, an alkoxy group, an aryl group, an aralkyl group, an aryloxy group or an alkenyloxy group.

R11은 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 알콕시기, 아릴기, 아랄킬기, 아릴옥시기 또는 알케닐기를 나타낸다.R 11 represents an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, an alkoxy group, an aryl group, an aralkyl group, an aryloxy group or an alkenyl group.

R10과 R11은 서로 결합해서 환을 형성해도 좋다. R 10 and R 11 may be bonded to each other to form a ring.

R12는 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 아릴기, 알케닐기, 알키닐기 또는 환상 이미드기를 나타낸다.R 12 represents an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, an aryl group, an alkenyl group, an alkynyl group, or a cyclic imide group.

일반식(1)∼(6)에 있어서 알킬기로서는 탄소수 1∼8개의 알킬기를 들 수 있고, 1가의 지방족 탄화수소환기로서는 탄소수 4∼10개의 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소환기를 들 수 있고, 아릴기로서는 탄소수 6∼14개의 아릴기를 들 수 있고, 아랄킬기로서는 탄소수 7∼20개의 아랄킬기를 들 수 있고, 알콕시기로서는 탄소수 1∼8개의 알콕시기를 들 수 있고, 알케닐기로서는 탄소 2∼6개의 알케닐기를 들 수 있고, 아릴옥시기로서는 탄소수 6∼14개의 아릴옥시기를 들 수 있고, 알케닐옥시기로서는 탄소수 2∼8개의 알케닐옥시기를 들 수 있다.In general formula (1)-(6), an alkyl group is a C1-C8 alkyl group, As a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, a C4-C10 monocyclic or polycyclic aliphatic hydrocarbon ring group is mentioned, As an aryl group, C6-C14 aryl group is mentioned, Aralkyl group is a C7-C20 aralkyl group, As an alkoxy group, C1-C8 alkoxy group is mentioned, As an alkenyl group, C2-C6 alkenyl is mentioned A group is mentioned, As an aryloxy group, a C6-C14 aryloxy group is mentioned, As an alkenyloxy group, a C2-C8 alkenyloxy group is mentioned.

상기 각 치환기는 치환기를 더 가져도 좋고, 치환기로서는 예를 들면 다음과 같은 것을 예시할 수 있다. 즉, Cl, Br, F 등의 할로겐원자, -CN기, -OH기, 탄소수 1∼4개의 알킬기, 탄소수 3∼8개의 시클로알킬기, 탄소수 1∼4개의 알콕시기, 아세틸아미노기 등의 아실아미노기, 벤질기, 페네틸기 등의 아랄킬기, 페녹시에틸기 등의 알릴옥시알킬기, 탄소수 2∼5개의 알콕시카르보닐기, 탄소수 2∼5개의 아실옥시기 등을 들 수 있다.Each said substituent may have a substituent further and the following can be illustrated as a substituent, for example. That is, acylamino groups, such as halogen atoms, such as Cl, Br, and F, -CN group, -OH group, a C1-C4 alkyl group, a C3-C8 cycloalkyl group, a C1-C4 alkoxy group, an acetylamino group, Aralkyl groups, such as a benzyl group and a phenethyl group, allyloxyalkyl groups, such as a phenoxyethyl group, a C2-C5 alkoxycarbonyl group, a C2-C5 acyloxy group, etc. are mentioned.

R4와 R5가 서로 결합해서 형성하는 환으로서는 1,3-디옥소란환, 1,3-디옥산환 등을 들 수 있다.Examples of the ring formed by bonding of R 4 and R 5 to each other include a 1,3-dioxolane ring, a 1,3-dioxane ring, and the like.

R7과 R9가 서로 결합해서 형성하는 환으로서는 시클로펜틸환, 시클로헥실환 등을 들 수 있다.Cyclopentyl ring, cyclohexyl ring, etc. are mentioned as a ring which R <7> and R <9> combine and form each other.

R10과 R11이 서로 결합해서 형성하는 환으로서는 환 내에 산소원자를 포함하고 있어도 좋은 3-옥소시클로헥세닐환, 3-옥소인데닐환 등을 들 수 있다.Examples of the ring formed by bonding of R 10 and R 11 to each other include a 3-oxocyclohexenyl ring and a 3-oxoindenyl ring which may contain an oxygen atom in the ring.

R0의 산의 작용에 의해 탈리되는 기로서는 예를 들면, t-부틸기, t-아밀기 등의 3급 알킬기, 이소보로닐기, 1-에톡시에틸기, 1-부톡시에틸기, 1-이소부톡시에틸기, 1-시클로헥실옥시에틸기 등의 1-알콕시에틸기, 1-메톡시메틸기, 1-에톡시메틸기 등의 알콕시메틸기, 테트라히드로피라닐기, 테트라히드로푸라닐기, 트리알킬실릴기, 3-옥소시클로헥실기 등을 들 수 있다.Examples of the group detached by the action of R 0 acid include tertiary alkyl groups such as t-butyl group and t-amyl group, isoboroyl group, 1-ethoxyethyl group, 1-butoxyethyl group and 1- Alkoxymethyl groups, such as 1-alkoxyethyl group, 1-methoxymethyl group, and 1-ethoxymethyl group, such as isobutoxyethyl group and 1-cyclohexyloxyethyl group, tetrahydropyranyl group, tetrahydrofuranyl group, trialkylsilyl group, 3- Oxocyclohexyl group, etc. may be mentioned.

상기 R, R0, R1∼R11의 각각의 바람직한 것으로서 이하의 것을 들 수 있다. The following are mentioned as a preferable thing of said R, R <0> , R <1> -R < 11> .

R;메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 옥틸기, 트리플루오로메틸기, 노나플루오로부틸기, 헵타데카플루오로옥틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기, 페닐기, 펜타풀루오로페닐기, 메톡시페닐기, 톨루일기, 메시틸기, 플루오로페닐기, 나프틸기, 시클로헥실기, 장뇌기.R; methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, octyl group, trifluoromethyl group, nonafluorobutyl group, heptadecafluorooctyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group, phenyl group, pentafuluro Phenyl group, methoxyphenyl group, toluyl group, mesityl group, fluorophenyl group, naphthyl group, cyclohexyl group, camphor group.

R0;t-부틸기, 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 1-에톡시에틸기, 테트라히드로피라닐기.R 0; t- butyl group, methoxymethyl group, ethoxymethyl group, 1-ethoxy ethyl group, a tetrahydropyranyl group.

R1;메틸기, 에틸기, 프로필기, 시클로프로필기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 나프틸기, 벤질기, 페네틸기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 페녹시기, 나프톡시기.R 1 ; methyl, ethyl, propyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, phenyl, naphthyl, benzyl, phenethyl, methoxy, ethoxy, propoxy, phenoxy, naphthoxy.

R2;메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 벤질기.R 2 ; methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, benzyl group.

R3;메틸기, 에틸기, 프로필기, 시클로프로필기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 나프틸기, 벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기.R 3 ; methyl group, ethyl group, propyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, phenyl group, naphthyl group, benzyl group, phenethyl group, naphthylmethyl group.

R1, R5;메틸기, 에틸기, 프로필기, 서로 결합해서 에틸렌기, 프로필렌기를 형성한 것.R 1 , R 5 ; a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and combine with each other to form an ethylene group and a propylene group.

R6;수소원자, 메틸기, 에틸기.R 6 ; a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group.

R7, R9;수소원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 시클로프로필기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 나프틸기, 벤질기, 페네틸기, 서로 결합해서 시클로펜틸환, 시클로헥실환을 형성한 것.R 7 , R 9 ; hydrogen atom, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, phenyl group, naphthyl group, benzyl group, phenethyl group, combine with each other cyclophene What formed the thyme ring and the cyclohexyl ring.

R8;메틸기, 에틸기, 이소프로필기, t-부틸기, 네오펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 벤질기.R 8 ; a methyl group, an ethyl group, isopropyl group, t-butyl group, neopentyl group, cyclohexyl group, phenyl group, benzyl group.

R10;메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, 시클로프로필기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 메톡시기, 에톡시기, 페닐기, 나프틸기, 벤질기, 페녹시기, 나프톡시기, 비닐옥시기, 메틸비닐옥시기, 서로 결합해서 산소원자를 포함해도 좋은 3-옥소시클로헥세닐환, 3-옥소인데닐환을 형성한 것.R 10 ; methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, methoxy group, ethoxy group, phenyl group, naphthyl group, benzyl group, phenoxy group, A naphthoxy group, a vinyloxy group, a methylvinyloxy group, which combine with each other to form the 3-oxocyclohexenyl ring and 3-oxoindenyl ring which may contain an oxygen atom.

R11;메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, 시클로프로필기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 메톡시기, 에톡시기, 페닐기, 나프틸기, 벤질기, 페녹시기, 나프톡시기, 비닐기, 알릴기, 서로 결합해서 산소원자를 포함해도 좋은 3-옥소시클로헥세닐환, 3-옥소인데닐환을 형성한 것.R 11 ; methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, methoxy, ethoxy, phenyl, naphthyl, benzyl, phenoxy, A naphthoxy group, a vinyl group, an allyl group, which combine with each other to form the 3-oxocyclohexenyl ring and 3-oxoindenyl ring which may contain an oxygen atom.

일반식(6)에 있어서, R12가 알킬기를 나타낼 때, 탄소원자수 1∼12의 직쇄상, 탄소원자수 3∼12의 분기상의 알킬기가 보다 바람직하다.In general formula (6), when R <12> represents an alkyl group, the C1- C12 linear and C3- C12 branched alkyl group is more preferable.

R12가 1가의 지방족 탄화수소환기를 나타낼 때, 탄소원자수 5∼10의 단환 또는 다환의 1가의 지방족 탄화수소환기가 보다 바람직하다.When R 12 represents a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, a monocyclic or polycyclic monovalent aliphatic hydrocarbon ring group having 5 to 10 carbon atoms is more preferable.

R12가 치환 알킬기, 치환된 지방족 탄화수소환기를 나타낼 때, 그 치환기로서는 수소를 제외한 1가의 비금속 원자단이 이용되고, 바람직한 예로서는 할로겐원자(-F, -Br, -Cl, -I), 알콕시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, N-알킬아미노기, N,N-디알킬아미노기, 아실옥시기, N-알킬카르바모일옥시기, N-아릴카르바모일옥시기, 아실아미노기, 포르밀기, 아실기, 카르복실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 카르바모일기, N-알킬카르바모일기, N,N-디알킬카르바모일기, N-아릴카르바모일기, N-알킬-N-아릴카르바모일기, 술포기, 술포네이트기, 술파모일기, N-알킬술파모일기, N,N-디알킬술파모일기, N-아릴술파모일기, N-알킬-N-아릴술파모일기, 포스포노기, 포스포네이트기, 디알킬포스포노기, 디아릴포스포노기, 모노알킬포스포노기, 알킬포스포네이트기, 모노아릴포스포노기, 아릴포스포네이트기, 포스포노옥시기, 포스포네이트옥시기, 아릴기, 알케닐기 등을 들 수 있다.When R 12 represents a substituted alkyl group or a substituted aliphatic hydrocarbon ring group, monovalent non-metallic atom groups other than hydrogen are used as the substituent, and as a preferred example, a halogen atom (-F, -Br, -Cl, -I), an alkoxy group, Aryloxy group, alkylthio group, arylthio group, N-alkylamino group, N, N-dialkylamino group, acyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, acylamino group, formyl group , Acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N-alkyl-N-arylcarbamo Diary, sulfo group, sulfonate group, sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfamoyl group, N-arylsulfamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfamoyl group, phosphono Group, phosphonate group, dialkyl phosphono group, diaryl phosphono group, monoalkyl phosphono group, alkyl phosphonane And the like group, a monoaryl phosphono group, an aryl phosphonate group, a phosphono oxy group, a phosphonate oxy group, an aryl group, an alkenyl group.

R12가 아릴기를 나타낼 때, 아릴기로서는 1개∼3개의 벤젠환이 축합환을 형성한 것, 벤젠환과 5원 불포화환이 축합환을 형성한 것을 들 수 있고, 구체예로서는 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 인데닐기, 아세나프테닐기, 플루오레닐기 등을 들 수 있고, 이들 중에서는 페닐기, 나프틸기가 보다 바람직하다. 또한, 아릴기에는 상기 탄소환식 아릴기 외에 복소환식(헤테로)아릴기가 포함된다. 복소환식 아릴기로서는 피리딜기, 푸릴기, 기타 벤젠환이 축환된 퀴놀릴기, 벤조푸릴기, 티오크산톤기, 카르바졸기 등의 탄소수 3∼20, 헤테로원자수 1∼5를 포함하는 것을 들 수 있다.When R <12> represents an aryl group, the thing in which 1 to 3 benzene rings formed the condensed ring as the aryl group, and the thing in which the benzene ring and the 5-membered unsaturated ring formed the condensed ring are mentioned, As a specific example, a phenyl group, a naphthyl group, and anthryl A group, a phenanthryl group, an indenyl group, an acenaphthenyl group, a fluorenyl group, etc. are mentioned, Among these, a phenyl group and a naphthyl group are more preferable. In addition, the aryl group includes a heterocyclic (hetero) aryl group in addition to the carbocyclic aryl group. Examples of the heterocyclic aryl group include those having 3 to 20 carbon atoms and 1 to 5 heteroatoms such as a pyridyl group, a furyl group, and a quinolyl group, a benzofuryl group, a thioxanthone group, and a carbazole group having been condensed with a benzene ring. Can be.

R12가 치환 아릴기를 나타낼 때, 치환 아릴기로서는 상술의 아릴기의 환 형성 탄소원자 상에 치환기로서 수소를 제외한 1가의 비금속 원자단을 갖는 것이 사용된다. 바람직한 치환기의 예로서는 상술의 알킬기, 시클로알킬기에 있어서의 치환기로서 나타낸 것을 들 수 있다.When R <12> represents a substituted aryl group, what has a monovalent nonmetallic atom group except hydrogen as a substituent on the ring-forming carbon atom of the above-mentioned aryl group is used. As an example of a preferable substituent, what was shown as a substituent in the above-mentioned alkyl group and cycloalkyl group is mentioned.

R12가 알케닐기, 치환 알케닐기[-C(R14)=C(R15)(R16)], 알키닐기, 또는 치환 알키닐기[-C≡C(R17)]를 나타낼 때, R14∼R17로서는 1가의 비금속 원자단을 사용할 수 있다. 바람직한 R14∼R17의 예로서는 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 치환 알킬기, 아릴기 및 치환 아릴기를 들 수 있다. 이들의 구체예로서는 상술의 예로서 나타낸 것을 들 수 있다. R14∼R17의 보다 바람직한 치환기로서는 수소원자, 할로겐원자 및 탄소원자수 1∼10의 직쇄상, 분기상, 환상의 알킬기를 들 수 있다. When R 12 represents an alkenyl group, a substituted alkenyl group [-C (R 14 ) = C (R 15 ) (R 16 )], an alkynyl group, or a substituted alkynyl group [-C≡C (R 17 )]; 14 ~R 17 may be used as the non-metallic atomic group monovalent. Examples of preferred R 14 to R 17 include a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group and a substituted aryl group. As these specific examples, what was shown by the above-mentioned example is mentioned. As a more preferable substituent of R <14> -R <17> , a hydrogen atom, a halogen atom, and a C1-C10 linear, branched, cyclic alkyl group is mentioned.

R12가 환상 이미드기를 나타낼 때, 환상 이미드로서는 숙신산 이미드, 프탈산 이미드, 시클로헥산디카르복실산 이미드, 노르보르넨디카르복실산 이미드 등의 탄소원자 4∼20의 것을 들 수 있다.When R 12 represents a cyclic imide group, examples of the cyclic imide include those having 4 to 20 carbon atoms such as succinic acid imide, phthalic acid imide, cyclohexanedicarboxylic acid imide and norbornenedicarboxylic acid imide. Can be.

일반식(1)∼(6)으로 나타내어지는 화합물의 구체예로서는 예를 들면, 일본 특허 공개 2008-209889호 공보의 [0215] 이후에 예시된 화합물(1-1)∼(1-11), (2-1)∼(2-6), (3-1)∼(3-6), (4-1)∼(4-7), (5-1)∼(5-4), (6-1)∼(6-20)을 들 수 있다.As a specific example of the compound represented by General Formula (1)-(6), the compound (1-1)-(1-11), (exemplified after Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-209889, for example) ( 2-1) to (2-6), (3-1) to (3-6), (4-1) to (4-7), (5-1) to (5-4), (6- 1) to (6-20).

[9]기타 성분[9] other components

본 발명의 조성물은 상기에 설명한 성분 이외에도 카르복실산 오늄염, Proceeding of SPIE, 2724, 355(1996) 등에 기재된 염료, 가소제, 광증감제, 광흡수제 등을 적당히 함유할 수 있다.In addition to the components described above, the composition of the present invention may suitably contain dyes, plasticizers, photosensitizers, light absorbers, and the like described in the onium carboxylate salt, Proceeding of SPIE, 2724, 355 (1996) and the like.

[10]패턴 형성 방법[10] pattern formation methods

본 발명은 상기한 본 발명의 조성물을 사용해서 형성된 레지스트막에 관한 것이다.The present invention relates to a resist film formed by using the composition of the present invention described above.

또한, 본 발명의 패턴 형성 방법은 상기 레지스트막을 노광, 현상하는 공정을 갖고 있다. Moreover, the pattern formation method of this invention has the process of exposing and developing the said resist film.

본 발명의 조성물은 예를 들면, 상기 성분을 용제에 용해하고, 필터 여과한 후, 지지체에 도포해서 사용한다.The composition of this invention dissolves the said component in a solvent, for example, filter-filters, and apply | coats to a support body, and is used.

필터로서는 포어 사이즈 0.1㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.03㎛ 이하의 폴리테트라플루오로에틸렌제, 폴리에틸렌제, 나일론제의 것이 바람직하다. As a filter, the thing of polytetrafluoroethylene, polyethylene, and nylon of pore size 0.1 micrometer or less, More preferably, 0.05 micrometer or less, More preferably, 0.03 micrometer or less is preferable.

막의 막두께는 특별히 한정되지 않지만, 0.01∼0.2㎛가 바람직하고, 0.02∼0.1㎛가 보다 바람직하다.Although the film thickness of a film | membrane is not specifically limited, 0.01-0.2 micrometer is preferable and 0.02-0.1 micrometer is more preferable.

기판 상에 도포하는 방법으로서는 스핀 도포가 바람직하고, 그 회전수는 1000∼3000rpm이 바람직하다.As a method of apply | coating on a board | substrate, spin coating is preferable and the rotation speed of 1000-3000 rpm is preferable.

조성물은 집적 회로 소자, 포토마스크, 임프린트용 몰드 등의 제조에 사용되는 기판(예:실리콘/이산화 실리콘 피복) 상에 스피너 등의 적당한 도포 방법에 의해 도포된다. 그 후 건조시키고, 레지스트막을 형성한다.The composition is applied by a suitable coating method such as a spinner on a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) used in the manufacture of integrated circuit devices, photomasks, imprint molds and the like. Then, it dries and a resist film is formed.

상기 막에 소정의 마스크를 통해 활성 광선 또는 방사선을 조사하고, 바람직하게는 베이킹(가열)을 행하고, 현상, 린스한다. 이것에 의해 양호한 패턴을 얻을 수 있다. 또한 전자 빔의 조사에서는 마스크를 통하지 않은 묘화(직묘)가 일반적이다.The film is irradiated with actinic light or radiation through a predetermined mask, and preferably baked (heated), developed and rinsed. Thus, a good pattern can be obtained. In addition, drawing (straight drawing) which does not pass through a mask is common in irradiation of an electron beam.

또한, 본 발명의 조성물을 사용하여 임프린트용 몰드 구조체를 제작해도 좋고, 그 상세에 대해서는 예를 들면, 나노임프린트의 기초와 기술 개발·응용 전개-나노임프린트의 기판 기술과 최신의 기술 전개-편집:히라이 요시히코 프론티어 슛판(2006년 6월 발행), 일본 특허 제4109085호 공보나, 일본 특허 공개 2008-162101호 공보 등을 참조하면 된다.In addition, the mold structure for imprint may be produced using the composition of the present invention, and the details thereof include, for example, the basis of nanoimprint and the technology development and application development-substrate technology of nanoimprint and the latest technology development-editing: Reference may be made to Hirai Yoshihiko Frontier Shot Plate (issued in June 2006), Japanese Patent No. 4029085, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-162101, and the like.

활성 광선 또는 방사선으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, 전자선, X선 또는 EUV광 등이 바람직하고, 전자선, X선 또는 EUV광이 특히 바람직하다. Although it does not specifically limit as an active light or a radiation, For example, a KrF excimer laser, an ArF excimer laser, an electron beam, an X-ray, or EUV light is preferable, and an electron beam, X-ray, or EUV light is especially preferable.

현상 공정에서는 통상 알칼리 현상액을 사용한다. 현상 공정에 있어서의 알칼리 현상액으로서는 통상 테트라메틸암모늄히드록시드로 대표되는 4급 암모늄염이 사용되지만, 이것 이외에도 무기 알칼리(예를 들면, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산 나트륨, 규산 나트륨, 메타규산 나트륨 등, 1∼3급 아민(예를 들면, 에틸아민, n-프로필아민, 디에틸아민, 디-n-부틸아민, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민 등), 알콜아민(예를 들면, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민 등), 환상 아민(예를 들면, 피롤, 피페리딘 등) 등의 알칼리 수용액도 사용 가능하다.In the developing step, an alkaline developer is usually used. As the alkaline developer in the developing step, quaternary ammonium salts usually represented by tetramethylammonium hydroxide are used. In addition, inorganic alkalis (for example, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, etc.) Primary to tertiary amines (e.g. ethylamine, n-propylamine, diethylamine, di-n-butylamine, triethylamine, methyldiethylamine, etc.), alcoholamines (e.g. dimethylethanolamine , Triethanolamine, etc.), and cyclic amine (for example, pyrrole, piperidine etc.), alkali aqueous solution, etc. can also be used.

또한, 상기 알칼리 현상액에 알콜류, 계면활성제를 적당량 첨가해도 좋다.Moreover, you may add an appropriate amount of alcohols and surfactant to the said alkaline developing solution.

알칼리 현상액의 알칼리 농도는 통상 0.1∼20질량%이다.The alkali concentration of alkaline developing solution is 0.1-20 mass% normally.

알칼리 현상액의 pH는 통상 10.0∼15.0이다.The pH of alkaline developing solution is 10.0-15.0 normally.

린스액으로서는 순수가 바람직하고, 계면활성제를 적당량 첨가해서 사용할 수도 있다.Pure water is preferable as the rinse liquid, and an appropriate amount of a surfactant may be added and used.

또한, 레지스트막을 형성하기 전에 기판 상에 미리 반사 방지막을 도포해도 좋다. 반사 방지막으로서는 티타늄, 이산화티타늄, 질화티타늄, 산화크롬, 카본, 어모퍼스실리콘 등의 무기막형과, 흡광제와 폴리머 재료로 이루어지는 유기 막형 모두를 사용할 수 있다. 또한, 유기 반사 방지막으로서 브류와사이언스사제의 DUV30시리즈나, DUV-40시리즈, 시프레사제의 AR-2, AR-3, AR-5 등의 시판의 유기 반사 방지막을 사용할 수도 있다.In addition, you may apply an antireflection film on a board | substrate before forming a resist film. As the antireflection film, both an inorganic film type such as titanium, titanium dioxide, titanium nitride, chromium oxide, carbon, amorphous silicon, and an organic film type made of a light absorber and a polymer material can be used. As the organic anti-reflection film, commercially available organic anti-reflection films such as DUV30 series manufactured by Bruwa Science, DUV-40 series, and AR-2, AR-3, AR-5 manufactured by Cypress, etc. may be used.

또한, 본 발명은 상기한 본 발명의 패턴 형성 방법을 포함하는 전자 디바이스의 제조 방법, 및 이 제조 방법에 의해 제조된 전자 디바이스(예를 들면, 반도체 디바이스)에도 관한 것이다.Moreover, this invention relates also to the manufacturing method of the electronic device containing the pattern formation method of this invention mentioned above, and the electronic device (for example, semiconductor device) manufactured by this manufacturing method.

본 발명의 전자 디바이스는 전기 전자 기기(가전, OA·미디어 관련 기기, 광학용 기기 및 통신 기기 등)에 바람직하게 탑재되는 것이다.The electronic device of the present invention is preferably mounted in electrical and electronic equipment (home appliances, OA media related equipment, optical equipment and communication equipment, etc.).

(실시예)(Example)

이하, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명의 내용이 이것에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, the content of this invention is not limited by this.

합성예 1(M-I-57의 합성)Synthesis Example 1 (Synthesis of M-I-57)

p-아세톡시스티렌 100.00질량부를 아세트산 에틸 400질량부에 용해시켜 0℃로 냉각하고, 나트륨메톡시드(28% 메탄올 용액) 47.60질량부를 30분에 걸쳐서 적하해서 첨가하고, 실온에서 5시간 교반했다. 아세트산 에틸을 첨가하고, 유기층을 증류수로 3회 세정한 후, 무수 황산 나트륨으로 건조하고, 용매를 증류 제거하여 p-히드록시스티렌(54% 아세트산 에틸 용액) 131.70질량부를 얻었다.100.00 parts by mass of p-acetoxy styrene was dissolved in 400 parts by mass of ethyl acetate, cooled to 0 ° C, 47.60 parts by mass of sodium methoxide (28% methanol solution) was added dropwise over 30 minutes, and stirred at room temperature for 5 hours. Ethyl acetate was added, the organic layer was washed three times with distilled water, dried over anhydrous sodium sulfate, and the solvent was distilled off to obtain 131.70 parts by mass of p-hydroxystyrene (54% ethyl acetate solution).

p-히드록시스티렌(54% 아세트산 에틸 용액) 18.52질량부를 아세트산 에틸 56.00질량부에 용해시키고, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로프로판-1,3-디술포닐디플루오리드 31.58질량부를 첨가하고, 0℃로 냉각했다. 트리에틸아민 12.63질량부를 아세트산 에틸 25.00질량부에 용해시킨 액을 30분에 걸쳐서 적하하고, 0℃인 상태에서 4시간 교반했다. 아세트산 에틸을 첨가하고, 유기층을 포화 식염수로 3회 세정한 후, 무수 황산 나트륨으로 건조하고, 용매를 증류 제거하여 화합물 A 32.90질량부를 얻었다.18.52 parts by mass of p-hydroxystyrene (54% ethyl acetate solution) was dissolved in 56.00 parts by mass of ethyl acetate, and 1,1,2,2,3,3-hexafluoropropane-1,3-disulfonyldifluoride 31.58 mass parts was added and it cooled to 0 degreeC. The solution which melt | dissolved 12.63 mass parts of triethylamine in 25.00 mass parts of ethyl acetate was dripped over 30 minutes, and it stirred for 4 hours in the state which is 0 degreeC. Ethyl acetate was added, the organic layer was washed three times with saturated brine, dried over anhydrous sodium sulfate, and the solvent was distilled off to obtain 32.90 parts by mass of compound A.

화합물A 35.00질량부를 메탄올 315질량부에 용해시켜 0℃로 냉각하고, 1N 수산화나트륨 수용액 245질량부를 첨가하고, 실온에서 2시간 교반했다. 용매를 증류 제거하고, 아세트산 에틸을 첨가하고, 유기층을 포화 식염수로 3회 세정한 후, 무수 황산 나트륨으로 건조하고, 용매를 증류 제거하여 화합물 B 34.46질량부를 얻었다.35.00 mass parts of compound A was melt | dissolved in 315 mass parts of methanol, it cooled at 0 degreeC, 245 mass parts of 1N sodium hydroxide aqueous solution was added, and it stirred at room temperature for 2 hours. The solvent was distilled off, ethyl acetate was added, the organic layer was washed three times with saturated brine, dried over anhydrous sodium sulfate, and the solvent was distilled off to obtain 34.46 parts by mass of compound B.

화합물B 28.25질량부를 메탄올 254.25질량부에 용해시키고, 4-옥틸옥시, 2',4',6'-트리메톡시페닐요오드늄클로리드 36.36질량부를 첨가하고, 실온에서 3시간 교반했다. 용매를 증류 제거하고, 증류수를 첨가하고, 클로로포름으로 3회 추출했다. 얻어진 유기층을 증류수로 3회 세정한 후, 용매를 증류 제거하여 목적의 화합물(M-I-57) 44.27질량부를 얻었다.28.25 mass parts of compound B was dissolved in 254.25 mass parts of methanol, 36.36 mass parts of 4-octyloxy and 2 ', 4', 6'- trimethoxyphenyl iodonium chloride were added, and it stirred at room temperature for 3 hours. The solvent was distilled off, distilled water was added, and extracted three times with chloroform. After wash | cleaning the obtained organic layer three times with distilled water, the solvent was distilled off and 44.27 mass parts of target compounds (M-I-57) were obtained.

합성예 2(M-II-21의 합성)Synthesis Example 2 (Synthesis of M-II-21)

N-(4-히드록시페닐에틸)메타크릴아미드 13.9질량부와 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로프로판-1,3-디술포닐디플루오리드 21.4질량부를 테트라히드로푸란(THF) 160질량부에 용해시키고, 이것에 트리에틸아민 160질량부를 첨가했다. 50℃에서 2시간 교반 후, 트리플루오로메탄술폰아미드 11.1질량부를 첨가하고, 다시 80℃에서 4시간 교반했다. 아세트산 에틸을 첨가하고, 유기층을 희염산, 물로 순차 세정하고, 유기층을 황산 나트륨에 의해 건조했다. 13.9 parts by mass of N- (4-hydroxyphenylethyl) methacrylamide and 21.4 parts by mass of 1,1,2,2,3,3-hexafluoropropane-1,3-disulfonyldifluoride (tetrahydrofuran ( THF) was dissolved in 160 parts by mass and 160 parts by mass of triethylamine was added thereto. After stirring at 50 ° C for 2 hours, 11.1 parts by mass of trifluoromethanesulfonamide was added, and the mixture was stirred at 80 ° C for 4 hours. Ethyl acetate was added, the organic layer was washed sequentially with dilute hydrochloric acid and water, and the organic layer was dried over sodium sulfate.

용매를 농축 후, 잔사의 갈색 오일을 메탄올 400질량부에 용해하고, 이것에 고체의 탄산수소나트륨 20질량부를 첨가하고, 50℃에서 4시간 교반했다. 아세트산 에틸을 첨가하고, 유기층을 포화 식염수, 물로 순차 세정하고, 유기층을 황산 나트륨에 의해 건조하여 갈색 오일의 N-(트리플루오로메탄술포닐)-1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-3-((4-(2-(메타크릴아미드)에틸)페녹시)술포닐)-1-프로판술폰아미드나트륨염 24.5질량부를 얻었다. 이 갈색 오일 24.4질량부를 메탄올 200질량부에 용해하고, 4-옥틸옥시, 2',4',6'-트리메톡시페닐요오드늄클로리드 20.0질량부를 첨가하고 실온에서 3시간 교반했다. 클로로포름 400질량부를 첨가하고, 유기층을 물로 세정 후, 용매를 농축하여 갈색 투명의 오일상 화합물(M-II-21) 27.4질량부를 얻었다.After the solvent was concentrated, the brown oil of the residue was dissolved in 400 parts by mass of methanol, 20 parts by mass of solid sodium bicarbonate was added thereto, and the mixture was stirred at 50 ° C for 4 hours. Ethyl acetate was added, the organic layer was washed sequentially with saturated brine and water, and the organic layer was dried over sodium sulfate to give N- (trifluoromethanesulfonyl) -1,1,2,2,3,3- brown oil. 24.5 parts by mass of hexafluoro-3-((4- (2- (methacrylamide) ethyl) phenoxy) sulfonyl) -1-propanesulfonamide sodium salt was obtained. 24.4 mass parts of this brown oil was melt | dissolved in 200 mass parts of methanol, 20.0 mass parts of 4-octyloxy and 2 ', 4', 6'- trimethoxyphenyl iodonium chloride were added, and it stirred at room temperature for 3 hours. 400 mass parts of chloroforms were added, the organic layer was wash | cleaned with water, the solvent was concentrated, and 27.4 mass parts of brown transparent oily compounds (M-II-21) were obtained.

다른 모노머(M-I-2, M-I-6, M-I-24, M-I-28, M-I-74, M-I-79, M-I-81, M-I-82, M-I-86, M-I-88, M-I-90, M-I-127, M-I-160, M-I-175, M-I-179, M-I-183, M-II-50, M-III-2, M-III-39, M-III-53)도 동일하게 해서 합성했다.Other monomers (MI-2, MI-6, MI-24, MI-28, MI-74, MI-79, MI-81, MI-82, MI-86, MI-88, MI-90, MI-127 , MI-160, MI-175, MI-179, MI-183, M-II-50, M-III-2, M-III-39 and M-III-53) were similarly synthesized.

Figure pat00072
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Figure pat00073
Figure pat00073

합성예 3(수지 P-1의 합성)Synthesis Example 3 (Synthesis of Resin P-1)

1-메톡시-2-프로판올 8.10질량부를 질소 기류 하에서 80℃로 가열했다. 이 액을 교반하면서 일반식(I)로 나타내어지는 모노머(M-I-57) 5.28질량부, 하기 구조식A의 모노머 6.12질량부, 하기 구조식B의 모노머 6.01질량부, 1-메톡시-2-프로판올 32.5질량부, 2,2'-아조비스이소부티르산 디메틸〔V-601, 와코 쥰야쿠 고교(주)제〕 1.61질량부의 혼합 용액을 2시간에 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후, 80℃에서 다시 4시간 교반했다. 반응액을 방냉 후, 다량의 헥산/아세트산 에틸로 재침전·진공 건조를 행함으로써 본 발명의 수지(P-1)를 13.5질량부 얻었다.8.10 mass parts of 1-methoxy-2-propanol were heated at 80 degreeC under nitrogen stream. While stirring this liquid, 5.28 mass parts of monomers (MI-57) represented by general formula (I), 6.12 mass parts of monomers of the following structural formula A, 6.01 mass part of monomers of the following structural formula B, and 1-methoxy- 2-propanol 32.5 Mass part, 2,2'- azobisisobutyric acid dimethyl [V-601, Wako Pure Chemical Industries Ltd. make] 1.61 mass part of the mixed solution was dripped over 2 hours. After completion of the dropwise addition, the mixture was further stirred at 80 ° C for 4 hours. After cooling the reaction solution, 13.5 parts by mass of the resin (P-1) of the present invention was obtained by reprecipitation and vacuum drying with a large amount of hexane / ethyl acetate.

Figure pat00074
Figure pat00074

얻어진 수지의 GPC(캐리어:N-메틸-2-피롤리돈(NMP))로부터 구한 중량 평균 분자량(Mw:폴리스티렌 환산)은 Mw=6700, 분산도는 Mw/Mn=1.61이었다.The weight average molecular weight (Mw: polystyrene conversion) calculated | required from GPC (carrier: N-methyl- 2-pyrrolidone (NMP)) of obtained resin was Mw = 6700, and dispersion degree Mw / Mn = 1.61.

이하, 동일하게 해서 수지 P-2∼P-28을 합성했다. 각각의 합성한 수지의 구조, 조성비(몰비), 중량 평균 분자량, 분산도를 하기 도에 나타낸다.Hereinafter, resin P-2-P-28 were synthesize | combined similarly. The structure, composition ratio (molar ratio), weight average molecular weight, and dispersion degree of each synthesize | combined resin are shown in the following figure.

Figure pat00075
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Figure pat00076
Figure pat00076

Figure pat00077
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Figure pat00078
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Figure pat00079
Figure pat00079

이하, 실시예 및 비교예에 사용한 그 밖의 수지 및 광산 발생제를 나타낸다.Hereinafter, the other resin and the photo-acid generator used for the Example and the comparative example are shown.

Figure pat00080
Figure pat00080

Figure pat00081
Figure pat00081

Figure pat00082
Figure pat00082

<레지스트 평가>Resist Evaluation

하기 표에 나타내는 성분을 용제에 용해시키고, 각각에 대해서 고형분 농도 4질량%의 용액을 조제하고, 이것을 0.10㎛의 포어 사이즈를 갖는 폴리테트라플루오로에틸렌 필터로 여과해서 감활성 광선성 또는 감방사성 수지 조성물을 조제했다. 감활성 광선성 또는 감방사성 수지 조성물을 하기의 방법으로 평가하고, 결과를 하기 표에 나타냈다.The components shown in the following table are dissolved in a solvent, and a solution having a solid content concentration of 4% by mass is prepared for each of them, and this is filtered through a polytetrafluoroethylene filter having a pore size of 0.10 占 퐉 to actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin. The composition was prepared. The actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition was evaluated by the following method, and the results are shown in the following table.

하기 표에 있어서의 각 성분에 대해서 복수 사용한 경우의 비는 질량비이다.The ratio in the case of using more than one about each component in the following table | surface is a mass ratio.

(노광 조건 1:EB 노광) 실시예 1∼34, 비교예 1∼5(Exposure Condition 1: EB Exposure) Examples 1 to 34 and Comparative Examples 1 to 5

조제한 감방사선성 수지 조성물을 스핀 코터를 사용하여 헥사메틸디실라잔 처리를 실시한 실리콘 기판 상에 균일하게 도포하고, 120℃에서 90초간 핫플레이트 상에서 가열 건조를 행하여 막두께 100nm의 감방사선성 막을 형성시켰다. 이 감방사선성 막을 전자선 조사 장치(히타치 세이사쿠쇼제 HL750, 가속 전압 50keV)를 사용해서 전자선 조사를 행했다. 조사 후 즉시 110℃에서 90초간 핫플레이트 상에서 가열했다. 또한 농도 2.38질량%의 테트라메틸암모늄히드록사이드 수용액을 사용해서 23℃에서 60초간 현상하고, 30초간 순수로 린스한 후, 스핀 건조해서 레지스트 패턴을 얻었다.The prepared radiation-sensitive resin composition was uniformly coated on a hexamethyldisilazane-treated silicon substrate using a spin coater, and heated and dried on a hot plate at 120 ° C. for 90 seconds to form a radiation-sensitive film having a thickness of 100 nm. I was. The radiation-sensitive film was irradiated with an electron beam using an electron beam irradiation device (HL750 manufactured by Hitachi Seisakusho, acceleration voltage 50 keV). Immediately after irradiation it was heated on a hotplate at 110 ° C. for 90 seconds. Furthermore, it developed at 23 degreeC for 60 second using the tetramethylammonium hydroxide aqueous solution of concentration 2.38 mass%, rinsed with pure water for 30 second, and spin-dried to obtain a resist pattern.

(노광 조건 2:EUV 노광) 실시예 35∼44, 비교예 6(Exposure Condition 2: EUV Exposure) Examples 35 to 44 and Comparative Example 6

조제한 감방사선성 수지 조성물을 스핀 코터를 사용하여 헥사메틸디실라잔 처리를 실시한 실리콘 기판 상에 균일하게 도포하고, 120℃에서 90초간 핫플레이트 상에서 가열 건조를 행하여 막두께 100nm의 감방사선성 막을 형성시켰다. 이 감방사선성 막을 EUV 노광 장치로 조사하고, 조사 후 즉시 110℃에서 90초간 핫플레이트 상에서 가열했다. 또한, 농도 2.38질량%의 테트라메틸암모늄히드록사이드 수용액을 사용해서 23℃에서 60초간 현상하고, 30초간 순수로 린스한 후, 스핀 건조해서 레지스트 패턴을 얻었다.The prepared radiation-sensitive resin composition was uniformly coated on a hexamethyldisilazane-treated silicon substrate using a spin coater, and heated and dried on a hot plate at 120 ° C. for 90 seconds to form a radiation-sensitive film having a thickness of 100 nm. I was. The radiation-sensitive film was irradiated with an EUV exposure apparatus and heated on a hot plate at 110 ° C. for 90 seconds immediately after irradiation. Furthermore, it developed at 23 degreeC for 60 second using the tetramethylammonium hydroxide aqueous solution of 2.38 mass% in concentration, and rinsed with pure water for 30 second, and spin-dried to obtain a resist pattern.

(감도 평가)(Sensitivity evaluation)

얻어진 패턴의 단면 형상을 주사형 전자현미경(히타치 세이사쿠쇼제 S-9220)을 사용해서 관찰했다. 100nm 라인(라인:스페이스=1:1)을 해상할 때의 최소 조사 에너지를 감도로 했다.The cross-sectional shape of the obtained pattern was observed using a scanning electron microscope (S-9220 manufactured by Hitachi Seisakusho). The minimum irradiation energy at the time of resolving a 100 nm line (line: space = 1: 1) was made into the sensitivity.

(해상력 평가)(Resolution evaluation)

상기 감도를 나타내는 조사량에 있어서의 한계 해상력(라인과 스페이스가 분리 해상)을 해상력으로 했다.The limit resolution power (separation resolution of a line and a space) in the irradiation amount which shows the said sensitivity was made into the resolution power.

(패턴 형상 평가)(Pattern Shape Evaluation)

상기 감도를 나타내는 조사량에 있어서의 100nm 라인 패턴의 단면 형상을 주사형 전자 현미경(히타치 세이사쿠쇼제 S-4300)을 사용해서 관찰하고, 직사각형, 약간 테이퍼, 테이퍼의 3단계 평가를 행했다.The cross-sectional shape of the 100 nm line pattern in the irradiation amount which shows the said sensitivity was observed using the scanning electron microscope (S-4300 by Hitachi Seisakusho), and three-step evaluation of a rectangle, a slightly taper, and a taper was performed.

(LER 평가)(LER evaluation)

상기 감도를 나타내는 조사량에 있어서의 100nm 라인 패턴의 길이 방향 50㎛에 있어서의 임의의 30점에 대해서 주사형 전자현미경(히타치 세이사쿠쇼제 S-9220)을 사용해서 에지가 있어야 할 기준선으로부터의 거리를 측정하고, 표준 편차를 구하여 3σ을 산출했다.The distance from the reference line which should have an edge using a scanning electron microscope (S-9220 manufactured by Hitachi Seisakusho) for any 30 points in the longitudinal direction of 50 μm of the 100 nm line pattern in the irradiation dose indicating the sensitivity. It measured and calculated | required standard deviation, and computed 3 (sigma).

(아웃 가스 성능:노광에 의한 막두께 변동률)(Out gas performance: film thickness fluctuation rate by exposure)

상기 감도를 부여하는 조사량의 2.0배의 조사량으로 전자선을 조사하고, 노광 후 또한 후가열 전의 막두께를 측정하고, 이하의 식을 사용하여 미노광시의 막두께로부터의 변동률을 구했다.The electron beam was irradiated at a dose of 2.0 times the irradiation amount to impart the sensitivity, the film thickness after exposure and before the post-heating was measured, and the variation rate from the film thickness at the unexposed time was obtained using the following formula.

막두께 변동률(%)=[(미노광시의 막두께-노광 후의 막두께)/ 미노광시의 막두께]×100Film thickness variation rate (%) = [(film thickness at unexposed-film thickness after exposure) / film thickness at unexposed] * 100

(경시 안정성)(Time stability)

레지스트 조성물을 실온에서 1개월 보존한 후, 실시예 1∼34, 비교예 1∼5에 대해서는 상기 노광 조건 1에 의거하고, 실시예 35∼44, 비교예 6에 대해서는 상기 노광 조건 2에 의거하여 레지스트 패턴을 형성하고, 1개월 보존하기 전과 후에 있어서의 감도 변동의 정도를 하기 판정 기준에 따라서 평가했다.After storing a resist composition for 1 month at room temperature, based on the said exposure condition 1 about Examples 1-34 and Comparative Examples 1-5, based on the said exposure condition 2 about Examples 35-44 and Comparative Example 6, The degree of sensitivity fluctuation before and after forming a resist pattern and storing for one month was evaluated according to the following criteria.

○: <1μC/㎠의 감도 변동을 관찰했다.○: A sensitivity change of <1 μC / cm 2 was observed.

△:1μC/㎠ 이상 3μC/㎠ 이하의 감도 변동을 관찰했다.A sensitivity fluctuation of Δ: 1 μC / cm 2 or more and 3 μC / cm 2 or less was observed.

×:>3μC/㎠의 감도 변동을 관찰했다.×: Sensitivity fluctuation of> 3 µC / cm 2 was observed.

(용제 용해성)(Solvent solubility)

하기 표에 나타내는 성분을 하기 표에 나타내는 유기 용제에 용해시킨 후, 25℃에서 10시간 정치한 후, 얻어진 용액의 침전이나 흐림의 유무를 육안으로 보면서 평가했다.After dissolving the component shown in the following table | surface in the organic solvent shown in the following table | surface, it was left to stand at 25 degreeC for 10 hours, and it evaluated, visually checking the presence or absence of precipitation of the obtained solution, and cloudiness.

○:침전이나 흐림이 없다.(Circle): There is no precipitation and cloudy.

△:침전은 없지만 흐려졌다.(Triangle | delta): There was no precipitation but it became cloudy.

×:침전이 생겼다.X: Precipitation occurred.

이들의 측정 결과를 하기 표에 나타낸다.These measurement results are shown in the following table.

Figure pat00083
Figure pat00083

Figure pat00084
Figure pat00084

〔염기성 화합물〕[Basic Compound]

TBAH:테트라부틸암모늄히드록시드TBAH: tetrabutylammonium hydroxide

TOA:트리(n-옥틸)아민TOA: tri (n-octyl) amine

TPI:트리페닐이미다졸TPI: Triphenylimidazole

〔계면활성제〕〔Surfactants〕

W-1:메가팩 F176(다이니폰잉크 카가쿠고교(주)제)(불소계)W-1: Megapack F176 (product made by Dainippon Ink & Chemicals Co., Ltd.) (fluorine system)

W-2:메가팩 R08(다이니폰잉크 카가쿠고교(주)제)(불소 및 실리콘계)W-2: Mega pack R08 (product made by Dainippon Ink & Chemicals Co., Ltd.) (fluorine and silicon type)

W-3:폴리실록산 폴리머 KP-341(신에츠 카가쿠 고교(주)제)(실리콘계)W-3: Polysiloxane polymer KP-341 (made by Shin-Etsu Kagaku Kogyo Co., Ltd.) (silicone system)

W-4:PF6320(OMNOVA사제)(불소계)W-4: PF6320 (product made by OMNOVA company) (fluorine system)

〔용제〕〔solvent〕

S1:프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA;1-메톡시-2-아세톡시프로판)S1: Propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA; 1-methoxy-2-acetoxy propane)

S2:프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME;1-메톡시-2-프로판올)S2: Propylene glycol monomethyl ether (PGME; 1-methoxy-2-propanol)

S3:락트산 에틸S3: ethyl lactate

S4:2-헵타논S4: 2-heptanone

S5:시클로헥사논S5: cyclohexanone

S6:γ-부티롤락톤S6: γ-butyrolactone

S7:프로필렌카보네이트S7: propylene carbonate

상기 표에 기재된 결과로부터 본 발명의 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물은 EB 노광에 있어서 고감도, 고해상성, 양호한 패턴 형상, 양호한 라인 에지 러프니스, 저아웃 가스 성능, 경시 안정성을 동시에 만족하는 것이 명백하다.From the results shown in the above table, the actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition of the present invention simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, good pattern shape, good line edge roughness, low out gas performance, and stability over time in EB exposure. It is obvious.

또한, 본 발명의 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물은 EUV 노광에 있어서도 고감도, 양호한 패턴 형상, 경시 안정성을 동시에 만족하는 것이 명백하다.In addition, it is apparent that the actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition of the present invention simultaneously satisfies high sensitivity, good pattern shape and stability over time even in EUV exposure.

또한, 본 발명의 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물은 고형분의 용제 용해성이 높고, 용액(레지스트액)으로서의 보존 안정성이 우수한 것이 명백하다.
Moreover, it is clear that the actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition of this invention has high solvent solubility of solid content, and is excellent in the storage stability as a solution (resist liquid).

Claims (15)

활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 분해되어 수지의 측쇄에 산 음이온을 발생시키는 이온성 구조 부위를 구비한 반복단위(A)와 하기 일반식(I)로 나타내어지는 반복단위(C)를 갖는 수지(P)를 함유하는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물로서, 상기 이온성 구조 부위의 양이온은 하기 일반식(A1)로 나타내어지는 디아릴요오드늄 양이온인 것을 특징으로 하는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
Figure pat00085

[일반식(A1)에 있어서 Ar1은 (p+1)가의 방향환기를 나타내고, Ar2는 (q+1)가의 방향환기를 나타낸다.
L1 및 L2는 각각 독립적으로 단결합 또는 산소원자를 나타낸다.
R11, R12, R13, R21, R22 및 R23은 각각 독립적으로 수소원자 또는 알킬기를 나타낸다. R11, R12 및 R13 중 2개 이상이 결합하여 환을 형성해도 좋다. 또한, R21, R22 및 R23 중 2개 이상이 결합하여 환을 형성해도 좋다.
p 및 q는 각각 0∼9의 정수를 나타내고, p+q≥2를 충족시킨다.
p≥2의 경우 복수의 (R11)(R12)(R13)CL1-로 나타내어지는 기는 서로 동일해도 달라도 좋다.
q≥2의 경우 복수의 (R21)(R22)(R23)CL2-로 나타내어지는 기는 서로 동일해도 달라도 좋다.
단, 상기 일반식(A1)은 하기 일반식(A1-1)로 나타내어지는 경우 L1과 L2가 서로 동일하며, 또한 R11, R12, R13, R21, R22 및 R23 전부가 동일한 일은 없다]
Figure pat00086

Figure pat00087

[일반식(I)에 있어서, R11', R12' 및 R13'은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 시클로알킬기, 할로겐원자, 시아노기 또는 알콕시카르보닐기를 나타낸다. 또한 R13'은 Ar1'과 결합해서 환을 형성하고 있어도 좋고, 그 경우의 R13'은 알킬렌기를 나타낸다.
X1은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다.
Ar1'은 (n+1)가의 방향환기를 나타내고, R13'과 결합해서 환을 형성하는 경우에는 (n+2)가의 방향환기를 나타낸다.
n은 1∼4의 정수를 나타낸다]
Resin having a repeating unit (A) having an ionic structure moiety that is decomposed by irradiation of active light or radiation to generate acid anions in the side chain of the resin, and a repeating unit (C) represented by the following general formula (I) An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing P), wherein the cation of the ionic structure moiety is a diaryliodonium cation represented by the following general formula (A1). Radioactive resin composition.
Figure pat00085

[In General Formula (A1), Ar 1 represents a (p + 1) valent aromatic ring group, and Ar 2 represents a (q + 1) valent aromatic ring group.
L 1 and L 2 each independently represent a single bond or an oxygen atom.
R 11 , R 12 , R 13 , R 21 , R 22 and R 23 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group. Two or more of R 11 , R 12, and R 13 may combine to form a ring. In addition, two or more of R 21 , R 22, and R 23 may combine to form a ring.
p and q each represent an integer of 0 to 9 and satisfy p + q ≧ 2.
In the case of p≥2, the groups represented by a plurality of (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ) CL 1 − may be the same or different.
In the case of q≥2, the groups represented by a plurality of (R 21 ) (R 22 ) (R 23 ) CL 2 − may be the same or different.
However, in the general formula (A1), when represented by the following general formula (A1-1), L 1 and L 2 are the same as each other, and R 11 , R 12 , R 13 , R 21 , R 22 and R 23 are all Is not the same thing]
Figure pat00086

Figure pat00087

[In General Formula (I), R 11 ′, R 12 ′ and R 13 ′ each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. R 13 ′ may be bonded to Ar 1 ′ to form a ring, and R 13 ′ in that case represents an alkylene group.
X 1 represents a single bond or a divalent linking group.
Ar 1 ′ represents a (n + 1) valent aromatic ring group, and when combined with R 13 ′ to form a ring, (n + 2) valent aromatic ring group.
n represents an integer of 1 to 4]
제 1 항에 있어서,
상기 일반식(A1)에 있어서 p는 1 이상의 정수이며, 또한 q는 1 이상의 정수인 것을 특징으로 하는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
The method of claim 1,
In said general formula (A1), p is an integer of 1 or more, and q is an integer of 1 or more, The actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition characterized by the above-mentioned.
제 2 항에 있어서,
상기 일반식(A1)에 있어서 p개의 (R11)(R12)(R13)CL1-로 나타내어지는 기 및 q개의 (R21)(R22)(R23)CL2-로 나타내어지는 기는 모두 동일한 기가 아닌 것을 특징으로 하는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
The method of claim 2,
In the general formula (A1), p groups represented by (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ) CL 1 − and q groups represented by (R 21 ) (R 22 ) (R 23 ) CL 2 − The groups are not all the same group, wherein the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 일반식(A1)에 있어서 p와 q는 서로 다른 정수인 것을 특징으로 하는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 3,
In General Formula (A1), p and q are integers different from each other.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 일반식(A1)에 있어서 (R11)(R12)(R13)CL1-로 나타내어지는 기 및 (R21)(R22)(R23)CL2-로 나타내어지는 기는 각각 독립적으로 탄소수 1∼3의 알킬기를 나타내는 것을 특징으로 하는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 3,
In the general formula (A1), a group represented by (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ) CL 1 -and a group represented by (R 21 ) (R 22 ) (R 23 ) CL 2 -are each independently. An actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition characterized by showing an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 일반식(A1)에 있어서 (R11)(R12)(R13)CL1-로 나타내어지는 기 및 (R21)(R22)(R23)CL2-로 나타내어지는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 2개 이상의 기 중 1개 이상은 방향족환 상의 요오드늄기에 대해서 오르토 위치에 위치하는 것을 특징으로 하는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 3,
In the formula (A1), in the group consisting of a group represented by (R 11 ) (R 12 ) (R 13 ) CL 1 -and a group represented by (R 21 ) (R 22 ) (R 23 ) CL 2- At least one of the two or more groups selected is an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, characterized in that located in the ortho position with respect to the iodonium group on the aromatic ring.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 일반식(A1)에 있어서 p+q≥3을 충족시키는 것을 특징으로 하는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 3,
P + q≥3 in the said General formula (A1), The actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition characterized by the above-mentioned.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 일반식(A1)에 있어서 p+q≥4를 충족시키는 것을 특징으로 하는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 3,
P + q≥4 in the said General formula (A1), The actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition characterized by the above-mentioned.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지(P)는 산의 작용에 의해 분해되어 알칼리 가용성기를 발생시키는 반복단위(C)를 더 갖는 것을 특징으로 하는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Said resin (P) further has a repeating unit (C) which decomposes by the action of an acid, and generates an alkali-soluble group.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반복단위(B)는 하기 일반식(V) 또는 (VI)으로 나타내어지는 반복단위인 것을 특징으로 하는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
Figure pat00088

[일반식(V) 중 R51, R52, R53은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 할로겐원자, 시아노기 또는 알콕시카르보닐기를 나타낸다. R52는 L5와 결합해서 환을 형성하고 있어도 좋고, 그 경우의 R52는 알킬렌기를 나타낸다.
L5는 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, R52와 환을 형성하는 경우에는 3가의 연결기를 나타낸다.
R54는 알킬기를 나타내고, R55 및 R56은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기 또는 1가의 방향환기를 나타낸다. R55 및 R56은 서로 결합해서 환을 형성해도 좋다. 단, R55와 R56이 동시에 수소원자인 일은 없다.
일반식(VI) 중 R61, R62, R63은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 1가의 지방족 탄화수소환기, 할로겐원자, 시아노기 또는 알콕시카르보닐기를 나타낸다. R62는 Ar6과 결합해서 환을 형성하고 있어도 좋고, 그 경우의 R62는 알킬렌기를 나타낸다.
Ar6은 (n+1)가의 방향환기를 나타내고, R62와 결합해서 환을 형성하는 경우에는 (n+2)가의 방향환기를 나타낸다.
Y는 수소원자 또는 산의 작용에 의해 탈리되는 기를 나타내고, Y가 복수 존재하는 경우 복수의 Y는 같아도 달라도 좋다. 단, Y 중 1개 이상은 산의 작용에 의해 탈리되는 기를 나타낸다.
n은 1∼4의 정수를 나타낸다]
The method according to any one of claims 1 to 3,
The said repeating unit (B) is an actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition characterized by the repeating unit represented by the following general formula (V) or (VI).
Figure pat00088

[In formula (V), R 51 , R 52 and R 53 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. R 52 may be bonded to L 5 to form a ring, in which case R 52 represents an alkylene group.
L 5 represents a single bond or a divalent linking group, and in the case of forming a ring with R 52 , represents a trivalent linking group.
R 54 represents an alkyl group, and R 55 and R 56 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group or a monovalent aromatic ring group. R 55 and R 56 may be bonded to each other to form a ring. However, R 55 and R 56 do not simultaneously represent a hydrogen atom.
In General Formula (VI), R 61 , R 62 and R 63 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a monovalent aliphatic hydrocarbon ring group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. R 62 may be bonded to Ar 6 to form a ring, in which case R 62 represents an alkylene group.
Ar 6 represents a (n + 1) valent aromatic ring group, and when combined with R 62 to form a ring, (n + 2) valent aromatic ring group.
Y represents a group which is released by the action of a hydrogen atom or an acid, and when a plurality of Y are present, a plurality of Y may be the same or different. Provided that at least one of Y represents a group that is released by the action of an acid.
n represents an integer of 1 to 4]
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
전자선, X선 또는 EUV광용인 것을 특징으로 하는 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 3,
An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, which is for electron beam, X-ray or EUV light.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 감활성 광선성 또는 감방사선성 조성물을 사용해서 형성된 것을 특징으로 하는 레지스트막.It is formed using the actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive composition in any one of Claims 1-3, The resist film characterized by the above-mentioned. 제 12 항에 기재된 레지스트막을 노광, 현상하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.It has a process of exposing and developing the resist film of Claim 12, The pattern formation method characterized by the above-mentioned. 제 13 항에 기재된 패턴 형성 방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.The manufacturing method of the electronic device containing the pattern formation method of Claim 13. 제 14 항에 기재된 전자 디바이스의 제조 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.It is manufactured by the manufacturing method of the electronic device of Claim 14, The electronic device characterized by the above-mentioned.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20180014012A (en) * 2015-06-30 2018-02-07 후지필름 가부시키가이샤 A mask blank having an actinic radiation-sensitive or radiation-sensitive resin composition, an actinic radiation or radiation-sensitive film, a light-actinic radiation-sensitive or radiation-sensitive film, a pattern forming method, and a manufacturing method of an electronic device

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