KR20110127422A - 전자소자용 세정액 조성물 - Google Patents

전자소자용 세정액 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR20110127422A
KR20110127422A KR1020100046887A KR20100046887A KR20110127422A KR 20110127422 A KR20110127422 A KR 20110127422A KR 1020100046887 A KR1020100046887 A KR 1020100046887A KR 20100046887 A KR20100046887 A KR 20100046887A KR 20110127422 A KR20110127422 A KR 20110127422A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
acid
weight
group
ether
cleaning liquid
Prior art date
Application number
KR1020100046887A
Other languages
English (en)
Inventor
방순홍
윤효중
홍헌표
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Priority to KR1020100046887A priority Critical patent/KR20110127422A/ko
Publication of KR20110127422A publication Critical patent/KR20110127422A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/265—Carboxylic acids or salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

본 발명은, 조성물 총 중량에 대하여, 염기성 화합물 0.05 내지 20중량%, 유기인산 화합물 0.01 내지 20중량%, 폴리올 화합물 0.01 내지 20중량%, 극성 유기용매 0.1 내지 40중량% 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 조성물에 관한 것이다.

Description

전자소자용 세정액 조성물{Cleaning composition for electronic devices}
본 발명은 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이, 플렉서블 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이(이하 ‘FPD’라 한다)용 기판의 세정액 조성물에 관한 것이다.
액정 디스플레이로 대표되는 FPD는, 반도체 디바이스와 같이, 성막, 노광, 배선 에칭 등의 공정을 거쳐 제조되며, 이러한 공정 중, 기판 표면에 각종의 유기물이나 무기물 등의 크기가 1㎛ 이하인 파티클(Particle)이 부착되어 기판의 오염을 야기한다. 이러한 오염물이 부착한 채로, 다음의 공정 처리를 실시했을 경우, 막의 핀홀이나 피트, 배선의 단선이나 브릿지(Bridge)가 발생하여, 제품의 제조 수율을 크게 저하시킨다. 따라서 이러한 오염물을 제거하기 위한 세정이 각 공정간에 행해지고 있으며, 이를 위한 다양한 세정액이 소개되고 있다.
일본공개특허 제2002-184743호는 하나 이상의 다가 알콜, 물, 하나 이상의 수혼화성 아민 및 하나 이상의 극성 용매를 포함하는, 기판으로부터 중합체 물질을 제거하기 위한 조성물을 개시하고 있다. 상기 조성물은 금속배선의 부식을 방지하기 위하여 별도의 부식 억제제를 사용하여야 하는 단점이 있다.
대한민국 출원 제10-2001-0015565호는 폴리올 화합물, 글리콜 에테르, 5 중량% 이상의 물, 플루오라이드 염, 및 첨가제를 포함 하는, 기판으로부터 중합체 물질을 제거하기 위한 조성물을 개시하고 있다. 그러나, 상기 조성물은 다량의 폴리올을 사용하기 때문에 케미칼 사용 후 물로 린스할 때 린스성이 떨어지고, 조성물에 포함되는 플루오라이드 염은 장기 사용시 석출의 문제를 야기하며, 금속배선을 부식시키는 문제도 야기한다.
대한민국 출원 제10-2006-0076073호는 1종 이상의 폴리올 화합물, 1종 이상의 글리콜 에테르 용매, N-메틸 피롤리돈 및 1종 이상의 부식 억제제를 포함하고, 실질적으로 워터-프리(water-free)인, 기판으로부터 중합체 재료를 제거하기 위한 조성물을 개시하고 있다. 그러나, 상기 조성물은 다량의 유기용매를 사용함으로써 환경적으로 바람직 하지 않을 뿐만 아니라, 금속배선의 부식을 방지하기 위하여 별도의 부식 억제제를 사용하여야 하는 단점이 있다.
본 발명은, 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 플랫 패널 디스플레이(FPD) 기판을 제작하는 공정에서 유리기판 또는 금속막질을 오염시키는 유기 오염물이나 파티클의 제거력이 우수하며; FPD 기판상에 형성되어 있는 알루미늄, 알루미늄합금, 구리, 구리합금 등의 금속배선에 대한 부식방지력이 우수한 세정액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 조성물 총 중량에 대하여, 염기성 화합물 0.05 내지 20중량%, 유기인산 화합물 0.01 내지 20중량%, 폴리올 화합물 0.01 내지 20중량%, 극성 유기용매 0.1 내지 40중량% 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은, 본 발명의 세정액 조성물을 사용하여 기판을 세정하는 공정을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 세정액 조성물은 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 유리기판 또는 금속막질 표면에 존재하는 유기 오염물 및 파티클의 제거력이 우수하고, 기판상에 형성되어 있는 알루미늄, 알루미늄합금, 구리, 구리합금 등의 금속배선에 대한 부식방지 효과가 우수하다. 또한, 다량의 물을 포함하고 있어서 취급이 용이하며 환경적으로도 유리하다.
본 발명은, 조성물 총 중량에 대하여, 염기성 화합물 0.05 내지 20중량%, 유기인산 화합물 0.01 내지 20중량%, 폴리올 화합물 0.01 내지 20중량%, 극성 유기용매 0.1 내지 40중량% 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 세정액 조성물은 별도의 금속 부식방지제를 사용함이 없이도 금속배선에 대한 우수한 부식방지 효과를 제공하며, 다량의 물을 포함하고 있어서 취급이 용이하며, 환경적으로도 유리한 특징을 갖는다.
본 발명의 세정액 조성물에 포함되는 염기성 화합물로는 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH), 테트라에틸암모늄 히드록시드(TEAH), 테트라프로필암모늄 히드록시드(TPAH), 테트라부틸암모늄 히드록시드(TBAH) 등의 4급 암모늄염 화합물; 메틸아민, 에틸아민, 모노이소프로필아민 등의 일급 아민, 디에틸아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민 등의 2급 아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리이소프로필아민, 트리부틸아민 등의 3급 아민 등의 유기 염기 화합물; 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, Ｎ-메틸디에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 디에틸아미노에탄올, 니트릴로트리에탄올, ２-(２-아미노에톡시)에탄올, １-아미노-２-프로판올, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, 디부탄올아민 등의 알칸올아민 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 염기성 화합물은 조성물의 총 중량에 대하여 0.05 내지 20중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 0.1 내지 10중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 염기성 화합물이 0.05중량% 미만으로 포함되면, 미세입자, 유기 오염물 및 무기 오염물에 대하여 충분한 세정효과를 얻을 수 없고, 20중량%를 초과하면 pH가 높아져서 금속 배선에 대한 부식이 증가한다.
본 발명의 세정액 조성물에 포함되는 유기인산 화합물은 유리기판 상에 위치하는 유기 오염물 혹은 파티클 제거에 우수한 효과를 나타낸다. 또한 세정액 조성물 전체의 pH를 조절함으로써 금속 부식방지 효과와 세정효과의 양립에 중요한 역할을 한다.
상기 유기인산 화합물로는 아미노트리(메틸렌포스폰산), 에틸리덴디포스폰산, 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, 1-히드록시프로필리덴-1,1-디포스폰산, 1-히드록시부틸리덴-1,1-디포스폰산, 에틸아미노비스(메틸렌포스폰산), 1,2-프로필렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 도데실아미노비스(메틸렌포스폰산), 니트로트리스(메틸렌포스폰산), 에틸렌디아민비스(메틸렌포스폰산), 에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 헥센디아민테트라(메틸렌포스폰산), 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산), 시클로헥산디아민테트라(메틸렌포스폰산), 히드록시포스포노아세트산, 2-포스핀산 부탄-1,2,4-트리카르복실산 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 유기인산 화합물은 조성물 총 중량에 대하여, 0.01 내지 20중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 0.1 내지 10중량%으로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 유기인산 화합물이 0.01중량% 미만으로 포함되면 세정액 조성물의 오염물 혹은 파티클 제거력이 저하되고, 세정액 조성물의 pH 조절이 어려워지며, 20중량%를 초과하면 pH저하로 인하여 파티클에 대한 세정력이 저하되고 금속배선에 대한 부식이 증가하는 문제가 발생될 수 있다.
본 발명의 세정액 조성물에 포함되는 폴리올 화합물은 알루미늄 또는 구리를 포함하는 금속 배선에 대한 부식을 방지하는 역할을 한다. 이러한 폴리올 화합물은 배선을 형성하는 금속층과 결합을 형성하여 하부 금속층이 부식되는 것을 방지한다. 폴리올 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다:
[화학식1]
Figure pat00001
상기 식에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 탄소수 1~10의 알킬렌기, 탄소수 2~10의 알케닐렌기, 탄소수 1~10의 히드록시알킬렌기, 탄소수 1~10의 카르복시알킬렌기, 탄소수 1~10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1~10의 알킬렌기, 또는 결합을 나타낸다.
상기에서 카르복시알킬렌은 알킬렌기에 포함된 하나 이상의 수소가 카르복시기로 치환된 것을 의미하며, 히드록시알킬렌은 알킬렌기에 포함된 하나 이상의 수소가 히드록시기로 치환된 것을 의미한다.
상기 폴리올 화합물의 구체적인 예로는, 시클로헥산 1,3-디올, 시클로헥산 1,4-디올, 시클로헥산 1,4-디메탄올, 시클로헥산 1,4-디에탄올 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 폴리올 화합물은 조성물 총 중량에 대해 0.01~20중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 0.1~10중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 폴리올 화합물이 0.01중량% 미만으로 포함되는 경우, 알루미늄 및 구리 등의 금속막에 대한 부식방지 효과를 얻기 어렵고, 파티클 등의 오염물에 대한 세정 능력도 저하되며, 20중량%를 초과하면 경제성도 저하되고 물 및 극성용매에 대한 용해력도 저하되는 문제가 발생될 수 있다.
본 발명의 세정액 조성물에 포함되는 극성 유기용매는 양자성 및 비양자성 극성용매를 포함한다. 상기 양자성 극성용매로는 글리콜 에테르 유도체 및 글리콜 에테르의 에스테르 유도체 등을 들 수 있으며, 구체적인 예로는, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌글리콜 페닐에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 등이 있다.
비양자성 극성용매로는 피롤리돈계 화합물, 이미다졸리디논계 화합물, 아마이드계 화합물 등을 들 수 있으며, 구체적인 예로는, Ｎ-메틸 피롤리돈, Ｎ-에틸 피롤리돈, １,3-디메틸-２-이미다졸리디논, 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논, N-메틸아세트아미드, 디메틸아세트아마이드(DMAc), 디메틸포름아마이드(DMF), N-메틸-N-에틸프로피온아마이드, 디에틸아세트아마이드(DEAc), 디프로필아세트 아마이드(DPAc), N,N-디메틸프로피온아마이드, N,N-디메틸부틸아마이드, 테트라메틸렌설폰, γ―부틸올락톤, 디메틸설폭사이드, 설포란 등이 있다.
상기 극성 유기용매들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 극성 유기용매는 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 40중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 0.5 내지 20중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 극성 유기용매가 0.1중량% 미만으로 포함되면, 용매의 추가로 인한 세정제 조성물의 오염물에 대한 용해력 증가를 기대할 수 없고, 40중량%를 초과하여 포함될 경우 경제성이 저하되고, 환경적 이점도 기대할 수 없다.
본 발명의 세정액 조성물에서 물은 특별히 한정되는 것은 아니나, 탈이온수를 사용하는 것이 바람직하며, 물속에 이온이 제거된 정도를 보여주는 물의 비저항 값이 18㏁/㎝ 이상인 탈이온수를 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 세정액 조성물을 이용한 기판의 세정은 이 분야에 통상적으로 알려진 방법에 의하여 수행될 수 있다. 상기 세정방법으로는 예컨대, 스프레이(spray) 방식, 스핀(spin) 방식, 딥핑(dipping) 방식 및 초음파를 이용한 딥핑방식 등을 들 수 있다. 본 발명의 세정액 조성물이 가장 우수한 세정 효과를 나타내는 온도는 20 내지 80℃이며, 더욱 바람직한 온도는 20 내지 50℃이다. 또한 본 발명의 세정액 조성물을 사용하는 기판의 세정은 30초 내지 10분 동안 수행되는 것이 바람직하다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 변경될 수 있다.
실시예1 ~18 및 비교예1 ~ 4: 세정액 조성물의 제조
하기 표1에 기재된 구성성분들을 표시된 조성비로 혼합하고 교반하여 세정액 조성물을 제조하였다.
염기성화합물 극성유기용매 유기인산화합물 폴리올화합물 물
종류 중량% 종류 중량% 종류 중량% 종류 중량%
실시예1 A-1 0.5 B-1 10 C-1 1.0 D-1 0.5 잔량
실시예2 A-1 0.5 B-1 10 C-1 1.0 D-2 0.5 잔량
실시예3 A-1 0.5 B-1 10 C-2 1.0 D-1 0.5 잔량
실시예4 A-1 0.5 B-1 10 C-2 1.0 D-2 0.5 잔량
실시예5 A-1 0.5 B-2 10 C-1 0.5 D-1 0.5 잔량
실시예6 A-1 0.5 B-2 10 C-1 0.5 D-2 0.5 잔량
실시예7 A-1 0.5 B-2 10 C-2 1.0 D-1 0.5 잔량
실시예8 A-1 0.5 B-2 10 C-2 1.0 D-2 0.5 잔량
실시예9 A-1 1.0 B-1 10 C-1 1.5 D-1 1.0 잔량
실시예10 A-1 1.0 B-1 10 C-2 1.5 D-1 1.0 잔량
실시예11 A-1 0.2 B-1 15 C-1 0.5 D-1 0.3 잔량
실시예12 A-1 0.2 B-2 15 C-2 0.5 D-2 0.3 잔량
실시예13 A-2 0.5 B-1 10 C-1 1.0 D-1 0.5 잔량
실시예14 A-2 0.5 B-1 10 C-2 1.0 D-1 0.5 잔량
실시예15 A-3 0.5 B-1 10 C-1 1.0 D-1 0.5 잔량
실시예16 A-3 0.5 B-2 10 C-2 1.0 D-2 0.5 잔량
실시예17 A-4 0.5 B-1 10 C-2 1.0 D-1 0.5 잔량
실시예18 A-4 0.5 B-2 10 C-1 1.0 D-2 0.5 잔량
비교예1 A-1 0.5 B-1 10 - - - 잔량
비교예2 TMAH 0.5 - - - - 잔량
비교예3 NH4OH 0.5 - - - - - 잔량
비교예4 MEA 0.5 - - - - 잔량
A-1: 모노에탄올아민(MEA)
A-2: 모노이소프로필아민(MIPA)
A-3: 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH)
A-4: 테트라에틸암모늄 히드록시드(TEAH)
B-1: N-메틸피롤리돈(NMP)
B-2: 디에틸렌 글리콜 모노메틸에테르
C-1: 시클로헥산 1,4-디메탄올
C-2: 시클로헥산 1,4-디올
D-1: 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산
D-2: 아미노트리(메틸렌포스폰산)
시험예: 세정액 조성물의 특성 평가
1) 알루미늄, 구리 에칭 속도 평가
알루미늄막이 2000Å 두께로 형성된 유리기판 및 구리막이 2500Å 두께로 형성된 유리기판을 각각 실시예1 내지 실시예18 및 비교예1 내지 비교예4의 세정액 조성물에 30분간 침지시켰다. 이때 세정액의 온도는 40℃였으며, 알루미늄막 및 구리막의 두께를 침지시키기 이전과 이후에 측정하고, 알루미늄막 및 구리막의 용해속도를 두께 변화로부터 계산하고, 그 값이 0~2Å/분일 경우 ○, 2~10Å/분일 경우 △, 10Å/분 이상일 경우 X로 표시하여 하기 표 2에 나타내었다.
2) 유기 오염물 제거력 평가-1
유기 오염물의 제거력을 평가하기 위해 5㎝ x 5㎝ 크기로 형성된 유리기판 표면을 사람의 지문 자국 또는 유기성분 사인펜으로 오염시키고, 오염된 기판을 스프레이식 유리 기판 세정장치를 이용하여 40℃에서 2분 동안 실시예3, 실시예4, 실시예7 내지 실시예18의 세정액 조성물로 세정하였다. 세정 후 초순수에 30초간 세척한 후 질소로 건조하였다. 이때 평가결과는 유기 오염물이 제거가 되었을 때, ○, 제거가 되지 않았을 때 X로 하기 표2에 표시하였다.
3) 유기 오염물 제거력 평가-2
유리기판을 대기중에 24시간 방치하여 대기중의 각종 유기물, 무기물, 파티클 등으로 오염시킨 후, 스프레이식 유리 기판 세정장치를 이용하여 실시예3, 실시예4, 실시예7 내지 실시예18의 세정액 조성물로 40℃에서 2분동안 세정하였다. 세정 후 초순수에 30초 세척한 후 질소로 건조하였다. 상기 유리기판 위에 0.5㎕의 초순수 방울을 떨어뜨려 세정후의 접촉각을 측정하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
4) 유기 오염물 제거력 평가-3
실시예1, 3, 5, 7, 13, 15 및 17의 세정액 조성물을 가지고, 유기 파티클 솔루션으로 오염시킨 유리기판에 대한 세정을 실시하였다. 즉, 유리기판을 평균 입자 크기가 0.8㎛인 유기 파티클 솔루션으로 오염시키고 1분간 3000rpm으로 스핀(spin) 드라이한 후 스프레이식 유리 기판 세정장치를 이용하여 40℃에서 2분동안 각각의 세정액으로 세정하였다. 세정 후 초순수로 30초간 세척한 후 질소로 건조하였다. 세정 전후의 파티클 수는 표면입자측정기(Topcon WM-1500)를 사용하여 0.1㎛ 이상의 파티클 수를 측정하였고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
Al
에칭속도
(Å/분)		 Cu
에칭속도
(Å/분)		 유기
지문		 유기
사인펜		 접촉각 세정전 파티클 수 세정후 파티클 수 제거율
(%)
실시예1 ○ ○ - - - 3851 484 87
실시예2 ○ ○ - - - - - -
실시예3 ○ ○ ○ ○ 25 3551 562 84
실시예4 ○ ○ ○ ○ 24 - - -
실시예5 △ △ - - - 2936 732 75
실시예6 △ △ - - - - - -
실시예7 ○ ○ ○ ○ 20 2936 532 82
실시예8 ○ ○ ○ ○ 21 - - -
실시예9 ○ ○ ○ ○ 26 - - -
실시예10 ○ ○ ○ ○ 22 - - -
실시예11 △ △ ○ ○ 23 - - -
실시예12 △ △ ○ ○ 24 - - -
실시예13 ○ ○ ○ ○ 24 2962 352 88
실시예14 ○ ○ ○ ○ 25 - - -
실시예15 ○ ○ ○ ○ 26 3187 478 85
실시예16 ○ ○ ○ ○ 30 - - -
실시예17 ○ ○ ○ ○ 28 3187 478 85
실시예18 ○ ○ ○ ○ 22 - - -
비교예1 X X - - - - - -
비교예2 X X - - - - - -
비교예3 X X - - - - - -
비교예4 X X - - - - - -
상기 표2의 시험결과에서 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명의 세정액 조성물은 알루미늄과 구리에 대한 방식성능이 우수하며, 유기 오염물 및 파티클에 대한 세정능력도 매우 우수하였다.

Claims (8)

  1. 조성물 총 중량에 대하여, 염기성 화합물 0.05 내지 20중량%, 유기인산 화합물 0.01 내지 20중량%, 폴리올 화합물 0.01 내지 20중량%, 극성 유기용매 0.1 내지 40중량% 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 염기성 화합물은 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH), 테트라에틸암모늄 히드록시드(TEAH), 테트라프로필암모늄 히드록시드(TPAH), 테트라부틸암모늄 히드록시드(TBAH), 메틸아민, 에틸아민, 모노이소프로필아민, 디에틸아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리이소프로필아민, 트리부틸아민, 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, Ｎ-메틸디에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 디에틸아미노에탄올, 니트릴로트리에탄올, ２-(２-아미노에톡시)에탄올, １-아미노-２-프로판올, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민 및 디부탄올아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 세정액 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 유기인산 화합물은 아미노트리(메틸렌포스폰산), 에틸리덴디포스폰산, 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, 1-히드록시프로필리덴-1,1-디포스폰산, 1-히드록시부틸리덴-1,1-디포스폰산, 에틸아미노비스(메틸렌포스폰산), 1,2-프로필렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 도데실아미노비스(메틸렌포스폰산), 니트로트리스(메틸렌포스폰산), 에틸렌디아민비스(메틸렌포스폰산), 에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 헥센디아민테트라(메틸렌포스폰산), 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산), 시클로헥산디아민테트라(메틸렌포스폰산), 히드록시포스포노아세트산 및 2-포스핀산 부탄-1,2,4-트리카르복실산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 세정액 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 폴리올 화합물은 하기 화학식1로 표시되는 것을 특징으로 하는 세정액 조성물:
    [화학식1]
    Figure pat00002

    상기 식에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1~10의 알킬렌기, 탄소수 2~10의 알케닐렌기, 탄소수 1~10의 히드록시알킬렌기, 탄소수 1~10의 카르복시알킬렌기, 탄소수 1~10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1~10의 알킬렌기, 또는 결합을 나타낸다.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 폴리올 화합물은 시클로헥산 1,3-디올, 시클로헥산 1,4-디올, 시클로헥산 1,4-디메탄올 및 시클로헥산 1,4-디에탄올로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 세정액 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 극성 유기용매는 글리콜 에테르 유도체, 글리콜 에테르의 에스테르 유도체, 피롤리돈계 화합물, 이미다졸리디논계 화합물 및 아마이드계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 세정액 조성물.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 극성 유기용매는 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌글리콜 페닐에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, Ｎ-메틸 피롤리돈, Ｎ-에틸 피롤리돈, １,3-디메틸-２-이미다졸리디논, 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논, N-메틸아세트아미드, 디메틸아세트아마이드(DMAc), 디메틸포름아마이드(DMF), N-메틸-N-에틸프로피온아마이드, 디에틸아세트아마이드(DEAc), 디프로필아세트 아마이드(DPAc), N,N-디메틸프로피온아마이드, N,N-디메틸부틸아마이드, 테트라메틸렌설폰, γ―부틸올락톤, 디메틸설폭사이드 및 설포란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 세정액 조성물.
  8. 청구항1의 세정액 조성물을 사용하여 기판을 세정하는 공정을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
KR1020100046887A 2010-05-19 2010-05-19 전자소자용 세정액 조성물 KR20110127422A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100046887A KR20110127422A (ko) 2010-05-19 2010-05-19 전자소자용 세정액 조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100046887A KR20110127422A (ko) 2010-05-19 2010-05-19 전자소자용 세정액 조성물

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110127422A true KR20110127422A (ko) 2011-11-25

Family

ID=45396066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100046887A KR20110127422A (ko) 2010-05-19 2010-05-19 전자소자용 세정액 조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110127422A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101880308B1 (ko) Ｔｆｔ 제조용 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 ｔｆｔ의 제조방법
KR101799591B1 (ko) 전자재료용 세정액 조성물
CN110597024B (zh) 防止污渍的光刻胶剥离剂组合物及平板显示器基板的制法
JP4144959B2 (ja) フォトレジスト用のストリッパー組成物
CN103424999A (zh) 抗蚀剂剥离液组合物及使用其制造tft阵列基板的方法
KR20110007828A (ko) 구리 또는 구리합금 배선용 박리액 조성물
US20070272282A1 (en) Composition for Removing Photoresist and Method for Removing Photoresist
KR101847208B1 (ko) 평판표시장치용 세정제 조성물
TWI470380B (zh) Anti - corrosive photoresist release agent composition
KR20160108109A (ko) 레지스트 박리액 조성물
KR101880305B1 (ko) 전자재료용 세정액 조성물
KR101880306B1 (ko) 전자재료용 세정액 조성물
KR20130019729A (ko) 평판표시장치용 세정액 조성물 및 평판표시장치의 세정 방법
CN102498197A (zh) 清洗组成物
KR101880297B1 (ko) 평판표시장치용 세정제 조성물
KR101957525B1 (ko) 포토레지스트 박리액 조성물
KR102028006B1 (ko) 전자재료용 세정액 조성물
KR20080054714A (ko) 레지스트 박리용 알칼리 조성물
KR20110127422A (ko) 전자소자용 세정액 조성물
KR20080111268A (ko) 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법
KR20140044482A (ko) 전자소자용 세정액 조성물
KR20130019728A (ko) 플랫패널 디스플레이 제조용 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법
KR20130020854A (ko) 평판표시장치용 세정액 조성물 및 평판표시장치의 세정 방법
KR101888696B1 (ko) 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물
JP5717519B2 (ja) フォトレジスト用剥離液

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application