KR20110130256A - Substrate for photovoltaic module and manufacture methode of the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 태양전지모듈용 기판과 그 제조방법 및 이를 이용한 태양전지모듈에 관한 것으로서, 태양광반도체를 이용하여 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환하는 태양전지모듈용 기판과 그 제조방법 및 이를 이용한 태양전지모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate for a solar cell module, a method for manufacturing the same, and a solar cell module using the same, wherein the solar cell module substrate for converting solar energy into electrical energy using a solar semiconductor, a method for manufacturing the same, and a solar using the same It relates to a battery module.
태양전지는, 태양 에너지를 전기에너지로 변환시켜주는 역할을 하는 것으로, 반도체 재료인 실리콘, 갈륨비소, 카드뮴텔루르, 황화카드뮴, 인듐인(燐) 또는 이들을 복합한 재료들이 사용되며, 통상적으로는 주로 실리콘이 이용된다.The solar cell converts solar energy into electrical energy, and semiconductor materials such as silicon, gallium arsenide, cadmium tellurium, cadmium sulfide, indium phosphide, or a combination thereof are used. Silicone is used.
상기 태양전지는 반도체 재료를 확산법에 의해 p-n접합시켜 제조되며, 빛을 받을 때 작은 양의 전류가 흐르게 되는 광전효과(photovoltaic effect)를 이용한 것으로, 대부분 보통의 태양전지는 대면적의 p-n 접합 다이오드로 이루어져 있으며, 상기 p-n접합 다이오드의 양극단에 발생된 기전력을 외부 회로에 연결하면 단위 태양전지, 전지셀로서 작용하게 된다.The solar cell is manufactured by a pn junction of a semiconductor material by a diffusion method, and uses a photovoltaic effect that a small amount of current flows when receiving a light, and most ordinary solar cells are a large area pn junction diode When the electromotive force generated at the anode terminal of the pn junction diode is connected to an external circuit, the pn junction diode functions as a unit solar cell or a battery cell.
상기와 같이 이루어진 전지셀은 그 기전력이 작기 때문에 다수의 전지셀을 연결하여 적정 기전력을 갖는 태양전지모듈(Photovoltaic Module)을 구성하여 사용하게 된다.Since the battery cell formed as described above has a small electromotive force, a plurality of battery cells are connected to form a solar cell module having a suitable electromotive force.
도 1은 종래의 태양전지모듈의 평면도이다.1 is a plan view of a conventional solar cell module.
종래의 태양전지모듈은 본체(1)에 다수의 태양광반도체(2)가 배치되며, 상기 태양광반도체(2)는 버스리본(3)에 의해 서로 전기적으로 연결된다.In the conventional solar cell module, a plurality of
상기 버스리본(3)은 일단이 태양광반도체(2)의 상부에 연결되고, 타단이 이웃한 다른 태양광반도체(2)의 하부에 연결되어, 다수개의 태양광반도체(2)를 직렬로 연결한다.The
이러한 종래의 태양전지모듈은 버스리본(3)을 실제 공정상에서 형성하기 위해서 롤 형상으로 형성된 버스리본(3)을 일정한 길이로 절단한 다음, 일일이 수작업으로 태양광반도체(2)에 용접을 하였다. In the conventional solar cell module, the
그러나 버스리본(3)을 일일이 태양광반도체(2)에 위치 잡아 용접하는 것은 작업이 어려워 공정시간을 현저히 증대시키며, 태양광 집광부에 위치한 상기 버스리본(3)으로 인해 광전환 효율이 떨어지는 문제가 있다.However, the welding of the
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 백시트에 태양광반도체와 전기적으로 연결되는 회로부를 형성하여 조립을 쉽고 편리하게 하고, 조립시간을 단축할 수 있으며, 광전환 효율을 높일 수 있는 태양전지모듈용 기판과 그 제조방법 및 이를 이용한 태양전지모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above problems, by forming a circuit portion electrically connected to the photovoltaic semiconductor on the back sheet, easy and convenient assembly, shorten the assembly time, can improve the light conversion efficiency An object of the present invention is to provide a substrate for a battery module, a manufacturing method thereof, and a solar cell module using the same.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 태양전지모듈용 기판은, 수광부와, 수광부의 반대편에 양극 및 음극이 함께 형성된 태양광반도체가 실장되는 태양전지모듈용 기판에 있어서, 상기 태양광반도체의 하부에 배치되는 백시트와; 상기 백시트의 상부에 형성되며, 상기 태양광반도체와 전기적으로 연결되어 상기 태양광반도체에 생성된 전류를 외부로 인출하기 위한 회로부를 포함하여 이루어진다.In order to achieve the above object, the solar cell module substrate of the present invention is a solar cell module substrate having a light receiving unit and a photovoltaic semiconductor formed with an anode and a cathode opposite to the light receiving unit. A back sheet disposed; It is formed on the top of the back sheet, and is electrically connected to the solar semiconductor comprises a circuit portion for drawing the current generated in the solar semiconductor to the outside.
상기 백시트는, PET(Polyester) 재질로 이루어진 PET층과; 상기 PET층의 일면 또는 타면에 적층되며, PVF(Poly vinyl fluoride) 또는 PVdf(Polyvinylidene Fluoride) 또는 EFTE(Ethylene Tetrafluoroethylene) 또는 Si0₂재질로 이루어진 불소층을 포함하여 이루어진다.The back sheet includes a PET layer made of PET (Polyester) material; It is laminated on one side or the other side of the PET layer, and comprises a fluorine layer made of polyvinyl fluoride (PVF) or polyvinylidene fluoride (PVdf) or ethylene tetrafluoroethylene (EFTE) or Si0₂ material.
상기 백시트는 상기 PET층과 상기 불소층 사이에 배치되며, 알루미늄으로 이루어진 알루미늄층을 더 포함하여 이루어진다.The back sheet is disposed between the PET layer and the fluorine layer, and further comprises an aluminum layer made of aluminum.
상기 PET층의 두께는 상기 불소층 및 상기 알루미늄층의 두께보다 두껍다.The thickness of the PET layer is thicker than the thickness of the fluorine layer and the aluminum layer.
상기 회로부는, 구리, 금, 은, 백금, 팔라듐, 크롬 또는 이들의 합금으로 이루어진 배선층과; 상기 배선층을 덮는 절연층을 포함하여 이루어진다.The circuit portion includes a wiring layer made of copper, gold, silver, platinum, palladium, chromium or an alloy thereof; And an insulating layer covering the wiring layer.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 태양전지모듈용 기판의 제조방법은, 수광부와, 수광부의 반대편에 양극 및 음극이 함께 형성된 태양광반도체가 실장되는 태양전지모듈용 기판에 있어서, 상기 태양광반도체의 하부에 배치되는 백시트와; 상기 백시트의 상부에 형성되며, 상기 태양광반도체와 전기적으로 연결되어 상기 태양광반도체에 생성된 전류를 외부로 인출하기 위한 회로부를 포함하여 이루어지는 태양전지모듈용 기판의 제조방법에 있어서, 상기 백시트의 상부에 라미네이팅방식 또는 증착방식 중 어느 한 방식으로 배선층을 형성하는 재단단계와; 상기 배선층을 설계된 패턴에 따라 스크린방식 또는 포토방식 중 어느 한 방식으로 에칭하는 회로형성단계와; 설계된 패턴으로 에칭된 상기 배선층의 상부에 스크린방식 또는 포토방식 중 어느 한 방식으로 절연층을 적층하여 회로부를 완성하는 솔더레지스트단계를 포함하여 이루어진다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing a substrate for a solar cell module according to the present invention includes a solar cell module substrate having a light receiving unit and a solar semiconductor formed together with an anode and a cathode opposite to the light receiving unit. A back sheet disposed below the; In the manufacturing method of a substrate for a solar cell module formed on top of the back sheet, comprising a circuit portion electrically connected to the solar semiconductor for drawing the current generated in the solar semiconductor to the outside, the back A cutting step of forming a wiring layer on the upper part of the sheet by any one of a laminating method and a deposition method; A circuit forming step of etching the wiring layer in any one of a screen method and a photo method according to a designed pattern; And a solder resist step of completing a circuit part by laminating an insulating layer on the upper part of the wiring layer etched in a designed pattern by either a screen method or a photo method.
수광부와, 수광부의 반대편에 양극 및 음극이 함께 형성된 태양광반도체가 실장되는 태양전지모듈용 기판에 있어서, 상기 태양광반도체의 하부에 배치되는 백시트와; 상기 백시트의 상부에 형성되며, 상기 태양광반도체의 양극 및 음극과 전기적으로 연결되어 상기 태양광반도체에 생성된 전류를 외부로 인출하기 위한 회로부; 를 포함하여 이루어지는 태양전지모듈용 기판의 제조방법에 있어서, 백시트의 상부에 설계된 패턴으로 시드회로를 인쇄하는 인쇄단계와; 상기 시드회로에 전해 또는 무전해 동도금을 하는 도금단계와; 도금된 상기 시드회로의 상부에 절연층을 적층하여 회로부를 완성하는 솔더레지스트단계와를 포함하여 이루어진다.A solar cell module substrate having a light receiving unit and a solar semiconductor having an anode and a cathode formed on opposite sides of the light receiving unit, comprising: a back sheet disposed below the solar semiconductor; A circuit unit formed on an upper portion of the backsheet and electrically connected to an anode and a cathode of the solar semiconductor to draw current generated in the solar semiconductor to the outside; A method of manufacturing a substrate for a solar cell module comprising: a printing step of printing a seed circuit in a pattern designed on an upper portion of a back sheet; A plating step of electrolytic or electroless copper plating on the seed circuit; And a solder resist step of stacking an insulating layer on the plated seed circuit to complete the circuit portion.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 태양전지모듈은, 수광부와, 수광부의 반대편에 양극 및 음극이 함께 형성된 태양광반도체와; 상기 태양광반도체의 하부에 배치되는 백시트와; 상기 백시트의 상부에 형성되며, 상기 태양광반도체의 양극 및 음극과 전기적으로 연결되어 상기 태양광반도체에 생성된 전류를 외부로 인출하기 위한 회로부를 포함하여 이루어진다.In order to achieve the above object, the solar cell module of the present invention comprises: a light-receiving unit, a solar semiconductor having an anode and a cathode formed together on the opposite side of the light-receiving unit; A back sheet disposed below the solar semiconductor; It is formed on the top of the back sheet, and is electrically connected to the anode and cathode of the solar semiconductor comprises a circuit portion for drawing the current generated in the solar semiconductor to the outside.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 태양전지모듈용 기판과 그 제조방법 및 이를 이용한 태양전지모듈은 다음과 같은 효과가 있다. As described above, the substrate for a solar cell module, a method of manufacturing the same, and a solar cell module using the same have the following effects.
백시트에 태양광반도체의 전도성 물질이 전기적으로 연결되는 회로부를 형성함으로써, 다수개의 태양광반도체를 일일이 버스리본으로 연결할 필요 없이 상기 회로부에 장착하여 조립을 간편하게 하고, 조립시간을 단축시키며, 생산성을 향상시키는 효과가 있다.By forming a circuit portion in which the conductive material of the solar semiconductor is electrically connected to the back sheet, it is easy to assemble and shorten the assembly time and productivity by attaching the plurality of solar semiconductors to the circuit portion without the need to connect them individually with a bus ribbon. It is effective to improve.
또한 태양광반도체의 광 전달을 방해하던 버스리본이 제거되어 광전환 효율을 극대화시키는 효과가 있다.In addition, the bus ribbon, which hindered the light transmission of the solar semiconductor, is removed, thereby maximizing the light conversion efficiency.
도 1은 종래기술에 따른 태양전지모듈의 단면 구조도,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 태양전지모듈의 단면 구조도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판의 단면 구조도,
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판의 단면 구조도,
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 태양전지모듈의 제조 과정도,
도 6는 본 발명의 실시예에 따른 실장단계의 제조 과정도,
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 라미네이팅방식의 제조 과정도,
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 증착방식의 제조 과정도,
도 9은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지모듈의 제조 과정도,
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지모듈의 단면 구조도,1 is a cross-sectional structure diagram of a solar cell module according to the prior art,
2 is a cross-sectional structural view of a solar cell module according to an embodiment of the present invention;
3 is a cross-sectional structural view of a substrate according to an embodiment of the present invention;
4 is a cross-sectional structural view of a substrate according to another embodiment of the present invention;
5 is a manufacturing process of the solar cell module according to an embodiment of the present invention,
6 is a manufacturing process of the mounting step according to an embodiment of the present invention,
7 is a manufacturing process of the laminating method according to an embodiment of the present invention,
8 is a manufacturing process diagram of the deposition method according to an embodiment of the present invention,
9 is a manufacturing process of the solar cell module according to another embodiment of the present invention,
10 is a cross-sectional structural view of a solar cell module according to another embodiment of the present invention;
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 태양전지모듈의 단면 구조도, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 백시트의 단면 구조도, 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 백시트의 단면 구조도, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 태양전지모듈의 제조 과정도, 도 6는 본 발명의 실시예에 따른 실장단계의 제조 과정도, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 라미네이팅방식의 제조 과정도, 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 증착방식의 제조 과정도, 도 9은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지모듈의 제조 과정도, 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지모듈의 단면 구조도이다.2 is a cross-sectional structural view of a solar cell module according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a cross-sectional structural view of a back sheet according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a cross section of a back sheet according to another embodiment of the present invention 5 is a manufacturing process diagram of a solar cell module according to an embodiment of the present invention, Figure 6 is a manufacturing process diagram of the mounting step according to an embodiment of the present invention, Figure 7 is a laminating method according to an embodiment of the present invention 8 is a manufacturing process diagram, Figure 8 is a manufacturing process of the deposition method according to an embodiment of the present invention, Figure 9 is a manufacturing process diagram of a solar cell module according to another embodiment of the present invention, Figure 10 is another embodiment of the present invention Cross-sectional structure diagram of a solar cell module according to.
도 2 내지 도 8에 도시된 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 태양전지모듈은 태양광반도체(100)와 기판으로 이루어지며, 본 발명의 실시예에 상기 기판은 백시트(200) 및 회로부(300)를 포함하여 이루어진다.2 to 8, the solar cell module according to the embodiment of the present invention is composed of a
상기 태양광반도체(100)는 도 2에 도시된 바와 같이 사각형 형상으로 형성되며, 상하 방향으로 개방된 관통홀(110)이 형성된다.The
그리고 상기 관통홀(110)에는 도전성 물질(120)이 충전되어 상기 태양광반도체(100)의 상단과 하단을 전기적으로 연결한다.The
상기 도전성 물질(120)은 후술하는 바와 같이 상기 회로부(300)와 전기적으로 연결되어 상기 태양광반도체(100)에서 생성된 전류를 외부로 인출시킨다.As described below, the
이러한 상기 태양광반도체(100)는 다수개로 이루어지며, 베이스프레임(410) 사이에 일정하게 이격 배치된다.The
상기 베이스프레임(410)은 태양전지모듈을 감싸며 고정하는 하우징과 같은 기능을 한다.The
상기 베이스프레임(410) 내부에는 에틸렌 비닐 아세테이트수지(EVA)로 이루어진 실링제(420)로 채워지며, 상기 실링제(420)의 상부에는 보호커버(430)가 장착된다.The
상기 보호커버(430)는 투명한 재질, 즉 유리로 이루어지며, 태양광이 반사되지 않고 통과된다.The
경우에 따라 상기 태양광반도체(100)는 도 10에 도시된 바와 같이 양극(+)과 음극(-)이 상기 태양광반도체(100)의 수광부의 반대편에 모두 형성될 수도 있다.In some cases, as shown in FIG. 10, the
즉 상기 태양광반도체(100)는 양극(+)과 음극(-)이 상기 백시트(200) 방향에 각각 배치되며, 상기 회로부(300)와 각각 전기적으로 연결되도록 구성할 수 있다.That is, the
이때 상기 태양광반도체(100)에는 상기 관통홀(100)과 상기 도전성 물질(120)이 구비될 수도 있고 없을 수도 있다.At this time, the
상기 백시트(200)는 상기 실링제(420)의 하부에 장착되며 상기 태양광반도체(100)의 하부에 배치된다.The
구체적으로 상기 백시트(200)는 도 3에 도시된 바와 같이 접착층(210), PET층(220) 및 불소층(230)으로 이루어진다. In detail, the
상기 접착층(210)은 얇게 형성되며, 접착력이 있는 재질로 이루어져 백시트(200)를 다른 곳에 쉽게 부착할 수 있도록 한다.The
상기 PET층(220)은 상기 접착층(210)의 상부에 적층되고, 두께가 상기 접착층(210)보다 두껍게 형성된다.The
그리고 상기 PET층(220)은 PET 재질 즉, 폴리에스터(polyester)로 이루어진다.And the
PET는 테레프탈산과 에틸렌글리콜을 축합중합하여 얻을 수 있는 포화 폴리에스터이며, 결정성 플라스틱으로서 내열성, 강성, 전기적 성질, 내유성 등이 뛰어나다.PET is a saturated polyester obtained by condensation polymerization of terephthalic acid and ethylene glycol, and is a crystalline plastic having excellent heat resistance, rigidity, electrical properties, and oil resistance.
상기 불소층(230)은 상기 PET층(220)의 상부에 적층되고, 불소 고분자 화합물로 이루어진 필름이다.The
구체적으로 상기 불소층(230)은 PVF(Poly vinyl fluoride)로 이루어진다.Specifically, the
물론 경우에 따라 상기 불소층(230)은 PVdf(Polyvinylidene Fluoride) 또는 EFTE(Ethylene Tetrafluoroethylne) 또는 Si0₂로 이루어질 수도 있다.In some cases, the
이러한 불소층은 내후성, 내자외선성, 내화학약품 안정선, 수분차단성, 전기절연성 및 밀착성이 높아 태양전지모듈을 외부 충격, 부식 및 불순물 침투로부터 보호한다.The fluorine layer protects the solar cell module from external shock, corrosion and impurity penetration due to its high weather resistance, UV resistance, chemical stability, moisture barrier, electrical insulation and adhesion.
또한 상기 불소층(230)은 상기 PET층(220)의 상부 및 하부에 각각 배치될 수도 있다, In addition, the
즉 도 4(a)에 도시된 바와 같이 상기 백시트(200)는 접착층(210), 제1불소층(230a), PET층(220) 및 제2불소층(230b)으로 이루어질 수도 있다.That is, as shown in FIG. 4A, the
이때 상기 PET층(220)의 두께는 상기 접착층(210), 상기 제1불소층(230a) 및 상기 제2불소층(230b)의 두께보다 두껍게 형성된다.In this case, the thickness of the
또한 경우에 따라 도 4(b)에 도시된 바와 같이 상기 PET층(220)과 불소층(230) 사이에 알루미늄층(250)을 삽입할 수도 있다. In some cases, as illustrated in FIG. 4B, an
이때 상기 PET층(220)은 상기 접착층(210), 상기 불소층(230) 및 상기 알루미늄층(250)의 두께보다 두껍게 형성된다. In this case, the
한편 상기 백시트(200)의 상부에는 상기 회로부(300)가 형성된다.Meanwhile, the
상기 회로부(300)는 상기 도전성 물질(120)과 전기적으로 연결되어 태양광반도체(100)에서 생성되는 전류를 외부로 인출한다. The
좀더 구체적으로 상기 회로부(300)는 배선층(310)과 절연층(320)으로 이루어진다More specifically, the
상기 배선층(310)은 전류가 흐르는 전도성 재질, 즉 구리, 금, 은, 백금, 팔라듐, 크롬 또는 이들의 합금으로 이루어진다.The
상기 절연층(320)은 전류가 통하지 않는 절연체이며, 솔더레지스트 잉크 또는 커버레이 필름으로 이루어진다.The insulating
상기 절연층(320)은 상기 배선층(310)의 상부에 적층되어 상기 태양광반도체(100)와 전기적 연결이 필요한 상기 절연층(320)의 일부를 제외하고 상기 배선층(310)을 덮는다.
The insulating
위 구성으로 이루어진 본 발명의 실시예에 따른 태양전지모듈의 제조방법을 설명한다.It describes a method of manufacturing a solar cell module according to an embodiment of the present invention made of the above configuration.
도 5에 도시된 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 태양전지모듈의 제조방법은 준비단계(S10), 재단단계(S20), 회로형성단계(S30), 솔더레지스트단계(S40) 및 실장단계(S50)를 포함하여 이루어진다.As shown in FIG. 5, the manufacturing method of the solar cell module according to the exemplary embodiment of the present invention includes a preparation step (S10), a cutting step (S20), a circuit forming step (S30), a solder resist step (S40), and a mounting step ( S50) is made.
상기 준비단계(S10)는 상기 태양광반도체(100)에 상기 관통홀(110)을 형성하고, 상기 관통홀(110)에 상기 도전성 물질(120)을 충전하는 단계이다.The preparation step (S10) is a step of forming the through
상기 재단단계(S20)는 상기 백시트(200)의 상부에 배선층(310)을 적층하는 단계이다.The cutting step (S20) is a step of stacking the
이러한 재단단계(S20)는 라미네이팅 방식으로 이루어진다.This cutting step (S20) is made of a laminating method.
상기 라미네이팅방식은 도 7에 도시된 바와 같이 상기 백시트(200)의 상부에 접착수지를 도포하는 단계(S21)와, 상기 백시트(200)의 상부에 도포된 접착수지를 가열하여 용융시키는 단계(S22)와, 용융된 접착수지의 상부에 배선층(310)을 적층한 후 롤러로 라미네이팅하는 단계(S23)로 이루어진다.In the laminating method, as shown in FIG. 7, a step of applying an adhesive resin to the upper portion of the back sheet 200 (S21) and heating and melting the adhesive resin applied to the upper portion of the
물론 경우에 따라 상기 재단단계(S20)는 도 8에 도시된 바와 같이 증착방식으로 이루어질 수도 있다.Of course, in some cases, the cutting step (S20) may be made by a deposition method as shown in FIG.
도 8에 도시된 바와 같이 상기 증착방식은 예열단계(S26), 냉각단계(S27), 스퍼터링단계(S28)로 이루어진다.As illustrated in FIG. 8, the deposition method includes a preheating step S26, a cooling step S27, and a sputtering step S28.
한편 상기 회로형성단계(S30)는 상기 배선층(310)을 설계된 패턴으로 에칭하여 가공하는 단계이다.On the other hand, the circuit forming step (S30) is a step of etching by processing the
상기 회로형성단계(S30)는 스크린방식으로 이루어진다.The circuit forming step (S30) is made of a screen method.
상기 스크린방식은 스크린을 이용하여 상기 배선층(310)에 에칭 레지스트를 선택적으로 인쇄하고, 상기 배선층(310)에 에칭 레지스트가 인쇄되지 않은 부위를 에칭한 후, 남아있는 에칭 레지스트를 박리하여 회로를 형성한다.In the screen method, an etching resist is selectively printed on the
물론 경우에 따른 상기 회로형성단계(S30)는 포토방식으로 이루어질 수도 있다.Of course, the circuit forming step S30 may be performed by a photo method.
상기 포토방식은 상기 배선층(310)에 Dry Film을 밀착시키고, Art Work film을 대고 선택적으로 토광한 후 Dry film의 노광되지 않은 부분을 형성한다.The photo method closely adheres the dry film to the
이 후 상기 배선층(310)에 형성된 부분을 에칭하고, 남아 있는 에칭 레지스트를 박리하여 회로를 형성한다.Thereafter, the portion formed in the
상기 솔더레지스트단계(S40)는 상기 회로형성단계(S30)가 완료된 후 설계된 패턴으로 에칭된 상기 배선층(310)의 상부에 절연층(320)을 적층하여 상기 회로부(300)를 완성하는 단계이다.The solder resist step S40 is a step of completing the
상기 솔더레지스트단계(S40)는 스크린방식으로 이루어진다. The solder resist step (S40) is made of a screen method.
스크린방식은 스크린을 이용하여 솔더레지스트를 상기 배선층(310)의 상부에 선택적으로 인쇄하여 상기 배선층(310)의 상부에 상기 절연층(320)을 형성한다.In the screen method, a solder resist is selectively printed on the
물론 경우에 따라 상기 솔더레지스트단계(S40)는 포토방식으로 이루어질 수도 있다.Of course, in some cases, the solder resist step (S40) may be made by a photo method.
포토방식은 상기 배선층(310)의 상부에 솔더레지스트를 전면 인쇄하고, 그 위에 Art Work Film을 대고 선택적으로 노광한다. The photo method completely prints a solder resist on the
그리고 노광되지 않은 솔더레지스트 잉크를 현상하여 상기 절연층(320)을 형성한다.The unexposed solder resist ink is developed to form the insulating
이 후 상기 실장단계(S50)에서는 상기 회로부(300)의 상부에 상기 태양광반도체(100)를 배치하여 상기 회로부(300)와 상기 도전성 물질(120)을 전기적으로 연결한다.Thereafter, in the mounting step S50, the
구체적으로 상기 실장단계(S50)는 도 6에 도시된 바와 같이 도포단계(S51), 정렬단계(S52), 경화단계(S53)로 이루어진다.Specifically, the mounting step (S50) is composed of a coating step (S51), an alignment step (S52), a curing step (S53) as shown in FIG.
상기 도포단계(S51)에서는 상기 회로부(300)에 전도성 접착제를 디스펜싱 한다.In the coating step (S51), the conductive adhesive is dispensed on the
즉 상기 절연층(320)으로 덮이지 않은 상기 배선층(310)의 상부에 상기 전도성 접착제를 소량 도포한다.That is, a small amount of the conductive adhesive is applied to the upper portion of the
그리고 상기 정렬단계(S52)에서 상기 전도성 접착제가 도포된 상기 회로부(300)의 상부에 상기 관통홀(110)이 상기 전도성 접착제의 도포지점과 일치하도록 상기 태양광반도체(100)를 배열한다.In addition, in the alignment step S52, the
이 후 상기 경화단계(S53)에서는 상기 전도성 접착제를 경화시켜 상기 태양광반도체(100)를 상기 백시트(200)에 고정하면서 상기 도전성 물질(120)과 상기 회로부(300)의 상기 배선층(310)을 전기적으로 연결한다.Thereafter, in the curing step (S53), the conductive adhesive is cured to fix the
경우에 따라 상기 실장단계(S50)는 전도성 접착제 대신 솔더크림을 사용할 수도 있다.In some cases, the mounting step (S50) may use a solder cream instead of a conductive adhesive.
솔더크림을 사용하는 상기 실장단계(S50)는 도포단계, 정렬단계, 리플로우단계를 포함하여 이루어진다.The mounting step (S50) using the solder cream is made including a coating step, an alignment step, a reflow step.
상기 도포단계에서는 상기 회로부(300)의 상부에 솔더크림을 도포한다.In the coating step, the solder cream is applied to the upper portion of the
그리고 상기 정렬단계에서는 솔더크림이 도포된 상기 회로부(300)의 상부에 상기 관통홀(110)이 솔더크림의 도포지점과 일치하도록 상기 태양광반도체(100)를 배열한다.In the alignment step, the
이 후 상기 리플로우단계에서는 솔더크림에 열을 가한 후 응고시켜 상기 태양광반도체(100)를 상기 백시트(200)에 고정하면서 상기 도전성 물질(120)과 상기 회로부(300)를 전기적으로 연결한다. Thereafter, in the reflow step, the solder cream is heated and solidified to electrically connect the
한편 경우에 따라 도 9에 도시된 바와 같이 태양전지모듈용 기판의 상기 배선층(310)은 도금방식으로 형성할 수도 있다.In some cases, as illustrated in FIG. 9, the
이러한 경우에는 도 9에 도시된 바와 같이 상기 인쇄단계(S120)에서 상기 백시트(200)의 상부에 설계된 패턴으로 시드회로를 인쇄한다.In this case, as illustrated in FIG. 9, the seed circuit is printed in a pattern designed on the
그리고 상기 도금단계(S130)에서 상기 시드회로를 전해 또는 무전해로 동도금하여 배선층(310)을 형성한다.In the plating step S130, the seed circuit is copper plated electrolytically or electrolessly to form a
본 발명인 태양전지모듈용 기판과 그 제조방법 및 이를 이용한 태양전지모듈은 전술한 실시예에 국한하지 않고, 본 발명의 기술사상이 허용되는 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다. The solar cell module substrate of the present invention, a method for manufacturing the same, and a solar cell module using the same are not limited to the above-described embodiments, and may be variously modified within a range that allows the technical idea of the present invention.
100 : 태양광반도체, 110 : 관통홀, 120 : 도전성 물질, 200 : 백시트, 210 : 접착층, 220 : PET층, 230 : 불소층, 240 : 규소층, 250 : 알루미늄층, 300 : 회로부, 310 : 배선층, 320 : 절연층, 410 : 베이스프레임, 420 : 실링제, 430 : 보호커버, S10 : 준비단계, S20 : 재단단계, S30 : 회로형성단계, S40 : 솔더레지스트단계, S50 : 실장단계,100: solar semiconductor, 110: through hole, 120: conductive material, 200: back sheet, 210: adhesive layer, 220: PET layer, 230: fluorine layer, 240: silicon layer, 250: aluminum layer, 300: circuit part, 310 : Wiring layer, 320: insulating layer, 410: base frame, 420: sealing agent, 430: protective cover, S10: preparation step, S20: cutting step, S30: circuit forming step, S40: solder resist step, S50: mounting step,
Claims (8)
상기 태양광반도체의 하부에 배치되는 백시트와;
상기 백시트의 상부에 형성되며, 상기 태양광반도체의 양극 및 음극과 전기적으로 연결되어 상기 태양광반도체에 생성된 전류를 외부로 인출하기 위한 회로부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지모듈용 기판.In the solar cell module substrate mounted with a light receiving unit, and a solar semiconductor formed with an anode and a cathode opposite to the light receiving unit,
A back sheet disposed below the solar semiconductor;
The solar cell module substrate is formed on an upper portion of the backsheet, and electrically connected to the anode and the cathode of the solar semiconductor, and includes a circuit unit for drawing current generated in the solar semiconductor to the outside. .
상기 백시트는,
PET(Polyester) 재질로 이루어진 PET층과;
상기 PET층의 일면 또는 타면에 적층되며, PVF(Poly vinyl fluoride) 또는 PVdf(Polyvinylidene Fluoride) 또는 EFTE(Ethylene Tetrafluoroethylene) 또는 Si0₂재질로 이루어진 불소층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지모듈용 기판.The method of claim 1,
The back sheet,
A PET layer made of PET (Polyester) material;
Is laminated on one side or the other side of the PET layer, PVF (Poly vinyl fluoride) or PVdf (Polyvinylidene Fluoride) PVF (Ethylene Tetrafluoroethylene) or a substrate for a solar cell module comprising a fluorine layer made of Si0₂ material.
상기 백시트는 상기 PET층과 상기 불소층 사이에 배치되며, 알루미늄으로 이루어진 알루미늄층을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지모듈용 기판.The method of claim 2,
The back sheet is disposed between the PET layer and the fluorine layer, the solar cell module substrate, characterized in that further comprises an aluminum layer made of aluminum.
상기 PET층의 두께는 상기 불소층 및 상기 알루미늄층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 태양전지모듈용 기판.The method according to claim 2 or 3,
The thickness of the PET layer is a solar cell module substrate, characterized in that thicker than the thickness of the fluorine layer and the aluminum layer.
상기 회로부는,
구리, 금, 은, 백금, 팔라듐, 크롬 또는 이들의 합금으로 이루어진 배선층과;
상기 배선층을 덮는 절연층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지모듈용 기판.The method according to any one of claims 1 to 3,
The circuit portion,
A wiring layer made of copper, gold, silver, platinum, palladium, chromium or an alloy thereof;
A solar cell module substrate comprising an insulating layer covering the wiring layer.
상기 백시트의 상부에 라미네이팅방식 또는 증착방식 중 어느 한 방식으로 배선층을 형성하는 재단단계와;
상기 배선층을 설계된 패턴에 따라 스크린방식 또는 포토방식 중 어느 한 방식으로 에칭하는 회로형성단계와;
에칭된 상기 배선층의 상부에 스크린방식 또는 포토방식 중 어느 한 방식으로 절연층을 형성하여 회로부를 완성하는 솔더레지스트단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지모듈용 기판의 제조방법A solar cell module substrate on which a light receiving unit and a solar semiconductor having a positive electrode and a negative electrode are formed on opposite sides of the light receiving unit are mounted. In the method of manufacturing a substrate for a solar cell module comprising a circuit portion electrically connected to the anode and cathode of the solar semiconductor to draw the current generated in the solar semiconductor to the outside,
A cutting step of forming a wiring layer on the upper part of the back sheet by any one of a laminating method and a deposition method;
A circuit forming step of etching the wiring layer in any one of a screen method and a photo method according to a designed pattern;
A method of manufacturing a substrate for a solar cell module comprising a solder resist step of forming a circuit layer by forming an insulating layer on the etched wiring layer by any one of a screen method and a photo method.
상기 백시트의 상부에 설계된 패턴으로 시드회로를 인쇄하는 인쇄단계와;
상기 시드회로에 전해 또는 무전해 동도금을 하는 도금단계와;
도금된 상기 시드회로의 상부에 절연층을 형성하여 회로부를 완성하는 솔더레지스트단계와를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지모듈용 기판의 제조방법.A solar cell module substrate on which a light receiving unit and a solar semiconductor having a positive electrode and a negative electrode are formed on opposite sides of the light receiving unit are mounted. In the method of manufacturing a substrate for a solar cell module comprising a circuit portion electrically connected to the anode and cathode of the solar semiconductor to draw the current generated in the solar semiconductor to the outside,
A printing step of printing a seed circuit in a pattern designed on the back sheet;
A plating step of electrolytic or electroless copper plating on the seed circuit;
And a solder resist step of completing a circuit part by forming an insulating layer on the plated seed circuit.
상기 태양광반도체의 하부에 배치되는 백시트와;
상기 백시트의 상부에 형성되며, 상기 태양광반도체의 양극 및 음극과 전기적으로 연결되어 상기 태양광반도체에 생성된 전류를 외부로 인출하기 위한 회로부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지모듈.
A photovoltaic semiconductor having a light receiving portion and an anode and a cathode formed on opposite sides of the light receiving portion;
A back sheet disposed below the solar semiconductor;
Is formed on top of the back sheet, the solar cell module, characterized in that it comprises a circuit for electrically connected to the anode and the cathode of the solar semiconductor to draw the current generated in the solar semiconductor to the outside.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012111876A1 (en) | 2011-12-07 | 2013-06-13 | Industry-Academy Cooperation Corps Of Sunchon National University | Oxynitride-based phosphor and light-emitting device with the same |
KR101353533B1 (en) * | 2011-12-26 | 2014-01-23 | 주식회사수성기술 | Manufacture of SOLAR CELL MODULE |
US10174245B2 (en) | 2013-05-16 | 2019-01-08 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Method for producing a luminescent material, luminescent material and optoelectronic component |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5111063B2 (en) | 2007-11-12 | 2012-12-26 | シャープ株式会社 | Photoelectric conversion element and manufacturing method thereof |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE102012111876A1 (en) | 2011-12-07 | 2013-06-13 | Industry-Academy Cooperation Corps Of Sunchon National University | Oxynitride-based phosphor and light-emitting device with the same |
KR101353533B1 (en) * | 2011-12-26 | 2014-01-23 | 주식회사수성기술 | Manufacture of SOLAR CELL MODULE |
US10174245B2 (en) | 2013-05-16 | 2019-01-08 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Method for producing a luminescent material, luminescent material and optoelectronic component |
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