KR20110121140A

KR20110121140A - Method for fabricating solar cell

Info

Publication number: KR20110121140A
Application number: KR1020100040596A
Authority: KR
Inventors: 이상섭; 송석현; 황보성화; 강길주
Original assignee: 현대중공업 주식회사
Priority date: 2010-04-30
Filing date: 2010-04-30
Publication date: 2011-11-07

Abstract

PURPOSE: A method for fabricating a solar cell is provided to simultaneously reduce manufacturing costs and shortening a process time by eliminating the impurity particles of a powder and a particle shape which are generated on the surface of a silicon substrate without a separate additional process. CONSTITUTION: A first conductive silicon substrate(10) is prepared. A p-type semiconductor layer(11) is formed in the lower part of the substrate. A n-type semiconductor layer(12) is formed in the upper part of the substrate. A reflection preventing layer(13) is formed on the n-type semiconductor layer. A front electrode(14) is formed on the reflection preventing layer.

Description

Solar cell manufacturing method {Method for Fabricating Solar Cell}

본 발명은 태양전지 제조 방법에 관한 것으로, 특히 태양전지 제조를 위한 공정 순서 변경을 통해 아이솔레이션 공정에 의해 실리콘 기판 표면에 생성되는 파티클 및 파우더 형태의 불순물 입자들을 별도의 추가 공정없이 제거할 수 있도록 하는 태양전지 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for manufacturing a solar cell, and in particular, to remove impurities and particles in the form of powder and particles formed on the surface of a silicon substrate by an isolation process by changing the process sequence for manufacturing a solar cell without any additional process. It relates to a solar cell manufacturing method.

태양전지는 태양광을 직접 전기로 변환시키는 태양광 발전의 핵심소자로서, 기본적으로 p-n 접합으로 이루어진 다이오드(Diode)라 할 수 있다.The solar cell is a key element of photovoltaic power generation that converts sunlight directly into electricity, and is basically a diode composed of a p-n junction.

태양광이 태양전지에 의해 전기로 변환되는 과정을 살펴보면, 태양전지의 p-n 접합부에 태양광이 입사되어 의해 전자-정공 쌍이 생성되고, 전기장에 의해 전자는 n층으로, 정공은 p층으로 이동하게 되어 p-n 접합부 사이에 광기전력이 발생되며, 이때 태양전지의 양단에 부하나 시스템을 연결하면 전류가 흐르게 되어 전력을 생산할 수 있게 된다.In the process of converting sunlight into electricity by solar cells, solar light is incident on the pn junction of the solar cell to generate electron-hole pairs, and electrons move to n layers and holes move to p layers by the electric field. Thus, photovoltaic power is generated between the pn junctions, and when a load or a system is connected to both ends of the solar cell, current flows to generate power.

한편, 태양전지는 p-n 접합층인 광흡수층의 형태나 불순물 이온 종류에 따라 다양하게 구분되는데 광흡수층으로는 대표적으로 실리콘(Si)을 들 수 있으며, 이와 같은 실리콘계 태양전지는 형태에 따라 실리콘 웨이퍼를 광흡수층으로 이용하는 실리콘 기판형과, 실리콘을 박막 형태로 증착하여 광흡수층을 형성하는 박막형으로 구분된다.On the other hand, solar cells are classified into various types according to the shape of the light absorption layer or the impurity ions, which are pn junction layers. Examples of the light absorption layer include silicon (Si). The silicon substrate type used as the light absorption layer is divided into a thin film type which forms a light absorption layer by depositing silicon in a thin film form.

실리콘계 태양전지 중 실리콘 기판형의 일반적인 구조를 예들 들어 살펴보면 다음과 같다.Looking at the general structure of the silicon substrate type of silicon-based solar cell as an example.

도 1에 도시한 바와 같이, p형 반도체층(11) 상에 n형 반도체층(12)이 구비되며, n형 반도체층(12)의 상부에 전면전극(14)이 구비되고 p형 반도체층(11)의 하부에 후면전극(15)이 구비된 구조를 갖는다. 이때, p형 반도체층(11) 및 n형 반도체층(12)은 하나의 실리콘 기판(10)에 구현되는 것으로서, 실리콘 기판(10)의 하부는 p형 반도체층(11), 실리콘 기판(10)의 상부는 n형 반도체층(12)으로 구분되며, n형 반도체층(12)은 일반적으로 p형 반도체층(11)에 n형 불순물 이온을 도핑(Doping), 확산(Diffusion)시켜 형성된다. 또한, n형 반도체층(12) 상부에는 표면 반사를 최소화하기 위한 반사방지막(13)이 구비된다.As shown in FIG. 1, an n-type semiconductor layer 12 is provided on the p-type semiconductor layer 11, a front electrode 14 is provided on the n-type semiconductor layer 12, and a p-type semiconductor layer is provided. The lower electrode 11 has a structure in which the rear electrode 15 is provided. At this time, the p-type semiconductor layer 11 and the n-type semiconductor layer 12 is implemented in one silicon substrate 10, the lower portion of the silicon substrate 10 is the p-type semiconductor layer 11, the silicon substrate 10 ) Is divided into an n-type semiconductor layer 12, and the n-type semiconductor layer 12 is generally formed by doping and diffusing n-type impurity ions into the p-type semiconductor layer 11. . In addition, an anti-reflection film 13 is provided on the n-type semiconductor layer 12 to minimize surface reflection.

n형 반도체층(12)을 형성하는 공정을 살펴보면, 일반적으로 n형 불순물 이온이 포함된 용액에 실리콘 기판(10)을 담가서 n형 불순물 이온이 실리콘 기판(10)에 주입되고, 후속 열처리 공정에 의해 실리콘 기판(10)에 주입된 n형 불순물 이온이 실리콘 기판(10) 내부로 확산하도록 하는 방식으로 진행된다. 이때, n형 불순물 이온이 포함된 용액은 실리콘 기판(10)의 상부면 뿐만 아니라 실리콘 기판(10)의 측면과도 접촉하게 되어 실질적으로, 실리콘 기판(10)의 상부 이외에 실리콘 기판(10)의 측부에도 도 2에 도시된 바와 같이 n형 반도체층(12)을 형성하게 된다.Referring to the process of forming the n-type semiconductor layer 12, in general, the silicon substrate 10 is immersed in a solution containing the n-type impurity ions and the n-type impurity ions are implanted into the silicon substrate 10, the subsequent heat treatment process As a result, the n-type impurity ions implanted into the silicon substrate 10 are diffused into the silicon substrate 10. At this time, the solution containing the n-type impurity ions are in contact with the side surface of the silicon substrate 10 as well as the upper surface of the silicon substrate 10, substantially, the top of the silicon substrate 10 The n-type semiconductor layer 12 is also formed on the side as shown in FIG.

이와 같이 실리콘 기판(10)의 측부에 형성된 n형 반도체층(12)은 전면전극(14)과 후면전극(15)을 단락(short)시켜 태양전지의 광전변환 효율을 저하시키는 요인으로 작용하는 문제점이 있다.As such, the n-type semiconductor layer 12 formed on the side of the silicon substrate 10 shortens the front electrode 14 and the rear electrode 15 to act as a factor of lowering the photoelectric conversion efficiency of the solar cell. There is this.

이에, 상술한 문제점을 해결하기 위하여 일반적으로 태양전지 제조 공정 중 반사방지막(13) 형성 및 전극(14, 15) 형성을 위한 금속성의 물질을 프린팅하는 공정이 진행된 다음에, 실리콘 기판(10)의 둘레를 따라 일정 깊이의 절연용 트렌치(Trench)(16)를 형성하는 아이솔레이션(Isolation) 공정을 진행하고 있다.Therefore, in order to solve the above-mentioned problems, a process of printing a metallic material for forming the anti-reflection film 13 and forming the electrodes 14 and 15 in the solar cell manufacturing process is generally performed. An isolation process is performed to form an insulating trench 16 having a predetermined depth along the circumference.

아이솔레이션 공정에서는 절연용 트렌치(16)를 형성하기 위해 레이저를 이용하여 실리콘 기판(10)의 일부를 제거하게 되는데, 이때 제거된 실리콘 기판(10)의 일부가 불순물 입자로서 실리콘 기판(10)의 표면에 잔류하게 된다. 이러한 불순물 입자는 파티클 및 파우더 형태로 실리콘 기판(10)의 표면에 잔류하여 반사방지막(13)의 기능을 저하시키고 방폭 가능성을 증가시키며 인체에 유해한 영향을 주게 되고, 나아가서는 태양전지 제조를 위한 공정 과정에서 기판 파손률을 증가시키게 된다. In the isolation process, a part of the silicon substrate 10 is removed by using a laser to form the insulating trench 16, wherein a part of the removed silicon substrate 10 is a surface of the silicon substrate 10 as impurity particles. Will remain. The impurity particles remain on the surface of the silicon substrate 10 in the form of particles and powders, thereby degrading the function of the antireflection film 13, increasing the possibility of explosion, and detrimentally affecting the human body. It will increase the substrate breakage rate in the process.

이에 따라, 아이솔레이션 공정 이후 실리콘 기판(10)의 표면에 잔류하는 불순물 입자들을 제거하는 공정이 반드시 필요한 실정이며, 이러한 이유로 종래에는 아이솔레이션 공정 이후 세정 공정을 추가로 진행하고 있다.Accordingly, a process of removing impurity particles remaining on the surface of the silicon substrate 10 after the isolation process is necessary. For this reason, the cleaning process is further performed after the isolation process.

그러나, 이와 같이 반사방지막(13) 및 전극(14, 15) 형성 이후, 아이솔레이션 공정 및 세정 공정을 진행하는 종래의 태양전지 제조 방법은 태양전지의 제조 공정 시간을 증가시킬 뿐만 아니라, 세정 시 사용되는 화학 약품 소요에 따른 비용 부담을 증가시키는 문제점이 있다.However, the conventional solar cell manufacturing method of performing the isolation process and the cleaning process after forming the anti-reflection film 13 and the electrodes 14 and 15 as described above not only increases the manufacturing process time of the solar cell but also is used for cleaning. There is a problem of increasing the cost burden due to chemical requirements.

또한, 아이솔레이션 공정에 의해 미리 형성한 반사방지막(13) 손상에 의한 반사방지 효율이 저하되는 문제점이 있다.
In addition, there is a problem in that the antireflection efficiency due to damage to the antireflection film 13 formed in advance by the isolation process is lowered.

본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 태양전지 제조를 위한 공정 순서 변경을 통해 아이솔레이션 공정에 의해 실리콘 기판 표면에 생성되는 파티클 및 파우더 형태의 불순물 입자들을 별도의 추가 공정없이 제거할 수 있도록 하는 태양전지 제조 방법을 제공하는데, 그 목적이 있다.
The present invention has been made to solve the problems described above, and removes the particles and powder form of impurity particles formed on the surface of the silicon substrate by an isolation process without changing the process order for the solar cell manufacturing without any additional process. The present invention provides a method for manufacturing a solar cell, which has an object thereof.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 제조 방법은, 제1도전형의 실리콘 기판의 상층부에 제2도전형의 불순물 이온을 주입·확산하고, 상기 실리콘 기판의 표면에 불순물층을 형성하는 단계와; 상기 실리콘 기판의 표면 둘레를 따라 일정 깊이의 절연용 트렌치를 형성하고, 상기 불순물층을 제거하는 단계와; 상기 실리콘 기판의 상부에 방사방지막 및 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.In the solar cell manufacturing method according to an embodiment of the present invention for achieving the above object, the impurity ions of the second conductive type is implanted and diffused on the upper layer of the first conductive silicon substrate, Forming an impurity layer on the surface; Forming an insulating trench having a predetermined depth along a surface circumference of the silicon substrate and removing the impurity layer; Forming an anti-radiation film and an electrode on the upper portion of the silicon substrate is preferably made.

여기서, 상기 불순물층을 제거하는 단계에서는, 습식 세정 공정을 수행하여 상기 절연용 트렌치 형성 시 상기 실리콘 기판의 표면에 생성된 불순물 입자들을 불순물층과 함께 제거하는 것이 바람직하다.Here, in the step of removing the impurity layer, it is preferable to perform the wet cleaning process to remove the impurity particles generated on the surface of the silicon substrate together with the impurity layer when the insulating trench is formed.

아울러, 상기 절연용 트렌치는, 상기 실리콘 기판의 측부에 형성된 제2도전형 반도체층과 상기 실리콘 기판의 상층부에 형성된 제2도전형 반도체층의 경계 부위에 해당하는 상기 실리콘 기판의 표면 둘레를 따라 형성되며, 그 깊이가 상기 실리콘 기판의 상층부를 구성하는 제2도전형 반도체층의 두께를 초과하되, 상기 실리콘 기판의 두께에는 미치지 않도록 형성되는 것이 바람직하다.
The insulating trench may be formed along a surface circumference of the silicon substrate corresponding to a boundary between the second conductive semiconductor layer formed on the side of the silicon substrate and the second conductive semiconductor layer formed on the upper portion of the silicon substrate. The depth of the second conductive semiconductor layer constituting the upper layer of the silicon substrate may be greater than the thickness of the silicon substrate.

본 발명에 따른 태양전지 제조 방법에 의하면, 태양전지 제조를 위한 공정 순서 변경을 통해 아이솔레이션 공정에 의해 실리콘 기판 표면에 생성되는 파티클 및 파우더 형태의 불순물 입자들을 별도의 추가 공정없이 제거함으로써, 태양전지 제조 시 공정 시간을 단축시킴과 동시에 제조 비용을 절감시킬 수 있으며, 반사방지막의 손상을 방지하여 태양전지의 반사방지 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
According to the solar cell manufacturing method according to the present invention, by removing the impurities and particles in the form of powder and powder formed on the surface of the silicon substrate by the isolation process through a change in the process sequence for manufacturing the solar cell, a solar cell manufacturing At the same time, the process time can be shortened and manufacturing costs can be reduced, and the anti-reflection film can be prevented from being damaged, thereby improving the anti-reflection efficiency of the solar cell.

도 1 및 도 2는 일반적인 태양전지의 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 4 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도.1 and 2 are cross-sectional views of a typical solar cell.
Figure 3 is a flow chart for explaining a solar cell manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
4 to 9 is a cross-sectional view for explaining a solar cell manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 태양전지 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a solar cell manufacturing method according to a preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings will be described in detail.

먼저, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1도전형의 실리콘 기판(10)을 준비한다(S100). 여기서, 제1도전형은 n형 또는 p형일 수 있으며, 이하에서는 제1도전형은 p형인 것을 일 예로 들어 설명하기로 한다.First, as shown in FIG. 3, a silicon substrate 10 of a first conductivity type is prepared (S100). Here, the first conductivity type may be n-type or p-type, hereinafter, the first conductive type will be described with an example that the p-type.

상기한 단계 S100을 통해 제1도전형의 실리콘 기판(10)이 준비된 상태에서, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1도전형의 실리콘 기판(10)의 표면에 요철이 형성되도록 텍스쳐링 공정을 진행한다(S110). 이때의 텍스쳐링 공정은 실리콘 기판(10) 표면에서의 빛 반사를 줄이기 위한 것이며, 습식 식각 또는 플라즈마를 이용한 건식 식각을 통해 요철을 형성할 수 있다.In the state in which the first conductive silicon substrate 10 is prepared through the above step S100, as shown in FIG. 4, the texturing process is performed such that irregularities are formed on the surface of the first conductive silicon substrate 10. (S110). In this case, the texturing process is to reduce light reflection on the surface of the silicon substrate 10, and may form irregularities through wet etching or dry etching using plasma.

상기한 단계 S110 다음에는, 제1도전형의 실리콘 기판(10)의 상층부에 제2도전형 불순물 이온, 예를 들어 n형 불순물 이온인 인(P)을 주입하고, 열처리하여 확산시킨다(S120).After the above step S110, phosphorus (P), which is a second conductive impurity ion, for example, an n-type impurity ion, is implanted into the upper layer of the first conductive silicon substrate 10, and thermally diffused (S120). .

상기한 단계 S120에 의해 도 5에 도시한 바와 같이, 제1도전형의 실리콘 기판(10)의 하층부는 제1도전형의 반도체층 즉, p형 반도체층(11)을 이루게 되고, 그 상층부는 제2도전형의 반도체층 즉, n형 반도체층(12)을 이루게 된다. 아울러, 실리콘 기판(10)의 측부에도 제2도전형의 반도체층이 형성된다.As shown in FIG. 5 by the above-described step S120, the lower layer portion of the first conductive silicon substrate 10 forms the first conductive semiconductor layer, that is, the p-type semiconductor layer 11, and the upper layer portion The second conductive semiconductor layer, that is, the n-type semiconductor layer 12 is formed. In addition, a second conductive semiconductor layer is formed on the side of the silicon substrate 10.

아울러, 상기한 단계 S120에서의 확산 공정 시 고온 열처리에 의해 실리콘 기판(10)의 상부 표면에는 공기 융합 반응이 발생하고 이에 따라 일정 두께의 불순물층(20)이 형성된다(S130). 상기한 단계 S120에서의 불순물층(20)은 산소, 실리콘 및 인(P)이 고온에서 반응하여 생성된 PSG(Phosphorus Silicate Glass)로 이루어지는데, 만일 제2도전형의 반도체층이 p형 반도체층으로 이루어진 경우에는 산소, 실리콘 및 붕소(B)가 고온에서 반응하여 생성된 BSG(Boron Silicate Glass)로 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, an air fusion reaction occurs on the upper surface of the silicon substrate 10 by the high temperature heat treatment during the diffusion process in step S120, and thus an impurity layer 20 having a predetermined thickness is formed (S130). The impurity layer 20 in the step S120 is made of Phosphorus Silicate Glass (PSG) formed by reacting oxygen, silicon, and phosphorus (P) at a high temperature, and if the second conductive semiconductor layer is a p-type semiconductor layer In the case of consisting of oxygen, silicon and boron (B) is preferably made of BSG (Boron Silicate Glass) produced by the reaction at high temperature.

상기한 단계 S130 다음, 도 6에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(10)의 측부에 형성된 제2도전형 반도체층(12)과 실리콘 기판(10)의 상층부에 형성된 제2도전형 반도체층의 절연을 위해 아이솔레이션 공정을 진행하여 실리콘 기판(10)의 상부 표면 둘레를 따라 일정 깊이로 절연용 트렌치(16)를 형성한다(S140). 이때, 절연용 트렌치(16)는 레이저를 이용하여 형성되거나, 날카로운 도구에 의해 물리적으로 형성되거나, 날카로운 도구를 사용하여 형성 부위를 스크래치(Scratch)하고 화학 물질에 담궈 부식시킴으로써 화학적으로 형성되는 것이 바람직하다.6, the second conductive semiconductor layer 12 formed on the side of the silicon substrate 10 and the second conductive semiconductor layer formed on the upper layer of the silicon substrate 10 are insulated from each other. In order to form the isolation trench 16 at a predetermined depth along the circumference of the upper surface of the silicon substrate 10, the isolation process is performed (S140). At this time, the insulating trench 16 is preferably formed by using a laser, physically formed by a sharp tool, or chemically formed by scratching the formation site by using a sharp tool and immersing it in a chemical material. Do.

상기한 단계 S140에서 절연용 트렌치(16)는 실리콘 기판(10)의 측부에 형성된 제2도전형 반도체층(12)과 실리콘 기판(10)의 상층부에 형성된 제2도전형 반도체층(12)의 경계 부위에 해당하는 실리콘 기판(10)의 표면 둘레를 따라 형성되며, 그 깊이는 실리콘 기판(10)의 상층부를 구성하는 제2도전형 반도체층(12)의 두께를 초과하되, 실리콘 기판(10)의 두께에는 미치지 않도록 형성되는 것이 바람직하다.In the step S140, the insulating trench 16 may include the second conductive semiconductor layer 12 formed on the side of the silicon substrate 10 and the second conductive semiconductor layer 12 formed on the upper layer of the silicon substrate 10. It is formed along the circumference of the surface of the silicon substrate 10 corresponding to the boundary portion, the depth thereof exceeds the thickness of the second conductive semiconductor layer 12 constituting the upper layer portion of the silicon substrate 10, the silicon substrate 10 It is preferable that it is formed so as not to fall below the thickness.

상기한 단계 S140에 의해 실리콘 기판(10)의 상면에는 파티클 및 파우더 형태의 불순물 입자(17)들이 불순물층(20)과 함께 존재하게 되는데, 특히 불순물층(20) 상부에 존재하게 된다.In the step S140, the impurity particles 17 in the form of particles and powder are present together with the impurity layer 20 on the upper surface of the silicon substrate 10, in particular, above the impurity layer 20.

상기한 단계 S140 이후, 도 7에 도시한 바와 같이, 실리콘 기판(10)의 표면에 형성된 불순물층(20)을 제거한다(S150).After the above step S140, as shown in FIG. 7, the impurity layer 20 formed on the surface of the silicon substrate 10 is removed (S150).

상기한 단계 S150에서의 불순물층(20) 제거 시에는 상기한 단계 S140에 의해 실리콘 기판(10)의 표면에 생성된 불순물 입자(17)들을 불순물층(20)과 함께 제거하기 위하여 실리콘 기판(10)을 습식 세정조(Bath)에 담겨진 화학 약품에 넣어 세정하는 습식 세정 공정을 수행하는 것이 바람직하다.When the impurity layer 20 is removed in step S150, the silicon substrate 10 may be removed to remove the impurity particles 17 generated on the surface of the silicon substrate 10 by the step S140 together with the impurity layer 20. ) Is preferably carried out in a wet cleaning process in which the chemical is contained in a wet cleaning bath.

상기한 단계 S150 이후, 화학기상증착 공정 등을 통해 도 8에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(10)의 제2도전형 반도체층(12) 위에 반사방지막(13)을 형성한 다음(S160), 프린팅 공정을 통해 도 9에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(10)의 상하부면에 전극(14, 16)을 형성한다(S170).After the above step S150, as shown in FIG. 8 through a chemical vapor deposition process, an anti-reflection film 13 is formed on the second conductive semiconductor layer 12 of the silicon substrate 10 (S160). As shown in FIG. 9 through the printing process, electrodes 14 and 16 are formed on upper and lower surfaces of the silicon substrate 10 (S170).

상기한 단계 S160에서의 반사방지막(13) 형성 시에는, 실리콘 기판(10)의 제2도전형 반도체층 상에 예컨대, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정을 사용하는 것이 바람직하다. 여기서, 반사방지막(13)은 실리콘 질화막(Si₃N₄)으로 구성될 수 있는데, 일 예로 PECVD 공정을 통해 실리콘 질화막을 형성하는 것은, 원료가스인 SiH₄와 NH₃을 플라즈마 상태로 방전, 활성화시켜 실리콘 질화막을 생성시키는 방법을 통해 구현될 수 있다. 이와 같이, 반사방지막(13)을 아이솔레이션 공정 이후에 형성함으로써, 아이솔레이션 공정에 의해 형성된 절연용 트렌치(16)에도 반사방지막(13)이 증착되어 태양전지의 반사방지 효율이 향상된다.
In forming the anti-reflection film 13 in step S160, it is preferable to use, for example, a PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) process on the second conductive semiconductor layer of the silicon substrate 10. Here, the anti-reflection film 13 may be composed of a silicon nitride film (Si ₃ N ₄ ), for example, forming the silicon nitride film through a PECVD process, discharge and activate the source gas SiH ₄ and NH ₃ in a plasma state It can be implemented through a method for producing a silicon nitride film. As described above, by forming the anti-reflection film 13 after the isolation process, the anti-reflection film 13 is also deposited on the insulating trench 16 formed by the isolation process, thereby improving the anti-reflection efficiency of the solar cell.

본 발명에 따른 태양전지 제조 방법은 전술한 실시예에 국한되지 않고 본 발명의 기술사상이 허용하는 범위 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
The solar cell manufacturing method according to the present invention is not limited to the above-described embodiments and can be carried out in various modifications within the range allowed by the technical idea of the present invention.

10: 실리콘 기판 11: p형 반도체 층
12: n형 반도체층 13: 반사방지막
14: 전면전극 15: 후면전극
16: 절연용 트렌치 17: 불순물 입자
20: 불순물층10: silicon substrate 11: p-type semiconductor layer
12: n-type semiconductor layer 13: antireflection film
14: front electrode 15: rear electrode
16: trench for insulation 17: impurity particle
20: impurity layer

Claims

Implanting and diffusing a second conductive impurity ion into an upper layer of the first conductive silicon substrate and forming an impurity layer on the surface of the silicon substrate;
Forming an insulating trench having a predetermined depth along a surface circumference of the silicon substrate, and removing the impurity layer;
Forming a radiation prevention film and an electrode on the silicon substrate;

The method of claim 1,
In the step of removing the impurity layer,
A method of manufacturing a solar cell according to claim 1, wherein impurity particles formed on the surface of the silicon substrate are removed together with an impurity layer when the insulating trench is formed by performing a wet cleaning process.

The method according to claim 1 or 2,
The insulation trench is,
The silicon substrate is formed along the circumference of the surface of the silicon substrate corresponding to a boundary between the second conductive semiconductor layer formed on the side of the silicon substrate and the second conductive semiconductor layer formed on the upper layer of the silicon substrate. A method of manufacturing a solar cell, wherein the thickness of the second conductive semiconductor layer constituting the upper layer portion is greater than the thickness of the silicon substrate.