JP5504130B2 - Positive actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the composition - Google Patents

Positive actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the composition Download PDF

Info

Publication number
JP5504130B2
JP5504130B2 JP2010233655A JP2010233655A JP5504130B2 JP 5504130 B2 JP5504130 B2 JP 5504130B2 JP 2010233655 A JP2010233655 A JP 2010233655A JP 2010233655 A JP2010233655 A JP 2010233655A JP 5504130 B2 JP5504130 B2 JP 5504130B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
groups
alkyl
ring
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2010233655A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2012032747A (en
Inventor
秀知 高橋
智孝 土村
修史 平野
健志 川端
英明 椿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2010233655A priority Critical patent/JP5504130B2/en
Priority to KR1020110061710A priority patent/KR20120001631A/en
Priority to US13/171,144 priority patent/US20110318693A1/en
Priority to TW100122886A priority patent/TW201205191A/en
Publication of JP2012032747A publication Critical patent/JP2012032747A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5504130B2 publication Critical patent/JP5504130B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

本発明は、ポジ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法に関する。より詳細には、本発明は、例えば、IC及びフォトマスク等の半導体製造工程、液晶及びサーマルヘッド等の回路基板の製造、更にその他のフォトファブリケーション工程に使用されるポジ型組成物、並びに該組成物を用いたパターン形成方法に関する。更に詳しくは、本発明は、例えば、250nm以下の遠紫外線や電子線、軟X線などを照射源とする場合に好適なポジ型組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法に関する。   The present invention relates to a positive-type actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and a resist film and a pattern forming method using the composition. More specifically, the present invention relates to, for example, a positive composition used in a semiconductor manufacturing process such as an IC and a photomask, a circuit board such as a liquid crystal and a thermal head, and other photofabrication processes. The present invention relates to a pattern forming method using a composition. More specifically, the present invention relates to a positive composition suitable when, for example, far ultraviolet rays of 250 nm or less, electron beams, soft X-rays, etc. are used as an irradiation source, and a pattern forming method using the composition.

リソグラフィーによる微細加工は、近年、集積回路の高集積化に伴い、数十ナノメートルオーダーの超微細パターン形成が要求されるようになってきている。この要求に伴い、露光波長もg線からi線に、さらにKrFエキシマレーザー光に、というように短波長化の傾向が見られる。さらには、現在では、エキシマレーザー光以外にも、電子線やX線、あるいはEUV光を用いたリソグラフィーも開発が進んでいる。   In recent years, microfabrication by lithography has been demanded to form ultrafine patterns on the order of several tens of nanometers as integrated circuits are highly integrated. Along with this requirement, there is a tendency to shorten the exposure wavelength from g-line to i-line and further to KrF excimer laser light. Furthermore, at present, in addition to excimer laser light, lithography using electron beams, X-rays, or EUV light is also being developed.

また、レジスト組成物による微細加工は、直接に集積回路の製造に用いられるだけでなく、近年ではいわゆるインプリント用モールド構造体の作製等にも適用されている(例えば、特許文献1及び2、並びに非特許文献1を参照)。   In addition, microfabrication using a resist composition is not only directly used for manufacturing an integrated circuit, but also recently applied to production of a so-called imprint mold structure (for example, Patent Documents 1 and 2, And non-patent document 1).

特に電子線リソグラフィーは、次世代もしくは次々世代のパターン形成技術として位置付けられ、高感度、高解像性のポジ型レジストが望まれている。特にウェハー処理時間の短縮化のために高感度化は非常に重要な課題であるが、電子線用ポジ型レジストにおいては、高感度化を追求しようとすると、解像力の低下のみならず、ラインエッジラフネスの悪化が起こり、これらの特性を同時に満足するレジストの開発が強く望まれている。ここで、ラインエッジラフネスとは、レジストのパターンと基板界面のエッジがレジストの特性に起因して、ライン方向と垂直な方向に不規則に変動するために、パターンを真上から見たときにエッジが凹凸に見えることを言う。この凹凸がレジストをマスクとするエッチング工程により転写され、電気特性を劣化させるため、歩留りを低下させる。特に0.25μm以下の超微細領域ではラインエッジラフネスは極めて重要な改良課題となっている。高感度と、高解像性、良好なパターン形状、及び良好なラインエッジラフネスとはトレードオフの関係にあり、これを如何にして同時に満足させるかが非常に重要である。また、X線やEUV光を用いるリソグラフィーにおいても同様にこれらを同時に満足させることが重要な課題となっており、これらの解決が必要である。   In particular, electron beam lithography is positioned as a next-generation or next-generation pattern formation technique, and a positive resist with high sensitivity and high resolution is desired. In particular, high sensitivity is an extremely important issue for shortening the wafer processing time. However, in positive resists for electron beams, when trying to increase sensitivity, not only the resolution is lowered, but also the line edge. Roughness deteriorates, and development of a resist that satisfies these characteristics at the same time is strongly desired. Here, the line edge roughness means that when the pattern is viewed from directly above because the resist pattern and the edge of the substrate interface vary irregularly in the direction perpendicular to the line direction due to the characteristics of the resist. Say that the edge looks uneven. The unevenness is transferred by an etching process using a resist as a mask, and the electrical characteristics are deteriorated, so that the yield is lowered. Particularly in the ultrafine region of 0.25 μm or less, the line edge roughness is an extremely important improvement issue. High sensitivity, high resolution, good pattern shape, and good line edge roughness are in a trade-off relationship, and it is very important how to satisfy them simultaneously. Similarly, in lithography using X-rays or EUV light, it is important to satisfy these requirements at the same time, and it is necessary to solve these problems.

これらの問題を解決する一つの方法として、ポリマー側鎖に光酸発生剤を有する樹脂の使用が検討されている(例えば、特許文献3及び4を参照)。特許文献3では、光酸発生基及び酸分解によりアルカリ現像液への溶解性が増大する基を同一分子内に有する樹脂が開示されている。特許文献4では、ポリマー側鎖に特定構造の光酸発生剤を有する樹脂が開示されている。   As one method for solving these problems, use of a resin having a photoacid generator in a polymer side chain has been studied (see, for example, Patent Documents 3 and 4). Patent Document 3 discloses a resin having a photoacid-generating group and a group whose solubility in an alkaline developer is increased by acid decomposition in the same molecule. Patent Document 4 discloses a resin having a photoacid generator having a specific structure in a polymer side chain.

特開2004−158287号公報JP 2004-158287 A 特開2008−162101号公報JP 2008-162101 A 特開2009−93137号公報JP 2009-93137 A 特開2008−133448号公報JP 2008-133448 A

平井義彦(編)「ナノインプリントの基礎と技術開発・応用展開―ナノインプリントの基板技術と最新の技術展開」フロンティア出版(2006年6月発行)Yoshihiko Hirai (ed.) “Nanoimprint Basics and Technology Development / Application Deployment-Nanoimprint Substrate Technology and Latest Technology Deployment” Frontier Publishing (issued in June 2006)

本発明の目的は、高感度、高解像性、良好なパターン形状、及び良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a positive actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, good pattern shape, and good line edge roughness, and a resist using the same. It is to provide a film and a pattern forming method.

本発明は、例えば、以下の通りである。   For example, the present invention is as follows.

〔1〕活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する繰り返し単位(A)を含み、前記繰り返し単位(A)は、単環式又は多環式の含窒素複素環を含んだカチオン構造を備えている樹脂(P)を含有したポジ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   [1] A cationic structure containing a repeating unit (A) that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid, wherein the repeating unit (A) contains a monocyclic or polycyclic nitrogen-containing heterocycle A positive-type actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing a resin (P) comprising:

〔2〕前記カチオン構造はアジニウムカチオンを含んでいる〔1〕に記載の組成物。   [2] The composition according to [1], wherein the cation structure includes an azinium cation.

〔3〕前記カチオン構造は下記一般式(AZ)により表される〔1〕又は〔2〕に記載の組成物。

Figure 0005504130
[3] The composition according to [1] or [2], wherein the cationic structure is represented by the following general formula (AZ).
Figure 0005504130

式中、Rは、1価の置換基を表す。

Figure 0005504130
In the formula, R represents a monovalent substituent.
Figure 0005504130

は、単環式又は多環式の前記含窒素複素環を表す。
は、置換基を表す。mは、0以上の整数を表す。
Represents a monocyclic or polycyclic nitrogen-containing heterocycle.
S N represents a substituent. m represents an integer of 0 or more.

〔4〕前記樹脂(P)は、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を発生する繰り返し単位(B)を更に含んでいる〔1〕〜〔3〕の何れかに記載の組成物。   [4] The composition according to any one of [1] to [3], wherein the resin (P) further includes a repeating unit (B) that decomposes by the action of an acid to generate an alkali-soluble group.

〔5〕前記樹脂(P)は、下記一般式(IV)により表される繰り返し単位を更に含んでいる〔1〕〜〔4〕の何れかに記載の組成物。

Figure 0005504130
[5] The composition according to any one of [1] to [4], wherein the resin (P) further includes a repeating unit represented by the following general formula (IV).
Figure 0005504130

式中、R41、R42及びR43は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。R42はArと結合して環を形成していてもよく、その場合のR42は、アルキレン基を表す。
は、単結合、−COO−、又は−CONR64−を表し、R64は、水素原子又はアルキル基を表す。
は、単結合又はアルキレン基を表す。
Arは、2価の芳香環基を表す。
nは、1〜4の整数を表す。
In the formula, R 41 , R 42 and R 43 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. R 42 may be bonded to Ar 4 to form a ring, and R 42 in this case represents an alkylene group.
X 4 represents a single bond, —COO—, or —CONR 64 —, and R 64 represents a hydrogen atom or an alkyl group.
L 4 represents a single bond or an alkylene group.
Ar 4 represents a divalent aromatic ring group.
n represents an integer of 1 to 4.

〔6〕前記繰り返し単位(A)は、前記活性光線又は放射線の照射により前記樹脂(P)の側鎖に酸基を発生する構造を有している〔1〕〜〔5〕の何れかに記載の組成物。   [6] The repeating unit (A) has a structure in which an acid group is generated in a side chain of the resin (P) by irradiation with the actinic ray or radiation. The composition as described.

〔7〕電子線、X線又は軟X線により露光される〔1〕〜〔6〕の何れかに記載の組成物。   [7] The composition according to any one of [1] to [6], which is exposed to an electron beam, an X-ray or a soft X-ray.

〔8〕〔1〕〜〔7〕の何れかに記載の組成物を用いて形成されたレジスト膜。   [8] A resist film formed using the composition according to any one of [1] to [7].

〔9〕〔1〕〜〔7〕の何れかに記載の組成物を用いて膜を形成することと、前記膜を露光することと、前記露光された膜を現像することとを含んだパターン形成方法。   [9] A pattern comprising forming a film using the composition according to any one of [1] to [7], exposing the film, and developing the exposed film Forming method.

〔10〕前記露光は、電子線、X線又は軟X線により行われる〔9〕に記載の方法。   [10] The method according to [9], wherein the exposure is performed with an electron beam, an X-ray, or a soft X-ray.

本発明によると、高感度、高解像性、良好なパターン形状、及び良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供することが可能となる。   According to the present invention, a positive actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, good pattern shape, and good line edge roughness, and a resist film using the same In addition, a pattern forming method can be provided.

以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
なお、ここでは、置換又は無置換を明示していない基及び原子団には、置換基を有していないものと置換基を有しているものとの双方が含まれることとする。例えば、置換又は無置換を明示していない「アルキル基」は、置換基を有していないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有しているアルキル基(置換アルキル基)をも包含することとする。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
Here, the groups and atomic groups that do not explicitly indicate substitution or non-substitution include both those that do not have a substituent and those that have a substituent. For example, an “alkyl group” that does not clearly indicate substitution or unsubstituted is not only an alkyl group that does not have a substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group that has a substituent (substituted alkyl group) Is also included.

<樹脂(P)>
本発明に係るポジ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、樹脂(P)を含んでいる。この樹脂(P)は、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する繰り返し単位(A)を含んでいる。
<Resin (P)>
The positive-type actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition according to the present invention contains a resin (P). This resin (P) contains a repeating unit (A) that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid.

〔繰り返し単位(A)〕
繰り返し単位(A)は、単環式又は多環式の含窒素複素環を含んだカチオン構造を備えている。繰り返し単位(A)としては、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生するように構成されており且つ上記カチオン構造を備えているものであれば、何れでも用いることができる。このような繰り返し単位(A)を含んだ樹脂(P)を用いると、高感度、高解像性、良好なパターン形状、及び良好なラインエッジラフネスを同時に満足することが可能となる。
[Repeating unit (A)]
The repeating unit (A) has a cation structure containing a monocyclic or polycyclic nitrogen-containing heterocycle. As the repeating unit (A), any repeating unit (A) may be used as long as it is configured to generate an acid upon decomposition by irradiation with actinic rays or radiation and has the above-described cation structure. When the resin (P) containing such a repeating unit (A) is used, high sensitivity, high resolution, good pattern shape, and good line edge roughness can be satisfied at the same time.

上記カチオン構造は、アジニウムカチオンを含んでいることが好ましい。このような構成を採用すると、高感度、高い解像性、良好なパターン形状、及び良好なラインエッジラフネスを、更に高い水準で、同時に満足することができる。   The cation structure preferably contains an azinium cation. By adopting such a configuration, high sensitivity, high resolution, good pattern shape, and good line edge roughness can be simultaneously satisfied at a higher level.

なお、ここで「アジニウム」とは、構造内に、(1)アジン環(窒素原子を含んだ6員環)を有するもの(例えば、ピリジニウム、ジアジニウム、トリアジニウムなど)、又は、(2)アジン環及びアジン環と縮合した1個以上の芳香族環を有するもの(例えば、キノリニウム、イソキノリニウム、ベンゾアジニウム、ナフトアジニウムなど)を表す。   Here, “azinium” means (1) an azine ring (6-membered ring containing a nitrogen atom) in the structure (for example, pyridinium, diazinium, triazinium, etc.), or (2) an azine ring. And one having one or more aromatic rings condensed with an azine ring (for example, quinolinium, isoquinolinium, benzoazinium, naphthazinium, etc.).

上記カチオン構造は、下記一般式(AZ)により表されることも好ましい。このような構成を採用すると、高感度、高い解像性、良好なパターン形状、及び良好なラインエッジラフネスを、更に高い水準で、同時に満足することができる。なお、下記一般式(AZ)により表されるカチオンは、アジニウムカチオンであってもよく、アジニウムカチオンでなくてもよい。

Figure 0005504130
The cationic structure is also preferably represented by the following general formula (AZ). By adopting such a configuration, high sensitivity, high resolution, good pattern shape, and good line edge roughness can be simultaneously satisfied at a higher level. In addition, the cation represented by the following general formula (AZ) may be an azinium cation or may not be an azinium cation.
Figure 0005504130

式中、Rは、1価の置換基を表す。

Figure 0005504130
In the formula, R represents a monovalent substituent.
Figure 0005504130

は、単環式又は多環式の含窒素複素環を表す。
は、置換基を表す。mは、0以上の整数を表す。
Represents a monocyclic or polycyclic nitrogen-containing heterocycle.
S N represents a substituent. m represents an integer of 0 or more.

Rにより表される置換基は、有機基であってもよく、無機基であってもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、置換カルボニル基、及び、置換スルホニル基が挙げられる。これら各基は、更なる置換基を有していてもよい。   The substituent represented by R may be an organic group or an inorganic group. Examples of the substituent include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkenyl group, an alkynyl group, a substituted carbonyl group, and a substituted sulfonyl group. Each of these groups may have a further substituent.

Rにより表されるアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキル基の炭素数は、1〜50であることが好ましく、1〜30であることがより好ましく、1〜20であることが更に好ましい。このようなアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、オクダデシル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、1−エチルペンチル基、及び、2−エチルヘキシル基が挙げられる。   The alkyl group represented by R may be linear or branched. The alkyl group preferably has 1 to 50 carbon atoms, more preferably 1 to 30 carbon atoms, and still more preferably 1 to 20 carbon atoms. Examples of such alkyl groups include methyl, ethyl, propyl, butyl, hexyl, octyl, decyl, dodecyl, octadadecyl, isopropyl, isobutyl, sec-butyl, t- A butyl group, 1-ethylpentyl group, and 2-ethylhexyl group are mentioned.

Rにより表されるアルキル基は、置換基を有していてもよい。即ち、Rは、置換アルキル基であってもよい。この置換アルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、フェナシル基、1−ナフトイルメチル基、2−ナフトイルメチル基、4−メチルスルファニルフェナシル基、4−フェニルスルファニルフェナシル基、4−ジメチルアミノフェナシル基、4−シアノフェナシル基、4−メチルフェナシル基、2−メチルフェナシル基、3−フルオロフェナシル基、3−トリフルオロメチルフェナシル基、3−ニトロフェナシル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、2−クロロエチル基、メトキシメチル基、メトキシカルボニルメチル基、イソプロポキシメチル基、ブトキシメチル基、s−ブトキシブチル基、メトキシエトキシエチル基、アリルオキシメチル基、フェノキシメチル基、アセチルオキシメチル基、メチルチオメチル基、トリルチオメチル基、ピリジルメチル基、テトラメチルピペリジニルメチル基、N−アセチルテトラメチルピペリジニルメチル基、トリメチルシリルメチル基、メトキシエチル基、エチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル基、モルホリノプロピル基、アセチルオキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基、N−シクロヘキシルカルバモイルオキシエチル基、N−フェニルカルバモイルオキシエチル基、アセチルアミノエチル基、N−メチルベンゾイルアミノプロピル基、2−オキソエチル基、2−オキソプロピル基、カルボキシプロピル基、メトキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルブチル基、クロロフェノキシカルボニルメチル基、カルバモイルメチル基、N−メチルカルバモイルエチル基、N,N−ジプロピルカルバモイルメチル基、N−(メトキシフェニル)カルバモイルエチル基、N−メチル−N−(スルホフェニル)カルバモイルメチル基、スルホブチル基、スルホナトブチル基、スルファモイルブチル基、N−エチルスルファモイルメチル基、N,N−ジプロピルスルファモイルプロピル基、N−トリルスルファモイルプロピル基、N−メチル−N−(ホスホノフェニル)スルファモイルオクチル基、ホスホノブチル基、ホスホナトヘキシル基、ジエチルホスホノブチル基、ジフェニルホスホノプロピル基、メチルホスホノブチル基、メチルホスホナトブチル基、トリルホスホノヘキシル基、トリルホスホナトヘキシル基、ホスホノオキシプロピル基、ホスホナトオキシブチル基、ベンジル基、フェネチル基、α−メチルベンジル基、1−メチル−1−フェニルエチル基、及び、p−メチルベンジル基が挙げられる。   The alkyl group represented by R may have a substituent. That is, R may be a substituted alkyl group. Examples of the substituted alkyl group include a trifluoromethyl group, a phenacyl group, a 1-naphthoylmethyl group, a 2-naphthoylmethyl group, a 4-methylsulfanylphenacyl group, a 4-phenylsulfanylphenacyl group, and 4-dimethyl. Aminophenacyl group, 4-cyanophenacyl group, 4-methylphenacyl group, 2-methylphenacyl group, 3-fluorophenacyl group, 3-trifluoromethylphenacyl group, 3-nitrophenacyl group, chloromethyl group , Bromomethyl group, 2-chloroethyl group, methoxymethyl group, methoxycarbonylmethyl group, isopropoxymethyl group, butoxymethyl group, s-butoxybutyl group, methoxyethoxyethyl group, allyloxymethyl group, phenoxymethyl group, acetyloxymethyl Group, methylthiomethyl group, tolylti Methyl group, pyridylmethyl group, tetramethylpiperidinylmethyl group, N-acetyltetramethylpiperidinylmethyl group, trimethylsilylmethyl group, methoxyethyl group, ethylaminoethyl group, diethylaminopropyl group, morpholinopropyl group, acetyloxymethyl Group, benzoyloxymethyl group, N-cyclohexylcarbamoyloxyethyl group, N-phenylcarbamoyloxyethyl group, acetylaminoethyl group, N-methylbenzoylaminopropyl group, 2-oxoethyl group, 2-oxopropyl group, carboxypropyl group , Methoxycarbonylethyl group, allyloxycarbonylbutyl group, chlorophenoxycarbonylmethyl group, carbamoylmethyl group, N-methylcarbamoylethyl group, N, N-dipropylcarbamoyl Til group, N- (methoxyphenyl) carbamoylethyl group, N-methyl-N- (sulfophenyl) carbamoylmethyl group, sulfobutyl group, sulfonatobutyl group, sulfamoylbutyl group, N-ethylsulfamoylmethyl group, N, N-dipropylsulfamoylpropyl group, N-tolylsulfamoylpropyl group, N-methyl-N- (phosphonophenyl) sulfamoyloctyl group, phosphonobutyl group, phosphonatohexyl group, diethylphosphonobutyl group, diphenyl Phosphonopropyl group, methylphosphonobutyl group, methylphosphonatobutyl group, tolylphosphonohexyl group, tolylphosphonatohexyl group, phosphonooxypropyl group, phosphonatoxybutyl group, benzyl group, phenethyl group, α-methyl Benzyl group, 1-methyl-1-phen Ruechiru group and, include p- methylbenzyl group.

Rにより表されるアルキル基に導入可能な置換基としては、例えば、上記置換アルキル基の説明中に記載された置換基の他、以下に例示する非金属原子から構成される1価の置換基も挙げられる。上述した置換基を含む好ましい例としては、ハロゲン原子(−F、−Br、−Cl、又は−I)、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、ウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、カルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基(−SOH)及びその共役塩基基(スルホナト基と称する)、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、ホスホノ基(−PO)及びその共役塩基基(ホスホナト基と称する)、ホスホノオキシ基(−OPO)及びその共役塩基基(ホスホナトオキシ基と称する)、シアノ基、ニトロ基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロ環基、並びに、シリル基が挙げられる。 Examples of the substituent that can be introduced into the alkyl group represented by R include, for example, the monovalent substituents composed of the nonmetallic atoms exemplified below in addition to the substituents described in the description of the substituted alkyl group. Also mentioned. Preferred examples including the above-described substituent include a halogen atom (—F, —Br, —Cl, or —I), a hydroxyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a mercapto group, an alkylthio group, an arylthio group, an amino group, and an acyloxy group. Group, carbamoyloxy group, alkylsulfoxy group, arylsulfoxy group, acylthio group, acylamino group, ureido group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, N-alkyl-N-alkoxycarbonylamino group, N-alkyl -N-aryloxycarbonylamino group, N-aryl-N-alkoxycarbonylamino group, N-aryl-N-aryloxycarbonylamino group, formyl group, acyl group, carboxyl group, carbamoyl group, alkylsulfinyl group, aryls Luffy Group, an alkylsulfonyl group, an arylsulfonyl group, (referred to as a sulfonato group) sulfo group (-SO 3 H) and its conjugated base group, alkoxy sulfonyl group, aryloxy sulfonyl group, sulfinamoyl group, a phosphono group (-PO 3 H 2 ) and its conjugate base group (referred to as phosphonato group), phosphonooxy group (—OPO 3 H 2 ) and its conjugate base group (referred to as phosphonatoxy group), cyano group, nitro group, aryl group, alkenyl group, alkynyl group, A heterocyclic group and a silyl group are mentioned.

Rにより表されるアルキル基に導入可能な置換基が含み得るアリール基の具体例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、及び、クメニル基が挙げられる。   Specific examples of the aryl group that can be included in the substituent that can be introduced into the alkyl group represented by R include a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a tolyl group, a xylyl group, a mesityl group, and a cumenyl group.

Rにより表されるシクロアルキル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このシクロアルキル基の炭素数は、3〜50であることが好ましく、4〜30であることがより好ましく、5〜20であることが更に好ましい。このようなシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、及び、ノルボニル基が挙げられる。   The cycloalkyl group represented by R may be monocyclic or polycyclic. The cycloalkyl group preferably has 3 to 50 carbon atoms, more preferably 4 to 30 carbon atoms, and still more preferably 5 to 20 carbon atoms. Examples of such a cycloalkyl group include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an adamantyl group, and a norbornyl group.

Rにより表されるシクロアルキル基は、更なる置換基を有していてもよい。この更なる置換基としては、例えば、アルキル基に導入可能な置換基として先に説明したものと同様のものが挙げられる。   The cycloalkyl group represented by R may have further substituents. As this further substituent, the thing similar to what was demonstrated previously as a substituent which can be introduce | transduced into an alkyl group is mentioned, for example.

Rにより表されるアリール基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。また、この基は、ヘテロアリール基であってもよい。Rにより表されるアリール基の炭素数は、6〜50であることが好ましく、6〜30であることがより好ましく、6〜20であることが更に好ましい。このようなアリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−アンスリル基、9−フェナントリル基、1−ピレニル基、5−ナフタセニル基、1−インデニル基、2−アズレニル基、9−フルオレニル基、ターフェニル基、クオーターフェニル基、o−、m−、及びp−トリル基、キシリル基、o−、m−、及びp−クメニル基、メシチル基、ペンタレニル基、ビナフタレニル基、ターナフタレニル基、クオーターナフタレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、インダセニル基、フルオランテニル基、アセナフチレニル基、アセアントリレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントリル基、ビアントラセニル基、ターアントラセニル基、クオーターアントラセニル基、アントラキノリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、プレイアデニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、並びに、オバレニル基が挙げられる。   The aryl group represented by R may be monocyclic or polycyclic. This group may be a heteroaryl group. The number of carbon atoms of the aryl group represented by R is preferably 6 to 50, more preferably 6 to 30, and still more preferably 6 to 20. Examples of the aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 9-anthryl group, a 9-phenanthryl group, a 1-pyrenyl group, a 5-naphthacenyl group, and a 1-indenyl group. , 2-azurenyl group, 9-fluorenyl group, terphenyl group, quarterphenyl group, o-, m-, and p-tolyl group, xylyl group, o-, m-, and p-cumenyl group, mesityl group, pentarenyl Group, binaphthalenyl group, turnaphthalenyl group, quarternaphthalenyl group, heptaenyl group, biphenylenyl group, indacenyl group, fluoranthenyl group, acenaphthylenyl group, aceanthrylenyl group, phenalenyl group, fluorenyl group, anthryl group, bianthracenyl group, teranthracenyl group Senyl group, Quarter anthracenyl group, Ant Quinolyl group, phenanthryl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, naphthacenyl group, preadenyl group, picenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, pentacenyl group, tetraphenylenyl group, hexaphenyl group, hexacenyl group, rubicenyl group , A coronenyl group, a trinaphthylenyl group, a heptaphenyl group, a heptacenyl group, a pyrantrenyl group, and an ovalenyl group.

Rにより表されるアリール基は、更なる置換基を有していてもよい。この更なる置換基としては、例えば、アルキル基に導入可能な置換基として先に説明したものと同様のものが挙げられる。   The aryl group represented by R may have a further substituent. As this further substituent, the thing similar to what was demonstrated previously as a substituent which can be introduce | transduced into an alkyl group is mentioned, for example.

Rにより表されるアルケニル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルケニル基の炭素数は、2〜50であることが好ましく、2〜30であることがより好ましく、3〜20であることが更に好ましい。また、このアルケニル基は、更なる置換基を有していてもよい。   The alkenyl group represented by R may be linear or branched. The alkenyl group preferably has 2 to 50 carbon atoms, more preferably 2 to 30 carbon atoms, and still more preferably 3 to 20 carbon atoms. Moreover, this alkenyl group may have a further substituent.

このようなアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、及びスチリル基が挙げられる。また、アルケニル基が有し得る更なる置換基としては、例えば、アルキル基に導入可能な置換基として先に説明したものと同様のものが挙げられる。   Examples of such alkenyl groups include vinyl groups, allyl groups, and styryl groups. Further, examples of the further substituent that the alkenyl group may have include those described above as the substituent that can be introduced into the alkyl group.

Rにより表されるアルキニル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキニル基の炭素数は、2〜50であることが好ましく、2〜30であることがより好ましく、3〜20であることが更に好ましい。また、このアルキニル基は、更なる置換基を有していてもよい。   The alkynyl group represented by R may be linear or branched. The alkynyl group preferably has 2 to 50 carbon atoms, more preferably 2 to 30 carbon atoms, and still more preferably 3 to 20 carbon atoms. Moreover, this alkynyl group may have a further substituent.

このようなアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロピニル基、及びプロパルギル基が挙げられる。また、アルキニル基が有し得る更なる置換基としては、例えば、アルキル基に導入可能な置換基として先に説明したものと同様のものが挙げられる。   Examples of such alkynyl group include ethynyl group, propynyl group, and propargyl group. Further, examples of the further substituent that the alkynyl group may have include those described above as the substituent that can be introduced into the alkyl group.

Rにより表される置換カルボニル基は、一般式−CO−R013により表される基である。ここで、R013は、1価の非金属原子団からなる基である。 The substituted carbonyl group represented by R is a group represented by the general formula —CO—R 013 . Here, R 013 is a group consisting of a monovalent nonmetallic atomic group.

この置換カルボニル基としては、例えば、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、及びカルバモイル基が挙げられる。これら各基におけるアルキル基及びアリール基としては、例えば、Rにより表される基として先に説明したのと同様のものが挙げられる。   Examples of the substituted carbonyl group include a formyl group, an acyl group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, and a carbamoyl group. Examples of the alkyl group and aryl group in each of these groups include the same groups as those described above as the group represented by R.

Rにより表される置換スルホニル基は、一般式−SO−R011により表される基である。ここで、R011は、1価の非金属原子団からなる基である。 The substituted sulfonyl group represented by R is a group represented by the general formula —SO 2 —R 011 . Here, R 011 is a group consisting of a monovalent nonmetallic atomic group.

この置換スルホニル基としては、例えば、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、及び、スルファモイル基が挙げられる。スルファモイル基は、置換基を有していてもよく、置換基を有していなくてもよい。また、上記各基におけるアルキル基及びアリール基としては、例えば、Rにより表される基として先に説明したのと同様のものが挙げられる。   Examples of the substituted sulfonyl group include an alkylsulfonyl group, an arylsulfonyl group, and a sulfamoyl group. The sulfamoyl group may have a substituent or may not have a substituent. Moreover, as an alkyl group and an aryl group in each said group, the thing similar to what was demonstrated previously as a group represented by R is mentioned, for example.

一般式(I)における窒素原子を含んだ複素環は、芳香環であってもよく、非芳香環であってもよい。また、この複素環は、式中の窒素原子以外に、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子などのヘテロ原子を更に含んでいてもよい。加えて、この複素環は、上述した通り、単環式であってもよく、多環式であってもよい。   The heterocyclic ring containing a nitrogen atom in general formula (I) may be an aromatic ring or a non-aromatic ring. In addition to the nitrogen atom in the formula, the heterocycle may further contain a heteroatom such as a nitrogen atom, an oxygen atom and a sulfur atom. In addition, as described above, this heterocyclic ring may be monocyclic or polycyclic.

このような複素環としては、例えば、イミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、2H−ピロール環、3H−インドール環、1H−インダゾール、プリン環、イソキノリン環、4H-キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、プテリジン環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、ペリミジン環、トリアジン環、ベンズイソキノリン環、チアゾール環、チアジアジン環、アゼピン環、アゾシン環、イソチアゾール環、イソオキサゾール環、及びベンゾチアゾール環が挙げられる。中でも、ピリジン環又はキノリン環が特に好ましい。   Examples of such heterocycle include imidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, 2H-pyrrole ring, 3H-indole ring, 1H-indazole, purine ring, isoquinoline ring, 4H-quinolidine ring, Quinoline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, cinnoline ring, pteridine ring, phenanthridine ring, acridine ring, phenanthroline ring, phenazine ring, perimidine ring, triazine ring, benzisoquinoline ring, thiazole ring, thiadiazine ring , An azepine ring, an azocine ring, an isothiazole ring, an isoxazole ring, and a benzothiazole ring. Among these, a pyridine ring or a quinoline ring is particularly preferable.

は、上述した通り、置換基を表す。この置換基としては、例えば、先にRについて説明したのと同様のものが挙げられる。これら基は、置換基を更に有していてもよい。 S N represents a substituent as described above. Examples of this substituent include the same as those described above for R. These groups may further have a substituent.

mは、上述した通り、0以上の整数である。なお、mの上限値は、上記複素環を構成している原子のうち、置換基により置換されることが可能な原子の数に等しい。   As described above, m is an integer of 0 or more. The upper limit value of m is equal to the number of atoms that can be substituted with a substituent among the atoms constituting the heterocyclic ring.

は、アニオンを表す。Xにより表されるアニオンについては、後で詳しく説明する。 X represents an anion. X - by the anion represented, it will be described in detail later.

上記一般式(AZ)により表されるカチオンは、下記一般式(AZ−1)又は(AZ−2)により表されることが好ましい。即ち、一般式(AZ)における窒素原子を含んだ複素環は、6員環又は5員環を含んでいることが好ましい。

Figure 0005504130
The cation represented by the general formula (AZ) is preferably represented by the following general formula (AZ-1) or (AZ-2). That is, the heterocyclic ring containing a nitrogen atom in the general formula (AZ) preferably contains a 6-membered ring or a 5-membered ring.
Figure 0005504130

式中、
Aは、各々独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を表す。
Yは、各々独立に、置換基を表す。Yのうち少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。pは、0〜5の整数を表す。
Zは、各々独立に、置換基を表す。Zのうち少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。qは、0〜4の整数を表す。
Rは、一般式(AZ)におけるものと同義である。
Where
A represents a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom each independently.
Y each independently represents a substituent. At least two of Y may be bonded to each other to form a ring. p represents an integer of 0 to 5.
Z each independently represents a substituent. At least two of Z may be bonded to each other to form a ring. q represents an integer of 0 to 4.
R has the same meaning as in general formula (AZ).

一般式(AZ−1)及び(AZ−2)の双方において、Aのうち窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を表すものの数は、好ましくは0〜2とし、より好ましくは0又は1とする。   In both of the general formulas (AZ-1) and (AZ-2), the number of nitrogen atoms, oxygen atoms, or sulfur atoms in A is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1. .

Y及びZの具体例としては、先に一般式(AZ)におけるSについて説明したのと同様のものが挙げられる。また、Y及びZの各々は、それらの少なくとも2つが互いに結合して、環を形成していてもよい。即ち、一般式(AZ−1)又は(AZ−2)により表されるカチオンは、縮環構造を有していてもよい。 Specific examples of Y and Z include the same as those described above for SN in the general formula (AZ). Each of Y and Z may be bonded to each other to form a ring. That is, the cation represented by the general formula (AZ-1) or (AZ-2) may have a condensed ring structure.

Y又はZが互いに結合して形成し得る環は、芳香環であってもよく、非芳香環であってもよい。また、この環は、ヘテロ原子を含んだ複素環であってもよい。Y又はZが互いに結合して形成し得る環は、5〜7員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましく、6員環であることが特に好ましい。   The ring that can be formed by bonding Y or Z to each other may be an aromatic ring or a non-aromatic ring. Further, this ring may be a heterocycle containing a hetero atom. The ring that Y or Z may be bonded to each other is preferably a 5- to 7-membered ring, more preferably a 5- or 6-membered ring, and particularly preferably a 6-membered ring.

加えて、Y又はZが互いに結合して形成し得る環は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、先に一般式(AZ)におけるSについて説明したのと同様のものが挙げられる。 In addition, the ring that can be formed by bonding Y or Z to each other may have a substituent. Examples of this substituent include the same as those described above for S N in the general formula (AZ).

Aの少なくとも1つが窒素原子、酸素原子又は硫黄原子である場合、一般式(AZ−1)により表されるカチオンは、下記一般式(AZ−1A)又は(AZ−1B)により表されることがより好ましい。

Figure 0005504130
When at least one of A is a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, the cation represented by the general formula (AZ-1) is represented by the following general formula (AZ-1A) or (AZ-1B) Is more preferable.
Figure 0005504130

一般式(AZ−1A)及び(AZ−1B)中、Aは、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を表す。Y、p及びRは、一般式(AZ−1)における各々と同義である。   In general formulas (AZ-1A) and (AZ-1B), A represents a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom. Y, p, and R are synonymous with each other in the general formula (AZ-1).

Aの少なくとも1つが窒素原子、酸素原子又は硫黄原子である場合、一般式(AZ−2)により表されるカチオンは、下記一般式(AZ−2A)により表されることがより好ましい。

Figure 0005504130
When at least one of A is a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, the cation represented by the general formula (AZ-2) is more preferably represented by the following general formula (AZ-2A).
Figure 0005504130

一般式(AZ−2A)中、Aは、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を表す。Z、q、及びRは、一般式(AZ−2)における各々と同義である。   In General Formula (AZ-2A), A represents a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom. Z, q, and R are synonymous with each other in the general formula (AZ-2).

以下に、単環式又は多環式の含窒素複素環を含んだカチオン構造の具体例を挙げる。

Figure 0005504130
Specific examples of the cation structure containing a monocyclic or polycyclic nitrogen-containing heterocycle are given below.
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

一般式(AZ)により表されるカチオンは、例えば、J. AM. CHEM. SOC. 2004, 126, 14071-14078、又は、J. AM. CHEM. SOC. 2002, 124, 15225-15238に記載されている方法により合成することができる。   The cation represented by the general formula (AZ) is described in, for example, J. AM. CHEM. SOC. 2004, 126, 14071-14078 or J. AM. CHEM. SOC. 2002, 124, 15225-15238. It can be synthesized by the method.

繰り返し単位(A)は、活性光線又は放射線の照射により、樹脂(P)の側鎖に酸基を発生する構造を有していることが好ましい。このような構造を採用すると、発生した酸の拡散が更に抑制され、解像度及びパターン形状などを更に改善することが可能となる。   The repeating unit (A) preferably has a structure that generates an acid group in the side chain of the resin (P) upon irradiation with actinic rays or radiation. By adopting such a structure, the diffusion of the generated acid is further suppressed, and the resolution and pattern shape can be further improved.

繰り返し単位(A)は、下記一般式(I)又は一般式(II)により表される繰り返し単位であることが更に好ましい。

Figure 0005504130
The repeating unit (A) is more preferably a repeating unit represented by the following general formula (I) or general formula (II).
Figure 0005504130

一般式(I)において、R11、R12、R13は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基またはアルコキシカルボニル基を表す。
アルキル基は、置換基を有していてもよい直鎖状又は分岐状アルキル基であり、好ましくは置換基を有していてもよいメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基、ドデシル基など炭素数20以下のアルキル基が挙げられ、より好ましくは炭素数8以下のアルキル基、特に好ましくは炭素数3以下のアルキル基が挙げられる。
アルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記R11、R12及びR13におけるアルキル基と同様のものが好ましい。
In the general formula (I), R 11 , R 12 and R 13 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group.
The alkyl group is a linear or branched alkyl group which may have a substituent, preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or n-butyl which may have a substituent. Group, sec-butyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group, dodecyl group and the like, and an alkyl group having 20 or less carbon atoms, more preferably an alkyl group having 8 or less carbon atoms, particularly preferably 3 or less carbon atoms. Of the alkyl group.
As the alkyl group contained in the alkoxycarbonyl group, the same alkyl groups as those described above for R 11 , R 12 and R 13 are preferred.

シクロアルキル基としては、置換基を有していてもよい単環型又は多環型のシクロアルキル基が挙げられる。好ましくは置換基を有していてもよいシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数3〜8個で単環型のシクロアルキル基が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が特に好ましい。
Examples of the cycloalkyl group include monocyclic or polycyclic cycloalkyl groups which may have a substituent. Preferable examples include a monocyclic cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group which may have a substituent.
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.

上記各基における好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、R11〜R13で挙げたアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基が挙げられる。特に、水酸基、ハロゲン原子が好ましい。 Preferred substituents in each of the above groups include a hydroxyl group, a halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine), a nitro group, a cyano group, an amide group, a sulfonamide group, an alkyl group exemplified in R 11 to R 13 , and a methoxy group. , Alkoxy groups such as ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, hydroxypropoxy group and butoxy group, alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group, acyl groups such as formyl group, acetyl group and benzoyl group, acetoxy group , Acyloxy groups such as butyryloxy groups, and carboxy groups. In particular, a hydroxyl group and a halogen atom are preferable.

式(I)におけるR11、R12及びR13としては、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子がより好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基(−CF3)、ヒドロキシメチル基(−CH2−OH)、クロロメチル基(−CH2−Cl)、フッ素原子(−F)が特に好ましい。 R 11 , R 12 and R 13 in the formula (I) are more preferably a hydrogen atom, an alkyl group or a halogen atom, and a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a trifluoromethyl group (—CF 3 ) or a hydroxymethyl group (—CH 2 —OH), a chloromethyl group (—CH 2 —Cl), and a fluorine atom (—F) are particularly preferred.

11、X12、X13は、それぞれ独立に、単結合、−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子あるいはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。
−NR−において、Rにより表わされるアルキル基としては、置換基を有していてもよい直鎖状又は分岐状アルキル基であり、上記R11、R12、R13におけるアルキル基と同様の具体例が挙げられる。Rとして、水素原子、メチル基、エチル基が特に好ましい。
また、2価の窒素含有非芳香族複素環基とは、少なくとも1個の窒素原子を有する、好ましくは3〜8員の非芳香族複素環基を意味し、具体的には、例えば、下記構造の2価の連結基が挙げられる。

Figure 0005504130
X 11 , X 12 and X 13 are each independently a single bond, —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (R is a hydrogen atom or an alkyl group), divalent It represents a nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group or a group obtained by combining these.
In —NR—, the alkyl group represented by R is a linear or branched alkyl group which may have a substituent, and is the same as the alkyl group in R 11 , R 12 and R 13 above. An example is given. R is particularly preferably a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group.
In addition, the divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group means a non-aromatic heterocyclic group having at least one nitrogen atom, preferably 3 to 8 members, specifically, for example, Examples thereof include a divalent linking group having a structure.
Figure 0005504130

11が単結合である場合、R12はAr1と環を形成していてもよく、その場合のR12はアルキレン基を表わす。X11としては、単結合、−COO−、−CONR−(Rは水素原子あるいはアルキル基)がより好ましく、単結合、−COO−が特に好ましい。
12としては、単結合、−O−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子あるいはアルキル基)、および、これらを組み合わせた基がより好ましく、単結合、−OCO−、−OSO2−が特に好ましい。
13としては、単結合、−O−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子あるいはアルキル基)、および、これらを組み合わせた基がより好ましく、単結合、−OCO−、−OSO2−が特に好ましい。
When X 11 is a single bond, R 12 may form a ring with Ar 1, and R 12 in this case represents an alkylene group. X 11 is more preferably a single bond, —COO—, or —CONR— (where R is a hydrogen atom or an alkyl group), and particularly preferably a single bond or —COO—.
X 12 is more preferably a single bond, —O—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (wherein R is a hydrogen atom or an alkyl group), and a group obtained by combining these, a single bond, —OCO -, - OSO 2 - is particularly preferred.
X 13 is preferably a single bond, —O—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (wherein R is a hydrogen atom or an alkyl group), and a group obtained by combining these, more preferably a single bond, —OCO -, - OSO 2 - is particularly preferred.

11は、単結合、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、2価の芳香環基、又はこれらの2以上を組み合わせた基を表す。組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は同じであっても異なっていてもよく、また、連結基として−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子あるいはアルキル基)、2価
の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。
L 11 represents a single bond, an alkylene group, an alkenylene group, a cycloalkylene group, a divalent aromatic ring group, or a group obtained by combining two or more thereof. In the combined group, the 2 or more groups combined may be different even in the same, also, -O as a linking group -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NR- (R May be a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, or a combination thereof.

11におけるアルキレン基としては、直鎖状であっても分岐状であってもよく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1〜8個のアルキレン基が好ましい例として挙げられる。炭素数1〜6個のアルキレン基がより好ましく、炭素数1〜4個のアルキレン基が特に好ましい。 The alkylene group in L 11 may be linear or branched, and examples thereof include 1 to 8 carbon atoms such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group, and an octylene group. The alkylene group is a preferred example. An alkylene group having 1 to 6 carbon atoms is more preferable, and an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms is particularly preferable.

アルケニレン基としては上記L11で説明したアルキレン基の任意の位置に、二重結合を有する基が挙げられる。
シクロアルキレン基としては、単環型あるいは多環型のいずれであってもよく、例えば、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、ノルボルナニレン基、アダマンチレン基、ジアマンタニレン基等の炭素数3〜17のシクロアルキレン基が好ましい例として挙げられる。炭素数5〜12のシクロアルキレン基がより好ましく、炭素数6〜10のシクロアルキレン基が特に好ましい。
Examples of the alkenylene group include a group having a double bond at an arbitrary position of the alkylene group described in the above L 11 .
The cycloalkylene group may be monocyclic or polycyclic, for example, a carbon such as a cyclobutylene group, a cyclopentylene group, a cyclohexylene group, a norbornanylene group, an adamantylene group, a diamantanylene group, etc. A cycloalkylene group having a number of 3 to 17 is a preferred example. A cycloalkylene group having 5 to 12 carbon atoms is more preferable, and a cycloalkylene group having 6 to 10 carbon atoms is particularly preferable.

2価の芳香環基としては、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などの炭素数6〜14の置換基を有していてもよいアリーレン基、あるいは、例えば、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む2価の芳香環基を挙げることができる。   Examples of the divalent aromatic ring group include an arylene group optionally having a substituent having 6 to 14 carbon atoms such as a phenylene group, a tolylene group, and a naphthylene group, or, for example, thiophene, furan, pyrrole, benzo Mention may be made of divalent aromatic ring groups containing heterocycles such as thiophene, benzofuran, benzopyrrole, triazine, imidazole, benzimidazole, triazole, thiadiazole, thiazole and the like.

また、−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX11における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。
11としては、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基がより好ましく、単結合、アルキレン基が特に好ましい。
Specific examples of —NR— and the divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group include the same specific examples as in X 11 described above, and preferred examples are also the same.
L 11 is more preferably a single bond, an alkylene group or a cycloalkylene group, particularly preferably a single bond or an alkylene group.

12は、単結合、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、2価の芳香環基、またはこれらの2以上を組み合わせた基を表し、これらの基は、水素原子の一部または全部が、フッ素原子、フッ化アルキル基、ニトロ基、又はシアノ基から選択される置換基で置換されている。組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は同じであっても異なっていてもよく、また、連結基として−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子あるいはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。 L 12 represents a single bond, an alkylene group, an alkenylene group, a cycloalkylene group, a divalent aromatic ring group, or a group in which two or more of these are combined, and these groups include a part or all of hydrogen atoms, Substitution is made with a substituent selected from a fluorine atom, a fluorinated alkyl group, a nitro group, or a cyano group. In the combined group, the 2 or more groups combined may be different even in the same, also, -O as a linking group -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NR- (R May be a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, or a combination thereof.

12としては、水素原子の一部または全部が、フッ素原子又はフッ化アルキル基(より好ましくはペルフルオロアルキル基)で置換された、アルキレン基、2価の芳香環基、及びこれらを組み合わせた基がより好ましく、少なくとも一部または全部がフッ素原子で置換されたアルキレン基が特に好ましい。L12として、水素原子数の30〜100%がフッ素原子で置換されたアルキレン基が最も好ましい。 L 12 is an alkylene group, a divalent aromatic ring group, or a combination thereof, in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group (more preferably a perfluoroalkyl group). Are more preferable, and an alkylene group in which at least a part or all of them are substituted with fluorine atoms is particularly preferable. L 12 is most preferably an alkylene group in which 30 to 100% of the number of hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms.

12におけるアルキレン基としては、直鎖状であっても分岐状であってもよく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1〜8個のアルキレン基が好ましい例として挙げられる。炭素数1〜6個のアルキレン基がより好ましく、炭素数1〜4個のアルキレン基が特に好ましい。
アルケニレン基としては、上記アルキレン基の任意の位置に、二重結合を有する基が挙げられる。
The alkylene group for L 12 may be linear or branched, and examples thereof include 1 to 8 carbon atoms such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group, and an octylene group. The alkylene group is a preferred example. An alkylene group having 1 to 6 carbon atoms is more preferable, and an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms is particularly preferable.
The alkenylene group includes a group having a double bond at an arbitrary position of the alkylene group.

シクロアルキレン基としては、単環型あるいは多環型のいずれであってもよく、例えば、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、ノルボルナニレン基、アダマンチレン基、ジアマンタニレン基等の炭素数3〜17のシクロアルキレン基が好ましい例として挙げられる。   The cycloalkylene group may be monocyclic or polycyclic, for example, a carbon such as a cyclobutylene group, a cyclopentylene group, a cyclohexylene group, a norbornanylene group, an adamantylene group, a diamantanylene group, etc. A cycloalkylene group having a number of 3 to 17 is a preferred example.

2価の芳香環基としては、先に記載したL11における連結基としての2価の芳香環基において挙げた具体例と同様の基が挙げられる。
また、L12における連結基の−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX11における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。
以下に、L12の好ましい具体例を示すが、特にこれらに限定されない。

Figure 0005504130
Examples of the divalent aromatic ring group include the same groups as the specific examples given for the divalent aromatic ring group as the linking group in L 11 described above.
Specific examples of the linking group —NR— and the divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in L 12 include the same specific examples as in X 11 described above, and preferred examples are also the same.
Below, while indicating preferred embodiments of L 12, not particularly limited thereto.
Figure 0005504130

Ar1は、2価の芳香環基あるいは2価の芳香環基とアルキレン基とを組み合わせた基を表す。
2価の芳香環基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などの炭素数6〜18のアリーレン基、あるいは、例えば、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む2価の芳香環基を好ましい例として挙げることができる。
Ar 1 represents a divalent aromatic ring group or a combination of a divalent aromatic ring group and an alkylene group.
The divalent aromatic ring group may have a substituent, for example, an arylene group having 6 to 18 carbon atoms such as a phenylene group, a tolylene group, a naphthylene group, or a thiophene, furan, pyrrole, benzo Preferred examples include divalent aromatic ring groups containing a heterocycle such as thiophene, benzofuran, benzopyrrole, triazine, imidazole, benzimidazole, triazole, thiadiazole, and thiazole.

上記各基における好ましい置換基としてはR11〜R13で挙げたアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、フェニル基等のアリール基が挙げられる。 Preferred substituents in each of the above groups include alkyl groups, methoxy groups, ethoxy groups, hydroxyethoxy groups, propoxy groups, hydroxypropoxy groups, butoxy groups, etc., aryl groups such as phenyl groups, and the like mentioned for R 11 to R 13. Is mentioned.

2価の芳香環基とアルキレン基を組み合わせた基としては、上述した2価の芳香環基と、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1〜8個のアルキレン基(直鎖状であっても分岐状であってもよい)を組み合わせたアラルキレン基が好ましい例として挙げられる。   Examples of the group in which the divalent aromatic ring group and the alkylene group are combined include the above-described divalent aromatic ring group and, for example, 1 carbon atom such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group, and an octylene group. Preferred examples include aralkylene groups in which ˜8 alkylene groups (which may be linear or branched) are combined.

Ar1としては、置換基を有していてもよい炭素数6〜18のアリーレン基がより好ましく、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、フェニル基で置換されたフェニレン基が特に好ましい。 Ar 1 is more preferably an arylene group having 6 to 18 carbon atoms which may have a substituent, and particularly preferably a phenylene group substituted with a phenylene group, a naphthylene group, a biphenylene group or a phenyl group.

1は、活性光線又は放射線の照射により分解して酸基を発生するように構成され且つ単環式又は多環式の含窒素複素環を含んだカチオン構造を備えた構造部位を表す。このカチオン構造は、アジニウムカチオンを含んでいることが好ましい。また、このカチオン構造は、上記一般式(AZ)により表されることも好ましい。
1が発生し得る酸基は、スルホン酸基、イミド酸基、又はメチド酸基であることが好ましい。より具体的には、Zは、下記一般式(ZI)、(ZII)、又は(ZIII)により表されることが好ましい。

Figure 0005504130
Z 1 represents a structural moiety that is configured to generate an acid group by being decomposed by irradiation with an actinic ray or radiation, and has a cationic structure including a monocyclic or polycyclic nitrogen-containing heterocyclic ring. This cation structure preferably contains an azinium cation. Moreover, it is also preferable that this cation structure is represented by the said general formula (AZ).
The acid group capable of generating Z 1 is preferably a sulfonic acid group, an imido acid group, or a methido acid group. More specifically, Z 1 is preferably represented by the following general formula (ZI), (ZII), or (ZIII).
Figure 0005504130

一般式(ZII)及び(ZIII)中、Z1、Z2、Z3、Z4、Z5は、各々独立に、−CO−又は−SO2−を表し、より好ましくは、−SO2−である。
Rz1、Rz2、Rz3は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基を表す。これらの基は、水素原子の一部または全部がフッ素原子又はフルオロアルキル基(より好ましくはペルフルオロアルキル基)で置換された態様がより好ましく、水素原子数の30〜100%がフッ素原子で置換された態様が特に好ましい。
In the general formulas (ZII) and (ZIII), Z 1 , Z 2 , Z 3 , Z 4 and Z 5 each independently represent —CO— or —SO 2 —, more preferably —SO 2 —. It is.
Rz 1, Rz 2, Rz 3 independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group. In these groups, an embodiment in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms or fluoroalkyl groups (more preferably perfluoroalkyl groups) is more preferable, and 30 to 100% of the number of hydrogen atoms is substituted with fluorine atoms. The embodiment is particularly preferred.

上記アルキル基としては、直鎖状であっても分岐状であってもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基等の炭素数1〜8個のアルキル基が好ましい例として挙げられる。炭素数1〜6個のアルキル基がより好ましく、炭素数1〜4個のアルキル基が特に好ましい。
シクロアルキル基としては、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基など炭素数3〜10のシクロアルキル基が好ましく、炭素数3〜6のシクロアルキル基がより好ましい。
The alkyl group may be linear or branched. For example, an alkyl having 1 to 8 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a hexyl group, and an octyl group. A group is mentioned as a preferred example. An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is more preferable, and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is particularly preferable.
As the cycloalkyl group, for example, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms such as a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group is preferable, and a cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms is more preferable.

アリール基としては、炭素数6〜18のアリール基が好ましく、炭素数6〜10のアリール基がより好ましく、フェニル基が特に好ましい。
アラルキル基としては、炭素数1〜8のアルキレン基と上記アリール基が結合したアラルキル基が好ましい例として挙げられる。炭素数1〜6のアルキレン基と上記アリール基が結合したアラルキル基がより好ましく、炭素数1〜4のアルキレン基と上記アリール基が結合したアラルキル基が特に好ましい。
As the aryl group, an aryl group having 6 to 18 carbon atoms is preferable, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms is more preferable, and a phenyl group is particularly preferable.
Preferred examples of the aralkyl group include an aralkyl group in which an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms and the aryl group are bonded. An aralkyl group in which an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms and the aryl group are bonded is more preferable, and an aralkyl group in which an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and the aryl group are bonded is particularly preferable.

Rz1、Rz2、Rz3としては、水素原子の一部または全部がフッ素原子又はフルオロアルキル基(より好ましくはペルフルオロアルキル基)で置換されたアルキル基がより好ましく、水素原子数の30〜100%がフッ素原子で置換されたアルキル基が特に好ましい。 Rz 1 , Rz 2 , and Rz 3 are more preferably alkyl groups in which some or all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms or fluoroalkyl groups (more preferably perfluoroalkyl groups), and 30 to 100 hydrogen atoms. Alkyl groups in which% is substituted with fluorine atoms are particularly preferred.

上記一般式(ZI)〜(ZIII)において、Aは、先に説明した単環式又は多環式の含窒素複素環を含んだカチオン構造を表す。Aは、上述したアジニウムカチオンを含んでいることが好ましい。 In the above general formulas (ZI) to (ZIII), A + represents a cation structure containing the monocyclic or polycyclic nitrogen-containing heterocycle described above. A + preferably contains the above-described azinium cation.

また、Aは、上記一般式(AZ)により表されることも好ましい。即ち、Zは、下記一般式(ZI−A)、(ZII−A)又は(ZIII−A)により表されることが更に好ましい。

Figure 0005504130
A + is also preferably represented by the general formula (AZ). That is, Z 1 is more preferably represented by the following general formula (ZI-A), (ZII-A) or (ZIII-A).
Figure 0005504130

式中、
R、S、及びmは、一般式(AZ)における各々と同義である。
、Z、Z、Z、Z、Rz、Rz、及びRzは、一般式(ZII)及び(ZIII)における各々と同義である。
Where
R, S N , and m are as defined in general formula (AZ).
Z 1 , Z 2 , Z 3 , Z 4 , Z 5 , Rz 1 , Rz 2 , and Rz 3 are as defined in general formulas (ZII) and (ZIII).

一般式(I)の繰り返し単位に対応する重合性モノマー単位について、活性光線又は放射線の照射によりカチオンが離脱して酸を生成した後の構造として、以下に例示する。

Figure 0005504130
Examples of the polymerizable monomer unit corresponding to the repeating unit of the general formula (I) are shown below as structures after the cations are released by irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid.
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

次に、一般式(II)について説明する。
一般式(II)において、R21、R22、R23は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシカルボニル基を表す。
アルキル基は、置換基を有していてもよい直鎖状又は分岐状アルキル基であり、好ましくは置換基を有していてもよいメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基、ドデシル基など炭素数20以下のアルキル基が挙げられ、より好ましくは炭素数8以下のアルキル基、特に好ましくは炭素数3以下のアルキル基が挙げられる。
Next, general formula (II) will be described.
In the general formula (II), R 21 , R 22 and R 23 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group.
The alkyl group is a linear or branched alkyl group which may have a substituent, preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or n-butyl which may have a substituent. Group, sec-butyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group, dodecyl group and the like, and an alkyl group having 20 or less carbon atoms, more preferably an alkyl group having 8 or less carbon atoms, particularly preferably 3 or less carbon atoms. Of the alkyl group.

アルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記R21、R22およびR23におけるアルキル基と同様のものが好ましい。 As the alkyl group contained in the alkoxycarbonyl group, the same alkyl groups as those described above for R 21 , R 22 and R 23 are preferable.

シクロアルキル基としては、置換基を有していてもよい単環型又は多環型のシクロアルキル基が挙げられる。好ましくは置換基を有していてもよいシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数3〜8個で単環型のシクロアルキル基が挙げられる。   Examples of the cycloalkyl group include monocyclic or polycyclic cycloalkyl groups which may have a substituent. Preferable examples include a monocyclic cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group which may have a substituent.

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が特に好ましい。   Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.

上記各基が有していてもよい好ましい置換基としては、先にR11、R12及びR13について説明したのと同様のものが挙げられる。 Preferable substituents that each of the above groups may have include the same substituents as those described above for R 11 , R 12 and R 13 .

式(II)におけるR21、R22及びR23としては、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子がより好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基(−CF3)、ヒドロキシメチル基(−CH2−OH)、クロロメチル基(−CH2−Cl)、フッ素原子(−F)が特に好ましい。 R 21 , R 22 and R 23 in the formula (II) are more preferably a hydrogen atom, an alkyl group or a halogen atom, and a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a trifluoromethyl group (—CF 3 ) or a hydroxymethyl group (—CH 2 —OH), a chloromethyl group (—CH 2 —Cl), and a fluorine atom (—F) are particularly preferred.

21は、−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子あるいはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。 X 21 represents —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (R represents a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, or these Represents a combined group.

−NR−において、Rにより表わされるアルキル基としては、置換基を有していてもよい直鎖状又は分岐状アルキル基であり、上記R21、R22、R23におけるアルキル基と同様の具体例が挙げられる。Rとして、水素原子、メチル基、エチル基が特に好ましい。 In —NR—, the alkyl group represented by R is a linear or branched alkyl group which may have a substituent, and is the same as the alkyl group in R 21 , R 22 and R 23 above. An example is given. R is particularly preferably a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group.

また、2価の窒素含有非芳香族複素環基とは、少なくとも1個の窒素原子を有する、好ましくは3〜8員の非芳香族複素環基を意味し、具体的には、上述した一般式(I)におけるX11〜X13において例示した構造が挙げられる。 In addition, the divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group means a non-aromatic heterocyclic group having at least one nitrogen atom, preferably 3 to 8 members. The structure illustrated in X < 11 > -X < 13 > in Formula (I) is mentioned.

21としては、−O−、−CO−、−NR−(Rは水素原子あるいはアルキル基)、又は、これらを組み合わせた基がより好ましく、−COO−、−CONR−(Rは水素原子あるいはアルキル基)が特に好ましい。 X 21 is more preferably —O—, —CO—, —NR— (R is a hydrogen atom or an alkyl group), or a combination thereof, —COO—, —CONR— (R is a hydrogen atom or Alkyl groups) are particularly preferred.

21は、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基またはこれらの2以上を組み合わせた基を表す。組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は同じであっても異なっていてもよく、また、連結基として−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子あるいはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、2価の芳香環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。 L 21 represents an alkylene group, an alkenylene group, a cycloalkylene group, or a group obtained by combining two or more thereof. In the combined group, the 2 or more groups combined may be different even in the same, also, -O as a linking group -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NR- (R Is a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, a divalent aromatic ring group, or a combination thereof.

21におけるアルキレン基としては、例えば、先にL11について説明したのと同様のものが挙げられる。 Examples of the alkylene group for L 21 include the same as those described above for L 11 .

アルケニレン基としては上記L21で説明したアルキレン基の任意の位置に、二重結合を有する基が挙げられる。 Examples of the alkenylene group include a group having a double bond at an arbitrary position of the alkylene group described above for L 21 .

シクロアルキレン基としては、例えば、先にL11について説明したのと同様のものが挙げられる。 Examples of the cycloalkylene group include the same as those described above for L 11 .

連結基としての2価の芳香環基としては、例えば、先にL11について説明したのと同様のものが挙げられる。 Examples of the divalent aromatic ring group as the linking group include those similar to those described above for L 11 .

21としては、アルキレン基、シクロアルキレン基、あるいは−OCO−、−O−、−CONH−を介してアルキレン基、シクロアルキレン基(例えば、−アルキレン基−O−アルキレン基−、−アルキレン基−OCO−アルキレン基−、シクロアルキレン基−O−アルキレン基−、−アルキレン基−CONH−アルキレン基−等)が特に好ましい。 L 21 represents an alkylene group, a cycloalkylene group, or an alkylene group, a cycloalkylene group (for example, -alkylene group-O-alkylene group-, -alkylene group- through -OCO-, -O-, -CONH-). OCO-alkylene group-, cycloalkylene group-O-alkylene group-, -alkylene group-CONH-alkylene group- and the like are particularly preferable.

22、X23は、それぞれ独立に、単結合、−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子あるいはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。
22、X23における−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX21における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。
22としては、単結合、−S−、−O−、−CO−、−SO2−、および、これらを組み合わせた基がより好ましく、単結合、−S−、−OCO−、−OSO2−が特に好ましい。
23としては、−O−、−CO−、−SO2−、および、これらを組み合わせた基がより好ましく、−OSO2−が特に好ましい。
X 22 and X 23 are each independently a single bond, —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (wherein R is a hydrogen atom or an alkyl group), divalent nitrogen-containing non- An aromatic heterocyclic group or a group obtained by combining them is represented.
Specific examples of —NR— and divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in X 22 and X 23 are the same as those in X 21 described above, and preferred examples are also the same.
X 22 is more preferably a single bond, —S—, —O—, —CO—, —SO 2 —, or a combination thereof, and is preferably a single bond, —S—, —OCO—, —OSO 2. -Is particularly preferred.
X 23 is more preferably —O—, —CO—, —SO 2 —, or a group obtained by combining these, and particularly preferably —OSO 2 —.

Ar2は、2価の芳香環基あるいは2価の芳香環基とアルキレン基を組み合わせた基を表す。
2価の芳香環基は、置換基を有していても良く、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などの炭素数6〜18のアリーレン基、あるいは、例えば、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む2価の芳香環基を好ましい例として挙げることができる。
Ar 2 represents a divalent aromatic ring group or a combination of a divalent aromatic ring group and an alkylene group.
The divalent aromatic ring group may have a substituent, for example, an arylene group having 6 to 18 carbon atoms such as a phenylene group, a tolylene group, a naphthylene group, or a thiophene, furan, pyrrole, benzo Preferred examples include divalent aromatic ring groups containing a heterocycle such as thiophene, benzofuran, benzopyrrole, triazine, imidazole, benzimidazole, triazole, thiadiazole, and thiazole.

上記各基における好ましい置換基としてはR21〜R23で挙げたアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、フェニル基等のアリール基が挙げられる。 Preferred substituents in each of the above groups are alkyl groups, methoxy groups, ethoxy groups, hydroxyethoxy groups, propoxy groups, hydroxypropoxy groups, butoxy groups, etc., aryl groups, such as phenyl groups, and the like mentioned for R 21 to R 23. Is mentioned.

2価の芳香環基とアルキレン基を組み合わせた基としては、上述した2価の芳香環基と、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1〜8個のアルキレン基(直鎖状であっても分岐状であってもよい)を組み合わせたアラルキレン基が好ましい例として挙げられる。   Examples of the group in which the divalent aromatic ring group and the alkylene group are combined include the above-described divalent aromatic ring group and, for example, 1 carbon atom such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group, and an octylene group. Preferred examples include aralkylene groups in which ˜8 alkylene groups (which may be linear or branched) are combined.

Ar2としては、置換基を有していてもよい炭素数6〜18のアリーレン基、炭素数6〜18のアリーレン基と炭素数1〜4のアルキレンを組み合わせたアラルキレン基がより好ましく、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、フェニル基で置換されたフェニレン基が特に好ましい。 Ar 2 is preferably an arylene group having 6 to 18 carbon atoms which may have a substituent, an aralkylene group in which an arylene group having 6 to 18 carbon atoms and an alkylene having 1 to 4 carbon atoms are combined, and is preferably a phenylene group A phenylene group substituted with a naphthylene group, a biphenylene group or a phenyl group is particularly preferred.

22は、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、2価の芳香環基、またはこれらの2以上を組み合わせた基を表し、これらの基は、水素原子の一部または全部が、フッ素原子、フッ化アルキル基、ニトロ基、又はシアノ基から選択される置換基で置換されている。組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は同じであっても異なっていてもよく、また、連結基として−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子あるいはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。 L 22 represents an alkylene group, an alkenylene group, a cycloalkylene group, a divalent aromatic ring group, or a group in which two or more of these are combined, and these groups each include a part or all of hydrogen atoms, a fluorine atom, Substitution with a substituent selected from a fluorinated alkyl group, a nitro group, or a cyano group. In the combined group, the 2 or more groups combined may be different even in the same, also, -O as a linking group -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NR- (R May be a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, or a combination thereof.

22としては、水素原子の一部または全部が、フッ素原子又はフッ化アルキル基(より好ましくはペルフルオロアルキル基)で置換された、アルキレン基、2価の芳香環基、及びこれらを組み合わせた基がより好ましく、少なくとも一部または全部がフッ素原子で置換された、アルキレン基、2価の芳香環基が特に好ましい。L22として、水素原子数の30〜100%がフッ素原子で置換されたアルキレン基、2価の芳香環基が最も好ましい。 L 22 is an alkylene group, a divalent aromatic ring group, or a combination of these, in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group (more preferably a perfluoroalkyl group). Are more preferable, and an alkylene group and a divalent aromatic ring group, in which at least a part or all of them are substituted with a fluorine atom, are particularly preferable. L 22 is most preferably an alkylene group or a divalent aromatic ring group in which 30 to 100% of the number of hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms.

22におけるアルキレン基としては、例えば、先にL11について説明したのと同様のものが挙げられる。 Examples of the alkylene group for L 22 include the same as those described above for L 11 .

アルケニレン基としては、上記アルキレン基の任意の位置に、二重結合を有する基が挙げられる。   The alkenylene group includes a group having a double bond at an arbitrary position of the alkylene group.

シクロアルキレン基としては、単環型あるいは多環型のいずれであっても良く、例えば、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、ノルボルナニレン基、アダマンチレン基、ジアマンタニレン基等の炭素数3〜17のシクロアルキレン基が好ましい例として挙げられる。
2価の芳香環基としては、先に記載したL21における連結基としての2価の芳香環基において挙げた具体例と同様の基が挙げられる。
The cycloalkylene group may be monocyclic or polycyclic, for example, a carbon such as a cyclobutylene group, a cyclopentylene group, a cyclohexylene group, a norbornanylene group, an adamantylene group, or a diamantylene group. A cycloalkylene group having a number of 3 to 17 is a preferred example.
Examples of the divalent aromatic ring group include the same groups as the specific examples described for the divalent aromatic ring group as the linking group in L 21 described above.

また、L22における連結基の−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX21における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。
22の好ましい具体例としては、上述した一般式(I)におけるL12において例示した構造が挙げられる。
Specific examples of the linking group —NR— and the divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in L 22 include the same specific examples as those in X 21 described above, and preferred examples are also the same.
Preferable specific examples of L 22 include the structures exemplified for L 12 in the above general formula (I).

2は一般式(I)におけるZと同義であり、Zについての上記説明がZ2についても当てはまる。 Z 2 has the same meaning as Z 1 in the general formula (I), the above description of Z 1 is true for Z 2.

一般式(II)の繰り返し単位に対応する重合性モノマー単位について、活性光線又は放射線の照射によりカチオンが離脱して酸を生成した後の構造として、以下に例示する。

Figure 0005504130
Examples of the polymerizable monomer unit corresponding to the repeating unit of the general formula (II) are shown below as structures after the cations are released by irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid.
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

また、繰り返し単位(A)は、他の態様において、一般式(I)あるいは一般式(II)以外で表される、該酸アニオンの対カチオンを除く前記側鎖に芳香環を含有する繰り返し単位であってもよい。
このような繰り返し単位(A)に対応する重合性モノマー単位について、活性光線又は放射線の照射によりカチオンが離脱して酸を生成した後の構造として、以下に例示する。

Figure 0005504130
Further, in another embodiment, the repeating unit (A) is a repeating unit containing an aromatic ring in the side chain excluding the counter anion of the acid anion represented by the general formula (I) or other than the general formula (II). It may be.
The polymerizable monomer unit corresponding to such a repeating unit (A) is exemplified below as a structure after the cation is released by generation of an actinic ray or radiation to generate an acid.
Figure 0005504130

繰り返し単位(A)としては、一般式(III)で表されることも好ましい。

Figure 0005504130
The repeating unit (A) is also preferably represented by the general formula (III).
Figure 0005504130

一般式(III)において、R31、R32、R33は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシカルボニル基を表す。
アルキル基は、置換基を有していてもよい直鎖状又は分岐状アルキル基であり、好ましくは置換基を有していてもよいメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基、ドデシル基など炭素数20以下のアルキル基が挙げられ、より好ましくは炭素数8以下のアルキル基、特に好ましくは炭素数3以下のアルキル基が挙げられる。
In the general formula (III), R 31 , R 32 and R 33 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group.
The alkyl group is a linear or branched alkyl group which may have a substituent, preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or n-butyl which may have a substituent. Group, sec-butyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group, dodecyl group and the like, and an alkyl group having 20 or less carbon atoms, more preferably an alkyl group having 8 or less carbon atoms, particularly preferably 3 or less carbon atoms. Of the alkyl group.

アルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記R31、R32およびR33におけるアルキル基と同様のものが好ましい。 As the alkyl group contained in the alkoxycarbonyl group, the same alkyl groups as those described above for R 31 , R 32 and R 33 are preferable.

シクロアルキル基としては、置換基を有していてもよい単環型又は多環型の脂肪族炭化水素環基が挙げられる。好ましくは置換基を有していてもよいシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数3〜8個で単環型のシクロアルキル基が挙げられる。   Examples of the cycloalkyl group include a monocyclic or polycyclic aliphatic hydrocarbon ring group which may have a substituent. Preferable examples include a monocyclic cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group which may have a substituent.

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が特に好ましい。   Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.

上記各基が有していてもよい好ましい置換基としては、先にR11、R12及びR13について説明したのと同様のものが挙げられる。 Preferable substituents that each of the above groups may have include the same substituents as those described above for R 11 , R 12 and R 13 .

式(III)におけるR31、R32及びR33としては、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子がより好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基(−CF3)、ヒドロキシメチル基(−CH2−OH)、クロロメチル基(−CH2−Cl)、フッ素原子(−F)が特に好ましい。 R 31 , R 32 and R 33 in the formula (III) are more preferably a hydrogen atom, an alkyl group or a halogen atom, a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a trifluoromethyl group (—CF 3 ) or a hydroxymethyl group. (—CH 2 —OH), a chloromethyl group (—CH 2 —Cl), and a fluorine atom (—F) are particularly preferred.

31、X32は、各々独立に、単結合、−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子あるいはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を表す。 X 31 and X 32 are each independently a single bond, —O—, —S—, —CO—, —SO 2 —, —NR— (wherein R is a hydrogen atom or an alkyl group), divalent nitrogen-containing non- An aromatic heterocyclic group or a group obtained by combining them is represented.

−NR−において、Rにより表わされるアルキル基としては、置換基を有していてもよい直鎖状又は分岐状アルキル基であり、上記R31、R32、R33におけるアルキル基と同様の具体例が挙げられる。Rとして、水素原子、メチル基、エチル基が特に好ましい。
また、2価の窒素含有非芳香族複素環基とは、少なくとも1個の窒素原子を有する、好ましくは3〜8員の非芳香族複素環基を意味し、具体的には、上述した一般式(I)におけるX11〜X13において例示した構造が挙げられる。
In —NR—, the alkyl group represented by R is a linear or branched alkyl group which may have a substituent, and is the same as the alkyl group in R 31 , R 32 and R 33 above. An example is given. R is particularly preferably a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group.
In addition, the divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group means a non-aromatic heterocyclic group having at least one nitrogen atom, preferably 3 to 8 members. The structure illustrated in X < 11 > -X < 13 > in Formula (I) is mentioned.

31としては、単結合、−O−、−CO−、−NR−(Rは水素原子あるいはアルキル基)、又は、これらを組み合わせた基がより好ましく、−COO−、−CONR−(Rは水素原子あるいはアルキル基)が特に好ましい。 X 31 is preferably a single bond, —O—, —CO—, —NR— (wherein R is a hydrogen atom or an alkyl group), or a combination thereof, and —COO—, —CONR— (R is Particularly preferred is a hydrogen atom or an alkyl group.

32としては、単結合、−O−、−CO−、−SO2−、2価の窒素含有非芳香族複素
環基、および、これらを組み合わせた基がより好ましく、単結合、−OCO−、−OSO2−、2価の窒素含有非芳香族複素環基と−SO2−を組み合わせた基が特に好ましい。
31は、単結合、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基またはこれらの2以上を組み合わせた基を表す。組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は同じであっても異なっていてもよく、また、連結基として−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子あるいはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。
X 32 is more preferably a single bond, —O—, —CO—, —SO 2 —, a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, or a group obtained by combining these, a single bond, —OCO— , —OSO 2 —, a combination of a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group and —SO 2 — is particularly preferable.
L 31 represents a single bond, an alkylene group, an alkenylene group, a cycloalkylene group, or a group obtained by combining two or more thereof. In the combined group, the 2 or more groups combined may be different even in the same, also, -O as a linking group -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NR- (R May be a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, or a combination thereof.

31におけるアルキレン基としては、例えば、先にL11について説明したのと同様のものが挙げられる。
アルケニレン基としては上記L31で説明したアルキレン基の任意の位置に、二重結合を有する基が挙げられる。
Examples of the alkylene group for L 31 include the same as those described above for L 11 .
Examples of the alkenylene group include a group having a double bond at an arbitrary position of the alkylene group described above for L 31 .

シクロアルキレン基としては、例えば、先にL11について説明したのと同様のものが挙げられる。 Examples of the cycloalkylene group include the same as those described above for L 11 .

また、−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX31における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。 Specific examples of —NR— and the divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group include the same specific examples as in X 31 described above, and preferred examples are also the same.

31としては、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、あるいは−OCO−、−O−、−CONH−を介してアルキレン基、シクロアルキレン基を組み合わせた基(例えば、−アルキレン基−O−アルキレン基−、−アルキレン基−OCO−アルキレン基−、シクロアルキレン基−O−アルキレン基−、−アルキレン基−CONH−アルキレン基−等)が特に好ましい。 L 31 is a single bond, an alkylene group, a cycloalkylene group, or a group in which an alkylene group or a cycloalkylene group is combined through —OCO—, —O—, or —CONH— (for example, an —alkylene group—O-alkylene group). Group-, -alkylene group-OCO-alkylene group-, cycloalkylene group-O-alkylene group-, -alkylene group-CONH-alkylene group- and the like are particularly preferable.

32は、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、またはこれらの2以上を組み合わせた基を表し、これらの基は、水素原子の一部または全部が、フッ素原子、フッ化アルキル基、ニトロ基、又はシアノ基から選択される置換基で置換されている。組み合わせた基において、組み合わされる2以上の基は同じであっても異なっていてもよく、また、連結基として−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NR−(Rは水素原子あるいはアルキル基)、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又は、これらを組み合わせた基を介して連結されていてもよい。 L 32 represents an alkylene group, an alkenylene group, a cycloalkylene group, or a group in which two or more of these are combined, and these groups are such that a part or all of the hydrogen atoms are fluorine atoms, fluorinated alkyl groups, nitro groups. Or a substituent selected from a cyano group. In the combined group, the 2 or more groups combined may be different even in the same, also, -O as a linking group -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NR- (R May be a hydrogen atom or an alkyl group), a divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group, or a combination thereof.

32としては、水素原子の一部または全部が、フッ素原子又はフッ化アルキル基(より好ましくはペルフルオロアルキル基)で置換された、アルキレン基がより好ましく、水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された、アルキレン基が特に好ましい。L32として、水素原子数の30〜100%がフッ素原子で置換されたアルキレン基が最も好ましい。 L 32 is more preferably an alkylene group in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group (more preferably a perfluoroalkyl group), and part or all of the hydrogen atoms are fluorine atoms. An alkylene group substituted with is particularly preferred. L 32 is most preferably an alkylene group in which 30 to 100% of the number of hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms.

32におけるアルキレン基としては、例えば、先にL11について説明したのと同様のものが挙げられる。
アルケニレン基としては、上記アルキレン基の任意の位置に、二重結合を有する基が挙げられる。
Examples of the alkylene group for L 32 include the same as those described above for L 11 .
The alkenylene group includes a group having a double bond at an arbitrary position of the alkylene group.

シクロアルキレン基としては、単環型あるいは多環型のいずれであっても良く、例えば、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、ノルボルナニレン基、アダマンチレン基、ジアマンタニレン基等の炭素数3〜17のシクロアルキレン基が好ましい例として挙げられる。
また、L32における連結基の−NR−及び2価の窒素含有非芳香族複素環基としては、上述したX31における各々と同様の具体例が挙げられ、好ましい例も同様である。
32の好ましい具体例としては、上述した一般式(I)におけるL12において例示した構造が挙げられる。
The cycloalkylene group may be monocyclic or polycyclic, for example, a carbon such as a cyclobutylene group, a cyclopentylene group, a cyclohexylene group, a norbornanylene group, an adamantylene group, or a diamantylene group. A cycloalkylene group having a number of 3 to 17 is a preferred example.
Specific examples of the —NR— linking group and divalent nitrogen-containing non-aromatic heterocyclic group in L 32 include the same specific examples as in X 31 described above, and preferred examples are also the same.
Preferable specific examples of L 32 include the structures exemplified for L 12 in the general formula (I) described above.

3は一般式(I)におけるZと同義であり、Zについての上記説明がZについても当てはまる。 Z 3 has the same meaning as Z 1 in the general formula (I), the above description of Z 1 is true for Z 3.

一般式(III)の繰り返し単位に対応する重合性モノマー単位について、活性光線又は放射線の照射によりカチオンが離脱して酸を生成した後の構造として、以下に例示する。

Figure 0005504130
The polymerizable monomer unit corresponding to the repeating unit of the general formula (III) is exemplified below as a structure after the cations are released by irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid.
Figure 0005504130

繰り返し単位(A)に対応する重合性化合物(M)は、例えば、以下のようにして合成する。まず、酸基を備えた重合性化合物のリチウム、ナトリウム又はカリウム塩と、単環式又は多環式の含窒素複素環を含んだカチオンの水酸化物、臭化物又は塩化物とを準備する。次に、これらを、塩交換法又はイオン交換樹脂を用いた方法により反応させる。このようにして、繰り返し単位(A)に対応する重合性化合物を得る。
なお、酸基を備えた重合性化合物は、例えば、一般的なスルホン酸エステル化反応又はスルホンアミド化反応により合成することができる。より具体的には、例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を、選択的にアミン及びアルコールなどと反応させて、スルホンアミド結合又はスルホン酸エステル結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法が挙げられる。或いは、環状スルホン酸無水物を、アミン又はアルコールにより開環させる方法により得ることもできる。或いは、US5554664号明細書、J.Fluorine Chem. 105(2000)129−136、又はJ.Fluorine Chem. 116(2002)45−48に記載されている方法を用いても容易に合成することができる。
The polymerizable compound (M) corresponding to the repeating unit (A) is synthesized, for example, as follows. First, a lithium, sodium or potassium salt of a polymerizable compound having an acid group and a cation hydroxide, bromide or chloride containing a monocyclic or polycyclic nitrogen-containing heterocycle are prepared. Next, these are reacted by a salt exchange method or a method using an ion exchange resin. In this way, a polymerizable compound corresponding to the repeating unit (A) is obtained.
The polymerizable compound having an acid group can be synthesized, for example, by a general sulfonic acid esterification reaction or sulfonamidation reaction. More specifically, for example, after selectively reacting one sulfonyl halide part of a bissulfonyl halide compound with an amine and an alcohol to form a sulfonamide bond or a sulfonate ester bond, the other sulfonyl halide part is formed. The method of hydrolyzing a part is mentioned. Alternatively, the cyclic sulfonic acid anhydride can be obtained by a method of opening a ring with an amine or an alcohol. Alternatively, US Pat. Fluorine Chem. 105 (2000) 129-136; Fluorine Chem. 116 (2002) 45-48 can also be easily synthesized.

以下に、繰り返し単位(A)に対応する重合性化合物(M)の具体例を、カチオン構造とアニオン構造との組み合わせとして、下記表1に示す。

Figure 0005504130
Specific examples of the polymerizable compound (M) corresponding to the repeating unit (A) are shown in Table 1 below as combinations of a cation structure and an anion structure.
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

樹脂(P)は、繰り返し単位(A)を1種類だけ含んでいてもよく、繰り返し単位(A)を2種類以上含んでいてもよい。   Resin (P) may contain only 1 type of repeating unit (A), and may contain 2 or more types of repeating unit (A).

樹脂(P)中の繰り返し単位(A)の含有率は、全繰り返し単位に対して、0.5〜80モル%の範囲が好ましく、より好ましくは1〜60モル%の範囲であり、さらに好ましくは3〜40モル%の範囲である。   The content of the repeating unit (A) in the resin (P) is preferably in the range of 0.5 to 80 mol%, more preferably in the range of 1 to 60 mol%, even more preferably with respect to all the repeating units. Is in the range of 3-40 mol%.

〔繰り返し単位(B)〕
樹脂(P)は、繰り返し単位(A)とは異なる、酸の作用により分解して、アルカリ可溶性基を発生する繰り返し単位(B)(以下、「酸分解性基を有する繰り返し単位」と称することがある)を有していてもよい。
[Repeating unit (B)]
The resin (P) is different from the repeating unit (A) and is decomposed by the action of an acid to generate an alkali-soluble group (B) (hereinafter referred to as “a repeating unit having an acid-decomposable group”). May have).

アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基、トリス(アルキルスルホニル)メチレン基等が挙げられる。   Alkali-soluble groups include phenolic hydroxyl groups, carboxyl groups, fluorinated alcohol groups, sulfonic acid groups, sulfonamido groups, sulfonylimide groups, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) methylene groups, (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) imides. Group, bis (alkylcarbonyl) methylene group, bis (alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylsulfonyl) methylene group, bis (alkylsulfonyl) imide group, tris (alkylcarbonyl) methylene group, tris (alkylsulfonyl) methylene group, etc. Is mentioned.

好ましいアルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基(好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール)、スルホン酸基が挙げられる。   Preferred alkali-soluble groups include phenolic hydroxyl groups, carboxyl groups, fluorinated alcohol groups (preferably hexafluoroisopropanol), and sulfonic acid groups.

酸分解性基として好ましい基は、これらのアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。   A preferable group as the acid-decomposable group is a group obtained by substituting the hydrogen atom of these alkali-soluble groups with a group capable of leaving with an acid.

酸で脱離する基としては、例えば、−C(R36)(R37)(R38)、−C(R36)(R37)(OR39)、−C(R01)(R02)(OR39)等を挙げることができる。 As the acid eliminable group, there can be, for example, -C (R 36) (R 37) (R 38), - C (R 36) (R 37) (OR 39), - C (R 01) (R 02 ) (OR 39 ) and the like.

式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、アルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基、又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。 In the formula, R 36 to R 39 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, a monovalent aromatic ring group, a group in which an alkylene group and a monovalent aromatic ring group are combined, or an alkenyl group. R 36 and R 37 may be bonded to each other to form a ring.

01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、アルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基、又はアルケニル基を表す。 R 01 and R 02 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a monovalent aromatic ring group, a group in which an alkylene group and a monovalent aromatic ring group are combined, or an alkenyl group.

酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。
繰り返し単位(B)としては、下記一般式(V)で表される繰り返し単位がより好ましい。

Figure 0005504130
The acid-decomposable group is preferably a cumyl ester group, an enol ester group, an acetal ester group, a tertiary alkyl ester group or the like. More preferably, it is a tertiary alkyl ester group.
As the repeating unit (B), a repeating unit represented by the following general formula (V) is more preferable.
Figure 0005504130

一般式(V)において、R51、R52、R53は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。R52はLと結合して環(好ましくは、5員もしくは6員環)を形成していてもよく、その場合のR52はアルキレン基を表わす。
は、単結合または2価の連結基を表し、R52と環を形成する場合には3価の連結基
を表す。
54はアルキル基を表し、R55及びR56は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基または1価の芳香環基を表す。R55及びR56は互いに結合して環を形成してもよい。但し、R55とR56とが同時に水素原子であることはない。
In the general formula (V), R 51 , R 52 and R 53 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. R 52 may be bonded to L 5 to form a ring (preferably a 5-membered or 6-membered ring), in which case R 52 represents an alkylene group.
L 5 represents a single bond or a divalent linking group, and in the case of forming a ring with R 52 , represents a trivalent linking group.
R 54 represents an alkyl group, and R 55 and R 56 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or a monovalent aromatic ring group. R 55 and R 56 may combine with each other to form a ring. However, no and R 55 and R 56 are hydrogen atoms at the same time.

一般式(V)について、更に詳細に説明する。
一般式(V)におけるR51〜R53のアルキル基としては、好ましくは置換基を有していても良いメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基、ドデシル基など炭素数20以下のアルキル基が挙げられ、より好ましくは炭素数8以下のアルキル基、特に好ましくは炭素数3以下のアルキル基が挙げられる。
The general formula (V) will be described in more detail.
As the alkyl group of R 51 to R 53 in the general formula (V), a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, which may preferably have a substituent, Examples thereof include alkyl groups having 20 or less carbon atoms such as hexyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group and dodecyl group, more preferably alkyl groups having 8 or less carbon atoms, and particularly preferably alkyl groups having 3 or less carbon atoms.

アルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記R51〜R53におけるアルキル基と同様のものが好ましい。 The alkyl group contained in the alkoxycarbonyl group is preferably the same as the alkyl group in the above R 51 to R 53 .

シクロアルキル基としては、単環型でも、多環型でもよい。好ましくは置換基を有していても良いシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数3〜8個で単環型のシクロアルキル基が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が特に好ましい。
The cycloalkyl group may be monocyclic or polycyclic. Preferable examples include a monocyclic cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group which may have a substituent.
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.

上記各基における好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基等を挙げることができ、置換基の炭素数は8以下が好ましい。   Preferred substituents in each of the above groups include, for example, alkyl groups, cycloalkyl groups, aryl groups, amino groups, amide groups, ureido groups, urethane groups, hydroxyl groups, carboxyl groups, halogen atoms, alkoxy groups, thioether groups, acyls. Groups, acyloxy groups, alkoxycarbonyl groups, cyano groups, nitro groups and the like, and the substituent preferably has 8 or less carbon atoms.

またR52がアルキレン基でありLと環を形成する場合、アルキレン基としては、好ま
しくはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1〜8のアルキレン基が挙げられる。炭素数1〜4のアルキレン基がより好ましく、炭素数1〜2のアルキレン基が特に好ましい。
When R 52 is an alkylene group and forms a ring with L 5 , the alkylene group is preferably an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group, or an octylene group. Groups. An alkylene group having 1 to 4 carbon atoms is more preferable, and an alkylene group having 1 to 2 carbon atoms is particularly preferable.

式(V)におけるR51及びR53としては、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子がより好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基(−CF)、ヒドロキシメチル基(−CH−OH)、クロロメチル基(−CH−Cl)、フッ素原子(−F)が特に好ましい。R52としては、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、アルキレン基(Lと環を形成)がより好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基(−CF)、ヒドロキシメチル基(−CH−OH)、クロロメチル基(−CH−Cl)、フッ素原子(−F)、メチレン基(Lと環を形成)、エチレン基(Lと環を形成)が特に好ましい。 R 51 and R 53 in Formula (V) are more preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or a halogen atom, and a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a trifluoromethyl group (—CF 3 ), a hydroxymethyl group (—CH 3 ). 2- OH), a chloromethyl group (—CH 2 —Cl), and a fluorine atom (—F) are particularly preferable. R 52 is more preferably a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, or an alkylene group (forming a ring with L 5 ), a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a trifluoromethyl group (—CF 3 ), a hydroxymethyl group Particularly preferred are (—CH 2 —OH), a chloromethyl group (—CH 2 —Cl), a fluorine atom (—F), a methylene group (forms a ring with L 5 ), and an ethylene group (forms a ring with L 5 ). .

で表される2価の連結基としては、アルキレン基、2価の芳香環基、−COO−L−、−O−L−、これらの2つ以上を組み合わせて形成される基等が挙げられる。ここで、Lはアルキレン基、シクロアルキレン基、2価の芳香環基、アルキレン基と2価の芳香環基を組み合わせた基を表す。 Examples of the divalent linking group represented by L 5, an alkylene group, a divalent aromatic ring group, -COO-L 1 -, - O-L 1 -, a group formed by combining two or more of these Etc. Here, L 1 represents an alkylene group, a cycloalkylene group, a divalent aromatic ring group, or a group in which an alkylene group and a divalent aromatic ring group are combined.

は、単結合、−COO−L−で表される基又は2価の芳香環基が好ましい。ArFエキシマレーザーで露光する場合には、193nm領域の吸収低減の観点から、単結合又は−COO−L−であることが好ましい。Lは炭素数1〜5のアルキレン基が好ましく、メチレン、プロピレン基がより好ましい。 L 5 is preferably a single bond, a group represented by —COO—L 1 —, or a divalent aromatic ring group. In the case of exposure with an ArF excimer laser, a single bond or —COO—L 1 — is preferable from the viewpoint of reducing absorption in the 193 nm region. L 1 is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methylene or propylene group.

54〜R56のアルキル基としては炭素数1〜20のものが好ましく、より好ましくは炭素数1〜10のものであり、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが特に好ましい。 The alkyl group for R 54 to R 56 is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and includes a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, and an n-butyl group. Particularly preferred are those having 1 to 4 carbon atoms such as a group, an isobutyl group and a t-butyl group.

55及びR56で表されるシクロアルキル基としては、炭素数3〜20のものが好ましく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環性のものであってもよいし、ノルボニル基、アダマンチル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、等の多環性のものであってもよい。 The cycloalkyl group represented by R 55 and R 56, preferably one having 3 to 20 carbon atoms, cyclopentyl, may be of monocyclic and cyclohexyl group, norbornyl group, adamantyl group, Polycyclic ones such as a tetracyclodecanyl group and a tetracyclododecanyl group may be used.

また、R55及びR56が互いに結合して形成される環としては、炭素数3〜20のものが好ましく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環性のものであってもよいし、ノルボニル基、アダマンチル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、等の多環性のものであってもよい。R55及びR56が互いに結合して環を形成する場合、R54は炭素数1〜3のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましい。 The ring formed by combining R 55 and R 56 with each other preferably has 3 to 20 carbon atoms, and may be monocyclic such as a cyclopentyl group or a cyclohexyl group, or a norbornyl group. A polycyclic group such as an adamantyl group, a tetracyclodecanyl group, or a tetracyclododecanyl group. When R 55 and R 56 are bonded to each other to form a ring, R 54 is preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group.

55及びR56で表される1価の芳香環基としては、炭素数6〜20のものが好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。R55及びR56のどちらか一方が水素原子の場合、他方は1価の芳香環基であることが好ましい。 The monovalent aromatic ring groups represented by R 55 and R 56, preferably has 6 to 20 carbon atoms, for example, a phenyl group, a naphthyl group, and the like. When one of R 55 and R 56 is a hydrogen atom, the other is preferably a monovalent aromatic ring group.

ArFエキシマレーザーで露光する場合には、193nm領域の吸収低減の観点から、R55及びR56は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基であることが好ましい。 In the case of exposure with an ArF excimer laser, R 55 and R 56 are preferably each independently a hydrogen atom, an alkyl group, or a cycloalkyl group from the viewpoint of reducing absorption in the 193 nm region.

一般式(V)で表される繰り返し単位に相当するモノマーの合成方法としては、一般的な重合性基含有エステルの合成法を適用することが可能であり、特に限定されることはない。
以下に、繰り返し単位(B)の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。

Figure 0005504130
As a method for synthesizing a monomer corresponding to the repeating unit represented by the general formula (V), a general method for synthesizing a polymerizable group-containing ester can be applied and is not particularly limited.
Specific examples of the repeating unit (B) are shown below, but the present invention is not limited thereto.
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

また、樹脂(P)は、繰り返し単位(B)として、下記一般式(VI)で表される繰り返し単位を含んでいてもよく、特に電子線又はEUVで露光する場合に好ましい。

Figure 0005504130
Moreover, resin (P) may contain the repeating unit represented by the following general formula (VI) as a repeating unit (B), and is especially preferable when exposing with an electron beam or EUV.
Figure 0005504130

一般式(VI)中、R61、R62、R63は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。R62はArと結合して環(好ましくは、5員もしくは6員環)を形成していてもよく、その場合のR62はアルキレン基を表わす。
は、単結合、−COO−、−CONR64−(R64は、水素原子、アルキル基を表す)を表す。Lは、単結合、アルキレン基を表す。Arは、2価の芳香環基を表す。Yは、複数ある場合は各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、Yの少なくとも1つは、酸の作用により脱離する基を表す。nは、1〜4の整数を表す。
In general formula (VI), R 61 , R 62 and R 63 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. R 62 may be bonded to Ar 6 to form a ring (preferably a 5-membered or 6-membered ring), in which case R 62 represents an alkylene group.
X 6 represents a single bond, —COO—, —CONR 64 — (R 64 represents a hydrogen atom or an alkyl group). L 6 represents a single bond or an alkylene group. Ar 6 represents a divalent aromatic ring group. Y, when there are a plurality, each independently represents a hydrogen atom or a group capable of leaving by the action of an acid. However, at least one of Y represents a group capable of leaving by the action of an acid. n represents an integer of 1 to 4.

一般式(VI)について更に詳細に説明する。
一般式(VI)におけるR61〜R63のアルキル基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基、ドデシル基など炭素数20以下のアルキル基が挙げられ、より好ましくは炭素数8以下のアルキル基が挙げられる。
General formula (VI) will be described in more detail.
As the alkyl group of R 61 to R 63 in the general formula (VI), a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, which may preferably have a substituent, Examples thereof include alkyl groups having 20 or less carbon atoms such as hexyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group, and dodecyl group, and more preferable examples include alkyl groups having 8 or less carbon atoms.

アルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記R61〜R63におけるアルキル基と同様のものが好ましい。 As the alkyl group contained in the alkoxycarbonyl group, the same alkyl groups as those described above for R 61 to R 63 are preferable.

シクロアルキル基としては、単環型でも多環型でもよく、好ましくは置換基を有していても良いシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数3〜8個の単環型のシクロアルキル基が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子がより好ましい。
The cycloalkyl group may be monocyclic or polycyclic, and is preferably a monocyclic type having 3 to 8 carbon atoms such as a cyclopropyl group, cyclopentyl group or cyclohexyl group which may have a substituent. A cycloalkyl group is mentioned.
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is more preferable.

62がアルキレン基を表す場合、アルキレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1〜8個のものが挙げられる。 If R 62 represents an alkylene group, the alkylene group, preferably a methylene group which may have a substituent group, an ethylene group, a propylene group, butylene group, hexylene group, 1 to 8 carbon atoms such as octylene Can be mentioned.

により表わされる−CONR64−(R64は、水素原子、アルキル基を表す)におけるR64のアルキル基としては、R61〜R63のアルキル基と同様のものが挙げられる。 -CONR 64 represented by X 6 - (R 64 represents a hydrogen atom, an alkyl group) The alkyl group for R 64 in, the same as the alkyl group of R 61 to R 63.

としては、単結合、−COO−、−CONH−が好ましく、単結合、−COO−がより好ましい。 X 6 is preferably a single bond, —COO—, or —CONH—, and more preferably a single bond or —COO—.

におけるアルキレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1〜8個のものが挙げられる。 The alkylene group for L 6 is preferably an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, such as an optionally substituted methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, hexylene group or octylene group.

Arは、2価の芳香環基を表す。2価の芳香環基は、置換基を有していても良く、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などの炭素数6〜18のアリーレン基、あるいは、例えば、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む2価の芳香環基を好ましい例として挙げることができる。 Ar 6 represents a divalent aromatic ring group. The divalent aromatic ring group may have a substituent, for example, an arylene group having 6 to 18 carbon atoms such as a phenylene group, a tolylene group, a naphthylene group, or a thiophene, furan, pyrrole, benzo Preferred examples include divalent aromatic ring groups containing a heterocycle such as thiophene, benzofuran, benzopyrrole, triazine, imidazole, benzimidazole, triazole, thiadiazole, and thiazole.

上述したアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルキレン基及び2価の芳香環基が有し得る置換基としては、上述した一般式(V)におけるR51〜R53により表わされる各基が有し得る置換基と同様の具体例が挙げられる。 Examples of the substituent that the above-described alkyl group, cycloalkyl group, alkoxycarbonyl group, alkylene group and divalent aromatic ring group may have include the groups represented by R 51 to R 53 in the above general formula (V). Specific examples similar to the substituents that may be included are listed.

nは1又は2であることが好ましく、1であることがより好ましい。
n個のYは、各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、n個中の少なくとも1つは、酸の作用により脱離する基を表す。
酸の作用により脱離する基Yとしては、例えば、−C(R36)(R37)(R38)、−C(=O)−O−C(R36)(R37)(R38)、−C(R01)(R02)(OR39)、−C(R01)(R02)−C(=O)−O−C(R36)(R37)(R38)、−CH(R36)(Ar)等を挙げることができる。
n is preferably 1 or 2, and more preferably 1.
n Y's each independently represent a hydrogen atom or a group capable of leaving by the action of an acid. However, at least one of n represents a group capable of leaving by the action of an acid.
Examples of the group Y leaving by the action of an acid include —C (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ), —C (═O) —O—C (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ). ), - C (R 01) (R 02) (OR 39), - C (R 01) (R 02) -C (= O) -O-C (R 36) (R 37) (R 38), —CH (R 36 ) (Ar) and the like can be mentioned.

式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、アルキレン基と1価の芳香環基を組み合わせた基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。 In the formula, R 36 to R 39 each independently represent an alkyl group, a cycloalkyl group, a monovalent aromatic ring group, a group in which an alkylene group and a monovalent aromatic ring group are combined, or an alkenyl group. R 36 and R 37 may be bonded to each other to form a ring.

01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、アルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基、又はアルケニル基を表す。
Arは、1価の芳香環基を表す。
R 01 and R 02 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a monovalent aromatic ring group, a group in which an alkylene group and a monovalent aromatic ring group are combined, or an alkenyl group.
Ar represents a monovalent aromatic ring group.

36〜R39、R01及びR02のアルキル基は、炭素数1〜8のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、へキシル基、オクチル基等を挙げることができる。 The alkyl group of R 36 to R 39 , R 01 and R 02 is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, such as methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl. Group, octyl group and the like.

36〜R39、R01及びR02のシクロアルキル基は、単環型でも、多環型でもよい。単環型としては、炭素数3〜8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数6〜20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。 The cycloalkyl group of R 36 to R 39 , R 01 and R 02 may be monocyclic or polycyclic. The monocyclic type is preferably a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group. As the polycyclic type, a cycloalkyl group having 6 to 20 carbon atoms is preferable. Group, androstanyl group and the like. A part of carbon atoms in the cycloalkyl group may be substituted with a hetero atom such as an oxygen atom.

36〜R39、R01、R02及びArの1価の芳香環基は、炭素数6〜10の1価の芳香環基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等のアリール基、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む2価の芳香環基を挙げることができる。 The monovalent aromatic ring group of R 36 to R 39 , R 01 , R 02 and Ar is preferably a monovalent aromatic ring group having 6 to 10 carbon atoms, for example, an aryl such as a phenyl group, a naphthyl group or an anthryl group. And a divalent aromatic ring group containing a heterocyclic ring such as a group, thiophene, furan, pyrrole, benzothiophene, benzofuran, benzopyrrole, triazine, imidazole, benzimidazole, triazole, thiadiazole, thiazole.

36〜R39、R01及びR02のアルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基としては、炭素数7〜12のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。 The group in which the alkylene group of R 36 to R 39 , R 01 and R 02 and the monovalent aromatic ring group are combined is preferably an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms, such as benzyl group, phenethyl group, naphthylmethyl. Groups and the like.

36〜R39、R01及びR02のアルケニル基は、炭素数2〜8のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロへキセニル基等を挙げることができる。 The alkenyl group of R 36 to R 39 , R 01 and R 02 is preferably an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, and a cyclohexenyl group.

36とR37とが、互いに結合して形成する環は、単環型でも、多環型でもよい。単環型としては、炭素数3〜8のシクロアルキル構造が好ましく、例えば、シクロプロパン構造、シクロブタン構造、シクロペンタン構造、シクロへキサン構造、シクロヘプタン構造、シクロオクタン構造等を挙げることができる。多環型としては、炭素数6〜20のシクロアルキル構造が好ましく、例えば、アダマンタン構造、ノルボルナン構造、ジシクロペンタン構造、トリシクロデカン構造、テトラシクロドデカン構造等を挙げることができる。尚、シクロアルキル構造中の炭素原子の一部が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。 The ring formed by combining R 36 and R 37 with each other may be monocyclic or polycyclic. The monocyclic type is preferably a cycloalkyl structure having 3 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a cyclopropane structure, a cyclobutane structure, a cyclopentane structure, a cyclohexane structure, a cycloheptane structure, and a cyclooctane structure. As the polycyclic type, a cycloalkyl structure having 6 to 20 carbon atoms is preferable, and examples thereof include an adamantane structure, a norbornane structure, a dicyclopentane structure, a tricyclodecane structure, and a tetracyclododecane structure. A part of carbon atoms in the cycloalkyl structure may be substituted with a hetero atom such as an oxygen atom.

36〜R39、R01、R02、及びArとしての上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基等を挙げることができ、置換基の炭素数は8以下が好ましい。
酸の作用により脱離する基Yとしては、下記一般式(VI−A)で表される構造がより好ましい。

Figure 0005504130
Each of the groups as R 36 to R 39 , R 01 , R 02 and Ar may have a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, and an amino group. Amide group, ureido group, urethane group, hydroxyl group, carboxyl group, halogen atom, alkoxy group, thioether group, acyl group, acyloxy group, alkoxycarbonyl group, cyano group, nitro group, etc. The number of carbon atoms is preferably 8 or less.
As the group Y leaving by the action of an acid, a structure represented by the following general formula (VI-A) is more preferable.
Figure 0005504130

ここで、L及びLは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、又はアルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基を表す。
Mは、単結合又は2価の連結基を表す。
Qは、アルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよい1価の芳香環基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基又はアルデヒド基を表す。
Q、M、Lの少なくとも2つが結合して環(好ましくは、5員もしくは6員環)を形成してもよい。
Here, L 1 and L 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a monovalent aromatic ring group, or a group in which an alkylene group and a monovalent aromatic ring group are combined.
M represents a single bond or a divalent linking group.
Q represents an alkyl group, a cycloalkyl group which may contain a hetero atom, a monovalent aromatic ring group which may contain a hetero atom, an amino group, an ammonium group, a mercapto group, a cyano group or an aldehyde group.
At least two of Q, M, and L 1 may combine to form a ring (preferably a 5-membered or 6-membered ring).

及びLとしてのアルキル基は、例えば炭素数1〜8個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基を好ましく挙げることができる。 The alkyl group as L 1 and L 2 is, for example, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl. Preferred examples include a group and an octyl group.

及びLとしてのシクロアルキル基は、例えば炭素数3〜15個のシクロアルキル基であって、具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等を好ましい例として挙げることができる。 The cycloalkyl group as L 1 and L 2 is, for example, a cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms. Specifically, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group, an adamantyl group, and the like are preferable examples. Can do.

及びLとしての1価の芳香環基は、例えば炭素数6〜15個のアリール基であって、具体的には、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントリル基等を好ましい例として挙げることができる。 The monovalent aromatic ring group as L 1 and L 2 is, for example, an aryl group having 6 to 15 carbon atoms. Specifically, a phenyl group, a tolyl group, a naphthyl group, an anthryl group and the like are preferable examples. Can be mentioned.

及びLとしてのアルキレン基と1価の芳香環基を組み合わせた基は、例えば、炭素数6〜20であって、ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基が挙げられる。 Group formed by combining an alkylene group and a monovalent aromatic ring group represented by L 1 and L 2 are, for example, a 6 to 20 carbon atoms, a benzyl group, an aralkyl group such as a phenethyl group.

Mとしての2価の連結基は、例えば、アルキレン基(例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基など)、シクロアルキレン基(例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基など)、アルケニレン基(例えば、エチレン基、プロペニレン基、ブテニレン基など)、2価の芳香環基(例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基など)、−S−、−O−、−CO−、−SO−、−N(R)−、およびこれらの複数を組み合わせた2価の連結基である。Rは、水素原子またはアルキル基(例えば炭素数1〜8個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基など)である。 The divalent linking group as M is, for example, an alkylene group (for example, methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, hexylene group, octylene group, etc.), cycloalkylene group (for example, cyclopentylene group, cyclohexylene group). Group, adamantylene group, etc.), alkenylene group (for example, ethylene group, propenylene group, butenylene group, etc.), divalent aromatic ring group (for example, phenylene group, tolylene group, naphthylene group, etc.), -S-, -O -, - CO -, - SO 2 -, - N (R 0) -, and a divalent linking group formed by combining a plurality of these. R 0 is a hydrogen atom or an alkyl group (for example, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl group). Octyl group, etc.).

Qとしてのアルキル基は、上述のL及びLとしての各基と同様である。
Qとしてのヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基及びヘテロ原子を含んでいてもよい1価の芳香環基に於ける、ヘテロ原子を含まない肪族炭化水素環基及びへテロ原子を含まない1価の芳香環基としては、上述のL及びLとしてのシクロアルキル基、及び1価の芳香環基などが挙げられ、好ましくは、炭素数3〜15である。
The alkyl group as Q is the same as each group as L 1 and L 2 described above.
In the cycloalkyl group which may contain a hetero atom as Q and the monovalent aromatic ring group which may contain a hetero atom, an aliphatic hydrocarbon ring group which does not contain a hetero atom and a hetero atom Examples of the monovalent aromatic ring group that does not include the above-described cycloalkyl groups as L 1 and L 2 , and monovalent aromatic ring groups, preferably 3 to 15 carbon atoms.

ヘテロ原子を含むシクロアルキル基及びヘテロ原子を含む1価の芳香環基としては、例えば、チイラン、シクロチオラン、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール、ピロリドン等のヘテロ環構造を有する基が挙げられるが、一般にヘテロ環と呼ばれる構造(炭素とヘテロ原子で形成される環、あるいはヘテロ原子にて形成される環)であれば、これらに限定されない。   Examples of the cycloalkyl group containing a hetero atom and the monovalent aromatic ring group containing a hetero atom include thiirane, cyclothiolane, thiophene, furan, pyrrole, benzothiophene, benzofuran, benzopyrrole, triazine, imidazole, benzimidazole, triazole, Groups having a heterocyclic structure such as thiadiazole, thiazole, pyrrolidone and the like can be mentioned, but if it is a structure generally called a heterocyclic ring (a ring formed of carbon and a heteroatom, or a ring formed of a heteroatom), these It is not limited to.

Q、M、Lの少なくとも2つが結合して形成してもよい環としては、Q、M、Lの少なくとも2つが結合して、例えば、プロピレン基、ブチレン基を形成して、酸素原子を含有する5員または6員環を形成する場合が挙げられる。 Q, M, as a ring which may be formed by combining at least two L 1, Q, M, by combining at least two L 1, for example, a propylene group, to form a butylene group, an oxygen atom In the case of forming a 5-membered or 6-membered ring containing.

一般式(VI−A)におけるL、L、M、Qで表される各基は、置換基を有していてもよく、例えば、前述のR36〜R39、R01、R02、及びArが有してもよい置換基として説明したものが挙げられ、置換基の炭素数は8以下が好ましい。 Each group represented by L 1 , L 2 , M, and Q in the general formula (VI-A) may have a substituent, for example, R 36 to R 39 , R 01 , R 02 described above. And those described as the substituent that Ar may have, and the carbon number of the substituent is preferably 8 or less.

−M−Qで表される基として、炭素数1〜30個で構成される基が好ましく、炭素数5〜20個で構成される基がより好ましい。   The group represented by -MQ is preferably a group composed of 1 to 30 carbon atoms, more preferably a group composed of 5 to 20 carbon atoms.

以下に繰り返し単位(B)の好ましい具体例として、一般式(VI)で表される繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。

Figure 0005504130
Specific examples of the repeating unit represented by formula (VI) are shown below as preferred specific examples of the repeating unit (B), but the present invention is not limited thereto.
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

樹脂(P)が繰り返し単位(B)を含んでいる場合、本発明の樹脂(P)中における繰り返し単位(B)の含有率は、樹脂(P)中の全繰り返し単位に対して、5〜90モル%の範囲が好ましく、10〜80モル%の範囲がより好ましく、20〜70モル%の範囲が特に好ましい。   When the resin (P) contains the repeating unit (B), the content of the repeating unit (B) in the resin (P) of the present invention is 5 to 5 with respect to all the repeating units in the resin (P). The range of 90 mol% is preferable, the range of 10 to 80 mol% is more preferable, and the range of 20 to 70 mol% is particularly preferable.

〔繰り返し単位(C)〕
樹脂(P)は、さらに、アルカリ現像液の作用で分解しアルカリ現像液中への溶解速度が増大する基を有する繰り返し単位(C)を有していてもよい。
アルカリ現像液の作用で分解しアルカリ現像液中への溶解速度が増大する基としては、ラクトン構造、フェニルエステル構造などが挙げられる。
繰り返し単位(C)としては、下記一般式(AII)で表される繰り返し単位がより好ましい。

Figure 0005504130
[Repeating unit (C)]
The resin (P) may further have a repeating unit (C) having a group that decomposes under the action of an alkali developer and increases the dissolution rate in the alkali developer.
Examples of the group that decomposes by the action of an alkali developer and increases the dissolution rate in the alkali developer include a lactone structure and a phenyl ester structure.
As the repeating unit (C), a repeating unit represented by the following general formula (AII) is more preferable.
Figure 0005504130

一般式(AII)中、
Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよいアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)を表す。
Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0として、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。
In general formula (AII),
Rb 0 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group (preferably having 1 to 4 carbon atoms) which may have a substituent.
Preferred substituents that the alkyl group represented by Rb 0 may have include a hydroxyl group and a halogen atom. Examples of the halogen atom for Rb 0 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Rb 0 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, and particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

Abは、単結合、アルキレン基、単環または多環のシクロアルキル構造を有する2価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、又はこれらを組み合わせた2価の連結基を表す。Abは、好ましくは、単結合、−Ab1−CO2−で表される2価の連結基である。
Ab1は、直鎖又は分岐アルキレン基、単環または多環のシクロヘキシレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。
Ab represents a single bond, an alkylene group, a divalent linking group having a monocyclic or polycyclic cycloalkyl structure, an ether group, an ester group, a carbonyl group, or a divalent linking group obtained by combining these. Ab is preferably a single bond or a divalent linking group represented by —Ab 1 —CO 2 —.
Ab 1 is a linear or branched alkylene group, a monocyclic or polycyclic cyclohexylene group, preferably a methylene group, an ethylene group, a cyclohexylene group, an adamantylene group or a norbornylene group.

Vは、アルカリ現像液の作用で分解しアルカリ現像液中への溶解速度が増大する基を表す。好ましくはエステル結合を有する基であり、中でもラクトン構造を有する基がより好ましい。   V represents a group that decomposes under the action of an alkali developer and increases the dissolution rate in the alkali developer. A group having an ester bond is preferable, and a group having a lactone structure is more preferable.

ラクトン構造を有する基としては、ラクトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは5〜7員環ラクトン構造であり、5〜7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式(LC1−1)〜(LC1−17)のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としては(LC1−1)、(LC1−4)、(LC1−5)、(LC1−6)、(LC1−13)、(LC1−14)である。

Figure 0005504130
As the group having a lactone structure, any group having a lactone structure can be used, but a 5- to 7-membered ring lactone structure is preferable, and a bicyclo structure or a spiro structure is added to the 5- to 7-membered ring lactone structure. Those in which other ring structures are condensed in the form to be formed are preferred. It is more preferable to have a repeating unit having a lactone structure represented by any of the following general formulas (LC1-1) to (LC1-17). The lactone structure may be directly bonded to the main chain. Preferred lactone structures are (LC1-1), (LC1-4), (LC1-5), (LC1-6), (LC1-13), and (LC1-14).
Figure 0005504130

ラクトン構造部分は、置換基(Rb2)を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基(Rb2)としては、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数4〜7の1価のシクロアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1〜4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。nは、0〜4の整数を表す。nが2以上の時、複数存在する置換基(Rb2)は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基(Rb2)同士が結合して環を形成してもよい。 The lactone structure moiety may or may not have a substituent (Rb 2 ). Preferred substituents (Rb 2 ) include an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a monovalent cycloalkyl group having 4 to 7 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, and an alkoxycarbonyl group having 1 to 8 carbon atoms. , Carboxyl group, halogen atom, hydroxyl group, cyano group, acid-decomposable group and the like. More preferably, they are a C1-C4 alkyl group, a cyano group, and an acid-decomposable group. n 2 represents an integer of 0-4. When n 2 is 2 or more, a plurality of substituents (Rb 2 ) may be the same or different, and a plurality of substituents (Rb 2 ) may be bonded to form a ring. .

ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度(ee)が90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。   The repeating unit having a lactone group usually has an optical isomer, but any optical isomer may be used. One optical isomer may be used alone, or a plurality of optical isomers may be mixed and used. When one kind of optical isomer is mainly used, the optical purity (ee) thereof is preferably 90 or more, more preferably 95 or more.

樹脂(P)が繰り返し単位(C)を含有する場合、樹脂(P)中の繰り返し単位(C)の含有率は、全繰り返し単位に対して、0.5〜80モル%の範囲が好ましく、より好ましくは1〜60モル%の範囲であり、さらに好ましくは2〜40モル%の範囲である。繰り返し単位(C)は1種類であってもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。特定のラクトン構造を用いることでラインエッジラフネス、現像欠陥が良好になる。
以下に、樹脂(P)中の繰り返し単位(C)の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。式中、Rxは、H,CH,CHOH,またはCFを表す。

Figure 0005504130
When the resin (P) contains the repeating unit (C), the content of the repeating unit (C) in the resin (P) is preferably in the range of 0.5 to 80 mol% with respect to all the repeating units, More preferably, it is the range of 1-60 mol%, More preferably, it is the range of 2-40 mol%. One type of repeating unit (C) may be used, or two or more types may be used in combination. By using a specific lactone structure, line edge roughness and development defects are improved.
Although the specific example of the repeating unit (C) in resin (P) is shown below, this invention is not limited to this. In the formula, Rx represents H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 .
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

〔繰り返し単位(D)〕
本発明の樹脂(P)は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位(D)を有していることが好ましい。アルカリ可溶性基としてはフェノール性水酸基、カルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビスルスルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール(例えばヘキサフロロイソプロパノール基)が挙げられる。
[Repeating unit (D)]
The resin (P) of the present invention preferably has a repeating unit (D) having an alkali-soluble group. Examples of the alkali-soluble group include a phenolic hydroxyl group, a carboxyl group, a sulfonamide group, a sulfonylimide group, a bisulsulfonylimide group, and an aliphatic alcohol (for example, a hexafluoroisopropanol group) in which the α-position is substituted with an electron withdrawing group. .

ArFエキシマレーザーで露光する場合には、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、更にはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。   In the case of exposing with an ArF excimer laser, it is more preferable to have a repeating unit having a carboxyl group. By containing the repeating unit having an alkali-soluble group, the resolution in contact hole applications is increased. The repeating unit having an alkali-soluble group includes a repeating unit in which an alkali-soluble group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid or methacrylic acid, or an alkali in the main chain of the resin through a linking group. Either a repeating unit to which a soluble group is bonded, or a polymerization initiator or chain transfer agent having an alkali-soluble group is used at the time of polymerization and introduced at the end of the polymer chain. Both are preferable, and the linking group is monocyclic or polycyclic. It may have a cyclic hydrocarbon structure. Particularly preferred are repeating units of acrylic acid or methacrylic acid.

アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂(P)中の全繰り返し単位に対し、1〜20mol%が好ましく、より好ましくは1〜15mol%、更に好ましくは1〜10mol%である。
アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
具体例中、RxはH,CH,CHOH,又はCFを表す。

Figure 0005504130
As for the content rate of the repeating unit which has an alkali-soluble group, 1-20 mol% is preferable with respect to all the repeating units in resin (P), More preferably, it is 1-15 mol%, More preferably, it is 1-10 mol%.
Specific examples of the repeating unit having an alkali-soluble group are shown below, but the present invention is not limited thereto.
In specific examples, Rx represents H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 .
Figure 0005504130

KrFエキシマレーザー光、電子線、X線、波長50nm以下の高エネルギー光線(EUVなど)で露光する場合には、芳香環基を有するアルカリ可溶性基であることが好ましく、下記一般式(IV)で表される構造がより好ましい。本発明者らは、繰り返し単位(A)と一般式(IV)により表される繰り返し単位とを組み合わせると、本発明に係る組成物の感度を更に向上させることができることを見出している。その理由は必ずしも明らかではないが、本発明者らは、J. Org. Chem. 2005, 70, 6809-6819に記載されている連鎖反応が起こりやすくなることにより、繰り返し単位(A)からの酸の発生量が増大するためであると推測している。

Figure 0005504130
In the case of exposure with KrF excimer laser light, electron beam, X-ray, or high energy light (EUV, etc.) having a wavelength of 50 nm or less, an alkali-soluble group having an aromatic ring group is preferable. The structure represented is more preferred. The present inventors have found that the sensitivity of the composition according to the present invention can be further improved by combining the repeating unit (A) with the repeating unit represented by the general formula (IV). Although the reason for this is not necessarily clear, the present inventors have found that the chain reaction described in J. Org. Chem. 2005, 70, 6809-6819 tends to occur, so that the acid from the repeating unit (A) can be obtained. It is presumed that this is because the amount of generation increases.
Figure 0005504130

ここで、R41、R42及びR43は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。R42はAr4と結合して環(好ましくは5員又は6員環)を形成していてもよく、その場合のR42はアルキレン基を表わす。
は、単結合、−COO−、−CONR64−(R64は、水素原子、アルキル基を表す)を表す。
は、単結合、アルキレン基を表す。
Arは、2価の芳香環基を表す。nは、1〜4の整数を表す。
式(IV)におけるR41、R42、R43のアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、及びアルコキシカルボニル基及びこれらの基が有し得る置換基の具体例としては、一般式(V)における各基と同様の具体例が挙げられる。
Here, R 41 , R 42 and R 43 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. R 42 may be bonded to Ar 4 to form a ring (preferably a 5-membered or 6-membered ring), and R 42 in this case represents an alkylene group.
X 4 represents a single bond, —COO—, —CONR 64 — (R 64 represents a hydrogen atom or an alkyl group).
L 4 represents a single bond or an alkylene group.
Ar 4 represents a divalent aromatic ring group. n represents an integer of 1 to 4.
Specific examples of the alkyl group, cycloalkyl group, halogen atom, and alkoxycarbonyl group of R 41 , R 42 , and R 43 in formula (IV) and the substituent that these groups may have include those in general formula (V). Specific examples similar to the respective groups are given.

Arとしての2価の芳香環基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基などの炭素数6〜18のアリーレン基、あるいは、例えば、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む2価の芳香環基を好ましい例として挙げることができる。 The divalent aromatic ring group as Ar 4 may have a substituent, for example, an arylene group having 6 to 18 carbon atoms such as a phenylene group, a tolylene group, a naphthylene group, an anthracenylene group, or, for example, Preferred examples include divalent aromatic ring groups containing heterocycles such as thiophene, furan, pyrrole, benzothiophene, benzofuran, benzopyrrole, triazine, imidazole, benzimidazole, triazole, thiadiazole, and thiazole.

上記各基における好ましい置換基としては、一般式(V)におけるR51〜R53で挙げたアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、フェニル基等のアリール基が挙げられる。 Preferable substituents in the above groups are alkoxy groups such as alkyl groups, methoxy groups, ethoxy groups, hydroxyethoxy groups, propoxy groups, hydroxypropoxy groups, butoxy groups and the like mentioned as R 51 to R 53 in formula (V). And aryl groups such as a phenyl group.

により表わされる−CONR64−(R64は、水素原子、アルキル基を表す)におけるR64のアルキル基としては、R61〜R63のアルキル基と同様のものが挙げられる。 -CONR 64 represented by X 4 - (R 64 represents a hydrogen atom, an alkyl group) The alkyl group for R 64 in, the same as the alkyl group of R 61 to R 63.

としては、単結合、−COO−、−CONH−が好ましく、単結合、−COO−がより好ましい。 X 4 is preferably a single bond, —COO—, or —CONH—, and more preferably a single bond or —COO—.

におけるアルキレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1〜8個のものが挙げられる。 The alkylene group for L 4 is preferably an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, such as an optionally substituted methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, hexylene group, octylene group.

Arとしては、置換基を有していても良い炭素数6〜18のアリーレン基がより好ましく、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基が特に好ましい。 Ar 4 is more preferably an arylene group having 6 to 18 carbon atoms which may have a substituent, and particularly preferably a phenylene group, a naphthylene group, or a biphenylene group.

以下に、芳香環基とアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。式中、aは0〜2の整数を表す。   Specific examples of the repeating unit having an aromatic ring group and an alkali-soluble group are shown below, but the present invention is not limited thereto. In formula, a represents the integer of 0-2.

一般式(IV)で表されるアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂(P)中の全繰り返し単位に対し、3〜90mol%が好ましく、より好ましくは5〜80mol%、更に好ましくは7〜70mol%である。   The content of the repeating unit having an alkali-soluble group represented by the general formula (IV) is preferably from 3 to 90 mol%, more preferably from 5 to 80 mol%, still more preferably based on all repeating units in the resin (P). Is 7-70 mol%.

以下に、一般式(IV)で表されるアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。式中、aは0〜2の整数を表す。

Figure 0005504130
Although the specific example of the repeating unit which has an alkali-soluble group represented by general formula (IV) below is shown, this invention is not limited to this. In formula, a represents the integer of 0-2.
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

〔その他の繰り返し単位〕
樹脂(P)は、上述した繰り返し単位以外の繰り返し単位であって、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を更に有していてもよい。これにより基板密着性、現像液親和性を向上させることができる。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造が好ましい。

Figure 0005504130
[Other repeat units]
Resin (P) is a repeating unit other than the repeating units described above, and may further have a repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group. As a result, substrate adhesion and developer compatibility can be improved. The repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group is preferably a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group, and preferably has no acid-decomposable group. The alicyclic hydrocarbon structure in the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group is preferably an adamantyl group, a diamantyl group, or a norbornane group. As the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group, partial structures represented by the following general formulas (VIIa) to (VIId) are preferable.
Figure 0005504130

一般式(VIIa)〜(VIIc)に於いて、Rc〜Rcは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、Rc〜Rcの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、Rc〜Rcの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式(VIIa)に於いて、更に好ましくは、Rc〜Rcの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。 In the general formulas (VIIa) to (VIIc), R 2 c to R 4 c each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a cyano group. However, at least one of R 2 c to R 4 c represents a hydroxyl group or a cyano group. Preferably, one or two of R 2 c to R 4 c are a hydroxyl group and the rest are hydrogen atoms. In general formula (VIIa), more preferably, two of R 2 c to R 4 c are a hydroxyl group and the rest are hydrogen atoms.

一般式(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AIIa)〜(AIId)で表される繰り返し単位を挙げることができる。

Figure 0005504130
Examples of the repeating unit having a partial structure represented by the general formulas (VIIa) to (VIId) include the repeating units represented by the following general formulas (AIIa) to (AIId).
Figure 0005504130

一般式(AIIa)〜(AIId)に於いて、Rcは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
c〜Rcは、一般式(VIIa)〜(VIIc)に於ける、Rc〜Rcと同義である。
In the general formulas (AIIa) to (AIId), R 1 c represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group, or a hydroxymethyl group.
R 2 c to R 4 c are in the general formula (VIIa) ~ (VIIc), same meanings as R 2 c~R 4 c.

水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

Figure 0005504130
Specific examples of the repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group are given below, but the present invention is not limited thereto.
Figure 0005504130

本発明の樹脂(P)は、更に極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。このような繰り返し単位としては、一般式(VII)で表される繰り返し単位が挙げられる。

Figure 0005504130
The resin (P) of the present invention can further have a repeating unit that has an alicyclic hydrocarbon structure having no polar group and does not exhibit acid decomposability. An example of such a repeating unit is a repeating unit represented by the general formula (VII).
Figure 0005504130

一般式(VII)中、Rは少なくとも一つの脂環炭化水素構造を有し、水酸基及びシアノ基のいずれも有さない炭化水素基を表す。
Raは水素原子、アルキル基又は−CH−O−Ra基を表す。式中、Raは、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
In general formula (VII), R 5 represents a hydrocarbon group having at least one alicyclic hydrocarbon structure and having neither a hydroxyl group nor a cyano group.
Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, or a —CH 2 —O—Ra 2 group. In the formula, Ra 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an acyl group. Ra is preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group or a trifluoromethyl group, particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

が有する脂環炭化水素構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3から12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3から12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。 The alicyclic hydrocarbon structure possessed by R 5 includes a monocyclic hydrocarbon group and a polycyclic hydrocarbon group. Examples of the monocyclic hydrocarbon group include cycloalkenyl having 3 to 12 carbon atoms such as cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group and the like, and cycloalkyl groups having 3 to 12 carbon atoms and cyclohexenyl group. Groups. Preferable monocyclic hydrocarbon groups are monocyclic hydrocarbon groups having 3 to 7 carbon atoms, and more preferable examples include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.

多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環(ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等)などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、パーヒドロ−1,4−メタノ−5,8−メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレン(デカリン)、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5〜8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。 The polycyclic hydrocarbon group includes a ring assembly hydrocarbon group and a bridged cyclic hydrocarbon group, and examples of the ring assembly hydrocarbon group include a bicyclohexyl group and a perhydronaphthalenyl group. As the bridged cyclic hydrocarbon ring, for example, bicyclic such as pinane, bornane, norpinane, norbornane, bicyclooctane ring (bicyclo [2.2.2] octane ring, bicyclo [3.2.1] octane ring, etc.) Hydrocarbon rings and tricyclic hydrocarbon rings such as homobredan, adamantane, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane, tricyclo [4.3.1.1 2,5 ] undecane ring, tetracyclo [ 4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodecane, and tetracyclic hydrocarbon rings such as perhydro-1,4-methano-5,8-methanonaphthalene ring. The bridged cyclic hydrocarbon ring includes a condensed cyclic hydrocarbon ring such as perhydronaphthalene (decalin), perhydroanthracene, perhydrophenanthrene, perhydroacenaphthene, perhydrofluorene, perhydroindene, perhydroindene. A condensed ring in which a plurality of 5- to 8-membered cycloalkane rings such as a phenalene ring are condensed is also included.

好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。 Preferred examples of the bridged cyclic hydrocarbon ring include a norbornyl group, an adamantyl group, a bicyclooctanyl group, a tricyclo [5,2,1,0 2,6 ] decanyl group, and the like. More preferable examples of the bridged cyclic hydrocarbon ring include a norbornyl group and an adamantyl group.

これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護された水酸基、保護基で保護されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t−ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護された水酸基、保護基で保護されたアミノ基を挙げることができる。   These alicyclic hydrocarbon groups may have a substituent, and preferable substituents include a halogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group protected with a protecting group, an amino group protected with a protecting group, and the like. . Preferred halogen atoms include bromine, chlorine and fluorine atoms, and preferred alkyl groups include methyl, ethyl, butyl and t-butyl groups. The above alkyl group may further have a substituent, and examples of the substituent that may further have a halogen atom, an alkyl group, a hydroxyl group protected with a protective group, and an amino group protected with a protective group Can be mentioned.

保護基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1〜4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t−ブトキシメチル、2−メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1−エトキシエチル、1−メチル−1−メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1〜6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1〜4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。   Examples of the protecting group include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, a substituted methyl group, a substituted ethyl group, an alkoxycarbonyl group, and an aralkyloxycarbonyl group. Preferred alkyl groups include alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, preferred substituted methyl groups include methoxymethyl, methoxythiomethyl, benzyloxymethyl, t-butoxymethyl, 2-methoxyethoxymethyl groups, and preferred substituted ethyl groups. 1-ethoxyethyl, 1-methyl-1-methoxyethyl, preferred acyl groups include formyl, acetyl, propionyl, butyryl, isobutyryl, valeryl, pivaloyl groups, etc., aliphatic acyl groups having 1 to 6 carbon atoms, alkoxycarbonyl Examples of the group include an alkoxycarbonyl group having 1 to 4 carbon atoms.

極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の含有率は、樹脂(P)中の全繰り返し単位に対し、1〜40モル%が好ましく、より好ましくは1〜20モル%である。   The content of the repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure having no polar group and not exhibiting acid decomposability is preferably 1 to 40 mol%, more preferably based on all repeating units in the resin (P). 1 to 20 mol%.

極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH、CHOH、又はCFを表す。

Figure 0005504130
Specific examples of the repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure having no polar group and not exhibiting acid decomposability are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the formula, Ra represents H, CH 3 , CH 2 OH, or CF 3 .
Figure 0005504130

本発明の樹脂(P)は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。   The resin (P) of the present invention has, in addition to the above repeating structural units, dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and general required properties of resist, resolving power, heat resistance, sensitivity. Various repeating structural units can be included for the purpose of adjusting the etc.

このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、(1)塗布溶剤に対する溶解性、(2)製膜性(ガラス転移点)、(3)アルカリ現像性、(4)膜べり(親疎水性、アルカリ可溶性基選択)、(5)未露光部の基板への密着性、(6)ドライエッチング耐性等の微調整が可能となる。
Examples of such repeating structural units include, but are not limited to, repeating structural units corresponding to the following monomers.
Thereby, performance required for the resin used in the composition of the present invention, in particular, (1) solubility in coating solvent, (2) film-forming property (glass transition point), (3) alkali developability, (4 Fine adjustments such as ()) film slippage (selection of hydrophilicity / hydrophobicity, alkali-soluble group), (5) adhesion of unexposed part to substrate, (6) dry etching resistance, etc. are possible.

このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、クロトン酸エステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。
その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。
As such monomers, for example, addition polymerization selected from acrylic esters, methacrylic esters, acrylamides, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, styrenes, crotonic esters, and the like. Examples include compounds having one unsaturated bond.
In addition, any addition-polymerizable unsaturated compound that can be copolymerized with monomers corresponding to the above various repeating structural units may be copolymerized.

本発明の組成物に用いられる樹脂(P)において、各繰り返し構造単位の含有モル比は、レジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。   In the resin (P) used in the composition of the present invention, the content molar ratio of each repeating structural unit is the resist dry etching resistance, standard developer suitability, substrate adhesion, resist profile, and general resist requirements. It is appropriately set in order to adjust the resolution, heat resistance, sensitivity, etc., which are performance.

本発明の樹脂(P)の形態としては、ランダム型、ブロック型、クシ型、スター型のいずれの形態でもよい。
樹脂(P)は、例えば、各構造に対応する不飽和モノマーのラジカル、カチオン、又はアニオン重合により合成することができる。また各構造の前駆体に相当する不飽和モノマーを用いて重合した後に、高分子反応を行うことにより目的とする樹脂を得ることも可能である。
The form of the resin (P) of the present invention may be any of random type, block type, comb type, and star type.
The resin (P) can be synthesized, for example, by radical, cation, or anionic polymerization of an unsaturated monomer corresponding to each structure. It is also possible to obtain the desired resin by polymerizing after using an unsaturated monomer corresponding to the precursor of each structure and then performing a polymer reaction.

例えば、一般的合成方法としては、不飽和モノマー及び重合開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤に不飽和モノマーと重合開始剤の溶液を1〜10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。   For example, as a general synthesis method, an unsaturated monomer and a polymerization initiator are dissolved in a solvent, and a batch polymerization method in which polymerization is performed by heating, a solution of an unsaturated monomer and a polymerization initiator in a heating solvent for 1 to 10 hours. The dropping polymerization method etc. which are dropped and added over are mentioned, and the dropping polymerization method is preferable.

重合に使用される溶媒としては、例えば、後述の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を調製する際に使用することができる溶剤等を挙げることができ、より好ましくは本発明の組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。   Examples of the solvent used for the polymerization include a solvent that can be used in preparing the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition described below, and more preferably the composition of the present invention. Polymerization is preferably carried out using the same solvent as used in the above. Thereby, generation | occurrence | production of the particle at the time of a preservation | save can be suppressed.

重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤(アゾ系開始剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)などが挙げられる。必要に応じて連鎖移動剤(例えば、アルキルメルカプタンなど)の存在下で重合を行ってもよい。   The polymerization reaction is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon. As a polymerization initiator, a commercially available radical initiator (azo initiator, peroxide, etc.) is used to initiate the polymerization. As the radical initiator, an azo initiator is preferable, and an azo initiator having an ester group, a cyano group, or a carboxyl group is preferable. Preferred initiators include azobisisobutyronitrile, azobisdimethylvaleronitrile, dimethyl 2,2'-azobis (2-methylpropionate) and the like. If necessary, the polymerization may be performed in the presence of a chain transfer agent (for example, alkyl mercaptan).

反応の濃度は5〜70質量%であり、好ましくは10〜50質量%である。反応温度は、通常10℃〜150℃であり、好ましくは30℃〜120℃、更に好ましくは40〜100℃である。
反応時間は、通常1〜48時間であり、好ましくは1〜24時間、更に好ましくは1〜12時間である。
The reaction concentration is 5 to 70% by mass, preferably 10 to 50% by mass. The reaction temperature is usually from 10 ° C to 150 ° C, preferably from 30 ° C to 120 ° C, more preferably from 40 ° C to 100 ° C.
The reaction time is usually 1 to 48 hours, preferably 1 to 24 hours, more preferably 1 to 12 hours.

反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外ろ過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。たとえば、上記樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒(貧溶媒)を、該反応溶液の10倍以下の体積量、好ましくは10〜5倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。   After completion of the reaction, the mixture is allowed to cool to room temperature and purified. Purification can be accomplished by a liquid-liquid extraction method that removes residual monomers and oligomer components by combining water and an appropriate solvent, and a purification method in a solution state such as ultrafiltration that extracts and removes only those having a specific molecular weight or less. , Reprecipitation method that removes residual monomer by coagulating resin in poor solvent by dripping resin solution into poor solvent and purification in solid state such as washing filtered resin slurry with poor solvent A normal method such as a method can be applied. For example, the resin is precipitated as a solid by contacting a solvent (poor solvent) in which the resin is hardly soluble or insoluble in a volume amount of 10 times or less, preferably 10 to 5 times that of the reaction solution.

ポリマー溶液からの沈殿又は再沈殿操作の際に用いる溶媒(沈殿又は再沈殿溶媒)としては、該ポリマーの貧溶媒であればよく、ポリマーの種類に応じて、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ニトロ化合物、エーテル、ケトン、エステル、カーボネート、アルコール、カルボン酸、水、これらの溶媒を含む混合溶媒等の中から適宜選択して使用できる。これらの中でも、沈殿又は再沈殿溶媒として、少なくともアルコール(特に、メタノールなど)又は水を含む溶媒が好ましい。   The solvent (precipitation or reprecipitation solvent) used in the precipitation or reprecipitation operation from the polymer solution may be a poor solvent for the polymer, and may be a hydrocarbon, halogenated hydrocarbon, nitro, depending on the type of polymer. A compound, ether, ketone, ester, carbonate, alcohol, carboxylic acid, water, a mixed solvent containing these solvents, and the like can be appropriately selected for use. Among these, as a precipitation or reprecipitation solvent, a solvent containing at least an alcohol (particularly methanol or the like) or water is preferable.

沈殿又は再沈殿溶媒の使用量は、効率や収率等を考慮して適宜選択できるが、一般には、ポリマー溶液100質量部に対して、100〜10000質量部、好ましくは200〜2000質量部、更に好ましくは300〜1000質量部である。   The amount of the precipitation or reprecipitation solvent used can be appropriately selected in consideration of efficiency, yield, and the like, but generally 100 to 10000 parts by mass, preferably 200 to 2000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer solution, More preferably, it is 300-1000 mass parts.

沈殿又は再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、通常0〜50℃程度、好ましくは室温付近(例えば20〜35℃程度)である。沈殿又は再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。   The temperature for precipitation or reprecipitation can be appropriately selected in consideration of efficiency and operability, but is usually about 0 to 50 ° C., preferably around room temperature (for example, about 20 to 35 ° C.). The precipitation or reprecipitation operation can be performed by a known method such as a batch method or a continuous method using a conventional mixing vessel such as a stirring tank.

沈殿又は再沈殿したポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧又は減圧下(好ましくは減圧下)、30〜100℃程度、好ましくは30〜50℃程度の温度で行われる。   The precipitated or re-precipitated polymer is usually subjected to conventional solid-liquid separation such as filtration and centrifugation, and dried before use. Filtration is performed using a solvent-resistant filter medium, preferably under pressure. Drying is performed at a temperature of about 30 to 100 ° C., preferably about 30 to 50 ° C. under normal pressure or reduced pressure (preferably under reduced pressure).

なお、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、該ポリマーが難溶あるいは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ(工程a)、樹脂を溶液から分離し(工程b)、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Aを調製(工程c)、その後、該樹脂溶液Aに、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒を、樹脂溶液Aの10倍未満の体積量(好ましくは5倍以下の体積量)で、接触させることにより樹脂固体を析出させ(工程d)、析出した樹脂を分離する(工程e)ことを含む方法でもよい。   In addition, once the resin is precipitated and separated, it may be dissolved again in a solvent, and the resin may be brought into contact with a hardly soluble or insoluble solvent. That is, after completion of the radical polymerization reaction, a solvent in which the polymer is hardly soluble or insoluble is brought into contact, the resin is precipitated (step a), the resin is separated from the solution (step b), and dissolved again in the solvent. (Step c), and then contact the resin solution A with a solvent in which the resin is hardly soluble or insoluble in a volume amount less than 10 times that of the resin solution A (preferably 5 times or less volume). This may be a method including precipitating a resin solid (step d) and separating the precipitated resin (step e).

重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤(アゾ系開始剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2‘−アゾビス(2−メチルプロピオネート)などが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5〜50質量%であり、好ましくは10〜30質量%である。反応温度は、通常10℃〜150℃であり、好ましくは30℃〜120℃、更に好ましくは60〜100℃である。   The polymerization reaction is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon. As a polymerization initiator, a commercially available radical initiator (azo initiator, peroxide, etc.) is used to initiate the polymerization. As the radical initiator, an azo initiator is preferable, and an azo initiator having an ester group, a cyano group, or a carboxyl group is preferable. Preferred initiators include azobisisobutyronitrile, azobisdimethylvaleronitrile, dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) and the like. If desired, an initiator is added or added in portions, and after completion of the reaction, it is put into a solvent and a desired polymer is recovered by a method such as powder or solid recovery. The concentration of the reaction is 5 to 50% by mass, preferably 10 to 30% by mass. The reaction temperature is usually from 10 ° C to 150 ° C, preferably from 30 ° C to 120 ° C, more preferably from 60 ° C to 100 ° C.

本発明に係わる樹脂(P)の分子量は、特に制限されないが、重量平均分子量が1000〜100000の範囲であることが好ましく、1500〜60000の範囲であることがより好ましく、2000〜30000の範囲であることが特に好ましい。重量平均分子量を1000〜100000の範囲とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、且つ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。ここで、樹脂の重量平均分子量は、GPC(キャリア:THFあるいはN−メチル−2−ピロリドン(NMP))によって測定したポリスチレン換算分子量を示す。   The molecular weight of the resin (P) according to the present invention is not particularly limited, but the weight average molecular weight is preferably in the range of 1000 to 100,000, more preferably in the range of 1500 to 60000, and in the range of 2000 to 30000. It is particularly preferred. By setting the weight average molecular weight in the range of 1000 to 100,000, it is possible to prevent heat resistance and dry etching resistance from being deteriorated, and also to prevent developability from being deteriorated and the film forming property from being deteriorated due to increased viscosity. be able to. Here, the weight average molecular weight of the resin indicates a molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC (carrier: THF or N-methyl-2-pyrrolidone (NMP)).

また分散度(Mw/Mn)は、好ましくは1.00〜5.00、より好ましくは1.03〜3.50であり、更に好ましくは、1.05〜2.50である。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、且つレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。   The dispersity (Mw / Mn) is preferably 1.00 to 5.00, more preferably 1.03 to 3.50, and still more preferably 1.05 to 2.50. The smaller the molecular weight distribution, the better the resolution and the resist shape, and the smoother the side wall of the resist pattern, the better the roughness.

本発明の樹脂(P)は、1種類単独で、又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。樹脂(P)の含有率は、本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物中の全固形分を基準にして、30〜100質量%が好ましく、50〜100質量%がより好ましく、70〜100質量%が特に好ましい。   Resin (P) of this invention can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. The content of the resin (P) is preferably 30 to 100% by mass, more preferably 50 to 100% by mass, based on the total solid content in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention. 70-100 mass% is especially preferable.

以下に、樹脂(P)の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

Figure 0005504130
Specific examples of the resin (P) are shown below, but the present invention is not limited to these.
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて更に、酸の作用により分解してアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する樹脂、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(低分子の光酸発生剤(従来型))、塩基性化合物、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物、界面活性剤、酸の作用により分解しカルボン酸よりも強い酸を生成する物質等を含有させることができる。   In the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention, if necessary, a resin that decomposes by the action of an acid to increase the dissolution rate in an alkaline aqueous solution, and generates an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation. Compound (low molecular photoacid generator (conventional type)), basic compound, low molecular compound having a group capable of leaving by the action of acid, surfactant, acid stronger than carboxylic acid decomposed by the action of acid The substance etc. which produce | generate can be contained.

<酸の作用により分解してアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する樹脂>
本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物は、樹脂(P)以外に、酸の作用により分解してアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する樹脂を含有していてもよい。
酸の作用により分解してアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する樹脂(以下、「酸分解性樹脂」ともいう)は、樹脂の主鎖又は側鎖、或いは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基(酸分解性基)を有する樹脂である。この内、酸分解性基を側鎖に有する樹脂がより好ましい。
<Resin that decomposes by the action of an acid and increases the dissolution rate in an aqueous alkali solution>
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention may contain, in addition to the resin (P), a resin that decomposes by the action of an acid and increases the dissolution rate in an alkaline aqueous solution.
Resins that decompose due to the action of an acid and increase the dissolution rate in an alkaline aqueous solution (hereinafter also referred to as “acid-decomposable resins”) are not included in the main chain or side chain of the resin, or both of the main chain and side chain. It is a resin having a group (acid-decomposable group) that decomposes by the action of and produces an alkali-soluble group. Among these, a resin having an acid-decomposable group in the side chain is more preferable.

酸分解性樹脂は、欧州特許254853号明細書、特開平2−25850号公報、同3−223860号公報、同4−251259号公報等に開示されているように、アルカリ可溶性樹脂に酸で分解し得る基の前駆体を反応させる、もしくは、酸で分解し得る基の結合したアルカリ可溶性樹脂モノマーを種々のモノマーと共重合して得ることができる。   The acid-decomposable resin is decomposed with an acid into an alkali-soluble resin as disclosed in European Patent No. 254853, JP-A-2-25850, JP-A-3-223860, JP-A-4-251259, and the like. It is possible to obtain an alkali-soluble resin monomer having a group capable of being decomposed or reacting with an acid-decomposable group by copolymerization with various monomers.

酸分解性基としては、例えば、−COOH基、−OH基などのアルカリ可溶性基を有する樹脂において、左記のアルカリ可溶性基の水素原子を酸の作用により脱離する基で置換した基が好ましい。   As the acid-decomposable group, for example, in a resin having an alkali-soluble group such as —COOH group and —OH group, a group in which the hydrogen atom of the alkali-soluble group shown on the left is substituted with a group capable of leaving by the action of an acid is preferable.

酸分解性基として具体的には、前述した本発明の樹脂(P)で説明した酸分解性基(例えば、樹脂(P)における繰り返し単位(B)として説明した酸分解性基)と同様の基を好ましい例として挙げることができる。   Specifically, the acid-decomposable group is the same as the acid-decomposable group described in the resin (P) of the present invention (for example, the acid-decomposable group described as the repeating unit (B) in the resin (P)). A group can be mentioned as a preferred example.

前記アルカリ可溶性基を有する樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ポリ(o−ヒドロキシスチレン)、ポリ(m−ヒドロキシスチレン)、ポリ(p−ヒドロキシスチレン)及びこれらの共重合体、水素化ポリ(ヒドロキシスチレン)、下記構造で表される置換基を有するポリ(ヒドロキシスチレン)類、およびフェノール性水酸基を有する樹脂、スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、水素化ノボラック樹脂等のヒドロキシスチレン構造単位を有するアルカリ可溶性樹脂、(メタ)アクリル酸、ノルボルネンカルボン酸などのカルボキシル基を有する繰り返し単位を含有するアルカリ可溶性樹脂が挙げられる。

Figure 0005504130
The resin having an alkali-soluble group is not particularly limited. For example, poly (o-hydroxystyrene), poly (m-hydroxystyrene), poly (p-hydroxystyrene) and copolymers thereof, hydrogenated poly (Hydroxystyrene), poly (hydroxystyrene) s having a substituent represented by the following structure, and resins having a phenolic hydroxyl group, styrene-hydroxystyrene copolymer, α-methylstyrene-hydroxystyrene copolymer, hydrogen An alkali-soluble resin having a hydroxystyrene structural unit such as a modified novolak resin, and an alkali-soluble resin containing a repeating unit having a carboxyl group such as (meth) acrylic acid or norbornenecarboxylic acid.
Figure 0005504130

これらアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解速度は、2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)で測定(23℃)して17nm/秒以上が好ましい。特に好ましくは33nm/秒以上である。
酸で分解し得る基の含有率は、樹脂中の酸で分解し得る基を有する繰り返し単位の数(X)と酸で脱離する基で保護されていないアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の数(Y)をもって、X/(X+Y)で表される。含有率は、好ましくは0.01〜0.7、より好
ましくは0.05〜0.50、更に好ましくは0.05〜0.40である。
酸分解性樹脂の分子量、分散度の好ましい範囲は、樹脂(P)と同様である。
酸分解性樹脂は、2種類以上組み合わせて使用してもよい。
The alkali dissolution rate of these alkali-soluble resins is preferably 17 nm / second or more as measured with 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) (23 ° C.). Particularly preferably, it is 33 nm / second or more.
The content ratio of the group capable of decomposing with an acid is the number of repeating units (X) having a group capable of decomposing with an acid in the resin (X) and the number of repeating units having an alkali-soluble group not protected with a group capable of leaving with an acid. With (Y), it is expressed as X / (X + Y). The content is preferably 0.01 to 0.7, more preferably 0.05 to 0.50, and still more preferably 0.05 to 0.40.
The preferred ranges of molecular weight and dispersity of the acid-decomposable resin are the same as those of the resin (P).
Two or more acid-decomposable resins may be used in combination.

本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物において、樹脂(P)を除く酸分解性樹脂の組成物中の配合率は、組成物の全固形分中0〜70質量%が好ましく、より好ましくは0〜50質量%、更により好ましくは0〜30質量%である。   In the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention, the mixing ratio in the composition of the acid-decomposable resin excluding the resin (P) is preferably 0 to 70% by mass in the total solid content of the composition, More preferably, it is 0-50 mass%, More preferably, it is 0-30 mass%.

<活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(低分子の光酸発生剤)>
本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物では、光酸発生構造を有する樹脂(P)を含有しているが、該樹脂(P)以外に、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する低分子の化合物(以下、「酸発生剤」又は「光酸発生剤」ともいう)を含有してもよい。
<Compound that generates acid upon irradiation with actinic ray or radiation (low molecular photoacid generator)>
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention contains a resin (P) having a photoacid-generating structure. In addition to the resin (P), an acid is irradiated by irradiation with actinic rays or radiation. A low molecular weight compound (hereinafter also referred to as “acid generator” or “photoacid generator”) may be contained.

そのような酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。   Examples of such an acid generator include a photoinitiator for photocationic polymerization, a photoinitiator for photoradical polymerization, a photodecolorant for dyes, a photochromic agent, or an actinic ray or radiation used for a microresist. A known compound that generates an acid by irradiation and a mixture thereof can be appropriately selected and used.

たとえば、アジニウム塩、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o−ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。これらの具体例としては、例えば、米国特許出願公開第2008/0241737A1号明細書の〔0164〕〜〔0248〕に説明されているものを挙げることができる。   Examples thereof include azinium salts, diazonium salts, phosphonium salts, sulfonium salts, iodonium salts, imide sulfonates, oxime sulfonates, diazodisulfones, disulfones, and o-nitrobenzyl sulfonates. Specific examples thereof include those described in [0164] to [0248] of US Patent Application Publication No. 2008 / 0241737A1.

また、低分子の光酸発生剤として、先に説明した単環式又は多環式の含窒素複素環を含んだカチオンと、任意のアニオンとを含んだ塩を使用してもよい。   Further, as the low-molecular photoacid generator, a salt containing a cation containing the monocyclic or polycyclic nitrogen-containing heterocycle described above and an arbitrary anion may be used.

本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物において、光酸発生構造を有する樹脂(P)以外に、酸発生剤を用いる場合には、酸発生剤は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。酸発生剤の組成物中の含量は、本発明の組成物の全固形分を基準として、0〜20質量%が好ましく、より好ましくは0〜10質量%、更に好ましくは0〜7質量%である。酸発生剤は、本発明において必須成分ではないが、添加の効果を得る上では、通常0.01質量%以上で使用される。   In the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention, when an acid generator is used in addition to the resin (P) having a photoacid generating structure, the acid generator is used alone or in combination of two. The above can be used in combination. The content of the acid generator in the composition is preferably 0 to 20% by mass, more preferably 0 to 10% by mass, and still more preferably 0 to 7% by mass, based on the total solid content of the composition of the present invention. is there. The acid generator is not an essential component in the present invention, but is usually used in an amount of 0.01% by mass or more in order to obtain the effect of addition.

<塩基性化合物>
本発明の感活性光線又は放射線性組成物は、塩基性化合物を含有することが好ましい。
<Basic compound>
The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition of the present invention preferably contains a basic compound.

塩基性化合物は、含窒素有機塩基性化合物であることが好ましい。
使用可能な化合物は特に限定されないが、例えば以下の(1)〜(4)に分類される化合物が好ましく用いられる。
(1)下記一般式(BS−1)で表される化合物

Figure 0005504130
The basic compound is preferably a nitrogen-containing organic basic compound.
Although the compound which can be used is not specifically limited, For example, the compound classified into the following (1)-(4) is used preferably.
(1) Compound represented by the following general formula (BS-1)
Figure 0005504130

一般式(BS−1)中、
Rは、各々独立に、水素原子、アルキル基(直鎖又は分岐)、シクロアルキル基(単環又は多環)、アリール基、アラルキル基の何れかを表す。但し、3つのRの全てが水素原子とはならない。
Rとしてのアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常1〜20、好ましくは1〜12である。
Rとしてのシクロアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常3〜20、好ましくは5〜15である。
Rとしてのアリール基の炭素数は特に限定されないが、通常6〜20、好ましくは6〜10である。具体的にはフェニル基やナフチル基などが挙げられる。
Rとしてのアラルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常7〜20、好ましくは7〜11である。具体的にはベンジル基等が挙げられる。
Rとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基は、水素原子が置換基により置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、水酸基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。
一般式(BS−1)で表される化合物は、3つのRの1つのみが水素原子であることが好ましく、あるいは全てのRが水素原子でないことが好ましい。
In general formula (BS-1),
Each R independently represents a hydrogen atom, an alkyl group (straight or branched), a cycloalkyl group (monocyclic or polycyclic), an aryl group, or an aralkyl group. However, not all three Rs are hydrogen atoms.
Although carbon number of the alkyl group as R is not specifically limited, Usually, 1-20, Preferably it is 1-12.
Although carbon number of the cycloalkyl group as R is not specifically limited, Usually, 3-20, Preferably it is 5-15.
Although carbon number of the aryl group as R is not specifically limited, Usually, 6-20, Preferably it is 6-10. Specific examples include a phenyl group and a naphthyl group.
Although carbon number of the aralkyl group as R is not specifically limited, Usually, 7-20, Preferably it is 7-11. Specific examples include a benzyl group.
In the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group or aralkyl group as R, a hydrogen atom may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylcarbonyloxy group, and an alkyloxycarbonyl group.
In the compound represented by the general formula (BS-1), it is preferable that only one of three Rs is a hydrogen atom, or it is preferable that all Rs are not hydrogen atoms.

一般式(BS−1)の化合物の具体例としては、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−デシルアミン、トリイソデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジデシルアミン、メチルオクタデシルアミン、ジメチルウンデシルアミン、N,N−ジメチルドデシルアミン、メチルジオクタデシルアミン、N,N−ジブチルアニリン、N,N−ジヘキシルアニリン、2,6−ジイソプロピルアニリン、2,4,6−トリ(t−ブチル)アニリンなどが挙げられる。   Specific examples of the compound of the general formula (BS-1) include tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-octylamine, tri-n-decylamine, triisodecylamine, dicyclohexylmethylamine, Tetradecylamine, pentadecylamine, hexadecylamine, octadecylamine, didecylamine, methyloctadecylamine, dimethylundecylamine, N, N-dimethyldodecylamine, methyldioctadecylamine, N, N-dibutylaniline, N, N- Examples include dihexylaniline, 2,6-diisopropylaniline, 2,4,6-tri (t-butyl) aniline.

また、一般式(BS−1)において、少なくとも1つのRが、水酸基で置換されたアルキル基である化合物が、好ましい態様の1つとして挙げられる。具体的化合物としては、トリエタノールアミン、N,N−ジヒドロキシエチルアニリンなどが挙げられる。   In addition, in the general formula (BS-1), a compound in which at least one R is an alkyl group substituted with a hydroxyl group is mentioned as one of preferable embodiments. Specific examples of the compound include triethanolamine and N, N-dihydroxyethylaniline.

また、Rとしてのアルキル基は、アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン鎖が形成されていてもよい。オキシアルキレン鎖としては−CHCHO−が好ましい。具体的例としては、トリス(メトキシエトキシエチル)アミンや、米国特許第6040112号明細書のカラム3、60行目以降に例示の化合物などが挙げられる。 The alkyl group as R may have an oxygen atom in the alkyl chain, and an oxyalkylene chain may be formed. As the oxyalkylene chain, —CH 2 CH 2 O— is preferable. Specific examples include tris (methoxyethoxyethyl) amine and compounds exemplified in column 3, line 60 and thereafter of US Pat. No. 6,040,112.

(2)含窒素複素環構造を有する化合物
複素環構造としては、芳香族性を有していてもいなくてもよい。また、窒素原子を複数有していてもよく、更に、窒素以外のヘテロ原子を含有していてもよい。具体的には、イミダゾール構造を有する化合物(2−フェニルベンゾイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾールなど)、ピペリジン構造を有する化合物(N−ヒドロキシエチルピペリジン、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケートなど)、ピリジン構造を有する化合物(4−ジメチルアミノピリジンなど)、アンチピリン構造を有する化合物(アンチピリン、ヒドロキシアンチピリンなど)が挙げられる。
(2) Compound having a nitrogen-containing heterocyclic structure The heterocyclic structure may or may not have aromaticity. Moreover, you may have two or more nitrogen atoms, Furthermore, you may contain hetero atoms other than nitrogen. Specifically, compounds having an imidazole structure (2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, etc.), compounds having a piperidine structure (N-hydroxyethylpiperidine, bis (1,2,2,6) , 6-pentamethyl-4-piperidyl) sebacate), compounds having a pyridine structure (such as 4-dimethylaminopyridine), and compounds having an antipyrine structure (such as antipyrine and hydroxyantipyrine).

また、環構造を2つ以上有する化合物も好適に用いられる。具体的には1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン、1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕−ウンデカ−7−エンなどが挙げられる。   A compound having two or more ring structures is also preferably used. Specific examples include 1,5-diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene and 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -undec-7-ene.

(3)フェノキシ基を有するアミン化合物
フェノキシ基を有するアミン化合物とは、アミン化合物のアルキル基の窒素原子と反対側の末端にフェノキシ基を有するものである。フェノキシ基は、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシロキシ基、アリールオキシ基等の置換基を有していてもよい。
(3) Amine compound having a phenoxy group An amine compound having a phenoxy group has a phenoxy group at the terminal opposite to the nitrogen atom of the alkyl group of the amine compound. The phenoxy group is, for example, a substituent such as an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carboxyl group, a carboxylic acid ester group, a sulfonic acid ester group, an aryl group, an aralkyl group, an acyloxy group, and an aryloxy group. You may have.

より好ましくは、フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも1つのオキシアルキレン鎖を有する化合物である。1分子中のオキシアルキレン鎖の数は、好ましくは3〜9個、更に好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン鎖の中でも−CHCHO−が好ましい。 More preferably, it is a compound having at least one oxyalkylene chain between the phenoxy group and the nitrogen atom. The number of oxyalkylene chains in one molecule is preferably 3-9, more preferably 4-6. Among the oxyalkylene chains, —CH 2 CH 2 O— is preferable.

具体例としては、2−[2−{2―(2,2―ジメトキシ−フェノキシエトキシ)エチル}−ビス−(2−メトキシエチル)]−アミンや、米国特許出願公開第2007/0224539A1号明細書の段落[0066]に例示されている化合物(C1−1)〜(C3−3)などが挙げられる。   Specific examples include 2- [2- {2- (2,2-dimethoxy-phenoxyethoxy) ethyl} -bis- (2-methoxyethyl)]-amine and US Patent Application Publication No. 2007 / 0224539A1. The compounds (C1-1) to (C3-3) exemplified in paragraph [0066] of the above.

(4)アンモニウム塩
アンモニウム塩も適宜用いられる。好ましくはヒドロキシド又はカルボキシレートである。より具体的にはテトラブチルアンモニウムヒドロキシドに代表されるテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。
(4) Ammonium salt Ammonium salts are also used as appropriate. Preferred is hydroxide or carboxylate. More specifically, tetraalkylammonium hydroxide represented by tetrabutylammonium hydroxide is preferable.

(5)酸の作用により塩基性が増大する化合物
酸の作用により塩基性が増大する化合物も、塩基性化合物の1種として用いることができる。この例として、例えば下記一般式(A)で表される構造を有するものが挙げられる。下記化合物は、N原子に電子求引性のエステル結合が隣接しているため、そのままでは塩基性が低いが、下記化合物に酸が作用した場合、まず−C(Rb)(Rb)(Rb)部位が分解し、次にエステル結合部位が脱炭酸することで、電子求引性のエステル結合部位が除かれるため、実質的な塩基性が発現すると考えられる。

Figure 0005504130
(5) Compound whose basicity is increased by the action of an acid A compound whose basicity is increased by the action of an acid can also be used as one kind of basic compound. As this example, what has a structure represented, for example by the following general formula (A) is mentioned. The following compound has an electron-withdrawing ester bond adjacent to the N atom, so that the basicity is low as it is. However, when an acid acts on the following compound, first, -C (Rb) (Rb) (Rb) Since the site is decomposed and then the ester bond site is decarboxylated, the electron withdrawing ester bond site is removed, so that it is considered that substantial basicity is developed.
Figure 0005504130

一般式(A)において、Raは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、n=2のとき、2つのRaは同じでも異なっていてもよく、2つのRaは相互に結合して、2価の複素環式炭化水素基(好ましくは炭素数20以下)若しくはその誘導体を形成していてもよい。
Rbは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。但し、−C(Rb)(Rb)(Rb)において、3つのRbが同時に水素原子であることはない。
In the general formula (A), Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group. When n = 2, the two Ras may be the same or different, and the two Ras are bonded to each other to form a divalent heterocyclic hydrocarbon group (preferably having 20 or less carbon atoms) or a derivative thereof. May be formed.
Rb independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group. However, in —C (Rb) (Rb) (Rb), three Rb's are not hydrogen atoms at the same time.

少なくとも2つのRbは結合して脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。
nは0〜2の整数を表し、mは1〜3の整数を表し、n+m=3である。
At least two Rb's may combine to form an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, a heterocyclic hydrocarbon group or a derivative thereof.
n represents an integer of 0 to 2, m represents an integer of 1 to 3, and n + m = 3.

一般式(A)において、Ra及びRbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、水酸基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい。   In general formula (A), the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group represented by Ra and Rb are functional groups such as a hydroxyl group, a cyano group, an amino group, a pyrrolidino group, a piperidino group, a morpholino group and an oxo group, It may be substituted with an alkoxy group or a halogen atom.

前記Ra及びRbのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基(これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、上記官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい)としては、例えば、
メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、これらのアルカンに由来する基を、例えばシクロアルキル基で置換した基、
シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ノルボルナン、アダマンタン、ノラダマンタン等のシクロアルカンに由来する基、これらのシクロアルカンに由来する基を、例えば直鎖状又は分岐状のアルキル基で置換した基、
ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の芳香族化合物に由来する基、これらの芳香族化合物に由来する基を、例えば直鎖状又は分岐状のアルキル基で置換した基、
ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、インドール、インドリン、キノリン、パーヒドロキノリン、インダゾール、ベンズイミダゾール等の複素環化合物に由来する基、これらの複素環化合物に由来する基を直鎖状又は分岐状のアルキル基或いは芳香族化合物に由来する基で置換した基、直鎖状又は分岐状のアルカンに由来する基・シクロアルカンに由来する基を、例えば芳香族化合物に由来する基で置換した基等或いは前記の置換基が水酸基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基で置換された基等が挙げられる。
The alkyl group, cycloalkyl group, aryl group or aralkyl group of Ra and Rb (these alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and aralkyl group may be substituted with the above functional group, alkoxy group or halogen atom). ), For example,
Groups derived from linear and branched alkanes such as methane, ethane, propane, butane, pentane, hexane, heptane, octane, nonane, decane, undecane, dodecane, etc., and groups derived from these alkanes such as cycloalkyl A group substituted by a group,
Groups derived from cycloalkanes such as cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, norbornane, adamantane, noradamantane, groups derived from these cycloalkanes, for example, substituted with linear or branched alkyl groups Group,
A group derived from an aromatic compound such as benzene, naphthalene, anthracene, a group obtained by substituting a group derived from these aromatic compounds with, for example, a linear or branched alkyl group,
Groups derived from heterocyclic compounds such as pyrrolidine, piperidine, morpholine, tetrahydrofuran, tetrahydropyran, indole, indoline, quinoline, perhydroquinoline, indazole, benzimidazole, and groups derived from these heterocyclic compounds are linear or branched A group substituted with a group derived from an aromatic compound or a group derived from an aromatic compound, a group derived from a linear or branched alkane, or a group derived from a cycloalkane, for example, a group derived from an aromatic compound Or a group in which the above substituent is substituted with a functional group such as a hydroxyl group, a cyano group, an amino group, a pyrrolidino group, a piperidino group, a morpholino group, or an oxo group.

また、前記Raが相互に結合して、形成する2価の複素環式炭化水素基(好ましくは炭素数2〜20)若しくはその誘導体としては、例えば、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、1,4,5,6−テトラヒドロピリミジン、1,2,3,4−テトラヒドロキノリン、1,2,3,6−テトラヒドロピリジン、ホモピペラジン、4−アザベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、5−アザベンゾトリアゾール、1H−1,2,3−トリアゾール、1,4,7−トリアザシクロノナン、テトラゾール、7−アザインドール、インダゾール、ベンズイミダゾール、イミダゾ[1,2−a]ピリジン、(1S,4S)−(+)−2,5−ジアザビシクロ[2.2.1]ヘプタン、1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デック−5−エン、インドール、インドリン、1,2,3,4−テトラヒドロキノキサリン、パーヒドロキノリン、1,5,9−トリアザシクロドデカン等の複素環式化合物に由来する基、これらの複素環式化合物に由来する基を直鎖状又は分岐状のアルカンに由来する基、シクロアルカンに由来する基、芳香族化合物に由来する基、複素環化合物に由来する基、水酸基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等で置換した基等が挙げられる。   Examples of the divalent heterocyclic hydrocarbon group (preferably having a carbon number of 2 to 20) or a derivative thereof formed by bonding of Ra to each other include pyrrolidine, piperidine, morpholine, 1, 4, 5 , 6-tetrahydropyrimidine, 1,2,3,4-tetrahydroquinoline, 1,2,3,6-tetrahydropyridine, homopiperazine, 4-azabenzimidazole, benzotriazole, 5-azabenzotriazole, 1H-1, 2,3-triazole, 1,4,7-triazacyclononane, tetrazole, 7-azaindole, indazole, benzimidazole, imidazo [1,2-a] pyridine, (1S, 4S)-(+)-2 , 5-diazabicyclo [2.2.1] heptane, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene Groups derived from heterocyclic compounds such as indole, indoline, 1,2,3,4-tetrahydroquinoxaline, perhydroquinoline, 1,5,9-triazacyclododecane, groups derived from these heterocyclic compounds A group derived from a linear or branched alkane, a group derived from a cycloalkane, a group derived from an aromatic compound, a group derived from a heterocyclic compound, a hydroxyl group, a cyano group, an amino group, a pyrrolidino group, a piperidino group , A morpholino group, a group substituted with an oxo group, and the like.

本発明における特に好ましい酸の作用により塩基性が増大する化合物を具体的に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。

Figure 0005504130
Although the compound which basicity increases by the effect | action of the acid especially preferable in this invention is shown concretely, this invention is not limited to this.
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

一般式(A)で表される化合物は市販のアミンから、Protective Groups in Organic Synthesis 第四版等に記載の方法で簡便に合成できる。もっとも一般的な方法としては市販のアミンに対してニ炭酸エステル又はハロギ酸エステルを作用させることによって得る方法がある。式中Xはハロゲン原子を表す。

Figure 0005504130
The compound represented by the general formula (A) can be easily synthesized from a commercially available amine by a method described in Protective Groups in Organic Synthesis Fourth Edition. As the most general method, there is a method obtained by reacting a dicarbonate or haloformate with a commercially available amine. In the formula, X represents a halogen atom.
Figure 0005504130

その他、本発明の組成物に使用可能なものとして、特開2002−363146号公報の実施例で合成されている化合物、特開2007−298569号公報の段落0108に記載の化合物などが挙げられる。
塩基性化合物は、単独であるいは2種以上併用して用いられる。
塩基性化合物の使用量は、組成物の固形分を基準として、通常、0.001〜10質量%、好ましくは0.01〜5質量%である。
Other examples that can be used in the composition of the present invention include compounds synthesized in Examples of JP-A No. 2002-363146, compounds described in paragraph 0108 of JP-A No. 2007-298869, and the like.
A basic compound is used individually or in combination of 2 or more types.
The usage-amount of a basic compound is 0.001-10 mass% normally on the basis of solid content of a composition, Preferably it is 0.01-5 mass%.

酸発生剤/塩基性化合物のモル比は、2.5〜300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。このモル比としてより好ましくは5.0〜200、更に好ましくは7.0〜150である。
尚、上記モル比における酸発生剤とは、樹脂(P)に含まれる繰返し単位(a)と、前述した樹脂(P)以外の酸発生剤の合計の量である。
The molar ratio of acid generator / basic compound is preferably 2.5 to 300. That is, the molar ratio is preferably 2.5 or more from the viewpoints of sensitivity and resolution, and is preferably 300 or less from the viewpoint of suppressing the reduction in resolution due to pattern thickening over time until post-exposure heat treatment. This molar ratio is more preferably 5.0 to 200, and still more preferably 7.0 to 150.
The acid generator in the above molar ratio is the total amount of the repeating unit (a) contained in the resin (P) and the acid generator other than the resin (P) described above.

<酸またはアルカリの作用により分解する基を有する低分子化合物>
本発明の組成物は、酸またはアルカリの作用により分解する基を有する低分子化合物(但し、上述した酸の作用により塩基性が増大する化合物を除く)を含有することができる。酸またはアルカリの作用により分解する基としては特に限定されないが、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、3級エステル基、3級水酸基、ヘミアミナールエーテル基、ラクトン構造が好ましく、カルバメート基、ヘミアミナールエーテル基であることが特に好ましい。
<Low molecular compound having a group capable of decomposing by the action of acid or alkali>
The composition of the present invention can contain a low molecular weight compound having a group that decomposes by the action of an acid or alkali (except for the above-described compound that increases basicity by the action of an acid). The group that decomposes by the action of an acid or alkali is not particularly limited, but an acetal group, carbonate group, carbamate group, tertiary ester group, tertiary hydroxyl group, hemiaminal ether group, or lactone structure is preferable, and a carbamate group, hemamiamide is preferable. A nal ether group is particularly preferred.

電子線またはEUV光で照射する場合には、フェノール化合物のフェノール性水酸基を酸分解基で置換した構造を含有するものが好ましい。フェノール化合物としてはフェノール骨格を1〜9個含有するものが好ましく、さらに好ましくは2〜6個含有するものである。
以下に具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。

Figure 0005504130
When irradiating with an electron beam or EUV light, what contains the structure which substituted the phenolic hydroxyl group of the phenol compound by the acid-decomposable group is preferable. As a phenol compound, what contains 1-9 phenol frame | skeleton is preferable, More preferably, it contains 2-6 pieces.
Specific examples are shown below, but the present invention is not limited thereto.
Figure 0005504130

上記の酸またはアルカリの作用により分解する基を有する低分子化合物は、市販のものを用いても、公知の方法で合成したものを用いてもよい。   As the low molecular weight compound having a group capable of decomposing by the action of acid or alkali, a commercially available product or a compound synthesized by a known method may be used.

<界面活性剤>
本発明の組成物は、更に界面活性剤を含有してもよい。含有する場合、界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤が好ましい。
これらに該当する界面活性剤としては、大日本インキ化学工業(株)製のメガファックF176、メガファックR08、OMNOVA社製のPF656、PF6320、トロイケミカル(株)製のトロイゾルS−366、住友スリーエム(株)製のフロラードFC430、信越化学工業(株)製のポリシロキサンポリマーKP−341などが挙げられる。
<Surfactant>
The composition of the present invention may further contain a surfactant. When contained, the surfactant is preferably a fluorine-based and / or silicon-based surfactant.
Surfactants corresponding to these include Megafac F176, Megafac R08 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, PF656, PF6320 manufactured by OMNOVA, Troisol S-366 manufactured by Troy Chemical, Sumitomo 3M Examples include Fluorad FC430 manufactured by Co., Ltd., polysiloxane polymer KP-341 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and the like.

また、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。より具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類などが挙げられる。   Further, other surfactants other than fluorine-based and / or silicon-based surfactants can also be used. More specific examples include polyoxyethylene alkyl ethers and polyoxyethylene alkyl aryl ethers.

その他、公知の界面活性剤が適宜使用可能である。使用可能な界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425A1号明細書の[0273]以降に記載の界面活性剤が挙げられる。
界面活性剤は単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
In addition, known surfactants can be used as appropriate. Examples of the surfactant that can be used include surfactants described in [0273] et seq. Of US Patent Application Publication No. 2008 / 0248425A1.
Surfactants may be used alone or in combination of two or more.

界面活性剤の使用量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分量(溶剤を除く全量)に対して、好ましくは0〜2質量%、更に好ましくは0.0001〜2質量%、特に好ましくは0.0005〜1質量%である。   The amount of the surfactant used is preferably 0 to 2% by mass, more preferably 0.0001 to 2% by mass, based on the total solid content (total amount excluding the solvent) of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. %, Particularly preferably 0.0005 to 1% by mass.

一方、界面活性剤の添加量を10ppm以下、或いは含有しないことも好ましい。これにより疎水性樹脂の表面偏在性があがり、それにより、レジスト膜表面をより疎水的にすることができ、液浸露光時の水追随性を向上させることが出来る。   On the other hand, it is also preferable that the addition amount of the surfactant is 10 ppm or less or not contained. This increases the uneven distribution of the surface of the hydrophobic resin, whereby the resist film surface can be made more hydrophobic, and the water followability during immersion exposure can be improved.

<溶剤>
組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、各成分を溶解するものである限り特に限定されないが、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、環状ラクトン、鎖状又は環状のケトン、アルキレンカーボネート、カルボン酸アルキル、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキルなどが挙げられる。その他使用可能な溶媒として、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425A1号明細書の[0244]以降に記載されている溶剤などが挙げられる。
<Solvent>
The solvent that can be used in preparing the composition is not particularly limited as long as it dissolves each component. For example, alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate, alkylene glycol monoalkyl ether, alkyl lactate ester, cyclic lactone, Examples thereof include linear or cyclic ketone, alkylene carbonate, alkyl carboxylate, alkyl alkoxyacetate, alkyl pyruvate and the like. Other usable solvents include, for example, the solvents described in US Patent Application Publication No. 2008 / 0248425A1 after [0244].

アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートが好ましく挙げられる。   Examples of the alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl Preferred examples include ether propionate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate.

アルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルを好ましく挙げられる。   Preferred examples of the alkylene glycol monoalkyl ether include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, and ethylene glycol monoethyl ether.

乳酸アルキルエステルとしては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチルを好ましく挙げられる。   Preferred examples of the alkyl lactate include methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate and butyl lactate.

アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチルを好ましく挙げられる。   Preferable examples of the alkyl alkoxypropionate include ethyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, and ethyl 3-methoxypropionate.

環状ラクトンとしては、例えば、β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、α−メチル−γ−ブチロラクトン、β−メチル−γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−オクタノイックラクトン、α−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンが好ましく挙げられる。   Examples of the cyclic lactone include β-propiolactone, β-butyrolactone, γ-butyrolactone, α-methyl-γ-butyrolactone, β-methyl-γ-butyrolactone, γ-valerolactone, γ-caprolactone, and γ-octano. Preferred are iclactone and α-hydroxy-γ-butyrolactone.

鎖状又は環状のケトンとしては、例えば、2−ブタノン、3−メチルブタノン、ピナコロン、2−ペンタノン、3−ペンタノン、3−メチル−2−ペンタノン、4−メチル−2−ペンタノン、2−メチル−3−ペンタノン、4,4−ジメチル−2−ペンタノン、2,4−ジメチル−3−ペンタノン、2,2,4,4−テトラメチル−3−ペンタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、5−メチル−3−ヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−メチル−3−ヘプタノン、5−メチル−3−ヘプタノン、2,6−ジメチル−4−ヘプタノン、2−オクタノン、3−オクタノン、2−ノナノン、3−ノナノン、5−ノナノン、2−デカノン、3−デカノン、4−デカノン、5−ヘキセン−2−オン、3−ペンテン−2−オン、シクロペンタノン、2−メチルシクロペンタノン、3−メチルシクロペンタノン、2,2−ジメチルシクロペンタノン、2,4,4−トリメチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、3−メチルシクロヘキサノン、4−メチルシクロヘキサノン、4−エチルシクロヘキサノン、2,2−ジメチルシクロヘキサノン、2,6−ジメチルシクロヘキサノン、2,2,6−トリメチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、2−メチルシクロヘプタノン、3−メチルシクロヘプタノンが好ましく挙げられる。   Examples of chain or cyclic ketones include 2-butanone, 3-methylbutanone, pinacolone, 2-pentanone, 3-pentanone, 3-methyl-2-pentanone, 4-methyl-2-pentanone, 2-methyl- 3-pentanone, 4,4-dimethyl-2-pentanone, 2,4-dimethyl-3-pentanone, 2,2,4,4-tetramethyl-3-pentanone, 2-hexanone, 3-hexanone, 5-methyl -3-hexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, 2-methyl-3-heptanone, 5-methyl-3-heptanone, 2,6-dimethyl-4-heptanone, 2-octanone, 3-octanone , 2-nonanone, 3-nonanone, 5-nonanone, 2-decanone, 3-decanone, 4-decanone, 5-hexen-2-one, 3-pentene- -One, cyclopentanone, 2-methylcyclopentanone, 3-methylcyclopentanone, 2,2-dimethylcyclopentanone, 2,4,4-trimethylcyclopentanone, cyclohexanone, 3-methylcyclohexanone, 4- Methylcyclohexanone, 4-ethylcyclohexanone, 2,2-dimethylcyclohexanone, 2,6-dimethylcyclohexanone, 2,2,6-trimethylcyclohexanone, cycloheptanone, 2-methylcycloheptanone, 3-methylcycloheptanone are preferred Can be mentioned.

アルキレンカーボネートとしては、例えば、プロピレンカーボネート、ビニレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネートが好ましく挙げられる。
カルボン酸アルキルとしては、例えば、酢酸ブチルが好ましく挙げられる。
Preferred examples of the alkylene carbonate include propylene carbonate, vinylene carbonate, ethylene carbonate, and butylene carbonate.
As alkyl carboxylate, butyl acetate is mentioned preferably, for example.

アルコキシ酢酸アルキルとしては、例えば、酢酸−2−メトキシエチル、酢酸−2−エトキシエチル、酢酸−2−(2−エトキシエトキシ)エチル、酢酸−3−メトキシ−3−メチルブチル、酢酸−1−メトキシ−2−プロピルが好ましく挙げられる。
ピルビン酸アルキルとしては、例えば、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピルが好ましく挙げられる。
Examples of the alkyl alkoxyacetate include 2-methoxyethyl acetate, 2-ethoxyethyl acetate, 2- (2-ethoxyethoxy) ethyl acetate, 3-methoxy-3-methylbutyl acetate, and 1-methoxy-acetate. 2-propyl is preferred.
Preferred examples of the alkyl pyruvate include methyl pyruvate, ethyl pyruvate, and propyl pyruvate.

好ましく使用できる溶剤としては、2−ヘプタノン、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、乳酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、3−エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸−2−エトキシエチル、酢酸−2−(2−エトキシエトキシ)エチル、プロピレンカーボネートが挙げられる。特に好ましい溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルが挙げられる。
これら溶媒は、単独で用いても2種以上を混合して用いてもよい。2種以上を混合する場合、水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤とを混合することが好ましい。水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤との質量比は、1/99〜99/1、好ましくは10/90〜90/10、更に好ましくは20/80〜60/40である。
Preferred solvents that can be used include 2-heptanone, cyclopentanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, butyl acetate, ethyl lactate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, 3-ethoxypropionic acid Examples include ethyl, ethyl pyruvate, 2-ethoxyethyl acetate, 2- (2-ethoxyethoxy) ethyl acetate, and propylene carbonate. Particularly preferred solvents include propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monomethyl ether.
These solvents may be used alone or in combination of two or more. When mixing 2 or more types, it is preferable to mix the solvent which has a hydroxyl group, and the solvent which does not have a hydroxyl group. The mass ratio of the solvent having a hydroxyl group and the solvent having no hydroxyl group is from 1/99 to 99/1, preferably from 10/90 to 90/10, and more preferably from 20/80 to 60/40.

水酸基を有する溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましく、水酸基を有しない溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートが好ましい。   The solvent having a hydroxyl group is preferably an alkylene glycol monoalkyl ether, and the solvent having no hydroxyl group is preferably an alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate.

本発明の組成物中における溶媒の含有率は、所望の膜厚等に応じて適宜調整可能であるが、一般的には組成物の全固形分濃度が0.5〜30質量%、好ましくは1.0〜20質量%、より好ましくは1.5〜10質量%となるように調製される。   The content of the solvent in the composition of the present invention can be appropriately adjusted according to the desired film thickness and the like, but generally the total solid content concentration of the composition is 0.5 to 30% by mass, preferably It is prepared so that it may become 1.0-20 mass%, More preferably, it is 1.5-10 mass%.

<酸の作用により分解し、カルボン酸よりも強い酸を生成する物質>
本発明の組成物は、酸の作用により分解し、カルボン酸よりも強い酸を生成する物質(以下、「酸増殖剤」ともいう)を含有してもよい。
酸増殖剤から生成する酸は、その酸の強度が大きいものが好ましく、具体的にはその酸の解離定数(pKa)として3以下が好ましく、より好ましくは2以下である。酸増殖剤から発生する酸としてはスルホン酸が好ましい。
<Substance that decomposes by the action of acid to produce an acid stronger than carboxylic acid>
The composition of the present invention may contain a substance that decomposes by the action of an acid to produce an acid stronger than a carboxylic acid (hereinafter also referred to as “acid proliferating agent”).
The acid produced from the acid proliferating agent is preferably one having a high acid strength. Specifically, the acid dissociation constant (pKa) is preferably 3 or less, more preferably 2 or less. The acid generated from the acid proliferating agent is preferably sulfonic acid.

酸増殖剤は、国際公開第95/29968号公報、国際公開第98/24000号公報、特開平8−305262号公報、特開平9−34106号公報、特開平8−248561号公報、特表平8−503082号公報、米国特許第5,445,917号明細書、特表平8−503081号公報、米国特許第5,534,393号明細書、米国特許第5,395,736号明細書、米国特許第5,741,630号明細書、米国特許第5,334,489号明細書、米国特許第5,582,956号明細書、米国特許第5,578,424号明細書、米国特許第5,453,345号明細書、米国特許第5,445,917号明細書、欧州特許第665,960号明細書、欧州特許第757,628号明細書、欧州特許第665,961号明細書、米国特許第5,667,943号明細書、特開平10−1508号公報、特開平10−282642号公報、特開平9−512498号公報、特開2000−62337号公報、特開2005−17730号公報、特開2008−209889号公報等に記載の酸増殖剤を1種、或いは2種以上組み合わせて用いることができる。
具体的には下記一般式(1)〜(6)で表される化合物が好ましい。

Figure 0005504130
Examples of the acid proliferating agent include International Publication No. 95/29968, International Publication No. 98/24000, Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-305262, Japanese Unexamined Patent Publication No. 9-34106, Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-248561, No. 8-503082, U.S. Pat. No. 5,445,917, JP-T-8-503081, U.S. Pat. No. 5,534,393, U.S. Pat. No. 5,395,736 US Pat. No. 5,741,630, US Pat. No. 5,334,489, US Pat. No. 5,582,956, US Pat. No. 5,578,424, US Patent No. 5,453,345, US Pat. No. 5,445,917, European Patent 665,960, European Patent 757,628, European Patent 665,961 Light U.S. Pat. No. 5,667,943, JP-A-10-1508, JP-A-10-282642, JP-A-9-512498, JP-A-2000-62337, JP-A-2005-2005. The acid proliferating agents described in Japanese Patent No. 17730, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-209889, and the like can be used alone or in combination of two or more.
Specifically, compounds represented by the following general formulas (1) to (6) are preferable.
Figure 0005504130

一般式(1)〜(6)に於いて、
Rは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
In the general formulas (1) to (6),
R represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or an aralkyl group.


は、酸の作用により脱離する基を表す。
は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、又はアリーロキシ基を表す。
は、アルキル基又はアラルキル基を表す。
は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
、Rは、各々独立に、アルキル基を表し、RとRが互いに結合して環を形成してもよい。

R 0 represents a group capable of leaving by the action of an acid.
R 1 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an alkoxy group, or an aryloxy group.
R 2 represents an alkyl group or an aralkyl group.
R 3 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
R 4 and R 5 each independently represents an alkyl group, and R 4 and R 5 may be bonded to each other to form a ring.

は、水素原子又はアルキル基を表す。
は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
R 6 represents a hydrogen atom or an alkyl group.
R 7 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
R 8 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.

は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
は、Rと結合して環を形成しても良い。
10は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、アリーロキシ基又はアルケニルオキシ基を表す。
11は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、アリーロキシ基又はアルケニル基を表す。
10とR11は、互いに結合して環を形成してもよい。
12は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基又は環状イミド基を表す。
R 9 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
R 9 may combine with R 7 to form a ring.
R 10 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aralkyl group, an aryloxy group or an alkenyloxy group.
R 11 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aralkyl group, an aryloxy group or an alkenyl group.
R 10 and R 11 may combine with each other to form a ring.
R 12 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkenyl group, an alkynyl group or a cyclic imide group.

一般式(1)〜(6)に於いて、アルキル基としては、炭素数1〜8個のアルキル基が挙げられ、シクロアルキル基としては、炭素数4〜10個の単環又は多環のシクロアルキル基が挙げられ、アリール基としては、炭素数6〜14個のアリール基が挙げられ、アラルキル基としては、炭素数7〜20個のアラルキル基が挙げられ、アルコキシ基としては、炭素数1〜8個のアルコキシ基が挙げられ、アルケニル基としては、炭素2〜6個のアルケニル基が挙げられ、アリーロキシ基としては、炭素数6〜14個のアリーロキシ基が挙げられ、アルケニルオキシ基としては、炭素数2〜8個のアルケニルオキシ基が挙げられる。   In the general formulas (1) to (6), examples of the alkyl group include an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and examples of the cycloalkyl group include monocyclic or polycyclic groups having 4 to 10 carbon atoms. Examples of the aryl group include aryl groups having 6 to 14 carbon atoms, examples of the aralkyl group include aralkyl groups having 7 to 20 carbon atoms, and examples of the alkoxy group include carbon atoms. Examples include 1 to 8 alkoxy groups. Examples of alkenyl groups include alkenyl groups having 2 to 6 carbon atoms. Examples of aryloxy groups include aryloxy groups having 6 to 14 carbon atoms. Examples of alkenyloxy groups include alkenyloxy groups. Includes an alkenyloxy group having 2 to 8 carbon atoms.

上記各置換基は更に置換基を有してもよく、置換基としては例えば次のようなものを例示できる。すなわち、Cl、Br、Fなどのハロゲン原子、−CN基、−OH基、炭素数1〜4個のアルキル基、炭素数3〜8個のシクロアルキル基、炭素数1〜4個のアルコキシ基、アセチルアミノ基などのアシルアミノ基、ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基、フェノキシエチル基などのアリロキシアルキル基、炭素数2〜5個のアルコキシカルボニル基、炭素数2〜5個のアシルオキシ基等を挙げることができる。   Each of the above substituents may further have a substituent, and examples of the substituent include the following. That is, halogen atoms such as Cl, Br, and F, -CN group, -OH group, alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms, and alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms , Acylamino groups such as acetylamino group, aralkyl groups such as benzyl group and phenethyl group, allyloxyalkyl groups such as phenoxyethyl group, alkoxycarbonyl groups having 2 to 5 carbon atoms, acyloxy groups having 2 to 5 carbon atoms, etc. Can be mentioned.

とRが互いに結合して形成する環としては、1,3−ジオキソラン環、1,3−ジオキサン環等が挙げられる。
とRが互いに結合して形成する環としては、シクロペンチル環、シクロヘキシル環等が挙げられる。
10とR11が互いに結合して形成する環としては、環内に酸素原子を含んでいてもよい、3−オキソシクロヘキセニル環、3−オキソインデニル環等が挙げられる。
Examples of the ring formed by combining R 4 and R 5 with each other include a 1,3-dioxolane ring and a 1,3-dioxane ring.
Examples of the ring formed by combining R 7 and R 9 with each other include a cyclopentyl ring and a cyclohexyl ring.
Examples of the ring formed by combining R 10 and R 11 with each other include a 3-oxocyclohexenyl ring and a 3-oxoindenyl ring which may contain an oxygen atom in the ring.

の酸の作用により脱離する基としては、例えば、t−ブチル基、t−アミル基等の3級アルキル基、イソボロニル基、1−エトキシエチル基、1−ブトキシエチル基、1−イソブトキシエチル基、1−シクロヘキシロキシエチル基等の1−アルコキシエチル基、1−メトキシメチル基、1−エトキシメチル基等のアルコキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、トリアルキルシリル基、3−オキソシクロヘキシル基等を挙げることができる。 Examples of the group capable of leaving by the action of an acid of R 0 include tertiary alkyl groups such as t-butyl group and t-amyl group, isobornyl group, 1-ethoxyethyl group, 1-butoxyethyl group, 1-iso 1-alkoxyethyl group such as butoxyethyl group, 1-cyclohexyloxyethyl group, alkoxymethyl group such as 1-methoxymethyl group, 1-ethoxymethyl group, tetrahydropyranyl group, tetrahydrofuranyl group, trialkylsilyl group, 3 -Oxocyclohexyl group etc. can be mentioned.

上記R、R、R〜R11の各々の好ましいものとして以下のものが挙げられる。
R;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基、トリフルオロメチル基、ノナフルオロブチル基、ヘプタデカフルオロオクチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、フェニル基、ペンタフルオロフェニル基、メトキシフェニル基、トルイル基、メシチル基、フルオロフェニル基、ナフチル基、シクロヘキシル基、樟脳基。
Preferred examples of each of R, R 0 and R 1 to R 11 include the following.
R: methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, octyl group, trifluoromethyl group, nonafluorobutyl group, heptadecafluorooctyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group, phenyl group, pentafluorophenyl Group, methoxyphenyl group, toluyl group, mesityl group, fluorophenyl group, naphthyl group, cyclohexyl group, camphor group.

;t−ブチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1−エトキシエチル基、テトラヒドロピラニル基。 R0 : t-butyl group, methoxymethyl group, ethoxymethyl group, 1-ethoxyethyl group, tetrahydropyranyl group.

;メチル基、エチル基、プロピル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、フェネチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基。 R 1 ; methyl group, ethyl group, propyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, phenyl group, naphthyl group, benzyl group, phenethyl group, methoxy group, ethoxy group, propoxy group, phenoxy group, naphthoxy group.

;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ベンジル基。 R 2 : methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, benzyl group.

;メチル基、エチル基、プロピル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基。 R 3 : methyl group, ethyl group, propyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, phenyl group, naphthyl group, benzyl group, phenethyl group, naphthylmethyl group.

、R;メチル基、エチル基、プロピル基、互いに結合してエチレン基、プロピレン基を形成したもの。 R 4 , R 5 : Methyl group, ethyl group, propyl group, those bonded to each other to form an ethylene group or a propylene group.

;水素原子、メチル基、エチル基。 R 6 : hydrogen atom, methyl group, ethyl group.

、R;水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、フェネチル基、互いに結合してシクロペンチル環、シクロヘキシル環を形成したもの。 R 7 , R 9 ; hydrogen atom, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, phenyl group, naphthyl group, benzyl group, phenethyl group, bonded to each other Forming a cyclopentyl ring or a cyclohexyl ring.

;メチル基、エチル基、イソプロピル基、t−ブチル基、ネオペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ベンジル基。 R 8 ; methyl group, ethyl group, isopropyl group, t-butyl group, neopentyl group, cyclohexyl group, phenyl group, benzyl group.

10;メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、フェノキシ基、ナフトキシ基、ビニロキシ基、メチルビニロキシ基、互いに結合して酸素原子をふくんでよい、3−オキソシクロヘキセニル環、3−オキソインデニル環を形成したもの。 R 10 : methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, methoxy group, ethoxy group, phenyl group, naphthyl group, benzyl group, phenoxy group, naphthoxy Group formed by forming a 3-oxocyclohexenyl ring or a 3-oxoindenyl ring, which may be bonded to each other to contain an oxygen atom.

11;メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、フェノキシ基、ナフトキシ基、ビニル基、アリル基、互いに結合して酸素原子をふくんでよい、3−オキソシクロヘキセニル環、3−オキソインデニル環を形成したもの。 R 11 : methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, methoxy group, ethoxy group, phenyl group, naphthyl group, benzyl group, phenoxy group, naphthoxy A group formed by forming a 3-oxocyclohexenyl ring or a 3-oxoindenyl ring, which may be bonded to each other to contain an oxygen atom.

一般式(6)に於いて、R12がアルキル基を表すとき、炭素原子数1〜12の直鎖状、炭素原子数3〜12の分岐状のアルキル基がより好ましい。 In the general formula (6), when R 12 represents an alkyl group, a linear alkyl group having 1 to 12 carbon atoms and a branched alkyl group having 3 to 12 carbon atoms are more preferable.

12がシクロアルキル基を表すとき、炭素原子数5〜10の単環又は多環の1価の脂肪族炭化水素環基がより好ましい。 When R 12 represents a cycloalkyl group, a monocyclic or polycyclic monovalent aliphatic hydrocarbon ring group having 5 to 10 carbon atoms is more preferable.

12が置換アルキル基、置換された脂肪族炭化水素環基を表すとき、その置換基としては、水素を除く一価の非金属原子団が用いられ、好ましい例としては、ハロゲン原子(−F、−Br、−Cl、−I)、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、アシルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、スルホ基、スルホナト基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、ホスフォノ基、ホスフォナト基、ジアルキルホスフォノ基、ジアリールホスフォノ基、モノアルキルホスフォノ基、アルキルホスフォナト基、モノアリールホスフォノ基、アリールホスフォナト基、ホスフォノオキシ基、ホスフォナトオキシ基、アリール基、アルケニル基等が挙げられる。 When R 12 represents a substituted alkyl group or a substituted aliphatic hydrocarbon ring group, a monovalent nonmetallic atomic group excluding hydrogen is used as the substituent, and a preferred example is a halogen atom (—F , -Br, -Cl, -I), alkoxy group, aryloxy group, alkylthio group, arylthio group, N-alkylamino group, N, N-dialkylamino group, acyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-ary Rucarbamoyloxy group, acylamino group, formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N- Alkyl-N-arylcarbamoyl, sulfo, sulfonate, sulf Amoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfamoyl group, N-arylsulfamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfamoyl group, phosphono group, phosphonate group, dialkylphosphono Group, diaryl phosphono group, monoalkyl phosphono group, alkyl phosphonate group, monoaryl phosphono group, aryl phosphonate group, phosphonooxy group, phosphonatoxy group, aryl group, alkenyl group and the like.

12が、アリール基を表すとき、アリール基としては、1個〜3個のベンゼン環が縮合環を形成したもの、ベンゼン環と5員不飽和環が縮合環を形成したものを挙げることができ、具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基等を挙げることができ、これらのなかでは、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。また、アリール基には上記炭素環式アリール基の他、複素環式(ヘテロ)アリール基が含まれる。複素環式アリール基としては、ピリジル基、フリル基、その他ベンゼン環が縮環したキノリル基、ベンゾフリル基、チオキサントン基、カルバゾール基等の炭素数3〜20、ヘテロ原子数1〜5を含むものが挙げられる。 When R 12 represents an aryl group, examples of the aryl group include those in which 1 to 3 benzene rings form a condensed ring, and those in which a benzene ring and a 5-membered unsaturated ring form a condensed ring. Specific examples include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, an indenyl group, an acenaphthenyl group, a fluorenyl group, and the like. Among these, a phenyl group and a naphthyl group are more preferable. The aryl group includes a heterocyclic (hetero) aryl group in addition to the carbocyclic aryl group. Examples of the heterocyclic aryl group include those having 3 to 20 carbon atoms and 1 to 5 hetero atoms such as a pyridyl group, a furyl group, and other quinolyl groups condensed with a benzene ring, a benzofuryl group, a thioxanthone group, and a carbazole group. Can be mentioned.

12が、置換アリール基を表すとき、置換アリール基としては、前述のアリール基の環形成炭素原子上に置換基として、水素を除く一価の非金属原子団を有するものが用いられる。好ましい置換基の例としては前述のアルキル基、シクロアルキル基における置換基として示したものを挙げることができる。 When R 12 represents a substituted aryl group, as the substituted aryl group, those having a monovalent non-metallic atomic group excluding hydrogen as a substituent on the ring-forming carbon atom of the aforementioned aryl group are used. Examples of preferable substituents include those shown as the substituents in the aforementioned alkyl group and cycloalkyl group.

12が、アルケニル基、置換アルケニル基[−C(R14)=C(R15)(R16)]、アルキニル基、又は置換アルキニル基[−C≡C(R17)]を表すとき、R14〜R17としては、一価の非金属原子団を使用することができる。好ましいR14〜R17の例としては、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基及び置換アリール基を挙げることができる。これらの具体例としては、前述の例として示したものを挙げることができる。R14〜R17のより好ましい置換基としては、水素原子、ハロゲン原子及び炭素原子数1〜10の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基を挙げることができる。 When R 12 represents an alkenyl group, a substituted alkenyl group [—C (R 14 ) ═C (R 15 ) (R 16 )], an alkynyl group, or a substituted alkynyl group [—C≡C (R 17 )] As R 14 to R 17 , a monovalent nonmetallic atomic group can be used. Preferable examples of R 14 to R 17 include a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, and a substituted aryl group. Specific examples thereof include those shown as the above examples. More preferable substituents for R 14 to R 17 include a hydrogen atom, a halogen atom, and a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

12が環状イミド基を表すとき、環状イミドとしては、コハク酸イミド、フタル酸イミド、シクロヘキサンジカルボン酸イミド、ノルボルネンジカルボン酸イミド等の炭素原子4〜20までのものが挙げられる。
一般式(1)〜(6)で表される化合物の具体例としては、例えば、特開2008−209889号公報の[0215]以降に例示された化合物(1−1)〜(1−11)、(2−1)〜(2−6)、(3−1)〜(3−6)、(4−1)〜(4−7)、(5−1)〜(5−4)、(6−1)〜(6−20)が挙げられる。
When R 12 represents a cyclic imide group, examples of the cyclic imide include those having 4 to 20 carbon atoms such as succinic imide, phthalic imide, cyclohexane dicarboxylic imide, norbornene dicarboxylic imide and the like.
Specific examples of the compounds represented by the general formulas (1) to (6) include, for example, compounds (1-1) to (1-11) exemplified after [0215] of JP-A-2008-209889. , (2-1) to (2-6), (3-1) to (3-6), (4-1) to (4-7), (5-1) to (5-4), ( 6-1) to (6-20).

<その他の成分>
本発明の組成物は、上記に説明した成分以外にも、カルボン酸オニウム塩、Proceeding of SPIE, 2724,355 (1996)等に記載の分子量3000以下の溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤などを適宜含有することができる。
<Other ingredients>
In addition to the components described above, the composition of the present invention comprises a carboxylic acid onium salt, a dissolution inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less, a dye, a plasticizer, a photosensitizer described in Proceeding of SPIE, 2724, 355 (1996), etc. Sensitizers, light absorbers and the like can be appropriately contained.

[パターン形成方法]
本発明の組成物は、典型的には、上記の成分を溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、支持体に塗布して用いる。
フィルターとしては、ポアサイズ0.1μm以下、より好ましくは0.05μm以下、更に好ましくは0.03μm以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。
膜の膜厚は、特に限定されないが、0.01〜0.2μmが好ましく、0.02〜0.1μmがより好ましい。
基板上に塗布する方法としては、スピン塗布が好ましく、その回転数は1000〜3000rpmが好ましい。
[Pattern formation method]
The composition of the present invention is typically used by dissolving the above-described components in a solvent, filtering the solution, and applying the solution to a support.
The filter is preferably made of polytetrafluoroethylene, polyethylene, or nylon having a pore size of 0.1 μm or less, more preferably 0.05 μm or less, and still more preferably 0.03 μm or less.
The thickness of the film is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 0.2 μm, and more preferably 0.02 to 0.1 μm.
As a method of coating on the substrate, spin coating is preferable, and the rotation speed is preferably 1000 to 3000 rpm.

組成物は、集積回路素子、フォトマスク、インプリント用モールドなどの製造に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコン被覆)上にスピナー等の適当な塗布方法により塗布される。その後乾燥し、感光性の膜を形成する。
当該膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク(加熱)を行い、現像、リンスする。これにより良好なパターンを得ることができる。なお、電子ビームの照射では、マスクを介さない描画(直描)が一般的である。
The composition is applied by a suitable application method such as a spinner onto a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) used for manufacturing an integrated circuit element, a photomask, an imprint mold, and the like. Thereafter, it is dried to form a photosensitive film.
The film is irradiated with actinic rays or radiation through a predetermined mask, preferably baked (heated), developed and rinsed. Thereby, a good pattern can be obtained. Note that in electron beam irradiation, drawing (direct drawing) without using a mask is common.

なお、本発明の組成物を適用して、インプリント用モールド構造体を作製する場合の詳細については、例えば、ナノインプリントの基礎と技術開発・応用展開―ナノインプリントの基板技術と最新の技術展開―編集:平井義彦 フロンティア出版(2006年6月発行)、特許第4109085号公報や、特開2008−162101号公報などを参照されたい。   For details on producing an imprint mold structure by applying the composition of the present invention, for example, the basics of nanoimprint and technological development / application development-Nanoimprint substrate technology and latest technological development-Editing : Yoshihiko Hirai Frontier Publishing (issued in June 2006), Japanese Patent No. 4109085, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-162101, and the like.

活性光線又は放射線としては特に限定されないが、例えば、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、X線、軟X線、又は電子線が好ましく、EUV光又は電子線が特に好ましい。   Although it does not specifically limit as actinic light or a radiation, For example, a KrF excimer laser, an ArF excimer laser, an X ray, a soft X ray, or an electron beam is preferable, and EUV light or an electron beam is especially preferable.

現像工程では、通常、アルカリ現像液を用いる。現像工程におけるアルカリ現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表される4級アンモニウム塩が用いられるが、これ以外にも無機アルカリ(例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム等、1〜3級アミン(例えば、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等)、アルコールアミン(例えば、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等)、環状アミン(例えば、ピロール、ピヘリジン等)等のアルカリ水溶液も使用可能である。   In the development step, an alkali developer is usually used. As the alkali developer in the development step, a quaternary ammonium salt typified by tetramethylammonium hydroxide is usually used. In addition, inorganic alkalis (for example, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, silica) Sodium, sodium metasilicate, etc., primary to tertiary amines (eg, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, di-n-butylamine, triethylamine, methyldiethylamine), alcohol amines (eg, dimethylethanolamine, triethanolamine) Etc.), and alkaline aqueous solutions such as cyclic amines (for example, pyrrole, pihelidine, etc.) can also be used.

更に、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加してもよい。
アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1〜20質量%である。
アルカリ現像液のpHは、通常10.0〜15.0である。
リンス液としては、純水が好ましく、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
Furthermore, an appropriate amount of alcohol or surfactant may be added to the alkaline developer.
The alkali concentration of the alkali developer is usually from 0.1 to 20% by mass.
The pH of the alkali developer is usually from 10.0 to 15.0.
As the rinsing liquid, pure water is preferable, and an appropriate amount of a surfactant can be added and used.

なお、感光性膜を形成する前に、基板上に予め反射防止膜を塗設してもよい。反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV−40シリーズ、シプレー社製のAR−2、AR−3、AR−5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。   In addition, before forming a photosensitive film | membrane, you may coat an antireflection film | membrane previously on a board | substrate. As the antireflection film, any of an inorganic film type such as titanium, titanium dioxide, titanium nitride, chromium oxide, carbon, and amorphous silicon, and an organic film type made of a light absorber and a polymer material can be used. In addition, as the organic antireflection film, commercially available organic antireflection films such as DUV30 series, DUV-40 series manufactured by Brewer Science, AR-2, AR-3, AR-5 manufactured by Shipley, etc. may be used. it can.

<繰り返し単位(A)に対応した重合性化合物>
(合成例1:M−I−3)
p−アセトキシスチレン100.00質量部を酢酸エチル400質量部に溶解させ、0℃に冷却し、ナトリウムメトキシド(28%メタノール溶液)47.60質量部を30分かけて滴下して加え、室温で5時間撹拌した。酢酸エチルを加えて、有機層を蒸留水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去して、p−ヒドロキシスチレン(54%酢酸エチル溶液)131.70質量部を得た。
<Polymerizable compound corresponding to repeating unit (A)>
(Synthesis Example 1: M-I-3)
100.00 parts by mass of p-acetoxystyrene was dissolved in 400 parts by mass of ethyl acetate, cooled to 0 ° C., 47.60 parts by mass of sodium methoxide (28% methanol solution) was added dropwise over 30 minutes, For 5 hours. Ethyl acetate was added and the organic layer was washed three times with distilled water and then dried over anhydrous sodium sulfate. The solvent was distilled off to obtain 131.70 parts by mass of p-hydroxystyrene (54% ethyl acetate solution). It was.

p−ヒドロキシスチレン(54%酢酸エチル溶液)18.52質量部を酢酸エチル56.00質量部に溶解させ、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロプロパン−1,3−ジスルホニルジフルオリド31.58質量部を加え、0℃に冷却した。トリエチルアミン12.63質量部を酢酸エチル25.00質量部に溶解させた液を30分かけて滴下し、0℃のまま、4時間撹拌した。酢酸エチルを加えて、有機層を飽和食塩水で3回洗浄した後、溶媒を留去した。得られた化合物35.00gをメタノール315質量部に溶解させ、0℃に冷却し、1N 水酸化ナトリウム水溶液245質量部を加えて、室温で2時間撹拌した。溶媒を留去して、酢酸エチルを加えて、有機層を飽和食塩水で3回洗浄した後、溶媒を留去し、化合物A 34.46質量部を得た。   p-Hydroxystyrene (54% ethyl acetate solution) 18.52 parts by mass is dissolved in ethyl acetate 56.00 parts by mass to obtain 1,1,2,2,3,3-hexafluoropropane-1,3-disulfonyl. 31.58 parts by mass of difluoride was added and cooled to 0 ° C. A solution prepared by dissolving 12.63 parts by mass of triethylamine in 25.00 parts by mass of ethyl acetate was added dropwise over 30 minutes, and the mixture was stirred at 0 ° C. for 4 hours. Ethyl acetate was added and the organic layer was washed 3 times with saturated brine, and then the solvent was distilled off. 35.00 g of the obtained compound was dissolved in 315 parts by mass of methanol, cooled to 0 ° C., 245 parts by mass of 1N aqueous sodium hydroxide solution was added, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. The solvent was distilled off, ethyl acetate was added, and the organic layer was washed 3 times with saturated brine, and then the solvent was distilled off to obtain 34.46 parts by mass of Compound A.

4−フェニルピリジンN−オキシド25.80質量部にp−トルエンスルホン酸(2−エチル)ヘキシル42.86質量部を加え100℃で2時間攪拌した。室温まで放冷し、析出した固体をろ過し、酢酸エチル100.00質量部で洗浄した。得られた白色固体をメタノール30.00質量部に溶解し、得られた溶液から、イオン交換樹脂(Amberlite(R); IRA410)を用いて、化合物B 35.55質量部を得た。   42.86 parts by mass of p-toluenesulfonic acid (2-ethyl) hexyl was added to 25.80 parts by mass of 4-phenylpyridine N-oxide, and the mixture was stirred at 100 ° C. for 2 hours. The mixture was allowed to cool to room temperature, and the precipitated solid was filtered and washed with 100.00 parts by mass of ethyl acetate. The obtained white solid was dissolved in 30.00 parts by mass of methanol, and 35.55 parts by mass of Compound B was obtained from the obtained solution using an ion exchange resin (Amberlite®; IRA410).

化合物A30.00質量部をメタノール100.00質量部に溶解させ、化合物B 21.95質量部を加え、室温で3時間撹拌した。溶媒を留去して、蒸留水を加えて、クロロホルムで3回抽出した。得られた有機層を蒸留水で3回洗浄した後、溶媒を留去して、目的の化合物(M−I−3)45.86質量部を得た。

Figure 0005504130
30.00 parts by mass of Compound A was dissolved in 100.00 parts by mass of methanol, 21.95 parts by mass of Compound B was added, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. The solvent was distilled off, distilled water was added, and the mixture was extracted 3 times with chloroform. The obtained organic layer was washed with distilled water three times, and then the solvent was distilled off to obtain 45.86 parts by mass of the target compound (M-I-3).
Figure 0005504130

1H NMR (400 MHz, CDCl3)δ(ppm): 9.04(d, 2H), 8.34(d, 2H), 7.81(d, 2H), 7.55(m, 3H), 7.42(d, 2H), 7.22(d, 2H), 6.68(dd, 1H), 5.74(d, 1H), 5.32(d, 1H), 4.57(d, 2H), 1.58(m, 15H)。 1 H NMR (400 MHz, CDCl 3 ) δ (ppm): 9.04 (d, 2H), 8.34 (d, 2H), 7.81 (d, 2H), 7.55 (m, 3H), 7.42 (d, 2H), 7.22 (d, 2H), 6.68 (dd, 1H), 5.74 (d, 1H), 5.32 (d, 1H), 4.57 (d, 2H), 1.58 (m, 15H).

以下、同様にして、他の繰り返し単位(A)に対応した重合性化合物(M−I−4、M−I−31、M−I−32、M−I−80、M−I−81、M−I−96、M−I−97、M−I−109、M−I−111、M−II−44、M−II−45、M−II−81、M−II−82、M−III−5、M−III−7、M−III−49、M−III−85、M−III−86、M−III−106、M−III−108)を合成した。   Hereinafter, similarly, polymerizable compounds (M-I-4, M-I-31, M-I-32, M-I-80, M-I-81, corresponding to other repeating units (A), M-I-96, M-I-97, M-I-109, M-I-111, M-II-44, M-II-45, M-II-81, M-II-82, M- III-5, M-III-7, M-III-49, M-III-85, M-III-86, M-III-106, M-III-108) were synthesized.

<樹脂(P)の合成>
(合成例2:P−1)
メチルエチルケトン9.33質量部を窒素気流下、80℃に加熱した。この液を攪拌しながら、上記合成例1にて得られたモノマー(M−I−3)6.54質量部、下記構造のモノマー6.70質量部、4−ヒドロキシスチレン6.76質量部、メチルエチルケトン37.33質量部、2,2’−アゾビスイソ酪酸ジメチル〔V−601、和光純薬工業(株)製〕1.51質量部の混合溶液を2時間かけて滴下した。滴下終了後、80℃で更に4時間攪拌した。反応液を放冷後、多量のヘキサン/酢酸エチルで再沈殿を実施し、得られた固体を再度アセトンに溶解させ、多量の水/メタノールで再沈殿・真空乾燥を行うことで、本発明の樹脂(P−1)を9.5質量部得た。
<Synthesis of Resin (P)>
(Synthesis Example 2: P-1)
9.33 parts by mass of methyl ethyl ketone was heated to 80 ° C. under a nitrogen stream. While stirring this liquid, 6.54 parts by mass of the monomer (M-I-3) obtained in Synthesis Example 1 above, 6.70 parts by mass of monomer having the following structure, 6.76 parts by mass of 4-hydroxystyrene, A mixed solution of 37.33 parts by mass of methyl ethyl ketone and 1.51 parts by mass of dimethyl 2,2′-azobisisobutyrate [V-601, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.] was added dropwise over 2 hours. After completion of dropping, the mixture was further stirred at 80 ° C. for 4 hours. After allowing the reaction solution to cool, reprecipitation is performed with a large amount of hexane / ethyl acetate, the obtained solid is dissolved again in acetone, reprecipitation is performed with a large amount of water / methanol, and vacuum drying is performed. 9.5 mass parts of resin (P-1) was obtained.

得られた樹脂のGPC(キャリア:N−メチル−2−ピロリドン(NMP))から求めた重量平均分子量(Mw:ポリスチレン換算)は、Mw=9500、分散度は、Mw/Mn=1.72であった。

Figure 0005504130
The weight average molecular weight (Mw: converted to polystyrene) obtained from GPC (carrier: N-methyl-2-pyrrolidone (NMP)) of the obtained resin was Mw = 9500, and the dispersity was Mw / Mn = 1.72. there were.
Figure 0005504130

以下、同様にして、樹脂P−2〜P−26を合成した。下記表3に、各々の組成比(モル%;各繰り返し単位と左から順に対応)、重量平均分子量及び分散度を示す。

Figure 0005504130
Thereafter, resins P-2 to P-26 were synthesized in the same manner. Table 3 below shows the composition ratio (mol%; corresponding to each repeating unit in order from the left), the weight average molecular weight, and the degree of dispersion.
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

<レジスト評価>
下記表4に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度4質量%の溶液を調製し、これを0.10μmのポアサイズを有するポリテトラフルオロエチレンフィルターで濾過して感活性光線性又は感放射性樹脂組成物を調製した。感活性光線性又は感放射性樹脂組成物を下記の方法で評価し、結果を下記表4に示した。
なお、下表における各成分について、複数使用した場合の比は質量比である。また、各成分の濃度は、全固形分に対する質量濃度(質量%)を表している。
<Resist evaluation>
The components shown in Table 4 below are dissolved in a solvent, and a solution with a solid content of 4% by mass is prepared for each of the components. A radioactive resin composition was prepared. The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition was evaluated by the following method, and the results are shown in Table 4 below.
In addition, about each component in the following table, ratio when using two or more is a mass ratio. Moreover, the density | concentration of each component represents the mass concentration (mass%) with respect to the total solid.

(露光条件1:EB露光;実施例1〜28並びに比較例1及び2)
調製した感放射線性樹脂組成物を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、120℃で90秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、膜厚100nmの感放射線性膜を形成させた。この感放射線性膜を、電子線照射装置((株)日立製作所製HL750、加速電圧50keV)を用いて電子線照射を行った。照射後直ぐに130℃で90秒間ホットプレート上で加熱した。更に濃度2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて23℃で60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、スピン乾燥してレジストパターンを得た。
(Exposure condition 1: EB exposure; Examples 1 to 28 and Comparative Examples 1 and 2)
The prepared radiation-sensitive resin composition was uniformly applied on a silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment using a spin coater, dried by heating on a hot plate at 120 ° C. for 90 seconds, and a film thickness of 100 nm. A radiation sensitive film was formed. This radiation sensitive film was irradiated with an electron beam using an electron beam irradiation apparatus (HL750 manufactured by Hitachi, Ltd., acceleration voltage 50 keV). Immediately after irradiation, it was heated on a hot plate at 130 ° C. for 90 seconds. Further, development was performed at 23 ° C. for 60 seconds using an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution having a concentration of 2.38% by mass, rinsed with pure water for 30 seconds, and then spin-dried to obtain a resist pattern.

(露光条件2:EUV露光;実施例29〜34及び比較例3)
調製した感放射線性樹脂組成物を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、120℃で90秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、膜厚100nmの感放射線性膜を形成させた。この感放射線性膜を、EUV露光装置で照射し、照射後直ぐに130℃で90秒間ホットプレート上で加熱した。更に濃度2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて23℃で60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、スピン乾燥してレジストパターンを得た。
(Exposure condition 2: EUV exposure; Examples 29 to 34 and Comparative Example 3)
The prepared radiation-sensitive resin composition was uniformly applied on a silicon substrate subjected to hexamethyldisilazane treatment using a spin coater, dried by heating on a hot plate at 120 ° C. for 90 seconds, and a film thickness of 100 nm. A radiation sensitive film was formed. This radiation sensitive film was irradiated with an EUV exposure apparatus, and immediately after the irradiation, it was heated on a hot plate at 130 ° C. for 90 seconds. Further, development was performed at 23 ° C. for 60 seconds using an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution having a concentration of 2.38% by mass, rinsed with pure water for 30 seconds, and then spin-dried to obtain a resist pattern.

(感度評価)
得られたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−9220)を用いて観察した。100nmライン(ライン:スペース=1:1)を解像する時の最小照射エネルギーを感度とした。
(Sensitivity evaluation)
The cross-sectional shape of the obtained pattern was observed using a scanning electron microscope (S-9220, manufactured by Hitachi, Ltd.). Sensitivity was defined as the minimum irradiation energy when resolving a 100 nm line (line: space = 1: 1).

(解像力評価)
上記の感度を示す照射量における限界解像力(ラインとスペースとが分離解像する最小幅)を解像力とした。
(Resolution evaluation)
The resolving power was defined as the limiting resolving power (minimum width at which lines and spaces were separated and resolved) at the irradiation amount showing the above sensitivity.

(パターン形状評価)
上記の感度を示す照射量における100nmラインパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−4300)を用いて観察し、矩形、T-top、テーパーの3段階評価を行った。
(Pattern shape evaluation)
The cross-sectional shape of the 100 nm line pattern at the irradiation dose showing the above sensitivity was observed using a scanning electron microscope (S-4300, manufactured by Hitachi, Ltd.), and three-stage evaluation of a rectangle, a T-top, and a taper was performed. .

(LER評価)
上記の感度を示す照射量における100nmラインパターンの長さ方向50μmにおける任意の30点について、走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−9220)を用いてエッジがあるべき基準線からの距離を測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。

Figure 0005504130
(LER evaluation)
The distance from the reference line where there should be an edge, using a scanning electron microscope (S-9220, manufactured by Hitachi, Ltd.) for any 30 points in the length direction 50 μm of the 100 nm line pattern at the irradiation amount showing the sensitivity described above. Was measured, the standard deviation was obtained, and 3σ was calculated.
Figure 0005504130

Figure 0005504130
Figure 0005504130

なお、表中に示した略号は、以下の通りである。   The abbreviations shown in the table are as follows.

〔光酸発生剤〕

Figure 0005504130
[Photoacid generator]
Figure 0005504130

〔塩基性化合物〕
TBAH:テトラブチルアンモニウムヒドロキシド
TOA:トリ(n−オクチル)アミン
TPI:トリフェニルイミダゾール
〔界面活性剤〕
W−1:メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素系)
W−2:メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素及びシリコン系)
W−3:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)(シリコン系)
W−4:PF6320(OMNOVA社製)(フッ素系)
〔溶剤〕
S1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA;1−メトキシ−2−アセトキシプロパン)
S2:プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME;1−メトキシ−2−プロパノール)
S3:乳酸エチル。
[Basic compounds]
TBAH: Tetrabutylammonium hydroxide TOA: Tri (n-octyl) amine TPI: Triphenylimidazole [Surfactant]
W-1: MegaFuck F176 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.) (Fluorine)
W-2: Megafuck R08 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.) (fluorine and silicon)
W-3: Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (silicon-based)
W-4: PF6320 (manufactured by OMNOVA) (fluorine-based)
〔solvent〕
S1: Propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA; 1-methoxy-2-acetoxypropane)
S2: Propylene glycol monomethyl ether (PGME; 1-methoxy-2-propanol)
S3: Ethyl lactate.

上掲の表に記載の結果から、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、EB露光において、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足することが明らかである。
また、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、EUV露光においても、高感度及び良好なパターン形状を同時に満足することが明らかである。
From the results described in the above table, the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention simultaneously exhibits high sensitivity, high resolution, good pattern shape, and good line edge roughness in EB exposure. It is clear that we are satisfied.
Moreover, it is clear that the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention simultaneously satisfies high sensitivity and good pattern shape even in EUV exposure.

Claims (10)

活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する繰り返し単位(A)を含み、前記繰り返し単位(A)は、単環式又は多環式の含窒素複素環を含んだカチオン構造を備えている樹脂(P)を含有したポジ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。   It includes a repeating unit (A) that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid, and the repeating unit (A) has a cationic structure including a monocyclic or polycyclic nitrogen-containing heterocycle. A positive-type actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing the resin (P). 前記カチオン構造はアジニウムカチオンを含んでいる請求項1に記載の組成物。   The composition of claim 1, wherein the cationic structure comprises an azinium cation. 前記カチオン構造は下記一般式(AZ)により表される請求項1又は2に記載の組成物。
Figure 0005504130
式中、Rは、1価の置換基を表す。
Figure 0005504130
は、単環式又は多環式の前記含窒素複素環を表す。
は、置換基を表す。mは、0以上の整数を表す。
The composition according to claim 1, wherein the cationic structure is represented by the following general formula (AZ).
Figure 0005504130
In the formula, R represents a monovalent substituent.
Figure 0005504130
Represents a monocyclic or polycyclic nitrogen-containing heterocycle.
S N represents a substituent. m represents an integer of 0 or more.
前記樹脂(P)は、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を発生する繰り返し単位(B)を更に含んでいる請求項1乃至3の何れか1項に記載の組成物。   The composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the resin (P) further includes a repeating unit (B) that decomposes by the action of an acid to generate an alkali-soluble group. 前記樹脂(P)は、下記一般式(IV)により表される繰り返し単位を更に含んでいる請求項1乃至4の何れか1項に記載の組成物。
Figure 0005504130
式中、R41、R42及びR43は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。R42はArと結合して環を形成していてもよく、その場合のR42は、アルキレン基を表す。
は、単結合、−COO−、又は−CONR64−を表し、R64は、水素原子又はアルキル基を表す。
は、単結合又はアルキレン基を表す。
Arは、2価の芳香環基を表す。
nは、1〜4の整数を表す。
The composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the resin (P) further contains a repeating unit represented by the following general formula (IV).
Figure 0005504130
In the formula, R 41 , R 42 and R 43 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkoxycarbonyl group. R 42 may be bonded to Ar 4 to form a ring, and R 42 in this case represents an alkylene group.
X 4 represents a single bond, —COO—, or —CONR 64 —, and R 64 represents a hydrogen atom or an alkyl group.
L 4 represents a single bond or an alkylene group.
Ar 4 represents a divalent aromatic ring group.
n represents an integer of 1 to 4.
前記繰り返し単位(A)は、前記活性光線又は放射線の照射により前記樹脂(P)の側鎖に酸基を発生する構造を有している請求項1乃至5の何れか1項に記載の組成物。   The composition according to any one of claims 1 to 5, wherein the repeating unit (A) has a structure that generates an acid group in a side chain of the resin (P) by irradiation with the actinic ray or radiation. object. 電子線、X線又は軟X線により露光される請求項1乃至6の何れか1項に記載の組成物。   The composition according to any one of claims 1 to 6, which is exposed to an electron beam, an X-ray or a soft X-ray. 請求項1乃至7の何れか1項に記載の組成物を用いて形成されたレジスト膜。   A resist film formed using the composition according to claim 1. 請求項1乃至7の何れか1項に記載の組成物を用いて膜を形成することと、
前記膜を露光することと、
前記露光された膜を現像することと
を含んだパターン形成方法。
Forming a film using the composition according to any one of claims 1 to 7,
Exposing the film;
Developing a pattern of the exposed film.
前記露光は、電子線、X線又は軟X線により行われる請求項9に記載の方法。   The method according to claim 9, wherein the exposure is performed by an electron beam, an X-ray, or a soft X-ray.
JP2010233655A 2010-06-29 2010-10-18 Positive actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the composition Expired - Fee Related JP5504130B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010233655A JP5504130B2 (en) 2010-06-29 2010-10-18 Positive actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the composition
KR1020110061710A KR20120001631A (en) 2010-06-29 2011-06-24 Positive active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method for using the same
US13/171,144 US20110318693A1 (en) 2010-06-29 2011-06-28 Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the same
TW100122886A TW201205191A (en) 2010-06-29 2011-06-29 Resin composition, and resist film and pattern forming method using the same

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010148224 2010-06-29
JP2010148224 2010-06-29
JP2010233655A JP5504130B2 (en) 2010-06-29 2010-10-18 Positive actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012032747A JP2012032747A (en) 2012-02-16
JP5504130B2 true JP5504130B2 (en) 2014-05-28

Family

ID=45846187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010233655A Expired - Fee Related JP5504130B2 (en) 2010-06-29 2010-10-18 Positive actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the composition

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5504130B2 (en)
TW (1) TW201205191A (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017115629A1 (en) * 2015-12-28 2017-07-06 富士フイルム株式会社 Pattern forming method and method for manufacturing electronic device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4729377B2 (en) * 2005-09-27 2011-07-20 富士フイルム株式会社 Positive resist composition and pattern forming method using the same

Also Published As

Publication number Publication date
TW201205191A (en) 2012-02-01
JP2012032747A (en) 2012-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5719612B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same
JP5292377B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and pattern forming method using the same
JP5802369B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the same
JP5572404B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same
JP5548473B2 (en) Method for producing actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin, resin obtained by this method, composition containing this resin, and resist film and pattern forming method using this composition
JP5578994B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the same
JP5740375B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and pattern forming method using the same
WO2013147286A1 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and pattern forming method, each using the same
JP5658961B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, and pattern forming method
JP2011118310A (en) Active ray sensitive or radiation sensitive resin composition, and pattern forming method using the same
JP6014517B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern formation method, and electronic device manufacturing method
JP5525744B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same
JP5624917B2 (en) Positive actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin film and pattern forming method using the composition
JP5618757B2 (en) Resist composition for semiconductor, and resist film and pattern forming method using the composition
KR20120001631A (en) Positive active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method for using the same
JP5470189B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the same
WO2014132931A1 (en) Active-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, active-ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern formation method, electronic device, and method for manufacturing electronic device
JP5514462B2 (en) RESIST COMPOSITION FOR FORMING FINE PATTERN AND PATTERN FORMING METHOD USING THE COMPOSITION
JP2013182191A (en) Chemically amplified positive resist composition, and resist film, resist coated mask blank, resist pattern formation method, and photomask using the same
JP5572520B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the same
JP5504130B2 (en) Positive actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the composition
JP5723685B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the same
JP5723854B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and pattern forming method using the same
JP5588779B2 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the same
KR20120000533A (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method for using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130510

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140212

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140218

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140317

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5504130

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees