KR20110134175A - 패턴 형성용 몰드 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 패턴 형성용 몰드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 나노 사이즈의 선폭을 가지는 패턴을 형성하기 위한 몰드 상에 금속 패턴을 더욱 형성하여 구조를 변경시킴으로써 두껍고 균일한 두께의 패턴을 형성하는 것이 가능하도록 하는 패턴 형성용 몰드 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 따른 패턴 형성용 몰드 제조 방법은, 패턴이 형성된 제 1 몰드를 준비하는 단계; 상기 제 1 몰드 상에 제 1 수지층을 형성하는 단계; 상기 제 1 수지층이 형성된 제 1 몰드 상에 제 1 기판을 안착하는 단계; 상기 제 1 수지층을 경화시키는 단계; 상기 경화된 제 1 수지층을 제 1 몰드로부터 제 1 기판과 함께 떼어내어 제 2 몰드를 얻는 단계; 상기 제 2 몰드 상에 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층을 선택적으로 제거해 금속 패턴을 형성하여 제 3 몰드를 얻는 단계; 를 포함하여 이루어진다.
Description
본 발명은 패턴 형성용 몰드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 나노 사이즈의 선폭을 가지는 패턴을 형성하기 위한 몰드 상에 금속 패턴을 더욱 형성하여 구조를 변경시킴으로써 두껍고 균일한 두께의 패턴을 형성하는 것이 가능하도록 하는 패턴 형성용 몰드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
나노 사이즈의 패턴을 이용한 기술은 나노전자, 바이오, 광소자, 나노 전자기계 시스템(nano-electromechanical systems; NEMS), 마이크로 전자기계 시스템(micro-electromechanical systems; MEMS) 등 다양한 분야에서 기술 혁신을 주고하고 있으며, 더욱 작은 나노 미터 사이즈를 가지는 패턴에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.
이러한 나노 사이즈의 패턴을 형성하기 위한 몰드를 제작하는 방법으로는 탑다운(top-down) 방식과 바텀업(bottom-up) 방식이 있다.
상기 탑 다운 방식은 기존의 반도체 소자 제조 공정에 주로 사용되는 리소그라피(lithography) 기술을 나노 미터 영역까지 발전시킨 기술이다.
현재, 광학 리소그라피는 KrF 레이저 리소그라피, ArF 레이저 리소그라피, F2 엑시머 레이저 리소그라피, EUV(extreme ultraviolet) 리소그라피, E-beam 투영 리소그라피, X-선 리소그라피 등이 이용되고 있다.
이와 같은 리소그라피를 이용하면 일부는 40[nm]까지의 선폭을 가지는 패턴을 형성하는 것이 가능하지만, 형성하고자하는 패턴의 선폭이 미세화될수록 노광 장비의 비용이 증가함과 더불어, 사용되는 빛의 파장과 유사한 정도의 해당도를 가지는 마스크의 가격이 증가하는 문제점이 있으며, 몰드의 크기가 커질수록 제작 기간이 길어지는 문제점이 있다.
그리고, 상기 바텀 업 방식은 주사 원자 현미경을 이용한 원자의 배열이나 자연에 존재하는 원자들 사이의 결합력을 이용한 자기조립(self-assembly) 방식으로서 현재는 기초 연구 수준에 머물고 있으며, 이 방식을 이용하는 경우에는 생산성이 좋지 못하고 특성상 불균일성이나 신뢰성 등에 있어서 해결해야할 과제들이 많이 있다.
따라서, 나노 사이즈의 패턴을 저 비용으로 신뢰성을 갖고 생산할 수 있는 기술의 개발이 요구된다.
또한, 현재의 기술로는 대면적에 균일하게 200[nm] 이상의 두께를 갖는 나노 사이즈의 패턴을 형성하는 것은 어려운 실정에 있다.
따라서, 200[nm] 이상의 두께를 가지는 나노 사이즈의 패턴을 대면적에 균일하게 형성할 수 있는 기술의 개발이 요구된다.
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 나노 사이즈의 선폭을 가짐과 동시에 두껍고 균일한 두께를 가지는 패턴을 형성하는 것이 가능하고, 제조 시에 소요되는 비용이 최소화된 패턴 형성용 몰드 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패턴 형성용 몰드 제조 방법은, 패턴이 형성된 제 1 몰드를 준비하는 단계; 상기 제 1 몰드 상에 제 1 수지층을 형성하는 단계; 상기 제 1 수지층이 형성된 제 1 몰드 상에 제 1 기판을 안착하는 단계; 상기 제 1 수지층을 경화시키는 단계; 상기 경화된 제 1 수지층을 제 1 몰드로부터 제 1 기판과 함께 떼어내어 제 2 몰드를 얻는 단계; 상기 제 2 몰드 상에 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층을 선택적으로 제거해 금속 패턴을 형성하여 제 3 몰드를 얻는 단계; 를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패턴 형성용 몰드 제조 방법은, 패턴이 형성된 마스터를 준비하는 단계; 상기 마스터 상에 제 1 수지층을 형성하는 단계; 상기 제 1 수지층이 형성된 마스터 상에 제 1 기판을 안착하는 단계; 상기 제 1 수지층을 경화시키는 단계; 상기 경화된 제 1 수지층을 마스터로부터 제 1 기판과 함께 떼어내어 제 1 소프트 몰드를 얻는 단계; 상기 제 1 소프트 몰드 상에 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층을 선택적으로 제거해 금속 패턴을 형성하여 제 2 소프트 몰드를 얻는 단계; 를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패턴 형성용 몰드는, 기판; 상기 기판 상에 형성되며 오목/볼록 형상의 패턴이 형성된 수지층; 및 적어도 상기 수지층의 패턴 중에 볼록 형상 위에 형성된 금속 패턴; 을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 발명은, 오목/볼록 형상이 형성된 제 1 몰드를 이용하여 수지로 이루어진 제 2 몰드를 형성한 후에 제 2 몰드 상에 금속을 증착하고 식각하여 금속 패턴을 형성함으로써, 나노 사이즈의 선폭을 가짐과 동시에 두껍고 균일한 두께를 가지는 패턴을 형성하는 것이 가능한 제 3 몰드를 형성할 수 있는 효과가 있으며, 제조 시에 소요되는 비용이 최소화되는 효과가 있다.
그리고, 상기와 같은 본 발명은, 전체 영역이 수지로 이루어진 소프트 몰드 또는 마스터 몰드를 제작하기를 원하는 경우에는 상기 제 3 몰드를 이용하여 제 4 몰드 또는 제 5 몰드를 형성하여 소프트 몰드 또는 마스터 몰드로서 이용할 수 있을 것이다.
그리고, 상기와 같은 본 발명은, 금속층을 습식 식각하여 금속 패턴을 형성하여 제 3 몰드를 얻을 시에 식각 시간을 제어함으로써 금속 패턴의 폭을 조절하는 것이 가능하므로, 제 3 몰드를 이용하여 형성한 제 4 몰드 및 제 5 몰드의 오목/볼록 형상의 폭을 필요에 따라 다르게 형성하는 것이 가능한 장점이 있다.
도 1a 내지 도 1j는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패턴 형성용 몰드를 제조하는 다수의 단계를 차례로 도시한 단면도.
도 2 및 도 3은 도 1j의 제 5 몰드의 형상의 예를 도시한 것으로서, 도 2는 도 1에서 금속층을 습식 식각할 시에 식각 시간을 비교적 짧게 설정하여 얻은 제 3 몰드를 이용하여 제작한 제 5 몰드를 도시한 단면도이고, 도 3은 도 1에서 금속층을 습식 식각할 시에 식각 시간을 비교적 길게 설정하여 얻은 제 3 몰드를 이용하여 제작한 제 5 몰드를 도시한 단면도.
도 2 및 도 3은 도 1j의 제 5 몰드의 형상의 예를 도시한 것으로서, 도 2는 도 1에서 금속층을 습식 식각할 시에 식각 시간을 비교적 짧게 설정하여 얻은 제 3 몰드를 이용하여 제작한 제 5 몰드를 도시한 단면도이고, 도 3은 도 1에서 금속층을 습식 식각할 시에 식각 시간을 비교적 길게 설정하여 얻은 제 3 몰드를 이용하여 제작한 제 5 몰드를 도시한 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패턴 형성용 몰드 및 그 제조 방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 1a 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패턴 형성용 몰드 제조 방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 1a에 도시한 바와 같은 제 1 몰드(101)를 준비한다.
상기 제 1 몰드(101)는 탄성을 가지는 소프트 몰드(soft mold) 또는 탄성을 가지지 않는 하드 몰드(hard mold)일 수 있으며, 상기 제 1 몰드(101)가 하드 몰드인 경우에는 소프트 몰드의 제작에 이용되는 마스터(master)일 수 있다. 여기서, 상기 마스터는 나노(nano) 사이즈의 패턴을 형성하기 위한 소프트 몰드를 제작하는데 사용되는 원판으로서, 형성하고자 하는 나노 사이즈의 패턴과 동일한 오목/볼록 형상의 패턴이 레이저를 이용한 패터닝을 통해 형성되어 있다.
다음으로, 도 1b에 도시한 바와 같이 상기 제 1 몰드(101) 상에 제 1 수지층(201)을 형성한다.
상기 제 1 수지층(201)은 열경화성 수지와 광경화성 수지 중에 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어진다.
다음으로, 도 1c에 도시한 바와 같이 상기 제 1 수지층(201)이 형성된 제 1 몰드(101) 상에 제 1 기판(202)을 안착한다.
이때, 상기 제 1 기판(202)은 고분자로 이루어진 필름(film) 형태인 것이 바람직하며, 필름 형상의 제 1 기판(202)은 롤(roll) 압착을 통해 제 1 수지층(201) 상에 안착된다.
다음으로, 상기 제 1 수지층(201)을 경화시킨다.
이때, 상기 제 1 수지층(201)이 열경화성 수지인 경우에는 해당 열경화성 수지를 경화시키기에 알맞은 온도의 열을 가하여 경화시키고, 상기 제 1 수지층(201)이 광경화성 수지인 경우에는 도 1d에 도시한 바와 같이 자외선(UV)을 조사하여 경화시킨다.
다음으로, 도 1e에 도시한 바와 같이 상기 경화된 제 1 수지층(201)을 제 1 몰드(101)로부터 제 1 기판(202)과 함께 떼어내어 도 1f에 도시한 바와 같은 제 2 몰드(102)를 얻는다.
이때, 상기 제 2 몰드(102)에는 제 1 몰드(101)에 형성된 패턴의 역상에 해당하는 패턴이 형성되어 있다.
다음으로, 도 1g에 도시한 바와 같이 상기 제 2 몰드(102) 상에 금속을 증착하여 금속층(203)을 형성한다.
금속을 증착하여 금속층(203)을 형성하는 방법의 일 예로 스퍼터링 방식이 있으며, 이때 금속층(203) 내에는 금속 입자가 갖는 본질적인 특성으로 인해 보이드(Void, 203c)를 포함한 면경계(203b)가 형성된다.
상기 금속층(203)은 면경계(203b)들에 의하여 캐리어 전자의 면경계 산란이 커지고 이로 인해 저항율이 높아지는데, 본 발명에서 이와 같은 면경계(203b)는 금속층(203)을 패터닝하는 식각 공정에 이용된다. 즉, 상기 금속층(203) 내에 형성되어 있는 면경계(203b) 내에 습식 식각을 위한 반응성 화합물이 유입되어 면경계(203b) 영역을 중심으로 식각율이 높아지게 되고, 금속층(203) 중에서 제 2 몰드(102)의 볼록 형상부 상에 형성된 영역의 식각률이 상대적으로 작아지게 되어 패터닝을 할 수 있다.
상기 금속층(203)을 이루는 금속은 식각을 통해 패터닝을 수행할 수 있는 금속이라면 어느 것이든 가능하지만, 일 예로서 알루미늄(Al), 은(Ag), 티탄(Ti), 크롬(Cr) 또는 그 합금(alloy)이 있다.
다음으로, 상기 금속층(203)에 대한 식각(etching)을 수행하여 도 1h에 도시한 바와 같은 금속 패턴(203a)을 형성하여 제 3 몰드(103)를 얻는다.
이때, 식각 시간을 제어함으로써 금속 패턴(203a)의 형상을 변경하는 것이 가능하다. 즉, 식각 시간을 짧게 설정하면 비교적 큰 폭의 금속 패턴(203a)이 형성되며, 식각 시간을 길게 설정하면 비교적 작은 폭의 금속 패턴(203a)이 형성될 것이다.
상기 금속층(203)에 대한 식각은 습식 식각 또는 건식 식각이 가능하며, 습식 식각의 경우에 이용되는 식각액은 질산, 인산, 불산, 초산, 또는 그 혼합액 등이 있다.
상기와 같은 다수의 단계를 통해 얻은 제 3 몰드(103)는 제 1 기판(202)과, 상기 제 1 기판(202) 상에 형성되며 오목/볼록 형상의 패턴이 형성된 제 1 수지층(201)과, 적어도 상기 제 1 수지층(201)의 패턴 중에 볼록 형상 위에 형성된 금속 패턴(203a)을 포함하여 구성된다.
상기 제 3 몰드(103)는 나노 사이즈의 패턴을 형성하기 위한 소프트 몰드로서 이용되거나, 또는 소프트 몰드를 형성하기 위한 마스터로서 이용될 수 있다.
즉, 상기 제 1 몰드(101)가 마스터인 경우에는 제 3 몰드(103)가 소프트 몰드로서 이용되고, 제 1 몰드(101)가 소프트 몰드인 경우에는 제 3 몰드(103)가 마스터로서 이용될 것이다.
상기와 같은 다수의 단계를 통해 제작된 제 3 몰드(103)가 소프트 몰드 또는 마스터로서 이용될 수 있지만, 전체 영역이 수지로 이루어진 소프트 몰드 또는 마스터를 제작하려는 경우에는 아래의 단계들이 추가로 이루어지는 것이 바람직할 것이다. 물론, 상기 제 3 몰드(103)가 마스터로 이용되는 경우에는 나노 사이즈의 패턴을 형성하기 위한 소프트 몰드, 즉 도 1i에 도시한 바와 같은 제 4 몰드(104)를 제작하기 위하여 아래의 단계들이 필수적으로 이루어질 것이다.
먼저, 상기 제 3 몰드(103) 상에 제 2 수지층을 형성한다.
상기 제 2 수지층은 열경화성 수지와 광경화성 수지 중에 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어진다.
다음으로, 상기 제 2 수지층이 형성된 제 3 몰드(103) 상에 제 2 기판(205)을 안착시킨다.
이때, 상기 제 2 기판(205)은 고분자로 이루어진 필름(film) 형태인 것이 바람직하며, 필름 형상의 제 2 기판(205)은 롤(roll) 압착을 통해 제 2 수지층 상에 안착된다.
다음으로, 상기 제 2 수지층을 경화시킨다.
이때, 상기 제 2 수지층이 열경화성 수지인 경우에는 해당 열경화성 수지를 경화시키기에 알맞은 온도의 열을 가하여 경화시키고, 상기 제 2 수지층이 광경화성 수지인 경우에는 자외선(UV)을 조사하여 경화시킨다.
다음으로, 상기 경화된 제 2 수지층(206)을 제 3 몰드(103)로부터 제 2 기판(205)과 함께 떼어내어 도 1i에 도시한 바와 같은 제 4 몰드(104)를 얻는다.
상기 제 4 몰드(104)는 나노 사이즈의 패턴을 형성하기 위한 소프트 몰드로서 이용되거나, 또는 소프트 몰드를 형성하기 위한 마스터로서 이용될 수 있다.
즉, 상기 제 3 몰드(103)가 마스터인 경우에는 제 4 몰드(104)가 소프트 몰드로서 이용되고, 제 3 몰드(103)가 소프트 몰드인 경우에는 제 4 몰드(104)가 마스터로서 이용될 것이다.
상기와 같은 다수의 단계를 통해 제작된 제 4 몰드(104)가 마스터로 이용되는 경우에는 나노 사이즈의 패턴을 형성하기 위한 소프트 몰드, 즉 도 1k에 도시한 바와 같은 제 5 몰드(105)를 제작하기 위하여 아래의 단계들이 필수적으로 이루어질 것이다.
먼저, 상기 제 4 몰드(104) 상에 제 3 수지층을 형성한다.
상기 제 3 수지층은 열경화성 수지와 광경화성 수지 중에 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어진다.
다음으로, 상기 제 3 수지층이 형성된 제 4 몰드(104) 상에 제 3 기판(207)을 안착시킨다.
이때, 상기 제 3 기판(207)은 필름과 같은 형상인 것이 바람직하며, 필름 형상의 제 3 기판(207)은 롤(roll) 압착을 통해 제 3 수지층 상에 안착된다.
다음으로, 상기 제 3 수지층을 경화시킨다.
이때, 상기 제 3 수지층이 열경화성 수지인 경우에는 해당 열경화성 수지를 경화시키기에 알맞은 온도의 열을 가하여 경화시키고, 상기 제 3 수지층이 광경화성 수지인 경우에는 자외선(UV)을 조사하여 경화시킨다.
다음으로, 상기 경화된 제 3 수지층(208)을 제 4 몰드(104)로부터 제 3 기판(207)과 함께 떼어내어 도 1j에 도시한 바와 같은 제 5 몰드(105)를 얻는다.
도 2 및 도 3에는 상기 제 5 몰드(305, 405)의 형상의 예를 도시하였으며, 도 2에는 도 1g에 도시한 단계에서 금속층(203)을 식각할 시에 식각 시간을 비교적 짧게 설정하여 얻은 제 3 몰드(103)를 이용하여 제작한 제 5 몰드(305)를 도시하였고, 도 3에는 도 1g에 도시한 단계에서 금속층(203)을 식각할 시에 식각 시간을 비교적 길게 설정하여 얻은 제 3 몰드(103)를 이용하여 제작한 제 5 몰드(405)를 도시하였다.
도 1g에 도시한 단계에서 금속층(203)을 식각할 시에 식각 시간을 비교적 짧게 설정한 경우에는 금속 패턴(203a)의 폭이 비교적 크게 형성되므로, 제 3 몰드(103)를 이용하여 제 4 몰드(104)를 형성하고 그 제 4 몰드(104)를 이용하여 제 5 몰드(305)를 형성하면 제 5 몰드(305)는 도 2에 도시한 바와 같이 금속 패턴(203a)에 대응되는 영역의 폭이 비교적 크게 형성됨을 알 수 있다.
도 1g에 도시한 단계에서 금속층(203)을 식각할 시에 식각 시간을 비교적 길게 설정한 경우에는 금속층(203)의 폭이 비교적 작게 형성되므로, 제 3 몰드(103)를 이용하여 제 4 몰드(104)를 형성하고 그 제 4 몰드(104)를 이용하여 제 5 몰드(405)를 형성하면 제 5 몰드(405)는 도 3에 도시한 바와 같이 금속 패턴(203a)에 대응되는 영역의 폭이 비교적 작게 형성됨을 알 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명은, 오목/볼록 형상이 형성된 제 1 몰드(101)를 이용하여 수지로 이루어진 제 2 몰드(102)를 형성한 후에 제 2 몰드(102) 상에 금속을 증착하고 식각하여 금속 패턴(203a)을 형성함으로써, 나노 사이즈의 선폭을 가짐과 동시에 두껍고 균일한 두께를 가지는 나노 사이즈 패턴을 형성하는 것이 가능한 제 3 몰드(103)를 형성할 수 있다.
그리고, 전체 영역이 수지로 이루어진 소프트 몰드 또는 마스터를 제작하기를 원하는 경우에는 상기 제 3 몰드(103)를 이용하여 제 4 몰드(104) 또는 제 5 몰드(105)를 형성하여 소프트 몰드 또는 마스터로서 이용할 수 있다.
그리고, 금속층(203)을 식각하여 금속 패턴을 형성하여 제 3 몰드(103)를 얻을 시에 식각 시간을 제어함으로써 금속 패턴(203a)의 폭을 조절하는 것이 가능하므로, 제 3 몰드(103), 제 4 몰드(104) 및 제 5 몰드(105)에 형성된 오목/볼록 형상을 필요에 따라 다르게 설계하는 것이 가능하다.
101 : 제 1 몰드 102 : 제 2 몰드
103 : 제 3 몰드 104 : 제 4 몰드
105, 305, 405 : 제 5 몰드
201 : 제 1 수지층 202 : 제 1 기판
203 : 금속층 203a : 금속 패턴
203b : 면경계 203c : 보이드
205 : 제 2 기판 206 : 제 2 수지층
207, 307, 407 : 제 3 기판 208, 308, 408 : 제 4 수지층
103 : 제 3 몰드 104 : 제 4 몰드
105, 305, 405 : 제 5 몰드
201 : 제 1 수지층 202 : 제 1 기판
203 : 금속층 203a : 금속 패턴
203b : 면경계 203c : 보이드
205 : 제 2 기판 206 : 제 2 수지층
207, 307, 407 : 제 3 기판 208, 308, 408 : 제 4 수지층
Claims (21)
- 패턴이 형성된 제 1 몰드를 준비하는 단계;
상기 제 1 몰드 상에 제 1 수지층을 형성하는 단계;
상기 제 1 수지층이 형성된 제 1 몰드 상에 제 1 기판을 안착하는 단계;
상기 제 1 수지층을 경화시키는 단계;
상기 경화된 제 1 수지층을 제 1 몰드로부터 제 1 기판과 함께 떼어내어 제 2 몰드를 얻는 단계;
상기 제 2 몰드 상에 금속층을 형성하는 단계; 및
상기 금속층을 선택적으로 제거해 금속 패턴을 형성하여 제 3 몰드를 얻는 단계;
를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드 제조 방법. - 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 몰드는 하드 몰드 또는 소프트 몰드인 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 수지층은 열경화성 수지와 광경화성 수지 중에 적어도 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 수지층이 형성된 제 1 몰드 상에 제 1 기판을 안착하는 단계에서, 상기 제 1 기판은 제 1 몰드 상에 롤(roll) 압착되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 수지층을 경화시키는 단계는, 자외선(UV)과 열 중에 적어도 어느 하나에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드 제조 방법.
- 패턴이 형성된 제 2 몰드를 준비하는 단계;
상기 제 2 몰드 상에 금속층을 형성하는 단계; 및
상기 금속층을 선택적으로 제거해 금속 패턴을 형성하여 제 3 몰드를 얻는 단계;
를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드 제조 방법. - 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 몰드는 열경화성 수지와 광경화성 수지 중에 적어도 어느 하나가 경화되어 형성된 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드 제조 방법.
- 제 1 항과 제 6 항 중에 선택된 어느 한 항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄(Al), 은(Ag), 티탄(Ti), 크롬(Cr) 중에 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드 제조 방법.
- 제 1 항과 제 6 항 중에 선택된 어느 한 항에 있어서, 상기 금속층을 선택적으로 제거하여 금속 패턴을 형성하여 제 3 몰드를 얻는 단계는 상기 금속층을 습식 식각 또는 건식 식각하여 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 금속층을 식각하여 금속 패턴을 형성하는 단계에서, 식각 시간을 제어하여 금속 패턴의 형상을 변경하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드 제조 방법.
- 제 1 항과 제 6 항 중에 선택된 어느 한 항에 있어서, 상기 금속층을 선택적으로 제거하여 금속 패턴을 형성하여 제 3 몰드를 얻는 단계 후에는,
상기 제 3 몰드 상에 제 2 수지층을 형성하는 단계;
상기 제 2 수지층이 형성된 제 3 몰드 상에 제 2 기판을 안착하는 단계;
상기 제 2 수지층을 경화시키는 단계; 및
상기 경화된 제 2 수지층을 제 3 몰드로부터 제 2 기판과 함께 떼어내어 제 4 몰드를 얻는 단계;
가 추가로 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드 제조 방법. - 제 11 항에 있어서, 상기 경화된 제 1 수지층을 제 3 몰드로부터 제 2 기판과 함께 떼어내어 제 4 몰드를 얻는 단계 후에는,
상기 제 4 몰드 상에 제 3 수지층을 형성하는 단계;
상기 제 3 수지층이 형성된 제 4 몰드 상에 제 3 기판을 안착하는 단계;
상기 제 3 수지층을 경화시키는 단계; 및
상기 경화된 제 3 수지층을 제 4 몰드로부터 제 3 기판과 함께 떼어내어 제 5 몰드를 얻는 단계;
가 추가로 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드 제조 방법. - 패턴이 형성된 마스터를 준비하는 단계;
상기 마스터 상에 제 1 수지층을 형성하는 단계;
상기 제 1 수지층이 형성된 마스터 상에 제 1 기판을 안착하는 단계;
상기 제 1 수지층을 경화시키는 단계;
상기 경화된 제 1 수지층을 마스터로부터 제 1 기판과 함께 떼어내어 제 1 소프트 몰드를 얻는 단계;
상기 제 1 소프트 몰드 상에 금속층을 형성하는 단계; 및
상기 금속층을 선택적으로 제거해 금속 패턴을 형성하여 제 2 소프트 몰드를 얻는 단계;
를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드 제조 방법. - 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 수지층이 형성된 마스터 상에 제 1 기판을 안착하는 단계에서, 상기 제 1 기판은 마스터 상에 롤(roll) 압착되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄(Al), 은(Ag), 티탄(Ti), 크롬(Cr) 중에 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 금속층을 선택적으로 제거하여 금속 패턴을 형성하여 제 2 소프트 몰드를 얻는 단계는 상기 금속층을 습식 식각 또는 건식 식각하여 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 금속층을 식각하여 금속 패턴을 형성하는 단계에서, 식각 시간을 제어하여 금속 패턴의 형상을 변경하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 금속층을 선택적으로 제거하여 금속 패턴을 형성하여 제 2 소프트 몰드를 얻는 단계 후에는,
상기 제 2 소프트 몰드 상에 제 2 수지층을 형성하는 단계;
상기 제 2 수지층이 형성된 제 2 소프트 몰드 상에 제 2 기판을 안착하는 단계;
상기 제 2 수지층을 경화시키는 단계;
상기 경화된 제 2 수지층을 제 2 소프트 몰드로부터 제 2 기판과 함께 떼어내어 제 3 소프트 몰드를 얻는 단계;
상기 제 3 소프트 몰드 상에 제 3 수지층을 형성하는 단계;
상기 제 3 수지층이 형성된 제 3 소프트 몰드 상에 제 3 기판을 안착하는 단계;
상기 제 3 수지층을 경화시키는 단계; 및
상기 경화된 제 3 수지층을 제 3 소프트 몰드로부터 제 3 기판과 함께 떼어내어 제 4 소프트 몰드를 얻는 단계;
가 추가로 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드 제조 방법. - 기판;
상기 기판 상에 형성되며 오목/볼록 형상의 패턴이 형성된 수지층; 및
적어도 상기 수지층의 패턴 중에 볼록 형상 위에 형성된 금속 패턴;
을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드. - 제 19 항에 있어서, 상기 수지층은 열경화성 수지와 광경화성 수지 중에 적어도 어느 하나가 경화되어 형성된 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드.
- 제 19 항에 있어서, 상기 금속 패턴은 알루미늄(Al), 은(Ag), 티탄(Ti), 크롬(Cr) 중에 적어도 어느 하나를 재료로 하여 형성된 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 몰드.
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|---|---|---|---|
| KR1020100054014A KR20110134175A (ko) | 2010-06-08 | 2010-06-08 | 패턴 형성용 몰드 및 그 제조 방법 |
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| KR1020100054014A KR20110134175A (ko) | 2010-06-08 | 2010-06-08 | 패턴 형성용 몰드 및 그 제조 방법 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
| KR1020100054014A KR20110134175A (ko) | 2010-06-08 | 2010-06-08 | 패턴 형성용 몰드 및 그 제조 방법 |
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|---|---|
| KR (1) | KR20110134175A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016068538A1 (ko) * | 2014-10-29 | 2016-05-06 | 한국과학기술원 | 나노전사 프린팅 방법 및 이를 이용하여 제작되는 sers 기판， sers 바이얼 및 sers 패치 |
| KR20160051487A (ko) * | 2014-10-29 | 2016-05-11 | 한국과학기술원 | 유기 용매 증기를 이용한 접착력 제어 방식의 나노 구조체 제조 방법 및 나노 전사 프린팅 방법 |
| US10507604B2 (en) | 2014-10-29 | 2019-12-17 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Nanotransfer printing method and surface-enhanced raman scattering substrate, surface-enhanced raman scattering vial and surface-enhanced raman scattering patch manufactured using the same |
-
2010
- 2010-06-08 KR KR1020100054014A patent/KR20110134175A/ko not_active Application Discontinuation
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|---|---|---|---|---|
| WO2016068538A1 (ko) * | 2014-10-29 | 2016-05-06 | 한국과학기술원 | 나노전사 프린팅 방법 및 이를 이용하여 제작되는 sers 기판， sers 바이얼 및 sers 패치 |
| KR20160051487A (ko) * | 2014-10-29 | 2016-05-11 | 한국과학기술원 | 유기 용매 증기를 이용한 접착력 제어 방식의 나노 구조체 제조 방법 및 나노 전사 프린팅 방법 |
| US10507604B2 (en) | 2014-10-29 | 2019-12-17 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Nanotransfer printing method and surface-enhanced raman scattering substrate, surface-enhanced raman scattering vial and surface-enhanced raman scattering patch manufactured using the same |
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