KR20110123944A - Apparatus for measuring waffer thickness of white led scaning type - Google Patents

Apparatus for measuring waffer thickness of white led scaning type Download PDF

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KR20110123944A
KR20110123944A KR1020100043441A KR20100043441A KR20110123944A KR 20110123944 A KR20110123944 A KR 20110123944A KR 1020100043441 A KR1020100043441 A KR 1020100043441A KR 20100043441 A KR20100043441 A KR 20100043441A KR 20110123944 A KR20110123944 A KR 20110123944A
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이정우
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Abstract

PURPOSE: A white light scanning type wafer thickness measuring apparatus is provided to obtain an improved image by reducing an error caused by light refraction according to the position of a wafer. CONSTITUTION: A white light scanning type wafer thickness measuring apparatus comprises a light source unit(20) which irradiates white light to a wafer, a camera(30) which receives the light reflected off the wafer, and a thickness calculation unit(50) which measures the thickness of the wafer by taking signals of specific wave lengths from image signals transmitted from the camera.

Description

백색광 주사방식 웨이퍼 두께측정장치{Apparatus for measuring waffer thickness of white LED scaning type}Apparatus for measuring waffer thickness of white LED scaning type

본 발명은 웨이퍼 두께측정장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 백색광 주사방식을 이용하여 웨이퍼의 상태에 따라 반사되거나 산란되는 수광량을 최적화 함으로써, 측정 대상체의 위치에 따른 빛의 굴절에 의한 오차를 줄여 향상된 영상을 획득하는 백색광 주사방식 웨이퍼 두께측정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer thickness measuring apparatus, and more particularly, by optimizing the amount of received light reflected or scattered according to the state of a wafer by using a white light scanning method, thereby reducing errors due to refraction of light according to the position of a measurement object. It relates to a white light scanning wafer thickness measuring apparatus for obtaining an image.

종래의 선형 레이저빔과 삼각측정법을 이용한 광학식 측정장치는 첨부한 도 1 과 같이 구성되는데, 선형 레이저빔을 만들어 측정대상체(10)에 조사시키는 레이저빔 조사장치(1)와, 측정대상체(10) 표면에서 반사 또는 산란되는 선형 레이저빔만을 투과시키고 무관한 빛을 차단하기 위한 색필터(4)와, 물체에서 반사된 레이저 빔의 영상을 획득하는 카메라(5)와, 상기 카메라에서 획득한 영상을 메모리에 저장하고 획득된 선형 영상신호를 처리하는 영상신호처리보드(6) 및 영상신호처리 프로그램을 운영하는 컴퓨터(7)로 구성된다.Conventional optical measuring apparatus using a linear laser beam and triangulation method is configured as shown in Figure 1, the laser beam irradiation apparatus 1 for producing a linear laser beam and to irradiate the measuring object 10, and the measuring object 10 A color filter 4 for transmitting only the linear laser beam reflected or scattered from the surface and blocking irrelevant light, a camera 5 for acquiring an image of the laser beam reflected from an object, and an image obtained by the camera. An image signal processing board 6 for storing a linear image signal stored in a memory and a computer 7 for operating an image signal processing program.

상기와 같이 구성된 광학식 형상측정장치에서 카메라로 획득되는 레이저빔의 영상은 물체표면이 평면이 아닌 경우, 도 2 에서 보이는 것처럼 기준선에 수직방향으로 변형되고, 이 변형량은 그 점에서의 높이 정보를 가지게 된다. 표면 형상에 따라 변형된 선형 레이저빔 영상을 카메라(5)로 획득하여 영상신호처리보드(6)와 컴퓨터(7)에서 3차원 형상 정보를 추출하게 된다.In the optical shape measuring apparatus configured as described above, the image of the laser beam acquired by the camera is deformed in the direction perpendicular to the reference line as shown in FIG. 2 when the object surface is not a plane, and this deformation amount has the height information at that point. do. The linear laser beam image modified according to the surface shape is acquired by the camera 5 to extract three-dimensional shape information from the image signal processing board 6 and the computer 7.

그러나, 이러한 기존 장치는 측정대상체 표면에서의 레이저빔 산란 및 반사 상태가 균일하지 않은 경우에는 특히 카메라에 획득된 레이저빔의 영상은 국부적으로 밝기 차이가 심하게 나타난다. 이러한 경우 어두운 부분의 영상을 획득하기 위하여 카메라의 감도를 높이면 밝은 부분의 영상은 포화상태(saturated)가 되고, 또한 반사가 심한 부분의 레이저빔이 다른 영역에서 2차 반사를 일으켜 오차를 유발하게 되는 문제점이 있었다.However, such a conventional device has a significant local brightness difference when the laser beam scattering and reflection conditions on the surface of the measurement object are not uniform. In this case, if the sensitivity of the camera is increased to obtain the dark part of the image, the bright part of the image becomes saturated, and the laser beam of the highly reflective part causes secondary reflection in other areas, causing errors. There was a problem.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 백색광 주사방식을 이용하여 웨이퍼의 상태에 따라 반사되거나 산란되는 수광량을 최적화 함으로써, 측정 대상체의 위치에 따른 빛의 굴절에 의한 오차를 줄여 향상된 영상을 획득하는 백색광 주사방식 웨이퍼 두께측정장치를 제공하는 데에 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, by using a white light scanning method by optimizing the amount of received light reflected or scattered according to the state of the wafer, thereby reducing the error due to the refraction of light according to the position of the measurement object improved image It is an object of the present invention to provide a white light scanning wafer thickness measuring apparatus that obtains.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 백색광 주사방식 웨이퍼 두께측정장치는, 측정 대상 웨이퍼에 백색광을 조사하는 광원부; 상기 웨이퍼로부터 반사된 광을 수광하는 카메라; 및 상기 카메라로부터 수광된 화상 신호중 특정파장의 신호만을 획득하여 상기 측정 대상 웨이퍼의 두께를 계산하는 두께 계산부를 포함하는 것을 특징으로 한다. White light scanning method wafer thickness measuring apparatus according to the present invention for achieving the above object, the light source unit for irradiating the white light to the measurement target wafer; A camera for receiving light reflected from the wafer; And a thickness calculator configured to calculate a thickness of the wafer to be measured by acquiring only a signal having a specific wavelength among the image signals received from the camera.

상기 광원부는, 일측에 백색광을 발생하는 백색LED를 형성하고, 타측에 상기 카메라를 수용하는 하우징; 상기 하우징 내에 형성되며, 상기 백색LED로부터 발생된 백생광을 슬릿빔으로 변형시키는 슬릿빔렌즈; 상기 슬릿빔렌즈를 통하여 출력된 백색광을 상기 측정 대상 웨이퍼 표면상에 조사시키는 배율렌즈; 상기 측정 대상 웨이퍼에서 반사된 광을 수광하여 상기 카메라로 집광시키는 광학미러를 포함한다.The light source unit may include a housing forming a white LED for generating white light on one side and accommodating the camera on the other side; A slit beam lens formed in the housing and configured to convert white light generated from the white LED into a slit beam; A magnification lens for irradiating the white light output through the slit beam lens onto the surface of the measurement target wafer; And an optical mirror that receives the light reflected from the wafer to be measured and condenses the light to the camera.

상기 두께 계산부는, 상기 카메라로부터 수광된 백색광을 프리즘으로 2개로 분리하여 상기 측정 대상 웨이퍼 표면에 조사하고, 반사되는 백색광의 오버랩핑 라이트 패스(overlapping light paths)에 따른 초점거리차를 이용하여 상기 측정 대상 웨이퍼의 두께를 계산하는 것이 바람직하다.The thickness calculator may separate the white light received from the camera into two prisms and irradiate the surface of the measurement target wafer, and measure the measurement by using a focal length difference according to overlapping light paths of the reflected white light. It is desirable to calculate the thickness of the target wafer.

상기 광원부는, 상기 측정 대상 웨이퍼에 백색광 경사조명을 조사하고, 상기 두께 계산부는 상기 카메라로부터 수광된 백색광 반사 이미지를 이용하여 상기 측정 대상 웨이퍼의 두께를 계산하는 것이 더욱 바람직하다.The light source unit irradiates white light oblique illumination to the measurement target wafer, and the thickness calculator further calculates the thickness of the measurement target wafer using the white light reflection image received from the camera.

또한, 본 발명은 상기 카메라로부터 수광된 화상 신호로부터 휘도를 측정하는 휘도측정부를 더 포함하고, 상기 두께 계산부는, 상기 측정 대상 웨이퍼와 동일한 구조를 가지는 샘플 웨이퍼로 부터 반사된 광의 휘도와 두께값을 적용하여 상기 측정 대상 웨이퍼의 두께를 계산하도록 할 수 있다.In addition, the present invention further includes a luminance measuring unit for measuring the luminance from the image signal received from the camera, the thickness calculation unit, the luminance and thickness value of the light reflected from the sample wafer having the same structure as the measurement target wafer It can be applied to calculate the thickness of the wafer to be measured.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 백색광 주사방식 웨이퍼 두께측정장치에 의하면, 백색광 주사방식을 이용하여 웨이퍼의 상태에 따라 반사되거나 산란되는 수광량을 최적화 함으로써, 측정 대상체의 위치에 따른 빛의 굴절에 의한 오차를 줄여 향상된 영상을 획득하는 효과가 있다.According to the white light scanning method wafer thickness measuring apparatus according to the present invention configured as described above, by using the white light scanning method by optimizing the amount of light reflected or scattered according to the state of the wafer, the error due to the refraction of the light according to the position of the measurement object It is effective to obtain an improved image by reducing.

도 1은 종래의 광학식 형상측정장치의 전체 구성도.
도 2는 일반적인 측정대상체에 선형으로 조사된 레이저빔의 형상변형 예시도.
도 3은 본 발명에 따른 백색광 주사방식 웨이퍼 두께측정장치를 나타낸 구성도.
도 4는 본 발명에 따른 백색광 주사방식 웨이퍼 두께측정장치의 광원부를 상세히 나타낸 사시도.1 is an overall configuration diagram of a conventional optical shape measuring device.
2 is a diagram illustrating a shape deformation of a laser beam irradiated linearly to a general measurement object.
Figure 3 is a block diagram showing a white light scanning wafer thickness measuring apparatus according to the present invention.
Figure 4 is a perspective view showing in detail the light source of the white light scanning wafer thickness measuring apparatus according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정 해석되지 아니하며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다. The terms or words used in this specification and claims are not to be construed as limiting in their usual or dictionary meanings, and the inventors may properly define the concept of terms in order to best explain their invention in the best way possible. It should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.

여기서, 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.Here, like reference numerals in the drawings denote like elements.

도 3은 본 발명에 따른 백색광 주사방식 웨이퍼 두께측정장치를 나타낸 구성도이고, 도 4는 본 발명에 따른 백색광 주사방식 웨이퍼 두께측정장치의 광원부를 상세히 나타낸 사시도이다.3 is a block diagram showing a white light scanning wafer thickness measuring apparatus according to the present invention, Figure 4 is a perspective view showing in detail the light source portion of the white light scanning wafer thickness measuring apparatus according to the present invention.

도시된 바와 같이 본 발명은, 측정 대상 웨이퍼(10), 광원부(20), 백색LED(21), 슬릿빔렌즈(22), 배율렌즈(23), 광학미러(24), 하우징(25), 카메라(30), 휘도측정부(40), 두께 계산부(50) 및 디스플레이 모니터(60)를 포함한다.As shown, the present invention, the measurement target wafer 10, the light source 20, the white LED 21, the slit beam lens 22, the magnification lens 23, the optical mirror 24, the housing 25, And a camera 30, a luminance measuring unit 40, a thickness calculating unit 50, and a display monitor 60.

광원부(20)는 측정 대상 웨이퍼(10)에 백색광을 조사하고, 카메라(30)는 상기 웨이퍼(10)로부터 반사된 광을 수광한다.The light source unit 20 irradiates white light to the measurement target wafer 10, and the camera 30 receives the light reflected from the wafer 10.

이를 위하여 상기 광원부(20)는 백색LED(21), 슬릿빔렌즈(22), 배율렌즈(23), 광학미러(24), 하우징(25)을 포함한다.To this end, the light source 20 includes a white LED 21, a slit beam lens 22, a magnification lens 23, an optical mirror 24, and a housing 25.

하우징(25)은 일측에 백색광을 발생하는 백색LED(21)를 형성하고, 타측에 상기 카메라(30)를 수용한다.The housing 25 forms a white LED 21 generating white light at one side and accommodates the camera 30 at the other side.

슬릿빔렌즈(22)는 상기 하우징(25) 내에 형성되며, 상기 백색LED(21)로부터 발생된 백생광을 "-"자 형상의 슬릿빔으로 변형시킨다.The slit beam lens 22 is formed in the housing 25 and transforms the white light generated from the white LED 21 into a slit beam having a "-" shape.

상기 슬릿빔렌즈(22)는 상부에“-”형상의 개방면이 형성되어 상기 백색LED(21)에서 발생된 백색광을 슬릿빔 형태로 조사시킨다.The slit beam lens 22 has an open surface having a “-” shape formed thereon to irradiate white light generated by the white LED 21 in a slit beam form.

배율렌즈(23)는 상기 슬릿빔렌즈(22)를 통하여 출력된 백색광을 상기 측정 대상 웨이퍼(10) 표면상에 조사시킨다.The magnification lens 23 irradiates the white light output through the slit beam lens 22 on the surface of the wafer 10 to be measured.

광학미러(24)는 상기 측정 대상 웨이퍼(10)에서 반사된 광을 수광하여 상기 카메라(30)로 집광시킨다.The optical mirror 24 receives light reflected from the measurement target wafer 10 and condenses the light to the camera 30.

두께 계산부(50)는 상기 카메라(30)로부터 수광된 화상 신호중 특정파장의 신호만을 획득하여 상기 측정 대상 웨이퍼(10)의 두께를 계산한다.The thickness calculator 50 calculates a thickness of the measurement target wafer 10 by acquiring only a signal having a specific wavelength among the image signals received from the camera 30.

한편, 상기 두께 계산부(50)는 상기 카메라(30)로부터 수광된 백색광을 프리즘으로 2개로 분리하여 상기 측정 대상 웨이퍼(10) 표면에 조사하고, 반사되는 백색광의 오버랩핑 라이트 패스(overlapping light paths)에 따른 초점거리차를 이용하여 상기 측정 대상 웨이퍼(10)의 두께를 계산하는 것이 가능하다.The thickness calculator 50 separates the white light received from the camera 30 into two prisms, irradiates the surface of the wafer 10 to be measured, and overlapping light paths of the reflected white light. It is possible to calculate the thickness of the measurement target wafer 10 by using the focal length difference according to.

또한, 상기 광원부(20)는 상기 측정 대상 웨이퍼(10)에 백색광 경사조명을 조사하고, 상기 두께 계산부(50)는 상기 카메라(30)로부터 수광된 백색광 반사 이미지를 이용하여 상기 측정 대상 웨이퍼(10)의 두께를 계산하는 것도 가능한다.In addition, the light source unit 20 irradiates white light oblique illumination to the measurement target wafer 10, and the thickness calculator 50 uses the white light reflection image received from the camera 30 to measure the measurement target wafer ( It is also possible to calculate the thickness of 10).

휘도측정부(40)는 상기 카메라(30)로부터 수광된 화상 신호로부터 휘도를 측정하고, 상기 두께 계산부(50)는 상기 측정 대상 웨이퍼(10)와 동일한 구조를 가지는 샘플 웨이퍼로 부터 반사된 광의 휘도와 두께값을 적용하여 상기 측정 대상 웨이퍼(10)의 두께를 계산하도록 할 수 있다.The luminance measuring unit 40 measures luminance from an image signal received from the camera 30, and the thickness calculating unit 50 measures the light reflected from the sample wafer having the same structure as that of the measurement target wafer 10. The thickness of the measurement target wafer 10 may be calculated by applying luminance and thickness values.

이와 같이 구성된 본 발명의 일실시예를 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to one embodiment of the present invention configured as described in more detail as follows.

먼저, 상기 측정 대상 웨이퍼(10)상에 광원부(20)와 카메라(30)가 위치한다.First, the light source 20 and the camera 30 are positioned on the measurement target wafer 10.

상기 광원부(20)는 측정 대상 웨이퍼(10)에 백색광을 조사하고, 카메라(30)는 상기 웨이퍼(10)로부터 반사된 광을 수광한다.The light source unit 20 emits white light onto the measurement target wafer 10, and the camera 30 receives the light reflected from the wafer 10.

이때, 백색LED(21)는 백생광을 발생시키고, 하우징(25)내에 형성된 슬릿빔렌즈(22)는 상기 백색LED(21)로부터 발생된 백생광을 "-"자 형상의 슬릿빔으로 변형시킨다. At this time, the white LED 21 generates white light, and the slit beam lens 22 formed in the housing 25 transforms the white light generated from the white LED 21 into a slit beam having a "-" shape. .

또한, 상기 슬릿빔렌즈(22)는 상부에“-”형상의 개방면이 형성되어 상기 백색LED(21)에서 발생된 백색광을 슬릿빔 형태로 조사시키며, 배율렌즈(23)는 상기 슬릿빔렌즈(22)를 통하여 출력된 백색광을 상기 측정 대상 웨이퍼(10) 표면상에 조사시킨다.In addition, the slit beam lens 22 has an open surface having a “-” shape formed thereon to irradiate the white light generated by the white LED 21 in the form of a slit beam, and the magnification lens 23 has the slit beam lens. White light output through 22 is irradiated onto the surface of the wafer 10 to be measured.

광학미러(24)는 상기 측정 대상 웨이퍼(10)에서 반사된 광을 수광하여 상기 카메라(30)로 집광시킨다.The optical mirror 24 receives light reflected from the measurement target wafer 10 and condenses the light to the camera 30.

이렇게 카메라(30)로 집광된 백색광은 두께 계산부(50)에 전송되고, 두께 계산부(50)는 상기 카메라(30)로부터 수광된 화상 신호중 특정파장의 신호만을 획득하여 상기 측정 대상 웨이퍼(10)의 두께를 계산한다.The white light collected by the camera 30 is transmitted to the thickness calculator 50, and the thickness calculator 50 acquires only a signal having a specific wavelength from the image signals received from the camera 30, thereby measuring the wafer 10. Calculate the thickness.

한편, 상기 두께 계산부(50)는 상기 카메라(30)로부터 수광된 백색광을 프리즘으로 2개로 분리하여 상기 측정 대상 웨이퍼(10) 표면에 조사하고, 반사되는 백색광의 오버랩핑 라이트 패스(overlapping light paths)에 따른 초점거리차를 이용하여 상기 측정 대상 웨이퍼(10)의 두께를 계산하는 것이 가능하다.The thickness calculator 50 separates the white light received from the camera 30 into two prisms, irradiates the surface of the wafer 10 to be measured, and overlapping light paths of the reflected white light. It is possible to calculate the thickness of the measurement target wafer 10 by using the focal length difference according to.

또한, 상기 광원부(20)는 상기 측정 대상 웨이퍼(10)에 백색광 경사조명을 조사하고, 상기 두께 계산부(50)는 상기 카메라(30)로부터 수광된 백색광 반사 이미지를 이용하여 상기 측정 대상 웨이퍼(10)의 두께를 계산하는 것도 가능한다.In addition, the light source unit 20 irradiates white light oblique illumination to the measurement target wafer 10, and the thickness calculator 50 uses the white light reflection image received from the camera 30 to measure the measurement target wafer ( It is also possible to calculate the thickness of 10).

휘도측정부(40)는 상기 카메라(30)로부터 수광된 화상 신호로부터 휘도를 측정하고, 상기 두께 계산부(50)는 상기 측정 대상 웨이퍼(10)와 동일한 구조를 가지는 샘플 웨이퍼로 부터 반사된 광의 휘도와 두께값을 적용하여 상기 측정 대상 웨이퍼(10)의 두께를 계산하도록 할 수 있다.The luminance measuring unit 40 measures luminance from an image signal received from the camera 30, and the thickness calculating unit 50 measures the light reflected from the sample wafer having the same structure as that of the measurement target wafer 10. The thickness of the measurement target wafer 10 may be calculated by applying luminance and thickness values.

상기와 같이 계산된 결과는 디스플레이 모니터(60)에 출력된다.The result calculated as described above is output to the display monitor 60.

위의 구조에 있어서, 상기 광원은 백색 또는 단색의 광을 조사하며, 특히 단색광인 경우는 녹색 또는 청색의 광을 조사한다. 상기 휘도측정부(40)는 상기 광원이 백색광을 조사하는 경우, 녹색 및/또는 적색광을 분리하여 각 색광별 평균휘도를 계산하며, 단색광인 경우 직접 평균 휘도를 구한다. In the above structure, the light source irradiates white or monochromatic light, and in particular, monochromatic light irradiates green or blue light. When the light source emits white light, the luminance measuring unit 40 calculates average luminance for each color light by separating green and / or red light, and directly calculates average luminance in the case of monochromatic light.

상기 두께 계산부(50)는 입력되는 색상별 평균휘도값을 상기 두께 산출식에 적용하여 이에 대응하는 셀의 두께를 계산할 수 있다.The thickness calculator 50 may calculate the thickness of a cell corresponding to the average luminance value for each color input to the thickness calculation formula.

따라서, 본 발명은 백색광 주사방식을 이용하여 웨이퍼의 상태에 따라 반사되거나 산란되는 수광량을 최적화 함으로써, 측정 대상체의 위치에 따른 빛의 굴절에 의한 오차를 줄여 향상된 영상을 획득할 수 있다.Accordingly, the present invention can obtain an improved image by reducing the error due to the refraction of light according to the position of the measurement object by optimizing the amount of received light reflected or scattered according to the state of the wafer using a white light scanning method.

본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.The present invention is not limited to the above-described specific preferred embodiments, and various modifications can be made by any person having ordinary skill in the art without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. Of course, such changes will fall within the scope of the claims.

10 : 측정 대상 웨이퍼 20 : 광원부
21 : 백색LED 22 : 슬릿빔렌즈
23 : 배율렌즈 24 : 광학미러
25 : 하우징 30 : 카메라
40 : 휘도측정부 50 : 두께 계산부10: wafer to be measured 20: light source
21: White LED 22: Slit Beam Lens
23 magnification lens 24 optical mirror
25 housing 30 camera
40: luminance measuring unit 50: thickness calculation unit

Claims (5)

측정 대상 웨이퍼에 백색광을 조사하는 광원부;
상기 웨이퍼로부터 반사된 광을 수광하는 카메라; 및
상기 카메라로부터 수광된 화상 신호중 특정파장의 신호만을 획득하여 상기 측정 대상 웨이퍼의 두께를 계산하는 두께 계산부를 포함하는 것을 특징으로 하는 백색광 주사방식 웨이퍼 두께측정장치.A light source unit irradiating white light to the measurement target wafer;
A camera for receiving light reflected from the wafer; And
And a thickness calculator configured to obtain only a signal having a specific wavelength among the image signals received from the camera and calculate a thickness of the wafer to be measured. 제 1항에 있어서,
상기 광원부는
일측에 백색광을 발생하는 백색LED를 형성하고, 타측에 상기 카메라를 수용하는 하우징;
상기 하우징 내에 형성되며, 상기 백색LED로부터 발생된 백생광을 슬릿빔으로 변형시키는 슬릿빔렌즈;
상기 슬릿빔렌즈를 통하여 출력된 백색광을 상기 측정 대상 웨이퍼 표면상에 조사시키는 배율렌즈;
상기 측정 대상 웨이퍼에서 반사된 광을 수광하여 상기 카메라로 집광시키는 광학미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 백색광 주사방식 웨이퍼 두께측정장치.The method of claim 1,
The light source unit
A housing which forms a white LED for generating white light on one side and accommodates the camera on the other side;
A slit beam lens formed in the housing and configured to convert white light generated from the white LED into a slit beam;
A magnification lens for irradiating the white light output through the slit beam lens onto the surface of the measurement target wafer;
And an optical mirror for receiving light reflected from the wafer to be measured and condensing it with the camera. 제 1항에 있어서,
상기 두께 계산부는
상기 카메라로부터 수광된 백색광을 프리즘으로 2개로 분리하여 상기 측정 대상 웨이퍼 표면에 조사하고, 반사되는 백색광의 오버랩핑 라이트 패스(overlapping light paths)에 따른 초점거리차를 이용하여 상기 측정 대상 웨이퍼의 두께를 계산하는 것을 특징으로 하는 백색광 주사방식 웨이퍼 두께측정장치.The method of claim 1,
The thickness calculation unit
The white light received from the camera is separated into two by a prism and irradiated onto the surface of the measurement target wafer, and the thickness of the measurement target wafer is determined by using a focal length difference according to overlapping light paths of the reflected white light. White light scanning wafer thickness measuring apparatus, characterized in that the calculation. 제 1항에 있어서,
상기 광원부는
상기 측정 대상 웨이퍼에 백색광 경사조명을 조사하고,
상기 두께 계산부는 상기 카메라로부터 수광된 백색광 반사 이미지를 이용하여 상기 측정 대상 웨이퍼의 두께를 계산하는 것을 특징으로 하는 백색광 주사방식 웨이퍼 두께측정장치.The method of claim 1,
The light source unit
White light oblique illumination is irradiated to the measurement target wafer,
And the thickness calculator calculates a thickness of the measurement target wafer using the white light reflection image received from the camera. 제 1항에 있어서,
상기 카메라로부터 수광된 화상 신호로부터 휘도를 측정하는 휘도측정부를 더 포함하고,
상기 두께 계산부는, 상기 측정 대상 웨이퍼와 동일한 구조를 가지는 샘플 웨이퍼로 부터 반사된 광의 휘도와 두께값을 적용하여 상기 측정 대상 웨이퍼의 두께를 계산하도록 하는 것을 특징으로 하는 백색광 주사방식 웨이퍼 두께측정장치.The method of claim 1,
Further comprising a luminance measuring unit for measuring the luminance from the image signal received from the camera,
And the thickness calculator is configured to calculate the thickness of the wafer to be measured by applying brightness and thickness values of light reflected from the sample wafer having the same structure as the wafer to be measured.
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