KR20110136136A - Manufacturing method for micro coaxial cable having double metal shield layers - Google Patents

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KR20110136136A
KR20110136136A KR1020100055950A KR20100055950A KR20110136136A KR 20110136136 A KR20110136136 A KR 20110136136A KR 1020100055950 A KR1020100055950 A KR 1020100055950A KR 20100055950 A KR20100055950 A KR 20100055950A KR 20110136136 A KR20110136136 A KR 20110136136A
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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing a micro coaxial cable with a double metal shield layer is provided to improve the shielding feature of a micro coaxial cable by simplifying the production process of the micro coaxial cable. CONSTITUTION: A micro coaxial cable with a double metal shield layer comprises an central conductor(100), an insulating layer(200), a first metal shield layer(310), a second metal shield layer(320), and a jacket layer(400). The insulating layer surrounds an outer circumference using the central conductor as a central line. The first metal shield layer surrounds the outer circumference of the insulating layer. The second metal shield layer surrounds the first metal shield layer. The jacket layer surrounds the second metal shield layer. The insulating layer, the first metal shield layer, and the second metal shield layer, and jacket layer are successively laminated on the central conductor in a concentric circle.

Description

이중 금속차폐층을 가지는 마이크로 동축케이블의 제조방법{MANUFACTURING METHOD FOR MICRO COAXIAL CABLE HAVING DOUBLE METAL SHIELD LAYERS}MANUFACTURING METHOD FOR MICRO COAXIAL CABLE HAVING DOUBLE METAL SHIELD LAYERS

본원은 이중 금속차폐층을 가지는 마이크로 동축케이블의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 스퍼터링 공정으로 제 1 금속차폐층을 증착하고, 전기도금 공정으로 제 2 금속차폐층을 증착하는 것을 포함하는, 마이크로 동축케이블의 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of manufacturing a micro coaxial cable having a double metal shielding layer. More particularly, the present invention relates to a method for manufacturing a micro coaxial cable, comprising depositing a first metal shielding layer by a sputtering process and depositing a second metal shielding layer by an electroplating process.

동축케이블은 신호를 전송하기 위한 중심도체와 중심도체의 동축상에 금속차폐층이 형성되는 구조의 케이블로서, 크기별/종류별로 많은 제품들이 개발되어 왔으며, 건물 지하의 안테나 또는 CATV 등에 신호를 전송하기 위한 케이블 용도로 많이 사용되어 왔다. 종래의 동축케이블은 구조적 특성으로 인하여 주파수에 따른 신호의 감쇠나 전송 지연의 변화가 작고, 대용량의 데이터를 일괄 전송할 수 있다. 또한 동일 케이블 속에 복수의 동축케이블을 수용해도 상호 간의 신호 누설이 적은 이점이 있다. Coaxial cable is a cable in which a metal shielding layer is formed on the coaxial of a center conductor and a center conductor, and many products have been developed by size and type, and a signal is transmitted to an antenna or CATV in the basement of a building. It has been used a lot for cable applications. Conventional coaxial cable has a small change in signal attenuation or transmission delay due to its frequency due to its structural characteristics, and can transmit a large amount of data in a batch. In addition, even if a plurality of coaxial cables are accommodated in the same cable, there is an advantage of less signal leakage between each other.

이러한 종래의 동축케이블은 전자기신호(Electromagnetic Signal)가 손실되지 않도록 절연층의 외주면에 원형의 금속선을 횡권하여 완전히 감싸지도록 금속차폐층을 형성하게 된다. 혹은 도전성 튜브(Tube) 안으로 절연된 선재를 넣고 인발(drawing)하여 금속차폐층을 형성하거나(Tubing후 인발법), 절연된 선재를 도전성 테이프(Tape)로 감거나 감싸서 금속차폐층을 형성하게 된다(Tape Lapping법). Such a conventional coaxial cable forms a metal shielding layer so as to completely wrap a circular metal wire on the outer circumferential surface of the insulating layer so as not to lose an electromagnetic signal. Alternatively, the insulated wire is inserted into the conductive tube and drawn to form a metal shielding layer (drawing after drawing), or the insulated wire is wound or wrapped with a conductive tape to form a metal shielding layer. (Tape Lapping method).

고도 정보화 사회의 진전에 따라, 정보통신기기 및 그 기기에 적용되는 반도체 소자의 시험 및 검사 장치 등의 전송 속도의 고속화에 대한 요청이 높아지고 있으며, 휴대용 멀티미디어기기, 내시경 등 의료기기 등의 극소형화가 진행되어, 이들을 구동시키기 위한 외경 1 mm 이하의 마이크로 동축케이블의 성능 향상을 위한 연구가 활발하게 진행되고 있다.As the information society has advanced, requests for higher transmission speeds for information communication devices and testing and inspection devices for semiconductor devices applied to such devices have been increasing, and miniaturization of portable multimedia devices and medical devices such as endoscopes has been increasing. In progress, researches for improving the performance of micro coaxial cables having an outer diameter of 1 mm or less for driving them are actively underway.

도 1은 종래의 마이크로 동축케이블의 구조를 나타낸 도면이다. 마이크로 동축케이블은 일반 동축케이블과 마찬가지로, 도 1에 도시된 바와 같이, 전기전도도가 우수한 구리, 구리합금 등의 재질의 원형선재로 이루어진 중심도체(10)와 중심 도체(10) 및 금속 차폐층(30) 사이에 형성되는 절연층(20) 및 금속 차폐층(30)의 외주부에 형성되는 자켓층(40)을 구비하여 형성된다.1 is a view showing the structure of a conventional micro coaxial cable. As shown in FIG. 1, the micro coaxial cable has a center conductor 10, a center conductor 10, and a metal shielding layer made of a circular wire made of a material such as copper and copper alloy having excellent electrical conductivity, as shown in FIG. 1. It is formed with an insulating layer 20 formed between the 30 and the jacket layer 40 formed on the outer peripheral portion of the metal shielding layer (30).

최근 휴대폰이나 전자제품의 슬림화 및 소형화로 인하여 마이크로 동축케이블의 사이즈를 줄이는 것이 요구되며 이를 위하여 금속 차폐층을 이루는 원형의 금속선의 직경도 줄여야 한다. 그러나, 종래 마이크로 동축케이블의 제조 방법에 있어서 사용되는 횡권법은 금속선이 올라타는 경우가 발생하고, 금속선과 금속선 사이의 틈이 발생하여 차폐특성이 저하된다는 문제점이 있다. Recently, due to slimming and miniaturization of mobile phones or electronic products, it is required to reduce the size of the micro coaxial cable. However, the lateral winding method used in the conventional method for manufacturing a micro coaxial cable has a problem in that a metal wire rises, a gap is generated between the metal wire and the metal wire, and the shielding property is lowered.

대한민국 등록특허 제 10-0910431호에 따르면, 상기와 같은 차폐특성 저하방지를 위하여, 마이크로 동축케이블은 두 개 이상의 극세 금속선으로 이루어진 중심도체; 중심도체를 둘러 감싸는 절연층; 절연층을 두 개 이상의 평각형상의 금속선으로 횡권하여 둘러 감싸는 금속차폐층 및 금속차폐층을 둘러 감싸는 시스층을 포함하되, 금속차폐층을 이루는 두 개 이상의 평각형상의 금속선의 단면은 사다리꼴 형태인 것을 특징으로 하고 있고, 이에 의하면 평각성형된 금속선을 횡권하여 금속차폐층을 구성함으로써, 케이블의 차폐특성을 향상시킬 수 있다. 하지만, 기존의 횡권 및 튜빙(Tubing)후 인발법, 테이프 랩핑(Tape Lapping) 방법은 선재를 감싸는 공정이 상당히 까다롭고, 제작에 어려움이 있으며 종래의 공정방법으로 제작한 차폐층은 하네스 공정에서 상당한 불량률을 가지는 문제점이 있다.
According to Republic of Korea Patent No. 10-0910431, in order to prevent the shielding property as described above, the micro coaxial cable is a center conductor consisting of two or more ultrafine metal wires; An insulation layer surrounding the center conductor; And a sheath layer surrounding the metal shielding layer and a sheath layer surrounding the insulating layer with two or more flat metal wires, wherein the cross-sections of the two or more flat metal wires forming the metal shielding layer are trapezoidal. In this way, the shielding properties of the cable can be improved by forming a metal shielding layer by transversely winding the flattened metal wire. However, the conventional transverse winding and post-tubing drawing method and tape lapping method are very difficult to wrap the wire rod, and are difficult to manufacture, and the shielding layer manufactured by the conventional process method is considerably used in the harness process. There is a problem with a defective rate.

이에, 본원은, 마이크로 동축케이블에 포함되는 금속차폐층을 형성함에 있어서, 종래 횡권이나 편조 등의 방법을 이용하지 않고, 스퍼터링 공정 및 전기 도금 공정을 이용함으로써 생산공정을 단순화 시키고, 차폐특성의 향상 및 하네스 공정의 탈피성과 더불어 고주파 특성까지 향상시킬 수 있는 마이크로 동축케이블의 제조 방법을 제공하고자 한다.Accordingly, the present application simplifies the production process and improves the shielding characteristics by using a sputtering process and an electroplating process, without using a conventional method such as horizontal winding or braiding, in forming a metal shielding layer included in the micro coaxial cable. And to provide a method of manufacturing a micro coaxial cable that can improve the high-frequency characteristics in addition to the peeling of the harness process.

그러나, 본원이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 기술한 과제로 제한되지 않으며, 기술되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
However, the problem to be solved by the present application is not limited to the problem described above, another problem that is not described will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본원의 일 측면은, 중심도체를 둘러 감싸는 절연층을 형성하고, 상기 절연층을 둘러 감싸는 제 1 금속차폐층을 스퍼터링 공정에 의해 증착하고, 상기 제 1 금속차폐층을 둘러 감싸는 제 2 금속차폐층을 전기도금 공정에 의해 증착하는 것을 포함하는, 마이크로 동축케이블의 제조 방법을 제공한다.
In order to achieve the above object, one aspect of the present application forms an insulating layer surrounding the central conductor, and depositing a first metal shielding layer surrounding the insulating layer by a sputtering process, the first metal shielding Provided is a method of manufacturing a micro coaxial cable, comprising depositing a second metal shielding layer surrounding the layer by an electroplating process.

본원에 의하면, 스퍼터링 공정에 의해 제 1 금속차폐층을 증착할 수 있다. 상기 제 1 금속차폐층은 점착층으로서 역할을 하여, 상기 제 1 금속차폐층을 둘러 감싸는 제 2 금속차폐층의 전기도금에 의한 증착을 용이하게 한다. 또한, 본원에 따른 상기 마이크로 동축케이블의 제조 방법에 의하여 마이크로 동축케이블 생산공정을 단순화 시키고, 마이크로 동축케이블의 차폐 특성의 향상 및 하네스 공정의 탈피성과 더불어 고주파 특성까지 향상시킬 수 있다.
According to this application, a 1st metal shielding layer can be deposited by a sputtering process. The first metal shielding layer serves as an adhesive layer to facilitate deposition by electroplating of the second metal shielding layer surrounding the first metal shielding layer. In addition, by the manufacturing method of the micro coaxial cable according to the present application, it is possible to simplify the micro coaxial cable production process, improve the shielding characteristics of the micro coaxial cable and the peeling of the harness process and improve the high frequency characteristics.

도 1은 종래 마이크로 동축케이블의 단면도이다.
도 2는 본원의 일 구현예에 따른 마이크로 동축케이블의 단면도이다.
도 3은 종래 마이크로 동축케이블의 하네스 공정 후 단면도이다.
도 4는 본원의 일 구현예에 따른 마이크로 동축케이블의 하네스 공정 후 단면도이다.
도 5는 본원의 일 실시예에 따른 마이크로 동축케이블의 하네스 공정 중 차폐층의 탈피성을 나타낸 사진이다.
1 is a cross-sectional view of a conventional micro coaxial cable.
2 is a cross-sectional view of a micro coaxial cable according to an embodiment of the present application.
3 is a cross-sectional view after a harness process of a conventional micro coaxial cable.
Figure 4 is a cross-sectional view after the harness process of the micro coaxial cable according to an embodiment of the present application.
Figure 5 is a photograph showing the peeling of the shielding layer during the harness process of the micro coaxial cable according to an embodiment of the present application.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 구현예 및 실시예를 상세히 설명한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, embodiments and examples of the present disclosure will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present disclosure.

그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예 및 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.It should be understood, however, that the present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments and examples described herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted for simplicity of explanation, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

본원 명세서 전체에서, 어떤 층 또는 부재가 다른 층 또는 부재와 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 층 또는 부재가 다른 층 또는 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 층 또는 두 부재 사이에 또 다른 층 또는 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다. 본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout this specification, when a layer or member is located "on" with another layer or member, it is not only when a layer or member is in contact with another layer or member, but also between two layers or another member between the two members. Or when another member is present. Throughout this specification, when an element is referred to as "including " an element, it is understood that the element may include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise.

본 명세서에서 사용되는 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다.As used herein, the terms "about", "substantially", and the like, are used at, or in close proximity to, numerical values when manufacturing and material tolerances inherent in the stated meanings are set forth and are intended to be accurate to aid the understanding herein. Or absolute figures are used to prevent unfair use of unscrupulous infringers.

본원에 있어서, 이중 금속차폐층을 가지는 마이크로 동축케이블이 제조하는 방법이 제공된다. 상기 제조 방법은, 중심도체에 절연층을 압출하고 상기 절연층 위에 전면 금속차폐층을 도포하는 것을 포함하며, 상기 금속차폐층은 상기 절연층을 둘러 감싸는 제 1 금속차폐층 형성하고 상기 제 1 금속차폐층을 둘러 감싸는 제 2 금속차폐층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.In the present application, a method of manufacturing a micro coaxial cable having a double metal shielding layer is provided. The manufacturing method includes extruding an insulating layer on a central conductor and applying a front metal shielding layer on the insulating layer, wherein the metal shielding layer forms a first metal shielding layer surrounding the insulating layer and the first metal. It may include forming a second metal shielding layer surrounding the shielding layer.

본원의 일 측면에 있어서, 상기 마이크로 동축케이블의 제조 방법은, 중심도체를 둘러 감싸는 절연층을 형성하고, 상기 절연층을 둘러 감싸는 제 1 금속차폐층을 스퍼터링 공정에 의해 증착하고, 상기 제 1 금속차폐층을 둘러 감싸는 제 2 금속차폐층을 전기도금 공정에 의해 증착하는 것을 포함할 수 있다.In one aspect of the present application, the manufacturing method of the micro coaxial cable, forming an insulating layer surrounding the center conductor, and depositing a first metal shielding layer surrounding the insulating layer by a sputtering process, the first metal And depositing a second metal shielding layer surrounding the shielding layer by an electroplating process.

예시적 구현예에 있어서, 상기 제 2 금속차폐층을 형성한 후에, 상기 제 2 금속차폐층을 둘러 감싸는 자켓층을 형성하는 것을 추가로 포함할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.In an exemplary embodiment, after forming the second metal shielding layer, the method may further include forming a jacket layer surrounding the second metal shielding layer, but is not limited thereto.

예시적 구현예에 있어서, 상기 중심도체는 복수의 금속선이 꼬여서 이루어진 중심도체를 포함할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 중심도체는 복수의 금속선을 연선(Stranding)하여 형성될 수 있다. In an exemplary embodiment, the center conductor may include, but is not limited to, a center conductor formed by twisting a plurality of metal lines. For example, the center conductor may be formed by stranding a plurality of metal lines.

예시적 구현예에 있어서, 상기 제 1 금속차폐층은 니켈(Ni), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 구리(Cu) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 점착층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 제 1 금속차폐층은 점착층으로서 역할을 하여, 상기 제 1 금속차폐층을 형성한 후에 제 2 금속차폐층의 증착을 용이하게 할 수 있다. 일 구현예에 있어서, 상기 제 1 금속차폐층은 두께가 약 1 nm 내지 약 400 nm 인 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In an exemplary embodiment, the first metal shielding layer may be an adhesive layer including one selected from the group consisting of nickel (Ni), chromium (Cr), titanium (Ti), copper (Cu), and combinations thereof. However, the present invention is not limited thereto. The first metal shielding layer may serve as an adhesive layer to facilitate deposition of the second metal shielding layer after forming the first metal shielding layer. In one embodiment, the first metal shielding layer may include a thickness of about 1 nm to about 400 nm, but is not limited thereto.

예시적 구현예에 있어서, 상기 제 2 금속차폐층이 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 사용할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 일 구현예에 있어서, 상기 제 2 금속차폐층의 두께가 약 0.01 ㎛ 내지 약 100 ㎛ 인 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In an exemplary embodiment, the second metal shielding layer may be selected from the group consisting of copper (Cu), silver (Ag), nickel (Ni), and combinations thereof, but is not limited thereto. In one embodiment, the thickness of the second metal shielding layer may include, but is not limited to, about 0.01 μm to about 100 μm.

예시적 구현예에 있어서, 상기 절연층은 플루오로에틸렌프로필렌(FEP), 폴리에틸렌(PE)계 수지, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)계 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 폴리에틸렌(PE)계 수지는, 예를 들어, 고밀도 폴리에틸렌(High Density Poly Ethylene; HDPE), 중밀도 폴리에틸렌(Medium Density Poly Ethylene; MDPE), 저밀도 폴리에틸렌(Low Density Poly Ethylene; LDPE) 및 선상 저밀도폴리에틸렌( Linear Low Density Poly Ethylene; LLDPE) 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 상기 중합체 배합물을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 일 구현예에 있어서, 상기 절연층은 약 40 ㎛ 내지 약 100 ㎛ 의 두께일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
In an exemplary embodiment, the insulating layer may include one selected from the group consisting of fluoroethylene propylene (FEP), polyethylene (PE) resin, polytetrafluoroethylene (PTFE) resin, and combinations thereof. However, it is not limited thereto. The polyethylene (PE) -based resin, for example, high density polyethylene (High Density Poly Ethylene; HDPE), medium density polyethylene (Medium Density Poly Ethylene; MDPE), low density polyethylene (Low Density Poly Ethylene; LDPE) and linear low density polyethylene (Linear Low Density Poly Ethylene; LLDPE) may include one or two or more of the above polymer blends, but is not limited thereto. In one embodiment, the insulating layer may be a thickness of about 40 μm to about 100 μm, but is not limited thereto.

이하, 도면을 참조하여, 본원의 이중 금속차폐층을 가지는 마이크로 동축케이블의 제조방법의 일 구현예에 대해 설명하도록 한다. 그러나, 본원이 이에 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, with reference to the drawings, it will be described an embodiment of a method of manufacturing a micro coaxial cable having a double metal shielding layer of the present application. However, the present application is not limited thereto.

도 2를 참조하면, 본원의 이중 금속차폐층을 가지는 마이크로 동축케이블은, 중심도체(100), 상기 중심도체(100)를 중심선으로 하여 그 외주면을 둘러 감싸는 절연층(200), 상기 절연층의 외주면을 둘러 감싸는 제 1 금속차폐층(310), 상기 제 1 금속차폐층을 둘러 감싸는 제 2 금속차폐층(320), 상기 제 2 금속차폐층을 둘러 감싸는 자켓층(400)을 포함할 수 있다. 상기 절연층, 제 1 금속차폐층, 제 2 금속차폐층, 및 자켓층은 상기 중심도체에 순차적으로 동심원을 이루며 적층된다.Referring to FIG. 2, the micro coaxial cable having a double metal shielding layer of the present application includes a center conductor 100, an insulation layer 200 surrounding the outer circumferential surface of the center conductor 100, and the insulation layer. A first metal shielding layer 310 surrounding the outer circumferential surface, a second metal shielding layer 320 surrounding the first metal shielding layer, and a jacket layer 400 surrounding the second metal shielding layer may be included. . The insulating layer, the first metal shielding layer, the second metal shielding layer, and the jacket layer are sequentially stacked concentrically on the center conductor.

상기 중심도체(100)는 마이크로 동축케이블의 중심선으로서, 도전성 있는 금속 소재를 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 중심도체는 복수의 금속선이 꼬여서 이루어진 것을 포함하나 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 금속선은 전기 전도성 및 경제성 등을 고려할 때 구리합금으로 이루어지는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 중심도체(100)가 두 개이상의 금속선을 포함하는 경우, 상기 금속선들은 소정의 피치로 꼬여서 중심도체를 형성하게 된다. 상기 피치가 약 0.5 mm 미만인 경우 중심도체의 외경이 불필요하게 커지며 굴곡 특성이 나빠지게 되고, 약 3 mm 를 초과할 경우 금속선으로 이루어진 내부도체가 조밀하게 연결되지 않고 빈틈이 생겨 커넥터 연결 시 접점불량을 유발하는 문제가 있다. 따라서 상기 피치는 약 0.5 mm 내지 약 3.0 mm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 금속선의 직경은 주파수 특성(Radio Frequency; RF)을 고려할 때 약 0.01 mm 내지 약 0.04 mm 인 것을 사용할 수 있다. 이와 같은 구성을 가지는 중심도체 자체의 직경은, 극세 금속선의 상기 피치 조건과 극세 금속선의 직경 및 마이크로 동축케이블의 임피던스 특성을 고려할 때, 약 0.07 mm 내지 약 0.10 mm 일수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.The center conductor 100 may be a conductive metal material as a center line of the micro coaxial cable. For example, the center conductor includes but is not limited to a plurality of metal wires are twisted. The metal wire may include a copper alloy in consideration of electrical conductivity and economical efficiency, but is not limited thereto. When the center conductor 100 includes two or more metal wires, the metal wires are twisted at a predetermined pitch to form a center conductor. If the pitch is less than about 0.5 mm, the outer diameter of the center conductor is unnecessarily large and the bending characteristics deteriorate. If the pitch is larger than about 3 mm, the inner conductor made of metal wires is not densely connected and a gap is formed. There is a problem that causes it. Thus, the pitch may be about 0.5 mm to about 3.0 mm, but is not limited thereto. The diameter of the metal wire may be about 0.01 mm to about 0.04 mm in consideration of radio frequency (RF). The diameter of the center conductor itself having such a configuration may be about 0.07 mm to about 0.10 mm, but is not limited thereto, considering the pitch conditions of the ultrafine metal wires, the diameter of the ultrafine metal wires, and the impedance characteristics of the micro coaxial cable.

상기 중심도체(100)의 외주면에는 절연층(200)이 피복된다. 상기 절연층(200)은 중심도체(100) 및 차폐층(300) 사이에 구비되어 전자기파 에너지의 에너지 손실을 방지하는 유전층으로서, 상기 중심도체 및 차폐층 사이를 절연하는 유전체를 포함할 수 있다. 일 구현예에 있어서, 상기 절연층은 플루오로에틸렌프로필렌(FEP), 폴리에틸렌(PE)계 수지, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)계 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 비제한적인 예로서, 상기 절연체로는 고분자 수지, 발포 플라스틱, 플라스틱 복합 절연물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 절연체는 플루오로에틸렌프로필렌(FEP)를 포함할 수 있으며, 상기 플루오로에틸렌프로필렌(FEP)은 투명 필름으로서 열봉합, 열성형, 진공성형, 용접, 접착제 없이 다른 소재와 접착이 가능한 기능성 폴리머로서, 그 재료를 녹여 사출 성형과 압출 성형을 할 수 있다. 또한 상기 플루오로에틸렌프로필렌(FEP)은 소결 시 유동성을 지닌 물질로 변하기 때문에 무공질의 피막을 형성하고, 매우 낮은 마찰계수를 가지며, 우수한 내화학성, 내부식성을 갖고 있는 특성이 있다. 비제한적 예로서, 상기 폴리에틸렌(PE)계 수지는 고밀도 폴리에틸렌(High Density Poly Ethylene; HDPE), 중밀도 폴리에틸렌(Medium Density Poly Ethylene; MDPE), 저밀도 폴리에틸렌(Low Density Poly Ethylene; LDPE) 및 선상 저밀도폴리에틸렌(Linear Low Density Poly Ethylene; LLDPE) 중 선택된 하나의 단일물 또는 둘 이상의 중합체 배합물을 포함할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 일 구현예에 있어서, 상기 절연층은 약 40 ㎛ 내지 약 100 ㎛ 의 두께일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 절연층 형성을 위한 피복공정은 당업계에서 통상적으로 사용되는 것이면 특별한 제한 없이 사용할 수 있으며, 예를 들어, 압출하여 피복할 수 있으나, 이에 특별히 제한되지 않는다.The insulating layer 200 is coated on the outer circumferential surface of the center conductor 100. The insulating layer 200 is provided between the center conductor 100 and the shielding layer 300 to prevent energy loss of electromagnetic wave energy, and may include a dielectric insulating the center conductor and the shielding layer. In one embodiment, the insulating layer may include one selected from the group consisting of fluoroethylene propylene (FEP), polyethylene (PE) -based resin, polytetrafluoroethylene (PTFE) -based resin and combinations thereof However, the present invention is not limited thereto. As a non-limiting example, the insulator may include one selected from the group consisting of polymer resins, foamed plastics, plastic composite insulators, and combinations thereof. For example, the insulator may comprise fluoroethylene propylene (FEP), and the fluoroethylene propylene (FEP) is a transparent film that can be bonded to other materials without heat sealing, thermoforming, vacuum forming, welding, or adhesive. As a possible functional polymer, the material can be melted to perform injection molding and extrusion molding. In addition, since the fluoroethylene propylene (FEP) is changed into a material having fluidity during sintering, it forms a nonporous coating, has a very low coefficient of friction, and has excellent chemical resistance and corrosion resistance. As a non-limiting example, the polyethylene (PE) -based resin is a high density polyethylene (High Density Poly Ethylene (HDPE), Medium Density Poly Ethylene (MDPE), Low Density Poly Ethylene (LDPE) and linear low density polyethylene (Linear Low Density Poly Ethylene; LLDPE) may include, but is not limited to, a single or two or more polymer blends. In one embodiment, the insulating layer may be a thickness of about 40 μm to about 100 μm, but is not limited thereto. The coating process for forming the insulating layer may be used without particular limitation as long as it is commonly used in the art, and for example, may be coated by extrusion, but is not particularly limited thereto.

상기 절연층(200)의 외주면에는 전자기신호가 손실되지 않도록 금속차폐층(300)을 형성한다. 종래 마이크로 동축케이블은 금속차폐층을 형성하기 위하여 금속선을 횡권하거나, 도전성 Tube안으로 절연된 선재를 넣고 인발(drawing)하여 금속차폐층을 형성하거나(Tubing후 인발법) 절연된 선재를 도전성 테이프로 감거나 감싸서 금속차폐층을 형성하게 된다(Tape Lapping법). 상기와 같은 종래의 금속차폐층 형성 방법은, 금속선의 직경이 줄어드는 경우, 횡권시 선재의 단선율이 높아 지고, 하네스 공정시 상당한 불량률을 가지는 등의 문제점이 있었다. The metal shielding layer 300 is formed on the outer circumferential surface of the insulating layer 200 so that electromagnetic signals are not lost. Conventional micro coaxial cable has a wire wound to form a metal shielding layer, or put an insulated wire rod into a conductive tube to draw a metal shielding layer (drawing after pulling) method of winding the insulated wire with a conductive tape Or wrap to form a metal shielding layer (Tape Lapping method). Conventional metal shielding layer formation method as described above, when the diameter of the metal wire is reduced, there is a problem that the disconnection rate of the wire rod in the lateral winding is increased, and a significant failure rate during the harness process.

이에, 본원은, 금속차폐층을 형성하는 방법으로 종래의 횡권이나 편조가 아닌, 당업계에서 통상 사용되는 PVD(Physical vapor deposition) 또는 전기도금(Electro plating) 증착 방법을 사용하여, 수 nm ~ 수십 nm 두께, 또는 수 ㎛ ~ 수백 ㎛ 의 차폐층을 형성함으로써 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있다.Thus, the present application, using a conventional vapor deposition (PVD) or electro plating (electroplating) deposition method conventionally used in the art as a method of forming a metal shielding layer, not a conventional transverse winding or braiding, several nm ~ several tens Such a problem can be solved by forming a shielding layer having a thickness of nm or several micrometers to several hundred micrometers.

상기 제 1 금속차폐층(310)은 스퍼터링 공정에 의해 증착될 수 있다. 상기 스퍼터링 공정은 스퍼터링이 일어나는 챔버(Chamber), 상기 챔버내에서 증착물질이 위치하는 캐소드(Cathode), 상기 캐소드와 대향되는 영역에 구성된 애노드(Anode)와 상기 캐소드와 애노드 사이에서 증착물질을 이온화시킬 수 있는 수단, 예컨대 RF(RadioFrequency) 바이어스가 인가되는 코일(Coil)로 구성될 수 있다. 스퍼터링 공정은 기본적으로 양단의 전극에 고전압이 걸린 챔버(Chamber)내에 불활성 기체, 예를 들어, 아르곤(Ar) 가스를 주입한 후 방전시켜 상기 아르곤을 플라즈마 상태로 변화시킴으로써 시작된다. 상기 플라즈마를 구성하는 Ar+ 이온들은 반대 전극인 마이너스(-)가 걸려 있는 타겟으로 전기장에 의하여 가속되어 타겟과 충돌한다. 상기 충돌에 의한 운동량의 교환에 의하여 타겟물질의 표면원자가 튀어나와 증기로서 상기 중심도체를 둘러 감싸는 절연층 위에 증착되어 박막이 형성되게 된다. 상기 증착물질은 스퍼터링이 가능하고 이온화가 가능한 금속으로, 예를 들어, 니켈(Ni), 구리(Cu), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The first metal shielding layer 310 may be deposited by a sputtering process. The sputtering process ionizes the deposition material between the cathode and the cathode, the chamber in which the sputtering takes place, the cathode in which the deposition material is located, the anode formed in the region facing the cathode, and the cathode and the anode. Means, for example, a coil to which a RF (RadioFrequency) bias is applied. The sputtering process is basically started by injecting an inert gas, for example, argon (Ar) gas into a chamber in which a high voltage is applied to the electrodes at both ends, and then discharging the argon into a plasma state. The Ar + ions constituting the plasma are accelerated by an electric field and collide with the target with a negative (-) target. By exchanging the momentum due to the collision, the surface atoms of the target material stick out and are deposited on the insulating layer surrounding the central conductor as vapor to form a thin film. The deposition material may be a sputterable and ionizable metal, for example, selected from the group consisting of nickel (Ni), copper (Cu), chromium (Cr), titanium (Ti), and combinations thereof. May be, but is not limited thereto.

상기 제 2 금속차폐층(320)은 전기도금 공정에 의해 증착될 수 있다. 본원에 사용되는 상기 전기도금 공정은, 당업계에서 통상적으로 사용되는 방법이면 특별한 제한 없이 사용할 수 있다.The second metal shielding layer 320 may be deposited by an electroplating process. The electroplating process used herein may be used without particular limitation as long as it is a method commonly used in the art.

상기 전기도금은, 예를 들어, 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속 염이 용해된 도금액 내에서, 상기 선택된 금속을 애노드(Anode)로 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 캐소드(Cathode)에는 상기 제 1 금속차폐층이 형성된 중심도선을 연결하여 상기 제 2 금속차폐층을 증착할 수 있다.The electroplating may include, for example, an anode of the selected metal in a plating solution in which a metal salt selected from the group consisting of copper (Cu), silver (Ag), nickel (Ni), and combinations thereof is dissolved. It may be used as, but is not limited thereto. The second metal shielding layer may be deposited on a cathode by connecting a center line on which the first metal shielding layer is formed.

도 3은 종래 마이크로 동축케이블의 하네스 공정 후 단면도이고, 도 4는 본원의 일 구현예에 따른 마이크로 동축케이블의 하네스 공정 후 단면도이다.Figure 3 is a cross-sectional view after the harness process of a conventional micro coaxial cable, Figure 4 is a cross-sectional view after the harness process of a micro coaxial cable according to an embodiment of the present application.

상기와 같이, 스퍼터링 및 전기도금 공정에 의해 균일한 두께를 가지는 금속차폐층을 완전 증착함으로써 제조되는 마이크로 동축케이블의 차폐특성을 향상시키고, 하네스 공정 중 금속차폐층의 탈피성이 향상시킬 수 있다.As described above, the shielding property of the micro coaxial cable manufactured by completely depositing a metal shielding layer having a uniform thickness by sputtering and electroplating processes, and the peelability of the metal shielding layer during the harness process can be improved.

상기 차폐층(300)의 외주면에는 차폐층의 부식을 방지하고, 외부로부터 충격을 방지하기 위하여 마이크로 동축케이블의 보호를 위한 자켓층(400)이 형성된다. 본원에 사용되는 상기 자켓층(400)은 당업계에서 통상적으로 사용되는 것이면 특별한 제한 없이 모든 재료들이 사용될 수 있다.A jacket layer 400 for protecting the micro coaxial cable is formed on the outer circumferential surface of the shielding layer 300 to prevent corrosion of the shielding layer and prevent shock from the outside. The jacket layer 400 used herein may be any materials without particular limitation as long as it is commonly used in the art.

이하 실시예에 의하여 본원을 구체적으로 설명하나, 본원에 이에 제한되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples, but is not limited thereto.

먼저, AWG 36 ⅹ1C (0.05 mm) 구리선 혹은 구리 합금선을 주석 혹은 은으로 코팅한 후 7가닥을 1가닥으로 연선(Stranding)하여 중심도선(100)을 제조하였다. 이어서 절연층(200)을 형성하기 위해, 플루오르화에틸렌프로필렌(Fluorinatedethylene propylene, FEP)을 76 ㎛ 두께로 절연 압출하여 상기 중심도선(100)을 둘러쌓았다. 그 다음에, 상기 절연층 위에 제 1 금속차폐층(310)으로서 니켈(Ni) 점착층을 스퍼터링 증착 공정에 의하여 그의 두께가 10 nm ~ 200 nm 로 되도록 전면 증착시켰다. 상기 스퍼터링 증착 공정을 위하여 상온에서 반응챔버의 압력을 3×10-5 torr 로 유지하고, 3×10-3 torr 의 아르곤(Ar)가스를 도입하여 안정화시킨 후, 캐소드(Target)에 RF전력을 투입하여, 플라즈마를 발생시켰다. 이어서 5.0 W/cm2 의 타겟전력으로 5분간 니켈(Ni)을 상기 절연층(200)위에 60 nm 의 두께로 증착시켰다. First, the AWG 36 ⅹ 1C (0.05 mm) copper wire or copper alloy wire was coated with tin or silver, and then 7 strands were stranded (stranded) into 1 strand to prepare a center line 100. Subsequently, in order to form the insulating layer 200, fluorinated ethylene propylene (FEP) was insulated and extruded to a thickness of 76 μm to surround the center line 100. Next, a nickel (Ni) adhesive layer was deposited on the insulating layer as a first metal shielding layer 310 so as to have a thickness of 10 nm to 200 nm by a sputtering deposition process. For the sputtering deposition process, the pressure of the reaction chamber is maintained at 3 × 10 −5 torr at room temperature, 3 × 10 −3 torr of argon (Ar) gas is introduced and stabilized, and RF power is applied to the cathode. It injected | thrown-in and generated the plasma. Subsequently, nickel (Ni) was deposited on the insulating layer 200 to a thickness of 60 nm for 5 minutes at a target power of 5.0 W / cm 2 .

이어서 상기 제 1 금속차폐층(310) 위에 제 2 금속차폐층(320)으로서 구리(Cu)층을 형성하였다. 상기 구리의 증착 방법은 전기도금(Electroplating) 공정을 사용하였다. 전기도금 챔버에 황산구리 용액을 담고, 애노드 전극에는 구리를 연결하고, 캐소드 전극에는 상기 제 1 금속차폐층(310)이 형성된 중심도선을 연결했다. 전력밀도는 16 mA/cm2 로 일정하게 유지하여 0.2 ㎛ 의 두께를 가지는 제 2 금속차폐층을 형성하였다. 마지막으로 자켓층(400)을 5 0 ㎛ 두께로 압출시켰다.Subsequently, a copper (Cu) layer was formed on the first metal shielding layer 310 as the second metal shielding layer 320. The copper deposition method used an electroplating process. The copper sulfate solution was contained in the electroplating chamber, and copper was connected to the anode electrode, and a center lead formed with the first metal shielding layer 310 was connected to the cathode electrode. The power density was kept constant at 16 mA / cm 2 to form a second metal shielding layer having a thickness of 0.2 μm. Finally, the jacket layer 400 was extruded to a thickness of 50 μm.

하기 표 1은 비교예로서 종래의 횡권으로 제작된 마이크로 동축케이블 제품과 본 실시예에 따라 스퍼터링 및 전기도금 공정에 의해 제조된 마이크로 동축케이블의 물성을 비교한 것이다.
Table 1 below compares the physical properties of the micro coaxial cable manufactured by the conventional transverse winding and the micro coaxial cable produced by the sputtering and electroplating process according to this embodiment.

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 표 1에서 보여주는 바와 같이, 상기와 같은 방법으로 제조된 마이크로 동축케이블은 종래의 마이크로 동축케이블과 비교하여 향상된 성능을 가짐을 알 수 있었다. 특히, 고주파 영역(1000Mhz)에서 전송선로 손실(Transmission Line Loss) 및 정재파비(VSWR)가 각각 약 3 배 및 1.2 배 향상되었음을 알 수 있었다.As shown in Table 1, it can be seen that the micro coaxial cable manufactured by the above method has improved performance compared to the conventional micro coaxial cable. In particular, it can be seen that transmission line loss and standing wave ratio (VSWR) are improved about 3 times and 1.2 times in the high frequency region (1000Mhz), respectively.

종래의 마이크로 동축케이블에서는 횡권된 차폐선재들이 일정한 길이로 잘라지지 않아서 하네스를 위한 탈피 불량을 초래 하나, 도 5를 참조하면, 본 실시예예 따른 마이크로 동축케이블은 차폐층이 일정한 길이에서 잘라져서 하네스 공정 중 차폐층의 탈피성이 매우 우수하게 나타났다.
In the conventional micro coaxial cable, the transverse winding shield wires are not cut to a certain length, resulting in a stripping failure for the harness. Referring to FIG. The peeling property of the heavy shielding layer was very excellent.

이상에서 본원이 구현예 및 실시예에 대하여 기재하였지만, 본원이 이에 한정되는 것은 아니고, 해당 기술분야의 숙련된 기술자는 상기 기재된 범위 및 하기의 특허 청구범위에 기재된 본원의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서는 본원을 다양하게 변경 및 수정시킬 수 있음을 인지할 수 있을 것이다.
While the present application has been described with respect to embodiments and examples, the present invention is not limited thereto, and a person skilled in the art does not depart from the spirit and scope of the present invention described in the above-described range and the claims below. It will be appreciated that various changes and modifications can be made in the present application.

10: 종래 마이크로 동축케이블의 중심도체
20: 종래 마이크로 동축케이블의 절연층
30: 횡권 혹은 편조된 금속차폐층
40: 종래 마이크로 동축케이블의 자켓층
100: 중심도체
200: 절연층
300: 금속차폐층
310: 제 1 금속차폐층
320: 제 2 금속차폐층
400: 자켓층
10: center conductor of conventional micro coaxial cable
20: insulation layer of conventional micro coaxial cable
30: transverse or braided metal shielding layer
40: jacket layer of conventional micro coaxial cable
100: center conductor
200: insulation layer
300: metal shielding layer
310: first metal shielding layer
320: second metal shielding layer
400: jacket layer

Claims (9)

중심도체를 둘러 감싸는 절연층을 형성하고;
상기 절연층을 둘러 감싸는 제 1 금속차폐층을 스퍼터링 공정에 의해 증착하고;
상기 제 1 금속차폐층을 둘러 감싸는 제 2 금속차폐층을 전기도금 공정에 의해 증착하는 것:
을 포함하는, 마이크로 동축케이블의 제조 방법.
Forming an insulation layer surrounding the center conductor;
Depositing a first metal shielding layer surrounding the insulating layer by a sputtering process;
Depositing a second metal shielding layer surrounding the first metal shielding layer by an electroplating process:
Including, micro coaxial cable manufacturing method.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 금속차폐층을 형성한 후에, 상기 제 2 금속차폐층을 둘러 감싸 자켓층을 형성하는 것을 추가로 포함하는, 마이크로 동축케이블의 제조 방법.
The method of claim 1,
And after forming the second metal shielding layer, surrounding the second metal shielding layer to form a jacket layer.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 금속차폐층은 니켈(Ni), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 구리(Cu) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 점착층인, 마이크로 동축케이블의 제조 방법.
The method of claim 1,
The first metal shielding layer is a pressure-sensitive adhesive layer comprising one selected from the group consisting of nickel (Ni), chromium (Cr), titanium (Ti), copper (Cu), and combinations thereof.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 금속차폐층의 두께가 1 nm 내지 400 nm 인 것인, 마이크로 동축케이블의 제조 방법.
The method of claim 1,
The thickness of the first metal shielding layer is 1 nm to 400 nm, the method of manufacturing a micro coaxial cable.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 금속차폐층은 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 마이크로 동축케이블의 제조 방법.
The method of claim 1,
Wherein the second metal shielding layer is copper (Cu), silver (Ag), nickel (Ni) and a combination comprising a combination of these, the method of manufacturing a micro coaxial cable.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 금속차폐층의 두께가 0.01 ㎛ 내지 100 ㎛ 인, 마이크로 동축케이블의 제조방법.
The method of claim 1,
The thickness of the second metal shielding layer is 0.01 ㎛ to 100 ㎛, the manufacturing method of the micro coaxial cable.
제 1 항에 있어서,
상기 중심도체는 복수의 금속선을 연선(Stranding)하여 형성되는 것인, 마이크로 동축케이블의 제조 방법.
The method of claim 1,
The center conductor is formed by stranding a plurality of metal wires, the manufacturing method of a micro coaxial cable.
제 1 항에 있어서,
상기 절연층은 플루오로에틸렌프로필렌(FEP), 폴리에틸렌(PE)계 수지, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)계 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 마이크로 동축케이블의 제조 방법.
The method of claim 1,
The insulating layer is fluoroethylene propylene (FEP), polyethylene (PE) -based resin, polytetrafluoroethylene (PTFE) -based resin, and the combination comprising a combination thereof, the production of a micro coaxial cable Way.
제 1 항에 있어서,
상기 절연층은 40 ㎛ 내지 100 ㎛ 의 두께를 가지는 것인, 마이크로 동축케이블의 제조 방법.

The method of claim 1,
The insulating layer has a thickness of 40 ㎛ to 100 ㎛, micro coaxial cable manufacturing method.

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