KR20110129542A - Micro controller unit reduced power consumption, method for controlling the same and record media recorded program realizing the same - Google Patents

Micro controller unit reduced power consumption, method for controlling the same and record media recorded program realizing the same Download PDF

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KR20110129542A
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Abstract

PURPOSE: A micro controller unit for reducing power consumption, control method thereof, and recording medium are provided to minimize power consumption in a low power mode by blocking power supply in the low power mode. CONSTITUTION: A high power module(1100) blocks power in a low power mode and receives the power in a high power mode. A low power module(1200) receives the power in the low power mode and blocks the power in the high power mode. The low power module includes a sleep mode controller(1230) and a storage unit(1250) which stores the work environment information of the high power mode. The sleep mode controller receives a command which changes the high power mode into the low power mode.

Description

소비 전력이 감소된 마이크로 콘트롤러 유닛, 그의 제어 방법 및 이를 구현하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체{MICRO CONTROLLER UNIT REDUCED POWER CONSUMPTION, METHOD FOR CONTROLLING THE SAME AND RECORD MEDIA RECORDED PROGRAM REALIZING THE SAME}MICRO CONTROLLER UNIT REDUCED POWER CONSUMPTION, METHOD FOR CONTROLLING THE SAME AND RECORD MEDIA RECORDED PROGRAM REALIZING THE SAME}

본 발명은 소비 전력이 감소된 마이크로 콘트롤러 유닛(micro controller unit), 그의 제어 방법 및 이를 구현하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체에 관한 것이다.
The present invention relates to a micro controller unit with reduced power consumption, a control method thereof, and a recording medium having recorded thereon a program for implementing the same.

마이크로 콘트롤러 유닛은 하나의 칩(chip)안에 연산을 수행하는 코어(core) 외에 프로세서 회로에 필수적인 저장매체(램(RAM : Random Access Memory), 플레시 메모리(FRASH MEMORY)), 입/출력(I/O) 제어회로 등을 하나의 칩에 모두 내장하여 전체 회로를 간단하게 구성한 것으로 임베디드 콘트롤러(Embbeded Controller)라고도 한다. 마이크로 콘트롤러 유닛은 하나의 IC(Integrated Circuit) 만으로 완전한 컴퓨터로서의 기능을 갖추고 있어 단일칩(single-chip) 또는 원 칩(one-chip) 마이크로 컴퓨터라고도 불리우고 있다.In addition to the cores that perform operations in one chip, the microcontroller unit includes storage media (RAM: random access memory), flash memory, and input / output (I / I). O) It is a simple configuration of the whole circuit by embedding all control circuits in one chip. It is also called an embedded controller. The microcontroller unit is also called a single-chip or one-chip microcomputer because it is a complete computer with only one integrated circuit.

이러한 마이크로 콘트롤러 유닛은 전자제품 예를 들어, PDA(Personal Digital Assistant), PPC(Palm Sized PC), HPC(Hand Held PC), 랩탑(Lap Top) 컴퓨터 및 노트북 등에 내장되어 전자제품의 전체 동작을 제어함과 동시에, 사용자에 의해 입력된 명령을 처리하고 그 명령에 따라 전자제품의 동작을 제어하는 역할을 수행한다.These microcontroller units are embedded in electronic products such as personal digital assistants (PDAs), palm sized PCs (PPCs), hand held PCs (HPCs), laptop (Lap Top) computers, and notebooks to control the overall operation of the electronics. At the same time, it processes a command input by the user and controls the operation of the electronic product according to the command.

최근, 이러한 전자제품에서 소비되는 전력을 줄이기 위해, 사용자에 의한 사용 중에는 전자제품이 고전력 모드("awake-mode"라고도 함)에서 동작하도록 하고, 사용자에 의한 사용 중이 아닌 경우에는 전자제품이 저전력 모드("sleep-mode"라고도 함)에서 동작하도록 한다.Recently, in order to reduce the power consumed by these electronic products, the electronics are operated in a high power mode (also called "awake-mode") during the use by the user, and the electronics are in the low power mode when not in use by the user. (also known as "sleep-mode").

종래에는 위와 같은 모드 전환시 마이크로 콘트롤러 유닛에서 소비되는 전력을 감소시키기 위한 방안으로, 마이크로 콘트롤러 유닛에 포함된 코어에 공급되는 전원을 차단하거나, 시스템 클럭을 제어하여 마이크로 콘트롤러 유닛의 동작 속도를 줄이는 방법이 사용되었다.Conventionally, a method for reducing the power consumed by the microcontroller unit when switching modes as described above, a method of reducing the operating speed of the microcontroller unit by cutting off the power supplied to the core included in the microcontroller unit or controlling the system clock. This was used.

마이크로 콘트롤러 유닛에서 소모되는 전력 중 대부분은 마이크로 콘트롤러에 동작 전원을 공급하는 전원 공급부, 코어 및 저장매체가 소모한다.Most of the power consumed by the microcontroller unit is consumed by power supplies, cores and storage media that supply operating power to the microcontroller.

따라서, 종래의 방법에 의한다 하여도 저전력 모드에서 마이크로 콘트롤러 유닛이 소비하는 전력 예를 들어, 전원 공급부 및 저장매체가 소비하는 전력이 상당하다는 문제점이 있었다.
Therefore, even in the conventional method, there is a problem that the power consumed by the microcontroller unit in the low power mode, for example, the power consumed by the power supply unit and the storage medium is considerable.

이에 본 발명은 저전력 모드에서 전원 공급부, 코어 및 저장매체에 전원의 공급을 차단하는 것에 의해 마이크로 콘트롤러 유닛이 소비하는 전력을 최소화 할 수 있는 마이크로 콘트롤러 유닛, 그의 제어 방법 및 이를 구현하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention relates to a microcontroller unit capable of minimizing the power consumed by the microcontroller unit by shutting off the power supply to the power supply unit, the core and the storage medium in the low power mode, a control method thereof, and a program for implementing the same. The purpose is to provide a recording medium.

또한, 본 발명은 위와 같이 저전력 모드에서 전원 공급부, 코어 및 저장매체에 전원의 공급을 차단하는 경우에도, 작업성이 유지될 수 있는 마이크로 콘트롤러 유닛, 그의 제어 방법 및 이를 구현하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체를 제공하는데 그 목적이 있다.
In addition, the present invention is a micro-controller unit, a control method thereof and a program for implementing the same are recorded in which workability can be maintained even when the supply of power to the power supply unit, the core and the storage medium in the low power mode as described above is recorded. The purpose is to provide a recording medium.

본 발명의 다른 목적들은 이하의 실시예에 대한 설명을 통해 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
Other objects of the present invention will be readily understood through the following description of the embodiments.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 측면에 의하면 마이크로 콘트롤러 유닛이 개시된다.According to an aspect of the present invention to achieve the object as described above is disclosed a microcontroller unit.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 마이크로 콘트롤러 유닛(micro controller unit)에 있어서, 고전력 모드(mode)에서 전원을 공급 받아 동작하고, 저전력 모드에서는 전원 공급이 차단되는 고전력 모듈; 및 저전력 모드에서 전원을 공급 받아 동작하고, 고전력 모드에서는 전원 공급이 차단되며, 고전력 모드에서의 작업 환경 정보를 저장할 수 있는 저장부를 구비한 저전력 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 콘트롤러 유닛이 제공된다.According to a preferred embodiment of the present invention, a micro controller unit, comprising: a high power module that operates by being supplied with power in a high power mode, and which is cut off in a low power mode; And a low power module that operates by being supplied with power in a low power mode, is cut off in a high power mode, and has a low power module having a storage unit capable of storing work environment information in a high power mode. .

여기서, 상기 저전력 모듈은 고전력 모드와 저전력 모드 간의 전환을 제어하는 슬립 모드 콘트롤러(sleep mode controller)를 더 포함할 수 있다.Here, the low power module may further include a sleep mode controller for controlling the switching between the high power mode and the low power mode.

그리고, 상기 슬립 모드 콘트롤러는 고전력 모드에서 미리 설정된 시간 동안 외부 입력이 없는 것에 대응하여 고전력 모드에서 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하고, 상기 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 것에 대응하여 고전력 모드에서의 작업 환경 정보를 상기 고전력 모듈로부터 전달 받아 저장하고, 상기 고전력 모듈에 공급되는 전원을 차단하는 것에 의해 고전력 모드로부터 저전력 모드로의 전환을 제어할 수 있다.The sleep mode controller may receive a command to switch from the high power mode to the low power mode in response to the absence of an external input for a predetermined time in the high power mode, and to receive the command to switch to the low power mode. The switching from the high power mode to the low power mode can be controlled by receiving and storing the work environment information in the mode from the high power module and cutting off the power supplied to the high power module.

또한, 상기 슬립 모드 콘트롤러는 저전력 모드에서 외부 입력이 발생한 것에 대응하여 저전력 모드로부터 고전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하고, 상기 고전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 것에 대응하여 상기 저전력 모드로의 전환시 저장한 작업 환경 정보를 상기 고전력 모듈이 상기 고전력 모듈 내에 저장하도록 하고, 상기 고전력 모듈이 상기 작업 환경 정보를 저장하는 것에 대응하여 상기 저전력 모듈에 공급되는 전원이 차단되도록 하는 것에 의해 저전력 모드에서 고전력 모드로의 전환을 제어할 수 있다.The sleep mode controller may also receive a command to switch from a low power mode to a high power mode in response to an external input occurring in the low power mode, and enter the low power mode in response to receiving a command to switch to the high power mode. In the low power mode by causing the high power module to store the stored work environment information in the high power module and switching off the power supplied to the low power module in response to the high power module storing the work environment information. The switch to high power mode can be controlled.

또한, 상기 저장부는 적어도 하나의 리텐션 셀(retention cell)로 형성될 수 있다.In addition, the storage unit may be formed of at least one retention cell.

또한, 상기 저장부는 상기 고전력 모듈 내의 저장 매체 중 어느 하나보다 작은 용량을 가질 수 있다.In addition, the storage unit may have a smaller capacity than any one of the storage media in the high power module.

또한, 상기 마이크로 콘트롤러 유닛은 상기 고전력 모듈에 전원이 공급되는 경로에 설치된 제 1 스위치; 상기 제 1 스위치의 출력단이 연결되어 고전력 모드에서는 하이 레벨(high level) 신호를 출력하여 상기 제 1 스위치를 온(on)시키고 저전력 모드에서는 로우 레벨(low level) 신호를 출력하여 상기 제 1 스위치를 오프(off)시키는 구조로 설치된 OR 게이트(gate); 하나의 입력단은 하이 레벨 신호를 수신하고, 다른 하나의 입력단은 고전력 모드에서는 하이 레벨 신호를 수신하고 저전력 모드에서는 로우 레벨 신호를 수신하며 출력단은 상기 OR 게이트의 입력단 및 상기 슬립 모드 콘트롤러에 연결된 제 1 AND 게이트; 상기 저전력 모듈에 전원이 공급되는 경로에 설치되고, 저전력 모드에서는 외부로부터 하이 레벨의 인에이블(enable) 신호를 인가 받아 온되고, 고전력 모드에서는 상기 하이 레벨의 인에이블 신호가 제거되는 것에 의해 오프되도록 설치된 제 2 스위치; 및 하나의 입력단은 저전력 모드에서 상기 하이 레벨의 인에이블 신호를 입력 받고, 다른 하나의 입력단은 상기 슬립 모드 콘트롤러와 연결되어 고전력 모드 및 저전력 모드에서 로우 레벨의 신호를 입력 받고, 출력단은 상기 OR 게이트의 입력단과 연결된 제 2 AND 게이트를 더 포함할 수 있다.The microcontroller unit may include a first switch installed in a path through which power is supplied to the high power module; The output terminal of the first switch is connected to output a high level signal in a high power mode to turn on the first switch and to output a low level signal in a low power mode to turn the first switch on. An OR gate provided in a structure for turning off; One input terminal receives a high level signal, the other input terminal receives a high level signal in a high power mode and a low level signal in a low power mode, and an output terminal is connected to an input terminal of the OR gate and a sleep mode controller. AND gate; The low power module is installed in a path through which power is supplied. In a low power mode, a high level enable signal is applied from an external source. In a high power mode, the high power enable signal is turned off. A second switch installed; And an input terminal receives the high level enable signal in a low power mode, and another input terminal is connected to the sleep mode controller to receive a low level signal in a high power mode and a low power mode, and an output terminal of the OR gate. It may further include a second AND gate connected to the input terminal of.

또한, 상기 슬립 모드 콘트롤러는 고전력 모드에서 저전력 모드로의 전환시, 상기 제 2스위치가 온 되는 것에 의해 전원을 공급 받고, 상기 제 2 AND 게이트에 하이 레벨의 신호를 출력하는 것에 의해 상기 제 2 AND 게이트가 하이 레벨 신호를 출력하도록 하고, 외부로 소정의 신호를 출력하여 상기 제 1 AND 게이트가 출력을 하이 레벨 신호에서 로우 레벨 신호로 변경하도록 하고, 상기 제 1 AND 게이트가 출력을 하이 레벨 신호에서 로우 레벨 신호로 변경하는 것에 대응하여 상기 고전력 모드로 소정의 신호를 출력하여 상기 고전력 모듈이 작업 환경 정보를 상기 저전력 모듈에 저장하도록 하며, 상기 저전력 모듈에의 저장이 완료되는 것에 대응하여 상기 제 2 AND 게이트에 로우 레벨의 신호를 출력하는 것에 의해 상기 제 1 스위치가 오프되도록 제어할 수 있다.In addition, the sleep mode controller is supplied with power by turning on the second switch when switching from a high power mode to a low power mode, and outputting a high level signal to the second AND gate. Cause the gate to output a high level signal, output a predetermined signal externally such that the first AND gate changes the output from a high level signal to a low level signal, and the first AND gate changes the output at a high level signal. Outputting a predetermined signal in the high power mode in response to changing to a low level signal to cause the high power module to store work environment information in the low power module, and in response to completion of the storage in the low power module; The first switch can be controlled to be turned off by outputting a low level signal to an AND gate. .

또한, 상기 슬립 모드 콘트롤러는 저전력 모드에서 고전력 모드로의 전환시, 상기 제 1 AND 게이트가 출력을 로우 레벨 신호에서 하이 레벨 신호로 변경하는 것에 대응하여 고전력 모듈에 소정의 신호를 출력하여 상기 고전력 모듈이 상기 저전력 모듈에 저장된 작업 환경 정보를 고전력 모듈에 저장하도록 하며, 상기 고전력 모듈에의 저장이 완료되는 것에 대응하여 상기 저전력 모듈에 공급되는 전원을 차단하도록 제어할 수 있다.The sleep mode controller may output a predetermined signal to a high power module in response to the first AND gate changing an output from a low level signal to a high level signal when switching from a low power mode to a high power mode. The work environment information stored in the low power module may be stored in the high power module, and in response to the storage of the high power module being completed, the power supply to the low power module may be cut off.

또한, 상기 고전력 모듈과 상기 저전력 모듈은 물리적으로 분리된 별개의 모듈로 형성될 수 있다.
In addition, the high power module and the low power module may be formed as separate modules that are physically separated.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 마이크로 콘트롤러 유닛의 제어 방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, a control method of a microcontroller unit is provided.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 고전력 모드에서 동작하는 고전력 모듈과 저전력 모드에서 동작하는 저전력 모듈을 포함하는 마이크로 콘트롤러 유닛의 제어 방법에 있어서, 고전력 모드로부터 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 단계; 상기 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 것에 대응하여, 상기 고전력 모듈로 소정의 신호를 출력하여 상기 고전력 모듈이 작업 환경 정보를 저전력 모듈에 저장하도록 하는 단계; 및 상기 작업 환경 정보가 저전력 모듈에 저장되는 것에 대응하여, 상기 고전력 모듈에 공급되는 전원을 차단하도록 하는 신호를 출력하는 것에 의해 저전력 모드로 전환되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 콘트롤러 유닛의 제어 방법이 제공된다.According to a preferred embodiment of the present invention, in a control method of a microcontroller unit including a high power module operating in a high power mode and a low power module operating in a low power mode, receiving a command to switch from the high power mode to the low power mode step; In response to receiving a command to switch to the low power mode, outputting a predetermined signal to the high power module such that the high power module stores work environment information in the low power module; And in response to the work environment information being stored in the low power module, switching to the low power mode by outputting a signal to cut off the power supplied to the high power module. A control method is provided.

여기서, 상기 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 단계는, 고전력 모드로부터 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 단계; 상기 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령의 수신 전에 상기 고전력 모듈에 전원이 공급되도록 하는 신호와는 별개로, 상기 고전력 모듈에 전원이 공급되도록 하는 신호를 출력하는 단계; 및 상기 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령의 수신 전에 상기 고전력 모듈에 전원이 공급되도록 하는 신호를 제거하도록 하는 신호를 외부로 송출하는 단계를 포함할 수 있다.The receiving of the command to switch to the low power mode may include: receiving a command to switch from the high power mode to the low power mode; Outputting a signal for supplying power to the high power module separately from a signal for supplying power to the high power module before receiving a command to switch to the low power mode; And transmitting a signal to an external device to remove a signal for supplying power to the high power module before receiving a command to switch to the low power mode.

그리고, 상기 저전력 모드로 전환되도록 하는 단계는, 상기 저전력 모드로의 전환 명령 수신 전에 상기 고전력 모듈에 전원이 공급되도록 하는 신호와는 별개로 상기 고전력 모듈에 전원이 공급되도록 하는 신호를 제거하는 것에 의해 수행될 수 있다.The switching to the low power mode may be performed by removing a signal for supplying power to the high power module separately from a signal for supplying power to the high power module before receiving the switching command to the low power mode. Can be performed.

또한, 저전력 모드로부터 고전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 단계; 상기 고전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 것에 대응하여, 상기 고전력 모듈로 소정의 신호를 출력하여 상기 고전력 모듈이 상기 저전력 모듈에 저장된 작업 환경 정보를 고전력 모듈에 저장하도록 하는 단계; 및 상기 작업 환경 정보가 고전력 모듈에 저장되는 것에 대응하여, 상기 저전력 모듈에 공급되는 전원을 차단하도록 하는 신호를 출력하는 것에 의해 고전력 모드로 전환되도록 하는 단계를 더 포함할 수 있다.Also, receiving a command to switch from the low power mode to the high power mode; In response to receiving a command to switch to the high power mode, outputting a predetermined signal to the high power module to cause the high power module to store work environment information stored in the low power module in the high power module; And in response to the working environment information being stored in the high power module, switching to the high power mode by outputting a signal to cut off the power supplied to the low power module.

또한, 상기 고전력 모드로 전환하도록 하는 명령은 상기 고전력 모듈에 전원이 공급되도록 할 수 있다.In addition, the command to switch to the high power mode may cause power to be supplied to the high power module.

또한, 상기 고전력 모드로 전환되도록 하는 단계는, 상기 고전력 모듈로부터 상기 작업 환경 정보가 고전력 모듈에 저장이 된 것을 알리는 신호를 수신하는 단계; 및 상기 알리는 신호를 수신하는 것에 대응하여, 상기 저전력 모듈에 공급되는 전원을 차단하도록 하는 신호를 출력하는 단계를 포함할 수 있다.
The converting into the high power mode may include: receiving a signal indicating that the work environment information is stored in the high power module from the high power module; And in response to receiving the informing signal, outputting a signal to cut off power supplied to the low power module.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 마이크로 콘트롤러 유닛의 제어 방법을 구현하기 위한 프로그램을 기록한 기록매체가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a recording medium having recorded thereon a program for implementing a control method of a microcontroller unit.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 고전력 모드에서 동작하는 고전력 모듈과 저전력 모드에서 동작하는 저전력 모듈을 포함하는 마이크로 콘트롤러 유닛의 제어 방법을 구현하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체에 있어서, 고전력 모드로부터 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 단계; 상기 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 것에 대응하여, 상기 고전력 모듈로 소정의 신호를 출력하여 상기 고전력 모듈이 작업 환경 정보를 저전력 모듈에 저장하도록 하는 단계; 및 상기 작업 환경 정보가 저전력 모듈에 저장되는 것에 대응하여, 상기 고전력 모듈에 공급되는 전원을 차단하도록 하는 신호를 출력하는 것에 의해 저전력 모드로 전환되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 콘트롤러 유닛의 제어 방법을 구현하기 위한 프로그램을 기록한 기록매체가 제공된다.According to a preferred embodiment of the present invention, in a recording medium having a program recorded thereon for implementing a method of controlling a microcontroller unit including a high power module operating in a high power mode and a low power module operating in a low power mode, Receiving a command to switch to a low power mode; In response to receiving a command to switch to the low power mode, outputting a predetermined signal to the high power module such that the high power module stores work environment information in the low power module; And in response to the work environment information being stored in the low power module, switching to the low power mode by outputting a signal to cut off the power supplied to the high power module. A recording medium is provided which records a program for implementing the control method.

여기서, 상기 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 단계는, 고전력 모드로부터 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 단계; 상기 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령의 수신 전에 상기 고전력 모듈에 전원이 공급되도록 하는 신호와는 별개로, 상기 고전력 모듈에 전원이 공급되도록 하는 신호를 출력하는 단계; 및 상기 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령의 수신 전에 상기 고전력 모듈에 전원이 공급되도록 하는 신호를 제거하도록 하는 신호를 외부로 송출하는 단계를 포함할 수 있다.The receiving of the command to switch to the low power mode may include: receiving a command to switch from the high power mode to the low power mode; Outputting a signal for supplying power to the high power module separately from a signal for supplying power to the high power module before receiving a command to switch to the low power mode; And transmitting a signal to an external device to remove a signal for supplying power to the high power module before receiving a command to switch to the low power mode.

그리고, 상기 저전력 모드로 전환되도록 하는 단계는, 상기 저전력 모드로의 전환 명령 수신 전에 상기 고전력 모듈에 전원이 공급되도록 하는 신호와는 별개로 상기 고전력 모듈에 전원이 공급되도록 하는 신호를 제거하는 것에 의해 수행될 수 있다.The switching to the low power mode may be performed by removing a signal for supplying power to the high power module separately from a signal for supplying power to the high power module before receiving the switching command to the low power mode. Can be performed.

또한, 저전력 모드로부터 고전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 단계; 상기 고전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 것에 대응하여, 상기 고전력 모듈로 소정의 신호를 출력하여 상기 고전력 모듈이 상기 저전력 모듈에 저장된 작업 환경 정보를 고전력 모듈에 저장하도록 하는 단계; 및 상기 작업 환경 정보가 고전력 모듈에 저장되는 것에 대응하여, 상기 저전력 모듈에 공급되는 전원을 차단하도록 하는 신호를 출력하는 것에 의해 고전력 모드로 전환되도록 하는 단계를 더 포함할 수 있다.Also, receiving a command to switch from the low power mode to the high power mode; In response to receiving a command to switch to the high power mode, outputting a predetermined signal to the high power module to cause the high power module to store work environment information stored in the low power module in the high power module; And in response to the working environment information being stored in the high power module, switching to the high power mode by outputting a signal to cut off the power supplied to the low power module.

또한, 상기 고전력 모드로 전환하도록 하는 명령은 상기 고전력 모듈에 전원이 공급되도록 할 수 있다.In addition, the command to switch to the high power mode may cause power to be supplied to the high power module.

또한, 상기 고전력 모드로 전환되도록 하는 단계는, 상기 고전력 모듈로부터 상기 작업 환경 정보가 고전력 모듈에 저장이 된 것을 알리는 신호를 수신하는 단계; 및 상기 알리는 신호를 수신하는 것에 대응하여, 상기 저전력 모듈에 공급되는 전원을 차단하도록 하는 신호를 출력하는 단계를 포함할 수 있다.
The converting into the high power mode may include: receiving a signal indicating that the work environment information is stored in the high power module from the high power module; And in response to receiving the informing signal, outputting a signal to cut off power supplied to the low power module.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 마이크로 콘트롤러 유닛, 그의 제어 방법 및 이를 구현하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체에 의하면, 저전력 모드에서 전원 공급부, 코어 및 저장매체에 공급되는 전원을 차단하는 것에 의해 저전력 모드에서 소비되는 전력을 최소화할 수 있다는 장점이 있다.As described above, according to the recording medium in which the microcontroller unit according to the present invention, a control method thereof, and a program for implementing the same are recorded, the power is supplied to the power supply unit, the core, and the storage medium in a low power mode. The advantage is that the power dissipated in the low power mode can be minimized.

그리고, 본 발명에 의한 마이크로 콘트롤러 유닛, 그의 제어 방법 및 이를 구현하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체에 의하면, 고전력 모드로부터 저전력 모드로의 전환시 고전력 모드에서의 작업 환경 정보를 저전력 모듈(module)로 옮겨서 저장하고 저전력 모드에서 고전력 모드로의 전환시 저장된 작업 환경 정보를 고전력 모듈에 제공할 수 있다. 따라서, 저전력 모드에서 전원 공급부, 코어 및 저장매체에 공급되는 전원을 차단하여도, 고전력 모드에서의 작업 환경 정보가 손실되지 않는다는 장점이 있다.In addition, according to the recording medium in which the microcontroller unit according to the present invention, a control method thereof, and a program for implementing the same are recorded, the operation environment information in the high power mode when switching from the high power mode to the low power mode is converted into a low power module. The stored work environment information can be provided to the high power module when it is moved and saved and the switch from the low power mode to the high power mode. Therefore, even when the power supplied to the power supply unit, the core and the storage medium in the low power mode is cut off, there is an advantage that the working environment information is not lost in the high power mode.

또한, 본 발명에 의한 마이크로 콘트롤러 유닛, 그의 제어 방법 및 이를 구현하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체에 의하면, 저전력 모드에서 저전력 모드의 동작을 유지시키는 것에 의해 최소한의 전력 만으로 칩(chip)의 작업성을 유지시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, according to the recording medium in which the microcontroller unit according to the present invention, a control method thereof, and a program for implementing the same are recorded, workability of a chip with minimal power is maintained by maintaining operation in a low power mode in a low power mode. There is an advantage that can be maintained.

또한, 본 발명에 의한 마이크로 콘트롤러 유닛, 그의 제어 방법 및 이를 구현하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체에 의하면, 슬립 모드 콘트롤러(sleep mode controller), 두 개의 AND 게이트(gate), 하나의 OR 게이트 및 두 개의 스위치(switch), 용량이 매우 적은 저장부 만으로 외부 입력 유무에 따라 자동으로 고전력 모드와 저전력 모드 간의 전환을 제공할 수 있다는 장점이 있다.Further, according to the microcontroller unit according to the present invention, a control method thereof, and a recording medium on which a program for implementing the same is recorded, a sleep mode controller, two AND gates, one OR gate, and two With only three switches and very small storage, it can automatically switch between high and low power modes depending on the presence of external inputs.

또한, 본 발명에 의한 저전력 모듈은 고전력 모듈과는 물리적으로 별개인 독립된 하나의 모듈로 제작되고, 저전력 모듈을 전원측에 연결하고, 두 개의 AND 게이트(gate), 하나의 OR 게이트 및 두 개의 스위치(switch)를 사용하여 배선 만 하는 것으로 설치가 완료될 수 있다. 따라서, 저전력 모듈의 설치가 용이하다는 장점이 있다.
In addition, the low-power module according to the present invention is made of one module that is physically separate from the high-power module, and connects the low-power module to the power supply side, two AND gates, one OR gate and two switches ( Installation can be completed by simply wiring using a switch). Therefore, there is an advantage that the installation of the low power module is easy.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 마이크로 콘트롤러 유닛의 구조를 나타내는 기능 블록 다이어그램이다.
도 2는 도 1에서 슬립 모드 콘트롤러의 구조를 좀 더 구체적으로 나타내는 기능 블록 다이어그램이다.
도 3은 도 1의 마이크로 콘트롤러 유닛의 고전력 모드를 나타내는 기능 블록 다이어그램이다.
도 4는 도 1의 마이크로 콘트롤러 유닛의 저전력 모드를 나타내는 기능 블록 다이어그램이다.
도 5는 도 1의 마이크로 콘트롤러 유닛에서 슬립 모드 콘트롤러가 모드 전환을 수행하는 프로세스를 나타내는 플로우 차트이다.
도 6은 도 5의 S51을 좀 더 구체화 한 플로우 차트이다.
도 7a 내지 도 7e는 도 6의 각 단계에서 마이크로 콘트롤러 유닛에서 발생하는 신호의 흐름 및 그에 따른 마이크로 콘트롤러 유닛에서의 변화를 구체적으로 나타내는 기능 블록 다이어그램이다.
도 8은 도 5의 S52를 좀 더 구체화 한 플로우 차트이다.
도 9a 내지 도9e는 도 8의 각 단계에서 마이크로 콘트롤러 유닛에서 발생하는 신호의 흐름 및 그에 따른 마이크로 콘트롤러 유닛에서의 변화를 구체적으로 나타내는 기능 블록 다이어그램이다.
1 is a functional block diagram showing the structure of a microcontroller unit according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a functional block diagram illustrating the structure of the sleep mode controller in FIG. 1 in more detail.
3 is a functional block diagram illustrating a high power mode of the microcontroller unit of FIG. 1.
4 is a functional block diagram illustrating a low power mode of the microcontroller unit of FIG. 1.
FIG. 5 is a flowchart illustrating a process in which a sleep mode controller performs mode switching in the microcontroller unit of FIG. 1.
FIG. 6 is a flow chart more embodying S51 of FIG. 5.
7A to 7E are functional block diagrams specifically showing the flow of signals generated in the microcontroller unit at each step of FIG. 6 and the resulting changes in the microcontroller unit.
FIG. 8 is a flow chart more embodying S52 of FIG. 5.
9A to 9E are functional block diagrams specifically showing the signal flow generated in the microcontroller unit in each step of FIG. 8 and a change in the microcontroller unit accordingly.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.As the invention allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the written description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the following description of the present invention, if it is determined that the detailed description of the related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.

및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.And / or < / RTI > includes any combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.When a component is said to be "connected" or "connected" to another component, it may be directly connected to or connected to that other component, but it may be understood that another component may exist in between. Should be.

반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.On the other hand, when a component is said to be "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that there is no other component in between.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art.

일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art, and are not construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

- 마이크로 콘트롤러 유닛의 구조 및 기능에 대한 개관 -Overview of the structure and function of the microcontroller unit

이하, 첨부된 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 마이크로 프로세서 유닛의 구조 및 기능에 대하여 설명한다.Hereinafter, a structure and a function of a microprocessor unit according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 마이크로 콘트롤러 유닛의 구조를 나타내는 기능 블록 다이어그램이다. 도 2는 도 1에서 슬립 모드 콘트롤러의 구조를 좀 더 구체적으로 나타내는 기능 블록 다이어그램이다.
1 is a functional block diagram showing the structure of a microcontroller unit according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 2 is a functional block diagram illustrating the structure of the sleep mode controller in FIG. 1 in more detail.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)은 고전력 모듈(1100) 및 저전력 모듈(1200), 제 1 AND 게이트(1300), OR 게이트(1400), 제 2 AND 게이트 (1500), 제 1 스위치(sw1) 및 제 2 스위치(sw2)를 포함할 수 있다. 도 1에서, 설명의 편의 및 본 발명의 요지를 명확히 하기 위해 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)에 구비된 복수의 핀(pin)에서 전력 모드의 전환과 관련된 핀 즉, 전원(VDD)을 공급 받는 제 1 핀(P1), 테스트_인에이블 신호(TEST_EN)를 수신하는 제 2 핀(P2), GIPO(General Purpose I/O pin) 신호를 수신하는 제 3 핀(P2), 인에이블(enable) 신호를 수신하는 제 4 핀(P4), 슬립 모드 콘트롤러(1230)에서 모드 제어부(2000)로 신호를 전송하기 위한 제 5 핀(P5) 만을 도시한다.Referring to FIG. 1, the microcontroller unit 1000 according to the present invention includes a high power module 1100 and a low power module 1200, a first AND gate 1300, an OR gate 1400, and a second AND gate 1500. It may include a first switch sw1 and a second switch sw2. In FIG. 1, for convenience of description and the gist of the present invention, a plurality of pins included in the microcontroller unit 1000 are provided with a pin associated with switching of a power mode, that is, a first power source VDD. Pin P1, a second pin P2 that receives the test_enable signal TEST_EN, a third pin P2 that receives a General Purpose I / O pin (GIPO) signal, and an enable signal. Only the fourth pin P4 and the fifth pin P5 for transmitting a signal from the sleep mode controller 1230 to the mode controller 2000 are illustrated.

마이크로 콘트롤러 유닛(1000)은 모드 제어부(2000)와 연결되어, 모드 제어부(2000)의 제어 신호에 의해 고전력 모드와 저전력 모드 간의 전환이 가능하다.The microcontroller unit 1000 is connected to the mode control unit 2000, and can switch between the high power mode and the low power mode by a control signal of the mode control unit 2000.

먼저, 고전력 모듈(1100)은 고전력 모드에서 마이크로 콘트롤러 유닛(1000) 내에서 동작하는 부분으로, 메인(main) 전원 공급부(1110), 코어(1120), 플레시 메모리(1130) 및 램(1140)을 포함할 수 있다.First, the high power module 1100 is a part that operates in the microcontroller unit 1000 in the high power mode. The high power module 1100 controls the main power supply 1110, the core 1120, the flash memory 1130, and the RAM 1140. It may include.

메인 전원 공급부(1110)는 제 1 핀(P1)을 통해 전원(VDD)를 공급 받아 코어(1120), 플레시 메모리(1130) 및 램(1140)에 동작 전원을 안정적으로 공급할 수 있다. 메인 전원 공급부(1110)에서의 손실 전력을 최소화 하기 위해, 메인 전원 공급부(1110)는 LDO(Low Drop Regulator)로 형성될 수 있다. 메인 전원 공급부(1110)와 제 1 핀(P1) 사이에는 제 1 스위치(sw1)가 구비되어, 제 1 스위치(sw1)의 온(on) 또는 오프(off)에 따라 메인 전원 공급부(1110)와 제 1 핀(P1) 간이 도통 또는 차단될 수 있다.The main power supply 1110 may receive the power VDD through the first pin P1 to stably supply operating power to the core 1120, the flash memory 1130, and the RAM 1140. In order to minimize the loss power at the main power supply 1110, the main power supply 1110 may be formed as a low drop regulator (LDO). A first switch sw1 is provided between the main power supply 1110 and the first pin P1, and is connected to the main power supply 1110 according to on or off of the first switch sw1. The first pin P1 may be conductive or interrupted.

코어(1120)는 플레시 메모리(1130)에 저장된 프로그램을 사용하여 연산을 수행하며, 작업 환경 정보 예를 들어, 고전력 모드에서 처리 중이 데이터는 램(1140)에 저장될 수 있다. 도 1에는 두 개의 메모리가 도시되었으나, 마이크로 콘트롤러 유닛(1100)은 필요에 의해 롬(ROM : Read Only Memory), 이이피롬(EEPROM : Electrically Erasable PROM) 등을 포함할 수 있음은 물론이다. 고전력 모드에서의 코어(1120), 플레시 메모리(1130), 램(1140)의 동작은 주지된 사항이므로 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.The core 1120 performs an operation using a program stored in the flash memory 1130, and the work environment information, for example, data that is being processed in the high power mode may be stored in the RAM 1140. Although two memories are shown in FIG. 1, the microcontroller unit 1100 may include a read only memory (ROM) and an electrically erasable PROM (EEPROM) as necessary. Since operations of the core 1120, the flash memory 1130, and the RAM 1140 in the high power mode are well known, detailed description thereof will be omitted.

저전력 모듈(1200)은 저전력 모드에서 마이크로 콘트롤러 유닛(1000) 내에서 동작하는 부분으로, 서브(sub) 전원 공급부(1210), 파워 온 리셋부(1220, power on reset portion), 슬립 모드 콘트롤러(1230), 서브 클럭 공급부(1240, sub clock generator) 및 저장부(1250)를 포함할 수 있다. 저전력 모듈(1200)은 고전력 모듈(1100)보다 상대적으로 매우 적은 전력을 소모하도록 설계될 수 있다. 구체적으로, 저전력 모듈은 고전력 모듈(1100) 내의 어느 하나의 구성 예를 들어, 코어(1120), 플래시 메모리(1130) 또는 램(1140) 보다 더 적은 전력을 소모하도록 설계될 수 있다.The low power module 1200 is a part that operates in the microcontroller unit 1000 in the low power mode, and includes a sub power supply 1210, a power on reset portion 1220, and a sleep mode controller 1230. ), And a sub clock generator 1240 and a storage 1250. The low power module 1200 may be designed to consume relatively much less power than the high power module 1100. In detail, the low power module may be designed to consume less power than any one configuration of the high power module 1100, for example, the core 1120, the flash memory 1130, or the RAM 1140.

서브 전원 공급부(1210)는 제 1 핀(P1)을 통해 전원(VDD)을 공급 받아 파워 온 리셋부(1220), 슬립 모드 콘트롤러(1230), 서브 클럭 공급부(1240) 및 저장부(1250)에 동작 전원을 안정적으로 공급할 수 있다. 서브 전원 공급부(1210)에서의 손실 전력을 최소화하기 위해 서브 전원 공급부(1210)는 LDO로 형성될 수 있다. 서브 전원 공급부(1210)와 제 1 핀(P1) 사이에는 제 2 스위치(sw2)가 구비되어, 제 2 스위치(sw2)의 온(on) 또는 오프(off)에 따라 서브 전원 공급부(1210)와 제 1 핀(P1) 간이 도통 또는 차단될 수 있다.The sub power supply 1210 receives the power VDD through the first pin P1 and supplies the power on reset unit 1220, the sleep mode controller 1230, the sub clock supply unit 1240, and the storage unit 1250. The operating power can be supplied stably. In order to minimize the lost power in the sub power supply 1210, the sub power supply 1210 may be formed of an LDO. A second switch sw2 is provided between the sub power supply 1210 and the first pin P1, and the sub power supply 1210 is turned on or off according to the on / off of the second switch sw2. The first pin P1 may be conductive or interrupted.

파워 온 리셋부(1220)는 서브 전원 공급부(1210)가 전원 공급을 개시할 때 저전력 모듈(1210) 내부 전압이 모두 올라가기 전 일정한 전위를 감지하여 펄스(이하, "파워 온 리셋 신호")를 생성하여 슬립 모드 콘트롤러(1230)를 동작 가능한 상태로 초기화시킬 수 있다.The power-on reset unit 1220 detects a constant potential before the internal voltage of the low power module 1210 increases when the sub-power supply unit 1210 starts to supply power to generate a pulse (hereinafter, referred to as a “power on reset signal”). The sleep mode controller 1230 may be generated and initialized to an operable state.

슬립 모드 콘트롤러(1230)는 서브 클럭 공급부(1240)로부터 클럭을 공급 받아 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)의 고전력 모드와 저전력 모드 간의 전환을 제어할 수 있다. 도 2를 참조하면, 슬립 모드 콘트롤러(1230)는 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)을 고전력 모드에서 저전력 모드로 전환시키는 동작을 수행하는 저전력 전환부(1231) 및 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)을 저전력 모드에서 고전력 모드로 전환시키는 동작을 수행하는 고전력 전환부(1232)를 포함할 수 있다. 저전력 전환부(1231)는 제 1 AND 게이트(1300)의 출력이 하이 레벨(high level)에서 로우 레벨(low level)로 전환되는 경우에 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)을 고전력 모드에서 저전력 모드로 전환시킬 수 있다. 이와 달리, 고전력 전환부(1232)는 제 1 AND 게이트(1300)의 출력이 로우 레벨에서 하이 레벨로 전환되는 경우에는 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)을 저전력 모드에서 고전력 모드로 전환시킬 수 있다. 이에 관한 구체적인 사항은 후술한다.The sleep mode controller 1230 may receive a clock from the sub clock supply unit 1240 to control the switching between the high power mode and the low power mode of the microcontroller unit 1000. Referring to FIG. 2, the sleep mode controller 1230 may operate the low power switching unit 1231 and the micro controller unit 1000 in a high power mode in a low power mode to perform the operation of switching the micro controller unit 1000 from a high power mode to a low power mode. It may include a high power switching unit 1232 to perform the operation to switch to the mode. The low power switching unit 1231 may switch the microcontroller unit 1000 from a high power mode to a low power mode when the output of the first AND gate 1300 is changed from a high level to a low level. Can be. On the contrary, when the output of the first AND gate 1300 is switched from the low level to the high level, the high power switching unit 1232 may switch the microcontroller unit 1000 from the low power mode to the high power mode. Details thereof will be described later.

계속하여 도 1을 참조하면, 서브 클럭 공급부(1240)는 내부에 클럭 신호를 생성하는 유닛(예를 들어, 오실레이터(oscillator))를 포함하여, 저전력 모드에서 슬립 모드 콘트롤러(1230)에 클럭을 공급할 수 있다.1, the sub clock supply unit 1240 includes a unit (eg, an oscillator) that generates a clock signal therein to supply a clock to the sleep mode controller 1230 in a low power mode. Can be.

저장부(1250)는 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)이 고전력 모드에서 저전력 모드로 전환될 때, 램(1140)에 저장된 고전력 모드에서 처리 중이던 데이터와 같은 작업 환경 정보를 저장할 수 있다. 그리고, 저장부(1250)는 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)이 저전력 모드에서 고전력 모드로 전환될 때, 저장하고 있던 작업 환경 정보를 램(1140)에 전달해줄 수 있다. 후술하는 바와 같이, 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)이 고전력 모드에서 저전력 모드로 전환될 때, 램(1140)에 전원 공급이 차단된다. 주지된 바와 같이, 램(1140)은 휘발성 메모리(Volatile Memory)이어서, 램(1140)에 전원 공급이 차단되면, 램(1140)에 저장되어 있던 데이터는 모두 사라진다. 따라서, 고전력 모드에서 저전력 모드로의 전환시 저장부(1250)에 고전력 모드에서 처리 중이던 데이터를 옮겨놓는 것에 의해, 고전력 모드에서 처리 중이던 데이터의 손실을 막을 수 있다. 여기서, 저장부(1250)는 복수의 리텐션 셀(retention cell)로 형성될 수 있다. 주지된 바와 같이 리텐션 셀은 하나의 셀에 1 비트(bit)의 정보를 저장할 수 있는 소자이다. 저장부(1250)는 고전력 모드에서 처리 중이던 데이터를 저장하는 역할을 하므로, 메모리 용량이 클 필요가 없다. 따라서, 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)의 설계자는 고전력 모드에서 처리 중이던 데이터를 저장하는데 충분할 정도로 만 리텐션 셀로 저장부(1250)를 구성하는 것에 의해 저전력 모드에서의 소비 전력을 최소화할 수 있다. 바람직하게는, 저장부(1250)는 고전력 모듈(1100) 내의 어느 하나의 저장매체 예를 들어, 플레시 메모리(1130) 또는 램(1140) 보다 용량이 작도록 설계될 수 있다.The storage unit 1250 may store work environment information such as data that is being processed in the high power mode stored in the RAM 1140 when the micro controller unit 1000 is switched from the high power mode to the low power mode. When the microcontroller unit 1000 switches from the low power mode to the high power mode, the storage unit 1250 may transmit the stored working environment information to the RAM 1140. As will be described later, when the microcontroller unit 1000 is switched from the high power mode to the low power mode, power supply to the RAM 1140 is cut off. As is well known, the RAM 1140 is a volatile memory, and when the power supply to the RAM 1140 is cut off, all data stored in the RAM 1140 is lost. Therefore, by transferring the data that is being processed in the high power mode to the storage unit 1250 when switching from the high power mode to the low power mode, it is possible to prevent the loss of data that is being processed in the high power mode. Here, the storage 1250 may be formed of a plurality of retention cells. As is well known, a retention cell is a device capable of storing one bit of information in one cell. Since the storage unit 1250 stores data that is being processed in the high power mode, the memory capacity does not need to be large. Accordingly, the designer of the microcontroller unit 1000 may minimize the power consumption in the low power mode by configuring the storage unit 1250 as a retention cell only enough to store data that is being processed in the high power mode. Preferably, the storage unit 1250 may be designed to have a smaller capacity than any one storage medium, for example, the flash memory 1130 or the RAM 1140, in the high power module 1100.

제 1 AND 게이트(1300)는 테스트_인에이블 신호(TEST_EN)를 수신하는 제 2 핀(P2), GIPO 신호를 수신하는 제 3 핀(P2), OR 게이트(1400), 슬립 모드 콘트롤러(1230) 사이에 위치할 수 있다. 구체적으로, 제 1 AND 게이트(1300)의 두 입력단에는 제 2 핀(P2) 및 제 3 핀(P3)이 각각 연결되고, 출력단은 노드 a에서 분기되어 OR 게이트(1400) 및 슬립 모드 콘트롤러(1230)에 각각 연결될 수 있다. 제 1 AND 게이트(1300)는 제 2 핀(P2)에 하이 레벨의 신호가 입력되고, 제 3 핀(P3)에 하이 레벨의 신호가 입력되는 경우에, 출력단을 통하여 하이 레벨의 신호를 출력할 수 있다. 이와 달리, 제 1 AND 게이트(1300)는 제 2 핀(P2) 및/또는 제 3 핀(P3)에 로우 레벨의 신호가 입력되는 경우에는, 출력단을 통하여 로우 레벨의 신호를 출력할 수 있다. 제 1 AND 게이트(1300)의 출력단을 통하여 출력되는 하이 레벨의 신호는 OR 게이트(1400)의 입력단으로 전달되고, 이때, OR 게이트(1400)는 하이 레벨의 신호를 출력하여 제 1 스위치(sw1)을 온(on) 시킬 수 있다. 이와 달리, 제 1 AND 게이트(1300)를 통하여 출력되는 로우 레벨의 신호는 OR 게이트(1400)의 입력단으로 전달되어, 제 1 스위치(sw1)를 오프(off)시킬 수도 있다. 또한, 제 1 AND 게이트(1300)를 통하여 출력되는 하이 레벨 또는 로우 레벨(low level) 신호는 슬립 모드 콘트롤러(1230)가 전력 모드 전환을 하도록 하는 제어 명령의 기능을 할 수 있다. 즉, 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)이 고전력 모드인 상태에서 제 1 AND 게이트(1300)를 통하여 출력되는 로우 레벨의 신호는 슬립 모드 콘트롤러(1230)가 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)을 고전력 모드에서 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령이 될 수 있다. 이와 달리, 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)이 저전력 모드인 상태에서 제 1 AND 게이트(1300)를 통하여 출력되는 하이 레벨의 신호는 슬립 모드 콘트롤러(1230)가 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)을 저전력 모드에서 고전력 모드로 전환하도록 하는 명령이 될 수 있다. 이에 관한, 구체적인 사항은 후술한다.The first AND gate 1300 may include a second pin P2 receiving the test_enable signal TEST_EN, a third pin P2 receiving the GIPO signal, an OR gate 1400, and a sleep mode controller 1230. It can be located in between. Specifically, the second pin P2 and the third pin P3 are connected to two input terminals of the first AND gate 1300, respectively, and the output terminal is branched at the node a to form the OR gate 1400 and the sleep mode controller 1230. Respectively). The first AND gate 1300 may output a high level signal through an output terminal when a high level signal is input to the second pin P2 and a high level signal is input to the third pin P3. Can be. In contrast, when a low level signal is input to the second pin P2 and / or the third pin P3, the first AND gate 1300 may output a low level signal through an output terminal. The high level signal outputted through the output terminal of the first AND gate 1300 is transmitted to the input terminal of the OR gate 1400. At this time, the OR gate 1400 outputs the high level signal to the first switch sw1. Can be turned on. Alternatively, the low level signal output through the first AND gate 1300 may be transmitted to an input terminal of the OR gate 1400 to turn off the first switch sw1. In addition, the high level or low level signal output through the first AND gate 1300 may function as a control command for the sleep mode controller 1230 to switch the power mode. That is, when the microcontroller unit 1000 is in the high power mode, the low level signal outputted through the first AND gate 1300 may cause the sleep mode controller 1230 to move the microcontroller unit 1000 from the high power mode to the low power mode. Can be a command to switch. In contrast, the high level signal outputted through the first AND gate 1300 while the microcontroller unit 1000 is in the low power mode is output by the sleep mode controller 1230 to operate the microcontroller unit 1000 in the low power mode in the high power mode. Can be a command to switch to. In this regard, specific matters will be described later.

OR 게이트(1400)는 제 1 AND 게이트(1300) 및/또는 제 2 AND 게이트(1500)로부터 하이 레벨의 신호를 수신하는 경우에 하이 레벨의 신호를 출력하여 제 1 스위치(sw1)를 온(on) 시킬 수 있다. 이와 달리, OR 게이트(1400)는 제 1 AND 게이트(1300) 및 제 2 AND 게이트(1500)로부터 로우 레벨의 신호를 수신하는 경우에, 로우 레벨의 신호를 출력하여 제 1 스위치(sw1)를 오프 시킬 수 있다. 이에 관한 구체적인 사항은 후술한다.When the OR gate 1400 receives a high level signal from the first AND gate 1300 and / or the second AND gate 1500, the OR gate 1400 outputs a high level signal to turn on the first switch sw1. Can be done. In contrast, when the OR gate 1400 receives a low level signal from the first AND gate 1300 and the second AND gate 1500, the OR gate 1400 outputs a low level signal to turn off the first switch sw1. You can. Details thereof will be described later.

제 2 AND 게이트(1500)는 인에이블 신호(EN)를 수신하는 제 4 핀(P4), 슬립 모드 콘트롤러(1230) 및 OR 게이트(1400) 사이에 위치할 수 있다. 구체적으로, 제 2 AND 게이트(1500)의 두 입력단은 각각 제 4 핀(P4) 및 슬립 모드 콘트롤러(1230)에 연결되고, 출력단은 OR 게이트(1400)의 입력단에 연결될 수 있다. 제 2 AND 게이트(1500)는 제 4 핀(P4) 및 슬립 모드 콘트롤러(1230)로부터 하이 레벨의 신호를 수신하는 경우에는, OR 게이트(1400)에 하이 레벨의 신호를 출력하여 제 1 스위치(sw1)를 온 시킬 수 있다. 이와 달리, 제 2 AND 게이트(1500)는 제 4 핀(P4) 및/또는 슬립 모드 콘트롤러(1230)로부터 로우 레벨의 신호를 수신하는 경우에, OR 게이트(1400)에 로우 레벨의 신호를 출력하여, 제 1 스위치(sw1)를 오프시킬 수 있다. 이에 관한 구체적인 사항은 후술한다.The second AND gate 1500 may be positioned between the fourth pin P4, the sleep mode controller 1230, and the OR gate 1400 that receive the enable signal EN. In detail, two input terminals of the second AND gate 1500 may be connected to the fourth pin P4 and the sleep mode controller 1230, respectively, and an output terminal of the second AND gate 1500 may be connected to an input terminal of the OR gate 1400. When the second AND gate 1500 receives a high level signal from the fourth pin P4 and the sleep mode controller 1230, the second AND gate 1500 outputs a high level signal to the OR gate 1400 to switch the first switch sw1. ) Can be turned on. In contrast, when the second AND gate 1500 receives a low level signal from the fourth pin P4 and / or the sleep mode controller 1230, the second AND gate 1500 outputs a low level signal to the OR gate 1400. The first switch sw1 may be turned off. Details thereof will be described later.

제 1 스위치(sw1)는 전원(VDD)을 공급 받는 제 1 핀(P1) 및 메인 전원 공급부(1110) 사이에 위치할 수 있다. 제 1스위치(sw1)는 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor field effect transistor)으로 형성되고, 소스(source) 및 드레인(drain)은 각각 제 1 핀(P1) 및 메인 전원 공급부(1110)와 연결되고, 게이트(gate)는 OR 게이트(1400)의 출력단과 연결될 수 있다. 따라서, OR 게이트(1400)의 출력단으로부터의 하이 레벨 신호에 의해 게이트에 구동 전압이 공급되는 경우에 제 1 스위치(sw1)는 온 될 수 있고, OR 게이트(1400)의 출력단으로부터의 로우 레벨 신호에 의해 게이트에 구동 전압이 공급되지 않는 경우에는 제 1 스위치(sw1)는 오프될 수 있다. 다만, 본 발명이 제 1 스위치(sw1)를 제한하는 것을 아니며, OR 게이트(1400)의 출력값(하이 또는 로우)에 따라 온 또는 오프로 제어될 수 있는 한 본 발명의 제 1 스위치(sw1)에 속할 수 있다.The first switch sw1 may be located between the first pin P1 receiving the power VDD and the main power supply 1110. The first switch sw1 is formed of a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), a source and a drain are connected to the first pin P1 and the main power supply 1110, respectively, and the gate ( The gate may be connected to the output terminal of the OR gate 1400. Accordingly, when the driving voltage is supplied to the gate by the high level signal from the output terminal of the OR gate 1400, the first switch sw1 may be turned on, and the low level signal from the output terminal of the OR gate 1400 may be applied. When the driving voltage is not supplied to the gate, the first switch sw1 may be turned off. However, the present invention is not limited to the first switch sw1, and may be controlled to the first switch sw1 of the present invention as long as it can be controlled to be turned on or off according to the output value (high or low) of the OR gate 1400. Can belong.

제 2 스위치(sw2)는 전원(VDD)을 입력 받는 제 1 핀(P1), 서브 전원 공급부(1210) 및 인에이블 신호(EN)를 입력 받는 제 4 핀(P4) 사이에 위치할 수 있다. 제 2 스위치(sw2)는 하이 레벨의 인에이블(EN) 신호가 제 4 핀(P4)를 통하여 수신되는 경우에 온 되고, 하이 레벨의 인에이블 신호(EN)가 제 4 핀(P4)를 통하여 수신되지 않는 경우에는 오프될 수 있다. 제 2 스위치(sw2)는 MOSFET으로 형성되고, 소스 및 드레인은 각각 제 1 핀(P1) 및 서브 전원 공급부(1210)와 연결되고, 게이트는 제 4 핀(P4)과 연결될 수 있다. 따라서, 제 4 핀(P4)를 통하여 하이 레벨의 인에이블 신호(EN)가 게이트에 공급되는 경우에 제 2 스위치(sw2)는 온 될 수 있고, 제 4 핀(P4)를 통하여 하이 레벨의 인에이블 신호(EN)가 입력되지 않아 게이트에 구동 전압이 공급되지 않는 경우에는 제 2 스위치(sw2)는 오프될 수 있다. 다만, 본 발명이 제 2 스위치(sw2)를 제한하는 것을 아니며, 하이 레벨 인에이블 신호(EN)의 수신 여부에 따라 온 또는 오프로 제어될 수 있는 한 본 발명의 제 2 스위치(sw2)에 속할 수 있다.The second switch sw2 may be positioned between the first pin P1 receiving the power VDD, the sub power supply 1210 and the fourth pin P4 receiving the enable signal EN. The second switch sw2 is turned on when the high level enable EN signal is received through the fourth pin P4, and the high level enable signal EN is transmitted through the fourth pin P4. If not received it may be off. The second switch sw2 may be formed of a MOSFET, the source and the drain may be connected to the first pin P1 and the sub power supply 1210, respectively, and the gate may be connected to the fourth pin P4. Therefore, when the high level enable signal EN is supplied to the gate through the fourth pin P4, the second switch sw2 may be turned on, and the high level of phosphorous through the fourth pin P4 may be turned on. When the driving signal is not supplied to the gate because the enable signal EN is not input, the second switch sw2 may be turned off. However, the present invention is not limited to the second switch sw2 and may belong to the second switch sw2 of the present invention as long as it can be controlled to be turned on or off depending on whether the high level enable signal EN is received. Can be.

위와 같은 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)에는 모드 제어부(2000)가 연결될 수 있다. 모드 제어부(2000)는 미리 설정된 시간 동안 외부 입력이 없는 경우에 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)이 고전력 모드에서 저전력 모드로 전환되도록 하는 제어 신호를 출력할 수 있다. 이와 달리, 저전력 모드에서 외부 입력이 검출된 경우에는 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)이 저전력 모드에서 고전력 모드로 전환되도록 하는 제어 신호를 출력할 수 있다. 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)을 고전력 모드에서 저전력 모드로 전환시킬 때에는, 모드 제어부(2000)는 제 4 핀(P4)으로 인에이블 신호(EN)를 출력하고, 제 3 핀(P3)으로 송출하는 GPIO 신호(GPIO)를 하이 레벨에서 로우 레벨로 전환할 수 있다. 이와 달리, 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)을 저전력 모드에서 고전력 모드로 전환시킬 때에는, 모드 제어부(2000)는 인에이블 신호(EN)의 출력을 중단하고, 제 3 핀(P3)으로 송출하는 GPIO 신호(GPIO)를 로우 레벨에서 하이 레벨로 전환할 수 있다. 이에 관한 구체적인 사항은 후술한다.The mode controller 2000 may be connected to the micro controller unit 1000 as described above. The mode controller 2000 may output a control signal for causing the microcontroller unit 1000 to switch from the high power mode to the low power mode when there is no external input for a preset time. In contrast, when an external input is detected in the low power mode, the microcontroller unit 1000 may output a control signal for switching the low power mode from the low power mode to the high power mode. When the microcontroller unit 1000 is switched from the high power mode to the low power mode, the mode controller 2000 outputs the enable signal EN to the fourth pin P4 and sends the GPIO to the third pin P3. The signal GPIO can be switched from high level to low level. On the contrary, when the microcontroller unit 1000 is switched from the low power mode to the high power mode, the mode control unit 2000 stops the output of the enable signal EN and sends the GPIO signal (3) to the third pin P3 ( GPIO) can be switched from low level to high level. Details thereof will be described later.

여기서, 본 발명에 따른 마이크로 콘트로러 유닛(1000) 내의 구성요소의 물리적인 위치를 제한하는 것은 아니다. 예를 들어, 고전력 모듈(1100)과 저전력 모듈(1200)은 물리적으로 하나의 모듈과 제작될 수 있으며, 슬립 모드 콘트롤러(1230)가 고전력 모듈(1100) 내에 설치될 수도 있다. 다만, 제작 및 설치의 용이성을 위해 고전력 모듈(1100)과 저전력 모듈(1200)은 각각 별개의 모듈과 형성되는 것이 바람직하다.
Here, the physical location of the components in the microcontroller unit 1000 according to the present invention is not limited. For example, the high power module 1100 and the low power module 1200 may be physically manufactured with one module, and the sleep mode controller 1230 may be installed in the high power module 1100. However, the high power module 1100 and the low power module 1200 are preferably formed of separate modules for ease of manufacture and installation.

본 발명에 따른 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)은 고전력 모드에서 동작하는 고전력 모듈(1100)과 저전력 모듈(1200)을 별개로 구비하고, 이때, 저전력 모듈(1200)은 고전력 모듈(1100)에 비해 상대적으로 매우 낮은 소비 전력을 가지도록 설계할 수 있다. 그리고, 외부 입력이 없는 경우에, 마이크로 콘트롤러 유닛(1100)이 저전력 모드로 전환되고, 저전력 모듈(1200)이 매우 적은 전력을 소비하면서 동작하고, 고전력 모듈(1100)에 공급되는 전력을 차단할 수 있다. 따라서, 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)이 저전력 모드에서 소비하는 전력을 최소화할 수 있다. 또한, 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)이 고전력 모드에서 저전력 모드로 전환될 때, 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)이 고전력 모드에서 처리 중이던 데이터는 저전력 모듈(1200)로 옮겨져 저장되므로, 고전력 모듈(1100)에 공급되는 전원이 차단되더라도 고전력 모드에서 처리 중이던 데이터가 손실될 염려가 없다. 또한, 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)이 저전력 모드에서 고전력 모드로 전환되는 경우에는 저전력 모듈(1200)이 이전 고전력 모드에서 처리 중이던 데이터를 고전력 모듈(1100)에 전달해 줌으로써, 고전력 모듈(1100)이 모드 전환 전의 환경으로 용이하게 복귀할 수 있다. 또한, 저전력 모드에서 저전력 모드의 동작을 유지시키는 것에 의해 최소한의 전력 만으로 칩의 작업성을 유지시킬 수 있다. 또한, 슬립 모드 콘트롤러(1230), 두 개의 AND 게이트(1300, 1500), 하나의 OR 게이트(1400) 및 두 개의 스위치(sw1, sw2), 용량이 매우 적은 저장부(1250) 만으로 외부 입력 유무에 따라 자동으로 고전력 모드와 저전력 모드 간의 전환을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 저전력 모듈(1200)은 고전력 모듈(1100)과는 물리적으로 별개인 독립된 하나의 모듈로 제작되고, 저전력 모듈(1200)을 전원측에 연결하고, 두 개의 AND 게이트(1300, 1500), 하나의 OR 게이트(1400) 및 두 개의 스위치(sw1, sw2)를 사용하여 배선 만 하는 것으로 설치가 완료될 수 있다. 따라서, 저전력 모듈의 설치가 용이할 수 있다.
The microcontroller unit 1000 according to the present invention includes a high power module 1100 and a low power module 1200 that operate in a high power mode separately, and at this time, the low power module 1200 is relatively higher than the high power module 1100. It can be designed to have very low power consumption. When there is no external input, the microcontroller unit 1100 may be switched to a low power mode, the low power module 1200 may operate while consuming very little power, and cut off power supplied to the high power module 1100. . Thus, the power consumed by the microcontroller unit 1000 in the low power mode can be minimized. In addition, when the microcontroller unit 1000 is switched from the high power mode to the low power mode, data that the microcontroller unit 1000 is processing in the high power mode is transferred to the low power module 1200 and stored, and thus is supplied to the high power module 1100. If the power supply is turned off, there is no risk of losing data that was being processed in the high-power mode. In addition, when the microcontroller unit 1000 is switched from the low power mode to the high power mode, the low power module 1200 transfers data that was being processed in the previous high power mode to the high power module 1100, whereby the high power module 1100 switches modes. It is easy to return to the previous environment. In addition, by maintaining the operation of the low power mode in the low power mode it is possible to maintain the workability of the chip with a minimum of power. In addition, only the sleep mode controller 1230, two AND gates 1300 and 1500, one OR gate 1400 and two switches sw1 and sw2, and a storage unit 1250 having a very small capacity can be used for external input. Therefore, it can automatically switch between high and low power modes. In addition, the low power module 1200 according to the present invention is manufactured as a single module that is physically separate from the high power module 1100, connects the low power module 1200 to the power supply side, and two AND gates 1300 and 1500 ), The installation can be completed by only wiring using only one OR gate 1400 and two switches sw1 and sw2. Therefore, the installation of the low power module may be easy.

- 마이크로 콘트롤러 유닛의 모드 -Mode of the microcontroller unit

이하, 첨부된 도 3을 참조하여, 도 1의 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)의 고전력 모드에 대하여 구체적으로 설명한다. 그리고, 첨부된 도 4를 참조하여, 도 1의 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)의 저전력 모드에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the high power mode of the microcontroller unit 1000 of FIG. 1 will be described in detail with reference to FIG. 3. 4, the low power mode of the microcontroller unit 1000 of FIG. 1 will be described in detail.

도 3은 도 1의 마이크로 콘트롤러 유닛의 고전력 모드를 나타내는 기능 블록 다이어그램이다. 도 4는 도 1의 마이크로 콘트롤러 유닛의 저전력 모드를 나타내는 기능 블록 다이어그램이다. 이에 의해, 도 1의 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)이 좀 더 명확해질 수 있다.
3 is a functional block diagram illustrating a high power mode of the microcontroller unit of FIG. 1. 4 is a functional block diagram illustrating a low power mode of the microcontroller unit of FIG. 1. As a result, the microcontroller unit 1000 of FIG. 1 may be more clearly defined.

- 마이크로 콘트롤러 유닛의 고전력 모드 High power mode of the microcontroller unit

먼저, 도 3을 참조하면, 고전력 모드에서 제 2 핀(P2)을 통하여 하이 레벨의 테스트_인에이블 신호(TEST_EN) 및 제 3 핀(P3)를 통하여 하이 레벨의 GPIO 신호(GPIO)를 제 1 AND 게이트(1300)의 입력단이 수신할 수 있다. 이에 의해, 제 1 AND 게이트(1300)는 출력단을 통하여 하이 레벨의 출력을 할 수 있다. 이때, 제 1 AND 게이트(1300)의 하이 레벨의 출력은 노드 a에서 분기되어, 각각 OR 게이트(1400)의 입력단 및 슬립 모드 콘트롤러(1230)에 전달될 수 있다.First, referring to FIG. 3, in a high power mode, a high level test_enable signal TEST_EN and a high level GPIO signal GPIO are first received through a second pin P2 and a third pin P3. The input terminal of the AND gate 1300 may receive it. As a result, the first AND gate 1300 may output a high level through the output terminal. In this case, the high level output of the first AND gate 1300 may be branched at the node a and transferred to the input terminal and the sleep mode controller 1230 of the OR gate 1400, respectively.

이때, OR 게이트(1400)은 제 1 AND 게이트(1300)로부터의 하이 레벨의 입력에 대응하여 출력단을 통하여 하이 레벨 신호를 출력을 할 수 있다. 이에 의해 제 1 스위치(sw1)는 온 될 수 있다. 따라서, 제 1 핀(P1)에 전달된 전원(VDD)는 제 1 스위치(sw1)를 경유하여 고전력 모듈(1100)로 전달될 수 있다. 이때, 메인 전원 공급부(1110)는 제 1 스위치(sw1)로부터 전원(VDD)를 전달 받아, 코어(1120), 플레시 메모리(1130), 램(1140)에 동작 전원을 공급할 수 있다. 동작 전원을 공급받은 코어(1120)는 플레시 메모리(1130)에 저장된 프로그램을 사용하여 외부로부터의 입력을 처리하고, 전자장치 전체의 동작을 제어할 수 있다. 이때, 코어(1120)에 의해 처리 중인 외부 입력 또는 그 외부 입력을 처리하기 위해 사용되는 프로그램 등은 램(1140)에 저장될 수 있다. 이때, 제 2 스위치(sw2)는 오프된 상태이므로 저전력 모듈(1200)에 전원이 공급되지 않을 수 있다.In this case, the OR gate 1400 may output a high level signal through an output terminal in response to a high level input from the first AND gate 1300. As a result, the first switch sw1 may be turned on. Therefore, the power supply VDD delivered to the first pin P1 may be delivered to the high power module 1100 via the first switch sw1. In this case, the main power supply 1110 may receive the power VDD from the first switch sw1 to supply operating power to the core 1120, the flash memory 1130, and the RAM 1140. The core 1120 supplied with operating power may process an input from the outside using a program stored in the flash memory 1130 and control the operation of the entire electronic device. In this case, an external input being processed by the core 1120 or a program used to process the external input may be stored in the RAM 1140. At this time, since the second switch sw2 is in an off state, power may not be supplied to the low power module 1200.

그리고, 제 1 엔드 게이트(1300)로부터 출력되어 슬립 모드 콘트롤러(1230)에 전달된 하이 레벨의 신호는 슬립 모드 콘트롤러(1230)에 전원이 공급되지 않고 있는 상태이므로, 어떤 제어 정보를 구성하는 것은 아닐 수 있다. 다만, 슬립 모드 콘트롤러(1230)에 전원이 인가되고, 제 1 AND 게이트(1300)로부터 슬립 모드 콘트롤러(1230)에 전달되는 신호가 하이 레벨에서 로우 레벨로 변경되는 경우에는 슬립 모드 콘트롤러(1230)가 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)을 고전력 모드에서 저전력 모드로 전환시키는 명령의 의미를 가질 수 있다. 이에 관하여는 후술한다.
Since the high level signal output from the first end gate 1300 and transmitted to the sleep mode controller 1230 is not supplied with power to the sleep mode controller 1230, it does not constitute any control information. Can be. However, when power is supplied to the sleep mode controller 1230 and the signal transmitted from the first AND gate 1300 to the sleep mode controller 1230 is changed from the high level to the low level, the sleep mode controller 1230 is The microcontroller unit 1000 may have a meaning of a command for switching from a high power mode to a low power mode. This will be described later.

- 마이크로 콘트롤러 유닛의 저전력 모드 Low power mode of the microcontroller unit

이어서, 도 4를 참조하면, 제 1 AND 게이트(1300)의 입력단에 GPIO 신호(GPIO)가 수신되지 않거나, 로우 레벨의 GPIO 신호(GPIO)가 수신될 수 있다. 따라서, 제 1 AND 게이트(1300)의 하나의 입력단이 로우 레벨이 되므로, 제 1 AND 게이트(1300)는 출력단을 통하여 로우 레벨 신호를 출력할 수 있다. 따라서, 제 1 엔드 게이트(1300)와 연결된 OR 게이트(1400)의 입력단은 로우 레벨의 신호를 수신할 수 있다.Subsequently, referring to FIG. 4, the GPIO signal GPIO may not be received at the input terminal of the first AND gate 1300, or a low level GPIO signal GPIO may be received. Therefore, since one input terminal of the first AND gate 1300 is at the low level, the first AND gate 1300 may output the low level signal through the output terminal. Therefore, the input terminal of the OR gate 1400 connected to the first end gate 1300 may receive a low level signal.

그리고, 모드 제어부(2000)로부터 제 4 핀(P4)으로 인에이블 신호(EN)가 인가될 수 있다. 인에이블 신호(EN)는 제 2 스위치(sw2) 및 제 2 AND 게이트(1500)의 입력단에 전달될 수 있다. 제 2 스위치(sw2)에 전달된 인에이블 신호(EN)는 제 2 스위치(sw2)를 온 시킬 수 있다. 제 1 핀(P1)을 통하여 공급되는 전원(VDD)은 제 2 스위치(sw2)를 경유하여 저전력 모듈(1200)로 전달될 수 있다. 서브 전원 공급부(1210)는 전원(VDD)을 제 2 스위치(sw2)로부터 전달 받아 파워 온 리셋부(1220), 슬립 모드 콘트롤러(1230), 서브 클럭 공급부(1240) 및 저장부(1250)에 동작 전원을 공급할 수 있다. 슬립 모드 콘트롤러(1230)와 연결된 제 2 AND 게이트(1500)의 입력단은 하이 레벨의 신호를 수신하지 않고 있다. 따라서, 제 2 AND 게이트(1500)는 로우 레벨의 신호를 출력한다. 위와 같이, 제 1 및 제 2 AND 게이트(1300, 1500)와 연결된 OR 게이트(1400)의 두 입력단은 모두 로우 레벨의 신호를 수신하므로, OR 게이트(1400)는 로우 레벨의 신호를 출력할 수 있다. 따라서, 제 1 스위치(sw1)는 오프되어 고전력 모듈(1100)에는 전원(VDD)가 공급되지 않을 수 있다. 따라서, 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)가 저전력 모드일 때, 고전력 모듈(1100)이 소비하는 전력은 없을 수 있다.
The enable signal EN may be applied from the mode controller 2000 to the fourth pin P4. The enable signal EN may be transmitted to an input terminal of the second switch sw2 and the second AND gate 1500. The enable signal EN transmitted to the second switch sw2 may turn on the second switch sw2. Power VDD supplied through the first pin P1 may be transferred to the low power module 1200 via the second switch sw2. The sub power supply 1210 receives the power VDD from the second switch sw2 and operates the power on reset unit 1220, the sleep mode controller 1230, the sub clock supply unit 1240, and the storage unit 1250. Can supply power. The input terminal of the second AND gate 1500 connected to the sleep mode controller 1230 does not receive a high level signal. Therefore, the second AND gate 1500 outputs a low level signal. As described above, since both input terminals of the OR gate 1400 connected to the first and second AND gates 1300 and 1500 receive a low level signal, the OR gate 1400 may output a low level signal. . Therefore, the first switch sw1 may be turned off so that the power VDD is not supplied to the high power module 1100. Thus, when the microcontroller unit 1000 is in the low power mode, no power is consumed by the high power module 1100.

- 마이크로 콘트롤러 유닛의 모드 전환 프로세스 -Mode switching process of the microcontroller unit

이하, 첨부된 도 5 내지 도 9e를 참조하여 도 1의 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)의 모드 전환에 대하여 설명한다.Hereinafter, mode switching of the microcontroller unit 1000 of FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 5 to 9E.

도 5는 도 1의 마이크로 콘트롤러 유닛에서 슬립 모드 콘트롤러가 모드 전환을 수행하는 프로세스를 나타내는 플로우 차트이다.FIG. 5 is a flowchart illustrating a process in which a sleep mode controller performs mode switching in the microcontroller unit of FIG. 1.

도 5를 참조하면, 모드 전환 프로세스는 고전력 모드에서 저전력 모드로 전환 단계(S51) 및 저전력 모드에서 고전력 모드로 전환 단계(S52)를 포함할 수 있다. 고전력 모드에서 저전력 모드로 전환 단계(S51)는 슬립 모드 콘트롤러(1230) 내의 저전력 전환부(1231)에 의해 수행될 수 있으며, 저전력 모드에서 고전력 모드로 전환 단계(S52)는 슬립 모드 콘트롤러(1230) 내의 고전력 전환부(1232)에 의해 수행될 수 있다. 하기에서 S51, S52에서 수행되는 구체적인 프로세스에 대하여 설명한다.
Referring to FIG. 5, the mode switching process may include a step of switching from a high power mode to a low power mode (S51) and a step of switching from a low power mode to a high power mode (S52). The step S51 of switching from the high power mode to the low power mode may be performed by the low power switching unit 1231 in the sleep mode controller 1230, and the step of switching from the low power mode to the high power mode S52 may be performed by the sleep mode controller 1230. It can be performed by the high power switching unit 1232 in the. A detailed process performed in S51 and S52 will be described below.

- 마이크로 콘트롤러 유닛의 고전력 모드에서 저전력 모드로의 전환 --Switching from high power mode to low power mode of the microcontroller unit-

미리 설정된 시간 동안 외부 입력이 없는 경우에 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)은 고전력 모드에서 저전력 모드로 전환될 수 있다. 이하, 도 6 내지 도7e를 참조하여 도 1의 마이크로 콘트로러 유닛(1000)이 고전력 모드에서 저전력 모드로 전환되는 프로세스에 대하여 설명한다.When there is no external input for a preset time, the microcontroller unit 1000 may switch from the high power mode to the low power mode. Hereinafter, a process of switching the microcontroller unit 1000 of FIG. 1 from the high power mode to the low power mode will be described with reference to FIGS. 6 to 7E.

도 6은 도 5의 S51을 좀 더 구체화 한 플로우 차트이다. 도 7a 내지 도 7e는 도 6의 각 단계에서 마이크로 콘트롤러 유닛에서 발생하는 신호의 흐름 및 그에 따른 마이크로 콘트롤러 유닛에서의 변화를 구체적으로 나타내는 기능 블록 다이어그램이다.
FIG. 6 is a flow chart more embodying S51 of FIG. 5. 7A to 7E are functional block diagrams specifically showing the flow of signals generated in the microcontroller unit at each step of FIG. 6 and the resulting changes in the microcontroller unit.

먼저, 도 6을 참조하면, 도 5의 고전력 모드에서 저전력 모드로 전환 단계(S51)는 고전력 모드 단계(S61), 저전력 모듈에의 전원 공급 단계(S62), 고전력 모드에서의 작업 환경 정보를 저전력 모듈로 옮김 단계(S63), 고전력 모듈에의 전원 공급 차단 단계(S64) 및 저전력 모드 단계(S65)를 포함할 수 있다.First, referring to FIG. 6, the step S51 of switching from the high power mode to the low power mode of FIG. 5 includes the high power mode step S61, the power supply step S62 to the low power module S62, and the work environment information in the high power mode. Transfer to module step S63, power supply cutoff to high power module step S64, and low power mode step S65 may be included.

가장 먼저, 고전력 모드에서 저전력 모드로의 전환 단계(S51)에서 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)은 고전력 모드에 있을 수 있다(S61).First, in a step S51 of switching from the high power mode to the low power mode, the microcontroller unit 1000 may be in the high power mode (S61).

도 7a를 참조하면, 제 2 핀(P2)을 통하여 하이 레벨의 테스트_인에이블 신호(TEST_EN) 및 제 3 핀(P3)를 통하여 하이 레벨의 GPIO 신호(GPIO)를 제 1 AND 게이트(1300)의 입력단이 수신할 수 있다. 이에 의해, 제 1 AND 게이트(1300)는 출력단을 통하여 하이 레벨의 출력을 할 수 있다. 제 1 AND 게이트(1300)의 하이 레벨의 출력은 노드 a에서 분기되어, 각각 OR 게이트(1400)의 입력단 및 슬립 모드 콘트롤러(1230)에 전달될 수 있다. OR 게이트(1400)은 제 1 AND 게이트(1300)로부터의 하이 레벨의 입력에 대응하여 출력단을 통하여 하이 레벨 신호를 출력을 할 수 있다. 이에 의해 제 1 스위치(sw1)는 온 될 수 있다. 따라서, 제 1 핀(P1)에 전달된 전원(VDD)는 제 1 스위치(sw1)를 경유하여 고전력 모듈(1100)로 전달될 수 있다. 이때, 메인 전원 공급부(1110)는 제 1 스위치(sw1)로부터 전원(VDD)를 전달 받아, 코어(1120), 플레시 메모리(1130), 램(1140)에 동작 전원을 공급할 수 있다. 동작 전원을 공급받은 코어(1120)는 플레시 메모리(1130)에 저장된 프로그램을 사용하여 외부로부터의 입력을 처리하고, 전자장치 전체의 동작을 제어할 수 있다. 코어(1120)에 의해 처리 중인 외부 입력 또는 그 외부 입력을 처리하기 위해 사용되는 프로그램 등을 포함하는 작업 환경 정보는 램(1140)에 저장될 수 있다. 이때, 제 2 스위치(sw2)는 오프된 상태이므로 저전력 모듈(1200)에 전원이 공급되지는 않을 수 있다. 그리고, 제 1 엔드 게이트(1300)로부터 출력되어 슬립 모드 콘트롤러(1230)에 전달된 하이 레벨의 신호는 슬립 모드 콘트롤러(1230)에 전원이 공급되지 않고 있는 상태이므로, 어떤 제어 정보를 구성하는 것은 아닐 수 있다.
Referring to FIG. 7A, the first AND gate 1300 receives a high level test_enable signal TEST_EN and a third level GPIO signal GPIO through a second pin P2 and a third pin P3. Can be received by the input terminal. As a result, the first AND gate 1300 may output a high level through the output terminal. The high level output of the first AND gate 1300 may be branched at node a and transferred to the input terminal and the sleep mode controller 1230 of the OR gate 1400, respectively. The OR gate 1400 may output a high level signal through an output terminal in response to a high level input from the first AND gate 1300. As a result, the first switch sw1 may be turned on. Therefore, the power supply VDD delivered to the first pin P1 may be delivered to the high power module 1100 via the first switch sw1. In this case, the main power supply 1110 may receive the power VDD from the first switch sw1 to supply operating power to the core 1120, the flash memory 1130, and the RAM 1140. The core 1120 supplied with operating power may process an input from the outside using a program stored in the flash memory 1130 and control the operation of the entire electronic device. Work environment information, including an external input being processed by the core 1120 or a program used to process the external input, may be stored in the RAM 1140. In this case, since the second switch sw2 is in an off state, power may not be supplied to the low power module 1200. Since the high level signal output from the first end gate 1300 and transmitted to the sleep mode controller 1230 is not supplied with power to the sleep mode controller 1230, it does not constitute any control information. Can be.

그 다음, 저전력 모듈에의 전원 공급 단계(S62)는 저전력 모듈(1200)이 전원을 공급 받는 단계이다. 도 7b를 참조하여 저전력 모듈에의 전원 공급 단계(S62)의 구체적인 프로세스에 대하여 설명한다.Next, the power supply step S62 of the low power module is a step in which the low power module 1200 is supplied with power. A detailed process of the power supply step S62 to the low power module will be described with reference to FIG. 7B.

도 7b를 참조하면, 가장 먼저, 외부 입력이 미리 설정된 시간 동안 없는 경우에, 모드 제어부(2000)로부터 제 4 핀(P4)으로 하이 레벨의 인에이블 신호(EN)가 입력되고, 입력된 인에이블 신호(EN)는 제 2 스위치(sw2)로 전달될 수 있다. 이때, 제 2 스위치(sw2)는 인에이블 신호(EN)에 의해 온 될 수 있다(①). 그리고, 입력된 인에이블 신호(EN)는 제 2 AND 게이트(1500)의 입력단으로 전달될 수 있다(②) 여기서, ① 및 ②는 동시(同時) 또는 이시(異時)에 이루어질 수 있다. 그 다음, 제 1 핀(P1)을 통해 공급되는 전원(VDD)가 제 2 스위치(sw2)를 경유하여 저전력 모듈(1200)로 전달될 수 있다(③). 이때, 서브 전원 공급부(1210)는 LDO로 구성되어, 안정적으로 전원을 파워 온 리셋브(1220), 슬립 모드 콘트롤러(1230), 서브 클럭 공급부(1240), 및 저장부(1250)로 공급할 수 있다. 그 다음, 저전력 모듈(1200)에의 전원의 공급과 동시에 파워 온 리셋부(1220)는 저전력 모듈(1210) 내부 전압이 모두 올라가기 전 일정한 전위를 감지하여 파워 온 리셋 신호를 생성하여 슬립 모드 콘트롤러(1230)를 동작 가능한 상태로 초기화시킬 수 있다(④). 그 다음, 서브 클럭 공급부(1240)는 슬립 모드 콘트롤러(1230)에 클럭을 공급할 수 있다(⑤). 그 다음, 슬립 모드 콘트롤러(1230)는 제 2 AND 게이트(1500)의 입력단으로 하이 레벨의 신호를 출력할 수 있다(⑥). 이때, 제 2 AND 게이트(1500)의 두 입력단은 모두 하이 레벨 신호을 수신하므로, 제 2 AND 게이트(1500)는 하이 레벨 신호를 출력할 수 있다(⑦). 그 다음, 슬립 모드 콘트롤러(1500)는 소정의 신호를 모드 제어부(2000)로 송신할 수 있다(⑧).
Referring to FIG. 7B, first, when the external input is absent for a preset time, a high level enable signal EN is input from the mode controller 2000 to the fourth pin P4, and the input enable The signal EN may be transmitted to the second switch sw2. In this case, the second switch sw2 may be turned on by the enable signal EN (①). In addition, the input enable signal EN may be transmitted to the input terminal of the second AND gate 1500 (②), wherein ① and ② may be simultaneously or at the same time. Next, power VDD supplied through the first pin P1 may be transferred to the low power module 1200 via the second switch sw2 (③). In this case, the sub power supply 1210 may be configured as an LDO to stably supply power to the power on reset 1220, the sleep mode controller 1230, the sub clock supply 1240, and the storage 1250. . Then, at the same time as the power is supplied to the low power module 1200, the power on reset unit 1220 detects a constant potential before all the internal voltages of the low power module 1210 rise, and generates a power on reset signal to generate a sleep mode controller ( 1230 may be initialized to an operable state (④). Next, the sub clock supply unit 1240 may supply a clock to the sleep mode controller 1230 (⑤). Next, the sleep mode controller 1230 may output a high level signal to the input terminal of the second AND gate 1500 (6). In this case, since both input terminals of the second AND gate 1500 receive the high level signal, the second AND gate 1500 may output the high level signal (⑦). Next, the sleep mode controller 1500 may transmit a predetermined signal to the mode control unit 2000 (8).

고전력 모드에서의 작업 환경 정보를 저전력 모듈과 옮김 단계(S63)는 저전력 모드로의 진입시 램(1140)에 공급되는 전원이 차단되므로, 저전력 모드에서 램(1140)에 저장되어 있는 작업 환경 정보가 손실되지 않도록 저전력 모듈(1200)로 작업 환경 정보를 옮겨 놓는 단계이다. 도 7c를 참조하여, 고전력 모드에서의 작업 환경 정보를 저전력 모듈과 옮김 단계(S63)의 구체적인 프로세스에 대하여 설명한다.In the step S63 of moving the work environment information in the high power mode and the low power module, since the power supplied to the RAM 1140 is cut off when entering the low power mode, the work environment information stored in the RAM 1140 is lost in the low power mode. It is a step of moving the work environment information to the low power module 1200 so as not to. Referring to FIG. 7C, a detailed process of transferring the work environment information in the high power mode to the low power module S63 will be described.

도 7c를 참조하면, 가장 먼저, S62에서 모드 제어부(2000)는 슬립 모드 콘트롤러(1230)로부터 소정의 신호를 수신하는 것에 대응하여, 하이 레벨의 GPIO 신호(GPIO)를 출력하는 것을 중단할 수 있다(①). 그 다음, 제 1 AND 게이트(1300)는 일단의 입력이 로우 레벨이 되는 것에 대응하여 출력을 하이 레벨에서 로우 레벨로 변경할 수 있다(②). 그 다음, 제 1 AND 게이트로부터의 출력이 하이 레벨에서 로우 레벨이 되는 것에 대응하여 슬립 모드 콘트롤러(1230)는 코어(1120)에 소정의 신호를 출력할 수 있다(③). 그 다음, 슬립 모드 콘트롤러(1230)로부터 신호를 수신하는 것에 대응하여 코어(1120)는 램(1140)에 저장된 작업 환경 정보를 저장부(1250)로 옮겨 저장할 수 있다(④). 그 다음, 저장이 완료되면, 코어(1120)는 저장이 완료되었음을 알리는 신호를 슬립 모드 콘트롤러(1240)에 송출할 수 있다(⑤).
Referring to FIG. 7C, first, in operation S62, the mode controller 2000 may stop outputting the high level GPIO signal GPIO in response to receiving a predetermined signal from the sleep mode controller 1230. (①). Next, the first AND gate 1300 may change the output from the high level to the low level in response to the input of the input being at the low level (②). Next, in response to the output from the first AND gate going from the high level to the low level, the sleep mode controller 1230 may output a predetermined signal to the core 1120 (3). Next, in response to receiving the signal from the sleep mode controller 1230, the core 1120 may transfer the work environment information stored in the RAM 1140 to the storage unit 1250 (4). Next, when the storage is completed, the core 1120 may transmit a signal indicating that the storage is completed to the sleep mode controller 1240 (⑤).

고전력 모듈에의 전원 공급 차단 단계(S64)는 고전력 모듈(1100)에 공급되는 전원(VDD)를 차단하는 단계이다. 이하, 도7d를 참조하여 고전력 모듈에의 전원 공급 차단 단계(S64)의 구체적인 프로세스에 대하여 설명한다.In the power supply blocking step S64 of the high power module, the power supply VDD supplied to the high power module 1100 is blocked. Hereinafter, a detailed process of the power supply cutoff step S64 to the high power module will be described with reference to FIG. 7D.

도 7d를 참조하면, 가장 먼저, S63에서 코어(1120)의 저장 완료 알림을 수신한 슬립 모드 콘트롤러(1230)가 제 2 AND 게이트(1500)의 입력단으로 출력하는 신호를 하이 레벨에서 로우 레벨로 변경할 수 있다(①). 그 다음, 제 2 AND 게이트(1500)는 하나의 입력이 로우 레벨이므로 로우 레벨 신호를 출력할 수 있다(②). 그 다음, OR 게이트(1400)는 두 입력단에의 입력이 모두 로우 레벨이므로, 로우 레벨 신호를 출력할 수 있다(③). 그 다음, OR 게이트(1400)의 출력이 로우 레벨로 변경되는 것에 대응하여, 제 1 스위치(sw1)가 오프 될 수 있다(④). 그 다음, 제 1 스위치(sw1)가 오프 되는 것에 의해 고전력 모듈(1100)에 공급되는 전력이 차단될 수 있다(⑤).
Referring to FIG. 7D, first, the sleep mode controller 1230, which has received the storage completion notification of the core 1120 in S63, changes a signal output from the high level to the low level to the input terminal of the second AND gate 1500. (①) Next, the second AND gate 1500 may output a low level signal because one input is low level (②). Next, the OR gate 1400 may output a low level signal since inputs to both input terminals are low level (③). Then, in response to the output of the OR gate 1400 being changed to the low level, the first switch sw1 may be turned off (④). Then, the power supplied to the high power module 1100 may be cut off by turning off the first switch sw1 (⑤).

저전력 모드 단계(S65)는 S64에서 고전력 모듈(1100)에 공급되는 전원이 차단되는 것에 의해 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)이 저전력 모드로 진입한 단계이다. 도 7e에 도시된 바와 같이, 제 1 스위치(sw1)가 오프 되어 고전력 모듈(1100)에 공급되는 전원(VDD)는 차단될 수 있다. 그리고, 저전력 모듈(1200)은 제 2 스위치(sw2)가 온 되어 전원(VDD)를 공급받을 수 있다. 이러한 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)은 저전력 모드 상태에서 외부 입력을 대기할 수 있다. 저전력 모드에 대한 구체적인 사항은 도 4를 참조하여 상술하였다. 따라서, 여기서 저전력 모드에 대한 구체적인 사항에 대한 설명은 생략한다.
The low power mode step S65 is a step in which the microcontroller unit 1000 enters the low power mode by cutting off the power supplied to the high power module 1100 in S64. As shown in FIG. 7E, the power VDD supplied to the high power module 1100 may be cut off because the first switch sw1 is turned off. In addition, the low power module 1200 may receive the power supply VDD by turning on the second switch sw2. The micro controller unit 1000 may wait for an external input in a low power mode. Details of the low power mode have been described above with reference to FIG. 4. Therefore, detailed description of the low power mode will be omitted here.

- 마이크로 콘트롤러 유닛의 저전력 모드에서 고전력 모드로의 전환 -Switch from low power mode to high power mode of the microcontroller unit

마이크로 콘트롤러 유닛(1000)이 저전력 모드인 상태에서 외부 입력이 감지되는 경우에는, 저전력 모드에서 고전력 모드로 전환될 수 있다. 이하, 도 8 내지 도 9e를 참조하여 도 1의 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)이 저전력 모드에서 고전력 모드로 전환되는 프로세스에 대하여 설명한다.When the external input is detected while the micro controller unit 1000 is in the low power mode, the micro controller unit 1000 may be switched from the low power mode to the high power mode. Hereinafter, a process of switching the microcontroller unit 1000 of FIG. 1 from the low power mode to the high power mode will be described with reference to FIGS. 8 to 9E.

도 8은 도 5의 S52를 좀 더 구체화 한 플로우 차트이다. 도 9a 내지 도9e는 도 8의 각 단계에서 마이크로 콘트롤러 유닛에서 발생하는 신호의 흐름 및 그에 따른 마이크로 콘트롤러 유닛에서의 변화를 구체적으로 나타내는 기능 블록 다이어그램이다.
FIG. 8 is a flow chart more embodying S52 of FIG. 5. 9A to 9E are functional block diagrams specifically showing the signal flow generated in the microcontroller unit in each step of FIG. 8 and a change in the microcontroller unit accordingly.

먼저, 도 8을 참조하면, 도 5의 저전력 모드에서 고전력 모드로의 전환 단계(S52)는 저전력 모드 단계(S81), 고전력 모드로의 전환 명령 수신 단계(S82), 고전력 모드에서의 작업 환경 정보를 고전력 모듈로 옮김 단계(S83), 저전력 모듈에의 전원 공급 차단 단계(S84) 및 고전력 모드 단계(S85)를 포함할 수 있다.First, referring to FIG. 8, the step S52 of switching from the low power mode to the high power mode of FIG. 5 includes the low power mode step S81, the step of receiving a switch command to the high power mode S82, and the work environment information in the high power mode. It may include the step of moving to a high power module (S83), the power supply to the low power module (S84) and the high power mode step (S85).

가장 먼저, 저전력 모드에서 고전력 모드의 전환 단계(S52)에서 마이크로 콘트로러 유닛(1000)은 저전력 모드에 있을 수 있다(S81).First, in the step S52 of switching from the low power mode to the high power mode, the microcontroller unit 1000 may be in the low power mode (S81).

도 9a를 참조하면, 제 1 스위치(sw1)가 오프 되어 고전력 모듈(1100)에 공급되는 전원(VDD)는 차단될 수 있다. 그리고, 저전력 모듈(1200)은 제 2 스위치(sw2)가 온 되어 전원(VDD)를 공급받을 수 있다. 이러한, 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)은 저전력 모드 상태에서 외부 입력을 대기할 수 있다. 저전력 모드에 대한 구체적인 사항은 도 4를 참조하여 상술하였다. 따라서, 여기서 저전력 모드에 대한 구체적인 사항에 대한 설명은 생략한다.
Referring to FIG. 9A, the power VDD supplied to the high power module 1100 may be shut off by turning off the first switch sw1. In addition, the low power module 1200 may receive the power supply VDD by turning on the second switch sw2. The micro controller unit 1000 may wait for an external input in a low power mode. Details of the low power mode have been described above with reference to FIG. 4. Therefore, detailed description of the low power mode will be omitted here.

고전력 모드로의 전환 명령 수신 단계(S82)는 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)이 저전력 모드인 상태에서 외부 입력의 발생에 대응하여, 고전력 모드로의 전환 명령을 슬립 모드 콘트롤러(1230)가 수신하는 단계이다. 이하, 도 9b를 참조하여, 고전력 모드로의 전환 명령 수신 단계(S82)의 구체적인 프로세스에 대하여 설명한다.In the step S82 of receiving a switch command to the high power mode, the sleep mode controller 1230 receives a switch command to the high power mode in response to the occurrence of an external input while the microcontroller unit 1000 is in the low power mode. . Hereinafter, with reference to FIG. 9B, a specific process of the step S82 of receiving the switch command to the high power mode will be described.

도 9b를 참조하면, 가장 먼저, 외부 입력이 감지되는 것에 대응하여, 모드 제어부(2000)는 하이 레벨의 GPIO 신호(GPIO)를 출력할 수 있다(①). 제 3 핀(P3)를 경유하여 GPIO 신호(GPIO)가 제 1 AND 게이트(1300)의 입력단에 수신되면, 제 1 AND 게이트(1300)의 두 입력단에 모두 하이 레벨의 신호가 수신되므로, 제 1 AND 게이트(1300)는 하이 레벨 신호를 OR 게이트의 입력단(1400) 및 슬립 모드 콘트롤러(1230)로 출력할 수 있다(②). 이때, OR 게이트(1400)는 입력단에 하이 레벨이 수신되므로 하이 레벨 신호를 출력할 수 있다(③). 그 다음, 제 1 스위치(sw1)는 하이 레벨의 신호를 공급 받아 온 될 수 있다(④). 그 다음, 고전력 모듈(1100)은 제 1 스위치(sw1)를 경유하여 전원(VDD)를 공급 받을 수 있다(⑤).
Referring to FIG. 9B, first, in response to an external input being sensed, the mode controller 2000 may output a high level GPIO signal GPIO (①). When the GPIO signal GPIO is received at the input terminal of the first AND gate 1300 via the third pin P3, a signal having a high level is received at both input terminals of the first AND gate 1300. The AND gate 1300 may output the high level signal to the input terminal 1400 and the sleep mode controller 1230 of the OR gate (2). At this time, since the high level is received at the input terminal, the OR gate 1400 may output a high level signal (③). Next, the first switch sw1 may be turned on to receive a high level signal (④). Next, the high power module 1100 may receive the power supply VDD via the first switch sw1 (⑤).

고전력 모드에서의 작업 환경 정보를 고전력 모듈로 옮김 단계(S83)는 저전력 모듈(1200) 내의 저장부(1250)가 저장하고 있는 이전의 고전력 모드에서의 작업 환경 정보를 고전력 모듈(1100)로 옮겨 저장하는 단계이다. 여기서, 옮김의 대상이 되는 작업 환경 정보는 도6의 S63에서 본 바와 같이, 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)의 고전력 모드에서 저전력 모드로의 전환 시점에서의 작업 환경 정보일 수 있다. 이하, 도 9c를 참조하여, 고전력 모드에서의 작업 환경 정보를 고전력 모듈로 옮김 단계(S83)의 구체적인 프로세스에 대하여 설명한다.Moving the work environment information in the high power mode to the high power module (S83) transfers and saves the work environment information in the previous high power mode stored in the storage unit 1250 in the low power module 1200 to the high power module 1100. It's a step. Here, the work environment information to be moved may be the work environment information at the time of switching from the high power mode to the low power mode of the microcontroller unit 1000 as shown in S63 of FIG. 6. Hereinafter, referring to FIG. 9C, a detailed process of transferring the work environment information in the high power mode to the high power module (S83) will be described.

도 9c를 참조하면, 가장 먼저, 슬립 모드 콘트롤러(1230)가 S82에서 제 1 AND 게이트(1300)로부터 하이 레벨의 신호를 수신하는 것에 대응하여, 코어(1120)로 소정의 신호를 송출할 수 있다(①). 그 다음, 그 신호를 수신한 코어(1120)는 저장부(1250)에 저장된 작업 환경 정보를 램(1140)으로 옮겨 저장시킬 수 있다(②). 이때, 고전력 모듈(1100)은 램(1140)에 저장된 작업 환경 정보를 사용하여 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)을 저전력 모드로의 전환 전 상태로 복원할 수 있다.
Referring to FIG. 9C, first, the sleep mode controller 1230 may transmit a predetermined signal to the core 1120 in response to receiving a high level signal from the first AND gate 1300 in S82. (①). Next, the core 1120 receiving the signal may move and store the work environment information stored in the storage 1250 to the RAM 1140 (②). In this case, the high power module 1100 may restore the microcontroller unit 1000 to the state before switching to the low power mode using the work environment information stored in the RAM 1140.

저전력 모듈에의 전원 공급 차단 단계(S84)는 제 2 스위치(sw2)를 오프시켜 저전력 모듈에 공급되는 전원을 차단하는 단계이다. 이하, 도 9d를 참조하여, 저전력 모듈에의 전원 공급 차단 단계(S84)의 구체적인 프로세스에 대하여 설명한다.In the power supply cutoff step S84 of the low power module, the second switch sw2 is turned off to cut off the power supplied to the low power module. Hereinafter, with reference to FIG. 9D, the specific process of the power supply interruption step S84 to a low power module is demonstrated.

도 9d를 참조하면, 가장 먼저, 코어(1120)가 S83에서 작업 환경 정보를 램(1140)으로 옮기는 작업을 완료하면, 슬립 모드 콘트롤러(1230)로 소정의 신호를 송출할 수 있다(①). 그 다음, 그 신호를 수신한 슬립 모드 콘트롤러(1230)는 제 5 핀(P5)를 경유하여, 모드 제어부(2000)로 고전력 모드로의 전환이 완료되었음을 알리는 신호를 송출할 수 있다(②). 이와 달리, 코어(1120)가 직접 모드 제어부(2000)로 고전력 모드로의 전환이 완료되었음을 알리는 신호를 송출하도록 설정될 수도 있다. 그 다음, 고전력 모드로의 전환 완료의 알림을 받은 모드 제어부(2000)는 하이 레벨의 인에이블 신호(EN)의 송출을 중단할 수 있다(③). 그 다음, 제 2 스위치(sw2)가 오프될 수 있다(④). 그 다음, 저전력 모듈(1200)에 공급되는 전원이 차단될 수 있다(⑤).
Referring to FIG. 9D, first, when the core 1120 completes the operation of moving the work environment information to the RAM 1140 in S83, a predetermined signal may be transmitted to the sleep mode controller 1230 (①). Next, the sleep mode controller 1230 having received the signal may transmit a signal indicating that the switch to the high power mode is completed to the mode controller 2000 via the fifth pin P5 (2). Alternatively, the core 1120 may be set to send a signal to the mode controller 2000 informing that the switch to the high power mode is completed. Next, the mode control unit 2000 that is notified of the completion of the switching to the high power mode may stop transmitting the high level enable signal EN (③). Then, the second switch sw2 may be turned off (④). Then, the power supplied to the low power module 1200 may be cut off (⑤).

고전력 모드 단계(S85)는 S84에서 저전력부(1200)에 공급되는 전원이 차단되는 것에 의해 마이크로 콘트롤러 유닛(1000)이 고전력 모드에 진입한 단계이다.The high power mode step S85 is a step in which the microcontroller unit 1000 enters the high power mode by cutting off the power supplied to the low power unit 1200 in S84.

도 9e를 참조하면, 제 2 스위치(sw2)가 오프되어 저전력 모듈(1200)에 공급되는 전원은 차단되며, 고전력 모듈(1100) 만이 전원을 공급 받아 동작할 수 있다. 고전력 모드에 대한 구체적인 사항은 도 3을 참조하여 상술하였다. 따라서, 여기서는 고전력 모드에 대한 구체적인 사항에 대한 설명은 생략한다.
Referring to FIG. 9E, the power supplied to the low power module 1200 is cut off because the second switch sw2 is turned off, and only the high power module 1100 may operate by being supplied with power. Details of the high power mode have been described above with reference to FIG. 3. Therefore, detailed description of the high power mode is omitted here.

한편, 이러한 본 발명에 의한 마이크로 콘트롤러 유닛 제어 방법은 프로그램으로 구현되어 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체(씨디롬, 램, 롬, 플로피 디스크, 하드 디스크, 광자기 디스크 등)에 저장될 수 있다.
Meanwhile, the method of controlling the microcontroller unit according to the present invention may be implemented as a program and stored in a computer-readable recording medium (CD-ROM, RAM, ROM, floppy disk, hard disk, magneto-optical disk, etc.).

상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대해 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
Preferred embodiments of the present invention described above are disclosed for purposes of illustration, and those skilled in the art will be able to make various modifications, changes, and additions within the spirit and scope of the present invention. Additions should be considered to be within the scope of the following claims.

1000 : 마이크로 콘트롤러 유닛
1100 : 고전력 모듈 1110 : 메인 전원 공급부
1120 : 코어 1130 : 플레시 메모리
1140 : 램
1200 : 저전력 모듈 1210 : 서브 전원 공급부
1220 : 파워 온 리셋부 1230 : 슬림 모드 콘트롤러
1231 : 저전력 전환부 1232 : 고전력 전환부
1240 : 서브 클럭 공급부 1250 : 저장부
1300 : 제 1 AND 게이트 1400 : OR 게이트
1500 : 제 2 AND 게이트
P1 : 제 1 핀 P2 : 제 2 핀
P3 : 제 3 핀 P4 : 제 4 핀
P5 : 제 5 핀 a : 노드
sw1 : 제 1 스위치 sw2 : 제 2 스위치
1000: Micro Controller Unit
1100: high power module 1110: main power supply
1120 core 1130 flash memory
1140: ram
1200: low power module 1210: sub power supply
1220: power on reset unit 1230: slim mode controller
1231: low power switching unit 1232: high power switching unit
1240: sub clock supply unit 1250: storage unit
1300: first AND gate 1400: OR gate
1500: second AND gate
P1: first pin P2: second pin
P3: third pin P4: fourth pin
P5: fifth pin a: node
sw1: first switch sw2: second switch

Claims (17)

마이크로 콘트롤러 유닛(micro controller unit)에 있어서,
고전력 모드(mode)에서 전원을 공급 받아 동작하고, 저전력 모드에서는 전원 공급이 차단되는 고전력 모듈; 및
저전력 모드에서 전원을 공급 받아 동작하고, 고전력 모드에서는 전원 공급이 차단되며, 고전력 모드에서의 작업 환경 정보를 저장할 수 있는 저장부를 구비한 저전력 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 콘트롤러 유닛.
In a micro controller unit,
A high power module which operates by being supplied with power in a high power mode, and which is cut off in a low power mode; And
The microcontroller unit includes a low power module that operates by being supplied with power in a low power mode, is cut off in a high power mode, and has a storage unit capable of storing work environment information in a high power mode.
제 1 항에 있어서,
상기 저전력 모듈은 고전력 모드와 저전력 모드 간의 전환을 제어하는 슬립 모드 콘트롤러(sleep mode controller)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 콘트롤러 유닛.
The method of claim 1,
The low power module further comprises a sleep mode controller for controlling switching between high power mode and low power mode.
제 2 항에 있어서,
상기 슬립 모드 콘트롤러는 고전력 모드에서 미리 설정된 시간 동안 외부 입력이 없는 것에 대응하여 고전력 모드에서 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하고, 상기 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 것에 대응하여 고전력 모드에서의 작업 환경 정보를 상기 고전력 모듈로부터 전달 받아 저장하고, 상기 고전력 모듈에 공급되는 전원을 차단하는 것에 의해 고전력 모드로부터 저전력 모드로의 전환을 제어하는 것을 특징으로 하는 마이크로 콘트롤러 유닛.
The method of claim 2,
The sleep mode controller receives a command to switch from the high power mode to the low power mode in response to no external input for a preset time in the high power mode, and in the high power mode in response to the command to switch to the low power mode. And receiving and storing the work environment information of the high power module and controlling the switching from the high power mode to the low power mode by cutting off the power supplied to the high power module.
제 3 항에 있어서,
상기 슬립 모드 콘트롤러는 저전력 모드에서 외부 입력이 발생한 것에 대응하여 저전력 모드로부터 고전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하고, 상기 고전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 것에 대응하여 상기 저전력 모드로의 전환시 저장한 작업 환경 정보를 상기 고전력 모듈이 상기 고전력 모듈 내에 저장하도록 하고, 상기 고전력 모듈이 상기 작업 환경 정보를 저장하는 것에 대응하여 상기 저전력 모듈에 공급되는 전원이 차단되도록 하는 것에 의해 저전력 모드에서 고전력 모드로의 전환을 제어하는 것을 특징으로 하는 마이크로 콘트롤러 유닛.
The method of claim 3, wherein
The sleep mode controller receives a command to switch from a low power mode to a high power mode in response to an external input occurring in the low power mode, and when switching to the low power mode in response to receiving a command to switch to the high power mode. Save the stored work environment information in the high power module in the high power module, and in response to the high power module stores the work environment information, the power supplied to the low power module is cut off in the high power mode in the high power mode Microcontroller unit for controlling the switching to the.
제 1 항에 있어서,
상기 저장부는 적어도 하나의 리텐션 셀(retention cell)로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 콘트롤러 유닛.
The method of claim 1,
And the storage part is formed of at least one retention cell.
제 1 항에 있어서,
상기 저장부는 상기 고전력 모듈 내의 저장 매체 중 어느 하나보다 작은 용량을 가지는 것을 특징으로 하는 마이크로 콘트롤로 유닛.
The method of claim 1,
And the storage unit has a smaller capacity than any one of the storage media in the high power module.
제 2 항에 있어서,
상기 고전력 모듈에 전원이 공급되는 경로에 설치된 제 1 스위치;
상기 제 1 스위치의 출력단이 연결되어 고전력 모드에서는 하이 레벨(high level) 신호를 출력하여 상기 제 1 스위치를 온(on)시키고 저전력 모드에서는 로우 레벨(low level) 신호를 출력하여 상기 제 1 스위치를 오프(off)시키는 구조로 설치된 OR 게이트(gate);
하나의 입력단은 하이 레벨 신호를 수신하고, 다른 하나의 입력단은 고전력 모드에서는 하이 레벨 신호를 수신하고 저전력 모드에서는 로우 레벨 신호를 수신하며 출력단은 상기 OR 게이트의 입력단 및 상기 슬립 모드 콘트롤러에 연결된 제 1 AND 게이트;
상기 저전력 모듈에 전원이 공급되는 경로에 설치되고, 저전력 모드에서는 외부로부터 하이 레벨의 인에이블(enable) 신호를 인가 받아 온되고, 고전력 모드에서는 상기 하이 레벨의 인에이블 신호가 제거되는 것에 의해 오프되도록 설치된 제 2 스위치; 및
하나의 입력단은 저전력 모드에서 상기 하이 레벨의 인에이블 신호를 입력 받고, 다른 하나의 입력단은 상기 슬립 모드 콘트롤러와 연결되어 고전력 모드 및 저전력 모드에서 로우 레벨의 신호를 입력 받고, 출력단은 상기 OR 게이트의 입력단과 연결된 제 2 AND 게이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 콘트롤러 유닛.
The method of claim 2,
A first switch installed in a path through which power is supplied to the high power module;
The output terminal of the first switch is connected to output a high level signal in a high power mode to turn on the first switch and to output a low level signal in a low power mode to turn the first switch on. An OR gate provided in a structure for turning off;
One input terminal receives a high level signal, the other input terminal receives a high level signal in a high power mode and a low level signal in a low power mode, and an output terminal is connected to an input terminal of the OR gate and a sleep mode controller. AND gate;
The low power module is installed in a path through which power is supplied, and in a low power mode, a high level enable signal is applied from an external source, and in a high power mode, the high power enable signal is turned off by removing the high level enable signal. A second switch installed; And
One input terminal receives the high level enable signal in a low power mode, the other input terminal is connected to the sleep mode controller to receive a low level signal in a high power mode and a low power mode, and an output terminal of the OR gate. And a second AND gate coupled to the input terminal.
제 7 항에 있어서,
상기 슬립 모드 콘트롤러는 고전력 모드에서 저전력 모드로의 전환시, 상기 제 2스위치가 온 되는 것에 의해 전원을 공급 받고, 상기 제 2 AND 게이트에 하이 레벨의 신호를 출력하는 것에 의해 상기 제 2 AND 게이트가 하이 레벨 신호를 출력하도록 하고, 외부로 소정의 신호를 출력하여 상기 제 1 AND 게이트가 출력을 하이 레벨 신호에서 로우 레벨 신호로 변경하도록 하고, 상기 제 1 AND 게이트가 출력을 하이 레벨 신호에서 로우 레벨 신호로 변경하는 것에 대응하여 상기 고전력 모드로 소정의 신호를 출력하여 상기 고전력 모듈이 작업 환경 정보를 상기 저전력 모듈에 저장하도록 하며, 상기 저전력 모듈에의 저장이 완료되는 것에 대응하여 상기 제 2 AND 게이트에 로우 레벨의 신호를 출력하는 것에 의해 상기 제 1 스위치가 오프되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 마이크로 콘트롤러 유닛.
The method of claim 7, wherein
The sleep mode controller is supplied with power by turning on the second switch when switching from a high power mode to a low power mode, and outputting a high level signal to the second AND gate to turn off the second AND gate. Output a high level signal, output a predetermined signal externally such that the first AND gate changes the output from a high level signal to a low level signal, and the first AND gate changes the output from a high level signal to a low level. Outputting a predetermined signal in the high power mode in response to a change to a signal to cause the high power module to store work environment information in the low power module, and the second AND gate in response to the completion of storage in the low power module; Controlling the first switch to be turned off by outputting a low level signal at Microcontroller unit.
제 7 항에 있어서,
상기 슬립 모드 콘트롤러는 저전력 모드에서 고전력 모드로의 전환시, 상기 제 1 AND 게이트가 출력을 로우 레벨 신호에서 하이 레벨 신호로 변경하는 것에 대응하여 고전력 모듈에 소정의 신호를 출력하여 상기 고전력 모듈이 상기 저전력 모듈에 저장된 작업 환경 정보를 고전력 모듈에 저장하도록 하며, 상기 고전력 모듈에의 저장이 완료되는 것에 대응하여 상기 저전력 모듈에 공급되는 전원을 차단하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 마이크로 콘트롤러 유닛.
The method of claim 7, wherein
The sleep mode controller outputs a predetermined signal to a high power module in response to the first AND gate changing an output from a low level signal to a high level signal when switching from a low power mode to a high power mode, thereby allowing the high power module to output the predetermined signal. And storing the work environment information stored in the low power module in the high power module, and controlling to cut off the power supplied to the low power module in response to completion of the storage in the high power module.
제 1 항에 있어서,
상기 고전력 모듈과 상기 저전력 모듈은 물리적으로 분리된 별개의 모듈로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 콘트롤러 유닛.
The method of claim 1,
And the high power module and the low power module are physically separated into separate modules.
고전력 모드에서 동작하는 고전력 모듈과 저전력 모드에서 동작하는 저전력 모듈을 포함하는 마이크로 콘트롤러 유닛의 제어 방법에 있어서,
고전력 모드로부터 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 단계;
상기 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 것에 대응하여, 상기 고전력 모듈로 소정의 신호를 출력하여 상기 고전력 모듈이 작업 환경 정보를 저전력 모듈에 저장하도록 하는 단계; 및
상기 작업 환경 정보가 저전력 모듈에 저장되는 것에 대응하여, 상기 고전력 모듈에 공급되는 전원을 차단하도록 하는 신호를 출력하는 것에 의해 저전력 모드로 전환되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 콘트롤러 유닛의 제어 방법.
In the control method of a microcontroller unit comprising a high power module operating in a high power mode and a low power module operating in a low power mode,
Receiving a command to transition from a high power mode to a low power mode;
In response to receiving a command to switch to the low power mode, outputting a predetermined signal to the high power module such that the high power module stores work environment information in the low power module; And
In response to the work environment information being stored in the low power module, controlling the microcontroller unit to switch to the low power mode by outputting a signal to cut off the power supplied to the high power module. Way.
제 11 항에 있어서,
상기 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 단계는,
고전력 모드로부터 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 단계;
상기 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령의 수신 전에 상기 고전력 모듈에 전원이 공급되도록 하는 신호와는 별개로, 상기 고전력 모듈에 전원이 공급되도록 하는 신호를 출력하는 단계; 및
상기 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령의 수신 전에 상기 고전력 모듈에 전원이 공급되도록 하는 신호를 제거하도록 하는 신호를 외부로 송출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 콘트롤로 유닛의 제어 방법.
The method of claim 11,
Receiving a command to switch to the low power mode,
Receiving a command to transition from a high power mode to a low power mode;
Outputting a signal for supplying power to the high power module separately from a signal for supplying power to the high power module before receiving a command to switch to the low power mode; And
And transmitting a signal to the outside to remove a signal for supplying power to the high power module before receiving the command to switch to the low power mode.
제 12 항에 있어서,
상기 저전력 모드로 전환되도록 하는 단계는,
상기 저전력 모드로의 전환 명령 수신 전에 상기 고전력 모듈에 전원이 공급되도록 하는 신호와는 별개로 상기 고전력 모듈에 전원이 공급되도록 하는 신호를 제거하는 것에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 마이크로 콘트롤러 유닛의 제어 방법.
The method of claim 12,
The step of switching to the low power mode,
And removing the signal for supplying power to the high power module separately from the signal for supplying power to the high power module before receiving the switch to the low power mode. .
제 11 항에 있어서,
저전력 모드로부터 고전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 단계;
상기 고전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 것에 대응하여, 상기 고전력 모듈로 소정의 신호를 출력하여 상기 고전력 모듈이 상기 저전력 모듈에 저장된 작업 환경 정보를 고전력 모듈에 저장하도록 하는 단계; 및
상기 작업 환경 정보가 고전력 모듈에 저장되는 것에 대응하여, 상기 저전력 모듈에 공급되는 전원을 차단하도록 하는 신호를 출력하는 것에 의해 고전력 모드로 전환되도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 콘트롤러 유닛의 제어 방법.
The method of claim 11,
Receiving a command to transition from a low power mode to a high power mode;
In response to receiving a command to switch to the high power mode, outputting a predetermined signal to the high power module to cause the high power module to store work environment information stored in the low power module in the high power module; And
And in response to the working environment information being stored in the high power module, switching to the high power mode by outputting a signal to cut off the power supplied to the low power module. Control method.
제 14 항에 있어서,
상기 고전력 모드로 전환하도록 하는 명령은 상기 고전력 모듈에 전원이 공급되도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로 콘트롤러 유닛의 제어 방법.
The method of claim 14,
And a command to switch to the high power mode is such that power is supplied to the high power module.
제 14 항에 있어서,
상기 고전력 모드로 전환되도록 하는 단계는,
상기 고전력 모듈로부터 상기 작업 환경 정보가 고전력 모듈에 저장이 된 것을 알리는 신호를 수신하는 단계; 및
상기 알리는 신호를 수신하는 것에 대응하여, 상기 저전력 모듈에 공급되는 전원을 차단하도록 하는 신호를 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 콘트롤러 유닛.
The method of claim 14,
The step of switching to the high power mode,
Receiving a signal indicating that the work environment information is stored in the high power module from the high power module; And
And in response to receiving the informing signal, outputting a signal to cut off power supplied to the low power module.
고전력 모드에서 동작하는 고전력 모듈과 저전력 모드에서 동작하는 저전력 모듈을 포함하는 마이크로 콘트롤러 유닛의 제어 방법을 구현하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체에 있어서,
고전력 모드로부터 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 단계;
상기 저전력 모드로 전환하도록 하는 명령을 수신하는 것에 대응하여, 상기 고전력 모듈로 소정의 신호를 출력하여 상기 고전력 모듈이 작업 환경 정보를 저전력 모듈에 저장하도록 하는 단계; 및
상기 작업 환경 정보가 저전력 모듈에 저장되는 것에 대응하여, 상기 고전력 모듈에 공급되는 전원을 차단하도록 하는 신호를 출력하는 것에 의해 저전력 모드로 전환되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 콘트롤러 유닛의 제어 방법을 구현하기 위한 프로그램을 기록한 기록매체.
A recording medium having a program recorded thereon for implementing a control method of a microcontroller unit including a high power module operating in a high power mode and a low power module operating in a low power mode,
Receiving a command to transition from a high power mode to a low power mode;
In response to receiving a command to switch to the low power mode, outputting a predetermined signal to the high power module such that the high power module stores work environment information in the low power module; And
In response to the work environment information being stored in the low power module, controlling the microcontroller unit to switch to the low power mode by outputting a signal to cut off the power supplied to the high power module. Record carrier recording a program for implementing the method.
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