KR20110139330A - 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 탄소나노튜브 박막 - Google Patents

고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 탄소나노튜브 박막 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고분자전해질(polyelectrolyte)을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 탄소나노튜브 박막에 관한 것으로, 탄소나노튜브 박막의 물리적 및 전기적 특성을 향상시키기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 기판을 준비하고, 고분자전해질을 함유하는 전처리 용액으로 기판을 전처리하여 고분자전해질 코팅층을 형성하고, 고분자전해질 코팅층 위에 탄소나노튜브 박막을 코팅한다. 이때 고분자전해질은 양이온성 고분자전해질 또는 음이온성 고분자전해질을 포함한다. 기판을 양이온성 고분자전해질을 포함하는 제1 전처리 용액으로 전처리할 수 있다. 제1 전처리 용액으로 1차 전처리한 후 음이온성 고분자전해질을 포함하는 제2 전처리 용액으로 2차 전처리를 수행할 수 있다. 또한 제1 전처리 용액 및 제2 전처리 용액의 반복적 전처리 과정을 포함할 수 있다. 이와 같은 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통하여 기판에 대한 탄소나노튜브 박막의 접착성 및 전기전도성을 향상시킬 수 있다.

Description

고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 탄소나노튜브 박막{Method for manufacturing carbon nanotube thin film by substrate pretreatment using polyelectrolyte and the carbon nanotube thin film}
본 발명은 탄소나노튜브 박막 제조 기술에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 탄소나노튜브 박막을 형성하기 전에 기판을 고분자전해질(polyelectrolyte)로 전처리하여 탄소나노튜브 박막의 물리적 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 탄소나노튜브 박막에 관한 것이다.
탄소나노튜브를 포함하는 전도성 박막(이하, '탄소나노튜브 박막'이라 한다)은 탄소나노튜브에 친수성 작용기를 치환시키거나 또는 수용액계 계면활성제를 이용하여 수분산 탄소나노튜브 용액을 형성하여 기판에 코팅하거나, 또는 유기 용매를 이용하여 탄소나노튜브를 분산시켜 코팅하는 방법으로 형성된다.
상술한 기술들은 비교적 간단한 방법으로 탄소나노튜브 박막을 얻을 수 있으나 탄소나노튜브 박막과 기판 간의 접착력이 약하여 고품질의 탄소나노튜브 박막을 형성하기 어렵고 각종 제품에 적용되는데 어려움이 따른다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 기존 종래 기술로는, 탄소나노튜브에 기능기를 치환하여 탄소나노튜브 박막의 물성을 향상시키는 방법, 탄소나노튜브 분산 용액에 접착력 및 전도성을 향상시킬 수 있는 특정 물질을 첨가하는 방법, 기판에 화학 반응 또는 강한 물리적 상호 작용을 유도할 수 있는 물질을 전처리 코팅하는 방법 등이 있다.
이러한 방법은 그 개개의 방법에 따라 다음과 같은 특징이 있다.
탄소나노튜브에 기능기를 치환하는 방법은 탄소나노튜브를 화학적 방법으로 특정 기능기를 치환함으로써 탄소나노튜브 상호간, 기판과 탄소나노튜브 사이에 화학적/물리적 결합을 유도시켜 탄소나노튜브 박막의 물성을 확보할 수 있다. 그러나 이 방법은 탄소나노튜브에 기능기를 도입하는 과정에서 탄소나노튜브 자체의 물성이 감소하는 문제가 발생할 수 있다.
탄소나노튜브 분산 용액에 내구성을 향상시킬 수 있는 특정 화학물질을 첨가하는 경우에는 단일 코팅 공정을 통해 내구성 있는 탄소나노튜브 박막을 형성시킬 수 있다. 하지만 이 방법은 탄소나노튜브 분산 용액의 분산성 유지가 어려울 수 있고, 첨가제 물질의 박막 잔존으로 인해 전도도 감소, 광투과도 저하, 헤이즈 발생의 문제가 따를 수 있다.
그리고 기판 표면 처리 및 전처리 코팅 방식은 비교적 간단한 방법으로 탄소나노튜브의 접착성을 확보할 수 있다. 주로 플라즈마 처리 방식, 오존 처리 방식, 산/염기 처리 방식 등이 있는데 이러한 방법들은 기판에 손상을 주거나 탄소나노튜브 박막의 전도성을 저하시킬 수 있다.
따라서 상술한 바와 같은 종래의 문제점을 감안한 본 발명의 목적은, 탄소나노튜브를 포함하는 탄소나노튜브 박막의 접착성 및 전도성을 향상시키기 위해 고분자전해질을 이용한 간단한 전처리 공정을 적용함으로써 탄소나노튜브 박막의 물리적 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 탄소나노튜브 박막을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판을 준비하는 단계, 고분자전해질(polyelectrolyte)을 함유하는 전처리 용액으로 기판을 전처리하여 고분자전해질 코팅층을 형성하는 전처리 단계, 및 상기 고분자전해질 코팅층 위에 탄소나노튜브 박막을 코팅하는 코팅 단계를 포함하는 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 탄소나노튜브 박막 제조 방법에 있어서, 상기 전처리 단계는, 양이온성 고분자전해질을 함유하는 전처리 용액으로 기판을 전처리하여 고분자전해질 코팅층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 탄소나노튜브 박막 제조 방법에 있어서, 상기 전처리 단계는, 양이온성 고분자전해질을 함유하는 제1 전처리 용액으로 상기 기판을 전처리하여 제1 고분자전해질 코팅층을 형성하는 단계와, 음이온성 고분자전해질을 함유하는 제2 전처리 용액으로 상기 기판을 전처리하여 상기 제1 고분자전해질 코팅층을 덮는 제2 고분자전해질 코팅층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 탄소나노튜브 박막 제조 방법에 있어서, 상기 양이온성 고분자전해질은 poly(diallydimethylammonium chloride), poly(allyamine hydrochloride), polyvinyl alcohol, poly(ethylenenimine), doped polyaniline poly(acrylamide-co-diallylmethylammonium chloride) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 음이온성 고분자전해질은 poly(acrylic acid) 및 그의 염(salt), poly(styrene sulfonic acid) 및 그의 염(salt), polyarmic acid 및 그의 염(salt), poly(styrene-alt-maleic acid) 및 그의 염(salt), poly(methacrylicacid) 및 그의 염(salt), poly(vinylsulfonic acid) 및 그의 염(salt), poly(anetholesulfonic acid) 및 그의 염(salt), poly(4-styrenesulfonic acid-co-maleic acid) 및 그의 염(salt) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 탄소나노튜브 박막 제조 방법에 있어서, 상기 제1 전처리 용액 및 제2 전처리 용액에 각각 산 또는 염기를 첨가하여 상기 제1 전처리 용액의 pH를 4~14, 상기 제2 전처리 용액의 pH를 1~10 범위로 조절할 수 있다.
본 발명에 따른 탄소나노튜브 박막 제조 방법에 있어서, 상기 제1 전처리 용액 및 제2 전처리 용액에 각각 포함된 상기 양이온성 고분자전해질 및 음이온성 고분자전해질의 농도는 50 내지 0.01 wt% 일 수 있다.
본 발명에 따른 탄소나노튜브 박막 제조 방법에 있어서, 상기 전처리 단계는, 양이온성 고분자전해질을 함유하는 제1 전처리 용액으로 상기 기판을 전처리하여 제1 고분자전해질 코팅층을 형성하는 단계, 음이온성 고분자전해질을 함유하는 제2 전처리 용액으로 상기 기판을 전처리하여 상기 제1 고분자전해질 코팅층을 덮는 제2 고분자전해질 코팅층을 형성하는 단계를 반복적으로 수행하여 다층 구조의 고분자전해질 코팅층을 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 탄소나노튜브 박막 제조 방법에 있어서, 상기 전처리 단계는, 딥(dip) 코팅, 스프레이(spray) 코팅, 스핀(spin) 코팅, 솔루션 캐스팅(solution casting), 도롭핑(dropping), 롤(roll) 코팅, 그라비아 코팅, 바 코팅(bar coating) 중 적어도 하나의 방법으로 진행할 수 있다.
그리고 본 발명은 또한, 전술한 탄소나노튜브 박막 제조 방법으로 제조된 탄소나노튜브 박막을 제공한다.
본 발명에 따르면, 양이온성 고분자전해질 또는 음이온성 고분자전해질을 포함하는 전처리 용액을 기판에 전처리 코팅한 후, 그 위에 탄소나노튜브 박막을 형성함으로써, 기판에 대한 탄소나노튜브 박막의 접착성과, 탄소나노튜브 박막의 전기전도성을 향상시킬 수 있다.
즉 고분자전해질은 전처리 공정에서 기판에 흡착되어 특정 종류의 전하(이온) 또는 기능기를 기판에 형성한다. 이러한 작용기 또는 전하들은 탄소나노튜브와 강한 흡착성을 형성하여 탄소나노튜브 박막과 기판 간의 접착성을 향상시키게 된다. 특히 기판에 -NH2, -COOH, -SO3H와 같은 작용기가 기판에 형성되게 되면, 기판에 대한 탄소나노튜브 박막의 접착성이 향상되고 스프레이 코팅 과정에서 탄소나노튜브의 부착성이 향상되어 코팅액 사용량을 줄일 수 있어 생산성이 향상된다(실시예 참고).
또한 기판상의 -COOH, -SO3H와 같은 작용기는 탄소나노튜브 박막의 전도성을 향상시키는데, 이것은 음이온성 작용기 또는 음이온에 의한 정전기적 반발력으로 탄소나노튜브 박막에 포함되어 있는 음이온성의 분산제의 제거 효율을 향상되고, 탄소나노튜브와 접촉하여 탄소나노튜브를 p-도핑하기 때문이다. 이러한 전처리 방법으로 형성된 탄소나노튜브 박막은 전처리하지 않은 탄소나노튜브 박막과 비교할 때 면저항 값이 15% 이상 감소한다.
양이온성 고분자전해질을 포함하는 전처리 용액과, 음이온성 고분자전해질을 포함하는 전처리 용액에 각각 산 또는 염기를 첨가하여 용액상의 고분자전해질의 이온화도를 조절하거나 또는 상기 방법으로 고분자 전해질이 전처리 코팅된 기판에 산 또는 염기를 추가 처리함으로써 다양한 제타포텐셜(zeta potential) 값을 가지는 기판을 형성할 수 있는데, 기판의 제타포텐셜 값을 음의 값으로 낮춤으로써 광투과도 대비 면저항 값을 감소시켜 탄소나노튜브 박막의 전기전도도를 향상시킬 수 있다.
그리고 고분자전해질을 이용한 전처리 공정은 다양한 방법으로 제조되는 탄소나노튜브 박막에 쉽게 적용할 수 있고, 탄소나노튜브 박막의 물성을 효율적으로 향상시킬 수 있기 때문에, 보편적으로 알려진 탄소나노튜브 박막 제조 방법과 함께 결합하여 다양한 분야에 적용할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통해 형성한 탄소나노튜브 박막을 포함하는 전도성 기판을 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법에 따른 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 실시예3 및 비교예3에 따른 탄소나노튜브 박막의 광투과도에 따라 면저항 값을 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 실시예3 및 비교예3에 따른 탄소나노튜브 박막의 접착성 테스트를 진행한 후 면저항 변화값을 나타내는 표이다.
도 5는 본 발명의 실시예3 및 비교예3에 따른 탄소나노튜브 박막의 코팅 횟수에 따른 면저항 값의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예5에 따른 탄소나노튜브 박막의 광투과도 86%에서의 제타포텐셜 값 대비 면저항 값을 나타내는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실시예5에 따른 일정량의 코팅액 사용 조건에서 기판의 제타포텐셜 값 대비 탄소나노튜브 박막의 면저항 값을 나타내는 그래프이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 하기의 설명에서는 본 발명의 실시예를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흩트리지 않도록 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.
이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 하나의 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통해 형성한 탄소나노튜브 박막을 포함하는 전도성 기판을 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 탄소나노튜브를 포함하는 전도성 기판(100)은 기판(10), 고분자전해질(polyelectrolyte) 코팅층(20) 및 탄소나노튜브 박막(30)을 포함하여 구성된다.
여기서 전자 탄소나노튜브를 포함하는 전도성 기판(100)은 탄소나노튜브 박막(30)을 포함하는 전도성 기판으로서, 투명전극, 정전분산필름, 전계방출 소자(field emission device), 면발열체, 광전자 소자(optoelectronic device) 및 각종 센서(sensor), 트랜지스터 등에 적용되며, 이것에 한정되는 것은 아니다.
기판(10)으로는 유리, 석영(quartz), 글라스 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼, 투명 및 불투명 플라스틱 기판, 투명 및 불투명 고분자 필름, 금속 중 어느 하나를 사용할 수 있다.
고분자전해질 코팅층(20)은 기판(10)의 표면에 형성된다. 이때 고분자전해질 코팅층(20)은 탄소나노튜브 박막(30)이 형성되는 기판(10)의 특정 면에만 선택적으로 형성될 수도 있고, 기판(10)의 표면 전체에 형성될 수도 있다. 이때 고분자전해질 코팅층(20)은 단층으로 형성될 수도 있고, 다층으로 형성될 수도 있다. 예컨대, 고분자전해질 코팅층(20)은 양이온성 고분자전해질을 이용하여 단층으로 형성할 수 있다. 또는 고분자전해질 코팅층(20)은 양이온성 고분자전해질을 이용하여 형성된 제1 고분자전해질 코팅층과, 제1 고분자전해질 코팅층 상에 음이온성 고분자전해질을 이용하여 형성된 제2 고분자전해질 코팅층을 포함할 수 있다.
또한 기판(10)에 제 1 고분자전해질 코팅층과, 제2 고분자전해질 코팅층을 반복적으로 형성하여 양이온성 고분자전해질층과 음이온성 고분자전해질층으로 구성된 다층구조의 코팅층을 포함할 수 있다.
여기서 양이온성 고분자전해질은 poly(diallydimethylammonium chloride), poly(allyamine hydrochloride), polyvinyl alcohol, poly(ethylenenimine), doped polyaniline poly(acrylamide-co-diallylmethylammonium chloride) 중 적어도 하나를 포함한다. 그리고 음이온성 고분자전해질은 poly(acrylic acid) 및 그의 염(salt), poly(styrene sulfonic acid) 및 그의 염(salt), polyarmic acid 및 그의 염(salt), poly(styrene-alt-maleic acid) 및 그의 염(salt), poly(methacrylicacid) 및 그의 염(salt), poly(vinylsulfonic acid) 및 그의 염(salt), poly(anetholesulfonic acid) 및 그의 염(salt), poly(4-styrenesulfonic acid-co-maleic acid) 및 그의 염(salt) 중 적어도 하나를 포함한다.
여기서 음이온성 고분자전해질을 사용할 경우 양이온성 고분자전해질로 먼저 전처리하는 이유는 다음과 같다. 음이온성 고분자전해질의 경우 일반적으로 양이온성 고분자전해질에 비해 기판(10)에 대한 흡착성이 떨어지기 때문에, 양온성 고분자전해질을 이용해 기판(10)을 우선 전처리한 후, 다시 음이온성 고분자전해질을 이용하여 전처리 공정을 진행하게 된다. 이렇게 하면 양이온성 고분자전해질과 음이온성 고분자전해질 물질 간의 전기적 인력, 산염기 반응에 의해 음이온성 고분자전해질이 기판(10)에 균일하게 코팅된다.
그리고 탄소나노튜브 박막(30)은 고분자전해질 코팅층(20) 상에 형성된다. 이때 탄소나노튜브 박막(30)을 형성하는 탄소나노튜브로는 단일벽 탄소나노튜브, 기능화된 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 기능화된 이중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 기능화된 다중벽 탄소나노튜브 중 적어도 하나가 사용될 수 있다.
이와 같은 본 발명에 따른 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막(30) 제조 방법(S50)에 대해서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다. 여기서 도 2는 본 발명에 따른 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법에 따른 흐름도이다.
먼저 S51단계에서 탄소나노튜브 박막(30)을 형성한 기판(10)을 준비한다.
다음으로 S53단계에서 기판(10)의 표면에 고분자전해질 코팅층(20)을 형성한다. 즉 고분자전해질을 함유하는 전처리 용액으로 기판(10)을 전처리하여 고분자전해질 코팅층(20)을 형성한다.
S53단계에서 양이온성 고분자전해질을 함유하는 전처리 용액으로 기판(10)을 전처리하여 고분자전해질 코팅층(20)을 형성할 수 있다. 또는 S53단계에서 양이온성 고분자전해질을 함유하는 제1 전처리 용액으로 기판(10)을 전처리하여 제1 고분자전해질 코팅층을 형성하고, 음이온성 고분자전해질을 함유하는 제2 전처리 용액으로 기판을(10) 전처리하여 제1 고분자전해질 코팅층을 덮는 제2 고분자전해질 코팅층을 형성할 수도 있다. 또한 기판(10)에 제 1 고분자전해질 코팅층과, 제2 고분자전해질 코팅층을 반복적으로 형성하여 양이온성 고분자전해질층과 음이온성 고분자전해질층으로 구성된 다층구조의 코팅층을 형성할 수 있다.
이때 전처리 용액은 고분자전해질 0.01 내지 50 wt%, 용매 50 내지 99,99 wt%로 조성될 수 있다. 용매로는 물, 알코올 및 이들의 혼합물이 이용될 수 있다. 바람직하게는 전처리 용액은 0.01 내지 10 wt%의 고분자전해질을 포함할 수 있다.
S53단계에 따른 전처리 공정은 딥(dip) 코팅, 스프레이(spray) 코팅, 스핀(spin) 코팅, 솔루션 캐스팅(solution casting), 도롭핑(dropping), 롤(roll) 코팅, 그라비아 코팅, 바 코팅(bar coating) 등의 방법으로 진행될 수 있다.
S53단계에 따른 전처리 공정은 기판(10)에 전처리 용액을 코팅한 이후에, 코팅된 전처리 용액을 건조하거나, 전처리 코팅 후 물 또는 알코올, 산, 염기 등으로 세척한 후 건조하여 고분자전해질 코팅층(20)을 형성할 수 있다.
특히 고분자전해질은 S53단계에 따른 전처리 공정에서 기판(10)에 흡착되어 특정 종류의 전하 또는 기능기를 기판(10)에 형성하게 하는 기능을 수행한다. 이로 인해 고분자전해질 코팅층(20)은 탄소나노튜브 박막(30)의 접착성, 부착성, 전기전도도를 향상시키는 결과를 가져온다. 즉 양이온성 고분자전해질은 기판(10)과 물리적으로 강하게 흡착하는 성질이 있어 기판(10)을 양이온성 고분자전해질 수용액에 디핑한 후 물로 세척하더라도 기판(10) 표면에는 초박막의 고분자전해질이 코팅된다. 사용하는 고분자전해질 종류에 따라, poly(ethylenenimine)의 경우 -NH2 작용기 또는 -NH3 + 이온, poly(vinylalcohol)의 경우 -OH 작용기, poly(diallydimethylammonium chloride), poly(allyamine hydrochloride)의 경우 -NH3 + 이온 등이 기판(10) 표면에 형성될 수 있다.
음이온성 고분자전해질의 경우 일반적으로 양이온성 고분자전해질에 비해 기판(10)에 대한 흡착성이 떨어지기 때문에, 양온성 고분자전해질을 이용해 기판(10)을 우선 전처리한 후, 다시 음이온성 고분자전해질을 이용하여 전처리 공정을 진행하게 된다. 이렇게 하면 양이온성 고분자전해질과 음이온성 고분자전해질 물질 간의 전기적 인력, 산염기 반응에 의해 음이온성 고분자전해질 물질이 기판(10)에 균일하게 코팅된다. 음이온성 고분자전해질 전처리 결과, 고분자전해질 종류에 따라 poly(acrylic acid) 및 그의 염(salt), polyarmic acid 및 그의 염(salt)의 경우 -COOH 작용기 또는 -COO- 이온, poly(styrene sulfonic acid) 또는 그의 염(salt), poly(vinylsulfonic acid 및 그의 염(salt)의 경우 SO3H 작용기 또는 SO3- 이온이 기판(10)에 도입된다.
이러한 작용기 또는 이온들은 탄소나노튜브와 강한 흡착성을 형성하여 탄소나노튜브 박막(30)과 기판(10) 간의 접착성을 향상시키게 된다. 특히 기판(10)에 -COOH, -SO3H와 같이 음이온성 작용기가 형성되게 되면, 기판(10)에 대한 탄소나노튜브 박막(30)의 접착성이 향상되고 스프레이 코팅 과정에서 탄소나노튜브의 부착성이 향상되어 탄소나노튜브 코팅과정에서 코팅액 사용량이 줄어들게 된다.
또한 기판(10) 상의 -COOH, -SO3H와 같은 작용기는 탄소나노튜브 박막(30)의 전도성을 향상시키는데, 이것은 음이온성 작용기 또는 음이온에 의한 정전기적 반발력으로 탄소나노튜브 박막(30)에 포함되어 있는 음이온성의 분산제의 제거 효율을 향상시킬 수 있고, 탄소나노튜브와 접촉하여 탄소나노튜브를 p-도핑하기 때문이다. 후술되겠지만 이러한 전처리 방법으로 전처리하지 않은 탄소나노튜브 박막과 비교할 때 면저항 값이 15% 이상 감소하는 특성을 보였다.
그리고 S55단계에서 고분자전해질 코팅층(20) 위에 탄소나노튜브 박막(30)을 코팅한다. 이때 탄소나노튜브 박막(30)을 수용액계 계면 활성제를 이용하여 형성하는 경우, SDBS, SDS, LDS, CTAB, DTAB, PVP, Triton X-series, Brij-series, Tween-series, poly(acrylic acid), polyvinyl alcohol 등의 수용액계 계면 활성제를 이용할 수 있다. 또한, 탄소나노튜브 박막(30)을 유기 용매를 이용하여 형성하는 경우, NMP, DMF, DCE, THF 등의 유기 용매를 사용할 수 있다. 한편, 상술한 수용액계 계면 활성제 또는 유기 용매 외에도 기타 다양한 방법으로 탄소나노튜브를 포함하는 탄소나노튜브 용액으로 탄소나노튜브 박막(30)을 형성하여도 무방하다.
본 발명에 따른 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통해 형성한 탄소나노튜브 박막에 대해서 실시예 및 비교예를 통하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다. 한편 본 실시예에 따른 제조 방법으로 제조된 탄소나노튜브 박막은 하나의 실시예에 불과하며, 본 발명에 따른 제조 방법 및 그 제조 방법으로 제된 탄소나노튜브 박막이 본 실시예로 한정되는 것은 아니다.
실시예1 및 비교예1
실시예1 및 비교예1에 따른 탄소나노튜브 박막은 아래와 같은 방법으로 제조하였다.
실시예1의 경우, 기판으로 소다석회 유리(sodalime glass) 기판을 준비한다. 그런 다음, 제1 전처리 용액인 0.5wt%의 poly(ethylenenimine)(PEI) 수용액에 기판을 3분 동안 담근다. 기판을 0.5 wt% PEI 수용액에서 꺼낸 후, 증류수로 세척하고 에어 블로잉(air blowing)을 통해 기판을 건조하여 고분자전해질 코팅층을 형성한다.
한편 비교예1의 경우, 대조군 시편의 기판으로 전처리하지 않은 소다석회 유리 기판을 준비한다. 시편 준비 방법은 다음과 같다. 기판을 증류수로 깨끗이 세척하고 에어 블로잉을 통해 건조한다.
전처리된 기판과 전처리하지 않은 기판에 탄소나노튜브 분산 용액을 코팅하여 탄소나노튜브 박막을 형성한다. 여기서, 탄소나노튜브 분산 용액은 SDBS(sodium dodecylbenzenesulfonate) 분산제 수용액에 단일벽 탄소나노튜브를 첨가한 후 초음파 분산기(Ultrasound sonicator)를 이용하여 생성한다. 탄소나노튜브 박막은 탄소나노튜브 분산 용액을 이용하여 스프레이(spray) 코팅 장치로 기판에 코팅한 후 물로 분산제를 세척하여 형성하였다.
이와 같이 실시예1에 따른 전처리하다 기판은 물 세척 과정에서 탄소나노튜브 박막의 박리 현상이 일어나지 않았다. 반면에 비교예1에 따른 전처리하지 않은 기판은 물 세척 과정에서 탄소나노튜브 박막의 박리 현상이 일어나 세척 후 면저항 측정이 불가능 했다. 즉 실시예1에 따라 형성된 탄소나노튜브 박막이 코팅된 소다석회 유리는 광투과도 87%, 면저항 575 Ω/sq 값을 가지고 있음을 확인할 수 있었다.
실시예2 및 비교예2
실시예2 및 비교예2에 따른 탄소나노튜브 박막은 아래와 같은 방법으로 제조하였다.
실시예2의 경우, 기판으로 소다석회 유리 기판을 마련한다. 그런 다음, 제1 전처리 용액인 0.5wt% PEI 수용액에 기판을 3분 동안 담근다. 기판을 0.5wt% PEI 수용액에서 꺼낸 후 증류수로 세척한다. 다시 기판을 제2 전처리 용액인 0.5wt% poly(acrylic acid)(PAA) 수용액에 3분 동안 담근다. 그리고 기판을 꺼낸 후, 증류수로 세척하고 에어 블로잉을 통해 기판을 건조한다.
비교예2의 경우, 전처리하지 않은 소다석회 유리 기판에 준비한다. 준비한 기판을 증류수로 깨끗이 세척하고 에어 블로잉을 통해 건조한다.
실시예2에 따른 전처리된 기판과 비교예2에 따른 전처리하지 않은 기판에 탄소나노튜브 분산 용액을 코팅하여 탄소나노튜브 박막을 형성한다. 여기서, 분산 용액은 SDBS 분산제 수용액에 단일벽 탄소나노튜브를 첨가하고 초음파 분산기를 이용하여 형성한다. 탄소나노튜브 박막은 탄소나노튜브 분산 용액을 이용하여 스프레이 코팅 장치로 기판에 코팅한 후 물로 분산제를 세척하여 형성한다.
이와 같이 실시예1에 따른 전처리된 기판은 물 세척 과정에서 탄소나노튜브 박막의 박리 현상이 일어나지 않았다. 반면에 비교예1에 따른 전처리하지 않은 기판은 물 세척 과정에서 탄소나노튜브 박막의 박리 현상이 일어나 세척 후 면저항 측정이 불가능 했다. 즉 실시예2에 따른 전처리된 기판 위에 형성된 탄소나노튜브 박막을 포함하는 소다석회 유리는 광투과도 87.1%, 면저항 520 Ω/sq 값을 가지고 있음을 확인할 수 있었다.실시예 1에서 제 1 전처리 용액으로 PEI 코팅층을 형성했을 때와 비교할 때 실시예 2의 제 1 전처리 용액, 제 2 전처리 용액을 이용하여 PEI/PAA 전처리 코팅층을 형성했을 때에 더 높은 광투과도에서 더 낮은 면저항 값을 보임을 확인할 수 있었다.
실시예3 및 비교예3
실시예3 및 비교예3에 따른 탄소나노튜브 박막은 아래와 같은 방법으로 제조하였다.
실시예3의 경우, 기판으로 PET 기판을 준비한다. 그런 다음, 제1 전처리 용액인 0.5wt% PEI 수용액에 PET 기판을 3분 동안 담근다. PET 기판을 0.5wt% PEI 수용액에서 꺼낸 후, 증류수로 세척한다. 다시 PET 기판을 제2 전처리 용액인 0.5 wt% PAA 수용액에 3분 동안 담근다. 그리고 PET 기판을 꺼낸 후, 증류수로 세척하고 에어 볼로잉을 통해 건조한다.
비교예3의 경우, 기판으로 전처리하지 않은 PET 기판을 준비한다. 다음으로 준비한 PET 기판을 증류수로 깨끗이 세척하고 에어 블로잉을 통해 기판을 건조한다.
실시예3에 따른 전처리된 PET 기판과 비교예3에 따른 전처리되지 않은 PET 기판에 탄소나노튜브 분산 용액을 코팅하여 탄소나노튜브 박막을 형성한다. 여기서, 분산 용액은 SDBS 분산제 수용액에 단일벽 탄소나노튜브를 첨가하고 초음파 분산기를 이용하여 형성한다. 또한, 탄소나노튜브 박막은 탄소나노튜브 분산 용액을 이용하여 스프레이 코팅 장치로 PET 기판에 코팅하여 형성한 후 물로 분산제 세척공정을 진행했다. 이때 물 세척 과정에서 전처리된 PET 기판 위에 코팅된 탄소나노튜브 박막에서는 박리 현상이 일어나지 않았다. 전처리되지 않은 기판에서는 탄소나노튜브 박막이 일부 박리 되었다.
도 3은 실시예3 및 비교예3에 따른 각각의 시편의 광투과도에 따른 면저항 값을 나타낸다. 도 3을 참조하면, 전처리된 시편의 경우 전처리되지 않은 시편보다 동일 투과도에서 더 낮은 면저항 값을 가지고 있음을 확인하였다.
도 4는 본 발명의 실시예3 및 비교예3에 따른 탄소나노튜브 박막의 접착성 테스트를 진행한 후 면저항 변화값을 나타내는 표이다. 도 4를 참조하면, 전처리에 따른 탄소나노튜브 박막의 접착성을 평가하기 위해 3M magic tape로 90˚peel test를 진행한 후 초기 면저항 대비 저항 증가 정도를 비교하였다. 비교 결과, 전처리한 시편의 경우 면저항 값이 초기대비 평균 188 % 저항이 증가했지만 전처리하지 않은 시편은 초기 면저항 값 대비 평균 567% 증가하였다.
즉 실시예3에 따른 탄소나노튜브 박막이 비교예3에 따른 탄소나노튜브 박막에 비해서 기판에 대한 양호한 접착성을 나타내며, 접착성 테스트를 진행한 후에 측정된 면저항 값 또한 낮은 것을 확인할 수 있었다.
도 5는 본 발명의 실시예3 및 비교예3에 따른 탄소나노튜브 박막의 코팅 횟수에 따른 면저항 값의 변화를 나타내는 그래프이다. 도 5를 참조하면, 스프레이 코팅시 탄소나노튜브가 기판에 부착되는 정도를 비교하기 위해 전처리된 기판과 전처리되지 않은 기판에 동일한 스프레이 코팅 조건(동일 코팅액 양)으로 코팅 횟수에 따라 면저항이 값의 변화를 살펴보았다. 실험 결과, 전처리된 시편의 경우 전처리되지 않은 시편에 비해 동일 코팅 조건에서 저항이 더 낮게 나타나는 것을 확인할 수 있었고, 이것은 특정 목표 면저항 값을 얻기 위해서는 전처리된 시편의 경우에 더 적은 스프레이 횟수(더 적은 양의 코팅액 사용량)이 필요하다는 것을 의미한다.
실시예4 및 비교예4
실시예4 및 비교예4에 따른 탄소나노튜브 박막은 아래와 같은 방법으로 제조하였다.
실시예4의 경우, 0.5wt% PEI 수용액에 0.1M HCl을 첨가하여 pH를 6인 제1 전처리 용액을 형성한다. 0.5wt% PAA 수용액에 0.1M NaOH 용액을 첨가하여 pH를 6인 제2 전처리 용액을 형성한다. 다음으로 PET 기판을 제1 전처리 용액인 0.5wt% PEI 수용액(pH6)에 3분 동안 담근다. 이어서 PET 기판을 꺼낸 후 증류수로 세척한다. 다음으로 PET 기판을 다시 제2 전처리 용액인 0.5wt% PAA 수용액(pH6)에 3분 동안 담근다. 그리고 PET 기판을 꺼낸 후, 증류수로 세척하고 에어 블로잉을 통해 건조한다.
비교예4의 경우, 기판으로 전처리하지 않은 PET 기판을 준비한다. 다음으로 준비한 PET 기판을 증류수로 깨끗이 세척하고 에어 블로잉을 통해 기판을 건조한다.
전처리된 기판과 전처리되지 않은 기판에 탄소나노튜브 분산 용액을 코팅하여 탄소나노튜브 박막을 형성한다. 여기서, 분산 용액은 SDBS 분산제 수용액에 단일벽 탄소나노튜브를 첨가하고 초음파 분산기를 이용하여 형성한다. 또한, 탄소나노튜브 박막은 탄소나노튜브 분산 용액을 이용하여 스프레이 코팅 장치로 기판에 코팅함으로써 생성되었고 물로 분산제 세척 공정을 진행했다.
이때 물 세척 과정에서 전처리된 기판 위에 코팅된 탄소나노튜브 박막에서는 박리 현상이 일어나지 않았지만, 전치리되지 않은 기판에서는 탄소나노튜브 박막이 일부 박리 되었다. 전처리된 기판 위에 형성된 탄소나노튜브 박막은 광투과도 87.1%, 면저항 490 Ω/sq 값을 가졌다. 반면에 전처리되지 않은 기판 경우에는 탄소나노튜브 박막이 일부 박리되었고 광투과도 86.9%, 면저항 600 Ω/sq 값을 가졌다.
즉 실시예4에 따른 탄소나노튜브 박막이 비교예4에 따른 탄소나노튜브 박막에 비해서 높은 광투과도와, 낮은 면저항을 갖고 있음을 확인할 수 있었다.
실시예5
전처리 용액의 pH를 조절하여 고분자전해질의 이온화도를 조절하여 PET 기판 위에 전처리 용액이 코팅되었을 때 제타포텐셜의 변화값을 측정하였다. 0.5 wt% PEI 용액에 0.1M HCl, 0.1M NaOH 수용액을 첨가함으로써 pH를 6, 10, 12으로 변화시키고, 0.5 wt% PAA 용액에 0.1M HCl, 0.1M NaOH 수용액을 첨가함으로써 pH를 2, 4, 6 으로 조절하였다.
각각의 전처리 용액을 이용하여 다음의 방법으로 시편을 전처리하였다. 기판을 증류수로 세척하고 제1 전처리 용액인 0.5 wt% PEI 용액(pH 6)에 3분 동안 담근 후 증류수로 세척한다. 다음으로 제2 전처리 용액인 0.5 wt% PAA 용액(pH 6)에 3분 동안 담근 후 증류수로 세척하였다(PEI(6)PAA(6)). 그리고 전처리된 시편을 건조하고 스프레이 코팅 방법으로 탄소나노튜브 박막을 형성하고 물로 분산제를 세척하였다.
또 다른 시편을 준비하기 위해, 기판을 증류수로 세척하고 제1 전처리 용액인 0.5 wt% PEI 용액(pH 10)에 3분 동안 담근 후 증류수로 세척하고, 제2 전처리 용액인 0.5 wt% PAA 용액(pH 6)에 3분 동안 담근 후 증류수로 세척하였다(PEI(10)PAA(6)).
이러한 방법으로 pH가 조절된 전처리 용액을 이용하여 PET 기판을 전처리 하고 동일 광투과도 값(86%)을 가지는 탄소나노튜브가 코팅된 PET필름을 형성하여 면저항을 측정하여 도 6에 따른 그래프를 얻었다. 도 6을 참조하면, 전처리 용액에 따라 PET 기판의 제타포텐셜 -50 내지 20 mV 범위에서 변하였고, 제타포텐셜 값이 낮을수록 탄소나노튜브를 포함하는 PET 기판의 면저항이 감소하는 결과를 보였다.
또한 도 7에 도시된 바와 같이, 스프레이 코팅 과정에서 탄소나노튜브의 기판에 대한 부착도를 알아보기 위해 동일 양의 탄소나노튜브 코팅액을 기판에 코팅하여 면저항 값 변화를 살펴보았다. 측정 결과, 제타포텐셜이 낮을수록 동일 코팅조건에서 면저항 값이 더 낮게 나타나는 것을 확인하였다.
상술한 바와 같은 본 발명의 방법의 전처리 코팅 공정은 탄소나노튜브의 접착성, 부착성, 전기전도성을 크게 개선시킬 수 있는 방법으로 투명전극, 면발열체, 정전기방지 및 흡수제, 전자파차폐 필름, 방열 및 발열 소재 등 다양한 부분에 적용 될 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 고분자전해질 종류를 비롯하여 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허청구범위 뿐 만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
10 : 기판
20 : 고분자전해질(polyelectrolyte) 코팅층
30 : 탄소나노튜브 박막
100 : 탄소나노튜브를 포함하는 전도성 기판

Claims (10)

  1. 기판을 준비하는 단계;
    고분자전해질(polyelectrolyte)을 함유하는 전처리 용액으로 기판을 전처리하여 고분자전해질 코팅층을 형성하는 전처리 단계;
    상기 고분자전해질 코팅층 위에 탄소나노튜브 박막을 코팅하는 코팅 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전처리 단계는,
    양이온성 고분자전해질을 함유하는 전처리 용액으로 기판을 전처리하여 고분자전해질 코팅층을 형성하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 양이온성 고분자전해질은,
    poly(diallydimethylammonium chloride), poly(allyamine hydrochloride), polyvinyl alcohol, poly(ethylenenimine), doped polyaniline poly(acrylamide-co-diallylmethylammonium chloride) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 전처리 용액에 포함된 상기 양이온성 고분자전해질의 농도는 50 내지 0.01wt%인 것을 특징으로 하는 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전처리 단계는,
    양이온성 고분자전해질을 함유하는 제1 전처리 용액으로 상기 기판을 전처리하여 제1 고분자전해질 코팅층을 형성하는 단계;
    음이온성 고분자전해질을 함유하는 제2 전처리 용액으로 상기 기판을 전처리하여 상기 제1 고분자전해질 코팅층을 덮는 제2 고분자전해질 코팅층을 형성하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 양이온성 고분자전해질은 poly(diallydimethylammonium chloride), poly(allyamine hydrochloride), polyvinyl alcohol, poly(ethylenenimine), doped polyaniline poly(acrylamide-co-diallylmethylammonium chloride) 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 음이온성 고분자전해질은 poly(acrylic acid) 및 그의 염(salt), poly(styrene sulfonic acid) 및 그의 염(salt), polyarmic acid 및 그의 염(salt), poly(styrene-alt-maleic acid) 및 그의 염(salt), poly(methacrylicacid) 및 그의 염(salt), poly(vinylsulfonic acid) 및 그의 염(salt), poly(anetholesulfonic acid) 및 그의 염(salt), poly(4-styrenesulfonic acid-co-maleic acid) 및 그의 염(salt) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 전처리 용액 및 제2 전처리 용액에 각각 산 또는 염기를 첨가하여 상기 제1 전처리 용액의 pH를 4~14, 상기 제2 전처리 용액의 pH를 1~10 범위로 조절하는 것을 특징으로 하는 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제1 전처리 용액 및 제2 전처리 용액에 각각 포함된 상기 양이온성 고분자전해질 및 음이온성 고분자전해질의 농도는 50 내지 0.01wt%인 것을 특징으로 하는 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 전처리 단계는,
    딥(dip) 코팅, 스프레이(spray) 코팅, 스핀(spin) 코팅, 솔루션 캐스팅(solution casting), 도롭핑(dropping), 롤(roll) 코팅, 그라비아 코팅, 바 코팅(bar coating) 중 적어도 하나의 방법으로 진행하는 것을 특징으로 하는 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 제조 방법으로 제조된 탄소나노튜브 박막.
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US20240103357A1 (en) * 2021-08-26 2024-03-28 Mitsui Chemicals, Inc. Pellicle film, pellicle, exposure original plate, exposure device, and method for manufacturing pellicle film

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100828477B1 (ko) * 2006-12-19 2008-05-13 재단법인서울대학교산학협력재단 도전성 다층 나노박막의 제조방법, 및 이를 이용한미세전기기계시스템 센서와 그 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101350197B1 (ko) * 2012-01-11 2014-01-16 전자부품연구원 하이브리드 카본 소재 및 그의 제조 방법
KR101683735B1 (ko) * 2016-05-20 2016-12-08 김석규 무정전 코팅층이 형성된 확산커버를 구비한 조명장치
US20240103357A1 (en) * 2021-08-26 2024-03-28 Mitsui Chemicals, Inc. Pellicle film, pellicle, exposure original plate, exposure device, and method for manufacturing pellicle film

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